JP7508476B2 - 堆積マスク並びに堆積マスクを製造及び使用する方法 - Google Patents

Description

背景
分野
［０００１］ここに記載の例は、概して、半導体処理の分野に関し、より具体的には、半導体処理において使用される堆積マスクに関し、それを製造する方法及び使用する方法を含む。

関連技術の説明
［０００２］マスク（例えば、ハードマスク）は、半導体処理の様々なプロセスで使用できる。マスクは、エッチングプロセス中に一般に使用されてきた。基板上に材料を選択的に堆積するために利用されるマスクが開発されている。そのような場合、マスクは、マスクを通して形成された開口部の所定のパターンを有することができ、開口部に対応する位置でマスクの下の基板上に材料を堆積させることができる。しかしながら、選択的堆積にマスクを使用する場合、堆積される材料のパターンの寸法が課題を創出する可能性がある。半導体デバイスの寸法が減少し続ける可能性があることを考慮すれば、そのような課題は、対処しなければ増幅する可能性がある。

［０００３］本開示のいくつかの実施例は、堆積マスクを形成するための方法を含む。マスク層は基板上に堆積される。マスク開口部は、マスク層を通ってパターン化される。基板の中央部分が除去されて、基板の周辺部分を通る基板開口部が画定される。マスク層を通るマスク開口部を備えたマスク層は、基板開口部を横切って延在する。

［０００４］本開示のいくつかの実施例は、堆積マスクを含む半導体処理構造体を含む。堆積マスクは、環状基板と環状基板上のマスク層とを含む。環状基板は、環状基板を通る基板開口部を有する。マスク層は、基板の開口部を横切って延在している。マスク層は、マスク層を通り、基板開口内に整列されたマスク開口部を有する。

［０００５］本開示のさらなる例には、半導体処理のための方法が含まれる。デバイス基板と堆積マスクは、基板キャリア装置に固定される。堆積マスクはデバイス基板に固定される。堆積マスクは、環状基板と環状基板上のマスク層とを含む。環状基板は、環状基板を通る基板開口部を有する。マスク層は、基板の開口部を横切って延在する。マスク層は、マスク層を通り、基板開口内に整列されたマスク開口部を有する。デバイス基板及びその中に固定された堆積マスクを備えた基板キャリア装置は、半導体処理チャンバに輸送される。半導体処理チャンバでは、基板開口部とマスク開口部とを介してデバイス基板上に材料が堆積される。

［０００６］本開示の上述の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約されたより具体的な説明は、実施例を参照することによって得ることができ、一部の実施例は、添付の図面に例示されている。しかしながら、添付の図面は一部の実施例のみを示しており、それ故、本開示は他の同等に効果的な実施例が認められるように、本開示の範囲を限定するものと見なされるべきではないことに留意されたい。

［０００７］いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための処理フローである。 いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための処理フローである。 いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための処理フローである。 いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための処理フローである。 いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための処理フローである。 ［０００８］いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための別の処理フローである。 いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための別の処理フローである。 いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための別の処理フローである。 いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための別の処理フローである。 いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための別の処理フローである。 ［０００９］いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための別の処理フローである。 いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための別の処理フローである。 いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための別の処理フローである。 Ａ及びＢは、いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための別の処理フローである。 Ａ及びＢは、いくつかの実施例による、堆積マスクを形成するための別の処理フローである。 Ａ及びＢは、いくつかの実施例による、堆積マスクを形成するための別の処理フローである。 Ａ及びＢいくつかの実施例による、堆積マスクを形成するための別の処理フローである。 Ａ及びＢは、いくつかの例による、堆積マスクを形成するための別の処理フローである。 ［００１０］いくつかの実施例による堆積マスクのそれぞれ正面図及び背面図である。 いくつかの実施例による堆積マスクのそれぞれ正面図及び背面図である。 ［００１１］いくつかの実施例による基板キャリア装置内の堆積マスクである。 ［００１２］いくつかの実施例による半導体を処理する方法のフローチャートである。

［００１３］理解を容易にするため、可能な場合、図に共通する同一の要素を指し示すために同一の符号が使用されている。

［００１４］概して、ここに記載の例は、堆積マスク並びにそのような堆積マスクを製造及び使用する方法に関する。ここに記載の例示的な堆積マスクは、堆積マスクが使用される堆積プロセス中に有益であり得る特性を有することができる。

［００１５］材料の選択的堆積のための堆積マスクが開発されている。一例として、有機光導電性フィルム（ＯＰＦ）を利用する画像センサなどの画像センサ内の異なるそれぞれのピクセルに対して、異なる有機材料を選択的に堆積させることができる。特定のピクセル（例えば、赤色光を感知するため）は、第１の有機材料を利用することができ、他のピクセル（例えば、緑色光又は青色光を感知するため）は、第２の異なる有機材料を利用することができる。堆積マスクは、いくつかのピクセルについて基板上に第１の有機材料を堆積するための選択的堆積プロセス中に使用でき、一方、他のピクセルについて基板上に第２の有機材料を堆積するための別の選択的堆積プロセス中に別の堆積マスクを使用することができる。

堆積された材料が開口部を介して堆積される、狭い幅（例えば、小さなピクセルサイズの場合）及び比較的大きな深さを有するその開口部を有する堆積マスクを使用する堆積中に、課題が観察された。このような状況では、材料が堆積される開口部は大きなアスペクト比を有し、材料は堆積マスク上に堆積する可能性もある。アスペクト比が大きいため、堆積マスクに堆積された材料は、開口部の角にピンチオフを引き起こし、堆積されている材料が堆積のターゲットである基板に到達するのを妨げる可能性がある。

［００１７］ここに記載のいくつかの実施例は、比較的薄いマスク層を提供することによって、より低いアスペクト比を有する開口部を有する堆積マスクを提供することができる。薄いマスク層は、マスク層を通る開口部が低下された深さを有することを可能にし、したがって、より低いアスペクト比を有する。アスペクト比が低いと、開口部でピンチオフが発生するリスクを低減することができる。したがって、堆積されている材料は、堆積のターゲットである基板に到達する可能性が高くなる。

［００１８］ここに記載のいくつかの実施例は、抵抗性発熱体を含む堆積マスクを提供することができる。抵抗性発熱体は、堆積プロセス中に流れる電流を有することができ、これにより、堆積マスクの温度が上昇する可能性がある。堆積マスクの温度が上昇すると、堆積マスクへ上の材料の堆積を減少させることができる。堆積が減少すると、開口部でピンチオフが発生するリスクを減らすことができる。したがって、堆積されている材料は、堆積のターゲットである基板に到達する可能性が高くなる。

