JP7846574B2 - 弾性波デバイス - Google Patents

Description

本発明は、弾性波デバイスに関する。

基板の上面に配線と配線に隣接するシールド電極とを設け、シールド電極によって配線間の電磁結合を抑制することが知られている（例えば特許文献１）。また、基板の上面に複数の弾性波素子が設けられ、下面に複数の弾性波素子に電気的に接続される端子が設けられた弾性波デバイスが知られている（例えば特許文献２）。

特開２０１１－７１８７４号公報 特開２０１７－２０４８２７号公報

基板の上面に複数の弾性波素子に接続される信号配線が設けられ、基板の下面に信号端子が設けられた弾性波デバイスにおいて、信号配線と信号端子との間に電磁界結合が生じて、特性が劣化する場合がある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、信号配線と信号端子との間の電磁界結合を抑制することを目的とする。

本発明は、第１表面と前記第１表面の反対の第２表面とを有する第１基板と、前記第２表面上に設けられた複数の端子と、前記第１表面上に設けられ、前記複数の端子のうち第１信号端子と第２信号端子との間に接続された複数の第１弾性波共振器と、前記第１表面上に設けられ、前記複数の第１弾性波共振器に接続された信号配線と、前記信号配線のうち前記複数の第１弾性波共振器を介さずに前記第１信号端子または前記第２信号端子のいずれか一方の信号端子に接続する第１部分と、前記複数の端子のうち前記いずれか一方の信号端子以外の信号端子と、が重なる第１領域、および、前記信号配線のうち前記複数の第１弾性波共振器の少なくとも１つを介して前記第１信号端子および前記第２信号端子に接続する第２部分と、前記複数の端子のうちの信号端子と、が重なる第２領域、の少なくとも一方の領域において前記第１表面と前記信号配線との間に設けられ、前記複数の端子のうちのグランド端子に電気的に接続された金属層と、前記複数の第１弾性波共振器を囲んで前記第１表面上に設けられ、前記複数の第１弾性波共振器を空隙に封止する封止部と、を備え、前記封止部は前記グランド端子に電気的に接続され、前記金属層は前記第１表面上において前記封止部に接触することで前記グランド端子に電気的に接続される、弾性波デバイスである。

上記構成において、前記金属層は、平面視において前記封止部の角部の近傍に設けられ、前記角部を挟んで位置する少なくとも２箇所で前記封止部に接続する構成とすることができる。

上記構成において、前記第１基板は、前記第２表面を有する支持基板と、前記支持基板上に接合されて前記第１表面を有する圧電基板と、を備え、前記封止部は、前記支持基板上の前記圧電基板がない領域に設けられ、前記金属層は、前記圧電基板上から前記支持基板上にかけて設けられて前記封止部に接触する構成とすることができる。

上記構成において、前記複数の端子のうち前記第１信号端子と第３信号端子との間に接続された複数の第２弾性波共振器を備え、前記複数の第１弾性波共振器は、前記第１信号端子と前記第２信号端子との間に接続された第１フィルタを形成し、前記複数の第２弾性波共振器は、前記第１信号端子と前記第３信号端子との間に接続された第２フィルタを形成する構成とすることができる。

上記構成において、前記第１領域は、前記第１部分と前記第３信号端子とが重なる領域であり、前記金属層は、前記第１領域において前記第１基板の前記第１表面と前記信号配線との間に設けられる構成とすることができる。

上記構成において、前記第２領域は、前記第２部分と前記第１信号端子とが重なる領域であり、前記金属層は、前記第２領域において前記第１基板の前記第１表面と前記信号配線との間に設けられる構成とすることができる。

上記構成において、前記第１基板の前記第１表面上に空隙を介し対向した第２基板を備え、前記複数の第２弾性波共振器は、前記第２基板に設けられる構成とすることができる。

上記構成において、前記第１信号端子は共通端子、前記第２信号端子は送信端子、前記第３信号端子は受信端子であり、前記第１フィルタは、前記共通端子と前記送信端子との間に接続された送信フィルタであり、前記第２フィルタは、前記共通端子と前記受信端子との間に接続された受信フィルタである構成とすることができる。

上記構成において、前記金属層と前記信号配線との間に設けられ、前記金属層と前記信号配線とを絶縁する絶縁層を備える構成とすることができる。

本発明は、第１表面と前記第１表面の反対の第２表面とを有する基板と、前記第２表面上に設けられた複数の端子と、前記第１表面上に設けられた複数の弾性波共振器と、前記第１表面上に設けられ、前記複数の弾性波共振器に接続された信号配線と、前記複数の端子のうちの信号端子と、前記信号配線のうちの前記信号端子と電位が異なる部分と、が重なる領域において前記第１表面と前記信号配線との間に設けられ、前記複数の端子のうちのグランド端子に電気的に接続された金属層と、前記複数の弾性波共振器を囲んで前記第１表面上に設けられ、前記複数の弾性波共振器を空隙に封止する封止部と、を備え、前記封止部は前記グランド端子に電気的に接続され、前記金属層は前記第１表面上において前記封止部に接触することで前記グランド端子に電気的に接続される、弾性波デバイスである。

本発明によれば、信号配線と信号端子との間に電磁界結合を抑制することができる。

図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの回路図である。 図２は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図である。 図３（ａ）は、弾性波共振器が弾性表面波共振器である場合の平面図、図３（ｂ）は、弾性波共振器が圧電薄膜共振器である場合の断面図である。 図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスにおける基板の平面図である。 図５（ａ）は、受信端子近傍の平面図であり、図５（ｂ）から図５（ｄ）は、信号配線、絶縁層、および金属層の分解平面図である。 図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１の変形例に係る弾性波デバイスにおける基板の平面図である。 図７は、比較例に係る弾性波デバイスの断面図である。 図８（ａ）および図８（ｂ）は、比較例に係る弾性波デバイスにおける基板の平面図である。 図９（ａ）および図９（ｂ）は、シミュレーションに用いたモデル１における基板の平面図である。 図１０は、モデル１、２のアイソレーション特性のシミュレーション結果を示す図である。 図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、実施例２に係る弾性波デバイスにおける基板の平面図である。

