JP7846450B2 - ガラスフィルム及びこれを用いたガラスロール - Google Patents

Description

本発明はガラスフィルム及びこれを用いたガラスロールに関し、具体的には高周波デバイス用途に好適なガラスフィルム及びこれを用いたガラスロールに関する。

現在、第五世代移動通信システム（５Ｇ）への対応に向けた開発が進められており、システムの高速化、高伝送容量化、低遅延化のための技術検討がなされている。

例えば、特許文献１には、ガラス板の厚み方向に電気信号経路を設けるための貫通孔を形成することが開示されている。具体的には、ガラス板にレーザーを照射して、エッチング経路を形成した後、水酸化物系のエッチング材を使用して、該エッチング経路に沿ってガラス板の主表面から延伸する複数の貫通孔を形成することが開示されている。そして、特許文献1に記載のガラス板は、５Ｇ通信の高周波デバイスに使用することも可能である。

また、特許文献２には、高周波フレキシブルプリント回路基板としての使用を目的として、熱硬化性樹脂層とポリイミド層からなる有機化合物を主体とした積層体が開示されている。

特表２０１８－５３１２０５号公報 特開２０１９－０１４０６２号公報

ところで、５Ｇ通信は、数ＧＨｚ以上の周波数の電波が使用される。そして、５Ｇ通信の高周波デバイスに用いる材料には、伝送信号の低損失化のため、低誘電特性が求められる。

しかし、特許文献１に記載のガラス板は、低誘電特性や可撓性を有しておらず、上記ニーズを満たすことができない。

また、特許文献２の積層体は、低誘電特性や可撓性を有しているが、耐熱性や耐候性が不十分であり、長期に亘って、高周波デバイスの信頼性を確保し得るものではない。

本発明は、上記事情に鑑み成されたものであり、その技術的課題は、低誘電特性や可撓性を有しつつ、耐熱性や耐候性に優れる材料を提供することである。

本発明者は、種々の実験を繰り返した結果、所定のガラスフィルムを用いることにより、上記技術的課題を解決できることを見出し、本発明として提案するものである。すなわち、本発明のガラスフィルムは、フィルム厚が１００μｍ以下であるガラスフィルムにおいて、２５℃、周波数２．４５ＧＨｚにおける比誘電率が５以下であり、且つ２５℃、周波数２．４５ＧＨｚにおける誘電正接が０．０１以下であることを特徴とする。フィルム厚が１００μｍ以下であるガラスフィルムを用いると、可撓性を有しつつ、耐熱性や耐候性を高めることができる。そして、上記のように誘電特性を規制すると、高周波デバイスに電気信号が伝わった際に伝送損失を低減することができる。ここで、「２５℃、周波数２．４５ＧＨｚにおける比誘電率」と「２５℃、周波数２．４５ＧＨｚにおける誘電正接」は、例えば、周知の空洞共振器法で測定可能である。

また、本発明のガラスフィルムは、フィルム厚が１００μｍ以下であるガラスフィルムにおいて、２５℃、周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率が５以下であり、且つ２５℃、周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．０１以下であることを特徴とする。

また、本発明のガラスフィルムは、フィルム厚が５０μｍ未満であることが好ましい。

また、本発明のガラスフィルムは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５０～７２％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０～２２％、Ｂ_２Ｏ_３ １５～３８％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０～３％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０～１２％を含有することが好ましい。ガラス組成中のＢ_２Ｏ_３の含有量を１５質量％以上に規制すれば、比誘電率や誘電正接を低下させることができる。更にガラス組成中のＬｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏの含有量を３質量％以下、且つＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量を１２質量％以下に規制すれば、密度が低下し易くなるため、高周波デバイスを軽量化し易くなる。

また、本発明のガラスフィルムは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５０～７２％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０．３～１０．９％、Ｂ_２Ｏ_３ １８．１～３８％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０．００１～３％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０～１２％を含有することが好ましい。なお、ガラス組成において、「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」とは、Ａ成分，Ｂ成分及びＣ成分の合量を指す。例えば、「Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ」は、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏの合量を指す。「ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ」は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量を指す。

また、本発明のガラスフィルムは、質量比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／（ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｂ_２Ｏ_３）が０．００１～０．４であることが好ましい。ここで、「（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／（ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｂ_２Ｏ_３）」は、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量をＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｂ_２Ｏ_３の含有量で除した値を指す。

また、本発明のガラスフィルムは、厚み方向に複数の貫通孔が形成されていることが好ましい。このようにすれば、ガラスフィルムの両表面間に導通を取るための配線構造を形成し得るため、高周波デバイスに適用し易くなる。

また、本発明のガラスフィルムは、貫通孔の平均内径が３００μｍ以下であることが好ましい。このようにすれば、ガラスフィルムの両表面間に導通を取るための配線構造を高密度化し易くなる。

また、本発明のガラスフィルムは、貫通孔の内径の最大値と最小値の差が５０μｍ以下であることが好ましい。このようにすれば、ガラスフィルムの両表面間に導通を取るための配線が不当に長くなる事態を防止し得るため、伝送損失を低減することができる。

また、本発明のガラスフィルムは、貫通孔から伸張した表面方向のクラックの最大長さが１００μｍ以下であることが好ましい。このようにすれば、高周波デバイスの作製時に、貫通孔の周囲に引っ張り応力がかかった際にクラックが伸長してガラスフィルムが破断する事態を回避し易くなる。ここで、「貫通孔から伸張した表面方向のクラックの最大長さ」とは、貫通孔をガラスフィルムの表裏面方向から光学顕微鏡で観察した時に、クラックの形状に沿って測長した値であり、クラックの始点と終点を結んだ二点間距離を測長した値ではなく、また厚み方向のクラックを測長した値でもない。

また、本発明のガラスフィルムは、ヤング率が７０ＧＰａ以下であることが好ましい。このようにすれば、ガラスフィルムが曲がり易くなるため、ロール状に巻き取り易くなり、またフレキシブルプリント回路基板に適用し易くなる。ここで、「ヤング率」は、例えば、周知の共振法で測定可能である。

また、本発明のガラスフィルムは、５℃／分の速度で昇温し、５００℃で１時間保持し、５℃／分の速度で降温した時の熱収縮率が３０ｐｐｍ以下であることが好ましい。このようにすれば、高周波デバイスの作製時の熱処理工程において、ガラスフィルムが熱収縮し難くなるため、高周波デバイスの作製時に配線不良を低減し易くなる。なお、「５℃／分の速度で昇温し、５００℃で１時間保持し、５℃／分の速度で降温した時の熱収縮率」は、以下の方法で測定した値を指す。まず測定試料の所定箇所に直線状のマーキングを記入した後、この測定試料をマーキングに対して垂直に折り、２つのガラス片に分割する。次に、一方のガラス片のみに所定の熱処理（常温から５℃／分の速度で昇温し、５００℃で１時間保持し、５℃／分の速度で降温）する。その後、熱処理を施したガラス片と、未熱処理のガラス片を並べて、接着テープで両者を固定してから、マーキングのずれを測定する。マーキングのずれを△Ｌ、熱処理前の試料の長さをＬ_０とした時に、△Ｌ／Ｌ_０（単位：ｐｐｍ）の式により熱収縮率を算出する。

また、本発明のガラスフィルムは、３０～３８０℃の温度範囲における熱膨張係数が２０×１０^-７～５０×１０^-７／℃であることが好ましい。このようにすれば、ガラスフィルムにシリコン等の低膨張部材を貼り合わる際に、反りや剥離が発生し難くなるため、高周波デバイスに適用し易くなる。ここで、「熱膨張係数」は、例えば、ディラトメーターで測定可能である。

