JP7779320B2 - 発光デバイスおよび画像表示装置 - Google Patents

Description

本開示は、発光デバイスおよびこれを備えた画像表示装置に関する。

例えば、特許文献１では、光取り出し側とは反対側に設けられた第１光反射層に凹面鏡部を設けた発光素子が開示されている。

国際公開第２０１９／１２４１６３号

ところで、マイクロサイズのディスプレイでは、光の取り出し効率の向上が求められている。

光取り出し効率を向上させることが可能な発光デバイスおよび画像表示装置を提供することが望ましい。

本開示の一実施形態の発光デバイスは、対向する第１の面および第２の面を有する第１化合物半導体層と、第１化合物半導体層の第２の面に面する活性層と、活性層に面する第３の面および第３の面と対向する光出射面となる第４の面を有し、第４の面に１または複数の集光構造を有する第２化合物半導体層と、第１化合物半導体層または第２化合物半導体層の層内に設けられた電流狭窄構造とを備えたものであり、１または複数の集光構造は、第２化合物半導体層の第４の面に形成されたナノアンテナまたはフレネルレンズによって構成されている。

本開示の一実施形態の画像表示装置は、アレイ状に配列された複数の画素毎に複数の発光デバイスを備えたものであり、複数の発光デバイスとして、上記本開示の一実施形態の発光デバイスを有する。

本開示の一実施形態の発光デバイスおよび一実施形態の画像表示装置では、第１化合物半導体層、活性層および第２化合物半導体層の順に積層された第２化合物半導体層の光出射面に集光構造を設けると共に、第１化合物半導体層または第２化合物半導体層の層内に電流狭窄構造を設けるようにした。これにより、活性層の発光領域を限定し、例えば、複数の発光デバイスの上方に配置され、複数の発光デバイスから出射された光を取り込むレンズの取り込み角に入射する光の割合を増やす。

本開示の一実施の形態に係る発光デバイスの構成の一例を表す断面模式図である。 本開示の一実施の形態に係る発光デバイスの構成の他の例を表す断面模式図である。 本開示の一実施の形態に係る発光デバイスの構成の他の例を表す断面模式図である。 図２に示した発光デバイスの製造方法を説明する断面模式図である。 図４Ａに続く工程を表す断面模式図である。 図４Ｂに続く工程を表す断面模式図である。 図４Ｃに続く工程を表す断面模式図である。 図４Ｄに続く工程を表す断面模式図である。 図２に示した発光デバイスを複数備えた発光ユニットの構成の一例を表す断面模式図である。 一般的な発光デバイスでの発光位置による集光効果の差を説明する図である。 一般的な発光デバイスでの発光位置による集光効果の差を説明する図である。 一般的な発光デバイスでの発光位置による集光効果の差を説明する図である。 本開示の変形例１に係る発光デバイスの構成の一例を表す断面模式図である。 本開示の変形例１に係る発光デバイスの構成の他の例を表す断面模式図である。 本開示の変形例２に係る発光デバイスの構成の一例を表す断面模式図である。 本開示の変形例２に係る発光デバイスの構成の他の例を表す断面模式図である。 本開示の変形例３に係る発光デバイスの構成の一例を表す断面模式図である。 本開示の変形例３に係る発光デバイスの構成の他の例を表す断面模式図である。 本開示の変形例４に係る発光デバイスの構成の一例を表す断面模式図である。 本開示の変形例４に係る発光デバイスの構成の他の例を表す断面模式図である。 本開示の変形例４に係る発光デバイスの構成の他の例を表す断面模式図である。 本開示の変形例５に係る発光デバイスの構成の一例を表す断面模式図である。 本開示の変形例５に係る発光デバイスの構成の他の例を表す断面模式図である。 本開示の変形例５に係る発光デバイスの構成の他の例を表す断面模式図である。 本開示の変形例６に係る発光デバイスの構成の一例を表す断面模式図である。 図１９に示した発光デバイスを複数備えた発光ユニットの構成の一例を表す断面模式図である。 本開示の変形例７に係る発光デバイスの構成の一例を表す断面模式図である。 本開示の変形例７に係る発光デバイスの構成の他の例を表す断面模式図である。 本開示の変形例８に係る発光ユニットの構成の一例を表す断面模式図である。 本開示の変形例８に係る発光ユニットの構成の他の例を表す断面模式図である。 本開示の変形例８に係る発光ユニットの構成の他の例を表す断面模式図である。 本開示の適用例１に係る画像表示装置の構成の一例を表す斜視図である。 図２６に示した画像表示装置のレイアウトの一例を表す模式図である。 本開示の適用例２に係る画像表示装置の構成の一例を表す斜視図である。 図２８に示した実装基板の構成を表す斜視図である。 図２９に示したユニット基板の構成を表す斜視図である。 本開示の適用例３に係る画像表示装置の例を表す図である。

以下、本開示における一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明は本開示の一具体例であって、本開示は以下の態様に限定されるものではない。また、本開示は、各図に示す各構成要素の配置や寸法、寸法比等についても、それらに限定されるものではない。なお、説明する順序は、下記の通りである。
１．実施の形態（第１クラッド層に電流狭窄領域を設け、第２クラッド層の光出射面をレンズ形状とした発光デバイスの例）
２．変形例１（第２クラッド層の光出射面に複数のレンズを設けた例）
３．変形例２（第１クラッド層にメサ部を設けた例）
４．変形例３（第１クラッド層に溝を設けた例）
５．変形例４（第２電極の他の構造例）
６．変形例５（発光デバイスの側面にミラー構造を設けた例）
７．変形例６（レンズ形状の他の例）
８．変形例７（複数の活性層を設けた例）
９．変形例８（発光ユニットの構成の他の例）
１０．適用例１（画像表示装置の例）
１１．適用例２（画像表示装置の例）
１２．適用例３（画像表示装置の例）

＜１．実施の形態＞
図１は、本開示の一実施の形態に係る発光デバイス１の断面構成の一例を模式的に表したものである。図２は、本開示の一実施の形態に係る発光デバイス１の断面構成の他の例を模式的に表したものである。発光デバイス１は、例えば、画像表示装置（例えば、画像表示装置１００、図２６参照）の表示画素Ｐに好適に用いられるものである。

