JP7501164B2 - 電力変換装置 - Google Patents

Description

本開示は、電力変換装置に関する。

従来、上下のアームに相当する半導体スイッチで構成されるスイッチレグを複数並列接続する電力変換装置において、各半導体スイッチに流れる電流を均一化する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１では、各スイッチレグが幅方向に並べられると共に、各スイッチレグの上下のアームの間の接続点同士を並列接続する並列接続用ブスバーと、並列接続用ブスバーに接続される出力用ブスバーが設けられる。並列接続用ブスバーは、各スイッチレグが配置される幅方向の範囲を占め、且つ、各スイッチレグから長さ方向に延びるように設けられる。そして、出力用ブスバーは、並列接続用ブスバーの長さ方向の各スイッチレグと反対側の他端部において、並列接続用ブスバーと絶縁層を介して積層され且つ幅方向に延びるように設けられ、幅方向の一端部で並列接続用ブスバーと接続される。

これにより、特許文献１では、並列接続用ブスバーに流れる電流（即ち、各スイッチレグからの合流する電流或いは各スイッチレグに分岐する電流）と出力用ブスバーに流れる電流とが互いに逆向きとなり、それぞれにより発生する磁界が相殺されうる。そのため、各スイッチレグの電流が合流或いは分岐する際の並列接続用ブスバーの幅方向の電力経路のインダクタンスが低減され、各スイッチレグに流れる電流のアンバランスを抑制することができる。

特開２０１７－０５５４７８号公報

しかしながら、特許文献１では、出力用ブスバーの電流は、全てのスイッチレグの電流の合計に相当するのに対して、並列接続用ブスバーの他端部で幅方向に流れる電流は、一つのスイッチレグを通過した電流や一部のスイッチレグの電流の合計にしか過ぎない。そのため、出力用ブスバーにより発生する磁界が並列接続用ブスバーにより発生する磁界によって相殺されずに残ってしまう可能性がある。よって、この磁界が，並列接続用ブスバーを幅方向に流れる電流と鎖交することで、並列接続用ブスバーの幅方向の電流経路には、インダクタンスが生じ、各スイッチレグに流れる電流にアンバランスが生じる可能性がある。

そこで、上記課題に鑑み、上下のアームに相当する半導体スイッチで構成されるスイッチレグを複数並列接続する電力変換装置において、各半導体スイッチに流れる電流のアンバランスを抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本開示の一実施形態では、
平滑回路と、
複数の半導体スイッチを含む上下のアームが直列接続されるスイッチレグが、複数並列接続されると共に、複数の前記スイッチレグのそれぞれの前記上下のアームの接続点同士が接続される出力回路が複数相分並列接続されることにより構成されるブリッジ回路を含み、前記平滑回路から入力される直流電力に基づき、所定の交流電力を出力するインバータ回路と、
前記所定の交流電力を外部に出力する出力端子と、を備え、
前記インバータ回路は、複数の前記スイッチレグの正極側端子同士を接続する正極側直流ブスバーと、複数の前記スイッチレグの負極側端子同士を接続する負極側直流ブスバーと、複数の前記スイッチレグのそれぞれの前記上下のアームの接続点同士を接続する並列接続用ブスバーと、を含み、
前記正極側直流ブスバー、前記負極側直流ブスバー、及び前記並列接続用ブスバーは、絶縁層を介して積層されるラミネート構造を有し、
前記並列接続用ブスバーと前記出力端子までの配線との接続部は、複数の前記スイッチレグに含まれる全ての前記アームのうちの前記平滑回路から最も離れている前記アームよりも前記平滑回路から離れた位置に設けられる、
電力変換装置が提供される。

上述の実施形態によれば、上下のアームに相当する半導体スイッチで構成されるスイッチレグを複数並列接続する電力変換装置において、各半導体スイッチに流れる電流のアンバランスを抑制することが可能な技術を提供することができる。

第１実施形態に係る電力変換装置の一例を示す回路図である。 第１実施形態に係る電力変換装置の一例を示す構造図である。 第１実施形態に係る電力変換装置の一例を示す構造図である。 ブスバーの配置構造の一例を説明する図である。 ブスバーの配置構造の一例を説明する図である。 ブスバーの配置構造の一例を説明する図である。 第２実施形態～第４実施形態に係る電力変換装置の一例を示す回路図である。 第２実施形態に係る電力変換装置の一例を示す構造図である。 第２実施形態に係る電力変換装置の一例を示す構造図である。 各スイッチモジュールに流れる電流の経路を説明する図である。 第３実施形態に係る電力変換装置の一例を示す構造図である。 第３実施形態に係る電力変換装置の一例を示す構造図である。 第４実施形態に係る電力変換装置の一例を示す構造図である。 第４実施形態に係る電力変換装置の一例を示す構造図である。

