JP7635889B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

積層セラミックコンデンサ Download PDF

Info

Publication number
JP7635889B2
JP7635889B2 JP2024530348A JP2024530348A JP7635889B2 JP 7635889 B2 JP7635889 B2 JP 7635889B2 JP 2024530348 A JP2024530348 A JP 2024530348A JP 2024530348 A JP2024530348 A JP 2024530348A JP 7635889 B2 JP7635889 B2 JP 7635889B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
internal electrodes
ionic radius
ceramic
coordination
multilayer ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2024530348A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2024004394A5 (ja
JPWO2024004394A1 (ja
Inventor
隆志 大原
英靖 大西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of JPWO2024004394A1 publication Critical patent/JPWO2024004394A1/ja
Publication of JPWO2024004394A5 publication Critical patent/JPWO2024004394A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7635889B2 publication Critical patent/JP7635889B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H01G4/0085—Fried electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
    • H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13—Energy storage using capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

この発明は、積層セラミックコンデンサに関するもので、特に、積層セラミックコンデンサに備える内部電極の組成に関するものである。
積層セラミックコンデンサは、通常、セラミックからなる積層された複数の誘電体層と、誘電体層間の複数の界面に沿ってそれぞれ配置された複数の内部電極と、を有する、積層体と、積層体の外表面に設けられ、内部電極と電気的に接続された、複数の外部電極と、を備える。内部電極は、積層体の積層方向に交互に配置された複数の第１内部電極と複数の第２内部電極とを備え、外部電極は、第１内部電極と電気的に接続された第１外部電極と、前記第２内部電極と電気的に接続された第２外部電極と、を備える。
このような構造の積層セラミックコンデンサの小型かつ大容量化を図るためには、誘電体層および内部電極を薄層化するとともに、内部電極のカバレージ（電極連続性）を高めることが求められる。一般に、積層セラミックコンデンサの製造に際しての焼成工程において、誘電体層を構成するセラミックが焼結する温度より、内部電極となるべき導電性ペースト膜に含まれる導電性金属粒子が焼結する温度の方が低いため、内部電極に含まれる金属粒子が先に焼結する。このことは、内部電極のカバレージを低下させる原因となる。特に、たとえば厚み１μｍ以下というように薄層化された内部電極にあっては、カバレージが低下しやすく、このようなカバレージの低下によって、大容量化が阻害されやすいという課題がある。
そこで、薄層化された内部電極を高いカバレージをもって形成するには、積層セラミックコンデンサの製造に際しての焼成工程において、内部電極となるべき導電性ペースト膜に含まれる導電性金属粒子が焼結する温度をより高くする必要がある。これによって、内部電極となるべき導電性ペースト膜に含まれる金属粒子が焼結する温度を、誘電体層を構成するセラミックが焼結を開始する温度に近づけることができ、内部電極と誘電体層との間で焼結時の収縮タイミングを近づけることができる。その結果、内部電極のカバレージが高くなり、大容量化を実現できる。
上述した方法により、内部電極のカバレージを高くし、大容量化を実現するため、たとえば特許文献１（特開２０１６－３１８０７号公報）の段落０００４等に記載されるように、内部電極形成用の導電性ペーストに、誘電体層を構成するセラミックの組成に類似した組成のセラミック材料、すなわち共材を添加することが知られている。共材を添加することにより、内部電極となるべき導電性ペースト膜に含まれる金属粒子の焼結タイミングをより高温側にシフトすることができ、導電性ペースト膜に含まれる金属粒子が焼結する温度を、誘電体層を構成するセラミックが焼結する温度に近づけることができる。
特開２０１６－３１８０７号公報
しかしながら、内部電極形成用の導電性ペーストに共材をたとえ添加しても、導電性ペーストに含まれる金属粒子が焼結する温度は、誘電体層を構成するセラミックが焼結する温度より、なお低いことは否めず、さらなる改善が望まれる。特に、たとえば厚み１μｍ以下というように薄層化された内部電極に関しては、大容量化を阻害するカバレージの低下の問題に対する有効な解決策が強く求められる。