以下、図面を参照し、本発明の実施例について説明する。

図１は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の回路図である。図１に示すように、弾性波デバイス１００は、デュプレクサであり、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に接続された送信フィルタ７０と、共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に接続された受信フィルタ７４と、を備える。送信フィルタ７０は、送信端子Ｔｘに入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を共通端子Ａｎｔに出力し、他の周波数帯域の信号を抑圧する。受信フィルタ７４は、共通端子Ａｎｔに入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信端子Ｒｘに出力し、他の周波数帯域の信号を抑圧する。

送信フィルタ７０は、ラダー型フィルタである。送信フィルタ７０は、送信端子Ｔｘと共通端子Ａｎｔとの間に直列に接続された直列共振器Ｓ１１、Ｓ１２と、並列に接続された並列共振器Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３と、を備える。直列共振器Ｓ１１、Ｓ１２は、送信端子Ｔｘと共通端子Ａｎｔとの間の直列経路７２に設けられている。並列共振器Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３は、一端が直列経路７２に接続され、他端がグランド端子Ｇｎｄに接続されている。

受信フィルタ７４は、ラダー型フィルタである。受信フィルタ７４は、共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に直列に接続された直列共振器Ｓ２１、Ｓ２２と、並列に接続された並列共振器Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２３と、を備える。直列共振器Ｓ２１、Ｓ２２は、共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間の直列経路７６に設けられている。並列共振器Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２３は、一端が直列経路７６に接続され、他端がグランド端子Ｇｎｄに接続されている。

図２は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の断面図である。図２に示すように、基板１０上に基板２０が設けられ、基板２０上にリッド３０が設けられている。基板１０は、支持基板１１と、支持基板１１上に接合された圧電基板１２と、を有する。同様に、基板２０は、支持基板２１と、支持基板２１上に接合された圧電基板２２と、を有する。支持基板１１、２１は、例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、石英基板、水晶基板、またはシリコン基板であり、単結晶基板、多結晶基板、または焼結体基板である。圧電基板１２、２２は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板であり、単結晶基板である。圧電基板１２、２２の厚さは、例えば０．５μｍ～３０μｍであり、例えば弾性波共振器１３、２３が励振する弾性波の波長λ以下である。

基板１０の上面１０ａに弾性波共振器１３および配線１４が設けられている。基板２０の上面２０ａに弾性波共振器２３および配線２４が設けられている。基板２０の下面２０ｂにシールド層２８が設けられている。シールド層２８は、弾性波共振器１３と弾性波共振器２３との間の電磁波を遮蔽する機能を有する。シールド層２８は、例えば銅層、銀層、タングステン層、アルミニウム層、またはチタン層等の導電性金属層、もしくは、鉄層、ニッケル層、または鉄－ニッケル合金層（コバール層）等の磁性体金属層を含む。シールド層２８の厚さは、遮蔽する電磁波の表皮厚さ以上である場合が好ましい。基板１０の下面１０ｂに複数の端子１５が設けられている。端子１５は、弾性波共振器１３、２３を外部に接続するためのフットパッドである。

基板１０を貫通するビア配線１６が設けられている。ビア配線１６は、配線１４と端子１５とを電気的に接続する。電気的に接続とは、直流および交流のいずれか一方で導通があるように接続されていればよい（以下においても同じ）。配線１４、端子１５、及びビア配線１６は、例えば銅層、アルミニウム層、または金層等の金属層である。端子１５は、共通端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘ、およびグランド端子Ｇｎｄを含むが、図２では、受信端子Ｒｘとグランド端子Ｇｎｄのみを図示している。

基板２０を貫通するビア配線２６が設けられている。ビア配線２６は、ピラー１７を介してビア配線１６に接続されている。配線２４およびビア配線２６は、例えば銅層、アルミニウム層、または金層等の金属層である。ピラー１７は、例えば銅層、金層、銀層、アルミニウム層等を含む金属層である。

基板１０の上面１０ａと基板２０の下面２０ｂとは空隙３２を介し対向する。弾性波共振器１３および配線１４を囲むように、基板１０と基板２０の間に封止部３４が設けられている。封止部３４は、支持基板１１の周縁の圧電基板１２が除去された領域に設けられている。封止部３４は、環状金属層３４ａと半田層３４ｂとを有する。半田層３４ｂは環状金属層３４ａとシールド層２８とを接合する。封止部３４は、弾性波共振器１３および配線１４を空隙３２に封止する。環状金属層３４ａは、例えばニッケル層、銅層、または金層等を含む金属層である。半田層３４ｂは例えばＡｕＳｎ層である。封止部３４の幅は例えば５０μｍ～２００μｍである。封止部３４は、ビア配線１６を介してグランド端子Ｇｎｄに電気的に接続されている。シールド層２８は、封止部３４に電気的に接続され、グランド端子Ｇｎｄに電気的に接続されている。

リッド３０と基板２０の上面２０ａとは空隙３３を介し対向する。弾性波共振器２３および配線２４を囲むように、基板２０とリッド３０の間に封止部３６が設けられている。封止部３６は、支持基板２１の上面の周縁の圧電基板２２が除去された領域に設けられている。封止部３６は、環状金属層３６ａと半田層３６ｂとを有する。半田層３６ｂは環状金属層３６ａとリッド３０とを接合する。封止部３６は、弾性波共振器２３および配線２４を空隙３３に封止する。環状金属層３６ａは、例えばニッケル層、銅層、または金層等を含む金属層である。半田層３６ｂは例えばＡｕＳｎ層である。リッド３０は、例えばサファイア基板等の絶縁板またはコバール基板等の金属板である。封止部３６の幅は例えば５０μｍ～２００μｍである。封止部３６は、基板２０を貫通するビア配線２６によりシールド層２８に電気的に接続されていてもよい。これにより、封止部３６およびリッド３０をグランド端子Ｇｎｄに電気的に接続させることができる。

