JP7682008B2 - 酸化珪素膜用研磨液組成物 - Google Patents
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Description
本開示は、酸化セリウム粒子を含有する酸化珪素膜用研磨液組成物、これを用いた半導体基板の製造方法及び基板の研磨方法に関する。
ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）技術とは、加工しようとする被研磨基板の表面と研磨パッドとを接触させた状態で研磨液をこれらの接触部位に供給しつつ被研磨基板及び研磨パッドを相対的に移動させることにより、被研磨基板の表面凹凸部分を化学的に反応させると共に機械的に除去して平坦化させる技術である。
現在では、半導体素子の製造工程における、層間絶縁膜の平坦化、シャロートレンチ素子分離構造の形成、プラグ及び埋め込み金属配線の形成等を行う際には、このＣＭＰ技術が必須の技術となっている。近年、半導体素子の多層化、高精細化が飛躍的に進み、半導体素子の歩留まり及びスループット（収量）の更なる向上が要求されるようになってきている。それに伴い、ＣＭＰ工程に関しても、研磨傷フリーで且つより高速な研磨が望まれるようになってきている。
例えば、特許文献１には、湿式セリア粒子、官能化ヘテロ環、ｐＨ調節剤、及び水性単体を含み、ｐＨ約１～６のＣＭＰ用研磨液組成物が提案されている。同文献の請求項２～３等には、前記湿式セリア粒子が、三座（tridentate）ヒドロキシル基を含む表面を有し、２．０×１０-5モル／ｍ2以上の三座ヒドロキシル基の表面被覆率を有し、ラマンスペクトルが４５８ｃｍ-1におけるピーク及び５８３ｃｍ-1におけるピークを含み、前記４５８ｃｍ-1におけるピーク強度対５８３ｃｍ-1におけるピーク強度の比が１００以下であることが記載されている。
近年の半導体分野においては高集積化が進んでおり、配線の複雑化や微細化が求められている。そのため、ＣＭＰでは、砥粒の粒径を小さくすることで欠陥の低減を図っているが、この場合、研磨速度が低下する問題があり、酸化珪素膜の研磨速度の向上が要求されている。
特に、３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの層間絶縁膜のＣＭＰによる平坦化工程においては、被研磨基板上に階段状にスタックされたフィルムのアレイ部とその周辺部とで酸化珪素膜の表面凹凸の段差が大きいため、ＣＭＰによる平坦化に時間がかかるという問題がある。例えば、参考文献International Conference on Planarization/CMP technology(ICPT), p106 (2016)には、図２に示されるようにＣＭＰ前にエキストラエッチング（extra-etching process）を行うことによって、凸部を微細化し、ＣＭＰ効率を向上し、研磨時間を短縮する方法が提案されている。一方、記録容量の増大に伴い、アレイ部の厚みはさらに向上し、表面凹凸の段差がさらに大きくなる。したがって、このような微細な凸部を高速に除去することがより一層求められるようになってきている。
特に、３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの層間絶縁膜のＣＭＰによる平坦化工程においては、被研磨基板上に階段状にスタックされたフィルムのアレイ部とその周辺部とで酸化珪素膜の表面凹凸の段差が大きいため、ＣＭＰによる平坦化に時間がかかるという問題がある。例えば、参考文献International Conference on Planarization/CMP technology(ICPT), p106 (2016)には、図２に示されるようにＣＭＰ前にエキストラエッチング（extra-etching process）を行うことによって、凸部を微細化し、ＣＭＰ効率を向上し、研磨時間を短縮する方法が提案されている。一方、記録容量の増大に伴い、アレイ部の厚みはさらに向上し、表面凹凸の段差がさらに大きくなる。したがって、このような微細な凸部を高速に除去することがより一層求められるようになってきている。
そこで、本開示は、基板表面の酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）を向上可能な酸化珪素膜用研磨液組成物、これを用いた半導体基板の製造方法及び基板の研磨方法を提供する。
本開示は、一態様において、酸化セリウム粒子（成分Ａ）と、複素芳香族化合物（成分Ｂ）と、水系媒体とを含有し、成分Ａの酸素貯蔵量が５０μｍｏｌ/ｇ以上である、酸化珪素膜用研磨液組成物に関する。
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程を含み、前記被研磨膜は、半導体基板の製造過程で形成される酸化珪素膜である、研磨方法に関する。
本開示は、一態様において、本開示の記載の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程を含む、半導体基板の製造方法に関する。
本開示によれば、一態様において、基板表面の酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）を向上可能な酸化珪素膜用研磨液組成物を提供できる。
本開示は、一態様において、所定の酸素貯蔵量を有する酸化セリウム（以下、「セリア」ともいう）粒子と複素芳香族化合物とを組み合わせることで、基板表面の酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）、例えば、エキストラエッチング後の基板に存在する酸化珪素膜凸部の研磨速度を向上できるという知見に基づく。
すなわち、本開示は、一態様において、酸化セリウム粒子（成分Ａ）と、複素芳香族化合物（成分Ｂ）と、水系媒体とを含有し、成分Ａの酸素貯蔵量が５０μｍｏｌ/ｇ以上である、酸化珪素膜用研磨液組成物（以下、「本開示の研磨液組成物」ともいう）に関する。本開示の研磨液組成物によれば、基板表面の酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）を向上できる。
本開示の効果発現のメカニズムの詳細は明らかではないが、以下のように推察される。
酸化珪素膜の研磨には、一般的に、セリア粒子が使用されている。通常、セリア粒子中のセリウムは４価であり、まれに酸素（Ｏ）が脱落して３価になる。セリア粒子中の３価のセリウムは、酸化珪素膜のＳｉ－Ｏ結合を弱めて、酸化珪素膜が脆弱化し、研磨を促進させると考えられる。
本開示では、所定の酸素貯蔵量を有するセリア粒子（成分Ａ）と複素芳香族化合物（成分Ｂ）とを併用することで、セリア粒子の酸化珪素膜への吸着を促進し、凸部でのセリア粒子の接触確率を向上するため、基板表面の酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）を向上できると考えられる。さらに、還元性を有する複素芳香族化合物においては、上記の作用に加え、セリア粒子の酸素脱落を促進し、酸化珪素膜の脆弱化を促進し、研磨速度がさらに促進すると考えられる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
酸化珪素膜の研磨には、一般的に、セリア粒子が使用されている。通常、セリア粒子中のセリウムは４価であり、まれに酸素（Ｏ）が脱落して３価になる。セリア粒子中の３価のセリウムは、酸化珪素膜のＳｉ－Ｏ結合を弱めて、酸化珪素膜が脆弱化し、研磨を促進させると考えられる。
本開示では、所定の酸素貯蔵量を有するセリア粒子（成分Ａ）と複素芳香族化合物（成分Ｂ）とを併用することで、セリア粒子の酸化珪素膜への吸着を促進し、凸部でのセリア粒子の接触確率を向上するため、基板表面の酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）を向上できると考えられる。さらに、還元性を有する複素芳香族化合物においては、上記の作用に加え、セリア粒子の酸素脱落を促進し、酸化珪素膜の脆弱化を促進し、研磨速度がさらに促進すると考えられる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
［被研磨膜］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、酸化珪素膜の研磨に用いられる研磨液組成物（酸化珪素膜用研磨液組成物）であり、酸化珪素膜の研磨を必要とする工程に使用できる。例えば、本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、半導体基板の素子分離構造を形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨、層間絶縁膜を形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨、埋め込み金属配線を形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨、又は、埋め込みキャパシタを形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨に使用できる。また、本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の３次元半導体装置の製造に使用できる。
