JP7502326B2 - 画素定義層を有する有機発光ダイオードディスプレイ - Google Patents

Description

本出願は、概して電子デバイスに関し、特に、ディスプレイを有する電子デバイスに関する。
（関連出願の相互参照）
本出願は、２０２０年１月１６日に出願された米国特許出願第１６／７４５，０５５号、及び２０１９年３月２８日に出願された米国仮特許出願第６２／８２５，６９４号に対する優先権を主張するものであり、それらの全体が参照により本明細書に組み込まれている。

電子デバイスは、多くの場合、ディスプレイを含む。例えば、電子デバイスは、有機発光ダイオード画素に基づいた有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイを有してもよい。このタイプのディスプレイでは、各画素は、発光ダイオードと、光を生成するために発光ダイオードへの信号の印加を制御するための薄膜トランジスタとを含む。発光ダイオードは、アノードとカソードとの間に配置されたＯＬＥＤ層を含んでもよい。

有機発光ダイオードディスプレイ内の所与の画素から光を放射するために、電圧が所与の画素のアノードに印加され得る。理想的には、所与の画素のアノードにおける電圧は、いずれの隣合う画素にも影響を与えない。しかしながら、アノードの上のＯＬＥＤ層の導電性は、所与の画素のアノードから隣接する画素のアノードへの横方向導電を可能にし得る。これにより、隣接する「オン」画素の漏れに起因して、名目上の「オフ」画素が光を放射することを可能にする画素クロストークを生じさせ得る。画素クロストークは、ディスプレイ性能を劣化させ、得られた画像内の色ずれを生じさせる。

ディスプレイの解像度を増大させるために、ディスプレイ内の画素間の距離を低減することが望ましいことがある。しかしながら、ＯＬＥＤ層を通る横方向導電に起因する画素クロストークは、画素間の距離が減少するにつれて悪化し得る。

したがって、電子デバイスのための改善されたディスプレイを提供することができることが望ましい。

電子デバイスは、有機発光ダイオードディスプレイなどのディスプレイを有することができる。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイは、カソードとアノードとの間に介在するＯＬＥＤ層をそれぞれ有する有機発光ダイオード画素のアレイを有することができる。

各有機発光ダイオード画素は、それぞれのアノードを有することができる。電圧が各有機発光ダイオード画素のアノードに印加されて、各有機発光ダイオード画素からの光の放射量を制御することができる。アノードの上方に形成されたＯＬＥＤ層のうちの１つ以上は、導電性であってもよい。ＯＬＥＤ層の導電性は、漏れ電流がディスプレイ内の隣合うアノード間を通過することを可能にし得る。

ディスプレイ内の漏れ電流及びそれに伴うクロストークを低減するために、ディスプレイ内の隣接するアノード間に介在する画素定義層が使用されてＯＬＥＤ層の連続性を断ち、漏れ電流が隣接する画素間を通過することを防止できる。画素定義層は、２つ又は３つの別個の画素定義層部分によって画定されたアンダーカットを有し得る。アンダーカットは、ＯＬＥＤ層の異なる部分間に介在する間隙をなして、ＯＬＥＤ層の連続性を断つことができる。

アンダーカットは、ディスプレイ内のＯＬＥＤ層のうちの全てではなくいくつかの連続性を断ち得る。ディスプレイ内のＯＬＥＤ層のうちのいくつか及びカソード層は、画素定義層内のアンダーカットの存在にもかかわらず、依然として連続し得る。

一実施形態に係る、ディスプレイを有する例示的な電子デバイスの概略図である。 一実施形態に係る、例示的なディスプレイの概略図である。 一実施形態に係る、例示的な画素回路の図である。 一実施形態に係る、隣接するアノード間の横方向電流漏れを示す例示的な有機発光ダイオードディスプレイの断面側面である。 一実施形態に係る、有機発光ダイオードの異なる層を示す例示的な有機発光ダイオードディスプレイの断面側面図である。 一実施形態に係る、画素定義層を有する例示的な有機発光ダイオードディスプレイの断面側面図である。 一実施形態に係る、２つの別個の部分から形成され、少なくとも１つの有機発光ダイオード層内に不連続性を生じさせる画素定義層を有する例示的な有機発光ダイオードディスプレイの断面側面図である。 一実施形態に係る、３つの別個の部分から形成され、少なくとも１つの有機発光ダイオード層内に不連続性を生じさせる画素定義層を有する例示的な有機発光ダイオードディスプレイの断面側面図である。 一実施形態に係る、どのように図８の画素定義層内のアンダーカットが少なくとも１つの有機発光ダイオード層の部分間に間隙を介在させ得るかを示す例示的な有機発光ダイオードディスプレイの断面側面図である。

ディスプレイを備え得るタイプの例示的な電子デバイスが、図１に示されている。電子デバイス１０は、ラップトップコンピュータ、組み込み型コンピュータを含むコンピュータモニタ、タブレットコンピュータ、セルラー電話機、メディアプレーヤ、又は他のハンドヘルド型若しくはポータブル型の電子デバイスなどのコンピューティングデバイス、腕時計型デバイス、ペンダント型デバイス、ヘッドホン型若しくはイヤホン型デバイス、眼鏡若しくはユーザの頭部上に装着される他の機器内に組み込まれたデバイス、又は他のウェアラブル若しくは小型のデバイスなどのより小さいデバイス、ディスプレイ、組み込み型コンピュータを含むコンピュータディスプレイ、組み込み型コンピュータを含まないコンピュータディスプレイ、ゲーミングデバイス、ナビゲーションデバイス、ディスプレイを有する電子機器がキオスク若しくは自動車内に装着されているシステムなどの組み込み型システム、あるいは他の電子機器であることができる。電子デバイス１０は、一対の眼鏡（例えば、支持フレーム）の形状を有してもよく、ヘルメット形状を有する筐体を形成してもよく、又はユーザの頭部上若しくは眼の近くに１つ以上のディスプレイの構成要素を装着及び固定するのに役立つ他の構成を有してもよい。

図１に示されているように、電子デバイス１０は、デバイス１０の動作をサポートするための制御回路１６を含むことができる。制御回路は、ハードディスクドライブ記憶装置、不揮発性メモリ（例えば、フラッシュメモリ、又はソリッドステートドライブを形成するように構成された他の電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ）、揮発性メモリ（例えば、静的又は動的ランダムアクセスメモリ）などの記憶装置を含み得る。制御回路１６内の処理回路を使用して、デバイス１０の動作を制御することができる。処理回路は、１つ以上のマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、デジタル信号プロセッサ、ベースバンドプロセッサ、電力管理ユニット、オーディオチップ、特定用途向け集積回路などに基づいてもよい。