［００１９］さらに、ここに記載の堆積マスクを形成する方法は、半導体処理で一般的に使用され得る処理を使用することを含むことができる。したがって、堆積マスクは、ユビキタスツール及び半導体処理を使用して形成することができる。

［００２０］様々な例を以下に説明する。異なる例の複数の機能を処理フロー又はシステムで一緒に説明することができるが、複数の機能はそれぞれ、別々に又は個別に、及び／又は異なる処理フロー又は異なるシステムで実施できる。さらに、様々な処理フローが順番に実行されると説明されており；他の例は、処理フローを様々な順序で、及び／又より多くの又はより少ない操作で実施できる。

［００２１］堆積マスクを形成するためのいくつかの実施例示的な処理フローを以下に提供する。処理フローに対応する図が提供される。当業者は、様々な処理中に、形成された堆積マスク及び／又は堆積マスクを形成するために使用される基板が、基板の表面及び裏面の両方から処理され得ることを容易に理解するであろう。基板の配置は、処理全体を通して同じに図に示されているが、当業者は、様々な処理の間に配置を変化させることができることを理解するであろう。さらに、当業者は、図示されていないが、キャリア基板を使用して（例えば、紫外線（ＵＶ）接着剤のような接着剤と共に）、様々なプロセス中に堆積マスク及び／又は基板を機械的に支持できることを理解するであろう。

［００２２］図１～図５は、いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための処理フローを示している。図１は、基板１００上での層の形成を示している。基板１００は、半導体（例えば、シリコン）基板、ガラス基板、サファイア基板、窒化チタン基板、又は任意の他の基板などの任意の基板であり得る。基板１００は、一般に、図１～図５の処理フローによって形成された堆積マスクを使用して材料が堆積される基板のサイズに対応するサイズを有する。例えば、基板１００は、堆積マスクを使用して材料が堆積される基板の直径（円形の場合）以上の直径（円形の場合）を有することができる。いくつかの実施例では、基板１００はシリコンウエハである。

［００２３］第１の保護層１０２が基板１００上に堆積される。第１の保護層１０２は、複数の機能を提供することができる。第１の保護層１０２は、後続の層を堆積するためのシード層であり得る。第１の保護層１０２は、第１の保護層１０２上に形成された層の拡散バリア層であり得る。第１の保護層１０２はまた、隣接する層及び材料にエッチング選択性を提供することにより、エッチング停止層として機能することができる。第１の保護層１０２は、任意の適切な材料であり得る。第１の保護層１０２は、金属、絶縁材料、若しくは任意の他の材料であり得るか、又はそのような材料を含み得る。いくつかの実施例では、第１の保護層１０２は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、若しくは任意の他の適切な材料であり得るか、又はそのような材料を含み得る。第１の保護層１０２は、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）などの任意の適切な堆積プロセスによって堆積することができる。

［００２４］マスク層１０４は、第１の保護層１０２上に堆積される。マスク層１０４は、引張応力で形成することができ、これは、マスク層１０４で形成された堆積マスクの構造的完全性を助けることができる。マスク層１０４は、任意の適切な材料であり得る。マスク層１０４は、隣接する材料に対して選択的にエッチングすることができる材料であるか、又はそれを含むことができる。マスク層１０４は、材料の単層であり得るか、又は様々な材料の複数の層であり得る。いくつかの実施例では、マスク層１０４は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、若しくは任意の他の適切な材料であり得るか、又はそのような材料を含み得る。マスク層１０４は、金属、絶縁材料、若しくは任意の他の材料であり得るか、又はそのような材料を含み得る。マスク層１０４は、ＰＶＤ、ＣＶＤなどの任意の適切な堆積プロセスによって堆積することができる。

［００２５］第２の保護層１０６は、マスク層１０４上に堆積される。第２の保護層１０６は、複数の機能を提供することができる。第２の保護層１０６は、マスク層１０４の拡散バリア層であり得る。第２の保護層１０６はまた、マスク層１０４及びその上にある層でエッチング選択性を提供することにより、エッチング停止層として機能することができる。第２の保護層１０６は、任意の適切な材料であり得る。第２の保護層１０６は、金属、絶縁材料、若しくは任意の他の材料であり得るか、又はそのような材料を含み得る。いくつかの実施例いくつかの実施例では、第２の保護層１０６は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、若しくは任意の他の適切な材料であり得るか、又はそのような材料を含み得る。第２の保護層１０６は、ＰＶＤ、ＣＶＤなどの任意の適切な堆積プロセスによって堆積することができる。

［００２６］スペーサ層１０８は、第２の保護層１０６上に堆積される。スペーサ層１０８は、形成される堆積マスクと、堆積マスクを使用して材料が堆積される下にある基板との間に十分な間隔を提供することができるスペーサ要素に形成することができる。したがって、スペーサ層１０８は、ターゲット間隔に対応する厚さを有することができる。スペーサ層１０８は、任意の適切な材料であり得る。スペーサ層１０８は、金属、絶縁材料、若しくは任意の他の材料であり得るか、又はそのような材料を含み得る。いくつかの実施例では、スペーサ層１０８は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、若しくは任意の他の適切な材料であり得るか、又はそのような材料を含み得る。スペーサ層１０８は、ＰＶＤ、ＣＶＤなどの任意の適切な堆積プロセスによって堆積することができる。

［００２７］ここでの参照を容易にするために、層１０２、１０４、１０６、１０８が堆積される基板１００の側は、基板１００の前面と呼ばれることがあり、基板１００及び層１０２、１０４、１０６、１０８を前面方向に（例えば、基板１００を介さずに）処理することは、前面処理と呼ばれることがある。したがって、図１の処理は、前面処理と呼ばれることがある。逆に、基板１００の表側と反対側の基板１００の側は、基板１００の裏面と呼ばれることがあり、基板１００及び層１０２、１０４、１０６、１０８の裏面方向への処理は、裏面処理と呼ばれることがある。同様の規則を使用して、他の処理フローを説明することもできる。

［００２８］図２は、基板１００を通る基板開口部を画定するための基板１００の中央部分の除去を示している。基板１００の中央部分は、適切なフォトリソグラフィー及びエッチングプロセスを使用して除去することができる。例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を使用して、基板１００をエッチングすることができる。基板１００の残りの外側又は周辺部分は、堆積マスクパターンが形成される領域に外接することができる。基板１００の残りの外側又は周辺部分は、環状基板と呼ばれることもある。ここで使用される場合、環状という用語は、円形の閉じた形状に限定されず、例えば、長方形、多角形などの他の閉じた形状を含み得る。基板１００の中央部分の除去は、裏面処理によることができる。

