JP7512779B2

JP7512779B2 - 液処理方法及び液処理装置

Info

Publication number: JP7512779B2
Application number: JP2020149317A
Authority: JP
Inventors: 庸根黄; 真一畠山
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2020-09-04
Filing date: 2020-09-04
Publication date: 2024-07-09
Anticipated expiration: 2040-09-04
Also published as: CN114141654B; CN114141654A; JP2022043845A; KR102902267B1; KR20220031499A

Description

本開示は、液処理方法及び液処理装置に関する。

半導体デバイスの製造工程においては、液処理装置を用いて基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に対して、様々な処理液が供給されて液処理が行われる。この液処理の一例として、ウエハの裏面に洗浄液を供給して洗浄する処理がある。特許文献１には、洗浄液の液流を吐出する構成のノズルをウエハの裏面側に設け、ウエハの回転による遠心力で当該ノズルから吐出された洗浄液をウエハの裏面に広げて洗浄を行うウエハ洗浄装置について記載されている。

特開２０１３－１２０９１１号公報

本開示は、基板の裏面の周端を除く環状領域に処理液を供給して局所的な処理を行うことができる技術を提供する。

本開示の液処理方法は、基板の裏面の中心部をステージに載置し、当該ステージを回転させる工程と、
回転する前記基板の裏面における周端よりも中心寄りの位置にミスト状の処理液をノズルから供給し、当該処理液が遠心力によって当該基板の周端に供給されないように揮発させて、当該基板の裏面の環状領域を局所的に処理する工程と、
を含み、
前記ノズルの吐出口の前記基板への投影領域について、前記基板の径方向に沿った長さは、当該径方向に直交する方向の長さよりも小さい。

本開示は、基板の裏面の周端を除く環状領域に処理液を供給して局所的な処理を行うことができる。

本開示の一実施形態である液処理装置の縦断側面図である。前記液処理装置の平面図である。前記液処理装置による処理を示す工程図である。前記液処理装置による処理を示す工程図である。前記液処理装置による処理を示す工程図である。前記液処理装置による処理を示す工程図である。前記液処理装置による処理を示す工程図である。前記処理工程における洗浄液の様子を示す説明図である。前記処理工程における洗浄液の様子を示す説明図である。前記処理工程における洗浄液の様子を示す説明図である。前記処理工程における洗浄液の様子を示す説明図である。前記液処理装置に設けられるノズルの例を示す縦断側面図である。前記ノズルの吐出口と得との関係を示す平面図である。前記ノズルの他の例を示す側面図である。前記液処理装置の他の例を示す縦断側面図である。前記液処理装置のさらに他の例を示す平面図である。参考試験の結果を示す説明図である。比較試験の結果を示す説明図である。

本開示の液処理装置の一実施形態である液処理装置１について説明する。液処理装置１は、直径が例えば３００ｍｍの円形の基板であるウエハＷにおいて、裏面側の周縁部からウエハＷの側面を介して表面側の周縁部に亘る汚染防止膜Ｒを形成する。つまり、汚染防止膜ＲはウエハＷの裏面、表面の各々において周縁部を局所的に被覆すると共に、ウエハＷの周方向の全体に亘って形成される環状膜である。さらに汚染防止膜Ｒについて詳しく述べると、当該汚染防止膜Ｒは、例えば金属を含まないレジストにより構成される。そして、例えば後にスピンコートによってウエハＷの表面全体に金属を含有するレジストを塗布してレジスト膜を形成するにあたり、ウエハＷの周縁部が当該レジストに接して金属に汚染されることを防止するために形成される。

そして液処理装置１においては、この汚染防止膜Ｒの形成時や液処理装置１に搬送されるまでにウエハＷに付着した異物を除去するために、ウエハＷの裏面の中心部周りの環状領域に、洗浄液を供給する。後に詳述するが、この洗浄液によって汚染防止膜Ｒが除去されてしまうことを防止するために、当該洗浄液をミストの状態で供給できるように液処理装置１は構成されている。

以下、液処理装置１の構成について、縦断側面図である図１、平面図である図２を参照して説明する。図中１１はウエハＷを保持して回転させるステージをなすスピンチャックであり、ウエハＷの裏面の中心部を吸着してウエハＷを水平に保持する。スピンチャック１１は鉛直に伸びるシャフト１２を介して回転機構１３に接続されており、当該回転機構１３により、スピンチャック１１に保持されたウエハＷは鉛直軸周りに回転する。