そこで、この発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであって、薄層化されても、カバレージを比較的高く維持できる、内部電極を備える積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
この発明に係る積層セラミックコンデンサは、セラミックからなる積層された複数の誘電体層と、誘電体層間の複数の界面に沿ってそれぞれ配置された複数の内部電極と、を有する、積層体を備える。
上述した技術的課題を解決するため、この発明では、内部電極は、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３から選ばれる少なくとも１種を含むことを特徴としている。
この発明によれば、内部電極に含まれるＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３から選ばれる少なくとも１種が、内部電極のカバレージを高めることに寄与する。したがって、内部電極が薄層化されても、内部電極のカバレージが低下せず、積層セラミックコンデンサの大容量化が阻害されないようにすることができる。
この発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサ１を模式的に示す断面図である。
図１を参照して、この発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサ１の構造について説明する。
積層セラミックコンデンサ１は、積層体２を備えている。積層体２は、セラミックからなる積層された複数の誘電体層３と、複数の誘電体層３間の界面に沿って配置された複数の内部電極４および５と、を備えている。内部電極４および５は、積層体３の積層方向に交互に配置された複数の第１内部電極４と複数の第２内部電極５とに分類される。積層体２の外表面、より具体的には、相対向する各端面には、第１外部電極６および第２外部電極７がそれぞれ設けられる。第１外部電極６は、第１内部電極４と電気的に接続され、第２外部電極７は、第２内部電極５と電気的に接続される。
誘電体層３は、たとえば、ＡＢＯ３（Ａは、Ｂａ、ＣａおよびＳｒのうちの少なくとも１種であり、Ｂは、ＴｉおよびＺｒのうちの少なくとも一方である。）を主成分とするセラミックからなる。また、セラミックは、上記ＡＢＯ３を主成分とし、さらに、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｙ、ＤｙおよびＧｄのうち少なくとも１種を副成分として含んでいてもよい。
内部電極４および５は、導電成分として、銅を含むことが好ましい。さらに、特徴的な組成として、内部電極４および５は、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３から選ばれる少なくとも１種を含む。ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３は、イルミナイト結晶構造を有している。
なお、後述する実験例からわかるように、好ましい実施形態では、誘電体層３は、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３およびＣａＺｒＯ３から選ばれる少なくとも１種を主成分とするセラミックからなり、内部電極４および５は、銅を導電成分として含み、セラミック材料として、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３から選ばれる少なくとも１種を含むとともに、必要に応じて、誘電体層３に含まれるＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３およびＣａＺｒＯ３から選ばれる少なくとも１種をさらに含んでいる。
外部電極６および７は、たとえば、ＡｇまたはＣｕを導電成分の主成分とする導電性ペーストを積層体２の端面に塗布し、これを焼き付けることによって形成される。必要に応じて、焼付けによって形成された上記厚膜上に、たとえば、Ｎｉめっきおよびその上にＳｎめっきが施されてもよい。
積層セラミックコンデンサ１は、たとえば、次のような工程を経て製造される。まず、上記のような組成となるセラミックの原料粉末を含むセラミックスラリーを作製する。次いで、セラミックスラリーに適宜のシート成形法を適用して、セラミックグリーンシートを成形する。次いで、複数のセラミックグリーンシートのうち所定のセラミックグリーンシート上に、内部電極４および５の各々となるべき導電性ペーストを印刷等で塗布する。次いで、複数のセラミックグリーンシートを積層した後に圧着して、生の積層体を得る。次いで、生の積層体を焼成する。この焼成する工程で、セラミックグリーンシートが誘電体層３となる。その後、積層体３の端面に外部電極６および７を形成する。
上述した積層セラミックコンデンサ１の製造に際して用いられる内部電極４および５となるべき導電性ペーストは、好ましくは、以下のように作製される。
導電性ペーストの作製にあたっては、セラミック粉末、有機溶剤および分散剤を含むセラミック粉末スラリーを準備する第１工程と、導電性金属粉末、有機溶剤および分散剤を含む金属粉末スラリーを準備する第２工程と、有機樹脂成分および有機溶剤を含む有機ビヒクルを準備する第３工程と、上記セラミック粉末スラリー、金属粉末スラリーおよび有機ビヒクルを混合する第４工程とが実施される。
より詳細には、第１工程では、セラミック粉末および分散剤を有機溶剤に混合することによって、セラミック粉末スラリーが作製される。