以下、図面を参照して実施形態について説明する。

［第１実施形態］
まず、図１～図６を参照して、第１実施形態について説明する。

＜電力変換装置の概要＞
図１は、第１実施形態に係る電力変換装置１の一例を示す回路図である。

電力変換装置１は、所定の外部電源（例えば、商用電源系統）から入力される三相交流電力を用いて、所定の三相交流電力を生成し、生成した三相交流電力を所定の負荷装置（例えば、電動機）に供給する。

図１に示すように、電力変換装置１は、整流回路１０と、平滑回路２０と、ヒューズ３０と、インバータ回路４０とを含む。

整流回路１０は、外部電源から入力端子１１を通じて入力される、Ｒ相、Ｓ相、及びＴ相の三相交流電力を整流して所定の直流電力を平滑回路２０に出力する。

入力端子１１は、Ｒ相の電力が入力されるＲ相入力端子１１１と、Ｓ相の電力が入力されるＳ相入力端子１１２と、Ｔ相の電力が入力されるＴ相入力端子１１３とを含む。

図１に示すように、整流回路１０は、例えば、６つのダイオード１２をブリッジ状に接続したブリッジ型全波整流回路である。

平滑回路２０は、整流回路１０から出力される直流電力やインバータ回路４０から回生される直流電力を平滑化する。

平滑回路２０は、正極側ブスバー２０Ｐと、負極側ブスバー２０Ｎと、平滑用コンデンサ２１とを含む。

正極側ブスバー２０Ｐは、導電性が相対的に高い材料（例えば、銅やアルミニウム等）を用いた平板状の部材である。以下、後述する負極側ブスバー２０Ｎ、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎ、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐ、Ｖ相負極側直流ブスバー４２Ｎ、Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐ、及びＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎについても同様である。

正極側ブスバー２０Ｐは、整流回路１０の正極側の出力端、及びインバータ回路４０の正極側の入力端のそれぞれに接続される。

負極側ブスバー２０Ｎは、整流回路１０の負極側の出力端、及びインバータ回路４０の負極側の直流入力端に接続される。

平滑用コンデンサ２１は、整流回路１０やインバータ回路４０と並列に、正極側ブスバー２０Ｐ及び負極側ブスバー２０Ｎを接続する電力経路に配置される。平滑用コンデンサ２１は、適宜、充放電を繰り返しながら、整流回路１０やインバータ回路４０から出力される直流電力を平滑化する。

平滑用コンデンサ２１は、一つであってもよいし、複数の平滑用コンデンサ２１が並列接続されてもよい（図２、図３参照）。

平滑用コンデンサ２１は、正極側ブスバー２０Ｐに接続される正極側端子２１Ｐと、負極側ブスバー２０Ｎに接続される負極側端子２１Ｎとを含む。

ヒューズ３０は、正極側ブスバー２０Ｐとインバータ回路４０の正極側の直流入力端との間の正極側の電力経路上に配置される。ヒューズ３０は、過電流等の発生時に溶断し、過負荷や短絡等に伴う過電流による損傷等から電力変換装置１（インバータ回路４０）を保護する。

インバータ回路４０は、平滑回路２０から供給される直流電力から、Ｕ相、Ｖ相、及びＷ相の三相交流電力を生成し、出力端子４０Ｔから外部の負荷装置に出力する。出力端子４０Ｔは、Ｕ相の交流電力を外部に出力するＵ相出力端子４１Ｔと、Ｖ相の交流電力を外部に出力するＶ相出力端子４２Ｔと、Ｗ相の交流電力を外部に出力するＷ相出力端子４３Ｔとを含む。

インバータ回路４０は、Ｕ相回路４１と、Ｖ相回路４２と、Ｗ相回路４３とにより構成されるブリッジ回路を含む。Ｕ相回路４１、Ｖ相回路４２、及びＷ相回路４３（何れも出力回路の一例）は、電力変換装置１の正極側の配線及び負極側の配線の間の並列に接続される。

Ｕ相回路４１は、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐと、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎと、スイッチモジュール４１１～４１４と、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏとを含む。以下、第１実施形態では、スイッチモジュール４１１～４１４を包括的に、或いは、スイッチモジュール４１１～４１４のうちの任意の一つを個別に「スイッチモジュール４１０」と称する場合がある。

Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐは、ヒューズ３０を介して、平滑回路２０の正極側ブスバー２０Ｐに接続される。

Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎは、平滑回路２０の負極側ブスバー２０Ｎに接続される。

スイッチモジュール４１１～４１４（スイッチレグの一例）は、Ｕ相正極側直流ブスバー４１ＰとＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎとの間に並列接続される。

スイッチモジュール４１１は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４１１ｓ１，４１１ｓ２と、環流ダイオード４１１ｄ１，４１１ｄ２と、正極側端子４１１Ｐと、負極側端子４１１Ｎと、交流出力端子４１１Ｏとを含む。

スイッチモジュール４１２は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４１２ｓ１，４１２ｓ２と、環流ダイオード４１２ｄ１，４１２ｄ２と、正極側端子４１２Ｐと、負極側端子４１２Ｎと、交流出力端子４１２Ｏとを含む。

スイッチモジュール４１３は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４１３ｓ１，４１３ｓ２と、環流ダイオード４１３ｄ１，４１３ｄ２と、正極側端子４１３Ｐと、負極側端子４１３Ｎと、交流出力端子４１３Ｏとを含む。

スイッチモジュール４１４は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４１４ｓ１，４１４ｓ２と、環流ダイオード４１４ｄ１，４１４ｄ２と、正極側端子４１４Ｐと、負極側端子４１４Ｎと、交流出力端子４１４Ｏとを含む。

以下、第１実施形態では、半導体スイッチ４１１ｓ１，４１１ｓ２，４１２ｓ１，４１２ｓ２，４１３ｓ１，４１３ｓ２，４１４ｓ１，４１４ｓ２を包括的に、或いは、これらのうちの任意の一つを個別に、「半導体スイッチ４１０ｓ」と称する場合がある。また、第１実施形態では、上述の「スイッチモジュール４１０」の正極側端子４１１Ｐ～４１４Ｐに相当する構成要素を「正極側端子４１０Ｐ」と称する場合がある。また、第１実施形態では、上述の「スイッチモジュール４１０」の負極側端子４１１Ｎ～４１４Ｎに相当する構成要素を「負極側端子４１０Ｎ」と称する場合がある。また、第１実施形態では、上述の「スイッチモジュール４１０」の交流出力端子４１１Ｏ～４１４Ｏに相当する構成要素を「交流出力端子４１０Ｏ」と称する場合がある。

スイッチモジュール４１１～４１４は、同様の構成要素を有し、同様の回路で構成されるため、スイッチモジュール４１１について代表して説明し、スイッチモジュール４１２～４１４の説明を省略する。

半導体スイッチ４１１ｓ１，４１１ｓ２（上下のアームの一例）は、正極側端子４１１Ｐと負極側端子４１１Ｎとの間を接続する電力経路に配置され、互いに直列接続されている。半導体スイッチ４１１ｓ１，４１１ｓ２は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）である。

半導体スイッチ４１１ｓ１は、スイッチレグの上アームに相当し、正極側端子４１１Ｐに接続されている。

半導体スイッチ４１１ｓ２は、スイッチレグの下アームに相当し、負極側端子４１１Ｎに接続されている。

環流ダイオード４１１ｄ１，４１１ｄ２は、半導体スイッチ４１１ｓ１，４１１ｓ２のそれぞれと並列接続されている。

正極側端子４１１Ｐは、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐに接続される。

負極側端子４１１Ｎは、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎに接続される。

交流出力端子４１１Ｏ（上下のアームの接続点の一例）は、半導体スイッチ４１１ｓ１，４１１ｓ２の間の接続点（中間点）から引き出される。

Ｕ相交流ブスバー４１Ｏは、一端において、スイッチモジュール４１１～４１４のそれぞれの交流出力端子４１１Ｏ～４１４Ｏ同士を接続すると共に、他端において、Ｕ相出力端子４１Ｔに接続される。これにより、インバータ回路４０は、スイッチモジュール４１１～４１４から出力されるＵ相の交流電力をＵ相出力端子４１Ｔから外部に出力することができる。

Ｖ相回路４２は、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐと、Ｖ相負極側直流ブスバー４２Ｎと、スイッチモジュール４２１～４２４と、Ｖ相交流ブスバー４２Ｏとを含む。以下、第１実施形態では、スイッチモジュール４２１～４２４を包括的に、或いは、スイッチモジュール４２１～４２４のうちの任意の一つを個別に「スイッチモジュール４２０」と称する場合がある。

Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐは、ヒューズ３０を介して、平滑回路２０の正極側ブスバー２０Ｐに接続される。

Ｖ相負極側直流ブスバー４２Ｎは、平滑回路２０の負極側ブスバー２０Ｎに接続される。

スイッチモジュール４２１～４２４は、Ｖ相正極側直流ブスバー４２ＰとＶ相負極側直流ブスバー４２Ｎとの間に並列接続される。

スイッチモジュール４２１は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４２１ｓ１，４２１ｓ２と、環流ダイオード４２１ｄ１，４２１ｄ２と、正極側端子４２１Ｐと、負極側端子４２１Ｎと、交流出力端子４２１Ｏとを含む。

スイッチモジュール４２２は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４２２ｓ１，４２２ｓ２と、環流ダイオード４２２ｄ１，４２２ｄ２と、正極側端子４２２Ｐと、負極側端子４２２Ｎと、交流出力端子４２２Ｏとを含む。

スイッチモジュール４２３は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４２３ｓ１，４２３ｓ２と、環流ダイオード４２３ｄ１，４２３ｄ２と、正極側端子４２３Ｐと、負極側端子４２３Ｎと、交流出力端子４２３Ｏとを含む。

スイッチモジュール４２４は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４２４ｓ１，４２４ｓ２と、環流ダイオード４２４ｄ１，４２４ｄ２と、正極側端子４２４Ｐと、負極側端子４２４Ｎと、交流出力端子４２４Ｏとを含む。

以下、第１実施形態では、半導体スイッチ４２１ｓ１，４２１ｓ２，４２２ｓ１，４２２ｓ２，４２３ｓ１，４２３ｓ２，４２４ｓ１，４２４ｓ２を包括的に、或いは、これらのうちの任意の一つを個別に、「半導体スイッチ４２０ｓ」と称する場合がある。また、第１実施形態では、上述の「スイッチモジュール４２０」の正極側端子４２１Ｐ～４２４Ｐに相当する構成要素を「正極側端子４２０Ｐ」と称する場合がある。また、第１実施形態では、上述の「スイッチモジュール４２０」の負極側端子４２１Ｎ～４２４Ｎに相当する構成要素を「負極側端子４２０Ｎ」と称する場合がある。また、第１実施形態では、上述の「スイッチモジュール４２０」の交流出力端子４２１Ｏ～４２４Ｏに相当する構成要素を「交流出力端子４２０Ｏ」と称する場合がある。

スイッチモジュール４２１～４２４は、同様の構成要素及び同様の回路構成を有するため、スイッチモジュール４２１について代表して説明し、スイッチモジュール４２２～４２４の説明を省略する。

半導体スイッチ４２１ｓ１，４２１ｓ２（上下のアームの一例）は、正極側端子４２１Ｐと負極側端子４２１Ｎとの間を接続する電力経路に配置され、互いに直列接続されている。

半導体スイッチ４２１ｓ１は、スイッチレグの上アームに相当し、正極側端子４２１Ｐに接続されている。

半導体スイッチ４２１ｓ２は、スイッチレグの下アームに相当し、負極側端子４２１Ｎに接続されている。

環流ダイオード４２１ｄ１，４２１ｄ２は、半導体スイッチ４２１ｓ１，４２１ｓ２のそれぞれと並列接続されている。

正極側端子４２１Ｐは、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐに接続される。

負極側端子４２１Ｎは、Ｖ相負極側直流ブスバー４２Ｎに接続される。

交流出力端子４２１Ｏ（上下のアームの接続点の一例）は、半導体スイッチ４２１ｓ１，４２１ｓ２の間の接続点（中間点）から引き出される。

Ｖ相交流ブスバー４２Ｏは、一端において、スイッチモジュール４２１～４２４のそれぞれの交流出力端子４２１Ｏ～４２４Ｏ同士を接続すると共に、他端において、Ｖ相出力端子４２Ｔに接続される。これにより、インバータ回路４０は、スイッチモジュール４２１～４２４から出力されるＶ相の交流電力をＶ相出力端子４２Ｔから外部に出力することができる。

Ｗ相回路４３は、Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐと、Ｗ相負極側直流ブスバー４３Ｎと、スイッチモジュール４３１～４３４と、Ｗ相交流ブスバー４３Ｏとを含む。以下、第１実施形態では、スイッチモジュール４３１～４３４を包括的に、或いは、スイッチモジュール４３１～４３４のうちの任意の一つを個別に「スイッチモジュール４３０」と称する場合がある。

Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐは、ヒューズ３０を介して、平滑回路２０の正極側ブスバー２０Ｐに接続される。

Ｗ相負極側直流ブスバー４３Ｎは、平滑回路２０の負極側ブスバー２０Ｎに接続される。

スイッチモジュール４３１～４３４は、Ｗ相正極側直流ブスバー４３ＰとＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎとの間に並列接続される。

スイッチモジュール４３１は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４３１ｓ１，４３１ｓ２と、環流ダイオード４３１ｄ１，４３１ｄ２と、正極側端子４３１Ｐと、負極側端子４３１Ｎと、交流出力端子４３１Ｏとを含む。

スイッチモジュール４３２は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４３２ｓ１，４３２ｓ２と、環流ダイオード４３２ｄ１，４３２ｄ２と、正極側端子４３２Ｐと、負極側端子４３２Ｎと、交流出力端子４３２Ｏとを含む。

スイッチモジュール４３３は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４３３ｓ１，４３３ｓ２と、環流ダイオード４３３ｄ１，４３３ｄ２と、正極側端子４３３Ｐと、負極側端子４３３Ｎと、交流出力端子４３３Ｏとを含む。

スイッチモジュール４３４は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４３４ｓ１，４３４ｓ２と、環流ダイオード４３４ｄ１，４３４ｄ２と、正極側端子４３４Ｐと、負極側端子４３４Ｎと、交流出力端子４３４Ｏとを含む。

以下、第１実施形態では、半導体スイッチ４３１ｓ１，４３１ｓ２，４３２ｓ１，４３２ｓ２，４３３ｓ１，４３３ｓ２，４３４ｓ１，４３４ｓ２を包括的に、或いは、これらのうちの任意の一つを個別に、「半導体スイッチ４３０ｓ」と称する場合がある。また、第１実施形態では、上述の「スイッチモジュール４３０」の正極側端子４３１Ｐ～４３４Ｐに相当する構成要素を「正極側端子４３０Ｐ」と称する場合がある。また、第１実施形態では、上述の「スイッチモジュール４３０」の負極側端子４３１Ｎ～４３４Ｎに相当する構成要素を「負極側端子４３０Ｎ」と称する場合がある。また、第１実施形態では、上述の「スイッチモジュール４３０」の交流出力端子４３１Ｏ～４３４Ｏに相当する構成要素を「交流出力端子４３０Ｏ」と称する場合がある。

スイッチモジュール４３１～４３４は、同様の構成要素及び同様の回路構成を有するため、スイッチモジュール４３１について代表して説明し、スイッチモジュール４３２～４３４の説明を省略する。

半導体スイッチ４３１ｓ１，４３１ｓ２（上下のアームの一例）は、正極側端子４３１Ｐと負極側端子４３１Ｎとの間を接続する電力経路に配置され、互いに直列接続されている。

半導体スイッチ４３１ｓ１は、スイッチレグの上アームに相当し、正極側端子４３１Ｐに接続されている。

半導体スイッチ４３１ｓ２は、スイッチレグの下アームに相当し、負極側端子４３１Ｎに接続されている。

環流ダイオード４３１ｄ１，４３１ｄ２は、半導体スイッチ４３１ｓ１，４３１ｓ２のそれぞれと並列接続されている。

正極側端子４３１Ｐは、Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐに接続される。

負極側端子４３１Ｎは、Ｗ相負極側直流ブスバー４３Ｎに接続される。

交流出力端子４３１Ｏ（上下のアームの接続点の一例）は、半導体スイッチ４３１ｓ１，４３１ｓ２の間の接続点（中間点）から引き出される。

Ｗ相交流ブスバー４３Ｏは、一端において、スイッチモジュール４３１～４３４のそれぞれの交流出力端子４３１Ｏ～４３４Ｏ同士を接続すると共に、他端において、Ｗ相出力端子４３Ｔに接続される。これにより、インバータ回路４０は、スイッチモジュール４３１～４３４から出力されるＷ相の交流電力をＷ相出力端子４３Ｔから外部に出力することができる。