図中２１は、スピンチャック１１に保持されたウエハＷを囲むカップである。カップ２１には排気管２２が接続されており、当該排気管２２を介して図示しない排気源により、ウエハＷの処理中にカップ２１の内部が排気される。図中２３は排気管２２に介設されるダンパーであり、後述の制御信号に従って当該ダンパーの開度が調整されることで、カップ２１内の排気量が調整される。図中２４は、カップ２１内から各種の液を除去するための排液管である。図中２５は昇降ピンであり、昇降機構２６によって昇降することで、図示しないウエハＷの搬送機構と、スピンチャック１１との間でウエハＷの受け渡しが行われる。

また、カップ２１内には上記のシャフト１２を囲むように水平な台３１が設けられており、当該台３１上には、下部膜形成用ノズル３２及び洗浄用ノズル４１が設けられている。これらのノズルはスピンチャック１１に載置されるウエハＷの下方にて、当該ウエハＷの回転方向に離れて位置している。下部膜形成用ノズル３２は、配管３３を介してレジスト供給機構３４に接続されている。レジスト供給機構３４は、バルブ、ポンプ、タンクなどを備え、当該タンクに貯留されたレジストを下部膜形成用ノズル３２に圧送する。下部膜形成用ノズル３２は、ウエハＷの中心側から外側に向かって斜め上方にレジストを吐出し、ウエハＷの裏面の周縁部に当該レジストを供給する。このレジストは、上記の汚染防止膜Ｒのうちの下側の部位を形成する。なお、図中３２Ａは下部膜形成用ノズル３２の吐出口である。

洗浄用ノズル４１は配管４２、４３を介して、洗浄液供給機構４４、空気供給機構４５に夫々接続されている。洗浄液は、例えばシンナーである。そして洗浄液供給機構４４、空気供給機構４５は、洗浄液、空気を洗浄用ノズル４１へ夫々供給することを除き、レジスト供給機構３４と同様に構成されている。従って、洗浄液供給機構４４、空気供給機構４５に各々含まれるバルブの開放により、洗浄用ノズル４１に洗浄液、空気が各々供給される。この洗浄用ノズル４１への洗浄液及び空気の供給は同時に行われ、当該洗浄用ノズル４１内で洗浄液は空気によって微細化、即ちミスト化される。即ち、空気はミスト形成用ガスである。なお、洗浄液供給機構４４、空気供給機構４５の各々のバルブの開度に応じた流量で、洗浄液及び空気は洗浄用ノズル４１に供給されるが、各バルブの開度についてはノズル内で洗浄液が適切な大きさに微細化されるように予め設定される。

そのように洗浄用ノズル４１で生じた当該洗浄液のミストは、ウエハＷの中心側から外側に向かうように斜め上方に吐出される。この洗浄液のミストはウエハＷの裏面において、スピンチャック１１に重なる領域の外側、且つ汚染防止膜Ｒが形成される位置よりもウエハＷの中心側の領域に供給される。

また、液処理装置１には上部膜形成用ノズル５１が設けられており、アーム５２の先端側に支持されている。アーム５２の基端側は移動機構５３に接続されており、移動機構５３により当該アーム５２は昇降する。また、当該移動機構５３はガイド５４に沿って水平移動する。この移動機構５３の動作によって、カップ２１の外側とウエハＷ上との間で上部膜形成用ノズル５１が移動可能である。

この上部膜形成用ノズル５１は、配管５５を介してレジスト供給機構５６に接続されている。レジスト供給機構５６はレジスト供給機構３４と同様に構成されており、このレジスト供給機構５６から圧送されたレジストを、上部膜形成用ノズル５１は鉛直下方に吐出する。当該上部膜形成用ノズル５１から吐出されたレジストは、上記の汚染防止膜Ｒのうちの上側の部位を形成する。

液処理装置１は、コンピュータからなる制御部１０を備えている。制御部１０はプログラムを備えており、当該プログラムは装置の各部に制御信号を送信し、後述の処理が実施されるようにステップ群が組まれている。具体的に、上記の制御信号により、各供給機構からノズルへの流体の給断、回転機構１３によるウエハＷの回転数、ダンパー２３の開度、昇降機構２６による昇降ピン２５の昇降などが制御される。上記のプログラムは記憶媒体、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、メモリーカード、ＤＶＤなどに格納されてインストールされる。