［発光デバイスの構成］
発光デバイス１は、第１クラッド層１１と、活性層１２と、第２クラッド層１３とがこの順に積層されたものである。発光デバイス１は、第２クラッド層１３側が光出射面となっている。第１クラッド層１１は、対向する一対の面（面１１Ｓ１および面１１Ｓ２）を有し、層内に電流狭窄構造を有する。活性層１２は、第１クラッド層１１の面１１Ｓ２に積層されている。第２クラッド層１３は、対向する一対の面（面１３Ｓ１および面１３Ｓ２）を有し、面１３Ｓ１は活性層１２と対向する。面１３Ｓ２は光出射面となっており、集光構造（レンズ１３Ｌ）を有している。第１クラッド層１１の面１１Ｓ１および第２クラッド層１３の面１３Ｓ２には、それぞれ、第１電極１４および第２電極１５がそれぞれ設けられている。

第１クラッド層１１は、本開示の「第１化合物半導体層」の一具体例に相当し、例えばｎ型のＧａＮ系の化合物半導体材料により形成されている。第１クラッド層１１の層内には、電流狭窄構造が設けられている。

電流狭窄構造は、電流に狭窄作用を付与するものである。電流狭窄構造は、電流注入領域１１Ａおよび電流狭窄領域１１Ｂを有する。電流注入領域１１Ａは、例えば、平面視において、第１クラッド層１１の略中央に設けられている。電流狭窄領域１１Ｂは、電流注入領域１１Ａの周囲に設けられている。電流狭窄領域１１Ｂは絶縁性を有し、例えば、不純物を第１クラッド層１１の表面（例えば、面１１Ｓ１）側からのイオン注入することにより形成することができる。この他、第１クラッド層１１の側面から酸化することでも形成することができる。また、後述する発光デバイス１の製造工程において第１クラッド層１１を、エピタキシャル結晶成長を用いて形成する際に、電流狭窄領域１１Ｂ部分をマスクして電流注入領域１１Ａ部分を結晶成長させた後、電流狭窄領域１１Ｂ部分を結晶成長させることでも形成することができる。電流狭窄構造を設けることにより、第１電極１４から活性層１２に注入される電流の狭窄がなされ、電流注入効率が高められる。

電流狭窄構造は、例えば図３に示したように、第１クラッド層１１から第２クラッド層１３まで形成されていてもよい。また、電流注入領域１１Ａは、平面視において、必ずしも第１クラッド層１１の略中央に設けられていなくてよい。例えば、後述する画像表示装置１００において表示領域１００Ａの周縁部に配置される発光デバイス１では、電流注入領域１１Ａのピッチと、集光構造（例えば、レンズ１３Ｌ）とを発光デバイス１の中央からずらし、最大放射角度を変えるような設計としてもよい。これにより、発光デバイス１から画像を受けるレンズ側の収差等から生じる集光効率の面内のばらつきを補正することができる。

活性層１２は、自然放出光の放出および増幅を行うものであり、第１電極１４および第２電極１５から注入された正孔および電子が発光再結合して誘導放出光を発生するようになっている。活性層１２は、例えば、量子井戸層（図示せず）と障壁層（図示せず）とが交互に複数積層された多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有していている。活性層１２は、層内に、電流狭窄構造に応じた発光領域を有している。

第２クラッド層１３は、本開示の「第２化合物半導体層」の一具体例に相当し、例えばｐ型のＧａＮ系の化合物半導体材料により形成されている。第２クラッド層１３は、活性層１２と対向する面１３Ｓ１とは反対側の面１３Ｓ２が光出射面となっており、面１３Ｓ２には集光構造が設けられている。集光構造は、例えば凸型のレンズ１３Ｌである。

レンズ１３Ｌは、例えば後述する画像表示装置１００の表示画素Ｐを構成する色画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂ各々のピッチ（色画素ピッチ）以下であればよい。具体的には、レンズ１３Ｌは、例えば図１に示したように、発光デバイス１の外径と同程度の外径を有していてもよいし、例えば図２に示したように、発光デバイス１の外径よりも小さくてもよい。レンズ１３Ｌは、第２クラッド層１３と同じ材料によって構成されており、例えば、第２クラッド層１３をエッチングすることにより形成することができる。

第１電極１４は、第１クラッド層１１に接すると共に、第１クラッド層１１に電気的に接続されている。つまり、第１電極１４は第１クラッド層１１とオーミック接触している。第１電極１４は、例えば金属電極であり、例えばニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）との多層膜（Ｎｉ／Ａｕ）として構成されている。この他、第１電極１４は、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電材料を用いて形成するようにしてもよい。

第２電極１５は、第２クラッド層１３に接すると共に、第２クラッド層１３に電気的に接続されている。つまり、第２電極１５は第２クラッド層１３とオーミック接触している。第２電極１２５は、例えばＩＴＯ等の透明導電材料を用いて形成されている。

［発光デバイスの製造方法］
発光デバイス１は、例えば、次のようにして製造することができる。図４Ａ～図４Ｅは、発光デバイス１の製造工程の一例を表したものである。

まず、図４Ａに示したように、第２クラッド層１３、活性層１２および第１クラッド層１１をこの順に積層形成する。第１クラッド層１１、活性層１２および第２クラッド層１３は、例えば、それぞれ、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法や分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）法等の方法を用いたエピタキシャル結晶成長により形成することができる。

次に、図４Ｂに示したように、第１クラッド層１１上に、レジスト膜２１を所定のパターンで形成する。続いて、図４Ｃに示したように、例えばイオン注入により、レジスト膜２１から露出した第１クラッド層１１の不純物濃度を制御して電流狭窄領域１１Ｂを形成する。その後、レジスト膜２１を除去し、第１クラッド層１１上に第１電極１４を形成する。

次に、図４Ｄに示したように、第２クラッド層１３上に、所望のレンズ形状を有するレジスト膜２２を形成する。続いて、図４Ｅに示したように、レジスト膜２２をマスクとして、例えばエッチングにより第２クラッド層１３を加工する。これにより、第２クラッド層１３の表面には、例えば突状のレンズ１３Ｌを形成される。その後、第２クラッド層１３上に第２電極１５を形成する。これにより、図１や図２に示した発光デバイス１が完成する。

