JP7604378B2 - 光センサ及び光センサの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、光センサ及び光センサの製造方法に関する。
特許文献１には、光センサの一例として、電極パターンが形成される基板と、基板上に配置される発光ダイオードと、発光ダイオードと隣接するように基板上に配置されるフォトＩＣと、発光ダイオードとフォトＩＣとを一体に囲う外壁と、発光ダイオードとフォトＩＣとの間を仕切る内壁と、を備える反射型フォトセンサが開示されている。この光センサは、発光ダイオードから出射される拡散光を遮光壁で遮ることにより、クロストークの低減を図っている。
特開２００７－１３０５０号公報
ところが、上記のような光センサは、装置を小型化する点で改善の余地が残されていた。本開示の目的は、クロストークを低減しつつ、小型化が可能な光センサ及び光センサの製造方法を提供することである。
以下、上記課題を解決するための手段及びその作用効果について記載する。
上記課題を解決する光センサは、厚さ方向と交差する基板主面を有する基板と、前記基板主面上に設けられる発光素子と、前記基板主面上に設けられる受光素子と、透光性を有し、前記発光素子を覆うように前記基板主面上に設けられる第１カバーと、透光性を有し、前記受光素子を覆うように前記基板主面上に設けられる第２カバーと、を備え、前記第１カバーと前記第２カバーとの間には、隙間が形成されている。
光センサにおいて、発光素子を覆う第１カバーと受光素子を覆う第２カバーとの間には隙間が設けられる。このため、光センサは、第１カバーと第２カバーとの間に隙間を設けない場合に比較して、物体に反射されることなく発光素子から受光素子に向かう光を低減できる。言い換えれば、光センサは、クロストークを低減できる。また、光センサは、第１カバーと第２カバーとの間に遮光壁を備える必要がない点で、装置の小型化が容易となる。
上述した光センサによれば、クロストークを低減しつつ、小型化が可能となる。
第１実施形態の光センサの平面図。 第１実施形態の光センサの側面図。 第１実施形態の光センサの側面図。 第１実施形態の光センサの製造工程図。 第１実施形態の光センサを製造する際の中間体の平面図。 第１実施形態の光センサを製造する際の中間体の側面図。 第１実施形態の光センサのダイシングされた面の一部を示す模式図。 比較例の光センサの作用を説明する側面図。 第１実施形態の光センサの作用を説明する側面図。 第２実施形態の光センサの側面図。 第２実施形態の変更例に係る光センサの側面図。 第２実施形態の変更例に係る光センサの側面図。 第３実施形態の光センサの側面図。 第４実施形態の光センサの側面図。 第４実施形態の変更例に係る光センサの側面図。 変更例に係る光センサの平面図。 変更例に係る光センサの側面図。 変更例に係る光センサの側面図。
以下、光センサの各実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す各実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の各実施形態は、種々の変更を加えることができる。
（第１実施形態）
第１実施形態に係る光センサ１０について説明する。光センサ１０は、光センサ１０から６ｍｍ程度の近距離に存在する物体の検出に用いられる。一例として、光センサ１０は、イヤホンなどのウェアラブルデバイスに適用される。この場合、検出対象となる物体は、人体又はウェアラブルデバイスを収容するケースの内壁などである。
図１及び図２に示すように、光センサ１０は、基板２０と、発光素子３０と、受光素子４０と、第１カバー５０と、第２カバー６０と、ボンディングワイヤ７１，７２と、を備えている。図１以降において、第１カバー５０と第２カバー６０とは、透過して図示している。
光センサ１０は、矩形板状をなしている。以降の説明では、光センサ１０の形状にしたがって定義した方向を使用する。詳しくは、光センサ１０の厚さ方向を「厚さ方向Ｚ」とし、厚さ方向Ｚと直交する方向を「第１方向Ｘ」とし、厚さ方向Ｚ及び第１方向Ｘの両方向と直交する方向を「第２方向Ｙ」とする。
光センサ１０の厚さ方向Ｚにおける長さは、０．３ｍｍ以上０．５５ｍｍ以下であることが好ましく、第１実施形態では、０．５５ｍｍである。光センサ１０の第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにおける長さは、０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることが好ましく、第１実施形態では、１．０ｍｍである。つまり、光センサ１０は、厚さ方向Ｚにおける平面視において、正方形状をなしている。
図１及び図２に示すように、基板２０は、矩形板状をなしている。基板２０の材質は、例えば、アルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミックスでもよいし、シリコンでもよいし、ガラスエポキシ等でもよい。
基板２０は、厚さ方向Ｚと交差する基板主面２１と、基板主面２１の外縁から厚さ方向Ｚに延びる基板側面２２と、を有している。基板側面２２は、４つの面から構成されており、第１基板側面２２１、第２基板側面２２２、第３基板側面２２３及び第４基板側面２２４を含んでいる。図１に示すように、第１基板側面２２１及び第４基板側面２２４は第１方向Ｘに延び、第２基板側面２２２及び第３基板側面２２３は第２方向Ｙに延びている。また、第２基板側面２２２及び第３基板側面２２３は、第１基板側面２２１及び第４基板側面２２４を接続している。
基板主面２１には、第２方向Ｙに延びる凹溝２３が凹み形成されている。凹溝２３は、基板主面２１を第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に区画するように、基板主面２１の第２方向Ｙにおける一端から他端まで直線状に延びている。つまり、凹溝２３の長手方向は第２方向Ｙであり、凹溝２３の幅方向は第１方向Ｘとなっている。凹溝２３の第１方向Ｘにおける形成位置は、基板主面２１の第１方向Ｘにおける中心から僅かにずれた位置となっている。すなわち、凹溝２３は、第１方向Ｘにおいて、第３基板側面２２３よりも第２基板側面２２２に近い位置に形成されている。凹溝２３の第２方向Ｙと直交する断面形状は、半円形状であってもよいし、矩形形状であってもよい。
厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１領域Ａ１は、第１方向Ｘを短手方向とし第２方向Ｙを長手方向とする矩形状をなしている。同様に、第２領域Ａ２は、第１方向Ｘを短手方向とし第２方向Ｙを長手方向とする矩形状をなしている。第１方向Ｘにおいて、第１領域Ａ１の長さは第２領域Ａ２よりも短く、第２方向Ｙにおいて、第１領域Ａ１の長さは第２領域Ａ２の長さと等しくなっている。このため、厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１領域Ａ１の面積は、第２領域Ａ２の面積よりも小さくなっている。
基板主面２１には、導体からなる第１パッド２１１、第２パッド２１２、第３パッド２１３及び第４パッド２１４が形成されている。第１パッド２１１、第２パッド２１２、第３パッド２１３及び第４パッド２１４は、矩形板状をなしている。厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１パッド２１１は、第２パッド２１２と同等の大きさに形成され、他のパッド２１３，２１４よりも小さく形成されている。一方、厚さ方向Ｚにおける平面視において、第４パッド２１４は、他のパッド２１１～２１３よりも大きく形成されている。第１パッド２１１及び第２パッド２１２は、第１領域Ａ１に形成され、第３パッド２１３及び第４パッド２１４は、第２領域Ａ２に形成されている。つまり、基板主面２１において、第１パッド２１１及び第２パッド２１２と第３パッド２１３及び第４パッド２１４とは、凹溝２３の両側にそれぞれ形成されている。
図１に示すように、第１パッド２１１は、第４基板側面２２４よりも第１基板側面２２１の近くに形成され、第２パッド２１２は、第１基板側面２２１よりも第４基板側面２２４の近くに形成されている。一方、第３パッド２１３は、第４基板側面２２４よりも第１基板側面２２１の近くに形成され、第４パッド２１４は、第１基板側面２２１よりも第４基板側面２２４の近くに形成されている。