特に、本開示の研磨液組成物は、酸化珪素膜凸部を有する基板の研磨に好適に用いることができる。酸化珪素膜凸部とは、一又は複数の実施形態において、基板表面上の酸化珪素膜の凸部であり、例えば、幅１０μｍ～５００μｍ、高さ４μｍ～１０μｍの凸部が挙げられる。酸化珪素膜凸部は、一又は複数の実施形態において、３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの層間絶縁膜のＣＭＰ前のエキストラエッチング（extra-etching process）によって形成されうる。酸化珪素膜凸部は、一又は複数の実施形態において、エキストラエッチング後の基板表面上の酸化珪素膜凸部である。酸化珪素膜凸部を有する基板は、一又は複数の実施形態において、３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの層間絶縁膜のＣＭＰ前にエキストラエッチングされた後の基板である。本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、エキストラエッチング後の基板を研磨するためのものである。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、酸化珪素膜の研磨に用いられる研磨液組成物（酸化珪素膜用研磨液組成物）であり、酸化珪素膜の研磨を必要とする工程に使用できる。例えば、本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、半導体基板の素子分離構造を形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨、層間絶縁膜を形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨、埋め込み金属配線を形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨、又は、埋め込みキャパシタを形成する工程で行われる酸化珪素膜の研磨に使用できる。また、本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の３次元半導体装置の製造に使用できる。
特に、本開示の研磨液組成物は、酸化珪素膜凸部を有する基板の研磨に好適に用いることができる。酸化珪素膜凸部とは、一又は複数の実施形態において、基板表面上の酸化珪素膜の凸部であり、例えば、幅１０μｍ～５００μｍ、高さ４μｍ～１０μｍの凸部が挙げられる。酸化珪素膜凸部は、一又は複数の実施形態において、３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの層間絶縁膜のＣＭＰ前のエキストラエッチング（extra-etching process）によって形成されうる。酸化珪素膜凸部は、一又は複数の実施形態において、エキストラエッチング後の基板表面上の酸化珪素膜凸部である。酸化珪素膜凸部を有する基板は、一又は複数の実施形態において、３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの層間絶縁膜のＣＭＰ前にエキストラエッチングされた後の基板である。本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、エキストラエッチング後の基板を研磨するためのものである。
［酸化セリウム（セリア）粒子（成分Ａ）］
本開示の研磨液組成物は、研磨砥粒としてセリア粒子（以下、単に「成分Ａ」ともいう）を含有する。成分Ａは、１種類でもよいし、２種以上の組合せであってもよい。
本開示の研磨液組成物は、研磨砥粒としてセリア粒子（以下、単に「成分Ａ」ともいう）を含有する。成分Ａは、１種類でもよいし、２種以上の組合せであってもよい。
成分Ａは、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、酸素貯蔵能が高いことが好ましい。本開示において、酸素貯蔵能とは、セリウムイオンの酸化還元に伴い、酸素を吸放出する機能をいい、酸素貯蔵量の数値が大きいほど、酸素貯蔵能に優れ、酸化還元特性が高いと判断できる。成分Ａの酸素貯蔵量は、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、５０μｍｏｌ/ｇ以上であって、７５μｍｏｌ/ｇ以上が好ましく、１００μｍｏｌ/ｇ以上がより好ましく、１２５μｍｏｌ/ｇ以上が更に好ましく、１５０μｍｏｌ/ｇ以上が更に好ましい。また、成分Ａの酸素貯蔵量は、セリア粒子の長期安定性の観点から、５００μｍｏｌ/ｇ以下が好ましく、３００μｍｏｌ/ｇ以下がより好ましく、２５０μｍｏｌ/ｇ以下が更に好ましい。本開示において、酸素貯蔵量は、熱重量示差熱分析装置を用いて測定でき、具体的には実施例に記載の方法により測定できる。成分Ａの酸素貯蔵量は、セリア粒子の結晶性を制御することにより調整することができる。
成分Ａの製造方法、形状、及び表面状態については特に限定されなくてもよい。成分Ａとしては、例えば、コロイダルセリア、不定形セリア、セリアコートシリカ等が挙げられる。
コロイダルセリアは、例えば、特表２０１０－５０５７３５号公報の実施例１～４に記載の方法で、ビルドアッププロセスにより得ることができる。
不定形セリアとしては、例えば、粉砕セリアが挙げられる。粉砕セリアの一実施形態としては、例えば、炭酸セリウムや硝酸セリウムなどのセリウム化合物を焼成、粉砕して得られる焼成粉砕セリアが挙げられる。粉砕セリアのその他の実施形態としては、例えば、無機酸や有機酸の存在下でセリア粒子を湿式粉砕することにより得られる単結晶粉砕セリアが挙げられる。湿式粉砕時に使用される無機酸としては、例えば硝酸が挙げられ、有機酸としては、例えば、カルボキシル基を有する有機酸が挙げられ、具体的には、酢酸、プロピオン酸、ピコリン酸、グルタミン酸、アスパラギン酸、アミノ安息香酸及びｐ－ヒドロキシ安息香酸から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。湿式粉砕方法としては、例えば、遊星ビーズミル等による湿式粉砕が挙げられる。
セリアコートシリカとしては、例えば、特開２０１５－６３４５１号公報の実施例１～１４もしくは特開２０１３－１１９１３１号公報の実施例１～４に記載の方法で、シリカ粒子表面の少なくとも一部が粒状セリアで被覆された構造を有する複合粒子が挙げられ、該複合粒子は、例えば、シリカ粒子にセリアを沈着させることで得ることができる。
コロイダルセリアは、例えば、特表２０１０－５０５７３５号公報の実施例１～４に記載の方法で、ビルドアッププロセスにより得ることができる。
不定形セリアとしては、例えば、粉砕セリアが挙げられる。粉砕セリアの一実施形態としては、例えば、炭酸セリウムや硝酸セリウムなどのセリウム化合物を焼成、粉砕して得られる焼成粉砕セリアが挙げられる。粉砕セリアのその他の実施形態としては、例えば、無機酸や有機酸の存在下でセリア粒子を湿式粉砕することにより得られる単結晶粉砕セリアが挙げられる。湿式粉砕時に使用される無機酸としては、例えば硝酸が挙げられ、有機酸としては、例えば、カルボキシル基を有する有機酸が挙げられ、具体的には、酢酸、プロピオン酸、ピコリン酸、グルタミン酸、アスパラギン酸、アミノ安息香酸及びｐ－ヒドロキシ安息香酸から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。湿式粉砕方法としては、例えば、遊星ビーズミル等による湿式粉砕が挙げられる。
セリアコートシリカとしては、例えば、特開２０１５－６３４５１号公報の実施例１～１４もしくは特開２０１３－１１９１３１号公報の実施例１～４に記載の方法で、シリカ粒子表面の少なくとも一部が粒状セリアで被覆された構造を有する複合粒子が挙げられ、該複合粒子は、例えば、シリカ粒子にセリアを沈着させることで得ることができる。
成分Ａの形状としては、例えば、略球状、多面体状、ラズベリー状が挙げられる。
成分Ａの平均一次粒子径は、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、５ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上がより好ましく、そして、研磨傷発生の抑制の観点から、３００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下がより好ましく、１００ｎｍ以下が更に好ましく、４５ｎｍ以下が更に好ましい。同様の観点から、成分Ａの平均一次粒子径は、５ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が更に好ましく、１０ｎｍ以上４５ｎｍ以下が更に好ましい。本開示において成分Ａの平均一次粒子径は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出されるＢＥＴ比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて算出される。ＢＥＴ比表面積は、実施例に記載の方法により測定できる。
本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量は、成分Ａ、成分Ｂ及び水の合計含有量を１００質量％とすると、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、０．２質量％以上が更に好ましく、０．３質量％以上が更に好ましく、０．４質量％以上が更に好ましく、そして、コスト低減の観点から、５質量％以下が好ましく、２．５質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の成分Ａの含有量は、０．００１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上２．５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上１質量％以下が更に好ましい。成分Ａが２種以上のセリア粒子の組合せである場合、成分Ａの含有量はそれらの合計含有量をいう。