上記セラミック粉末としては、たとえば、ＡＢＯ３酸化物としてのＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３から選ばれる少なくとも１種からなるものが用いられ、さらに、これに加えて、共材としてのＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３およびＣａＺｒＯ３から選ばれる少なくとも１種からなるものが用いられることがある。
後述する第２工程で作製される金属粉末スラリーに含まれる導電性金属粉末が銅を含むとき、上述のＡＢＯ３酸化物としてのＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３は、銅の６配位でのイオン半径に対する、ＡＢＯ３におけるＡサイトの元素の６配位でのイオン半径の比率が０．９６以上かつ１．０４以下となる、特定イオン半径のＡＢＯ３型の酸化物となる。
ＡＢＯ３酸化物としてのＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３から選ばれる少なくとも１種からなるセラミック粉末によれば、焼成時において、第２工程で作製される金属粉末スラリーに含まれる導電性金属粉末との間で生じ得る反応を抑えることができる。セラミック粉末は、上記ＡＢＯ３酸化物を主成分とし、さらに、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｙ、ＤｙおよびＧｄの少なくとも１種を副成分として含んでいてもよい。このような副成分を含んでいる場合、セラミック粒子の粒成長が抑制され、金属粒子の焼結を効果的に抑制することができることがある。
第１工程でセラミック粉末に混合される分散剤としては、たとえば、アニオン系高分子分散剤を用いることができ、有機溶剤としては、たとえば、ジヒドロターピネオールを用いることができる。
第２工程では、導電性金属粉末および分散剤を有機溶剤に混合することによって、金属粉末スラリーが作製される。導電性金属粉末としては、たとえば、銅またはその合金からなる粉末が用いられる。第２工程で用いられる分散剤および有機溶剤としては、第１工程で用いられるものと同様のものを用いることができる。
第３工程では、有機樹脂成分を有機溶剤に混合することによって、有機ビヒクルが作製される。有機樹脂成分としては、たとえば、エチルセルロース樹脂を用いることができる。第３工程で用いられる有機溶剤についても、第１工程で用いられるものと同様のものを用いることができる。
第４工程では、上述したセラミック粉末スラリー、金属粉末スラリーおよび有機ビヒクルが混合される。これによって、内部電極４および５となるべき導電性ペーストが得られる。この導電性ペーストは、セラミック粉末スラリーを含み、セラミック粉末スラリーは、前述したように、特定イオン半径のＡＢＯ３酸化物としてのＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３から選ばれる少なくとも１種からなるセラミック粉末を含むので、焼成工程を経て製造された積層セラミックコンデンサ１に備える内部電極４および５は、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３から選ばれる少なくとも１種を含むことになる。
［実験例］
次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
この実験例では、内部電極形成用導電性ペーストに含まれる導電性金属粉末として、銅粉末を用意した。
他方、内部電極形成用導電性ペーストに含まれるセラミック粉末を構成する特定イオン半径のＡＢＯ３酸化物として、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３に加えて、ＢａＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３およびＳｒＴｉＯ３を用意した。表１には、これらＡＢＯ３酸化物について、「結晶構造」、「配位数」、「Ａサイト元素」および「イオン半径」が示されている。なお、Ｂａ、ＣａおよびＳｒは、元のペロブスカイト構造のときには１２配位であるが、Ｂａ、ＣａおよびＳｒについても、イルミナイト構造の６配位の元素（Ｃｕ，Ｃｏ，Ｃｒ）のサイトに固溶していくときには６配位であるため、表１の「イオン半径」は、６配位での値を示している。
Figure 0007635889000001
以下に、誘電体層を構成するセラミック原料を変えて実施した実験例１、実験例２および実験例３について説明する。
（実験例１）誘電体層を構成するセラミックの主成分：ＢａＴｉＯ３
１．誘電体層を構成するＢａＴｉＯ３系セラミック原料の作製
出発原料として、主成分のＢａＣＯ３およびＴｉＯ２の各粉末を秤量し、ボールミルにより７２時間混合した後、トップ温度１０００℃で２時間熱処理し、熱処理粉末を得た。他方、副成分として、ＭｎＯ、Ｄｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２およびＢａＣＯ３の各粉末を用意し、上記熱処理粉末に対し、副成分粉末が、１００ＢａＴｉＯ３＋０．５Ｍｎ＋１．０Ｄｙ＋１．０Ｍｇ＋１．０Ｓｉ＋２．０Ｂａの組成比となるように秤量し、これら副成分粉末を上記熱処理粉末に加えてボールミルにより２４時間混合した後、乾燥させ、ＢａＴｉＯ３系セラミック原料粉末を得た。
２．内部電極形成用導電性ペーストの作製
後掲の表２に示す「ＡＢＯ３酸化物」の粉末と上記誘電体層のためのＢａＴｉＯ３系セラミック原料粉末とを、内部電極形成用導電性ペーストに含まれるセラミック粉末として用いた。
