JP7842361B2

JP7842361B2 - 光受信器

Info

Publication number: JP7842361B2
Application number: JP2024531788A
Authority: JP
Inventors: 祥平小菅; 慈金澤
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp; NTT Inc USA
Current assignee: NTT Inc; NTT Inc USA
Priority date: 2022-07-05
Filing date: 2022-07-05
Publication date: 2026-04-08
Anticipated expiration: 2042-07-05
Also published as: WO2024009388A1; JPWO2024009388A1

Description

本開示は、光受信器に関し、より詳細には光受信器のための光半導体モジュールの実装技術に関する。

従来、受光素子であるフォトダイオード（ＰＤ）と、ＰＤ駆動のためのバイアス回路と、トランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）とを備えた光受信器が知られている（たとえば、非特許文献１参照）。特に受光素子をアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）とする場合、ＴＩＡからの供給電圧では駆動することが難しいため、別途バイアス回路が必要となっている。

図１は、従来型の光受信器の概略構成を示す図である。図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）は断面図である。図１に示す光受信器１００は、ＰＤ１０１と、ＰＤ１０１を駆動するためのバイアス回路１０２と、電気アンプであるＴＩＡ１０４とを備えている。

ＰＤ１０１とバイアス回路１０２はＰＤサブキャリア１０３上に配置され、ＴＩＡ１０４はＰＤサブキャリア１０３と異なるＴＩＡサブキャリア１０５上に配置されている。ＰＤサブキャリア１０３およびＴＩＡサブキャリア１０５は、誘電体キャリアである。

バイアス回路１０２は、バイアス回路を構成するキャパシタであり、接続されたＰＤ１０１に逆バイアスを印加する。ＴＩＡ１０４は、接続されたＰＤ１０１からの電流を電圧に変換する。ＰＤ１０１に最も近い位置にあるバイアス回路１０２（キャパシタ）は、光受信器１００の高周波特性に影響を与える。

バイアス回路１０２とＰＤ１０１との間、およびＰＤ１０１とＴＩＡ１０４との間にはそれぞれ一定の距離が設けられている。ＰＤ１０１とバイアス回路１０２とは、金属のワイヤ１０６ａにより電気的に接続されている。同様に、ＰＤ１０１とＴＩＡ１０４とは、金属のワイヤ１０６ｂにより電気的に接続されている。

なお、ＰＤサブキャリア１０３は貫通穴を有し、貫通穴により開口部１０３ａが形成されている。信号光が開口部１０３ａを介してのＰＤ１０１の裏面側の受光面に入射するように、ＰＤ１０１はＰＤサブキャリア１０３上に配置されている。

H. T. Chen et. al., "Low-voltage waveguide Ge APD based high sensitivity 10Gb/s Si photonic receiver," 2015 European Conference on Optical Communication, Tu1.3.4.

上述したように光受信器において光電変換された信号を伝達するために、光受信器を構成する素子間が電気的に接続されている必要がある。各素子間の電気接続には一般的に金属ワイヤが用いられている。この金属ワイヤは光受信器の周波数応答特性に影響を与えるため、光受信器を広帯域に動作させるためには各素子の周波数特性を考慮した適切な長さのワイヤ実装が求められる。例えば１００Ｇｂａｕｄ超級の光受信器では１００μｍ前後のワイヤを実装することによって、周波数特性に若干のピーキングを設け広帯域化が図られるとされている。最適な長さのワイヤを実装するためには、それに応じた距離を素子間に設ける必要がある。加えて、実装上のトレランスからワイヤ長がばらつくことによって帯域が変化してしまうことがある。故にワイヤ実装の場合、光受信器の構造設計における自由度を律速してしまうといった課題があった。

本開示は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、光受信器を構成する素子間の距離が変わった場合でも動作帯域の劣化が生じ難い光受信器を提供することにある。

このような目的を達成するために、本発明の一実施形態の光受信器は、受光素子（ＰＤ）と、バイアス電圧を印加するバイアス回路と、トランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）と、ＰＤ、バイアス回路、およびＴＩＡを搭載する少なくとも１つのサブキャリアと、ＰＤの上面とバイアス回路の上面との間、またはＰＤの上面とＴＩＡの上面との間、の少なくとも１つを接続する少なくとも１つの高周波配線板とを備えている。

