JP7530969B2 - 処理液、化学的機械的研磨方法、半導体基板の処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板用の処理液、化学的機械的研磨方法、及び、半導体基板の処理方法に関する。

ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）、メモリ等の半導体素子は、フォトリソグラフィー技術を用いて、基板上に微細な電子回路パターンを形成して製造される。より具体的には、基板上に、配線材料となる金属膜、エッチング停止層、及び層間絶縁層を有する積層体上にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィー工程及びドライエッチング工程（例えば、プラズマエッチング処理）を実施することにより、半導体素子が製造される。
この半導体素子の製造において、金属配線膜、バリア膜及び絶縁膜等を有する基板表面を、研磨微粒子（例えば、シリカ、アルミナ等）を含む研磨スラリーを用いて平坦化する化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）処理を行うことがある。

また、上記の製造工程を経た基板には、ドライエッチング残渣物（例えば、メタルハードマスクに由来するチタン系金属等の金属成分、又はフォトレジスト膜に由来する有機成分）が残存することがある。特にＣＭＰ処理を施した基板には、ＣＭＰ処理で使用する研磨微粒子、研磨された配線金属膜、及び／又は、バリア膜等に由来する金属成分が、研磨後の半導体基板表面に残存しやすい。
これらの残渣物は、配線間を短絡し、半導体の電気的な特性に影響を及ぼし得ることから、半導体基板の表面からこれらの残渣物を除去する工程が行われることが多い。

例えば、特許文献１には、超小型電子装置構造の処理のための組成物であって、（ｉ）アルカノールアミンと（ｉｉ）水酸化４級アンモニウムと（ｉｉｉ）特定の錯化剤とを含む組成物が記載されている。

特表２００８－５２８７６２号公報

本発明者は、特許文献１等を参考にして半導体基板用の処理液について検討したところ、上記処理液について、配線材料、プラグ材料及び絶縁層等となる金属含有層に対する腐食防止性能に更なる改善の余地があることを明らかとした。

そこで、本発明は、半導体基板用の処理液であって、金属含有層に対する腐食防止性能に優れる処理液を提供することを課題とする。
また、本発明は、化学的機械的研磨方法、及び、半導体基板の処理方法を提供することを課題とする。

本発明者は、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。

〔１〕
半導体基板用の処理液であって、分子内に２つ以上のオニウム構造を有する成分Ａと、水と、を含み、２５℃におけるｐＨが６．０～１３．５である、処理液。
〔２〕
上記オニウム構造が、アンモニウム構造、ホスホニウム構造及びスルホニウム構造からなる群より選択される構造である、〔１〕に記載の処理液。
〔３〕
上記オニウム構造が、アンモニウム構造及びホスホニウム構造からなる群より選択される構造である、〔１〕又は〔２〕に記載の処理液。
〔４〕
上記オニウム構造が、アンモニウム構造である、〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の処理液。
〔５〕
上記成分Ａが、後述する一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物である、〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の処理液。
〔６〕
一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）において、ｎが２を表し、Ｘ^{（２／ｎ）－}が水酸化物イオンを表す、〔５〕に記載の処理液。
〔７〕
上記成分Ａが、一般式（Ｉ）で表される化合物である、〔５〕又は〔６〕に記載の処理液。
〔８〕
上記成分Ａの含有量が、上記処理液の全質量に対して０．１～５質量％である、〔１〕～〔７〕のいずれかに記載の処理液。
〔９〕
有機酸又は有機アルカリを更に含む、〔１〕～〔８〕のいずれかに記載の処理液。
〔１０〕
防食剤を更に含む、〔１〕～〔９〕のいずれかに記載の処理液。
〔１１〕
上記防食剤が、ヘテロ芳香族化合物を含む、〔１０〕に記載の処理液。
〔１２〕
上記ヘテロ芳香族化合物が、テトラゾール化合物、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物及びピラゾール化合物からなる群より選択される少なくとも１つである、〔１１〕に記載の処理液。
〔１３〕
上記防食剤が、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン誘導体及びこれらの塩からなる群より選択される少なくとも１つのヒドロキシルアミン化合物を含む、〔１０〕～〔１２〕のいずれかに記載の処理液。
〔１４〕
有機溶剤を更に含む、〔１〕～〔１３〕のいずれかに記載の処理液。
〔１５〕
界面活性剤を更に含む、〔１〕～〔１４〕のいずれかに記載の処理液。
〔１６〕
上記半導体基板が、銅、タングステン及びコバルトからなる群より選択される少なくとも１種を含む金属含有物を有する、〔１〕～〔１５〕のいずれかに記載の処理液。
〔１７〕
コロイダルシリカを更に含む、〔１〕～〔１６〕のいずれかに記載の処理液。
〔１８〕
平均１次粒子径が３～２０ｎｍであるコロイダルシリカを更に含む、〔１〕～〔１７〕のいずれかに記載の処理液。
〔１９〕
〔１７〕又は〔１８〕に記載の処理液を研磨定盤に取り付けられた研磨パッドに供給しながら、被研磨体の被研磨面を上記研磨パッドに接触させ、上記被研磨体及び上記研磨パッドを相対的に動かして上記被研磨面を研磨して、研磨済み被研磨体を得る工程を含む、化学的機械的研磨方法。
〔２０〕
〔１〕～〔１６〕のいずれかに記載の処理液を用いて、半導体基板上の金属含有物を除去する工程を有する、半導体基板の処理方法。

本発明によれば、金属含有層に対する腐食防止性能に優れる半導体基板用の処理液を提供できる。
また、本発明によれば、化学的機械的研磨方法、及び、半導体基板の処理方法を提供できる。

以下に、本発明を実施するための形態の一例を説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に制限されるものではない。

本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において「準備」というときには、特定の材料を合成ないし調合等して備えることのほか、購入等により所定の物を調達することを含む意味である。
本明細書において、ある成分が２種以上存在する場合、その成分の「含有量」は、それら２種以上の成分の合計含有量を意味する。
本明細書に記載の化合物において、特に制限されない場合は、異性体（原子数が同じであるが構造が異なる化合物）、光学異性体、及び同位体が含まれていてもよい。また、異性体及び同位体は、１種のみが含まれていてもよいし、複数種含まれていてもよい。
また、本発明における基（原子群）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、本発明の効果を損ねない範囲で、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含する。例えば、「炭化水素基」とは、置換基を有さない炭化水素基（無置換炭化水素基）のみならず、置換基を有する炭化水素基（置換炭化水素基）をも包含する。このことは、各化合物についても同義である。

本明細書において、「ｐｐｍ」は「parts-per-million（１０^－６）」を意味し、「ｐｐｂ」は「parts-per-billion（１０^－９）」を意味する。
また、本明細書において、１Å（オングストローム）は、０．１ｎｍに相当する。
本明細書においてｐｓｉとは、pound-force per square inch；重量ポンド毎平方インチを意図し、１ｐｓｉ＝６８９４．７６Ｐａを意図する。

［処理液］
本発明の処理液（以下、単に「処理液」とも記載する。）は、半導体基板用の処理液であって、２つ以上のオニウム構造を有する成分Ａと、水と、を含む。また、２５℃における処理液のｐＨが６．０～１３．５である。
本発明者は、処理液が、２つ以上のオニウム構造を有する成分Ａを含み、且つ、ｐＨが６．０～１３．５であることにより、半導体基板の金属含有層に対する腐食防止性能（以下「本発明の効果」とも記載する）が向上することを知見し、本発明を完成させた。

このような処理液により本発明の効果が得られる詳細なメカニズムは不明であるが、上記の処理液に接して表面がアニオン側に帯電している金属含有層に対して、上記成分Ａが作用することにより、金属含有層の表面に腐食防止性が付与されるものと、本発明者は推測している。

以下、処理液に含まれる各成分について、説明する。

〔成分Ａ〕
処理液は、分子内に２つ以上のオニウム構造を有する成分Ａを含む。
ここで、成分Ａに含まれるオニウム構造とは、単原子の水素化物にプロトン（Ｈ^＋）が付加してなるカチオン構造を意味する。オニウム構造としては、例えば、中心原子がＮであるアンモニウム構造、中心原子がＰであるホスホニウム構造、中心原子がＡｓであるアルソニウム構造、中心原子がＯであるオキソニウム構造、及び、中心原子がＳであるスルホニウム構造が挙げられる。
成分Ａは、分子内にオニウム構造を２つ以上有する化合物であれば特に制限されない。成分Ａは、オニウム構造を２つ以上有するカチオンと、対イオンとからなる塩であってもよい。その場合、成分Ａは、処理液中で電離していてもよい。

成分Ａが有するオニウム構造としては、アンモニウム構造、ホスホニウム構造又はスルホニウム構造が好ましく、アンモニウム構造又はホスホニウム構造がより好ましく、アンモニウム構造が更に好ましい。
成分Ａが分子内に有するオニウム構造の数は、２～６が好ましく、２～４がより好ましく、２又は３が更に好ましく、２が特に好ましい。

成分Ａは、オニウム構造の中心原子と結合する１価の有機基と、２つ以上のオニウム構造の中心原子と結合する連結基とを有することが好ましい。
上記１価の有機基としては、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、及び、これらの基の２つ以上を組み合わせてなる基が挙げられる。上記１価の有機基としては、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、又は、アラルキル基が好ましい。
上記１価の有機基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１４がより好ましく、１～１０が更に好ましい。
成分Ａが上記有機基を２以上有する場合、それらの有機基は同一であってもよく、異なっていてもよい。

上記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、及び、オクチル基が挙げられ、メチル基、エチル基、プロピル基、又は、ブチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
上記アルケニル基としては、炭素数２～１０のアルケニル基が好ましく、エチニル基、又は、プロピル基がより好ましい。
上記シクロアルキル基としては、炭素数３～１０のシクロアルキル基が好ましく、シクロヘキシル基又はシクロペンチル基がより好ましく、シクロヘキシル基が更に好ましい。
上記アリール基としては、炭素数６～１４のアリール基が好ましく、フェニル基又はナフチル基がより好ましく、フェニル基が更に好ましい。
上記アラルキル基としては、炭素数７～１４のアラルキル基が好ましく、ベンジル基がより好ましい。

上記の１価の有機基は、更に置換基を有していてもよい。導入しうる置換基としては、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、リン酸基、イミノ基、チオール基、スルホ基、及び、ニトロ基が挙げられる。

上記の２つ以上のオニウム構造の中心原子と結合する連結基としては、２つのオニウム構造の中心原子と結合する２価の連結基が好ましい。
上記２価の連結基としては、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、及び、これらの基の２つ以上を組み合わせてなる基が挙げられる。上記２価の連結基としては、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、又は、これらの基の２つ以上を組み合わせてなる基が好ましい。
上記２価の連結基は、その連結基を構成するメチレン基（－ＣＨ_２－）に代えて、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－及びこれらの基の２つ以上を組み合わせてなる基を有していてもよい。また、上記２価の連結基は、その連結基を構成するメチレン基（－ＣＨ_２－）に代えて、上記オニウム構造の中心原子（好ましくは窒素原子）が上記１価の置換基を２つ有してなる連結基を有していてもよい。
上記２価の連結基の炭素数は、１～３０が好ましく、２～２０がより好ましく、２～１２が更に好ましい。

上記アルキレン基としては、炭素数１～１０のアルキレン基が好ましい。なかでも、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、又は、オクチレン基がより好ましく、エチレン基、又は、ペンチレン基が更に好ましい。
上記アルケニレン基としては、炭素数２～１０のアルケニレン基が好ましく、エチニレン基、又は、プロピニレン基がより好ましく、プロピニレン基が更に好ましい。
上記シクロアルキレン基としては、炭素数３～１０のシクロアルキレン基が好ましく、シクロヘキシレン基、又は、シクロペンチレン基がより好ましく、シクロヘキシレン基が更に好ましい。
上記アリーレン基としては、炭素数６～１４のアルキレン基が好ましく、フェニレン基又はナフチレン基がより好ましく、フェニレン基が更に好ましい。
上記のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基及びアリーレン基から選択される２以上を組み合わせてなる基としては、ジアルキルフェニル基、又は、ビフェニル基が好ましい。

上記の連結基は更に置換基を有していてもよい。導入しうる置換基としては、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、リン酸基、イミノ基、チオール基、スルホ基、及び、ニトロ基が挙げられる。
なお、成分Ａにおいて、１つのオニウム構造に結合している２つ以上の連結基が存在していてもよい。例えば、成分Ａが２つのオニウム構造を有する場合、その成分Ａは、それら２つのオニウム構造を連結する２価の連結基を２つ以上有していてもよい。成分Ａが２つ以上の連結基を有する場合、それらの連結基は同一であってもよく、異なっていてもよい。

成分Ａが有する対イオンとしては、例えば、１価のアニオン又は２価のアニオンが挙げられる。
より具体的な対イオンとしては、硝酸イオン、硫酸イオン、ハロゲン化物イオン（例えば、臭化物イオン、塩化物イオン、フッ化物イオン及びヨウ化物イオン）、クエン酸イオン、リン酸イオン、シュウ酸イオン、フタル酸イオン、マレイン酸イオン、グルコン酸イオン、フマル酸イオン、酒石酸イオン、リンゴ酸イオン、グリコール酸イオン、水酸化物イオン、酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、ホウ酸イオン、乳酸イオン、チオシアン酸イオン、シアン酸イオン、硫酸イオン、ケイ酸イオン、過ハロゲン化物イオン（例えば過臭素酸イオン、過塩素酸イオン及び過ヨウ素酸イオン）、クロム酸イオン、ｐ-トルエンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、エタンスルホン酸イオン、ジグリコール酸イオン、２、５－フランジカルボン酸イオン、２－テトラヒドロフランカルボン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、及び、ヘキサフルオロリン酸イオンが挙げられる。
なかでも、硝酸イオン、クエン酸イオン、リン酸イオン、シュウ酸イオン、フタル酸イオン、マレイン酸イオン、フマル酸イオン、酒石酸イオン、リンゴ酸イオン、グリコール酸イオン、水酸化物イオン、酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、乳酸イオン、硫酸イオン、ケイ酸イオン、ｐ-トルエンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、エタンスルホン酸イオン、ジグリコール酸イオン、２、５－フランジカルボン酸イオン、２－テトラヒドロフランカルボン酸イオン、ホウ酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、又は、ヘキサフルオロリン酸イオンが好ましく、水酸化物イオン、硫酸イオン、又は、リン酸イオンがより好ましく、水酸化物イオンが更に好ましい。

成分Ａは、下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物であることが好ましく、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることがより好ましい。

一般式（Ｉ）中、Ｒ^１～Ｒ^６は、それぞれ独立に、１価の有機基を表す。Ｒ^１～Ｒ^６のうち２つが互いに結合してもよい。Ｌ^１は、２価の連結基を表す。Ｘ^{（２／ｎ）－}は、（２／ｎ）価の対イオンを表す。ｎは、１又は２を表す。

一般式（ＩＩ）中、Ｒ^７～Ｒ^１２は、それぞれ独立に、１価の有機基を表す。Ｒ^７～Ｒ^１２のうち２つが互いに結合してもよい。Ｌ^２は、２価の連結基を表す。Ｘ^{（２／ｎ）－}は、（２／ｎ）価の対イオンを表す。ｎは、１又は２を表す。

なお、一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中のＲ^１～Ｒ^６及びＲ^７～Ｒ^１２で表される１価の有機基の好ましい態様については、成分Ａが有する、オニウム構造の中心原子と結合する１価の有機基の好ましい態様として既に述べた通りである。
また、一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中のＬ^１及びＬ^２で表される２価の連結基、Ｒ^１～Ｒ^６のうち２つが互いに結合して形成される連結基、並びに、Ｒ^７～Ｒ^１２のうち２つが互いに結合して形成される連結基の好ましい態様については、成分Ａが有する、２つのオニウム構造の中心原子と結合する２価の連結基の好ましい態様として既に述べた通りである。

一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）におけるＸ^{（２／ｎ）－}は、１価又は２価の対イオンを表す。即ち、ｎが１の場合、Ｘ^{（２／ｎ）－}は２価の対イオンを表し、ｎが２の場合、Ｘ^{（２／ｎ）－}は１価の対イオンを表す。
一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）中のＸ^{（２／ｎ）－}で表される１価又は２価の対イオンの好ましい態様については、成分Ａが有する対イオンの好ましい態様として既に述べた通りである。

以下、成分Ａを構成するオニウム構造を２つ有するカチオンの具体例として、カチオン（Ａ－１）～（Ａ－３２）を示す。

また、成分Ａを構成するオニウム構造を２つ有するカチオンの具体例としては、上記カチオン（Ａ－１）～（Ａ－３２）における「Ｎ^＋」が「Ｐ^＋」に置き換わったカチオンに相当するカチオン（Ａ－Ｘ１）～（Ａ－Ｘ３２）も挙げられる。例えば、カチオン（Ａ－Ｘ１）及び（Ａ－Ｘ２）は、それぞれ下記の化学式で表される。