また、第１パッド２１１及び第３パッド２１３は第１方向Ｘに少なくとも一部が重なるように形成され、第２パッド２１２及び第４パッド２１４は第１方向Ｘに少なくとも一部が重なるように形成されている。第１パッド２１１及び第２パッド２１２は第２方向Ｙに全体が重なるように形成され、第３パッド２１３及び第４パッド２１４は第２方向Ｙに全体が重なるように形成されている。つまり、第１パッド２１１及び第２パッド２１２は第２方向Ｙに配列し、第３パッド２１３及び第４パッド２１４は第２方向Ｙに配列している。
第１パッド２１１及び第４パッド２１４は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの両方向において、重なりを有しないように形成されている。同様に、第２パッド２１２及び第３パッド２１３は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの両方向において、重なりを有しないように形成されている。こうして、厚さ方向Ｚにおける平面視において、第１パッド２１１及び第４パッド２１４は、基板主面２１の一方の対角線上に間隔をあけて配置され、第２パッド２１２及び第３パッド２１３は、基板主面２１の他方の対角線上に間隔をあけて配置されている。
なお、図示を省略したが、基板２０において、基板主面２１の逆側の面となる基板裏面には、第１パッド２１１、第２パッド２１２、第３パッド２１３及び第４パッド２１４の４つのパッドにそれぞれ導通する４つの裏面電極が設けられている。
図１及び図２に示すように、発光素子３０は、略直方体状をなしている。発光素子３０は、厚さ方向Ｚにおける平面視において正方形状をなしている。つまり、発光素子３０は、第１方向Ｘにおける長さと第２方向Ｙにおける長さとが等しくなっている。
発光素子３０は、基板主面２１の第１領域Ａ１上に設けられている。詳しくは、発光素子３０は、基板主面２１の第１パッド２１１上に実装されている。このため、発光素子３０は、第２方向Ｙにおいて、第４基板側面２２４よりも第１基板側面２２１の近くに設けられている。発光素子３０は、ボンディングワイヤ７１により、第２パッド２１２と電気的に接続されている。
発光素子３０は、例えば、ＬＥＤである。発光素子３０は、基板主面２１に略垂直な方向に光を出射する。このとき、発光素子３０が出射する光は、一定の広がり角を有していてもよい。発光素子３０から出射される光の波長は、例えば、６５０ｎｍ～１３００ｎｍの範囲内である。また、発光素子３０の上面３１は、光を出射する発光面となっている。
図１及び図２に示すように、受光素子４０は、略直方体状をなしている。受光素子４０は、厚さ方向Ｚにおける平面視において長方形状をなしている。受光素子４０は、第２領域Ａ２と同様に、第１方向Ｘを短手方向とし、第２方向Ｙを長手方向としている。また、受光素子４０は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの両方向における長さが発光素子３０よりも長く、厚さ方向Ｚにおける長さが発光素子３０と等しくなっている。
受光素子４０は、発光素子３０と隣り合うように、基板主面２１の第２領域Ａ２上に設けられている。詳しくは、受光素子４０は、基板主面２１の第４パッド２１４上に実装されている。このため、受光素子４０は、第２方向Ｙにおいて、第１基板側面２２１よりも第４基板側面２２４の近くに設けられている。受光素子４０は、ボンディングワイヤ７２により、第３パッド２１３と電気的に接続されている。
受光素子４０は、発光素子３０から検出対象に向かって出射された光の反射光を検出するための構成である。受光素子４０は、受光量に応じたアナログ信号を出力する。受光素子４０は、例えば、フォトダイオード、フォトトランジスタ又はフォトＩＣなどである。また、受光素子４０の上面４１は、光を受光する受光面となっている。
第１実施形態では、厚さ方向Ｚにおいて、発光素子３０の上面３１及び受光素子４０の上面４１が略一致している。つまり、厚さ方向Ｚにおいて、基板主面２１から発光素子３０の上面３１までの長さが基板主面２１から受光素子４０の上面４１までの長さと略等しくなっている。
図１及び図２に示すように、第１カバー５０は、発光素子３０を覆うように基板主面２１上に設けられている。第１実施形態では、第１カバー５０は、第１パッド２１１及び第２パッド２１２と、発光素子３０と、ボンディングワイヤ７１と、を封止している。第１カバー５０は、これらの光センサ１０の構成部品を保護する目的で設けられている。第１カバー５０は、例えば、発光素子３０から出射する光の波長に対して、透光性を有する樹脂材料により形成されている。こうした樹脂材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂及びユリア樹脂等が挙げられる。
第１カバー５０は、略直方体状をなし、厚さ方向Ｚにおける平面視において、基板主面２１の第１領域Ａ１と同等の大きさを有している。第１カバー５０は、第１上面５１と、第１裏面５２と、第１側面５３と、第１傾斜面５４と、を有している。
第１上面５１は、第１裏面５２の反対側の面であり、矩形状をなしている。第１上面５１は、発光素子３０の上面３１と厚さ方向Ｚに対向している。第１裏面５２は、基板主面２１を向く面であり、矩形状をなしている。第１裏面５２は、第１パッド２１１及び第２パッド２１２と発光素子３０との外形に応じて凹む部分を有している。第１裏面５２において、凹んでいない部分は、基板主面２１の第１領域Ａ１に接合している。
第１側面５３は、第１上面５１、第１裏面５２及び第１傾斜面５４と交差する面であり、第１上面５１及び第１傾斜面５４と第１裏面５２とを厚さ方向Ｚに接続する面である。第１実施形態では、第１側面５３は４つの略矩状をなす面から構成されている。第１側面５３は、第２カバー６０を向く第１内側面５３１と、第２カバー６０を向かない第１外側面５３２，５３３，５３４と、を含んでいる。
第１内側面５３１は１つの面から構成され、第１外側面５３２，５３３，５３４は３つの面から構成されている。第１内側面５３１及び第１外側面５３３は、第１方向Ｘと交差する面であり、第１外側面５３２及び第１外側面５３４は、第２方向Ｙと交差する面である。第１内側面５３１は、基板２０の凹溝２３の内面と面一となっている。一方、第１外側面５３２は、第１基板側面２２１と面一となっており、第１外側面５３３は、第２基板側面２２２と面一となっており、第１外側面５３４は、第４基板側面２２４と面一となっている。
第１傾斜面５４は、第１カバー５０において、第１上面５１及び第１内側面５３１が接続する隅部に形成されている。第１傾斜面５４は、第１上面５１及び第１内側面５３１の両面と交差している。第１傾斜面５４は、第２方向Ｙを長手方向とし、第１上面５１及び第１内側面５３１の両面と交差する方向を短手方向とする矩形状をなしている。第１傾斜面５４の形成角度と第１傾斜面５４の大きさとは、適宜に選択することが可能である。第１実施形態では、第１傾斜面５４と第１上面５１との間をなす角度と、第１傾斜面５４と第１内側面５３１との間をなす角度と、が等しくなっている。
図３に示すように、第１側面５３は、第１上面５１よりも粗面となっている。つまり、第１内側面５３１は、第１上面５１よりも粗面となり、第１外側面５３２，５３３，５３４は、第１上面５１よりも粗面となっている。一方、第１傾斜面５４は、第１上面５１と同程度の表面粗さとなっている。なお、図３は、図２の拡大図であって、第１内側面５３１などの表面の凹凸形状を、実際の表面よりも誇張して図示した図である。また、図３では、第１外側面５３２などについては、表面の凹凸形状の図示を省略している。
図１及び図２に示すように、第２カバー６０は、受光素子４０を覆うように基板主面２１上に設けられている。第１実施形態では、第２カバー６０は、第３パッド２１３及び第４パッド２１４と、受光素子４０と、ボンディングワイヤ７２と、を封止している。第２カバー６０は、これらの構成部材を保護する目的で設けられている。第２カバー６０は、第１カバー５０と同じく、発光素子３０から出射する光の波長に対して、透光性を有する樹脂材料により形成されている。
第２カバー６０は、略直方体状をなし、第１カバー５０よりも大きく形成されている。詳しくは、第２カバー６０は、第１方向Ｘにおける長さが第１カバー５０よりも大きく、第２方向Ｙ及び厚さ方向Ｚの両方向における長さが第１カバー５０と等しくなっている。第２カバー６０は、厚さ方向Ｚにおける平面視において、基板主面２１の第２領域Ａ２と同等の大きさを有している。第２カバー６０は、第２上面６１と、第２裏面６２と、第２側面６３と、第２傾斜面６４と、を有している。