［発光ユニットの構成］
後述する画像表示装置１００では、複数の発光デバイス１が表示領域１００Ａに２次元アレイ状に配置される。図５は、例えば、画像表示装置１００の表示画素Ｐ毎に配設される発光ユニットの断面構成を模式的に表したものである。

発光ユニットは、例えば、複数の発光デバイス１が一列に配置されたものである。発光ユニットは、例えば、複数の発光デバイス１の配設方向に延在する細長い形状となっている。画像表示装置１００の表示画素Ｐは、例えば２０μｍ以下のピッチで配列された、例えばＲＧＢに対応する３つの色画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂを含んでおり、発光ユニットは、各色画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂ毎に１つずつ発光デバイス１が配置されるように、例えば３つの発光デバイス１が一列に、駆動基板３１上に実装される。

［作用・効果］
本実施の形態の発光デバイス１は、第１クラッド層１１、活性層１２および第２クラッド層１３の順に積層された第２クラッド層１３の光出射面（面１３Ｓ２）を加工してレンズ１３Ｌを設けると共に、第１クラッド層１１内に電流注入領域１１Ａおよび電流狭窄領域１１Ｂを設けるようにした。これにより、活性層１２の発光領域を限定し、例えば略正面方向に集光可能なレンズ１３Ｌの取り込み角（例えば、約±１０°）に入射する光の割合を増やす。以下、これについて説明する。

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ等に用いられるマイクロサイズのパネル光源（以下、マイクロディスプレイと称す）では、小さな光源から出射される光を有効活用するために、レンズにより集光効率を高めている。

マイクロサイズの発光ダイオード（ＬＥＤ）は輝度が高く、マイクロディスプレイの光源として有効である。しかしながら、ＬＥＤは、素子サイズが小さくなるほど非発光な端面の寄与が大きくなり、光取り出し効率が大きく低下する。

マイクロディスプレイのように画素のピッチサイズが小さなディスプレイでは、ピッチサイズの制約から径の大きなレンズが置けないため、レンズのサイズと光源（ＬＥＤ）のサイズとが近くなり、集光効果が低下する。特に、赤色ＬＥＤはペリフェリ部の劣化が顕著であり、ペリフェリ部の劣化を回避する方法として素子サイズ（活性層の面積）を大きくする方法がとられるが、マイクロディスプレイでは、ピッチサイズの制約から上記方法をとることは難しい。

図６Ａ～図６Ｃは、上記のように、レンズ１０１６のサイズと光源（活性層１０１２）のサイズとが略同じとなる一般的な発光デバイス１０００の発光位置による集光効果を表したものである。一般的な発光デバイス１０００では、第１クラッド層１０１１、活性層１０１２および第２クラッド層１０１３が順に積層された半導体積層体を間にして第１電極１０１４および第２電極１０１５が形成され、例えば第２電極１０１５の上方にレンズ１０１６が配設される。このような発光デバイス１０００では、例えば図６Ａに示したように、活性層１０１２の略中央において発せられた光はレンズ１０１６によって効率良く正面方向に取り出されるものの、図６Ｂおよび図６Ｃに示したように、外側に行くにつれて正面方向に取り出される光の量は少なくなる。

ところで、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）に代表される半導体レーザ（ＬＤ）では、レンズと電流狭窄構造とを用いた素子構造が提案されている。しかしながら、ＬＤの活性層から発せられる光は、キャビティによってコヒーレントな光となる。このコヒーレントな光の広がりは、キャビティ長等のレージングのパラーメータと関連しており、活性層の狭窄サイズを限定しても変わらない。このため、ＬＤにおける技術を、インコヒーレントな光を発するＬＥＤに適用しても、同様の効果を得ることは難しい。

これに対して本実施の形態では、第１クラッド層１１、活性層１２および第２クラッド層１３の順に積層された第２クラッド層１３の光出射面（面１３Ｓ２）を加工してレンズ１３Ｌを設けると共に、第１クラッド層１１内に電流注入領域１１Ａおよび電流狭窄領域１１Ｂを設け、活性層１２の発光領域を、例えばレンズ１３Ｌの集光効率の高い、レンズ１３Ｌの焦点およびその近傍に限定した。これにより、レンズ１３Ｌの取り込み角に入射する光の割合が増加する。

以上により、本実施の形態の発光デバイス１では、光の取り出し効率を向上させることが可能となる。

また、ＬＥＤは、上述したように、素子サイズを小さくなると、端面における非発光再結合の割合が増大し、電力効率が大きく低下する。これに対して、本実施の形態では、上記のように電流狭窄構造として、例えば第１クラッド層１１内に電流注入領域１１Ａおよび電流狭窄領域１１Ｂを設け、活性層１２の発光領域を限定したので、電力効率を向上させることが可能となる。

更に、本実施の形態では、第２クラッド層１３を加工して第２クラッド層１３の面１３Ｓ２にレンズ１３Ｌを設けるようにした。これにより、レンズを別途、発光デバイスの上方に配設する場合と比較して、結晶とレンズ面での境界反射損失や、レンズと発光点との距離が削減される。また、製造工程の削減や素子サイズの縮小（微細化）が可能となる。更に、エピタキシャル結晶成長により形成された第２クラッド層１３そのものをレンズ１３Ｌとして用いることにより、その大きな屈折率から広角の光を取り込むことが可能となる。よって、一般的な発光デバイス（例えば、発光デバイス１０００）においてレンズとＬＥＤとの間に発生するフレネル反射による効率の低下を低減することが可能となる。

次に、本開示の変形例１～８について説明する。なお、上記実施の形態の発光デバイス１に対応する構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。

＜２．変形例１＞
図７は、本開示の変形例１に係る発光デバイス１Ａの断面構成の一例を模式的に表したものである。発光デバイス１Ａは、上記実施の形態における発光デバイス１と同様に、例えば、画像表示装置１００の表示画素Ｐに好適に用いられるものである。