入出力デバイス１２などのデバイス１０内の入出力回路が使用されて、データがデバイス１０へ供給されることを可能にしてもよく、データがデバイス１０から外部デバイスへ提供されることを可能にしてもよい。入出力デバイス１２は、ボタン、ジョイスティック、スクロールホイール、タッチパッド、キーパッド、キーボード、マイクロフォン、スピーカ、音源、振動器、カメラ、センサ、発光ダイオード、及び他の状態インジケータ、データポートなどを含むことができる。ユーザは、入出力デバイス１２を介してコマンドを供給することによってデバイス１０の動作を制御することができ、入出力デバイス１２の出力リソースを使用して、デバイス１０から状態情報及び他の出力を受信することができる。

入出力デバイス１２は、ディスプレイ１４などの１つ以上のディスプレイを含んでもよい。ディスプレイ１４は、ユーザからのタッチ入力を取り入れるためのタッチセンサを含むタッチスクリーンディスプレイであることができ、又はディスプレイ１４は、タッチセンシティブでなくてもよい。ディスプレイ１４用のタッチセンサは、容量性タッチセンサ電極のアレイ、音響タッチセンサ構造体、抵抗性タッチコンポーネント、力ベースのタッチセンサ構造体、光ベースのタッチセンサ、又は他の好適なタッチセンサの配置に基づくものであることができる。ディスプレイ１４用のタッチセンサは、ディスプレイ１４の画素を有する共通ディスプレイ基板上に形成された電極から形成されてもよく、又はディスプレイ１４の画素に重なり合う別個のタッチセンサパネルから形成されてもよい。所望であれば、ディスプレイ１４は、タッチセンシティブでなくてもよい（すなわち、タッチセンサが省略されてもよい）。電子デバイス１０内のディスプレイ１４は、ユーザが典型的な視点から目線を逸らす必要なくビューイングできるヘッドアップディスプレイであってもよく、又はユーザの頭部上に装着されるデバイスに組み込まれたヘッドマウントディスプレイであってもよい。所望であれば、ディスプレイ１４はまた、ホログラムを表示するために使用されるホログラフィックディスプレイであってもよい。

制御回路１６が使用されて、オペレーティングシステムコード及びアプリケーションなどのソフトウェアをデバイス１０上で実行することができる。デバイス１０の動作中、制御回路１６上で実行中のソフトウェアは、ディスプレイ１４上に画像を表示することができる。

図２は、例示的なディスプレイの図である。図２に示されているように、ディスプレイ１４は、基板層２６などの層を含んでもよい。層２６などの基板層は、矩形で平坦な材料層又は他の形状（例えば、１つ以上の曲線状及び／又は直線状のエッジを有する円形形状又は他の形状）を有する材料層から形成され得る。ディスプレイ１４の基板層は、ガラス層、ポリマー層、シリコン層、ポリマー及び無機材料を含む複合フィルム、金属箔などを含んでもよい。

ディスプレイ１４は、ユーザに画像を表示するための画素２２のアレイ、例えば画素アレイ２８などを有することができる。アレイ２８内の画素２２は、行及び列で配置され得る。アレイ２８のエッジは直線であるか又は湾曲し得る（すなわち、アレイ２８内の画素２２の各行及び／又は画素２２の各列は同じ長さを有し得るか又は異なる長さを有し得る）。アレイ２８内には、任意の好適な数の行及び列（例えば、１０以上、１００以上、又は１０００以上など）が存在し得る。ディスプレイ１４は、異なる色の画素２２を含んでもよい。一例として、ディスプレイ１４は、赤色画素、緑色画素、及び青色画素を含むことができる。

ディスプレイドライバ回路２０が使用されて、画素２８の動作を制御してもよい。ディスプレイドライバ回路２０は、集積回路、薄膜トランジスタ回路、及び／又は他の好適な回路から形成され得る。図２の例示的なディスプレイドライバ回路２０は、ディスプレイドライバ回路２０Ａと、ゲートドライバ回路２０Ｂなどの追加のディスプレイドライバ回路とを含む。ゲートドライバ回路２０Ｂは、ディスプレイ１４の１つ以上のエッジに沿って形成され得る。例えば、ゲートドライバ回路２０Ｂは、図２に示されているようにディスプレイ１４の左側及び右側に沿って配置され得る。

図２に示されているように、ディスプレイドライバ回路２０Ａ（例えば、１つ以上のディスプレイドライバ集積回路、薄膜トランジスタ回路など）は、信号経路２４を介してシステム制御回路と通信するための通信回路を含んでもよい。経路２４は、フレキシブルプリント回路又は他のケーブル上のトレースから形成されてもよい。制御回路は、電子デバイス１０内の１つ以上のプリント回路上に位置し得る。動作中、制御回路（例えば、図１の制御回路１６）は、回路２０内のディスプレイドライバ集積回路などの回路に、ディスプレイ１４上に表示される画像のための画像データを供給することができる。図２のディスプレイドライバ回路２０Ａはディスプレイ１４の上部に位置する。これは単なる例示に過ぎない。ディスプレイドライバ回路２０Ａは、ディスプレイ１４の上部及び下部の両方に、又はデバイス１０の他の部分に位置してもよい。

画素２２上に画像を表示するために、ディスプレイドライバ回路２０Ａは、信号経路３０を介してゲートドライバ回路２０Ｂなどのサポートディスプレイドライバ回路に制御信号を発行しながら、対応する画像データをデータ線Ｄに供給し得る。図２の例示的な配置では、データ線Ｄは、ディスプレイ１４を通って垂直方向に延び、画素２２のそれぞれの列に関連付けられている。

ゲートドライバ回路２０Ｂ（ゲート線ドライバ回路又は水平制御信号回路と呼ばれることがある）は、１つ以上の集積回路を使用して実現されてもよく、及び／又は基板２６上の薄膜トランジスタ回路を使用して実現されてもよい。水平制御ラインＧ（ゲート線、走査線、発出制御線などと呼ばれることがある）は、ディスプレイ１４を通って水平方向に延びる。各ゲート線Ｇは、画素２２のそれぞれの行に関連付けられている。所望であれば、画素の各行に関連付けられたゲートラインＧなどの複数の水平制御ラインが存在してもよい。他の信号（例えば、電源信号など）を分配するために、ディスプレイ１４内の個々に制御される及び／又はグローバル信号経路がまた使用され得る。