［複素芳香族化合物（成分Ｂ）］
本開示の研磨液組成物に含まれる複素芳香族化合物（以下、単に「成分Ｂ」ともいう）としては、一又は複数の実施形態において、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基、チオール基又はカルボキシル基で置換された含窒素複素芳香族化合物が挙げられ、少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基又はチオール基で置換された含窒素複素芳香族化合物が好ましく、少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基で置換された含窒素複素芳香族化合物がより好ましい。成分Ｂは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示の研磨液組成物に含まれる複素芳香族化合物（以下、単に「成分Ｂ」ともいう）としては、一又は複数の実施形態において、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基、チオール基又はカルボキシル基で置換された含窒素複素芳香族化合物が挙げられ、少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基又はチオール基で置換された含窒素複素芳香族化合物が好ましく、少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基で置換された含窒素複素芳香族化合物がより好ましい。成分Ｂは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
成分Ｂとしては、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基で置換された含窒素複素芳香環骨格を含む、Ｎ－オキシド化合物又はその塩（以下、「成分Ｂ１」ともいう）、少なくとも１つの水素原子がチオール基で置換された含窒素複素芳香環骨格を含む、Ｎ－オキシド化合物又はその塩（以下、「成分Ｂ２」ともいう）、及び、少なくとも１つのカルボキシル基を有する含窒素複素芳香環骨格を含む化合物又はその塩（以下、「成分Ｂ３」ともいう）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基で置換された含窒素複素芳香環骨格を含む、Ｎ－オキシド化合物又はその塩（成分Ｂ１）、及び、少なくとも１つの水素原子がチオール基で置換された含窒素複素芳香環骨格を含む、Ｎ－オキシド化合物又はその塩（成分Ｂ２）から選ばれる少なくとも１種がより好ましく、少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基で置換された含窒素複素芳香環骨格を含む、Ｎ－オキシド化合物又はその塩（成分Ｂ１）が更に好ましい。
本開示において、Ｎ－オキシド化合物とは、一又は複数の実施形態において、Ｎ－オキシド基（Ｎ→Ｏ基）を有する化合物を示す。Ｎ－オキシド化合物は、Ｎ→Ｏ基を１又は２以上有することができ、入手容易性の点からは、Ｎ→Ｏ基の数は１つが好ましい。
＜Ｎ－オキシド化合物（成分Ｂ１）＞
本開示の研磨液組成物に含まれる成分Ｂは、一又は複数の実施形態において、含窒素複素芳香環の少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基で置換された含窒素複素芳香環骨格を含む、Ｎ－オキシド化合物又はその塩（成分Ｂ１）である。上記の塩としては、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、有機アミン塩、アンモニウム塩等が挙げられる。成分Ｂ１は、１種類単独で用いてもよいし、２種以上の組合せであってもよい。
本開示の研磨液組成物に含まれる成分Ｂは、一又は複数の実施形態において、含窒素複素芳香環の少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基で置換された含窒素複素芳香環骨格を含む、Ｎ－オキシド化合物又はその塩（成分Ｂ１）である。上記の塩としては、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、有機アミン塩、アンモニウム塩等が挙げられる。成分Ｂ１は、１種類単独で用いてもよいし、２種以上の組合せであってもよい。
本開示において、「少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基で置換された含窒素複素芳香環骨格」とは、含窒素複素芳香環の少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基で置換された構造を示す。
本開示において、成分Ｂ１の含窒素複素芳香環骨格に含まれる少なくとも１つの窒素原子がＮ－オキシドを形成する。成分Ｂ１に含まれる含窒素複素芳香環としては、一又は複数の実施形態において、単環又は２環の縮合環が挙げられる。成分Ｂ１に含まれる含窒素複素芳香環の窒素原子数としては、一又は複数の実施形態において、１～３個が挙げられ、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、１又は２個が好ましく、１個がより好ましい。
成分Ｂ１に含まれる含窒素複素芳香環骨格としては、一又は複数の実施形態において、ピリジンＮ－オキシド骨格、キノリンＮ－オキシド骨格等から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。本開示において、ピリジンＮ－オキシド骨格とは、ピリジン環に含まれる窒素原子がＮ－オキシドを形成している構成を示す。キノリンＮ－オキシド骨格とは、キノリン環に含まれる窒素原子がＮ－オキシドを形成している構成を示す。
本開示において、成分Ｂ１の含窒素複素芳香環骨格に含まれる少なくとも１つの窒素原子がＮ－オキシドを形成する。成分Ｂ１に含まれる含窒素複素芳香環としては、一又は複数の実施形態において、単環又は２環の縮合環が挙げられる。成分Ｂ１に含まれる含窒素複素芳香環の窒素原子数としては、一又は複数の実施形態において、１～３個が挙げられ、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、１又は２個が好ましく、１個がより好ましい。
成分Ｂ１に含まれる含窒素複素芳香環骨格としては、一又は複数の実施形態において、ピリジンＮ－オキシド骨格、キノリンＮ－オキシド骨格等から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。本開示において、ピリジンＮ－オキシド骨格とは、ピリジン環に含まれる窒素原子がＮ－オキシドを形成している構成を示す。キノリンＮ－オキシド骨格とは、キノリン環に含まれる窒素原子がＮ－オキシドを形成している構成を示す。
成分Ｂ１としては、一又は複数の実施形態において、ピリジン環の少なくとも１つの水素原子がヒドロキシ基で置換されたピリジン環を有するＮ－オキシド化合物、キノリン環の少なくとも１つの水素原子がヒドロキシ基で置換されたキノリン環を有するＮ－オキシド化合物、及びこれらの塩から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。これらの中でも、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、成分Ｂ１としては、ピリジン環の少なくとも１つの水素原子がヒドロキシ基で置換されたピリジン環を有するＮ－オキシド化合物又はその塩が好ましい。
成分Ｂ１としては、例えば、２－ヒドロキシピリジンＮ－オキシド及びこれらの塩から選ばれる少なくとも１種等が挙げられる。
＜Ｎ－オキシド化合物（成分Ｂ２）＞
本開示の研磨液組成物に含まれる成分Ｂは、一又は複数の実施形態において、含窒素複素芳香環骨格の少なくとも１つの水素原子がチオール基で置換された含窒素複素芳香環骨格を含む、Ｎ－オキシド化合物又はその塩（成分Ｂ２）である。上記の塩としては、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、有機アミン塩、アンモニウム塩等が挙げられる。成分Ｂ２は、１種類単独で用いてもよいし、２種以上の組合せであってもよい。
本開示の研磨液組成物に含まれる成分Ｂは、一又は複数の実施形態において、含窒素複素芳香環骨格の少なくとも１つの水素原子がチオール基で置換された含窒素複素芳香環骨格を含む、Ｎ－オキシド化合物又はその塩（成分Ｂ２）である。上記の塩としては、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、有機アミン塩、アンモニウム塩等が挙げられる。成分Ｂ２は、１種類単独で用いてもよいし、２種以上の組合せであってもよい。
本開示において、「少なくとも１つの水素原子がチオール基で置換された含窒素複素芳香環骨格」とは、含窒素複素芳香環の少なくとも１つの水素原子がチオール基で置換された構造を示す。
本開示において、成分Ｂ２の含窒素複素芳香環骨格に含まれる少なくとも１つの窒素原子がＮ－オキシドを形成する。成分Ｂ２に含まれる含窒素複素芳香環としては、一又は複数の実施形態において、単環又は２環の縮合環が挙げられる。成分Ｂ２に含まれる含窒素複素芳香環の窒素原子数としては、一又は複数の実施形態において、１～３個が挙げられ、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、１又は２個が好ましく、１個がより好ましい。