配線１４は、送信端子Ｔｘと弾性波共振器１３の間、共通端子Ａｎｔと弾性波共振器１３の間、および２つの弾性波共振器１３の間を接続する信号配線１４ａと、グランド端子Ｇｎｄと弾性波共振器１３の間を接続するグランド配線１４ｂと、を含む。同様に、配線２４は、共通端子Ａｎｔと弾性波共振器２３の間、受信端子Ｒｘと弾性波共振器２３の間、および２つの弾性波共振器２３の間を接続する信号配線２４ａと、グランド端子Ｇｎｄと弾性波共振器２３の間を接続するグランド配線２４ｂと、を含む。

信号配線１４ａと受信端子Ｒｘとが平面視にて重なる領域４２において、基板１０の上面１０ａに金属層４０が設けられている。金属層４０は、圧電基板１２上から支持基板１１上にかけて設けられ、端部が支持基板１１と封止部３４との間に入り込んでいる。これにより、金属層４０は、支持基板１１上において封止部３４に接している。このため、金属層４０はグランド端子Ｇｎｄに電気的に接続されている。金属層４０は、領域４２における信号配線１４ａと受信端子Ｒｘとの間の電磁波を遮蔽する機能を有する。金属層４０は、例えば銅層、銀層、タングステン層、アルミニウム層、またはチタン層等の導電性金属層、もしくは、鉄層、ニッケル層、または鉄－ニッケル合金層（コバール層）等の磁性体金属層である。金属層４０の厚さは、遮蔽する電磁波の表皮厚さ以上である場合が好ましい。

金属層４０と信号配線１４ａとの間に、金属層４０と信号配線１４ａとを絶縁する絶縁層４６が設けられている。絶縁層４６は、例えばポリイミド樹脂またはエポキシ樹脂等の樹脂絶縁層、もしくは、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸化アルミニウム等の無機絶縁層である。絶縁層４６は、空隙であってもよい。絶縁層４６の厚さは例えば１μｍ～１０μｍである。

図３（ａ）および図３（ｂ）を用いて、弾性波共振器１３、２３の例について説明する。図３（ａ）は、弾性波共振器１３、２３が弾性表面波共振器である場合の平面図である。図３（ａ）に示すように、圧電基板１２、２２上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）５０と反射器５１が形成されている。ＩＤＴ５０は、対向する一対の櫛型電極５２を備える。櫛型電極５２は、複数の電極指５３と、複数の電極指５３を接続するバスバー５４と、を備える。反射器５１は、ＩＤＴ５０の両側に設けられている。ＩＤＴ５０が圧電基板１２、２２に弾性表面波を励振する。ＩＤＴ５０および反射器５１は、例えばアルミニウム膜または銅膜により形成されている。図２のように、支持基板１１、２１上にそれぞれ圧電基板１２、２２が接合されていてもよいし、支持基板１１、２１は設けられておらず、基板１０、２０はそれぞれ圧電基板１２、２２の単体の場合でもよい。支持基板１１、２１と圧電基板１２、２２との各々の間に酸化シリコン膜または酸化アルミニウム膜等の絶縁膜が設けられていてもよい。基板１０、２０上にＩＤＴ５０および反射器５１を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。

図３（ｂ）は、弾性波共振器１３、２３が圧電薄膜共振器である場合の断面図である。図３（ｂ）に示すように、基板１０、２０上に圧電膜５６が設けられている。圧電膜５６を挟むように下部電極５５と上部電極５７が設けられている。下部電極５５と基板１０、２０との間に空隙５９が形成されている。圧電膜５６の少なくとも一部を挟み下部電極５５と上部電極５７とが対向する領域が共振領域５８である。共振領域５８内の下部電極５５および上部電極５７は、圧電膜５６内に厚み縦振動モードの弾性波を励振する。基板１０、２０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、ガラス基板、水晶基板、またはシリコン基板である。下部電極５５および上部電極５７は、例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜５６は、例えば窒化アルミニウム膜である。空隙５９の代わりに弾性波を反射する音響反射膜が設けられてもよい

弾性波共振器１３、２３は、弾性波を励振する電極を含む。このため、図２のように、弾性波の励振を阻害しないよう、弾性波共振器１３は空隙３２に覆われ、弾性波共振器２３は空隙３３に覆われている。

図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００における基板１０、２０の平面図である。図４（ａ）は、基板２０の上面２０ａを上から見た平面図、図４（ｂ）は、基板１０の上面１０ａを上から見た平面図である。なお、図４（ｂ）では、基板１０の下面１０ｂに設けられた端子１５を透視して破線で図示し、図４（ａ）および図４（ｂ）では、図の明瞭化のために、信号配線１４ａ、２４ａおよびグランド配線１４ｂ、２４ｂにハッチングを付している（以下の同様な図においても同じ）。

図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、基板２０の上面２０ａに弾性波共振器２３、信号配線２４ａ、およびグランド配線２４ｂが設けられている。弾性波共振器２３は、例えばＩＤＴ５０および反射器５１を備える弾性表面波共振器である。信号配線２４ａは、共通端子Ａｎｔと弾性波共振器２３の間、受信端子Ｒｘと弾性波共振器２３の間、および２つの弾性波共振器２３の間に接続されている。グランド配線２４ｂは、グランド端子Ｇｎｄと弾性波共振器２３の間に接続されている。基板２０の周縁に封止部３６が設けられている。弾性波共振器２３は、受信フィルタ７４を構成する直列共振器Ｓ２１、Ｓ２２と、並列共振器Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２３と、を含む。

基板１０の上面１０ａに弾性波共振器１３、信号配線１４ａ、およびグランド配線１４ｂが設けられている。弾性波共振器１３は、例えばＩＤＴ５０および反射器５１を備える弾性表面波共振器である。信号配線１４ａは、送信端子Ｔｘと弾性波共振器１３の間、共通端子Ａｎｔと弾性波共振器１３の間、および２つの弾性波共振器１３の間に接続されている。グランド配線１４ｂは、グランド端子Ｇｎｄと弾性波共振器１３との間に接続されている。基板１０の周縁に封止部３４が設けられている。弾性波共振器１３は、送信フィルタ７０を構成する直列共振器Ｓ１１、Ｓ１２と、並列共振器Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３と、を含む。