ゲートドライバ回路２０Ｂは、ディスプレイ１４内のゲート線Ｇ上で制御信号をアサートし得る。例えば、ゲートドライバ回路２０Ｂは、経路３０上で回路２０Ａからクロック信号及び他の制御信号を受信でき、受信された信号に応答して、アレイ２８内の画素２２の第１の行内のゲート線信号Ｇから開始して、ゲート線Ｇ上でゲート線信号を順にアサートすることができる。各ゲート線がアサートされると、データ線Ｄからのデータは、画素の対応する行にロードされ得る。このようにして、ディスプレイドライバ回路２０Ａ及び２０Ｂなどの制御回路は、ディスプレイ１４上に所望の画像を表示するように画素２２に指示する信号を画素２２に提供できる。各画素２２は、ディスプレイドライバ回路２０からの制御信号及びデータ信号に応答する発光ダイオード及び回路（例えば、基板２６上の薄膜回路）を有してもよい。

ゲートドライバ回路２０Ｂは、ゲートドライバ行ブロックなどのゲートドライバ回路のブロックを含んでもよい。各ゲートドライバ行ブロックは、出力バッファ及び他の出力ドライバ回路、レジスタ回路（例えば、一緒につなげてシフトレジスタを形成することができるレジスタ）などの回路、並びに信号線、電力線、及び他の相互配線を含んでもよい。各ゲートドライバ行ブロックは、ディスプレイ１４のアクティブエリア内における画素のアレイの画素の対応する行内の１つ以上のそれぞれのゲートラインに、１つ以上のゲート信号を供給することができる。

アレイ２８内の各画素２２に使用され得るタイプの例示的な画素回路の概略図が、図３に示されている。図３に示されているように、ディスプレイ画素２２は、発光ダイオード３８を含み得る。正電源電圧ＥＬＶＤＤが正電源端子３４に供給され得、接地電源電圧ＥＬＶＳＳが接地電源端子３６に供給され得る。ダイオード３８は、アノード（端子ＡＮ）及びカソード（端子ＣＤ）を有する。駆動トランジスタ３２の状態が、ダイオード３８を流れる電流の量、したがってディスプレイ画素２２から放射される光４０の量を制御する。ダイオード３８のカソードＣＤは、接地端子３６に結合されており、したがって、場合によっては、ダイオード３８のカソード端子ＣＤはダイオード３８用の接地端子と呼ばれることがある。

トランジスタ３８が連続するデータフレーム間で所望の状態で保持されることを確実にするために、ディスプレイ画素２２は、蓄積キャパシタＣｓｔなどの蓄積キャパシタを含むことができる。蓄積キャパシタＣｓｔ上の電圧は、ノードＡにてトランジスタ３２のゲートに印加されて、トランジスタ３２を制御する。データは、スイッチングトランジスタ３０などの１つ以上のスイッチングトランジスタを使用して、蓄積キャパシタＣｓｔへロードされてもよい。スイッチングトランジスタ３０がオフであるときには、データラインＤは蓄積キャパシタＣｓｔから分離され、端子Ａ上のゲート電圧は蓄積キャパシタＣｓｔ内に記憶されたデータ値に等しい（すなわち、表示データの１つ前のフレームからのデータ値がディスプレイ１４上に表示される）。ディスプレイ画素２２に関連付けられた行内のゲートラインＧ（走査線と呼ばれることがある）がアサートされたとき、スイッチングトランジスタ３０がオンになり、データラインＤ上の新規データ信号が蓄積キャパシタＣｓｔにロードされる。キャパシタＣｓｔ上の新規信号は、ノードＡでトランジスタ３２のゲートに印加され、それによってトランジスタ３２の状態を調整し、発光ダイオード３８によって放射される対応する光４０の量を調整する。所望であれば、ディスプレイ１４内に画素を表示するための発光ダイオードの動作を制御するための回路（例えば、図３のディスプレイ画素回路のようなディスプレイ画素回路内のトランジスタ、キャパシタなど）は、他の構成（例えば、駆動トランジスタ３２内の閾値電圧変動を補正するための回路を含む構成など）を使用して形成されてもよい。図３のディスプレイ画素回路は、単なる例示に過ぎない。

図４は、有機発光ダイオードディスプレイ画素を有する例示的なディスプレイの断面側面図である。図示のように、ディスプレイ１４は基板２６を含むことができる。基板２６は、ガラス、プラスチック、ポリマー、シリコン、又は任意の他の所望の材料から形成されてもよい。アノード４２－１、４２－２、及び４２－３などのアノードは基板上に形成されてもよい。アノード４２－１、４２－２、及び４２－３は、導電性材料から形成されてもよく、ＯＬＥＤ層４５及びカソード５４によって被覆されてもよい。ＯＬＥＤ層４５は、有機発光ダイオードを形成するための１つ以上の層を含んでもよい。例えば、層４５は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、電子注入層（ＥＩＬ）、電荷発生層（ＣＧＬ）などのうちの１つ以上を含んでもよい。カソード５４は、ＯＬＥＤ層４５上に形成された導電層であってもよい。カソード層５４は、ディスプレイ１４内の全てのダイオードのための共通カソード端子（例えば、図３のカソード端子ＣＤを参照されたい）を形成してもよい。カソード層５４は、透明な導電性材料（例えば、インジウムスズ酸化物、透明であるのに十分に薄い金属層、薄い金属とインジウムスズ酸化物との組み合わせなど）から形成されてもよい。ディスプレイ１４内の各アノードは、ディスプレイ１４内の各ダイオードが独立して制御され得るように、独立して制御されてもよい。これにより、各画素２２が独立的に制御された量の光を生成することを可能にする。

アノード４２－１、４２－２、及び４２－３はそれぞれ、それぞれの画素に関連付けられてもよい。例えば、アノード４２－１は画素２２－１と関連付けられてもよく、アノード４２－２は画素２２－２と関連付けられてもよく、アノード４２－３は画素２２－３と関連付けられてもよい。画素から光を放射するために、電圧がそれぞれの画素のアノードに印加されてもよい。画素２２－２から光を放射することが望ましい（画素２２－１及び２２－３からは光を放射しない）例が挙げられる。電圧がアノード４２－２に印加されてもよく、これにより、光５６が画素２２－２から放射される。前述したように、電圧がアノード４２－２に印加された結果、画素２２－１及び２２－３から光が放射されないことが望ましい。しかしながら、示したように、漏れが、アノード４２－２とアノード４２－１との間、及びアノード４２－２とアノード４２－３との間のＯＬＥＤ層４５を介して生じ得る。アノード４２－２と、漏れを防止するのに役立つ隣接するアノードとの間に抵抗５８（すなわち、ＯＬＥＤ層に関連付けられた抵抗）が存在してもよい。抵抗が大きいほど、アノード４２－１及び４２－３に到達する漏れ電流は少なくなる。しかしながら、抵抗は、アノード４２－２とアノード４２－１及び４２－３との間の漏れを完全に排除するのに十分な大きさでなくてもよい。示したように、画素２２－１及び２２－３はオフになることが意図されているが、光５６が画素２２－１及び２２－３から放射されてもよい。隣接するアノード間の抵抗５８は、隣接するアノード間の距離６０が低減するにつれて低減され得る。表示解像度を最大化するために、隣接するアノード間の距離６０が小さくなることが望ましい。しかしながら、これにより、アノード間の抵抗５８が低減され、画素間のクロストークが増大する。