成分Ｂ２に含まれる含窒素複素芳香環骨格としては、一又は複数の実施形態において、ピリジンＮ－オキシド骨格、キノリンＮ－オキシド骨格等から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。本開示において、ピリジンＮ－オキシド骨格とは、ピリジン環に含まれる窒素原子がＮ－オキシドを形成している構成を示す。キノリンＮ－オキシド骨格とは、キノリン環に含まれる窒素原子がＮ－オキシドを形成している構成を示す。
本開示において、成分Ｂ２の含窒素複素芳香環骨格に含まれる少なくとも１つの窒素原子がＮ－オキシドを形成する。成分Ｂ２に含まれる含窒素複素芳香環としては、一又は複数の実施形態において、単環又は２環の縮合環が挙げられる。成分Ｂ２に含まれる含窒素複素芳香環の窒素原子数としては、一又は複数の実施形態において、１～３個が挙げられ、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、１又は２個が好ましく、１個がより好ましい。
成分Ｂ２に含まれる含窒素複素芳香環骨格としては、一又は複数の実施形態において、ピリジンＮ－オキシド骨格、キノリンＮ－オキシド骨格等から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。本開示において、ピリジンＮ－オキシド骨格とは、ピリジン環に含まれる窒素原子がＮ－オキシドを形成している構成を示す。キノリンＮ－オキシド骨格とは、キノリン環に含まれる窒素原子がＮ－オキシドを形成している構成を示す。
成分Ｂ２としては、一又は複数の実施形態において、ピリジン環の少なくとも１つの水素原子がチオール基（－ＳＨ）で置換されたピリジン環を有するＮ－オキシド化合物、キノリン環の少なくとも１つの水素原子がチオール基（－ＳＨ）で置換されたキノリン環を有するＮ－オキシド化合物、及びこれらの塩から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。これらの中でも、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、成分Ｂ２としては、ピリジン環の少なくとも１つの水素原子がチオール基（－ＳＨ）で置換されたピリジン環を有するＮ－オキシド化合物又はその塩が好ましい。
成分Ｂ２としては、例えば、２－メルカプトピリジンＮ－オキシド又はその塩等が挙げられる。
＜含窒素複素芳香環化合物（成分Ｂ３）＞
本開示の研磨液組成物に含まれる成分Ｂは、一又は複数の実施形態において、少なくとも１つの水素原子がカルボキシル基に置換された含窒素複素芳香環骨格を含む化合物又はその塩（成分Ｂ３）である。上記の塩としては、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、エタノールアミン塩等の有機アミン塩、アンモニウム塩等が挙げられる。成分Ｂ３は、１種類単独で用いてもよいし、２種以上の組合せであってもよい。
本開示の研磨液組成物に含まれる成分Ｂは、一又は複数の実施形態において、少なくとも１つの水素原子がカルボキシル基に置換された含窒素複素芳香環骨格を含む化合物又はその塩（成分Ｂ３）である。上記の塩としては、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、エタノールアミン塩等の有機アミン塩、アンモニウム塩等が挙げられる。成分Ｂ３は、１種類単独で用いてもよいし、２種以上の組合せであってもよい。
成分Ｂ３に含まれる含窒素複素芳香環としては、一又は複数の実施形態において、単環又は２環の縮合環が挙げられる。成分Ｂ３に含まれる含窒素複素芳香環の窒素原子数としては、一又は複数の実施形態において、１～３個が挙げられ、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、１又は２個が好ましく、１個がより好ましい。
成分Ｂ３に含まれる含窒素複素芳香環骨格としては、一又は複数の実施形態において、ピリジン骨格が挙げられる。
成分Ｂ３に含まれる含窒素複素芳香環骨格としては、一又は複数の実施形態において、ピリジン骨格が挙げられる。
成分Ｂ３としては、ピリジン環に少なくとも１つのカルボキシル基を有する化合物又はその塩が好ましく、例えば、ピコリン酸、ピコリン酸Ｎ－オキシド、ニコチン酸、イソニコチン酸等が挙げられる。
成分Ｂは、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、成分Ｂの１０ｐｐｍ水溶液をサイクリックボルタンメトリー（Ａｇ／ＡｇＣｌ電極基準、２５℃）で測定したときの還元電位が０．４５Ｖ以上となる化合物であることが好ましい。前記還元電位は、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、０．４５Ｖ以上が好ましく、０．５０Ｖ以上がより好ましく、０．５５Ｖ以上が更に好ましく、０．６０Ｖ以上が更に好ましく、０．６５Ｖ以上が更に好ましく、０．７０Ｖ以上が更に好ましく、０．７５Ｖ以上が更に好ましく、０．８０Ｖ以上が更に好ましく、０．８５Ｖ以上が更に好ましく、そして、０．９５Ｖ以下が好ましく、０．９０Ｖ以下がより好ましい。還元電位は、実施例に記載の方法により測定できる。
本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、成分Ａ、成分Ｂ、及び水系媒体の合計含有量を１００質量％とすると、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、そして、セリア粒子の分散性確保の観点から、１質量％以下が好ましく、０．５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下が更に好ましく、０．０５質量％以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、０．００１質量％以上１質量％以下が好ましく、０．００５質量％以上０．５質量％以下がより好ましく、０．００５質量％以上０．１質量％以下が更に好ましく、０．００５質量％以上０．０５質量％以下が更に好ましい。成分Ｂが２種以上の組合せである場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計の含有量をいう。
本開示の研磨液組成物中における成分Ａと成分Ｂとの質量比Ａ／Ｂ（成分Ａの含有量／成分Ｂの含有量）は、一又は複数の実施形態において、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、１以上がより好ましく、５以上が更に好ましく、１０以上が更に好ましく、２０以上が更に好ましく、２６以上が更に好ましく、３２以上が更に好ましく、そして、１００以下が好ましく、５０以下がより好ましく、４０以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中における質量比Ａ／Ｂは、１以上１００以下が好ましく、５以上５０以下がより好ましく、１０以上４０以下が更に好ましい。
［水系媒体］
本開示の研磨液組成物に含まれる水系媒体としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水、又は、水と溶媒との混合溶媒等が挙げられる。上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が挙げられる。水系媒体が、水と溶媒との混合溶媒の場合、混合媒体全体に対する水の割合は、本開示の効果が妨げられない範囲であれば特に限定されなくてもよく、経済性の観点から、例えば、９５質量％以上が好ましく、９８質量％以上がより好ましく、実質的に１００質量％が更に好ましい。被研磨基板の表面清浄性の観点から、水系媒体としては、水が好ましく、イオン交換水及び超純水がより好ましく、超純水が更に好ましい。本開示の研磨液組成物中の水系媒体の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
本開示の研磨液組成物に含まれる水系媒体としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水、又は、水と溶媒との混合溶媒等が挙げられる。上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が挙げられる。水系媒体が、水と溶媒との混合溶媒の場合、混合媒体全体に対する水の割合は、本開示の効果が妨げられない範囲であれば特に限定されなくてもよく、経済性の観点から、例えば、９５質量％以上が好ましく、９８質量％以上がより好ましく、実質的に１００質量％が更に好ましい。被研磨基板の表面清浄性の観点から、水系媒体としては、水が好ましく、イオン交換水及び超純水がより好ましく、超純水が更に好ましい。本開示の研磨液組成物中の水系媒体の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
[式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｃ）]
本開示の研磨液組成物は、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）のさらなる向上の観点から、下記式（Ｉ）で表される化合物（以下、単に「成分Ｃ」ともいう）をさらに含有することができる。成分Ｃは、１種であってもよいし、２種以上の組合せであってもよい。
