JP7536784B2 - 極端紫外光源の保護システム - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
[0001] この出願は、PROTECTION SYSTEM FOR AN EXTREME ULTRAVIOLET LIGHT SOURCEと題する、２０１９年５月８日出願の米国出願第６２／８４５，００７号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

[0002] 本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光源の保護システムに関する。

[0003] 例えば、２０ナノメートル（ｎｍ）以下、５～２０ｎｍの間、又は１３～１４ｎｍの間の波長の光を含む、１００ｎｍ以下の波長を有する（時として軟ｘ線とも称される）電磁放射のような極端紫外線（「ＥＵＶ」）光は、フォトリソグラフィプロセスで使用され、レジスト層において重合を開始することにより、例えばシリコンウェーハのような基板に極めて小さいフィーチャを生成することができる。

[0004] ＥＵＶ光を発生する方法は、必ずしも限定ではないが、例えばキセノン、リチウム、又はスズのような、ＥＵＶ範囲に輝線を有する元素を含む材料を、プラズマ状態に変換することを含む。しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる１つのそのような方法では、例えば材料の小滴、プレート、テープ、流れ、又はクラスタの形態であるターゲット材料を、駆動レーザと称されることのある増幅光ビームで照射することにより、必要なプラズマを生成できる。このプロセスでは、プラズマは通常、例えば真空チャンバのような密閉容器内で生成され、様々なタイプのメトロロジ機器を用いて監視される。

[0005] 一態様において、極端紫外光（ＥＵＶ）源のためのターゲットデリバリシステムが、外部と、内部導管領域と、オリフィスを画定する端部とを含む導管を備える。内部導管領域は、プラズマ状態のときにＥＵＶ光を発するターゲット材料を受け入れるように構成され、オリフィスは、ターゲット材料を真空チャンバの内部に提供するように構成される。ターゲットデリバリシステムはまた、保護ガスを、オフィスを画定する端部から離れ、真空チャンバの内部に向けて流すように構成された保護システムを備える。流れる保護ガスは、オリフィスを画定する端部から離れる方向に１つ以上の汚染物質を指向させるように構成される。

[0006] 実施例は、下記の特徴の１つ以上を含むことがある。保護ガスは不活性ガス又は反応ガスを含むことがある。

[0007] 保護ガスは分子状水素（Ｈ_２）を含むことがある。

[0008] 保護システムは、導管の外部に沿って保護ガスを流すように構成されることがある。保護システムは、導管の外部の少なくとも一部分を取り囲む側壁を含み、導管のオリフィスと位置合わせされた開口端領域を画定する本体を含むことがある。保護ガスは、導管の外部と側壁の内壁との間の開放空間に流入することがあり、保護ガスは、開口端領域を通って本体から流れ出ることがある。側壁は、開放空間と流体連通する少なくとも１つのポートを含むことがあり、ポートは、保護ガスを保持するガス供給に流体結合するように構成される。

[0009] 保護システムは少なくとも１つのガス源を含む。

[0010] ターゲットデリバリシステムはさらに、導管の外部を少なくとも部分的に取り囲む温度制御ブロックを含むことがあり、保護システムは、温度制御ブロックの少なくとも一部分を取り囲み、導管のオリフィスと位置合わせされた開口端領域を画定する本体を備えることがある。保護ガスは、温度制御ブロックと本体の内壁との間の開放空間に流入することがあり、保護ガスは開口端領域から本体を出ることがある。

[0011] １つ以上の汚染物質は移動物質を含むことがあり、流れる流体は、導管の端部から離れる１つ以上の移動汚染物質の運動方向を変化させることによって、１つ以上の移動汚染物質と導管の端部との相互作用を軽減するように構成されることがある。

[0012] １つ以上の汚染物質は移動物質を含むことがあり、流れる流体は、導管の端部から離れる１つ以上の移動汚染物質の運動方向を変化させることによって、１つ以上の移動汚染物質と導管の端部との相互作用を妨げるように構成されることがある。

[0013] １つ以上の汚染物質は、気体、液体、蒸気、及び粒子のうちの１つ以上を含むことがある。

[0014] １つ以上の汚染物質は、ケイ素（Ｓｉ）又は二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含むことがある。

[0015] １つ以上の汚染物質は、酸素、水、又は二酸化炭素（ＣＯ_２）を含むことがある。

[0016] 導管は毛細管を含むことがある。

[0017] 保護システムは、複数の開口部を含む拡散デバイスを備えることがあり、各開口部は、オリフィスを画定する端部から離れる方向に保護ガスを指向させるように構成されることがある。複数の開口部は、導管の外部を取り囲むことがあり、導管の外部に対して均等に分布されることがある。

[0018] 別の態様において、ターゲット材料デリバリシステムのオリフィスを保護する方法が、それぞれがプラズマ状態にあるときにＥＵＶ光を発するターゲット材料を含むターゲットの流れを真空チャンバの内部に提供するために、ターゲット材料をオリフィスに通すこと、及び、オリフィスから離れる方向に１つ以上の汚染物質を指向させる保護ガスを、ターゲット材料デリバリシステムに流入させ、オリフィスから離れる方向に真空チャンバの内部に流し込むことを含む。

[0019] 実施例は、下記の特徴の１つ以上を含むことがある。一部の実施例では、流れる保護ガスは、ターゲットの流れの軌道を変化させない。流れる保護ガスは、ターゲットの流れの進行方向に沿った運動成分を有することがある。

[0020] 保護ガスを流すことは、オリフィスを画定する導管と、導管を取り囲む本体との間の開放空間に保護ガスを流入させることを含むことがある。保護ガスは、本体のポートにおいて開放空間に流れ込むことがあり、本体により画定され、オリフィスと位置合わせされた開口端領域を通って空間から流れ出ることがある。

[0021] 保護ガスは、オリフィスと、真空チャンバの内部との間のアパーチャにおいて一定の体積流量を有することがある。

[0022] 方法はまた、ターゲット材料デリバリシステムを含む極端紫外光源の状態を判定すること、及び、判定された状態に基づいて、複数の保護ガスのうちのどれを保護ガスとして使用するかを決定することを含むことがある。

[0023] 上記の技術のいずれかの実施例は、ＥＵＶ光源、ターゲット供給システム、方法、プロセス、デバイス、又は装置を含むことがある。１つ以上の実施例の詳細は、添付の図面及び以下の記載に述べられている。他の特徴は、記載及び図面から、また特許請求の範囲から明らかとなるであろう。

[0024] ＥＵＶ光源のある例のブロック図である。 [0025] 供給システムのある例の側断面図である。 [0026] 図２Ａの線２Ａ－２Ａ’に沿った図２Ａの供給システムの底面図である。 [0027] 供給システムの別の例の側断面図である。 [0028] 図２Ｃの線２Ｃ－２Ｃ’に沿った図２Ｃの供給システムの底面図である。 [0029] 供給システムの別の例の側断面図である。 [0030] 図３Ａの供給システムの底面図である。 [0031] 供給システムの別の例の側断面図である。 [0032] 図５Ａの供給システムの底面図である。 [0033] 保護ガスを流すことに関連する例示的なプロセスのフローチャートである。 [0033] 保護ガスを流すことに関連する例示的なプロセスのフローチャートである。 [0034] リソグラフィ装置のある例のブロック図である。 [0034] リソグラフィ装置のある例のブロック図である。 [0035] ＥＵＶ光源のある例のブロック図である。

[0036] 図１を参照すると、供給システム１１０を含むＥＵＶ光源１００のブロック図が示されている。供給システム１１０は保護システム１３０を含み、保護システム１３０は、保護ガス１３１（図１、図３Ａ、及び図４Ａに一点鎖線形式で示される）を供給システム１１０から離れる方向に指向させることによって供給システム１１０を保護する。保護ガス１３１は、汚染物質１５０（図１に網掛けの丸として示される）を供給システム１１０から運び去る、及び／又は汚染物質１５０が供給システム１１０に到達するのを防ぐ。

[0037] 供給システム１１０は、ターゲット１２１ｐが真空チャンバ１０９内のプラズマ形成位置１２３に搬送されるようにターゲットの流れ１２１を放出する。ターゲット１２１ｐはターゲット材料を含み、ターゲット材料は、プラズマ状態にあるときに極端紫外線（ＥＵＶ）範囲に輝線を有する任意の材料である。ターゲット材料は、例えばスズ、リチウム、又はキセノンである場合がある。ターゲット材料として他の材料が使用されることもある。例えば、元素スズは、純スズ（Ｓｎ）として、スズ化合物、例えばＳｎＢｒ_４、ＳｎＢｒ_２、ＳｎＨ_４として、スズ合金、例えばスズ－ガリウム合金、スズ－インジウム合金、スズ－インジウム－ガリウム合金、又はこれらの合金の任意の組み合わせとして使用されることがある。

[0038] プラズマ形成位置１２３は光ビーム１０６を受光する。光ビーム１０６は、光源１０５によって生成され、光路１０７を介して真空チャンバ１０９に搬送される。光ビーム１０６とターゲット１２１ｐのターゲット材料とが相互作用して、ＥＵＶ光１９７を発するプラズマ１９６が生成される。ＥＵＶ光１９７は光学素子１９８によってリソグラフィツール１９９に指向される。

