JP7795071B2 - 耐塵埃/耐ノイズ構造を有するセンサ - Google Patents
耐塵埃/耐ノイズ構造を有するセンサInfo
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Description
凹部を有し、当該凹部に前記センサ素子を収容する筐体と、
外部配線と接続可能であり、前記センサ素子の電極が接続されるリードフレームと、
前記凹部の底面と対向するように配置されるカバープレートと、
外気導入孔を有し、前記カバープレートを覆うように配置されるポートカバーと、を備え、
前記カバープレートは複数箇所において前記筐体または前記ポートカバーに固定され、当該複数箇所のうち少なくとも一箇所以上は前記リードフレームと電気的に接続されることによって所定電位に維持されることを特徴とする、センサである。
、材料の選択性が高くなる。固定部が無底の穴部である場合は、有底の穴部である場合と比較して、容易に形成できる。
以下に本発明の適用例の概要について一部の図面を用いて説明する。本発明は図1A、図1B、図1Cに示すような圧力センサに適用することができる。図1Aは、適用例に係る圧力センサ1の外観を示す上面図である。図1Bは、図1Aに示す圧力センサ1のAA断面を示す概略断面図である。図1Cは、図1Aに示す圧力センサ1のBB断面を示す概略断面図である。なお、図1Aにおいては、外部配線との接続端子であるリード33のアウターリード33aの部分が省略されている。
す。導圧孔41から流入した気体は、カバープレート50とポートカバー部40の狭い空間を通り、ついでカバープレート50の側面とケース部30の側壁の間を通り、MEMSセンサチップ10及びASIC20に到達する。迂回し、狭い空間を通ることで気体に含まれる塵埃がMEMSセンサチップ10に付着する可能性が低くなる。また、カバープレート50を備えていることにより、外部からのノイズによる悪影響を低減することもできる。
以下、本発明の実施例1に係る圧力センサ1について、図面(上記の適用例で一旦説明した図も含む)を用いてより詳細に説明する。なお、本発明に係る圧力センサは、以下の構成に限定する趣旨のものではない。また、以下の各実施例では、センサの一例として圧力センサを例示するが、これに限定する趣旨のものではなく、他の種類のセンサであってもよい。
ここで、図1の説明に戻る。実施例1に係る圧力センサ1は、図1A、図1B、図1Cに示すように、ケース部30及びポートカバー部40からなる矩形のパッケージ内に、MEMSセンサチップ10及びASIC20を収容した構成となっている。即ち、適用例において説明した圧力センサ1と同様の構成を有するため、適用例において説明した内容については、詳細な説明は省略する。また、本明細書では同一の構成要素については同一の
符号を用いて説明を行う。
なお、以下では、図5A乃至図5Eに基づいて、本実施例に係る圧力センサ1の製造の流れを説明する。図5Aは、圧力センサ1の製造フローにおいて、リード平面32及びリード33と、基準圧導入孔31を備えるケース部30とを結合した状態を示す概略断面図である。このような状態のリード平面32に、ダイボンド樹脂60を用いて、MEMSセンサチップ10及びASIC20を実装(ダイボンディング)するとともに、電極パッド14、電極パッド21、リード平面32、及びインナーリード33bに対してワイヤー71によるワイヤーボンディングを行い、これらを接続する(図5B)。
次に、図6A、図6Bを用いて、本発明の実施例2に係る圧力センサ2について説明する。圧力センサ2は、実施例1の圧力センサ1と多くの構成を共通にしているため、そのような構成については同一の符号を付し、改めての説明は省略する。また、圧力センサ2に示す構成を実施例1の圧力センサ1に適用することが可能である。
図6A、図6Bは、本発明の実施例2に係る圧力センサ2の内部構造を示す透過上面図である。実施例1の図4に示す圧力センサ1における固定部63aの穴部の数より、図6Aに示す圧力センサ2における固定部63aの穴部の数の方が多い(以下、図6Aに示す全ての固定部63aを「島状の固定部」という)。また、実施例1の図4に示す圧力センサ1における固定部63aの穴部の面積より、図6Bに示す圧力センサ2における固定部63bの穴部の面積の方が広い(以下、図6Bに示す全ての固定部63bを「線状の固定部」という)。図6Bにおいて、接続部64は線状の固定部上に形成されている。
次に、図7A、図7Bを用いて、本発明の実施例3に係る圧力センサ3について説明する。圧力センサ3は、実施例1の圧力センサ1と多くの構成を共通にしているため、そのような構成については同一の符号を付し、改めての説明は省略する。また、圧力センサ3に示す構成を実施例1及び2の圧力センサ1、2に適用することが可能である。