図４には示されていないが、ディスプレイ１４は画素定義層（ＰＤＬ）を任意選択で含んでもよい。画素定義層は、誘電材料から形成されてもよく、ディスプレイの隣接するアノード間に介在してもよい。画素定義層は、アノードが内部に形成されている開口部を有することができ、それによって、各画素の面積を画定する。有機発光ダイオードディスプレイの以下の実施形態のそれぞれは、画素定義層を任意選択で含んでもよい。いくつかの場合では、画素定義層は、隣接する画素間の漏れを低減するように成形されてもよい。

図５は、有機発光ダイオードディスプレイ画素を有する例示的なディスプレイの断面側面図である。図５は、図４からのＯＬＥＤ層４５の詳細を示す。図示されているように、ＯＬＥＤ層４５（有機スタックアップ、有機スタック、又は有機発光ダイオードスタックと呼ばれることもある）は、複数の導電性有機発光ダイオード層を含み得る。図５は、５つの例示的な有機発光ダイオード層を示す。有機発光ダイオード層４５－１は、アノード４２－１及び４２－２の上に形成されている。ディスプレイ内の隣接するアノード間の距離（例えば、アノード４２－１とアノード４２－２との間のエッジ間距離）は、１００マイクロメートル未満、５０マイクロメートル未満、２０マイクロメートル未満、１０マイクロメートル未満、５マイクロメートル未満、３マイクロメートル未満、２マイクロメートル未満、１マイクロメートル未満、１マイクロメートル～５マイクロメートル、０．５マイクロメートル～１０マイクロメートル、０．５マイクロメートル超、０．１マイクロメートル超などである。有機発光ダイオード層４５－２は、有機発光ダイオード層４５－１の上に形成されており、有機発光ダイオード層４５－３は、有機発光ダイオード層４５－２の上に形成されており、有機発光ダイオード層４５－４は、有機発光ダイオード層４５－３の上に形成されており、有機発光ダイオード層４５－５は、有機発光ダイオード層４５－４の上に形成されており、カソード層５４は、有機発光ダイオード層４５－５の上に形成されている。各有機発光ダイオード層は、導電性有機発光ダイオード層、共通有機発光ダイオード層、横方向導電性有機発光ダイオード層などと呼ばれることがある。

ディスプレイ１４内の有機発光ダイオード層には、多くの可能な配置が存在する。例示的な一実施形態では、有機発光ダイオード層４５－１は正孔注入層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－２は正孔輸送層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－３は発光層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－４は電子輸送層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－５は電子注入層であってもよい。別の例示的な配置では、有機発光ダイオードは、カソードが１画素毎にパターン化されアノードが共通層であるように、反転されてもよい。この場合、有機発光ダイオード層４５－１は電子注入層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－２は電子輸送層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－３は発光層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－４は正孔輸送層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－５は正孔注入層であってもよい。

図５のアノード４２とカソード５４との間に含まれる層の例は、単なる例示に過ぎない。所望であれば、層は、電子遮断層、電荷生成層、正孔遮断層などを含んでもよい。正孔注入層及び正孔輸送層は総称して正孔層と呼ばれることがある。電子輸送層及び電子注入層は総称して電子層と呼ばれることがある。１つの例示的な配置では、有機発光ダイオード層４５－１は正孔層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－２は第１の発光層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－３は電荷生成層（例えば、タンデムダイオード内の電子及び正孔の注入のためのｎ型ドープ層と、ｐ型ドープ層とを含む層）であってもよく、有機発光ダイオード層４５－４は第２の発光層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－５は電子層であってもよい。

一般に、任意の所望の層がアノードとカソードとの間に含まれてもよく、ディスプレイ全体に形成されており非ゼロ導電率を有するいずれの層も、共通横方向導電層と見なすことができる。ＯＬＥＤ層４５内の各層は任意の所望の材料から形成されてもよい。いくつかの実施形態では、層は有機材料から形成されてもよい。しかしながら、いくつかの場合では、１つ以上の層は、無機材料又は有機若しくは無機ドーパントでドープした材料から形成されてもよい。発光層は、有機エレクトロルミネッセンス材料を含んでもよい。

以下の実施形態では、パターン化したアノードは、共通カソード層の下に配置されていると示されている。しかしながら、これらの実施形態のそれぞれにおいて、アノード及びカソードが先に述べたように反転されてもよいことを理解されたい。

有機発光ダイオード層の特定の配置にかかわらず、共通横方向導電層の存在は、１つのダイオードからの漏れ電流が隣接するダイオードに横方向に流れる機会を提供して、それによって隣接するダイオードを中断する可能性がある。各層の導電性は、隣接するダイオードに通過する漏れ電流の量に寄与し得る。例えば、低抵抗率（したがって高導電性）を有する有機発光ダイオード層は、隣接する画素に漏れ電流を通過させやすいことがある。高抵抗率（したがって低導電性）を有する有機発光ダイオード層は、隣接する画素に漏れ電流を通過させにくいことがある。画素間の距離が低減するにつれて（ディスプレイの解像度を増大させるため）、検出可能な漏れを生成する導電性の閾値が小さくなり得る。有機発光ダイオード層を通るアノード間の漏れを低減するために、隣接するアノード間で有機発光ダイオード層内に不連続性を形成することが望ましいことがある。これらの不連続性は、有機発光ダイオード層内の導電性漏出経路を中断して、漏れ電流が有機発光ダイオード層を通過することを防止する。

有機発光ダイオード層内に不連続性を形成することで、隣接する画素間の漏れ電流を減らすことができる。しかしながら、カソード層５４は依然として、画素にわたって連続層であることが望ましいことがある。追加的に、前述したように、有機発光ダイオード層のうちのいくつかは、他の有機発光ダイオード層よりも高い導電性を有し得る。したがって、ディスプレイは、高導電性有機発光ダイオード層内の不連続性と、ディスプレイにわたる連続カソード層とを有するように最適化されてもよい。

