JP7503672B2

JP7503672B2 - Photoelectric Components

Info

Publication number: JP7503672B2
Application number: JP2023014961A
Authority: JP
Inventors: チェンチャオ－シン; ワンジア－クエン; シェンチエン－フ; コチュン－トン
Original assignee: Epistar Corp
Current assignee: Epistar Corp
Filing date: 2023-02-03
Publication date: 2024-06-20
Anticipated expiration: 2034-06-30

Description

本発明は発光部品に関し、特に放熱マットを有する発光部品に関する。 The present invention relates to a light-emitting component, and in particular to a light-emitting component having a heat dissipation mat.

発光ダイオード（Light Emitting Diode、ＬＥＤ）の発光原理は、電子がｎ型半導体とｐ型半導体との間で移動するときのエネルギー差により、光の形でエネルギーを放出することにある。発光ダイオードの発光原理と白熱電球の発光原理とが相違していることにより、発光ダイオードを冷光源ともいう。発光ダイオードは、耐久性がよく、寿命が長く、小型軽量で、電気消耗が少ないという利点を有しているので、現在の照明分野では発光ダイオードに大きい期待を寄せ、それを次世代の照明装置とみなしている。発光ダイオードは従来の光源を代わりに使用する傾向にあり、様々な分野に応用されている。例えば、交通信号、バックライト、街路燈、医療設備などに応用されている。 The light-emitting principle of light-emitting diodes (LEDs) is that they emit energy in the form of light due to the energy difference when electrons move between n-type and p-type semiconductors. Because the light-emitting principle of light-emitting diodes is different from that of incandescent light bulbs, light-emitting diodes are also called cold light sources. Light-emitting diodes have the advantages of being durable, having a long lifespan, being small and lightweight, and consuming little electricity, so there are high hopes for light-emitting diodes in the current lighting field and they are considered to be the next generation of lighting devices. Light-emitting diodes tend to replace traditional light sources and are applied in a variety of fields. For example, they are used in traffic signals, backlights, street lights, medical equipment, etc.

図１は、従来の発光部品の構造を示す図である。図１に示すとおり、従来の発光部品１００は、透明基板１０、この透明基板１０上に位置する半導体積層１２と、この半導体積層１２上に位置する少なくとも１つの電極１４とを含む。該半導体積層１２は少なくとも、上から下へに向かって設けられた第一導電型半導体層１２０と、活性層１２２と、第二導電型半導体層１２４となどを含む。 Figure 1 is a diagram showing the structure of a conventional light-emitting component. As shown in Figure 1, a conventional light-emitting component 100 includes a transparent substrate 10, a semiconductor stack 12 located on the transparent substrate 10, and at least one electrode 14 located on the semiconductor stack 12. The semiconductor stack 12 includes at least a first conductivity type semiconductor layer 120, an active layer 122, and a second conductivity type semiconductor layer 124, which are arranged from top to bottom.

前記発光部品１００とほかの部品とを組み合わせることにより、発光装置（Light Emitting apparatus）を更に形成することができる。図２は、従来の発光装置の構造を示す図である。図２に示すとおり、発光装置２００は、サブ載置板（sab mount）２０と、少なくとも１つの半田（solder）２２と、電気接続構造２４とを含む。該サブ載置板２０は、少なくとも１つの電子回路２０２を具備する。前記半田２２は、前記サブ載置板２０上に位置する。この半田２２で発光部品１００をサブ載置板２０上に接着固定させることにより、発光部品１００の基板１０とサブ載置板２０上の電子回路２０２とを電気接続させる。前記電気接続構造２４は、発光部品１００の電極１４とサブ載置板２０上の電子回路２０２とを電気接続させる。前記サブ載置板２０がリードフレーム（lead frame）又は大きいサイズを有するマウンティング基板（mounting substrate）であることにより、発光装置２００の電子回路を容易に配置し、その放熱効果を向上させることができる。 The light emitting component 100 can be combined with other components to form a light emitting apparatus. FIG. 2 is a diagram showing the structure of a conventional light emitting device. As shown in FIG. 2, the light emitting device 200 includes a sub-mount 20, at least one solder 22, and an electrical connection structure 24. The sub-mount 20 includes at least one electronic circuit 202. The solder 22 is located on the sub-mount 20. The light emitting component 100 is adhered and fixed on the sub-mount 20 by the solder 22, thereby electrically connecting the substrate 10 of the light emitting component 100 to the electronic circuit 202 on the sub-mount 20. The electrical connection structure 24 electrically connects the electrode 14 of the light emitting component 100 to the electronic circuit 202 on the sub-mount 20. Since the sub-mounting plate 20 is a lead frame or a mounting substrate having a large size, the electronic circuit of the light emitting device 200 can be easily arranged and the heat dissipation effect can be improved.

上記の問題を解決するため、本発明は以下のような光電部品を提供する。 To solve the above problems, the present invention provides the following photoelectric components:

本発明の光電部品は、第一側と第一側の反対側にある第二側と第一辺縁とを具備する基板と、該第一側に形成される発光ダイオードユニットと、該発光ダイオードユニットに電気接続される第一電極と、該発光ダイオードユニットに電気接続される第二電極と、第一電極と第二電極との間に形成され、かつ発光ダイオードユニットと電気絶縁状態になる放熱マットと、を含む。 The photoelectric component of the present invention includes a substrate having a first side, a second side opposite the first side, and a first edge, a light-emitting diode unit formed on the first side, a first electrode electrically connected to the light-emitting diode unit, a second electrode electrically connected to the light-emitting diode unit, and a heat dissipation mat formed between the first electrode and the second electrode and electrically insulated from the light-emitting diode unit.

従来の発光部品の側面構造を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a side structure of a conventional light emitting component. 従来の発光装置の構造を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the structure of a conventional light emitting device. 本発明の第一実施例に係る光電部品を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a photoelectric component according to a first embodiment of the present invention; 本発明の第一実施例に係る光電部品を示す側面図である。1 is a side view showing a photoelectric component according to a first embodiment of the present invention; 本発明の第一実施例に係る光電部品を示す側面図である。1 is a side view showing a photoelectric component according to a first embodiment of the present invention; 本発明のほかの実施例に係る光電部品ユニットの構造を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing the structure of a photoelectric component unit according to another embodiment of the present invention; 本発明のほかの実施例に係る光電部品ユニットの構造を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing the structure of a photoelectric component unit according to another embodiment of the present invention; 本発明のほかの実施例に係る光電部品ユニットの構造を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing the structure of a photoelectric component unit according to another embodiment of the present invention; 本発明のほかの実施例に係る光電部品ユニットの構造を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing the structure of a photoelectric component unit according to another embodiment of the present invention; 本発明のほかの実施例に係る光電部品ユニットの構造を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing the structure of a photoelectric component unit according to another embodiment of the present invention; 本発明の第二実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the structure of a photoelectric component according to a second embodiment of the present invention; 本発明の第二実施例に係る光電部品の構造を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing the structure of a photoelectric component according to a second embodiment of the present invention; 本発明の第二実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the structure of a photoelectric component according to a second embodiment of the present invention; 本発明の第二実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the structure of a photoelectric component according to a second embodiment of the present invention; 本発明の第二実施例に係る光電部品の構造を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing the structure of a photoelectric component according to a second embodiment of the present invention; 本発明の第二実施例に係る光電部品の構造を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing the structure of a photoelectric component according to a second embodiment of the present invention; 本発明の第三実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the structure of a photoelectric component according to a third embodiment of the present invention; 本発明の第三実施例に係る光電部品の構造を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing the structure of a photoelectric component according to a third embodiment of the present invention; 本発明の第三実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the structure of a photoelectric component according to a third embodiment of the present invention; 本発明の第三実施例に係る光電部品の構造を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing the structure of a photoelectric component according to a third embodiment of the present invention; 本発明の第三実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the structure of a photoelectric component according to a third embodiment of the present invention; 本発明の第三実施例に係る光電部品の構造を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing the structure of a photoelectric component according to a third embodiment of the present invention; 本発明の第四実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing the structure of a photoelectric component according to a fourth embodiment of the present invention; 本発明の第四実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing the structure of a photoelectric component according to a fourth embodiment of the present invention; 本発明の第四実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing the structure of a photoelectric component according to a fourth embodiment of the present invention; 本発明の第四実施例に係る光電部品の構造を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing the structure of a photoelectric component according to a fourth embodiment of the present invention; 本発明の発光モジュールを示す斜視図である。1 is a perspective view showing a light-emitting module of the present invention; 本発明の発光モジュールを示す側面断面図である。1 is a side cross-sectional view showing a light-emitting module of the present invention. 本発明の発光モジュールを示す側面断面図である。1 is a side cross-sectional view showing a light-emitting module of the present invention. 本発明の光線生成装置を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a light beam generating device of the present invention. 本発明の光線生成装置を示す底面図である。FIG. 2 is a bottom view showing the light beam generating device of the present invention. 本発明の電球を示す分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the light bulb of the present invention.

本発明は発光部品及びその製造方法を公開する。本発明をより詳細に説明するため、以下の実施例と図３Ａ～図１０とを参照しながら説明する。 The present invention discloses a light emitting component and a method for manufacturing the same. To explain the present invention in more detail, the following examples and Figures 3A to 10 will be referred to.

図３Ａと図３Ｂはそれぞれ、本発明の第一実施例に係る光電部品３００を示す平面図と側面図である。光電部品３００は一個の基板３０を具備する。基板３０は、単一な材料で構成された基板に限定されるものではなく、異なる複数の材料で構成された複合式基板であってよい。例えば、基板３０は、接着させた第一基板と第二基板とを含むことができる（図示せず）。 3A and 3B are respectively a plan view and a side view of a photovoltaic component 300 according to a first embodiment of the present invention. The photovoltaic component 300 includes a substrate 30. The substrate 30 is not limited to a substrate made of a single material, but may be a composite substrate made of a plurality of different materials. For example, the substrate 30 may include a first substrate and a second substrate bonded together (not shown).