第２上面６１は、厚さ方向Ｚにおいて、第２裏面６２の反対側の面であり、矩形状をなしている。第２上面６１は、受光素子４０の上面４１と厚さ方向Ｚに対向している。第２裏面６２は、基板主面２１を向く面であり、矩形状をなしている。第２裏面６２は、第３パッド２１３及び第４パッド２１４と発光素子３０との外形に応じて凹む部分を有している。第２裏面６２において、凹んでいない部分は、基板主面２１の第２領域Ａ２に接合している。
第２側面６３は、第２上面６１、第２裏面６２及び第２傾斜面６４と交差する面であり、第２上面６１及び第２傾斜面６４と第２裏面６２とを厚さ方向Ｚに接続する面である。第１実施形態では、第２側面６３は４つの略矩形状をなす面から構成されている。第２側面６３は、第１カバー５０を向く第２内側面６３１と、第１カバー５０を向かない第２外側面６３２，６３３，６３４と、を含んでいる。
第２内側面６３１は１つの面から構成され、第２外側面６３２，６３３，６３４は３つの面から構成されている。第２内側面６３１及び第２外側面６３３は、第１方向Ｘと交差する面であり、第２外側面６３２及び第２外側面６３４は、第２方向Ｙと交差する面である。第２内側面６３１は、基板２０の凹溝２３の内面と面一となっている。一方、第２外側面６３２は、第１基板側面２２１と面一となっており、第２外側面６３３は、第３基板側面２２３と面一となっており、第２外側面６３４は、第４基板側面２２４と面一となっている。
第２傾斜面６４は、第２カバー６０において、第２上面６１及び第２内側面６３１が接続する隅部に形成されている。第２傾斜面６４は、第２上面６１及び第２内側面６３１との両面と交差している。第２傾斜面６４は、第２方向Ｙを長手方向とし、第２上面６１及び第２内側面６３１の両面と交差する方向を短手方向とする矩形状をなしている。第２傾斜面６４の形成角度と第２傾斜面６４との大きさは、適宜に選択することが可能である。第１実施形態では、第２傾斜面６４と第２上面６１との間をなす角度と、第２傾斜面６４と第２内側面６３１との間をなす角度と、が等しくなっている。
図３に示すように、第２側面６３は、第２上面６１よりも粗面となっている。つまり、第２内側面６３１は、第２上面６１よりも粗面となり、第２外側面６３２，６３３，６３４は、第２上面６１よりも粗面となっている。一方、第２傾斜面６４は、第２上面６１と同程度の表面粗さとなっている。なお、図３では、第１内側面５３１などと同様に、第２内側面６３１などの表面の凹凸形状を、実際の表面よりも誇張して図示している。また、図３では、第１外側面５３２などと同様に、第２外側面６３２については、表面の凹凸形状の図示を省略している。
図１及び図２に示すように、第１カバー５０が基板主面２１の第１領域Ａ１に設けられ、第２カバー６０が基板主面２１の第２領域Ａ２に設けられている点で、第１カバー５０と第２カバー６０とは、第１方向Ｘに配列されているといえる。
また、第１カバー５０と第２カバー６０との間には隙間ＧＰが形成されている。詳しくは、隙間ＧＰは、第１方向Ｘにおいて、第１カバー５０の第１内側面５３１及び第１傾斜面５４と、第２カバー６０の第２内側面６３１及び第２傾斜面６４と、の間に第２方向Ｙにわたって形成されている。第１カバー５０と第２カバー６０とは、隙間ＧＰを介して第１方向Ｘに対向している。第１実施形態では、第１カバー５０と第２カバー６０との対向方向は、第１方向Ｘである。すなわち、第１方向Ｘは、第１カバー５０と第２カバー６０との対向方向ともいえるし、第１カバー５０と第２カバー６０との配列方向ともいえる。
第１内側面５３１、第２内側面６３１、第１傾斜面５４及び第２傾斜面６４は、隙間ＧＰに面する面であり、第１外側面５３２，５３３，５３４及び第２外側面６３２，６３３，６３４は、隙間ＧＰに面しない面である。言い換えれば、第１内側面５３１、第２内側面６３１、第１傾斜面５４及び第２傾斜面６４は、隙間ＧＰを区画する面であり、第１外側面５３２，５３３，５３４及び第２外側面６３２，６３３，６３４は、隙間ＧＰを区画しない面である。また、第１内側面５３１及び第２内側面６３１は、隙間ＧＰを介して第１方向Ｘに対向し、第１傾斜面５４及び第２傾斜面６４は、隙間ＧＰを介して第１方向Ｘに対向している。
図２に示すように、第１傾斜面５４及び第２傾斜面６４は異なる方向に延びている。第１実施形態では、第１傾斜面５４及び第２傾斜面６４は互いに直交する方向に延びている。一方、第１傾斜面５４の厚さ方向Ｚに対する傾き及び第２傾斜面６４の厚さ方向Ｚに対する傾きは等しくなっている。このため、図２に示すように、第１傾斜面５４及び第２傾斜面６４は、隙間ＧＰの中心を通る線分に対して対称となっている。なお、第１傾斜面５４及び第２傾斜面６４の形成角度及び大きさは、必ずしも同一である必要はない。
隙間ＧＰは、厚さ方向Ｚにおける上方及び第２方向Ｙに開口している。第１実施形態では、隙間ＧＰには、空気など、光センサ１０の設置環境における気体が充填されている。隙間ＧＰは、第１方向Ｘにおける幅が一定の第１部分ＧＰ１と、第１方向Ｘにおける幅が基板主面２１から遠ざかるにつれて次第に広くなる第２部分ＧＰ２と、を有している。
第１部分ＧＰ１は、第１カバー５０の第１内側面５３１及び第２カバー６０の第２内側面６３１の間に形成され、第２部分ＧＰ２は、第１カバー５０の第１傾斜面５４及び第２カバー６０の第２傾斜面６４の間に形成されている。第１部分ＧＰ１は、第２部分ＧＰ２よりも基板２０寄りの部分である。第１部分ＧＰ１は、厚さ方向Ｚにおいて、第２部分ＧＰ２と接続している。
第１実施形態では、厚さ方向Ｚにおける平面視において、隙間ＧＰの長手方向は第２方向Ｙとなっている。図２に示すように、隙間ＧＰは、厚さ方向Ｚにおいて、凹溝２３に接続している。言い換えれば、基板主面２１の隙間ＧＰに面する部分には凹溝２３が形成されている。なお、隙間ＧＰは、第１方向Ｘにおける幅が、例えば、０．０３ｍｍ以上０．１ｍｍ未満となるように形成することが好ましい。
また、第１カバー５０と第２カバー６０とを比較すると、第１内側面５３１及び第２内側面６３１は同程度の表面粗さであり、第１外側面５３２，５３３，５３４及び第２外側面６３２，６３３，６３４は同程度の表面粗さである。同様に、第１上面５１及び第２上面６１は同程度の表面粗さであり、第１傾斜面５４及び第２傾斜面６４は同程度の表面粗さである。
次に、光センサ１０の製造方法について簡単に説明する。第１実施形態の製造方法は、一度に多数の光センサ１０を製造する方法である。
図４に示すように、光センサ１０の製造方法は、準備工程Ｓ１１と、実装工程Ｓ１２と、成形工程Ｓ１３と、「切断工程」としての第１切断工程Ｓ１４と、第２切断工程Ｓ１５と、を備える。
準備工程Ｓ１１は、基板２０と同じ材質であって且つ基板２０よりも大きな大型基板１１０を準備する工程である。実装工程Ｓ１２は、準備工程Ｓ１１の後工程であって、複数のパッド２１１～２１４及び複数の裏面電極等を大型基板１１０上に形成し、複数の発光素子３０及び複数の受光素子４０を大型基板１１０上に実装する工程である。
成形工程Ｓ１３は、実装工程Ｓ１２の後工程であって、金型を用いた樹脂成形により、大型基板１１０上に樹脂層１２０を形成する工程である。成形工程Ｓ１３の実施により、複数のパッド２１１～２１４、複数の発光素子３０及び複数の受光素子４０ごと、大型基板１１０の上面を覆う樹脂層１２０が形成される。こうして、図５及び図６に示す中間体１００が形成される。中間体１００において、樹脂層１２０の表面１２１には、大型基板１１０の厚さ方向Ｚと直交する方向に延びる凹部１２２が複数形成される。凹部１２２の長手方向と直交する断面形状は、等脚台形状をなしている。中間体１００において、樹脂層１２０の表面１２１と凹部１２２の斜面１２３とは、ともに金型による成形面である。なお、図５及び図６は、中間体１００の図示する領域の関係上、凹部１２２を１つだけ図示している。
第１切断工程Ｓ１４は、成形工程Ｓ１３の後工程であって、光センサ１０の隙間ＧＰに相当する部分を形成するべく、切断を行う工程である。第１切断工程Ｓ１４は、図５及び図６に示す直線Ｃ１に沿って、回転するダイシングブレードを移動させることにより行われる。このとき、樹脂層１２０において、後に、第１カバー５０となる部分及び第２カバー６０となる部分が第１方向Ｘに分離する。つまり、樹脂層１２０において、発光素子３０を覆う部分及び受光素子４０を覆う部分の間の部分が切断される。第１切断工程Ｓ１４は、厚さ方向Ｚにおいて、ダイシングブレードの最下部が大型基板１１０の上面よりも下方に配置される状態で行われる。このため、光センサ１０の基板２０に形成される凹溝２３は、樹脂層１２０に隙間ＧＰを形成する際に形成される。