いくつかの場合では、画素定義層は、カソード層の連続性を維持しながら有機発光ダイオード層のうちのいくつか内に不連続性を形成するために使用され得る。図６は、画素定義層を有する例示的な有機発光ダイオードディスプレイの断面側面図である。図６に示されているように、画素定義層７６は、ディスプレイのアノード間の基板２６上に形成され得る。画素定義層は不透明であってもよく、したがって、光を放射する各画素の面積を画定することができる。画素定義層は任意の所望の材料から形成されてもよい。画素定義層は１つ以上の材料（例えば、窒化ケイ素、二酸化ケイ素など）から形成されてもよい。画素定義層はまた、所望であれば有機材料から形成されてもよい。図７～図９により詳細に示されているように、各画素定義層の形状は、上に重なる有機発光ダイオードディスプレイ層内に不連続性を作ることができる。

前述したように、（有機発光ダイオード層を通る横方向漏れを防止するために）ディスプレイ内の有機発光ダイオード層のうちの１つ以上内に不連続性を生成することが望ましいことがある。しかしながら、ディスプレイ内の１つ以上の他の層（例えば、カソード５４）内に連続性を維持することが望ましいこともある。したがって、画素定義層の形状は、画素定義層の上に配置された１つ以上の所望の有機発光ダイオード層が不連続性を有する一方、画素定義層の上に蒸着された追加の有機発光ダイオード層及び／又はカソード５４が不連続性を有さないように設計されてもよい。選択された上層内に不連続性を形成するように成形された画素定義層の詳細図が図７及び図８に示されている。

図７は、ディスプレイ内の有機発光ダイオード層内に不連続性を形成することができる例示的な画素定義層の断面側面図である。図７に示されているように、画素定義層（ＰＤＬ）７６はアンダーカット１０２を有する。アンダーカット１０２は、凹部１０２、空洞１０２、穴１０２、窪み１０２などと呼ばれることもある。アンダーカットは、画素定義層の一部分によって覆われた画素定義層材料のエッジ内の間隙である。図７に示されているように、アンダーカット１０２は、幅１０４及び高さ１０６を有することができる。この構成では、幅１０４は、画素定義層の部分７６－１のエッジと画素定義層の部分７６－２のエッジとの間の距離として定義される。高さ１０６は、画素定義層の部分７６－１の下面とアノード４２との間の距離として定義される。幅１０４及び高さ１０６はそれぞれ、任意の所望の距離（例えば、１マイクロメートル未満、５００ナノメートル未満、２５０ナノメートル未満、１５０ナノメートル未満、１００ナノメートル未満、７５ナノメートル未満、５０ナノメートル未満、３５ナノメートル未満、２５ナノメートル未満、２０ナノメートル未満、１０ナノメートル超、１５ナノメートル超、２０ナノメートル超、１０～１００ナノメートルなど）であることができる。高さ１０６及び幅１０４は、同じであってもよく、又は異なってもよい。一例では、高さ１０６は５０ナノメートル未満であってもよく、幅１０４は１５ナノメートル超であってもよい。

図７の例では、画素定義層７６は、異なる材料から形成される部分７６－１及び７６－２（層７６－１及び７６－２と呼ばれることもある）から形成されてもよい。換言すれば、部分７６－１及び７６－２は、画素定義層が形成されるときに別々に蒸着されてもよい。各部分は、任意の所望の材料（例えば、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、有機材料など）から形成されてもよい。一例では、部分７６－１は二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）から形成されてもよく、部分７６－２は窒化ケイ素（ＳｉＮ）から形成されてもよい。この例は単なる例示に過ぎない。

部分７６－１は厚さ１１０を有することができ、部分７６－２は厚さ１０８を有することができる。厚さ１０８及び１１０はそれぞれ、任意の所望の距離（例えば、１マイクロメートル未満、５００ナノメートル未満、２５０ナノメートル未満、１５０ナノメートル未満、１００ナノメートル未満、７５ナノメートル未満、５０ナノメートル未満、３５ナノメートル未満、２５ナノメートル未満、２０ナノメートル未満、１０ナノメートル超、２０ナノメートル超、１０～１００ナノメートルなど）であってもよい。厚さ１０８及び１１０は同じであってもよく、又は異なってもよい。アノード４２の存在に起因して、画素定義層部分７６－２の厚さは変化し得ることに留意されたい。例えば、図７では、部分７６－２は、アノード４２を含まない基板２６の領域にわたる部分内で厚さ１０８を有する。部分７６－２は、アノード４２に重なり合う部分内で厚さ１０８よりも小さい（例えば、高さ１０６に等しい）厚さを有する。この例は単なる例示に過ぎない。所望であれば、部分７６－２は均一な厚さを有してもよい（アノードのエッジにわたる段階的変化を伴う）。

部分７６－１及び７６－２のエッジの角度は、有機発光ダイオード層の不連続性を制御するように選択されてもよい。図７に示されているように、部分７６－２は、アノード４２の平面状の上面に対して（及び部分７６－２の平面状の下面に対して）角度１１６をとるエッジ面１１２を有する。部分７６－１は、アノード４２の平面状の上面に対して（及び部分７６－１の平面状の下面に対して）角度１１８をとるエッジ面１１４を有する。角度１１６及び１１８は同じであってもよく、又は異なってもよい。角度のそれぞれは、任意の所望の角度（例えば、４５度～９０度、２５度～１３５度、４５度～５５度、５５度～６５度、７５度～８５度、８５度～９５度、４５度～６５度、７０度～９０度、１０度～４５度、９０度未満など）であり得る。

画素定義層の寸法のうちのいずれも、画素定義層の上に形成された有機発光ダイオード層上に所望の不連続性を付与するように調整されてもよい。例えば、各画素定義層部分の厚さ１０８及び１１０、アンダーカット１０２の幅１０４及び高さ１０６、角度１１６及び１１８などは全て、有機発光ダイオード層が画素定義層の上に蒸着されたときに所望の不連続性が形成されるように選択されてもよい。画素定義層部及び有機発光ダイオード層は、蒸着技術、フォトリソグラフィ技術などを使用して形成されてもよい。画素定義層部分の寸法を変更するために、露光レベル、マスクプロファイル、蒸着圧力、ガス組成、及び／又は他の所望の製造特性が調整されてもよい。