図7Aは、本発明の実施例3に係る圧力センサ3の内部構造を示す概略断面図である。カバープレート50が接続部64の一箇所のみを介してリード33に電気的に接続している点は、実施例1の圧力センサ1及び実施例2の圧力センサ2と同様である。図7Bは、図7Aに示す点線(c)で囲った部分を拡大して示す説明図である。カバープレート50は、固定部63cによってケース部30に固定され、固定部63cの穴部は無底であり、ケース部30上からリード33まで貫通している。これによって、実施例1の圧力センサ1における固定部63aと比較して、固定強度を高くすることができる。なお、固定部63cを介してカバープレート50がリード33に電気的に接続し、ショート不良によって圧力センサ3が損傷することを防止するため、固定部63cは絶縁性材料を有することが必須である。
次に、図8A、図8Bを用いて、本発明の実施例4に係るカバープレート50aについて説明する。カバープレート50aは、実施例1乃至3の圧力センサ1、2、3に適用することが可能である(すなわち、カバープレート50の代わりに用いることが可能である)。
図8Aは、本発明の実施例4に係るカバープレート50aの最外層を示す上面図である。実施例1において、カバープレート50が導電性の金属素材により形成される板状部材であることを例示したが、全面が導電性の金属素材により形成される必要はなく、図8Aに示すように、カバープレート50aは、導電膜51が接続部64と電気的に接続していれば絶縁膜52を含んでいてもよい。図8Bは、実施例4に係るカバープレート50aの最外層及び中間層を示す上面図及び透過上面図である。図8Bにおける上側の図が、接続部64を除いて絶縁膜52のみから形成される最外層であり、図8Bにおける下側の図が、導電膜51が接続部64と電気的に接続している箇所を含んで絶縁膜52から形成される中間層である。図8Bには、プリント基板としてのカバープレート50aを示す。実施例1乃至3に示す圧力センサ1、2、3に対して、図8Aに示すカバープレート50aと図8Bに示すカバープレート50aのいずれを適用してもよい。
次に、図9A、図9B、図9Cを用いて、本発明の実施例5に係る圧力センサ4について説明する。圧力センサ4は、実施例1の圧力センサ1と多くの構成を共通にしているため、そのような構成については同一の符号を付し、改めての説明は省略する。また、圧力センサ4に示す構成を実施例1乃至3の圧力センサ1、2、3に適用することが可能である。また、実施例4のカバープレート50aは、圧力センサ4に適用することが可能である。
図9Aは、本発明の実施例5に係る圧力センサ4の外観を示す透過上面図である。図9Aに示すように、平面視でカバープレート50bの面積はポートカバー部40aの面積と比較して小さい(図9Aにおいて、カバープレート50bの上にポートカバー部40aが覆い被さっている)。図9Bは、図9Aに示す圧力センサ4のうち、ポートカバー部40a及びカバープレート50bに係る側面図である。図9Bに示す通り、カバープレート50bはポートカバー部40aに一体成型されている。側面視でカバープレート50bは、図9Bにおけるポートカバー部40aの右側において密着して固定されており、ポートカバー部40aの左側においてはポートカバー部40aとカバープレート50bの間に空間が生じている。逆に、カバープレート50bは、ポートカバー部40aの左側において密着して固定されており、ポートカバー部40aの右側においてポートカバー部40aとカバープレート50bの間に空間が生じていてもよい。図9Cは、図9Aに示す圧力センサ
4のCC断面を示す概略断面図である。導圧孔41aから流入した気体は、カバープレート50bとポートカバー部40aの狭い空間を通るが、その狭い空間は図9C(図9Bでもよい)における左側においてのみ形成されている。このため、流入した気体は分岐して二方向にカバープレート50bを迂回することなく、一方向にカバープレート50bを迂回して流れやすい。
センサ素子(10)と、
凹部を有し、当該凹部に前記センサ素子を収容する筐体(30)と、
外部配線と接続可能であり、前記センサ素子の電極が接続されるリードフレーム(32、33)と、
前記凹部の底面と対向するように配置されるカバープレート(50、50a、50b)と、
外気導入孔(41、41a)を有し、前記カバープレートを覆うように配置されるポートカバー(40、40a)と、を備え、
前記カバープレートは複数箇所(63a、63b、63c、64)において前記筐体または前記ポートカバーに固定され、当該複数箇所のうち一箇所は前記リードフレームと電気的に接続されることによって所定電位に維持されることを特徴とする、センサ。
10 :MEMSセンサチップ
11 :圧力基準室
12 :ダイアフラム
13 :ピエゾ抵抗素子
14、21 :電極パッド
20 :ASIC
30 :ケース部
31 :基準圧導入孔
32 :リード平面
33 :リード
33a :アウターリード
33b :インナーリード
40、40a :ポートカバー部
41、41a :導圧孔
50、50a、50b :カバープレート
51 :導電膜
52 :絶縁膜
60 :ダイボンド樹脂
62 :カバーボンド樹脂
63a、63b、63c :固定部
64 :接続部
71 :ワイヤー
Claims (11)
- センサ素子と、
凹部を有し、当該凹部に前記センサ素子を収容する筐体と、
外部配線と接続可能であり、前記センサ素子の電極が接続されるリードフレームと、
