JP7622367B2 - ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイボンディングフィルム、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイボンディングフィルム、及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

本開示は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、ダイボンディングフィルム、及び半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体装置は以下の工程を経て製造される。まず、ダイシング用粘着シートに半導体ウェハを貼り付け、その状態で半導体ウェハを半導体チップに個片化する（ダイシング工程）。その後、紫外線照射工程、ピックアップ工程、圧着工程、及びダイボンディング工程等が実施される。特許文献１は、ダイシング工程において半導体ウェハを固定する機能と、ダイボンディング工程において半導体チップを基板と接着させる機能とを併せ持つ粘接着シート（ダイシングダイボンディングシート）を開示する。ダイシング工程において、半導体ウェハ及び接着剤層を個片化することによって、接着剤片付きチップが得られる。
近年、電力の制御等を行うパワー半導体装置と称されるデバイスが普及している。パワー半導体装置は供給される電流に起因して熱が発生し易く、優れた放熱性が求められる。特許文献２は、硬化前の放熱性より硬化後の放熱性が高い導電性フィルム状接着剤及びフィルム状接着剤付きダイシングテープを開示する。
特開２００８－２１８５７１号公報 特許第６３９６１８９号公報
本発明者らは、優れた放熱性を有する半導体装置を開発する過程において、充分な放熱性が得られる量（例えば、ダイボンディングフィルムの全量を基準として、７５質量％以上）の銀含有粒子を配合したダイボンディングフィルムからなる粘着層と接着剤層とを有するダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いたところ、紫外線照射後に粘着層と接着剤層との接着強度が充分に低減されない場合があることを見出した。粘着層と接着剤層との接着強度が充分に低減されないと、後続のピックアップ工程において、粘着層から接着剤片付きチップをピックアップできないという不具合が生じる場合がある。
そこで、本開示の一側面は、粘着層と接着剤層とを備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムにおいて、紫外線照射後の粘着層と接着剤層との接着強度を充分に低減させることが可能なダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを提供することを目的とする。
本開示の一側面は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに関する。当該ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、基材と基材上に設けられた粘着層とを有するダイシングテープと、ダイシングテープの粘着層上に配置されたダイボンディングフィルムとを備える。ダイボンディングフィルムは、飽和脂肪酸で表面処理された銀含有粒子を含有し、当該銀含有粒子の含有量は、ダイボンディングフィルムの全量を基準として、７５質量％以上である。このようなダイシング・ダイボンディング一体型フィルムによれば、紫外線照射後の粘着層と接着剤層との接着強度を充分に低減させることが可能となる。本発明者らの検討によると、不飽和脂肪酸で表面処理された銀含有粒子を用いると、粘着層と接着剤層との接着強度が充分に低減されず、そのまま維持される傾向にあることが判明した。この理由は必ずしも明らかではないが、例えば、紫外線照射によって不飽和脂肪酸の不飽和結合と粘着層の成分との反応が進行して、粘着層と接着剤層とが分離し難くなることが考えられる。そのため、不飽和脂肪酸ではなく、飽和脂肪酸で表面処理された銀含有粒子を用いることによって、粘着層の成分との反応を抑制することができ、紫外線照射後の粘着層と接着剤層との接着強度を充分に低減させることが可能になると推測される。また、飽和脂肪酸で表面処理された銀含有粒子を用いることによって、接着剤層における他の樹脂成分との相溶性が向上し、接着剤層の表面粗さ（Ｒａ）が改善される傾向にある。接着剤層の表面粗さ（Ｒａ）が改善されることによって、粘着層と接着剤層との密着性が改善し、例えば、ダイシング工程において粘着層から接着剤片付きチップが離脱するという不具合（チップ飛び）を抑制することができる。さらに、ダイボンディング工程後のダイシェア強度にも優れる傾向にある。
飽和脂肪酸の炭素数は８～２０であってよい。このような脂肪酸を用いることによって、紫外線照射後の粘着層と接着剤層との接着強度をより充分に低減させることが可能となる。
ダイボンディングフィルムは、熱硬化性樹脂、硬化剤、及びエラストマーをさらに含有していてもよい。これらを含有するダイボンディングフィルムは、表面粗さ（Ｒａ）を調整し易い傾向にある。
熱硬化性樹脂は、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。熱硬化性樹脂がこのようなエポキシ樹脂を含むことによって、表面粗さ（Ｒａ）が改善されたダイボンディングフィルムが得られ易い傾向にある。
本開示の他の一側面は、半導体装置の製造方法に関する。当該半導体装置の製造方法は、上記に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのダイボンディングフィルムを半導体ウェハに貼り付ける工程と、半導体ウェハ及びダイボンディングフィルムを個片化する工程と、粘着層に対して、紫外線を照射する工程と、ダイシングテープからダイボンディングフィルム片が付着した半導体チップをピックアップする工程と、ダイボンディングフィルム片を介して、半導体チップを支持基板に接着する工程とを備える。このような半導体装置の製造方法によれば、上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いることから、放熱性に優れる半導体装置を製造することが可能となる。
本開示の他の一側面は、ダイボンディングフィルムに関する。当該ダイボンディングフィルムは、飽和脂肪酸で表面処理された銀含有粒子を含有する。銀含有粒子の含有量は、ダイボンディングフィルムの全量を基準として、７５質量％以上である。
