JP7699837B2 - 透磁率及び誘電率を測定する測定装置及び測定方法 - Google Patents

Description

本発明は、電磁材料である被測定物の透磁率及び誘電率を測定する測定装置及び測定方法に関する。

電磁材料の高周波透磁率（通常数100kHz～数GHz）を計測する方法は1950年代ころから多数提案されているが、その全てがコイル（あるいはアンテナ）を用いる方法（例えば、非特許文献１乃至３参照）か伝送線路、導波管等（例えば、非特許文献４参照）を用いる方法に帰着される。

また、近年、本発明者は、幅100μm程度の微細短冊薄膜のインピーダンスからその透磁率を求める論文をすでに発表している（例えば、非特許文献５参照）。また、特許文献１では、短冊に限らず、任意のサイズの電磁材料に適用可能な測定方法を開示し、さらに、特許文献２では、ミアンダ状のプローブを電磁材料へ近接配置することにより透磁率を評価可能な方法を開示し、特許文献３では、１本の直線形状部から構成される直線マイクロストリップ導体の直線形状部が絶縁体を挟んで電磁材料に近接させられて透磁率を測定する手法について開示する。さらに、特許文献４では、マイクロストリップ導体と地導体との間に柔軟性を有する誘電体が配置されたプローブに測定対象の電磁材料（電磁材料）を密着配置させて透磁率を測定する手法を開示する。

特開２０１０－０６０３６７号公報 特開２０１２－０３２１６５号公報 特開２０１５－１７２４９７号公報 特開２０１６－０５３５６９号公報

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近年、例えば数GHz乃至数１０GHz程度の高周波に対応する電磁材料の開発において、電磁材料の高周波磁気特性のみならず、電磁材料であると同時に誘電体の性質をも有する電磁材料についての磁気特性及び電気特性など特性解析が進められており、特に、高周波におけるいわゆる電波吸収体またはシールド材料のような電磁材料の透磁率及び誘電率の両方を測定する技術が求められている。

そこで、本発明の目的は、測定対象の電磁材料の透磁率及び誘電率の両方を測定可能とする測定装置及び測定方法を提供することにある。

上記目的を達成するための本発明の測定装置の構成は、電磁材料である被測定物の透磁率及び誘電率を測定する測定装置であって、信号伝送線路が形成され、当該信号伝送線路に被測定物が近接または接触して配置可能なプローブと、前記被測定物に磁界を印加するための磁界印加部と、被測定物の前記信号伝送線路への配置の有無及び前記磁界印加部による磁界印加の有無それぞれにおける前記信号伝送線路を伝送する信号を測定する信号測定器と、前記磁界印加部による磁界印加の有無それぞれにおける前記信号伝送線路を伝送する信号に基づいて前記被測定物の透磁率を求める透磁率処理手段と、被測定物の前記信号伝送線路への配置の有無それぞれにおける前記信号伝送線路を伝送する信号に基づいて前記被測定物の誘電率を求める誘電率処理手段とを備えることを特徴とする。

本発明の測定方法は、信号伝送線路が形成され且つ当該信号伝送線路に被測定物が近接または接触して配置可能なプローブと、前記被測定物に磁界を印加するための磁界印加部と、被測定物の前記信号伝送線路への配置の有無及び前記磁界印加部による磁界印加の有無それぞれにおける前記信号伝送線路を伝送する信号を測定する信号測定器と、前記信号測定器により測定された信号を取得する演算処理装置とを備える測定装置により、電磁材料である前記被測定物の透磁率及び誘電率を測定する方法であって、前記演算処理装置が、前記磁界印加部による磁界印加の有無それぞれにおける前記信号伝送線路を伝送する信号に基づいて前記被測定物の透磁率を求める工程と、前記演算処理装置が、前記被測定物の前記信号伝送線路への配置の有無それぞれにおける前記信号伝送線路を伝送する信号に基づいて前記被測定物の誘電率を求める工程とを有することを特徴とする。

上記測定方法の各工程は、コンピュータ装置である演算処理装置がコンピュータプログラムを実行することにより行われ、本発明では、上記測定方法を実施するためのコンピュータプログラムが提供される。