図８は、ディスプレイ内の有機発光ダイオード層内に不連続性を形成することができる別の例示的な画素定義層の断面側面図である。図８に示されているように、画素定義層（ＰＤＬ）７６は、ここでもアンダーカット１０２を有する。アンダーカット１０２は、凹部１０２、空洞１０２、穴１０２、窪み１０２などと呼ばれることもある。アンダーカットは、画素定義層の一部分によって依然として覆われた画素定義層材料内の間隙である。図８に示されているように、アンダーカット１０２は、幅１０４及び高さ１０６を有することができる。この配置では、幅１０４は、画素定義層の部分７６－１のエッジと画素定義層の部分７６－２のエッジとの間の距離として定義される。高さ１０６は、画素定義層の部分７６－１の下面と画素定義層の部分７６－３の上面との間の距離として定義される。幅１０４及び高さ１０６はそれぞれ、任意の所望の距離（例えば、１マイクロメートル未満、５００ナノメートル未満、２５０ナノメートル未満、１５０ナノメートル未満、１００ナノメートル未満、７５ナノメートル未満、５０ナノメートル未満、３５ナノメートル未満、２５ナノメートル未満、２０ナノメートル未満、１０ナノメートル超、２０ナノメートル超、１０～１００ナノメートルなど）であってもよい。高さ１０６及び幅１０４は、同じであってもよく、又は異なってもよい。一例では、高さ１０６は５０ナノメートル未満であってもよく、幅１０４は２０ナノメートル超であってもよく、厚さ１０８は５０ナノメートル未満であってもよく、厚さ１１０は２０ナノメートル未満であってもよく、厚さ１２２は５０ナノメートル未満であってもよい。

図８の例では、画素定義層７６は、異なる材料から形成される部分７６－１、７６－２、及び７６－３（層７６－１、７６－２、及び７６－３と呼ばれることもある）から形成されてもよい。換言すれば、部分７６－１、７６－２、及び７６－３は、画素定義層が形成されるときに別々に蒸着されてもよい。各部分は、任意の所望の材料（例えば、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、有機材料など）から形成されてもよい。一例では、部分７６－１及び７６－３は二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）から形成されてもよく、部分７６－２は窒化ケイ素（ＳｉＮ）から形成されてもよい。この例は単なる例示に過ぎない。

部分７６－１は厚さ１１０を有してもよく、部分７６－２は厚さ１０８を有してもよく、部分７６－３は厚さ１２２を有してもよい。厚さ１０８、１１０、及び１２２はそれぞれ、任意の所望の距離（例えば、１マイクロメートル未満、５００ナノメートル未満、２５０ナノメートル未満、１５０ナノメートル未満、１００ナノメートル未満、７５ナノメートル未満、５０ナノメートル未満、３５ナノメートル未満、２５ナノメートル未満、２０ナノメートル未満、１０ナノメートル超、２０ナノメートル超、１０～１００ナノメートルなど）であってもよい。厚さ１０８、１１０、及び１２２は同じであってもよく、又は異なってもよい。アノード４２の存在に起因して、画素定義層部分７６－３の厚さは変化し得ることに留意されたい。例えば、図８では、部分７６－３は、アノード４２を含まない基板２６の領域にわたる部分内で厚さ１２２を有する。部分７６－３は、アノード４２に重なり合う部分内で厚さ１２２よりも小さい厚さ１３０を有する。厚さが低減されている領域内の部分７６－３の厚さ１３０は、任意の所望の距離（例えば、１マイクロメートル未満、５００ナノメートル未満、２５０ナノメートル未満、１５０ナノメートル未満、１００ナノメートル未満、７５ナノメートル未満、５０ナノメートル未満、３５ナノメートル未満、２５ナノメートル未満、２０ナノメートル未満、１０ナノメートル超、２０ナノメートル超、１０～１００ナノメートルなど）であってもよい。この例は単なる例示に過ぎない。所望であれば、部分７６－３は均一な厚さを有してもよい（アノードのエッジにわたる段階的変化を伴う）。

部分７６－１、７６－２、及び７６－３のエッジの角度は、有機発光ダイオード層の不連続性を制御するように選択されてもよい。図８に示されているように、部分７６－３は、アノード４２の平面状の上面に対して（及び部分７６－３の平面状の下面に対して）角度１２８をとるエッジ面１２６を有する。部分７６－２は、アノード４２の平面状の上面に対して（及び部分７６－２の平面状の下面に対して）角度１１６をとるエッジ面１１２を有する。部分７６－１は、アノード４２の平面状の上面に対して（及び部分７６－１の平面状の下面に対して）角度１１８をとるエッジ面１１４を有する。角度１１６、１１８、及び１２８は同じであってもよく、又は異なってもよい。角度のそれぞれは、任意の所望の角度（例えば、４５度～９０度、２５度～１３５度、４５度～５５度、５５度～６５度、７５度～８５度、８５度～９５度、４５度～６５度、７０度～９０度、１０度～４５度、９０度未満など）であり得る。

図８では、層７６－３の一部分は、層７６－１によって覆われなくてもよい。言い換えれば、層７６－３は、層７６－１のエッジを越えて（例えば、アノードの中心に向かって）延在する。層７６－１によって覆われていない層７６－３の部分の幅１２４は、任意の所望の距離（例えば、１マイクロメートル未満、５００ナノメートル未満、２５０ナノメートル未満、１５０ナノメートル未満、１００ナノメートル未満、７５ナノメートル未満、５０ナノメートル未満、３５ナノメートル未満、２５ナノメートル未満、２０ナノメートル未満、１０ナノメートル超、２０ナノメートル超、１０～１００ナノメートルなど）であってもよい。層７６－１で覆われていない層７６－３の部分は、画素定義層の段状部分と呼ばれることがある。幅１２４は、４０ナノメートル超であってもよい。

画素定義層の寸法のうちのいずれも、画素定義層の上に形成された有機発光ダイオード層上に所望の不連続性を付与するように調整されてもよい。例えば、各画素定義層部分の厚さ１０８、１１０、１２２、及び１３０、アンダーカット１０２の幅１０４及び高さ１０６、角度１１６、１１８、及び１２８、並びに段状部分１２４などは全て、有機発光ダイオード層が画素定義層の上に蒸着されたときに所望の不連続性が形成されるように選択されてもよい。画素定義層部及び有機発光ダイオード層は、蒸着技術、フォトリソグラフィ技術などを使用して形成されてもよい。画素定義層部分の寸法を変更するために、露光レベル、マスクプロファイル、蒸着圧力、ガス組成、及び／又は他の所望の製造特性が調整されてもよい。

図９は、どのように不連続性が画素定義層の上に蒸着された有機発光ダイオード内に形成され得るかを示す断面側面図である。図８の画素定義層が図９に示されている。しかしながら、所望であれば、図７の画素定義層が代わりに使用されてもよいことを理解されたい。図９に示されているように、有機発光ダイオード層４５－１、４５－２、４５－３、４５－４、及び４５－５が、画素定義層７６及びアノード４２の上に形成されている。カソード層５４は、有機発光ダイオード層の上に形成されている。