本開示によれば、粘着層と接着剤層とを備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムにおいて、紫外線照射後の粘着層と接着剤層との接着強度を充分に低減させることが可能なダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが開示される。また、本開示によれば、このようなダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いた半導体装置の製造方法が提供される。さらに、本開示によれば、このようなダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに好適に用いられるダイボンディングフィルムが提供される。
図１は、ダイボンディングフィルムの一実施形態を示す模式断面図である。 図２は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。 図３は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、及び（ｆ）は、各工程を模式的に示す断面図である。 図４は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。
以下、図面を適宜参照しながら、本開示の実施形態について説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。
本明細書における数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリル共重合体等の他の類似表現についても同様である。
［ダイボンディングフィルム］
図１は、ダイボンディングフィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図１に示されるダイボンディングフィルム１０は、第１の表面１０Ａ及び第１の表面１０Ａと反対側の第２の表面１０Ｂを有する。第１の表面１０Ａは、後述のとおり、ダイシングテープの粘着層上に配置される表面であり得る。ダイボンディングフィルム１０は、図１に示すとおり、支持フィルム２０上に設けられていてもよい。ダイボンディングフィルム１０は、熱硬化性であり、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、硬化処理後に完全硬化物（Ｃステージ）状態となり得る。
ダイボンディングフィルム１０は、（ａ）飽和脂肪酸で表面処理された銀含有粒子を含有し、必要に応じて、（ｂ）熱硬化性樹脂、（ｃ）硬化剤、及び（ｄ）エラストマーをさらに含有していてもよい。
（ａ）成分：飽和脂肪酸で表面処理された銀含有粒子
（ａ）成分は、ダイボンディングフィルムにおける放熱性を高めるために用いられる成分である。（ａ）成分における表面処理される前の銀含有粒子（（ａ１）成分）は、粒子の表面に銀を含む粒子であってよく、例えば、銀から構成される銀粒子又は金属粒子（銅粒子等）の表面を銀で被覆した銀被覆金属粒子であってもよい。銀被覆金属粒子は、例えば、銀被覆銅粒子等であってよい。（ａ１）成分は、銀から構成される銀粒子であってよい。
（ａ）成分は、（ａ１）成分を飽和脂肪酸で表面処理したものである。（ａ１）成分は、例えば、脂肪酸等で表面処理することによって、粒子同士の凝集を防ぐことが可能となる。加えて、（ａ）成分は、（ａ１）成分を不飽和脂肪酸ではなく、飽和脂肪酸で表面処理したものであることから、不飽和脂肪酸の不飽和結合と粘着層の成分との反応を抑制することができると推測される。これによって、紫外線照射後の粘着層と接着剤層との接着強度を充分に低減させることが可能になると考えられる。
飽和脂肪酸としては、例えば、カプロン酸（ヘキサン酸）、ヘプタン酸（エナント酸）、カプリル酸（オクタン酸）、ペラルゴン酸（ノナン酸）、カプリン酸（デカン酸）、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ノナデシル酸、アラキジン酸、ヘンイコシル酸、ベヘン酸、トリコシル酸、リグノセリン酸等が挙げられる。これらの中でも、飽和脂肪酸の炭素数は、例えば、６以上、８以上、１０以上、１２以上、１４以上、又は１６以上であってよく、３０以下、２４以下、２２以下、又は２０以下であってよい。飽和脂肪酸の炭素数がこのような範囲にあると、紫外線照射後の粘着層と接着剤層との接着強度をより充分に低減させることが可能となる。また、接着剤層における他の樹脂成分との相溶性が向上し、接着剤層の表面粗さ（Ｒａ）が改善される傾向にあり、さらには、ダイボンディング工程後のダイシェア強度にも優れる傾向にある。
（ａ１）成分を飽和脂肪酸で表面処理する方法は、特に制限されず、従来公知の方法を適用することができる。例えば、還元剤を用いた液相還元法による銀を含む粒子の製造において、表面処理剤（滑剤）として、飽和脂肪酸を用いることによって、（ａ１）成分を飽和脂肪酸で表面処理することができる。
（ａ）成分の形状及び（ａ１）成分は、特に制限されず、例えば、フレーク状、樹脂状、球状等であってよいが、（ａ）成分の形状は、球状であることが好ましい。（ａ）成分の形状が球状であると、表面粗さ（Ｒａ）が改善されたダイボンディングフィルムが得られ易い傾向にある。なお、（ａ）成分の形状は、（ａ１）成分の形状が維持される傾向にある。
（ａ）成分及び（ａ１）成分の平均粒径は、０．０１～１０μｍであってよい。（ａ）成分の平均粒径が０．０１μｍ以上であると、接着剤ワニスを作製したときの粘度上昇を防ぎ、所望の量の（ａ）成分をダイボンディングフィルムに含有させることができるとともに、ダイボンディングフィルムの被着体への濡れ性を確保してより良好な接着性を発揮させることができる傾向にある。（ａ）成分の平均粒径が１０μｍ以下であると、フィルム成形性により優れ、（ａ）成分の添加による放熱性をより向上させることができる傾向にある。また、このような範囲にすることによって、ダイボンディングフィルムの厚さをより薄くすることができ、さらに半導体チップを高積層化することができるとともに、ダイボンディングフィルムから（ａ）成分が突き出すことによるチップクラックの発生を防止することができる傾向にある。（ａ）成分及び（ａ１）成分の平均粒径は、０．１μｍ以上、０．５μｍ以上、１．０μｍ以上、又は１．５μｍ以上であってもよく、８．０μｍ以下、７．０μｍ以下、６．０μｍ以下、５．０μｍ以下、４．０μｍ以下、又は３．０μｍ以下であってもよい。（ａ）成分の平均粒径が５．０μｍ以下であると、表面粗さ（Ｒａ）が改善されたダイボンディングフィルムが得られ易い傾向にある。なお、（ａ）成分の平均粒径は、（ａ）成分全体の体積に対する比率（体積分率）が５０％のときの粒径（Ｄ５０）を意味する。（ａ）成分の平均粒径（Ｄ５０）は、レーザー散乱型粒径測定装置（例えば、マイクロトラック）を用いて、水中に（ａ）成分を懸濁させた懸濁液をレーザー散乱法によって測定することによって求めることができる。（ａ１）成分の平均粒径も、（ａ）成分の平均粒径と同義であり、同様の方法によって求めることができる。また、（ａ）成分の平均粒径は、（ａ１）成分の平均粒径が維持される傾向にある。