基板１０の下面１０ｂに複数の端子１５が設けられている。複数の端子１５は、共通端子Ａｎｔと、送信端子Ｔｘと、受信端子Ｒｘと、グランド端子Ｇｎｄと、を含む。共通端子Ａｎｔは、下面１０ｂの対向する一対の辺のうち一方の辺の中央部に設けられ、送信端子Ｔｘおよび受信端子Ｒｘは、他方の辺の端部に設けられている。これにより、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘと受信端子Ｒｘは、互いの間隔が大きくなっている。

受信フィルタ７４を構成する直列共振器Ｓ２１、Ｓ２２は、信号配線２４ａ、ビア配線２６、ピラー１７、およびビア配線１６を介して、共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に直列に接続されている。受信フィルタ７４を構成する並列共振器Ｐ２１、Ｐ２１、Ｐ２３は、一端が信号配線２４ａに接続され、他端がグランド配線２４ｂ、ビア配線２６、ピラー１７、およびビア配線１６を介してグランド端子Ｇｎｄに接続されることで、共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に並列に接続されている。

送信フィルタ７０を構成する直列共振器Ｓ１１、Ｓ１２は、信号配線１４ａおよびビア配線１６を介して、送信端子Ｔｘと共通端子Ａｎｔとの間に直列に接続されている。送信フィルタ７０を構成する並列共振器Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３は、一端が信号配線１４ａに接続され、他端がグランド配線１４ｂおよびビア配線１６を介してグランド端子Ｇｎｄに接続されることで、送信端子Ｔｘと共通端子Ａｎｔとの間に並列に接続されている。

信号配線１４ａのうち共通端子Ａｎｔと直列共振器Ｓ１２との間を接続する部分６０は、平面視にて受信端子Ｒｘと重なっている。信号配線１４ａの部分６０と受信端子Ｒｘとが平面視にて重なる領域を領域４２で示している。領域４２を含むように、信号配線１４ａと基板１０の上面１０ａとの間に金属層４０および絶縁層４６が設けられている。

図５（ａ）は、受信端子Ｒｘ近傍の平面図であり、図５（ｂ）から図５（ｄ）は、信号配線１４ａ、絶縁層４６、および金属層４０の分解平面図である。図５（ａ）から図５（ｄ）に示すように、金属層４０は、信号配線１４ａのうち共通端子Ａｎｔと直列共振器Ｓ１２との間を接続する部分６０と受信端子Ｒｘとが重なる領域４２を覆うように、基板１０の上面１０ａと信号配線１４ａとの間に設けられている。金属層４０は、領域４２を完全に覆って設けられる場合が好ましいが、領域４２の一部を覆っていない場合でもよい。金属層４０は、封止部３４の角部３７を挟んで位置する２つの箇所４１ａ、４１ｂにて封止部３６に接している。

絶縁層４６は、金属層４０と信号配線１４ａとの間に、金属層４０と信号配線１４ａとが平面視において重なる領域を覆うように設けられている。絶縁層４６は、金属層４０と信号配線１４ａとが平面視において重なる領域を完全に覆うように設けられる場合が好ましい。これにより、金属層４０と信号配線１４ａとの間の絶縁を確保できる。

［製造方法］
実施例１に係る弾性波デバイス１００の製造方法の一例を説明する。まず、基板１０と基板２０は別々に形成する。基板１０は、ビア配線１６を形成した支持基板１１上に圧電基板１２を接合した後、圧電基板１２を研磨または研削等によって所望の厚さまで薄くする。支持基板１１と圧電基板１２の接合は、例えば支持基板１１の表面と圧電基板１２の表面を活性化させて常温接合による直接接合法を用いる。次いで、圧電基板１２に対してエッチングを行って圧電基板１２を所望の形状に加工し、圧電基板１２上に弾性波共振器１３を形成する。その後、金属層４０と絶縁層４６と配線１４を形成する。次いで、基板１０の周縁に封止部３４を形成し、ビア配線１６上にピラー１７を形成する。弾性波共振器１３、配線１４、ビア配線１６、ピラー１７、封止部３４、金属層４０、絶縁層４６の形成は一般的に知られた方法を用いる。

基板２０についても、基板１０と同様に、ビア配線２６を形成した支持基板２１上に圧電基板２２と接合した後、圧電基板２２を所望の厚さまで薄くして、圧電基板２２を所望の形状に加工する。圧電基板２２上に弾性波共振器２３を形成し、弾性波共振器２３に接続する配線２４を形成し、基板２０の周縁に封止部３６を形成する。その後、封止部３６上にリッド３０を搭載する。これにより、弾性波共振器２３は基板２０とリッド３０の間に形成された空隙３３に封止される。次いで、支持基板２１を研磨または研削等によって所望の厚さまで薄くした後、基板２０の下面２０ｂにシールド層２８を形成する。

次いで、基板１０の封止部３４およびピラー１７上に基板２０を搭載する。これにより、基板１０上に形成された弾性波共振器１３は基板１０と基板２０の間に形成された空隙３２に封止される。その後、支持基板１１を研磨または研削等によって所望の厚さまで薄くした後、基板１０の下面１０ｂに複数の端子１５を形成する。

［変形例］
実施例１の変形例に係る弾性波デバイス１１０の回路図および断面図は実施例１の図１および図２と同じであるため説明を省略する。図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１の変形例に係る弾性波デバイス１１０における基板１０、２０の平面図である。図６（ａ）は、基板２０の上面２０ａを上から見た平面図、図６（ｂ）は、基板１０の上面１０ａを上から見た平面図である。図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、実施例１の変形例１では、信号配線１４ａのうち送信端子Ｔｘと直列共振器Ｓ１１との間を接続する部分６２が平面視にて受信端子Ｒｘと重なっている。金属層４０は、実施例１と同様に、信号配線１４ａのうち送信端子Ｔｘと直列共振器Ｓ１１との間を接続する部分６２と受信端子Ｒｘとが重なる領域４２ａを覆うように、基板１０の上面１０ａと信号配線１４ａとの間に設けられている。絶縁層４６は、実施例１と同様に、金属層４０と信号配線１４ａとが平面視において重なる領域を覆うように、金属層４０と信号配線１４ａとの間に設けられている。その他の構成は実施例１と同じであるため説明を省略する。