[0039] 供給システム１１０は導管１１２を含む。導管１１２は、チューブ側壁１１４により画定された、管や円筒などの３次元物体である。側壁１１４は第１の端部１１５から第２の端部１１６まで延在する。第２の端部１１６は、側壁１１４を通って導管１１２の内部に入り、リザーバ１４０に流体結合するオリフィス１１７を含む。リザーバ１４０はターゲット混合物１４１を保持し、ターゲット混合物１４１はターゲット材料を含み、また不純物を含むこともある。動作使用時に、ターゲット混合物１４１は導管１１２に流入し、流れ１２１としてオリフィス１１７から放出される。

[0040] 図１の例では、供給システム１１０はまた、側壁１１４に機械的に結合されたアクチュエータ１３５を含む。アクチュエータ１３５は、例えば、電圧の印加に応じて形状を変化させる、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）などの圧電セラミック材料である場合がある。側壁１１４はアクチュエータ１３５によって変形される。側壁１１４を変形させることで導管１１２内のターゲット混合物の圧力を調整し、オリフィスを通って流れるターゲット材料をターゲットの流れ１２１にする。流れ１２１中のターゲットのサイズ及び間隔は、アクチュエータ１３５により加えられる変形の頻度及び／又は大きさを制御することによって制御されることがある。流れ１２１は、例えば３０ミクロン（μｍ）の直径を有する複数の個別の球形ターゲットを含む。供給システム１１０は、別のやり方でターゲット材料を真空チャンバ１０９に搬送することがある。例えば、供給システム１１０は、個々のターゲットに分割されないターゲット材料のジェットを生成することがある。

[0041] 供給システム１１０はまた、保護システム１３０を含む。保護システム１３０はガス指向システム１３２を含み、ガス指向システム１３２は保護ガス１３１を第２の端部１１６から離れる方向に指向させる。ガス指向システム１３２は、保護ガス１３１を指向させるように構成されたデバイス、コンポーネント、及び／又はシステムを含むガス管理システム１６７を含む。例えば、ガス指向システム１３２は、ポンプ、流量制御デバイス（バルブ及び／又は流体スイッチなど）、保護ガス１３１が流れ出る開口部、及び／又はノズルを含むことがある。

[0042] ガス指向システム１３２は、流体接続部１３４を介してガス供給１３３に流体結合される。ガス供給１３３は、保護ガス１３１として使用されるガスを含むチャンバ１３７を含む。例えば、ガス供給１３３のチャンバ１３７は、不活性ガス又は反応ガスを含むことがある。不活性ガスは、真空チャンバ１０９内の何とも反応しない気体である。反応ガスは、真空チャンバ１０９内にある１つ以上の要素と反応することができる気体である。保護ガス１３１は、例えば分子状水素（Ｈ_２）又はアルゴン（Ａｒ）である場合がある。保護ガス１３１は、気相ではない物質を含むことがある。例えば、保護ガス１３１は、保護ガス１３１とともに運ばれる固体ナノクラスタを含むことがある。

[0043] 一部の実施例では、チャンバ１３７は２つ以上の異なる気体を含む。例えば、チャンバ１３７は、互いに流体結合されていないが、それぞれが流体接続部１３４に流体結合されるように構成された複数のチャンバを含むことがある。これらの実施例では、１つのチャンバが、例えば分子状水素ガス（Ｈ_２）を含むことがあり、別のチャンバがアルゴン（Ａｒ）ガスを含むことがある。２つ以上のチャンバ１３７を含む実施例では、ガス管理システム１６７は、複数のチャンバ１３７のうちの１つを選択することを可能にする流体スイッチ機構を含む。

[0044] 図１の例において、流れ１２１は概ね－Ｘ方向に沿って進み、保護ガス１３１もまた側壁１１４に沿って－Ｘ方向に真空チャンバ１０９に流れ込む。第２の端部１１６は概ねＹ－Ｚ平面に延在する。したがって、保護ガス１３１は、第２の端部１１６及びオリフィス１１７から離れる方向に流れる。保護ガス１３１を第２の端部１１６から離れる方向に指向させることによって、保護システム１３０は汚染物質１５０から供給システム１１０を保護する。様々な実施例において、保護ガス１３１の流れは、流れ１２１内のターゲットの運動方向に平行、又は実質的に平行である。

[0045] 汚染物質１５０は、オリフィス１１７を塞ぐ、及び／又はオリフィス１１７を塞ぐように第２の端部１１６に付着し得るあらゆる物質である。例えば、汚染物質１５０は、オリフィス１１７を完全に又は部分的に塞ぐ層を第２の端部１１６に形成し得ることがある。汚染物質１５０は真空チャンバ１０９内を移動する。例えば、保護ガス１３１がない場合、汚染物質１５０は第２の端部１１６及び／又はオリフィス１１７に近づくことがある。汚染物質１５０は、保護ガス１３１との相互作用に応じて第２の端部１１６及びオリフィス１１７から遠ざかる。

[0046] 汚染物質１５０は、固体、液体、及び／又は気体を含むことがある。汚染物質１５０は、２種類以上の汚染物質及び／又は２つ以上の物質を含むことがある。例えば、汚染物質１５０は、シリカ、シロキサン、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）の粒子、気体（酸素など）、及び／又は蒸気（スズ蒸気など）を含むことがある。汚染物質１５０は、気相から第２の端部２１６に蒸着され得る、例えばケイ素（Ｓｉ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、及び／又は酸化スズ（ＳｎＯ_２）の蒸気を含むことがある。汚染物質１５０は、真空チャンバ１０９内の構成要素から、及び／又は真空チャンバ１０９が減圧されたときの、真空チャンバ１０９内の要素と酸素、水、及び／又は二酸化炭素（ＣＯ_２）との相互作用から生じることがある。

[0047] 汚染物質１５０を第２の端部１１６から離れる方向に指向させることによって、保護ガス１３１は、第２の端部１１６上に汚染物質１５０の層が形成される可能性を防ぐ又は低下させる。第２の端部１１６上の汚染物質１５０の層は、流れ１２１の形成を妨げることがある。例えば、このような層がオリフィス１１７を完全に又は部分的に塞ぐことことによって、流れ１２１を遮断する及び／又は流れ１２１の特性を変化させることがある。流れ１２１はＥＵＶ光１９７を生成するのに使用されるターゲットを含むため、流れ１２１の予期せぬ及び／又は望ましくない変化によってＥＵＶ光１９７の生成量が減少することがある。したがって、汚染物質１５０を端部１１６及びオリフィス１１７から離れる方向に指向させることによって、保護システム１３０は、供給システム１１０及びＥＵＶ光源１００の全体的性能を向上させる。ＥＵＶ光源１００の動作中の全体的性能を向上させることに加えて、保護システム１３０はＥＵＶ光源１００のダウンタイムを削減する。例えば、汚染物質１５０の層を第２の端部１１６から取り除くために、供給システム１１０はＥＵＶ光源１００から取り外される。したがって、第２の端部１１６上への汚染物質１５０の蓄積を防ぐ又は減らすことによって、保護システム１３０はまた、供給システム１１０に対して行われるメンテナンスの量を減らし、ＥＵＶ光源１００のダウンタイムを削減する。

[0048] ＥＵＶ光源１００はまた、保護システム１３０の動作を支配する制御システム１６０を含む。制御システム１６０は、ガス供給１３３、ガス管理システム１６７、及び／又はガス指向システム１３２に結合されることがある。例えば、制御システム１６０は、ガス指向システム１３２又はガス供給１３３内のバルブ及び／又はポンプを制御することによって、保護ガス１３１の流量を制御することがある。別の例では、ガス供給１３３が複数のチャンバ１３７を含む実施例において、制御システム１６０は、ガス管理システム１６７のスイッチを制御するために使用されることがある。これによって、制御システム１６０は、保護ガス１３１が特定の時間に１つのチャンバ内の気体から形成されるようにチャンバを切り替えることができる。制御システム１６０はまた、ＥＵＶ光源１００の他のシステム及びコンポーネント、例えばアクチュエータ１３５、及び／又は光源１０５に結合されることもある。

[0049] 制御システム１６０は、電子処理モジュール１６１、電子記憶装置１６２、及びＩ／Ｏインターフェイス１６３を含む。電子処理モジュール１６１は、汎用又は専用マイクロプロセッサ、及び任意の種類のデジタルコンピュータの任意の１つ以上のプロセッサなどの、コンピュータプログラムの実行に適した１つ以上のプロセッサを含む。一般に、電子プロセッサは、読み取り専用メモリ、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、又はその両方から命令及びデータを受け取る。電子処理モジュール１６１は、任意の種類の適切な電子プロセッサである場合がある。