（ａ）成分及び（ａ１）成分は、球状粒子であり、かつその平均粒径が５．０μｍ以下であることが好ましい。
（ａ）成分の含有量は、ダイボンディングフィルムの全量を基準として、７５質量％以上である。（ａ）成分の含有量が、ダイボンディングフィルムの全量を基準として、７５質量％以上であると、ダイボンディングフィルムの熱伝導率を向上させることができ、結果として、放熱性を向上させることができる。（ａ）成分の含有量は、ダイボンディングフィルムの全量を基準として、７７質量％以上、８０質量％以上、８３質量％以上、又は８５質量％以上であってもよい。（ａ）成分の含有量の上限は、特に制限されないが、ダイボンディングフィルムの全量を基準として、９８質量％以下、９６質量％以下、又は９５質量％以下であってよい。
（ｂ）成分：熱硬化性樹脂
（ｂ）成分は、加熱等によって、分子間で三次元的な結合を形成し硬化する性質を有する成分であり、硬化後に接着作用を示す成分である。（ｂ）成分は、エポキシ樹脂であってよい。（ｂ）成分は、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。エポキシ樹脂は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。エポキシ樹脂は、分子内に２以上のエポキシ基を有しているものであってよい。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、エポキシ樹脂は、硬化物の耐熱性等の観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂又はクレゾールノボラック型エポキシ樹脂であってよい。
エポキシ樹脂は、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。このようなエポキシ樹脂を含むことによって、表面粗さ（Ｒａ）が改善されたダイボンディングフィルムが得られ易い傾向にある。２５℃で液状のエポキシ樹脂の市販品としては、例えば、ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ（商品名、ＤＩＣ株式会社製）、ＹＤＦ－８１７０Ｃ（商品名、日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社）等が挙げられる。
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、特に制限されないが、９０～３００ｇ／ｅｑ、１１０～２９０ｇ／ｅｑ、又は１１０～２９０ｇ／ｅｑであってよい。（Ａ）成分のエポキシ当量がこのような範囲にあると、ダイボンディングフィルムのバルク強度を維持しつつ、ダイボンディングフィルムを形成する際の接着剤組成物の流動性を確保し易い傾向にある。
（ｂ）成分の含有量は、ダイボンディングフィルムの全量を基準として、０．１質量％以上、１質量％以上、２質量％以上、又は３質量％以上であってよく、１５質量％以下、１２質量％以下、１０質量％以下、８質量％以下、又は６質量％以下であってよい。
（ｂ）成分が２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む場合、（ｂ）成分に対する当該エポキシ樹脂の質量比（当該エポキシ樹脂の質量／（ｂ）成分の全質量）は、百分率で、１０～１００％、４０～１００％、６０％～１００％、又は８０％～１００％であってよい。（ｂ）成分が２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む場合、当該エポキシ樹脂の含有量は、ダイボンディングフィルムの全量を基準として、０．１質量％以上、１質量％以上、２質量％以上、又は３質量％以上であってよく、１５質量％以下、１２質量％以下、１０質量％以下、８質量％以下、又は６質量％以下であってよい。
（ｃ）成分：硬化剤
（ｃ）成分は、エポキシ樹脂の硬化剤となり得るフェノール樹脂であってよい。フェノール樹脂は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、フェニルアラルキル型フェノール樹脂などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
フェノール樹脂の水酸基当量は、４０～３００ｇ／ｅｑ、７０～２９０ｇ／ｅｑ、又は１００～２８０ｇ／ｅｑであってよい。フェノール樹脂の水酸基当量が４０ｇ／ｅｑ以上であると、フィルムの貯蔵弾性率がより向上する傾向にあり、３００ｇ／ｅｑ以下であると、発泡、アウトガス等の発生による不具合を防ぐことが可能となる。
（ｂ）成分であるエポキシ樹脂のエポキシ当量と（ｃ）成分であるフェノール樹脂の水酸基当量との比（（ｂ）成分であるエポキシ樹脂のエポキシ当量／（ｃ）成分であるフェノール樹脂の水酸基当量）は、硬化性の観点から、０．３０／０．７０～０．７０／０．３０、０．３５／０．６５～０．６５／０．３５、０．４０／０．６０～０．６０／０．４０、又は０．４５／０．５５～０．５５／０．４５であってよい。当該当量比が０．３０／０．７０以上であると、より充分な硬化性が得られる傾向にある。当該当量比が０．７０／０．３０以下であると、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる。
（ｃ）成分の含有量は、ダイボンディングフィルムの全量を基準として、０．１質量％以上、０．５質量％以上、１質量％以上、又は２質量％以上であってよく、１５質量％以下、１２質量％以下、１０質量％以下、８質量％以下、又は６質量％以下であってよい。
（ｄ）成分：エラストマー
（ｄ）成分としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。（ｄ）成分は、これらの樹脂であって、架橋性官能基を有する樹脂であってよく、架橋性官能基を有するアクリル樹脂であってよい。ここで、アクリル樹脂とは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーを意味する。アクリル樹脂は、構成単位として、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシ基等の架橋性官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーであってよい。また、アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルとアクリルニトリルとの共重合体等のアクリルゴムであってもよい。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
