JP7826953B2

JP7826953B2 - 発光装置の製造方法

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Publication number: JP7826953B2
Application number: JP2023003122A
Authority: JP
Inventors: 尚嗣溝渕; 晋野々山; 孝輔矢羽田; 健一松浦
Original assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Current assignee: Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date: 2023-01-12
Filing date: 2023-01-12
Publication date: 2026-03-10
Anticipated expiration: 2043-01-12
Also published as: JP2024099283A

Description

本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。

従来、Ａｌからなる光反射層を備えた発光装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１に記載の発光装置においては、発光素子の上方に光反射層が設けられ、発光素子から発せられる光を反射する。一般的に、Ａｌからなる光反射層は、反射率に優れるために発光装置の光取出効率を向上させることができ、また、薄く形成することができるために発光装置を薄型化することができる。

特開２０２０－５３６３７号公報

しかしながら、発光装置が密閉されていない状態、すなわち外環境に対して露出した状態で用いられる場合には、塩水や、水、アルカリなどのＡｌと反応する物質が光反射層に触れて、光反射層の反射特性が劣化するおそれがある。例えば、塩水がＡｌからなる光反射層に触れると、点状に小さな孔が開く孔食と呼ばれる腐食が生じ、生じた孔から光が漏れて発光装置の配光が変わってしまう場合がある。

本発明の目的は、Ａｌからなる反射層を備えた発光装置であって、外環境に対して露出した状態で用いられる場合であっても、Ａｌと反応する物質が触れることによる反射層の反射特性の劣化を抑えることができる発光装置、及びその製造方法を提供することにある。

本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記の発光装置及びその製造方法を提供する。

［１］発光素子と、前記発光素子を封止する、樹脂材料を母材とする封止部材と、前記封止部材上の密着層と、前記密着層上のＡｌ膜からなる反射層と、前記反射層の側面及び上面を直接又は間接的に覆う、前記封止部材の母材と同種の樹脂材料を母材とする被覆膜と、を備え、前記被覆膜の外縁部が前記封止部材に密着することにより、前記反射層が前記被覆膜と前記封止部材によって密閉された、発光装置。
［２］前記封止部材と前記被覆膜が、変性シリコーンを母材とする、上記［１］に記載の発光装置。
［３］前記被覆膜の前記反射層の側面を覆う部分の厚さが、１μｍ以上である、上記［１］又は［２］に記載の発光装置。
［４］前記被覆膜が、白色又は黒色を有する、上記［１］又は［２］に記載の発光装置。
［５］前記被覆膜の上面を覆う遮光層を備えた、上記［１］又は［２］に記載の発光装置。
［６］支持基板上に複数の発光素子を配列させる工程と、前記支持基板上に、前記複数の発光素子を封止する、樹脂材料を母材とする封止部材を形成する工程と、前記封止部材上に、密着層を形成する工程と、前記密着層上に、Ａｌ膜からなる反射層を形成する工程と、第１のダイシングブレードを用いて、前記反射層側から前記封止部材の一部までをダイシングラインに沿ってカットし、溝を形成する工程と、前記反射層の上方及び前記溝の内面を覆うように、前記封止部材と同種の樹脂材料を母材とする被覆膜を形成する工程と、前記第１のダイシングブレードよりも幅の小さい第２のダイシングブレードを用いて、前記溝内の前記被覆膜及び前記溝の下の前記封止部材を前記ダイシングラインに沿ってカットし、前記封止部材に封止された前記発光素子、前記密着層、前記反射層、及び前記被覆膜をそれぞれ備えた複数の発光装置に個片化する工程と、を含み、前記発光装置において、前記被覆膜が前記反射層の上面及び側面を直接又は間接的に覆い、前記被覆膜の外縁部が前記封止部材に密着することにより、前記反射層が前記被覆膜と前記封止部材によって密閉された、発光装置の製造方法。

本発明によれば、Ａｌからなる反射層を備えた発光装置であって、外環境に対して露出した状態で用いられる場合であっても、Ａｌと反応する物質が触れることによる反射層の反射特性の劣化を抑えることができる発光装置、及びその製造方法を提供することができる。

図１は、本発明の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。図２（ａ）、（ｂ）は、被覆膜の外縁部の周辺を拡大した本発明の実施の形態に係る発光装置の拡大断面図である。図３（ａ）～（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る発光装置の製造工程の一例を示す垂直断面図である。図４（ａ）～（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る発光装置の製造工程の一例を示す垂直断面図である。図５は、本発明の実施の形態に係る発光装置の変形例の垂直断面図である。