これら「ＡＢＯ３酸化物」の粉末とＢａＴｉＯ３系セラミック原料粉末とを表２に示す「添加比率」となるように秤量し、これら粉末と、有機溶剤としてのジヒドロターピネオールと、分散剤としてのアニオン系高分子分散剤とを、無媒体攪拌式ミルで予備混合した後、媒体攪拌式ミルで分散処理し、セラミック粉末スラリーを作製した（第１工程）。
他方、導電性金属粉末としての銅粉末と、有機溶剤としてのジヒドロターピネオールと、分散剤としてのアニオン系高分子分散剤とを、３本ロールミルで分散処理し、金属粉末スラリーを作製した（第２工程）。
さらに、有機樹脂成分としてのエチルセルロース樹脂と、有機溶剤であるジヒドロターピネオールとを混合して、有機ビヒクルを得た（第３工程）。
その後、上記有機ビヒクルに、上記金属粉末スラリーと上記セラミック粉末スラリーとを加えて、混合・分散処理し、内部電極形成用導電性ペーストを作製した（第４工程）。
表２には、内部電極に含まれるべき銅の６配位でのイオン半径に対する、Ａサイト元素の６配位でのイオン半径の比率、すなわち、「イオン半径比（Ａサイト元素／金属銅）」が示されている。なお、試料７については、銅の６配位でのイオン半径（０．７７Å）に対する、Ｂａ元素の表１に示した６配位でのイオン半径（１．３５Å）の比率が示されている。
３．積層セラミックコンデンサの作製
上記１で作製されたＢａＴｉＯ３系セラミック原料粉末を含むセラミックスラリーを作製し、次いで、セラミックスラリーにドクターブレード法を適用して、セラミックグリーンシートを成形した。次いで、複数のセラミックグリーンシートのうち所定のセラミックグリーンシート上に、上記２で作製された内部電極形成用導電性ペーストをスクリーン印刷により塗布した。次いで、複数のセラミックグリーンシートを積層した後に圧着して、生の積層体を得た。次いで、生の積層体を焼成した。その後、焼結した積層体の端面に外部電極を形成し、試料となる積層セラミックコンデンサを作製した。
４．評価
Figure 0007635889000002
試料となる積層セラミックコンデンサに備える積層体の高さ方向における中央部に位置する内部電極と誘電体層とを電界剥離により互いに引き剥がした。
次に、露出した内部電極の中央部（幅方向での１／２かつ長さ方向での１／２の位置）付近を、顕微鏡を用いて倍率１００倍で観察した。そして、得られた画像を解析することにより、露出した部分における内部電極としての導体膜が占める面積の割合を表２に示した「カバレージ」として求めた。「カバレージ」が８０％以上のものを良好と判定し、「評価」の欄に「○」を記入し、「カバレージ」が８０％より低いものを不良と判定し、「評価」の欄に「×」を記入した。
５．考察
表２の試料１～６は、「評価」が「○」である。これら試料１～６では、内部電極がＡＢＯ３酸化物としてＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３のいずれかを含んでいる。また、内部電極は、導電成分として、銅を含んでいる。
ここで、イオン半径について注目すると、まず、表１の「ＣｕＴｉＯ３」の項に示すように、銅の６配位でのイオン半径は０．７７Åである。他方、試料１～６における内部電極に含まれるＡＢＯ３酸化物としてＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３の各々のＡサイトの元素の６配位でのイオン半径は、表１に示すように、それぞれ、０．７７Å、０．７４Åおよび０．８０Åである。
「○」と評価された試料１～６では、導電性金属粒子に含まれる金属元素の６配位でのイオン半径に対する、ＡＢＯ３におけるＡサイトの元素の６配位でのイオン半径の比率、すなわち、「イオン半径比」が０．９６以上かつ１．０４以下である。
このように、試料１～６におけるＡＢＯ３酸化物としてのＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３は、ＡＢＯ３におけるＡサイトの元素の６配位でのイオン半径が、内部電極に含まれるべき導電性金属としての銅の６配位でのイオン半径に等しいか、近いので、内部電極中の銅とのエネルギー差が０か、小さくなるため、内部電極部分から吐き出されずに残り、内部電極の耐熱性を向上させるように作用する。その結果、試料１～６では、カバレージが８４％以上と高くなったものと推測される。
また、試料４～６のように、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３の添加比率は、必ずしも１００％ではなく、１０％以上であれば、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３のいずれをも含まない場合に比べて、カバレージ向上の効果が認められた。なお、実験例１では、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３の添加比率が１０％である試料４～６のカバレージは、添加比率が１００％である試料１～３のカバレージと等しい値を示していることにも注目される。
これらに対して、「×」と評価された試料７では、共材としてのＢａＴｉＯ３のみが内部電極中に添加されている。この場合、ペロブスカイト構造のＡＢＯ３におけるＡサイトの元素であるＢａは１２配位であるが、イルミナイト構造のＡサイトに固溶する際はイルミナイト構造のＡサイトの配位数である６配位でのイオン半径で比較する必要があり、Ｂａの６配位でのイオン半径は、表１に示すように、１．３５Åである。したがって、銅の６配位でのイオン半径に対する、Ｂａの６配位でのイオン半径の比率、すなわち、「イオン半径比」が１．７５である。よって、「イオン半径比」は０．９６以上かつ１．０４以下の範囲から外れ、カバレージが７４％と低くなった。
試料７では、「イオン半径比」は０．９６以上かつ１．０４以下の範囲から外れ、ＢａＴｉＯ３が内部電極部分から吐き出されてしまい、内部電極の耐熱性が向上せず、カバレージが低くなったものと推測される。