［００２９］図３は、スペーサ層１０８のスペーサ要素へのパターン化を示している。スペーサ層１０８は、堆積マスクパターンが形成される領域で除去された部分を有することができる。例えば、スペーサ層１０８の部分は、基板１００の残りの外側部分又は周辺部分に垂直に（図において）対応する外側部分で残しておくことができる。さらに、堆積マスクのためにマスク開口部が形成されない広い領域は、スペーサ層１０８のそれぞれの部分を残しておくことができる。一例として、堆積マスクが、材料が堆積される各デバイス又はダイのパターンを有する場合、スペーサ層１０８の一部が残っている広い領域は、各デバイス又はダイの間にあり得る（例えば、スクライブライン領域に対応する）。スペーサ層１０８は、ＲＩＥなどの適切なフォトリソグラフィプロセス及びエッチングプロセスを使用してパターン化することができる。

［００３０］図４は、第２の保護層１０６、マスク層１０４、及び第１の保護層１０２をパターン化して、層１０２、１０４、１０６を通るマスク開口部を形成することを示している。マスク開口部は、堆積マスクを使用して堆積される材料のパターンに対応し、マスク開口部は、基板１００を通る基板開口部内に位置合わせされる。層１０６、１０４、１０２は、適切なフォトリソグラフィプロセス及びエッチングプロセス（ＲＩＥなど）を使用してパターン化することができ、これは、前面処理又は裏面処理を使用して実行することができる。

［００３１］図５は、第１の保護層１０２及び第２の保護層１０６の露出部分の除去を示している。いくつかの実施例では、第２の保護層１０６の露出部分は、前面処理中に、ＲＩＥなどの乾燥異方性エッチングプロセスを使用して除去され、第１の保護層１０２の露出部分は、裏面処理中に、ＲＩＥなどの乾式異方性エッチングプロセスを使用して除去される。いくつかの実施例では、第１の保護層１０２及び第２の保護層１０６の両方の露出部分は、等方性エッチングプロセス（湿式プロセス又は乾式プロセスであり得る）を使用するなど、同じプロセスステップで除去される。

［００３２］したがって、図５に示すように、堆積マスクを形成できる。マスク層１０４は、それによって、図４に関して説明された処理によってパターンに形成されるマスク開口部を有する。マスク層１０４を通るマスク開口部は、例えば、マスク層１０４上に堆積されている材料によって開口部をピンチオフすることなく、開口部を通って別の基板への材料の堆積を可能にするのに十分に低い、幅（例えば、深さに対して垂直な寸法）に対する深さ（例えば、マスク層１０４の厚さ、又はマスク層１０４の主平面に垂直な開口部の寸法）のアスペクト比を有することができる。いくつかの実施例では、開口部のアスペクト比は１：１以下であり得る。いくつかの実施例では、マスク層１０４の厚さ、したがって開口部の深さは、約２μｍ～約３μｍの範囲にあり得、開口部の幅は、約２μｍ～約３μｍの範囲にあり得る。いくつかの実施例では、開口部の幅は、マスク層１０４の厚さよりも大きくすることができる。

［００３３］基板１００の残りの外側又は周辺部分は、マスク層１０４のパターン化された部分に外接する。したがって、基板１００の残りの外側又は周辺部分は、堆積マスクを取り扱い及び輸送するために、マスク層１０４に機械的支持を提供することができる。マスク層１０４の引張応力は、基板１００を通る基板開口部を横切って延在するマスク層１０４の剛性を維持することができる。

［００３４］図６～図１０は、いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための別の処理フローを示している。第１の保護層１０２、マスク層１０４、第２の保護層１０６、及びスペーサ層１０８は、図１に関して且つ図１に示されるように、基板１００上に堆積される。

［００３５］図６及び図７では、前面処理は、スペーサ層１０８が図３に関する上記のようにパターン化され、第２の保護層１０６、マスク層１０４、及び図４に関する上記のように第１の保護層１０２がパターン化されることで継続する。図８は、前面処理中に、ＲＩＥなどの乾式異方性エッチングプロセスを使用することによるなど、第２の保護層１０６の露出部分の除去を示している。

［００３６］図９では、裏面処理において、基板１００の中央部分は、図２に関する上記のように除去される。図１０は、裏側処理中に、ＲＩＥなどの乾式異方性エッチングプロセスを使用することによるなど、第１の保護層１０２の露出部分の除去を示している。図１０に示される堆積マスクは、上記の図５の堆積マスクと同じ又は類似の特性及び特性を有することができる。

［００３７］図１１～図１３、図１４Ａ、図１４Ｂ、図１５Ａ、図１５Ｂ、図１６Ａ、図１６Ｂ、図１７Ａ、図１７Ｂ、図１８Ａ、及び図１８Ｂは、いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための別の処理フローを示している。図１９は、形成された堆積マスクの正面図を示し、図２０は、形成された堆積マスクの背面図を示している。図１９と図２０は、互いに垂直な断面Ａ－ＡとＢ－Ｂを示している。断面Ａ－Ａは、処理中の「Ａ」の符号で終わる図に対応し、断面Ｂ－Ｂは、処理中の「Ｂ」の符号で終わる図に対応している。

［００３８］図１１は、基板２００上での層の形成を示している。基板２００は、基板１００について前述したように、任意の基板であり得る。第１の保護層２０２は、第１の保護層１０２について前述したように、基板２００上に堆積される。