[0050] 電子記憶装置１６２は、ＲＡＭなどの揮発性メモリ、又は不揮発性メモリである場合がある。一部の実施例では、電子記憶装置１６２は不揮発性及び揮発性部分又はコンポーネントを含む。電子記憶装置１６２は、制御システム１６０の動作に使用されるデータ及び情報を記憶することがある。例えば、電子記憶装置１６２は、供給システム１１０及び／又は保護システム１３０の動作に関する情報を記憶することがある。例えば、一部の実施例では、電子記憶装置１６２は、ＥＵＶ光源１００の通常の動作中に保護ガス１３１がガス指向システム１３２から流れるべき流量を記憶する。

[0051] 電子記憶装置１６２はまた、実行された場合に、電子処理モジュール１６１に供給システム１１０及び／又は保護システム１３０のコンポーネントとの通信を行わせる、１つ以上のコンピュータプログラムなどの命令を記憶する。例えば、電子記憶装置１６２は、アクチュエータ１３５に導管を振動させるのに十分な変調信号を電子処理モジュール１６１に提供させる命令を記憶することがある。

[0052] Ｉ／Ｏインターフェイス１６３は、制御システム１６０が情報又はデータを受信又は送信できるようにする任意のタイプのインターフェイスである。例えば、Ｉ／Ｏインターフェイス１６３は、キーボード、マウス、又はオペレータが制御システム１６０を操作及び／又はプログラムすることを可能にする他のコンピュータ周辺デバイスである場合がある。Ｉ／Ｏインターフェイス１６３は、ライトやスピーカなどの、知覚可能な警告を発するデバイスを含むことがある。さらに、Ｉ／Ｏインターフェイス１６３は、汎用シリアルポート（ＵＳＢ）などの通信インターフェイス、ネットワーク接続、又は制御システム１６０との通信を可能にする任意の他のインターフェイスを含むことがある。

[0053] 図２Ａは、Ｘ－Ｚ平面における供給システム２１０の側断面図であり、供給システム２１０は導管２１２及びガス指向システム２３２を含む。図２Ｂは、図２Ａの線２Ａ－２Ａ’から見たＹ－Ｚ平面における導管２１２及びガス指向システム２３２の底面図である。図２Ｂにおいて、Ｘ方向は紙面奥側である。導管２１２はＥＵＶ光源１００で使用されることがある（図１）。導管は、Ｘ方向に沿って第１の端部２１５から第２の端部２１６まで延在する側壁２１４を含む。側壁２１４は導管２１２を形成し、導管２１２は、概ね円筒形であり、端部２１６に概ね円錐形のノズル２５０を有する３次元物体である。導管２１２は、例えば毛細管である場合がある。

[0054] 側壁２１４は、内面２５３及び外壁２５４を含む。内面２５３は、ノズル２５０と流体連通する内部領域２５８（図２Ａ及び図２Ｂ）を画定する。ノズル２５０は－Ｘ方向に沿って狭くなってオリフィス２１７を画定する。図２Ａ及び図２Ｂの例では、ノズル２５０は概ね円錐形であり、オリフィス２１７は円錐の頂部にある。内部領域２５８は、ターゲット混合物（図１のターゲット混合物１４１など）を保持するリザーバ（図１のリザーバ１４０など）に流体結合され、ターゲット混合物は導管２１２の内部領域２５８に流入し、－Ｘ方向にオリフィス２１７を通過する。

[0055] ガス指向システム２３２は空間２３８を取り囲む３次元物体である。空間はガス供給１３３に流体結合されている。ガス指向システム２３２は、ガス指向システム２３２の底部２３９を通過する複数の開口部２３６を含む。簡潔にするために、図２Ａ及び図２Ｂでは開口部２３６のうちの１つのみがラベル付けされている。保護ガス１３１は、ガス供給１３３から空間２３８に流れ込み、開口部２３６から－Ｘ方向に流れ出る。開口部２３６のそれぞれから出る保護ガス１３１の流量及び流れ方向は実質的に同じである。

[0056] 図２Ｂの例では、開口部２３６は底部２３９に直線格子状に配置されている。ただし、他の実施例も可能である。例えば、開口部２３６は不規則に配置されることがある。さらに、開口部２３６はどのような形状を有してもよい。図２Ｂの例では、各開口部２３６はＹ－Ｚ平面において円形である。他の実施例では、開口部２３６は楕円形である場合がある、又は開口部はオリフィス２１７を中心とした同心円を形成することがある。

[0057] さらに、ガス指向システム２３２はどのような形状を有してもよい。図２Ｂの例では、ガス指向システム２３２は、Ｙ－Ｚ平面において円形断面を有する円筒体である。他の実施例では、ガス指向システム２３２は、例えばＹ－Ｚ平面において正方形又は長方形断面を有する場合がある。

[0058] 図２Ａ及び図２Ｂの例では、ガス指向システム２３２は、それぞれが保護ガス１３１をノズル２５０から離れる方向に指向させる複数の開口部２３６を含む単一の要素である。ただし、他の実施例も可能である。例えば、ガス指向システム２３２は、それぞれがガス供給１３３又は別々のガス供給に個別に流体結合される、個々のガス収集システムの集合体である場合がある。これらの実施例では、ガス指向システムのそれぞれは、保護ガス１３１の流れを提供するために（例えば図１の制御システム１６０を用いて）個別に制御可能である。

[0059] さらに、供給システム２１０は、図２Ａ及び図２Ｂに示されていない追加のコンポーネントを含むことがある。例えば、供給システム２１０は、導管２１２の外側にあるアクチュエータ（図１のアクチュエータ１３５など）を含むことがある。

[0060] 図２Ｃ及び図２Ｄは、供給システム２１０Ｃが、外壁２５４の一部分に取り付けられ、これを取り囲むアクチュエータ２３５を含む点を除いて、アクチュエータ２１０と同じである供給システム２１０Ｃを示している。図２Ｃ及び図２Ｄにおいて、アクチュエータ２３５はクロスハッチ陰影付きで示されている。図２Ｃは、Ｘ－Ｚ平面における供給システム２１０Ｃの断面図である。図２Ｄは、図２Ｃの線２Ｃ－２Ｃ’の視点からの供給システム２１０Ｃの底面図である。供給システム２１０Ｃは、図１の供給システム１１０のある実施例の別の例である。アクチュエータ２３５は、アクチュエータ１３５（図１）のある実施例のある例である。

[0061] アクチュエータ２３５は、内面２５９及び外面２５７を含む３次元円筒体である。アクチュエータ２３５の内面２５７は、例えば接着剤で、導管２１２の外壁２５４の一部分に機械的に結合される。アクチュエータ２３５は外壁２５４の一部分を取り囲む。図２Ｄに示されるように、アクチュエータ２３５はＹ－Ｚ平面において円形断面を有する。

[0062] アクチュエータ２３５は、保護ガス１３１が透過しないＰＺＴなどの硬い材料で作られることがある。アクチュエータ２３５を結合する接着剤は、例えば、同様に一般的には保護ガス１３１が透過できないエポキシ樹脂である場合がある。したがって、アクチュエータ２３５が外壁２５４に適切に結合されている通常の動作下で、保護ガス１３１はアクチュエータ２３５を避けて流れる。アクチュエータ２３５がガス指向システム２３２とオリフィス２１７との間にある、図２Ｃ及び図２Ｄに示されるような実施例では、保護ガス１３１は、アクチュエータ２３５が導管２１２に取り付けられている部分を除いて外壁２５４に沿って流れる。アクチュエータ２３５が導管２１２に取り付けられている部分では、保護ガス１３１は依然として導管２１２に沿って流れるが、アクチュエータ２３５の外面３５７を避けて流れる。換言すれば、導管２１２の外側に沿って流れる保護ガス１３１は、保護ガス１３１が透過できない、導管２１２の外壁２４５に取り付けられた要素（アクチュエータ２３５など）を避けて流れるシナリオを含む。

[0063] 図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、供給システム３１０が示されている。供給システム３１０は供給システム１１０の別の例である。供給システム３１０は図１のＥＵＶ光源１００で使用されることがある。例えば、供給システム３１０は真空チャンバ１０９に取り付けられ、ターゲットの流れ１２１を生成するのに使用されることがある。図３Ａは、Ｘ－Ｚ平面における供給システム３１０の断面図である。図３Ｂは、Ｙ－Ｚ平面における供給システム３１０の端部３７９の図である。図３Ｂにおいて、Ｘ方向は紙面奥側である。

[0064] 供給システム３１０は、導管２１２（図２Ａ及び図２Ｂについて以上で考察した）及びハウジング３７０を含む。ハウジング３７０は導管２１２を取り囲む３次元物体である。ハウジング３７０は側壁３７１を含む。側壁３７１は、ガス供給１３３に結合される流体ポート３７２を画定する。流体ポート３７２は流体接続部（図１の流体接続部１３４など）に接続することがある、又は流体ポート３７２はガス供給１３３に直接結合されることがある。側壁３７１はまた、端部３７９に開口領域３７８を画定する。