また、本発明のガラスフィルムは、２０～３００℃の温度範囲における熱膨張係数から、２０～２００℃の温度範囲における熱膨張係数を減じた値が１．０×１０^-７／℃以下であることが好ましい。これにより、高周波デバイスの製造プロセス中で熱処理温度が変化しても、各温度範囲におけるガラスフィルムの熱膨張係数の変化を小さくすることができる。結果として、ガラスフィルムに貼り合わせたシリコン等の低膨張部材との熱膨張係数差による高周波デバイスの反りを低減し得るため、高周波デバイスの歩留まりを高めることができる。

また、本発明のガラスフィルムは、厚み１．０ｍｍ換算、波長３５５ｎｍにおける外部透過率が、８０％以上であることが好ましい。ここで、「波長３５５ｎｍにおける外部透過率」は、両面を光学研磨面（鏡面）に研磨したものを測定試料として、市販の分光光度計（例えば、日本分光社製Ｖ―６７０）で測定可能である。

また、本発明のガラスフィルムは、厚み１．０ｍｍ換算、波長２６５ｎｍにおける外部透過率が、１５％以上であることが好ましい。ここで、「波長２６５ｎｍにおける外部透過率」は、両面を光学研磨面（鏡面）に研磨したものを測定試料として、市販の分光光度計（例えば、日本分光社製Ｖ―６７０）で測定可能である。

また、本発明のガラスフィルムは、液相粘度が１０^４．０ｄＰａ・ｓ以上であることが好ましい。このようにすれば、成形時にガラスが失透し難くなるため、ガラスフィルムの製造コストを低廉化し易くなる。ここで、「液相粘度」は、液相温度におけるガラスの粘度を白金球引き上げ法で測定した値を指す。「液相温度」は、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れ、温度勾配炉中に２４時間保持して、結晶の析出する温度を測定した値を指す。

また、本発明のガラスフィルムは、オーバーフローダウンドロー法で成形されてなることが好ましい。このようにすれば、ガラスフィルムの表面精度を高めることができる。またガラスフィルムの製造コストを低廉化し易くなる。

また、本発明のガラスフィルムは、高周波デバイスの基板に用いることが好ましい。

また、本発明のガラスロールは、ガラスフィルムをロール状に巻き取ったガラスロールにおいて、該ガラスフィルムが上記のガラスフィルムであることを特徴とする。

本発明のガラスフィルムは、以下の特性を有することが好ましい。

フィルム厚は１００μｍ以下であり、好ましくは９０μｍ以下、８０μｍ以下、７０μｍ以下、６０μｍ以下、５０μｍ以下、５０μｍ未満、４５μｍ以下、４０μｍ以下、３５μｍ以下、特に３０μｍ以下である。フィルム厚が厚過ぎると、可撓性を担保できなくなる。また、フィルム厚は、好ましくは０．１μｍ以上、０．５μｍ以上、１μｍ以上、２μｍ以上、特に３μｍ以上である。フィルム厚が薄過ぎると、ガラスフィルムが割れ易くなり、取り扱いが困難になる。

２５℃、周波数２．４５ＧＨｚにおける比誘電率は、好ましくは５．０以下、４．９以下、４．８以下、４．７以下、４．６以下、特に４．５以下である。２５℃、周波数２．４５ＧＨｚにおける比誘電率が高過ぎると、高周波デバイスに電気信号が伝わった時の伝送損失が大きくなり易い。

２５℃、周波数２．４５ＧＨｚにおける誘電正接は、好ましくは０．０１以下、０．００９以下、０．００８以下、０．００７以下、０．００６以下、０．００５以下、０．００４以下、特に０．００３以下である。２５℃、周波数２．４５ＧＨｚにおける誘電正接が高過ぎると、高周波デバイスに電気信号が伝わった時の伝送損失が大きくなり易い。

２５℃、周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率は、好ましくは５．０以下、４．９以下、４．８以下、４．７以下、４．６以下、特に４．５以下である。２５℃、周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率が高過ぎると、高周波デバイスに電気信号が伝わった時の伝送損失が大きくなり易い。

２５℃、周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接は、好ましくは０．０１以下、０．００９以下、０．００８以下、０．００７以下、０．００６以下、０．００５以下、０．００４以下、特に０．００３以下である。２５℃、周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が高過ぎると、高周波デバイスに電気信号が伝わった時の伝送損失が大きくなり易い。

本発明のガラスフィルムは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ 約５０～約７２％、Ａｌ_２Ｏ_３ 約０～約２２％、Ｂ_２Ｏ_３ 約１５～約３８％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ 約０～約３％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ 約０～約１２％を含有することを特徴とする。上記のように、各成分の含有量を限定した理由を以下に示す。なお、以下の％表示は、特に断りがある場合を除き、質量％を指す。そして、以下の「Ａ％」は、約Ａ％であることを意味する。例えば、「５％」は、約５％であることを意味する。

ＳｉＯ_２の含有量は、好ましくは５０～７２％、５３～７１％、５５～７０％、５７～６９．５％、５８～６９％、５９～７０％、６０～６９％、特に６２～６７％である。ＳｉＯ_２の含有量が少な過ぎると、比誘電率や誘電正接が上昇し易くなり、また密度が高くなり易い。一方、ＳｉＯ_２の含有量が多過ぎると、高温粘度が高くなって、溶融性が低下することに加えて、成形時にクリストバライト等の失透結晶が析出し易くなる。

Ａｌ_２Ｏ_３は、ヤング率を高める成分であり、また分相を抑制して、耐候性を維持するための成分である。よって、Ａｌ_２Ｏ_３の下限範囲は、好ましくは０％以上、０．１％以上、０．２％以上、０．３％以上、０．４％以上、０．５％以上、１％以上、２％以上、３％以上、４％以上、５％以上、特に６％以上である。一方、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が多過ぎると、液相温度が高くなって、耐失透性が低下し易くなる。よって、Ａｌ_２Ｏ_３の上限範囲は、好ましくは２２％以下、２０％以下、１９％以下、１８％以下、１７％以下、１５％以下、１３％以下、１２％以下、１１％以下、１０．９％以下、１０．８％以下、１０．７％以下、１０．６％以下、１０．５％以下、１０％以下、９．９％以下、９．８％以下、９．７％以下、９．６％以下、９．５％以下、９．４％以下、９．３％以下、９．２％以下、９．１％以下、９．０％以下、８．９％以下、８．７％以下、８．５％以下、８．３％以下、８．１％以下、８．０％以下、７．９％以下、７．８％以下、７．７％以下、７．６％以下、７．５％以下、７．３％以下、７．１％以下、特に７．０％以下である。

Ｂ_２Ｏ_３は、比誘電率や誘電正接を低下させる成分である。よって、Ｂ_２Ｏ_３の下限範囲は、好ましくは１５％以上、１８％以上、１８．１％以上、１８．２％以上、１８．３％以上、１８．４％以上、１８．５％以上、１９％以上、１９．４％以上、１９．５％以上、１９．６％以上、２０％以上、２０％超、２２％以上、２４％以上、２５％以上、２５．１％以上、２５．３％以上、２５．５％以上、特に２５．６％以上である。一方、Ｂ_２Ｏ_３の含有量が多過ぎると、耐熱性や化学的耐久性が低下し、また分相により耐候性が低下し易くなる。また密度や高温粘性が上昇し易くなる。よって、Ｂ_２Ｏ_３の上限範囲は、好ましくは３８％以下、３５％以下、３３％以下、３２％以下、３１％以下、３０％以下、２８％以下、特に２７％以下である。