［００３９］第１の導電性マスク層２０４は、第１の保護層２０２上に堆積される。絶縁体マスク層２０６は、第１の導電性マスク層２０４上に堆積される。第２の導電性マスク層２０８は、絶縁体マスク層２０６上に堆積される。第１の導電性マスク層２０４、絶縁体マスク層２０６、及び第２の導電性マスク層２０８のそれぞれは、マスク層２０４、２０６、２０８で形成された堆積マスクの構造的完全性を助けることができる引張応力で形成することができる。第１の導電性マスク層２０４及び第２の導電性マスク層２０８はそれぞれ、例えば、抵抗性加熱要素を形成するために使用され得る任意の適切な導電性材料であり得る。第１の導電性マスク層２０４及び第２の導電性マスク層２０８はそれぞれ、隣接する材料に対して選択的にエッチングすることができる材料であるか、又はそのような材料を含むことができる。いくつかの実施例では、第１の導電性マスク層２０４及び第２の導電性マスク層２０８はそれぞれ、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、若しくは任意の他の金属などの金属であるか、又はそのような金属を含むことができる。絶縁体マスク層２０６は、第１の導電性マスク層２０４と第２の導電性マスク層２０８との間の任意の電気絶縁材料であり得る。絶縁体マスク層２０６はまた、第１の導電性マスク層２０４及び第２の導電性マスク層２０８に対して選択的にエッチングすることができる材料であり得るか、又はそのような材料を含み得る。いくつかの実施例では、絶縁体マスク層２０６は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、若しくは任意の他の絶縁材料であり得るか、又はそのような材料を含み得る。マスク層２０４、２０６、２０８は、ＰＶＤ、ＣＶＤなどの任意の適切な堆積プロセスによって堆積することができる。

［００４０］明らかになるように、第１の導電性マスク層２０４は、電流が流れ、上昇した温度又は熱を生成する抵抗性加熱要素に形成される。第１の導電性マスク層２０４は、電流が断面Ａ－Ａに平行な平面を流れるようにパターン化されるべきである。同様に、第２の導電性マスク層２０８もまた、電流が流れ、上昇した温度又は熱を生成する抵抗性加熱要素に形成される。第２の導電性マスク層２０８は、電流が断面Ｂ－Ｂに平行な平面内を流れるようにパターン化されるべきである。絶縁体マスク層２０６は、導電性マスク層２０４、２０８がそれぞれの抵抗性加熱要素として使用される場合、第１の導電性マスク層２０４と第２の導電性マスク層２０８との間の電気的絶縁を提供する。

［００４１］第２の保護層２１０は、第２の保護層１０６について前述したように、第２の導電性マスク層２０８上に堆積される。スペーサ層２１０について前述したように、スペーサ層２１２が第２の保護層２１０上に堆積される。

［００４２］図１２は、図２に関して基板１００について前述したように、基板２００の中央部分の除去を示している。図１３は、図３に関してスペーサ層１０８について前述したように、スペーサ層２１２のパターン化を示している。

［００４３］図１４Ａ及び図１４Ｂは、第２の保護層２１０、第２の導電性マスク層２０８、及び絶縁体マスク層２０６のパターン化を示している。図１４Ａ及び図１４Ｂのパターン化は、第２の保護層２１０、第２の導電性マスク層２０８、及び絶縁体マスク層２０６を通る断面Ｂ－Ｂに平行な（且つ断面Ａ－Ａに垂直な）ｂ方向トレンチを形成する。したがって、パターン化は、第２の保護層２１０、第２の導電性マスク層２０８、及びパターン化された領域の断面Ｂ－Ｂに平行な絶縁体マスク層２０６のｂ方向の線を形成する。さらに、パターン化は、図１４Ａに示されるように、第２の保護層２１０、第２の導電性マスク層２０８、及び絶縁体マスク層２０６のいくつかの横方向外側部分を除去して、第１の導電性マスク層２０４の接触領域２１４を露出させる。図１４Ｂに示されるように、第２の導電性マスク層２０８の他のいくつかの横方向に外側の部分が残り、これは、第２の導電性マスク層２０８の接触領域を形成することができる。

［００４４］図１５Ａ及び図１５Ｂは、前面処理中に、ＲＩＥなどの乾式異方性エッチングプロセスを使用することによるなど、第２の保護層２１０の露出部分の除去を示している。図１５Ｂに示されるように、第２の保護層２１０の露出部分の除去は、第２の導電性マスク層２０８の接触領域２１６を露出させる。

［００４５］図１６Ａ及び図１６Ｂは、第１の保護層２０２、第１の導電性マスク層２０４、及び絶縁体マスク層２０６のパターン化を示している。図１６Ａ及び図１６Ｂのパターン化は、第１の保護層２０２、第１の導電性マスク層２０４、及び絶縁体マスク層２０６を通る断面Ａ－Ａに平行な（且つ断面Ｂ－Ｂに垂直な）方向トレンチを形成する。したがって、パターン化は、第１の保護層２０２、第１の導電性マスク層２０４、及びパターン化された領域の断面Ａ－Ａに平行な絶縁体マスク層２０６の方向線を形成する。ａ方向トレンチとｂ方向トレンチの交点は、堆積マスクのマスク開口部を形成する。図示のように、マスク層２０４、２０６、２０８を個別に通って延在するトレンチはない。ａ方向のトレンチとｂ方向のトレンチの交点で、トレンチが結合してマスク開口部を形成する。

［００４６］図１７Ａ及び図１７Ｂは、裏側処理中に、ＲＩＥなどの乾式異方性エッチングプロセスを使用することによるなど、第１の保護層２０２の露出部分の除去を示している。

［００４７］図１８Ａ及び図１８Ｂは、支持マトリックス２１８の形成を示している。支持マトリックス２１８は、裏面処理によって、基板開口部及び第１の導電性マスク層２０４上に形成することができる。支持マトリックス２１８は、図２０に示されるように、基板２００の外側部分又は周辺部分の対向するセクションの間で、基板２００の基板開口部を横切って橋渡しすることができる。支持マトリックス２１８は、マスク開口部が形成されていない第１の導電性マスク層２０４の広い領域上に形成することができる。一例として、堆積マスクが、材料が堆積される各デバイス又はダイのパターンを有する場合、広い領域は、支持マトリックス２１８の一部が配置される各デバイス又はダイの間にあり得る（例えば、スクライブライン領域に対応する）。したがって、支持マトリックス２１８は、マスク層２０４、２０６、２０８に追加の機械的支持を提供することができる。支持層は、ＰＶＤ、ＣＶＤなどのような任意の適切な堆積プロセスによって堆積され得、そして適切なリソグラフィプロセス及びＲＩＥのようなエッチングプロセスなどによって、支持マトリックス２１８にパターン化され得る。