本開示の研磨液組成物は、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）のさらなる向上の観点から、下記式（Ｉ）で表される化合物（以下、単に「成分Ｃ」ともいう）をさらに含有することができる。成分Ｃは、１種であってもよいし、２種以上の組合せであってもよい。
前記式（Ｉ）中、Ｒ1及びＲ2は同一又は異なって、ヒドロキシル基又はその塩を示し、Ｒ3は、Ｈ、－ＮＨ2、－ＮＨＣＨ3、－ＮＣ2Ｈ6、－Ｎ+（ＣＨ3）3、アルキル基、フェニル基、シチジン基、グアニジノ基又はアルキルグアニジノ基を示し、Ｘは、結合手又は炭素数１以上１２以下のアルキレン基を示し、ｎは０又は１を示す。
式（Ｉ）において、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ、研磨液組成物への溶解性の観点から、ヒドロキシル基が好ましい。
Ｒ3は、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）のさらなる向上の観点から、Ｈ、－ＮＨ2、－Ｎ+（ＣＨ3）3、アルキル基、フェニル基、シチジン基、又はアルキルグアニジノ基が好ましく、アルキルグアニジノ基又はフェニル基がより好ましく、アルキルグアニジノ基が更に好ましい。アルキル基としては、研磨液組成物への溶解性の観点から、炭素数１以上１２以下のアルキル基が好ましく、炭素数２以上６以下のアルキル基がより好ましく、炭素数４のアルキル基（ブチル基）が更に好ましい。アルキルグアニジノ基としては、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）のさらなる向上の観点から、炭素数２以上１２以下のアルキルグアニジノ基がより好ましく、炭素数２以上４以下のアルキルグアニジノ基が更に好ましく、メチルグアニジノ基が更に好ましく、１－メチルグアニジノ基が更に好ましい。
Ｘは、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）のさらなる向上の観点から、炭素数１以上１２以下のアルキレン基が好ましく、炭素数１以上１０以下のアルキレン基がより好ましく、炭素数１以上８以下のアルキレン基が更に好ましく、炭素数１以上６以下のアルキレン基が更に好ましく、炭素数１以上４以下のアルキレン基が好ましく、炭素数２又は３のアルキレン基が更に好ましく、炭素数２のアルキレン基（エチレン基）が好ましい。
ｎは、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）のさらなる向上の観点から、１が好ましい。
Ｒ3は、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）のさらなる向上の観点から、Ｈ、－ＮＨ2、－Ｎ+（ＣＨ3）3、アルキル基、フェニル基、シチジン基、又はアルキルグアニジノ基が好ましく、アルキルグアニジノ基又はフェニル基がより好ましく、アルキルグアニジノ基が更に好ましい。アルキル基としては、研磨液組成物への溶解性の観点から、炭素数１以上１２以下のアルキル基が好ましく、炭素数２以上６以下のアルキル基がより好ましく、炭素数４のアルキル基（ブチル基）が更に好ましい。アルキルグアニジノ基としては、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）のさらなる向上の観点から、炭素数２以上１２以下のアルキルグアニジノ基がより好ましく、炭素数２以上４以下のアルキルグアニジノ基が更に好ましく、メチルグアニジノ基が更に好ましく、１－メチルグアニジノ基が更に好ましい。
Ｘは、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）のさらなる向上の観点から、炭素数１以上１２以下のアルキレン基が好ましく、炭素数１以上１０以下のアルキレン基がより好ましく、炭素数１以上８以下のアルキレン基が更に好ましく、炭素数１以上６以下のアルキレン基が更に好ましく、炭素数１以上４以下のアルキレン基が好ましく、炭素数２又は３のアルキレン基が更に好ましく、炭素数２のアルキレン基（エチレン基）が好ましい。
ｎは、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）のさらなる向上の観点から、１が好ましい。
成分Ｃとしては、例えば、クレアチノールホスファート、Ｏ－ホスホリルエタノールアミン、ホスホコリンクロリドナトリウム水和物、ブチルホスホン酸、フェニルホスホン酸、シチジン５－リン酸等が挙げられる。これらのなかでも、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）のさらなる向上及び入手性の観点から、成分Ｃは、クレアチノールホスファート、フェニルホスホン酸及びこれらの塩から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．００１５質量％以上、更に好ましくは０．００２質量％以上である。そして、セリア粒子の分散性確保の観点から、１質量％以下が好ましく、０．１質量％以下がより好ましく、０．０５質量％以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、０．００１質量％以上１質量％以下が好ましく、０．００１５質量％以上０．１質量％以下がより好ましく、０．００２質量％以上０．０５質量％以下が更に好ましい。成分Ｃが２種以上の組合せである場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計の含有量をいう。
［その他の成分］
本開示の研磨液組成物は、本開示の効果が損なわれない範囲で、その他の成分をさらに配合してなるものであってもよい。その他の成分としては、例えば、ｐＨ調整剤、界面活性剤、増粘剤、分散剤、防錆剤、防腐剤、塩基性物質、研磨速度向上剤、カウンターイオン等が挙げられる。本開示の研磨液組成物がその他の成分をさらに含有する場合、本開示の研磨液組成物中のその他の成分の含有量は、研磨速度向上の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００２５質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましく、そして、１質量％以下が好ましく、０．５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下が更に好ましい。
本開示の研磨液組成物は、本開示の効果が損なわれない範囲で、その他の成分をさらに配合してなるものであってもよい。その他の成分としては、例えば、ｐＨ調整剤、界面活性剤、増粘剤、分散剤、防錆剤、防腐剤、塩基性物質、研磨速度向上剤、カウンターイオン等が挙げられる。本開示の研磨液組成物がその他の成分をさらに含有する場合、本開示の研磨液組成物中のその他の成分の含有量は、研磨速度向上の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００２５質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましく、そして、１質量％以下が好ましく、０．５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下が更に好ましい。
［研磨液組成物］
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ及び水系媒体、並びに、所望により上述した任意成分（成分Ｃ、その他の成分）を公知の方法で配合する工程を含む製造方法によって製造できる。例えば、本開示の研磨液組成物は、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ及び水系媒体を配合してなるものとすることができる。成分Ａが複数種類のセリア粒子の組合せである場合、成分Ａは、複数種類のセリア粒子をそれぞれ配合することにより得ることができる。成分Ｂが複数種類の複素芳香族化合物の組合せである場合、成分Ｂは、複数種類の複素芳香族化合物をそれぞれ配合することにより得ることができる。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ及び水系媒体、並びに必要に応じて上述した任意成分（成分Ｃ、その他の成分）を同時に又は順に混合することを含む。混合する順序は特に限定されない。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示の研磨液組成物の製造方法における各成分の配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の含有量と同じとすることができる。
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ及び水系媒体、並びに、所望により上述した任意成分（成分Ｃ、その他の成分）を公知の方法で配合する工程を含む製造方法によって製造できる。例えば、本開示の研磨液組成物は、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ及び水系媒体を配合してなるものとすることができる。成分Ａが複数種類のセリア粒子の組合せである場合、成分Ａは、複数種類のセリア粒子をそれぞれ配合することにより得ることができる。成分Ｂが複数種類の複素芳香族化合物の組合せである場合、成分Ｂは、複数種類の複素芳香族化合物をそれぞれ配合することにより得ることができる。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ及び水系媒体、並びに必要に応じて上述した任意成分（成分Ｃ、その他の成分）を同時に又は順に混合することを含む。混合する順序は特に限定されない。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示の研磨液組成物の製造方法における各成分の配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の含有量と同じとすることができる。