＜電力変換装置の構造＞
図２、図３は、第１実施形態に係る電力変換装置１の一例を示す構造図である。具体的には、図２は、電力変換装置１の筐体１Ｈの一部を取り外した状態を示す斜視図であり、図３は、電力変換装置１の筐体１Ｈの一部を取り外し、且つ、出力端子４０Ｔを取り外して上方向に移動させた状態を示す分解斜視図である。図４～図６は、ブスバーの配置構造の一例を説明する図である。具体的には、図４は、ブスバーの構成要素を分解して模式的に示す分解斜視図であり、図５は、図４のブスバーの構成要素を組み立てた完成状態を示す斜視図であり、図６は、ブスバーの配置構造の一例を模式的に示す側面図である。

尚、図４、図５では、便宜的に、ラミネートブスバー２０ＰＮ、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮ、Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮ、及びＷ相ラミネートブスバー４３ＰＮが一体の部材として描画されている。また、図４では、便宜的に、平滑回路２０の正極側ブスバー２０Ｐ、並びにインバータ回路４０のＵ相正極側直流ブスバー４１Ｐ、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐ、及びＷ相正極側直流ブスバー４３Ｐが一体の部材として描画されている。同様に、図４では、便宜的に、平滑回路２０の負極側ブスバー２０Ｎ、並びにインバータ回路４０のＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎ、Ｖ相負極側直流ブスバー４２Ｎ、及びＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎが一体の部材として描画されている。同様に、図４では、絶縁層２０Ｉ１，４１Ｉ１，４２Ｉ１，４３Ｉ１が一体の部材として描画されている。同様に、図４では、絶縁層２０Ｉ２，４１Ｉ２，４２Ｉ２，４３Ｉ２が一体の部材として描画されている。また、図４、図５では、簡単のため、平滑回路２０の全ての平滑用コンデンサ２１のうちの一部（４個）のみが代表して描画されている。同様に、図４、図５では、簡単のため、Ｕ相回路４１の全てのスイッチモジュール４１０のうちの一部（１個）のみが代表して描画されている。同様に、図４、図５では、簡単のため、Ｖ相回路４２に含まれるスイッチモジュール４２０のうちの一部（１個）のみが代表して描画されている。同様に、図４、図５では、簡単のため、Ｗ相回路４３に含まれるスイッチモジュール４３０のうちの一部（１個）のみが代表して描画されている。また、図６では、便宜的に、絶縁層２０Ｉ１，２０Ｉ２，４１Ｉ１，４１Ｉ２，４２Ｉ１，４２Ｉ２，４３Ｉ１，４３Ｉ２の描画が省略されている。

図２、図３に示すように、電力変換装置１は、上面視、側面視、及び正面視の全てにおいて、略矩形形状の略箱形状を有する筐体１Ｈに各種構成要素が収容される。「略」は、製造誤差等を許容する意図であり、以下、同様の意味で使用する。

以下、筐体１Ｈの上面視の長手方向をＸ軸方向と称し、筐体１Ｈの上面視の短手方向をＹ軸方向と称し、上下方向をＺ軸方向と称する場合がある（図２～図６参照）。

図２、図３に示すように、平滑回路２０、ヒューズ３０、及びインバータ回路４０は、筐体１Ｈの内部の長手方向の一端部から他端部に亘って（即ち、Ｘ軸正方向に）、順に並べて配置される。

また、出力端子４０Ｔは、筐体１Ｈの内部の長手方向（Ｘ軸方向）の中央部、且つ、筐体１Ｈの内部の上部に配置される。具体的には、出力端子４０Ｔは、筐体１Ｈの内部の平滑回路２０及びヒューズ３０の上方に配置される。

出力端子４０Ｔは、上述の如く、Ｕ相出力端子４１Ｔと、Ｖ相出力端子４２Ｔと、Ｗ相出力端子４３Ｔとを含む。Ｕ相出力端子４１Ｔ、Ｖ相出力端子４２Ｔ、及びＷ相出力端子４３Ｔは、筐体１Ｈの内部の短手方向の一端部から中央部に亘って（即ち、Ｙ軸正方向に）、順に並べて配置される。

本例では、平滑回路２０は、２４個の平滑用コンデンサ２１を含む。

平滑用コンデンサ２１は、略円柱形状を有し、軸方向が上下方向に沿う態様で、筐体１Ｈの底面に載置される。また、平滑用コンデンサ２１の載置面の反対の端面（上端面）には、正極側端子２１Ｐ及び負極側端子２１Ｎが設けられる。

具体的には、図２、図３に示すように、平滑用コンデンサ２１は、Ｘ軸方向に４個並べて配置されると共に、Ｙ軸方向に６個並べて配置される。

平滑用コンデンサ２１の上端面には、ラミネートブスバー２０ＰＮがＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置される。

