JP7545386B2 - 光学変調器の制御 - Google Patents
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Description
[0001] 本出願は、2018年10月18日に出願された「Control of an Optical Modulator」と題する米国特許出願第62/747,518号の優先権を主張する。これは参照により全体が本願に含まれる。
・放射ビームB(例えばEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)IL
・パターニングデバイス(例えばマスク又はレチクル)MAを支持するように構成され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MT
・基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WT
・パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば反射型投影システム)PS
1.ステップモードでは、支持構造(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTを基本的に静止状態に維持しながら、放射ビームに付与されたパターン全体を1回でターゲット部分Cに投影する(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTをX方向及び/又はY方向に移動させる。
2.スキャンモードでは、支持構造(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTを同期的にスキャンしながら、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Cに投影する(すなわち単一動的露光)。支持構造(例えばマスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって決定することができる。
3.別のモードでは、支持構造(例えばマスクテーブル)MTがプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持されると共に基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、基板テーブルWTの各移動の後に又はスキャン中の連続した放射パルスと放射パルスとの間に、プログラマブルパターニングデバイスが必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及したタイプのプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
1.極端紫外線(EUV)光源のための装置であって、
電気光学材料を含み、相互に時間的に分離した複数の光パルスを含むパルス光ビームを受光するように構成された光学変調システムと、
電気光学変調器に第1の光パルスが入射している間に電気光学材料に第1の電気パルスを印加し、電気光学材料に第2の光パルスが入射している間に電気光学材料に第2の電気パルスを印加し、電気光学材料に第1の光パルスが入射した後であって電気光学材料に第2の光パルスが入射する前に電気光学材料に中間電気パルスを印加するように、電源を制御するよう構成された制御システムと、
を備える装置。
2.電気光学材料に第1の電気パルスを印加すると電気光学材料に物理的効果が生じ、物理的効果は、電気光学材料に中間電気パルスが印加されるときに電気光学材料に存在する、条項1に記載の装置。
3.物理的効果は、電気光学材料内を進む音響波及び/又は機械的歪みを含む、条項2に記載の装置。
4.電気光学材料に中間電気パルスを印加すると物理的効果が低減する、条項2に記載の装置。
5.第1の光パルス及び第2の光パルスはパルス光ビーム内の連続した光パルスである、条項1に記載の装置。
6.制御システムは第1の電気パルスと中間電気パルスとの間の時間量を制御するように構成されている、条項1に記載の装置。
7.電気光学材料は半導体を含む、条項1に記載の装置。
8.電気光学材料は絶縁体を含む、条項1に記載の装置。
9.電気光学材料は電気光学結晶を含む、条項1に記載の装置。
10.少なくとも1つの偏光ベース光学要素を更に備える、条項1に記載の装置。
11.中間電気パルスは、第1の電気パルスによって生じた音響外乱と干渉する音響外乱を発生させる、条項1に記載の装置。
12.光学パルスを形成するための装置であって、
電気光学材料を含み、オン状態で光を透過させると共にオフ状態で光を阻止するように構成され、相互に時間的に分離した少なくとも第1の光パルス及び第2の光パルスを含むパルス光ビームを受光するように構成された光学変調システムと、
電圧源に結合された制御システムであって、