前記凹部の底面と対向するように配置されるカバープレートと、
外気導入孔を有し、前記カバープレートを覆うように配置されるポートカバーと、を備え、
前記カバープレートは複数箇所において前記筐体または前記ポートカバーに固定され、当該複数箇所のうち少なくとも一箇所以上において接続部を介して前記リードフレームと電気的に接続されることによって所定電位に維持されることを特徴とする、センサ。 - 前記リードフレームは、前記筐体の前記凹部の底面において前記センサ素子が載置される平面部を有し、
前記カバープレートは、前記平面部と対向するように配置され、前記平面部とともに前記センサ素子を囲む空間を形成することを特徴とする、請求項1に記載のセンサ。 - 前記接続部は、導電性材料が充填された貫通孔を有することを特徴とする、請求項1または2に記載のセンサ。
- 前記カバープレートは、少なくとも一部が金属で構成されており、前記センサ素子及び前記リードフレームの表面よりも高い位置に配置されることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記リードフレームは、平面視で前記筐体より内側に形成された部分であるインナーリードと、平面視で前記筐体より外側に形成された部分であるアウターリードを有し、前記接続部は、平面視で当該インナーリードと当該アウターリードを結ぶ線上に位置することを特徴とする、請求項3に記載のセンサ。
- 前記インナーリード表面に対する前記接続部の貫通孔の深さによって、前記カバープレ
ートの高さを調整できることを特徴とする、請求項5に記載のセンサ。 - 前記接続部は、GNDもしくはVDDのいずれか一方の前記リードフレームに配置されることを特徴とする、請求項5または6に記載のセンサ。
- 前記接続部以外の箇所は、絶縁性の固定部を介するように、前記リードフレームの上部において前記筐体に固定されることを特徴とする、請求項1から7のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記固定部は絶縁性材料が充填された有底または無底の穴部、あるいは導電性材料が充填された有底の穴部からなることを特徴とする、請求項8に記載のセンサ。
- 前記カバープレートは、前記外気導入孔から前記筐体の内部への流路が存在する態様で前記ポートカバーに一体成型されていることを特徴とする、請求項1から9のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記カバープレートは、複層基板からなることを特徴とする、請求項1から10のいずれか一項に記載のセンサ。
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| JP2021145447A JP7795071B2 (ja) | 2021-09-07 | 2021-09-07 | 耐塵埃/耐ノイズ構造を有するセンサ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023038631A JP2023038631A (ja) | 2023-03-17 |
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| JP2021145447A Active JP7795071B2 (ja) | 2021-09-07 | 2021-09-07 | 耐塵埃/耐ノイズ構造を有するセンサ |
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| US20190270639A1 (en) | 2018-03-01 | 2019-09-05 | Infineon Technologies Ag | MEMS-Sensor |
| JP6820247B2 (ja) | 2017-11-30 | 2021-01-27 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサのシールド構造、および、それを備える圧力センサ |
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- 2021-09-07 JP JP2021145447A patent/JP7795071B2/ja active Active
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| JP6820247B2 (ja) | 2017-11-30 | 2021-01-27 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサのシールド構造、および、それを備える圧力センサ |
| US20190270639A1 (en) | 2018-03-01 | 2019-09-05 | Infineon Technologies Ag | MEMS-Sensor |
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