成分Ａは、上記カチオン（Ａ－１）～（Ａ－３２）及び（Ａ－Ｘ１）～（Ａ－Ｘ３２）からなる群より選択されるカチオンを有することが好ましく、カチオン（Ａ－１）～（Ａ－１５）、（Ａ－１８）、（Ａ－１９）、（Ａ－２２）、（Ａ－２３）及び（Ａ－２９）～（Ａ－３２）並びに（Ａ－Ｘ１）～（Ａ－Ｘ１５）、（Ａ－Ｘ１８）、（Ａ－Ｘ１９）、（Ａ－Ｘ２２）、（Ａ－Ｘ２３）及び（Ａ－Ｘ２９）～（Ａ－Ｘ３２）からなる群より選択されるカチオンを有することがより好ましい。
中でも、成分Ａとしては、カチオン（Ａ－１）～（Ａ－１５）及び（Ａ－Ｘ１）～（Ａ－Ｘ１５）を有する化合物が更に好ましく、カチオン（Ａ－１）～（Ａ－１０）及び（Ａ－Ｘ１）～（Ａ－Ｘ１０）を有する化合物が特に好ましい。

成分Ａは、市販の化合物を用いてもよいし、公知の方法に従って合成したものを用いてもよい。成分Ａの合成方法としては、例えば、アンモニア又は各種アミンが求核剤として働く置換反応により合成する方法が挙げられる。
成分Ａは、上記のオニウム構造を２つ以上有するカチオンと対イオンとからなる塩の形態で処理液に使用することが好ましい。

成分Ａは、低分子量であることが好ましい。より具体的には、成分Ａの分子量は、７００以下が好ましく、５００以下がより好ましく、４００以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、１２０以上が好ましい。
また、成分Ａの炭素数は、５０以下が好ましく、４０以下がより好ましく、３０以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、６以上が好ましい。

成分Ａは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい
成分Ａの含有量は、本発明の効果がより優れる点で、処理液の全質量に対して、０．０００１質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．５質量％以上が更に好ましく、０．８質量％以上が特に好ましい。
成分Ａの含有量の上限値は特に制限されないが、処理液が研磨液であるときの研磨傷抑制性がより優れる点、及び／又は、処理液がエッチング液であるときの残渣除去性能がより優れる点で、処理液の全質量に対して、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、８質量％以下が更に好ましく、５質量％以下が特に好ましい。

〔水〕
処理液は、溶剤として水を含むことが好ましい。
処理液に使用される水の種類は、半導体基板に悪影響を及ぼさないものであれば特に制限されず、蒸留水、脱イオン水、及び純水（超純水）が使用できる。不純物をほとんど含まず、半導体基板の製造工程における半導体基板への影響がより少ない点で、純水が好ましい。
処理液における水の含有量は、成分Ａ、及び、後述する任意成分の残部であればよい。水の含有量は、例えば、処理液の全質量に対して、１質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、６０質量％以上が更に好ましく、８５質量％以上が特に好ましい。上限は特に制限されないが、処理液の全質量に対して、９９質量％以下が好ましく、９５質量％以下がより好ましい。
また、処理液が有機溶剤を含有する場合、処理液における水の含有量は、処理液の全質量に対して、１質量％以上が好ましく、１０質量％以上がより好ましく、２０質量％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、処理液の全質量に対して、５０質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましく、３０質量％以下が更に好ましい。

〔任意成分〕
処理液は、上述した成分以外に、他の任意成分を含んでいてもよい。任意成分としては、例えば、有機酸、有機アルカリ、防食剤、界面活性剤、コロイダルシリカ、配位基が窒素含有基であるキレート剤（以下「特定キレート剤」とも記載する。）、酸化剤、有機溶剤、及び、各種添加剤が挙げられる。
処理液は、有機酸、有機アルカリ、防食剤、界面活性剤、コロイダルシリカ、特定キレート剤、酸化剤、及び、有機溶剤からなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、有機酸又は有機アルカリを含むことがより好ましい。

以下、任意成分について説明する。

＜有機酸＞
処理液は、金属含有物の除去性能が向上する点で、有機酸を含むことが好ましい。
有機酸は、酸性の官能基を有し、水溶液中で酸性（ｐＨが７．０未満）を示す有機化合物である。酸性の官能基としては、例えば、カルボキシル基、ホスホン酸基、スルホ基、フェノール性ヒドロキシル基、及びメルカプト基が挙げられる。
なお、本明細書では、後述するアニオン性界面活性剤として機能する化合物、及び、アニオン性高分子化合物に含まれる化合物は、有機酸に含まれないものとする。

有機酸としては、特に制限されないが、分子内にカルボキシル基を有するカルボン酸（有機カルボン酸）、分子内にホスホン酸基を有するホスホン酸（有機ホスホン酸）、及び分子内にスルホ基を有するスルホン酸（有機スルホン酸）が挙げられ、カルボン酸又はホスホン酸が好ましい。

有機酸が有する酸性の官能基の数は特に制限されないが、１～４個が好ましく、１～３個がより好ましい。
また、有機酸は、洗浄性能により優れる点で、残渣物に含まれる金属とキレート化する機能を有する化合物であることが好ましく、分子内に金属イオンと配位結合する官能基（配位基）を２つ以上有する化合物がより好ましい。配位基としては、上記官能基が挙げられ、カルボン酸基又はホスホン酸基が好ましい。

（カルボン酸）
カルボン酸は、カルボキシル基を１個有するモノカルボン酸であってもよく、カルボキシル基を２個以上有するポリカルボン酸であってもよい。洗浄性能により優れる点で、カルボキシル基を２個以上（より好ましくは２～４個、更に好ましくは２又は３個）有するポリカルボン酸が好ましい。

カルボン酸としては、例えば、アミノポリカルボン酸、アミノ酸、ヒドロキシカルボン酸、及び脂肪族カルボン酸が挙げられる。

－アミノポリカルボン酸－
アミノポリカルボン酸は、分子内に配位基として１つ以上のアミノ基と２つ以上のカルボキシ基を有する化合物である。
アミノポリカルボン酸としては、例えば、アスパラギン酸、グルタミン酸、ブチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、１，３－ジアミノ－２－ヒドロキシプロパン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－四酢酸、プロピレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、トランス－１，２－ジアミノシクロヘキサン四酢酸（ＣｙＤＴＡ）、エチレンジアミン二酢酸、エチレンジアミンジプロピオン酸、１，６－ヘキサメチレン－ジアミン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－四酢酸、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン－Ｎ，Ｎ－二酢酸、ジアミノプロパン四酢酸、１，４，７，１０－テトラアザシクロドデカン－四酢酸、ジアミノプロパノール四酢酸、（ヒドロキシエチル）エチレンジアミン三酢酸、及びイミノジ酢酸（ＩＤＡ）が挙げられる。
なかでも、ＤＴＰＡ、ＥＤＴＡ、ＣｙＤＴＡ又はＩＤＡが好ましい。

－アミノ酸－
アミノ酸は、分子内に１つのカルボキシル基と１つ以上のアミノ基とを有する化合物である。
アミノ酸としては、例えば、グリシン、セリン、α－アラニン（２－アミノプロピオン酸）、β－アラニン（３－アミノプロピオン酸）、リジン、ロイシン、イソロイシン、シスチン、システイン、メチオニン、エチオニン、トレオニン、トリプトファン、チロシン、バリン、ヒスチジン、ヒスチジン誘導体、アスパラギン、グルタミン、アルギニン、プロリン、フェニルアラニン、特開２０１６－０８６０９４号公報の段落［００２１］～［００２３］に記載の化合物、及びこれらの塩が挙げられる。なお、ヒスチジン誘導体としては、特開２０１５－１６５５６１号公報、及び、特開２０１５－１６５５６２号公報に記載の化合物が援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。また、塩としては、ナトリウム塩、及びカリウム塩等のアルカリ金属塩、アンモニウム塩、炭酸塩、並びに酢酸塩が挙げられる。
なかでも、ヒスチジン、ヒスチジン誘導体、又は、硫黄原子を含有する含硫アミノ酸が好ましく、ヒスチジン又は含硫アミノ酸がより好ましい。含硫アミノ酸としては、例えば、シスチン、システイン、エチオニン及びメチオニンが挙げられ、シスチン又はシステインが好ましい。

－ヒドロキシカルボン酸－
ヒドロキシカルボン酸は、分子内に１つ以上のヒドロキシル基と１つ以上のアミノ基とを有する化合物である。
ヒドロキシカルボン酸としては、例えば、リンゴ酸、クエン酸、グリコール酸、グルコン酸、ヘプトン酸、酒石酸及び乳酸が挙げられ、グルコン酸、グリコール酸、リンゴ酸、酒石酸、又はクエン酸が好ましく、グルコン酸又はクエン酸がより好ましい。

－脂肪族カルボン酸－
脂肪族カルボン酸としては、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、セバシン酸及びマレイン酸が挙げられる。

上記のアミノポリカルボン酸、アミノ酸、ヒドロキシカルボン酸及び脂肪族カルボン酸以外のカルボン酸としては、例えば、モノカルボン酸が挙げられる。
モノカルボン酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸及び酪酸等の低級（炭素数１～４）脂肪族モノカルボン酸が挙げられる。

カルボン酸としては、アミノ酸、ヒドロキシカルボン酸又は脂肪族カルボン酸が好ましく、シスチン、システイン、ヒスチジン、グルコン酸、グリコール酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸又はアジピン酸がより好ましく、システイン、グルコン酸、クエン酸又はアジピン酸が更に好ましい。
カルボン酸は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
処理液におけるカルボン酸の含有量は、特に制限されない。処理液を研磨液として用いる場合、処理液の全質量に対して０．０１～３質量％が好ましく、０．０３～０．５質量％がより好ましい。

（ホスホン酸）
ホスホン酸は、ホスホン酸を１個有するモノホスホン酸であってもよく、ホスホン酸基を２個以上有するポリホスホン酸であってもよい。

ポリホスホン酸としては、国際公開第２０１３／１６２０２０号明細書の段落［００１３］～［００２３］に記載の一般式［１］～［３］で示される化合物、国際公開第２０１８／０２０８７８号明細書の段落［００２６］～［００３６］に記載の化合物、国際公開第２０１８／０３０００６号明細書の段落［００３１］～［００４６］に記載の化合物（（共）重合体）が援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
ポリホスホン酸としては、エチリデンジホスホン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１’－ジホスホン酸（ＨＥＤＰＯ）、１－ヒドロキシプロピリデン－１，１’－ジホスホン酸、１－ヒドロキシブチリデン－１，１’－ジホスホン酸、エチルアミノビス（メチレンホスホン酸）、ドデシルアミノビス（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）（ＮＴＰＯ）、エチレンジアミンビス（メチレンホスホン酸）（ＥＤＤＰＯ）、１，３－プロピレンジアミンビス（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＰＯ）、エチレンジアミンテトラ（エチレンホスホン酸）、１，３－プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＰＤＴＭＰ）、１，２－ジアミノプロパンテトラ（メチレンホスホン酸）、１，６－ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（ＤＥＰＰＯ）、ジエチレントリアミンペンタ（エチレンホスホン酸）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）、及び、トリエチレンテトラミンヘキサ（エチレンホスホン酸）が挙げられ、ＨＥＤＰＯが好ましい。

ホスホン酸が有するホスホン酸基の個数は、２～５が好ましく、２～４がより好ましく、２又は３が更に好ましい。
また、ホスホン酸の炭素数は、１２以下が好ましく、１０以下がより好ましく、８以下が更に好ましい。下限は特に制限されず、１以上が好ましい。

ホスホン酸は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
処理液におけるホスホン酸の含有量は、特に制限されないが、処理液の全質量に対して、２質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、処理液の全質量に対して、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましい。

有機酸は、低分子量であることが好ましい。より具体的には、有機酸の分子量は、６００以下が好ましく、４５０以下がより好ましく、３００以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、８５以上が好ましい。
また、有機酸の炭素数は、１５以下が好ましく、１２以下がより好ましく、８以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、２以上が好ましい。

有機酸は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
処理液における有機酸の含有量は、特に制限されないが、処理液の全質量に対して、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、処理液の全質量に対して、０．０１質量％以上が好ましく、０．０３質量％以上がより好ましい。

＜有機アルカリ＞
処理液は、有機アルカリを含んでいてもよい。
有機アルカリは、アルカリ性（塩基性）の官能基を有し、水溶液中でアルカリ性（ｐＨが７．０超え）を示す有機化合物である。
有機アルカリとしては、例えば、アミン化合物及び第４級アンモニウム化合物が挙げられる。なお、本明細書において第４級アンモニウム化合物とは、１つの第４級アンモニウム構造を有する化合物を意図する。

（アミン化合物）
アミン化合物は、分子内にアミノ基を有する化合物であって、後述するヘテロ芳香族化合物に含まれない化合物である。
アミン化合物としては、分子内に第１級アミノ基（－ＮＨ_２）を有する第１級脂肪族アミン、分子内に第２級アミノ基（＞ＮＨ）を有する第２級脂肪族アミン、及び、分子内に第３級アミノ基（＞Ｎ－）を有する第３級脂肪族アミンが挙げられる。
アミン化合物は、分子内に第１級アミノ基、第２級アミノ基及び第３級アミノ基（以下、これらを「第１級～第３級アミノ基」と総称する場合がある）から選択される基を有する化合物又はその塩であって、窒素原子を含むヘテロ環を有さない化合物であれば、特に制限されない。
アミン化合物の塩としては、例えば、Ｃｌ、Ｓ、Ｎ及びＰからなる群より選択される少なくとも１種の非金属が水素と結合してなる無機酸の塩が挙げられ、塩酸塩、硫酸塩、又は硝酸塩が好ましい。

アミン化合物としては、例えば、アミノアルコール、脂環式アミン化合物、並びに、アミノアルコール及び脂環式アミン以外の脂肪族モノアミン化合物及び脂肪族ポリアミン化合物が挙げられる。

－アミノアルコール－
アミノアルコールは、アミン化合物のうち、分子内に少なくとも１つのヒドロキシルアルキル基を更に有する化合物であり、アルカノールアミンとも称される。アミノアルコールは、第１級～第３級アミノ基のいずれを有していてもよいが、第１級アミノ基を有することが好ましい。

アミノアルコールとしては、例えば、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、ジエチレングリコールアミン（ＤＥＧＡ）、トリスヒドロキシメチルアミノメタン（Ｔｒｉｓ）、２－アミノ－２－メチル－１－プロパノール（ＡＭＰ）、２－アミノ－２－メチル－１，３－ジプロパノール（ＡＭＰＤ）、２－アミノ－２－エチル－１，３－ジプロパノール（ＡＥＰＤ）、２－（メチルアミノ）－２－メチル－１－プロパノール（Ｎ－ＭＡＭＰ）、２－（アミノエトキシ）エタノール（ＡＥＥ）及び２－（２－アミノエチルアミノ）エタノール（ＡＡＥ）が挙げられる。
なかでも、ＡＭＰ、Ｎ－ＭＡＭＰ、ＭＥＡ、ＤＥＡ、又はＴＥＡが好ましく、ＡＭＰ、ＭＥＡ又はＴＥＡがより好ましい。

アミノアルコールは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
アミノアルコールの含有量は、本発明の効果がより優れる点で、処理液の全質量に対して、０．０１質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．８質量％以上が更に好ましい。アミノアルコールの含有量の上限値は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、処理液の全質量に対して、２０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、４質量％以下が更に好ましい。
また、処理液がアミノアルコールを含む場合、アミノアルコールの含有量に対する成分Ａの含有量（成分Ａの含有量／アミノアルコールの含有量）の質量比が、０．０１～２０であることが好ましく、本発明の効果がより優れる点で、０．０８～３がより好ましく、０．１２～０．８が更に好ましい。

－脂環式アミン化合物－
脂環式アミン化合物は、環を構成する原子の少なくとも１つが窒素原子である非芳香性のヘテロ環を有する化合物であれば、特に制限されない。
脂環式アミン化合物としては、例えば、ピペラジン化合物、及び環状アミジン化合物が挙げられる。

ピペラジン化合物は、シクロヘキサン環の対向する－ＣＨ－基が窒素原子に置き換わったヘテロ６員環（ピペラジン環）を有する化合物である。
ピペラジン化合物は、ピペラジン環上に置換基を有してもよい。そのような置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数１～４のアルキル基、及び炭素数６～１０のアリール基が挙げられる。