[0065] 流体ポート３７２は、ハウジング３７０の内部３７３に開口している。導管２１２は内部３７３内にある。導管２１２及びハウジング３７０は、導管２１２のオリフィス２１７がＸ方向に沿って開口領域３７８と位置合わせされるように互いに対して位置決めされる。オリフィス２１７と開口領域３７８との位置合わせによって、オリフィス２１７から放出されるターゲット材料が－Ｘ方向に沿ってハウジング３７０を出ることが可能になる。

[0066] 側壁３７１は、導管２１２の外壁２５４から分離されて開放空間３７６を形成する内壁３７５を含む。開放空間３７６は、（ハウジング３７０内の）内部３７３の、導管２１２の外壁２５４と内壁３７５との間の部分である。開放空間３７６は流体ポート３７２に流体結合されている。供給１３３内の保護ガス１３１は、真空チャンバ１０９内の圧力より高い圧力に保持されているため、保護ガス１３１はガス供給１３３から流体ポート３７２及び開放空間３７６に流れ込む。真空チャンバ１０９内の圧力は内部３７３内の圧力よりも低い。保護ガス１３１は、導管２１２の外壁２５４に沿って概ね－Ｘ方向に流れ、開口領域３７８からハウジング３７０を出る。保護ガス１３１及びターゲット材料はいずれも開口領域３７８を通って略同じ方向に流れる。図３Ａ及び図３Ｂの例では、ターゲット材料及び保護ガス１３１は概ね－Ｘ方向に開口領域３７８を通過する。

[0067] 保護ガス１３１は、開口領域３７８におけるＹ－Ｚ平面内の全ての点で一定の流量を有することがあり、開口領域３７８を通過するターゲット材料の軌道を実質的に妨げない。開口領域３７８におけるＸ－Ｙ平面内の保護ガス１３１の流れは気流場と呼ばれる。気流場はオリフィス３１７から放出される個別のターゲットの軌道に影響を及ぼし得るが、気流場の特性（例えば、流量及び流れ方向）は、個別のターゲットの軌道が実質的に変更されないようなものである。例えば、気流場によって、流れ１２１内のターゲットがプラズマ形成位置１２３（図１）に搬送されないほどターゲット軌道が逸れることはない。また、オリフィス３１７から放出されたターゲットの質量及び密度は、保護ガス１３１の質量及び密度よりはるかに高い。保護ガス１３１と比較したターゲットの質量及び／又は密度の割合はまた、保護ガス１３１がターゲットの軌道に及ぼす影響を最小限に抑える。

[0068] 保護ガス１３１の流量は、汚染物質１５０（図１）を開口領域３７８から遠ざけるのに十分である、及び／又は汚染物質１５０が開口領域３７８を通過し、開放空間３７６に進入することを防ぐのに十分である。保護ガス１３１の流量は汚染物質１５０の拡散速度より速い。拡散とは、材料（例えば、汚染物質１５０に存在する分子又は原子）の、より高濃度（すなわち高化学ポテンシャル）の領域からより低濃度（すなわち低化学ポテンシャル）の領域への正味の移動である。拡散は、拡散種の化学ポテンシャルの勾配によって駆動される。保護ガス１３１は、ペクレ数（Ｐｅ）により定量化されるペクレ効果によって、汚染物質１５０のオリフィス３１７内への移動を抑制すると考えられることがある。ペクレ数は、拡散輸送速度に対する移流輸送速度の比率である。移流輸送速度は保護ガス１３１の輸送速度である。拡散輸送速度は、汚染物質１５０の拡散速度である。ペクレ数が増加するにつれて、保護ガス１３１は、ガス１３１と汚染物質１５０との相互作用を支配しやすくなり、また、保護ガス１３１は、汚染物質１５０を開口領域３７８から遠ざけやすくなる。ペクレ数は、保護ガス１３１の流速を上げること、及び／又は代表長さ（例えば、保護ガス１３１が供給システム３１０に流入するＸ方向に沿った長さ）を増加することにより増加されることがある。したがって、ペクレ数及び汚染物質１５０の軽減は、ハウジング３７１の設計及び／又は保護ガス１３１の流量の制御によって制御可能である。

[0069] 一部の実施例では、保護ガス１３１の流量は１～５０標準リットル毎分（ｓｌｍ：standard liter per minute）である場合がある。開口領域３７８における保護ガス１３１の流量は、開放空間３７６のＸ方向への広がり、ガス供給１３３から流体ポート３７２に入る保護ガス１３１の流量、内壁３７５の物理的特性、及びＹ－Ｚ平面における開口領域３７８のサイズに依存する。

[0070] 図３Ａ及び図３Ｂの例は１つのガスポート３７２を含む。ただし、他の実施例では、より多くのガスポートが使用されることがある。例えば、複数のガスポート３７２が含まれることがある。複数のガスポート３７２は、Ｙ－Ｚ平面内で円周方向に互いに等距離の間隔を置いて配置されることがある。さらに、一部の実施例では、供給システム３１０は、アクチュエータ２３７（図２Ｃ及び図２Ｄ）などの、外壁２５４の一部分に取り付けられ、これを取り囲むアクチュエータを含む。アクチュエータがガスポート３７２とオリフィス２１７との間にある場合、保護ガス１３１は、外壁２５４及び／又はアクチュエータの外面に沿って流れる。保護ガス１３１は、アクチュエータが外壁２５４に取り付けられる場合に、アクチュエータと外壁２５４との間を流れることはない。

[0071] 図４Ａ及び図４Ｂは供給システム４１０を示している。供給システム４１０は供給システム１１０の実施例の別の例である。供給システム４１０は図１のＥＵＶ光源１００で使用されることがある。例えば、供給システム４１０は真空チャンバ１０９に取り付けられ、ターゲットの流れ１２１を生成するのに使用されることがある。図４Ａは、Ｘ－Ｚ平面における供給システム４１０の断面図である。図４Ｂは、Ｙ－Ｚ平面における供給システム４１０の端部４７９の図である。図４Ｂにおいて、Ｘ方向は紙面奥側である。供給システム４１０は、供給システム４１０が、導管２１２及び／又はノズル２５０の温度を制御する温度制御ブロック４８０を含む点を除いて、供給システム３１０（図３Ａ及び図３Ｂ）と同様である。

[0072] 供給システム４１０はハウジング４７０を含む。ハウジング４７０は、内部４７３を画定する側壁４７１を含む。導管２１２（図２Ａ及び図２Ｂ）は内部４７３内にある。導管２１２及びハウジング４７０は、オリフィス２１７がハウジングの端部４７９にある開口領域４７８と位置合わせされるように互いに対して位置決めされている。オリフィス２１７から放出される流れ１２１は、－Ｘ方向に沿ってハウジング４７０を出る。

[0073] 供給システム４１０は温度制御ブロック４８０を含む。温度制御ブロック４８０は内部４７３内にある。温度制御ブロック４８０は、導管２１２の外壁２５４の少なくとも一部分を取り囲む。図４Ａ及び図４Ｂの例では、温度制御ブロック４８０は、Ｘ方向に沿った導管２１２の縦軸と同心であるＸ方向に沿った縦軸を有する円筒体である。温度制御ブロック４８０は、加熱又は冷却され得る材料で作られる。温度制御ブロック４８０は、任意の熱伝導材料から作られる。温度制御ブロック４８０は、制御ブロック４８０の温度が制御可能となるように、制御可能なヒータ及び／又は冷却器に熱的に結合される。温度制御ブロック４８０は、例えばターゲット材料による腐食に耐える材料の固体ブロックである場合がある。ターゲット材料がスズを含む実施例では、温度制御ブロック４８０は、例えばモリブデン（Ｍｏ）である場合がある。

[0074] 温度制御ブロック４８０は、外壁２５４（つまり導管２１２）の温度に影響を及ぼすほど外壁２５４の近くにあるが、温度制御ブロック４８０は外壁２５４に触れることはない。温度制御ブロック４８０が導管２１２より温度が高い場合、温度制御ブロック４８０は導管２１２を温める。導管２１２を温めることで、例えば、導管２１２内のターゲット材料がより効率的に流れることが促されることがある。温度制御ブロック４８０が導管２１２より冷たい場合、温度制御ブロック４８０は導管２１２の温度を下げる。

[0075] 温度制御ブロック４８０及び外壁２５４は直接の物理的接触がなく、温度制御ブロック４８０と外壁２５４との間に開放空間４８１が存在する。温度制御ブロック４８０と壁２５４との間の開放空間４８１に流体（保護ガス１３１など）が流入することができる。温度制御ブロック４８０は、ハウジング４７０の内壁４７５に又はリザーバ１４０に取り付けられることがある。したがって、温度制御ブロック４８０は必ずしも内壁４７５に接触しておらず、流体（保護ガス１３１など）が温度制御ブロック４８０と内壁４７５との間を流れることがある。図４Ａ及び図４Ｂの実施例では、温度制御ブロック４８０と内壁４７５との間に開放空間４８２があり、温度制御ブロック４８０と導管２１２の外壁２５４との間に開放空間４８１がある。保護ガス１３１は開放空間４８１及び開放空間４８２に流入する。