本発明によれば、測定対象の電磁材料の透磁率及び誘電率の両方を測定することができる。電磁材料の透磁率及び誘電率を同時に測定可能であり、さらに高精度に求めることができる。

本発明の実施の形態における透磁率測定装置の概略構成例を示すブロック図である。 プローブ１０の第１の構成例を示す図である。 プローブ１０の第２の構成例を示す図である。 本発明の実施の形態における透磁率及び誘電率を測定する方法の手順を示すフローチャートである。 本発明の実施の形態における透磁率及び誘電率を測定する方法の手順を示すフローチャートである。 透磁率測定のために電磁界解析処理により求められたデータ例を示す図である。 測定により求められた透磁率μを示すグラフである。 誘電率測定のために電磁界解析処理により求められたデータ例を示す図である。 測定された誘電率ε（実数部）のデータ例である。 誘電率εの外挿処理を説明する図である。 ステップS206により求められた誘電率εを示すグラフである。 本発明の実施の形態における透磁率及び誘電率を測定する方法の別の手順を示すフローチャートである。 異なる強さの磁界を印加したときの透過係数（S₂₁)の測定結果の例を示す図である。 磁界の強さが無限大（H=∞）であるときの透過係数（S₂₁(H=∞))の測定結果例を示す図である。 ステップS308の処理により求められた透磁率μの測定結果例を示すグラフである。 ステップS308の処理により求められた誘電率εの測定結果例を示すグラフである。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。しかしながら、かかる実施の形態例が、本発明の技術的範囲を限定するものではない。

図１は、本発明の実施の形態における透磁率測定装置の構成例を示す図である。本発明の実施の形態の透磁率測定装置は、プローブ１０、ネットワークアナライザ２０（信号測定器）および数値解析処理を実行する演算処理装置（例えばパソコンのようなコンピュータ装置）３０を備えて構成される。

プローブ１０は、試料（被測定物）の電磁材料１に接触又は近接するように配置され、信号ケーブル（例えば同軸ケーブル）３を介してネットワークアナライザ（例えば、アジレントテクノロジー社製Ｎ５２２７Ａ）２０に接続する。電流供給源であるネットワークアナライザ２０により、電流信号を供給して、被測定物の電磁材料１の透過係数（S₂₁)を測定し、その信号データを演算処理装置（コンピュータ装置）３０に取り込み、所定の数値解析処理により被測定物である電磁材料１の透磁率（複素透磁率）及び誘電率（複素誘電率）を求める。また、電磁材料１に磁界を印加するために通電制御されるヘルムホルツコイル（電磁コイル）からなる磁石（磁界印加部）４０が用いられる。

演算処理装置３０は、電磁材料１の高周波透磁率を求める透磁率処理手段及び高周波誘電率を求める誘電率処理手段として機能し、透磁率及び誘電率を算出する演算処理プログラムを実行する。演算処理プログラムは、後述の透磁率及び誘電率の算出処理を実行するコンピュータプログラムである。演算処理プログラムの実行に用いるテーブルデータが演算処理装置３０の記憶手段に記憶される。このテーブルデータは３次元の電磁界解析の数値データであって、具体的には、既知の電磁界解析プログラムを用いたシミュレーション計算によって、評価対象の電磁材料１のインダクタンスL－透磁率μの関係、及びキャパシタンスC－誘電率εの関係を示すデータであり、あらかじめ用意される。

図２は、プローブ１０の第１の構成例を示す図であり、図２（ａ）は第１の構成例のプローブ１０の形態を示し、図２（ｂ）は第１の構成例のプローブ１０に試料を配置した状態を示す図である。図２（ａ）に示すように、プローブ１０は、マイクロストリップ導体１１、フレキシブル基板１２（例えば、信越化学工業株式会社製ポリイミド基板 ＲＢＦ－５、比誘電率＝３．５、厚み＝０．０２５ｍｍ）、フッ素樹脂基板１３(例えば、中輿化成工業製ＣＧＫ－５００、比誘電率＝５、厚み＝０．５ｍｍ）、地導体１４、及びマイクロストリップ導体１１の両端と接続された1対のコネクタ１５を備えて構成されている。ここで、マイクロストリップ導体１１はエッチングにより直線マイクロストリップ線路に加工した。マイクロストリップ導体１１とフレキシブル基板１２は化学的処理あるいは熱的処理により一体的に固着している。地導体１４は例えば銅箔で形成される。マイクロストリップ導体１１と地導体１４により誘電体であるフレキシブル基板１２及びフッ素樹脂基板１３を挟んだ構成は、マイクロストリップラインを形成する。