［００４８］図１９及び図２０は、それぞれ、堆積マスクの正面図及び背面図を示している。マスク開口部は、ａ方向のトレンチ（図１６Ａ及び図１６Ｂに関して形成される）及びｂ方向のトレンチ（図１４Ａ及び図１４Ｂに関して形成される）が交差するマスク層２０４、２０６、２０８を通して形成される。マスク層２０４、２０６、２０４を通るマスク開口部は、例えば、マスク層２０４、２０６、２０４上に堆積されている材料によって開口部をピンチオフすることなく、開口部を通って別の基板への材料の堆積を可能にするのに十分に低い、幅（例えば、深さに対して垂直な寸法）に対する深さ（例えば、マスク層２０４、２０６、２０４の厚さ、又はマスク層２０４、２０６、２０４の主平面に垂直な開口部の寸法）のアスペクト比を有することができる。いくつかの実施例では、開口部のアスペクト比は１：１以下であり得る。いくつかの実施例では、マスク層２０４、２０６、２０４の組み合わされた厚さ、したがって開口部の深さは、約２μｍ～約３μｍの範囲にあり得、開口部の幅は、約２μｍ～約３μｍの範囲にあり得る。いくつかの実施例では、開口部の幅は、マスク層２０４、２０６、２０８の組み合わされた厚さよりも大きくすることができる。

［００４９］いくつかの実施例では、アスペクト比は１：１より大きい場合がある。前述のように、導電性マスク層２０４、２０８は、抵抗性加熱要素であり得る。導電性マスク層２０４、２０８が堆積プロセス中に抵抗性加熱要素として使用される場合、堆積プロセスによって堆積されるより少ない材料が、導電性マスク層２０４、２０８に堆積され得るため、導電性マスク層２０４、２０８を通る開口部でのピンチオフを低減することができる。ピンチオフを低減することで、開口部のアスペクト比を増大することができる。

［００５０］図１９及び図２０は、パターン化された第１の導電性マスク層２０４によって形成されたａ方向線と、パターン化された第２の導電性マスク層２０８によって形成されたｂ方向線とを示している。さらに、図１９は、環状基板２００の正面にある第１の導電性マスク層２０４の接触領域２１４及び第２の導電性マスク層２０８の接触領域２１６を示している。さらに、図１９は、環状基板２００上の、及び堆積マスクを使用して材料が堆積される基板のデバイス又はダイのスクライブラインに対応する領域に沿ったスペーサ層２１２のパターンを示している。図２０は、基板開口部を横切る環状基板２００のセクションと堆積マスクのパターン化された領域との間を橋渡しする支持マトリックス２１８を示している。

［００５１］当業者は、異なる処理フロー及びこのように形成された堆積マスクの様々な側面が他の処理フロー及び／又は堆積マスクに組み込まれ得ることを容易に理解するであろう。例えば、図１８Ａ及び図１８Ｂに示される支持マトリックス２１８は、図５及び／又は１０の堆積マスクに組み込むことができ、それぞれの処理フローは、支持マトリックスの形成を組み込むように修正することができる。さらに、処理フローは、シーケンスの変更や、より多くの、又はより少ない処理を含めることなどによって変更できる。例として、図６～図１０の処理フローは、図１～図５の処理フローのシーケンスの変化を示している。同様に、図１１～図１８のＡ～Ｂの処理フローは、裏面処理の前に前面処理が実行されるように変更することができる。

［００５２］図２１は、基板キャリア装置３００における図１８のＡ～Ｂ、図１９、及び図２０の堆積マスクを示している。他の例では、図５及び図１０の堆積マスクは、同様の基板キャリア装置で使用することができる。当業者は、行うことができる様々な修正を容易に理解するであろうが、図５及び図１０の堆積マスクを実施するために行うことができる、図示の基板キャリア装置３００に対する様々な修正がここに記載されている。

［００５３］堆積マスクは、堆積マスクに取り付けられたキャリアフレーム３０２を有することができる。キャリアフレーム３０２は、堆積マスクに追加の機械的支持を提供する剛性フレームであり得る。例えば、キャリアフレーム３０２は、堆積マスクの取り扱い及び輸送のための追加のサポートを提供することができる。図２１のコンテキストでは、キャリアフレーム３０２が堆積マスクに取り付けられている。キャリアフレーム３０２は、外側フレーム３０４及び内側フランジ３０６を含む。キャリアフレーム３０２は、任意の剛性材料で形成することができる。図５及び図１０の堆積マスクの場合などのいくつかの実施例では、キャリアフレーム３０２は金属であり得る。図１８のＡ～Ｂ、図１９、及び図２０の堆積マスクの場合などのいくつかの実施例では、キャリアフレーム３０２は、例えば、誘電体材料又は誘電体コーティングされた金属で形成することができる。図１８のＡ～Ｂ、図１９、及び図２０の堆積マスク用のキャリアフレーム３０２は、キャリアフレーム３０２が堆積マスクに取り付けられたときに、第１の導電性マスク層２０４が第２の導電性マスク層２０８に電気的に接続されていないか、又は電気的に絶縁されていないような方法で形成されるべきである。したがって、誘電体のキャリアフレーム３０２を形成するか、又はキャリアフレーム３０２を誘電体材料でコーティングすることにより、第１の導電性マスク層２０４と第２の導電性マスク層２０８との間に電気的接続が生ずるのを防ぐことができる。外側フレーム３０４は、堆積マスクに横方向に外接し（例えば、環状基板２００に横方向に外接する）、内側フランジ３０６は、堆積マスクの外側周辺に沿って堆積マスクの前面に接触する。キャリアフレーム３０２は、堆積マスクに接合又は接着することができる。例えば、接着剤は、内側フランジ３０６を堆積マスクの外側周辺に接着することができる。内側フランジは、（例えば、キャリアフレーム３０２が堆積マスクに取り付けられたときに、基板２００の前面に垂直な方向において）ある厚さを有することができ、これにより、基板２００の反対側のスペーサ層２１２から形成されたスペーサ要素の表面と実質的に同一平面上にある、基板２００とは反対側の内側フランジ３０６の表面が生じる。

［００５４］基板キャリア装置３００は、デバイス基板３０８上に（キャリアフレーム３０２が取り付けられた）堆積マスクを固定することができる。基板キャリア装置３００は、キャリア本体３１０及び上記のマスクホルダーアセンブリ３１２を含む。キャリア本体３１０は、デバイス基板３０８を支持するための支持面３１４を含む。いくつかの実施例では、キャリア本体３１０は、例えば、アルミナ、ケイ素などの非金属材料で形成されている。いくつかの実施例では、支持面３１４は、基板キャリア装置３００の取り扱い中にデバイス基板３０８が支持面３１４に沿って移動することを最小化又は実質的に防止するようにテクスチャリングされ得る。マスクホルダーアセンブリ３１２は、支持面３１４の上に配置され、支持面３１４の上に配置された環状フレーム３１６を含む。マスクホルダーアセンブリ３１２はまた、環状フレーム３１６に結合された屈曲要素３１８を含む。