そして、その基板３０上に、延伸状に配置される複数個のマトリックス光電部品ユニットＵと、一個の第一接触光電部品ユニットＵ１と、一個の第二接触光電部品ユニットＵ２とを形成する。マトリックス光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２の製造方法は、例えば次のとおりである。 Then, a plurality of matrix photoelectric component units U arranged in an elongated manner, one first contact photoelectric component unit U1, and one second contact photoelectric component unit U2 are formed on the substrate 30. The manufacturing method of the matrix photoelectric component unit U, the first contact photoelectric component unit U1, and the second contact photoelectric component unit U2 is, for example, as follows.

まず、従来のエピタキシャル成長方法により、基板３０上にエピタキシャル積層を形成する。このエピタキシャル積層は第一半導体層３２１と、活性層３２２と、第二半導体層３２３とを含む。 First, an epitaxial stack is formed on a substrate 30 by a conventional epitaxial growth method. The epitaxial stack includes a first semiconductor layer 321, an active layer 322, and a second semiconductor layer 323.

次は、図３Ｂに示すとおり、リソグラフィープロセス技術で一部分のエピタキシャル積層を削除することにより、成長基板上に分離状に配列される複数個の光電部品ユニットＵと、一個の第一接触光電部品ユニットＵ１と、一個の第二接触光電部品ユニットＵ２とを形成するとともに、少なくとも一個の溝渠Ｓを形成する。この実施例において、この溝渠Ｓはリソグラフィープロセス技術で光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２の各第一半導体層３２１をエッチングして得た露光区域を含み、その露光区域を後に導電配線を形成する基礎にする。 3B, a part of the epitaxial layer is removed by lithography to form a plurality of photoelectric component units U arranged separately on the growth substrate, a first contact photoelectric component unit U1, and a second contact photoelectric component unit U2, and at least one groove S. In this embodiment, the groove S includes an exposed area obtained by etching the first semiconductor layer 321 of the photoelectric component unit U, the first contact photoelectric component unit U1, and the second contact photoelectric component unit U2 by lithography, and the exposed area is used as a base for forming conductive wiring later.

ほかの実施例において、部品全体の光取り出し効率を増加させるため、エピタキシャル積層を移動させるか或いは基板を貼り合わせる技術により、光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２のエピタキシャル積層を基板３０上に設けることができる。光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２のエピタキシャル積層は加熱又は加圧方法により基板３０に直接貼り合せるか、或いは透明接着層（図示せず）により光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２のエピタキシャル積層を基板３０に接着させることができる。透明接着層は、有機高分子透明材料、例えばポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutane、ＢＣＢ）、パーフルオロシクロブタンポリマー（perfluorocyclobutane、ＰＦＣＢ）、エポキシ（epoxy）、アクリル樹脂（acrylic resin）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）などのような材料又はこれらの組合せを含むか、或いは透明導電酸化金属層、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）、酸化スズカドミウム（ＣＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）などのような材料又はこれらの組合せを含むか、或いは無機絶縁層、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、五酸化タンタル（Tantalun Pentoxide、Ｔａ_２Ｏ_５）などのような材料又はこれらの組合せを含むことができる。この実施例において、前記基板３０は波長変更材料を含む。 In another embodiment, in order to increase the light extraction efficiency of the entire component, the epitaxial stack of the photoelectric component unit U, the first-contact photoelectric component unit U1 and the second-contact photoelectric component unit U2 can be provided on the substrate 30 by epitaxial stack transfer or substrate bonding technology. The epitaxial stack of the photoelectric component unit U, the first-contact photoelectric component unit U1 and the second-contact photoelectric component unit U2 can be directly bonded to the substrate 30 by heating or pressing method, or the epitaxial stack of the photoelectric component unit U, the first-contact photoelectric component unit U1 and the second-contact photoelectric component unit U2 can be bonded to the substrate 30 by a transparent adhesive layer (not shown). The transparent adhesive layer may comprise an organic polymeric transparent material, such as polyimide, benzocyclobutane (BCB), perfluorocyclobutane polymer (PFCB), epoxy, acrylic resin, polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate resin (PC), or a combination thereof; or a transparent conductive metal oxide layer, such as indium tin oxide (ITO), indium oxide (InO), tin oxide (SnO ₂ ), zinc oxide (ZnO), fluorine doped tin oxide (FTO), antimony doped tin oxide (ATO), cadmium tin oxide (CTO), aluminum doped zinc oxide (AZO), gallium doped zinc oxide (GZO), or a combination thereof; or an inorganic insulating layer, such as aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ), silicon nitride (SiN _x ), silicon dioxide (SiO ₂ ), aluminum nitride (AlN), titanium oxide (TiO ₂ , Tantalum Pentoxide ( _Ta2O5 ), _etc. , or combinations thereof. In this embodiment, the substrate 30 comprises a wavelength shifting material.

実際の応用において、光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２のエピタキシャル積層を基板３０上に設ける方法が上記の内容に限定されないことは、この技術分野の通常知識を有する者が容易に理解することができる。この実施例において、基板３０の移動回数が異なることにより、第二半導体層３２３と基板３０とが隣接し、第一半導体層３２１が第二半導体層３２３上に位置し、中間層が活性層３２２である構造を形成することができる。 In practical applications, it can be easily understood by those with ordinary knowledge in this technical field that the method of forming the epitaxial stack of the photoelectric component unit U, the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2 on the substrate 30 is not limited to the above. In this embodiment, by moving the substrate 30 a different number of times, a structure can be formed in which the second semiconductor layer 323 and the substrate 30 are adjacent to each other, the first semiconductor layer 321 is located on the second semiconductor layer 323, and the intermediate layer is the active layer 322.

次は、化学気相成長方法（ＣＶＤ）、物理気相成長方法（ＰＶＤ）、スパッタリング（sputtering）などの方法により、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２のエピタキシャル積層の一部分の表面とそばの光電部品ユニットＵのエピタキシャル積層との間に第一絶縁層３６１を形成する。この第一絶縁層は、エピタキシャル積層の保護層と隣接する２つの光電部品ユニットＵの間の電気絶縁層とにする。次は、蒸着又はスパッタリング方法により、隣接する２つの光電部品ユニットＵの第一半導体層３２１の表面と第二半導体層３２３の表面との上に、互いに完全に離れている複数個の導電配線構造３６２を形成する。互いに完全に離れている該複数個の導電配線構造３６２は、一端が同じ方向に向くように第一半導体層３２１上に配置され、かつ第一半導体層３２１により複数個の導電配線構造３６２が互いに電気接続されている。空間的に互いに離れている各導電配線構造３６２は隣接するほかの光電部品ユニットＵの第二半導体層３２３上まで延伸され、他端は光電部品ユニットＵの第二半導体層３２３に電気接続されることにより、隣接する２つの光電部品ユニットＵの間の電気接続を実現する。 Next, a first insulating layer 361 is formed between the surface of a portion of the epitaxial stack of the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2 and the epitaxial stack of the adjacent photoelectric component unit U by a method such as chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), sputtering, etc. This first insulating layer serves as a protective layer for the epitaxial stack and an electrical insulating layer between two adjacent photoelectric component units U. Next, a plurality of conductive wiring structures 362 that are completely separated from each other are formed on the surface of the first semiconductor layer 321 and the surface of the second semiconductor layer 323 of the two adjacent photoelectric component units U by a deposition or sputtering method. The plurality of conductive wiring structures 362 that are completely separated from each other are arranged on the first semiconductor layer 321 with one end facing the same direction, and the plurality of conductive wiring structures 362 are electrically connected to each other by the first semiconductor layer 321. Each conductive wiring structure 362, which is spatially separated from one another, extends onto the second semiconductor layer 323 of another adjacent photoelectric component unit U, and the other end is electrically connected to the second semiconductor layer 323 of the photoelectric component unit U, thereby realizing an electrical connection between two adjacent photoelectric component units U.

隣接する２つの光電部品ユニットＵを電気接続させる方法が上記の内容に限定されないことは、この技術分野の通常知識を有する者が容易に理解することができる。例えば、導電配線構造の両端を、違う光電部品ユニットの同様又は相違する導電極性を有する半導体層上にそれぞれ接続させることにより、光電部品ユニットＵの間を並列又は直列に電気接続させることができる。 It can be easily understood by those with ordinary knowledge in this technical field that the method of electrically connecting two adjacent photoelectric component units U is not limited to the above. For example, the photoelectric component units U can be electrically connected in parallel or in series by connecting both ends of the conductive wiring structure to semiconductor layers having similar or different conductive polarities of different photoelectric component units.

図３Ａ～図３Ｂに示すとおり、光電部品３００は、電子回路において一列に配列されているマトリックスである。光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２の第一半導体層３２１上に第一電極３４１を形成するとともに、第二半導体層３２３上に第二電極３４２を形成する。第一電極３４１と第二電極３４２を形成するステップは、導電配線構造３６２を形成するステップと共に行うか、或いは違うステップにより別々に行うことができる。第一電極３４１と第二電極３４２を形成する材料は、導電配線構造３６２を形成する材料と同様又は相違する。この実施例において、第二電極３４２は、多層構造であるとともに／或いは金属反射層（図示せず）を含み、かつその反射率８０％より大きい。ほかの実施例において、導電配線構造３６２は金属反射層であり、かつその反射率８０％より大きいことができる。 As shown in FIG. 3A-FIG. 3B, the photoelectric components 300 are arranged in a matrix in an electronic circuit. A first electrode 341 is formed on the first semiconductor layer 321 of the photoelectric component unit U, the first contact photoelectric component unit U1, and the second contact photoelectric component unit U2, and a second electrode 342 is formed on the second semiconductor layer 323. The steps of forming the first electrode 341 and the second electrode 342 can be performed together with the step of forming the conductive wiring structure 362, or can be performed separately in different steps. The materials forming the first electrode 341 and the second electrode 342 can be the same as or different from the materials forming the conductive wiring structure 362. In this embodiment, the second electrode 342 is a multi-layer structure and/or includes a metal reflective layer (not shown), and its reflectivity is greater than 80%. In another embodiment, the conductive wiring structure 362 can be a metal reflective layer, and its reflectivity can be greater than 80%.