電気光学変調器に第1の光パルスが入射している間に、電圧源に、電気光学変調器をオン状態に切り換えるよう構成された第1の電圧パルスを電気光学変調器に印加させることによって第1の形成された光学パルスを発生し、
電気光学材料に中間電圧パルスを印加し、
第1の電圧パルス及び中間電圧パルスを印加した後であって電気光学材料に第2の光パルスが入射している間に、第2の電圧パルスを電気光学材料に印加することによって第2の形成された光学パルスを発生する、ように構成された制御システムと、を備え、第2の電圧パルスは電気光学変調器をオン状態に切り換えるよう構成され、電気光学材料に対する中間電圧パルスの印加によって第2の形成された光学パルスの特性が制御される、装置。
13.第2の形成された光学パルスはペデスタル部及び主要部を含み、第2の形成された光学パルスの特性はペデスタルの特性を含み、電気光学材料に対する中間電圧パルスの印加によってペデスタル部の特性が制御されるようになっている、条項12に記載の装置。
14.ペデスタル部及び主要部は時間的に連続している、条項13に記載の装置。
15.ペデスタル部の特性は、ペデスタル部の時間長、最大強度、及び/又は平均強度を含む、条項13に記載の装置。
16.電気光学材料に対する中間電圧パルスの印加によって、オフ状態で光学変調システムを透過する光漏れ光の量が変化する、条項12に記載の装置。
17.電気光学材料に対する中間電圧パルスの印加によって、オフ状態で光学変調システムを透過する光漏れ光が低減する、条項16に記載の装置。
18.制御システムは第1の時点で第1の電圧パルスを電気光学材料に印加させ、
制御システムは第1の時点の後の第2の時点で中間電圧パルスを電気光学材料に印加させ、
第2の時点及び第1の時点は遅延時間だけ時間的に分離し、
制御システムは更に、遅延時間を調整することによって第2の形成された光学パルスの特性を制御するように構成されている、条項12に記載の装置。
19.制御システムは更に、中間電圧パルスの振幅、時間長、及び位相のうち少なくとも1つを制御するように構成されている、条項18に記載の装置。
20.制御システムは更に、
ペデスタル部の測定された特性の指示を受信し、
受信した指示に基づいて中間電圧パルスの特性を調整する、
ように構成されている、条項13に記載の装置。
21.制御システムは更に、
プラズマによって生成された極端紫外線(EUV)光の量の指示を受信し、
EUV光の量の受信した指示に基づいて中間電圧パルスの特性を調整する、
ように構成されている、条項12に記載の装置。
22.中間電圧パルスの特性を調整するように構成されている制御システムは、中間電圧パルスの振幅、中間電圧パルスの時間長、中間電圧パルスの位相、及び/又は、電気光学材料に中間電圧パルスを印加する時点である第2の時点を調整するように構成された制御システムを含む、条項21に記載の装置。
23.光学パルスのペデスタルの特性を調整する方法であって、
光学変調システムに光が入射している間に光学変調システムの電気光学材料に第1の電圧パルスを印加することによって第1の光学パルスを形成することと、
第1の電圧パルスを印加した後に電気光学材料に中間電圧パルスを印加することと、
第1の電圧パルス及び中間電圧パルスの後であって電気光学材料に光が入射している間に第2の電圧パルスを電気光学材料に印加することによって第2の光学パルスを形成することと、を含み、第2の光学パルスの特性は中間電圧パルスの印加に基づいて調整される、方法。
24.第1の光学パルスを増幅して、増幅した第1の光学パルスを形成することと、
増幅した第1の光学パルスとターゲット材料との相互作用によって生成されたプラズマから放出される極端紫外線(EUV)光の量の指示を受信することと、
プラズマから放出されるEUV光の量の受信した指示に基づいて中間電圧パルスの少なくとも1つの特性を決定することと、
を更に含む、条項23に記載の方法。
25.中間電圧パルスの少なくとも1つの特性は第1の電圧パルスの印加後の時間遅延を含み、中間電圧パルスの少なくとも1つの特性を決定することは、プラズマから放出されるEUV光の量の受信した指示に基づいて時間遅延を決定することを含む、条項24に記載の方法。
26.中間電圧パルスの少なくとも1つの特性は中間電圧パルスの振幅及び/又は長さを含み、中間電圧パルスの少なくとも1つの特性を決定することは、中間電圧パルスの振幅及び/又は長さを決定することを含む、条項24に記載の方法。
27.第2の光学パルスはペデスタル部及び主要部を含み、中間電圧パルスの印加に基づいてペデスタル部の特性が調整される、条項23に記載の方法。
28.ペデスタル部は主要部と時間的に連続している、条項27に記載の方法。
29.極端紫外線(EUV)光源であって、
容器と、
容器に結合されるように構成されたターゲット材料供給装置と、
パルス光ビームを受光するよう位置決めされるように構成され、電気光学材料を含む光学変調システムと、
電圧源に結合された制御システムであって、