Ｂ_２Ｏ_３－Ａｌ_２Ｏ_３の含有量は、好ましくは－５％以上、－４％以上、－３％以上、－２％以上、－１％以上、０％以上、１％以上、２％以上、３％以上、４％以上、５％以上、６％以上、７％以上、８％以上、９％以上、特に１０％以上である。Ｂ_２Ｏ_３－Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が少な過ぎると、低誘電特性を確保し難くなる。なお、「Ｂ_２Ｏ_３－Ａｌ_２Ｏ_３」は、Ｂ_２Ｏ_３の含有量からＡｌ_２Ｏ_３の含有量を減じた量である。

アルカリ金属酸化物は、溶融性や成形性を高める成分であるが、その含有量が多過ぎると、密度が高くなったり、耐水性が低下したり、熱膨張係数が不当に高くなって、耐熱衝撃性が低下したり、周辺材料の熱膨張係数に整合させ難くなったりする。また低誘電特性を確保し難くなる。よって、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏの含有量は、好ましくは０～３％、０～２％、０～１％、０～０．５％、０～０．２％、０～０．１％、特に０．００１～０．０５％未満である。Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏのそれぞれの含有量は、好ましくは０～３％、０～２％、０～１％、０～０．５％、０～０．２％、０～０．１％、特に０．００１～０．０１％未満である。

アルカリ土類金属酸化物は、液相温度を下げて、ガラス中に失透結晶を発生させ難くする成分であり、また溶融性や成形性を高める成分である。ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量は、好ましくは０～１２％、０～１０％、０～８％、０～７％、１～７％、２～７％、３～９％、特に３～６％である。ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量が少な過ぎると、耐失透性が低下し易くなることに加えて、融剤としての働きを十分に発揮できず、溶融性が低下し易くなる。一方、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量が多過ぎると、密度が上昇して、ガラスの軽量化を図り難くなることに加えて、熱膨張係数が不当に高くなって、耐熱衝撃性が低下し易くなる。また低誘電特性を確保し難くなる。

ＭｇＯは、歪点を低下させずに、高温粘性を下げ、溶融性を高める成分であり、またアルカリ土類金属酸化物の中では最も密度を上昇させ難い成分である。ＭｇＯの含有量は、好ましくは０～１２％、０～１０％、０．０１～８％、０．１～６％、０．２～５％、０．３～４％、０．５～３％、特に１～２％である。しかし、ＭｇＯの含有量が多過ぎると、液相温度が上昇して、耐失透性が低下し易くなる。またガラスが分相して、透明性が低下し易くなる。

ＣａＯは、歪点を低下させずに、高温粘性を下げて、溶融性を顕著に高める成分であると共に、本発明のガラス組成系において、耐失透性を高める効果が大きい成分である。よって、ＣａＯの好適な下限範囲は０％以上、０．０５％以上、０．１％以上、１％以上、１．１％以上、１．２％以上、１．３％以上、１．４％以上、１．５％以上、特に２％以上である。一方、ＣａＯの含有量が多過ぎると、熱膨張係数、密度が不当に上昇し、またガラス組成の成分バランスが損なわれて、かえって耐失透性が低下し易くなる。よって、ＣａＯの好適な上限範囲は１２％以下、１０％以下、８％以下、７％以下、６％以下、５％以下、４．６％以下、４．５％以下、４．４％以下、４％以下、特に３％以下である。

ＳｒＯは、歪点を低下させずに、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であるが、ＳｒＯの含有量が多過ぎると、液相粘度が低下し易くなる。よって、ＳｒＯの含有量は、好ましくは０～１０％、０～８％、０～７％、０～６％、０～５．１％、０～５％、０～４．９％、０～４％、０～３％、０～２％、０～１．５％、０～１％、０～０．５％、特に０．０１～０．１％である。

ＢａＯは、歪点を低下させずに、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であるが、ＢａＯの含有量が多過ぎると、液相粘度が低下し易くなる。よって、ＢａＯの含有量は、好ましくは０～１０％、０～８％、０～７％、０～６％、０～５％、０～４％、０～３％、０～２％、０～１．５％、０～１％、０～０．５％、特に０～０．１％未満である。

質量比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／（ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｂ_２Ｏ_３）が大き過ぎると、低融点特性を確保し難くなることに加えて、貫通孔をエッチングで形成する際に、エッチング速度が速くなり、貫通孔の形状が歪（いびつ）になる傾向がある。更に貫通孔をレーザー照射で形成する際にも、孔開け精度が低下する傾向がある。一方、質量比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／（ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｂ_２Ｏ_３）が小さ過ぎると、高温粘度が上昇して、溶融温度が高くなるため、ガラスフィルムの製造コストが高騰し易くなる。よって、質量比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／（ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｂ_２Ｏ_３）は、好ましくは０．００１～０．４、０．００５～０．３５、０．０１０～０．３０、０．０２０～０．２５、０．０３０～０．２０、０．０３５～０．１５、０．０４０～０．１４、０．０４５～０．１３、特に０．０５０～０．１０である。

質量比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ_２Ｏ_３が小さ過ぎると、耐失透性が低下して、オーバーフローダウンドロー法でフィルム状に成形し難くなる。一方、質量比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ_２Ｏ_３が大き過ぎると、密度、熱膨張係数が不当に上昇する虞がある。よって、質量比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ_２Ｏ_３は、好ましくは０．１～１．５、０．１～１．２、０．２～１．２、０．３～１．２、０．４～１．１、特に０．５～１．０である。なお、「（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ_２Ｏ_３」は、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量をＡｌ_２Ｏ_３の含有量で除した値を指す。

質量比（ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ｂ_２Ｏ_３は、好ましくは０．５以下、０．４以下、０．３以下、０．２以下、０．１以下、０．０５以下、０．０３以下、特に０．０２以下である。質量比（ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ｂ_２Ｏ_３が大き過ぎると、低誘電特性を確保し難くなると共に、液相粘度を高め難くなる。なお、「ＳｒＯ＋ＢａＯ」は、ＳｒＯとＢａＯの合量である。また、「（ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ｂ_２Ｏ_３」は、ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量をＢ_２Ｏ_３の含有量で除した値を指す。

質量比Ｂ_２Ｏ_３／（ＳｒＯ＋ＢａＯ）は、好ましくは２以上、５以上、１０以上、２０以上、３０以上、４０以上、特に５０以上である。質量比（ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ｂ_２Ｏ_３が小さ過ぎると、低誘電特性を確保し難くなると共に、液相粘度を高め難くなる。なお、「Ｂ_２Ｏ_３／（ＳｒＯ＋ＢａＯ）」は、Ｂ_２Ｏ_３の含有量をＳｒＯ＋ＢａＯの含有量で除した値を指す。なお、「Ｂ_２Ｏ_３／（ＳｒＯ＋ＢａＯ）」は、Ｂ_２Ｏ_３の含有量をＳｒＯ＋ＢａＯの含有量で除した値を指す。

Ｂ_２Ｏ_３－（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）は、好ましくは５％以上、６％以上、７％以上、８％以上、９％以上、１０％以上、１１％以上、特に１２％以上である。Ｂ_２Ｏ_３－（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）の含有量が少な過ぎると、低誘電特性を確保し難くなると共に、密度が上昇し易くなり、またヤング率が低下し易くなる。なお、「Ｂ_２Ｏ_３－（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）」は、Ｂ_２Ｏ_３の含有量からＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量を減じた量を指す。