本開示の研磨液組成物の実施形態は、全ての成分が予め混合された状態で市場に供給される、いわゆる１液型であってもよいし、使用時に混合される、いわゆる２液型であってもよい。２液型の研磨液組成物としては、例えば、成分Ａを含む第１液と、成分Ｂを含む第２液とから構成され、使用時に第１液と第２液とが混合されるものが挙げられる。第１液と第２液との混合は、研磨対象の表面への供給前に行われてもよいし、これらは別々に供給されて被研磨基板の表面上で混合されてもよい。第１液及び第２液はそれぞれ必要に応じて上述した任意成分を含有することができる。
本開示の研磨液組成物のｐＨは、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）向上の観点から、３．５以上が好ましく、４以上がより好ましく、４．５以上が更に好ましく、そして、９以下が好ましく、８．５以下がより好ましく、８以下が更に好ましく、８未満が更に好ましく、７以下が更に好ましく、６以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示の研磨液組成物のｐＨは、３．５以上９以下が好ましく、４以上８．５以下がより好ましく、４．５以上８以下が更に好ましく、４．５以上８未満が更に好ましく、４．５以上７以下が更に好ましく、４．５以上６以下が更に好ましい。本開示において、研磨液組成物のｐＨは、２５℃における値であって、ｐＨメータを用いて測定でき、具体的には、実施例に記載の方法で測定できる。
本開示において「研磨液組成物中の各成分の含有量」とは、研磨時、すなわち、研磨液組成物の研磨への使用を開始する時点での前記各成分の含有量をいう。本開示の研磨液組成物は、その安定性が損なわれない範囲で濃縮された状態で保存および供給されてもよい。この場合、製造・輸送コストを低くできる点で好ましい。そしてこの濃縮液は、必要に応じて水で適宜希釈して研磨工程で使用することができる。希釈割合としては５～１００倍が好ましい。
［研磨液キット］
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を製造するためのキット（以下、「本開示の研磨液キット」ともいう）に関する。
本開示の研磨液キットとしては、例えば、成分Ａ及び水系媒体を含む研磨砥粒分散液と、成分Ｂを含む添加剤水溶液と、を相互に混合されない状態で含む、研磨液キット（２液型研磨液組成物）が挙げられる。前記研磨砥粒分散液と前記添加剤水溶液とは、使用時に混合され、必要に応じて水系媒体を用いて希釈される。前記研磨砥粒分散液に含まれる水系媒体は、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の全量でもよいし、一部でもよい。前記添加剤水溶液には、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の一部が含まれていてもよい。前記研磨砥粒分散液及び前記添加剤水溶液にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分（成分Ｃ、その他の成分）が含まれていてもよい。
本開示の研磨液キットによれば、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）を向上可能な研磨液組成物を得ることができる。
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を製造するためのキット（以下、「本開示の研磨液キット」ともいう）に関する。
本開示の研磨液キットとしては、例えば、成分Ａ及び水系媒体を含む研磨砥粒分散液と、成分Ｂを含む添加剤水溶液と、を相互に混合されない状態で含む、研磨液キット（２液型研磨液組成物）が挙げられる。前記研磨砥粒分散液と前記添加剤水溶液とは、使用時に混合され、必要に応じて水系媒体を用いて希釈される。前記研磨砥粒分散液に含まれる水系媒体は、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の全量でもよいし、一部でもよい。前記添加剤水溶液には、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の一部が含まれていてもよい。前記研磨砥粒分散液及び前記添加剤水溶液にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分（成分Ｃ、その他の成分）が含まれていてもよい。
本開示の研磨液キットによれば、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）を向上可能な研磨液組成物を得ることができる。
［研磨方法］
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程を含み、前記被研磨膜は、半導体基板の製造過程で形成される酸化珪素膜である、研磨方法（以下、本開示の研磨方法ともいう）に関する。被研磨膜としては、上述した本開示の研磨液組成物における被研磨膜が挙げられる。例えば、本開示の研磨方法における被研磨膜は、一又は複数の実施形態において、エキストラエッチング後の基板表面上の酸化珪素膜凸部である。本開示の研磨方法は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む。被研磨基板は、一又は複数の実施形態において、エキストラエッチング後の基板であり、一又は複数の実施形態において、酸化珪素膜凸部を有する基板である。本開示の研磨方法を使用することにより、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）の向上が可能であるため、品質が向上した半導体基板の生産性を向上できるという効果が奏されうる。本開示の研磨方法における研磨の方法及び条件は、後述する本開示の半導体基板の製造方法と同じようにすることができる。
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程を含み、前記被研磨膜は、半導体基板の製造過程で形成される酸化珪素膜である、研磨方法（以下、本開示の研磨方法ともいう）に関する。被研磨膜としては、上述した本開示の研磨液組成物における被研磨膜が挙げられる。例えば、本開示の研磨方法における被研磨膜は、一又は複数の実施形態において、エキストラエッチング後の基板表面上の酸化珪素膜凸部である。本開示の研磨方法は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む。被研磨基板は、一又は複数の実施形態において、エキストラエッチング後の基板であり、一又は複数の実施形態において、酸化珪素膜凸部を有する基板である。本開示の研磨方法を使用することにより、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）の向上が可能であるため、品質が向上した半導体基板の生産性を向上できるという効果が奏されうる。本開示の研磨方法における研磨の方法及び条件は、後述する本開示の半導体基板の製造方法と同じようにすることができる。
［半導体基板の製造方法］
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程（研磨工程）を含む、半導体基板の製造方法（以下、「本開示の半導体基板の製造方法」ともいう）に関する。被研磨膜としては、上述した本開示の研磨液組成物における被研磨膜が挙げられる。例えば、本開示の半導体基板の製造方法における被研磨膜は、一又は複数の実施形態において、エキストラエッチング後の基板表面上の酸化珪素膜凸部である。本開示の半導体基板の製造方法は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む。被研磨基板は、一又は複数の実施形態において、エキストラエッチング後の基板であり、一又は複数の実施形態において、酸化珪素膜凸部を有する基板である。本開示の半導体基板の製造方法によれば、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）の向上が可能であるため、品質が向上した半導体基板を効率よく製造できるという効果が奏されうる。
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程（研磨工程）を含む、半導体基板の製造方法（以下、「本開示の半導体基板の製造方法」ともいう）に関する。被研磨膜としては、上述した本開示の研磨液組成物における被研磨膜が挙げられる。例えば、本開示の半導体基板の製造方法における被研磨膜は、一又は複数の実施形態において、エキストラエッチング後の基板表面上の酸化珪素膜凸部である。本開示の半導体基板の製造方法は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む。被研磨基板は、一又は複数の実施形態において、エキストラエッチング後の基板であり、一又は複数の実施形態において、酸化珪素膜凸部を有する基板である。本開示の半導体基板の製造方法によれば、酸化珪素膜凸部の研磨速度（凸部解消速度）の向上が可能であるため、品質が向上した半導体基板を効率よく製造できるという効果が奏されうる。