この構成によれば、光受信器を構成する素子間の距離が変わった場合でも動作帯域の劣化が生じ難い光受信器を提供することが可能となる。

従来型の光受信器の概略構成を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図である。本開示の一実施形態に係る光受信器の概略構成を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は高周波導波路基板の上面図、（ｄ）は高周波導波路基板の断面図である。本開示の一実施形態に係る光受信器の概略構成を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は高周波導波路基板の上面図、（ｄ）は高周波導波路基板の断面図である。本開示の一実施形態に係る光受信器の概略構成を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は高周波導波路基板の上面図、（ｄ）は高周波導波路基板の断面図である。本開示の一実施形態に係る光受信器の概略構成を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は高周波導波路基板の上面図、（ｄ）は高周波導波路基板の断面図である。本開示の一実施形態に係る光受信器の概略構成を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は高周波導波路基板の上面図、（ｄ）は高周波導波路基板の断面図である。本開示の一実施形態に係る光受信器の概略構成を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は高周波導波路基板の上面図、（ｄ）は高周波導波路基板の断面図である。本開示の一実施形態に係る光受信器の概略構成を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は高周波導波路基板の上面図、（ｄ）は高周波導波路基板の断面図である。５０Ｇｂａｕｄの信号光を受光した際の光受信器のＴＩＡの出力部の周波数応答特性を示す図である。１００Ｇｂａｕｄの信号光を受光した際の光受信器のＴＩＡの出力部の周波数応答特性を示す図である。

以下、図面を参照しながら本開示の実施形態について詳細に説明する。同一または類似の参照符号は、同一または類似の要素を示し、繰り返しの説明は省略する。以下の説明中に例示する数値は、限定されるのではなく、本開示の要旨を逸脱しない限り他の数値を用いることができる。本明細書において、ＸＹ面のＺ方向を上という。

本開示の一実施形態に係る光受信器では、図２から８に示すように、光受信器を構成する素子間の接続の一部または全部に、金属ワイヤの代わりに高周波配線板を用いている。上述したような従来の光受信器では、光受信器を構成する素子間の距離が最適値から離れた場合、金属ワイヤの長さが変わり光受信器の帯域が劣化してしまう課題があった。これに対して、本開示の実施形態に係る光受信器の構成ではインピーダンス線路と高インピーダンス線路を複合した線路である高周波配線板を素子間の電気接続に用いることで光受信器の帯域劣化を軽減させることができる。

（実施形態１）
図２を参照して、本開示の実施形態１に係る光受信器を説明する。図２（ａ）は本実施形態の光受信器２００の上面図であり、図２（ｂ）は光受信器２００の断面図である。図２に示す光受信器２００は、ＰＤ１０１と、バイアス回路１０２と、ＴＩＡ１０４と、ＰＤサブキャリア２０３と、ＴＩＡサブキャリア１０５とを備える。

ＰＤ１０１およびバイアス回路１０２は、誘電体キャリアであるＰＤサブキャリア２０３の対向する２つの主面（ＸＹ面）の上面に配置されている。ＰＤサブキャリア２０３の対向する２つの主面が略平行である点で、図１に示す、上面に段差を有するＰＤサブキャリア１０３と異なる。

ＴＩＡ１０４は、誘電体キャリアであるＴＩＡサブキャリア１０５の対向する２つの主面（ＸＹ面）の上面に配置されている。

図１を参照して説明した光受信器１００と同様に、光受信器１００は、バイアス回路１０２とＰＤ１０１との間、およびＰＤ１０１とＴＩＡ１０４との間にはそれぞれ一定の距離が設けられている。ＰＤ１０１とＴＩＡ１０４との間は、金属のワイヤ１０６ｂで電気的に接続されている。

図２に示す光受信器２００は、ＰＤ１０１とバイアス回路１０２（キャパシタ）との間の電気的接続に、金属のワイヤ１０６ａに替えて、高周波配線板２２２を用いている点で、図１の光受信器１００と異なる。高周波配線板２２２は、構造及び誘電体材料を適当に設計することにより、インピーダンス線路と高インピーダンス線路が複合した線路となっている。また、光受信器２００は、高周波配線板２２２で架橋するＰＤ１０１の上面である接続面とバイアス回路１０２の上面である接続面との高さが一致するように構成されている。ＰＤ１０１を研磨することによって、ＰＤ１０１の接続面とバイアス回路１０２の接続面と高さを合わせることができる。