第１実施形態では、ダイシングブレードで隙間ＧＰを形成するため、例えば、エッチングで隙間ＧＰを形成する場合よりも生産性が良好となり、金型で隙間ＧＰを形成する場合よりも金型の形状が複雑にならない。
最後に、第２切断工程Ｓ１５は、中間体１００から複数の光センサ１０を切り出すべく、図５及び図６に示す直線Ｃ２に沿って、ダイシングを行う工程である。このとき、大型基板１１０と樹脂層１２０とが同時に切断される。中間体１００から複数の光センサ１０を切り出す場合と樹脂層１２０に隙間ＧＰを形成する場合とでは、同じ種類のダイシングブレードを用いてもよいし、異なる種類のダイシングブレードを用いてもよい。
ここで、樹脂層１２０の表面１２１は、後に、第１カバー５０の第１上面５１及び第２カバー６０の第２上面６１となる部位であり、凹部１２２の斜面１２３は、後に、第１カバー５０の第１傾斜面５４及び第２カバー６０の第２傾斜面６４となる部位である。このため、第１実施形態では、第１上面５１及び第２上面６１並びに第１傾斜面５４及び第２傾斜面６４の表面粗さが同等となる。また、こうした点で、第１上面５１及び第２上面６１は、同一平面上に位置している。
基板２０の凹溝２３と第１カバー５０の第１内側面５３１及び第２カバー６０の第２内側面６３１は、図６に示す直線Ｃ１に沿って中間体１００をダイシングすることにより形成される。このため、第１内側面５３１及び第２内側面６３１には、図７に示すような切断痕が残る。その結果、図３に示すように、第１内側面５３１及び第２内側面６３１は、同程度の表面粗さとなるとともに、第１上面５１及び第２上面６１に比較して粗面となる。また、凹溝２３の長手方向と直交する断面形状はダイシングブレードの先端形状に応じた形状となる。さらに、凹溝２３の内面は、粗面となる。
基板側面２２と第１外側面５３２，５３３，５３４及び第２外側面６３２，６３３，６３４とは、図６に示す直線Ｃ２に沿って中間体１００をダイシングすることにより形成される。このため、第１外側面５３２，５３３，５３４及び第２外側面６３２，６３３，６３４とにも、図７に示すような切断痕が残る。その結果、図３に示すように、第１外側面５３２，５３３，５３４と第２外側面６３２，６３３，６３４は、同程度の表面粗さとなるとともに、第１上面５１及び第２上面６１に比較して粗面となる。
なお、図７に示す切断痕は、一例であり、ダイシングブレードの直径、ダイシングブレードの移動方向、ダイシングブレードの回転速度、ダイシングブレードのダイシング方向における移動速度、ダイシングブレードの材質及び樹脂層１２０の材質等によって変化し得る。
第１実施形態の作用及び効果について説明する。
詳しくは、図８及び図９を参照して、比較例の光センサ１０Ｘと第１実施形態の光センサ１０とを比較しつつ説明する。なお、図８及び図９では、説明理解の容易のために、光センサ１０，１０Ｘの一部構成の図示を省略した。
（１）図８に示すように、発光素子３０と受光素子４０とを一体に覆うカバー５０Ｘを備える比較例の光センサ１０Ｘにおいて、発光素子３０から拡散光Ｌ１が出射する場合には、拡散光Ｌ１の一部がカバー５０Ｘの上面５１Ｘで受光素子４０に向かうように反射される。これに対し、図９に示すように、第１実施形態の光センサ１０において、発光素子３０を覆う第１カバー５０及び受光素子４０を覆う第２カバー６０の間には隙間ＧＰが設けられる。このため、発光素子３０から拡散光Ｌ１が出射される場合には、拡散光Ｌ１が隙間ＧＰを通過し、第１カバー５０の第１上面５１及び第２カバー６０の第２上面６１で反射されない。
また、図９に示すように、隙間ＧＰを通過して第１カバー５０から第２カバー６０に進むような拡散光Ｌ４がある場合、当該拡散光Ｌ４の一部は、第１内側面５３１で反射されたり、第２内側面６３１で反射されたりする。このため、上記のような拡散光は、第２カバー６０の内部に到達する際には強度が小さくなりやすい。
こうして、光センサ１０は、比較例の光センサ１０Ｘと比較して、物体に反射されることなく、発光素子３０から受光素子４０に向かう光を低減できる。言い換えれば、光センサ１０は、クロストークを低減できる。
さらに、光センサ１０は、第１カバー５０と第２カバー６０との間に遮光壁を備えない点で、装置の小型化が容易となる。また、光センサ１０は、同様の点で、センサの構造を簡素化できるため、光センサ１０の製造工程が複雑化することを抑制できる。
（２）図８に示すように、カバー５０Ｘに第１傾斜面５４を設けない比較例において、発光素子３０から拡散光Ｌ２が出射される場合には、第１上面５１で反射された拡散光Ｌ２の一部が受光素子４０に向かう可能性がある。
この点、図９に示すように、第１実施形態の光センサ１０は、第１カバー５０に第１傾斜面５４が形成されている。このため、図９に示すように、拡散光Ｌ２が第１傾斜面５４を透過しやすく、拡散光Ｌ２が第１上面５１で反射されにくい。その結果、光センサ１０は、第１上面５１での拡散光Ｌ２の反射に起因するクロストークを低減できる。
（３）図８に示すように、カバー５０Ｘに第２傾斜面６４を設けない比較例において、発光素子３０から拡散光Ｌ３が出射される場合には、拡散光Ｌ３がカバー５０Ｘの上面５１Ｘで反射されて、受光素子４０に向かう可能性がある。この点、図９に示すように、第１実施形態の光センサ１０は、第２カバー６０に第２傾斜面６４が形成されている。このため、図９に示すように、拡散光Ｌ３が第２カバー６０の内部に入りにくく、受光素子４０に向かいにくい。その結果、光センサ１０は、第２上面６１での拡散光Ｌ３の反射に起因するクロストークを低減できる。
（４）図９に示すように、光センサ１０において、第１カバー５０の第１外側面５３２，５３３，５３４は、基板側面２２（２２１，２２２，２２４）と面一であり、第２カバー６０の第２外側面６３２，６３３，６３４は、基板側面２２（２２１，２２３，２２４）と面一である。つまり、光センサ１０は、第１カバー５０と第２カバー６０との周囲を囲う周壁を備えない。こうして、光センサ１０は、装置の小型化がより容易となる。
（５）光センサ１０は、第１内側面５３１と第２内側面６３１とが、第１上面５１と第２上面６１とに比較して粗面である。このため、図９に示すように、発光素子３０から拡散光Ｌ４が出射される場合には、拡散光Ｌ４が第１カバー５０から隙間ＧＰに出たり、隙間ＧＰから第２カバー６０に入ったりする際に、拡散光Ｌ４が反射したり、散乱したり、屈折したりする。こうして、光センサ１０は、粗面の第１内側面５３１と第２内側面６３１とにより、拡散光Ｌ４を弱めることができる。
（６）光センサ１０は、第１外側面５３２，５３３，５３４が第１上面５１と第２上面６１とに比較して粗面である。このため、光センサ１０は、発光素子３０から出射される拡散光が、第１外側面５３２，５３３，５３４を介して、光センサ１０の外部に漏れ出ることを抑制できる。
（７）光センサ１０は、第２外側面６３２，６３３，６３４が第１上面５１と第２上面６１とに比較して粗面である。このため、光センサ１０は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにおける外部から第２カバー６０に入射する光が受光素子４０に到達することを抑制できる。
（８）図１に示すように、厚さ方向Ｚにおける平面視において、発光素子３０と受光素子４０とは、隙間ＧＰの延びる方向である第２方向Ｙにずれて配置されている。詳しくは、厚さ方向Ｚにおける平面視において、発光素子３０と受光素子４０とは、第２方向Ｙに重ならないように配置されている。このため、光センサ１０は、発光素子３０と受光素子４０とが第２方向Ｙに少なくとも一部が重なるように配置されている場合と比較して、発光素子３０と受光素子４０とを互いに遠ざけて配置できる。こうして、光センサ１０は、クロストークをより低減できる。
（９）図９に示すように、光センサ１０は、第１カバー５０と第２カバー６０との上面から６ｍｍ以下の距離Ｌｎに存在する物体２００を検出対象とする。このため、光センサ１０において、発光素子３０から出射される光の多くが物体２００で反射されることで、受光素子４０に向かいやすくなる。このため、光センサ１０は、遮光壁を備えない点で、クロストークが強くなったとしても、物体２００の検出に十分なＳ／Ｎ比を確保できる。