［００５５］デバイス基板３０８は支持面３１４上に配置され、堆積マスクはデバイス基板３０８上に配置される。堆積マスクは、堆積マスクがデバイス基板３０８の真上に位置するように、環状フレーム３１６内に配置される。堆積マスクを通るマスク開口部は、マスク開口部を介して、マスク開口部に対応する位置でデバイス基板３０８上に材料を選択的に堆積させることができるように配置される。スペーサ層２１２のスペーサ要素は、デバイス基板３０８の上面まで延在して、マスク層２０８、２０６、２０４とデバイス基板３０８との間の所定のギャップを維持する。同様に、基板２００の反対側の内側フランジ３０６の表面は、デバイス基板３０８の上面上にある。

［００５６］屈曲要素３１８は、環状フレーム３１６を堆積マスクに結合する。屈曲要素３１８はまた、環状フレーム３１６の反対側の屈曲要素３１８の端部で堆積マスクに結合されている。いくつかの実施例では、屈曲要素３１８は、環状フレーム３１６及び堆積マスクの両方に溶接され得る。いくつかの実施例では、屈曲要素３１８は、環状フレーム３１６及び堆積マスクの両方にろう付け又は接着され得る。図２１に示されるように、いくつかの実施例では、屈曲要素３１８は、対応する複数の結合体３２２に（例えば、溶接、ろう付け、又は接着剤を介して）結合された複数のばね３２０を含む。いくつかの実施例では、屈曲要素３１８は、ばね３２０の代わりに及び／又はばね３２０に加えて、エラストマ部材を含み得る。基板（例えば、デバイス基板３０８）は、通常、基板全体にわたって、厚さの変化を有する。屈曲要素３１８は、環状フレーム３１６が支持面３１４に対して同一平面に位置することを保証しながら、堆積マスクが完全に水平ではないシナリオを可能にすることによって、そのような厚さの変動を補償することができる。

［００５７］キャリア本体３１０は、静電力を使用してキャリア本体３１０の支持面３１４の上にデバイス基板３０８を保持するように構成された携帯型静電チャック（ＥＳＣ）であり得る。いくつかの実施例では、キャリア本体３１０は、１つ又は複数の電極３２４と、電力を１つ又は複数の電極３２４に結合してデバイス基板３０８を支持面３１４に静電的にチャックするように構成された１つ又は複数の対応する電気リード３２６とを含み得る。１つ又は複数の電極３２４に電力が印加されて、デバイス基板３０８を支持面３１４にチャックした後、静電チャッキング力は、電力が１つ又は複数の電極３２４にもはや供給されなくなった後でも（例えば、基板キャリア装置３００の処理チャンバへの／からの移送中）、キャリア本体３１０及びデバイス基板３０８に留まる。したがって、デバイス基板３０８は、取り扱い中の基板キャリア装置３００の移送中に移動するのを防ぐことができる。

［００５８］デバイス基板３０８をキャリア本体３１０から除去するために、チャッキング電力とは反対の電荷を有する電力が１つ又は複数の電気リード３２６に供給されて、デバイス基板３０８を除去できるようにする。キャリア本体３１０は、支持面３１４上への／からのデバイス基板３０８の配置及び除去を容易にするための任意の構造を含み得る。例えば、キャリア本体３１０は、リフトピンがデバイス基板３０８を支持面３１４又は溝（図示せず）上へ／から上昇及び下降させることを可能にするリフトピン穴（図示せず）を含み得、デバイス基板３０８の配置及び除去のために、エンドエフェクタがデバイス基板３０８の下を通過することを可能にする。

［００５９］図１８のＡ～Ｂ、図１９、及び図２０の堆積マスクを使用するなどのいくつかの実施例では、キャリアフレーム３０２は、接点３３０を含む。接点３３０は、第１の導電性マスク層２０４及び第２の導電性マスク層２０８のそれぞれの接触領域２１４、２１６との電気的接続を確立することができる。図示のように、接点３３０は、キャリアフレーム３０２の内側フランジ３０６に埋め込まれている。少なくとも４つの接点３３０（２つは図２１には示されていない）が内側フランジ３０６に埋め込まれている。接点３３０のそれぞれは、堆積マスクの接触領域２１４、２１６のそれぞれの１つとの電気的接触を確立するように構成される。キャリアフレーム３０２内の接点３３０は、電力を接点３３０に結合するように構成されたキャリア本体３１０内の対応する電気リード線３３２に電気的に接続されている。接点３３０は、キャリア本体３１０に接触するキャリアフレーム３０２を介して（例えば、キャリアフレーム３０２及びキャリア本体３１０を介して形成される電気経路を用いて）及び／又はキャリアフレーム３０２、環状フレーム３１６、及びキャリア本体３１０（例えば、キャリアフレーム３０２、環状フレーム３１６、及びキャリア本体３１０を通る電気経路が形成されている）を介してリード３３２に電気的に接続することができる。

［００６０］堆積プロセス中、基板キャリア装置３００は、半導体処理チャンバ内のペデスタル上に配置することができ、電気接点は、基板キャリア装置３００が配置されるペデスタルの表面上に配置することができる。キャリア本体３１０のリード線３３２は、電力がペデスタルを介して接点３３０に供給され得るように、ペデスタルの電気接点と電気的に接触するように配置することができ、したがって、電流は、第１の導電性マスク層２０４及び第２の導電性マスク層２０８のそれぞれを通って流れることができる。第１の導電性マスク層２０４及び第２の導電性マスク層２０８を流れる電流によって、上昇した温度又は熱が堆積マスク内に生成され得、これは、堆積マスクへの材料の堆積を低減し得る。

［００６１］図２２は、半導体処理のための方法４００のフローチャートである。方法４００は、例えば、複数の半導体処理チャンバを含むクラスタツールで実行することができる。クラスタツール及び半導体処理チャンバは、方法４００の間、真空又は低圧に維持することができる。いくつかの実施例では、クラスタツールの処理チャンバは、１つ又は複数の堆積マスクを保管するための保持チャンバを含む。別の処理チャンバは、基板キャリア装置内にデバイス基板と堆積マスクを位置合わせし、基板キャリア装置内にデバイス基板と堆積マスクを固定するための位置合わせチャンバを含むことができる。別の処理チャンバは、蒸発堆積用などの堆積チャンバを含むことができる。移送ロボットを含む移送チャンバは、他の処理チャンバに接続することができ、異なる基板、堆積マスク、及び／又は基板キャリア装置を他の処理チャンバとの間で転送するように構成することができる。