アクリル樹脂の市販品としては、例えば、ＳＧ－７０Ｌ、ＳＧ－７０８－６、ＷＳ－０２３ ＥＫ３０、ＳＧ－２８０ ＥＫ２３、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ－３ＤＢ（いずれもナガセケムテックス株式会社製）等が挙げられる。
（ｄ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－５０～５０℃又は－３０～２０℃であってよい。アクリル樹脂のＴｇが－５０℃以上であると、ダイボンディングフィルムのタック性が低くなるため取り扱い性がより向上する傾向にある。アクリル樹脂のＴｇが５０℃以下であると、ダイボンディングフィルムを形成する際の接着剤組成物の流動性をより充分に確保できる傾向にある。ここで、（ｄ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＤＳＣ（熱示差走査熱量計）（例えば、株式会社リガク製、商品名：Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ２）を用いて測定した値を意味する。
（ｄ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５万～１６０万、１０万～１４０万、又は３０万～１２０万であってよい。（ｄ）成分の重量平均分子量が５万以上であると、成膜性により優れる傾向にある。（ｄ）成分の重量平均分子量が１６０万以下であると、ダイボンディングフィルムを形成する際の接着剤組成物の流動性により優れる傾向にある。なお、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値である。
（ｄ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）の測定装置、測定条件等は、例えば、以下のとおりである。
ポンプ：Ｌ－６０００（株式会社日立製作所製）
カラム：ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ－Ｒ４４０（日立化成株式会社製）、ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ－Ｒ４５０（日立化成株式会社製）、及びゲルパックＧＬ－Ｒ４００Ｍ（日立化成株式会社製）（各１０．７ｍｍ（直径）×３００ｍｍ）をこの順に連結したカラム
溶離液：テトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」という。）
サンプル：試料１２０ｍｇをＴＨＦ５ｍＬに溶解させた溶液
流速：１．７５ｍＬ／分
（ｄ）成分の含有量は、ダイボンディングフィルムの全量を基準として、０．１質量％以上、０．５質量％以上、１質量％以上、又は２質量％以上であってよく、１０質量％以下、８質量％以下、６質量％以下、又は５質量％以下であってよい。
ダイボンディングフィルム１０は、（ｅ）硬化促進剤をさらに含有していてもよい。
（ｅ）成分：硬化促進剤
ダイボンディングフィルムが（ｅ）成分を含有することによって、接着性と接続信頼性とをより両立することができる傾向にある。（ｅ）成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（ｅ）成分は、反応性の観点から、イミダゾール類及びその誘導体であってよい。
イミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（ｅ）成分の含有量は、ダイボンディングフィルム全量を基準として、０．００１～１質量％であってよい。（ｅ）成分の含有量がこのような範囲にあると、接着性と接続信頼性とをより両立することができる傾向にある。
ダイボンディングフィルム１０は、（ａ）成分～（ｅ）成分以外のその他の成分として、カップリング剤、抗酸化剤、レオロジーコントロール剤、レベリング剤等をさらに含有していてもよい。カップリング剤としては、例えば、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。その他の成分の含有量は、ダイボンディングフィルム全量を基準として、０．０１～３質量％であってよい。
図１に示すダイボンディングフィルム１０は、上記の（ａ）成分、必要に応じて、（ｂ）成分～（ｅ）成分及びその他の成分を含有する接着剤組成物をフィルム状に形成することによって作製することができる。このようなダイボンディングフィルム１０は、接着剤組成物を支持フィルム２０に塗布することによって形成することができる。接着剤組成物は、溶剤で希釈された接着剤ワニスとして用いることができる。接着剤ワニスを用いる場合は、接着剤ワニスを支持フィルム２０に塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによってダイボンディングフィルム１０を形成することができる。
溶剤は、（ａ）成分以外の成分を溶解できるものであれば特に制限されない。溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、溶剤は、溶解性及び沸点の観点から、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、又はシクロヘキサノンであってもよい。接着剤ワニス中の固形成分濃度は、接着剤ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってよい。
接着剤ワニスは、（ａ）成分～（ｅ）成分、その他の成分、及び溶剤を、混合、混練することによって調製することができる。なお、各成分の混合、混練の順序は特に制限されず、適宜設定することができる。混合及び混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル、ビーズミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。接着剤ワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去してもよい。