図２（ｂ）に示すように、測定対象の電磁材料１は、平面状の基板１７に付着して用意され、マイクロストリップ導体１１と近接または接触するように上部から圧力（図示せず）を加えて配置される。マイクロストリップ導体１１はフレキシブルに変形可能であることから、基板１７の反りに対応してマイクロストリップ導体１１と電磁材料１が密着配置可能である。

図３は、プローブ１０の第２の構成例を示す図であり、図３（ａ）は第２の構成例のプローブ１０の形態を示し、図３（ｂ）は第２の構成例のプローブ１０に試料を配置した状態を示す図である。図３（ａ）に示すように、プローブ１０は、マイクロストリップ導体１１（幅＝０．４ｍｍ）、フレキシブル基板（シート）１２（例えばＲＯＧＥＲＳｄｕｒｏｉｄ５８８０ 比誘電率＝２．２,厚み＝０．１２７ｍｍ）、地導体１４、及びマイクロストリップ導体１１の両端と接続された一対のコネクタ１５を備えて構成されている。コネクタ１５は信号ケーブル３（図１）と接続する。マイクロストリップ導体１１とフレキシブル基板１２は化学的処理あるいは熱的処理により一体的に固着している。第２の構成例では、図２の第１の構成例におけるフッ素樹脂基板１３を省き、平面構造と曲面構造を有する地導体１４にフレキシブル基板１２が押しつけられた構造になっている。地導体１４の内部は説明のために透明に記載したが、実際には銅などの金属材料で構成されている。マイクロストリップ導体４はエッチングにより加工した。マイクロストリップ導体１１は中央の直線形状部分１１ａとその両側の曲線形状部分１１ｂから構成されている。マイクロストリップ導体１１の端部はコネクタ１５に電気的に接続されている。マイクロストリップ導体１１は直線形状部分１１ａおよび曲線形状部分１１ｂともに特性インピーダンスを５０Ωに整合している。図２の構成と同様に、マイクロストリップ導体１１と地導体１４により誘電体であるフレキシブル基板１２を挟んだ構成は、マイクロストリップラインを形成する。

図３（ｂ）に示すように、測定対象の電磁材料１は、平面状の基板１７に付着して用意され、マイクロストリップ導体１１と近接または接触するように上部から圧力（図示せず）を加えて配置される。

マイクロストリップ導体１１は、地導体１４に設けられる開口部１４ａを通して、地導体１４内に延び、反対面側のコネクタ１５に接続されており、例えば、大口径の電磁材料１および基板１７が近接配置した場合、コネクタ１５やそれに接続する信号ケーブル３（図１）とぶつかることなく測定可能である。

マイクロストリップ導体１１と電磁材料１は直接密着させるか、その間にレジスト等の絶縁体を数ミクロン厚塗布して測定する。または、空隙を所定量とするようにプローブ１０の周辺にギャップ形成用治具を設け、電磁材料１にマイクロストリップ導体１１を近接配置して測定する。電磁材料１が絶縁性の薄膜である場合には、マイクロストリップ導体１１と電磁材料１は直接密着させるほうが測定のＳＮ比は向上する。

上述したプローブ１０を備えた測定装置により、評価対象の電磁材料の透磁率及び誘電率を測定する手順について、以下に説明する。

図４及び図５は、本発明の実施の形態における透磁率及び誘電率の測定方法の手順を示すフローチャートであり、図４は透磁率を測定する手順を示すフローチャート、図５は誘電率を測定する手順を示すフローチャートである。図４と図５の手順を、互いに続けて同一の測定系で行うことができ、評価対象の電磁材料の透磁率と誘電率を連続的に同一タイミングでの測定作業で測定することができる。まず、被測定物の電磁材料の透磁率を測定する手順を図４に示す。

