JPH01100036A - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
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- JPH01100036A JPH01100036A JP62258938A JP25893887A JPH01100036A JP H01100036 A JPH01100036 A JP H01100036A JP 62258938 A JP62258938 A JP 62258938A JP 25893887 A JP25893887 A JP 25893887A JP H01100036 A JPH01100036 A JP H01100036A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は超電導体の製造方法、特に超電導セラミックス
材の可撓性を改善し、さらに経時変化特性を改善する超
電導体の製造方法に関するものである。
材の可撓性を改善し、さらに経時変化特性を改善する超
電導体の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、超電導体の臨界温度の向上が著しい、特に、セラ
ミックス材料において進歩が著しい、しかし、これらは
セラミックスの欠点として、加工性および可撓性が悪い
、また、超電導特性を示す時間も数日からせいぜい一カ
月程度であり特性の経時変化が大きい。
ミックス材料において進歩が著しい、しかし、これらは
セラミックスの欠点として、加工性および可撓性が悪い
、また、超電導特性を示す時間も数日からせいぜい一カ
月程度であり特性の経時変化が大きい。
これら酸化物超電導材料にはイツトリウム、バリウム、
w4の酸化物((Y+−菖BaII)Cubs )やラ
ンタン、バリウム、銅の酸化物((t、a+−xBag
)CuOa−v)等が知られている(阪大基礎エシンポ
ジウム「高温超電導材料の作成と応用」S62・4・6
)。
w4の酸化物((Y+−菖BaII)Cubs )やラ
ンタン、バリウム、銅の酸化物((t、a+−xBag
)CuOa−v)等が知られている(阪大基礎エシンポ
ジウム「高温超電導材料の作成と応用」S62・4・6
)。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のセラミックス超電導体は、セラミッ
クスの性質として硬くもろく、さらに特性の経時変化が
大きいという問題点を有していた。
クスの性質として硬くもろく、さらに特性の経時変化が
大きいという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、可撓性がよく経時変化の小
さい超電導体の製造方法を提供するものである。
さい超電導体の製造方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の超電導体の製造方
法は酸化物超電導セラミックスを粉体とし、前記酸化物
超電導セラミックス粉体をガラス材料に混合し、前記ガ
ラスの製造に従い成形し、さらにその表面をガラス材料
でコーティングすることを特徴とするものである。
法は酸化物超電導セラミックスを粉体とし、前記酸化物
超電導セラミックス粉体をガラス材料に混合し、前記ガ
ラスの製造に従い成形し、さらにその表面をガラス材料
でコーティングすることを特徴とするものである。
作用
本発明は上記の製造方法により、ガラスと同じ可撓性を
有し経時変化の少ない超電導体を製造することができる
。
有し経時変化の少ない超電導体を製造することができる
。
実施例
以下本発明の一実施例につき図面を用いて説明するe
(Lad−x Bat )CuOa−vの組成におい
て、X−0,6(Y=O)のモル比で秤量し乳鉢で混合
した。これを、プレス成形し1400℃、2時間焼成し
た。さらに、これをボールミルで湿式粉砕を24時間行
った0粒度分布を測定したところ約3μmであった0次
に、酸化ケイ素(Stow)65重量%、酸化ナトリウ
ム(N a x O) 10重量%、酸化鉛(PbO
)25重量%のガラス粉体を用い、これに対し前記(L
ad−IBax)CuOa−vを30重置%の割合で加
え、700℃で溶融しガラス繊維状に引き伸ばした。今
回の試作は、いわゆるロンド式といわれる製法で行った
。
(Lad−x Bat )CuOa−vの組成におい
て、X−0,6(Y=O)のモル比で秤量し乳鉢で混合
した。これを、プレス成形し1400℃、2時間焼成し
た。さらに、これをボールミルで湿式粉砕を24時間行
った0粒度分布を測定したところ約3μmであった0次
に、酸化ケイ素(Stow)65重量%、酸化ナトリウ
ム(N a x O) 10重量%、酸化鉛(PbO
)25重量%のガラス粉体を用い、これに対し前記(L
ad−IBax)CuOa−vを30重置%の割合で加
え、700℃で溶融しガラス繊維状に引き伸ばした。今
回の試作は、いわゆるロンド式といわれる製法で行った
。
太さは約80pmであった。この超電導体を前記ガラス
と同一の組成のガラスを900℃で溶かした中に浸漬処
理した。太さは約100μmであった。これらの超電導
体の特性を第1図に記載する。
と同一の組成のガラスを900℃で溶かした中に浸漬処
理した。太さは約100μmであった。これらの超電導
体の特性を第1図に記載する。
第1図において、横軸は絶対温度、縦軸は比抵抗(mΩ
cII)である、この超電導体を70℃、湿度90%の
条件で寿命試験を行った。この結果を第2図に記載する
。第2図において横軸は時間(単位−月)、縦軸は転移