質量比（ＳｒＯ＋ＢａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）は、好ましくは４００以下、３００以下、１００以下、５０以下、１０以下、５以下、２以下、１以下、０．８以下、０．５以下、特に０．３以下である。質量比（ＳｒＯ＋ＢａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）が大き過ぎると、低誘電特性を確保し難くなると共に、密度が上昇し易くなる。なお、「（ＳｒＯ＋ＢａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）」は、ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量をＭｇＯ＋ＣａＯの含有量で除した値を指す。

上記成分以外にも、以下の成分をガラス組成中に導入してもよい。

ＺｎＯは、溶融性を高める成分であるが、ガラス組成中に多量に含有させると、ガラスが失透し易くなり、また密度も上昇し易くなる。よって、ＺｎＯの含有量は、好ましくは０～５％、０～３％、０～０．５％、０～０．３％、特に０～０．１％である。

ＺｒＯ_２は、耐候性を高める成分である。ＺｒＯ_２の含有量は、好ましくは０～５％、０～３％、０～０．５％、０～０．２％、０～０．１６％、０～０．１％、特に０～０．０２％である。ＺｒＯ_２の含有量が多過ぎると、液相温度が上昇して、ジルコンの失透結晶が析出し易くなる。

ＴｉＯ_２は、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であるが、ガラス組成中に多く含有させると、ガラスが着色して、透過率が低下し易くなる。よって、ＴｉＯ_２の含有量は、好ましくは０～５％、０～３％、０～１％、０～０．１％、特に０～０．０２％である。

Ｐ_２Ｏ_５は、耐失透性を高める成分であるが、ガラス組成中に多量に含有させると、ガラスが分相して、乳白化し易くなり、また耐水性が顕著に低下する虞がある。よって、Ｐ_２Ｏ_５の含有量は、好ましくは０～５％、０～１％、０～０．５％、特に０～０．１％である。

ＳｎＯ_２は、高温域で良好な清澄作用を有する成分であると共に、高温粘性を低下させる成分である。ＳｎＯ_２の含有量は、好ましくは０～１％、０．０１～０．５％、０．０５～０．３、特に０．１～０．３％である。ＳｎＯ_２の含有量が多過ぎると、ＳｎＯ_２の失透結晶が析出し易くなる。

Ｆｅ_２Ｏ_３は、不純物成分、或いは清澄剤成分として導入し得る成分である。しかし、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量が多過ぎると、紫外線透過率が低下する虞がある。よって、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量は、好ましくは０．０５％以下、０．０３％以下、特に０．０２％以下である。なお、本発明でいう「Ｆｅ_２Ｏ_３」は、２価の酸化鉄と３価の酸化鉄を含み、２価の酸化鉄は、Ｆｅ_２Ｏ_３に換算して、取り扱うものとする。他の多価酸化物についても、同様にして、表記の酸化物を基準にして取り扱うものとする。

清澄剤として、ＳｎＯ_２の添加が好適であるが、ガラス特性を損なわない限り、清澄剤として、ＣｅＯ_２、ＳＯ_３、Ｃ、金属粉末（例えばＡｌ、Ｓｉ等）を１％まで添加してもよい。

Ａｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｆ、Ｃｌも清澄剤として有効に作用し、本発明では、これらの成分の含有を排除するものではないが、環境的観点から、これらの成分の含有量はそれぞれ０．１％未満、特に０．０５％未満が好ましい。

本発明のガラスフィルムは、以下の特性を有することが好ましい。

ヤング率は、好ましくは７０ＧＰａ以下、６９ＧＰａ以下、６８ＧＰａ以下、６７ＧＰａ以下、６６ＧＰａ以下、６５ＧＰａ以下、６４ＧＰａ以下、６３ＧＰａ以下、６２ＧＰａ以下、６１ＧＰａ以下、特に６０ＧＰａ以下である。ヤング率が高過ぎると、ガラスフィルムが曲がり難くなるため、ロール状に巻き取り難くなり、またフレキシブルプリント回路基板に適用し難くなる。

５℃／分の速度で昇温し、５００℃で１時間保持し、５℃／分の速度で降温した時の熱収縮率は、好ましくは３０ｐｐｍ以下、２５ｐｐｍ以下、２０ｐｐｍ以下、特に１８ｐｐｍ以下である。上記熱収縮率が高過ぎると、高周波デバイスの作製時の熱処理工程において、ガラスフィルムが熱収縮し易くなるため、高周波デバイスの作製時に配線不良が発生し易くなる。

３０～３８０℃の温度範囲における熱膨張係数は、好ましくは２０×１０^-７～５０×１０^-７／℃、２２×１０^-７～４８×１０^-７／℃、２３×１０^-７～４７×１０^-７／℃、２８×１０^-７～４５×１０^-７／℃、３０×１０^-７～４３×１０^-７／℃、３２×１０^-７～４１×１０^-７／℃、特に３５×１０^-７～３９×１０^-７／℃である。３０～３８０℃の温度範囲における熱膨張係数が高過ぎると、ガラスフィルムにシリコン等の低膨張部材を貼り合わる際に、反りや剥離が発生し易くなるため、高周波デバイスに適用し難くなる。

２０～２００℃の温度範囲における熱膨張係数は、好ましくは２１×１０^-７～５１×１０^-７／℃、２２×１０^-７～４８×１０^-７／℃、２３×１０^-７～４７×１０^-７／℃、２５×１０^-７～４６×１０^-７／℃、２８×１０^-７～４５×１０^-７／℃、３０×１０^-７～４３×１０^-７／℃、３２×１０^-７～４１×１０^-７／℃、特に３５×１０^-７～３９×１０^-７／℃である。２０～２００℃の温度範囲における熱膨張係数が上記範囲外になると、ガラスフィルムにシリコン等の低膨張部材を貼り合わせ難くなる。

２０～２２０℃の温度範囲における熱膨張係数は、好ましくは２１×１０^-７～５１×１０^-７／℃、２２×１０^-７～４８×１０^-７／℃、２３×１０^-７～４７×１０^-７／℃、２５×１０^-７～４６×１０^-７／℃、２８×１０^-７～４５×１０^-７／℃、３０×１０^-７～４３×１０^-７／℃、３２×１０^-７～４１×１０^-７／℃、特に３５×１０^-７～３９×１０^-７／℃である。２０～２２０℃の温度範囲における熱膨張係数が上記範囲外になると、ガラスフィルムにシリコン等の低膨張部材を貼り合わせ難くなる。

２０～２６０℃の温度範囲における熱膨張係数は、好ましくは２１×１０^-７～５１×１０^-７／℃、２２×１０^-７～４８×１０^-７／℃、２３×１０^-７～４７×１０^-７／℃、２５×１０^-７～４６×１０^-７／℃、２８×１０^-７～４５×１０^-７／℃、３０×１０^-７～４３×１０^-７／℃、３２×１０^-７～４１×１０^-７／℃、特に３５×１０^-７～３９×１０^-７／℃である。２０～２６０℃の温度範囲における熱膨張係数が上記範囲外になると、ガラスフィルムにシリコン等の低膨張部材を貼り合わせ難くなる。

２０～３００℃の温度範囲における熱膨張係数は、好ましくは２０×１０^-７～５０×１０^-７／℃、２２×１０^-７～４８×１０^-７／℃、２３×１０^-７～４７×１０^-７／℃、２５×１０^-７～４６×１０^-７／℃、２８×１０^-７～４５×１０^-７／℃、３０×１０^-７～４３×１０^-７／℃、３２×１０^-７～４１×１０^-７／℃、特に３５×１０^-７～３９×１０^-７／℃である。２０～３００℃の温度範囲における熱膨張係数が上記範囲外になると、ガラスフィルムにシリコン等の低膨張部材を貼り合わせ難くなる。