電圧源に複数の形成電圧パルスを電気光学材料に印加させ、複数の形成電圧パルスの各々は異なる時点で電気光学材料に印加され、
電圧源に少なくとも1つの中間電圧パルスを電気光学材料に印加させ、少なくとも1つの中間電圧パルスは複数の形成電圧パルスのうち2つの連続した形成電圧パルスの間に電気光学材料に印加される、
ように構成された制御システムと、
を備えるEUV光源。
30.ターゲット材料供給装置は容器内のターゲット領域へ複数のターゲット材料小滴を提供するように構成され、ターゲット材料小滴はターゲット送出レートでターゲット領域に到達し、制御システムは、ターゲット送出レートに依存する形成レートで電気光学材料に形成電圧パルスを印加する、条項29に記載のEUV光源。
31.中間電圧パルスの特徴は振幅及び/又は位相を含み、
制御システムは更に、
形成レートに関連付けて記憶された振幅及び/又は位相にアクセスし、
電圧源に、アクセスした振幅及び/又は位相で中間電圧パルスを生成させる、
ように構成されている、条項28に記載のEUV光源。
32.制御システムは更に、形成電圧パルスの1つと中間電圧パルスの1つとの間の時間遅延を制御するように構成されている、条項29に記載のEUV光源。
33.更に光学増幅器を備え、
電気光学材料に形成電圧パルスを印加するたびに光学パルスが形成され、
形成された光学パルスは光学増幅器によって増幅されて増幅光学パルスを形成し、
制御システムは更に、容器内でプラズマによって生成されたEUV光の量を測定するよう構成されたメトロロジシステムに結合するように構成され、
プラズマは、形成された増幅光学パルスでターゲット材料を照射することによって形成され、
制御システムは、メトロロジシステムから測定されたEUV光の量を受信するように構成され、
制御システムは、測定されたEUV光の量に基づいて中間電圧パルスの1つ以上の特徴を変更するように構成されている、条項29に記載のEUV光源。
34.中間電圧パルスの1つ以上の特徴は、中間電圧パルスの振幅、中間電圧パルスの時間長、中間電圧パルスの位相、及び/又は最新の形成電圧パルスの印加後の時間遅延を含む、条項33に記載のEUV光源。
Claims (20)
- 極端紫外線(EUV)光源のための装置であって、
電気光学材料を含み、相互に時間的に分離した複数の光パルスを含むパルス光ビームを受光するように構成された光学変調システムと、
前記電気光学材料に第1の光パルスが入射している間に前記電気光学材料に第1の電気パルスを印加し、前記電気光学材料に第2の光パルスが入射している間に前記電気光学材料に第2の電気パルスを印加し、前記電気光学材料に前記第1の光パルスが入射した後であって前記電気光学材料に前記第2の光パルスが入射する前に前記電気光学材料に前記第1の電気パルス及び前記第2の電気パルスと時間的に分離した中間電気パルスを印加するように、電源を制御するよう構成された制御システムと、を備える装置。 - 前記電気光学材料に前記第1の電気パルスを印加すると前記電気光学材料に物理的効果が生じ、前記物理的効果は、前記電気光学材料に前記中間電気パルスが印加される時に前記電気光学材料に存在する、請求項1に記載の装置。
- 前記物理的効果は、前記電気光学材料内を進む音響波及び/又は機械的歪みを含む、請求項2に記載の装置。
- 前記電気光学材料に前記中間電気パルスを印加すると前記物理的効果が低減する、請求項2に記載の装置。
- 前記電気光学材料は半導体を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記電気光学材料は電気光学結晶を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記中間電気パルスは、前記第1の電気パルスによって生じた音響外乱と干渉する音響外乱を発生させる、請求項1に記載の装置。
- 光学パルスを形成するための装置であって、
電気光学材料を含み、オン状態で光を透過させると共にオフ状態で光を阻止するように構成され、相互に時間的に分離した少なくとも第1の光パルス及び第2の光パルスを含むパルス光ビームを受光するように構成された光学変調システムと、
電圧源に結合された制御システムであって、
前記電気光学材料に前記第1の光パルスが入射している間に、前記電圧源に、前記光学変調システムを前記オン状態に切り換えるよう構成された第1の電圧パルスを前記電気光学材料に印加させることによって第1の形成された光学パルスを発生し、
前記電気光学材料に前記第1の電圧パルスとは時間的に分離した中間電圧パルスを印加し、
前記第1の電圧パルス及び前記中間電圧パルスを印加した後であって前記電気光学材料に前記第2の光パルスが入射している間に、前記中間電圧パルスとは時間的に分離した第2の電圧パルスを前記電気光学材料に印加することによって第2の形成された光学パルスを発生する、ように構成された制御システムと、を備え、前記第2の電圧パルスは前記光学変調システムを前記オン状態に切り換えるよう構成され、前記電気光学材料に対する前記中間電圧パルスの前記印加によって前記第2の形成された光学パルスの特性が制御される、装置。 - 前記第2の形成された光学パルスはペデスタル部及び主要部を含み、前記第2の形成された光学パルスの前記特性は前記ペデスタル部の特性を含み、前記電気光学材料に対する前記中間電圧パルスの前記印加によって前記ペデスタル部の特性が制御されるようになっている、請求項8に記載の装置。