（発光装置の構成）
図１は、本発明の実施の形態に係る発光装置１の垂直断面図である。発光装置１は、発光素子１０と、発光素子１０を封止する、樹脂材料を母材とする封止部材１１と、封止部材１１上のＳｉＯ_２膜などからなる密着層１２と、密着層１２上のＡｌ膜からなる反射層１３と、反射層１３の側面１３１及び上面１３２を直接又は間接的に覆う、封止部材１１と同種の樹脂材料を母材とする被覆膜１５と、を備える。

そして、発光装置１においては、被覆膜１５の外縁部１５１が封止部材１１に密着することにより、反射層１３が被覆膜１５と封止部材１１によって密閉されている。外縁部１５１と封止部材１１との密着部分は、封止部材１１の側面に沿って環状に連続している。

発光素子１０は、典型的にはＬＥＤチップである。また、発光素子１０は、典型的にはフリップチップ型の素子であるが、フェイスアップ型の素子であってもよい。発光素子１０がフリップチップ型である場合、図１に示されるｐ側パッド電極１０１ａとｎ側パッド電極１０１ｂが、プリント基板などの実装対象の電極に接続される。

発光装置１においては、発光素子１０が発する光が反射層１３や発光装置１が実装される基板に反射されて、封止部材１１の側面から斜め上方に取り出される。このため、発光装置１は、上方向の発光強度が比較的小さく、広角側に発光強度のピークを有する、いわゆるバットウィング形状の配光特性を有する。すなわち、配光角と発光強度の関係において、配光角が０°よりも大きい範囲に発光強度のピークが存在する。

封止部材１１は、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの樹脂材料を母材とし、例えば、発光素子１０が発する光の波長を変換するための蛍光体を含む。例えば、発光素子１０の発する光が青色光、例えば波長が４３０～４７０ｎｍの光であって、封止部材１１がＹＡＧ蛍光体などの黄色蛍光体を含む場合、発光装置１は白色の光を発する。

封止部材１１は、通常、発光素子１０の側面と上面を覆い、また、封止部材１１の平面方向の中心に発光素子１０が位置するように設けられる。封止部材１１の形状は特に限定されないが、典型的には直方体である。この場合、封止部材１１の側面が直方体の発光素子１０の側面に平行になるように設けられる。

密着層１２は、封止部材１１と反射層１３の間に設けられるＳｉＯ_２などからなる膜であり、密着層１２を設けることにより、反射層１３のクラックの発生による反射率の低下を抑えることができる。密着層１２は、Ａｌとの線膨張係数差が、封止部材１１の母材の樹脂材料とＡｌの線膨張係数差よりも小さい材料からなる。

例えば、封止部材１１がシリコーン樹脂を母材とする場合、シリコーン樹脂の線膨張係数はおよそ２００×１０^－６～４００×１０^－６ｐｐｍ、Ａｌの線膨張係数はおよそ２３．６×１０^－６ｐｐｍであるため、Ａｌ膜からなる反射層１３の線膨張係数とシリコーン樹脂を母材とする封止部材１１の線膨張係数の差はかなり大きい。このため、封止部材１１の上に反射層１３を直接形成した場合、反射層１３の形成時の昇温による封止部材１１と反射層１３の膨張、その後の降温による収縮を経て反射層１３にクラックが発生しやすい。

そこで、密着層１２としてＳｉＯ_２膜を用いた場合、Ａｌの線膨張係数とおよそ０．５×１０^－６ｐｐｍであるＳｉＯ_２の線膨張係数の差が、Ａｌの線膨張係数とシリコーン樹脂の線膨張係数の差よりも格段に小さいために、反射層１３の形成時の昇温とその後の降温を経ても反射層１３にクラックが生じ難い。

また、密着層１２は、ＳｉＯ_２などのＡｌと全く又はほとんど反応しない材料からなることが好ましい。この場合、密着層１２を設けることにより、封止部材１１と反射層１３の界面に生成される生成物による反射層１３の反射率の低下を抑えることができる。

封止部材１１の上に反射層１３を直接形成した場合、封止部材１１を構成するシリコーン樹脂などの樹脂材料と反射層１３を構成するＡｌの間に反応（Ａｌの酸化などが考えられる）が生じ、封止部材１１と反射層１３の界面に反応による生成物が生成される。この生成物の反射率がＡｌの反射率よりも低いために、この生成物の発生が反射層１３の反射率を低下させることになる。

