JP7503223B1 - 排ガス浄化用触媒の製造装置および排ガス浄化用触媒の製造方法 - Google Patents

Abstract

ツバ部を有する基材に対して、ツバ部へのスラリーの付着およびハニカム構造体における未コート部の発生を抑制する製造装置を提供する。ここに開示される製造装置１００は、ツバ部１３を有する外筒１１とハニカム構造体１２とを備える基材１０を保持する保持部１１０と、基材１０に供給される触媒層形成用のスラリーの粘度を調整する粘度調整機構１２０と、粘度調整機構１２０に該スラリーを供給する供給部１３０と、を備えている。粘度調整機構１２０は、外筒１１の内径よりも外径が小さい円筒形状の仕切り部材１２２と、複数の貫通孔が形成された多孔質プレート１２４と、基材１０の下端１０ｂから触媒層形成用スラリーを吸引する吸引部材１２６と、を備えている。

Description

本発明は、排ガス浄化用触媒の製造装置および排ガス浄化用触媒の製造方法に関する。
なお、本出願は、２０２３年１月３１日に出願された日本国特許出願２０２３－０１２４８７号に基づく優先権を主張しており、その出願の全内容は本明細書中に参照として組み入れられている。

車両等の内燃機関から排出される排ガスには、窒素酸化物（ＮＯｘ）、炭化水素（ＨＣ：Ｈｙｄｒｏ－Ｃａｒｂｏｎ）、一酸化炭素（ＣＯ）等の有害成分が含まれる。これら有害成分を排ガス中から効率よく反応・除去するために、従来から排ガス浄化用触媒が利用されている。かかる排ガス浄化用触媒は、例えば複数の排ガス流路（セル）が隔壁で仕切られたハニカム構造の基材と、基材の隔壁の表面および／または内部に設けられた触媒層とを有している。触媒層は、排ガス成分を酸化もしくは還元することで浄化する触媒金属（例えば、パラジウム、ロジウム、白金等）を含んでいる。

このような排ガス浄化用触媒の製造方法の一例として、触媒層形成用のスラリーをハニカム基材の一方の端面に供給し、他方の端面側から吸引することによって、スラリーを基材の内部に引き込む方法が知られている（例えば、特許文献１～４）。

国際公開第２０２１／１１６６８４号 英国特許出願公開２５７８２３９号明細書 日本国特許出願公開２０２０－１９２５２４号公報 日本国特許出願公開２０２１－１２０１４１号公報

特許文献１および２には、底面が複数の孔を有する部材で形成された容器を基材の上側の端部に載せ置いた状態で、上記容器にスラリーを供給して、セル内と容器内とに圧力差を生じさせることで、スラリーをセル内に導入することが開示されている。本発明者らが検討した結果によれば、容器とハニカム構造体の端面とが接触している場合には、ハニカム構造体の端部において未コート部が生じることを見出した。

また、基材として、外筒の端部がハニカム構造体の端面よりも外方に突出しているツバ部を有する基材（以下、「ツバ付き基材」ともいう。）を用いることがある。本発明者らが検討した結果によれば、ツバ付き基材を用いる場合、供給されるスラリーを一時的に保持する仕切り部材をツバ部の内壁側に配置することで、ツバ部へのスラリーの付着を抑制できる。その一方で、このような仕切り部材は、配置する際にツバ部と相互にぶつかって（干渉して）、好適に配置できないことがあった。特許文献３に開示される技術をツバ付き基材に用いた場合、基材にスラリーを供給する部材と、ツバ部とが相互に干渉することや、ツバ部にスラリーが付着する虞がある。ツバ部にスラリーが付着した場合には、例えばマットと共に金属製のケースに収容される際に（いわゆるキャニングの際に）、溶接不良等が生じ得るため好ましくない。特許文献４には、エアを供給してスラリーをセル内に導入するため、目詰まりする虞がある。また、供給するエアの圧を均一にする必要があり、装置の構成が複雑になる懸念がある。したがって、ツバ付き基材を用いた場合の排ガス浄化用触媒の製造方法は、未だ改善の余地があった。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、ツバ部を有する基材を用いた際に、ツバ部へのスラリーの付着を抑制し、ハニカム構造体において未コート部が発生することを抑制する排ガス浄化用触媒の製造装置を提供することにある。また、他の目的は、ツバ部を有する基材を用いた際に、ツバ部へのスラリーの付着を抑制し、ハニカム構造体において未コート部が発生することを抑制する製造方法を提供することにある。

上記目的を実現するべく、ここに開示される技術によって下記の構成の製造装置および製造方法が提供される。

ここに開示される製造装置（１）は、内燃機関から排出される排ガスを浄化する排ガス浄化用触媒の製造装置であって、外筒と、上記外筒の内部に配置され、排ガスが流動可能に形成されたハニカム構造体と、を備え、上記ハニカム構造体は上記外筒よりも筒軸方向の長さが短く、上記ハニカム構造体の端面よりも筒軸方向に向けて突出したツバ部を有する基材を、上記基材の筒軸が垂直方向と略一致するように保持する保持部と、上記基材に供給される触媒層形成用スラリーの粘度を調整する粘度調整機構と、上記粘度調整機構に上記触媒層形成用スラリーを供給する供給部と、を備えている。上記粘度調整機構は、上記外筒の内径よりも外径が小さい円筒形状の仕切り部材と、上記仕切り部材の内部または下方側の端部に配置され、上記触媒層形成用スラリーが通過できるように複数の貫通孔が形成された多孔質プレートと、上記触媒層形成用スラリーが上記多孔質プレートを通過する際に、所定のせん断力がかかるように上記基材の下端から上記触媒層形成用スラリーを吸引する吸引部材と、を備えている。ここで、上記仕切り部材の下端と上記ハニカム構造体の上方側の端面とが接触せずに対向し、かつ、上記ツバ部の内壁と上記仕切り部材の外壁とのクリアランスＹが０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下となるように上記基材と上記仕切り部材とが配置され、上記多孔質プレートを通過するときの上記触媒層形成用スラリーの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下となるように、上記多孔質プレートの開口径と、上記吸引部材の吸引速度とが調整される。

かかる構成によれば、ツバ部の内壁側に仕切り部材を好適に配置することができる。また、粘度調整機構によって、粘度が好適に調整されているため、スラリーがハニカム構造体の端面において好適に拡散される。これにより、外筒とハニカム構造体とツバ部とを有する基材に対しても、ツバ部へのスラリーの付着を抑制し、ハニカム構造体において未コート部が発生することを抑制する製造装置が実現される。

ここに開示される製造装置（２）では、上記製造装置（１）において、上記貫通孔の開口径は、０．３ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。かかる構成によれば、スラリーの粘度をより好適に調整することができる。したがって、ハニカム構造体において未コート部が発生することを抑制することができる。

ここに開示される製造装置（３）では、上記製造装置（１）または（２）のいずれかにおいて、上記吸引部材は、吸引速度が３０ｍ／ｓ以上６０ｍ／ｓ以下である。かかる構成によれば、スラリーの粘度をより好適に調整することができる。したがって、ハニカム構造体において未コート部が発生することを抑制することができる。

ここに開示される製造装置（４）では、上記製造装置（１）～（３）のいずれかにおいて、上記ツバ部の筒軸方向の長さＬに対する上記ハニカム構造体の端面と上記仕切り部材の下端とのクリアランスＸの比（Ｘ／Ｌ）が０．３～０．５となるように、上記基材と上記仕切り部材とが配置される。かかる構成によれば、ツバ部へのスラリーの付着と、ハニカム構造体における未コート部の発生をより好適に抑制することができる。

ここに開示される製造装置（５）では、上記製造装置（１）～（４）のいずれかにおいて、上記基材は、筒軸方向において上記ハニカム構造体を複数備えており、上記ツバ部の筒軸方向の長さＬに対する、上記基材の筒軸方向において上方側に配置される上記ハニカム構造体の端面と上記仕切り部材の下端とのクリアランスＸの比（Ｘ／Ｌ）が０．３～０．５となるように、上記基材と上記仕切り部材とが配置される。かかる構成によれば、外筒と複数のハニカム構造体とツバ部とを有する基材に対しても、ツバ部へのスラリーの付着を抑制し、ハニカム構造体において未コート部が発生することを抑制する製造装置が実現される。

ここに開示される製造方法（６）では、内燃機関から排出される排ガスを浄化する排ガス浄化用触媒の製造方法であって、外筒と、上記外筒の内部に配置され、排ガスが流動可能に形成されたハニカム構造体と、を備え、上記ハニカム構造体は上記外筒よりも筒軸方向の長さが短く、上記ハニカム構造体の端面よりも筒軸方向に向けて突出したツバ部を有する基材を用意する用意工程と、上記基材の筒軸が垂直方向と略一致するように上記基材を保持する保持工程と、上記基材と、上記基材の上記外筒の内径よりも小さい外径の円筒形状の仕切り部材と、を配置する配置工程と、上記仕切り部材に触媒金属を含む触媒層形成用スラリーを供給する供給工程と、上記基材に供給される上記触媒層形成用スラリーの粘度を調整する粘度調整工程と、を含む。上記配置工程では、上記ハニカム構造体の上方側の端面と上記仕切り部材の下端とが、接触せずに対向し、かつ、上記基材のツバ部の内壁と上記仕切り部材の外壁とのクリアランスＹが０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下となるように上記基材と上記仕切り部材とを配置し、上記粘度調整工程では、上記触媒層形成用スラリーの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下となるように粘度を調整する。

かかる構成によれば、ツバ部の内壁側に仕切り部材を好適に配置することができる。また、粘度調整工程において、粘度が好適に調整されているため、スラリーがハニカム構造体の端面において好適に拡散される。これにより、外筒とハニカム構造体とツバ部とを有する基材に対しても、ツバ部へのスラリーの付着を抑制し、ハニカム構造体において未コート部が発生することを抑制する製造方法が実現される。

ここに開示される製造方法（７）では、上記製造方法（６）において、上記配置工程では、上記ツバ部の筒軸方向の長さＬに対する上記ハニカム構造体の端面と上記仕切り部材の下端とのクリアランスＸの比（Ｘ／Ｌ）が０．３～０．５となるように上記基材と上記仕切り部材とを配置する。かかる構成によれば、ツバ部へのスラリーの付着と、ハニカム構造体における未コート部の発生をより好適に抑制することができる。