支持フィルム２０としては、特に制限はなく、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等のフィルムが挙げられる。支持フィルムは、離型処理が施されていてもよい。支持フィルム２０の厚さは、例えば、１０～２００μｍ又は２０～１７０μｍであってよい。
接着剤ワニスを支持フィルム２０に塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。加熱乾燥の条件は、使用した溶剤が充分に揮発する条件であれば特に制限はないが、例えば、５０～２００℃で０．１～９０分間であってもよい。
ダイボンディングフィルム１０の厚さは、用途に合わせて、適宜調整することができるが、例えば、３～２００μｍであってよい。ダイボンディングフィルム１０の厚さが３μｍ以上であると、半導体ウェハとの接着強度が充分となる傾向にあり、２００μｍ以下であると、放熱性が充分となる傾向にある。ダイボンディングフィルム１０の厚さは、接着強度及び半導体装置の薄型化の観点から、５～１００μｍ又は１０～５０μｍであってもよい。
ダイボンディングフィルム１０において、第１の表面１０Ａの表面粗さは、例えば、１．０μｍ以下であってよい。ここで、第１の表面１０Ａは、ダイシングテープの粘着層上に配置される表面（すなわち、ダイボンディングフィルム１０の支持フィルム２０が接している表面とは反対側の表面）である。なお、本明細書において、表面粗さは、算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１－２００１）を意味し、算術平均粗さＲａは、実施例に記載の方法で算出された値を意味する。なお、測定倍率は、５０～１００倍であってもよい。
第１の表面１０Ａの表面粗さは、表面粗さによる接着性の低下を防ぐ観点から、例えば、０．９μｍ以下、０．８μｍ以下、０．７μｍ以下、又は０．６μｍ以下であってもよい。第１の表面１０Ａの表面粗さは、表面の平滑性が高くなり過ぎることによるアンカー効果の低下を防ぐ観点から、０．１μｍ以上、０．２μｍ以上、又は０．３μｍ以上であってよい。
本開示のダイボンディングフィルムは、（ａ）成分が、不飽和脂肪酸ではなく、飽和脂肪酸で表面処理されることによって、粘着層の成分と反応する部位を有していないことから、粘着層の成分との反応を抑制することができ、紫外線照射後の粘着層と接着剤層との接着強度を充分に低減させることが可能となる。そのため、本開示のダイボンディングフィルムは、紫外線硬化型の粘着剤から粘着層を有するダイシングテープと組み合わせることができ、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに好適に用いることができる。
［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム］
図２は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図２に示されるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、基材４０と基材４０上に設けられた粘着層３０とを有するダイシングテープ５０と、ダイシングテープ５０の粘着層３０上に配置されたダイボンディングフィルム１０とを備える。ダイボンディングフィルム１０は、第１の表面１０Ａ及び第１の表面１０Ａと反対側の第２の表面１０Ｂを有する。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、ダイボンディングフィルム１０の第２の表面１０Ｂ上に支持フィルム２０が備えられていてもよい。
ダイシングテープ５０における基材４０としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムなどが挙げられる。また、基材４０は、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が施されていてもよい。
粘着層３０は、ダイシングテープの分野で使用される粘着剤からなる粘着層であってよく、感圧型の粘着剤からなる粘着層であっても、紫外線硬化型の粘着剤からなる粘着層であってもよい。上記ダイボンディングフィルムが、粘着層の成分と反応する部位を有していないことから、粘着層３０は、紫外線硬化型の粘着剤からなる粘着層であってもよい。粘着層３０が紫外線硬化型の粘着剤からなる粘着層である場合、粘着層３０は紫外線が照射されることによって粘着性が低下する性質を有するものであり得る。以下では、粘着層３０が紫外線硬化型の粘着剤からなる粘着層である場合について説明する。
ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、ダイシングテープ５０及びダイボンディングフィルム１０を準備し、ダイボンディングフィルム１０の第１の表面１０Ａをダイシングテープ５０の粘着層３０に貼り付けることによって作製することができる。
ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００においては、ダイボンディングフィルム１０が、ダイボンディングフィルムの全量を基準として、７５質量％以上の（ａ）成分を含有する。このような粘着層と接着剤層とを備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムによれば、優れた放熱性を有し、紫外線照射後の粘着層と接着剤層との接着強度を充分に低減させることが可能となる。
［半導体装置（半導体パッケージ）の製造方法］
図３は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、及び（ｆ）は、各工程を模式的に示す断面図である。半導体装置の製造方法は、上記のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００のダイボンディングフィルム１０（接着剤層）（の第２の表面１０Ｂ）を半導体ウェハＷに貼り付ける工程（ウェハラミネート工程、図３（ａ）、（ｂ）参照）と、半導体ウェハＷ及びダイボンディングフィルム１０（接着剤層）を個片化する工程（ダイシング工程、図３（ｃ）参照）と、粘着層３０に対して（基材４０を介して）紫外線を照射する工程（紫外線照射工程、図３（ｄ）参照）と、粘着層３０ａからダイボンディングフィルム片１０ａが付着した半導体チップＷａ（接着剤片付き半導体チップ６０）をピックアップする工程（ピックアップ工程、図３（ｅ）参照）と、ダイボンディングフィルム片１０ａを介して、接着剤片付き半導体チップ６０を支持基板８０に接着する工程（半導体チップ接着工程、図３（ｆ）参照））とを備える。
＜ウェハラミネート工程＞