ピペラジン化合物としては、例えば、ピペラジン、１－メチルピペラジン、１－エチルピペラジン、１－プロピルピペラジン、１－ブチルピペラジン、２－メチルピペラジン、１，４－ジメチルピペラジン、２，５－ジメチルピペラジン、２，６－ジメチルピペラジン、１－フェニルピペラジン、２－ヒドロキシピペラジン、２－ヒドロキシメチルピペラジン、１－（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン（ＨＥＰ）、Ｎ－（２－アミノエチル）ピペラジン（ＡＥＰ）、１，４－ビス（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン（ＢＨＥＰ）、１，４―ビス（２－アミノエチル）ピペラジン（ＢＡＥＰ）、及び１，４－ビス（３－アミノプロピル）ピペラジン（ＢＡＰＰ）が挙げられる。

環状アミジン化合物は、環内にアミジン構造（＞Ｎ－Ｃ＝Ｎ－）を含むヘテロ環を有する化合物である。
環状アミジン化合物が有する上記のヘテロ環の環員数は、特に制限されないが、５又は６個が好ましく、６個がより好ましい。
環状アミジン化合物としては、例えば、ジアザビシクロウンデセン（１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン：ＤＢＵ）、ジアザビシクロノネン（１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ－５－エン：ＤＢＮ）、３，４，６，７，８，９，１０，１１－オクタヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１．２－ａ］アゾシン、３，４，６，７，８，９－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリド［１．２－ａ］ピリミジン、２，５，６，７－テトラヒドロ－３Ｈ－ピロロ［１．２－ａ］イミダゾール、３－エチル－２，３，４，６，７，８，９，１０－オクタヒドロピリミド［１．２－ａ］アゼピン、及びクレアチニンが挙げられる。

脂環式アミン化合物としては、上記以外に、例えば、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、及びイミダゾリジンチオン等の芳香族性を有さないヘテロ５員環を有する化合物、並びに窒素原子を含む７員環を有する化合物が挙げられる。

－脂肪族モノアミン化合物－
アミノアルコール及び脂環式アミン以外の脂肪族モノアミン化合物としては、第１アミンに含まれない化合物であれば特に制限されないが、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ｎ－ブチルアミン、３－メトキシプロピルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、ｎ－ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ｎ－オクチルアミン、２－エチルヘキシルアミン及び４－（２－アミノエチル）モルホリン（ＡＥＭ）が挙げられる。

－脂肪族ポリアミン化合物－
アミノアルコール及び脂環式アミン以外の脂肪族ポリアミン化合物としては、例えば、エチレンジアミン（ＥＤＡ）、１，３－プロパンジアミン（ＰＤＡ）、１，２－プロパンジアミン、１，３－ブタンジアミン、及び１，４－ブタンジアミン等のアルキレンジアミン、並びに、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、ビス（アミノプロピル）エチレンジアミン（ＢＡＰＥＤＡ）及びテトラエチレンペンタミン等のポリアルキルポリアミンが挙げられる。

また、アミン化合物としては、国際公開第２０１３／１６２０２０号明細書の段落［００３４］～［００５６］に記載の化合物が援用でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

アミン化合物としては、１つの第１級～第３級アミノ基に加えて、１つ以上の親水性基を更に有することが好ましい。親水性基としては、例えば、第１級～第３級アミノ基及びヒドロキシル基が挙げられる。１つの第１級～第３級アミノ基に加えて、１つ以上の親水性基を更に有するアミン化合物としては、アミノアルコール、脂肪族ポリアミン化合物、及び脂環式アミン化合物のうち２つ以上の親水性基を有する化合物が挙げられ、アミノアルコールが好ましい。
アミン化合物が有する親水性基の総数の上限は特に制限されないが、４以下が好ましく、３以下がより好ましい。

アミン化合物が有する第１級～第３級アミノ基の数は特に制限されないが、１～４個が好ましく、１～３個がより好ましい。
また、アミン化合物の分子量は、特に制限されないが、２００以下が好ましく、１５０以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、６０以上が好ましい。

処理液がアミン化合物を含む場合、アミン化合物の含有量は、処理液の全質量に対して、０．０１質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．８質量％以上が更に好ましい。アミン化合物の含有量の上限は、処理液の全質量に対して、２０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、４質量％以下が更に好ましい。
また、処理液がアミン化合物を含む場合、アミン化合物の含有量に対する成分Ａの含有量（成分Ａの含有量／アミン化合物の含有量）の質量比が、０．０１～２０であることが好ましく、本発明の効果がより優れる点で、０．０８～３がより好ましく、０．１２～０．８が更に好ましい。

（第４級アンモニウム化合物）
処理液は、分子内に１つの第４級アンモニウムカチオンを有する化合物又はその塩である第４級アンモニウム化合物を含んでいてもよい。
第４級アンモニウム化合物は、窒素原子に４つの炭化水素基（好ましくはアルキル基）が置換してなる１つの第４級アンモニウムカチオンを有する化合物又はその塩であれば、特に制限されない。
第４級アンモニウム化合物としては、例えば、第４級アンモニウム水酸化物、第４級アンモニウムフッ化物、第４級アンモニウム臭化物、第４級アンモニウムヨウ化物、第４級アンモニウムの酢酸塩、及び第４級アンモニウムの炭酸塩が挙げられる。

第４級アンモニウム化合物としては、下記式（１）で表される第４級アンモニウム水酸化物が好ましい。
（Ｒ^１３）_４Ｎ^＋ＯＨ^－ （１）
式中、Ｒ^１３は、置換基としてヒドロキシ基又はフェニル基を有していてもよいアルキル基を表す。４つのＲ^１３は、互いに同一であっても異なっていてもよい。

Ｒ^１３で表されるアルキル基としては、炭素数１～４のアルキル基が好ましく、メチル基、又はエチル基が好ましい。
Ｒ^１３で表されるヒドロキシ基又はフェニル基を有していてもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２－ヒドロキシエチル基、又はベンジル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、又は２－ヒドロキシエチル基がより好ましく、メチル基、エチル基、又は２－ヒドロキシエチル基が更に好ましい。

第４級アンモニウム化合物としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＥＡＨ）、ジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド（ＤＥＤＭＡＨ）、メチルトリエチルアンモニウムヒドロキシド（ＭＴＥＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）、ビス（２－ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウムヒドロキシド、トリ（２－ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（ＢＴＭＡＨ）、及びセチルトリメチルアンモニウムヒドロキシドが挙げられる。
上記の具体例以外の第４級アンモニウム化合物としては、例えば、特開２０１８－１０７３５３号公報の段落［００２１］に記載の化合物が援用でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

第４級アンモニウム化合物は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
第４級アンモニウム化合物の含有量は、処理液の全質量に対して、０．００１～２０質量％が好ましく、０．０１～１０質量％がより好ましい。

処理液は、上記アミン化合物及び第４級アンモニウム化合物以外の他の有機アルカリを含んでいてもよい。他の有機アルカリとしては、例えば、アミンオキシド、ニトロ、ニトロソ、オキシム、ケトオキシム、アルドオキシム、ラクタム、イソシアニド類、及び尿素からなる群より選択される化合物であって、成分Ａに含まれない化合物が挙げられる。

有機アルカリは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
有機アルカリの含有量は、処理液の全質量に対して、０．００１～２０質量％が好ましく、０．０１～１０質量％がより好ましい。

＜防食剤＞
処理液は、本発明の効果がより優れる点で、防食剤（腐食防止剤）を含むことが好ましい。
処理液に用いられる防食剤としては、特に制限されないが、例えば、ヘテロ芳香族化合物、ヒドロキシルアミン化合物、アスコルビン酸化合物、カテコール化合物、ヒドラジド化合物、還元性硫黄化合物、及び、アニオン性高分子化合物が挙げられる。

（ヘテロ芳香族化合物）
処理液は、防食剤としてヘテロ芳香族化合物を含んでいてもよい。
ヘテロ芳香族化合物は、分子内にヘテロ芳香環構造を有する化合物である。ヘテロ芳香族化合物としては、ヘテロ芳香環を有する化合物であれば特に制限されず、例えば、環を構成する原子の少なくとも１つが窒素原子であるヘテロ芳香環（含窒素ヘテロ芳香環）を有する含窒素ヘテロ芳香族化合物が挙げられる。
含窒素へテロ芳香族化合物としては、特に制限されないが、例えば、アゾール化合物、ピリジン化合物、ピラジン化合物、及び、ピリミジン化合物が挙げられる。

アゾール化合物は、窒素原子を少なくとも１つ含み、芳香族性を有するヘテロ５員環を有する化合物である。アゾール化合物が有するヘテロ５員環に含まれる窒素原子の個数は、特に制限されず、２～４個が好ましく、３又は４個がより好ましい。
また、アゾール化合物は、ヘテロ５員環上に置換基を有してもよい。そのような置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、メルカプト基、アミノ基、アミノ基を有していてもよい炭素数１～４のアルキル基、及び２－イミダゾリル基が挙げられる。
アゾール化合物としては、例えば、イミダゾール化合物、ピラゾール化合物、チアゾール化合物、トリアゾール化合物、及びテトラゾール化合物が挙げられる。

イミダゾール化合物としては、例えば、イミダゾール、１－メチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、５－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－メルカプトイミダゾール、４，５－ジメチル－２－メルカプトイミダゾール、４－ヒドロキシイミダゾール、２，２’－ビイミダゾール、４－イミダゾールカルボン酸、ヒスタミン、ベンゾイミダゾール、２－アミノベンゾイミダゾール、及びアデニンが挙げられる。

ピラゾール化合物としては、例えば、ピラゾール、４－ピラゾールカルボン酸、１－メチルピラゾール、３－メチルピラゾール、３－アミノ－５－ヒドロキシピラゾール、３－アミノ－５－メチルピラゾール、３－アミノピラゾール、及び４－アミノピラゾールが挙げられる。

チアゾール化合物としては、例えば、２，４－ジメチルチアゾール、ベンゾチアゾール、及び２－メルカプトベンゾチアゾールが挙げられる。

トリアゾール化合物としては、例えば、１，２，４－トリアゾ－ル、３－メチル－１，２，４－トリアゾ－ル、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、１，２，３－トリアゾ－ル、１－メチル－１，２，３－トリアゾ－ル、ベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、１－ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、２，３－ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、４－ヒドロキシベンゾトリアゾール、４－カルボキシベンゾトリアゾール、及び５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾールが挙げられる。

テトラゾール化合物としては、例えば、１Ｈ－テトラゾール（１，２，３，４－テトラゾ－ル）、５－メチル－１，２，３，４－テトラゾ－ル、５－アミノ－１，２，３，４－テトラゾ－ル（５－アミノテトラゾール）、１，５－ペンタメチレンテトラゾール、１－フェニル－５－メルカプトテトラゾール、及び１－（２－ジメチルアミノエチル）－５－メルカプトテトラゾールが挙げられる。

アゾール化合物としては、テトラゾール化合物、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物又はピラゾール化合物が好ましく、５－アミノテトラゾール、ベンゾトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、又は、３－アミノピラゾールがより好ましい。

ピリジン化合物は、窒素原子を１つ含み、芳香族性を有するヘテロ６員環（ピリジン環）を有する化合物である。
ピリジン化合物としては、例えば、ピリジン、３－アミノピリジン、４－アミノピリジン、３－ヒドロキシピリジン、４－ヒドロキシピリジン、２－アセトアミドピリジン、２－シアノピリジン、２－カルボキシピリジン、及び４－カルボキシピリジンが挙げられる。

ピラジン化合物は、芳香族性を有し、パラ位に位置する窒素原子を２つ含むヘテロ６員環（ピラジン環）を有する化合物であり、ピリミジン化合物は、芳香族性を有し、メタ位に位置する窒素原子を２つ含むヘテロ６員環（ピリミジン環）を有する化合物である。
ピラジン化合物としては、例えば、ピラジン、２－メチルピラジン、２，５－ジメチルピラジン、２，３，５－トリメチルピラジン、２，３，５，６－テトラメチルピラジン、２－エチル－３－メチルピラジン、及び２－アミノ－５－メチルピラジンが挙げられる。
ピリミジン化合物としては、例えば、ピリミジン、２－メチルピリミジン、２－アミノピリミジン、及び４，６－ジメチルピリミジンが挙げられ、２－アミノピリミジンが好ましい。

ヘテロ芳香族化合物としては、アゾール化合物又はピラジン化合物が好ましく、アゾール化合物がより好ましく、テトラゾール化合物、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物及びピラゾール化合物からなる群より選択される少なくとも１つが更に好ましい。

ヘテロ芳香族化合物は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
処理液がヘテロ芳香族化合物を含む場合、処理液におけるヘテロ芳香族化合物の含有量は、特に制限されないが、処理液の全質量に対して、０．００００１～５質量％が好ましく、０．００００５～１質量％がより好ましい。

（ヒドロキシルアミン化合物）
ヒドロキシルアミン化合物は、ヒドロキシルアミン（ＮＨ_２ＯＨ）、ヒドロキシルアミン誘導体、及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種を意味する。また、ヒドロキシルアミン誘導体とは、ヒドロキシルアミン（ＮＨ_２ＯＨ）に少なくとも１つの有機基が置換されてなる化合物を意味する。
ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン誘導体の塩は、ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン誘導体の無機酸塩又は有機酸塩であってもよい。ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン誘導体の塩としては、Ｃｌ、Ｓ、Ｎ及びＰからなる群より選択される少なくとも１種の非金属が水素と結合してなる無機酸の塩が好ましく、塩酸塩、硫酸塩、又は硝酸塩がより好ましい。

ヒドロキシルアミン化合物としては、例えば、下記式（２）で表される化合物又はその塩が挙げられる。
（Ｒ^１４）_２Ｎ－ＯＨ （２）
式（２）中、Ｒ^１４は、水素原子又は有機基を表す。２つのＲ^１４は、互いに同一であっても異なっていてもよい。

Ｒ^１４で表される有機基としては、炭素数１～６のアルキル基が好ましい。炭素数１～６のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。
また、２個のＲ^１４の少なくとも一方が有機基（より好ましくは炭素数１～６のアルキル基）であることが好ましい。
炭素数１～６のアルキル基としては、エチル基又はｎ－プロピル基が好ましく、エチル基がより好ましい。

ヒドロキシルアミン化合物としては、例えば、ヒドロキシルアミン、Ｏ－メチルヒドロキシルアミン、Ｏ－エチルヒドロキシルアミン、Ｎ－メチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｏ－ジメチルヒドロキシルアミン、Ｎ－エチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルヒドロキシルアミン（ＤＥＨＡ）、Ｎ，Ｏ－ジエチルヒドロキシルアミン、Ｏ，Ｎ，Ｎ－トリメチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ－ジカルボキシエチルヒドロキシルアミン、及び、Ｎ，Ｎ－ジスルホエチルヒドロキシルアミンが挙げられ、ヒドロキシルアミン又はＤＥＨＡが好ましい。

（アスコルビン酸化合物）
アスコルビン酸化合物は、アスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、及びそれらの塩からなる群より選択される少なくとも１種を意味する。
アスコルビン酸誘導体としては、例えば、アスコルビン酸リン酸エステル、及びアスコルビン酸硫酸エステルが挙げられる。
アスコルビン酸化合物としては、アスコルビン酸、アスコルビン酸リン酸エステル、又はアスコルビン酸硫酸エステルが好ましく、アスコルビン酸がより好ましい。

（カテコール化合物）
カテコール化合物は、ピロカテコール（ベンゼン－１，２－ジオール）、及びカテコール誘導体からなる群より選択される少なくとも１種を意味する。
カテコール誘導体とは、ピロカテコールに少なくとも１つの置換基が置換されてなる化合物を意味する。カテコール誘導体が有する置換基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、カルボン酸エステル基、スルホ基、スルホン酸エステル基、アルキル基（炭素数１～６が好ましく、炭素数１～４がより好ましい）、及びアリール基（フェニル基が好ましい）が挙げられる。カテコール誘導体が置換基として有するカルボキシ基、及びスルホ基は、カチオンの塩であってもよい。また、カテコール誘導体が置換基として有するアルキル基、及びアリール基は、更に置換基を有していてもよい。
カテコール化合物としては、例えば、ピロカテコール、４－ｔｅｒｔ－ブチルカテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸メチル、１，２，４－ベンゼントリオール、及びタイロンが挙げられる。

（ヒドラジド化合物）
ヒドラジド化合物は、酸のヒドロキシ基をヒドラジノ基（－ＮＨ－ＮＨ_２）で置換してなる化合物、及びその誘導体（ヒドラジノ基に少なくとも１つの置換基が置換されてなる化合物）を意味する。
ヒドラジド化合物は、２つ以上のヒドラジノ基を有していてもよい。
ヒドラジド化合物としては、例えば、カルボン酸ヒドラジド及びスルホン酸ヒドラジドが挙げられ、カルボヒドラジド（ＣＨＺ）が好ましい。