図４において、評価対象の電磁材料１にプローブ１０のマイクロストリップ導体１１を接触させる（S100)。そして、ヘルムホルツコイル（磁界印加部）４０の中に入れ、強い直流磁界（例えば20ｋOe程度)を印加し、電磁材料１を磁気的に飽和させ、ネットワークアナライザ２０をキャリブレーションする（S102)。そうすることで、プローブ１０及び同軸ケーブル３の電気長、電磁材料の直流的なインピーダンス、非磁性信号等を除去する。このキャリブレーションにより、被測定物に所定磁界を印加した状態を基準とした測定が可能となる。

その後、直流磁界を解除して電磁材料１の寄与分の透過係数（S₂₁）を測定する（S104)。磁気飽和させるのに十分な磁界印加によるキャリブレーション後に、磁界の印加を止めて透過係数（S₂₁)を測定することで、電磁材料１の寄与分のみの透過係数（S₂₁）を測定することができる。

測定された透過係数（S₂₁)に基づいて、以下の演算処理により、透磁率を求める（S106)。透磁率を求める演算処理は、例えば、次の通りである。

（ａ１）評価対象の電磁材料について、コンピュータ装置３０を用いて、既知の電磁界解析処理（例えば、有限要素法解析）を行い、電磁材料について、透磁率とインダクタンスとの関係をテーブルデータとして取得する。

図６は、電磁界解析処理により求められたデータ例を示す図であり、図６（ａ）は電磁材料の磁界解析図を表すコンピュータ装置３０の画面例を示し、図６（ｂ）は透磁率μ（比透磁率μ_r）とインダクタンスLとの関係を示すテーブルデータの例である。有限要素法解析処理により、透磁率μを変化させたときのインダクタンスLをマクスウェル（Maxwell）の方程式を用いて計算により求めることができる。透磁率とインダクタンスとの関係を示すテーブルデータは、コンピュータ装置３０の記憶手段にあらかじめ格納される。また、図示される測定結果の例は、発明者らの測定作業によって得られたデータであり、測定対象とした電磁材料は、粉末樹脂複合シートである。

（ａ２）ステップS104で測定された透過係数（S₂₁)を以下の（１）式により、インピーダンスZに変換する。

ここで、特性インピーダンスZ₀=50Ωである。

（ａ３）求められたインピーダンスZを以下の（２）式により、インダクタンスLに変換する。

（ａ４）電磁界解析により求めた透磁率－インダクタンスの関係を示すテーブルデータから、算出されたインダクタンスLに対応する透磁率μを求める。

図７は、ステップS106の処理により求められた透磁率μを示すグラフである。電磁材料１の透磁率（複素透磁率）μは、以下（３）式で表され、μ'は透磁率の実数部、μ''は透磁率の虚数部である。

続いて、評価対象の電磁材料の誘電率を測定する手順を図５に示す。

まず、ネットワークアナライザ２０をキャリブレーションする（S200)。このとき、被測定物の電磁材料１はプローブ１０に接触または近接させず、被測定物１のない状態でキャリブレーションする。磁界も印加されない。このキャリブレーションにより、被測定物がプローブに接触または近接配置されていない状態を基準とした測定が可能となる。

キャリブレーション後、被測定物の電磁材料１をプローブ１０のマイクロストリップ導体１１に接触または近接させる（S202)。そして、ヘルムホルツコイルからなる磁界印加部４０により磁界を印加し、磁界を印加した状態で、ネットワークアナライザ２０により透過係数（S₂₁)を測定する（S204)。このとき、磁界印加部４０による磁界を変化させて印加し、異なる強さの磁界を印加した状態それぞれにおける透過係数（S₂₁)を測定する。印加される磁界は、磁界を印加しない（H=0)場合も含めて、複数段階（例えば１０段階以上）に異なるように設定される。

ステップS204にて測定された異なる強さの磁界に対応する複数の透過係数（S₂₁)に基づいて、電磁材料１の誘電率εをコンピュータ装置３０により算出する（S206)。誘電率を算出する具体的な処理は、例えば次の通りである。

（ｂ１）評価対象の電磁材料について、コンピュータ装置３０を用いて、既知の電磁界解析処理（例えば、有限要素法解析）を行い、電磁材料について、誘電率εとキャパシタンスCとの関係をテーブルデータとして取得する。