上記の液処理装置１により行われる一連の処理を、図３～図７の工程図を参照しながら説明する。また、ウエハＷの裏面に供給された洗浄液の様子を示した模式図である図８～図１１も適宜参照する。先ず、図示しない搬送機構により液処理装置１に搬送されたウエハＷの裏面の中心部がスピンチャック１１に吸着され、所定の回転数で当該ウエハＷが回転する。そして、下部膜形成用ノズル３２からウエハＷの裏面周縁部にレジストＲ０が吐出される。当該レジストＲ０は、ウエハＷの回転の遠心力によって当該ウエハＷの裏面から側方へ流れて乾燥し、下部膜Ｒ２が形成される（図３）。

下部膜形成用ノズル３２からのレジストの吐出が停止する。そして、上部膜形成用ノズル５１がレジストＲ０を吐出しながら、所定の回転数で回転するウエハＷの外側上方から、当該ウエハＷの周縁部上へ移動する。それにより、下部膜Ｒ２の上端からウエハＷの表面側の周縁部に亘って、レジストＲ０が供給される（図４）。その後、上部膜形成用ノズル５１からのレジストＲ０の吐出が停止し、上部膜形成用ノズル５１はウエハＷ上から退避する。当該上部膜形成用ノズル５１から吐出されたレジストＲ０が乾燥し、このレジストＲ０と下部膜Ｒ２とによって、上記した汚染防止膜Ｒが形成される（図５）。

そして、ウエハＷが所定の回転数で回転した状態で、洗浄用ノズル４１に空気及び洗浄液が供給され、当該洗浄用ノズル４１からミスト状の洗浄液が吐出される（図６、図８）。この洗浄液の液粒ＴがウエハＷの裏面に集まり、集合した液の一部は自重によりウエハＷから落下し、他の一部は液膜Ｔ０を形成してウエハＷの裏面に残る。この液膜Ｔ０は、ウエハＷの回転の遠心力によって当該ウエハＷの周縁部へ向けて広がり、ウエハＷの裏面に付着した異物Ｐに接する（図９）。異物Ｐはこの液膜Ｔ０に押し流されてウエハＷの裏面から脱離したり、液膜Ｔ０に溶解したりすることで、ウエハＷの裏面から除去される（図１０）。

洗浄液をミストの状態で吐出していることにより、ウエハＷの裏面において洗浄用ノズル４１が向かう位置に供給される単位時間あたりの洗浄液の量は比較的少なく、従って、当該位置における液膜Ｔ０は薄い。そして、ウエハＷの回転とカップ２１内の排気とによってウエハＷの周囲に形成される気流に曝されることで、液膜Ｔ０を形成するシンナーはウエハＷの周縁へ向かうにつれて揮発する。そのように揮発することで、ウエハＷの周縁側では液膜Ｔ０はさらに薄くなり、汚染防止膜Ｒに達しない。なお、図中の点線の矢印は揮発した洗浄液を表している。

このように、ウエハＷの裏面における液膜Ｔ０が形成される範囲（＝洗浄される範囲）としては、スピンチャック１１に重なる領域の外側から、汚染防止膜Ｒが形成される位置よりもウエハＷの中心寄りの位置との間における局所的な環状領域となる。然る後、洗浄用ノズル４１への空気及び洗浄液の供給が停止し、当該洗浄用ノズル４１からの洗浄液のミストの吐出が停止する（図１１）。そしてウエハＷの回転が停止し（図７）、当該ウエハＷは図示しない搬送機構により液処理装置１から搬出される。

上記のように液処理装置１では、ウエハＷの裏面のスピンチャック１１に重なる領域の外側における環状領域を洗浄するにあたり、回転するウエハＷに対して洗浄液をスプレーする。それにより、回転の遠心力により移動する洗浄液をウエハＷの周端に至るまでに揮発させて除去させ、汚染防止膜Ｒに当該洗浄液が供給されることを防ぐことができる。従って、汚染防止膜Ｒが洗浄液に接することで溶解したり、押し流されたりすることで、ウエハＷから除去されてしまうことが防止される。その結果としてウエハＷの周縁部の金属汚染が防止されるので、ウエハＷから製造される半導体製品の歩留りの低下が抑制される。