次は、図３Ｂに示すとおり、前記複数個の導電配線構造３６２と、一部分の第一絶縁層３６１と、一部分のエピタキシャル積層の側壁との上に第二絶縁層３６３を形成する。この実施例において、該第一絶縁層３６１と第二絶縁層３６３とは、透明絶縁層であることができる。該第一絶縁層３６１と第二絶縁層３６３の材料は、酸化物、窒化物又はポリマー（polymer）であることができる。酸化物は、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、五酸化タンタル（Tantalun Pentoxide、Ｔａ_２Ｏ_５）又は酸化アルミニウム（ＡｌＯ_ｘ）などのような材料又はこれらの組合せを含み、窒化物は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）などのような材料又はこれらの組合せを含み、ポリマーは、ポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutane、ＢＣＢ）などのような材料又はこれらの組合せを含むことができる。この実施例において、第二絶縁層３６３は、分布ブラッグ反射器（Distributed Bragg Reflector）であることができる。この実施例において、第二絶縁層３６３の厚さが第一絶縁層３６１の厚さより厚い。 3B, a second insulating layer 363 is formed on the conductive wiring structures 362, a portion of the first insulating layer 361, and a portion of the sidewall of the epitaxial stack. In this embodiment, the first insulating layer 361 and the second insulating layer 363 can be transparent insulating layers. The material of the first insulating layer 361 and the second insulating layer 363 can be an oxide, a nitride, or a polymer. The oxide can include aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ), silicon dioxide (SiO ₂ ), titanium oxide (TiO ₂ ), tantalum pentoxide (Ta ₂ O ₅ ), aluminum oxide (AlO _x ), or a combination thereof; the nitride can include aluminum nitride (AlN), silicon nitride (SiN _x ), or a combination thereof; and the polymer can include polyimide, benzocyclobutane (BCB), or a combination thereof. In this embodiment, the second insulating layer 363 can be a distributed Bragg reflector, and the thickness of the second insulating layer 363 is greater than the thickness of the first insulating layer 361.

最後は、前記第一電極３４１上に第三電極３８１を形成し、前記第二電極３４２上に第四電極３８２を形成し、電光部品ユニットＵの第二半導体層３２３上に少なくとも１つの第一放熱マット３８３を形成する。該第一放熱マット３８３は、第二絶縁層３６３により電光部品ユニットＵの第二半導体層３２３と電気絶縁状態になる。この実施例において、基板３０の表面に垂直に投影される第一放熱マット３８３の投影は、第一絶縁層３６１上に位置しない。この実施例において、第一放熱マット３８３は平坦な表面上に形成される。図３Ａに示すとおり、この実施例の光電部品３００において、各電光部品ユニットＵの第二半導体層３２３はいずれも第一放熱マット３８３を具備し、かつこれらの第一放熱マット３８３は第二絶縁層３６３により電光部品ユニットＵの第二半導体層３２３と電気絶縁状態になっている。 Finally, a third electrode 381 is formed on the first electrode 341, a fourth electrode 382 is formed on the second electrode 342, and at least one first heat dissipation mat 383 is formed on the second semiconductor layer 323 of the electro-optical component unit U. The first heat dissipation mat 383 is electrically insulated from the second semiconductor layer 323 of the electro-optical component unit U by the second insulating layer 363. In this embodiment, the projection of the first heat dissipation mat 383 perpendicularly projected onto the surface of the substrate 30 is not located on the first insulating layer 361. In this embodiment, the first heat dissipation mat 383 is formed on a flat surface. As shown in FIG. 3A, in the photoelectric component 300 of this embodiment, the second semiconductor layer 323 of each electro-optical component unit U is provided with a first heat dissipation mat 383, and the first heat dissipation mat 383 is electrically insulated from the second semiconductor layer 323 of the electro-optical component unit U by the second insulating layer 363.

この実施例において、前記第三電極３８１、第四電極３８２及び第一放熱マット３８３は、同一な製造ステップで形成するか或いは違う製造ステップで別々に形成することができる。この実施例において、前記第三電極３８１、第四電極３８２及び第一放熱マット３８３は、同様な積層構造を有することができる。所定の導電率を維持するため、第一電極３４１、第二電極３４２、導電配線構造３６２、第三電極３８１、第四電極３８２及び第一放熱マット３８３の材料として金属を使うことができる。例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、スズ（Ｓｎ）などであるか、或いはそれらの合金又はそれらの積層構造であることができる。 In this embodiment, the third electrode 381, the fourth electrode 382, and the first heat dissipation mat 383 can be formed in the same manufacturing step or separately in different manufacturing steps. In this embodiment, the third electrode 381, the fourth electrode 382, and the first heat dissipation mat 383 can have the same laminated structure. In order to maintain a certain conductivity, metals can be used as the materials of the first electrode 341, the second electrode 342, the conductive wiring structure 362, the third electrode 381, the fourth electrode 382, and the first heat dissipation mat 383. For example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), chromium (Cr), aluminum (Al), platinum (Pt), nickel (Ni), titanium (Ti), tin (Sn), etc., or alloys thereof or laminated structures thereof.

この実施例において、第二半導体層３２３は上表面と第一表面面積とを有し、第一放熱マット３８３は第二表面面積を有し、第二表面面積と第一表面面積との比は８０～１００％範囲内にある。この実施例において、隣接する２つの第一放熱マット３８３の辺縁の間には最短距離Ｄが形成され、最短距離Ｄは１００μｍより大きい。 In this embodiment, the second semiconductor layer 323 has an upper surface and a first surface area, the first heat dissipation mat 383 has a second surface area, and the ratio of the second surface area to the first surface area is in the range of 80 to 100%. In this embodiment, a minimum distance D is formed between the edges of two adjacent first heat dissipation mats 383, and the minimum distance D is greater than 100 μm.

この実施例において、図３Ｃに示すとおり、載置板又は回路部品Ｐを提供し、かつワイヤボンディング又は半田付けにより、載置板又は回路部品Ｐ上に第一載置板電極Ｅ１と第二載置板電極Ｅ２を形成する。該第一載置板電極Ｅ１及び第二載置板電極Ｅ２と、光電部品３００の第三電極３８１及び第四電極３８２とにより、フリップチップ構造を形成する。 In this embodiment, as shown in FIG. 3C, a mounting board or circuit component P is provided, and a first mounting board electrode E1 and a second mounting board electrode E2 are formed on the mounting board or circuit component P by wire bonding or soldering. The first mounting board electrode E1 and the second mounting board electrode E2, together with the third electrode 381 and the fourth electrode 382 of the photoelectric component 300, form a flip chip structure.

この実施例において、第一載置板電極Ｅ１を光電部品３００の第三電極３８１と第一放熱マット３８３に電気接続させ、かつ第二載置板電極Ｅ２を第四電極３８２と第一放熱マット３８３に電気接続させることにより、フリップチップ構造を形成することができる。この実施例において、前記第一放熱マット３８３が第一載置板電極Ｅ１と第二載置板電極Ｅ２に電気接続されていることにより、放熱効果を向上させることができる。この実施例において、直列マトリックスに配列された光電部品３００の各光電部品ユニットＵが作動するとき、ある程度の電圧差が発生するので、第一放熱マット３８３と光電部品ユニットＵとの間の電気絶縁により、作動時の前記電圧差によっていずれの光電部品ユニットＵの間に降伏現象（breakdown）又は電気漏れが発生することを避けることができる。また、基板３０の表面に垂直に投影される第一放熱マット３８３の投影が第一絶縁層３６１上に位置しないので、溝渠Ｓ高さの相違によりワイヤが切断されることを避けるか、或いは第一絶縁層３６１の絶縁の不充分によって電気漏れ又は短絡が発生することを避けることができる。 In this embodiment, the first mounting plate electrode E1 is electrically connected to the third electrode 381 and the first heat dissipation mat 383 of the photoelectric component 300, and the second mounting plate electrode E2 is electrically connected to the fourth electrode 382 and the first heat dissipation mat 383 to form a flip chip structure. In this embodiment, the first heat dissipation mat 383 is electrically connected to the first mounting plate electrode E1 and the second mounting plate electrode E2, thereby improving the heat dissipation effect. In this embodiment, when each photoelectric component unit U of the photoelectric component 300 arranged in a serial matrix is operated, a certain voltage difference occurs, so that the electrical insulation between the first heat dissipation mat 383 and the photoelectric component unit U can prevent the breakdown or electrical leakage between any photoelectric component unit U caused by the voltage difference during operation. In addition, the projection of the first heat dissipation mat 383 perpendicular to the surface of the substrate 30 is not positioned on the first insulating layer 361, so that it is possible to avoid wires being cut due to differences in the height of the grooves S, or electrical leakage or short circuits caused by insufficient insulation of the first insulating layer 361.

図４Ａ～図４Ｅは、本発明のほかの実施例に係る光電部品ユニットの構造を示す平面図である。図４Ａ～図４Ｅの光電部品ユニットは本発明の第一実施例の光電部品ユニットの変形例であり、その製造方法、使用する材料、符号などは第一実施例と同一するので、ここでは再び説明しない。 Figures 4A to 4E are plan views showing the structure of a photoelectric component unit according to another embodiment of the present invention. The photoelectric component unit shown in Figures 4A to 4E is a modified example of the photoelectric component unit according to the first embodiment of the present invention, and its manufacturing method, materials used, symbols, etc. are the same as those of the first embodiment, so they will not be described again here.

図４Ａに示すとおり、光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２は、直線に配列されている。この実施例において、光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２の第一電極３４１又は第二電極３４２は延伸電極３４２１を更に含む。これにより、光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２の電流分布を増加させることができる。この技術分野の通常知識を有する者が容易に理解することができるように、前記延伸電極の形状は図面に示す形状に限定されるものではなく、製品の相違により自由に設けることができる。また、第一接触光電部品ユニットＵ１に形成される第一放熱マット３８３の形状は、前記延伸電極の形状によって適当に調節することができる。すなわち、前記導電配線構造３６２と第一電極３４１又は第二電極３４２とは直接接触されず、かつそれらと電気絶縁状態になるように調節することができる。 As shown in FIG. 4A, the photoelectric component unit U, the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2 are arranged in a straight line. In this embodiment, the first electrode 341 or the second electrode 342 of the photoelectric component unit U, the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2 further includes an extended electrode 3421. This can increase the current distribution of the photoelectric component unit U, the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2. As can be easily understood by those skilled in the art, the shape of the extended electrode is not limited to the shape shown in the drawings, and can be freely formed according to different products. In addition, the shape of the first heat dissipation mat 383 formed on the first contact photoelectric component unit U1 can be appropriately adjusted according to the shape of the extended electrode. That is, the conductive wiring structure 362 and the first electrode 341 or the second electrode 342 are not in direct contact with each other, and can be adjusted to be electrically insulated from each other.