高周波配線板２２２における線路のインピータンスは、高周波配線板２２２における線路２２３ａの幅（Ｘ軸方向）を変えることで調整することができる。具体的には、線路２２３ａの幅が小さい部分を設けると、その部分のインピータンスが大きくなる。特定のインピーダンス（たとえば、５０Ω）に対応する幅を有する設計された線路２２３ａの一部の幅を小さくすることで、線路２２３ａの一部は、インピータンスが大きい線路、すなわち高インピーダンス線路となる。本開示において、線路２２３ａのうち特定のインピーダンスに対応する幅を有する部分をインピーダンス線路と表現している。上述したようなインピーダンス線路と高インピーダンス線路が複合した高周波配線板２２２は、このように線路２２３ａの一部の幅を小さくすることにより実現することができる。高周波配線板２２２を構成する誘電体材料を部分的に変更することによりインピーダンス線路と高インピーダンス線路が複合した高周波配線板２２２を実現してもよく、高周波配線板２２２の構造及び誘電体材料の組み合わせを設計することによりインピーダンス線路と高インピーダンス線路が複合した高周波配線板２２２を実現してもよい。

図２（ｃ）は高周波配線板２２２の下面図であり、図２（ｄ）は高周波配線板２２２の断面図である。図２に示すように、高周波配線板２２２は、誘電体２２４の２つの主面（ＺＸ面）を除く４つの面に形成された金属の薄膜を有する。誘電体２２４の下面、すなわちＰＤ１０１およびバイアス回路１０２の上面と対向する面に形成された金属の薄膜は、スリットで分離されている。誘電体２２４の下面の中央に位置する薄膜が線路２２３ａを構成する。誘電体２２４の下面の側方に位置しスリットにより線路２２３ａから分離された薄膜は、誘電体２２４の側面（ＹＺ面）および上面に形成された薄膜と連続しており、線路２２３ｂを構成する。線路２２３ａはバイアス回路１０２から共有される所与のバイアス電位であり、線路２２３ｂはグランド等の基準電位である。高周波配線板２２２の線路２２３ａおよび線路２２３ｂが、ＰＤ１０１およびバイアス回路１０２の上面に形成されたバンプ２２１に接して配置される。

図９は５０ＧｂａｕｄにおけるＴＩＡ１０４の出力部の周波数応答特性を示す図である。図１０は１００ＧｂａｕｄにおけるＴＩＡ１０４の出力部の周波数応答特性を示す図である。図９および図１０において、図１に示すような従来型の光受信器における特性を破線で示し、本開示の実施形態に係る光送信器における特性を実線で示している。図９および図１０に示す特性は、光受信器におけるＰＤとバイアス回路との間およびＰＤとＴＩＡとの間の距離（素子間距離）を変化させながら計算した周波数特性を示している。

まず図９における従来型の光受信器の周波数応答特性を参照と、素子間距離が３００μｍ時の３ｄＢ帯域は５１．０ＧＨｚであり１００Ｇｂａｕｄ信号のナイキスト周波数である５０ＧＨｚ以上の帯域を確保できているが、素子間距離が変化することで３ｄＢ帯域の周波数が低下し、５０ＧＨｚを下回ることが確認できる。一方、本開示における提案型の光受信器では、すなわち、素子間距離に応じて線路２２３ａおよび線路２２３ｂのインピーダンス成分を変えた高周波配線板を用いた光受信器では、ワイヤ実装に比べ素子間距離の変化に起因した３ｄＢ帯域の周波数の低下は小さく、いずれの素子間距離においても３ｄＢ帯域の周波数は５０ＧＨｚ以上である。このように、本開示における提案型の光受信器では、１００Ｇｂａｕｄ信号のナイキスト周波数である５０ＧＨｚ以上の帯域をできることが分かる。

つぎに図１０の１００Ｇｂａｕｄにおける周波数特性を参照すると、従来型の光受信器では素子間距離の変化に応じて、３ｄＢ帯域のような所与の応答を確保するための周波数が低下するが、本開示における提案型の光受信器ではそのような周波数の低下は見られない。