封止部材１１上にＳｉＯ_２などからなる密着層１２を介して反射層１３が形成された発光装置１においては、封止部材１１と反射層１３が接触していないため、両者の反応による生成物の発生が抑えられる。なお、密着層１２としてＳｉＯ_２膜を用いた場合、反射層１３と密着層１２との間では反応は生じず、また、密着層１２の上に高品質の反射層１３を形成できることが確認されている。

密着層１２の厚さは、密着層１２がアイランド状に形成されて反射層１３と封止部材１１が部分的に接触することを防ぐため、１０ｎｍ以上であることが好ましい。また、密着層１２の厚さが大きすぎると応力により割れやすくなるため、封止部材１１との熱膨張率の差によりクラックが発生するおそれがある。このため、密着層１２の厚さは３００ｎｍ以下であることが好ましい。密着層１２は、例えば、スパッタや蒸着により形成される。

反射層１３は密着層１２の上に形成されるため、上述のクラックや封止部材１１との反応による生成物の発生による反射率の低下が抑えられている。例えば、シリコーン樹脂からなる封止部材１１の上にＳｉＯ_２からなる密着層１２を介して形成され、表面を保護層１４で保護された反射層１３の５００ｎｍの波長を有する光に対する反射率がおよそ７８％であり、ガラスの上に成膜されたクラックや反応による生成物のないＡｌ膜の反射率と同等であることが実験により確かめられている。一方で、シリコーン樹脂からなる封止部材１１の上に直接形成した反射層１３の５００ｎｍの波長を有する光に対する反射率はおよそ３７％であり、クラックや封止部材１１との反応による生成物によると考えられる著しい低下がみられた。

反射層１３は、厚さが小さすぎると発光素子１０が発する光の一部を透過するおそれがあり、具体的には、およそ９０ｎｍ以下になると透過が生じ始める。このため、光の透過を抑えるために、反射層１３の厚さは５０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることがより好ましい。また、反射層１３は、厚さが大きすぎると応力により割れやすくなるため、密着層１２との熱膨張率の差によりクラックが発生するおそれがある。このため、反射層１３の厚さは３００ｎｍ以下であることが好ましい。反射層１３は、例えば、スパッタや蒸着により形成される。

なお、Ａｌ膜からなる反射層１３の厚さは、ＴｉＯ_２などの反射材を含む樹脂膜からなる反射層の厚さ（例えば６０μｍ以上）と比較して、格段に小さい。このため、反射層１３を用いることにより、樹脂膜からなる反射層を用いる場合と比較して、発光装置１を薄くすることができる。

保護層１４は、反射層１３の表面を保護するための層である。保護層１４を設けることにより、反射層１３の形成後のクラック、傷、酸化の発生を抑えることができる。保護層１４は、例えばＳｉＯ_２膜、Ｔｉ膜、Ｔａ膜、又はＣｒ膜からなる。保護層１４の厚さは、保護層１４がアイランド状に形成されて反射層１３の表面が部分的に露出することを防ぐため、１０ｎｍ以上であることが好ましい。また、保護層１４の厚さが大きすぎると応力により割れやすくなるため、反射層１３との熱膨張率の差によりクラックが発生するおそれがある。このため、保護層１４の厚さは３００ｎｍ以下であることが好ましい。保護層１４は、例えば、スパッタや蒸着により形成される。

発光装置１は、典型的には、ＣＳＰ（チップスケールパッケージ）と呼ばれる、そのサイズを光源である発光素子のサイズにできる限り合わせたパッケージである。

被覆膜１５は、上述のように、反射層１３の側面１３１及び上面１３２を直接又は間接的に覆い、その外縁部１５１が封止部材１１に密着している。このため、反射層１３が被覆膜１５と封止部材１１によって密閉され、塩水や、水、アルカリなどのＡｌと反応する物質が反射層１３と接触することを抑制することができる。これにより、反射層１３の反射特性の劣化、例えば、反射層１３が塩水に触れたときに生じる孔食による光漏れ、を抑えることができる。

反射層１３上に保護層１４が設けられている場合は、被覆膜１５は保護層１４の上面を覆う。すなわち、被覆膜１５は反射層１３の上面１３２を間接的に覆う。反射層１３上に保護層１４が設けられていない場合は、被覆膜１５は反射層１３の上面１３２を直接覆う。