図４Ｂは本発明の変形例を示す図である。この実施例において、光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２は、上述した実施例の直線に配列されず、環状に連結されており、かつ第一接触光電部品ユニットＵ１の少なくとも１つの側壁と第二接触光電部品ユニットＵ２の側壁とが接続されている。また、第一接触光電部品ユニットＵ１に形成される第一放熱マット３８３の形状は、前記延伸電極の形状に適当に調節することができる。すなわち、前記導電配線構造３６２と第一電極３４１又は第二電極３４２とは直接接触されず、かつそれらと電気絶縁状態になるように調節することができる。 Figure 4B shows a modified example of the present invention. In this embodiment, the photoelectric component unit U, the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2 are not arranged in a straight line as in the above embodiment, but are connected in a ring shape, and at least one side wall of the first contact photoelectric component unit U1 is connected to a side wall of the second contact photoelectric component unit U2. In addition, the shape of the first heat dissipation mat 383 formed on the first contact photoelectric component unit U1 can be appropriately adjusted to the shape of the extended electrode. That is, the conductive wiring structure 362 and the first electrode 341 or the second electrode 342 are not in direct contact with each other, and can be adjusted to be electrically insulated from each other.

図４Ｃは本発明の変形例を示す図である。この実施例において、光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２は、環状に連結されている。第一接触光電部品ユニットＵ１を除き、光電部品ユニットＵと第二接触光電部品ユニットＵ２の第一電極３４１の幅は、導電配線構造３６２の幅より狭く、かつそれらが各ユニットの内部まで延伸されることにより、電流分布を増加させる。また、第一接触光電部品ユニットＵ１に形成される第一放熱マット３８３の形状は、導電配線構造３６２の形状と第一電極３４１又は第二電極３４２の形状とによって適当に調節することができる。すなわち、前記導電配線構造３６２と第一電極３４１又は第二電極３４２とは直接接触されず、かつそれらと電気絶縁状態になるように調節することができる。 Figure 4C is a diagram showing a modified example of the present invention. In this embodiment, the photoelectric component unit U, the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2 are connected in a ring shape. Except for the first contact photoelectric component unit U1, the width of the first electrode 341 of the photoelectric component unit U and the second contact photoelectric component unit U2 is narrower than the width of the conductive wiring structure 362, and they are extended to the inside of each unit, thereby increasing the current distribution. In addition, the shape of the first heat dissipation mat 383 formed on the first contact photoelectric component unit U1 can be appropriately adjusted according to the shape of the conductive wiring structure 362 and the shape of the first electrode 341 or the second electrode 342. That is, the conductive wiring structure 362 can be adjusted so that it is not in direct contact with the first electrode 341 or the second electrode 342 and is electrically insulated from them.

図４Ｄは本発明の変形例を示す図である。この実施例において、光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２は環状に連結されており、かつ光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２の形状は、実際の需要によってそれぞれ調節することができる。すなわち、各自の形状が互いに違うように調節することができる。この実施例には、形状が互いに違う三個の光電部品ユニットＵが設けられているが、この技術分野の通常知識を有する者が容易に理解することができるように、光電部品ユニットＵの個数、形状、サイズ又は配列方法は、製品の駆動電圧によって適当に調節することができる。また、第一接触光電部品ユニットＵ１に形成される第一放熱マット３８３の形状は、導電配線構造３６２の形状と第一電極３４１又は第二電極３４２の形状とによって適当に調節することができる。すなわち、前記導電配線構造３６２と第一電極３４１又は第二電極３４２とは直接接触されず、かつそれらと電気絶縁状態になるように調節することができる。 Figure 4D is a diagram showing a modified example of the present invention. In this embodiment, the photoelectric component unit U, the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2 are connected in a ring shape, and the shapes of the photoelectric component unit U, the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2 can be adjusted according to actual needs. That is, the shapes can be adjusted to be different from each other. In this embodiment, three photoelectric component units U with different shapes are provided, but as can be easily understood by those having ordinary skill in the art, the number, shape, size or arrangement method of the photoelectric component units U can be appropriately adjusted according to the driving voltage of the product. In addition, the shape of the first heat dissipation mat 383 formed on the first contact photoelectric component unit U1 can be appropriately adjusted according to the shape of the conductive wiring structure 362 and the shape of the first electrode 341 or the second electrode 342. That is, the conductive wiring structure 362 and the first electrode 341 or the second electrode 342 are not in direct contact with each other, and can be adjusted to be electrically insulated from each other.

図４Ｅは本発明の変形例を示す図である。この実施例において、光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２は、Ｗ形に連結されている。すなわち、隣接する２つの光電部品ユニットＵの連結方向が相違し、かつ４行４列のマトリックスに配列されている。この技術分野の通常知識を有する者が容易に理解することができるとおり、光電部品ユニットＵの個数又は配列方法は、製品の駆動電圧によって適当に調節することができる。この実施例において、前記の蛇行形に配列するとき、第一接触光電部品ユニットＵ１と第二接触光電部品ユニットＵ２とを同一列上に形成することができるが、第一接触光電部品ユニットＵ１と第二接触光電部品ユニットＵ２との位置は、後に行われる外部電子回路との電気接続を考慮しなければならない。したがって、ほかの実施例において、光電部品ユニットＵの配列方式を調節することにより、第一接触光電部品ユニットＵ１と第二接触光電部品ユニットＵ２とをマトリックスの対角線の両端に位置させることができる。また、第一接触光電部品ユニットＵ１に形成される第一放熱マット３８３の形状は、導電配線構造３６２の形状と第一電極３４１又は第二電極３４２の形状とによって適当に調節することができる。すなわち、前記導電配線構造３６２と第一電極３４１又は第二電極３４２とは直接接触されず、かつそれらと電気絶縁状態になるように調節することができる。 Figure 4E is a diagram showing a modified example of the present invention. In this embodiment, the photoelectric component unit U, the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2 are connected in a W-shape. That is, the connection directions of two adjacent photoelectric component units U are different, and they are arranged in a matrix of four rows and four columns. As can be easily understood by those skilled in the art, the number or arrangement of the photoelectric component units U can be appropriately adjusted according to the driving voltage of the product. In this embodiment, when arranged in the serpentine shape, the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2 can be formed in the same column, but the positions of the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2 should be considered for the electrical connection with the external electronic circuit to be performed later. Therefore, in another embodiment, the arrangement manner of the photoelectric component units U can be adjusted so that the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2 are located at both ends of the diagonal line of the matrix. In addition, the shape of the first heat dissipation mat 383 formed on the first contact photoelectric component unit U1 can be appropriately adjusted according to the shape of the conductive wiring structure 362 and the shape of the first electrode 341 or the second electrode 342. That is, the conductive wiring structure 362 and the first electrode 341 or the second electrode 342 are not in direct contact with each other, and can be adjusted so as to be electrically insulated from each other.

図５Ａ～図５Ｅは、本発明の第二実施例に係る光電部品の製造過程を示す平面図と側面図である。光電部品３００`は、本発明の第一実施例の変形例である。図５Ａ～図５Ｂは前記の図３Ａ～図３Ｂが示した製造方法の継続であり、その製造方法、使用する材料、符号などは第一実施例と同一するので、ここでは再び説明しない。この実施例の平面図において、上述した第一実施例との相違点を明らかに示すため、一部分の部品をかかず、図面の簡素化を図る。この技術分野の通常知識を有する者は、上述した実施例に基づいて本実施例を充分に理解することができる。 Figures 5A to 5E are plan and side views showing the manufacturing process of a photoelectric component according to a second embodiment of the present invention. Photoelectric component 300' is a modified version of the first embodiment of the present invention. Figures 5A to 5B are a continuation of the manufacturing method shown in Figures 3A to 3B above, and the manufacturing method, materials used, symbols, etc. are the same as those of the first embodiment, so they will not be described again here. In the plan views of this embodiment, some parts are not drawn to clearly show the differences from the first embodiment described above, and the drawings are simplified. Those with ordinary knowledge in this technical field can fully understand this embodiment based on the above embodiments.

図５Ａ～図５Ｂに示すとおり、基板３０上に支持部品４４を形成するとともに、それにより基板３０の側壁を覆う。この実施例において、支持部品４４は透明であり、その材料として、シリコン樹脂、エポキシ樹脂又はほかの材料を使うことができる。この実施例において、前記支持部品４４上に導光部品（図示せず）を更に形成することができ、この導光部品の材料として、ガラスを使うことができる。 As shown in FIG. 5A-FIG. 5B, a support part 44 is formed on the substrate 30, and the sidewall of the substrate 30 is covered thereby. In this embodiment, the support part 44 is transparent, and the material thereof can be silicone resin, epoxy resin or other materials. In this embodiment, a light guide part (not shown) can be further formed on the support part 44, and the material of the light guide part can be glass.

次は、前記光電部品の第二絶縁層３６３上に光学層４６を形成するとともに、それにより光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１及び第二接触光電部品ユニットＵ２を覆う。光学層４６の材料は、基礎材料と高反射率材料との混合物を含む。基礎材料としてシリコン樹脂、エポキシ樹脂又はほかの材料を使うことができ、高反射率材料としてＴｉＯ_２を使うことができる。 Then, an optical layer 46 is formed on the second insulating layer 363 of the photoelectric component, thereby covering the photoelectric component unit U, the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2. The material of the optical layer 46 includes a mixture of a base material and a high reflectance material. The base material can be silicone resin, epoxy resin or other materials, and the high reflectance material can be _TiO2 .

次は、図５Ｃに示すとおり、光学層４６上に複数個の開口４６１を形成する。複数個の開口４６１は、第一接触光電部品ユニットＵ１と第二接触光電部品ユニットＵ２の第三電極３８１と第四電極３８２の位置に対応し、かつ一部分の第三電極３８１と第四電極３８２を露出させる。この実施例において、前記開口４６１は、光電部品ユニットＵの第一放熱マット３８３の位置にも対応し、かつ一部分の第一放熱マット３８３を露出させる。 5C, a plurality of openings 461 are formed on the optical layer 46. The plurality of openings 461 correspond to the positions of the third electrodes 381 and the fourth electrodes 382 of the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2, and expose a portion of the third electrodes 381 and the fourth electrodes 382. In this embodiment, the openings 461 also correspond to the position of the first heat dissipation mat 383 of the photoelectric component unit U, and expose a portion of the first heat dissipation mat 383.