（第２実施形態）
図１０に基づき、第２実施形態に係る光センサ１０Ａについて説明する。第２実施形態において、第１実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して説明を省略する。第２実施形態の光センサ１０Ａは、第１実施形態の光センサ１０と比較して、主に隙間ＧＰに関する構成が異なる。
図１０に示すように、光センサ１０Ａは、基板２０と、発光素子３０と、受光素子４０と、第１カバー５０Ａと、第２カバー６０Ａと、ボンディングワイヤ７１，７２と、遮光性インク８０と、を備えている。
第１カバー５０Ａは、略直方体状をなし、第１上面５１と、第１裏面５２と、第１側面５３と、を有している。第２カバー６０Ａは、略直方体状をなし、第２上面６１と、第２裏面６２と、第２側面６３と、を有している。
遮光性インク８０は、発光素子３０が出射する光の波長を吸収する色のインクである。遮光性インク８０は、第１カバー５０と第２カバー６０との間の隙間ＧＰに充填されている。遮光性インク８０は、隙間ＧＰにおいて、固化していることが好ましいが、隙間ＧＰに留まることが可能であれば、液状であってもよいし、ゲル状であってもよい。なお、第２実施形態において、隙間ＧＰとは、第１カバー５０と第２カバー６０との間に形成されるものであり、遮光性インク８０が充填されていても、隙間ＧＰが形成されているものとする。
第２実施形態の作用効果について説明する。
（１０）第１カバー５０Ａと第２カバー６０Ａとの間の隙間ＧＰに遮光性インク８０が充填されているため、光センサ１０Ａは、発光素子３０から出射される拡散光を遮光性インク８０で吸収できる。こうして、光センサ１０Ａは、クロストークをより低減できる。また、第２実施形態の光センサ１０Ａは、第１実施形態の効果（１），（４）～（９）を得ることができる。
第２実施形態は、以下のように変更して実施することができる。
・図１１及び図１２に示すように、第２実施形態の光センサ１０Ａは、第１傾斜面５４を有する第１カバー５０と、第２傾斜面６４を有する第２カバー６０と、を備える光センサ１０Ａ１，１０Ａ２としてもよい。この場合、図１１に示すように、光センサ１０Ａ１は、隙間ＧＰのうち、第１内側面５３１と第２内側面６３１との間の第１部分ＧＰ１に充填される遮光性インク８０Ａ１を備えてもよい。また、図１２に示すように、光センサ１０Ａ２は、隙間ＧＰの全てに充填される遮光性インク８０Ａ２を備えてもよい。
（第３実施形態）
図１３に基づき、第３実施形態に係る光センサ１０Ｂについて説明する。第３実施形態において、第１実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して説明を省略する。第３実施形態の光センサ１０Ｂは、第１実施形態の光センサ１０と比較して、主にレンズを備える点が異なる。
図１３に示すように、光センサ１０Ｂは、基板２０と、発光素子３０と、受光素子４０と、第１カバー５０Ｂと、第２カバー６０Ｂと、ボンディングワイヤ７１，７２と、第１レンズ８１と、第２レンズ８２と、を備えている。
第１カバー５０Ｂは、略直方体状をなしている。第１カバー５０Ｂは、第１上面５１と、第１裏面５２と、第１側面５３と、を有している。第２カバー６０Ｂは、略直方体状をなしている。第２カバー６０Ｂは、第２上面６１と、第２裏面６２と、第２側面６３と、を有している。
第１レンズ８１は、第１カバー５０Ｂの第１上面５１上に形成されている。第１レンズ８１は、発光素子３０から出射される光を集光したり、物体で反射された光が受光素子４０に向かいやすくなるように発光素子３０から出射される光の向きを傾けたりする。第２レンズ８２は、第２カバー６０Ｂの第２上面６１上に形成されている。第２レンズ８２は、第２カバー６０に入射しようとする光を受光素子４０に向けて集光する。
第１レンズ８１及び第２レンズ８２は、ともにフレネルレンズである。この点で、第１レンズ８１は「第１フレネルレンズ」の一例であり、第２レンズ８２は「第２フレネルレンズ」の一例である。第１レンズ８１及び第２レンズ８２は、第１カバー５０Ｂ及び第２カバー６０Ｂと別体に形成してもよいし、第１カバー５０Ｂ及び第２カバー６０Ｂと一体に形成してもよい。第１レンズ８１及び第２レンズ８２を第１カバー５０Ｂ及び第２カバー６０Ｂと一体に形成する場合、第１レンズ８１及び第２レンズ８２は、例えば、成形工程Ｓ１３で第１カバー５０Ｂ及び第２カバー６０Ｂと同時に形成することが可能である。
第３実施形態の作用効果について説明する。
（１１）光センサ１０Ｂは、第１レンズ８１及び第２レンズ８２を備えるため、発光素子３０から出射される光の多くが物体２００で反射されるとともに、物体２００での反射光が受光素子４０に向かいやすくなる。また、第１レンズ８１及び第２レンズ８２は、フレネルレンズであるため、光センサ１０Ｂの厚さ方向Ｚにおける長さが長くなることが抑制される。また、第３実施形態の光センサ１０Ｂは、第１実施形態の効果（１），（４）～（９）を得ることができる。
第３実施形態は、以下のように変更して実施することができる。
・第１レンズ８１及び第２レンズ８２は、通常の集光レンズとしてもよい。
・光センサ１０Ｂは、第１レンズ８１及び第２レンズ８２の少なくとも一方のレンズを備えていればよい。
（第４実施形態）
図１４に基づき、第４実施形態に係る光センサ１０Ｃについて説明する。第４実施形態において、第１実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して説明を省略する。第４実施形態の光センサ１０Ｃは、第１実施形態の光センサ１０と比較して、主に発光素子の構成が異なる。
図１４に示すように、光センサ１０Ｃは、基板２０と、発光素子３０Ｃと、受光素子４０と、第１カバー５０Ｃと、第２カバー６０Ｃと、ボンディングワイヤ７１，７２と、を備えている。なお、図１４では、ボンディングワイヤ７１，７２の図示を省略している。
発光素子３０Ｃは、第１パッド２１１上に実装され、第２パッド２１２とボンディングワイヤ７１を介して接続されている。発光素子３０Ｃの厚さ方向Ｚにおける長さは、受光素子４０の厚さ方向Ｚにおける長さよりも短くなっている。
第１カバー５０Ｃは、略直方体状をなしている。第１カバー５０Ｃは、第１上面５１と、第１裏面５２と、第１側面５３と、を有している。第２カバー６０Ｃは、略直方体状をなしている。第２カバー６０Ｃは、第２上面６１と、第２裏面６２と、第２側面６３と、を有している。
図１４に示すように、厚さ方向Ｚにおいて、基板主面２１から発光素子３０Ｃの上面３１Ｃまでの長さＬｎ１は、基板主面２１から受光素子４０の上面４１までの長さＬｎ２よりも短くなっている。つまり、厚さ方向Ｚにおいて、発光素子３０Ｃの上面３１Ｃから第１カバー５０Ｃの第１上面５１までの長さは、受光素子４０の上面４１から第２カバー６０Ｃの第２上面６１までの長さよりも長くなっている。こうして、発光素子３０Ｃの上面３１Ｃ及び受光素子４０の上面４１は、厚さ方向Ｚにずれて位置している。
第４実施形態の作用効果について説明する。
（１２）光センサ１０Ｃにおいて、受光素子４０の上面４１は、発光素子３０Ｃの上面３１Ｃよりも上方にずれて位置している。このため、図１４に示すように、発光素子３０Ｃから第１方向Ｘ又は第１方向Ｘから僅かに傾いた方向に出射する拡散光Ｌ５がある場合、当該拡散光Ｌ５は、受光素子４０の上面４１に到達しにくくなる。こうして、光センサ１０Ｃは、クロストークをより低減できる。また、第４実施形態の光センサ１０Ｃは、第１実施形態の効果（１），（４）～（９）を得ることができる。
第４実施形態は、以下のように変更して実施することができる。
・図１５に示すように、光センサ１０Ｃは、発光素子３０と受光素子４０Ｃとを備える光センサ１０Ｃ１としてもよい。図１５に示すように、厚さ方向Ｚにおいて、基板主面２１から発光素子３０の上面３１までの長さＬｎ１は、基板主面２１から受光素子４０Ｃの上面４１Ｃまでの長さＬｎ２よりも長くなっている。つまり、厚さ方向Ｚにおいて、発光素子３０の上面３１から第１カバー５０Ｃの第１上面５１までの長さは、受光素子４０Ｃの上面４１Ｃから第２カバー６０Ｃの第２上面６１までの長さよりも短くなっている。なお、図１５では、ボンディングワイヤ７１，７２の図示を省略している。