以上のことから本開示のおける提案型の光受信器は、従来型の光受信器に比べ、素子間距離の拡大及び実装時に起こり得る素子間距離のばらつきに伴う所与の周波数応答を確保するための周波数の低下を抑えることができることが示された。また本実施形態では、ボーレートを１００Ｇｂａｕｄ及び５０Ｇｂａｕｄとして検証を行っているが、適用するボーレートに応じて高周波配線板を設計し直すことで、同様の効果が得られる。

（実施形態２）
図３を参照して、本開示の実施形態２に係る光受信器を説明する。図３（ａ）は本実施形態の光受信器３００の上面図であり、図３（ｂ）は光受信器３００の断面図である。図３（ｃ）は高周波配線板２２２の下面図であり、図３（ｄ）は高周波配線板２２２の断面図である。

図３に示す光受信器３００は、ＰＤサブキャリア３０３の上面に設けた段差により、高周波配線板で架橋するＰＤ１０１の上位面とバイアス回路１０２の上面の高さを合わせた構成である点で、図２を参照して説明した光受信器２００、すなわちＰＤサブキャリア２０３の段差のない上面に配置するＰＤ１０１を研磨することによって高さを合わせた構成の光受信器２００と異なる。本実施形態構成ではＰＤを研磨する必要がないため、ＰＤの動作信頼性が損なわれない。裏面入射型のＰＤ１０１を搭載するＰＤサブキャリア３０３は、貫通穴による開口部３０３ａを備えている。

光受信器３００におけるその他の構成は、光受信器２００の構成と同様である。本実施形態の光受信器３００においても、実施形態１の光受信器２００と同様の効果がある。

（実施形態３）
図４を参照して、本開示の実施形態３に係る光受信器を説明する。図４（ａ）は本実施形態の光受信器４００の上面図であり、図４（ｂ）は光受信器４００の断面図である。図４（ｃ）は高周波配線板２２２の下面図であり、図４（ｄ）は高周波配線板２２２の断面図である。

図４に示す光受信器４００は、バイアス回路１０２（キャパシタ）、ＰＤ１０１、及びＴＩＡ１０４が、単一のサブキャリア４０３上に設置されている点で、図３を参照して説明した光受信器３００と異なる。本実施形態の構成とすることで、実施形態１および２の構成と比べ、使用部材の数を減らすことができる。サブキャリア４０３は、誘電体キャリアである。サブキャリア４０３の上面に設けた段差により、高周波配線板で架橋するＰＤ１０１の上位面とバイアス回路１０２の上面の高さを合わせた構成である。裏面入射型のＰＤ１０１を搭載するＰＤサブキャリア４０３は、貫通穴による開口部４０３ａを備えている。

光受信器４００におけるその他の構成は、光受信器２００の構成と同様である。本実施形態の光受信器４００においても、実施形態１の光受信器２００と同様の効果がある。

（実施形態４）
図５を参照して、本開示の実施形態４に係る光受信器を説明する。図５（ａ）は本実施形態の光受信器５００の上面図であり、図５（ｂ）は光受信器５００の断面図である。図５（ｃ）は高周波配線板２２２の下面図であり、図５（ｄ）は高周波配線板２２２の断面図である。

図５に示す光受信器５００は、図３を参照して説明した光受信器３００における裏面入射型のＰＤ２０１に替えて、表面入射型のＰＤ５０１とした構成である。図５に示すように、光受信器５００のＰＤサブキャリア５０３は、貫通穴により信号光がとおる開口部を設ける必要がなく、実装工程を減らすことができる。サブキャリア５０３は、誘電体キャリアである。サブキャリア５０３の上面に設けた段差により、高周波配線板で架橋するＰＤ５０１の上位面とバイアス回路１０２の上面の高さを合わせた構成である。

光受信器５００におけるその他の構成は、光受信器３００の構成と同様である。本実施形態の光受信器５００においても、実施形態２の光受信器３００と同様の効果、すなわち実施形態１の光受信器２００と同様の効果がある。

（実施形態５）
図６を参照して、本開示の実施形態５に係る光受信器を説明する。図６（ａ）は本実施形態の光受信器６００の上面図であり、図６（ｂ）は光受信器６００の断面図である。図６（ｃ）は高周波配線板２２２の下面図であり、図６（ｄ）は高周波配線板２２２の断面図である。