本開示の半導体基板の製造方法の具体例としては、まず、シリコン基板上に、二酸化シリコン膜、次いで、当該二酸化シリコン層上に窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）膜を交互に積層する。その後、ポリシリコンによるチャネル形成、積層膜のトリミング、電荷トラップ層形成、タングステン（Ｗ）ゲートを形成し、アレイを形成する。その後、アレイ上に二酸化シリコン層をＣＶＤ法（化学気相成長法）等にて積層する。このようにして形成された酸化珪素膜は、アレイ部と周辺部では大きな段差を有する。次いで、ＣＭＰにより、アレイ部の酸化珪素膜を、周辺部と同じ高さになるまで研磨する。図２に示されるようにＣＭＰ前にエキストラエッチング（extra-etching process）を行うことによって、凸部を微細化し、ＣＭＰ効率を向上し、研磨時間を短縮する方法が提案されている。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、エキストラエッチング後の酸化珪素膜凸部を有する基板の研磨に好適に用いることができる。酸化珪素膜凸部とは、一又は複数の実施形態において、基板表面上の酸化珪素膜の凸部であり、例えば、幅１０μｍ～５００μｍ、高さ４μｍ～１０μｍの凸部が挙げられる。
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、エキストラエッチング後の酸化珪素膜凸部を有する基板の研磨に好適に用いることができる。酸化珪素膜凸部とは、一又は複数の実施形態において、基板表面上の酸化珪素膜の凸部であり、例えば、幅１０μｍ～５００μｍ、高さ４μｍ～１０μｍの凸部が挙げられる。
ＣＭＰによる研磨では、被研磨基板の表面と研磨パッドとを接触させた状態で、本開示の研磨液組成物をこれらの接触部位に供給しつつ被研磨基板及び研磨パッドを相対的に移動させることにより、被研磨基板の表面の凹凸部分を平坦化させる。
前記研磨工程において、研磨パッドの回転数は、例えば、３０～２００ｒｐｍ／分、被研磨基板の回転数は、例えば、３０～２００ｒｐｍ／分、研磨パッドを備えた研磨装置に設定される研磨荷重は、例えば、２０～５００ｇ重／ｃｍ2、研磨液組成物の供給速度は、例えば、１０～５００ｍＬ/分以下に設定できる。研磨液組成物が２液型研磨液組成物の場合、第１液及び第２液のそれぞれの供給速度（又は供給量）を調整することで、被研磨膜の研磨速度を調整できる。
前記研磨工程において、被研磨膜（酸化珪素膜）の研磨速度は、生産性向上の観点から、５０ｎｍ／分以上が好ましく、８０ｎｍ／分以上がより好ましく、９０ｎｍ／分以上が更に好ましい。
以下、実施例により本開示を説明するが、本開示はこれに限定されるものではない。
１．各パラメータの測定方法
（１）研磨液組成物のｐＨ
研磨液組成物の２５℃におけるｐＨ値は、ｐＨメータ（東亜電波工業社製、「ＨＭ－３０Ｇ」）を用いて測定した値であり、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して１分後の数値である。
（１）研磨液組成物のｐＨ
研磨液組成物の２５℃におけるｐＨ値は、ｐＨメータ（東亜電波工業社製、「ＨＭ－３０Ｇ」）を用いて測定した値であり、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して１分後の数値である。
（２）セリア粒子（成分Ａ）の平均一次粒径
セリア粒子（成分Ａ）の平均一次粒径（ｎｍ）は、下記ＢＥＴ（窒素吸着）法によって得られる比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用い、セリア粒子の真密度を７．２ｇ／ｃｍ3として算出した。
セリア粒子（成分Ａ）の平均一次粒径（ｎｍ）は、下記ＢＥＴ（窒素吸着）法によって得られる比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用い、セリア粒子の真密度を７．２ｇ／ｃｍ3として算出した。
（３）セリア粒子（成分Ａ）のＢＥＴ比表面積
比表面積は、セリア分散液を１２０℃で３時間熱風乾燥した後、メノウ乳鉢で細かく粉砕しサンプルを得た。測定直前に１２０℃の雰囲気下で１５分間乾燥した後、比表面積測定装置（マイクロメリティック自動比表面積測定装置「フローソーブＩＩＩ２３０５」、島津製作所製）を用いて窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。
比表面積は、セリア分散液を１２０℃で３時間熱風乾燥した後、メノウ乳鉢で細かく粉砕しサンプルを得た。測定直前に１２０℃の雰囲気下で１５分間乾燥した後、比表面積測定装置（マイクロメリティック自動比表面積測定装置「フローソーブＩＩＩ２３０５」、島津製作所製）を用いて窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。
（４）セリア粒子の酸素貯蔵量
セリア粒子の酸素貯蔵量は、熱重量示差熱分析装置（Ｔｈｅｒｍｏ ｐｌｕｓ ＴＧ８１１０、Ｒｉｇａｋｕ製）により、下記に示す方法により測定した。
セリア分散液を６００℃で３時間熱風乾燥した後、メノウ乳鉢で細かく粉砕した。その後、セリア粒子をＰｔパンに入れ、装置にセットした。窒素：水素＝１：１のガスを装置内に充填し、室温から８００℃まで昇温し、セリア粒子の還元を実施した。８００℃に保持したまま、系内を窒素置換し、３０分保持した。次いで、酸素：窒素＝１：９のガスにてセリア粒子を酸化させた。この際にセリア粒子が吸収する酸素量を用い、酸素貯蔵量（μｍｏｌ／ｇ）を算出した。
セリア粒子の酸素貯蔵量は、熱重量示差熱分析装置（Ｔｈｅｒｍｏ ｐｌｕｓ ＴＧ８１１０、Ｒｉｇａｋｕ製）により、下記に示す方法により測定した。
セリア分散液を６００℃で３時間熱風乾燥した後、メノウ乳鉢で細かく粉砕した。その後、セリア粒子をＰｔパンに入れ、装置にセットした。窒素：水素＝１：１のガスを装置内に充填し、室温から８００℃まで昇温し、セリア粒子の還元を実施した。８００℃に保持したまま、系内を窒素置換し、３０分保持した。次いで、酸素：窒素＝１：９のガスにてセリア粒子を酸化させた。この際にセリア粒子が吸収する酸素量を用い、酸素貯蔵量（μｍｏｌ／ｇ）を算出した。
（５）還元電位
１）支持電解質として用いる硫酸ナトリウム水溶液が０．１ｍｏｌ／Ｌになるよう超純水にて調製し、窒素置換を３時間以上行う。
２）ガラスバイアル（２０ｍＬ）に硫酸ナトリウム水溶液を９．９ｍＬ秤量する。
３）ガラス状カーボン（グラッシーカーボン）作用電極の表面を、１μｍ研磨用ダイヤモンド及びダイヤモンド研磨用パッド（何れもビー・エー・エス社製）を用い、電極を垂直に押し当て、８の字を描くように十分研磨をする。続いて、０．０５μｍのアルミナ及びアルミナ研磨用パッド（何れもビー・エー・エス社製）を用い、電極表面が鏡面になるまで８の字を描くように十分研磨をする。その後、電極表面を超純水で洗浄し乾燥させる。
４）ガラス状カーボン電極、銀／塩化銀参照電極、白金カウンター電極をＡＬＳ電気化学アナライザー（モデル６１１Ｄ）に接続し、硫酸ナトリウム水溶液に浸漬させて３極式電気化学セルを組み立てる。
５）サイクリックボルタンメトリー変数を高電位１Ｖ、低電位１Ｖ、スキャン速度０．１Ｖ／ｓ、スィープセグメント５ｗに設定し、電位－電流データポイントをモニターに表示する。
６）ガラスバイアル内にテフロン（登録商標）チューブを通し窒素置換を十分に行った後、支持電解質のみで測定を行う。このとき、窒素置換が不十分であると、溶存酸素由来のピークが検出される。
７）測定サンプル（添加剤：１０００ｐｐｍ）を超純水にて調製し、窒素置換を十分に行った後、該測定サンプル０．１ｍＬをガラスバイアル内の硫酸ナトリウム水溶液９．９ｍＬに添加し、添加剤の１０ｐｐｍ水溶液を得た。
８）Ｏｐｅｎ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌを測定し、サイクリックボルタンメトリー変数の初期電位に設定し、測定を行う。このとき、溶存酸素由来のピークが検出されていないことを確認し、測定サンプル由来のサイクリックボルタモグラムから酸化還元電位を確認する。
１）支持電解質として用いる硫酸ナトリウム水溶液が０．１ｍｏｌ／Ｌになるよう超純水にて調製し、窒素置換を３時間以上行う。
２）ガラスバイアル（２０ｍＬ）に硫酸ナトリウム水溶液を９．９ｍＬ秤量する。
３）ガラス状カーボン（グラッシーカーボン）作用電極の表面を、１μｍ研磨用ダイヤモンド及びダイヤモンド研磨用パッド（何れもビー・エー・エス社製）を用い、電極を垂直に押し当て、８の字を描くように十分研磨をする。続いて、０．０５μｍのアルミナ及びアルミナ研磨用パッド（何れもビー・エー・エス社製）を用い、電極表面が鏡面になるまで８の字を描くように十分研磨をする。その後、電極表面を超純水で洗浄し乾燥させる。
４）ガラス状カーボン電極、銀／塩化銀参照電極、白金カウンター電極をＡＬＳ電気化学アナライザー（モデル６１１Ｄ）に接続し、硫酸ナトリウム水溶液に浸漬させて３極式電気化学セルを組み立てる。
５）サイクリックボルタンメトリー変数を高電位１Ｖ、低電位１Ｖ、スキャン速度０．１Ｖ／ｓ、スィープセグメント５ｗに設定し、電位－電流データポイントをモニターに表示する。
６）ガラスバイアル内にテフロン（登録商標）チューブを通し窒素置換を十分に行った後、支持電解質のみで測定を行う。このとき、窒素置換が不十分であると、溶存酸素由来のピークが検出される。
７）測定サンプル（添加剤：１０００ｐｐｍ）を超純水にて調製し、窒素置換を十分に行った後、該測定サンプル０．１ｍＬをガラスバイアル内の硫酸ナトリウム水溶液９．９ｍＬに添加し、添加剤の１０ｐｐｍ水溶液を得た。