２０～３００℃の温度範囲における熱膨張係数から、２０～２００℃の温度範囲における熱膨張係数を減じた値は、１．０×１０^-７／℃以下であることが好ましく、０．９×１０^-７／℃以下～－１．０×１０^-７／℃以上、－０．８×１０^-７／℃以上０．７×１０^-７／℃以下、－０．６×１０^-７／℃以上０．５×１０^-７／℃以下、－０．４×１０^-７／℃以上０．３×１０^-７／℃以下、特に－０．３×１０^-７／℃以上０．２×１０^-７／℃以下が好ましい。これにより、高周波デバイスの製造プロセス中で熱処理温度が変化しても、各温度範囲におけるガラスフィルムの熱膨張係数の変化を小さくすることができる。結果として、ガラスフィルムに貼り合わせたシリコン等の低膨張部材との熱膨張係数差による高周波デバイスの反りを低減し得るため、高周波デバイスの歩留まりを高めることができる。

厚み１．０ｍｍ換算、波長１１００ｎｍにおける外部透過率は、好ましくは８５％以上、８６％以上、８７％以上、８８％以上、８９％以上、９０％以上、特に９１％以上である。厚み１．０ｍｍ、波長１１００ｎｍにおける外部透過率が上記範囲外になると、例えばガラスフィルムの表面に接着した樹脂層や高周波デバイスを剥離、硬化する際、ガラスフィルムの裏面側から赤外線レーザーなどを用いて照射する場合に、その剥離、硬化がうまくいかず、製品不良が発生する可能性が高くなる。

厚み１．０ｍｍ換算、波長３５５ｎｍにおける外部透過率は、好ましくは８０％以上、８１％以上、８２％以上、８３％以上、８４％以上、８５％以上、特に８６％以上である。厚み１．０ｍｍ、波長３５５ｎｍにおける外部透過率が上記範囲外になると、例えばガラスフィルムの表面に接着した樹脂層や高周波デバイスを剥離、硬化する際、ガラスフィルムの裏面側から赤外線レーザーなどを用いて照射する場合に、その剥離、硬化がうまくいかず、製品不良が発生する可能性が高くなる。

厚み１．０ｍｍ換算、波長２６５ｎｍにおける外部透過率は、好ましくは１５％以上、１６％以上、１７％以上、１８％以上、２０％以上、２２％以上、特に２３％以上である。厚み１．０ｍｍ、波長２６５ｎｍにおける外部透過率が上記範囲外になると、例えばガラスフィルムの表面に接着した樹脂層や高周波デバイスを剥離、硬化する際、ガラスフィルムの裏面側から赤外線レーザーなどを用いて照射する場合に、その剥離、硬化がうまくいかず、製品不良が発生する可能性が高くなる。

液相粘度は、好ましくは１０^３．９ｄＰａ・ｓ以上、１０^４．０ｄＰａ・ｓ以上、１０^４．２ｄＰａ・ｓ以上、１０^４．６ｄＰａ・ｓ以上、１０^４．８ｄＰａ・ｓ以上、１０^５．０ｄＰａ・ｓ以上、特に１０^５．２ｄＰａ・ｓ以上である。液相粘度が低過ぎると、成形時にガラスが失透し易くなる。

歪点は、好ましくは４８０℃以上、５００℃以上、５２０℃以上、５３０℃以上、５４０℃以上、５５０℃以上、５６０℃以上、５７０℃以上、５８０℃以上、特に５９０℃以上である。歪点が低過ぎると、高周波デバイスの作製時の熱処理工程において、ガラスフィルムが熱収縮し易くなるため、高周波デバイスの作製時に配線不良が発生し易くなる。

β－ＯＨ値は、好ましくは１．１ｍｍ^－１以下、０．６ｍｍ^－１以下、０．５５ｍｍ^－１以下、０．５ｍｍ^－１以下、０．４５ｍｍ^－１以下、０．４ｍｍ^－１以下、０．３５ｍｍ^－１以下、０．３ｍｍ^－１以下、０．２５ｍｍ^－１以下、０．２ｍｍ^－１以下、０．１５ｍｍ^－１以下、特に０．１ｍｍ^－１以下である。β－ＯＨ値が大き過ぎると、低誘電特性を確保し難くなる。なお、「β－ＯＨ値」は、ＦＴ－ＩＲを用いて下記数式により算出した値である。

β－ＯＨ値 ＝ （１／Ｘ）ｌｏｇ（Ｔ_１／Ｔ_２）
Ｘ：厚み（ｍｍ）
Ｔ_１：参照波長３８４６ｃｍ^－１における透過率（％）
Ｔ_２：水酸基吸収波長３６００ｃｍ^－１付近における最小透過率（％）

破壊靭性Ｋ_１Ｃは、好ましくは０．６ＭＰａ・ｍ^０．５以上、０．６２ＭＰａ・ｍ^０．５以上、０．６５ＭＰａ・ｍ^０．５以上、０．６７ＭＰａ・ｍ^０．５以上、０．６９ＭＰａ・ｍ^０．５以上、特に０．７ＭＰａ・ｍ^０．５以上である。破壊靭性Ｋ_１Ｃが低過ぎると、高周波デバイスの作製時に、貫通孔の周囲に引っ張り応力がかかった際にクラックが伸長してガラスフィルムが破断し易くなる。なお、「破壊靱性Ｋ_１Ｃ」は、ＪＩＳ Ｒ１６０７「ファインセラミックスの破壊靱性試験方法」に基づき、予き裂導入破壊試験法（ＳＥＰＢ法：Single-Edge-Precracked-Beam method）を用いて測定したものである。ＳＥＰＢ法は、予き裂導入試験片の３点曲げ破壊試験によって試験片が破壊するまでの最大荷重を測定し、最大荷重、予き裂長さ、試験片寸法及び曲げ支点間距離から平面歪み破壊靱性Ｋ_１Ｃを求める方法である。なお、各ガラスの破壊靱性Ｋ_１Ｃの測定値は測定５回の平均値とする。

２５℃における体積抵抗率Ｌｏｇρは、好ましくは１６Ω・ｃｍ以上、１６．５Ω・ｃｍ以上、１７Ω・ｃｍ以上、特に１７．５Ω・ｃｍ以上である。２５℃における体積抵抗率Ｌｏｇρが低過ぎると、ガラスフィルム側に伝送信号が流れ易くなり、高周波デバイスに電気信号が伝わった時の伝送損失が大きくなり易い。なお、「２５℃における体積抵抗率Ｌｏｇρ」は、ＡＳＴＭ Ｃ６５７－７８に基づいて測定した値を指す。

２５℃における熱伝導率は、好ましくは０．７Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、０．７５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、０．８Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、０．８５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、特に０．９Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である。２５℃における熱伝導率が低過ぎると、ガラスフィルムの放熱性が低くなるため、高周波デバイスの動作時にガラスフィルムが過度に温度上昇する虞がある。なお、「２５℃における熱伝導率」は、ＪＩＳ Ｒ２６１６に基づいて測定した値を指す。

水蒸気透過度は、好ましくは１×１０^－１ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下、１×１０^－２ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下、１×１０^－３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下、１×１０^－４ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下、特に１×１０^－５ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下である。水蒸気透過度が高過ぎると、ガラスフィルムに水蒸気が取り込まれ易くなり、低誘電特性を維持し難くなる。なお、「水蒸気透過度」は、既知のカルシウム法で測定可能である。