アンダーカット１０２の存在により、間隙１４２が画素定義層と有機発光ダイオード層との間に存在し得る。図９の例では、間隙１４２（空気充填間隙１４２、空気充填領域１４２、絶縁体充填間隙１４２などと呼ばれることもある）は、有機発光ダイオード層４５－１のそれぞれの部分間に不連続性を形成する。間隙は、空気又は任意の他の所望の材料で充填されてもよい。間隙はまた、有機発光ダイオード層４５－２のそれぞれの部分間に不連続性を形成する。最後に、間隙は、有機発光ダイオード層４５－３のそれぞれの部分間に不連続性を形成する。このようにして、有機発光ダイオード層４５－１、４５－２、４５－３を通る横方向漏れが防止され得る。有機発光ダイオード層４５－１、４５－２、及び４５－３内に不連続性を形成する間、間隙は、有機発光ダイオード層４５－４、有機発光ダイオード層４５－５、及びカソード層５４間に不連続性を形成しなくてもよい。

画素定義層７６の形状は、何個の有機発光ダイオード層が間隙１４２によって中断されるかを決定することができる。図９では、３つの有機発光ダイオード層（４５－１、４５－２、及び４５－３）は間隙１４２によって中断されており、２つの有機発光ダイオード層（４５－４及び４５－５）は間隙１４２によって中断されていない。前述したように、例示的な一配置では、有機発光ダイオード層４５－１は正孔注入層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－２は正孔輸送層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－３は発光層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－４は電子輸送層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－５は電子注入層であってもよい。別の例示的な配置では、有機発光ダイオード層４５－１は正孔層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－２は第１の発光層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－３は、電荷生成層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－４は第２の発光層であってもよく、有機発光ダイオード層４５－５は電子層であってもよい。

有機発光ダイオード層４５－３（例えば、間隙によって中断されている最後の層）は、有機発光ダイオード層４５－４（例えば、間隙によって中断されていない第１の層）よりも高い導電性を有し得る。換言すれば、有機発光ダイオード層内の不連続性は、高導電性有機発光ダイオード層の不連続性を確実にするように伝播されてもよい。これにより、ディスプレイ内の画素間の横方向漏れを効果的に低減することができる。残りの有機発光ダイオード層内（例えば、４５－４及び４５－５）の連続性は、良好な光漏れレベルを依然として確実にしながら維持されてもよい。

一般に、有機発光ダイオード層のそれぞれは、任意の所望の導電性を有してもよく、不連続性は、（カソード層の連続性を維持しながら）横方向光漏れが良好なレベルに低減されるまで、画素定義層７６によって有機発光ダイオード層を通って伝播され得る。換言すれば、有機発光ダイオード層４５－３が低導電性を有し、有機発光ダイオード層４５－２が高導電性を有する（例えば、層４５－３よりも高い）例では、不連続性は、（有機発光ダイオード層４５－３、４５－４、及び４５－５が依然として連続しながら）有機発光ダイオード層４５－１及び４５－２内にのみ存在し得る。有機発光ダイオード層４５－２が低導電性を有し、有機発光ダイオード層４５－１が高導電性を有する（例えば、層４５－２よりも高い）更に別の例では、不連続性は、（有機発光ダイオード層４５－２、４５－３、４５－４、及び４５－５が依然として連続しながら）有機発光ダイオード層４５－１内にのみ存在し得る。

図７及び図８の画素定義層の配置は、有機発光ダイオードディスプレイの製造における高歩留まりを可能にし得る。ディスプレイは、ウェハ又はマザーガラスレベルで製造され、その後、個々のディスプレイに切断されてもよい。このタイプのプロセスでは、図７及び図８の堅牢な設計により、ウェハ又はマザーガラス全体でディスプレイが良好なディスプレイ性能を有することが確実にされ得る（例えば、低減された横方向漏れ、及びカソードの連続性を有する）。

一実施形態によれば、ディスプレイが提供され、ディスプレイは、基板と、第１の有機発光ダイオード画素及び第２の有機発光ダイオード画素を含む画素のアレイであって、第１の有機発光ダイオード画素が、基板上に第１のパターン電極を含み、第２の有機発光ダイオード画素が、基板上に第２のパターン電極を含む、画素のアレイと、第１のパターン電極と第２のパターン電極との間に介在する基板上の画素定義層と、第１の有機発光ダイオード画素の一部を形成する第１の部分と、第２の部分とを有する、画素定義層の上に形成された導電層であって、第２の部分が、画素定義層のエッジ内のアンダーカットによって少なくとも部分的に画定された間隙によって、第１の部分から電気的に分離されている、導電層と、を含む。

別の実施形態によれば、画素定義層は、第１の材料から形成される第１の部分と、第１の材料とは異なる第２の材料から形成される第２の部分とを有する。

別の実施形態によれば、第１の材料は二酸化ケイ素であり、第２の材料は窒化ケイ素である。

別の実施形態によれば、画素定義層の第１の部分は、画素定義層の第２の部分のエッジを越えて延在して、画素定義層のエッジにアンダーカットを画定する。

別の実施形態によれば、アンダーカットは、画素定義層の第１の部分のエッジと画素定義層の第２の部分のエッジとの間の距離である幅を有する。

別の実施形態によれば、アンダーカットの幅は１５ナノメートル超である。

別の実施形態によれば、アンダーカットは、画素定義層の第１の部分の下面と第１パターン電極の上面との間の距離である高さを有する。

別の実施形態によれば、アンダーカットの高さは１０ナノメートル超である。

別の実施形態によれば、画素定義層は、画素定義層の第２の部分と第１のパターン電極との間に介在する第３の部分を含む。

別の実施形態によれば、アンダーカットは、画素定義層の第１の部分の下面と画素定義層の第３の部分の上面との間の距離である高さを有する。

別の実施形態によれば、アンダーカットの高さは２０ナノメートル超である。

別の実施形態によれば、画素定義層の第３の部分は、画素定義層の第１の部分のエッジを越えて延在する。

別の実施形態によれば、画素定義層の第１の部分は二酸化ケイ素から形成され、画素定義層の第２の部分は窒化ケイ素から形成され、画素定義層の第３の部分は二酸化ケイ素から形成される。