８）Ｏｐｅｎ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌを測定し、サイクリックボルタンメトリー変数の初期電位に設定し、測定を行う。このとき、溶存酸素由来のピークが検出されていないことを確認し、測定サンプル由来のサイクリックボルタモグラムから酸化還元電位を確認する。
２．研磨液組成物の調製（実施例１～１２及び比較例１～２）
（実施例１～９、１２及び比較例１～２）
セリア粒子（表１及び表３に示す成分Ａ）、複素芳香族化合物（表２及び表３に示す成分Ｂ）及び水を混合して実施例１～９、１２及び比較例１～２の研磨液組成物を得た。各研磨液組成物中の各成分の含有量は、表３に示すとおりである。水の含有量は、成分Ａと成分Ｂとを除いた残余である。
（実施例１０～１１）
セリア粒子（表１及び表３に示す成分Ａ）、複素芳香族化合物（表２及び表３に示す成分Ｂ）、化合物（表３に示す成分Ｃ）及び水を混合して実施例１０～１１の研磨液組成物を得た。各研磨液組成物中の各成分の含有量は、表３に示すとおりである。水の含有量は、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとを除いた残余である。
実施例１～１２及び比較例１～２の研磨液組成物のｐＨは５であった。ｐＨ調整はアンモニアもしくは硝酸を用いて実施した。
（実施例１～９、１２及び比較例１～２）
セリア粒子（表１及び表３に示す成分Ａ）、複素芳香族化合物（表２及び表３に示す成分Ｂ）及び水を混合して実施例１～９、１２及び比較例１～２の研磨液組成物を得た。各研磨液組成物中の各成分の含有量は、表３に示すとおりである。水の含有量は、成分Ａと成分Ｂとを除いた残余である。
（実施例１０～１１）
セリア粒子（表１及び表３に示す成分Ａ）、複素芳香族化合物（表２及び表３に示す成分Ｂ）、化合物（表３に示す成分Ｃ）及び水を混合して実施例１０～１１の研磨液組成物を得た。各研磨液組成物中の各成分の含有量は、表３に示すとおりである。水の含有量は、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃとを除いた残余である。
実施例１～１２及び比較例１～２の研磨液組成物のｐＨは５であった。ｐＨ調整はアンモニアもしくは硝酸を用いて実施した。
実施例１～１２及び比較例１～２の研磨液組成物の調製に用いた成分Ａ、成分Ｂ及び（成分Ｃ）の詳細は表１、表２及び下記に示すとおりである。
（成分Ｂ）
Ｂ１：２－ヒドロキシピリジンＮ－オキシド（東京化成工業株式会社製）
Ｂ２：２－メルカプトピリジンＮ－オキシド（東京化成工業株式会社製）
Ｂ３：ピコリン酸（東京化成工業株式会社製）
（成分Ｃ）
Ｃ１：クレアチノールホスファート（東京化成工業社製）［式（Ｉ）中、Ｒ1：ＯＨ、Ｒ2：ＯＨ、Ｒ3：1-メチルグアニジノ基、Ｘ：エチレン基、ｎ：１である。］
Ｃ２：フェニルホスホン酸（東京化成工業社製）［式（Ｉ）中、Ｒ1：ＯＨ、Ｒ2：ＯＨ、Ｒ3：フェニル基、Ｘ：結合手、ｎ：０である。］
（成分Ｂ）
Ｂ１：２－ヒドロキシピリジンＮ－オキシド（東京化成工業株式会社製）
Ｂ２：２－メルカプトピリジンＮ－オキシド（東京化成工業株式会社製）
Ｂ３：ピコリン酸（東京化成工業株式会社製）
（成分Ｃ）
Ｃ１：クレアチノールホスファート（東京化成工業社製）［式（Ｉ）中、Ｒ1：ＯＨ、Ｒ2：ＯＨ、Ｒ3：1-メチルグアニジノ基、Ｘ：エチレン基、ｎ：１である。］
Ｃ２：フェニルホスホン酸（東京化成工業社製）［式（Ｉ）中、Ｒ1：ＯＨ、Ｒ2：ＯＨ、Ｒ3：フェニル基、Ｘ：結合手、ｎ：０である。］
３．研磨液組成物（実施例１～１２及び比較例１～２）の評価
［評価用サンプル］
評価用サンプルとして、図１に示すウエハ（直径２００ｍｍ）を使用した。この評価用サンプルは、シリコン基板上に膜厚６μｍの酸化珪素膜が形成された後、ドライエッチングによって、図１に示すように、格子状の凹凸部が形成されている。凹部は、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×深さ４μｍの大きさである。酸化珪素膜はＰ－ＴＥＯＳにより形成されている。この評価用サンプルは、エキストラエッチング後の酸化珪素膜凸部を有する基板のモデル基板である。
［評価用サンプル］
評価用サンプルとして、図１に示すウエハ（直径２００ｍｍ）を使用した。この評価用サンプルは、シリコン基板上に膜厚６μｍの酸化珪素膜が形成された後、ドライエッチングによって、図１に示すように、格子状の凹凸部が形成されている。凹部は、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×深さ４μｍの大きさである。酸化珪素膜はＰ－ＴＥＯＳにより形成されている。この評価用サンプルは、エキストラエッチング後の酸化珪素膜凸部を有する基板のモデル基板である。
［研磨条件］
研磨装置：片面研磨機［荏原製作所製、ＦＲＥＸ-２００］
研磨パッド：硬質ウレタンパッド「ＩＣ－１０００／Ｓｕｂａ４００」[ニッタ・ハース社製]
定盤回転数：１００ｒｐｍ
ヘッド回転数：１０７ｒｐｍ
研磨荷重：２８０ｈＰａ
研磨液供給量：２００ｍＬ／分
研磨時間：１分間
研磨装置：片面研磨機［荏原製作所製、ＦＲＥＸ-２００］
研磨パッド：硬質ウレタンパッド「ＩＣ－１０００／Ｓｕｂａ４００」[ニッタ・ハース社製]
定盤回転数：１００ｒｐｍ
ヘッド回転数：１０７ｒｐｍ
研磨荷重：２８０ｈＰａ
研磨液供給量：２００ｍＬ／分
研磨時間：１分間
［凸部解消速度］
実施例１～１２及び比較例１～２の各研磨液組成物を用いて、上記研磨条件で評価用サンプルを研磨した。
研磨前後の配線幅５００ｕｍの凸部の酸化ケイ素膜の膜厚をＡＳＥＴ－Ｆ５Ｘ（ＫＬＡ製）を用い測定した。凸部解消速度は下記式により求め、比較例１の研磨速度を１００としたときの結果を表３に示した。
凸部解消速度＝[研磨前の凸部の酸化ケイ素膜厚（Å）－研磨後の凸部の酸化ケイ素膜厚（Å）]/研磨時間（分）
実施例１～１２及び比較例１～２の各研磨液組成物を用いて、上記研磨条件で評価用サンプルを研磨した。
研磨前後の配線幅５００ｕｍの凸部の酸化ケイ素膜の膜厚をＡＳＥＴ－Ｆ５Ｘ（ＫＬＡ製）を用い測定した。凸部解消速度は下記式により求め、比較例１の研磨速度を１００としたときの結果を表３に示した。
凸部解消速度＝[研磨前の凸部の酸化ケイ素膜厚（Å）－研磨後の凸部の酸化ケイ素膜厚（Å）]/研磨時間（分）
表３に示されるように、酸素貯蔵量が５０μｍｏｌ／ｇ以上の酸化セリウム粒子と複素芳香族化合物とを併用した実施例１～１２は、酸素貯蔵量が５０μｍｏｌ／ｇ未満の酸化セリウム粒子を用いた比較例１に比べて凸部解消速度が向上していた。なお、酸素貯蔵量が５０μｍｏｌ／ｇ以上の酸化セリウム粒子を用いたが、複素芳香族化合物を用いなかった比較例２は研磨が進行しなかった。
本開示の研磨液組成物は、高密度化又は高集積化用の半導体基板の製造方法において有用である。
Claims (11)
- 酸化セリウム粒子（成分Ａ）と、複素芳香族化合物（成分Ｂ）と、水系媒体と、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｃ）とを含有し、
成分Ａの酸素貯蔵量が５０μｍｏｌ/ｇ以上である、酸化珪素膜用研磨液組成物。
- 成分Ａの酸素貯蔵量が１００μｍｏｌ/ｇ以上である、請求項１に記載の研磨液組成物。
- 成分Ｂは、成分Ｂの１０ｐｐｍ水溶液をサイクリックボルタンメトリー（Ａｇ／ＡｇＣｌ電極基準、２５℃）で測定したときの還元電位が０．４５Ｖ以上となる化合物である、請求項１又は２に記載の研磨液組成物。
- 成分Ｂは、少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基で置換された含窒素複素芳香族化合物である、請求項１から３のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 成分Ｂは、ピリジン環の少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基に置換されたピリジン環を有するＮ－オキシド化合物、キノリン環の少なくとも１つの水素原子がヒドロキシル基に置換されたキノリン環を有するＮ－オキシド化合物、及びこれらの塩から選ばれる少なくとも１種である、請求項１から４のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 成分Ｂは、２－ヒドロキシピリジンＮ－オキシド及びこれらの塩から選ばれる少なくとも１種である、請求項１から５のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 成分Ｃはクレアチノールホスファート、フェニルホスホン酸及びこれらの塩から選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載の研磨液組成物。
- エキストラエッチング後の基板を研磨するための、請求項１から７のいずれかに記載の研磨液組成物。
- 請求項１から８のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程を含み、前記被研磨膜は、半導体基板の製造過程で形成される酸化珪素膜である、研磨方法。
- 請求項１から８のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨膜を研磨する工程を含む、半導体基板の製造方法。
- 前記被研磨膜は、エキストラエッチング後の基板表面上の酸化珪素膜凸部である、請求項９又は１０に記載の方法。
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