本発明のガラスフィルムは、厚み方向に複数の貫通孔が形成されていることが好ましい。また貫通孔の平均内径は、配線密度を高める観点から、好ましくは３００μｍ以下、２８０μｍ以下、２５０μｍ以下、２３０μｍ以下、２００μｍ以下、１８０μｍ以下、１５０μｍ以下、１３０μｍ以下、１２０μｍ以下、１１０μｍ以下、１００μｍ以下、特に９０μｍ以下である。しかし、貫通孔の平均内径が小さ過ぎると、ガラスフィルムの両表面間に導通を取るための配線構造を形成し難くなる。よって、貫通孔の平均内径は、好ましくは１０μｍ以上、２０μｍ以上、３０μｍ以上、４０μｍ以上、特に５０μｍ以上である。

貫通孔の内径の最大値と最小値の差は、好ましくは５０μｍ以下、４５μｍ以下、４０μｍ以下、３５μｍ以下、３０μｍ以下、特に２５μｍ以下である。貫通孔の内径の最大値と最小値の差が大き過ぎると、ガラスフィルムの両表面間に導通を取るための配線の長さが不必要に長くなり、伝送損失を低減し難くなる。

貫通孔から伸張した表面方向のクラックの最大長さは、好ましくは１００μｍ以下、５０μｍ以下、３０μｍ以下、１０μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、１μｍ以下、特に０．５μｍ以下である。貫通孔から伸張した表面方向のクラックの最大長さが大き過ぎると、高周波デバイスの作製時に、貫通孔の周囲に引っ張り応力がかかった際にクラックが伸長して、ガラスフィルムが破断し易くなる。

ガラスフィルムの形状は、矩形状であることが好ましい。このようにすれば、フレキシブルプリント配線基板製造プロセスに適用し易くなる。本発明のガラスフィルムの寸法は、好ましくは０．５×０．５ｍｍ以上、１×１ｍｍ以上、５×５ｍｍ以上、１０×１０ｍｍ以上、２０×２０ｍｍ以上、２５×２５ｍｍ以上、３０×３０ｍｍ以上、５０×５０ｍｍ以上、１００×１００ｍｍ以上、２００×２００ｍｍ以上、３００×３００ｍｍ以上、特に４００×４００ｍｍ以上である。ガラスフィルムの寸法が小さ過ぎると、高周波デバイスの製造工程において、多面取りが困難になり、高周波デバイスの製造コストが高騰し易くなる。

本発明のガラスフィルムには、個体識別情報が付与されていることが好ましい。このようにすれば、高周波デバイスの製造工程において、個々のガラスフィルムの製造履歴等を識別可能になるため、製品不良の原因調査を行い易くなる。なお、ガラスフィルムに個体識別情報を付与する方法として、例えば、既知のレーザーアブレーション法（パルスレーザーの照射によるガラスの蒸発）、バーコードの印刷、ＱＲコード（登録商標）の印刷等が挙げられる。

本発明のガラスフィルムは、オーバーフローダウンドロー法で成形されてなることが好ましい。このようにすれば、未研磨で表面品位が良好なガラスフィルムを効率良く得ることができる。オーバーフローダウンドロー法以外にも、種々の成形方法を採択することができる。例えば、スロットダウン法、フロート法、ロールアウト法、リドロー法等の成形方法を採択することができる。

また、本発明のガラスフィルムは、高周波デバイス用の基板として使用されることが好ましく、例えば高周波フレキシブルプリント回路基板用の基材などに使用することができる。

高周波デバイスの抵抗損失を低下させる観点では、ガラスフィルムの表面の算術平均粗さＲａは、好ましくは１００ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、２０ｎｍ以下、１０ｎｍ以下、５ｎｍ以下、２ｎｍ以下、１ｎｍ以下、特に０．５ｎｍ以下である。ガラスフィルムの表面の算術平均粗さＲａが大き過ぎると、ガラスフィルムの表面に形成される金属配線の算術平均粗さＲａが大きくなるため、高周波デバイスの金属配線に電流を流した時に発生する、所謂、表皮効果による抵抗損失が過剰になる。またガラスフィルムの強度が低下して、破損し易くなる。

また、高周波デバイスの製造歩留まりを高める観点から、ガラスフィルムの表面の算術平均粗さＲａは、好ましくは１ｎｍ以上、１．３ｎｍ以上、１．４ｎｍ以上、１．５ｎｍ以上、１．６ｎｍ以上、１．８ｎｍ以上、２ｎｍ以上、４ｎｍ以上、８ｎｍ以上、１１ｎｍ以上、１５ｎｍ以上、２５ｎｍ以上、４０ｎｍ以上、６０ｎｍ以上、９０ｎｍ以上、１１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、３００ｎｍ以上、特に４００～３０００ｎｍである。ガラスフィルムの表面の算術平均粗さＲａが小さ過ぎると、ガラスフィルムの表面に形成される金属配線やガラスフィルムの表面を被覆するコーティング層が剥がれ易くなる。結果として、高周波デバイスの製造歩留まりが低下し易くなる。なお、「算術平均粗さＲａ」は、触針式表面粗さ計又は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定可能である。

本発明のガラスフィルムは、高周波デバイスの製造工程に供されることが好ましく、セミアディティブプロセスに供されることが更に好ましい。セミアディティブプロセスを採択すると、高周波デバイスの配線幅をデバイスに必要な幅に調整することができる。

また、本発明のガラスフィルムは、ガラスフィルムの表面上に受動部品を形成するプロセスに供されることが好ましい。そして、その受動部品は、少なくともキャパシタ、コイル、抵抗の一種以上を含むことが好ましく、例えば、スマートフォン用のＲＦフロントエンド用モジュール等が好ましい。

高周波デバイスの製造工程において、最高処理温度は、好ましくは３５０℃以下、３４５℃以下、３４０℃以下、３３５℃以下、３３０℃以下、特に３２５℃以下である。最高処理温度が高過ぎると、高周波デバイスの信頼性が低下し易くなる。

本発明のガラスフィルムは、ロール状に巻き取ったガラスロールの形態とすることが好ましく、ガラスロールの外径は、好ましくは５０ｍｍ以上、６０ｍｍ以上、７０ｍｍ以上、８０ｍｍ以上、９０ｍｍ以上、１００ｍｍ以上、２００ｍｍ以上、３００ｍｍ以上である。またガラスロールの幅は、好ましくは５ｍｍ以上、１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以上、３０ｍｍ以上、４０ｍｍ以上、５０ｍｍ以上、１００ｍｍ以上、３００ｍｍ以上、５００ｍｍ以上、１０００ｍｍ以上である。このようにすれば、ロールツーロールプロセスに適用し易くなり、高周波デバイスの製造コストを低廉化し易くなる。

ガラスロールの最小曲率半径は、好ましくは５００ｍｍ以下、３００ｍｍ以下、１５０ｍｍ以下、１００ｍｍ以下、７０ｍｍ以下、５０ｍｍ以下、特に３０ｍｍ以下の状態で巻き取られていることである。最小曲率半径が小さい状態で巻き取れば、ガラスフィルムの梱包効率や搬送効率が向上する。

ガラスロールは、巻芯に巻き取られていることが好ましい。このようにすれば、ガラスフィルムを巻き取る際に、ガラスフィルムを巻芯に固定できるため、ガラスロールに外圧が加わったとしても、巻芯によりガラスフィルムの変形が抑制されて、ガラスフィルムの破損を防止することができる。また、巻芯は、外的要因によりガラスフィルムの端面から破損に至る事態を防止するため、ガラスフィルムの幅より長いことが好ましい。なお、巻芯の材質は、特に限定されず、熱可塑性樹脂、紙管等が使用可能である。