（還元性硫黄化合物）
還元性硫黄化合物は、還元性を有し、硫黄原子を含む化合物である。還元性硫黄化合物としては、例えば、メルカプトコハク酸、ジチオジグリセロール、ビス（２，３－ジヒドロキシプロピルチオ）エチレン、３－（２，３－ジヒドロキシプロピルチオ）－２－メチル－プロピルスルホン酸ナトリウム、１－チオグリセロール、３－メルカプト－１－プロパンスルホン酸ナトリウム、２－メルカプトエタノール、チオグリコール酸、及び３－メルカプト－１－プロパノールが挙げられる。
なかでも、ＳＨ基を有する化合物（メルカプト化合物）が好ましく、１－チオグリセロール、３－メルカプト－１－プロパンスルホン酸ナトリウム、２－メルカプトエタノール、３－メルカプト－１－プロパノール、又はチオグリコール酸がより好ましい。

（高分子化合物）
処理液は、防食剤として高分子化合物を含んでいてもよい。
高分子化合物としては、アニオン性高分子化合物が好ましい。アニオン性高分子化合物は、アニオン性基を有し、重量平均分子量が１０００以上である化合物である。また、アニオン性高分子化合物には、後述するアニオン性界面活性剤として機能する化合物は含まれない。

アニオン性高分子化合物としては、カルボキシル基を有するモノマーを基本構成単位とするポリマー及びその塩、並びにそれらを含む共重合体が挙げられる。より具体的には、ポリアクリル酸及びその塩、並びにそれらを含む共重合体；ポリメタクリル酸及びその塩、並びにそれらを含む共重合体；ポリアミド酸及びその塩、並びに、それらを含む共重合体；ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ（ｐ－スチレンカルボン酸）及びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸及びその塩、並びに、それらを含む共重合体；が挙げられる。
なかでも、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸及びポリメタクリル酸を含む共重合体、並びに、これらの塩からなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
なお、アニオン性高分子化合物は、処理液中で電離していてもよい。

高分子化合物の重量平均分子量は、１０００～１０００００が好ましく、２０００～５００００がより好ましく、５０００～５００００が更に好ましい。
高分子化合物の重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）法によるポリスチレン換算値である。ＧＰＣ法は、ＨＬＣ－８０２０ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、カラムとしてＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺＭ－Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ４０００、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ２０００（東ソー（株）製、４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ）を、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いる方法に基づく。

高分子化合物は１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
高分子化合物の含有量は、処理液の全質量に対して、０．０１質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましい。高分子化合物の含有量の上限値は、処理液の全質量に対して、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。

（包接化合物）
処理液は、防食剤として包接化合物を含んでいてもよい。本明細書において「包接化合物」とは、有機化合物及び微細な固体粒子等の化合物を分子内に取り込むことができる空間を有する、所謂ホスト化合物を意味する。
包接化合物としては、例えば、シクロデキストリンが挙げられる。シクロデキストリンとしては、α－シクロデキストリン、β－シクロデキストリン及びγ－シクロデキストリンが挙げられ、γ－シクロデキストリンが好ましい。
なお、包接化合物としては、特開２００８－２１０９９０号公報に記載の化合物が援用でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

処理液は、上記各成分を除く他の防食剤を含んでいてもよい。
他の防食剤としては、例えば、フルクトース、グルコース及びリボース等の糖類、エチレングリコール、プロピレングリコール、及びグリセリン等のポリオール類、ポリビニルピロリドン、シアヌル酸、バルビツール酸及びその誘導体、グルクロン酸、スクアリン酸、α－ケト酸、アデノシン及びその誘導体、プリン化合物及びその誘導体、フェナントロリン、レゾルシノール、ニコチンアミド及びその誘導体、フラボノ－ル及びその誘導体、アントシアニン及びその誘導体、並びにこれらの組み合わせが挙げられる。

処理液は、防食剤として、ヘテロ芳香族化合物、ヒドロキシルアミン化合物、アニオン性高分子化合物、又は、包接化合物を含むことが好ましく、ヘテロ芳香族化合物又はヒドロキシルアミン化合物を含むことがより好ましい。

防食剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
処理液が防食剤を含む場合、防食剤の含有量は特に制限されないが、処理液の全質量に対して、０．００００１～１０質量％が好ましく、０．０００５～３質量％がより好ましい。
なお、これらの防食剤は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法に従って合成したものを用いてもよい。

＜界面活性剤＞
処理液は、本発明の効果がより優れる点で、界面活性剤を含むことが好ましい。
界面活性剤としては、分子内に親水基と疎水基（親油基）とを有する化合物であれば特に制限されず、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、及び両性界面活性剤が挙げられる。

界面活性剤は、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、及びそれらの組合せから選択される疎水基を有する場合が多い。界面活性剤が有する疎水基としては、特に制限されないが、疎水基が芳香族炭化水素基を含む場合、炭素数が６以上であることが好ましく、炭素数１０以上であることがより好ましい。疎水基が芳香族炭化水素基を含まず、脂肪族炭化水素基のみから構成される場合、炭素数が１０以上であることが好ましく、炭素数が１２以上であることがより好ましく、炭素数が１６以上であることが更に好ましい。疎水基の炭素数の上限は特に制限されないが、２０以下が好ましく、１８以下がより好ましい。

（アニオン性界面活性剤）
処理液に含まれるアニオン性界面活性剤としては、例えば、それぞれが親水基（酸基）として、リン酸エステル基を有するリン酸エステル系界面活性剤、ホスホン酸基を有するホスホン酸系界面活性剤、スルホ基を有するスルホン酸系界面活性剤、カルボキシ基を有するカルボン酸系界面活性剤、及び硫酸エステル基を有する硫酸エステル系界面活性剤が挙げられる。

－リン酸エステル系界面活性剤－
リン酸エステル系界面活性剤としては、例えば、リン酸エステル（アルキルエーテルリン酸エステル及びアリールエーテルリン酸エステル）、ポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステル（ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル及びポリオキシアルキレンアリールエーテルリン酸エステル）、並びにこれらの塩が挙げられる。リン酸エステル及びポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルは、モノエステル及びジエステルの両者を含むことが多いが、これらのモノエステル及びジエステルはそれぞれ単独でも使用できる。
リン酸エステル系界面活性剤の塩としては、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、及び有機アミン塩が挙げられる。

リン酸エステル及びポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルが有する１価のアルキル基としては、特に制限されないが、炭素数２～２４のアルキル基が好ましく、炭素数６～１８のアルキル基がより好ましく、炭素数１２～１８のアルキル基が更に好ましい。
リン酸エステル及びポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルが有する１価のアリール基としては、特に制限されないが、アルキル基を有してもよい炭素数６～１４のアリールが好ましく、アルキル基を有してもよいフェニル基又はナフチル基がより好ましく、アルキル基を有してもよいフェニル基が更に好ましい。
ポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルが有する２価のアルキレン基としては、特に制限されないが、炭素数２～６のアルキレン基が好ましく、エチレン基、又は１，２－プロパンジイル基がより好ましい。また、ポリオキシアルキレンエーテルリン酸エステルにおけるオキシアルキレン基の繰返し数は、１～１２が好ましく、３～１０がより好ましい。

リン酸エステル系界面活性剤としては、オクチルリン酸エステル、ラウリルリン酸エステル、トリデシルリン酸エステル、ミリスチルリン酸エステル、セチルリン酸エステル、ステアリルリン酸エステル、ポリオキシエチレンオクチルエーテルリン酸エステル、ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸エステル、ポリオキシエチレントリデシルエーテルリン酸エステル、又は、ポリオキシエチレンジメチルフェニルエーテルリン酸エステルが好ましい。

リン酸エステル系界面活性剤としては、特開２０１１－０４０５０２号公報の段落［００１２］～［００１９］に記載の化合物も援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

－ホスホン酸系界面活性剤－
ホスホン酸系界面活性剤としては、例えば、アルキルホスホン酸、及びポリビニルホスホン酸、並びに、特開２０１２－０５７１０８号公報に記載のアミノメチルホスホン酸が挙げられる。

－スルホン酸系界面活性剤－
スルホン酸系界面活性剤としては、例えば、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、アルキルメチルタウリン、スルホコハク酸ジエステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸、及びこれらの塩が挙げられる。

上記のスルホン酸系界面活性剤が有する１価のアルキル基としては、特に制限されないが、炭素数１０以上のアルキル基が好ましく、炭素数１２以上のアルキル基がより好ましい。上限は特に制限されないが、２４以下が好ましい。
また、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸が有する２価のアルキレン基としては、特に制限されないが、エチレン基、又は１，２－プロパンジイル基が好ましい。また、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸におけるオキシアルキレン基の繰返し数は、１～１２が好ましく、１～６がより好ましい。

スルホン酸系界面活性剤の具体例としては、ヘキサンスルホン酸、オクタンスルホン酸、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸、トルエンスルホン酸、クメンスルホン酸、オクチルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸（ＤＢＳＡ）、ジニトロベンゼンスルホン酸（ＤＮＢＳＡ）、及びラウリルドデシルフェニルエーテルジスルホン酸（ＬＤＰＥＤＳＡ）が挙げられる。

－カルボン酸系界面活性剤－
カルボン酸系界面活性剤としては、例えば、アルキルカルボン酸、アルキルベンゼンカルボン酸、及びポリオキシアルキレンアルキルエーテルカルボン酸、並びにこれらの塩が挙げられる。
上記のカルボン酸系界面活性剤が有する１価のアルキル基としては、特に制限されないが、炭素数７～２５のアルキル基が好ましく、炭素数１１～１７のアルキル基がより好ましい。
また、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルカルボン酸が有する２価のアルキレン基としては、特に制限されないが、エチレン基、又は１，２－プロパンジイル基が好ましい。また、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルカルボン酸におけるオキシアルキレン基の繰返し数は、１～１２が好ましく、１～６がより好ましい。

カルボン酸系界面活性剤の具体例としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ポリオキシエチレンラウリルエーテル酢酸、及びポリオキシエチレントリデシルエーテル酢酸が挙げられる。

－硫酸エステル系界面活性剤－
硫酸エステル系界面活性剤としては、例えば、硫酸エステル（アルキルエーテル硫酸エステル）、及びポリオキシアルキレンエーテル硫酸エステル、並びにこれらの塩が挙げられる。
硫酸エステル及びポリオキシアルキレンエーテル硫酸エステルが有する１価のアルキル基としては、特に制限されないが、炭素数２～２４のアルキル基が好ましく、炭素数６～１８のアルキル基がより好ましい。
ポリオキシアルキレンエーテル硫酸エステルが有する２価のアルキレン基としては、特に制限されないが、エチレン基、又は１，２－プロパンジイル基が好ましい。また、ポリオキシアルキレンエーテル硫酸エステルにおけるオキシアルキレン基の繰返し数は、１～１２が好ましく、１～６がより好ましい。
硫酸エステル系界面活性剤の具体例としては、ラウリル硫酸エステル、ミリスチル硫酸エステル、及びポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸エステルが挙げられる。

アニオン性界面活性剤としては、リン酸エステル系界面活性剤、スルホン酸系界面活性剤、ホスホン酸系界面活性剤又はカルボン酸系界面活性剤が好ましく、リン酸エステル系界面活性剤がより好ましい。

アニオン性界面活性剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
処理液がアニオン性界面活性剤を含む場合、その含有量は、本発明の効果がより優れる点で、処理液の全質量に対して、０．０００１～５．０質量％が好ましく、０．０００５～０．５質量％がより好ましく、０．００１～０．１質量％が更に好ましく、０．００５～０．０５質量％が特に好ましい。
なお、これらのアニオン性界面活性剤としては、市販のものを用いればよい。

（カチオン性界面活性剤）
カチオン性界面活性剤としては、例えば、第１級～第３級のアルキルアミン塩（例えば、モノステアリルアンモニウムクロライド、ジステアリルアンモニウムクロライド、及びトリステアリルアンモニウムクロライド等）、並びに変性脂肪族ポリアミン（例えば、ポリエチレンポリアミン等）が挙げられる。

（ノニオン性界面活性剤）
ノニオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル（例えば、ポリオキシエチレンステアリルエーテル及びポリオキシエチレンラウリルエーテル等）、ポリオキシアルキレンアルケニルエーテル（例えば、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等）、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル（例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等）、ポリオキシアルキレングリコール（例えば、ポリオキシプロピレンポリオキシエチレングリコール等）、ポリオキシアルキレンモノアルキレート（モノアルキル脂肪酸エステルポリオキシアルキレン）（例えば、ポリオキシエチレンモノステアレート、及びポリオキシエチレンモノオレート等のポリオキシエチレンモノアルキレート）、ポリオキシアルキレンジアルキレート（ジアルキル脂肪酸エステルポリオキシアルキレン）（例えば、ポリオキシエチレンジステアレート、及びポリオキシエチレンジオレート等のポリオキシエチレンジアルキレート）、ビスポリオキシアルキレンアルキルアミド（例えば、ビスポリオキシエチレンステアリルアミド等）、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、グリセリン脂肪酸エステル、オキシエチレンオキシプロピレンブロックコポリマー、アセチレングリコール系界面活性剤、及びアセチレン系ポリオキシエチレンオキシドが挙げられる。
ノニオン性界面活性剤としては、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルが好ましく、ポリオキシエチレンステアリルエーテル又はポリオキシエチレンラウリルエーテルがより好ましい。

（両性界面活性剤）
両性界面活性剤としては、例えば、カルボキシベタイン（例えば、アルキル－Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ酢酸ベタイン及びアルキル－Ｎ，Ｎ－ジヒドロキシエチルアミノ酢酸ベタイン等）、スルホベタイン（例えば、アルキル－Ｎ，Ｎ－ジメチルスルホエチレンアンモニウムベタイン等）、並びに、イミダゾリニウムベタイン（例えば、２－アルキル－Ｎ－カルボキシメチル－Ｎ－ヒドロキシエチルイミダソリニウムベタイン等）が挙げられる。

界面活性剤としては、特開２０１５－１５８６６２号公報の段落［００９２］～［００９６］、特開２０１２－１５１２７３号公報の段落［００４５］～［００４６］、及び特開２００９－１４７３８９号公報の段落［００１４］～［００２０］に記載の化合物も援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

界面活性剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。処理液が界面活性剤を含む場合、その含有量は、本発明の効果がより優れる点で、処理液の全質量に対して、０．０００１～５．０質量％が好ましく、０．０００５～０．５質量％がより好ましく、０．００１～０．１質量％が更に好ましく、０．００５～０．０５質量％が特に好ましい。
処理液が界面活性剤を含む場合、本発明の効果がより優れる点で、界面活性剤の含有量に対する成分Ａの含有量（成分Ａの含有量／界面活性剤の含有量）の質量比が、０．１～２０００であることが好ましく、０．３～１０００がより好ましく、１～５００が更に好ましく、５～３００が特に好ましく、１０～１００が最も好ましい。

＜コロイダルシリカ（砥粒）＞
処理液を後述する研磨液として用いる場合、処理液は、コロイダルシリカ（シリカコロイド粒子）を含むことが好ましい。コロイダルシリカは、被研磨体を研磨する砥粒として機能する。
別の態様では、処理液を研磨液として用いる場合、処理液は、砥粒を含む。砥粒としては、例えば、シリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア、チタニア、ゲルマニア、及び炭化珪素等の無機物砥粒；並びに、ポリスチレン、ポリアクリル、及びポリ塩化ビニル等の有機物砥粒が挙げられる。なかでも、処理液中での分散安定性が優れる点、及びＣＭＰにより発生する研磨傷（スクラッチ）の発生数の少ない点で、砥粒としてはシリカ粒子が好ましい。
シリカ粒子としては特に制限されず、例えば、沈降シリカ、ヒュームドシリカ、及びコロイダルシリカが挙げられる。なかでも、コロイダルシリカがより好ましい。
研磨液は、スラリーであることが好ましい。

コロイダルシリカの平均１次粒子径は、被研磨面の欠陥の発生をより抑制できる点から、６０ｎｍ以下が好ましく、４０ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以下が更に好ましい。コロイダルシリカの平均１次粒子径の下限値は、コロイダルシリカの凝集が抑制されて、研磨液の経時安定性が向上する点から、１ｎｍ以上が好ましく、３ｎｍ以上がより好ましい。
平均１次粒子径は、日本電子（株）社製の透過型電子顕微鏡ＴＥＭ２０１０（加圧電圧２００ｋＶ）を用いて撮影された画像から任意に選択した１次粒子１０００個の粒子径（円相当径）を測定し、それらを算術平均して求める。なお、円相当径とは、観察時の粒子の投影面積と同じ投影面積をもつ真円を想定したときの当該円の直径である。
ただし、コロイダルシリカとして市販品を用いる場合には、コロイダルシリカの平均１次粒子径としてカタログ値を優先的に採用する。