（実験例２）誘電体層を構成するセラミックの主成分：ＣａＺｒＯ３
１．誘電体層を構成するＣａＺｒＯ３系セラミック原料の作製
出発原料として、主成分のＣａＣＯ３およびＺｒＯ２の各粉末、ならびに副成分のＭｎＯ、ＳｉＯ２およびＭｇＯの各粉末を秤量し、ボールミルにより７２時間混合した後、トップ温度１０００℃で２時間熱処理し、ＣａＺｒＯ３系セラミック原料粉末を得た。
２．内部電極形成用導電性ペーストの作製
後掲の表３に示す「ＡＢＯ３酸化物」の粉末と上記誘電体層のためのＣａＺｒＯ３系セラミック原料粉末とを、内部電極形成用導電性ペーストに含まれるセラミック粉末として用いた。
これら「ＡＢＯ３酸化物」の粉末とＣａＺｒＯ３系セラミック原料粉末とを表３に示す「添加比率」となるように秤量し、上記実験例１の場合と同様の工程を経て、内部電極形成用導電性ペーストを作製した。
表３には、表２の場合と同様、「イオン半径比（Ａサイト元素／金属銅）」が示されている。なお、試料１７については、銅の６配位でのイオン半径（０．７７Å）に対する、Ｃａ元素の表１に示した６配位でのイオン半径（１．００Å）の比率が示されている。
３．積層セラミックコンデンサの作製
上記１で作製されたＣａＺｒＯ３系セラミック原料粉末を含むセラミックスラリーを作製し、次いで、セラミックスラリーにドクターブレード法を適用して、セラミックグリーンシートを成形した。以後、実験例１の場合と同様の工程を経て、試料となる積層セラミックコンデンサを作製した。
４．評価
Figure 0007635889000003
実験例１の場合と同様の手順に従って、表３に示すように、「カバレージ」を求め、同様に評価した。
５．考察
表３の試料１１～１６は、「評価」が「○」である。これら試料１１～１６では、内部電極がＡＢＯ３酸化物としてＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３のいずれかを含んでいる。また、内部電極は、導電成分として、銅を含んでいる。
ここで、イオン半径について注目すると、まず、表１の「ＣｕＴｉＯ３」の項に示すように、銅の６配位でのイオン半径は０．７７Åである。他方、試料１１～１６における内部電極に含まれるＡＢＯ３酸化物としてＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３の各々のＡサイトの元素の６配位でのイオン半径は、表１に示すように、それぞれ、０．７７Å、０．７４Åおよび０．８０Åである。
「○」と評価された試料１１～１６では、導電性金属粒子に含まれる金属元素の６配位でのイオン半径に対する、ＡＢＯ３におけるＡサイトの元素の６配位でのイオン半径の比率、すなわち、「イオン半径比」が０．９６以上かつ１．０４以下である。
このように、試料１１～１６におけるＡＢＯ３酸化物としてのＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３は、ＡＢＯ３におけるＡサイトの元素の６配位でのイオン半径が、内部電極に含まれるべき導電性金属としての銅の６配位でのイオン半径に等しいか、近いので、内部電極中の銅とのエネルギー差が０か、小さくなるため、内部電極部分から吐き出されずに残り、内部電極の耐熱性を向上させるように作用し、その結果、試料１１～１６では、カバレージが８１％以上と高くなったものと推測される。
また、試料１４～１６のように、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３の添加比率は、必ずしも１００％ではなく、１０％以上であれば、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３のいずれをも含まない場合に比べて、カバレージ向上の効果が認められた。
これらに対して、「×」と評価された試料１７では、共材としてのＣａＺｒＯ３のみが内部電極中に添加されている。この場合、ペロブスカイト構造のＡＢＯ３におけるＡサイトの元素であるＣａは１２配位であるが、イルミナイト構造のＡサイトに固溶する際はイルミナイト構造のＡサイトの配位数である６配位でのイオン半径で比較する必要があり、Ｃａの６配位でのイオン半径は、表１に示すように、１．００Åである。したがって、銅の６配位でのイオン半径に対する、Ｃａの６配位でのイオン半径の比率、すなわち、「イオン半径比」が１．３０である。よって、「イオン半径比」は０．９６以上かつ１．０４以下の範囲から外れ、カバレージが７２％と低くなった。
試料１７では、「イオン半径比」は０．９６以上かつ１．０４以下の範囲から外れ、ＣａＺｒＯ３が内部電極部分から吐き出されてしまい、内部電極の耐熱性が向上せず、カバレージが低くなったものと推測される。
（実験例３）誘電体層を構成するセラミックの主成分：ＳｒＴｉＯ３
１．誘電体層を構成するＳｒＴｉＯ３系セラミック原料の作製
出発原料として、主成分のＳｒＣＯ３およびＴｉＯ２の各粉末、ならびに副成分のＭｎＯ、ＳｉＯ２およびＭｇＯの各粉末を秤量し、ボールミルにより７２時間混合した後、トップ温度１０００℃で２時間熱処理し、ＳｒＴｉＯ３系セラミック原料粉末を得た。
２．内部電極形成用導電性ペーストの作製
後掲の表４に示す「ＡＢＯ３酸化物」の粉末と上記誘電体層のためのＳｒＴｉＯ３系セラミック原料粉末とを、内部電極形成用導電性ペーストに含まれるセラミック粉末として用いた。
これら「ＡＢＯ３酸化物」の粉末とＳｒＴｉＯ３系セラミック原料粉末とを表４に示す「添加比率」となるように秤量し、上記実験例１の場合と同様の工程を経て、内部電極形成用導電性ペーストを作製した。
表４には、表２の場合と同様、「イオン半径比（Ａサイト元素／金属銅）」が示されている。なお、試料２７については、銅の６配位でのイオン半径（０．７７Å）に対する、Ｓｒ元素の表１に示した６配位でのイオン半径（１．１８Å）の比率が示されている。