まず、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００を所定の装置に配置する。続いて、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００のダイボンディングフィルム１０（接着剤層）の第２の表面１０Ｂを半導体ウェハＷの表面Ｗｓに貼り付ける（図３（ａ）、（ｂ）参照）。半導体ウェハＷの回路面は、表面Ｗｓとは反対側の面に設けられていることが好ましい。
＜ダイシング工程＞
次に、半導体ウェハＷ及びダイボンディングフィルム１０（接着剤層）をダイシングする（図３（ｃ）参照）。このとき、粘着層３０の一部、又は、粘着層３０の全部及び基材４０の一部がダイシングされていてもよい。このように、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、ダイシングシートとしても機能する。
＜紫外線照射工程＞
次に、粘着層３０に対して（基材４０を介して）紫外線を照射する（図３（ｄ）参照）。これによって、当該粘着層３０が硬化し、さらにはダイボンディングフィルム１０（接着剤層）が粘着層の成分と反応する部位を有していないことから、粘着層３０とダイボンディングフィルム１０（接着剤層）との間の接着強度を充分に低減させることができる。紫外線照射においては、波長２００～４００ｎｍの紫外線を用いることが好ましい。紫外線照射条件は、照度及び照射量をそれぞれ３０～２４０ｍＷ／ｃｍ２の範囲及び５０～５００ｍＪ／ｃｍ２の範囲に調整することが好ましい。
＜ピックアップ工程＞
次に、基材４０をエキスパンドすることによって、ダイシングされた接着剤片付き半導体チップ６０を互いに離間させつつ、基材４０側からニードル７２で突き上げられた接着剤片付き半導体チップ６０を吸引コレット７４で吸引して粘着層３０ａからピックアップする（図３（ｅ）参照）。なお、接着剤片付き半導体チップ６０は、半導体チップＷａとダイボンディングフィルム片１０ａとを有する。半導体チップＷａは半導体ウェハＷがダイシングによって個片化されたものであり、ダイボンディングフィルム片１０ａはダイボンディングフィルム１０がダイシングによって個片化されたものである。また、粘着層３０ａは粘着層３０がダイシングによって個片化されたものである。粘着層３０ａは接着剤片付き半導体チップ６０をピックアップする際に基材４０上に残存し得る。ピックアップ工程では、必ずしも基材４０をエキスパンドすることは必要ないが、基材４０をエキスパンドすることによってピックアップ性をより向上させることができる。
ニードル７２による突き上げ量は、適宜設定することができる。さらに、極薄ウェハに対しても充分なピックアップ性を確保する観点から、例えば、２段又は３段の突き上げを行ってもよい。また、吸引コレット７４を用いる方法以外の方法で接着剤片付き半導体チップ６０をピックアップしてもよい。
＜半導体チップ接着工程＞
接着剤片付き半導体チップ６０をピックアップした後、接着剤片付き半導体チップ６０を、熱圧着によって、ダイボンディングフィルム片１０ａを介して支持基板８０に接着する（図３（ｆ）参照）。支持基板８０には、複数の接着剤片付き半導体チップ６０を接着してもよい。
半導体装置の製造方法は、必要に応じて、半導体チップＷａと支持基板８０とをワイヤーボンドによって電気的に接続する工程と、支持基板８０の表面８０Ａ上に、樹脂封止材を用いて半導体チップＷａを樹脂封止する工程とをさらに備えていてもよい。
図４は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図４に示される半導体装置２００は、上記の工程を経ることによって製造することができる。半導体装置２００は、半導体チップＷａと支持基板８０とがワイヤーボンド７０によって電気的に接続されていてもよい。半導体装置２００は、支持基板８０の表面８０Ａ上に、樹脂封止材９２を用いて半導体チップＷａが樹脂封止されていてもよい。支持基板８０の表面８０Ａと反対側の面に、外部基板（マザーボード）との電気的な接続用として、はんだボール９４が形成されていてもよい。
以下、実施例により本開示について説明するが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。
＜接着剤ワニスの調製＞
表１に示す記号及び組成比（単位：質量部）で、（ｂ）熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂、（ｃ）硬化剤としてのフェノール樹脂、及び（ｄ）エラストマーとしてのアクリルゴムにシクロヘキサノンを加え、撹拌することによって混合物を得た。各成分が溶解した後、混合物に（ａ）飽和脂肪酸で表面処理された銀含有粒子を加えて、ディスパー翼を用いて撹拌し、各成分が均一になるまで分散した。その後、（ｅ）硬化促進剤を加え、各成分が均一になるまで分散することによって、固形分７８質量％の接着剤ワニスＡ～Ｃを得た。
なお、表１の各成分の記号は下記の製品を意味する。
（ａ）飽和脂肪酸で表面処理された銀含有粒子
・ＳＦ１３４ Ａｇ Ｆｌａｋｅ（ステアリン酸）（ＳＦ１３４ Ａｇ Ｆｌａｋｅ（株式会社エイムス・アドバンストマテリアルス社製）において、ステアリン酸で表面処理された銀粒子、形状：球状、平均粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ５０））：２．２μｍ）
・ＳＦ１３４ Ａｇ Ｆｌａｋｅ（デカン酸）（ＳＦ１３４ Ａｇ Ｆｌａｋｅ（株式会社エイムス・アドバンストマテリアルス社製）において、デカン酸で表面処理された銀粒子、形状：球状、平均粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ５０））：２．２μｍ）
（ａ’）不飽和脂肪酸で表面処理された銀含有粒子
・ＡＯ－ＵＣＩ－９（商品名、オレイン酸で表面処理された銀被覆銅粒子、ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製、形状：球状、平均粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ５０））：２．３μｍ）
（ｂ）熱硬化性樹脂
・ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ビスフェノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５９ｇ／ｅｑ、２５℃で液状）
（ｃ）硬化剤
・ＭＥＨ－７８００Ｍ（商品名、明和化成株式会社製、フェノール樹脂、粘度（１５０℃）：０．３１～０．４３Ｐａ・ｓ（３．１～４．３ｐｏｉｓｅ）、水酸基当量：１７５ｇ／ｅｑ）