ここに開示される製造方法（８）では、上記製造方法（６）または（７）において、上記用意工程で用意される上記基材は、筒軸方向において上記ハニカム構造体を複数備えており、上記配置工程では、上記ツバ部の筒軸方向の長さＬに対する、上記基材の筒軸方向の上方側に配置される上記ハニカム構造体の端面と上記仕切り部材の下端とのクリアランスＸの比（Ｘ／Ｌ）が０．３～０．５となるように上記基材と上記仕切り部材とを配置する。かかる構成によれば、外筒と複数のハニカム構造体とツバ部とを有する基材に対しても、ツバ部へのスラリーの付着を抑制し、ハニカム構造体において未コート部が発生することを抑制する製造方法が実現される。

図１は、第１実施形態に係る排ガス浄化用触媒を模式的に示す斜視図である。 図２は、第１実施形態に係る排ガス浄化用触媒の構成を模式的に示す図である。 図３は、一実施形態に係る製造装置を模式的に示す図である。 図４は、多孔質プレートが配置された仕切り部材の一例を模式的に示す図である。 図５は、多孔質プレートが配置された仕切り部材の他の一例を模式的に示す図である。 図６は、仕切り部材が基材に配置される様子を模式的に示す図である。 図７は、一実施形態に係る排ガス浄化用触媒の製造方法の工程を示すフローチャート図である。 図８は、第２実施形態に係る排ガス浄化用触媒を模式的に示す斜視図である。 図９は、第２実施形態において、仕切り部材が基材に配置される様子を模式的に示す図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。また、以下の図面において、同じ作用を奏する部材・部位には同じ符号を付し、重複する説明は省略または簡略化することがある。各図における寸法関係（長さ、幅、厚み等）は、実際の寸法関係を必ずしも反映するものではない。また、本明細書において範囲を示す「Ａ～Ｂ」（Ａ，Ｂは任意の数値）の表記は、Ａ以上Ｂ以下を意味する。

＜第１実施形態＞
ここに開示される製造装置を用いて製造される排ガス浄化用触媒は、種々の内燃機関、特に自動車のディーゼルエンジンやガソリンエンジンの排気系（排気管）に配置され得る。そして、かかる排ガス浄化用触媒は、当該内燃機関から排出された排ガス中の有害成分（ＨＣ、ＣＯ、ＮＯｘ等）を浄化する機能を有する。

図１は、第１実施形態に係る排ガス浄化用触媒１を模式的に示す斜視図である。図２は、図１に示される排ガス浄化用触媒１の構造を模式的に示す図である。なお、図１および図２の矢印は、排ガス浄化用触媒１を内燃機関の排気系に配置したときに排ガスが流れる向きを示している。すなわち、図１および図２では、左側が相対的に内燃機関に近い上流側（フロント側）であり、右側が相対的に内燃機関から遠い下流側（リア側）である。また、図１および図２において、符号Ｄは、排ガス浄化用触媒１の筒軸方向を表している。排ガス浄化用触媒１は、筒軸方向Ｄが排ガスの流動方向に沿うように内燃機関の排気経路に設置される。

図１および図２に示すように、第１実施形態に係る排ガス浄化用触媒１は、ストレートフロー構造の基材１０と、触媒層２０と、を備えている。基材１０は、排ガス浄化用触媒１の骨格を構成する部材であり、筒軸方向Ｄに沿って延びている。基材１０は、外筒１１と、外筒１１の内部に配置されたハニカム構造体１２とを備えている。外筒１１には、筒軸方向Ｄの少なくとも一方の端部において、ハニカム構造体１２の端面よりも筒軸方向Ｄの外方に向けて突出したツバ部１３が設けられている。図１に示す例では、外筒１１は筒軸方向Ｄの両端部においてツバ部１３を有している。ツバ部１３の内壁側にはハニカム構造体１２が配置されていない。

ハニカム構造体１２は、筒軸方向Ｄに沿って延びる複数のセル１２ａと、セル１２ａを仕切る隔壁１２ｂと、を備えている。セル１２ａは、排ガスが流通可能であり、筒軸方向Ｄの両端が開放されている。図２に示すように、隔壁１２ｂの表面には、触媒層２０が形成されている。排ガス浄化用触媒１に流入した排ガスは、排ガス浄化用触媒１の排ガス通路内（ここでは、セル１２ａ内）を流動している間に触媒層２０と接触する。これにより、排ガス中の有害成分が浄化される。例えば、排ガスに含まれるＨＣやＣＯは、触媒層２０の触媒機能によって酸化され、水や二酸化炭素等に変換（浄化）される。また、例えばＮＯｘは、触媒層２０の触媒機能によって還元され、窒素に変換（浄化）される。

触媒層２０は、触媒金属を含む層である。触媒金属とは、上記したようなＨＣ、ＣＯ、ＮＯｘ等の有害成分の浄化の際に、酸化触媒及び／又は還元触媒として機能し得る金属である。このような触媒金属の例としては、白金族、すなわち、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）が挙げられる。また、上記した金属のうち２種以上が合金化したものを用いてもよい。なかでも、酸化活性が高い酸化触媒（例えばＰｄおよびＰｔのうちの少なくとも一方）、および還元活性が高い還元触媒（例えばＲｈ）が好適な触媒金属として挙げられる。

触媒層２０は、触媒金属に加えて担体を含み得る。担体は、触媒金属を担持する材料である。担体としては、特に限定されず、従来この種の触媒において用いられ得る無機化合物を用いてよい。例えば、担体は、比表面積が大きい無機多孔質体であるとよい。なお、本明細書において「比表面積」とは、特に記載のない限り、ＢＥＴ法により測定される比表面積を指す。担体としては、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、ジルコニア（ＺｒＯ_２）、シリカ（ＳｉＯ_２）、セリア（ＣｅＯ_２）、チタニア（ＴｉＯ_２）等の金属酸化物や、その固溶体（例えば、セリア－ジルコニア複合酸化物等）、あるいはそれらの組み合わせが挙げられる。

＜製造装置＞
図３は、ここに開示される製造装置１００を模式的に示す図である。製造装置１００は、基材１０の筒軸が垂直方向（重力方向）と略一致するように基材１０を保持する保持部１１０と、基材１０に供給される触媒層形成用スラリーの粘度を調整する粘度調整機構１２０と、粘度調整機構１２０に触媒層形成用スラリーを供給する供給部１３０と、を備えている。さらに、粘度調整機構１２０は、基材１０の上端１０ａ側において、触媒層形成用スラリーを一時的に保持する仕切り部材１２２と、触媒層形成用スラリーが通過できるように複数の貫通孔が形成された多孔質プレート１２４と、当該スラリーが多孔質プレート１２４を通過する際に所定のせん断力がかかるように、基材１０の筒軸方向Ｄの下端１０ｂ側から吸引する吸引部材１２６と、を備えている。また、製造装置１００は、基材１０と仕切り部材１２２とを所定位置に配置する昇降装置１４０をさらに含み得る。ここに開示される製造装置１００では、仕切り部材１２２の下端とハニカム構造体１２の上方側の端面１２ｓとが接触せずに対向し、かつ、ツバ部１３の内壁と仕切り部材１２２の外壁とのクリアランスＹが０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下となるように基材１０と仕切り部材１２２とが配置される。そして、粘度調整機構１２０は、多孔質プレート１２４を通過するときの触媒層形成用スラリーの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下となるように、多孔質プレート１２４の貫通孔の開口径と、吸引部材１２６の吸引速度とが調整されている。

保持部１１０は、基材１０を着脱可能に保持する。図示は省略するが、保持部１１０は、例えば昇降装置によって上下に移動可能に構成されているとよい。これにより、基材１０を所望する位置に配置することができる。保持部１１０は、図３に示すように、後述する基材受け部１２６ａと、供給部１３０の吐出部１３１との間で、基材１０の筒軸が略垂直となるように基材１０を保持する。すなわち、保持部１１０は、基材１０（外筒１１）の筒軸方向Ｄと垂直方向（重力方向）とが略一致するように基材１０を保持する。なお、本明細書において、「垂直方向と略一致する」とは、製造装置が設置される面から延びる垂線に対して±５°程度の範囲は包含されるものとする。

保持部１１０は、ツバ部１３を有する側の端部が上方側に配置されるように基材１０を保持する。保持部１１０は、基材１０を保持できる限りにおいて特に限定されない。保持部１１０は、例えば機械的に基材１０を保持するメカニカルチャックや、負圧を利用して基材１０を保持する真空チャック、磁力を利用して基材１０を保持するマグネットチャック等であり得る。

図３に示すように、粘度調整機構１２０は、仕切り部材１２２と、多孔質プレート１２４と、吸引部材１２６と、を備えている。粘度調整機構１２０は、多孔質プレート１２４の貫通孔の開口径と、吸引部材１２６の吸引速度とを調整して、触媒層形成用スラリーが多孔質プレート１２４の貫通孔を通過するように吸引することにより、仕切り部材１２２に供給された触媒層形成用スラリーにせん断力をかけて、当該スラリーの粘度を好適に調整することができる。

触媒層形成用スラリーを基材１０のハニカム構造体１２の全体に供給するためにはスラリーをすばやく拡散させる必要があり、スラリーの粘度は所定値以下であることが求められる。また、本発明者らが検討した結果によれば、仕切り部材１２２の下端とハニカム構造体１２の端面１２ｓとが接触している場合には、スラリーの粘度が好適に調整されていたとしても、スラリーが好適に拡散せずハニカム構造体１２の外周近傍に未コート部が発生することがある。ハニカム構造体１２に未コート部が発生した場合には、当該箇所において適切な触媒機能を発揮させることができないため好ましくない。そして、ツバ部１３の内壁側に仕切り部材１２２が配置されていない場合、ツバ部１３にスラリーが付着することがある。ツバ部１３にスラリーが付着した場合には、キャニング時において溶接不良等の原因となり得るため好ましくない。そこで、ここに開示される製造装置においては、基材１０の内径よりも外径が小さい仕切り部材１２２使用する。昇降装置１４０は、基材１０のハニカム構造体１２の端面１２ｓと仕切り部材１２２の下端とが接触しないよう基材１０および／または仕切り部材１２２を配置する。そして、多孔質プレート１２４と吸引部材１２６とを用いて、触媒層形成用スラリーに所定のせん断力をかけ、多孔質プレート１２４を通過するときのスラリーの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下となるように調整する。これにより、未コート部の発生と、ツバ部１３へのスラリーの付着を抑制し、基材１０に触媒層２０を好適に形成することができる。