・長さＬｎ１及び長さＬｎ２が異なっていれば、発光素子３０Ｃの厚さ方向Ｚにおける長さ及び受光素子４０の厚さ方向Ｚにおける長さは、等しくてもよい。この場合、第１パッド２１１と発光素子３０Ｃとの間に導電性の介在部を設けたり、第４パッド２１４と受光素子４０との間に導電性の介在部を設けたりしてもよい。また、発光素子３０Ｃが実装される第１パッド２１１の厚さと、受光素子４０が実装される第４パッド２１４の厚さと、を異なる厚さとしてもよい。また、基板２０において、第１パッド２１１が形成される部分の厚さと、第４パッド２１４が形成される部分の厚さと、を異なる厚さとしてもよい。
各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・光センサ１０，１０Ａ～１０Ｃは、第１カバー５０と第２カバー６０との表面から６ｍｍよりも離れた距離Ｌｎに存在する物体を検出対象としてもよい。この場合、光センサ１０，１０Ａ～１０Ｃは、Ｓ／Ｎ比を確保するべく、光センサ１０，１０Ａ～１０Ｃの構成部品の形状、大きさ及び位置関係などを変更することが好ましい。
・厚さ方向Ｚにおける平面視において、光センサ１０，１０Ａ～１０Ｃの外形形状は正方形状でなくてもよい。例えば、光センサ１０，１０Ａ～１０Ｃの外形形状は、長方形状であってもよいし、多角形状であってもよいし、円形状であってもよい。
・図１６に示すように、光センサ１０は、光センサ１０Ｄとしてもよい。光センサ１０Ｄにおいて、第１パッド２１１及び第４パッド２１４は第１方向Ｘに隣り合うように形成されてもよいし、第２パッド２１２及び第３パッド２１３は第１方向Ｘに隣り合うように形成されてもよい。言い換えれば、第１パッド２１１及び第４パッド２１４は、第１方向Ｘに少なくとも一部が重なるように形成されてもよいし、第２パッド２１２及び第３パッド２１３は、第１方向Ｘに少なくとも一部が重なるように形成されてもよい。つまり、発光素子３０と受光素子４０とは、凹溝２３に区画される領域にそれぞれ設けられていればよい。
・図１７に示すように、光センサ１０は、基板２０に凹溝２３が形成されていない光センサ１０Ｅとしてもよい。つまり、光センサ１０Ｅの製造時に、厚さ方向Ｚにおいて、ダイシングブレードの下端と基板主面２１とを一致させた状態で、図５及び図６に示す直線Ｃ１に沿ってダイシングを行ってもよい。
・図１８に示すように、光センサ１０は、基板主面２１上に設けられ且つ第１カバー５０と第２カバー６０とを接続する接続部９０を備える光センサ１０Ｆとしてもよい。
接続部９０は、第２方向Ｙを高さ方向とする柱状をなしている。接続部９０は、第２方向Ｙにわたって、第１カバー５０と第２カバー６０とを接続している。つまり、接続部９０は、第２方向Ｙにおいて、第１カバー５０と第２カバー６０との双方と同等の長さとなっている。また、第２方向Ｙにおける接続部９０の断面形状は同一となっている。
接続部９０は、厚さ方向Ｚと交差する接続部上面９１を有している。接続部上面９１は、基板主面２１に向かって凹んだ凹曲面であり、隙間ＧＰに面している。このため、光センサ１０Ｆにおいて、隙間ＧＰは、第１カバー５０の第１内側面５３１と第２カバー６０の第２内側面６３１と接続部９０の接続部上面９１との間に形成されているといえる。言い換えれば、隙間ＧＰは、第１カバー５０と第２カバー６０と接続部９０との間に形成されているといえる。このように、第１カバー５０と第２カバー６０とは、分離している構成でもよいし、隙間ＧＰが形成されていれば繋がっている構成でもよい。
厚さ方向Ｚにおいて、基板主面２１から接続部上面９１までの長さを接続部９０の厚さＴｈとすると、接続部９０の厚さＴｈは、基板主面２１から発光素子３０の上面３１までの長さＬｎ１よりも短いことが好ましく、基板主面２１から発光素子３０の発光層までの長さよりも短いことがより好ましい。また、接続部９０の厚さＴｈは、基板主面２１から受光素子４０の上面４１までの長さＬｎ２よりも短いことが好ましく、基板主面２１から受光素子４０の受光層までの長さよりも短いことがより好ましい。
上述したように、接続部上面９１は湾曲している。この構成において、接続部９０の厚さＴｈとは、基板主面２１から接続部上面９１において最も基板主面２１に近い部分までの長さとする。
図１８に示すように、接続部９０の厚さＴｈは、厚さ方向Ｚにおける隙間ＧＰの長さＬｎ３よりも短く、厚さ方向Ｚにおける第１部分ＧＰ１の長さＬｎ４よりも短い。このため、第１カバー５０と第２カバー６０との間において、接続部９０が占める領域よりも隙間ＧＰが占める領域の方が大きくなっている。ただし、これに限られず、接続部９０の厚さＴｈは任意に設定可能であり、例えば厚さ方向Ｚにおける第１部分ＧＰ１の長さＬｎ４よりも長くてもよい。
なお、厚さ方向Ｚにおける隙間ＧＰの長さＬｎ３とは、接続部上面９１（例えば接続部上面９１における最も基板主面２１に近い部分）から第１上面５１及び第２上面６１の厚さ方向Ｚの上端までの長さである。厚さ方向Ｚにおける第１部分ＧＰ１の長さＬｎ４とは、接続部上面９１（例えば接続部上面９１における最も基板主面２１に近い部分）から第１内側面５３１及び第２内側面６３１の厚さ方向Ｚの上端までの長さである。
また、接続部９０は、光センサ１０Ｆの製造時に、厚さ方向Ｚにおいて、ダイシングブレードの下端を基板主面２１よりも上方に配置させた状態で、図５及び図６に示す直線に沿ってダイシングが行われることで形成される。このため、接続部９０は、第１カバー５０と第２カバー６０と同一の樹脂材料から形成され、接続部９０は、第１カバー５０と第２カバー６０と一体に形成されている。
図１８に示す光センサ１０Ｆは、接続部９０によって第１カバー５０と第２カバー６０とが一体となるため、光センサ１０Ｆの強度を高めることができる。また、光センサ１０Ｆは、接続部９０の厚さＴｈを基板主面２１から発光素子３０の上面３１までの長さＬｎ１未満としたため、発光素子３０から出射される光が、接続部９０を通過して、受光素子４０に向かうことを抑制できる。つまり、光センサ１０Ｆは、接続部９０を設けたことに起因するクロストークを低減できる。
・発光素子３０及び受光素子４０の形状は、直方体状でなくてもよい。例えば、発光素子３０及び受光素子４０の形状は、立方体状でもよいし、円柱状でもよいし、板状でもよい。
・発光素子３０は、半導体レーザ素子としてもよい。半導体レーザ素子は、例えばレーザ光を垂直方向に出射するＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER：垂直共振器面発光レーザ）である。これによれば、発光素子３０から出射される光の拡散光を低減できる。
・第１カバー５０の第１内側面５３１と第２カバー６０の第２内側面６３１とは粗面に形成しなくてもよい。同様に、第１カバー５０の第１外側面５３２，５３３，５３４の少なくとも１つを粗面に形成しなくてもよいし、第２カバー６０の第２外側面６３２，６３３，６３４の少なくとも１つを粗面に形成しなくてもよい。
・第１カバー５０の第１傾斜面５４及び第２カバー６０の第２傾斜面６４は粗面に形成してもよい。この場合、金型の表面を粗面とすることで、第１傾斜面５４及び第２傾斜面６４を粗面としてもよいし、樹脂成形後の加工により、第１傾斜面５４及び第２傾斜面６４を粗面としてもよい。
・第１カバー５０の第１内側面５３１に鏡面の膜又は遮光膜を設けることで、発光素子３０から出射される拡散光が第２カバー６０の内部に入らないようにしてもよい。同様に、第２カバー６０の第２内側面６３１に鏡面の膜又は遮光膜を設けることで、発光素子３０から出射される拡散光が第２カバー６０の内部に入らないようにしてもよい。
・第１カバー５０と第２カバー６０との間の隙間ＧＰは、樹脂層１２０の成形時に金型により形成してもよい。
・第１カバー５０の第１上面５１と第２カバー６０の第２上面６１とは、厚さ方向Ｚにずらしてもよい。
・中間体１００のダイシングには、ダイシングブレードを用いなくてもよい。例えば、ダイシングは、レーザを用いて行ってもよい。
（付記）
次に、上記各実施形態および各変更例に基づく技術的思想を以下に記載する。
（付記１）
厚さ方向と交差する基板主面を有する基板と、
前記基板主面上に設けられる発光素子と、
前記基板主面上に設けられる受光素子と、
透光性を有し、前記発光素子を覆うように前記基板主面上に設けられる第１カバーと、
透光性を有し、前記受光素子を覆うように前記基板主面上に設けられる第２カバーと、
を備え、
前記第１カバーと前記第２カバーとの間には、隙間が形成されている光センサ。
（付記２）
前記第１カバーは、前記厚さ方向と交差する第１上面と、前記第１上面と交差する第１側面と、を有し、