温度の変化率である(単位:%)、第2図においてそれ
ぞれ曲線21は超電導セラミックス自体の、曲線22は
超電導セラミックス粉体をガラスに分散させた場合の超
電導体の、曲線23は本発明のガラス材料でコーティン
グした超電導体の経時変化特性を示す。曲線21.22
の場合数日〜−カ月で超電導特性がなくなるが、曲線2
3の場合、非常に安定であることが分かる。
cII)である、この超電導体を70℃、湿度90%の
条件で寿命試験を行った。この結果を第2図に記載する
。第2図において横軸は時間(単位−月)、縦軸は転移
温度の変化率である(単位:%)、第2図においてそれ
ぞれ曲線21は超電導セラミックス自体の、曲線22は
超電導セラミックス粉体をガラスに分散させた場合の超
電導体の、曲線23は本発明のガラス材料でコーティン
グした超電導体の経時変化特性を示す。曲線21.22
の場合数日〜−カ月で超電導特性がなくなるが、曲線2
3の場合、非常に安定であることが分かる。
第3図はガラス溶融温度を800℃にした時の特性であ
る。コーティングは第1図の場合と同様の方法で行った
。少し非超電導状態時の抵抗値が高(なっているが、顕
著な変化はない、また、10wmX10日×0.5鶴の
板状に成形したが、同様な特性を示した(特性グラフ省
略)、経時変化は第1図のものより少ない(特性グラフ
省略)。
る。コーティングは第1図の場合と同様の方法で行った
。少し非超電導状態時の抵抗値が高(なっているが、顕
著な変化はない、また、10wmX10日×0.5鶴の
板状に成形したが、同様な特性を示した(特性グラフ省
略)、経時変化は第1図のものより少ない(特性グラフ
省略)。
また、(Yr−x B a x ) Cu Osの組成
において、X−O,Sのモル比で秤量しボールミルで混
合した。これをプレス成形し1100℃で2時間焼成し
た。これをボールミルで湿式粉砕を24時間行った。
において、X−O,Sのモル比で秤量しボールミルで混
合した。これをプレス成形し1100℃で2時間焼成し
た。これをボールミルで湿式粉砕を24時間行った。
次に、酸化セイ素(SiOり 75重量%、酸化ナトリ
ウム(NagO)15重量%、酸化カルシウム(Cab
)10重量%のガラス粉体を用いこれに対し前記(Yr
−* Bag )Cubsを15重量%の割合で加え9
00℃でロンド式でガラス繊維状に引き伸ばした。さら
に、これを前記ガラスと同一組成のガラスを1000℃
に溶融した中を浸漬処理した。この超電導体の特性を第
4図に示す、この超電導体を70℃、湿度90%の条件
で寿命試験を行った。この結果を第5図に記載する。非
常に経時変化が少ないことが分かる。
ウム(NagO)15重量%、酸化カルシウム(Cab
)10重量%のガラス粉体を用いこれに対し前記(Yr
−* Bag )Cubsを15重量%の割合で加え9
00℃でロンド式でガラス繊維状に引き伸ばした。さら
に、これを前記ガラスと同一組成のガラスを1000℃
に溶融した中を浸漬処理した。この超電導体の特性を第
4図に示す、この超電導体を70℃、湿度90%の条件
で寿命試験を行った。この結果を第5図に記載する。非
常に経時変化が少ないことが分かる。
次に(L a 1−11 B ax ) Cu 0a−
vの組成において、X−0,6(Y−0)のモル比で秤
量し乳鉢で混合した。これを、プレス成形し1400℃
、2時間焼成した。さらに、これをボールミルで湿式粉
砕を24時間行った0粒度分布を測定したところ約3μ
mであった0次に、シリコン、ヒ素。
vの組成において、X−0,6(Y−0)のモル比で秤
量し乳鉢で混合した。これを、プレス成形し1400℃
、2時間焼成した。さらに、これをボールミルで湿式粉
砕を24時間行った0粒度分布を測定したところ約3μ
mであった0次に、シリコン、ヒ素。
テルル、アンチモン系ガラス(Si b^54Tesb
)のガラス粉体を用い、これに対し前記(Lad−vB
ax)CuOa−vを30重量%の割合で加え、600
℃で溶融しガラス繊維状に引き伸ばした。この試作は、
いわゆるロンド式と言われる製法で試作した。
)のガラス粉体を用い、これに対し前記(Lad−vB
ax)CuOa−vを30重量%の割合で加え、600
℃で溶融しガラス繊維状に引き伸ばした。この試作は、
いわゆるロンド式と言われる製法で試作した。
太さは約80μmであった。この超電導体を前記分散用
ガラスと同一組成のガラスを800℃で溶融した中に浸
漬処理した。この超電導体の特性を第6図に実線で示す
、この超電導体を70℃、湿度90%の雰囲気で寿命試
験を行った。この結果を第7図に示す、経時変化は極め
て少なく安定である。
ガラスと同一組成のガラスを800℃で溶融した中に浸
漬処理した。この超電導体の特性を第6図に実線で示す
、この超電導体を70℃、湿度90%の雰囲気で寿命試
験を行った。この結果を第7図に示す、経時変化は極め
て少なく安定である。
第8図はガラス溶融温度を700℃にした時の特性であ
る。少し非超電導状態時の抵抗値が高くなり転移温度も
高くなっている。また、10+nX10mX0.5mm
の板状に成形したが、同様な特性を示した(特性グラフ
省略)。経時変化は第7図のものより少ない(特性グラ
フ省略)。
る。少し非超電導状態時の抵抗値が高くなり転移温度も
高くなっている。また、10+nX10mX0.5mm
の板状に成形したが、同様な特性を示した(特性グラフ
省略)。経時変化は第7図のものより少ない(特性グラ
フ省略)。
また、(Yl−X B a II ) Cu Oxの組
成において、X−0,5のモル比で秤量しボールミルで
混合した。これをプレス成形し1100℃で2時間焼成
した。これをボールミルで湿式粉砕を24時間行った。