図６に示す光受信器６００は、図３を参照して説明した光受信器３００において、バイアス回路１０２（キャパシタ）とＰＤ１０１との間の接続に金属のワイヤ１０６ａを用いるとともに、ＰＤ１０１とＴＩＡ１０４との間の接続に高周波配線板２２２を用いた構成である。ＰＤ１０１の上面とＴＩＡ１０４の上面の位置を合わせるために、ＴＩＡ１０５の高さを調整している。

光受信器６００の構成では、ＰＤ１０１の上面のバンプ２２１の間隔とＴＩＡ１０４の上面のバンプ２２１の間隔が異なっていても接続が容易となる。たとえば、バンプ２２１の間隔に応じて高周波配線板２２２の裏面に形成する線路２２３ａおよび線路２２３ｂのパターンをテーパ状にすることで、ＰＤ１０１とＴＩＡ１０４とを容易に接続することができる。

光受信器６００におけるその他の構成は、光受信器３００の構成と同様である。本実施形態の光受信器６００においても、実施形態２の光受信器３００と同様の効果、すなわち実施形態１の光受信器２００と同様の効果がある。

（実施形態６）
図７を参照して、本開示の実施形態６に係る光受信器を説明する。図７（ａ）は本実施形態の光受信器７００の上面図であり、図７（ｂ）は光受信器７００の断面図である。図７（ｃ）は高周波配線板２２２の一部の下面図であり、図７（ｄ）は高周波配線板２２２の断面図である。

図７に示す光受信器７００は、図３を参照して説明した光受信器３００におけるＰＤ１０１とＴＩＡ１０４との間の接続を、金属のワイヤ１０６ｂに替えて、高周波配線板２２２を用いておこなった構成である。ＰＤ１０１の上面とＴＩＡ１０４の上面の位置を合わせるために、ＴＩＡ１０５の高さを調整している。光受信器３００においてＰＤ１０１とバイアス回路１０２（キャパシタ）との間の接続に用いた高周波配線板２２２のＹ方向長さを長くした構成である。バイアス回路１０２、ＰＤ１０１、およびＴＩＡ１０４の上面には、単一の高周波配線板２２２が配置され、バイアス回路１０２の上面に設けられたバンプ２２１とＰＤ１０１の上面に設けられたバンプ２２１とが線路２２３ａおよび２２３ｂで接続され、ＰＤ１０１の上面に設けられたバンプ２２１とＴＩＡ１０４の上面に設けられたバンプ２２１とが線路２２３ａおよび２２３ｂで接続されている。単一の高周波配線板２２２の裏面には、ＰＤ１０１の上面に設けられたバイアス回路１０２側のバンプ２２１とＴＩＡ１０４側のバンプ２２１とを接続する線路２２３ａおよび２２３ｂが設けられていない。

図７に示す光受信器７００は、素子間の電気的接続のための部材の数と実装のための工程の数を減らすことができる。また本実施形態において裏面入射型のＰＤ２０１に替えて表面入射型のＰＤ５０１（図５）を用いる場合は、高周波配線板２２２の中央部に上面および下面を貫通する貫通穴により開口部を設けることで信号光をＡＰＤ５０１の受光面に入射させてもよい。高周波配線板２２２の線路２２３ａおよび２２３ｂにおける電流分布は電極エッジ（バンプ２２１の周囲）に集中するため、高周波配線板２２２の中央部に貫通穴を開けることによる高周波電気信号の劣化はほとんど起きない。

光受信器７００におけるその他の構成は、光受信器３００の構成と同様である。本実施形態の光受信器７００においても、実施形態２の光受信器３００と同様の効果、すなわち実施形態１の光受信器２００と同様の効果がある。

（実施形態７）
図８を参照して、本開示の実施形態７に係る光受信器を説明する。図８（ａ）は本実施形態の光受信器８００の上面図であり、図８（ｂ）は光受信器８００の断面図である。図８（ｃ）は高周波配線板２２２ａおよび２２２ｂの下面図であり、図８（ｄ）は高周波配線板２２２ａおよび２２２ｂの断面図である。