図８は、電磁界解析処理により求められたデータ例を示す図であり、図８（ａ）は電磁材料の電界解析図を表すコンピュータ装置３０の画面例を示し、図８（ｂ）は誘電率ε（比誘電率ε_r）とキャパシタンスCとの関係を示すテーブルデータの例である。有限要素法解析処理により、誘電率εを変化させたときのキャパシタンスCをマクスウェル（Maxwell）の方程式を用いて計算により求めることができる。誘電率εとキャパシタンスとの関係を示すテーブルデータは、コンピュータ装置３０の記憶手段にあらかじめ格納される。また、図示される測定結果の例は、発明者らの測定作業によって得られたデータであり、測定対象とした電磁材料は、図６の例と同様に、粉末樹脂複合シートである。

（ｂ２）ステップS204で測定された透過係数（S₂₁)を以下の（４）式により、アドミッタンスYに変換する。

ここで、特性インピーダンスZ₀=50Ωである。

（ｂ３）求められたアドミッタンスYを以下の（５）式により、キャパシタンスCに変換する。

（ｂ４）テーブルデータにより、求められたキャパシタンスCに対応する誘電率εを求める。

図９は、求められた誘電率ε（実数部）の測定結果例を示す。図９に示す測定結果では、磁界の強さ（磁束密度）6mT、1T、2Tの場合の誘電率εの値が例示されるが、発明者らによる実際の測定では、より狭い間隔（0.5T)毎に磁界を異ならせた測定における誘電率εを算出し、印加した磁界により誘電率εが異なる結果が得られた。また、磁界の強さ（磁束密度）6mTは、周囲のわずかな漏れ磁界を検出したものであり、磁界印加部４０による磁界印加はされておらず、実質的に磁界のない状態での測定に相当する。

電磁気学上では、磁界と電界は直交しているため、磁界の変化に対して電界に対する応答特性を表す誘電率εが変化することはないと考えられるが、電磁材料が磁性体及び誘電体の両方の特性を有する場合、実際の測定系では、磁界の変化により誘電率εが変化することが見いだされた。測定された透過係数（S₂₁)に磁界印加による信号成分（磁気信号）が含まれることがその理由と考えられ、その磁気信号分の影響を取り除いたより正確な誘電率εを求める次の処理を実行する。

（ｂ５）異なる磁界ごとに求められた誘電率εに対して、磁界の影響を除去した正確な誘電率εを算出するため、磁界の強さを無限大（H=∞）にした場合の誘電率ε（H=∞）を外挿処理により求める。

図１０は、誘電率εの外挿処理を説明する図である。図１０において、グラフの横軸は、磁界の強さ（磁束密度B)の逆数、縦軸は誘電率εを示すことから、例えば線形外挿または曲線近似を用いた演算処理によりグラフ左端での誘電率ε（H=∞）を求める、これにより、磁界成分を除去したより正確な誘電率εが得られる。

図１１は、ステップS206により求められた誘電率εを示すグラフである。電磁材料１の誘電率（複素誘電率）εは、以下（６）式で表され、ε'は誘電率の実数部、ε''は誘電率の虚数部である。

図４の手順と図５の手順は、連続して行うことができる測定処理であり、被測定物の透磁率と誘電率の測定を同一の測定系で同時に行うことができる。

図１２は、本発明の実施の形態における透磁率及び誘電率を測定する方法の別の手順を示すフローチャートである。

まず、ネットワークアナライザ２０をキャリブレーションする（S300)。このとき、被測定物の電磁材料１はプローブ１０に密接または近接させず、被測定物１のない状態でキャリブレーションする。磁界も印加されない。

キャリブレーション後、被測定物の電磁材料１をプローブ１０のマイクロストリップ導体１１に接触または近接させる（S302)。そして、ヘルムホルツコイルからなる磁界印加部４０により磁界を印加し、磁界を印加した状態で、ネットワークアナライザ２０により透過係数（S₂₁)を測定する（S304)。このとき、磁界印加部４０による磁界を変化させて印加し、異なる強さの磁界を印加した状態それぞれにおける透過係数（S₂₁)を測定する。印加される磁界は、磁界を印加しない（H=0)場合も含めて、複数段階（例えば１０段階以上）に異なるように設定される。