コロイダルシリカの平均アスペクト比は、研磨力が向上する点で、１．５～２．０が好ましく、１．５５～１．９５がより好ましく、１．６～１．９が更に好ましい。
コロイダルシリカの平均アスペクト比は、上述の透過型電子顕微鏡にて観察された任意の１００個の粒子毎に長径と短径を測定して、粒子毎のアスペクト比（長径／短径）を計算し、１００個のアスペクト比を算術平均して求められる。なお、粒子の長径とは、粒子の長軸方向の長さを意味し、粒子の短径とは、粒子の長軸方向に直交する粒子の長さを意味する。
ただし、コロイダルシリカとして市販品を用いる場合には、コロイダルシリカの平均アスペクト比としてカタログ値を優先的に採用する。

コロイダルシリカの会合度は、研磨速度がより向上する点で、１～３が好ましい。
本明細書において、会合度は、会合度＝平均２次粒子径／平均１次粒子径の式で求められる。平均２次粒子径は、凝集した状態である２次粒子の平均粒子径（円相当径）に相当し、上述した平均１次粒子径と同様の方法により求めることができる。
ただし、コロイダルシリカとして市販品を用いる場合には、コロイダルシリカの会合度としてカタログ値を優先的に採用する。

コロイダルシリカは、表面に、表面修飾基（スルホン酸基、ホスホン酸基、及び／又は、カルボン酸基等）を有していてもよい。
なお、上記基は、研磨液中で電離していてもよい。
表面修飾基を有するコロイダルシリカを得る方法としては、特に制限されないが、例えば、特開２０１０－２６９９８５号公報に記載の方法が挙げられる。

コロイダルシリカは、市販品を用いてもよく、例えば、ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ７、ＰＬ１０Ｈ、ＰＬ１Ｄ、ＰＬ０７Ｄ、ＰＬ２Ｄ、及び、ＰＬ３Ｄ（いずれも製品名、扶桑化学工業社製）が挙げられる。

コロイダルシリカは、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
コロイダルシリカの含有量は、処理液の全質量に対して、２０．０質量％以下が好ましく、１０．０質量％以下がより好ましく、５．０質量％以下が更に好ましい。下限値は、０．１質量％以上が好ましく、１．０質量％以上がより好ましい。
処理液が砥粒を含む場合の砥粒の含有量の好適な範囲は、上述したコロイダルシリカの含有量の好適な範囲と同じである。

＜特定キレート剤＞
処理液は、配位基が窒素含有基を有する特定キレート剤を含んでいてもよい。特定キレート剤は、１分子中に金属イオンと配位結合する配位基として窒素含有基を２つ以上有する。配位基である窒素含有基としては、例えば、アミノ基が挙げられる。

特定キレート剤としては、例えば、ビグアニド基を有する化合物又はその塩であるビグアニド化合物が挙げられる。ビグアニド化合物が有するビグアニド基の数は特に制限されず、複数のビグアニド基を有していてもよい。
ビグアニド化合物としては、特表２０１７－５０４１９０号公報の段落［００３４］～［００５５］に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。

ビグアニド基を有する化合物としては、エチレンジビグアニド、プロピレンジビグアニド、テトラメチレンジビグアニド、ペンタメチレンジビグアニド、ヘキサメチレンジビグアニド、ヘプタメチレンジビグアニド、オクタメチレンジビグアニド、１，１’－ヘキサメチレンビス（５－（ｐ－クロロフェニル）ビグアニド）（クロルヘキシジン）、２－（ベンジルオキシメチル）ペンタン－１，５－ビス（５－ヘキシルビグアニド）、２－（フェニルチオメチル）ペンタン－１，５－ビス（５－フェネチルビグアニド）、３－（フェニルチオ）ヘキサン－１，６－ビス（５－ヘキシルビグアニド）、３－（フェニルチオ）ヘキサン－１，６－ビス（５－シクロヘキシルビグアニド）、３－（ベンジルチオ）ヘキサン－１，６－ビス（５－ヘキシルビグアニド ）又は３－（ベンジルチオ）ヘキサン－１，６－ビス（５－シクロヘキシルビグアニド）が好ましく、クロルヘキシジンがより好ましい。
ビグアニド基を有する化合物の塩としては、塩酸塩、酢酸塩又はグルコン酸塩が好ましく、グルコン酸塩がより好ましい。
特定キレート剤としては、クロルヘキシジングルコン酸塩（ＣＨＧ）が好ましい。

特定キレート剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
処理液が特定キレート剤を含む場合、その含有量は、特に制限されないが、処理液の全質量に対して、０．０１～１０質量％が好ましく、０．０５～５質量％がより好ましい。

＜酸化剤＞
処理液は、酸化剤を含んでいてもよい。
酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸及びその塩、ヨウ素酸及びその塩、過ヨウ素酸及びその塩、次亜塩素酸及びその塩、亜塩素酸及びその塩、塩素酸及びその塩、過塩素酸及びその塩、過硫酸及びその塩、重クロム酸及びその塩、過マンガン酸及びその塩、オゾン水、銀（II）塩、及び、鉄（III）塩が挙げられる。
処理液に含まれる酸化剤としては、過酸化水素、又は、過ヨウ素酸もしくはその塩が好ましい。なかでも、処理液を研磨液として用いる場合、処理液は過酸化水素を含むことがより好ましい。

酸化剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
処理液が酸化剤を含む場合、酸化剤の含有量は、処理液の全質量に対して、０．００１～１質量％が好ましく、０．００５～０．３質量％がより好ましい。

＜有機溶剤＞
処理液は、有機溶剤を含んでいてもよい。処理液を研磨液として用いる場合、処理液は有機溶剤を含むことが好ましい。
有機溶剤は、水溶性の有機溶剤が好ましい。有機溶剤が水溶性であるとは、２５℃の水と有機溶剤とが、任意の割合で混和（溶解）できることを意図する。
有機溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、エーテル系溶剤（例えば、グリコールジエーテル）、スルホン系溶剤、スルホキシド系溶剤、ニトリル系溶剤、及び、アミド系溶剤が挙げられる。これらの溶剤は水溶性であってもよい。
有機溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群から選択される１種以上が好ましく、エーテル系溶剤がより好ましい。

アルコール系溶剤としては、アルカンジオール、アルコキシアルコール、飽和脂肪族１価アルコール、不飽和非芳香族１価アルコール、及び、環構造を含有する低分子量のアルコールが挙げられ、アルコキシアルコールが好ましい。

アルコキシアルコールとしては、例えば、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール、３－メトキシ－１－ブタノール、１－メトキシ－２－ブタノール、及び、グリコールモノエーテルが挙げられ、グリコールモノエーテルが好ましい。
グリコールモノエーテルとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノｎ－プロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、１－メトキシ－２－プロパノール、２－メトキシ－１－プロパノール、１－エトキシ－２－プロパノール、２－エトキシ－１－プロパノール、プロピレングリコールモノ－ｎ－プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ－ｎ－プロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、及び、ジエチレングリコールモノベンジルエーテルが挙げられる。
なかでも、ジエチレングリコールモノエチルエーテルが好ましい。

ケトン系溶剤としては、例えば、アセトン、プロパノン、シクロブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール、２－ブタノン、５－ヘキサンジオン、１，４－シクロヘキサンジオン、３－ヒドロキシアセトフェノン、１，３－シクロヘキサンジオン、及び、シクロヘキサノンが挙げられる。

エステル系溶剤としては、例えば、酢酸エチル（エチルアセテート）、酢酸ブチル（ブチルアセテート）、エチレングリコールモノアセタート、ジエチレングリコールモノアセタート等のグリコールモノエステル、及び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセタート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセタート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセタート等のグリコールモノエーテルモノエステルが挙げられる。

有機溶剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
処理液が有機溶剤を含有する場合、有機溶剤の含有量は、処理液の全質量に対して、０．１～９９質量％が好ましく、１～９０質量％がより好ましい。

＜添加剤＞
処理液は、必要に応じて、上記成分以外の添加剤を含んでいてもよい。そのような添加剤としては、ｐＨ調整剤、キレート剤（上記有機酸及び特定キレート剤を除く）、及び、フッ素化合物が挙げられる。

（ｐＨ調整剤）
処理液は、処理液のｐＨを調整及び維持するためにｐＨ調整剤を含んでいてもよい。ｐＨ調整剤としては、上記成分以外の塩基性化合物及び酸性化合物が挙げられる。

塩基性化合物としては、例えば、塩基性無機化合物が挙げられる。また、処理液のｐＨを上げるため、上記の有機アルカリを用いてもよい。
塩基性無機化合物としては、例えば、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物及びアンモニアが挙げられる。
アルカリ金属水酸化物としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。アルカリ土類金属水酸化物としては、例えば、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム及び水酸化バリウムが挙げられる。
これらの塩基性化合物は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法によって適宜合成したものを用いてもよい。

酸性化合物としては、例えば、無機酸が挙げられる。また、処理液のｐＨを低下させるため、上記の有機酸及びアニオン性界面活性剤を用いてもよい。
無機酸としては、例えば、塩酸、硫酸、亜硫酸、硝酸、亜硝酸、リン酸、ホウ酸、及び六フッ化リン酸が挙げられる。また、無機酸の塩を使用してもよく、例えば、無機酸のアンモニウム塩が挙げられ、より具体的には、塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム、亜硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、亜硝酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、ホウ酸アンモニウム、及び六フッ化リン酸アンモニウムが挙げられる。
無機酸としては、リン酸、又はリン酸塩が好ましく、リン酸がより好ましい。

酸性化合物としては、水溶液中で酸又は酸イオン（アニオン）となるものであれば、酸性化合物の塩を用いてもよい。
酸性化合物は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法によって適宜合成したものを用いてもよい。

ｐＨ調整剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
処理液がｐＨ調整剤を含む場合、その含有量は、他の成分の種類及び量、並びに目的とする処理液のｐＨに応じて選択されるが、処理液の全質量に対して、０．０１～３質量％が好ましく、０．０５～１質量％がより好ましい。

処理液は、キレート機能を有する有機酸及び特定キレート剤を除く他のキレート剤を含んでいてもよい。他のキレート剤としては、縮合リン酸及びその塩等の無機酸系キレート剤が挙げられる。縮合リン酸及びその塩としては、例えば、ピロリン酸及びその塩、メタリン酸及びその塩、トリポリリン酸及びその塩、並びにヘキサメタリン酸及びその塩が挙げられる。
フッ素化合物としては、特開２００５－１５０２３６号公報の段落［００１３］～［００１５］に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
他のキレート剤及びフッ素化合物の使用量は特に制限されず、本発明の効果を妨げない範囲で適宜設定すればよい。

なお、上記の各成分の処理液における含有量は、ガスクロマトグラフィー－質量分析（ＧＣ－ＭＳ：Gas Chromatography-Mass Spectrometry）法、液体クロマトグラフィー－質量分析（ＬＣ－ＭＳ：Liquid Chromatography-Mass Spectrometry）法、及びイオン交換クロマトグラフィー（ＩＣ：Ion-exchange Chromatography）法等の公知の方法によって測定できる。

〔処理液の物性〕
＜ｐＨ＞
本発明の処理液のｐＨは、２５℃において６．０～１３．５である。
処理液のｐＨは、本発明の効果がより優れる点、処理液がエッチング液であるときの残渣除去性能がより優れる点、及び／又は、処理液が研磨液であるときの研磨傷抑制性がより優れる点で、２５℃において、７．０以上が好ましく、８．０以上がより好ましい。また、処理液のｐＨは、本発明の効果がより優れる点、処理液が研磨液であるときの研磨傷抑制性がより優れる点、及び／又は、処理液がエッチング液であるときの残渣除去性能がより優れる点で、２５℃において、１２．５以下が好ましく、１１．５以下がより好ましい。
処理液のｐＨは、上記のｐＨ調整剤、並びに、上記の有機酸、有機アルカリ、ヘテロ芳香族化合物及びアニオン性界面活性剤等のｐＨ調整剤の機能を有する成分を使用することにより、調整すればよい。

＜金属含有量＞
処理液は、液中に不純物として含まれる金属（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＡｇの金属元素）の含有量（イオン濃度として測定される）がいずれも５質量ｐｐｍ以下であることが好ましく、１質量ｐｐｍ以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、０が好ましい。
金属含有量の低減方法としては、例えば、処理液を製造する際に使用する原材料の段階、又は処理液の製造後の段階において、蒸留、及びイオン交換樹脂又はフィルタを用いたろ過等の精製処理を行うことが挙げられる。
他の金属含有量の低減方法としては、原材料又は製造された処理液を収容する容器として、後述する不純物の溶出が少ない容器を用いることが挙げられる。また、処理液の製造時に配管から金属成分が溶出しないように、配管内壁にフッ素系樹脂のライニングを施すことも挙げられる。

＜粗大粒子＞
処理液は、コロイダルシリカ等の砥粒以外の他の粗大粒子を含んでいてもよいが、その含有量が低いことが好ましい。ここで、他の粗大粒子とは、砥粒以外の粒子であって、粒子の形状を球体とみなした場合における直径（粒径）が０．４μｍ以上である粒子を意味する。
処理液における粗大粒子の含有量としては、粒径０．４μｍ以上の粒子の含有量が、処理液１ｍＬあたり１０００個以下であることが好ましく、５００個以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、０が挙げられる。また、上記の測定方法で測定された粒径０．４μｍ以上の粒子の含有量が検出限界以下であることがより好ましい。
処理液に含まれる粗大粒子は、原料に不純物として含まれる塵、埃、有機固形物、及び無機固形物等の粒子、並びに処理液の調製中に汚染物として持ち込まれる塵、埃、有機固形物、及び無機固形物等の粒子であって、最終的に処理液中で溶解せずに粒子として存在するものが該当する。
処理液中に存在する粗大粒子の含有量は、レーザを光源とした光散乱式液中粒子測定方式における市販の測定装置を利用して液相で測定できる。
粗大粒子の除去方法としては、例えば、後述するフィルタリング等の精製処理が挙げられる。

〔キット及び濃縮液〕
処理液は、その原料を複数に分割して、処理液を調製するためのキットとしてもよい。処理液をキットとする具体的な方法としては、例えば、処理液が、成分Ａ、水及びヒドロキシルアミン化合物を含む場合、第１液として水及びヒドロキシルアミン化合物を含む液組成物を準備し、第２液として成分Ａを含む液組成物を準備する態様が挙げられる。

キットが備える第１液及び第２液に含まれる各成分の含有量は、特に制限されないが、第１液及び第２液を混合して調製される処理液における各成分の含有量が上記の好ましい含有量となる量であることが好ましい。
キットが備える第１液及び第２液のｐＨは、特に制限されず、第１液及び第２液を混合して調製される処理液のｐＨが６．０～１３．５の範囲に含まれるようにそれぞれのｐＨが調整されていればよい。

また、処理液は、濃縮液として準備してもよい。この場合、使用時に希釈液で希釈して使用できる。つまり、濃縮液の形態としての上記処理液と、上記希釈液と、を有するキットとしてもよい。

〔処理液の製造〕
処理液は、公知の方法により製造できる。以下、処理液の製造方法について詳述する。

＜調液工程＞
処理液の調液方法は特に制限されず、例えば、上述した各成分を混合することにより処理液を製造できる。上述した各成分を混合する順序、及び／又はタイミングは特に制限されず、例えば、精製した純水を入れた容器に、成分Ａ、及び、任意成分を順次又は同時に添加した後、撹拌して混合するとともに、ｐＨ調整剤を添加して混合液のｐＨを調整することにより、調製する方法が挙げられる。また、水及び各成分を容器に添加する場合、一括して添加してもよいし、複数回にわたって分割して添加してもよい。

処理液の調液に使用する攪拌装置及び攪拌方法は、特に制限されず、攪拌機又は分散機として公知の装置を使用すればよい。攪拌機としては、例えば、工業用ミキサー、可搬型攪拌器、メカニカルスターラー、及びマグネチックスターラーが挙げられる。分散機としては、例えば、工業用分散器、ホモジナイザー、超音波分散器、及びビーズミルが挙げられる。

処理液の調液工程における各成分の混合、及び後述する精製処理、並びに製造された処理液の保管は、４０℃以下で行うことが好ましく、３０℃以下で行うことがより好ましい。また、保管温度の下限値としては、５℃以上が好ましく、１０℃以上がより好ましい。上記の温度範囲で処理液の調液、処理及び／又は保管を行うことにより、長期間安定に性能を維持できる。

（精製処理）
処理液を調製するための原料のいずれか１種以上に対して、事前に精製処理を行うことが好ましい。精製処理としては、特に制限されず、蒸留、イオン交換、及びろ過等の公知の方法が挙げられる。
精製の程度としては、特に制限されないが、原料の純度が９９質量％以上となるまで精製することが好ましく、原料の純度が９９．９質量％以上となるまで精製することがより好ましい。

精製処理の具体的な方法としては、例えば、原料をイオン交換樹脂又はＲＯ膜（Reverse Osmosis Membrane）に通液する方法、原料の蒸留、及び後述するフィルタリングが挙げられる。
精製処理として、上述した精製方法を複数組み合わせて実施してもよい。例えば、原料に対して、ＲＯ膜に通液する１次精製を行った後、カチオン交換樹脂、アニオン交換樹脂、又は混床型イオン交換樹脂からなる精製装置に通液する２次精製を実施してもよい。
また、精製処理は、複数回実施してもよい。