仕切り部材１２２は、内部空間を有する部材である。仕切り部材１２２は、基材１０の上端１０ａ側から供給される触媒層形成用スラリーを、上記内部空間において一時的に保持（収容）する。また、仕切り部材１２２は、スラリーが基材１０に供給される際に、その位置を調整する機能を有し得る。仕切り部材１２２は、両端が開口した円筒形状の部材である。仕切り部材１２２の材質は、耐薬品性や耐腐食性を有する材料であれば特に限定されず、金属製（例えば、ステンレス鋼製）や樹脂製（例えばポリエチレン）であっても良い。

仕切り部材１２２の外径が外筒１１の内径よりも大きい場合には、ツバ部１３の内壁側に仕切り部材１２２を配置することができず、ツバ部１３に触媒層形成用スラリーが付着し得る。したがって、仕切り部材１２２の外径は外筒１１の内径よりも小さく設計される。これにより、ツバ部１３へのスラリーの付着を防ぐことができ、さらに、仕切り部材１２２とツバ部１３とが相互にぶつかる（干渉する）ことなく、基材１０の上端１０ａ側から仕切り部材１２２を容易に挿入することができる。例えば、仕切り部材１２２の外径は、外筒１１の内径に対して１ｍｍ～１０ｍｍ程度（より好ましくは１ｍｍ～６ｍｍ）小さいとよい。具体的に例えば、仕切り部材１２２の外径は、１５ｍｍ～１９５ｍｍ程度であるとよい。仕切り部材１２２は、上端側において、上方に向けて拡径した拡径部を有していてもよい。仕切り部材１２２が拡径部を有していることにより、触媒層形成用スラリーを、好適に仕切り部材１２２の内部に収容することができる。なお、仕切り部材１２２が拡径部を有する場合、上記拡径部よりも下端側の外径が外筒の内径よりも小さければ、拡径部の外径は基材の内径より大きくてもよい。

図４および図５は、仕切り部材１２２と多孔質プレート１２４とを模式的に示す図である。図６は、粘度調整機構１２０がハニカム構造体１２の上方に配置されたときの様子を模式的に示す図である。図４および図５に示すように、多孔質プレート１２４は、触媒層形成用スラリーが通過できるように複数の貫通孔１２４ｈが形成された部材である。多孔質プレート１２４は、図４に示すように、仕切り部材１２２の下端１２２ａに配置されている。ただし、多孔質プレート１２４は、図５に示すように、仕切り部材１２２の内部に配置されていてもよい。例えば、多孔質プレート１２４は、仕切り部材１２２の筒軸方向の長さを１００％としたときに、下端１２２ａから５０％以下の領域に配置されていることが好ましい。これにより、供給された触媒層形成用スラリーを収容する空間を十分に確保することができる。なお、図５に示す形態では、仕切り部材１２２の下端１２２ａは開口している。

多孔質プレート１２４は、プレートの厚み方向に沿って貫通する複数の貫通孔１２４ｈを有している。多孔質プレート１２４は、複数の貫通孔１２４ｈを有し、触媒層形成用スラリーが通過できるよう構成されている限りにおいて、特に限定されない。貫通孔１２４ｈは、略同じ大きさで均一に形成されていることが好ましい。貫通孔１２４ｈの平面視における形状は、四角形状や六角形状等の多角形状であってもよいし、真円形状や楕円形状等の円形状であってもよい。例えば、多孔質プレート１２４は、金属製または樹脂製の板状部材に複数の貫通孔１２４ｈが形成された部材（例えば、パンチングプレート）であってもよいし、金属製または樹脂製の部材を網目状に編み込むことによって複数の貫通孔１２４ｈが形成された部材（例えば、メッシュプレート）であってもよい。

吸引部材１２６は、基材１０の上端１０ａ側に供給される触媒層形成用スラリーを、下端１０ｂ側から吸引することで、基材１０の内部にスラリーを導入する。吸引部材１２６は、例えば、内部空間を有する基材受け部１２６ａと、配管１２６ｂを介して基材受け部１２６ａの内部空間と接続する吸引装置（図示せず）と、配管１２６ｂの開閉を行う開閉バルブ１２６ｃと、を備え得る。基材受け部１２６ａは、基材１０を挿入可能なように開口が形成されている。図３に示すように、基材受け部１２６ａの開口に基材１０の下端１０ｂを挿入することにより、基材受け部１２６ａと基材１０の外壁とが密着し、基材１０の下端１０ｂが基材受け部１２６ａの内部空間に到達する。基材１０は、基材受け部１２６ａによって概ね垂直に保持される。この状態で吸引装置を駆動することにより、ハニカム構造体１２内部のガス（例えば空気）が吸引され、触媒層形成用スラリーを基材１０の内部に導入することができる。

ここに開示される製造装置１００では、せん断速度が増加すると粘度が低下する性質を有する（すなわち、非ニュートン性流体である）触媒層形成用スラリーを用いて、基材１０に触媒層２０を形成する。ここで、触媒層形成用スラリーが多孔質プレート１２４を通過するときのせん断速度γ（ｓｅｃ^－１）は、多孔質プレート１２４の貫通孔１２４ｈの開口径Ｚ（ｍｍ）と、貫通孔１２４ｈをスラリーが通過するときの通過速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）と、を用いて、式：せん断速度γ＝｛通過速度Ｖ／（開口径Ｚ／２）｝；により算出することができる。そして、所望する触媒層形成用スラリーの２５℃環境下におけるせん断速度γ（ｓｅｃ^－１）と粘度（ｍＰａ・ｓ）との関係を予め取得しておき、当該スラリーの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下となるようにせん断速度γを調整するとによって、基材１０に対して好適にスラリーを供給することができる。かかるせん断速度γは、上記のとおり、多孔質プレート１２４の貫通孔１２４ｈの開口径Ｚと、吸引部材１２６の吸引速度とを変更することにより調整することができる。
なお、上記した通過速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）は、以下のようにして求めることができる。まず、多孔質プレート１２４上に供給された触媒層形成用スラリーの液面高さ（ｍｍ）を測定する。次いで、ハイスピードカメラを用いて、吸引部材１２６による吸引開始から多孔質プレート１２４上に供給されたスラリーが全て吸引されるまでの時間（ｓ）を計測する。そして、上記計測した液面高さ（ｍｍ）を上記計測した時間（ｓ）で割ることにより、通過速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）を求めることができる。

特に限定されないが、粘度調整機構１２０は、せん断速度γが１５０ｓｅｃ^－１以上４００ｓｅｃ^－１以下となるように開口径Ｚと吸引速度とが調整されていることが好ましく、せん断速度γが２００ｓｅｃ^－１以上３５０ｓｅｃ^－１以下となるように開口径Ｚと吸引速度とが調整されていることより好ましい。これにより、触媒層形成用スラリーの粘度を好適に調整して、未コート部の発生を抑制することができる。

多孔質プレート１２４の貫通孔１２４ｈの開口径Ｚ（ｍｍ）は、２５℃の環境下におけるスラリーの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下に調整できるような大きさであれば特に限定されない。貫通孔１２４ｈの開口径Ｚが大きすぎる場合には、スラリーに十分なせん断力がかからず粘度が低下しないことや、粘度調整機構１２０に供給された触媒層形成用スラリーが多孔質プレート１２４上に保持できないことがある。かかる観点からは、貫通孔１２４ｈの開口径Ｚは、１ｍｍを下回ることが好ましく、０．８ｍｍ以下であることがより好ましく、０．４ｍｍ以下であることがさらに好ましい。一方で、貫通孔１２４ｈの開口径Ｚが小さすぎる場合には、吸引部材１２６によって吸引しても触媒層形成用スラリーが好適に貫通孔１２４ｈを通過できないことがあり得る。かかる観点からは、貫通孔１２４ｈの開口径Ｚは、０．１ｍｍを上回ることが好ましく、０．３ｍｍ以上であることがより好ましい。貫通孔１２４ｈの開口径Ｚは、触媒層形成用スラリーが粘度調整機構１２０に供給された際の粘度によって変更され得るため、一概には規定されないが、例えば、０．１ｍｍを超えて１ｍｍを下回ることが好ましく、０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であることがより好ましく、０．３ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることがさらに好ましく、０．３ｍｍ以上０．４ｍｍ以下であってもよい。

吸引部材１２６の吸引速度は、２５℃の環境下におけるスラリーの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下に調整できるような速度であれば特に限定されない。吸引速度は遅すぎる場合には、スラリーに十分なせん断力がかからないため、好ましくない。一方で、吸引速度が速すぎる場合には、スラリーが過剰に拡散する虞がある。吸引速度は、例えば、基材のセル内での風速が２０ｍ／ｓ～８０ｍ／ｓとなるように調整されていることが好ましく、３０ｍ／ｓ～６０ｍ／ｓとなるように調整されていることがより好ましい。また、吸引時間は特に限定されないが、例えば１秒～２０秒程度（例えば３秒～１５秒）であるとよい。

昇降装置１４０は、基材１０および／または仕切り部材１２２を所定の位置に配置するように構成されている。図３および図６に示す例では、昇降装置１４０は、仕切り部材１２２を上下に移動するように構成されている。昇降装置１４０は、ここでは、仕切り部材１２２の下端１２２ａと、ハニカム構造体１２の上方側の端面１２ｓとが接触せず対向するように、仕切り部材１２２を配置する。これによって、ハニカム構造体１２に未コート部が発生することを抑制できる。昇降装置１４０は、図６に示すように、仕切り部材１２２の外壁１２２ｂがツバ部１３の内壁１３ａと対向する位置に仕切り部材１２２を配置する。すなわち、仕切り部材１２２の下端１２２ａは、ツバ部１３の上端よりもハニカム構造体１２の端面１２ｓ側に侵入する位置に配置される。昇降装置１４０は、仕切り部材１２２の外壁１２２ｂとツバ部１３の内壁１３ａとが直接接触しないように、仕切り部材１２２を配置する。仕切り部材１２２の外径は、上記したとおり、外筒１１の内径よりも小さく設計されている。このため、昇降装置１４０は、仕切り部材１２２とツバ部１３とが干渉することなく、上記したような位置に仕切り部材１２２を容易に配置することができる。