次は、図５Ｄ～図５Ｅに示すとおり、第五電極４０と第六電極４２を形成し、それをそれぞれ第三電極３８１と第四電極３８２に電気接続させる。この実施例において、該第五電極４０と第六電極４２を選択した少なくとも１つの第一放熱マット３８３に電気接続させることにより、放熱効率を向上させることができる。この実施例において、第五電極４０と第六電極４２は金属反射層を含む。この実施例において、光学層４６は、第三電極３８１と第五電極４０との間と、第四電極３８２と第六電極４２との間とに位置する。この実施例において、光学層４６の辺縁は基板３０辺縁より大きい。 Next, as shown in FIG. 5D-FIG. 5E, a fifth electrode 40 and a sixth electrode 42 are formed and electrically connected to the third electrode 381 and the fourth electrode 382, respectively. In this embodiment, the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 are electrically connected to at least one selected first heat dissipation mat 383, so that the heat dissipation efficiency can be improved. In this embodiment, the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 include a metal reflective layer. In this embodiment, the optical layer 46 is located between the third electrode 381 and the fifth electrode 40 and between the fourth electrode 382 and the sixth electrode 42. In this embodiment, the edge of the optical layer 46 is larger than the edge of the substrate 30.

最後は、図５Ｆに示すとおり、載置板又は回路部品Ｐを提供し、かつワイヤボンディング又は半田付けにより、載置板又は回路部品Ｐ上に第一載置板電極Ｅ１と第二載置板電極Ｅ２を形成する。該第一載置板電極Ｅ１及び第二載置板電極Ｅ２と、光電部品３００`の第五電極４０及び第六電極４２とにより、フリップチップ構造を形成する。この実施例において、第五電極４０と第六電極４２は、基板３０の辺縁の外に形成される。この実施例において、基板３０の表面に垂直に投影された第五電極４０と第六電極４２の投影面積は、基板３０の面積より大きい。この実施例において、第五電極４０と第六電極４２の面積を拡大することにより、載置板又は回路部品Ｐとの連結を容易に行い、位置決めを容易に行うことができる。 Finally, as shown in FIG. 5F, a mounting plate or circuit component P is provided, and a first mounting plate electrode E1 and a second mounting plate electrode E2 are formed on the mounting plate or circuit component P by wire bonding or soldering. The first mounting plate electrode E1 and the second mounting plate electrode E2, and the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 of the photoelectric component 300' form a flip chip structure. In this embodiment, the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 are formed outside the edge of the substrate 30. In this embodiment, the projected areas of the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 projected perpendicularly onto the surface of the substrate 30 are larger than the area of the substrate 30. In this embodiment, the areas of the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 are enlarged, which makes it easier to connect to the mounting plate or circuit component P and easier to position.

図６Ａ～図６Ｆは、本発明の第三実施例に係る光電部品の製造過程を示す平面図と側面図である。光電部品４００は、本発明の第二実施例の変形例である。図６Ａ～図６Ｂは前記の図５Ａ～図５Ｂが示した製造方法の継続であり、その製造方法、使用する材料、符号などは第一実施例と同一するので、ここでは再び説明しない。この実施例の平面図において、上述した第一実施例との相違点を明らかに示すため、一部分の部品をかかず、図面の簡素化を図る。この技術分野の通常知識を有する者は、上述した実施例に基づいて本実施例を充分に理解することができる。 Figures 6A to 6F are plan and side views showing the manufacturing process of a photoelectric component according to a third embodiment of the present invention. Photoelectric component 400 is a modified version of the second embodiment of the present invention. Figures 6A to 6B are a continuation of the manufacturing method shown in Figures 5A to 5B above, and the manufacturing method, materials used, and symbols are the same as those of the first embodiment, so they will not be described again here. In the plan views of this embodiment, some parts are not shown to clearly show the differences from the first embodiment described above, and the drawings are simplified. Those with ordinary knowledge in this technical field can fully understand this embodiment based on the above embodiments.

図６Ａ～図６Ｂに示すとおり、本実施例は、前記光電部品の基板３０上に形成された支持部品４４を含み、それにより基板３０の側壁を覆う。次は、前記光電部品と支持部品４４との上に第二放熱マット４８を形成する。この実施例において、第二放熱マット４８と第一放熱マット３８３とは、同一な製造ステップで形成するか或いは違う製造ステップで別々に形成することができる。この実施例において、第二放熱マット４８の材料と第一放熱マット３８３の材料とが同一することができる。この実施例において、第二放熱マット４８の材料は、導熱係数＞５０Ｗ／ｍｋである材料であるか或いは絶縁材料であることができる。例えば、金属又はダイヤモンド状カーボン（Diamond－Like Carbon）などである。 As shown in Figures 6A-6B, this embodiment includes a support part 44 formed on the substrate 30 of the photoelectric component, thereby covering the sidewall of the substrate 30. Next, a second heat dissipation mat 48 is formed on the photoelectric component and the support part 44. In this embodiment, the second heat dissipation mat 48 and the first heat dissipation mat 383 can be formed in the same manufacturing step or separately in different manufacturing steps. In this embodiment, the material of the second heat dissipation mat 48 can be the same as the material of the first heat dissipation mat 383. In this embodiment, the material of the second heat dissipation mat 48 can be a material with a thermal conductivity coefficient > 50 W/mk or an insulating material. For example, metal or diamond-like carbon.

この実施例において、第二放熱マット４８は、支持部品４４上に形成される二個の第一部分４８２と、前記光電部品上に形成されかつ両端が該第一部分４８２に連結される一個の第二部分４８１とを含み、かつダンベル状に形成されている。この実施例において、第一部分４８２の幅は、第一部分４８２の幅より広い。 In this embodiment, the second heat dissipation mat 48 includes two first parts 482 formed on the support part 44 and one second part 481 formed on the photoelectric part and connected at both ends to the first part 482, and is formed in a dumbbell shape. In this embodiment, the width of the first part 482 is wider than the width of the first part 482.

この実施例において、第二放熱マット４８は、２個の光電部品ユニットＵの間に形成され、かつ前記第一放熱マット３８３に直接に接触されないとともに、該第一放熱マット３８３に電気接続されていない。この実施例において、第二放熱マット４８は、２個の光電部品ユニットＵの間の第二絶縁層３６３上に形成されている。 In this embodiment, the second heat dissipation mat 48 is formed between two photoelectric component units U, and is not in direct contact with the first heat dissipation mat 383, and is not electrically connected to the first heat dissipation mat 383. In this embodiment, the second heat dissipation mat 48 is formed on the second insulating layer 363 between the two photoelectric component units U.

次は、図６Ｃ～図６Ｄに示すとおり、前記光電部品の第二絶縁層３６３上に光学層４６を形成するとともに、それにより複数個の光電部品ユニットＵ、第一接触光電部品ユニットＵ１、第二接触光電部品ユニットＵ２及び前記第二放熱マット４８を覆う。光学層４６の材料は、基礎材料と高反射率材料との混合物を含む。基礎材料としてシリコン樹脂、エポキシ樹脂又はほかの材料を使うことができ、高反射率材料としてＴｉＯ_２を使うことができる。 6C to 6D, an optical layer 46 is formed on the second insulating layer 363 of the photoelectric component, thereby covering a plurality of photoelectric component units U, the first contact photoelectric component unit U1, the second contact photoelectric component unit U2 and the second heat dissipation mat 48. The material of the optical layer 46 includes a mixture of a base material and a high reflectance material. The base material can be silicone resin, epoxy resin or other materials, and the high reflectance material can be _TiO2 .

次は、光学層４６上に複数個の開口４６１を形成する。複数個の開口４６１は、第一接触光電部品ユニットＵ１と第二接触光電部品ユニットＵ２の第三電極３８１と第四電極３８２の位置に対応し、かつ一部分の第三電極３８１と第四電極３８２を露出させる。この実施例において、前記開口４６１は、光電部品ユニットＵの第一放熱マット３８３の位置にも対応し、かつ一部分の第一放熱マット３８３を露出させる。 Next, a plurality of openings 461 are formed on the optical layer 46. The plurality of openings 461 correspond to the positions of the third electrode 381 and the fourth electrode 382 of the first contact photoelectric component unit U1 and the second contact photoelectric component unit U2, and expose a portion of the third electrode 381 and the fourth electrode 382. In this embodiment, the openings 461 also correspond to the position of the first heat dissipation mat 383 of the photoelectric component unit U, and expose a portion of the first heat dissipation mat 383.

次は、図６Ｅ～図６Ｆに示すとおり、第五電極４０と第六電極４２を形成し、それをそれぞれ第三電極３８１と第四電極３８２に電気接続させる。この実施例において、該第五電極４０と第六電極４２を選択した少なくとも１つの第一放熱マット３８３と第二放熱マット４８に電気接続させることにより、放熱効率を向上させることができる。それにより、本実施例の光電部品４００の製造が済む。この実施例において、第五電極４０と第六電極４２は金属反射層を含む。この実施例において、光学層４６は、第三電極３８１と第五電極４０との間と、第四電極３８２と第六電極４２との間とに位置する。この実施例において、光学層４６の辺縁は基板３０辺縁より大きい。 Next, as shown in FIG. 6E-FIG. 6F, the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 are formed and electrically connected to the third electrode 381 and the fourth electrode 382, respectively. In this embodiment, the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 are electrically connected to at least one selected first heat dissipation mat 383 and second heat dissipation mat 48, so that the heat dissipation efficiency can be improved. This completes the manufacture of the photoelectric component 400 of this embodiment. In this embodiment, the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 include a metal reflective layer. In this embodiment, the optical layer 46 is located between the third electrode 381 and the fifth electrode 40 and between the fourth electrode 382 and the sixth electrode 42. In this embodiment, the edge of the optical layer 46 is larger than the edge of the substrate 30.