［比較例］
比較例に係る弾性波デバイス５００の回路図は実施例１の図１と同じであるため説明を省略する。図７は、比較例に係る弾性波デバイス５００の断面図である。図８（ａ）および図８（ｂ）は、比較例に係る弾性波デバイス５００における基板１０、２０の平面図である。図７、図８（ａ）、図８（ｂ）に示すように、比較例に係る弾性波デバイス５００では、信号配線１４ａのうち共通端子Ａｎｔと直列共振器Ｓ１２との間を接続する部分６０と受信端子Ｒｘとが平面視において重なる領域４２に金属層４０が設けられてなく、これに伴い絶縁層４６も設けられていない。その他の構成は実施例１と同じであるため説明を省略する。

比較例では、信号配線１４ａのうち共通端子Ａｎｔと直列共振器Ｓ１２との間を接続する部分６０と受信端子Ｒｘとは電位が異なるため、この部分６０と受信端子Ｒｘとが重なる領域４２において、信号配線１４ａと受信端子Ｒｘとの間の電磁界結合が大きくなりやすい。これにより、アイソレーション特性が劣化する恐れがある。信号配線１４ａ、２４ａは、高周波信号が伝搬する線路であり、弾性波共振器１３、２３を通過するごとに電位が変化することから、信号配線１４ａのうち共通端子Ａｎｔと直列共振器Ｓ１２との間を接続する部分６０と受信端子Ｒｘとは電位が異なることとなる。なお、グランド配線１４ｂ、２４ｂは、グランド端子Ｇｎｄに接続されるものであるため、グランド電位となる。これに対し、実施例１およびその変形例では、信号配線１４ａのうち共通端子Ａｎｔと直列共振器Ｓ１２との間を接続する部分６０と受信端子Ｒｘとが重なる領域４２において、基板１０の上面１０ａと信号配線１４ａとの間に金属層４０が設けられている。金属層４０はグランド端子Ｇｎｄに電気的に接続されていることから、信号配線１４ａと受信端子Ｒｘとの間の電磁界結合を抑制することができる。よって、アイソレーション特性の劣化を抑制することができる。

［シミュレーション］
実施例１に相当するモデル１および比較例に相当するモデル２のアイソレーション特性をシミュレーションした。モデル１の断面図は図１と同じであり、モデル２の断面図は図７と同じである。図９（ａ）および図９（ｂ）は、シミュレーションに用いたモデル１における基板１０、２０の平面図である。

図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、モデル１では、基板２０の上面２０ａに、受信フィルタ７４を構成する直列共振器Ｓ２１、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５と、並列共振器Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２３、Ｐ２４と、を含む弾性波共振器２３が設けられている。基板１０の上面１０ａに、送信フィルタ７０を構成する直列共振器Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３と、並列共振器Ｐ１１、Ｐ１２ａ、Ｐ１２ｂ、Ｐ１３ａ、Ｐ１３ｂ、Ｐ１４と、を含む弾性波共振器１３が設けられている。基板１０の下面１０ｂには、共通端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘ、グランド端子Ｇｎｄが設けられている。

信号配線１４ａのうち共通端子Ａｎｔと直列共振器Ｓ１３との間を接続する部分６０が平面視にて受信端子Ｒｘと重なっている。なお、信号配線１４ａと受信端子Ｒｘとの間の電磁界結合の影響が顕著に現れるように、信号配線１４ａを大きくして受信端子Ｒｘとの重なりを大きくした。信号配線１４ａのうちの共通端子Ａｎｔと直列共振器Ｓ１３との間を接続する部分６０と受信端子Ｒｘとが重なる領域４２を完全に覆うように、基板１０の上面１０ａと信号配線１４ａとの間に金属層４０が設けられている。金属層４０は、封止部３４に接続することでグランド端子Ｇｎｄに電気的に接続されている。信号配線１４ａと金属層４０との間には、信号配線１４ａと金属層４０とを絶縁させる絶縁層４６が設けられている。

モデル２は、金属層４０および絶縁層４６が設けられていない点以外は、図９（ａ）および図９（ｂ）に示したモデル１と同じ構造をしている。

シミュレーション条件は以下である。
下基板について
支持基板１１：厚さが７５μｍのサファイア基板
圧電基板１２：厚さが３μｍのタンタル酸リチウム基板
金属層４０上の配線１４：厚さが０．２μｍのチタン層と厚さが１μｍの金層の積層膜
金属層４０上以外の配線１４：厚さが０．０３μｍのチタン層と厚さが０．１μｍのアルミニウム層と厚さが０．２μｍのチタン層と厚さが１μｍの金層との積層膜
金属層４０：厚さが０．０３μｍのチタン層と厚さが０．１μｍのアルミニウム層
絶縁層４６：厚さが３μｍのポリイミド層
ビア配線１６：上面の直径が４０μｍ、下面の直径が１０μｍの銅層
端子１５：厚さが５μｍのニッケル層と厚さが２．４μｍの銅層との積層膜
封止部３４：厚さが２．５μｍのニッケル層と厚さが２０μｍの銅層との積層膜、幅が２３μｍ
ピラー１７：厚さが２．５μｍのニッケル層と厚さが２０μｍの銅層との積層膜、幅が２３μｍ
上基板
支持基板２１：厚さが７５μｍのサファイア基板
圧電基板２２：厚さが３μｍのタンタル酸リチウム基板
配線２４：厚さが０．０２μｍのチタン層と厚さが０．１１μｍのアルミニウム層と厚さが０．２μｍのチタン層と厚さが１μｍの金層との積層膜
ビア配線２６：上面の直径が４０μｍ、下面の直径が１０μｍの銅層
封止部３６：厚さが２０μｍの銅層と厚さが２．５μｍのニッケル層との積層膜、幅が２３μｍ
リッド３０：厚さが３０μｍのコバール板
シールド層２８：厚さが３μｍの銅層