（ｄ）エラストマー
・ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ（商品名、ナガセケムテックス株式会社製、グリシジル基含有アクリルゴム、重量平均分子量：１００万、Ｔｇ：－７℃）
（ｅ）硬化促進剤
・２ＰＺ－ＣＮ（商品名、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）
Figure 0007622367000001
（実施例１）
＜ダイボンディングフィルムの作製＞
ダイボンディングフィルムの作製に、接着剤ワニスＡを用いた。真空脱泡した接着剤ワニスＡを、支持フィルムである離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ３８μｍ）上に塗布した。塗布したワニスを、９０℃で５分間、続いて１３０℃で５分間の２段階で加熱乾燥し、支持フィルム上に、Ｂステージ状態にある厚さ２０μｍの実施例１のダイボンディングフィルムを作製した。
＜表面粗さの測定＞
ダイボンディングフィルムの第１の表面（支持フィルムとは反対側の面）について、表面粗さの測定を行った。表面粗さ（算術平均粗さＲａ、ＪＩＳ Ｂ ０６０１－２００１）は、形状測定レーザマイクロスコープＶＫ－Ｘ１００（キーエンス株式会社製）を用いて倍率５０倍で測定することによって求めた。結果を表２に示す。
＜ダイシング・ダイボンディング一体型テープの作製＞
基材と粘着層とを有するダイシングテープ（商品名：６３６３－３０、日立化成株式会社製）を用意し、実施例１のダイボンディングフィルムに、ダイシングテープの粘着層をゴムロールにて張り合わせて、基材、粘着層、及び接着剤層（ダイボンディングフィルム）をこの順に有する実施例１のダイシング・ダイボンディング一体型テープを作製した。
＜紫外線照射前後の粘着層と接着剤層との間のＴ字ピール強度の測定＞
実施例１のダイシング・ダイボンディング一体型テープを用意し、これを用いて、粘着層と接着剤層との間のＴ字ピール強度を測定した。測定には、オートグラフＥＺ－Ｓ ５０Ｎ（株式会社島津製作所製）を用いた。ダイシング・ダイボンディング一体型テープの接着剤層（ダイボンディングフィルム）側にイージーカットテープ（王子タック株式会社製）を貼り付け、ダイシング・ダイボンディング一体型テープを幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍのサイズで切り出してサンプルを得た。このサンプルを用いてチャック間距離５０ｍｍ、速度３００ｍｍ／分にて、紫外線照射前後の粘着層と接着剤層との間のＴ字ピール強度を測定した。紫外線照射はハロゲンランプにて８０ｍＷ／ｃｍ２、２００ｍＪ／ｃｍ２の条件で照射した。測定は、紫外線照射前と紫外線照射後とでそれぞれ３回ずつ行い、３回の平均値を剥離強度とした。結果を表２に示す。
＜ダイシェア強度の測定＞
実施例１のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用意した。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの支持フィルムを剥がして、フィルムラミネータ（テイコクテーピングシステム株式会社製）を用いて、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのダイボンディングフィルム（接着剤層）を、厚さ４００μｍの半導体ウェハに７０℃で貼り付けることによって積層体を得た。次いで、積層体を５ｍｍ×５ｍｍのサイズにダイシングによって個片化し、ダイボンディングフィルム片が付着した半導体チップを得た。ダイシングには、２枚のブレードを用いるステップカット方式で行い、ダイシングブレードＳＤ２０００－ＦＦ及びＳＤ２０００－ＥＥを用いた。ステップカット方式では、１回目のカットで半導体ウェハの深さ２００μｍの位置までダイシングを行い、その後、２回目のカットでダイシングテープの基材の深さ２０μｍの位置までダイシングを行った。ダイシングの条件は、ブレード回転数４０００ｒｐｍ、切断速度３０ｍｍ／秒とした。得られたダイボンディングフィルム片が付着した半導体チップを、個片化した半導体ウェハ付ダイボンディングフィルムをリードフレーム上に、温度１２０℃、圧力０．１ＭＰａ、時間５秒の条件で熱圧着することによって試験体を得た。その後、得られた試験体を１１０℃及び１時間、その後、１７０℃及び３時間加熱し、ダイボンディングフィルム片を硬化させ、万能型ボンドテスター（商品名：Ｄａｇｅ Ｓｅｒｉｅｓ４０００、株式会社アークテック社製）にて２５０℃の条件でダイシェア強度を測定した。結果を表２に示す。
（実施例２）
ダイボンディングフィルムの作製に接着剤ワニスＢを用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例２のダイボンディングフィルム及びダイシング・ダイボンディング一体型テープを得た。実施例２のダイボンディングフィルム及びダイシング・ダイボンディング一体型テープについて、実施例１と同様にして、表面粗さ、紫外線照射前後の粘着層と接着剤層との間のＴ字ピール強度、及びダイシェア強度を測定した。結果を表２に示す。
（比較例１）
ダイボンディングフィルムの作製に接着剤ワニスＣを用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例１のダイボンディングフィルム及びダイシング・ダイボンディング一体型テープを得た。比較例１のダイボンディングフィルム及びダイシング・ダイボンディング一体型テープについて、実施例１と同様にして、表面粗さ、紫外線照射前後の粘着層と接着剤層との間のＴ字ピール強度、及びダイシェア強度を測定した。結果を表２に示す。
Figure 0007622367000002
表２に示すとおり、飽和脂肪酸で表面処理された銀含有粒子を含有する実施例１、２のダイシング・ダイボンディング一体型テープは、不飽和脂肪酸で表面処理された銀含有粒子を含有する比較例１のダイシング・ダイボンディング一体型テープに比べて、紫外照射後のＴ字ピール強度が充分に低く、さらには、ダイシェア強度も充分に高いことが判明した。これらの結果から、本開示の粘着層と接着剤層とを備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが、紫外線照射後の粘着層と接着剤層との接着強度を充分に低減させることが可能であることが確認された。