この実施例において、載置板又は回路部品（図示せず）を提供し、かつワイヤボンディング又は半田付けにより、載置板又は回路部品上に第一載置板電極（図示せず）と第二載置板電極（図示せず）とを形成することができる。該第一載置板電極及び第二載置板電極と、光電部品４００の第五電極４０及び第六電極４２とにより、フリップチップ構造を形成する。この実施例において、第五電極４０と第六電極４２は、基板３０の辺縁の外に形成される。この実施例において、基板３０の表面に垂直に投影された第五電極４０と第六電極４２の投影面積は、基板３０の面積より大きい。この実施例において、第五電極４０と第六電極４２の面積を拡大することにより、載置板又は回路部品との連結を容易に行い、かつ位置決めを容易に行うことができる。 In this embodiment, a mounting plate or circuit component (not shown) is provided, and a first mounting plate electrode (not shown) and a second mounting plate electrode (not shown) can be formed on the mounting plate or circuit component by wire bonding or soldering. The first mounting plate electrode and the second mounting plate electrode, and the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 of the photoelectric component 400 form a flip chip structure. In this embodiment, the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 are formed outside the edge of the substrate 30. In this embodiment, the projected areas of the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 projected perpendicularly onto the surface of the substrate 30 are larger than the area of the substrate 30. In this embodiment, the areas of the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 are enlarged to facilitate connection with the mounting plate or circuit component and positioning.

図７Ａ～図７Ｄは、本発明の第四実施例に係る光電部品の製造流れを示す図である。光電部品４００は、本発明の第二実施例の変形例である。図７Ａに示すとおり、本実施例は基板（図示せず）を含む。この基板は、単一な材料で構成された基板に限定されるものではなく、異なる複数の材料で構成された複合式基板であってよい。例えば、この基板は接着させた第一基板と第二基板とを含むことができる（図示せず）。 Figures 7A to 7D are diagrams illustrating the manufacturing flow of a photovoltaic component according to a fourth embodiment of the present invention. Photovoltaic component 400 is a modified version of the second embodiment of the present invention. As shown in Figure 7A, this embodiment includes a substrate (not shown). This substrate is not limited to a substrate made of a single material, but may be a composite substrate made of multiple different materials. For example, this substrate may include a first substrate and a second substrate bonded together (not shown).

次は、従来のエピタキシャル成長方法により、基板上にエピタキシャル積層を形成する。このエピタキシャル積層は第一半導体層３２１と、活性層３２２と、第二半導体層３２３とを含む。次は、溝渠Ｓを形成することにより、一部分の第一半導体層３２１を露出させる。かつ、該溝渠の側壁に第一絶縁層３６１を形成することにより、溝渠と、活性層及び第二半導体層３２３との間の電気絶縁を図る。この実施例において、溝渠Ｓ中に金属層を形成することにより、第一延伸電極（図示せず）を形成することができる。次は、該第一延伸電極上に第一電極３４１に形成するとともに、第二半導体層３２３上に第二電極３４２を形成する。この実施例において、第一電極３４１と第二電極３４２は多層構造であるとともに／或いは金属反射層（図示せず）を含み、かつその反射率８０％より大きい。 Next, an epitaxial stack is formed on the substrate by a conventional epitaxial growth method. The epitaxial stack includes a first semiconductor layer 321, an active layer 322, and a second semiconductor layer 323. Next, a groove S is formed to expose a portion of the first semiconductor layer 321. A first insulating layer 361 is formed on the sidewall of the groove to electrically insulate the groove from the active layer and the second semiconductor layer 323. In this embodiment, a first extension electrode (not shown) can be formed by forming a metal layer in the groove S. Next, a first electrode 341 is formed on the first extension electrode, and a second electrode 342 is formed on the second semiconductor layer 323. In this embodiment, the first electrode 341 and the second electrode 342 are multi-layered and/or include a metal reflective layer (not shown), and have a reflectivity greater than 80%.

次は、図７Ｂに示すとおり、基板上に支持部品４４を形成するとともに、それにより基板の側壁を覆う。この実施例において、支持部品４４は透明であり、その材料として、シリコン樹脂、エポキシ樹脂又はほかの材料を使うことができる。この実施例において、前記支持部品４４上に導光部品（図示せず）を更に形成することができ、この導光部品の材料としてガラスを使うことができる。次は、前記光電部品と支持部品４４との上に第二放熱マット４８を形成する。この実施例において、第二放熱マット４８の材料は、導熱係数＞５０Ｗ／ｍｋである材料、例えば金属であることができる。第二放熱マット４８の材料は、絶縁材料、例えばダイヤモンド状カーボン（Diamond－Like Carbon）、ダイヤモンド（Diamond）などであることができる。 Next, as shown in FIG. 7B, a support part 44 is formed on the substrate, thereby covering the sidewall of the substrate. In this embodiment, the support part 44 is transparent, and the material thereof can be silicone resin, epoxy resin or other materials. In this embodiment, a light-guiding part (not shown) can be further formed on the support part 44, and the material of the light-guiding part can be glass. Next, a second heat dissipation mat 48 is formed on the photoelectric component and the support part 44. In this embodiment, the material of the second heat dissipation mat 48 can be a material with a thermal conductivity coefficient of >50 W/mk, such as metal. The material of the second heat dissipation mat 48 can be an insulating material, such as diamond-like carbon, diamond, etc.

この実施例において、第二放熱マット４８は、支持部品４４上に形成される二個の第一部分４８２と、前記光電部品上に形成されかつ両端が該第一部分４８２上に連結された一個の第二部分４８１とを含み、かつダンベル状に形成されている。この実施例において、第一部分４８２の幅は、第一部分４８２の幅より広い。 In this embodiment, the second heat dissipation mat 48 includes two first parts 482 formed on the support part 44 and one second part 481 formed on the photoelectric part and connected at both ends to the first part 482, and is formed in a dumbbell shape. In this embodiment, the width of the first part 482 is wider than the width of the first part 482.

この実施例において、第二放熱マット４８は、第一電極３４１と第二電極３４２との間に形成され、かつ該第一電極３４１又は第二電極３４２に直接に接触されないとともに、該第一電極３４１又は第二電極３４２に電気接続されてもいない。 In this embodiment, the second heat dissipation mat 48 is formed between the first electrode 341 and the second electrode 342, and is not in direct contact with the first electrode 341 or the second electrode 342, nor is it electrically connected to the first electrode 341 or the second electrode 342.

次は、前記光電部品上に光学層４６を形成するとともに、それにより第二放熱マット４８、第一電極３４１及び第二電極３４２を覆う。光学層４６の材料は、基礎材料と高反射率材料との混合物を含む。基礎材料としてシリコン樹脂、エポキシ樹脂又はほかの材料を使うことができ、高反射率材料としてＴｉＯ_２を使うことができる。 Then, an optical layer 46 is formed on the photoelectric component, thereby covering the second heat dissipation mat 48, the first electrode 341 and the second electrode 342. The material of the optical layer 46 includes a mixture of a base material and a high reflectance material. The base material can be silicone resin, epoxy resin or other materials, and the high reflectance material can be _TiO2 .

次は、光学層４６上に複数個の開口４６１を形成する。複数個の開口４６１は、第一電極３４１と第二電極３４２の位置に対応し、かつ一部分の第一電極３４１と第二電極３４２を露出させる。 Next, a plurality of openings 461 are formed on the optical layer 46. The plurality of openings 461 correspond to the positions of the first electrode 341 and the second electrode 342, and expose a portion of the first electrode 341 and the second electrode 342.

次は、図７Ｄに示すとおり、第五電極４０と第六電極４２を形成し、それをそれぞれ第一電極３４１と第二電極３４２に電気接続させる。これにより本実施例の光電部品５００の製造が済む。この実施例において、該第五電極４０と第六電極４２を選択した第二放熱マット４８に電気接続させることにより、放熱効率を向上させることができる。この実施例において、第五電極４０と第六電極４２は金属反射層を含む。この実施例において、光学層４６は、第一電極３４１と第五電極４０との間と、第二電極３４２と第六電極４２との間とに位置する。この実施例において、光学層４６の辺縁は基板３０辺縁より大きい。 7D, the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 are formed and electrically connected to the first electrode 341 and the second electrode 342, respectively. This completes the manufacture of the photoelectric component 500 of this embodiment. In this embodiment, the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 are electrically connected to the selected second heat dissipation mat 48, thereby improving the heat dissipation efficiency. In this embodiment, the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 include a metal reflective layer. In this embodiment, the optical layer 46 is located between the first electrode 341 and the fifth electrode 40 and between the second electrode 342 and the sixth electrode 42. In this embodiment, the edge of the optical layer 46 is larger than the edge of the substrate 30.

この実施例において、載置板又は回路部品（図示せず）を提供し、かつワイヤボンディング又は半田付けにより、載置板又は回路部品上に第一載置板電極（図示せず）と第二載置板電極（図示せず）とを形成することができる。該第一載置板電極及び第二載置板電極と、光電部品５００の第五電極４０及び第六電極４２とにより、フリップチップ構造を形成する。この実施例において、第五電極４０と第六電極４２は、基板３０の辺縁の外に形成される。この実施例において、基板３０の表面に垂直に投影された第五電極４０と第六電極４２の投影面積は、基板３０の面積より大きい。この実施例において、第五電極４０と第六電極４２の面積を拡大することにより、載置板又は回路部品との連結を容易に行い、かつ位置決めを容易に行うことができる。 In this embodiment, a mounting plate or circuit component (not shown) is provided, and a first mounting plate electrode (not shown) and a second mounting plate electrode (not shown) can be formed on the mounting plate or circuit component by wire bonding or soldering. The first mounting plate electrode and the second mounting plate electrode, and the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 of the photoelectric component 500 form a flip chip structure. In this embodiment, the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 are formed outside the edge of the substrate 30. In this embodiment, the projected areas of the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 projected perpendicularly onto the surface of the substrate 30 are larger than the area of the substrate 30. In this embodiment, the areas of the fifth electrode 40 and the sixth electrode 42 are enlarged to facilitate connection with the mounting plate or circuit component and positioning.