（フィルタリング）
フィルタリングに用いるフィルタとしては、従来からろ過用途に用いられているものであれば特に制限されない。例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、及びテトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）等のフッ素樹脂、ナイロン等のポリアミド系樹脂、並びにポリエチレン及びポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度又は超高分子量を含む）からなるフィルタが挙げられる。これらの材料のなかでもポリエチレン、ポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）、フッ素樹脂（ＰＴＦＥ及びＰＦＡを含む）、及びポリアミド系樹脂（ナイロンを含む）からなる群より選択される材料が好ましく、フッ素樹脂のフィルタがより好ましい。これらの材料により形成されたフィルタを使用して原料のろ過を行うことで、欠陥の原因となり易い極性の高い異物を効果的に除去できる。

フィルタの臨界表面張力としては、７０～９５ｍＮ／ｍが好ましく、７５～８５ｍＮ／ｍがより好ましい。なお、フィルタの臨界表面張力の値は、製造メーカーの公称値である。臨界表面張力が上記範囲のフィルタを使用することで、欠陥の原因となり易い極性の高い異物を効果的に除去できる。

フィルタの孔径は、２～２０ｎｍであることが好ましく、２～１５ｎｍであることがより好ましい。この範囲とすることにより、ろ過詰まりを抑えつつ、原料中に含まれる不純物及び凝集物等の微細な異物を確実に除去することが可能となる。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照できる。

フィルタリングは１回のみであってもよいし、２回以上行ってもよい。フィルタリングを２回以上行う場合、用いるフィルタは同じであってもよいし、異なっていてもよい。

また、フィルタリングは室温（２５℃）以下で行うことが好ましく、２３℃以下がより好ましく、２０℃以下が更に好ましい。また、０℃以上が好ましく、５℃以上がより好ましく、１０℃以上が更に好ましい。上記の温度範囲でフィルタリングを行うことにより、原料中に溶解する粒子性の異物及び不純物の量を低減し、異物及び不純物を効率的に除去できる。

（容器）
処理液（キット又は後述する希釈液の態様を含む）は、腐食性等が問題とならない限り、任意の容器に充填して保管、運搬、及び使用できる。

容器としては、半導体用途向けに、容器内のクリーン度が高く、容器の収容部の内壁から各液への不純物の溶出が抑制された容器が好ましい。そのような容器としては、半導体処理液用容器として市販されている各種容器が挙げられ、例えば、アイセロ化学（株）製の「クリーンボトル」シリーズ、及びコダマ樹脂工業製の「ピュアボトル」が挙げられるが、これらに制限されない。
また、処理液を収容する容器としては、その収容部の内壁等の各液との接液部が、フッ素系樹脂（パーフルオロ樹脂）、又は防錆及び金属溶出防止処理が施された金属で形成された容器が好ましい。
容器の内壁は、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、及びポリエチレン－ポリプロピレン樹脂からなる群より選択される１種以上の樹脂、もしくは、これとは異なる樹脂、又は、ステンレス、ハステロイ、インコネル、及びモネル等の、防錆及び金属溶出防止処理が施された金属から形成されることが好ましい。

上記の異なる樹脂としては、フッ素系樹脂（パーフルオロ樹脂）が好ましい。このように、内壁がフッ素系樹脂である容器を用いることで、内壁が、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、又はポリエチレン－ポリプロピレン樹脂である容器と比べて、エチレン又はプロピレンのオリゴマーの溶出という不具合の発生を抑制できる。
このような内壁がフッ素系樹脂である容器の具体例としては、例えば、Ｅｎｔｅｇｒｉｓ社製 ＦｌｕｏｒｏＰｕｒｅＰＦＡ複合ドラム等が挙げられる。また、特表平３－５０２６７７号公報の第４頁、国際公開第２００４／０１６５２６号明細書の第３頁、並びに国際公開第９９／０４６３０９号明細書の第９頁及び１６頁に記載の容器も使用できる。

また、容器の内壁には、上述したフッ素系樹脂の他に、石英及び電解研磨された金属材料（すなわち、電解研磨済みの金属材料）も好ましく用いられる。
上記電解研磨された金属材料の製造に用いられる金属材料は、クロム及びニッケルからなる群より選択される少なくとも１種を含み、クロム及びニッケルの含有量の合計が金属材料全質量に対して２５質量％超である金属材料であることが好ましく、例えば、ステンレス鋼、及びニッケル－クロム合金が挙げられる。
金属材料におけるクロム及びニッケルの含有量の合計は、金属材料全質量に対して３０質量％以上がより好ましい。
なお、金属材料におけるクロム及びニッケルの含有量の合計の上限値としては特に制限されないが、９０質量％以下が好ましい。

金属材料を電解研磨する方法としては特に制限されず、公知の方法で電解研磨することができる。例えば、特開２０１５－２２７５０１号公報の段落［００１１］－［００１４］、及び特開２００８－２６４９２９号公報の段落［００３６］－［００４２］に記載された方法で電解研磨することができる。

これらの容器は、処理液を充填する前にその内部が洗浄されることが好ましい。洗浄に使用される液体は、その液中における金属不純物量が低減されていることが好ましい。処理液は、製造後にガロン瓶又はコート瓶等の容器にボトリングし、輸送、保管されてもよい。

保管における処理液中の成分の変化を防ぐ目的で、容器内を純度９９．９９９９５体積％以上の不活性ガス（窒素、又はアルゴン等）で置換しておいてもよい。特に、含水率が少ないガスが好ましい。また、輸送、及び保管に際しては、常温でもよいが、変質を防ぐため、－２０℃から２０℃の範囲に温度制御してもよい。

（クリーンルーム）
処理液の製造、容器の開封及び洗浄、処理液の充填を含む取り扱い、処理分析、並びに測定は、全てクリーンルームで行うことが好ましい。クリーンルームは、１４６４４－１クリーンルーム基準を満たすことが好ましい。ＩＳＯ（国際標準化機構）クラス１、ＩＳＯクラス２、ＩＳＯクラス３、及びＩＳＯクラス４のいずれかを満たすことが好ましく、ＩＳＯクラス１又はＩＳＯクラス２を満たすことがより好ましく、ＩＳＯクラス１を満たすことが更に好ましい。

＜希釈工程＞
上述した処理液は、水等の希釈剤を用いて希釈する希釈工程を経た後、半導体基板の処理に供されてもよい。
希釈工程における処理液の希釈率は、各成分の種類、及び含有量、並びに処理対象である半導体基板に応じて適宜調整すればよいが、希釈前の処理液に対する希釈処理液の比率は、体積比で１０～１００００倍が好ましく、２０～３０００倍がより好ましく、５０～１０００倍が更に好ましい。
また、欠陥抑制性能により優れる点で、処理液は水で希釈されることが好ましい。

希釈前後におけるｐＨの変化（希釈前の処理液のｐＨと希釈処理液のｐＨとの差分）は、１．０以下が好ましく、０．８以下がより好ましく、０．５以下が更に好ましい。
また、希釈処理液のｐＨは、２５℃において、７．０超が好ましく、７．５以上がより好ましく、８．０以上が更に好ましい。希釈処理液のｐＨの上限は、２５℃において、１３．０以下が好ましく、１２．５以下がより好ましく、１２．０以下が更に好ましい。

処理液を希釈する希釈工程の具体的方法は、特に制限されず、上記の処理液の調液工程に準じて行えばよい。希釈工程で使用する攪拌装置、及び攪拌方法もまた、特に制限されず、上記の処理液の調液工程において挙げた公知の攪拌装置を使用して行えばよい。

希釈工程に用いる水に対しては、事前に精製処理を行うことが好ましい。また、希釈工程により得られた希釈処理液に対して、精製処理を行うことが好ましい。
精製処理としては、特に制限されず、上述した処理液に対する精製処理として記載した、イオン交換樹脂又はＲＯ膜を用いたイオン成分低減処理、及びフィルタリングを用いた異物除去が挙げられ、これらのうちいずれかの処理を行うことが好ましい。

［用途］
次に、処理液の用途について説明する。
上記処理液は、半導体基板の製造プロセスに用いられる半導体基板用の処理液として使用できる。すなわち、上記処理液は、半導体基板を製造するためのいずれの工程にも用いることができる。

処理液の用途としては、例えば、洗浄液、ＣＭＰスラリー、エッチング液、プリウェット液、及び、リンス液が挙げられる。
処理液は、半導体基板が有する金属含有層上から付着した金属不純物又は微粒子等の残渣物を除去する半導体基板用の洗浄液として使用できる。
処理液は、研磨パッドを用いて被研磨体の被研磨面を研磨するＣＭＰ処理において、上記研磨パッドに供給されるＣＭＰスラリーとして使用できる。
処理液は、半導体基板上の金属含有物を溶解し、除去するエッチング液として使用できる。
処理液は、感活性光線性又は感放射線性組成物を用いてレジスト膜を形成する工程の前に、組成物の塗布性を改良するために基板上に塗布されるプリウェット液として使用できる。
処理液は、半導体基板上に付着した処理液をすすぐリンス液等の用途が挙げられる。
処理液は、上記用途のうち、１つの用途のみに用いられてもよいし、２以上の用途に用いられてもよい。

［半導体基板の処理方法］
処理液を用いた半導体基板の処理方法（以下、単に「本処理方法」ともいう。）において、上記処理液は、典型的には、金属を含有する材料である金属含有物を含有する半導体基板（以下、「被処理物」ともいう。）に対して接触させて使用できる。この際、被処理物は、金属含有物を複数種類含有してもよい。

〔被処理物〕
処理液を用いた処理の対象物である被処理物としては、半導体基板上に金属含有物を有するものであれば特に制限されない。
なお、本明細書における「半導体基板上」とは、例えば、半導体基板の表裏、側面、及び、溝内のいずれも含む。また、半導体基板上の金属含有物とは、半導体基板の表面上に直接金属含有物がある場合のみならず、半導体基板上に他の層を介して金属含有物がある場合も含む。

金属含有物は、金属（金属原子）の単体を主成分として含む材料である。
金属含有物に含まれる金属は、例えば、Ｃｕ（銅）、Ｃｏ（コバルト）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｐｔ（白金）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｎ（マンガン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｌａ（ランタン）、及び、Ｉｒ（イリジウム）からなる群より選択される少なくとも１種の金属Ｍが挙げられる。

金属含有物は、金属（金属原子）を含む物質でありさえすればよく、例えば、金属Ｍの単体、金属Ｍを含む合金、金属Ｍの酸化物、金属Ｍの窒化物、及び、金属Ｍの酸窒化物が挙げられる。
また、金属含有物は、これらの化合物のうちの２種以上を含む混合物でもよい。
なお、上記酸化物、窒化物、及び、酸窒化物は、金属を含む、複合酸化物、複合窒化物、及び、複合酸窒化物でもよい。
金属含有物中の金属原子の含有量は、金属含有物の全質量に対して、１０質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上が更に好ましい。上限は、金属含有物が金属そのものであってもよいことから、１００質量％である。

金属含有物の形態は特に制限されず、例えば、膜状（層状）の形態、配線状の形態、及び、粒子状の形態のいずれであってもよい。
金属含有物は、基板の片側の主面上にのみに配置されていてもよいし、両側の主面上に配置されていてもよい。また、金属含有物は、基板の主面全面に配置されていてもよいし、基板の主面の一部に配置されていてもよい。

半導体基板は、金属Ｍを含む金属Ｍ含有物を有することが好ましく、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ及びＲｕからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属含有物を有することがより好ましく、Ｃｕ、Ｗ及びＣｏからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属含有物を有することが更に好ましい。

被処理物のより具体的な例としては、半導体基板を構成するウエハの表面に、金属配線膜、バリア膜、及び絶縁膜を有する基板が挙げられる。

半導体基板を構成するウエハの具体例としては、シリコン（Ｓｉ）ウエハ、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）ウエハ、シリコンを含む樹脂系ウエハ（ガラスエポキシウエハ）等のシリコン系材料からなるウエハ、ガリウムリン（ＧａＰ）ウエハ、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ウエハ、及びインジウムリン（ＩｎＰ）ウエハが挙げられる。
シリコンウエハとしては、シリコンウエハに５価の原子（例えば、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、及びアンチモン（Ｓｂ）等）をドープしたｎ型シリコンウエハ、並びにシリコンウエハに３価の原子（例えば、ホウ素（Ｂ）、及びガリウム（Ｇａ）等）をドープしたｐ型シリコンウエハであってもよい。シリコンウエハのシリコンとしては、例えば、アモルファスシリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコン、及びポリシリコンのいずれであってもよい。
なかでも、処理液は、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、及びシリコンを含む樹脂系ウエハ（ガラスエポキシウエハ）等のシリコン系材料からなるウエハに有用である。

半導体基板は、上記したウエハに絶縁膜を有していてもよい。
絶縁膜の具体例としては、シリコン酸化膜（例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）膜、及びオルトケイ酸テトラエチル（Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４）膜（ＴＥＯＳ膜）等）、シリコン窒化膜（例えば、窒化シリコン（Ｓｉ_３Ｎ_４）、及び窒化炭化シリコン（ＳｉＮＣ）等）、並びに、低誘電率（Ｌｏｗ－ｋ）膜（例えば、炭素ドープ酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）膜、及びシリコンカーバイド（ＳｉＣ）膜等）が挙げられる。
絶縁膜は複数の膜で構成されていてもよい。複数の膜で構成される絶縁膜としては、例えば、酸化珪素を含む膜と酸化炭化珪素を含む膜とを組み合わせてなる絶縁膜が挙げられる。
なかでも、処理液は、絶縁膜として低誘電率（Ｌｏｗ－ｋ）膜を有する半導体基板用の処理液として有用である。

バリア膜としては、例えば、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、タングステン（Ｗ）、及び、窒化タングステン（ＷＮ）からなる群から選択される１以上の材料を含むバリア膜が挙げられる。

半導体基板は、銅を主成分とする膜（銅含有膜）、コバルトを主成分とする膜（Ｃо含有膜）、及び、タングステンを主成分とする膜（Ｗ含有膜）からなる群より選択される少なくとも１種を有することが好ましく、Ｃо含有膜又はＷ含有膜を含有することがより好ましい。

銅含有膜としては、例えば、金属銅のみからなる配線膜（銅配線膜）、及び金属銅と他の金属とからなる合金製の配線膜（銅合金配線膜）が挙げられる。
銅合金配線膜の具体例としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｔａ及びＷから選択される１種以上の金属と銅とからなる合金製の配線膜が挙げられる。より具体的には、ＣｕＡｌ合金配線膜、ＣｕＴｉ合金配線膜、ＣｕＣｒ合金配線膜、ＣｕＭｎ合金配線膜、ＣｕＴａ合金配線膜、及び、ＣｕＷ合金配線膜が挙げられる。

Ｃо含有膜としては、例えば、金属コバルトのみからなる金属膜（Ｃо金属膜）、及び金属コバルトと他の金属とからなる合金製の金属膜（Ｃо合金金属膜）が挙げられる。
Ｃо合金金属膜の具体例としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｔａ及びＷから選択される１種以上の金属とコバルトとからなる合金製の金属膜が挙げられる。より具体的には、ＣｏＴｉ合金金属膜、ＣｏＣｒ合金金属膜、ＣｏＦｅ合金金属膜、ＣｏＮｉ合金金属膜、ＣｏＭｏ合金金属膜、ＣｏＰｄ合金金属膜、ＣｏＴａ合金金属膜、及び、ＣｏＷ合金金属膜が挙げられる。
Ｃо含有膜のうち、Ｃо金属膜は配線膜として使用されることが多く、Ｃо合金金属膜はバリアメタルとして使用されることが多い。

Ｗ含有膜としては、例えば、タングステンのみからなる金属膜（Ｗ金属膜）、及びタングステンと他の金属とからなる合金製の金属膜（Ｗ合金金属膜）が挙げられる。
Ｗ合金金属膜の具体例としては、例えば、ＷＴｉ合金金属膜、及び、ＷＣｏ合金金属膜が挙げられる。
タングステン含有膜は、バリアメタルとして使用されることが多い。

上記被処理物は、上述した以外に、所望に応じた種々の層、及び／又は、構造を含有していてもよい。例えば、基板は、金属配線、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁層、強磁性層、及び／又は、非磁性層を含有していてもよい。
基板は、曝露された集積回路構造、例えば金属配線及び誘電材料等の相互接続機構を含有していてもよい。相互接続機構に使用する金属及び合金としては、例えば、アルミニウム、銅アルミニウム合金、銅、チタン、タンタル、コバルト、ケイ素、窒化チタン、窒化タンタル、及び、タングステンが挙げられる。基板は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、及び／又は、炭素ドープ酸化ケイ素の層を含有していてもよい。