洗浄液の液膜Ｔ０の揮発を促進して汚染防止膜Ｒが除去されることをより確実に防ぐために、例えば下部膜形成用ノズル３２、上部膜形成用ノズル５１から各々レジストＲ０を吐出するときのダンパー２３の開度よりも、洗浄用ノズル４１から洗浄液を吐出するときのダンパー２３の開度を大きくしてもよい。つまり、汚染防止膜Ｒを形成するときのカップ２１内の排気量よりも洗浄を行うときのカップ２１内の排気量を大きくし、気流による揮発が促進されるようにすることができる。

また、下部膜形成用ノズル３２、上部膜形成用ノズル５１から各々レジストＲ０を吐出するときのウエハＷの回転数よりも、洗浄用ノズル４１から洗浄液を吐出するときのウエハＷの回転数を大きくし、ウエハＷの回転によって生じる気流による洗浄液の揮発が促進されるようにしてもよい。そのように洗浄液を吐出するときのウエハＷの回転数は、液膜Ｔ０の揮発が十分に進行して汚染防止膜Ｒとの接触が防止されるように、例えば１０００ｒｐｍ以上、好ましくは１５００ｒｐｍ以上である。

ところで、上記の洗浄用ノズル４１は例えば台３１上において、水平面に対する角度を変更自在、且つ当該台３１に対する高さを変更自在に設けられ、装置のユーザーが手動でこれらの角度及び高さについて変更することができ、ウエハＷにおける洗浄液の吐出位置が調整される。そのような構成により、ウエハＷの裏面において洗浄液が供給される領域の位置、及び当該領域の面積を調整することができる。

上記の洗浄用ノズル４１における角度（即ち、ウエハＷに対するノズルの向き）及び高さ（即ち、ウエハＷに対するノズルの位置）の変更が、駆動機構によって行われるようにしてもよい。図１２に示す装置の構成例は、その駆動機構として、回転機構６１及び昇降機構６２を備えている。洗浄用ノズル４１は回転機構６１に接続されており、回転機構６１は昇降機構６２に接続されている。昇降機構６２により回転機構６１が昇降する。そして回転機構６１により洗浄用ノズル４１は水平軸周りを旋回することで、水平面に対する角度が変更される。

そして、例えば上記の下部膜形成用ノズル３２が移動機構によってウエハＷの径方向に沿って移動可能に構成され、その移動が制御部１０によって制御されるようにする。つまり、下部膜形成用ノズル３２を移動可能にすることで、ウエハＷの裏面側における汚染防止膜Ｒの中心寄りの端部の位置が制御されるものとする。その場合、制御部１０は下部膜形成用ノズル３２の位置、即ち上記のウエハＷの裏面側における汚染防止膜ＲについてのウエハＷの中心寄りの端部の位置に応じて、上記の回転機構６１及び昇降機構６２の動作を制御し、ウエハＷの裏面における洗浄液のミストが供給される位置が変更されるようにしてもよい。

具体的には、例えば上記の汚染防止膜Ｒの端部がウエハＷの周端に近いほど、ウエハＷの裏面における洗浄液のミストの供給位置（洗浄用ノズル４１の吐出方向において当該ノズルの吐出口が向かう位置）もウエハＷの周端寄りに位置させて洗浄を行うようにする。そのようにミストの供給位置を制御することで、液膜Ｔ０が揮発により消失する位置を汚染防止膜Ｒの近傍として、汚染防止膜Ｒの形成時に異物Ｐが比較的付着しやすいと考えられる汚染防止膜Ｒの近傍付近を洗浄可能にすると共に、既述のように液膜Ｔ０が汚染防止膜Ｒに接することを防止することができる。

なお、回転機構６１及び昇降機構６２の両方の動作によりウエハＷの裏面におけるミストの供給位置が変更される構成としたが、いずれか一方のみを設けることで、当該ミストの供給位置が変化する構成としてもよい。また、このように洗浄位置を変化させるための洗浄用ノズル４１の駆動機構としては、回転機構６１、昇降機構６２として構成することに限られず、例えば台３１上における洗浄用ノズル４１の位置をウエハＷの径方向に沿って移動させる移動機構として構成されていてもよい。