前記第２カバーは、前記厚さ方向と交差する第２上面と、前記第２上面と交差する第２側面と、を有し、
前記第１側面は、前記隙間に面する第１内側面と、前記隙間に面しない第１外側面と、を含み、
前記第２側面は、前記隙間に面する第２内側面と、前記隙間に面しない第２外側面と、を含む付記１に記載の光センサ。
（付記３）
前記第１カバーは、前記第１上面と前記第１内側面とが接続する隅部に、前記第１上面と前記第１内側面との双方と交差する第１傾斜面を有する付記２に記載の光センサ。
（付記４）
前記第２カバーは、前記第２上面と前記第２内側面とが接続する隅部に、前記第２上面と前記第２内側面との双方と交差する第２傾斜面を有する付記２又は付記３に記載の光センサ。
（付記５）
前記基板は、基板側面を有し、
前記第１外側面と前記第２外側面とは、前記厚さ方向において、前記基板側面と面一となっている付記２～付記４の何れか一項に記載の光センサ。
（付記６）
前記第１内側面は、前記第１上面よりも粗面である付記２～付記５の何れか一項に記載の光センサ。
（付記７）
前記第２内側面は、前記第２上面よりも粗面である付記２～付記６の何れか一項に記載の光センサ。
（付記８）
前記第１外側面は、前記第１上面よりも粗面である付記２～付記７の何れか一項に記載の光センサ。
（付記９）
前記第２外側面は、前記第２上面よりも粗面である付記２～付記８の何れか一項に記載の光センサ。
（付記１０）
前記隙間に充填される遮光性インクを備える付記１～付記９の何れか一項に記載の光センサ。
（付記１１）
前記隙間には、空気が充填されている付記１～付記９の何れか一項に記載の光センサ。
（付記１２）
前記発光素子の上面及び前記受光素子の上面は、前記厚さ方向にずれている付記１～付記１１の何れか一項に記載の光センサ。
（付記１３）
前記厚さ方向において、前記基板主面から前記発光素子の上面までの長さは、前記基板主面から前記受光素子の上面までの長さより短くなっている付記１２に記載の光センサ。
（付記１４）
前記第１上面と前記第２上面とは、同一平面上に位置している付記２～付記１３の何れか一項に記載の光センサ。
（付記１５）
前記第１上面上に形成される第１フレネルレンズを備える付記２～付記１４の何れか一項に記載の光センサ。
（付記１６）
前記第２上面上に形成される第２フレネルレンズを備える付記２～付記１５の何れか一項に記載の光センサ。
（付記１７）
前記第１カバーと前記第２カバーとは、前記隙間を介して対向しており、
前記隙間は、前記厚さ方向における平面視において、前記第１カバーと前記第２カバーとの対向方向と直交する方向に延びており、
前記発光素子と前記受光素子とは、前記厚さ方向における平面視において、前記隙間の延びる方向にずれて配置されている付記１～付記１６の何れか一項に記載の光センサ。
（付記１８）
前記基板主面において、前記隙間に面する部分には、前記厚さ方向に凹む凹溝が形成されている付記１～付記１７の何れか一項に記載の光センサ。
（付記１９）
前記基板主面は、前記凹溝に区画される第１領域及び第２領域を有し、
前記発光素子は、前記第１領域上に設けられ、
前記受光素子は、前記第２領域上に設けられ、
前記第１カバーは、前記発光素子を覆うように前記第１領域上に設けられ、
前記第２カバーは、前記受光素子を覆うように前記第２領域上に設けられ、
前記厚さ方向における平面視において、前記受光素子は前記発光素子よりも大きく、前記第２領域は前記第１領域よりも大きい付記１８に記載の光センサ。
（付記２０）
前記第１カバーと前記第２カバーとは、前記隙間を介して対向しており、
前記凹溝は、前記厚さ方向における平面視において、前記第１カバーと前記第２カバーとの対向方向と直交する方向に延びており、
前記第１領域及び前記第２領域は、前記凹溝の幅方向を短手方向とし、前記凹溝の延びる方向を長手方向とする矩形状をなし、
前記第１領域の前記短手方向の長さは、前記第２領域の前記短手方向の長さよりも短く、
前記第１領域の前記長手方向の長さは、前記第２領域の前記長手方向の長さと等しくなっている付記１９に記載の光センサ。
（付記２１）
前記第１カバーと前記第２カバーとは、前記隙間を介して対向しており、
前記凹溝は、前記厚さ方向における平面視において、前記第１カバーと前記第２カバーとの対向方向と直交する方向に延びており、
前記基板は、前記第１領域に前記凹溝の延びる方向に配列した第１パッド及び第２パッドと、前記第２領域に前記凹溝の延びる方向に配列した第３パッド及び第４パッドと、を有し、
前記発光素子は、前記第１パッド上に実装され、前記第２パッドに電気的に接続され、
前記受光素子は、前記第４パッド上に実装され、前記第３パッドに電気的に接続されている付記１９又は付記２０に記載の光センサ。
（付記２２）
前記第１パッドは、前記凹溝の幅方向において、前記第３パッドと少なくとも一部が重なる一方、前記第４パッドと重ならないように形成され、
前記第２パッドは、前記凹溝の幅方向において、前記第４パッドと少なくとも一部が重なる一方、前記第３パッドと重ならないように形成されている付記２１に記載の光センサ。
（付記２３）
前記基板主面上に設けられ、前記第１カバーと前記第２カバーとを接続する接続部を備え、
前記隙間は、前記第１カバーと前記第２カバーと前記接続部との間に形成されている付記１～付記１７の何れか一項に記載の光センサ。
（付記２４）
前記接続部は、前記隙間に面する接続部上面を有し、
前記厚さ方向において、前記基板主面から前記接続部上面までの長さである前記接続部の厚さは、前記基板主面から前記発光素子の上面までの長さよりも短くなっている付記２３に記載の光センサ。
（付記２５）
前記接続部は、前記隙間に面する接続部上面を有し、
前記厚さ方向における前記基板主面から前記接続部上面までの長さである前記接続部の厚さは、前記厚さ方向における前記隙間の長さよりも短くなっている付記２３又は付記２４に記載の光センサ。
（付記２６）
前記第１カバーと前記第２カバーとは、前記隙間を介して対向しており、
前記基板は、前記厚さ方向における平面視において、矩形状をなし、前記第１カバーと前記第２カバーとの対向方向に延びる第１基板側面及び第４基板側面と、前記対向方向と直交する方向に延びる前記第１基板側面及び前記第４基板側面を接続する第２基板側面及び第３基板側面と、を有し、
前記発光素子は、前記第４基板側面よりも前記第１基板側面に近い位置に設けられ、
前記受光素子は、前記第１基板側面よりも前記第４基板側面に近い位置に設けられている付記１～付記２５の何れか一項に記載の光センサ。
（付記２７）
前記発光素子は、垂直方向にレーザ光を出射する半導体レーザ素子である付記１～付記２６の何れか一項に記載の光センサ。
（付記２８）
前記厚さ方向における平面視において、正方形状をなしている付記１～付記２７の何れか一項に記載の光センサ。
（付記２９）
前記厚さ方向における平面視において、１辺の長さが０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である付記２８に記載の光センサ。
（付記３０）
前記第１カバーと前記第２カバーとから６ｍｍ以下の範囲内に存在する物体を検出対象とする付記１～付記２９の何れか一項に記載の光センサ。
（付記３１）
厚さ方向と交差する基板主面を有する基板と、
前記基板主面上に設けられる発光素子と、
前記基板主面上に設けられる受光素子と、
透光性を有し、前記発光素子を覆うように前記基板主面上に設けられる第１カバーと、
透光性を有し、前記受光素子を覆うように前記基板主面上に設けられる第２カバーと、
を備える光センサの製造方法であって、
前記発光素子及び前記受光素子ごと前記基板主面を覆う樹脂層を成形する成形工程と、
前記樹脂層における前記発光素子を覆う部分と前記受光素子を覆う部分との間の部分を切断することにより、前記第１カバー及び前記第２カバーの間に隙間を形成する切断工程と、を備える光センサの製造方法。
（付記３２）
厚さ方向と交差する基板主面を有する基板と、
前記基板主面上に設けられ、レーザ光を垂直方向に出射するＶＣＳＥＬと、
前記基板主面上に設けられる受光素子と、
透光性を有し、前記ＶＣＳＥＬを覆うように前記基板主面上に設けられる第１カバーと、
透光性を有し、前記受光素子を覆うように前記基板主面上に設けられる第２カバーと、
を備え、
前記第１カバーと前記第２カバーとの間には、隙間が形成され、
前記隙間には、空気が充填されており、
前記基板主面において、前記隙間に面する部分には、前記厚さ方向に凹む凹溝が形成されている光センサ。
（付記３３）