昇降装置１４０は、基材１０および／または仕切り部材１２２を所望する位置に配置できるように構成されている限り、特に限定されない。図３に示す例では、仕切り部材１２２を上下に移動させる昇降装置１４０を示しているが、製造装置１００は、保持部１１０を上下させるように構成された昇降装置（図示せず）を備えていてもよい。この場合においても、仕切り部材１２２は、保持部１１０に保持された基材１０のツバ部１３の上方から挿入され、ツバ部１３内に仕切り部材１２２が配置されるように構成されている。このとき、吸引部材１２６は、昇降装置１４０によって上下する保持部１１０および基材１０と同調して上下しても良いし、吸引部材１２６を固定し、保持部１１０および基材１０だけが上下してもよい。また、製造装置１００は、仕切り部材１２２を上下に移動させるように構成される第１の昇降装置と、保持部１１０を上下に移動させるように構成される第２の昇降装置と、を備えていてもよい。昇降装置１４０は、例えば、モータ等を含む電動式の昇降装置であってもよいし、ポンプを含んだ流体圧式の昇降装置であってもよい。

ツバ部１３の内壁１３ａと仕切り部材１２２の外壁１２２ｂとの距離をクリアランスＹ（ｍｍ）としたときに、クリアランスＹが大きすぎる場合には、供給された触媒層形成用スラリーは、吸引部材１２６によって吸引しても適切に拡散し難く、ハニカム構造体１２の端面１２ｓにおいて未コート部が発生し得る。一方で、クリアランスＹが小さすぎる場合には、仕切り部材１２２とツバ部１３とが干渉して、基材１０および仕切り部材１２２を好適に配置することができない。上記した観点からは、昇降装置１４０は、クリアランスＹが０．１ｍｍを超えて４ｍｍ以下となるように基材１０および仕切り部材１２２を配置することが好ましく、クリアランスＹが０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下となるように基材１０および仕切り部材１２２を配置することがより好ましい。これにより、仕切り部材１２２とツバ部１３とが干渉することなく配置することができるため、より効率よく排ガス浄化用触媒１を製造することができる。また、かかる排ガス浄化用触媒１において、未コート部の発生を抑制することができる。

図６に示す例では、昇降装置１４０は、仕切り部材１２２の外壁１２２ｂとツバ部１３の内壁１３ａとが対向するように仕切り部材１２２を基材１０の上端１０ａから挿入して、仕切り部材１２２の下端１２２ａと、ハニカム構造体１２の上方の端面１２ｓとが接触しない位置に仕切り部材１２２を配置する。特に限定されるものではないが、ハニカム構造体１２の端面１２ｓと仕切り部材１２２の下端１２２ａとの距離をクリアランスＸ（ｍｍ）、ツバ部１３の筒軸方向に沿う長さ（すなわち、基材１０の上端１０ａとハニカム構造体１２の上方側の端面１２ｓとの距離）をツバ部の長さＬ（ｍｍ）としたときに、昇降装置１４０は、ツバ部の長さＬに対するクリアランスＸの比（Ｘ／Ｌ）が０．１を超えて０．８以下となるように基材１０および仕切り部材１２２を配置することが好ましく、０．３以上０．５以下となるように基材１０および仕切り部材１２２を配置することがより好ましい。これにより、触媒層形成用スラリーを適切に拡散することができ、ツバ部１３への付着や、未コート部の発生を抑制することができる。

ハニカム構造体１２の端面１２ｓと仕切り部材１２２の下端１２２ａとのクリアランスＸは、上記したツバ部の長さＬに対するクリアランスＸの比（Ｘ／Ｌ）を満たすように適宜調整されればよく、特に限定されない。例えば、昇降装置１４０は、クリアランスＸが１ｍｍを超えて９ｍｍ以下となるように基材１０および仕切り部材１２２を配置することが好ましく、クリアランスＸが２ｍｍ以上８ｍｍ以下となるように基材１０および仕切り部材１２２を配置することがより好ましく、クリアランスＸが３ｍｍ以上５ｍｍ以下となるように基材１０および仕切り部材１２２を配置することがさらに好ましい。これにより、未コート部の発生とツバ部１３へのスラリーの付着が生じることを抑制し、ハニカム構造体１２の内部に好適に触媒層形成用スラリーを供給することができる。

供給部１３０は、粘度調整機構１２０に触媒層形成用スラリーを供給する。供給部１３０は、例えば、スラリーを吐出する吐出部１３１と、スラリーを一時的に貯留する貯留タンク（図示せず）と、貯留タンクと吐出部１３１とを接続する配管（図示せず）と、を備え得る。ただし、供給部１３０は、触媒層形成用スラリーを粘度調整機構１２０に供給することができる限りにおいて特に限定されない。供給部１３０は、予め定められた量のスラリーを粘度調整機構１２０に供給するように構成されている。

＜排ガス浄化用触媒の製造方法＞
図７は、ここに開示される排ガス浄化用触媒の製造方法の大まかな工程を示すフローチャート図である。ここに開示される製造方法は、上記したような製造装置１００を用いて好適に実施され得る。ここに開示される製造方法は、ツバ部１３を有する外筒１１とハニカム構造体１２とを備える基材１０を用意する用意工程Ｓ１０と、基材１０の筒軸方向Ｄと垂直方向とが略一致するように基材１０を保持する保持工程Ｓ２０と、基材１０と仕切り部材１２２とを配置する配置工程Ｓ３０と、触媒層形成用スラリーを仕切り部材１２２に供給する供給工程Ｓ４０と、仕切り部材１２２に供給される触媒層形成用スラリーの粘度を調整する粘度調整工程Ｓ５０と、を含む。ここに開示される製造方法は、配置工程Ｓ３０において、基材１０の内径よりも外径が小さい仕切り部材１２２の下端１２２ａと、ハニカム構造体１２の上方側の端面１２ｓとが、接触せずに対向し、かつ、ツバ部１３の内壁１３ａと仕切り部材１２２の外壁１２２ｂとのクリアランスＹが０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下となるように基材１０と仕切り部材１２２とを配置し、粘度調整工程Ｓ５０において、触媒層形成用スラリーの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下となるように粘度を調整することによって特徴付けられており、それ以外の製造プロセスは従来と同様であってもよい。また、任意の段階でさらに他の工程を含んでいてもよい。

用意工程Ｓ１０では、基材１０を用意する。基材１０は、上記したように排ガス浄化用触媒１の骨格を構成する部材である。ここに開示される製造方法では、ツバ部１３を有する外筒１１と、ハニカム構造体１２と、を備える基材１０を用意する。基材１０は、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）で構成されるメタル基材であり得る。このようなツバ部１３を有する基材１０は、例えば以下のようにして用意することができる。まず、金属製（例えば、ステンレス鋼製）の外筒１１を用意する。次いで、波形に成形した金属箔を平板状の金属箔と重ねてロール状に巻回することで、ハニカム構造体１２を用意する。ハニカム構造体１２の筒軸方向Ｄの長さは、外筒１１の筒軸方向Ｄの長さよりも短くなるように形成する。そして、ハニカム構造体１２を外筒１１に装入する。このとき、外筒１１の筒軸方向Ｄのいずれかの端部において、ハニカム構造体１２の端面１２ｓよりも外筒１１の端部が筒軸方向Ｄに向けて突出するようにハニカム構造体１２を外筒１１に装入する。これにより、ツバ部１３を有する外筒１１と、ハニカム構造体１２と、を備える基材１０を用意することができる。なお、基材１０は、ＳＵＳ製以外、例えば、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ系合金、Ｎｉ－Ｃｒ－Ａｌ系合金等の金属基材であってもよいし、コージェライト、チタン酸アルミニウム、炭化ケイ素等のセラミックスで構成されるセラミックス基材であってもよい。

基材１０は、排ガスが流動可能に形成されたハニカム構造体１２を有している。図１および図２に示すように、ハニカム構造体１２は、筒軸方向Ｄに規則的に配列された複数のセル１２ａと、複数のセル１２ａを仕切る隔壁１２ｂとを備えている。セル１２ａは、排ガスが流動する経路であって、筒軸方向Ｄに沿って延びている。セル１２ａは、基材１０を筒軸方向Ｄに貫通する貫通孔である。セル１２ａの形状、大きさ、数等は、例えば、排ガス浄化用触媒１に供給される排ガスの流量や成分等を考慮して設計すればよい。隔壁１２ｂは、セル１２ａに面し、隣り合うセル１２ａの間を区切っている。特に限定されるものではないが、基材１０の容積（セル１２ａの容積を含んだ見掛けの体積）は、概ね０．０１Ｌ以上、例えば０．１以上であって、概ね６Ｌ以下、例えば１Ｌ以下、０．５Ｌ以下であってもよい。また、特に限定されるものではないが、隔壁１２ｂの厚みは、機械的強度を向上したり圧損を低減したりする観点等から、概ね１０μｍ以上、例えば２０μｍ以上であって、概ね５００μｍ以下、例えば２００μｍ以下、１００μｍ以下であってもよい。

ハニカム構造体１２は、上記したような複数のセル１２ａと隔壁１２ｂとによって形成されたハニカム構造を有している。なお、本明細書において、「ハニカム構造」とは、セル１２ａの筒軸方向Ｄに直交する断面形状が六角形であるものだけでなく、セル１２ａの断面形状が正方形、平行四辺形、長方形、台形等の矩形や、その他の多角形（例えば、三角形、八角形）、波形、円形等種々の幾何学形状であるものを含み得る。