ところで液処理装置１としてはウエハＷの洗浄のみが行われるように構成し、汚染防止膜Ｒの形成は他の装置によって形成されるものとし、さらに、搬送機構によって装置間でウエハＷを搬送することで汚染防止膜Ｒの形成と洗浄とが行われるようにしてもよい。そのように装置間をウエハＷが搬送されて処理され、且つ図１２で説明したように液処理装置１において、回転機構６１及び昇降機構６２を用いて洗浄液のミストの供給位置を変更する場合は、制御部１０は、上記の他の装置から下部膜形成用ノズル３２の位置についての情報を取得すればよい。つまり制御部１０については、上記の他の装置からウエハＷの裏面側の汚染防止膜Ｒの端部の位置を取得し、それに基づいて液処理装置１で処理を行う際の洗浄液のミストの供給位置を決定するようにすることができる。

また、上記の洗浄用ノズル４１の吐出口は、例えば比較的小さな円形であるが、そのような形状とすることには限られない。図１３に示す洗浄用ノズル４７は、吐出口の形状を除いて洗浄用ノズル４１と同様に構成されており、当該洗浄用ノズル４７に設けられる吐出口４７Ａの形状は、角型のスリット状である。なお、図１３において、ノズルの内部の黒点は洗浄液を、細長の線は空気を夫々示している。

上記の吐出口４７Ａを洗浄液の吐出方向に向けてウエハＷの裏面に投影した投影領域を４７Ｂとして、図１４に示している。この投影領域４７Ｂについて、ウエハＷの半径方向であるＸ方向の長さ、当該Ｘ方向に直交するＹ方向の長さを比べると、Ｘ方向における長さの方が小さい。従って、この洗浄用ノズル４７については、ウエハＷに対して単位時間あたりに比較的多くの量の洗浄液を供給することを可能にしつつ、ウエハＷの径方向における洗浄液のミストが供給される範囲が小さくなるように構成されている。そのように径方向におけるミストの供給範囲が小さいので、上記した液膜Ｔ０のウエハＷの径方向における広がりが抑制される。従って、この洗浄用ノズル４７を用いることで、汚染防止膜Ｒが除去されてしまうことを、より確実に抑制することができる。

なおこの図１３、図１４の例の他に、吐出口４７Ａとしては、例えば楕円形に開口したり、湾曲したスリット状に開口したりするように形成してもよい。そのように吐出口４７Ａを形成した場合も、投影領域４７Ｂについて、Ｘ方向の長さ＜Ｙ方向の長さ（より具体的にはＸ方向における一端と他端との間の長さ＜Ｙ方向における一端と他端との間の長さ）となるように、当該洗浄用ノズル４７を配置することが好ましい。

続いて図１５、図１６を参照して、他の実施形態である液処理装置７について、液処理装置１との差異点を中心に説明する。この液処理装置７には、ウエハＷに供給された洗浄液の揮発を促進させるための揮発促進機構が設けられている。この揮発促進機構としては、加熱部７１、７２、乾燥ガス供給部７３及び加熱ガス供給部８１を含んでいる。

加熱部７１は配管４２に介設されており、当該配管４２を洗浄用ノズル４１に向けて流れる洗浄液の液流を加熱するヒーターを備えている。また、加熱部７２は配管４３に介設されており、当該配管４３を洗浄用ノズル４１に向けて流れる空気を加熱するヒーターを備えている。

乾燥ガス供給部７３は、乾燥ガスノズル７４及び乾燥ガス供給機構７５を備えている。乾燥ガスノズル７４は台３１上において、洗浄用ノズル４１とはウエハＷの回転方向に離れた位置に設けられており、ウエハＷの中心部側から周縁部側に向けて斜め上方に乾燥ガスを吐出する。この乾燥ガスはウエハＷの裏面に沿って流れて液膜Ｔ０の乾燥を促進させるためのものであり、そのような目的から、ウエハＷの裏面における乾燥ガスが供給される位置（乾燥ガスノズル７４の吐出口が向かう位置）は、汚染防止膜Ｒの端よりもウエハＷの中心寄りの位置である。乾燥ガス供給機構７５は、乾燥ガスとして例えばＮ_２（窒素）ガスを、乾燥ガスノズル７４に供給することを除いて、空気供給機構４５と同様に構成されている。

続いて、加熱ガス供給部８１について説明する。当該加熱ガス供給部８１は、ガスノズル８２、配管８３、加熱部８４、ガス供給機構８５、アーム８６及び移動機構８７を備えている。移動機構８７は、移動機構５３と同様にアーム８６を昇降させ、且つガイド５４に沿って移動する。それによりアーム８６の先端に設けられるガスノズル８２が、ウエハＷの中心部上とカップ２１の外側との間で移動する。