［００６２］ブロック４０２では、デバイス基板及び堆積マスクが基板キャリア装置に固定されている。例えば、デバイス基板及び堆積マスクは、図２１に示されるように、基板キャリア装置に固定することができる。堆積マスクは、例えば、図５、図１０、及び図１８のＡ～Ｂ、図１９、及び図２０の堆積マスクであり得る。一例として、移送チャンバの移送ロボットは、基板キャリア装置を整列チャンバに移送することができる。移送ロボットはまた、保持チャンバなどからの堆積マスク、及びロードロック又は他の貯蔵チャンバなどからのデバイス基板を整列チャンバに移送する。整列チャンバは、基板キャリア装置、デバイス基板、及び堆積マスクを位置合わせするための様々な光学的位置合わせ及びステッパ装置を含む。次に、デバイス基板と堆積マスクは、位置合わせされると、基板キャリア装置に固定される。

［００６３］ブロック４０４において、基板キャリア装置（デバイス基板及び堆積マスクがその中に固定されている）は、半導体処理チャンバに移される。例えば、移送ロボットは、基板キャリア装置を整列チャンバから堆積チャンバに移送することができる。

［００６４］ブロック４０６において、材料は、半導体処理チャンバ内で、堆積マスクのマスク開口部を通してデバイス基板上に堆積される。材料は、環状基板の基板開口部及び基板開口部内に整列されたマスク開口部を通して、及びマスク層を通して堆積される。例えば、有機材料の蒸発堆積が実行され得る。有機材料は、堆積マスクの基板開口部及びマスク開口部を通して堆積させることができる。いくつかの実施例では、マスク開口部は１：１以下のアスペクト比を有することができ、これにより、堆積プロセス中にマスク開口部でピンチオフが発生する可能性を低減することができる。いくつかの実施例では、電流を導電性マスク層に流して、導電性マスク層で熱を発生させることができる。例えば、電力は、接触領域２１４、２１６で提供することができる。電流は、接触領域２１４の間の第１の導電性マスク層２０４に形成されたａ方向線を通ってａ方向に流れることができ、電流は、接触領域の間２１６間の第２の導電性マスク層２０８に形成されたｂ方向線を通ってｂ方向に流れることができる。導電性マスク層２０４、２０８は、導電性マスク層２０４、２０８を通って流れる電流によって熱を生成する抵抗性加熱要素を形成する。導電性マスク層２０４、２０８で熱を発生させることにより、堆積マスクへの材料の堆積を低減することができる。

［００６５］いくつかの実施例は、堆積マスクを形成するための方法を含む。マスク層は基板上に堆積される。マスク開口部は、マスク層を通ってパターン化されている。基板の中央部分が除去されて、基板の周辺部分を通る基板開口部が画定される。マスク層を通るマスク開口部を備えたマスク層は、基板開口部を横切って延在する。

［００６６］上記の方法のさらなる例において、マスク層を通るマスク開口部は、１：１以下である、それぞれのマスク開口部の幅に対するそれぞれのマスク開口部の深さの比を有することができる。

［００６７］上記の方法のさらなる例では、マスク層は引張応力で堆積することができる。

［００６８］さらなる例では、上記の方法は、基板上に第１の保護層を堆積することであって、マスク層は、第１の保護層上に堆積される、基板上に第１の保護層を堆積することと；マスク層上に第２の保護層を堆積させることであって、マスク開口部は、第１の保護層及び第２の保護層を通してパターン化される、マスク層上に第２の保護層を堆積させることと；第１の保護層及び第２の保護層の一部を除去することとをさらに含むことができる。

［００６９］さらなる例では、上記の方法は、マスク層上にスペーサ層を堆積することと；スペーサ層をスペーサ要素にパターン化することであって、スクライブライン領域は、マスク開口部のグループ間に画定され、スペーサ要素は、スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている、パターン化することをさらに含むことができる。

［００７０］さらなる例では、上記の方法は、マスク層上及び基板開口部に支持マトリックスを形成することであって、マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定され、支持マトリックスは、スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っており、基板の周辺部分に接触している、支持マトリックスを形成することをさらに含むことができる。

［００７１］上記の方法のさらなる例では、基板上にマスク層を堆積することは：基板上に第１の導電性マスク層を堆積することと；第１の導電性マスク層上に絶縁体マスク層を堆積することと；絶縁体マスク層上に第２の導電性マスク層を堆積することとを含むことができる。さらなる例では、マスク層を通るマスク開口部のパターン化することは：第２の導電性マスク層を通る第１のトレンチをパターン化することと；基板開口部を介して、第１の導電性マスク層を通る第２のトレンチをパターン化することとを含むことができる。少なくとも第１のトレンチ、第２のトレンチ、又はそれらの組み合わせは、絶縁体マスク層を通ることができ、第１のトレンチと第２のトレンチとの交点は、マスク開口部を形成することができる。

［００７２］さらなる例では、上記の方法は、キャリアフレームをマスク層及び基板、基板の周辺部分に外接するキャリアフレームの外側フレームに取り付けることをさらに含むことができる。

［００７３］いくつかの実施例は：環状基板を通る基板開口部を有する環状基板と；環状基板上にあり、基板開口部を横切って延在するマスク層であって、マスク層を通り、基板開口部内に位置合わせされたマスク開口部を有する、マスク層とを含む堆積マスクを含む半導体処理構造体を含む。

［００７４］上記の半導体処理構造体のさらなる例では、マスク層を通るマスク開口部は、それぞれのマスク開口部の深さ対それぞれのマスク開口部の幅の比が１：１以下であり得る。

［００７５上記の半導体処理構造体のさらなる例では、堆積マスクは、環状基板の反対側のマスク層上にスペーサ要素をさらに含むことができ、マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定され、スペーサ要素は、スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている。

［００７６］上記の半導体処理構造体のさらなる例では、堆積マスクは、マスク層上及び基板開口部内に支持マトリックスをさらに含むことができ、マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定され、支持マトリックスは、スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っており、環状基板に接触している。

［００７７］上記の半導体処理構造体のさらなる例では、マスク層は：環状基板上の第１の導電性マスク層であって、第１のトレンチは、第１の導電性マスク層を貫通している、第１の導電性マスク層と；第１の導電性マスク層上の絶縁体マスク層と；絶縁体マスク層上の第２の導電性マスク層とを含むことができ、第２のトレンチは、第２の導電性マスク層を通り、少なくとも第１のトレンチ、第２のトレンチ、又はそれらの組み合わせが絶縁体マスク層を通り、第１のトレンチと第２のトレンチとの交点がマスク開口部を形成する。