図３に示すように、外筒１１の筒軸方向Ｄに沿う長さＬ１は、外筒１１の内部に配置されるハニカム構造体１２の筒軸方向Ｄに沿う長さＬ２よりも長い。特に限定されるものではないが、外筒１１の筒軸方向Ｄに沿う長さＬ１は、概ね４０ｍｍ以上、例えば５０ｍｍ以上、６０ｍｍ以上であって、概ね２３０ｍｍ以下、例えば２００ｍｍ以下、１５０ｍｍ以下であってもよい。また、ハニカム構造体１２の筒軸方向Ｄに沿う長さＬ２は、概ね２０ｍｍ以上、例えば４０ｍｍ以上、６０ｍｍ以上であって、概ね１９０ｍｍ以下、例えば１３０ｍｍ以下、１００ｍｍ以下であってもよい。

ツバ部１３は、外筒１１において筒軸方向Ｄの少なくとも一方の端部に設けられていればよい。特に限定されないが、図３の上方側（上端１０ａ側）におけるツバ部１３の筒軸方向Ｄに沿う長さＬ（Ｌ３）は、例えば３ｍｍ以上５０ｍｍ以下であることが好ましく、４ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよく、５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であってもよい。また、図３に示すように、外筒１１は筒軸方向Ｄの両端部においてツバ部１３を有していてもよい。外筒１１がツバ部１３を筒軸方向Ｄの両端部に有する場合、図３の下方側（下端１０ｂ側）のツバ部１３の筒軸方向Ｄに沿う長さＬ４は、上記した長さＬ３と同程度であってもよいし、異なっていてもよい。好ましくは、外筒１１の筒軸方向Ｄの両端部においてツバ部が設けられているときは、２つのツバ部の長さは同程度であるとよい。

外筒１１の内径は、特に限定されないが、例えば２０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることが好ましく、３０ｍｍ以上１９０ｍｍ以下程度であってもよい。ハニカム構造体１２は外筒１１の内部に配置されている。ハニカム構造体１２の外径は、外筒１１に装入可能であれば特に限定されない。すなわち、ハニカム構造体１２の外径は、外筒１１の内径よりもやや小さく設計され得る。また、図１に示す例では、基材１０の外形は円筒形状である。ただし、基材１０の外形は、後述する配置工程Ｓ３０において仕切り部材１２２を配置可能な限りにおいて、特に限定されない。例えば、基材１０の外形は、楕円筒形状等であってもよい。

保持工程Ｓ２０では、上記用意した基材１０の筒軸が垂直方向と略一致するように基材１０を保持する。すなわち、基材１０は、基材１０の筒軸方向Ｄと垂直方向とが略一致するように保持部１１０によって保持される。基材１０は、ツバ部１３が上方に配置されるように保持される。また、基材１０は、ハニカム構造体１２の端面１２ｓが略水平となるように保持されることが好ましい。これにより、後述する配置工程Ｓ３０や供給工程Ｓ４０を好適に実施することができる。

配置工程Ｓ３０では、基材１０と仕切り部材１２２とを所望する位置に配置する。ここでは、上記保持された基材１０に仕切り部材１２２を配置する。例えば、図６に示すように、仕切り部材１２２は、基材１０の上端１０ａから挿入され、仕切り部材１２２の下端１２２ａと、ハニカム構造体１２の端面１２ｓとが接触しない位置に配置される。図６に示すように、仕切り部材１２２の下端１２２ａとハニカム構造体１２の端面１２ｓとは、対向して配置される。

仕切り部材１２２は、基材１０の上端１０ａ側から挿入され、仕切り部材１２２の下端１２２ａがハニカム構造体１２の上方の端面１２ｓと対向するように配置される。仕切り部材１２２は、基材１０の上端１０ａ（より詳細には、ツバ部１３の上端）よりもハニカム構造体１２の端面１２ｓ側に侵入する位置に配置される。仕切り部材１２２は、下端１２２ａ側の外壁１２２ｂとツバ部１３の内壁１３ａとが対向する位置に配置される。このとき、図６に示すように、ハニカム構造体１２の上方の端面１２ｓと、仕切り部材１２２の下端１２２ａとは直接接触しておらず、離間している。また、ツバ部１３の内壁１３ａと、仕切り部材１２２の外壁１２２ｂとは直接接触しておらず、離間している。仕切り部材１２２の外径は、上記したとおり、外筒１１の内径よりも小さく設計されている。このため、仕切り部材１２２とツバ部１３とが干渉することなく、上記したような位置に仕切り部材１２２を容易に配置することができる。

基材１０と仕切り部材１２２とが適切な位置に配置されていない状態で、後述する供給工程Ｓ４０が実施された場合には、ハニカム構造体１２の端面１２ｓに未コート部が生じる虞がある。配置工程Ｓ３０では、ツバ部１３の内壁１３ａと仕切り部材１２２の外壁１２２ｂとの距離をクリアランスＹが、０．１ｍｍを超えて４ｍｍ以下となるように基材１０と仕切り部材１２２とを配置することが好ましく、０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下となるように基材１０と仕切り部材１２２とを配置することがより好ましい。これにより、ツバ部１３と仕切り部材１２２とが相互にぶつかることなく配置することができるため、より効率よく排ガス浄化用触媒１を製造することができる。また、かかる排ガス浄化用触媒１において、未コート部の発生を抑制することができる。

図６に示す例では、仕切り部材１２２は、外壁１２２ｂとツバ部１３の内壁１３ａとが対向するように基材１０の上端１０ａから挿入され、仕切り部材１２２の下端１２２ａと、ハニカム構造体１２の上方の端面１２ｓとが接触しない位置に配置される。特に限定されないが、ハニカム構造体１２の端面１２ｓと仕切り部材１２２の下端１２２ａとの距離をクリアランスＸ（ｍｍ）、ツバ部１３の筒軸方向に沿う長さ（すなわち、基材１０の上端１０ａとハニカム構造体１２の上方側の端面１２ｓとの距離）をツバ部の長さＬ（ｍｍ）としたときに、配置工程Ｓ３０では、ツバ部の長さＬに対するクリアランスＸの比（Ｘ／Ｌ）が、０．１を超えて０．８以下となるように基材１０と仕切り部材１２２とを配置することが好ましく、０．３以上０．５以下となるように基材１０と仕切り部材１２２とを配置することがより好ましい。これにより、触媒層形成用スラリーを適切に拡散することができ、ツバ部１３への付着や、未コート部の発生を抑制することができる。

ハニカム構造体１２の端面１２ｓと仕切り部材１２２の下端１２２ａとのクリアランスＸは、上記したツバ部の長さＬに対するクリアランスＸの比（Ｘ／Ｌ）を満たすように適宜調整されればよく、特に限定されない。例えば、クリアランスＸ（ｍｍ）が１ｍｍを超えて９ｍｍ以下となるように基材１０と仕切り部材１２２とを配置することが好ましく、２ｍｍ以上８ｍｍ以下となるように基材１０と仕切り部材１２２とを配置することがより好ましく、３ｍｍ以上５ｍｍ以下となるように基材１０と仕切り部材１２２とを配置することがさらに好ましい。これにより、未コート部が生じることを抑制し、ハニカム構造体１２の内部に好適に触媒層形成用スラリーを供給することができる。

供給工程Ｓ４０では、供給部１３０を用いて、粘度調整機構１２０（より詳細には、仕切り部材１２２の内部）に触媒層形成用スラリーを供給する。供給部１３０は、予め定められた量のスラリーを仕切り部材１２２の内部空間に供給する。供給されたスラリーは、仕切り部材１２２の内部に一時的に収容される。

供給工程Ｓ４０で供給される触媒層形成用スラリーは、上記した基材１０の隔壁１２ｂの少なくとも表面に触媒層２０を形成するために用いられる材料である。触媒層形成用スラリーは、少なくとも触媒金属を含む。触媒層形成用スラリーは、触媒金属と、触媒金属を担持するための担体と、これらを分散させるための分散媒とを含み得る。

触媒金属は、触媒層形成用スラリー中においてイオンの形態で含まれることが好ましい。これにより、例えば触媒層形成用スラリー中の触媒金属の濃度を均一にすることができる。触媒層形成用スラリーとしては、触媒金属を含む水溶性の金属塩を含むスラリー、触媒金属の錯体を含むスラリー等を使用することができる。金属塩としては、例えば、硝酸パラジウム、硝酸ロジウム等の硝酸塩；硫酸パラジウム、硫酸ロジウム等の硫酸塩等が挙げられる。触媒金属の錯体としては、テトラアンミン錯体、シアノ錯体、ハロゲノ錯体、ヒドロキシ錯体等が例示される。

分散媒としては、従来この種のスラリーに用いられている分散媒を特に制限なく使用することができる。分散媒としては例えば、水、脱イオン水、純水等の水系分散媒を好ましく用いることができる。

触媒層形成用スラリーＳは、粘度を調製するための増粘剤が含まれていてもよい。増粘剤としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系樹脂や、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、カルボキシメチルセルロース等のセルロース系樹脂、ロジン系樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。

触媒層形成用スラリーＳは、さらに、バインダ、助触媒成分、分散剤、その添加材等をさらに含んでいてもよい。バインダとしては、例えば、アルミナゾル、シリカゾル等が挙げられる。助触媒成分としては、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属元素が挙げられる。

ここに開示される製造方法では、供給工程Ｓ４０において供給されるスラリーは、せん断速度が増加すると粘度が低下する性質を有するスラリーである。かかる触媒層形成用スラリーのせん断速度が４ｓｅｃ^－１のときの粘度は、例えば８０００ｍＰａ・ｓ以上２００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、１００００ｍＰａ・ｓ以上１８０００ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましく、１２０００ｍＰａ・ｓ以上１７０００ｍＰａ・ｓ以下であることがさらに好ましい。ここで、せん断速度が４ｓｅｃ^－１のときの粘度は、仕切り部材１２２に供給されて、静置された際の粘度を想定するものである。かかるせん断速度が４ｓｅｃ^－１のときの粘度が上記した範囲内であることにより、粘度調整機構１２０に供給された際に、多孔質プレート１２４上に好適に保持される。なお、本明細書において、せん断速度が４ｓｅｃ^－１のときの粘度とは、Ｅ型粘度計（東機産業株式会社製、ＴＶＥ－３５Ｈ）を用いて、測定温度２５℃、せん断速度４ｓｅｃ^－１で測定したときの粘度（ｍＰａ・ｓ）のことである。