図２（ａ）、（ｂ）は、被覆膜１５の外縁部１５１の周辺を拡大した発光装置１の拡大断面図である。被覆膜１５の外縁部１５１は、封止部材１１の側面の上部に設けられた窪み１１１に収まり、封止部材１１に密着している。被覆膜１５の外縁部１５１は、窪み１１１に応じた形状を有する。

図２（ａ）に示される例では、窪み１１１及びそこに収まる外縁部１５１の断面形状は長方形であり、図２（ｂ）に示される例では、窪み１１１及びそこに収まる外縁部１５１の断面形状は三角形である。窪み１１１は、後述するように、ダイシングブレードを用いたダイシングにより形成され、窪み１１１の形状は、ダイシングブレードの形状によって決まる。ダイシングの精度を考慮して、窪み１１１を安定して形成するためには、窪み１１１の高さ方向の深さＤ_１は、例えば、１０μｍ以上、７０μｍ以下であることが好ましい。また、図２（ａ）に示される窪み１１１の横方向の深さＤ_２は、例えば、１μｍ以上、４０μｍ以下になる。

反射層１３の側面１３１側からの塩水などの浸入をより効果的に抑えるため、被覆膜１５の反射層１３の側面１３１を覆う部分の厚さＴ_１が、１μｍ以上であることが好ましい。なお、反射層１３が被覆膜１５と封止部材１１によって密閉されているのであれば、被覆膜１５が反射層１３の側面１３１に接していなくてもよい。すなわち、反射層１３の側面１３１が被覆膜１５に間接的に覆われていてもよい。

被覆膜１５の反射層１３の上面１３２を覆う部分の厚さＴ_２は、被覆膜１５がアイランド状に形成されて下層の表面が部分的に露出することを防ぐことのできる程度の厚さであれば、特に限定されない。例えば、被覆膜１５をスピンコーティングにより形成する場合には、厚さＴ_２は２０μｍ以上、４０μｍ以下などとなる。

被覆膜１５は、封止部材１１との密着性を高めるため、封止部材１１と同種の樹脂材料を母材とする。ここで、樹脂材料の同種とは、変性シリコーン、メチルシリコーンなどの樹脂の種類が同じであることをいい、例えば、変性シリコーンと変性シリコーンであれば、製品の品番が同一であっても異なっていてもよい。例えば、封止部材１１の母材に変性シリコーン（信越化学工業株式会社製ＳＣＲ－１０２４ＮＦ）を用いる場合は、被覆膜１５の母材に品番が同じ変性シリコーン（信越化学工業株式会社製ＳＣＲ－１０２４ＮＦ）や品番の異なる変性シリコーン（信越化学工業株式会社製ＫＣＲ－Ｈ２８００）を用いることができる。封止部材１１の母材と被覆膜１５の母材が異種の樹脂材料からなる場合、密着性が低いために、それらの界面から塩水などが浸入する可能性が高くなる。

封止部材１１の母材と被覆膜１５の母材には、特に、熱や光（紫外線、青色光）などによる劣化に強いシリコーン樹脂を用いることが好ましい。また、シリコーン樹脂のうち、メチルシリコーンなどと比較してガスバリア性に優れる変性シリコーンを用いることが好ましい。

被覆膜１５の形成には、後述するようにダイシングを用いる。このため、ダイシングの加工性を向上させるために、被覆膜１５がある程度の硬度、例えばショア硬さＤ６０以上、Ｄ９０以下、を有することが好ましい。

封止部材１１が蛍光体などの粒子を含む場合、粒子を含まない場合と比較して線膨張係数が低下する。このため、封止部材１１が粒子を含む場合は、被覆膜１５にも粒子を添加して線膨張係数を低下させ、封止部材１１と被覆膜１５の線膨張係数差を小さくすることが好ましい。これにより、ダイシング中に発生する封止部材１１と被覆膜１５の形状変化や位置ずれを抑えることができる。被覆膜１５に添加する粒子としては、例えば、シリカ粒子などの分散剤や、ＴｉＯ_２粒子、カーボンブラックなどの着色剤を用いることができる。

被覆膜１５は、透明であってもよいが、半透明や、白色、黒色であってもよい。例えば、被覆膜１５がシリカ粒子を含む場合は半透明になり、ＴｉＯ_２粒子とシリカ粒子を含む場合は白色になり、カーボンブラックとシリカ粒子を含む場合は黒色になる。