被処理物の製造方法は、通常この分野で行われる方法であれば特に制限されない。
半導体基板を構成するウエハ上に、上記の絶縁膜を形成する方法としては、例えば、半導体基板を構成するウエハに対して、酸素ガス存在下で熱処理を行うことによりシリコン酸化膜を形成し、次いで、シラン及びアンモニアのガスを流入して、化学気相蒸着（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法によりシリコン窒化膜を形成する方法が挙げられる。
半導体基板を構成するウエハ上に、上記の金属含有層を形成する方法としては、例えば、上記の絶縁膜を有するウエハ上に、レジスト等の公知の方法で回路を形成し、次いで、めっき、スパッタリング法、ＣＶＤ法、及び、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）法等の方法により、金属含有層を形成する方法が挙げられる。

本処理方法としては、例えば、金属含有物を含有する被処理物と、上記処理液とを接触させる方法が挙げられる。これにより、被処理物の洗浄（被処理物上の残渣物の除去等）、又は、被処理物が含有する金属含有物の１種以上を除去できる。
より具体的には、上記処理液を用いて、被処理物に付着した残渣物を除去する洗浄方法、砥粒を含有する上記処理液を用いて、被研磨体として被処理物を研磨するＣＭＰ処理方法、上記処理液を用いて、被処理物上の金属含有物を溶解して除去するエッチング方法、感活性光線性又は感放射線性組成物を用いてレジスト膜を形成する工程の前に、上記の処理液を半導体基板上に塗布する前処理方法、及び、上記処理液を用いて、半導体基板をすすぐリンス処理方法が挙げられる。
以下、本処理方法のうち、半導体基板の洗浄方法、半導体基板のＣＭＰ処理方法、及び、半導体基板のエッチング方法について、詳しく説明する。

〔第１態様：半導体基板の洗浄方法〕
本処理方法の第１態様は、上記処理液を半導体基板に接触させることにより、半導体基板を洗浄する洗浄工程を含む半導体基板の洗浄方法（以下、「本洗浄方法」ともいう。）である。
本洗浄方法において、半導体基板に処理液を接触させる方法は特に制限されないが、例えば、タンクに入れた処理液中に被処理物を浸漬する方法、被処理物上に処理液を噴霧する方法、被処理物上に処理液を流す方法、及び、それらの任意の組み合わせが挙げられる。残渣除去性の点から、被処理物を処理液中に浸漬する方法が好ましい。

半導体基板の洗浄方法としては、枚葉方式、及びバッチ方式のいずれを採用してもよい。枚葉方式とは、半導体基板を１枚ずつ処理する方式であり、バッチ方式とは、複数枚の半導体基板を同時に処理する方式である。

半導体基板の洗浄に洗浄液として用いる処理液の温度は、通常この分野で行われる温度であれば特に制限されない。室温（２５℃）で洗浄が行われることが多いが、洗浄性を向上する目的、及び／又は、部材へのダメージを抑える目的で、為に、温度は任意に選択できる。例えば、処理液の温度としては、１０～６０℃が好ましく、１５～５０℃がより好ましい。

半導体基板の洗浄における洗浄時間は、処理液に含まれる成分の種類及び含有量に依存するため一概に言えるものではないが、実用的には、１０秒間～２分間が好ましく、２０秒間～１分３０秒間がより好ましく、３０秒間～１分間が更に好ましい。

半導体基板の洗浄工程における処理液の供給量（供給速度）は特に制限されないが、５０～５０００ｍＬ／分が好ましく、５００～２０００ｍＬ／分がより好ましい。

半導体基板の洗浄において、処理液の洗浄能力をより増進するために、機械的撹拌方法を用いてもよい。
機械的撹拌方法としては、例えば、半導体基板上で処理液を循環させる方法、半導体基板上で処理液を流過又は噴霧させる方法、及び超音波又はメガソニックにて処理液を撹拌する方法が挙げられる。

上記の半導体基板の洗浄の後に、半導体基板をリンス液ですすいで清浄する工程（以下「リンス工程」と称する。）を行ってもよい。
リンス工程は、半導体基板の洗浄工程の後に連続して行われ、リンス液（リンス溶剤）を用いて５秒間～５分間にわたってすすぐ工程であることが好ましい。リンス工程は、上述の機械的撹拌方法を用いて行ってもよい。

リンス液としては、例えば、水（好ましくは脱イオン（ＤＩ：De Ionize）水）、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、Ｎ－メチルピロリジノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、乳酸エチル、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。また、ｐＨが８超である水性リンス液（希釈した水性の水酸化アンモニウム等）を使用してもよい。また、上記処理液をリンス液として用いて半導体基板に対するリンス処理を行ってもよい。
リンス液を半導体基板に接触させる方法としては、上述した処理液を半導体基板に接触させる方法を同様に適用できる。

また、上記リンス工程の後に、半導体基板を乾燥させる乾燥工程を行ってもよい。
乾燥方法としては、特に制限されず、例えば、スピン乾燥法、半導体基板上に乾性ガスを流過させる方法、ホットプレートもしくは赤外線ランプのような加熱手段によって基板を加熱する方法、マランゴニ乾燥法、ロタゴニ乾燥法、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）乾燥法、及びそれらの任意の組み合わせが挙げられる。

〔第２態様：ＣＭＰ処理方法〕
本処理方法の第２態様は、上記処理液を用いて被処理物を研磨するＣＭＰ処理方法（以下、「本ＣＭＰ方法」ともいう。）である。より具体的には、本ＣＭＰ方法は、上記のコロイダルシリカ又は砥粒を含有する処理液（以下、「本研磨液」ともいう。）を研磨定盤に取り付けられた研磨パッドに供給しながら、被処理物（被研磨体）の被研磨面を上記研磨パッドに接触させ、上記被研磨体及び上記研磨パッドを相対的に動かして上記被研磨面を研磨して、研磨済み被研磨体を得る工程を含む処理方法である。

本ＣＭＰ方法を適用できる被研磨体としては、特に制限されず、上記の被処理物が挙げられ、銅含有層、Ｗ含有層及びＣо含有層からなる群より選択される少なくとも１つの金属含有層を有する半導体基板が好ましい。

被研磨体の構成の一例としては、基板と、基板上に配置された溝（例えば配線用の溝）を有する層間絶縁膜と、上記溝の形状に沿って配置されたバリア層と、上記溝を充填するように配置された金属含有膜とを有する構成が挙げられる。上記金属含有膜は、上記溝を充填して、更に溢れるように上記溝の開口部よりも高い位置にまで配置される。金属含有膜における、このような溝の開口部よりも高い位置に形成されている部分をバルク層という。

バルク層の表面である被処理面を研磨し、バリア層が被研磨面の表面に露出するまで研磨することにより、バルク層が除去され、被研磨体が得られる。本ＣＭＰ方法は、本研磨液をバルク層用研磨液として用いて、被処理面に露出したバルク層を除去する工程を有する方法であってもよい。
バルク層の研磨は、バルク層が完全に除去されるまで行ってもよく、バルク層が完全に除去される前に終了してもよい。つまりバルク層がバリア層上を部分的又は全面的に覆っている状態で、研磨を終えてもよい。

バルク層が除去された被研磨体では、被処理面にバリア層と金属含有膜とが露出している。本ＣＭＰ方法は、本研磨液をバリア用研磨液として用いて、被処理面に露出したバリア層と金属含有膜とを同時に研磨し、層間絶縁膜が被研磨面の表面に露出するまで研磨して、バリア層を除去する工程を有していてもよい。
なお、層間絶縁膜が被研磨面の表面に露出してからも、層間絶縁膜、層間絶縁膜の溝の形状に沿って配置されたバリア層、及び／又は、上記溝を充填する金属含有膜（配線）に対して、意図的又は不可避的に、研磨を継続してもよい。また、バリア層を除去する工程において、除去されきっていないバルク層の研磨及び除去も行ってよい。
また、バリア層を除去する工程において、層間絶縁膜上のバリア層を完全に除去してもよく、層間絶縁膜上のバリア層が完全に除去される前に終了してもよい。つまりバリア層が層間絶縁膜を部分的又は全面的に覆っている状態で研磨を終えて研磨済み被研磨体を得てもよい。

基板の具体例としては、単層からなる半導体基板、及び、多層からなる半導体基板が挙げられる。
本ＣＭＰ方法の適用対象となる被研磨体の市販品としては、例えば、ＳＥＭＡＴＥＣ７５４ＴＥＧ（ＳＥＭＡＴＥＣＨ社製）が挙げられる。

本ＣＭＰ方法を実施できる研磨装置は、公知の化学的機械的研磨装置（以下、「ＣＭＰ装置」ともいう。）を使用できる。
ＣＭＰ装置としては、例えば、被研磨面を有する被研磨体を保持するホルダーと、研磨パッドを貼り付けた（回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）研磨定盤と、を有するＣＭＰ装置が挙げられる。

本ＣＭＰ方法における研磨圧力は、被研磨面の傷状の欠陥の発生を抑制でき、研磨後の被研磨面が均一になりやすい点で、０．１～５．０ｐｓｉが好ましく、０．５～３．０ｐｓｉがより好ましく、１．０～３．０ｐｓｉが更に好ましい。なお、研磨圧力とは、被研磨面と研磨パッドとの接触面に生ずる圧力を意味する。

本ＣＭＰ方法における研磨定盤の回転数は、５０～２００ｒｐｍが好ましく、６０～１５０ｒｐｍがより好ましい。
なお、被研磨体及び研磨パッドを相対的に動かすために、ホルダーを回転及び／又は揺動させてもよいし、研磨定盤を遊星回転させてもよいし、ベルト状の研磨パッドを長尺方向の一方向に直線状に動かしてもよい。なお、ホルダーは、固定、回転又は揺動のいずれの状態であってもよい。これらの研磨方法は、被研磨体及び研磨パッドを相対的に動かすのであれば、被研磨面及び／又は研磨装置により適宜選択できる。

本ＣＭＰ方法では、被研磨面を研磨する間、研磨定盤上の研磨パッドに本研磨液をポンプで連続的に供給することが好ましい。本研磨液の供給量に制限されないが、研磨パッドの表面が常に本研磨液で覆われていることが好ましい。
例えば、研磨液供給速度は、被研磨面における傷状の欠陥の発生を抑制でき、研磨後の被研磨面が均一になりやすい点で、０．０５～０．７５ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ^２）が好ましく、０．１４～０．３５ｍｌ／（ｍｉｎ・ｃｍ^２）がより好ましい。

本ＣＭＰ方法においては、研磨済み被研磨体を得る工程の後、得られた研磨済み被研磨体を洗浄する洗浄工程を有することが好ましい。洗浄工程によって、研磨によって生じた研磨屑の残渣、及び／又は、本研磨液に含まれる成分に基づく残渣を除去できる。
洗浄工程に使用される洗浄液は制限されず、例えば、アルカリ性の洗浄液（アルカリ洗浄液）、酸性の洗浄液（酸性洗浄液）、水、及び、有機溶剤が挙げられ、なかでも、残渣除去性及び洗浄後の被研磨面の表面荒れを抑制できる点で、アルカリ洗浄液が好ましい。

〔第３態様：半導体基板のエッチング方法〕
本処理方法の第３態様は、上記処理液を用いて、被処理物上の金属含有物を除去する工程Ａを有する方法（以下、「本エッチング方法」ともいう。）である。
工程Ａの具体的な方法としては、上記処理液を半導体基板に接触させることにより、被処理物上の金属含有物を溶解して除去する方法が挙げられる。
本エッチング方法において、半導体基板に処理液を接触させる方法は特に制限されず、第１態様において記載した方法が適用できる。

工程Ａの処理時間は、基板に処理液を接触させる方法及び処理液の温度に応じて調整すればよい。処理時間（処理液と被処理物との接触時間）は特に制限されないが、１０秒間～１０分間が好ましく、３０秒間～２分間がより好ましい。
処理の際の処理液の温度は特に制限されないが、１０～７５℃が好ましく、２０～６０℃がより好ましい。

工程Ａの具体的な態様としては、処理液を用いて基板上に配置され、金属含有物からなる配線をリセスエッチング処理する工程Ａ１、処理液を用いて金属含有物からなる膜が配置された基板の外縁部の膜を除去する工程Ａ２、処理液を用いて金属含有物からなる膜が配置された基板の裏面に付着する金属含有物を除去する工程Ａ３、及び、処理液を用いてドライエッチング後の基板上の金属含有物を除去する工程Ａ４が挙げられる。
上記工程Ａ１～Ａ４については、国際公開第２０１９／１３８８１４号明細書の段落［００４９］～［００６９］の記載が援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

本処理方法は、半導体デバイスの製造方法で行われるその他の工程の前又は後に組み合わせて実施してもよい。本処理方法を実施する中にその他の工程に組み込んでもよいし、その他の工程の中に本処理方法を組み込んで実施してもよい。
その他の工程としては、例えば、金属配線、ゲート構造、ソース構造、ドレイン構造、絶縁層、強磁性層及び／又は非磁性層等の各構造の形成工程（層形成、エッチング、化学機械研磨、変成等）、レジストの形成工程、露光工程及び除去工程、熱処理工程、洗浄工程、並びに、検査工程等の工程が挙げられる。
本処理方法は、バックエンドプロセス（ＢＥＯＬ：Back end of the line）、ミドルプロセス（ＭＯＬ：Middle of the line）及び（ＦＥＯＬ：Front end of the line）中のいずれの段階で行ってもよい。

以下に、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、及び割合等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されない。

以下の実施例において、処理液のｐＨは、ｐＨメーター（株式会社堀場製作所製、型式「Ｆ－７４」）を用いて、ＪＩＳ Ｚ８８０２－１９８４に準拠して２５℃において測定した。
また、実施例及び比較例の処理液の製造にあたって、容器の取り扱い、処理液の調液、充填、保管及び分析測定は、全てＩＳＯクラス２以下を満たすレベルのクリーンルームで行った。

［処理液の原料］
処理液を製造するために、以下の化合物を使用した。なお、実施例で使用した各種成分はいずれも、半導体グレードに分類されるもの、又は、それに準ずる高純度グレードに分類されるものを使用した。

〔成分Ａ〕
成分Ａとして、下記カチオン（Ａ－１）～（Ａ－４）、（Ａ－８）、（Ａ－１２）、（Ａ－２１）、（Ａ－３２）、（Ａ－Ｘ１）及び（Ａ－Ｘ２）と、対イオンとして水酸化物イオンとからなる化合物を用いた。

〔コロイダルシリカ〕
・ ＰＬ１：製品名、扶桑化学工業株式会社製、平均１次粒子径１０ｎｍ、アスペクト比１．８、会合度２

〔有機酸〕
・ クエン酸

〔ヘテロ芳香族化合物〕
・ ＢＴＡ：ベンゾトリアゾール
・ ５－ＭＢＴＡ：５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール

〔酸化剤〕
・ 過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）

〔界面活性剤〕
・ Ｗ－１：ポリオキシエチレンラウリルエーテル（Ｃ_１２Ｈ_２５（ＥＯ）_３ＯＨ）

〔アミノアルコール〕
・ ＴＥＡ：トリエタノールアミン

〔有機溶剤〕
・ ＤＥＧＥＥ：ジエチレングリコールモノエチルエーテル

〔ＨＡ化合物〕
・ ＨＡ：ヒドロキシルアミン

また、本実施例における各処理液の製造工程では、ｐＨ調整剤として、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）及びジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）のいずれか一方を使用した。ただし、比較例１Ａ及び１Ｂでは、ｐＨ調整剤としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）を使用し、比較例３Ａ及び３Ｂでは、ｐＨ調整剤として硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）のいずれか一方を使用した。
また、水として市販の超純水（富士フイルム和光純薬株式会社製）を用いた。

［実施例１Ａ～３７Ａ及び比較例１Ａ～３Ａ］
〔研磨液の調製〕
実施例１Ａ～３７Ａ及び比較例１Ａ～３Ａでは、研磨液を調製した。
研磨液の調製方法について、実施例１Ａを例に説明する。
上記化合物（Ａ－１）、ＰＬ１（コロイダルシリカ）、クエン酸、ＢＴＡ（ベンゾテトラゾール）及び過酸化水素の各原料（又はその水溶液）を、高密度ポリエチレンフィルターでろ過処理した。その際、コロイダルシリカの水溶液は孔径０．１μｍのフィルターでろ過し、それ以外の原料（又はその水溶液）については、孔径０．０２μｍのフィルターでろ過した。
上記原料及び超純水を、表１に記載の含有量となる量でそれぞれ添加した後、調製される研磨液のｐＨが１０．０となるようにｐＨ調整剤を添加した。得られた混合液を撹拌機を用いて十分に攪拌することにより、実施例１Ａの研磨液を得た。