また、ガスノズル８２とガス供給機構８５とが、配管８３を介して接続されている。そして、ガス供給機構８５は乾燥ガス供給機構７５と同様に構成されており、ガスノズル８２に向けてＮ_２ガスを供給する。配管８３にはヒーターを備える加熱部８４が介設されており、当該Ｎ_２ガスはガスノズル８２に向かう途中で、ウエハＷの周囲の温度よりも高い温度となるように加熱され、ガスノズル８２から鉛直下方に向けて加熱ガスとして吐出される。

液処理装置７では、液処理装置１と同様の手順で汚染防止膜Ｒが形成された後、洗浄用ノズル４１に向けて洗浄液、空気が各々供給される。この洗浄液及び空気は加熱部７１、７２で夫々加熱されて洗浄用ノズル４１に供給されることで、洗浄用ノズル４１からは回転するウエハＷに対して、当該ウエハＷの周囲の温度よりも高い温度とされた洗浄液のミストが吐出され、図８～図１１で説明したようにウエハＷの洗浄が行われる。この洗浄液のミストは温度が比較的高いので、このミストから形成される既述の液膜Ｔ０は揮発しやすい。従って、当該液膜Ｔ０によって汚染防止膜Ｒが除去されることが、より確実に防止される。また、温度が高いために液膜Ｔ０の洗浄作用は高く、ウエハＷの裏面において異物Ｐがより確実に除去される。

また液処理装置７では、上記の洗浄用ノズル４１からのミスト状の洗浄液の吐出に並行して、ガスノズル８２によるウエハＷの表面の中心部への加熱されたＮ_２ガス（加熱ガス）の供給と、乾燥ガスノズル７４によるウエハＷの裏面へのＮ_２ガス（乾燥ガス）の供給と、が行われる。加熱ガスはウエハＷの回転による遠心力とカップ２１内の排気とによって、当該ウエハＷの表面を中心から周縁へ向けて広がる。この加熱ガスに曝されて、ウエハＷが加熱されることで、洗浄液のミストによる洗浄効果が高くなると共に、上記の洗浄液の液膜Ｔ０の揮発が促進される。また、乾燥ガスがウエハＷの回転による遠心力とカップ２１内の排気とによって、当該ウエハＷの周縁へ向かって流れる。液膜Ｔ０はこの乾燥ガスに曝され、揮発が促進される。このように加熱ガス、乾燥ガスの各々の作用によっても、液膜Ｔ０の乾燥が促進され、当該液膜Ｔ０による汚染防止膜Ｒの除去が、より確実に防止される。

既述した加熱部７１、７２、乾燥ガス供給部７３及び加熱ガス供給部８１のうちのいずれかを設けて、洗浄液の揮発が促進されるようにしてもよい。また、上記の加熱ガス及び乾燥ガスはＮ_２ガスであることに限られず、例えばＡｒ（アルゴン）などの他の不活性ガスや空気であってもよい。また、ウエハＷを加熱することで当該洗浄液の揮発を促進するにあたっては、加熱ガス供給部８１を設けることには限られない。例えばスピンチャック１１にヒーターを埋設して、ウエハＷを加熱してもよい。その他に、台３１にＬＥＤなどにより構成される光照射部を設け、ウエハＷの裏面に光を照射することでウエハＷを加熱してもよい。

洗浄用ノズル４１に供給するガスとしては、洗浄液をミスト化できればよいので空気に限られず、例えばＮ_２ガスなどの不活性ガスであってもよい。また、ウエハＷの洗浄を行うにあたり、汚染防止膜Ｒが形成されてないウエハＷに対して行い、洗浄液がウエハＷの周端に供給されないように処理を行ってもよい。そして、洗浄液としてはシンナーに限られず、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）や純水などであってもよい。

なお、上記のようにウエハＷの洗浄を行うにあたり、微量の洗浄液が汚染防止膜Ｒに供給され、当該汚染防止膜Ｒの表面の一部が当該洗浄液により除去されたとしても、洗浄終了後のウエハＷの裏面の周縁部において、周方向の全体が汚染防止膜Ｒにより被覆されていればよい。つまり、汚染防止膜ＲがウエハＷの裏面から除去されないように洗浄液を揮発させることには、汚染防止膜Ｒの一部のみが除去されるように洗浄処理が行われる場合が含まれる。