上記実施の形態では、１つの発光デバイス１において、第２クラッド層１３の面１３Ｓ１に１つのレンズ１３Ｌを設けた例を示したが、これに限らない。例えば図７に示したように、１つの発光デバイス１Ａにおいて、第２クラッド層１３の面１３Ｓ１に２つまたはそれ以上のレンズ１３Ｌを設けるようにしてもよい。

また、複数のレンズ１３Ｌを設ける場合には、例えば図８に示したように、レンズ１３Ｌの数に応じて、複数の電流注入領域１１Ａを複数設けるようにしてもよい。これにより、活性層１２の発光領域は、複数のレンズ１３Ｌそれぞれの焦点およびその近傍毎に限定される。

このように、本変形例では、１つの発光デバイス１において複数のレンズ１３Ｌを設けるようにしたので、上記実施の形態の効果に加えて、注入効率が良い部分を効率よく用いることが可能となる。

＜３．変形例２＞
図９は、本開示の変形例２に係る発光デバイス１Ｂの断面構成の一例を模式的に表したものである。図１０は、本開示の変形例２に係る発光デバイス１Ｂの断面構成の他の例を模式的に表したものである。発光デバイス１Ｂは、上記実施の形態における発光デバイス１と同様に、例えば、画像表示装置１００の表示画素Ｐに好適に用いられるものである。

電流狭窄構造は、例えば図９に示したように、第１クラッド層１１の周縁部を研削したメサ部Ｍによって構成してもよい。あるいは、例えば図１０に示したように、第１クラッド層１１の所望の領域（例えば、略中央部分）を囲む溝１１Ｘを設け、溝１１Ｘの内側の第１クラッド層１１の面１１Ｓ１に第１電極１４を設けた構成としてもよい。

このように、本変形例では、第１クラッド層１１にメサ部Ｍや溝１１Ｘを設けることにより、機械的に第１電極１４から活性層１２に注入される電流を狭窄するようにした。これにより、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。

＜４．変形例３＞
図１１は、本開示の変形例３に係る発光デバイス１Ｃの断面構成の一例を模式的に表したものである。発光デバイス１Ｃは、上記実施の形態における発光デバイス１と同様に、例えば、画像表示装置１００の表示画素Ｐに好適に用いられるものである。

上記実施の形態では、レンズ１３Ｌを覆うように第２電極１５を設けた例を示したが、第２電極１５は、例えば図１１に示したように、レンズ１３Ｌの周囲の平坦な第２クラッド層１３の面１３Ｓ２に設けるようにしてもよい。その際には、第２電極１５は、例えば、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）との多層膜（Ｔｉ／Ａｌ）やクロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）との多層膜（Ｃｒ／Ａｕ）等の金属電極として形成することができる。

また、上記実施の形態のように、第２電極１５をレンズ１３Ｌ上に設ける場合には、例えば図１２に示したように、レンズ１３Ｌの周囲の平坦な第２クラッド層１３の面１３Ｓ２に光反射膜１６を形成するようにしてもよい。光反射膜１６は、活性層１２において発せられる光に対して入射角度に依らず高い反射率を有する材料を用いて形成することが好ましい。このような材料としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）および白金（Ｐｔ）が挙げられる。この他に、例えば、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ）あるいはそれらの合金等を用いるようにしてもよい。

このように、本変形例では、第２電極１５としてレンズ１３Ｌの周囲の平坦な第２クラッド層１３の面１３Ｓ２に金属電極を設けるようにした。また、第２電極１５をレンズ１３Ｌ上に設ける場合には、レンズ１３Ｌの周囲の平坦な第２クラッド層１３の面１３Ｓ２に光反射膜１６を形成するようにした。これにより、レンズ１３Ｌ部分以外の第２クラッド層１３の面１３Ｓ２に入射する光が第２電極１５あるいは光反射膜１６によって反射されるようになり、結果としてレンズ１３Ｌの取り込み角に入射する光の確率が高まる。よって、上記実施の形態と比較して、光取り出し効率をさらに向上させることが可能となる。

＜５．変形例４＞
図１３は、本開示の変形例４に係る発光デバイス１Ｄの断面構成の一例を模式的に表したものである。発光デバイス１Ｄは、上記実施の形態における発光デバイス１と同様に、例えば、画像表示装置１００の表示画素Ｐに好適に用いられるものである。

本変形例の発光デバイス１Ｄは、側面にミラー構造を設けた点が、上記実施の形態の発光デバイス１とは異なる。具体的には、例えば図１３に示したように、発光デバイス１Ｄの側面は、第１クラッド層１１から第２クラッド層１３にかけて連続する傾斜面とし、その周囲を光反射膜１７Ａで覆うようにしてもよい。この他、例えば図１４に示したように、発光デバイス１Ｄの側面をミラー構造としてもよい。あるいは、例えば図１５に示したように、発光デバイス１Ｄの側面をパラボリックミラー構造としてもよい。または、発光デバイス１Ｄの側面はフレネルミラー構造としてもよい。

このように、本変形例では、発光デバイス１Ｄの側面にミラー構造を設けるようにしたので、活性層１２において発せられた光のうち、図１３～図１５に示した矢印のように光出射面（面１３Ｓ２）側に向かわなかった光が発光デバイス１Ｄの側面のミラー構造によって繰り返し反射されることにより、最終的には光出射面（面１３Ｓ２）に向かう光となってレンズ１３Ｌから取り出されるようになる。よって、上記実施の形態と比較して、光取り出し効率をさらに向上させることが可能となる。

＜６．変形例５＞
図１６は、本開示の変形例５に係る発光デバイス１Ｅの断面構成の一例を模式的に表したものである。図１７は、本開示の変形例５に係る発光デバイス１Ｅの断面構成の他の例を模式的に表したものである。図１８は、本開示の変形例５に係る発光デバイス１Ｅの断面構成の他の例を模式的に表したものである。発光デバイス１Ｅは、上記実施の形態における発光デバイス１と同様に、例えば、画像表示装置１００の表示画素Ｐに好適に用いられるものである。