図８Ａ～図８Ｃは本発明の発光モジュールを示す図であり、図８Ａはこの発光モジュールを示す斜視図である。発光モジュール６００は、載置体５０２と、光電部品（図示せず）と、複数個のレンズ５０４、５０６、５０８及び５１０と、２つの電源供給入力端５１２及び５１４とを含む。その発光モジュール６００は、後述する発光ユニット５４０に連結される。 Figures 8A to 8C are diagrams showing a light emitting module of the present invention, and Figure 8A is a perspective view showing the light emitting module. The light emitting module 600 includes a mounting body 502, a photoelectric component (not shown), a number of lenses 504, 506, 508 and 510, and two power supply input terminals 512 and 514. The light emitting module 600 is connected to a light emitting unit 540, which will be described later.

図８Ｂ～図８Ｃは、本発明の発光モジュールを示す図であり、そのうち、図８Ｃは図８ＢのＥ区域の拡大図である。載置体５０２は上載置体５０３と下載置体５０１を含み、下載置体５０１の一表面は上載置体５０３に接触する。上載置体５０３にはレンズ５０４及び５０８が形成されている。上載置体５０３には、少なくとも一つの孔５１５が形成されており、本発明の実施例の光電部品３００又はほかの実施例の光電部品（図示せず）は、下載置体５０１と接触するように該孔５１５に設けられ、かつ接着剤５２１に覆われている。接着剤５２１上にはレンズ５０８が設けられ、接着剤５２１の材料はシリコン樹脂、エポキシ樹脂又はほかの材料である。この実施例において、孔５１５の両側の側壁に反射層５１９を形成することにより光取り出し効率を増加させ、かつ下載置体５０１の下表面に金属層５１７を形成することにより放熱効果を向上させることができる。 8B-8C are diagrams showing the light emitting module of the present invention, in which FIG. 8C is an enlarged view of the E region of FIG. 8B. The support body 502 includes an upper support body 503 and a lower support body 501, and one surface of the lower support body 501 contacts the upper support body 503. The upper support body 503 is formed with lenses 504 and 508. The upper support body 503 is formed with at least one hole 515, and the photoelectric component 300 of the embodiment of the present invention or a photoelectric component of another embodiment (not shown) is provided in the hole 515 so as to contact the lower support body 501, and is covered with adhesive 521. The lens 508 is provided on the adhesive 521, and the material of the adhesive 521 is silicone resin, epoxy resin or other material. In this embodiment, the light extraction efficiency can be increased by forming a reflective layer 519 on the sidewalls on both sides of the hole 515, and the heat dissipation effect can be improved by forming a metal layer 517 on the lower surface of the lower support body 501.

図９Ａ～図９Ｂは、光線生成装置７００を示す図である。この光線生成装置７００は、発光モジュールと６００と、発光ユニット５４０と、発光モジュールと６００に所定の電流を提供する電源供給システム（図示せず）と、電源供給システム（図示せず）を制御する制御部品（図示せず）とを含む。光線生成装置７００は、照明装置であることができる。例えば、街路燈、車燈又は室内照明装置であるか、或いは交通信号標識又は平面表示装置のバックライトモジュールのバックライトである。 9A and 9B are diagrams showing a light generating device 700. The light generating device 700 includes a light emitting module 600, a light emitting unit 540, a power supply system (not shown) that provides a predetermined current to the light emitting module 600, and a control component (not shown) that controls the power supply system (not shown). The light generating device 700 can be a lighting device. For example, it can be a street light, a vehicle light, or an indoor lighting device, or it can be a traffic signal sign or a backlight of a backlight module of a flat display device.

図１０は電球を示す図である。電球８００は、カバー９２１と、レンズ９２２と、照明モジュール９２４と、フレーム９２５と、放熱器９２６と、挿入部９２７と、金口９２８とを含む。該照明モジュール９２４は、載置体９２３と、載置体９２３上に載置される本発明の実施例の少なくとも一個の光電部品３００又はほかの実施例の光電部品（図示せず）とを含む。 Figure 10 shows a light bulb. The light bulb 800 includes a cover 921, a lens 922, a lighting module 924, a frame 925, a heat sink 926, an insert 927, and a metal base 928. The lighting module 924 includes a mounting body 923 and at least one photoelectric component 300 of the embodiment of the present invention or a photoelectric component of another embodiment (not shown) mounted on the mounting body 923.

具体的に、基板３０はエピタキシャル成長及び／又は載置の基礎になる。基板の種類は、導電基板、不導電基板、透明基板又は不透明基板を選択することができる。導電基板の材料は、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ケイ素（Ｓi）、アルミン酸リチウム（ＬｉＡｌＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、金属であることができる。透明基板の材料は、サファイア（Sapphire）、アルミン酸リチウム（ＬｉＡｌＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ガラス、ダイヤモンド、ＣＶＤダイヤモンド、ダイヤモンド状カーボン（Diamond－Like Carbon、ＤＬＣ）、スピネル（spinel、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ケイ素（ＳiＯ_ｘ）、リチウムガレート（ＬiＧａＯ_２）であることができる。 Specifically, the substrate 30 is the basis for epitaxial growth and/or placement. The type of substrate can be selected as a conductive substrate, a non-conductive substrate, a transparent substrate, or an opaque substrate. The material of the conductive substrate can be germanium (Ge), gallium arsenide (GaAs), indium phosphide (InP), silicon carbide (SiC), silicon (Si), lithium aluminate (LiAlO ₂ ), zinc oxide (ZnO), gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN), or metal. The material of the transparent substrate can be sapphire, lithium aluminate (LiAlO ₂ ), zinc oxide (ZnO), gallium nitride (GaN), glass, diamond, CVD diamond, diamond-like carbon (DLC), spinel (MgAl ₂ O ₄ ), aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ), silicon oxide (SiO _x ), or lithium gallate (LiGaO ₂ ).

エピタキシャル積層（図示せず）は、第一半導体層３２１と、活性層３２２と、第二半導体層３２３とを含む。第一半導体層３２１と第二半導体層３２３は、例えばクラッド層（cladding layer）、制限層（confinement layer）、単層構造又は多層構造であることができる。該第一半導体層３２１と第二半導体層３２３との種類、極性又は不純物は相違する。種類として、ｐ型、ｎ型、i型のうちいずれかの２種を組み合わせたことを選択することができ、かつ電子と正孔（Electron hole）をそれぞれ提供して、この電子と正孔が活性層３２２中で反応して発光するようにする。第一半導体層３２１、活性層３２２及び第二半導体層３２３の材料は、III－V族半導体材料を含むことができる。例えば、Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{（１－ｘ－ｙ）}Ｎ又はＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{（１－ｘ－ｙ）}Ｐであり、かつこの化学式において、０≦ｘ、ｙ≦１、（ｘ＋ｙ）≦１である。活性層３２２の材料により、エピタキシャル積層は、波長の範囲が６１０ｎｍ～６５０ｎｍの間にある赤光、波長の範囲が５３０ｎｍ～５７０ｎｍの間にある青光又は波長が４００ｎｍより小さい赤外線を発する。 The epitaxial stack (not shown) includes a first semiconductor layer 321, an active layer 322, and a second semiconductor layer 323. The first semiconductor layer 321 and the second semiconductor layer 323 can be, for example, a cladding layer, a confinement layer, a single-layer structure, or a multi-layer structure. The first semiconductor layer 321 and the second semiconductor layer 323 are different in type, polarity, or impurity. The type can be a combination of any two of p-type, n-type, and i-type, and provide electrons and holes, respectively, so that the electrons and holes react in the active layer 322 to emit light. The materials of the first semiconductor layer 321, the active layer 322, and the second semiconductor layer 323 can include III-V group semiconductor materials. For example, _AlxInyGa _(1-x-y) N or _AlxInyGa ₍ _1-x-y) _P , where 0≦x, y≦1, (x+y)≦1. Depending on the material of the active layer 322, the epitaxial stack emits red light with a wavelength in the range of 610 nm to 650 nm, blue light with a wavelength in the range of 530 nm to 570 nm, or infrared light with a wavelength smaller than 400 nm.

本発明のほかの実施例において、光電部品３００、３００`、４００、５００は、エピタキシャル原物又は発光ダイオードであり、この発光光線の周波数スペクトルは、半導体の単層又は多層中の物理又は化学要素を変更することにより調節することができる。単層又は多層半導体の材料は、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、リン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）で構成された組から選択することができる。活性層３２２の構造は、例えば、シングルヘテロ構造（single heterostructure、ＳＨ）、ダブルヘテロ構造（double heterostructure、ＤＨ）、両側ダブルヘテロ構造（double－side double heterostructure、ＤＤＨ）又は多層量子井戸構造（multi－quantun well、ＭＱＷ）である。或いは、活性層３２２の量子井戸の対数を調節することにより発光光線の波長を変更することができる。 In another embodiment of the present invention, the photoelectric component 300, 300', 400, 500 is an epitaxial original or a light-emitting diode, the frequency spectrum of which can be adjusted by changing the physical or chemical elements in the semiconductor single layer or multilayer. The material of the semiconductor single layer or multilayer can be selected from the group consisting of aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), phosphorus (P), nitrogen (N), zinc (Zn), and oxygen (O). The structure of the active layer 322 is, for example, a single heterostructure (SH), a double heterostructure (DH), a double-side double heterostructure (DDH) or a multi-quantum well (MQW). Alternatively, the wavelength of the emitted light can be changed by adjusting the number of pairs of quantum wells in the active layer 322.

本発明の実施例において、第一半導体層３２１と基板３０との間に緩衝層（buffer layer、図示せず）を更に形成することができる。この緩衝層を二種の材料の間の設けることにより、基板３０の材料システムから第一半導体層３２１の材料システムへの過渡を実現することができる。発光ダイオードの構造において、緩衝層は、二種の材料の間の結晶格子が合わないことを低減する材料層になる。また、緩衝層により、二種の材料、又は離れている二個の単層、多層又は構造を貼り合せることができる。緩衝層の材料は、例えば有機材料、無機材料、金属、半導体などから選択することができる。緩衝層の構造は、反射層、導熱層、導電層、オーミック接触（ohmic contact）層、変形防止層、応力除去（stress release）層、応力調節（stress adjustment）層、ボンディング（bonding）層、波長変更層、機械的固定構造などになることができる。この実施例において、その緩衝層の材料は、窒化アルミニウム又は窒化ガリウムから選択し、かつスパッタリング又は原子層堆積装置（Atomic Layer Deposition、ＡＬＤ）の方法でその緩衝層を形成することができる。 In an embodiment of the present invention, a buffer layer (not shown) can be further formed between the first semiconductor layer 321 and the substrate 30. The buffer layer can be provided between the two materials to realize a transition from the material system of the substrate 30 to the material system of the first semiconductor layer 321. In the structure of the light-emitting diode, the buffer layer is a material layer that reduces the crystal lattice mismatch between the two materials. The buffer layer can also bond two materials or two separate single layers, multilayers or structures. The material of the buffer layer can be selected from, for example, organic materials, inorganic materials, metals, semiconductors, etc. The structure of the buffer layer can be a reflective layer, a heat conductive layer, a conductive layer, an ohmic contact layer, a deformation prevention layer, a stress release layer, a stress adjustment layer, a bonding layer, a wavelength changing layer, a mechanical fixing structure, etc. In this embodiment, the material of the buffer layer is selected from aluminum nitride or gallium nitride, and the buffer layer can be formed by sputtering or atomic layer deposition (ALD).