[0076] 側壁４７１は流体ポート４７２を画定し、流体ポート４７２はガス供給１３３及び内部４７３に流体結合されている。保護ガス１３１はガス供給１３３から内部４７３に流れ込む。真空チャンバ１０９内の圧力は内部４７３内の圧力より低く、保護ガス１３１は、開放空間４８１及び開放空間４８２を通って引き寄せられる。

[0077] 保護ガス１３１は、開口領域４７８を略－Ｘ方向に通過し、真空チャンバ１０９に流れ込む。保護ガス１３１及び流れ１２１は、開口領域４７８を略同じ方向（－Ｘ方向）に流れる。したがって、保護ガス１３１は、開口領域４７８を通ってオリフィス２１７から遠ざかり、また端部４７９から遠ざかる方向に真空チャンバ１０９に流れ込む。保護ガス１３１の流れの方向は、汚染物質１５０が開口領域４７８からハウジング４７０に入ることを阻止する又は防ぎ、オリフィス２１７が汚染物質１５０で塞がれる可能性を低下させる。

[0078] 保護ガス１３１は、開口領域４７８におけるＹ－Ｚ平面内の全ての点で一定の流量を有するため、開口領域４７８を通過するターゲット材料の軌道を妨げることがない。保護ガス１３１の流量は、汚染物質１５０を開口領域４７８から遠ざけるのに十分である、及び／又は汚染物質１５０が開口領域４７８を通って内部４７３内に移動することを防ぐのに十分である。例えば、保護ガス１３１の流量は１～５０標準リットル毎分（ｓｌｍ）である場合がある。開口領域４７８における保護ガス１３１の流量は、開放空間４８１及び４８２のＸ方向への広がり、温度制御ブロック４８０の寸法及び配置、ガス供給１３３から流体ポート４７２に入る保護ガス１３１の流量、内部４７３と真空チャンバ１０９との間の圧力差、内壁４７５の物理的特性、及びＹ－Ｚ平面における開口領域４７８のサイズに依存する。

[0079] 他の実施例も可能である。例えば、温度制御ブロック４８０は、流体が内壁４７５と温度制御ブロック４８０との間を流れないように内壁４７５に取り付けられることがある。このような実施例では、保護ガス１３１は開放空間４８１のみに流入する。

[0080] さらに、供給システム４１０は、図２Ａ及び図２Ｂのガス指向システム２３２のようなガス指向システムを含むことがある。ガス指向システム２３２は、温度制御ブロック４８０に取り付けられ、開口領域３７８に対してｘ方向に取り付けられることがある。例えば、ガス指向システム２３２は、温度制御ブロック４８０の開口領域３７８に最も近い端部に取り付けられることがある。ガス指向システム２３２を含む実施例において、ガス指向システム２３２は、開口領域３７８のＹ－Ｚ平面における直径よりも少し大きいＹ－Ｚ平面における直径を有する。

[0081] さらに、一部の実施例において、供給システム４１０は、アクチュエータ２３７（図２Ｃ及び図２Ｄ）のような、外壁２５４の一部分に取り付けられ、これを取り囲む３次元アクチュエータを含む。アクチュエータがガスポート４７２とオリフィス２１７との間にある場合、保護ガス１３１は、外壁２５４及び／又はアクチュエータの外面に沿って流れる。温度制御ブロック４８０はアクチュエータに接続されない。したがって、これらの実施例では、空間４８１の全部又は一部が、温度制御ブロック４８０とアクチュエータとの間にあることがある。保護ガス１３１は、アクチュエータが外壁２５４に取り付けられる場合に、アクチュエータと外壁２５４との間を流れることはない。

[0082] 図５を参照すると、プロセス５００のフローチャートが示されている。プロセス５００は、導管２１２のオリフィス２１７（図２）のような、供給システムのオリフィスを保護するプロセスの一例である。図５は、オリフィス２１７についての考察である。ただし、プロセス５００は、図１のオリフィス１１７のような他のオリフィスを保護するのに使用されることがある。

[0083] ターゲット材料をオリフィス２１７に通過させて流れ１２１を形成する（５１０）。流れ１２１は軌道に沿ってオリフィス２１７から遠ざかる。軌道は、例えば図１、図３Ａ、及び図４Ａに示すように－Ｘ方向にある。保護ガス１３１は、オリフィス２１７から遠ざかる方向に流れる（５２０）。保護ガス１３１は、オリフィス２１７から流出することによって、汚染物質１５０がオリフィス２１７に到達すること及び／又はノズル２５０の外側に汚染物質１５０の層を形成することを阻止するか又は防ぐ（図２Ａ）。このようにして、保護ガス１３１はオリフィス２１７を保護し、流れ１２１が期待される方法で生成されることを確実にする。さらに、流れる保護ガス１３１は、真空チャンバ１０９が大気に通気され、酸素がチャンバ１０９に入るときにオリフィス２１７を保護する。酸素がチャンバ１０９に入るとき、金属材料（スズなど）が酸化し、オリフィス２１７を詰まらせるか又は塞ぐことがある。保護ガス１３１は、酸素をオリフィス２１７から遠ざけておく役割を果たす。

[0084] 保護ガス１３１は外壁２５４に沿って流れることがある。例えば、そして図２Ａも参照すると、保護ガス１３１はガス指向システム２３２から外壁２５４に沿って－Ｘ方向に流れることがある。保護ガス１３１は、ノズル２５０に沿って－Ｘ方向に真空チャンバ１０９に流れ込み続ける。したがって、保護ガス１３１は、外壁２５４に沿って流れ、オリフィス２１７から離れる。

[0085] 保護ガス１３１は、導管２１２と、導管を取り囲むハウジングの内壁との間の開放空間に流入することがある。例えば、図３Ａに示すように、保護ガス１３１は、導管２１２の外壁２５４とハウジング３７０の内壁３７５との間にある開放空間３７６に流入することがある。

[0086] 図１について考察したように、一部の実施例では、ガス供給１３３は２つ以上のチャンバ１３７を含み、各チャンバは保護ガス１３１として使用される異なる気体を含むことがある。これらの実施例において、制御システム１６０は、チャンバ１３７のうちの特定の１つを選択して保護ガス１３１を供給することがある。図５Ｂは、プロセス５００とともに又はプロセス５００とは独立に行われ得るプロセス５１５を示している。例えば、プロセス５１５は、（５１０）を行った後で（５２０）を行う前に行われることがある。他の例では、プロセス５１５はプロセス５００とは独立に行われる。プロセス５００は、電子処理モジュール１６１の１つ以上の電子プロセッサによって行われることがある。

[0087] ＥＵＶ光源１００の状態が判定される（５１６）。ＥＵＶ光源１００の状態は、例えば動作モードである場合がある。状態は、例えば、通常動作又は通気状態である場合がある。通常動作では、流れ１２１は想定通りに生成され、真空チャンバ１０９は密閉されている。通気状態では、真空チャンバ１０９が開いており、チャンバ内に酸素が存在する。ＥＵＶ光源１００の状態は、例えば、真空チャンバ１０９内の酸素センサから、又はＩ／Ｏインターフェイス１６３においてオペレータにより行われた入力から判定されることがある。

[0088] 使用する保護ガス１３１は、判定された状態に基づいて決定される（５１８）。例えば、命令１６２は、特定のチャンバ１３７とＥＵＶ光源１００の可能な状態との間の関係を記憶するデータベース又はルックアップテーブルを格納することがある。例えば、データベースは、第１のチャンバ１３７と通常動作状態との関係、及び第２の異なるチャンバ１３７と通気状態との関係を規定することがある。データベースは、ＥＵＶ光源１００がオペレータによって製造又はプログラムされるときに作成及び記憶されることがある。

[0089] 制御システム１６０は、流体接続部１３４に結合するチャンバを決定する。例えば、制御システム１６０は、流体接続部１３４を通常動作中に第１のチャンバ１３７に接続し、通気状態中に第２のチャンバ１３７に接続する流体スイッチを動作させることがある。この例では、第１のチャンバ１３７は分子状水素（Ｈ_２）ガスを含むことがあり、第２のチャンバ１３７はアルゴン（Ａｒ）を含むことがある。Ｈ_２ガスはＡｒガスより低い質量を有する。したがって、この例では、保護ガス１３１は、通常動作中に比較的低い質量を有する結果、流れ１２１が実質的に乱れることはなく、通気状態中に比較的高い質量を有する結果、酸素が供給システムから追いやられることによって、供給システムのコンポーネントの酸化を防ぐ又は抑制する。

[0090] 図６及び図７は、以上で考察した制御システム及び／又は供給システムを使用し得るＥＵＶリソグラフィ装置のある例である。図８は、以上で考察した制御システム及び／又は供給システムを使用し得るＥＵＶ光源のある例である。

[0091] 図６は、ソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置７００のブロック図である。リソグラフィ装置７００は、
放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、
パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ、
基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴ、及び
パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば反射投影システム）ＰＳ、を含む。

[0092] 照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0093] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた手法でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を用いて、パターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にできるフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。

[0094] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0095] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。

[0096] 投影システムＰＳは、照明システムＩＬと同様に、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、磁気、電磁、静電型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。