［００７８］さらなる例では、上記の半導体処理構造体は、堆積マスクに取り付けられたキャリアフレーム、環状基板に外接するキャリアフレームの外側フレームをさらに含むことができる。

［００７９］いくつかの実施例には、半導体処理の方法が含まれる。方法は：デバイス基板と堆積マスクを基板キャリア装置に固定することであって、堆積マスクはデバイス基板に固定され、堆積マスクは：環状基板を通る基板開口部を有する環状基板；及び環状基板上で、基板開口部を横切って延在するのマスク層とを含み、マスク層は、マスク層を通り、基板開口部内に位置合わせされたマスク開口部を有する、デバイス基板と堆積マスクを基板キャリア装置に固定すること；デバイス基板及びその中に固定された堆積マスクを備えた基板キャリア装置を半導体処理チャンバに輸送することと；半導体処理チャンバ内で、基板開口部及びマスク開口部を介してデバイス基板上に材料を堆積させることとを含む。

［００８０］上記の方法のさらなる例において、マスク層を通るマスク開口部は、１：１以下である、それぞれのマスク開口部の幅に対するそれぞれのマスク開口部の深さの比を有することができる。

［００８１］上記の方法のさらなる例では、基板開口部及びマスク開口部を介して材料を堆積することは、蒸発を使用して有機材料を堆積することを含み得る。

［００８２］上記の方法のさらなる例では、マスク層は導電性マスク層を含むことができ、基板開口部及びマスク開口部を介して材料を堆積することは、導電性マスク層を通して電流を流すことを含むことができる。

［００８３］上記の方法のさらなる例では、堆積マスクは、マスク層上にスペーサ要素を含むことができ、スペーサ要素は、デバイス基板及び堆積マスクが基板キャリア装置に固定されるときに、デバイス基板とマスク層との間に配置される。

［００８４］上記は本開示の様々な例に向けられているが、他のさらなる例は、その基本的な範囲から逸脱することなく考案することができ、その範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (13)

1. 堆積マスクを形成するための方法であって：
   基板上に第１の保護層を堆積すること；
   前記第１の保護層上にマスク層を堆積すること；
   前記マスク層上に第２の保護層を堆積すること；
   前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通るマスク開口部をパターン化すること；
   前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること、ここで前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し；並びに
   前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去すること；
   を含み、
   前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去した後の、前記マスク層を通る前記マスク開口部が、１：１以下である、前記マスク開口部それぞれの幅に対する前記マスク開口部それぞれの深さの比を有する、
   方法。
2. 前記マスク層を引張応力により堆積する、請求項１に記載の方法。
3. 前記第１の保護層及び前記第２の保護層が、それぞれ独立して銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、又はタングステン（Ｗ）を含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記第２の保護層上にスペーサ層を堆積することと；
   前記スペーサ層をスペーサ要素にパターン化することと
   をさらに含み、前記マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定され、前記スペーサ要素は、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている、請求項１に記載の方法。
5. 前記マスク層上且つ前記基板開口部中に支持マトリックスを形成することをさらに含み、前記マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定され、前記支持マトリックスは、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っており、前記基板の前記周辺部分に接触している、請求項１に記載の方法。
6. 堆積マスクを形成するための方法であって：
   基板上にマスク層を堆積することと；
   前記マスク層を通るマスク開口部をパターン化することと；
   前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定することと
   を含み、前記マスク層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し、
   前記基板上に前記マスク層を堆積することが：
   前記基板上に第１の導電性マスク層を堆積することと；
   前記第１の導電性マスク層上に絶縁体マスク層を堆積することと；
   前記絶縁体マスク層上に第２の導電性マスク層を堆積することと
   を含む、方法。
7. 前記マスク層を通る前記マスク開口部をパターン化することが：
   前記第２の導電性マスク層を通る第１のトレンチをパターン化することと；
   前記基板開口部を介して、前記第１の導電性マスク層を通る第２のトレンチをパターン化することと
   を含み、少なくとも前記第１のトレンチ、前記第２のトレンチ、又はそれらの組み合わせは前記絶縁体マスク層を通り、前記第１のトレンチと前記第２のトレンチの交点は前記マスク開口部を形成する、請求項６に記載の方法。
8. 前記マスク層及び前記基板にキャリアフレームを取り付けることをさらに含み、前記キャリアフレームの外側フレームは、前記基板の前記周辺部分に外接する、請求項１に記載の方法。
9. 堆積マスクを含む半導体処理構造体であって、
   前記堆積マスクが、
   環状基板であって、前記環状基板を通る基板開口部を有する前記環状基板と；
   前記環状基板上の、前記基板開口部を横切って延在しているマスク層であって、前記マスク層を通り、前記基板開口部内に位置合わせされているマスク開口部を有する前記マスク層と
   を含み、
   前記マスク層が：
   前記環状基板上の第１の導電性マスク層であって、第１のトレンチが前記第１の導電性マスク層を通っている、前記第１の導電性マスク層と；
   前記第１の導電性マスク層上の絶縁体マスク層と；
   前記絶縁体マスク層上の第２の導電性マスク層であって、第２のトレンチが前記第２の導電性マスク層を通っている、前記第２の導電性マスク層と
   を含み；少なくとも前記第１のトレンチ、前記第２のトレンチ、又はそれらの組み合わせが、前記絶縁体マスク層を通り、前記第１のトレンチと第２のトレンチの交点は、前記マスク開口部を形成しており、
   前記第１の導電性マスク層が、半導体処理構造体の横方向に外側の部分に接触領域を含む、半導体処理構造体。
10. 前記堆積マスクが、環状基板の反対側の前記第２の導電性マスク層上にスペーサ要素をさらに含み、前記マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定されており、前記スペーサ要素は、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている、請求項９に記載の半導体処理構造体。
11. 前記堆積マスクが、前記第１の導電性マスク層上且つ前記基板開口部内に支持マトリックスをさらに含み、前記マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定されており、前記支持マトリックスが、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っており、前記環状基板に接触している、請求項９に記載の半導体処理構造体。
12. 前記堆積マスクに取り付けられているキャリアフレームをさらに含み、前記キャリアフレームの外側フレームは、前記環状基板に外接している、請求項９に記載の半導体処理構造体。
13. 前記キャリアフレームが、前記第１の導電性マスク層の前記接触領域との電気的接続を確立する接点をさらに含む、請求項１２に記載の半導体処理構造体。

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