ラミネートブスバー２０ＰＮは、上面視で、略矩形形状を有する。ラミネートブスバー２０ＰＮは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で２４個の平滑用コンデンサ２１を覆う範囲に亘って配置される。

図４、図５に示すように、ラミネートブスバー２０ＰＮは、正極側ブスバー２０Ｐ及び負極側ブスバー２０Ｎが絶縁層２０Ｉ１を介して積層されることにより構成される。具体的には、ラミネートブスバー２０ＰＮは、最下層に負極側ブスバー２０Ｎが配置され、その上に、絶縁層２０Ｉ１が配置され、その上に、正極側ブスバー２０Ｐが配置され、最上層に絶縁層２０Ｉ２が配置される４層のラミネート構造を有する。

図４～図６に示すように、最下層の負極側ブスバー２０Ｎには、平滑用コンデンサ２１の負極側端子２１Ｎとボルト締結される相対的に小さい貫通孔が設けられる。これにより、平滑用コンデンサ２１の負極側端子２１Ｎと負極側ブスバー２０Ｎとを直接接続することができる。また、負極側ブスバー２０Ｎには、正極側端子２１Ｐを上面視で露出させるための相対的に大きい貫通孔が設けられる。これにより、負極側ブスバー２０Ｎよりも上の層にある正極側ブスバー２０Ｐと正極側端子２１Ｐとを接続させることができる。

図４、図５に示すように、負極側ブスバー２０Ｎの上に隣接する絶縁層２０Ｉ１には、平滑用コンデンサ２１の正極側端子２１Ｐ及び負極側端子２１Ｎ（即ち、負極側ブスバー２０Ｎの締結用の貫通孔）を上面視で露出させるための相対的に大きな貫通孔が設けられる。

図４～図６に示すように、絶縁層２０Ｉ１の上に隣接する正極側ブスバー２０Ｐには、平滑用コンデンサ２１の正極側端子２１Ｐとボルト締結される相対的に小さい貫通孔が設けられる。これにより、平滑用コンデンサ２１の正極側端子２１Ｐと正極側ブスバー２０Ｐとを直接接続させることができる。また、正極側ブスバー２０Ｐには、平滑用コンデンサ２１の負極側端子２１Ｎ（即ち、負極側ブスバー２０Ｎの締結用の貫通孔）を上面視で露出させるための相対的に大きな貫通孔が設けられる。これにより、作業者は、正極側ブスバー２０Ｐよりも下の層にある負極側ブスバー２０Ｎの締結用の貫通孔にアクセスすることができる。

図４、図５に示すように、最上層の絶縁層２０Ｉ２には、平滑用コンデンサ２１の正極側端子２１Ｐ（即ち、正極側ブスバー２０Ｐの締結用の貫通孔）及び負極側端子２１Ｎ（即ち、負極側ブスバー２０Ｎの締結用の貫通孔）を上面視で露出させる相対的に大きい貫通孔が設けられる。

ラミネートブスバー２０ＰＮの正極側ブスバー２０Ｐ及び負極側ブスバー２０Ｎは、例えば、略同じ厚みを有する。これにより、正極側ブスバー２０Ｐ及び負極側ブスバー２０Ｎの電流密度が略等しくなる。

また、ラミネートブスバー２０ＰＮは、正極側ブスバー２０Ｐ及び負極側ブスバー２０Ｎの重なり合う面積が相対的に大きくなるように（好適には、最大化されるように）筐体１Ｈ内に配置されてよい。また、ラミネートブスバー２０ＰＮは、正極側ブスバー２０Ｐ及び負極側ブスバー２０Ｎの絶縁性を確保しつつ、その距離が相対的に小さくなるように絶縁層２０Ｉ１の厚みが設定されてよい。これにより、空間上、逆向きに流れる電流経路を近接させることができる。そのため、正極側ブスバー２０Ｐの電流により生じる磁界及び負極側ブスバー２０Ｎの電流により生じる磁界の少なくとも一部を相殺させ、正極側ブスバー２０Ｐ及び負極側ブスバー２０Ｎのインダクタンスを低減させることができる。また、上記のように、電流密度が略等しい場合、正極側ブスバー２０Ｐの電流及び負極側ブスバー２０Ｎの電流の双方により生じる磁界の大きさが略等しくなり、発生する磁界のほとんどを相殺させることができる。そのため、正極側ブスバー２０Ｐ及び負極側ブスバー２０Ｎのインダクタンスを更に抑制することができる。よって、正極側ブスバー２０Ｐ及び負極側ブスバー２０Ｎのインダクタンスの低減に伴い、電力変換装置１のサージ電圧を抑制することができる。