成において、X−0,5のモル比で秤量しボールミルで
混合した。これをプレス成形し1100℃で2時間焼成
した。これをボールミルで湿式粉砕を24時間行った。
次に、ゲルマミウム、燐、硫黄系ガラス(GePS、)
のガラス粉体を用い、これに対し前記(Yl−X B
a X ) Cu Osを15重量%の割合で加え70
0℃で溶融しロンド式でガラス繊維状に引き伸ばした。
のガラス粉体を用い、これに対し前記(Yl−X B
a X ) Cu Osを15重量%の割合で加え70
0℃で溶融しロンド式でガラス繊維状に引き伸ばした。
この超電導体の特性を第9図に示す。
この超電導体を70℃、湿度90冗の雰囲気で寿命試験
を行った。この結果を第10図に示す。
を行った。この結果を第10図に示す。
経時変化は極めて少なく安定である。
以上の実施例において、コーティング用のガラスの組成
比はそれほど重要でない0分散用ガラスと馴染みのよい
同一系統のガラスなら使用可能である。また超電導体セ
ラミックスを分散用ガラスに何%加えるかは主に機械的
性質により制限される。この添加量によって経時変化特
性はほとんど影響を受けない。
比はそれほど重要でない0分散用ガラスと馴染みのよい
同一系統のガラスなら使用可能である。また超電導体セ
ラミックスを分散用ガラスに何%加えるかは主に機械的
性質により制限される。この添加量によって経時変化特
性はほとんど影響を受けない。
発明の効果
以上のように本発明は酸化物超電導セラミックスを粉体
とし、前記酸化物超電導セラミックス粉体をガラス材料
に混合し、前記ガラスの製造に従い成形し、さらにその
表面をガラス材料でコーティングすることにより可撓性
および経時変化特性の優れた超電導体を製造できる。
とし、前記酸化物超電導セラミックス粉体をガラス材料
に混合し、前記ガラスの製造に従い成形し、さらにその
表面をガラス材料でコーティングすることにより可撓性
および経時変化特性の優れた超電導体を製造できる。
第1図、第3図、第4図、第6図、第8図、第9図は本
発明の超電導体の製造方法により製造された超電導体の
抵抗値の温度変化特性を示す抵抗値−温度特性図、第2
図、第5図、第7図、第1θ図は前記本発明による超電
導体の経時変化特性を示す経時変化特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名第1図 第2図 第 6 図 第7図
発明の超電導体の製造方法により製造された超電導体の
抵抗値の温度変化特性を示す抵抗値−温度特性図、第2
図、第5図、第7図、第1θ図は前記本発明による超電
導体の経時変化特性を示す経時変化特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名第1図 第2図 第 6 図 第7図
Claims (1)
- 酸化物超電導セラミックスを粉体とし、前記酸化物超
電導セラミックス粉体をガラス材料に混合し、前記ガラ
スの製造に従い成形し、さらにその表面をガラス材料で
コーティングすることを特徴とする超電導体の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62258938A JPH01100036A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62258938A JPH01100036A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 超電導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01100036A true JPH01100036A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17327127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62258938A Pending JPH01100036A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01100036A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10191186B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-29 | Schott Corporation | Optical bonding through the use of low-softening point optical glass for IR optical applications and products formed |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62258938A patent/JPH01100036A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10191186B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-29 | Schott Corporation | Optical bonding through the use of low-softening point optical glass for IR optical applications and products formed |
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