図８に示す光受信器８００は、図３を参照して説明した光受信器３００におけるＰＤ１０１とＴＩＡ１０４との間の接続を、金属のワイヤ１０６ｂに替えて、高周波配線板２２２ｂを用いて行った構成である。高周波配線板２２２ａは、図３を参照して説明した光受信器３００における高周波配線板２２２に相当する。光受信器８００では、光受信器３００のＰＤ１０１の上面とＴＩＡ１０４の上面の位置を合わせるために、ＴＩＡ１０５の高さを調整している。

光受信器８００においては、バイアス回路１０２とＰＤ１０１とを接続する高周波配線板２２２を構成する材料と異なる材料を用いて、ＰＤ１０１とＴＩＡ１０４とを接続する高周波配線板２２２ｂを構成することができる。また、裏面入射型のＰＤ１０１に替えて表面入射型のＰＤ５０１を用いる場合には、ＰＤサブキャリア３０３に貫通穴を空ける必要がなく実装のための工程の数を減らすことができる。

光受信器８００におけるその他の構成は、光受信器３００の構成と同様である。本実施形態の光受信器８００においても、実施形態２の光受信器３００と同様の効果、すなわち実施形態１の光受信器２００と同様の効果がある。

光受信器を構成する素子間の距離が変わった場合でも動作帯域の劣化が生じ難い光受信器が提供される。

１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００光受信器
１０１、５０１フォトダイオード（ＰＤ)
１０２バイアス回路（キャパシタ）
１０３、２０３、３０３ＰＤサブキャリア
１０３ａ、３０３ａ、４０３ａ開口部（貫通穴）
１０４トランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）
１０５ＴＩＡサブキャリア
１０６ａ、１０６ｂワイヤ
２２１バンプ
２２２、２２２ａ、２２２ｂ高周波配線板
２２３ａ、２２３ｂ線路
２２４誘電体
４０３サブキャリア
５０３ＰＤサブキャリア

Claims

受光素子（ＰＤ）と、
バイアス電圧を印加するバイアス回路と、
トランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）と、
前記ＰＤ、前記バイアス回路、および前記ＴＩＡを搭載する少なくとも１つのサブキャリアと、
前記ＰＤの上面と前記バイアス回路の上面との間、および前記ＰＤの上面と前記ＴＩＡの上面との間を接続する少なくとも１つの高周波配線板と
を備えた、光受信器。
前記バイアス回路、前記ＰＤ、および前記ＴＩＡの下面が、前記少なくとも１つのサブキャリアの上面と対向しており、
前記バイアス回路の上面と、前記ＰＤの上面と、前記ＴＩＡの上面とが、単一の高周波配線板で接続されている、請求項１記載の光受信器。
前記バイアス回路、前記ＰＤ、および前記ＴＩＡの下面が、前記少なくとも１つのサブキャリアの上面と対向しており、
前記バイアス回路の上面と前記ＰＤの上面とが第１の高周波配線板で接続されており、
前記ＰＤの上面と前記ＴＩＡの上面とが、前記第１の高周波配線板とは別個の第２の高周波配線板で接続されている、請求項１記載の光受信器。
受光素子（ＰＤ）と、
バイアス電圧を印加するバイアス回路と、
トランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）と、
前記ＰＤ、前記バイアス回路、および前記ＴＩＡを搭載する少なくとも１つのサブキャリアと、
前記ＰＤの上面と前記バイアス回路の上面との間を接続する高周波配線板と、
前記ＰＤの上面と前記ＴＩＡの上面との間との間を接続するワイヤと、
を備えた、光受信器。
前記ＰＤが裏面入射型のＰＤである、請求項１から４のいずれか一項に記載の光受信器。
前記ＰＤが表面入射型のＰＤである、請求項１から４のいずれか一項に記載の光受信器。
前記バイアス回路および前記ＰＤが、第１のサブキャリアの上面に設置されており、
前記ＴＩＡが、第２のサブキャリアの上面に設置されており、
前記第１のサブキャリアおよび前記第２のサブキャリアは分離されている、請求項１から４のいずれか一項に記載の光受信器。
前記バイアス回路、前記ＰＤ、および前記ＴＩＡが、単一のサブキャリア上に設置されている、請求項１から４のいずれか一項に記載の光受信器。