別の実施形態によれば、ディスプレイは、第１の導電層の上に形成された第２の導電層であって、第２の導電層が、第１の有機発光ダイオード画素の一部を形成する第３の部分と、第４の部分とを有し、第３の部分が、間隙によって第４の部分から電気的に分離されている、第２の導電層と、第２の導電層の上に形成された第３の導電層であって、第３の導電層が、第２の導電層の第３の部分の上に形成された第５の部分を有し、第３の導電層が、第２の導電層の第４の部分の上に形成された第６の部分を有し、第３の導電層の第５の部分が、第１の有機発光ダイオード画素の一部を形成し、第３の導電層の第５の部分及び第６の部分が、電気的に接続されており、間隙によって中断されていない、第３の導電層と、を含む。

別の実施形態によれば、第２の導電層は、第３の導電層よりも高い導電率を有する。

別の実施形態によれば、第２の導電層は電荷生成層を含む。

一実施形態によれば、ディスプレイが提供され、ディスプレイは、基板と、第１の有機発光ダイオード画素及び第２の有機発光ダイオード画素を含む画素のアレイであって、第１の有機発光ダイオード画素が、基板上に第１のパターン電極を含み、第２の有機発光ダイオード画素が、基板上に第２のパターン電極を含む、画素のアレイと、第１のパターン電極と第２のパターン電極との間に介在する、基板上の不透明画素定義層であって、画素定義層が、第１のパターン電極上に形成された第１の部分と、第１の部分上に形成されておりエッジを有する第２の部分と、第２の部分上に形成されておりエッジを有する第３の部分と、を含み、第３の部分のエッジが、第２の部分のエッジを越えて第１のパターン電極の中心に向かって延在する、不透明画素定義層と、を含む。

別の実施形態によれば、画素定義層の第１の部分は二酸化ケイ素の層であり、画素定義層の第２の部分は窒化ケイ素の層であり、画素定義層の第３の部分は二酸化ケイ素の層である。

別の実施形態によれば、画素定義層の第１の部分は上面を有し、上面は、第１の領域内で画素定義層の第２の部分及び第３の部分の両方に重なり合い、第２の領域内で画素定義層の第２の部分及び第３の部分に重なり合わず、第１の領域と第２の領域との間に介在する第３の領域内で画素定義層の第３の部分のみに重なり合う。

一実施形態によれば、ディスプレイが提供され、ディスプレイは、基板と、第１の有機発光ダイオード画素及び第２の有機発光ダイオード画素を含む画素のアレイであって、第１の有機発光ダイオード画素が、基板上に第１のパターン電極を含み、第２の有機発光ダイオード画素が、基板上に第２のパターン電極を含む、画素のアレイと、第１のパターン電極と第２のパターン電極との間に介在する基板上の画素定義層と、画素定義層及び第１のパターン電極及び第２のパターン電極の上に形成された複数の導電性有機発光ダイオード層であって、画素定義層が、複数の導電性有機発光ダイオード層のうちの少なくとも１つ内に不連続性を生じさせるアンダーカットを有して、複数の導電性有機発光ダイオード層を通る第１の有機発光ダイオード画素と第２の有機発光ダイオード画素との間の横方向漏れを低減する、導電性有機発光ダイオード層と、を含む。

前述は単なる例示であり、当業者は、記載されている実施形態の範囲及び精神から逸脱することなく、様々な修正を行うことができる。前述の実施形態は、個別に又は任意の組み合わせで実現されてもよい。

Claims (8)

1. ディスプレイであって、
   基板と、
   第１の有機発光ダイオード画素及び第２の有機発光ダイオード画素を含む画素のアレイであって、前記第１の有機発光ダイオード画素が、前記基板上に第１のパターン電極を含み、前記第２の有機発光ダイオード画素が、前記基板上に第２のパターン電極を含む、画素のアレイと、
   前記第１のパターン電極と前記第２のパターン電極との間に介在する前記基板上の画素定義層と、
   前記第１の有機発光ダイオード画素の一部を形成する第１の部分と、第２の部分とを有する、前記画素定義層の上に形成された第１の導電層であって、前記第２の部分が、前記画素定義層のエッジ内のアンダーカットによって少なくとも部分的に画定された間隙によって、前記第１の部分から電気的に分離されている、第１の導電層と、
   前記第１の導電層の上に形成された第２の導電層であって、前記第２の導電層が、前記第１の導電層の前記第１の部分の上に形成された第３の部分を有し、前記第２の導電層が、前記第１の導電層の前記第２の部分の上に形成された第４の部分を有し、前記第２の導電層の前記第３の部分が、前記第１の有機発光ダイオード画素の一部を形成し、前記第２の導電層の前記第３の部分及び前記第４の部分が、電気的に接続されており、前記間隙によって中断されていない、第２の導電層と、を備え、
   前記画素定義層が、第１の材料から形成される第１の部分と、前記第１の材料とは異なる第２の材料から形成される第２の部分と、前記画素定義層の前記第２の部分と前記第１のパターン電極との間に介在する第３の部分と、を有し、
   前記画素定義層の前記第１の部分が、前記画素定義層の前記第２の部分のエッジを越えて延在して、前記画素定義層の前記エッジに前記アンダーカットを画定し、
   前記アンダーカットが、前記画素定義層の前記第１の部分の下面と前記画素定義層の前記第３の部分の上面との間の距離である高さを有する、ディスプレイ。
2. 前記第１の材料が二酸化ケイ素であり、前記第２の材料が窒化ケイ素である、請求項１に記載のディスプレイ。
3. 前記アンダーカットが、前記画素定義層の前記第１の部分のエッジと前記画素定義層の前記第２の部分の前記エッジとの間の距離である幅を有する、請求項１に記載のディスプレイ。
4. 前記画素定義層の前記第３の部分が、前記画素定義層の前記第１の部分のエッジを越えて延在する、請求項１に記載のディスプレイ。
5. 前記画素定義層の前記第１の部分が二酸化ケイ素から形成され、前記画素定義層の前記第２の部分が窒化ケイ素から形成され、前記画素定義層の前記第３の部分が二酸化ケイ素から形成される、請求項４に記載のディスプレイ。
6. 前記第１の導電層と前記画素定義層との間に形成された第３の導電層を更に備え、前記第３の導電層が、前記第１の有機発光ダイオード画素の一部を形成する第５の部分と、第６の部分とを有し、前記第３の導電層の前記第５の部分が、前記間隙によって前記第３の導電層の前記第６の部分から電気的に分離されている、請求項１に記載のディスプレイ。
7. 前記第１の導電層が、前記第２の導電層よりも高い導電性を有する、請求項１に記載のディスプレイ。
8. 前記第１の導電層が電荷生成層を備える、請求項１に記載のディスプレイ。

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