[0097] 図６及び図７の例において、装置は、反射型（例えば反射マスクを使用する）である。リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。

[0098] 図６を参照すると、イルミネータＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線ビームを受光する。ＥＵＶ光を生成する方法は、必ずしも限定されないが、例えばキセノン、リチウム、又はスズのような、ＥＵＶ範囲に１つ以上の輝線を有する少なくとも１つの元素を有する材料をプラズマ状態に変換することを含む。しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれる１つのそのような方法では、必要な線発光元素を有する材料の小滴、流れ、又はクラスタのような燃料を、レーザビームで照射することによって、必要なプラズマが生成される。ソースコレクタモジュールＳＯは、図６には示されていない、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部である場合がある。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射のような出力放射を放出し、この出力放射はソースコレクタモジュール内に配置された放射コレクタを用いて収集される。例えば二酸化炭素（ＣＯ_２）レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを提供する場合、レーザとソースコレクタモジュールは別個のエンティティである場合がある。

[0099] そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば、放射源がしばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合においては、放射源は、ソースコレクタモジュールの一体部分であってもよい。

[0100] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えていてもよい。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス及びファセット瞳ミラーデバイスなどの様々な他のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とを得られるようにしてもよい。

[0101] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターン付与される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後に、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは放射ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＰＳ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けによって、基板テーブルＷＴを（例えば、放射ビームＢの経路に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように）正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗを位置合わせすることができる。

[0102] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
２．スキャンモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルス間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。

[0103] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0104] 図７は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置７００の実施例をさらに詳細に示している。ソースコレクタモジュールＳＯは、ソースコレクタモジュールＳＯの閉鎖構造７２０内に真空環境を維持できるように構築及び配置される。システムＩＬ及びＰＳも同様にそれら自身の真空環境内に収容される。レーザ生成ＬＰＰプラズマ源によって、ＥＵＶ放射放出プラズマ２が形成されることがある。ソースコレクタモジュールＳＯの機能は、プラズマ２からのＥＵＶ放射ビーム２０を仮想光源点に合焦させるように送出することである。仮想光源点は一般に中間焦点（ＩＦ）と呼ばれ、ソースコレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが閉鎖構造７２０のアパーチャ７２１に又はその近傍に位置するように配置される。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２の像である。

[0105] 中間焦点ＩＦにおけるアパーチャ７２１から、放射は、この例ではファセットフィールドミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を含む照明システムＩＬを横断する。これらのデバイスはいわゆる「フライアイ」イルミネータを形成する。これは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１の所望の角度分布を与えると共に、パターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与える（参照番号７６０で示される）ように構成される。支持構造（マスクテーブル）ＭＴにより保持されたパターニングデバイスＭＡでビーム２１が反射されると、パターン付きビーム２６が形成され、パターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射要素２８、３０を介して、基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。基板Ｗ上のターゲット部分Ｃを露光するために、基板テーブルＷＴ及びパターニングデバイステーブルＭＴが同期した移動を行って照明スリットを通してパターニングデバイスＭＡ上のパターンをスキャンすると同時に、放射パルスが生成される。

[0106] 各システムＩＬ及びＰＳは、閉鎖構造７２０と同様の閉鎖構造により画定されたそれら自身の真空環境又は近真空環境内に配置される。一般に、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳ内には、図示するよりも多くの要素が存在する場合がある。さらに、図示するよりも多くのミラーが存在する場合がある。例えば、照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内には、図７に示すもの以外に１つから６つの追加の反射要素が存在する場合がある。

[0107] ソースコレクタモジュールＳＯについてさらに詳しく検討すると、レーザ７２３を含むレーザエネルギ源が、ターゲット材料を含む燃料内にレーザエネルギ７２４を蓄積するように配置される。ターゲット材料は、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）など、プラズマ状態でＥＵＶ放射を放出する任意の材料としてよい。プラズマ２は、数十電子ボルト（ｅＶ）の電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマである。例えばテルビウム（Ｔｂ）及びガドリニウム（Ｇｄ）のような他の燃料材料を用いて、より高いエネルギのＥＵＶ放射が生成されることがある。これらのイオンの脱励起及び再結合中に生成されたエネルギ放射がプラズマから放出され、近法線入射コレクタ３によって収集され、アパーチャ７２１に合焦される。プラズマ２及びアパーチャ７２１は、それぞれコレクタＣＯの第１及び第２の焦点に位置する。

[0108] 図７に示されているコレクタ３は単一の曲面ミラーであるが、コレクタは他の形態をとることがある。例えばコレクタは、２つの放射収集面を有するシュヴァルツシルトコレクタである場合がある。ある実施形態において、コレクタは、相互に入れ子状になった複数の実質的に円筒形のリフレクタを含む斜入射型コレクタである場合がある。

[0109] 例えば液体スズである燃料を送出するため、高周波数の小滴の流れ７２８をプラズマ２の所望の位置に向けて発射するように構成された小滴ジェネレータ７２６が、構造７２０内に配置される。小滴ジェネレータ７２６は、例えば供給システム１１０、２１０、３１０、又は４１０である場合がある。動作の際、レーザエネルギ７２４は小滴ジェネレータ７２６の動作と同期して送出され、各燃料小滴をプラズマ２に変えるための放射インパルスを送出する。小滴送出の周波数は数キロヘルツとすることができ、例えば５０ｋＨｚである。実際には、レーザエネルギ７２４は少なくとも２つのパルスで送出される。すなわち、燃料材料を小さいクラウドに気化させるために、限られたエネルギのプレパルスがプラズマ位置に到達する前に小滴へ送出され、次いで、プラズマ２を発生させるため、レーザエネルギ７２４のメインパルスが所望の位置のクラウドへ送出される。閉鎖構造７２０の反対側にトラップ７３０が設けられ、何らかの理由でプラズマに変わらない燃料を捕捉する。

[0110] 小滴ジェネレータ７２６は、燃料液体（例えば溶融スズ）を収容するリザーバ７０１、フィルタ７６９、及びノズル７０２を備える。ノズル７０２は、燃料液体の小滴をプラズマ２の形成位置に向けて放出するように構成される。リザーバ７０１内の圧力とピエゾアクチュエータ（図示せず）によりノズルに加えられる振動との組み合わせによって、燃料液体の小滴をノズル７０２から放出させることがある。

[0111] 当業者に既知のように、装置、その様々なコンポーネント、及び放射ビーム２０、２１、２６のジオメトリ及び挙動を測定及び記述するため、基準軸Ｘ、Ｙ、及びＺを規定することがある。装置の各部において、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の局所基準系が規定されることがある。図７の例において、Ｚ軸は、システム内の所与のポイントにおいて光軸Ｏ方向とほぼ一致し、概ねパターニングデバイス（レチクル）ＭＡの面に垂直であると共に基板Ｗの面に垂直である。ソースコレクタモジュールにおいて、Ｘ軸は燃料流れ７２８の方向とほぼ一致し、Ｙ軸は図７に示されているように、Ｘ軸に直交し、紙面から出ていく方向である。一方、レチクルＭＡを保持する支持構造ＭＴの近傍において、Ｘ軸は、Ｙ軸と位置合わせされたスキャン方向に対して概ね横向きである。便宜上、図７の概略図のこのエリアでは、Ｘ軸はここでも記されているように紙面から出ていく方向である。これらの指定は当技術分野において従来からのものであり、本明細書でも便宜的に採用される。原則として、装置及びその挙動を記述するために任意の基準系を選ぶことができる。

[0112] 典型的な装置には、全体としてソースコレクタモジュール及びリソグラフィ装置７００の動作に使用される多数の追加コンポーネントが存在するが、ここには図示されていない。これらには、例えばコレクタ３及び他の光学系に損傷を与えるか又はそれらの性能を損なう燃料材料の堆積を防止するように、閉鎖された真空内で汚染の効果を低減又は軽減するための構成が含まれる。存在するが詳述しない他の特徴部には、リソグラフィ装置７００の様々なコンポーネント及びサブシステムの制御に関与する全てのセンサ、コントローラ及びアクチュエータがある。

[0113] 図８を参照すると、ＬＰＰ ＥＵＶ光源８００の実施例が示されている。光源８００は、リソグラフィ装置７００におけるソースコレクタモジュールＳＯとして使用されることがある。さらに、図１の光源１０５を駆動レーザ８１５の一部としてもよい。駆動レーザ８１５はレーザ７２３（図７）として使用されることがある。

[0114] ＬＰＰ ＥＵＶ光源８００は、プラズマ形成位置８０５にあるターゲット混合物８１４を、ビーム経路に沿ってターゲット混合物８１４に向かって進行する増幅光ビーム８１０で照射することによって構成される。図１に関して考察されたターゲット材料、及び図１に関して考察されたターゲットの流れ１２１内のターゲットは、ターゲット混合物８１４であるか又はターゲット混合物８１４を含むことがある。プラズマ形成位置８０５は真空チャンバ８３０の内部８０７内にある。増幅光ビーム８１０がターゲット混合物８１４に当たると、ターゲット混合物８１４内のターゲット材料は、ＥＵＶ範囲内に輝線がある元素を有するプラズマ状態に変換される。生成されたプラズマは、ターゲット混合物８１４内のターゲット材料の組成に応じた特定の特徴を有する。これらの特徴には、プラズマにより生成されるＥＵＶ光の波長、並びにプラズマから放出されるデブリの種類及び量が含まれることがある。