厚さ方向と交差する基板主面を有する基板と、
前記基板主面上に設けられ、レーザ光を垂直方向に出射するＶＣＳＥＬと、
前記基板主面上に設けられる受光素子と、
透光性を有し、前記ＶＣＳＥＬを覆うように前記基板主面上に設けられる第１カバーと、
透光性を有し、前記受光素子を覆うように前記基板主面上に設けられる第２カバーと、
を備え、
前記第１カバーと前記第２カバーとの間には、隙間が形成され、
前記隙間には、空気が充填されており、
前記基板主面において、前記隙間に面する部分には、前記厚さ方向に凹む凹溝が形成されている光センサの製造方法であって、
前記ＶＣＳＥＬ及び前記受光素子ごと前記基板主面を覆う樹脂層を成形する成形工程と、
前記樹脂層における前記ＶＣＳＥＬを覆う部分と前記受光素子を覆う部分との間の部分を切断することにより、前記第１カバー及び前記第２カバーの間に前記隙間を形成し、前記基板に前記凹溝を形成する切断工程と、を備える光センサの製造方法。
１０，１０Ａ，１０Ａ１，１０Ａ２，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｃ１，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ…光センサ
１０Ｘ…比較例の光センサ
２０…基板
２１…基板主面
２１１…第１パッド
２１２…第２パッド
２１３…第３パッド
２１４…第４パッド
２２…基板側面
２２１…第１基板側面
２２２…第２基板側面
２２３…第３基板側面
２２４…第４基板側面
２３…凹溝
３０，３０Ｃ…発光素子
３１，３１Ｃ…上面
４０，４０Ｃ…受光素子
４１，４１Ｃ…上面
５０，５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ…第１カバー
５０Ｘ…比較例のカバー
５１…第１上面
５１Ｘ…上面
５２…第１裏面
５３…第１側面
５３１…第１内側面
５３２…第１外側面
５３３…第１外側面
５３４…第１外側面
５４…第１傾斜面
６０，６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ…第２カバー
６１…第２上面
６２…第２裏面
６３…第２側面
６３１…第２内側面
６３２…第２外側面
６３３…第２外側面
６３４…第２外側面
６４…第２傾斜面
７１，７２…ボンディングワイヤ
８０，８０Ａ１，８０Ａ２…遮光性インク
８１…第１レンズ（第１フレネルレンズの一例）
８２…第２レンズ（第２フレネルレンズの一例）
９０…接続部
９１…接続部上面
１００…中間体
１１０…大型基板
１２０…樹脂層
１２１…表面
１２２…凹部
１２３…斜面
２００…物体
Ａ１…第１領域
Ａ２…第２領域
ＧＰ…隙間
ＧＰ１…第１部分
ＧＰ２…第２部分
Ｌ１～Ｌ５…拡散光
Ｘ…第１方向
Ｙ…第２方向
Ｚ…厚さ方向

Claims (17)

  1. 厚さ方向と交差する基板主面を有する基板と、
    前記基板主面上に設けられ、レーザ光を垂直方向に出射するＶＣＳＥＬと、
    前記基板主面上に設けられる受光素子と、
    透光性を有し、前記ＶＣＳＥＬを覆うように前記基板主面上に設けられる第１カバーと、
    透光性を有し、前記受光素子を覆うように前記基板主面上に設けられる第２カバーと、
    を備え、
    前記第１カバーと前記第２カバーとの間には、隙間が形成され、
    前記隙間には、空気が充填されており、
    前記隙間の幅は０．０３ｍｍ以上０．１ｍｍ未満であり、
    前記第１カバーおよび前記第２カバーのうち前記隙間を構成する側面は、光が透過可能であり、
    前記基板主面において、前記隙間に面する部分には、前記厚さ方向に凹む凹溝が形成されている光センサ。
  2. 前記第１カバーは、前記厚さ方向と交差する第１上面と、前記第１上面と交差する第１側面と、を有し、
    前記第２カバーは、前記厚さ方向と交差する第２上面と、前記第２上面と交差する第２側面と、を有し、
    前記第１側面は、前記隙間に面する第１内側面と、前記隙間に面しない第１外側面と、を含み、
    前記第２側面は、前記隙間に面する第２内側面と、前記隙間に面しない第２外側面と、を含む請求項１に記載の光センサ。
  3. 前記第１カバーは、前記第１上面と前記第１内側面とが接続する隅部に、前記第１上面と前記第１内側面との双方と交差する第１傾斜面を有する請求項２に記載の光センサ。
  4. 前記第２カバーは、前記第２上面と前記第２内側面とが接続する隅部に、前記第２上面と前記第２内側面との双方と交差する第２傾斜面を有する請求項２又は請求項３に記載の光センサ。
  5. 前記基板は、基板側面を有し、
    前記第１外側面と前記第２外側面とは、前記厚さ方向において、前記基板側面と面一となっている請求項２～請求項４の何れか一項に記載の光センサ。
  6. 前記第１内側面は、前記第１上面よりも粗面である請求項２～請求項５の何れか一項に記載の光センサ。
  7. 前記第２内側面は、前記第２上面よりも粗面である請求項２～請求項６の何れか一項に記載の光センサ。
  8. 前記第１外側面は、前記第１上面よりも粗面である請求項２～請求項７の何れか一項に記載の光センサ。
  9. 前記第２外側面は、前記第２上面よりも粗面である請求項２～請求項８の何れか一項に記載の光センサ。
  10. 前記ＶＣＳＥＬの上面及び前記受光素子の上面は、前記厚さ方向にずれている請求項２～請求項９の何れか一項に記載の光センサ。
  11. 前記厚さ方向において、前記基板主面から前記ＶＣＳＥＬの上面までの長さは、前記基板主面から前記受光素子の上面までの長さより短くなっている請求項１０に記載の光センサ。
  12. 前記第１上面と前記第２上面とは、同一平面上に位置している請求項２～請求項１１の何れか一項に記載の光センサ。
  13. 前記第１上面上に形成される第１フレネルレンズを備える請求項２～請求項１２の何れか一項に記載の光センサ。
  14. 前記第２上面上に形成される第２フレネルレンズを備える請求項２～請求項１３の何れか一項に記載の光センサ。
  15. 前記第１カバーと前記第２カバーとは、前記隙間を介して対向しており、
    前記隙間は、前記厚さ方向における平面視において、前記第１カバーと前記第２カバーとの対向方向と直交する方向に延びており、
    前記ＶＣＳＥＬと前記受光素子とは、前記厚さ方向における平面視において、前記隙間の延びる方向にずれて配置されている請求項１～請求項１４の何れか一項に記載の光センサ。
  16. 前記基板主面は、前記凹溝に区画される第１領域及び第２領域を有し、
    前記ＶＣＳＥＬは、前記第１領域上に設けられ、
    前記受光素子は、前記第２領域上に設けられ、
    前記第１カバーは、前記ＶＣＳＥＬを覆うように前記第１領域上に設けられ、
    前記第２カバーは、前記受光素子を覆うように前記第２領域上に設けられ、
    前記厚さ方向における平面視において、前記受光素子は前記ＶＣＳＥＬよりも大きく、前記第２領域は前記第１領域よりも大きい請求項１～請求項１５の何れか一項に記載の光センサ。
  17. 厚さ方向と交差する基板主面を有する基板と、
    前記基板主面上に設けられ、レーザ光を垂直方向に出射するＶＣＳＥＬと、
    前記基板主面上に設けられる受光素子と、
    透光性を有し、前記ＶＣＳＥＬを覆うように前記基板主面上に設けられる第１カバーと、
    透光性を有し、前記受光素子を覆うように前記基板主面上に設けられる第２カバーと、
    を備え、
    前記第１カバーと前記第２カバーとの間には、隙間が形成され、
    前記隙間には、空気が充填されており、
    前記隙間の幅は０．０３ｍｍ以上０．１ｍｍ未満であり、
    前記第１カバーおよび前記第２カバーのうち前記隙間を構成する側面は、光が透過可能であり、
    前記基板主面において、前記隙間に面する部分には、前記厚さ方向に凹む凹溝が形成されている光センサの製造方法であって、
    前記ＶＣＳＥＬ及び前記受光素子ごと前記基板主面を覆う樹脂層を成形する成形工程と、
    前記樹脂層における前記ＶＣＳＥＬを覆う部分と前記受光素子を覆う部分との間の部分を切断することにより、前記第１カバー及び前記第２カバーの間に前記隙間を形成し、前記基板に前記凹溝を形成する切断工程と、を備える光センサの製造方法。
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