図１３は、異なる強さの磁界を印加したときの透過係数（S₂₁)の測定結果の例を示す図である。図１３（ａ）は透過係数（S₂₁)の実数部の測定結果例、図１３（ｂ）は透過係数（S₂₁)の虚数部の測定結果例を示す。図１３の測定結果では、磁界の強さ75 Oe、4000 Oe、12000 Oe、20000 Oeの場合の透過係数（S₂₁)の実測値が例示されるが、発明者らによる実際の測定では、より狭い間隔（2000 Oe)毎に磁界を異ならせて測定が行われた。また、磁界の強さ75 Oeは、周囲のわずかな漏れ磁界を検出したものであり、磁界印加部４０による磁界印加はされておらず、実質的に磁界のない状態での測定に相当する。

ステップS304にて測定された異なる強さの磁界に対応する複数の透過係数（S₂₁)を用いて、コンピュータ装置３０により、磁界の強さが無限大（H=∞）であるときの透過係数（S₂₁(H=∞))を算出する（S306)。磁界の強さが無限大（H=∞）であるときの透過係数（S₂₁(H=∞))は、磁界の強さが有限値である複数の透過係数（S₂₁)の測定値を外挿処理することにより求めることができる。外挿処理は、上述の（ｂ５）の処理と同様であり、例えば線形外挿または曲線近似を用いた外挿演算処理により、磁界印加部による有限の磁界の強さで測定された透過係数（S₂₁)を延長して磁界の強さが無限大（H=∞）であるときの透過係数（S₂₁(H=∞))を求める。

図１４は、磁界の強さが無限大（H=∞）であるときの透過係数（S₂₁(H=∞))の測定結果例を示す図である。図１４（ａ）は透過係数（S₂₁(H=∞))の実数部の測定結果例、図１４（ｂ）は透過係数（S₂₁(H=∞))の虚数部の測定結果例を示す。図１３のグラフに重ねて、透過係数（S₂₁(H=∞)が太い点線で示される。

磁界の強さが無限大であるときの透過係数（S₂₁(H=∞))を求めることにより、誘電率εから磁気成分の影響を完全に除去され、より正確な誘電率εを算出することができ、さらに、有限の強さの磁界印加によりキャリブレーションして求められた透過係数（S₂₁）から求められる透磁率（例えば図４の処理）と比較して、より精度の高い透磁率μを算出することができる。

ステップS306により求められた透過係数（S₂₁(H=∞)）を用いて、電磁材料の透磁率μ及び誘電率εを算出する（S308)。透磁率μは、上記（１）、（２）、（３）式を用いて上記処理（ａ１）～（ａ４）の演算処理を実行することで算出することができ、誘電率εは、上記（４）、（５）、（６）式を用いて上記処理（ｂ１）～（ｂ４）の演算処理を実行することで算出することができる。

図１５は、ステップS308の処理により求められた透磁率μの測定結果例を示すグラフであり、μ'は透磁率の実数部、μ''は透磁率の虚数部である。また、図１６は、ステップS308の処理により求められた誘電率εの測定結果例を示すグラフであり、ε'は誘電率の実数部、ε''は誘電率の虚数部である。

プローブ１０に構成される信号伝送線路は、上述の構成例で示されたマイクロストリップ線路に限られず、例えばコプレーナ線路や同軸線路を用いた構成であってもよい。

本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、発明の分野における通常の知識を有する者であれば想到し得る各種変形、修正を含む要旨を逸脱しない範囲の設計変更があっても、本発明に含まれることは勿論である。

１：電磁材料（被測定物）、３：同軸ケーブル、１０：プローブ、１１：マイクロストリップ導体、１２：フレキシブル基板、１３：フッ素樹脂基板、１４：地導体、１４ａ：開口部、１５：コネクタ、１７：基板、２０：ネットワークアナライザ（信号計測器）、３０：演算処理装置、４０：磁界印加部

Claims (9)