粘度調整工程Ｓ５０では、粘度調整機構１２０に供給される触媒層形成用スラリーの粘度を好適に調整する。本発明者らの検討によれば、配置工程Ｓ３０において、上記したとおり、仕切り部材１２２とハニカム構造体１２の端面１２ｓとが接触せずに対向するよう配置され、粘度調整工程Ｓ５０において、触媒層形成用スラリー粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下となるように粘度を調整することにより、ツバ部１３へのスラリーの付着とハニカム構造体１２における未コート部の発生を抑制して、基材１０に触媒層形成用スラリーを好適に供給できることを見出した。

粘度調整工程Ｓ５０では、例えば、２５℃の環境下における触媒層形成用スラリーの粘度を、２００ｍＰａ・ｓ以上６９０ｍＰａ・ｓ以下に調整することが好ましく、２３０ｍＰａ・ｓ以上６９０ｍＰａ・ｓ以下に調整することがより好ましい。かかるスラリーの粘度は、上記したとおり、多孔質プレート１２４の貫通孔１２４ｈの開口径Ｚと、吸引部材１２６の吸引速度とを変更することによって、調製することができる。

特に限定されないが、せん断速度との関係では、触媒層形成用スラリーのせん断速度が２３０ｓｅｃ^－１のときの粘度が２００ｍＰａ・ｓ以上６９０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。あるいは、せん断速度が３００ｓｅｃ^－１のときの粘度が２００ｍＰａ・ｓ以上６００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。なお、本明細書において、せん断速度が２３０ｓｅｃ^－１のときの粘度とは、上記と同様のＥ型粘度計を用いて、測定温度２５℃、せん断速度２３０ｓｅｃ^－１で測定したときの粘度（ｍＰａ・ｓ）のことであり、せん断速度が３００ｓｅｃ^－１のときの粘度とは、上記と同様のＥ型粘度計を用いて、測定温度２５℃、せん断速度３００ｓｅｃ^－１で測定したときの粘度（ｍＰａ・ｓ）のことである。

上記スラリーが導入された基材１０に対して、乾燥工程および焼成工程を実施することにより、排ガス浄化用触媒１を作製することができる。乾燥工程は、従来この種の技術で実施されている乾燥と同様の条件で実施することができ、特に限定されない。例えば、５０℃～２００℃程度の温度で、１分～３０分程度乾燥するとよい。また、焼成工程についても、特に限定されない。例えば、４００℃～１０００℃程度の温度で、２０秒～５時間程度焼成することよい。

＜第２実施形態＞
上記した第１実施形態では、基材１０は、筒軸方向Ｄにおいてハニカム構造体１２を一つ備えていた。しかしながら、基材１０の形態はこれに限定されるものではない。図８は、第２実施形態に係る排ガス浄化用触媒２００を模式的に示す斜視図である。図８に示すように、第２実施形態に係る排ガス浄化用触媒２００は、基材２１０は、筒軸方向Ｄにおいて複数のハニカム構造体２１２を備えている。なお、このこと以外は、上記した第１実施形態と同様であってよく、詳細な説明については省略する。

図８に示すように、第２実施形態に係る排ガス浄化用触媒２００は、ストレートフロー構造の基材２１０と、触媒層（図示せず）と、を備えている。図８の矢印は、第２実施形態に係る排ガス浄化用触媒を内燃機関の排気系に配置したときに排ガスが流れる向きを示している。すなわち、図８では、左側が相対的に内燃機関に近い上流側（フロント側）であり、右側が相対的に内燃機関から遠い下流側（リア側）である。また、図８において、符号Ｄは、第２実施形態に係る排ガス浄化用触媒の筒軸方向を表している。第２実施形態に係る排ガス浄化用触媒は、筒軸方向Ｄが排ガスの流動方向に沿うように内燃機関の排気経路に設置される。

基材２１０は、外筒２１１と、外筒２１１の内部に配置された複数（ここでは２つ）のハニカム構造体２１２と、を備えている。基材２１０は、基材２１０の上流側に配置されるハニカム構造体を第１ハニカム構造体２１２ｆと、下流側に配置されるハニカム構造体を第２ハニカム構造体２１２ｒとを有している。外筒２１１は、筒軸方向Ｄの少なくとも一方の端部において、ハニカム構造体２１２の端面よりも筒軸方向Ｄに向けて突出したツバ部２１３が設けられている。図８に示す例では、外筒２１１は筒軸方向Ｄの両端部においてツバ部２１３を有している。すなわち、図８に示す例では、第１ハニカム構造体２１２ｆの端面よりも筒軸方向Ｄの外方（図８の左側）に向けて突出した上流側のツバ部２１３と、第２ハニカム構造体２１２ｒの端面よりも筒軸方向Ｄの外方（図８の右側）に向けて突出した下流側のツバ部２１３と、を有している。ツバ部２１３の内壁面には、いずれのハニカム構造体２１２も配置されていない。

第１ハニカム構造体２１２ｆと第２ハニカム構造体２１２ｒとは、それぞれ、筒軸方向Ｄに沿って延びる複数のセル２１２ａと、セル２１２ａを仕切る隔壁２１２ｂと、を備えている。セル２１２ａは、排ガスが流通可能であり、筒軸方向Ｄの両端が開放されている。第１ハニカム構造体２１２ｆと第２ハニカム構造体２１２ｒとは、その構成が同じであってもよいし、異なっていてもよい。例えば、第１ハニカム構造体２１２ｆの筒軸方向Ｄの長さと、第２ハニカム構造体２１２ｒの筒軸方向Ｄの長さとは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。好ましくは、第１ハニカム構造体２１２ｆの筒軸方向Ｄの長さは、第２ハニカム構造体２１２ｒの筒軸方向Ｄの長さよりも短いとよい。

第２実施形態に係る排ガス浄化用触媒２００は、ＥＨＣとも呼称される通電加熱式（電気加熱式ともいう）の排ガス浄化用触媒であってもよい。かかる通電加熱式触媒は、ハニカム構造体２１２を加熱して、所定の高温環境とすることにより、ハニカム構造体２１２の触媒層に含まれる触媒金属を活性化させて、より好適な触媒浄化性能を発揮させることができる。例えば、第２実施形態に係る排ガス浄化用触媒２００は、第１ハニカム構造体２１２ｆが加熱されるように構成されている。具体的には、図８に示すように、基材２１０の外周面に基材２１０を挟んで相互に対向するように形成された一対の電極層２２５と、電極（端子）２２４とを備えている。これにより、第１ハニカム構造体２１２ｆだけでなく、下流側に配置される第２ハニカム構造体２１２ｒも加熱されて、より好適な浄化性能を発揮させることができる。なお、ＥＨＣが備える電極は、基材を挟んで相互に対向するように設けられていなくてもよい。例えば、ＥＨＣが２つの電極を備える場合、基材の中心から一方の電極へ向かう直線を０度としたときに、他方は４５度～９０度の位置に配置されていてもよい。また、ＥＨＣが備える電極は１本であってもよいし、３本以上（例えば４本）であってもよい。

電極層２２５は、効率よく発熱体（ここでは、基材２１０）を発熱できるように、基材２１０の表面に電流を拡散する機能を有している。電極層２２５のサイズ、外形、位置等は、適宜設定すればよく、特に限定されない。

図９は、粘度調整機構１２０がハニカム構造体２１２の上方に配置されたときの様子を模式的に示す図である。基材２１０は、保持部１１０によって、基材２１０の筒軸方向と垂直方向とが略一致するように保持される。ここでは、保持部１１０は、基材２１０の第１ハニカム構造体２１２ｆが上方側に配置されるように、基材２１０を保持する。昇降装置１４０は、仕切り部材１２２の下端１２２ａと、筒軸方向Ｄにおいて上方側に配置される第１ハニカム構造体２１２ｆの端面２１２ｓとが接触せず、対向するように仕切り部材１２２を配置する。昇降装置１４０は、図９に示すように、仕切り部材１２２の外壁１２２ｂがツバ部２１３の内壁２１３ａと対向する位置に仕切り部材１２２を配置する。すなわち、仕切り部材１２２の下端１２２ａは、ツバ部２１３の上端よりも第１ハニカム構造体２１２ｆの端面２１２ｓ側に侵入する位置に配置される。昇降装置１４０は、仕切り部材１２２の外壁１２２ｂとツバ部２１３の内壁２１３ａとが直接接触しないように、仕切り部材１２２を配置する。

仕切り部材１２２の外径が外筒２１１の内径よりも大きい場合には、ツバ部２１３の内壁側に仕切り部材１２２が配置されず、ツバ部２１３に触媒層形成用スラリーが付着し得る。このため、仕切り部材１２２の外径は、外筒２１１の内径よりも小さく設計される。これにより、ツバ部２１３へのスラリーの付着を防ぐことができ、さらに、仕切り部材１２２とツバ部２１３とが相互にぶつかる（干渉する）ことなく、仕切り部材１２２を基材２１０の上端２１０ａ側から容易に挿入することができる。

ツバ部２１３の内壁２１３ａと仕切り部材１２２の外壁１２２ｂとの距離をクリアランスＹ（ｍｍ）としたときに、クリアランスＹが大きすぎる場合には、供給された触媒層形成用スラリーは、吸引部材１２６によって吸引しても適切に拡散し難く、ハニカム構造体２１２の端面２１２ｓにおいて未コート部が発生し得る。一方で、クリアランスＹが小さすぎる場合には、仕切り部材１２２とツバ部２１３とが干渉して、好適に配置することができない。上記した観点からは、昇降装置１４０は、クリアランスＹが０．１ｍｍを超えて４ｍｍ以下となるように基材２１０と仕切り部材１２２とを配置することが好ましく、クリアランスＹが０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下となるように基材２１０と仕切り部材１２２とを配置することがより好ましい。これにより、仕切り部材１２２をツバ部２１３と干渉することなく配置することができるため、より効率よく排ガス浄化用触媒２００を製造することができる。また、かかる排ガス浄化用触媒２００において、未コート部の発生を抑制することができる。