上記実施の形態では、集光構造として、第２クラッド層１３の面１３Ｌ２に凸状のレンズ１３Ｌを形成した例を示したが、レンズ１３Ｌの形状はこれに限定されない。例えば図１６に示したように、レンズ１３Ｌの表面の一部が平坦面となっていてもよい。あるいは、集光構造は、例えば図１７に示したように、ナノアンテナ１３ＬＡによって構成されていてもよいし、例えば図１８に示したように、フレネルレンズ１３ＬＢによって構成されていてもよく、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。

＜７．変形例６＞
図１９は、本開示の変形例６に係る発光デバイス１Ｆの断面構成の一例を模式的に表したものである。発光デバイス１Ｆは、上記実施の形態における発光デバイス１と同様に、例えば、画像表示装置１００の表示画素Ｐに好適に用いられるものである。

活性層１２は、例えば図１９に示したように、例えばＲＧＢに対応する光（赤色光Ｌｒ，緑色光Ｌｇおよび青色光Ｌｂ）をそれぞれ発する複数の層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから構成されていてもよい。

図２０は、図１９に示した発光デバイス１Ｆを用いた発光ユニットの断面構成を模式的に表したものである。図２０に示した発光ユニットは、ＲＧＢに対応する発光デバイス１Ｆｒ，１Ｆｇ，１Ｆｂが一列に配置されている。

発光デバイス１Ｆでは、例えば、青色光Ｌｂを発する層１２Ｂ、緑色光Ｌｇを発する層１２Ｇおよび赤色光Ｌｒを発する層１２Ｒがこの順に積層されており、層１２Ｂ，１２Ｇ，１２Ｒの間には、それぞれ、例えば第１クラッド層１１と同様の構成を有する化合物半導体層が設けられている。図２０に示した発光ユニットにおいて色画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂにそれぞれ配設される発光デバイス１Ｆｒ，１Ｆｇ，１Ｆｂは、連続する半導体層を有している。詳しくは、色画素Ｐｂには第１クラッド層１１、層１２Ｂ，１２Ｇ，１２Ｒを含む活性層１２および第２クラッド層１３からなる発光デバイス１Ｆｂが配設されている。発光デバイス１Ｆｂは、第１電極１４を介して駆動基板３１上に実装されている。色画素Ｐｇには第１クラッド層１１および層１２Ｂが除去され、層１２Ｂと１２Ｇとの間の化合物半導体層が第１クラッド層１１を兼ねる発光デバイス１Ｆｇが配設されている。発光デバイス１Ｆｇは、第１電極１４、バンプ３２およびパッド電極３３を介して駆動基板３１上に実装されている。色画素Ｐｒには層１２Ｂ，１２Ｇが除去され、層１２Ｇと層１２Ｒとの間の化合物半導体層が第１クラッド層１１を兼ねる発光デバイス１Ｆｒが配設されている。発光デバイス１Ｆｒは、第１電極１４、バンプ３４およびパッド電極３５を介して駆動基板３１上に実装される。図２０に示した発光ユニットでは、層１２Ｒおよび第２クラッド層１３が共通層として発光デバイス１Ｆｒ，１Ｆｇ、１Ｆｂに亘って形成されている。

なお、ＲＧＢに対応する複数の層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが積層された発光デバイスを各色画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂに配設する用いる場合には、第２化合物半導体層の面１３Ｓ２に設けられるレンズ１３Ｌは、図２０に示したように、各層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの位置に焦点を有する形状とすることが好ましい。

また、図２０では、発光デバイス１Ｆｒ、発光デバイス１Ｆｇおよび発光デバイス１Ｆｂがこの順に一列に配設されている例を示したが、発光ユニットにおける発光デバイス１Ｆｒ、発光デバイス１Ｆｇおよび発光デバイス１Ｆのそれぞれの位置は、これに限定されるものではない。更に、図２０では、発光デバイス１Ｆｇ，１Ｆｒがそれぞれ、バンプ３２，３４およびパッド電極３３，３５を介して実装基板上に実装された例を示したが、駆動基板３１への実装には、例えばＣｕ－Ｃｕ接合等の他の接合方法を用いてもよい。

＜８．変形例７＞
図２１は、本開示の変形例７に係る発光デバイス１Ｇの断面構成の一例を模式的に表したものである。発光デバイス１Ｇは、上記実施の形態における発光デバイス１と同様に、例えば、画像表示装置１００の表示画素Ｐに好適に用いられるものである。

上記実施の形態では、例えば、ｐ型のＧａＮ系の化合物半導体材料により形成された第２クラッド層１３側から光が取り出される例を示したが、これに限らない。例えば、図２１に示したように、ｎ型のＧａＮ系の化合物半導体材料により形成された第１クラッド層１１の面１１Ｓ１にレンズ１１Ｌを設け、第１クラッド層１１側から光を取り出すようにしてもよい。

また、電流狭窄構造は、例えば図２１に示したように、光出射面（面１１Ｓ１）側に設けるようにしてもよい。本変形例では、第２クラッド層１３が、本開示の「第１化合物半導体層」に相当し、第１クラッド層１１が、本開示の「第２化合物半導体層」に相当する。

更に、例えば図２２に示したように、光出射面（面１１Ｓ１）とは反対側の、例えば第２クラッド層１３の面１３Ｓ２に凹面鏡構造１３ＬＸを設けるようにしてもよい。これにより、光出射面（面１１Ｓ１）側とは反対側に向かう光を、効率良く光出射面（面１１Ｓ１）側に反射させることが可能となる。

＜９．変形例８＞
図２３は、本開示の変形例７に係る発光ユニットの断面構成の一例を模式的に表したものである。上記実施の形態では、互いに分離された３つの発光デバイス１を駆動基板３１上に実装して発光ユニットとした例を示したが、これら３つの発光デバイスを構成する第１クラッド層１１、活性層１２および第２クラッド層１３は、３つの発光デバイスに対する共通層として、互いに連続していてもよい。これにより、フェリペリー劣化による端面非発光の発生を低減することが可能となる。

また、図２３に示したように、複数の発光デバイスに対して第１クラッド層１１、活性層１２および第２クラッド層１３を共通層として用いる場合には、例えば図２４に示したように、隣り合う発光デバイスの間を電気的あるいは光学的に分離する分離領域１８を設けるようにしてもよい。分離領域１８は、例えば、水素やボロン等を、例えば第２クラッド層１３側から注入することにより形成することができる。この他、例えば図２５に示したように、例えば、活性層１２を残して、第１クラッド層１１および第２クラッド層１３にそれぞれ溝１１Ｘ，１３Ｘを設けて互いに電気的に分離するようにしてもよい。