３．積層セラミックコンデンサの作製
上記１で作製されたＳｒＴｉＯ３系セラミック原料粉末を含むセラミックスラリーを作製し、次いで、セラミックスラリーにドクターブレード法を適用して、セラミックグリーンシートを成形した。以後、実験例１の場合と同様の工程を経て、試料となる積層セラミックコンデンサを作製した。
４．評価
Figure 0007635889000004
実験例１の場合と同様の手順に従って、表４に示すように、「カバレージ」を求め、同様に評価した。
５．考察
表４の試料２１～２６は、「評価」が「○」である。これら試料２１～２６では、内部電極がＡＢＯ３酸化物としてＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３のいずれかを含んでいる。また、内部電極は、導電成分として、銅を含んでいる。
ここで、イオン半径について注目すると、まず、表１の「ＣｕＴｉＯ３」の項に示すように、銅の６配位でのイオン半径は０．７７Åである。他方、試料２１～２６における内部電極に含まれるＡＢＯ３酸化物としてＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３の各々のＡサイトの元素の６配位でのイオン半径は、表１に示すように、それぞれ、０．７７Å、０．７４Åおよび０．８０Åである。
「○」と評価された試料２１～２６では、導電性金属粒子に含まれる金属元素の６配位でのイオン半径に対する、ＡＢＯ３におけるＡサイトの元素の６配位でのイオン半径の比率、すなわち、「イオン半径比」が０．９６以上かつ１．０４以下である。
このように、試料２１～２６におけるＡＢＯ３酸化物としてのＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３は、ＡＢＯ３におけるＡサイトの元素の６配位でのイオン半径が、内部電極に含まれるべき導電性金属としての銅の６配位でのイオン半径に等しいか、近いので、内部電極中の銅とのエネルギー差が０か、小さくなるため、内部電極部分から吐き出されずに残り、内部電極の耐熱性を向上させるように作用し、その結果、試料２１～２６では、カバレージが８０％以上と高くなったものと推測される。
また、試料２４～２６のように、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３の添加比率は、必ずしも１００％ではなく、１０％以上であれば、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３のいずれをも含まない場合に比べて、カバレージ向上の効果が認められた。
これらに対して、「×」と評価された試料２７では、共材としてのＳｒＴｉＯ３のみが内部電極中に添加されている。この場合、ペロブスカイト構造のＡＢＯ３におけるＡサイトの元素であるＳｒは１２配位であるが、イルミナイト構造のＡサイトに固溶する際はイルミナイト構造のＡサイトの配位数である６配位でのイオン半径で比較する必要があり、Ｓｒの６配位でのイオン半径は、表１に示すように、１．１８Åである。したがって、銅の６配位でのイオン半径に対する、Ｓｒの６配位でのイオン半径の比率、すなわち、「イオン半径比」が１．５３である。よって、「イオン半径比」は０．９６以上かつ１．０４以下の範囲から外れ、カバレージが７０％と低くなった。
試料２７では、「イオン半径比」は０．９６以上かつ１．０４以下の範囲から外れ、ＳｒＴｉＯ３が内部電極部分から吐き出されてしまい、内部電極の耐熱性が向上せず、カバレージが低くなったものと推測される。
以上説明した実験例１ないし３では、内部電極形成用導電性ペーストに含まれる導電性金属粉末として、銅粉末を用いた。
しかしながら、内部電極に含まれる導電性金属元素の６配位でのイオン半径が、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３におけるＡサイトの元素の６配位でのイオン半径の（１／１．０４）以上かつ（１／０．９６）以下となるような関係を満たせば、内部電極に含まれる導電性金属として、銅以外の金属が用いられてもよい。
この発明の実施態様には、次のようなものがある。
＜１＞
セラミックからなる積層された複数の誘電体層と、前記誘電体層間の複数の界面に沿ってそれぞれ配置された複数の内部電極と、を有する、積層体を備え、
前記内部電極は、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３から選ばれる少なくとも１種を含む、
積層セラミックコンデンサ。
＜２＞
前記内部電極は、導電成分として銅を含む、＜１＞に記載の積層セラミックコンデンサ。
＜３＞
前記内部電極は、１μｍ以下の厚みを有する、＜１＞または＜２＞に記載の積層セラミックコンデンサ。
＜４＞
前記内部電極は、８０％以上のカバレージを有する、＜１＞ないし＜３＞のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
＜５＞
前記誘電体層は、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３およびＣａＺｒＯ３から選ばれる少なくとも１種を主成分とするセラミックからなり、前記内部電極は、前記誘電体層に含まれるＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３およびＣａＺｒＯ３から選ばれる少なくとも１種をさらに含む、＜１＞ないし＜４＞のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
１ 積層セラミックコンデンサ
２ 積層体
３ 誘電体層
４，５ 内部電極
６，７ 外部電極