昇降装置１４０は、例えば、仕切り部材１２２の外壁１２２ｂとツバ部２１３の内壁２１３ａとが対向するように仕切り部材１２２を基材２１０の上端２１０ａから挿入して、仕切り部材１２２の下端１２２ａと、筒軸方向Ｄにおいて上方側に配置されるハニカム構造体２１２の端面２１２ｓとが接触しない位置に仕切り部材１２２を配置する。特に限定されるものではないが、第２実施形態において、基材１０の筒軸方向Ｄにおいて上方側に配置されるハニカム構造体２１２の端面２１２ｓと、仕切り部材１２２の下端１２２ａとの距離をクリアランスＸ（ｍｍ）、ツバ部２１３の筒軸方向に沿う長さ（すなわち、基材２１０の上端２１０ａと、筒軸方向Ｄにおいて上方側に配置されるハニカム構造体２１２の端面２１２ｓとの距離）をツバ部の長さＬ（ｍｍ）としたときに、昇降装置１４０は、ツバ部の長さＬに対するクリアランスＸの比（Ｘ／Ｌ）が０．１を超えて０．８以下となるように基材２１０と仕切り部材１２２とを配置することが好ましく、０．３以上０．５以下となるように基材２１０と仕切り部材１２２とを配置することがより好ましい。これにより、触媒層形成用スラリーを適切に拡散することができ、ツバ部２１３への付着や、未コート部の発生を抑制することができる。

第１ハニカム構造体２１２ｆの端面２１２ｓと仕切り部材１２２の下端１２２ａとのクリアランスＸは、上記したツバ部の長さＬに対するクリアランスＸの比（Ｘ／Ｌ）を満たすように適宜調整されればよく、特に限定されない。例えば、昇降装置１４０は、クリアランスＸが１ｍｍを超えて９ｍｍ以下となるように基材２１０と仕切り部材１２２とを配置することが好ましく、クリアランスＸが２ｍｍ以上８ｍｍ以下となるように基材２１０と仕切り部材１２２とを配置することがより好ましく、クリアランスＸが３ｍｍ以上５ｍｍ以下となるように基材２１０と仕切り部材１２２とを配置することがさらに好ましい。これにより、未コート部の発生とツバ部２１３へのスラリーの付着が生じることを抑制し、ハニカム構造体２１２の内部に好適に触媒層形成用スラリーを供給することができる。

上述した製造方法によって得られる排ガス浄化用触媒は、自動車やトラック等の車両や、自動二輪車や原動機付き自転車をはじめとして、船舶、タンカー、水上バイク、パーソナルウォータークラフト、船外機等のマリン用製品、草刈機、チェーンソー、トリマー等のガーデニング用製品、ゴルフカート、四輪バギー等のレジャー用製品、コージェネレーションシステム等の発電設備、ゴミ焼却炉等の内燃機関から排出される排ガスの浄化に好適に用いることができる。

以下、ここで開示される技術の試験例を説明する。なお、以下の説明は、ここで開示される技術を試験例に示されるものに限定することを意図したものではない。

＜実施例１＞
図３に示すような製造装置を用いて、排ガス浄化用触媒を作製した。まず、基材としてツバ部を有する外筒と、基材の上流側に配置される第１ハニカム構造体と、下流側に配置される第２ハニカム構造体と、を備える、通電加熱式触媒用のメタル基材（ステンレス鋼製、筒軸方向の長さ：７０ｍｍ、内径１３０ｍｍ、セル数：６００ｃｐｓｉ）を準備した。メタル基材は、筒軸方向の両端部においてツバ部を有し、各ツバ部の筒軸方向に沿う長さは、それぞれ１０ｍｍであるものを準備した。また、円筒形状の仕切り部材と、厚み方向に複数の貫通孔が設けられた多孔質プレートと、を用意した。多孔質プレートを、仕切り部材の下方側の端部（第１ハニカム構造体の端面と対向する側の端部）に配置した。このようにして、複数の貫通孔が設けられた多孔質プレートを有する仕切り部材（筒軸方向の長さ：９ｍｍ、外径：１２４ｍｍ、貫通孔の開口径Ｚ：０．４ｍｍ）を用意した。次いで、触媒金属（Ｐｄ）と担体（アルミナ：Ａｌ_２Ｏ_３）と水と増粘剤（ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ））とを混合した触媒層形成用スラリーを用意した。実施例１のスラリーでは、せん断速度が４ｓ^－１のときの粘度Ｖ_４が１２０００ｍＰａ・ｓとなるように増粘剤の量を調整した。なお、かかるスラリーの粘度Ｖ_４はＥ型粘度計（東機産業株式会社製、ＴＶＥ－３５Ｈ）を用いて、測定温度２５℃、せん断速度４ｓｅｃ^－１で測定したときの値である。そして、せん断速度を連続的に変化させつつスラリーの粘度を測定し、当該スラリーの２５℃環境下におけるせん断速度γ（ｓｅｃ^－１）と粘度（ｍＰａ・ｓ）との関係を取得した。

上記用意した基材を製造装置の保持部にセットした。このとき、基材の筒軸が垂直方向と一致するように基材を保持部に保持させた。次いで、上記用意した仕切り部材を、仕切り部材の下端と第１ハニカム構造体の端面とが接触せずに対向するように配置した。このとき、第１ハニカム構造体の端面からツバ部の上端までの長さＬ（ｍｍ）に対する、第１ハニカム構造体の端面と仕切り部材の下端とのクリアランスＸ（ｍｍ）の比（Ｘ／Ｌ）が、０．５となるように仕切り部材を配置した。また、ツバ部の内壁と仕切り部材の外壁とのクリアランスＹが３ｍｍとなるように、仕切り部材を配置した。そして、上記用意した実施例１の触媒層形成用スラリー１１０ｇを、仕切り部材の内部に供給した。その後、スラリーが供給された端面とは反対の端面側からスラリーを吸引した。スラリーの吸引は、吸引装置を３秒間稼働させ、基材のセル内での風速が４５ｍ／ｓとなる条件で実施した。そして、触媒層形成用スラリーが供給された基材を製造装置から取り外し、乾燥した後、焼成することにより、実施例１の排ガス浄化用触媒を得た。

また、多孔質プレートを通過するときのせん断速度γ（ｓｅｃ^－１）を、貫通孔の開口径Ｚ（ｍｍ）と、触媒層形成用スラリーが多孔質プレートを通過するときの通過速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）と、を用いて、式：γ＝｛Ｖ／（Ｚ／２）｝；により算出した。なお、触媒層形成用スラリーが多孔質プレートを通過するときの通過速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）は、多孔質プレート上に供給されたスラリーの液面高さと、ハイスピードカメラ（シナノケンシ株式会社製、ＰＬＥＸＬＯＧＧＥＲ ＰＬ―３）によって計測される吸引時間（すなわち、触媒層形成用スラリーの吸引開始から多孔質プレート上に供給されたスラリーが全て吸引されるまでの時間）と、を用いて算出した。また、算出したせん断速度γおよび上記取得した２５℃環境下におけるせん断速度γ（ｓｅｃ^－１）と粘度（ｍＰａ・ｓ）との関係から実施例１のスラリーの粘度（ｍＰａ・ｓ）を求めた。せん断速度γおよびスラリーの粘度を表１に記載する。

＜実施例２、比較例１および比較例２＞
開口径Ｚを表１に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２、比較例１および比較例２の排ガス浄化用触媒を作製した。

＜実施例３、比較例３および比較例４＞
第１ハニカム構造体の端面からツバ部の上端までの長さＬ（ｍｍ）に対する、第１ハニカム構造体の端面と仕切り部材の下端とのクリアランスＸ（ｍｍ）の比（Ｘ／Ｌ）を表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例３、比較例３および比較例４の排ガス浄化用触媒を作製した。

＜実施例４、比較例５および比較例６＞
ツバ部の内壁と仕切り部材の外壁とのクリアランスＹ（ｍｍ）を表１に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、実施例４、比較例５および比較例６の排ガス浄化用触媒を作製した。

＜比較例７および比較例８＞
比較例７および比較例８のスラリーでは、せん断速度が４ｓ^－１のときの粘度Ｖ_４が１８０００ｍＰａ・ｓとなるように増粘剤の量を調整した。また、比較例８では、開口径Ｚを０．３ｍｍとした。これらのこと以外は実施例１と同様にして、比較例７および比較例８の排ガス浄化用触媒を作製した。

＜実施例５＞
実施例５では、基材としてツバ部を有する外筒と、ハニカム構造体と、を備えるメタル基材（ステンレス鋼製、筒軸方向の長さ：７０ｍｍ、内径１３０ｍｍ、セル数：６００ｃｐｓｉ）を準備した。すなわち、メタル基材は、基材の筒軸方向においてハニカム構造体を一つ備えている。メタル基材は、筒軸方向の両端部においてツバ部を有し、各ツバ部の筒軸方向に沿う長さは、それぞれ１０ｍｍであるものを準備した。上記用意した基材に対して、仕切り部材の下端とハニカム構造体の上方側の端面とが対向するように、仕切り部材を配置した。ハニカム構造体の端面からツバ部の上端までの長さを長さＬ（ｍｍ）に対するクリアランスＸ（ｍｍ）の比（Ｘ／Ｌ）は、０．５となるように仕切り部材を配置した。また、このとき、ツバ部の内壁と仕切り部材の外壁とのクリアランスＹが０．５ｍｍとなるように、仕切り部材を配置した。これらのこと以外は、実施例１と同様にして、実施例５の排ガス浄化用触媒を作製した。

＜未コート部の有無およびツバ部付着高さの評価＞
上記作製した各例の排ガス浄化用触媒のツバ部において、触媒層形成用スラリーが付着した高さを測定した。具体的には、ツバ部において任意の４点で触媒層形成用スラリーが付着した付着高さ（ハニカム構造体の端面からの距離）を測定した。そして、かかる４点の付着高さの平均を算出し、各例のツバ部付着高さを求めた。ツバ部付着高さがツバ部の高さの５０％以下（すなわち、５ｍｍ以下）であるものを良好（○）と評価し、ツバ部付着高さがツバ部の高さの５０％を超えるものを不良（×）として評価した。また、各例の排ガス浄化用触媒において、触媒層形成用スラリーを供給した側（すなわち、仕切り部材が配置された側）の第１ハニカム構造体の端面（実施例５においてはハニカム構造体の端面）をマイクロスコープによって観察し、未コート部の有無を確認した。これらの結果を表１に示す。