＜１０．適用例１＞
図２６は、画像表示装置（画像表示装置１００）の概略構成の一例を表した斜視図である。画像表示装置１００は、表示画素Ｐに本開示の発光デバイス（例えば、発光デバイス１）が用いられている。画像表示装置１００は、例えば図２６に示したように、表示パネル１１０と、表示パネル１１０を駆動する制御回路１４０とを備えている。

表示パネル１１０は、実装基板１２０と、透明基板１３０とを互いに重ね合わせたものである。透明基板１３０の表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域１００Ａを有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域１００Ｂを有している。

図２７は、実装基板１２０の透明基板１３０側の表面のうち表示領域１００Ａに対応する領域の配線レイアウトの一例を表したものである。実装基板１２０の表面のうち表示領域１００Ａに対応する領域には、例えば図２７に示したように、複数のデータ配線１０２１が所定の方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。実装基板１２０の表面のうち表示領域１００Ａに対応する領域には、さらに、例えば、複数のスキャン配線１０２２がデータ配線１０２１と交差（例えば、直交）する方向に延在して形成されており、且つ、所定のピッチで並列配置されている。データ配線１０２１およびスキャン配線１０２２は、例えば、Ｃｕ等の導電性材料からなる。

スキャン配線１０２２は、例えば、最表層に形成されており、例えば、基材表面に形成された絶縁層（図示せず）上に形成されている。なお、実装基板１２０の基材は、例えば、シリコン基板または樹脂基板等からなり、基材上の絶縁層は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）または樹脂材料からなる。一方、データ配線１０２１は、スキャン配線１０２２を含む最表層とは異なる層（例えば、最表層よりも下の層）内に形成されており、例えば、基材上の絶縁層内に形成されている。

データ配線１０２１とスキャン配線１０２２との交差部分の近傍が表示画素Ｐとなっており、複数の表示画素Ｐが表示領域１００Ａ内において、例えばマトリクス状に配置されている。各表示画素Ｐは、例えばＲＧＢに対応する色画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂを有し、各色画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂには、それぞれ、対応する発光デバイス１Ｒ，１Ｇ，１Ｂが実装されている。図２７では、３つの発光デバイス１Ｒ，１Ｇ，１Ｂで一つの表示画素Ｐが構成されており、発光デバイス１Ｒから赤色光を、発光デバイス１Ｇから緑色光を、発光デバイス１Ｂから青色光をそれぞれ出力することができるようになっている場合が例示されている。

発光デバイス１には、例えば色画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂごとに一対、または一方が共通且つ他方が色画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂ毎に配置される端子電極が設けられている。そして、一方の端子電極がデータ配線１０２１に電気的に接続されており、他方の端子電極がスキャン配線１０２２に電気的に接続されている。例えば、一方の端子電極は、データ配線１０２１に設けられた分枝１０２１Ａの先端のパッド電極１０２１Ｂに電気的に接続されている。また、例えば、他方の端子電極は、スキャン配線１０２２に設けられた分枝１０２２Ａの先端のパッド電極１０２２Ｂに電気的に接続されている。

パッド電極１０２１Ｂ，１０２２Ｂは、例えば、最表層に形成されており、例えば、図２７に示したように、発光デバイス１が実装される部位に設けられている。ここで、パッド電極１２１Ｂ，１２２Ｂは、例えば、Ａｕ（金）等の導電性材料からなる。

実装基板１２０には、さらに、例えば、実装基板１２０と透明基板１３０との間の間隔を規制する複数の支柱（図示せず）が設けられている。支柱は、表示領域１００Ａとの対向領域内に設けられていてもよいし、フレーム領域１００Ｂとの対向領域内に設けられていてもよい。

透明基板１３０は、例えば、ガラス基板または樹脂基板等からなる。透明基板１３０において、発光デバイス１側の表面は平坦となっていてもよいが、粗面となっていることが好ましい。粗面は、表示領域１００Ａとの対向領域全体に亘って設けられていてもよいし、表示画素Ｐとの対向領域にだけ設けられていてもよい。粗面は、色画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂから発せられた光が当該粗面に入細かな凹凸を有している。粗面の凹凸は、例えば、サンドブラストやドライエッチング等によって作製することができる。

制御回路１４０は、映像信号に基づいて各表示画素Ｐ（各発光デバイス１）を駆動するものである。制御回路１４０は、例えば、表示画素Ｐに接続されたデータ配線１０２１を駆動するデータドライバと、表示画素Ｐに接続されたスキャン配線１０２２を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。制御回路１４０は、例えば、図２６に示したように、表示パネル１１０とは別体で設けられ且つ配線を介して実装基板１２０と接続されていてもよいし、実装基板１２０上に実装されていてもよい。

なお、図２６に示した画像表示装置１００は、パッシブマトリクス型の画像表示装置の一例である。本実施の形態の発光デバイス１は、パッシブマトリクス型の画像表示装置（画像表示装置１００）に限らず、アクティブマトリクス型の画像表示装置にも適用することができる。なお、アクティブマトリクス型の画像表示装置では、例えば、図２６に示したフレーム領域１００Ｂは不要となる。

＜１１．適用例２＞
図２８は、本開示の発光デバイス（例えば、発光デバイス１）を用いた画像表示装置の他の構成例（画像表示装置２００）を表した斜視図である。画像表示装置２００は、所謂タイリングディスプレイと呼ばれるものである。画像表示装置２００は、例えば、図２８に示したように、表示パネル２１０と、表示パネル２１０を駆動する制御回路２４０とを備えている。

表示パネル２１０は、実装基板２２０と、対向基板２３０とを互いに重ね合わせたものである。対向基板２３０の表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域を有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域を有している（いずれも図示せず）。対向基板２３０は、例えば、所定の間隙を介して、実装基板２２０と対向する位置に配置されている。なお、対向基板２３０が、実装基板２２０の上面に接していてもよい。