Claims (5)

  1. セラミックからなる積層された複数の誘電体層と、前記誘電体層間の複数の界面に沿ってそれぞれ配置された複数の内部電極と、を有する、積層体を備え、
    前記内部電極は、ＣｕＴｉＯ３、ＣｏＴｉＯ３およびＣｒＴｉＯ３から選ばれる少なくとも１種を含む、
    積層セラミックコンデンサ。
  2. 前記内部電極は、導電成分として銅を含む、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
  3. 前記内部電極は、１μｍ以下の厚みを有する、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
  4. 前記内部電極は、８０％以上のカバレージを有する、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
  5. 前記誘電体層は、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３およびＣａＺｒＯ３から選ばれる少なくとも１種を主成分とするセラミックからなり、前記内部電極は、前記誘電体層に含まれるＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３およびＣａＺｒＯ３から選ばれる少なくとも１種をさらに含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
JP2024530348A 2022-06-26 2023-05-11 積層セラミックコンデンサ Active JP7635889B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022102290 2022-06-26
JP2022102290 2022-06-26
PCT/JP2023/017696 WO2024004394A1 (ja) 2022-06-26 2023-05-11 積層セラミックコンデンサ

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2024004394A1 JPWO2024004394A1 (ja) 2024-01-04
JPWO2024004394A5 JPWO2024004394A5 (ja) 2024-07-26
JP7635889B2 true JP7635889B2 (ja) 2025-02-26