- 前記電気光学材料に対する前記中間電圧パルスの前記印加によって、前記オフ状態で前記光学変調システムを透過する光漏れ光の量が変化する、請求項8に記載の装置。
- 前記制御システムは第1の時点で前記第1の電圧パルスを前記電気光学材料に印加させ、
前記制御システムは前記第1の時点の後の第2の時点で前記中間電圧パルスを前記電気光学材料に印加させ、
前記第2の時点及び前記第1の時点は遅延時間だけ時間的に分離し、
前記制御システムは更に、前記遅延時間を調整することによって前記第2の形成された光学パルスの特性を制御するように構成されている、請求項8に記載の装置。 - 前記制御システムは更に、
プラズマによって生成された極端紫外線(EUV)光の量の指示を受信し、
前記EUV光の量の前記受信した指示に基づいて前記中間電圧パルスの特性を調整する、ように構成されている、請求項8に記載の装置。 - 前記中間電圧パルスの特性を調整するように構成されている前記制御システムは、前記中間電圧パルスの振幅、前記中間電圧パルスの時間長、前記中間電圧パルスの位相、及び/又は、前記電気光学材料に前記中間電圧パルスを印加する時点である第2の時点を調整するように構成された前記制御システムを含む、請求項12に記載の装置。
- 光学パルスの特性を調整する方法であって、
光学変調システムに光が入射している間に前記光学変調システムの電気光学材料に第1の電圧パルスを印加することによって第1の光学パルスを形成することと、
前記第1の電圧パルスを印加した後に前記電気光学材料に前記第1の電圧パルスと時間的に分離した中間電圧パルスを印加することと、
前記第1の電圧パルス及び前記中間電圧パルスの後であって前記電気光学材料に光が入射している間に前記中間電圧パルスと時間的に分離した第2の電圧パルスを前記電気光学材料に印加することによって第2の光学パルスを形成することと、を含み、前記第2の光学パルスの特性は前記中間電圧パルスの前記印加に基づく、方法。 - 前記第1の光学パルスを増幅して、増幅した第1の光学パルスを形成することと、
前記増幅した第1の光学パルスとターゲット材料との相互作用によって生成されたプラズマから放出される極端紫外線(EUV)光の量の指示を受信することと、
前記プラズマから放出される前記EUV光の量の前記受信した指示に基づいて前記中間電圧パルスの少なくとも1つの特性を決定することと、を更に含む、請求項14に記載の方法。 - 前記中間電圧パルスの前記少なくとも1つの特性は前記中間電圧パルスの振幅及び/又は長さを含み、前記中間電圧パルスの少なくとも1つの特性を決定することは、前記中間電圧パルスの前記振幅及び/又は長さを決定することを含む、請求項15に記載の方法。
- 前記第2の光学パルスはペデスタル部及び主要部を含み、前記中間電圧パルスの前記印加に基づいて前記ペデスタル部の特性が調整される、請求項14に記載の方法。
- 極端紫外線(EUV)光源であって、
容器と、
前記容器に結合されるように構成されたターゲット材料供給装置と、
パルス光ビームを受光するよう位置決めされるように構成され、電気光学材料を含む光学変調システムと、
電圧源に結合された制御システムであって、
前記電圧源に複数の形成電圧パルスを前記電気光学材料に印加させ、前記複数の形成電圧パルスの各々は異なる時点で前記電気光学材料に印加され、
前記電圧源に少なくとも1つの中間電圧パルスを前記電気光学材料に印加させ、前記少なくとも1つの中間電圧パルスは前記複数の形成電圧パルスのうち2つの連続した形成電圧パルスの間に前記電気光学材料に印加され、前記少なくとも1つの中間電圧パルスは前記2つの連続した形成電圧パルスと時間的に分離している、ように構成された制御システムと、を備えるEUV光源。 - 前記ターゲット材料供給装置は前記容器内のターゲット領域へ複数のターゲット材料小滴を提供するように構成され、前記ターゲット材料小滴はターゲット送出レートで前記ターゲット領域に到達し、前記制御システムは、前記ターゲット送出レートに依存する形成レートで前記電気光学材料に前記形成電圧パルスを印加する、請求項18に記載のEUV光源。
- 前記中間電圧パルスの特徴は振幅及び/又は位相を含み、
前記制御システムは更に、
前記形成レートに関連付けて記憶された振幅及び/又は位相にアクセスし、
前記電圧源に、前記アクセスした振幅及び/又は位相で前記中間電圧パルスを生成させる、ように構成されている、請求項19に記載のEUV光源。
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