図１０は、モデル１、２のアイソレーション特性のシミュレーション結果を示す図である。図１０に示すように、実施例１に相当するモデル１は、比較例に相当するモデル２に比べて、送信帯域におけるアイソレーション特性が改善した結果となった。これは、モデル１では、信号配線１４ａのうち共通端子Ａｎｔと直列共振器Ｓ１３との間を接続する部分６０と受信端子Ｒｘとが重なる領域４２を覆って金属層４０が設けられているため、信号配線１４ａと受信端子Ｒｘとの間の電磁界結合が抑制されたためと考えられる。

以上のように、実施例１およびその変形例によれば、基板１０の上面１０ａに共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に接続された複数の弾性波共振器１３が設けられている。複数の弾性波共振器１３に接続される信号配線１４ａのうち弾性波共振器１３を介さずに共通端子Ａｎｔに接続する部分６０または弾性波共振器１３を介さずに送信端子Ｔｘに接続する部分６２と、受信端子Ｒｘと、が重なる領域４２、４２ａにおいて、基板１０の上面１０ａと信号配線１４ａとの間にグランド端子Ｇｎｄに電気的に接続された金属層４０が設けられている。金属層４０が設けられることで、領域４２、４２ａでの信号配線１４ａと受信端子Ｒｘとの間の電磁界結合を抑制することができる。これにより、電気特性の劣化を抑制することができる。

信号配線１４ａのうち弾性波共振器１３を介さずに共通端子Ａｎｔに接続する部分６０または弾性波共振器１３を介さずに送信端子Ｔｘに接続する部分６２と、受信端子Ｒｘと、は電位が異なる。したがって、金属層４０は、受信端子Ｒｘと、信号配線１４ａのうちの受信端子Ｒｘと電位が異なる部分６０、６２と、が重なる領域４２、４２ａにおいて、基板１０の上面１０ａと信号配線１４ａとの間に設けられている。よって、領域４２、４２ａでの信号配線１４ａと受信端子Ｒｘとの間の電磁界結合を抑制することができ、電気特性の劣化を抑制することができる。

また、実施例１およびその変形例によれば、複数の弾性波共振器１３を囲んで複数の弾性波共振器１３を空隙３２に封止する封止部３４が基板１０の上面１０ａに設けられている。封止部３４はグランド端子Ｇｎｄに電気的に接続されている。金属層４０は基板１０の上面１０ａ上において封止部３４に接続することでグランド端子Ｇｎｄに電気的に接続される。これにより、金属層４０による電磁波のシールド効果が高まり、領域４２、４２ａでの信号配線１４ａと受信端子Ｒｘとの間の電磁界結合を抑制することができる。

なお、実施例１およびその変形例において、金属層４０は、封止部３４に接してなく、金属層４０に接続するビア配線１６を介してグランド端子Ｇｎｄに電気的に接続される場合でもよい。しかしながら、電磁波のシールド効果を高める点から、金属層４０は封止部３４に接続することでグランド端子Ｇｎｄに電気的に接続される場合が好ましい。

また、実施例１およびその変形例によれば、金属層４０は、平面視において封止部３４の角部３７の近傍に設けられ、角部３７を挟んで位置する２つの箇所４１ａ、４１ｂで封止部３４に接続している。これにより、金属層４０による電磁波のシールド効果が高まり、領域４２、４２ａでの信号配線１４ａと受信端子Ｒｘとの間の電磁界結合を抑制することができる。なお、実施例１およびその変形例では、金属層４０が２つの箇所４１ａ、４１ｂで封止部３４に接続する場合を例に示したが、角部３７を挟んで位置する３つ以上の箇所で封止部３４に接続してもよい。

また、実施例１およびその変形例によれば、基板１０は、下面１０ｂを有する支持基板１１と、支持基板１１上に接合され上面１０ａを有する圧電基板１２と、を備える。封止部３４は、支持基板１１上の圧電基板１２がない領域に設けられている。金属層４０は、圧電基板１２上から支持基板１１上にかけて設けられて封止部３４に接している。圧電基板１２上に設けられた信号配線１４ａと支持基板１１の下面に設けられた信号端子との間の電磁界結合を抑制する場合、金属層４０は圧電基板１２上に設けられることになる。この場合に、金属層４０が圧電基板１２上から支持基板１１上にかけて設けられて封止部３４に接続することで、金属層４０をグランド端子Ｇｎｄに容易に接続することができる。

また、実施例１およびその変形例によれば、共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に接続された複数の弾性波共振器２３を備える。複数の弾性波共振器１３によって共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に接続された送信フィルタ７０が形成され、複数の弾性波共振器２３によって共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に接続された受信フィルタ７４が形成されている。このような場合、弾性波共振器１３に接続された信号配線１４ａと受信端子Ｒｘとの間で電磁界結合が生じるとアイソレーション特性が劣化してしまうことがあるが、金属層４０が設けられることで、電磁界結合を抑制でき、アイソレーション特性の劣化を抑制することができる。

また、実施例１およびその変形例によれば、信号配線１４ａのうち弾性波共振器１３を介さずに共通端子Ａｎｔまたは送信端子Ｔｘに接続する部分６０、６２と受信端子Ｒｘとが重なる領域４２、４２ａにおいて、金属層４０が基板１０の上面１０ａと信号配線１４ａとの間に設けられている。信号配線１４ａのうち弾性波共振器１３を介さずに共通端子Ａｎｔまたは送信端子Ｔｘに接続する部分６０、６２と受信端子Ｒｘとの間に電磁界結合が生じた場合では、アイソレーション特性の劣化の影響が大きいが、金属層４０が設けられることで、電磁界結合を抑制でき、アイソレーション特性の劣化を抑制することができる。

また、実施例１およびその変形例によれば、基板１０の上面１０ａ上に空隙３２を介し対向し、複数の弾性波共振器２３が設けられた基板２０を備える。この場合、弾性波共振器１３に接続された信号配線１４ａと受信端子Ｒｘとが平面視にて重なりやすくなる。したがって、このような場合に、金属層４０を設けることが好ましい。