１０…ダイボンディングフィルム、１０Ａ…第１の表面、１０Ｂ…第２の表面、１０ａ…ダイボンディングフィルム片、２０…支持フィルム、３０…粘着層、４０…基材、５０…ダイシングテープ、６０…接着剤片付き半導体チップ、７０…ワイヤーボンド、７２…ニードル、７４…吸引コレット、８０…支持基板、９２…樹脂封止材、９４…はんだボール、１００…ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、２００…半導体装置。

Claims (9)

  1. 基材と前記基材上に設けられた粘着層とを有するダイシングテープと、
    前記ダイシングテープの前記粘着層上に配置されたダイボンディングフィルムと、
    を備え、
    前記ダイボンディングフィルムが、飽和脂肪酸で表面処理された銀含有粒子と、熱硬化性樹脂と、エラストマーとを含有し、
    前記銀含有粒子の含有量が、ダイボンディングフィルムの全量を基準として、７５質量％以上である、
    ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  2. 前記飽和脂肪酸の炭素数が８～２０である、
    請求項１に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  3. 前記ダイボンディングフィルムが、硬化剤をさらに含有する、
    請求項１又は２に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  4. 前記熱硬化性樹脂が２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む、
    請求項３に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  5. 請求項１～４のいずれか一項に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記ダイボンディングフィルムを半導体ウェハに貼り付ける工程と、
    前記半導体ウェハ及び前記ダイボンディングフィルムを個片化する工程と、
    前記粘着層に対して、紫外線を照射する工程と、
    前記ダイシングテープからダイボンディングフィルム片が付着した半導体チップをピックアップする工程と、
    前記ダイボンディングフィルム片を介して、前記半導体チップを支持基板に接着する工程と、
    を備える、
    半導体装置の製造方法。
  6. 飽和脂肪酸で表面処理された銀含有粒子と、熱硬化性樹脂と、エラストマーとを含有し、
    前記銀含有粒子の含有量が、ダイボンディングフィルムの全量を基準として、７５質量％以上である、
    ダイボンディングフィルム。
  7. 前記飽和脂肪酸の炭素数が８～２０である、
    請求項６に記載のダイボンディングフィルム。
  8. 硬化剤をさらに含有する、
    請求項６又は７に記載のダイボンディングフィルム。
  9. 前記熱硬化性樹脂が２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む、
    請求項８に記載のダイボンディングフィルム。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017141363A (ja) 2016-02-10 2017-08-17 古河電気工業株式会社 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム
WO2019107508A1 (ja) 2017-12-01 2019-06-06 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、仮固定材用硬化性樹脂組成物、仮固定材用フィルム、及び仮固定材用積層フィルム
JP2019176159A (ja) 2018-03-28 2019-10-10 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ
JP2019189936A (ja) 2018-04-19 2019-10-31 ニホンハンダ株式会社 ペースト状銀粒子組成物、接合方法および電子装置の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4430085B2 (ja) 2007-03-01 2010-03-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2015129226A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 日東電工株式会社 フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP6396189B2 (ja) 2014-11-27 2018-09-26 日東電工株式会社 導電性フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ及び半導体装置の製造方法
JP6280497B2 (ja) * 2014-12-12 2018-02-14 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 銀ペーストおよびその利用
KR20210107709A (ko) * 2018-12-28 2021-09-01 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조 방법, 필름상 접착제 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017141363A (ja) 2016-02-10 2017-08-17 古河電気工業株式会社 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム
WO2019107508A1 (ja) 2017-12-01 2019-06-06 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、仮固定材用硬化性樹脂組成物、仮固定材用フィルム、及び仮固定材用積層フィルム
JP2019176159A (ja) 2018-03-28 2019-10-10 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ
JP2019189936A (ja) 2018-04-19 2019-10-31 ニホンハンダ株式会社 ペースト状銀粒子組成物、接合方法および電子装置の製造方法

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