被覆膜１５が白色又は黒色を有する場合、次のような効果がある。例えば、発光装置１の消灯時に外部光の反射を抑え、発光装置１を目立ち難くすることができる。また、発光装置１を実装する基板の色に合わせて、被覆膜１５の色を白色又は黒色とすることによって、消灯時に発光装置１を目立ち難くすることができる。また、被覆膜１５内を光が伝播し難くなるため、被覆膜１５の封止部材１１、密着層１２、反射層１３、保護層１４の側面を覆う部分を伝って、被覆膜１５の上面の外側の領域１５２（図２（ａ）、（ｂ）を参照）から光が漏れることを抑制できる。

発光装置１の外形は、典型的には直方体であり、この場合の厚さは、例えば５０～４００μｍであり、平面形状である正方形又は長方形の一辺の長さは、例えば１５０～１２００μｍである。

（発光装置の製造方法）
図３（ａ）～（ｃ）、図４（ａ）～（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る発光装置１の製造工程の一例を示す垂直断面図である。

まず、図３（ａ）に示されるように、支持基板５１上にチップ固定用テープ５２を貼り、その上に複数の発光素子１０を配列させる。

次に、図３（ｂ）に示されるように、支持基板５１上に、複数の発光素子１０を封止する封止部材１１を形成する。封止部材１１の形成には、例えば、蛍光体を含むシリコーン樹脂などの封止部材１１の材料を塗布し、硬化させる。

次に、図３（ｃ）に示されるように、封止部材１１上に、密着層１２、反射層１３、及び保護層１４を順に形成する。このとき、保護層１４は形成しなくてもよい。

次に、図４（ａ）に示されるように、ダイサーに備えられた第１のダイシングブレードを用いて、上側、すなわち反射層１３側から封止部材１１の一部までをダイシングラインに沿ってカットし、溝５３を形成する。ここで、ダイシングラインとは、対象物を個片化する際にダイシングブレードで切断するラインである。

次に、図４（ｂ）に示されるように、反射層１３の上方及び溝５３の内面を覆うように、被覆膜１５を形成する。被覆膜１５の形成には、例えば、シリコーン樹脂などの被覆膜１５の材料を塗布し、硬化させる。このとき、保護層１４が形成されている場合は、被覆膜１５は保護層１４の上面を覆い、保護層１４が形成されていない場合は、被覆膜１５は反射層１３の上面を覆う。

次に、図４（ｃ）に示されるように、ダイサーに備えられた第２のダイシングブレードを用いて、溝５３内の被覆膜１５及び溝５３の下の封止部材１１を上記のダイシングラインに沿ってカットし、複数の発光装置１に個片化する。

ここで、第２のダイシングブレードの幅は、第１のダイシングブレードの幅よりも小さい。このため、第２のダイシングブレードにより形成される溝５４の幅は、第１のダイシングブレードにより形成される溝５３の幅よりも小さくなる。その結果、溝５３の一部が、個片化された発光装置１に窪み１１１として残る。例えば、第１のダイシングブレードの幅が１５０μｍであり、第２のダイシングブレードの幅が１００μｍである場合は、窪み１１１の深さＤはおよそ２５μｍとなる。

以上の工程を経て、被覆膜１５が反射層１３の上面及び側面を直接又は間接的に覆い、被覆膜１５の外縁部１５１が封止部材１１に密着することにより、反射層１３が被覆膜１５と封止部材１１によって密閉された、発光装置１が得られる。その後、支持基板５１及びチップ固定用テープ５２を個片化された複数の発光装置１から剥離する。

（反射層の密閉性評価）
以下に、被覆膜１５と封止部材１１による反射層１３の密閉性を評価するために実施した塩水噴霧試験について述べる。

この塩水噴霧試験は、ＪＥＤＥＣ規格のＪＥＳＤ２２－Ａ１０７に準拠した試験であり、温度が３５℃、溶液中のＮａＣｌの質量パーセント濃度が５％、溶液の噴霧量が１～３ｍｌ／８０ｃｍ^２の条件で実施した。