ガラスロールは、耐衝撃性を高めるためにガラスフィルム－ガラスフィルム間に樹脂製または紙製の緩衝フィルム（合紙）を挿入してもよく、機械的強度を高めるためにガラスフィルムの端面に樹脂を被覆してもよく、ガラスフィルムの端面をエッチングして、円滑化してもよい。

ガラスロールは、ガラスフィルムの幅方向の端部（耳部）をスクライブした後に巻き取る場合、スクライブラインが内側になるように巻き取られていることが好ましい。このようにすれば、ガラスフィルムの端面からクラックが発生し難くなる。逆に、スクライブラインが外側になるように巻き取ると、引っ張り応力により、スクライブラインの溝に生じている微細な傷をオリジンとして、ガラスフィルムが破損し易くなる。なお、このような微細な傷は、ケミカルポリッシュやファイアポリッシュで低減することができる。

ガラスロールは、ガラスフィルムの端部がレーザーで切断分離されてなることが好ましい。このようにすれば、ガラスフィルムの成形後に、ガラスフィルムの端部を連続的に切断分離し得るため、ガラスロールの生産効率が向上すると共に、ガラスフィルムの端面からクラックが発生し難くなる。レーザーとして、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー等が使用可能である。レーザーの出力は、レーザーによって進行するクラックの進展速度と、ガラスフィルムの板引き速度が整合するように調整することが好ましい。この場合、速度比＝（レーザーによって進展するクラックの速度－板引き速度）／（板引き速度）×１００の値は、±１０％以下、±５％以下、±１％以下、±０．５％以下、±０．１％以下が好ましい。

以下、実施例に基づいて、本発明を詳細に説明する。なお、以下の実施例は、単なる例示である。本発明は、以下の実施例に何ら限定されない。

表１～１３は、本発明の実施例（試料Ｎｏ．１～１０４）を示している。なお、表中の［未］は、未測定であることを示している。

次のようにして、試料Ｎｏ．１～１０４を作製した。まず表中のガラス組成になるように調合したガラス原料を白金坩堝に入れ、１６００℃で２４時間溶融した後、カーボン板上に流し出して平形板状に成形した。得られた０．５ｍｍ厚のガラス板を各種測定試料に加工すると共に、表面を研削、研磨することにより０．０４５ｍｍ厚のガラスフィルムを得た。得られたガラスフィルムの表面の算術平均粗さＲａを触針式表面粗さ計で測定したところ、４００ｎｍであった。次に、得られた試料について、密度ρ、各種温度範囲における熱膨張係数α、歪点Ｐｓ、徐冷点Ｔａ、軟化点Ｔｓ、１０^４．０ｄＰａ・ｓにおける温度、１０^３．０ｄＰａ・ｓにおける温度、１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度、ヤング率Ｅ、液相温度ＴＬ、液相粘度ｌｏｇηＴＬ、２５℃、周波数２．４５ＧＨｚにおける比誘電率、２５℃、周波数２．４５ＧＨｚにおける誘電正接、２５℃、周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率、２５℃、周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接、各種波長における厚み１．０ｍｍ換算での外部透過率、及び貫通孔の加工精度を評価した。なお、本実施例では、清澄剤としてＳｎＯ_２を使用したが、ＳｎＯ_２以外の清澄剤を使用してもよい。また溶融条件やガラスバッチの調整により泡切れが良好であれば、清澄剤を添加しなくてもよい。

密度ρは、周知のアルキメデス法で測定した値である。

各種温度範囲における熱膨張係数αは、ディラトメーターで測定した値である。

歪点Ｐｓ、徐冷点Ｔａ及び軟化点Ｔｓは、ＡＳＴＭ Ｃ３３６、Ｃ３３８の方法に基づいて測定した値である。

１０^４．０ｄＰａ・ｓにおける温度、１０^３．０ｄＰａ・ｓにおける温度及び１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、白金球引き上げ法で測定した値である。

ヤング率Ｅは、共振法で測定した値である。

液相温度ＴＬは、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れ、温度勾配炉中に２４時間保持して、結晶の析出する温度を測定した値である。

液相粘度ｌｏｇηＴＬは、液相温度ＴＬにおけるガラスの粘度を白金球引き上げ法で測定した値である。

２５℃、周波数２．４５ＧＨｚにおける比誘電率、誘電正接及び２５℃、周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率、誘電正接は、周知の空洞共振器法で測定した値を指す。

各種波長における厚み１．０ｍｍ換算での外部透過率は、両面を光学研磨面（鏡面）に研磨したものを測定試料として、市販の分光光度計（例えば、日本分光社製Ｖ―６７０）で測定した値を指す。

貫通孔の加工精度は、試料（０．５ｍｍ厚）の加工条件を同一にして、貫通孔を形成した際に、内径の最大値と最小値の差が５０μｍ未満であった場合を「○」、内径の最大値と最小値の差が５０μｍ以上であった場合を「×」として評価したものである。

表３に記載の試料Ｎｏ．１９のガラス組成になるように調合したガラスバッチを試験溶融炉で溶融して、溶融ガラスを得た後、オーバーフローダウンドロー法でフィルム厚０．０４５ｍｍのガラスフィルムを成形した。なお、ガラスフィルムの成形に際し、引っ張りローラーの速度、冷却ローラーの速度、加熱装置の温度分布、溶融ガラスの温度、溶融ガラスの流量、板引き速度、攪拌スターラーの回転数等を適宜調整することで、ガラスフィルムの熱収縮率、全体板厚偏差（ＴＴＶ）及び反りを調節した。次に、得られたガラスフィルムを切断して、２００×２００ｍｍの矩形状のガラスフィルムを得た。次に、得られたガラスフィルムの表面の算術平均粗さＲａを、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定したところ、０．２ｎｍであった。

表３に記載の試料Ｎｏ．１９、表９の試料Ｎｏ．７２のガラス組成になるように調合したガラスバッチを試験溶融炉で溶融して、溶融ガラスを得た後、オーバーフローダウンドロー法で板厚０．０３ｍｍのガラスフィルムをそれぞれ成形した。次に、得られたガラスフィルムの表面の算術平均粗さＲａを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定したところ、０．３ｎｍであった。次に、得られたガラスフィルムを切断して、３００ｍｍ×４００ｍｍの矩形状のガラスフィルムを得た。次に、矩形状のガラスフィルムに複数の貫通孔を形成した。貫通孔は、市販のピコ秒レーザーをガラスフィルムの表面に照射して、改質層を形成した後、その改質層をエッチングで除去することにより作製した。試料Ｎｏ．１９、９１に係る貫通孔の内径をそれぞれ測定したところ、何れも最大値が８５μｍ、最小値が６２μｍ、内径の最大値と最小値の差が２３μｍであった。また貫通孔から伸長した表面方向のクラックの最大長さは何れも２μｍであった。

次に、試料Ｎｏ．１９、７２に係るガラスフィルムについて、それぞれ高周波デバイスを作製した。まずガラスフィルムの貫通孔に対して、セミアディティブ法により、導体回路層を形成した。具体的には、スパッタ法によるシード金属層の作製、無電解めっき法による金属層の形成、レジストパターンの形成、配線のための銅めっきの形成を順次行い、導体回路層を形成した。

続いて、ガラスフィルムの両表面上にキャパシタ、コイル等を設けた後、絶縁樹脂層を形成し、ビアホールを作製した。その後、デスミア処理、無電解銅めっき処理を行い、更にドライフィルムレジスト層を形成した。フォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、電解銅めっき法で導体回路層を形成した。その後、多層回路の形成を繰り返して、ビルドアップ多層回路をガラスフィルム（ガラスコア）の両表面に形成した。