実施例１Ａの研磨液の調製方法に準じて、表１に示す組成を有する実施例２Ａ～３７Ａ及び比較例１Ａ～３Ａの研磨液を、それぞれ製造した。

表１中、「量」欄は、各成分の処理液の全質量に対する含有量（単位：質量％）を示す。なお、表中の各成分の含有量は、各成分の化合物としての含有量を示す。例えば、研磨液を調製するたって過酸化水素は、過酸化水素水溶液の状態で添加されたが、表中の「過酸化水素」欄における含有量の記載は、研磨液に添加された過酸化水素水溶液ではなく、研磨液に含まれる過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）そのものの含有量を示す。
「比率Ａ」欄の数値は、成分Ａの含有量に対する界面活性剤の含有量（界面活性剤の含有量／成分Ａの含有量）の質量比を示す。
「比率Ｂ」欄の数値は、成分Ａの含有量に対するアミノアルコールの含有量（アミノアルコールの含有量／成分Ａの含有量）の質量比を示す。
「研磨液ｐＨ」欄の数値は、上記のｐＨメーターにより測定した研磨液の２５℃におけるｐＨを示す。
「水」欄の「残部」は、各実施例及び各比較例の研磨液において、表中に示した成分、並びに、必要な場合に研磨液のｐＨが「研磨液ｐＨ」欄の数値になる量で添加したｐＨ調整剤以外の成分が、水であったことを示す。

〔研磨液の評価試験〕
得られた研磨液を使用してそれぞれ以下の評価を行った。

＜腐食防止性能の評価＞
表面にタングステンからなる金属膜を有するウエハ（直径１２インチ）をカットし、２ｃｍ□のウエハクーポンをそれぞれ準備した。金属膜の厚さは２０ｎｍとした。上記の方法で製造した実施例又は比較例の各研磨液のサンプル（温度：４５℃）中にウエハクーポンを浸漬し、攪拌回転数２５０ｒｐｍで攪拌しながら３０分間の浸漬処理を行った。浸漬処理前後に測定した金属膜の厚さの差分から、単位時間当たりの腐食速度を算出した。得られた腐食速度から、下記の評価基準に基づいて、研磨液の腐食防止性能を評価した。
なお、腐食速度が低いほど、研磨液の腐食防止性能が優れる。
ＡＡ ： 腐食速度が１Å／ｍｉｎ以下
Ａ ： 腐食速度が１Å／ｍｉｎ超え２Å／ｍｉｎ以下
Ｂ ： 腐食速度が２Å／ｍｉｎ超え３Å／ｍｉｎ以下
Ｃ ： 腐食速度が３Å／ｍｉｎ超え５Å／ｍｉｎ未満
Ｄ ： 腐食速度が５Å／ｍｉｎ以上

＜研磨傷抑制性能の評価＞
ＦＲＥＸ３００ＳＩＩ（研磨装置）を用いて、研磨圧力を２．０ｐｓｉとし、研磨液供給速度を２００ｍｌ／ｍｉｎとした条件で、ウエハを研磨した。
なお、上記ウエハでは、直径１２インチのシリコン基板上に、窒化ケイ素からなる層間絶縁膜が形成され、上記層間絶縁膜にはライン９μｍ及びスペース１μｍからなるラインアンドスペースパターンを有する溝が刻まれている。上記溝には、溝の形状に沿ってバリア層（材料：ＴｉＮ、膜厚：１０ｎｍ）が配置されるとともに、Ｃｏが充填されている。更に、溝からＣｏがあふれるような形で、ラインアンドスペース部の上部に１５０～３００ｎｍ膜厚のＣｏからなるバルク層が形成されている。
まず、バルク研磨液としてＣＳＬ５１５２Ｃ（商品名、富士フイルムプラナーソルーション社製）を使用し、非配線部のＣｏ（バルク）が完全に研磨されてから、更に１０秒間研磨を行った。その後、実施例又は比較例の各研磨液を用いて同様の条件で１分間研磨した。研磨後のウエハを、洗浄ユニットにて、アルカリ性洗浄液（ｐＣＭＰ液、商品名「ＣＬ９０１０」、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）で１分間洗浄し、更に、３０分間ＩＰＡ（イソプロパノール）洗浄を行ってから乾燥処理させた。
得られたウエハを欠陥検出装置で測定し、長径が０．０６μｍ以上の欠陥が存在する座標を特定してから、特定された座標における欠陥の種類を分類した。ウエハ上に検出された研磨傷（傷状の欠陥）の数を、下記区分に照らして、各研磨液の研磨傷抑制性能を評価した。
研磨傷の数が少ないほど研磨傷抑制性能に優れると評価できる。

（評価基準）
Ａ ： 研磨傷が３個以下
Ｂ ： 研磨傷が４～６個
Ｃ ： 研磨傷が７～１０個
Ｄ ： 研磨傷が１１個以上

下記表に、実施例又は比較例の各研磨液を用いて行った評価試験の結果を示す。

上記表に示した結果より、研磨液として本発明の処理液を用いれば、所望の結果が得られることが確認された。

研磨液が、成分Ａとして、カチオン（Ａ－１）～（Ａ－４）、（Ａ－８）、（Ａ－Ｘ１）及び（Ａ－Ｘ２）を有する化合物を含む場合、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能がより優れ、カチオン（Ａ－１）～（Ａ－３）、（Ａ－８）、（Ａ－Ｘ１）及び（Ａ－Ｘ２）を有する化合物を含む場合、研磨傷抑制性がより優れ、カチオン（Ａ－８）を有する化合物を含む場合、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能が更に優れることが、実施例１Ａ～１０Ａの対比により確認された。

研磨液のｐＨが、２５℃において８．０～１２．５である場合、研磨傷抑制性がより優れることが、実施例１１Ａ～１６Ａの対比により、確認された。

成分Ａの含有量が、研磨液の全質量に対して０．０１質量％以上である場合、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能がより優れ、研磨液の全質量に対して０．８質量％以上である場合、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能が更に優れることが、実施例２Ａ及び１７Ａ～２０Ａの対比により確認された。
また、成分Ａの含有量が、研磨液の全質量に対して１０質量％以下である場合、研磨傷抑制性がより優れ、研磨液の全質量に対して５質量％以下である場合、研磨傷抑制性が更に優れることが、実施例２２Ａ～２４Ａの対比により確認された。

研磨液が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量が、研磨液の全質量に対して０．０００５質量％以上であると、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能がより優れ、研磨液の全質量に対して０．００１～０．５質量％であると、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能が更に優れることが、実施例２５Ａ～３１Ａの対比により確認された。
また、研磨液が界面活性剤を含む場合、上記比率Ａが１０００以下であると、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能がより優れ、上記比率Ａが１～５００であると、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能が更に優れることが、実施例２５Ａ～３１Ａの対比により確認された。

研磨液がアミノアルコールを含む場合、アミノアルコールの含有量が、研磨液の全質量に対して８質量％以下であると、研磨傷抑制性がより優れ、研磨液の全質量に対して０．８～４質量％であると、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能がより優れることが、実施例３２Ａ～３７Ａの対比により確認された。
また、研磨液がアミノアルコールを含む場合、上記比率Ｂが０．０８以上であると、研磨傷抑制性がより優れ、上記比率Ｂが０．１２～０．８であると、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能がより優れることが、実施例３２Ａ～３７Ａの対比により確認された。

［実施例１Ｂ～３７Ｂ及び比較例１Ｂ～３Ｂ］
〔エッチング液の調製〕
実施例１Ｂ～３７Ｂ及び比較例１Ｂ～３Ｂでは、エッチング液を調製した。
実施例１Ａの研磨液の調製方法に準じて、表２に示す組成を有する実施例１Ｂ～３７Ｂ及び比較例１Ｂ～３Ｂのエッチング液を、それぞれ製造した。

表２中の「量」欄、「比率Ａ」欄、「比率Ｂ」欄、「水」欄の「残部」は、表１の各欄と同義である。
「ＨＡ化合物」欄は、ヒドロキシルアミン化合物を示す。
「エッチング液ｐＨ」欄の数値は、上記のｐＨメーターにより測定したエッチング液の２５℃におけるｐＨを示す。

〔エッチング液の評価試験〕
得られたエッチング液を使用してそれぞれ以下の評価を行った。

＜腐食防止性能の評価＞
表面にタングステンからなる金属膜を有するウエハ（直径１２インチ）をカットし、２ｃｍ□のウエハクーポンをそれぞれ準備した。金属膜の厚さは２０ｎｍとした。上記の方法で製造した実施例又は比較例の各エッチング液のサンプル（温度：４５℃）中にウエハクーポンを浸漬し、攪拌回転数２５０ｒｐｍで攪拌しながら３０分間の浸漬処理を行った。浸漬処理前後に測定した金属膜の厚さの差分から、単位時間当たりの腐食速度を算出した。得られた腐食速度から、下記の評価基準に基づいて、エッチング液の腐食防止性能を評価した。
なお、腐食速度が低いほど、エッチング液の腐食防止性能が優れる。
Ａ ： 腐食速度が２Å／ｍｉｎ以下
Ｂ ： 腐食速度が２Å／ｍｉｎ超え３Å／ｍｉｎ以下
Ｃ ： 腐食速度が３Å／ｍｉｎ超え５Å／ｍｉｎ未満
Ｄ ： 腐食速度が５Å／ｍｉｎ以上

＜残渣除去性能の評価＞
直径３００ｍｍのシリコンウエハ上に、厚みが１０００オングストローム（Å）のＴｉＯ_２からなる膜を有する積層体を準備した。この積層体を、実施例及び比較例の各処理液のサンプル（温度：４５℃）中に５分間浸漬させた。浸漬前後におけるＴｉＯ_２膜の厚みの差分に基づいて、エッチング液のエッチングレート（Å／ｍｉｎ）を算出し、得られたエッチングレートから、下記の評価基準に基づいて、エッチング液の残渣除去性能を評価した。
なお、ＴｉＯ_２は、半導体基板の製造に用いられるメタルハードマスクをプラズマエッチングした際に生成される残渣物の成分の１つである。ＴｉＯ_２に対するエッチングレートがより高いほど、エッチング液はより優れた残渣除去性能を有すると評価できる。
Ａ ： エッチングレートが５Å／ｍｉｎ以上
Ｂ ： エッチングレートが３Å／ｍｉｎ以上５Å／ｍｉｎ未満
Ｃ ： エッチングレートが１Å／ｍｉｎ以上３Å／ｍｉｎ未満
Ｄ ： エッチングレートが１Å／ｍｉｎ未満

下記表に、実施例又は比較例の各エッチング液を用いて行った評価試験の結果を示す。

上記表に示した結果より、エッチング液として本発明の処理液を用いれば、所望の結果が得られることが確認された。

エッチング液が、成分Ａとして、カチオン（Ａ－１）～（Ａ－４）、（Ａ－８）、（Ａ－Ｘ１）及び（Ａ－Ｘ２）を有する化合物を含む場合、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能がより優れ、カチオン（Ａ－１）～（Ａ－３）、（Ａ－８）、（Ａ－Ｘ１）及び（Ａ－Ｘ２）を有する化合物を含む場合、残渣除去性能がより優れ、カチオン（Ａ－８）を有する化合物を含む場合、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能が更に優れることが、実施例１Ｂ～１０Ｂの対比により確認された。

エッチング液のｐＨが、２５℃において８．０～１１．５である場合、残渣除去性能がより優れることが、実施例１１Ｂ～１６Ｂの対比により、確認された。

成分Ａの含有量が、エッチング液の全質量に対して０．０１質量％以上である場合、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能がより優れ、エッチング液の全質量に対して０．８質量％以上である場合、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能が更に優れることが、実施例２Ｂ及び１７Ｂ～２０Ｂの対比により確認された。
また、成分Ａの含有量が、エッチング液の全質量に対して１０質量％以下である場合、残渣除去性能がより優れ、エッチング液の全質量に対して５質量％以下である場合、残渣除去性能が更に優れることが、実施例２２Ｂ～２４Ｂの対比により確認された。

エッチング液が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量が、エッチング液の全質量に対して０．５質量％以下であると、残渣除去性能がより優れ、エッチング液の全質量に対して０．００５～０．０５質量％であると、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能がより優れることが、実施例２５Ｂ～３１Ｂの対比により確認された。
また、エッチング液が界面活性剤を含む場合、上記比率Ａが１以上であると、残渣除去性能がより優れ、上記比率Ａが１０～１００であると、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能がより優れることが、実施例２５Ｂ～３１Ｂの対比により確認された。

エッチング液がアミノアルコールを含む場合、アミノアルコールの含有量が、エッチング液の全質量に対して８質量％以下であると、残渣除去性能がより優れ、エッチング液の全質量に対して０．８～４質量％であると、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能がより優れることが、実施例３２Ｂ～３７Ｂの対比により確認された。
また、エッチング液がアミノアルコールを含む場合、上記比率Ｂが０．０８以上であると、残渣除去性能がより優れ、上記比率Ｂが０．１２～０．８であると、Ｗ含有膜に対する腐食防止性能がより優れることが、実施例３２Ｂ～３７Ｂの対比により確認された。

Claims (20)

1. タングステン含有物を有する半導体基板用の処理液であって、
   分子内に２つ以上のオニウム構造を有する成分Ａと、
   アミノアルコールと、
   水と、を含み、
   ２５℃におけるｐＨが６．０～１３．５であり、
   前記アミノアルコールの含有量が、前記処理液の全質量に対して０．８～４質量％である、処理液。
2. タングステン含有物を有する半導体基板用の処理液であって、
   分子内に２つ以上のオニウム構造を有する成分Ａと、
   界面活性剤と、
   水と、を含み、
   ２５℃におけるｐＨが６．０～１３．５であり、
   前記界面活性剤の含有量が、前記処理液の全質量に対して０．００５～０．０５質量％である、処理液。
3. 有機酸又は有機アルカリを更に含む、請求項２に記載の処理液。
4. 前記オニウム構造が、アンモニウム構造、ホスホニウム構造及びスルホニウム構造からなる群より選択される構造である、請求項１～３のいずれか１項に記載の処理液。
5. 前記オニウム構造が、アンモニウム構造及びホスホニウム構造からなる群より選択される構造である、請求項１～４のいずれか１項に記載の処理液。
6. 前記オニウム構造が、アンモニウム構造である、請求項１～５のいずれか１項に記載の処理液。
7. 前記成分Ａが、下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物である、請求項１～６のいずれか１項に記載の処理液。
   一般式（Ｉ）中、Ｒ^１～Ｒ^６は、それぞれ独立に、１価の有機基を表す。Ｒ^１～Ｒ^６のうち２つが互いに結合してもよい。Ｌ^１は、２価の連結基を表す。ｎは、１又は２を表す。Ｘ^{（２／ｎ）－}は、（２／ｎ）価の対イオンを表す。
   一般式（ＩＩ）中、Ｒ^７～Ｒ^１２は、それぞれ独立に、１価の有機基を表す。Ｒ^７～Ｒ^１２のうち２つが互いに結合してもよい。Ｌ^２は、２価の連結基を表す。ｎは、１又は２を表す。Ｘ^{（２／ｎ）－}は、（２／ｎ）価の対イオンを表す。
8. 前記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）において、ｎが２を表し、Ｘ^{（２／ｎ）－}が水酸化物イオンを表す、請求項７に記載の処理液。
9. 前記成分Ａが、前記一般式（Ｉ）で表される化合物である、請求項７又は８に記載の処理液。
10. 前記成分Ａの含有量が、前記処理液の全質量に対して０．１～５質量％である、請求項１～９のいずれか１項に記載の処理液。
11. 防食剤を更に含む、請求項１～１０のいずれか１項に記載の処理液。
12. 前記防食剤が、ヘテロ芳香族化合物を含む、請求項１１に記載の処理液。
13. 前記ヘテロ芳香族化合物が、テトラゾール化合物、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物及びピラゾール化合物からなる群より選択される少なくとも１つである、請求項１２に記載の処理液。
14. 前記防食剤が、ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン誘導体及びこれらの塩からなる群より選択される少なくとも１つのヒドロキシルアミン化合物を含む、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の処理液。
15. 有機溶剤を更に含む、請求項１～１４のいずれか１項に記載の処理液。
16. 界面活性剤を更に含む、請求項１に記載の処理液。
17. コロイダルシリカを更に含む、請求項１～１６のいずれか１項に記載の処理液。
18. 平均１次粒子径が３～２０ｎｍであるコロイダルシリカを更に含む、請求項１～１７のいずれか１項に記載の処理液。
19. 請求項１７又は１８に記載の処理液を研磨定盤に取り付けられた研磨パッドに供給しながら、被研磨体の被研磨面を前記研磨パッドに接触させ、前記被研磨体及び前記研磨パッドを相対的に動かして前記被研磨面を研磨して、研磨済み被研磨体を得る工程を含む、化学的機械的研磨方法。
20. 請求項１～１６のいずれか１項に記載の処理液を用いて、半導体基板上の金属含有物を除去する工程を有する、半導体基板の処理方法。