また、ウエハＷの処理としては洗浄に限られず、例えば塗布液を供給し、ウエハＷに環状に塗布膜を形成してもよい。その場合にはウエハＷにミスト状に供給された塗布液を構成する溶剤がウエハＷの周端に至るまでに揮発することで、ウエハＷの裏面の周端を除く局所的な環状領域に塗布膜を形成することができる。

上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更または組み合わせが行われてもよい。

（参考試験）
参考試験として、ウエハＷの裏面全体にレジスト膜を形成し、液処理装置１によって当該ウエハＷの裏面の洗浄処理を行った。そして、洗浄処理後のウエハＷについて撮像した。また比較試験として、ウエハＷの裏面全体にレジスト膜を形成し、比較試験用の液処理装置により、当該ウエハＷの裏面の洗浄処理を行い、洗浄処理後のウエハＷについて撮像した。この比較試験用の液処理装置については、洗浄用ノズルから洗浄液が液流として吐出されることを除き、液処理装置１と同様の構成である。

図１７が参考試験で取得された画像、図１８が比較試験で取得された画像を夫々示している。各図中の白い部分が、ウエハＷにおけるレジスト膜が除去された領域、グレーの部分が残留したレジスト膜を夫々示している。図１８に示すように、比較試験ではウエハＷの裏面の中心部よりも外側の位置から周端に亘ってレジスト膜が除去されているが、図１７に示すように、参考試験ではウエハＷの周端部にレジスト膜が残留している。従ってこの参考試験からは、既述したようにミスト状の洗浄液をウエハＷの裏面に吐出することで、ウエハＷの周端への当該洗浄液の供給を防止することが可能であることが確認された。

Ｔ液流
Ｗウエハ
１１スピンチャック
４１洗浄用ノズル

Claims

基板の裏面の中心部をステージに載置し、当該ステージを回転させる工程と、
回転する前記基板の裏面における周端よりも中心寄りの位置にミスト状の処理液をノズルから供給し、当該処理液が遠心力によって当該基板の周端に供給されないように揮発させて、当該基板の裏面の環状領域を局所的に処理する工程と、
を含み、
前記ノズルの吐出口の前記基板への投影領域について、前記基板の径方向に沿った長さは、当該径方向に直交する方向の長さよりも小さい液処理方法。
前記処理液は、前記基板の裏面を洗浄する洗浄液である請求項１記載の液処理方法。
前記基板の裏面において周縁部を局所的に被覆する環状膜を形成する工程を含み、
前記環状領域を局所的に処理する工程は、
当該環状膜が除去されないように前記処理液を揮発させる工程を含む請求項１または２記載の液処理方法。
前記処理液が前記基板に供給されるときに、当該基板を加熱する工程を含む請求項１ないし３のいずれか一つに記載の液処理方法。
前記基板を加熱する工程は、当該基板を加熱するための加熱ガスを前記基板の表面に供給する工程を含む請求項４記載の液処理方法。
前記環状領域を局所的に処理する工程は、
前記処理液の液流と、当該処理液をミスト化するためのミスト形成用ガスとを前記ノズルに同時に供給する工程を含み、
当該ノズルに供給される前記処理液の液流または前記ミスト形成用ガスを加熱する工程を含む請求項１ないし５のいずれか一つに液処理方法。
前記ミスト状の処理液を前記基板に供給するときに、当該処理液の揮発を促進させるための乾燥ガスを当該基板の裏面に供給する工程を含む請求項１ないし６のいずれか一つに記載の液処理方法。
前記ステージに載置される前記基板の状態に応じて、前記ノズルについての当該基板に対する位置または当該基板に対する向きを駆動機構により変更して、前記基板における前記ミスト状の処理液が供給される位置を変更する工程を含む請求項１ないし７記載の液処理方法。
前記基板の裏面において周縁部を局所的に被覆する環状膜を形成する工程を含み、
前記基板の状態とは、前記環状膜についての当該基板の中心寄りの端部の位置である請求項８記載の液処理方法。
基板の裏面の中心部を載置するステージと、
当該ステージを回転させる回転機構と、
前記基板の周端に遠心力により処理液が供給されずに揮発するように、回転する前記基板の裏面における周端よりも中心寄りの位置にミスト状の処理液を供給して、当該基板の裏面の環状領域を局所的に処理するためのノズルと、
を備え、
前記ノズルの吐出口の前記基板への投影領域について、前記基板の径方向に沿った長さは、当該径方向に直交する方向の長さよりも小さい液処理装置。