図２９は、実装基板２２０の構成の一例を模式的に表したものである。実装基板２２０は、例えば、図２９に示したように、タイル状に敷き詰められた複数のユニット基板２５０により構成されている。なお、図２９では、９つのユニット基板２５０により実装基板２２０が構成される例を示したが、ユニット基板２５０の数は、１０以上であってもよいし、８以下であってもよい。

図３０は、ユニット基板２５０の構成の一例を表したものである。ユニット基板２５０は、例えば、タイル状に敷き詰められた複数の発光デバイス１と、各発光デバイス１を支持する支持基板２６０とを有している。各ユニット基板２５０は、さらに、制御基板（図示せず）を有している。支持基板２６０は、例えば、金属フレーム（金属板）、もしくは、配線基板等で構成されている。支持基板２６０が配線基板で構成されている場合には、制御基板を兼ねることも可能である。このとき、支持基板２６０および制御基板の少なくとも一方が、各発光デバイス１と電気的に接続されている。

＜１２．適用例３＞
図３１は、透明ディスプレイ３００の外観を表したものである。透明ディスプレイ３００は、例えば表示部３１０と、操作部３１１と、筐体３１２とを有している。表示部３１０には、本開示の発光装置（例えば、発光デバイス１）が用いられている。この透明ディスプレイ３００では、表示部３１０の背景を透過しつつ、画像や文字情報を表示することが可能である。

透明ディスプレイ３００では、実装基板は、光透過性を有する基板が用いられている。発光デバイス１に設けられる各電極は、実装基板と同様に光透過性を有する導電性材料を用いて形成されている。あるいは、各電極は、配線幅を補足したり、配線の厚みを薄くすることで、視認されにくい構造となっている。また、透明ディスプレイ３００は、例えば、駆動回路を備えた液晶層を重ね合わせることで黒表示を可能となり、液晶の配光方向を制御することにより、透過と黒表示とのスイッチングが可能となる。

以上、実施の形態および変形例１～８ならびに適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記変形例１～８のうちの２以上を組み合わせてもよい。

また、上記実施の形態等では、ＲＧＢに対応する光を発する発光ユニットを示したが、発光ユニットの構成はこれに限らない。例えば、発光ユニットは、例えばＲＧやＲＢのように２色の光を発する構成としてもよい。あるいは、ＲＧＢＷのように４色以上の光を発する発光ユニットとし構成すとしてもよい。更に、例えば図２０では、色画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂを含む表示画素Ｐを一単位とする発光ユニットを示したが、発光ユニットの構成はこれに限らない。発光ユニットは、例えば、画像表示装置１００の表示領域１００Ａ全体を一単位とした構成としてもよい。その場合、駆動基板３１上には、色画素Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂに対応する各発光デバイス１Ｆｒ，１Ｆｇ，１Ｆｂがモザイク状に規則的に配置される。

なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であってその記載に限定されるものではなく、他の効果があってもよい。

本技術は以下のような構成を取ることも可能である。以下の構成の本技術によれば、第１化合物半導体層、活性層および第２化合物半導体層の順に積層された第２化合物半導体層の光出射面に集光構造を設けると共に、第１化合物半導体層または第２化合物半導体層の層内に電流狭窄構造を設けるようにした。これにより、活性層の発光領域を限定し、レンズの取り込み角に入射する光の割合を増やす。よって、光取り出し効率を向上させることが可能となる。
（１）
対向する第１の面および第２の面を有する第１化合物半導体層と、
前記第１化合物半導体層の第２の面に面する活性層と、
前記活性層に面する第３の面および前記第３の面と対向する光出射面となる第４の面を有し、前記第４の面に１または複数の集光構造を有する第２化合物半導体層と、
前記第１化合物半導体層または前記第２化合物半導体層の層内に設けられた電流狭窄構造とを備え、
前記１または複数の集光構造は、前記第２化合物半導体層の前記第４の面に形成されたナノアンテナまたはフレネルレンズによって構成されている
を備えた発光デバイス。
（２）
前記電流狭窄構造は、電流注入領域と、前記電流注入領域の周囲に設けられた電流狭窄領域とを有する、前記（１）に記載の発光デバイス。
（３）
前記電流狭窄構造は、前記第１化合物半導体層から前記第２化合物半導体層までまたは前記第２化合物半導体層から前記第１化合物半導体層まで形成されている、前記（１）または（２）に記載の発光デバイス。
（４）
前記電流狭窄構造は、前記第１化合物半導体層の前記第１の面および前記第２化合物半導体層の前記第４の面の少なくとも一方に設けられた溝によって構成されている、前記（１）または（２）に記載の発光デバイス。
（５）
前記電流狭窄構造の前記電流狭窄領域は、前記第１化合物半導体層または前記第２化合物半導体層に設けられた不純物領域によって構成されている、前記（２）または（３）に記載の発光デバイス。
（６）
前記電流狭窄構造の前記電流狭窄領域は、前記第１化合物半導体層または前記第２化合物半導体層に設けられた酸化物層によって構成されている、前記（２）または（３）に記載の発光デバイス。
（７）
前記活性層の層内に複数の発光領域を有し、
前記複数の発光領域に対応する前記第４の面のそれぞれに前記１または複数の集光構造が設けられている、前記（１）乃至（６）のうちのいずれか１つに記載の発光デバイス。
（８）
前記活性層は、隣り合う前記複数の発光領域の間を電気的または機械的に分離されている、前記（７）に記載の発光デバイス。
（９）
前記第１化合物半導体層と電気的に接続された第１電極と、前記第２化合物半導体層と電気的に接続された第２電極とをさらに有し、
前記第２電極は、前記１または複数の集光構造に積層されている、前記（１）乃至（８）のうちのいずれか１つに記載の発光デバイス。
（１０）
前記１または複数の集光構造の周囲の前記第４の面は光反射膜が積層されている、前記（９）に記載の発光デバイス。
（１１）
前記第１化合物半導体層と電気的に接続された第１電極と、前記第２化合物半導体層と電気的に接続された第２電極とをさらに有し、
前記第２電極は、前記１または複数の集光構造の周囲に設けられている、前記（１）乃至（８）のうちのいずれか１つに記載の発光デバイス。
（１２）
前記第１化合物半導体層は、前記電流狭窄構造としてメサ形状を有する、前記（１）乃至（１１）のうちのいずれか１つに記載の発光デバイス。
（１３）
前記第１化合物半導体層は、前記第１の面に凹面鏡構造を有する、前記（１）乃至（１２）のうちのいずれか１つに記載の発光デバイス。
（１４）
前記第１化合物半導体層、前記活性層および前記第２化合物半導体層の側面は連続するミラー構造を有する、前記（１）乃至（１３）のうちのいずれか１つに記載の発光デバイス。
（１５）
前記ミラー構造は、光反射膜、フレネルミラーまたはパラボリックミラーによって構成されている、前記（１４）に記載の発光デバイス。
（１６）
前記活性層は、互いに波長帯域の異なる光を発する複数の層からなる前記（１）乃至（１５）のうちのいずれか１つに記載の発光デバイス。
（１７）
アレイ状に配列された複数の画素毎に複数の発光デバイスを備え、
前記複数の発光デバイスは、それぞれ、
対向する第１の面および第２の面を有する第１化合物半導体層と、
前記第１化合物半導体層の第２の面に面する活性層と、
前記活性層に面する第３の面および前記第３の面と対向する光出射面となる第４の面を有し、前記第４の面に１または複数の集光構造を有する第２化合物半導体層と、
前記第１化合物半導体層または前記第２化合物半導体層の層内に設けられた電流狭窄構造とを有し、
前記１または複数の集光構造は、前記第２化合物半導体層の前記第４の面に形成されたナノアンテナまたはフレネルレンズによって構成されている
を有する画像表示装置。
（１８）
前記複数の画素のピッチは２０μｍ以下である、前記（１７）に記載の画像表示装置。
（１９）
前記複数の集光構造のピッチは、前記複数の画素のピッチ以下である、前記（１７）または（１８）に記載の画像表示装置。