本試験における試料として、封止部材１１の母材と被覆膜１５の母材に同種の樹脂材料を用いた発光装置１（試料Ａとする）、封止部材１１の母材と被覆膜１５の母材に異種の樹脂材料を用いた発光装置１（試料Ｂとする）、被覆膜１５を省いた発光装置１（試料Ｃとする）を用いた。試料Ａにおいては、封止部材１１の母材と被覆膜１５の母材に変性シリコーン（信越化学工業株式会社製ＳＣＲ－１０２４ＮＦ）を用いた。試料Ｂにおいては、封止部材１１の母材と被覆膜１５の母材に変性シリコーン（信越化学工業株式会社製ＳＣＲ－１０２４ＮＦ）とメチルシリコーン（信越化学工業株式会社製ＫＥＲ－２６００）をそれぞれ用いた。また、試料Ｃにおいては、封止部材１１の母材に変性シリコーン（信越化学工業株式会社製ＳＣＲ－１０２４ＮＦ）を用いた。

試料Ａにおいては、試験開始から１９２時間が経過しても被覆膜１５に腐食が生じなかった。試料Ｂにおいては、試験開始から７２時間が経過したときには被覆膜１５に腐食が生じており、１９２時間が経過したときには腐食がより進んでいた。また、試料Ｃにおいては、試験開始から２４時間が経過したときには被覆膜１５に極めて大きな腐食が生じていた。

上記の試験結果から、封止部材１１の母材と被覆膜１５の母材に同種の樹脂材料を用いることにより、被覆膜１５と封止部材１１による反射層１３の高い密閉性が得られることを確認できた。

（変形例）
図５は、本発明の実施の形態に係る発光装置１の変形例の垂直断面図である。図５に示されるように、被覆膜１５の上面（図５における上側を向いた面）を覆う遮光層１６が設けられていてもよい。遮光層１６は、黒色、白色などに着色されたシリコーン樹脂などの樹脂材料からなり、被覆膜１５の上面、特に上面の外側の領域１５２からの光漏れを効果的に抑えることができる。

例えば、遮光層１６がＴｉＯ_２粒子とシリカ粒子を含む場合は白色になり、カーボンブラックとシリカ粒子を含む場合は黒色になる。また、遮光層１６と被覆膜１５の密着性を高めるため、遮光層１６の母材は、被覆膜１５の母材と同種の樹脂材料であることが好ましい。

遮光層１６を形成する場合は、例えば、上記の発光装置１の製造工程において、図４（ｂ）に示される工程において被覆膜１５を形成した後、被覆膜１５の上に遮光層１６を形成し、図４（ｂ）に示される工程において被覆膜１５及び封止部材１１とともに被覆膜１５を第２のダイシングブレードを用いてカットすればよい。

（実施の形態の効果）
上記の本発明の実施の形態に係る発光装置１によれば、Ａｌからなる反射層１３が被覆膜１５と封止部材１１により密閉されているため、外環境に対して露出した状態で用いられる場合であっても、塩水などのＡｌと反応する物質が触れることによる反射層１３の反射特性の劣化を抑えることができる。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。また、発明の主旨を逸脱しない範囲内において上記実施の形態の構成要素を任意に組み合わせることができる。

また、上記の実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。

１発光装置
１０発光素子
１１封止部材
１１１窪み
１２密着層
１３反射層
１３１側面
１３２上面
１４保護層
１５被覆膜
１５１外縁部
１６遮光層
５３、５４溝

Claims

支持基板上に複数の発光素子を配列させる工程と、
前記支持基板上に、前記複数の発光素子を封止する、樹脂材料を母材とする封止部材を形成する工程と、
前記封止部材上に、密着層を形成する工程と、
前記密着層上に、Ａｌ膜からなる反射層を形成する工程と、
第１のダイシングブレードを用いて、前記反射層側から前記封止部材の一部までをダイシングラインに沿ってカットし、溝を形成する工程と、
前記反射層の上方及び前記溝の内面を覆うように、前記封止部材と同種の樹脂材料を母材とする被覆膜を形成する工程と、
前記第１のダイシングブレードよりも幅の小さい第２のダイシングブレードを用いて、前記溝内の前記被覆膜及び前記溝の下の前記封止部材を前記ダイシングラインに沿ってカットし、前記封止部材に封止された前記発光素子、前記密着層、前記反射層、及び前記被覆膜をそれぞれ備えた複数の発光装置に個片化する工程と、
を含み、
前記発光装置において、前記被覆膜が前記反射層の上面及び側面を直接又は間接的に覆い、前記被覆膜の外縁部が前記封止部材に密着することにより、前記反射層が前記被覆膜と前記封止部材によって密閉された、
発光装置の製造方法。