[0115] 光源８００は駆動レーザシステム８１５を含み、駆動レーザシステム８１５は、レーザシステム８１５の１つ以上の利得媒体内の反転分布によって増幅光ビーム８１０を生成する。光源８００は、レーザシステム８１５とプラズマ形成位置８０５との間にビームデリバリシステムを含み、ビームデリバリシステムは、ビーム伝送システム８２０及びフォーカスアセンブリ８２２を含む。ビーム伝送システム８２０は、レーザシステム８１５から増幅光ビーム８１０を受光し、必要に応じて増幅光ビーム８１０を方向操作及び修正し、増幅光ビーム８１０をフォーカスアセンブリ８２２に出力する。フォーカスアセンブリ８２２は、増幅光ビーム８１０を受光し、ビーム８１０をプラズマ形成位置８０５に合焦させる。

[0116] 一部の実施例において、レーザシステム８１５は、１つ以上のメインパルスを提供し、場合によっては１つ以上のプレパルスも提供するための、１つ以上の光増幅器、レーザ、及び／又はランプを含むことがある。各光増幅器は、所望の波長を高い利得で光学的に増幅することができる利得媒体、励起源、及び内部光学系を含む。光増幅器は、レーザミラー、又はレーザキャビティを形成する他のフィードバックデバイスを有する場合も有しない場合もある。したがって、レーザシステム８１５は、レーザキャビティが存在しない場合であっても、レーザ増幅器の利得媒体における反転分布によって増幅光ビーム８１０を生成する。さらに、レーザシステム８１５は、レーザシステム８１５に充分なフィードバックを与えるレーザキャビティが存在する場合、コヒーレントなレーザビームである増幅光ビーム８１０を生成することがある。「増幅光ビーム」という用語は、増幅されているだけで必ずしもコヒーレントなレーザ発振でないレーザシステム８１５からの光、及び増幅されていると共にコヒーレントなレーザ発振であるレーザシステム８１５からの光のうちの１つ以上を包含する。

[0117] レーザシステム８１５における光増幅器は、利得媒体として、ＣＯ_２を含む充填ガスを含むことがあり、波長が約９１００ｎｍ～約１１０００ｎｍ、特に約１０６００ｎｍの光を、８００倍以上の利得で増幅することがある。レーザシステム８１５で使用するのに適した増幅器及びレーザはパルスレーザデバイスを含むことがある。パルスレーザデバイスは、例えば、ＤＣ又はＲＦ励起によって約９３００ｎｍ又は約１０６００ｎｍの放射を生成し、例えば１０ｋＷ以上の比較的高いパワーで、例えば４０ｋＨｚ以上の高いパルス繰り返し率で動作するパルスガス放電ＣＯ_２レーザデバイスである。パルス繰り返し率は、例えば５０ｋＨｚとしてもよい。また、レーザシステム８１５における光増幅器は、レーザシステム８１５をより高いパワーで動作させる場合に使用され得る水のような冷却システムも含むことがある。

[0118] 光源８００は、増幅光ビーム８１０を通過させてプラズマ形成位置８０５に到達させることができるアパーチャ８４０を有するコレクタミラー８３５を含む。コレクタミラー８３５は、例えば、プラズマ形成位置８０５に主焦点を有すると共に中間位置８４５に二次焦点（中間焦点とも呼ばれる）を有する楕円ミラーである場合がある。中間位置８４５でＥＵＶ光は光源８００から出力され、例えば集積回路リソグラフィツール（図示せず）に入力されることがある。光源８００は、端部が開口した中空円錐形シュラウド８５０（例えばガス円錐）も含むことがある。これは、コレクタミラー８３５からプラズマ形成位置８０５に向かって先細になって、増幅光ビーム８１０がプラズマ形成位置８０５に到達することを可能にしながら、フォーカスアセンブリ８２２及び／又はビーム伝送システム８２０に入るプラズマ生成デブリの量を低減させる。この目的のため、プラズマ形成位置８０５に向けて指向されるガス流がシュラウドに提供されることがある。

[0119] 光源８００はまた、小滴位置検出フィードバックシステム８５６と、レーザ制御システム８５７と、ビーム制御システム８５８とに接続されるマスタコントローラ８５５も含むことがある。光源８００は１つ以上のターゲット又は小滴撮像器８６０を含むことがあり、これは、例えばプラズマ形成位置８０５に対する小滴の位置を示す出力を与え、この出力を小滴位置検出フィードバックシステム８５６に提供する。小滴位置検出フィードバックシステム８５６は、例えば小滴の位置及び軌道を計算することがあり、それらから小滴ごとに又は平均値として小滴位置誤差が計算されることがある。したがって、小滴位置検出フィードバックシステム８５６は、小滴位置誤差をマスタコントローラ８５５に対する入力として提供する。したがって、マスタコントローラ８５５は、例えばレーザ位置、方向、及びタイミング補正信号を、例えばレーザタイミング回路を制御するのに使用され得るレーザ制御システム８５７に、及び／又は、ビーム伝送システム８２０の増幅光ビームの位置及び整形を制御して、チャンバ８３０内のビーム焦点スポットの位置及び／又は集光力を変化させるためにビーム制御システム８５８に提供することがある。

[0120] 供給システム８２５はターゲット材料送出制御システム８２６を含む。ターゲット材料送出制御システム８２６は、マスタコントローラ８５５からの信号に応答して動作可能であり、例えば、ターゲット材料供給装置８２７により放出される小滴の放出点を変更して、所望のプラズマ形成位置８０５に到達する小滴の誤差を補正する。

[0121] さらに、光源８００は光源検出器８６５及び８７０を含むことがあり、これらは、限定ではないが、パルスエネルギ、波長の関数としてのエネルギ分布、特定の波長帯内のエネルギ、特定の波長帯外のエネルギ、並びにＥＵＶ強度及び／又は平均出力の角度分布を含む１つ以上のＥＵＶ光パラメータを測定する。光源検出器８６５は、マスタコントローラ８５５により使用されるフィードバック信号を生成する。フィードバック信号は、効果的かつ効率的なＥＵＶ光生成のために適切な時に適切な場所で小滴を正確に捕らえるために、例えばレーザパルスのタイミング及び焦点のようなパラメータの誤差を示すことがある。

[0122] 光源８００は、光源８００の様々なセクションを位置合わせするため、又は増幅光ビーム８１０をプラズマ形成位置７０５へ方向操作するのを支援するために使用され得るガイドレーザ８７５を含むこともある。ガイドレーザ８７５に関連して、光源８００は、フォーカスアセンブリ８２２内に配置されて、ガイドレーザ８７５からの光の一部及び増幅光ビーム８１０をサンプリングするメトロロジシステム８２４を含む。他の実施例では、メトロロジシステム８２４はビーム伝送システム８２０内に配置される。メトロロジシステム８２４は、光のサブセットをサンプリング又は方向転換する光学素子を含むことがあり、このような光学素子は、ガイドレーザビーム及び増幅光ビーム８１０のパワーに耐え得る任意の材料から作製される。マスタコントローラ８５５がガイドレーザ８７５からのサンプリングされた光を解析し、この情報を用いてビーム制御システム８５８を介してフォーカスアセンブリ８２２内のコンポーネントを調整するので、メトロロジシステム８２４及びマスタコントローラ８５５からビーム解析システムが形成される。

[0123] したがって、要約すると、光源８００は増幅光ビーム８１０を生成し、増幅光ビーム８１０はビーム経路に沿って誘導されてプラズマ形成位置８０５のターゲット混合物８１４を照射して、混合物８１４内のターゲット材料を、ＥＵＶ範囲内の光を発するプラズマに変換する。増幅光ビーム８１０は、レーザシステム８１５の設計及び特性に基づいて決定される特定の波長（駆動レーザ波長とも呼ばれる）で動作する。さらに、ターゲット材料がコヒーレントなレーザ光を生成するのに充分なフィードバックをレーザシステム８１５に返す場合、又は駆動レーザシステム８１５がレーザキャビティを形成する適切な光学フィードバックを含む場合、増幅光ビーム８１０はレーザビームである場合がある。