表１に示すように、仕切り部材の下端とハニカム構造体の端面とが接触せず対向する位置であって、仕切り部材の外壁とツバ部の内壁とのクリアランスＹが０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下となる位置に仕切り部材が配置され、多孔質プレートを通過するときの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下に調整されている実施例１～５は、ツバ部への付着高さがツバ部の高さの５０％以下であり、未コート部がないことがわかる。また、表１の実施例４と実施例５に示すように、基材の筒軸方向におけるハニカム構造体の個数が１つであっても、複数であっても基材と仕切り部材とが所定の位置に配置され、多孔質プレートを通過するときの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下に調整されていることにより、ツバ部への付着高さがツバ部の高さの５０％以下であり、未コート部がないことがわかる。すなわち、基材の内径よりも外径が小さい仕切り部材の下端と、ハニカム構造体の上方側の端面とが接触せずに対向し、かつ、仕切り部材の外壁とツバ部の内壁とのクリアランスＹが０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下となる位置に基材および仕切り部材を配置し、多孔質プレートを通過するときの触媒層形成用スラリーの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下となるように粘度を調整することによって、ツバ部へのスラリーの付着と、未コート部の発生とを抑制することができる製造方法が実現される。

以上、本発明のいくつかの実施形態について説明したが、上記実施形態は一例に過ぎない。本発明は、他にも種々の形態にて実施することができる。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。請求の範囲に記載の技術には、上記に例示した実施形態を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、上記した実施形態の一部を、他の変形態様に置き換えることも可能であり、上記した実施形態に他の変形態様を追加することも可能である。また、その技術的特徴が必須なものとして説明されていなければ、適宜削除することも可能である。

１ 排ガス浄化用触媒
１０ 基材
１０ａ 上端
１０ｂ 下端
１１ 外筒
１２ ハニカム構造体
１３ ツバ部
１３ａ 内壁
２０ 触媒層
１００ 製造装置
１１０ 保持部
１２０ 粘度調整機構
１２２ 仕切り部材
１２２ａ 下端
１２４ 多孔質プレート
１２４ｈ 貫通孔
１２６ 吸引部材
１３０ 供給部
１４０ 昇降装置
２００ 排ガス浄化用触媒
２１０ 基材
２１０ａ 上端
２１１ 外筒
２１２ ハニカム構造体
２１２ｆ 第１ハニカム構造体
２１２ｒ 第２ハニカム構造体
２１３ ツバ部
２１３ａ 内壁
２１３ｒ ツバ部
２２４ 電極（端子）
２２５ 電極層

Claims (6)

1. 内燃機関から排出される排ガスを浄化する排ガス浄化用触媒の製造装置であって、
   外筒と、前記外筒の内部に配置され、排ガスが流動可能に形成されたハニカム構造体と、を備え、前記ハニカム構造体は前記外筒よりも筒軸方向の長さが短く、前記ハニカム構造体の端面よりも筒軸方向に向けて突出したツバ部を有する基材を、前記基材の筒軸が垂直方向と略一致するように保持する保持部と、
   前記基材に供給される触媒層形成用スラリーの粘度を調整する粘度調整機構と、
   前記粘度調整機構に前記触媒層形成用スラリーを供給する供給部と、
   を備えており、
   前記粘度調整機構は、
   前記外筒の内径よりも外径が小さい円筒形状の仕切り部材と、
   前記仕切り部材の内部または下方側の端部に配置され、前記触媒層形成用スラリーが通過できるように複数の貫通孔が形成された多孔質プレートと、
   前記触媒層形成用スラリーが前記多孔質プレートを通過する際に、所定のせん断力がかかるように前記基材の下端から前記触媒層形成用スラリーを吸引する吸引部材と、を備えており、
   ここで、前記仕切り部材の下端と前記ハニカム構造体の上方側の端面とが接触せずに対向し、かつ、前記ツバ部の内壁と前記仕切り部材の外壁とのクリアランスＹが０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下となり、かつ、前記ツバ部の筒軸方向の長さＬに対する前記ハニカム構造体の端面と前記仕切り部材の下端とのクリアランスＸの比（Ｘ／Ｌ）が０．３～０．５となるように、前記基材と前記仕切り部材とが配置され、
   前記多孔質プレートを通過するときの前記触媒層形成用スラリーの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下となるように、前記多孔質プレートの開口径と、前記吸引部材の吸引速度とが調整される、
   排ガス浄化用触媒の製造装置。
2. 前記貫通孔の開口径は、０．３ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である、
   請求項１に記載の製造装置。
3. 前記吸引部材は、吸引速度が３０ｍ／ｓ以上６０ｍ／ｓ以下である、
   請求項１または２に記載の製造装置。
4. 内燃機関から排出される排ガスを浄化する排ガス浄化用触媒の製造装置であって、
   外筒と、前記外筒の内部に配置され、排ガスが流動可能に形成されたハニカム構造体と、を備え、前記ハニカム構造体は前記外筒よりも筒軸方向の長さが短く、前記ハニカム構造体の端面よりも筒軸方向に向けて突出したツバ部を有する基材を、前記基材の筒軸が垂直方向と略一致するように保持する保持部と、
   前記基材に供給される触媒層形成用スラリーの粘度を調整する粘度調整機構と、
   前記粘度調整機構に前記触媒層形成用スラリーを供給する供給部と、
   を備えており、
   前記粘度調整機構は、
   前記外筒の内径よりも外径が小さい円筒形状の仕切り部材と、
   前記仕切り部材の内部または下方側の端部に配置され、前記触媒層形成用スラリーが通過できるように複数の貫通孔が形成された多孔質プレートと、
   前記触媒層形成用スラリーが前記多孔質プレートを通過する際に、所定のせん断力がかかるように前記基材の下端から前記触媒層形成用スラリーを吸引する吸引部材と、を備えており、
   前記基材は、筒軸方向において前記ハニカム構造体を複数備えており、
   ここで、前記仕切り部材の下端と前記ハニカム構造体の上方側の端面とが接触せずに対向し、かつ、前記ツバ部の内壁と前記仕切り部材の外壁とのクリアランスＹが０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下となり、かつ、前記ツバ部の筒軸方向の長さＬに対する、前記基材の筒軸方向において上方側に配置される前記ハニカム構造体の端面と前記仕切り部材の下端とのクリアランスＸの比（Ｘ／Ｌ）が０．３～０．５となるように、前記基材と前記仕切り部材とが配置され、
   前記多孔質プレートを通過するときの前記触媒層形成用スラリーの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下となるように、前記多孔質プレートの開口径と、前記吸引部材の吸引速度とが調整される、
   排ガス浄化用触媒の製造装置。
5. 内燃機関から排出される排ガスを浄化する排ガス浄化用触媒の製造方法であって、
   外筒と、前記外筒の内部に配置され、排ガスが流動可能に形成されたハニカム構造体と、を備え、前記ハニカム構造体は前記外筒よりも筒軸方向の長さが短く、前記ハニカム構造体の端面よりも筒軸方向に向けて突出したツバ部を有する基材を用意する用意工程と、
   前記基材の筒軸が垂直方向と略一致するように前記基材を保持する保持工程と、
   前記基材と、前記基材の前記外筒の内径よりも小さい外径の円筒形状の仕切り部材と、を配置する配置工程と、
   前記仕切り部材に触媒金属を含む触媒層形成用スラリーを供給する供給工程と、
   前記基材に供給される前記触媒層形成用スラリーの粘度を調整する粘度調整工程と、
   を含み、
   前記配置工程では、前記ハニカム構造体の上方側の端面と前記仕切り部材の下端とが、接触せずに対向し、かつ、前記基材のツバ部の内壁と前記仕切り部材の外壁とのクリアランスＹが０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下となり、かつ、前記ツバ部の筒軸方向の長さＬに対する前記ハニカム構造体の端面と前記仕切り部材の下端とのクリアランスＸの比（Ｘ／Ｌ）が０．３～０．５となるように、前記基材と前記仕切り部材とを配置し、
   前記粘度調整工程では、前記触媒層形成用スラリーの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下となるように粘度を調整する、
   排ガス浄化用触媒の製造方法。
6. 内燃機関から排出される排ガスを浄化する排ガス浄化用触媒の製造方法であって、
   外筒と、前記外筒の内部に配置され、排ガスが流動可能に形成されたハニカム構造体と、を備え、前記ハニカム構造体は前記外筒よりも筒軸方向の長さが短く、前記ハニカム構造体の端面よりも筒軸方向に向けて突出したツバ部を有する基材を用意する用意工程と、
   前記基材の筒軸が垂直方向と略一致するように前記基材を保持する保持工程と、
   前記基材と、前記基材の前記外筒の内径よりも小さい外径の円筒形状の仕切り部材と、を配置する配置工程と、
   前記仕切り部材に触媒金属を含む触媒層形成用スラリーを供給する供給工程と、
   前記基材に供給される前記触媒層形成用スラリーの粘度を調整する粘度調整工程と、
   を含み、
   前記用意工程で用意される前記基材は、筒軸方向において前記ハニカム構造体を複数備えており、
   前記配置工程では、前記ハニカム構造体の上方側の端面と前記仕切り部材の下端とが、接触せずに対向し、かつ、前記基材のツバ部の内壁と前記仕切り部材の外壁とのクリアランスＹが０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下となり、かつ、前記ツバ部の筒軸方向の長さＬに対する、前記基材の筒軸方向の上方側に配置される前記ハニカム構造体の端面と前記仕切り部材の下端とのクリアランスＸの比（Ｘ／Ｌ）が０．３～０．５となるように、前記基材と前記仕切り部材とを配置し、
   前記粘度調整工程では、前記触媒層形成用スラリーの粘度が６９０ｍＰａ・ｓ以下となるように粘度を調整する、
   排ガス浄化用触媒の製造方法。

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