更に、多層回路の最外層に対して、ソルダーレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーで外部接続端子部を露出させて、めっきをした後、はんだボールを形成した。はんだボールを設ける工程は、一連の工程で熱処理温度が最も高く、約３２０℃であった。最後に、はんだボールを形成したガラスフィルムをダイシング加工し、高周波デバイスを得た。

表３に記載の試料Ｎｏ．１９のガラス組成になるように調合したガラスバッチを試験溶融炉で溶融して、溶融ガラスを得た後、オーバーフローダウンドロー法で板厚０．０４５ｍｍのガラスフィルムを成形した。なお、ガラスフィルムの成形に際し、引っ張りローラーの速度、冷却ローラーの速度、加熱装置の温度分布、溶融ガラスの温度、溶融ガラスの流量、板引き速度、攪拌スターラーの回転数等を適宜調整することで、ガラスフィルムの熱収縮率、全体板厚偏差（ＴＴＶ）及び反りを調節した。次に、得られたガラスフィルムを、ロール状に巻き取り、曲率半径が６０ｍｍ、ロール外径が５００ｍｍ、ロール幅が７００ｍｍのガラスロールとした。

表３に記載の試料Ｎｏ．１９、表９の試料Ｎｏ．７２のガラス組成になるガラスバッチを試験溶融炉で溶融して、溶融ガラスを得た後、オーバーフローダウンドロー法で板厚０．３ｍｍのガラス板を成形した。

次に、得られたガラス板を切断して、３５０ｍｍ×４５０ｍｍの矩形状のガラス板を得た。このガラス板を０．０９ｍｍの厚さになるまで研磨加工して、ガラスフィルムを得た。研磨加工後のガラスフィルムの算術平均粗さＲａを触針式表面粗さ計で測定したところ、５００ｎｍであった。次に、矩形状のガラスフィルムに複数の貫通孔を形成した。貫通孔は、市販のピコ秒レーザーをガラスフィルムの表面に照射して、改質層を形成した後、その改質層をエッチングで除去することにより作製した。

次に、試料Ｎｏ．１９、７２に係るガラスフィルムについて、それぞれ高周波デバイスを作製した。まずガラスフィルムの貫通孔に対して、セミアディティブ法により、導体回路層を形成した。具体的には、スパッタ法によるシード金属層の作製、無電解めっき法による金属層の形成、レジストパターンの形成、配線のための銅めっきの形成を順次行い、導体回路層を形成した。

続いて、ガラスフィルムの両表面上にキャパシタ、コイル等を設けた後、絶縁樹脂層を形成し、ビアホールを作製した。その後、デスミア処理、無電解銅めっき処理を行い、更にドライフィルムレジスト層を形成した。フォトリソグラフィーでレジストパターンを形成した後、電解銅めっき法で導体回路層を形成した。その後、多層回路の形成を繰り返して、ビルドアップ多層回路をガラスフィルム（ガラスコア）の両表面に形成した。なお、上記工程で回路層の剥離は発生しなかった。

更に、多層回路の最外層に対して、ソルダーレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーで外部接続端子部を露出させて、めっきをした後、はんだボールを形成した。はんだボールを設ける工程は、一連の工程で熱処理温度が最も高く、約３２０℃であった。最後に、はんだボールを形成したガラスフィルムをダイシング加工し、高周波デバイスを得た。

本発明のガラスフィルム及びこれを用いたガラスロールは、高周波デバイスの基板に好適であるが、それ以外にも、低誘電特性が求められるプリント配線板用基板、フレキシブルプリント配線板用基板、ガラスアンテナ用基板、マイクロＬＥＤ用基板、ガラスインターポーザー用基板としても好適である。また、本発明のガラスフィルム及びこれを用いたガラスロールは、デュプレクサーなどの誘電体フィルターの共振器を構成する部材としても使用可能である。

Claims (18)

1. ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ _２ ５０～７２％、Ｂ _２ Ｏ _３ １５～３８％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０～１％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０～１１％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０～４．９７％を含有し、質量比（ＳｒＯ＋ＢａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）が０．３以下であり、フィルム厚が１００μｍ以下であるガラスフィルムにおいて、２５℃、周波数２．４５ＧＨｚにおける比誘電率が５以下であり、且つ２５℃、周波数２．４５ＧＨｚにおける誘電正接が０．０１以下であることを特徴とするガラスフィルム。
2. ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ _２ ５０～７２％、Ｂ _２ Ｏ _３ １５～３８％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０～１％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０～１１％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０～４．９７％を含有し、質量比（ＳｒＯ＋ＢａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）が０．３以下であり、フィルム厚が１００μｍ以下であるガラスフィルムにおいて、２５℃、周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率が５以下であり、且つ２５℃、周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．０１以下であることを特徴とするガラスフィルム。
3. フィルム厚が５０μｍ未満であることを特徴とする請求項１又は２に記載のガラスフィルム。
4. ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５０～７２％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０．３～１０．９％、Ｂ_２Ｏ_３ １８．１～３８％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０．００１～１％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０～５．１２％を含有することを特徴とする請求項１～３の何れか一項に記載のガラスフィルム。
5. 質量比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／（ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｂ_２Ｏ_３）が０．００１～０．４であることを特徴とする請求項１～４の何れか一項に記載のガラスフィルム。
6. 厚み方向に複数の貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１～５の何れか一項に記載のガラスフィルム。
7. 貫通孔の平均内径が３００μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載のガラスフィルム。
8. 貫通孔の内径の最大値と最小値の差が５０μｍ以下であることを特徴とする請求項６又は７に記載のガラスフィルム。
9. 貫通孔から伸張した表面方向のクラックの最大長さが１００μｍ以下であることを特徴とする請求項６～８の何れか一項に記載のガラスフィルム。
10. ヤング率が７０ＧＰａ以下であることを特徴とする請求項１～９の何れかに記載のガラスフィルム。
11. ５℃／分の速度で昇温し、５００℃で１時間保持し、５℃／分の速度で降温した時の熱収縮率が３０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１～１０の何れかに記載のガラスフィルム。
12. ３０～３８０℃の温度範囲における熱膨張係数が２０×１０^－７～５０×１０^－７／℃であることを特徴とする請求項１～１１の何れかに記載のガラスフィルム。
13. ２０～３００℃の温度範囲における熱膨張係数から、２０～２００℃の温度範囲における熱膨張係数を減じた値が１．０×１０^－７／℃以下であることを特徴とする請求項１～１２の何れかに記載のガラスフィルム。
14. 厚み１．０ｍｍ換算、波長３５５ｎｍにおける外部透過率が、８０％以上であることを特徴とする請求項１～１３の何れかに記載のガラスフィルム。
15. 厚み１．０ｍｍ換算、波長２６５ｎｍにおける外部透過率が、１５％以上であることを特徴とする請求項１～１４の何れかに記載のガラスフィルム。
16. 液相粘度が１０^４．０ｄＰａ・ｓ以上であることを特徴とする請求項１～１５の何れかに記載のガラスフィルム。
17. 高周波デバイスの基板に用いることを特徴とする請求項１～１６の何れか一項に記載のガラスフィルム。
18. ガラスフィルムをロール状に巻き取ったガラスロールにおいて、
    該ガラスフィルムが請求項１～１７の何れか一項に記載のガラスフィルムであることを特徴とするガラスロール。