[0124] 本発明の他の態様を下記の番号付き条項に示す。
１．極端紫外光（ＥＵＶ）源のためのターゲットデリバリシステムであって、 外部と、内部導管領域と、オリフィスを画定する端部とを含む導管であって、内部導管領域が、プラズマ状態のときにＥＵＶ光を発するターゲット材料を受け入れるように構成され、オリフィスが、ターゲット材料を真空チャンバの内部に提供するように構成された導管と、
オフィスを画定する端部から離れ、真空チャンバの内部に向けて保護ガスを流すように構成され、流れる保護ガスが、オリフィスを画定する端部から離れる方向に１つ以上の汚染物質を指向させるように構成された保護システムと、を備えたターゲットデリバリシステム。
２．保護ガスが不活性ガス又は反応ガスを含む、条項１のターゲットデリバリシステム。
３．保護ガスが分子状水素（Ｈ_２）を含む、条項１のターゲットデリバリシステム。
４．保護システムが、導管の外部に沿って保護ガスを流すように構成された、条項１のターゲットデリバリシステム。
５．保護システムが、
導管の外部の少なくとも一部分を取り囲む側壁を含み、導管のオリフィスと位置合わせされた開口端領域を画定する本体を備え、
保護ガスが、導管の外部と側壁の内壁との間の開放空間に流入し、保護ガスが、開口端領域を通って本体から流れ出る、条項４のターゲットデリバリシステム。
６．側壁が、開放空間と流体連通する少なくとも１つのポートを備え、ポートが、保護ガスを保持するガス供給に流体結合するように構成された、条項５のターゲットデリバリシステム。
７．保護システムが少なくとも１つのガス源を備えた、条項１のターゲットデリバリシステム。
８．ターゲットデリバリシステムがさらに、導管の外部を少なくとも部分的に取り囲む温度制御ブロックを備え、保護システムが、温度制御ブロックの少なくとも一部分を取り囲み、導管のオリフィスと位置合わせされた開口端領域を画定する本体を備え、
保護ガスが、温度制御ブロックと本体の内壁との間の開放空間に流入し、保護ガスが開口端領域から本体を出る、条項１のターゲットデリバリシステム。
９．１つ以上の汚染物質が移動物質を含み、流れる流体が、導管の端部から離れる１つ以上の移動汚染物質の運動方向を変化させることによって、１つ以上の移動汚染物質と導管の端部との相互作用を軽減するように構成された、条項１のターゲットデリバリシステム。
１０．１つ以上の汚染物質が移動物質を含み、流れる流体が、導管の端部から離れる１つ以上の移動汚染物質の運動方向を変化させることによって、１つ以上の移動汚染物質と導管の端部との相互作用を妨げるように構成された、条項１のターゲットデリバリシステム。
１１．１つ以上の汚染物質が、気体、液体、蒸気、及び粒子のうちの１つ以上を含む、条項１のターゲットデリバリシステム。
１２．１つ以上の汚染物質が、ケイ素（Ｓｉ）又は二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含む、条項１のターゲットデリバリシステム。
１３．１つ以上の汚染物質が、酸素、水、又は二酸化炭素（ＣＯ_２）を含む、条項１のターゲットデリバリシステム。
１４．導管が毛細管を含む、条項１のターゲットデリバリシステム。
１５．保護システムが複数の開口部を備えた拡散デバイスを備え、各開口部が、オリフィスを画定する端部から離れる方向に保護ガスを指向させるように構成された、条項１のターゲットデリバリシステム。
１６．複数の開口部が、導管の外部を取り囲み、導管の外部に対して均等に分布された、条項１５のターゲットデリバリシステム。
１７．ターゲット材料デリバリシステムのオリフィスを保護する方法であって、
それぞれがプラズマ状態にあるときにＥＵＶ光を発するターゲット材料を含むターゲットの流れを真空チャンバの内部に提供するために、ターゲット材料をオリフィスに通すこと、及び
オリフィスから離れる方向に１つ以上の汚染物質を指向させる保護ガスを、ターゲット材料デリバリシステムに流入させ、オリフィスから離れる方向に真空チャンバの内部に流し込むことを含む方法。
１８．流れる保護ガスがターゲットの流れの軌道を変化させない、条項１７の方法。
１９．流れる保護ガスがターゲットの流れの進行方向に沿った運動成分を有する、条項１８の方法。
２０．保護ガスを流すことが、オリフィスを画定する導管と、導管を取り囲む本体との間の開放空間に保護ガスを流入させることを含む、条項１７の方法。
２１．保護ガスが、側壁のポートにおいて開放空間に流入し、本体により画定され、オリフィスと位置合わせされた開口端領域を通って空間から流出する、条項２０の方法。
２２．保護ガスが、オリフィスと、真空チャンバの内部との間のアパーチャにおいて一定の体積流量を有する、条項１７の方法。
２３．ターゲット材料デリバリシステムを含む極端紫外光源の状態を判定すること、及び
判定された状態に基づいて、複数の保護ガスのうちのどれを保護ガスとして使用するかを決定することをさらに含む、条項１７の方法。

[0125] 他の実施例は下記の特許請求の範囲内にある。

Claims (15)

1. 極端紫外光（ＥＵＶ）源のためのターゲットデリバリシステムであって、
   外部と、内部導管領域と、オリフィスを画定する端部とを含む導管であって、前記内部導管領域が、プラズマ状態のときにＥＵＶ光を発するターゲット材料を受け入れるように構成され、前記オリフィスが、前記ターゲット材料を真空チャンバの内部に提供するように構成された導管と、
   オリフィスを画定する前記端部から離れ、前記真空チャンバの前記内部に向けて保護ガスを流すように構成され、流れる前記保護ガスが、前記オリフィスを画定する前記端部から離れる方向に１つ以上の汚染物質を指向させるように構成された保護システムと、
   前記極端紫外光源の状態に基づいて、複数の保護ガスのうちのどれを前記保護ガスとして使用するかを決定する制御システムと、
   を備えたターゲットデリバリシステム。
2. 前記保護ガスが分子状水素（Ｈ_２）を含む、請求項１のターゲットデリバリシステム。
3. 前記保護システムが、前記導管の前記外部に沿って前記保護ガスを流すように構成された、請求項１のターゲットデリバリシステム。
4. 前記保護システムが、
   前記導管の前記外部の少なくとも一部分を取り囲む側壁を含み、前記導管の前記オリフィスと位置合わせされた開口端領域を画定する本体を備え、
   前記保護ガスが、前記導管の前記外部と前記側壁の内壁との間の開放空間に流入し、前記保護ガスが、前記開口端領域を通って前記本体から流れ出る、請求項３のターゲットデリバリシステム。
5. 前記ターゲットデリバリシステムがさらに、前記導管の前記外部を少なくとも部分的に取り囲む温度制御ブロックを備え、前記保護システムが、前記温度制御ブロックの少なくとも一部分を取り囲み、前記導管の前記オリフィスと位置合わせされた開口端領域を画定する本体を備え、
   前記保護ガスが、前記温度制御ブロックと前記本体の内壁との間の開放空間に流入し、前記保護ガスが前記開口端領域から前記本体を出る、請求項１のターゲットデリバリシステム。
6. 前記１つ以上の汚染物質が移動物質を含み、流れる前記保護ガスが、前記導管の前記端部から離れる前記１つ以上の移動汚染物質の運動方向を変化させることによって、前記１つ以上の移動汚染物質と前記導管の前記端部との相互作用を軽減するように構成された、請求項５のターゲットデリバリシステム。
7. 前記１つ以上の汚染物質が、ケイ素（Ｓｉ）又は二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含む、請求項１のターゲットデリバリシステム。
8. 前記１つ以上の汚染物質が、酸素、水、又は二酸化炭素（ＣＯ_２）を含む、請求項１のターゲットデリバリシステム。
9. 前記保護システムが複数の開口部を備えた拡散デバイスを備え、各開口部が、前記オリフィスを画定する前記端部から離れる方向に前記保護ガスを指向させるように構成された、請求項１のターゲットデリバリシステム。
10. 前記複数の開口部が、前記導管の前記外部を取り囲み、前記導管の前記外部に対して均等に分布された、請求項９のターゲットデリバリシステム。
11. ターゲット材料デリバリシステムのオリフィスを保護する方法であって、
    それぞれがプラズマ状態にあるときにＥＵＶ光を発するターゲット材料を含むターゲットの流れを真空チャンバの内部に提供するために、前記ターゲット材料をオリフィスに通すこと、及び
    前記オリフィスから離れる方向に１つ以上の汚染物質を指向させる保護ガスを、前記ターゲット材料デリバリシステムに流入させ、前記オリフィスから離れる方向に前記真空チャンバの前記内部に流し込むことを含み、
    前記方法は、
    前記ターゲット材料デリバリシステムを含む極端紫外光源の状態を判定すること、及び
    前記判定された状態に基づいて、複数の保護ガスのうちのどれを前記保護ガスとして使用するかを決定することをさらに含む、
    方法。
12. 流れる前記保護ガスが前記ターゲットの流れの軌道を変化させない、請求項１１の方法。
13. 流れる前記保護ガスが前記ターゲットの流れの進行方向に沿った運動成分を有する、請求項１２の方法。
14. 前記保護ガスを流すことが、前記オリフィスを画定する導管と、前記導管を取り囲む本体との間の開放空間に前記保護ガスを流入させることを含む、請求項１１の方法。
15. 前記保護ガスが、前記本体のポートにおいて前記開放空間に流入し、前記本体により画定され、前記オリフィスと位置合わせされた開口端領域を通って前記開放空間から流出する、請求項１４の方法。

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