1. 電磁材料である被測定物の透磁率及び誘電率を測定する測定装置において、
   信号伝送線路が形成され、当該信号伝送線路に被測定物が近接または接触して配置可能なプローブと、
   前記被測定物に磁界を印加するための磁界印加部と、
   被測定物の前記信号伝送線路への配置の有無及び前記磁界印加部による磁界印加の有無それぞれにおける前記信号伝送線路を伝送する信号を測定する信号測定器と、
   前記磁界印加部による磁界印加の有無それぞれにおける前記信号伝送線路を伝送する信号に基づいて前記被測定物の透磁率を求める透磁率処理手段と、
   被測定物の前記信号伝送線路への配置の有無それぞれにおける前記信号伝送線路を伝送する信号に基づいて前記被測定物の誘電率を求める誘電率処理手段とを備えることを特徴とする測定装置。
2. 前記透磁率処理手段は、前記磁界印加部により所定磁界を印加した状態を基準として、前記磁界印加部により磁界を印加していない状態の前記信号に基づいて、前記透磁率を求めることを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
3. 前記誘電率処理手段は、前記被測定物を前記信号伝送線路に配置していない状態を基準として、前記被測定物を前記信号伝送線路に配置し且つ前記磁界印加部による異なる強さの磁界を印加したときそれぞれの前記信号に基づいて、前記異なる強さの磁界それぞれに対応する前記被測定物の誘電率を求めることを特徴とする請求項１または２に記載の測定装置。
4. 前記誘電率処理手段は、前記異なる強さの磁界毎に求められる前記被測定物の誘電率を外挿処理することにより磁界が無限大である場合の誘電率を求めることを特徴とする請求項３に記載の測定装置。
5. 前記透磁率処理手段は、前記被測定物を前記信号伝送線路に配置していない状態を基準として、前記磁界印加部による異なる強さの磁界を印加したときそれぞれの前記信号に基づいて、磁界が無限大である場合の前記信号を求め、当該磁界が無限大である場合の前記信号に基づいて、前記被測定物の透磁率を求めることを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
6. 前記誘電率処理手段は、前記被測定物を前記信号伝送線路に配置していない状態を基準として、前記磁界印加部による異なる強さの磁界を印加したときそれぞれの前記信号に基づいて、磁界が無限大である場合の前記信号を求め、当該磁界が無限大である場合の前記信号に基づいて、前記被測定物の誘電率を求めることを特徴とする請求項１または５に記載の測定装置。
7. 前記信号伝送線路はマイクロストリップ線路であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の測定装置。
8. 信号伝送線路が形成され且つ当該信号伝送線路に被測定物が近接または接触して配置可能なプローブと、前記被測定物に磁界を印加するための磁界印加部と、被測定物の前記信号伝送線路への配置の有無及び前記磁界印加部による磁界印加の有無それぞれにおける前記信号伝送線路を伝送する信号を測定する信号測定器と、前記信号測定器により測定された信号を取得する演算処理装置とを備える測定装置により、電磁材料である前記被測定物の透磁率及び誘電率を測定する方法において、
   前記演算処理装置は、前記磁界印加部による磁界印加の有無それぞれにおける前記信号伝送線路を伝送する信号に基づいて前記被測定物の透磁率を求める工程と、
   前記演算処理装置は、前記被測定物の前記信号伝送線路への配置の有無それぞれにおけ
   る前記信号伝送線路を伝送する信号に基づいて前記被測定物の誘電率を求める工程とを有することを特徴とする測定方法。
9. 信号伝送線路が形成され且つ当該信号伝送線路に被測定物が近接または接触して配置可能なプローブと、前記被測定物に磁界を印加するための磁界印加部と、被測定物の前記信号伝送線路への配置の有無及び前記磁界印加部による磁界印加の有無それぞれにおける前記信号伝送線路を伝送する信号を測定する信号測定器と、前記信号測定器により測定された信号を取得する演算処理装置とを備える測定装置により、電磁材料である前記被測定物の透磁率及び誘電率を測定する方法を実行するためのコンピュータプログラムであって、
   前記磁界印加部による磁界印加の有無それぞれにおける前記信号伝送線路を伝送する信号に基づいて前記被測定物の透磁率を求める工程と、
   前記被測定物の前記信号伝送線路への配置の有無それぞれにおける前記信号伝送線路を伝送する信号に基づいて前記被測定物の誘電率を求める工程とを前記演算処理装置に実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。

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