また、実施例１およびその変形によれば、複数の弾性波共振器１３によって送信フィルタ７０が形成され、複数の弾性波共振器２３によって受信フィルタ７４が形成されている。送信フィルタ７０の信号配線１４ａと受信端子Ｒｘとの間に電磁界結合が生じた場合では、アイソレーション特性への影響が大きいが、金属層４０が設けられることで、電磁界結合を抑制でき、アイソレーション特性の劣化を抑制することができる。

また、実施例１およびその変形例によれば、金属層４０と信号配線１４ａとの間に、金属層４０と信号配線１４ａとを絶縁する絶縁層４６が設けられている。これにより、金属層４０を設けた場合でも、金属層４０を設けたことによる特性への悪影響を抑えることができる。

また、実施例１およびその変形例によれば、金属層４０は、信号配線１４ａのうち弾性波共振器１３を介さずに共通端子Ａｎｔまたは送信端子Ｔｘに接続する部分６０、６２と受信端子Ｒｘとが重なる領域４２、４２ａの全体を覆って設けられている。これにより、領域４２、４２ａでの信号配線１４ａと受信端子Ｒｘとの間の電磁界結合を抑制することができる。なお、金属層４０は、領域４２、４２ａの一部を覆っていない場合でもよい。金属層４０は、領域４２、４２ａの５０％以上を覆っている場合でもよく、７０％以上覆っている場合が好ましく、８０％以上覆っている場合がより好ましく、９０％以上覆っている場合が更に好ましい。

なお、実施例１およびその変形例では、信号配線１４ａのうち弾性波共振器１３を介さずに共通端子Ａｎｔまたは送信端子Ｔｘに接続する部分６０、６２が受信端子Ｒｘと重なる領域４２、４２ａに金属層４０が設けられる場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。信号配線１４ａのうち弾性波共振器１３を介さずに共通端子Ａｎｔに接続する部分６０が送信端子Ｔｘと重なる領域に金属層が設けられる場合でもよいし、信号配線１４ａのうち弾性波共振器１３を介さずに送信端子Ｔｘに接続する部分６２が共通端子Ａｎｔと重なる領域に金属層が設けられる場合でもよい。

実施例２に係る弾性波デバイス２００の回路図および断面図は実施例１の図１および図２と同じであるため説明を省略する。図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、実施例２に係る弾性波デバイス２００における基板１０、２０の平面図である。図１１（ａ）は、基板２０の上面２０ａを上から見た平面図、図１１（ｂ）は、基板１０の上面１０ａを上から見た平面図である。図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、実施例２では、信号配線１４ａのうち共通端子Ａｎｔと直列共振器Ｓ１２との間を接続する部分６０と受信端子Ｒｘとが平面視にて重なる領域４２に、基板１０の上面１０ａと信号配線１４ａとの間に金属層４０が設けられることに加え、直列共振器Ｓ１１、Ｓ１２と並列共振器Ｐ１２との間を接続する部分６４と共通端子Ａｎｔとが平面視において重なる領域４２ｂに、基板１０の上面１０ａと信号配線１４ａとの間に金属層４０ａが設けられている。金属層４０ａは、金属層４０と同じく、封止部３４に接続することでグランド端子Ｇｎｄに電気的に接続されている。金属層４０ａと信号配線１４ａとの間には、金属層４０ａと信号配線１４ａとを絶縁する絶縁層４６ａが設けられている。その他の構成は実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例２によれば、信号配線１４ａのうち弾性波共振器１３を介して送信端子Ｔｘおよび共通端子Ａｎｔに接続する部分６４と共通端子Ａｎｔとが重なる領域４２ｂにおいて、基板１０の上面１０ａと信号配線１４ａとの間にグランド端子Ｇｎｄに電気的に接続された金属層４０ａが設けられている。金属層４０ａが設けられることで、領域４２ｂでの信号配線１４ａと共通端子Ａｎｔとの間の電磁界結合を抑制することができる。これにより、電気特性の劣化を抑制することができる。

また、実施例２によれば、金属層４０ａは、信号配線１４ａのうち弾性波共振器１３を介して送信端子Ｔｘおよび共通端子Ａｎｔに接続する部分６４と共通端子Ａｎｔとが重なる領域４２ｂの全体を覆って設けられている。これにより、領域４２ｂでの信号配線１４ａと共通端子Ａｎｔとの間の電磁界結合を抑制することができる。なお、金属層４０ａは、領域４２ｂの一部を覆っていない場合でもよい。金属層４０ａは、領域４２ｂの５０％以上を覆っている場合でもよく、７０％以上覆っている場合が好ましく、８０％以上覆っている場合がより好ましく、９０％以上覆っている場合が更に好ましい。

なお、実施例２では、金属層４０と金属層４０ａの両方が設けられている場合を例に示したが、金属層４０、４０ａのいずれか一方のみが設けられている場合でもよい。

なお、実施例２では、信号配線１４ａのうち弾性波共振器１３の間を接続する部分６４と共通端子Ａｎｔとが重なる領域４２ｂに金属層４０ａを設ける場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。信号配線１４ａのうち弾性波共振器１３の間を接続する部分と送信端子Ｔｘと重なる領域に金属層が設けられる場合でもよいし、信号配線１４ａのうち弾性波共振器１３の間を接続する部分と受信端子Ｒｘと重なる領域に金属層が設けられる場合でもよい。

なお、実施例１および実施例２では、基板１０上に送信フィルタ７０が形成され、基板２０上に平面視にて送信フィルタ７０に重なって受信フィルタ７４が形成されている場合を例に示したが、この場合に限られる訳ではない。基板１０上に基板２０が設けられてなく、基板１０上に送信フィルタ７０と受信フィルタ７４の両方が設けられている場合でもよい。また、送信フィルタ７０および受信フィルタ７４の両方を備える場合に限られず、基板１０上にいずれか一方のフィルタが形成されている場合でもよい。また、実施例１および実施例２では、ラダー型フィルタの場合を例に示したが、多重モード型フィルタの場合でもよい。