Family

ID=89381971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024530348A Active JP7635889B2 (ja) 2022-06-26 2023-05-11 積層セラミックコンデンサ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US12412700B2 (ja)
JP (1) JP7635889B2 (ja)
KR (1) KR20250002675A (ja)
CN (1) CN118901112A (ja)
WO (1) WO2024004394A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284162A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Kyocera Corp 導電性ペーストおよび積層型電子部品並びにその製法
JP2013214698A (ja) 2012-04-02 2013-10-17 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 内部電極用導電性ペースト組成物及びそれを含む積層セラミック電子部品

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3838071A (en) * 1972-06-30 1974-09-24 Du Pont High adhesion silver-based metallizations
JP3877214B2 (ja) 2003-09-30 2007-02-07 Ｔｄｋ株式会社 積層型電子部品および積層型電子部品の製造方法
TW200616920A (en) * 2004-09-01 2006-06-01 Tdk Corp Glass composition for thick-film resistor paste, thick-film resistor paste, thick-film resistor, and electronic device
JP2015083714A (ja) * 2013-09-18 2015-04-30 株式会社村田製作所 複合粉末の製造方法およびこの製造方法により得られた複合粉末を用いた導電性厚膜ペーストおよび積層セラミック電子部品
JP2016031807A (ja) 2014-07-28 2016-03-07 住友金属鉱山株式会社 導電性ペースト及びその製造方法
JP6437270B2 (ja) 2014-10-21 2018-12-12 株式会社クラレ ビニルアセタール系重合体樹脂組成物並びにそれを用いたフィルム、セラミックグリーンシート及び積層体
JP6823976B2 (ja) 2016-09-06 2021-02-03 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284162A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Kyocera Corp 導電性ペーストおよび積層型電子部品並びにその製法
JP2013214698A (ja) 2012-04-02 2013-10-17 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 内部電極用導電性ペースト組成物及びそれを含む積層セラミック電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
CN118901112A (zh) 2024-11-05
US20240222014A1 (en) 2024-07-04
JPWO2024004394A1 (ja) 2024-01-04
US12412700B2 (en) 2025-09-09
KR20250002675A (ko) 2025-01-07
WO2024004394A1 (ja) 2024-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20040078565A (ko) 유전체 세라믹 및 그 제조방법, 적층 세라믹 콘덴서
JP7512563B2 (ja) 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ
JP7597235B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP7635889B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP7635888B2 (ja) 導電性ペースト
JP7711846B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP7597236B2 (ja) 導電性ペースト
JP7711847B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
WO2024181021A1 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP2024003266A (ja) 導電性ペースト
JP2024003265A (ja) 導電性ペースト
WO2024181020A1 (ja) 導電性ペースト

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240325

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240325

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20240710

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20250114

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20250127

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7635889

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150