本出願は、日本国特許庁において２０２１年８月３０日に出願された日本特許出願番号２０２１－１４０４１３号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。

当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (19)

1. 対向する第１の面および第２の面を有する第１化合物半導体層と、
   前記第１化合物半導体層の第２の面に面する活性層と、
   前記活性層に面する第３の面および前記第３の面と対向する光出射面となる第４の面を有し、前記第４の面に１または複数の集光構造を有する第２化合物半導体層と、
   前記第１化合物半導体層または前記第２化合物半導体層の層内に設けられた電流狭窄構造とを備え、
   前記１または複数の集光構造は、前記第２化合物半導体層の前記第４の面に形成されたナノアンテナまたはフレネルレンズによって構成されている
   発光デバイス。
2. 前記電流狭窄構造は、電流注入領域と、前記電流注入領域の周囲に設けられた電流狭窄領域とを有する、請求項１に記載の発光デバイス。
3. 前記電流狭窄構造は、前記第１化合物半導体層から前記第２化合物半導体層までまたは前記第２化合物半導体層から前記第１化合物半導体層まで形成されている、請求項１に記載の発光デバイス。
4. 前記電流狭窄構造は、前記第１化合物半導体層の前記第１の面および前記第２化合物半導体層の前記第４の面の少なくとも一方に設けられた溝によって構成されている、請求項１に記載の発光デバイス。
5. 前記電流狭窄構造の前記電流狭窄領域は、前記第１化合物半導体層または前記第２化合物半導体層に設けられた不純物領域によって構成されている、請求項２に記載の発光デバイス。
6. 前記電流狭窄構造の前記電流狭窄領域は、前記第１化合物半導体層または前記第２化合物半導体層に設けられた酸化物層によって構成されている、請求項２に記載の発光デバイス。
7. 前記活性層の層内に複数の発光領域を有し、
   前記複数の発光領域に対応する前記第４の面のそれぞれに前記１または複数の集光構造が設けられている、請求項１に記載の発光デバイス。
8. 前記活性層は、隣り合う前記複数の発光領域の間を電気的または機械的に分離されている、請求項７に記載の発光デバイス。
9. 前記第１化合物半導体層と電気的に接続された第１電極と、前記第２化合物半導体層と電気的に接続された第２電極とをさらに有し、
   前記第２電極は、前記１または複数の集光構造に積層されている、請求項１に記載の発光デバイス。
10. 前記１または複数の集光構造の周囲の前記第４の面は光反射膜が積層されている、請求項９に記載の発光デバイス。
11. 前記第１化合物半導体層と電気的に接続された第１電極と、前記第２化合物半導体層と電気的に接続された第２電極とをさらに有し、
    前記第２電極は、前記１または複数の集光構造の周囲に設けられている、請求項１に記載の発光デバイス。
12. 前記第１化合物半導体層は、前記電流狭窄構造としてメサ形状を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
13. 前記第１化合物半導体層は、前記第１の面に凹面鏡構造を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
14. 前記第１化合物半導体層、前記活性層および前記第２化合物半導体層の側面は連続するミラー構造を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
15. 前記ミラー構造は、光反射膜、フレネルミラーまたはパラボリックミラーによって構成されている、請求項１４に記載の発光デバイス。
16. 前記活性層は、互いに波長帯域の異なる光を発する複数の層からなる請求項１に記載の発光デバイス。
17. アレイ状に配列された複数の画素毎に複数の発光デバイスを備え、
    前記複数の発光デバイスは、それぞれ、
    対向する第１の面および第２の面を有する第１化合物半導体層と、
    前記第１化合物半導体層の第２の面に面する活性層と、
    前記活性層に面する第３の面および前記第３の面と対向する光出射面となる第４の面を有し、前記第４の面に１または複数の集光構造を有する第２化合物半導体層と、
    前記第１化合物半導体層または前記第２化合物半導体層の層内に設けられた電流狭窄構造とを有し、
    前記１または複数の集光構造は、前記第２化合物半導体層の前記第４の面に形成されたナノアンテナまたはフレネルレンズによって構成されている
    画像表示装置。
18. 前記複数の画素のピッチは２０μｍ以下である、請求項１７に記載の画像表示装置。
19. 前記複数の集光構造のピッチは、前記複数の画素のピッチ以下である、請求項１７に記載の画像表示装置。