なお、実施例１および実施例２では、弾性波共振器２３が基板２０の上面２０ａに設けられている場合を例に示したが、基板２０の下面２０ｂに設けられる場合でもよい。この場合、弾性波共振器１３、２３は共に基板１０と基板２０との間の空隙３２に封止される。シールド層２８は、弾性波共振器１３と弾性波共振器２３との間に位置して空隙３２内に設けられる。

以上、本願発明の実施形態について詳述したが、本願発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０、２０ 基板
１０ａ、２０ａ 上面
１０ｂ、２０ｂ 下面
１１、２１ 支持基板
１２、２２ 圧電基板
１３、２３ 弾性波共振器
１４、２４ 配線
１４ａ、２４ａ 信号配線
１４ｂ、２４ｂ グランド配線
１５ 端子
１６、２６ ビア配線
１７ ピラー
３０ リッド
３２、３３ 空隙
３４、３６ 封止部
３４ａ、３６ａ 環状金属層
３４ｂ、３６ｂ 半田層
３７ 角部
４０、４０ａ 金属層
４１ａ、４１ｂ 箇所
４６、４６ａ 絶縁層
４２、４２ａ、４２ｂ 領域
６０、６２、６４ 部分
７０ 送信フィルタ
７２ 直列経路
７４ 受信フィルタ
７６ 直列経路
Ａｎｔ 共通端子
Ｔｘ 送信端子
Ｒｘ 受信端子
Ｇｎｄ グランド端子
１００、１１０、２００、５００ 弾性波デバイス

Claims (10)

1. 第１表面と前記第１表面の反対の第２表面とを有する第１基板と、
   前記第２表面上に設けられた複数の端子と、
   前記第１表面上に設けられ、前記複数の端子のうち第１信号端子と第２信号端子との間に接続された複数の第１弾性波共振器と、
   前記第１表面上に設けられ、前記複数の第１弾性波共振器に接続された信号配線と、
   前記信号配線のうち前記複数の第１弾性波共振器を介さずに前記第１信号端子または前記第２信号端子のいずれか一方の信号端子に接続する第１部分と、前記複数の端子のうち前記いずれか一方の信号端子以外の信号端子と、が重なる第１領域、および、前記信号配線のうち前記複数の第１弾性波共振器の少なくとも１つを介して前記第１信号端子および前記第２信号端子に接続する第２部分と、前記複数の端子のうちの信号端子と、が重なる第２領域、の少なくとも一方の領域において前記第１表面と前記信号配線との間に設けられ、前記複数の端子のうちのグランド端子に電気的に接続された金属層と、
   前記複数の第１弾性波共振器を囲んで前記第１表面上に設けられ、前記複数の第１弾性波共振器を空隙に封止する封止部と、を備え、
   前記封止部は前記グランド端子に電気的に接続され、
   前記金属層は前記第１表面上において前記封止部に接触することで前記グランド端子に電気的に接続される、弾性波デバイス。
2. 前記金属層は、平面視において前記封止部の角部の近傍に設けられ、前記角部を挟んで位置する少なくとも２箇所で前記封止部に接続する、請求項１に記載の弾性波デバイス。
3. 前記第１基板は、前記第２表面を有する支持基板と、前記支持基板上に接合されて前記第１表面を有する圧電基板と、を備え、
   前記封止部は、前記支持基板上の前記圧電基板がない領域に設けられ、
   前記金属層は、前記圧電基板上から前記支持基板上にかけて設けられて前記封止部に接触する、請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
4. 前記複数の端子のうち前記第１信号端子と第３信号端子との間に接続された複数の第２弾性波共振器を備え、
   前記複数の第１弾性波共振器は、前記第１信号端子と前記第２信号端子との間に接続された第１フィルタを形成し、
   前記複数の第２弾性波共振器は、前記第１信号端子と前記第３信号端子との間に接続された第２フィルタを形成する、請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
5. 前記第１領域は、前記第１部分と前記第３信号端子とが重なる領域であり、
   前記金属層は、前記第１領域において前記第１基板の前記第１表面と前記信号配線との間に設けられる、請求項４に記載の弾性波デバイス。
6. 前記第２領域は、前記第２部分と前記第１信号端子とが重なる領域であり、
   前記金属層は、前記第２領域において前記第１基板の前記第１表面と前記信号配線との間に設けられる、請求項４に記載の弾性波デバイス。
7. 前記第１基板の前記第１表面上に空隙を介し対向した第２基板を備え、
   前記複数の第２弾性波共振器は、前記第２基板に設けられる、請求項４に記載の弾性波デバイス。
8. 前記第１信号端子は共通端子、前記第２信号端子は送信端子、前記第３信号端子は受信端子であり、
   前記第１フィルタは、前記共通端子と前記送信端子との間に接続された送信フィルタであり、
   前記第２フィルタは、前記共通端子と前記受信端子との間に接続された受信フィルタである、請求項４に記載の弾性波デバイス。
9. 前記金属層と前記信号配線との間に設けられ、前記金属層と前記信号配線とを絶縁する絶縁層を備える、請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
10. 第１表面と前記第１表面の反対の第２表面とを有する基板と、
    前記第２表面上に設けられた複数の端子と、
    前記第１表面上に設けられた複数の弾性波共振器と、
    前記第１表面上に設けられ、前記複数の弾性波共振器に接続された信号配線と、
    前記複数の端子のうちの信号端子と、前記信号配線のうちの前記信号端子と電位が異なる部分と、が重なる領域において前記第１表面と前記信号配線との間に設けられ、前記複数の端子のうちのグランド端子に電気的に接続された金属層と、
    前記複数の弾性波共振器を囲んで前記第１表面上に設けられ、前記複数の弾性波共振器を空隙に封止する封止部と、を備え、
    前記封止部は前記グランド端子に電気的に接続され、
    前記金属層は前記第１表面上において前記封止部に接触することで前記グランド端子に電気的に接続される、弾性波デバイス。