第二半導体層３２３上には接触層（図示せず）を更に形成することができる。接触層は、活性層３２２が形成されない第二半導体層３２３の一側に形成される。具体的に、その接触層は、光学層、電気層、又はそれらの組み合わせであることができる。光学層は、活性層から来るか或いは活性層に入射される電磁波又は光線を変更することができる。この「変更」とは、電磁波又は光線の少なくとも一種の光学特性を変更することをいう。この光学特性は、周波数、波長、強度、通量、高率、色温度、演色性（rendering index）、ライトフィールド（light field）、画角（angle of view）などを含むが、これらに限定されるものではない。電気層は、接触層のいずれかの一組とその対向側との間の電圧、抵抗、電流、電気容量のうち少なくとも１つの数値、密度、分布が変化するようにするか或いは変化の趨勢が出るようにする。接触層を構成する材料は、酸化物、導電酸化物、透明酸化物、５０％以上の透明率を有する酸化物、金属、透光金属、５０％又はその以上の透過率を有する金属、有機物、無機物、蛍光物、燐光物、セラミックス、半導体、不純物含有半導体、無不純物半導体のうちの少なくとも一種を含むことができる。ある応用おいて、接触層の材料は、酸化インジウムスズ、酸化スズカドミウム、酸化スズアンチモン、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム、酸化亜鉛スズのうちの少なくとも一種であることができる。透光金属を採用する場合、その厚さが０．００５～０．６μｍであることが好ましい。 A contact layer (not shown) may be further formed on the second semiconductor layer 323. The contact layer is formed on one side of the second semiconductor layer 323 where the active layer 322 is not formed. Specifically, the contact layer may be an optical layer, an electrical layer, or a combination thereof. The optical layer may modify the electromagnetic wave or light coming from or incident on the active layer. This "modification" refers to modifying at least one optical characteristic of the electromagnetic wave or light. The optical characteristic may include, but is not limited to, frequency, wavelength, intensity, throughput, efficiency, color temperature, color rendering index, light field, angle of view, etc. The electrical layer may change or cause a trend of change in at least one value, density, or distribution of the voltage, resistance, current, or capacitance between any pair of contact layers and the opposite side. The material constituting the contact layer may include at least one of oxide, conductive oxide, transparent oxide, oxide having a transparency of 50% or more, metal, translucent metal, metal having a transmittance of 50% or more, organic matter, inorganic matter, fluorescent material, phosphorescent material, ceramic, semiconductor, semiconductor containing impurities, and semiconductor without impurities. In some applications, the material of the contact layer may be at least one of indium tin oxide, cadmium tin oxide, antimony tin oxide, indium zinc oxide, aluminum zinc oxide, and zinc tin oxide. When a translucent metal is used, its thickness is preferably 0.005 to 0.6 μm.

以上、これらの発明の実施例を図面により詳述してきたが、実施例はこの発明の例示にしか過ぎないものであるため、この発明は実施例の構成にのみ限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれることは勿論である。また、例えば、各実施例に複数の構成が含まれている場合には、特に記載がなくとも、これらの構成の可能な組合せが含まれることは勿論である。また、複数の実施例や変形例が示されている場合には、特に記載がなくとも、これらに跨がった構成の組合せのうちの可能なものが含まれることは勿論である。また、図面に描かれている構成については、特に記載がなくとも、含まれることは勿論である。更に、「等」の用語がある場合には、同等のものを含むという意味で用いられている。また、「ほぼ」、「約」、「程度」などの用語がある場合には、常識的に認められる範囲や精度のものを含むという意味で用いられている。 Although the embodiments of the invention have been described above in detail with reference to the drawings, the embodiments are merely illustrative of the invention, and the invention is not limited to the configurations of the embodiments. Of course, even if there are design changes within the scope of the invention that do not deviate from the gist of the invention, they are included in the invention. For example, when multiple configurations are included in each embodiment, possible combinations of these configurations are included even if not specifically stated. When multiple embodiments or variations are shown, possible combinations of configurations across these are included even if not specifically stated. Configurations depicted in the drawings are included even if not specifically stated. Furthermore, when the term "etc." is used, it is used to mean that equivalents are included. Furthermore, when the term "almost", "about", "to the extent" is used, it is used to mean that something within a range or precision that is commonly accepted is included.

１００、２００、３００、３００`、４００、５００光電部品
１０透明基板
１２半導体積層
１４、Ｅ１、Ｅ２電極
３０基板
Ｕ光電部品ユニット
Ｕ１第一接触光電部品ユニット
Ｕ２第二接触光電部品ユニット
３２１第一半導体層
３２２活性層
３２３第二半導体層
Ｓ溝渠
３４２１延伸電極
３６１第一絶縁層
３６２導電配線構造
３６３第二絶縁層
３４１第一電極
３４２第二電極
３８１第三電極
３８２第四電極
３８３第一放熱マット
Ｐ載置板又は回路部品
４０第五電極
４２第六電極
４４支持部品
４６光学層
４６１開口
４８第二放熱マット
４８２第一部分
４８１第二部分
６００発光モジュール
５０１下載置体
５０２載置体
５０３上載置体
５０４、５０６、５０８、５１０レンズ
５１２、５１４電源供給入力端
５１５孔
５１９反射層
５２１接着剤
５４０発光ユニット
６００発光モジュール
７００光線生成装置
８００電球
９２１カバー
９２３載置体
９２２レンズ
９２４照明モジュール
９２５フレーム
９２６放熱器
９２７挿入部
９２８金口 100, 200, 300, 300', 400, 500 Optoelectronic component 10 Transparent substrate 12 Semiconductor laminate 14, E1, E2 Electrode 30 Substrate U Optoelectronic component unit U1 First contact optoelectronic component unit U2 Second contact optoelectronic component unit 321 First semiconductor layer 322 Active layer 323 Second semiconductor layer S Groove 3421 Stretched electrode 361 First insulating layer 362 Conductive wiring structure 363 Second insulating layer 341 First electrode 342 Second electrode 381 Third electrode 382 Fourth electrode 383 First heat dissipation mat P Mounting plate or circuit component 40 Fifth electrode 42 Sixth electrode 44 Supporting part 46 Optical layer 461 Opening 48 Second heat dissipation mat 482 First part 481 Second part 600 Light emitting module 501 Lower mounting body 502 Mounting body 503 Upper mounting body 504, 506, 508, 510 Lens 512, 514 Power supply input terminal 515 Hole 519 Reflective layer 521 Adhesive 540 Light emitting unit 600 Light emitting module 700 Light generating device 800 Bulb 921 Cover 923 Mounting body 922 Lens 924 Lighting module 925 Frame 926 Heat sink 927 Insertion part 928 Metal socket

Claims

An optoelectronic component,
an epitaxial stack including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer;
a trench exposing a portion of the first semiconductor layer;
a first insulating layer formed on a sidewall of the trench;
a first electrode formed on the portion of the first semiconductor layer exposed at the trench and electrically connected to the first semiconductor layer;
a second electrode formed on the second semiconductor layer;
an optical layer covering the first electrode and the second electrode and including a plurality of openings exposing the first electrode and the second electrode ;
a fifth electrode covering one of the plurality of openings and electrically connected to the first semiconductor layer ; and a sixth electrode covering another one of the plurality of openings and electrically connected to the second semiconductor layer,
the plurality of openings and the trench are located on the same epitaxial layer;
the first insulating layer electrically insulates the first electrode from the active layer and the second semiconductor layer;
When viewed from above, the fifth electrode and the sixth electrode each have a side that is projected onto an area other than the epitaxial stack, and the side of the fifth electrode and the side of the sixth electrode each have a length that is greater than a length of the side of the epitaxial stack in a direction parallel to the side of the epitaxial stack ;
a distance between the first electrode and the second electrode is smaller than a distance between the fifth electrode and the sixth electrode, and the distance between the fifth electrode and the sixth electrode is smaller than the length of the side of the epitaxial stack .

The optoelectronic component further includes a support board or a circuit component;
The optoelectronic component according to claim 1 , wherein the support plate or the circuit component includes a first support plate electrode and a second support plate electrode connected to the fifth electrode and the sixth electrode, respectively .

The optoelectronic component of claim 1, wherein the optical layer comprises a highly reflective material.

The optoelectronic component of claim 3 , wherein the highly reflective material comprises TiO ₂ .

The optoelectronic component of claim 1 , wherein said another one of said plurality of openings exposes a portion of said second electrode.

In a direction parallel to the side of the epitaxial stack, the side of the fifth electrode is parallel to the first side of the first electrode and is located between the first side of the first electrode and an edge of the optical layer;
2. The optoelectronic component of claim 1, wherein the side of the sixth electrode is parallel to the second side of the second electrode and is located between the second side of the second electrode and another edge of the optical layer.

The photoelectric component further comprises:
a substrate overlying the epitaxial stack; and
The optoelectronic component of claim 1 , further comprising a support component overlying the substrate.

The photoelectric component of claim 1, wherein the photoelectric component is rectangular when viewed from above.

The photovoltaic component of claim 8, wherein the total projected area of the fifth electrode and the sixth electrode, projected perpendicularly to the surface of the epitaxial stack, is greater than the total projected area of the first electrode and the second electrode.

The photoelectric component of claim 1, wherein the total projected area of the fifth electrode and the sixth electrode projected perpendicularly onto the surface of the epitaxial stack is greater than the area of the epitaxial stack.