インバータ回路４０は、上述の如く、Ｕ相回路４１と、Ｖ相回路４２と、Ｗ相回路４３とにより構成されるブリッジ回路を含む。

図２、図３に示すように、Ｕ相回路４１、Ｖ相回路４２、及びＷ相回路４３は、Ｙ軸負方向の端部からＹ軸正方向の端部に向けて、Ｙ軸方向に順に並べて配置される。

Ｕ相回路４１は、４個のスイッチモジュール４１０（即ち、上述のスイッチモジュール４１１～４１４に相当）を含む。

４個のスイッチモジュール４１０は、Ｘ軸方向に２個並べて配置される２つのグループが、Ｙ軸方向で二列に並べて配置される。また、４個のスイッチモジュール４１０は、筐体１Ｈの底面に載置される別の部品（例えば、電力変換装置１の制御回路、半導体スイッチ４１０ｓ、４２０ｓ、４３０ｓの駆動回路、インバータ回路４０の冷却機構等）の上に配置される。これにより、Ｚ軸方向に相対的に大きい寸法を有する平滑用コンデンサ２１との上端位置の差異を相対的に小さくすることができる。そのため、正極側ブスバー２０Ｐ及び負極側ブスバー２０ＮのＺ軸方向の位置と、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相負極側直流ブスバー４１ＮのＺ軸方向の位置とを相対的に近づけることができる。

図４、図５に示すように、スイッチモジュール４１０は、箱形状を有し、上面視の角部に締結用の切り欠き及びボルトの座面が設けられる。

スイッチモジュール４１０は、上面視の長手方向が略Ｘ軸方向に沿うように配置される。スイッチモジュール４１０には、その長手方向（即ち、Ｘ軸方向）に沿って、平滑回路２０（平滑用コンデンサ２１）に近い方から順に、交流出力端子４１０Ｏ、負極側端子４１０Ｎ、及び正極側端子４１０Ｐが並べて配置される。

尚、Ｕ相回路４１には、スイッチモジュール４１０のように、２つの半導体スイッチ４１０ｓの直列接続体が筐体内に予め収容される形態と異なる形態のスイッチレグが適用されてもよい。以下、Ｖ相回路４２のスイッチモジュール４２０やＷ相回路４３のスイッチモジュール４３０についても同様であってよく、後述の第２実施形態～第４実施形態についても同様であってよい。

スイッチモジュール４１０の上端部には、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮがＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置される。具体的には、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮは、後述のＶ相ラミネートブスバー４２ＰＮ、及びＷ相ラミネートブスバー４３ＰＮと一体に連結される形で構成される。即ち、スイッチモジュール４１０の上端部には、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮ、Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮ、及びＷ相ラミネートブスバー４３ＰＮを含むラミネートブスバー４０ＰＮがＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置される。以下、後述の第２実施形態～第４実施形態についても同様である。

Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で４個のスイッチモジュール４１０を覆う範囲に亘って配置される。

図４、図５に示すように、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮは、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎが絶縁層４１Ｉ１を介して積層されることにより構成される。具体的には、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮは、最下層にＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎが配置され、その上に、絶縁層４１Ｉ１が配置され、その上に、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐが配置され、最上層に絶縁層４１Ｉ２が配置される４層のラミネート構造を有する。

Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐは、後述のＶ相正極側直流ブスバー４２Ｐ及びＷ相正極側直流ブスバー４３Ｐと一体に連結される形で（例えば、一体の板状部材として）構成される。即ち、図６に示すように、ラミネートブスバー４０ＰＮは、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐ、及びＷ相正極側直流ブスバー４３Ｐを含む形で構成される正極側直流ブスバー４０Ｐを含む。以下、後述の第２実施形態～第４実施形態についても同様である。

Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎは、後述のＶ相負極側直流ブスバー４２Ｎ及びＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎと一体に連結される形で（例えば、一体の板状部材として）構成される。即ち、図６に示すように、ラミネートブスバー４０ＰＮは、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎ、Ｖ相負極側直流ブスバー４２Ｎ、及びＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎを含む形で構成される負極側直流ブスバー４０Ｎを含む。以下、後述の第２実施形態～第４実施形態についても同様である。

絶縁層４１Ｉ１は、後述の絶縁層４２Ｉ１及び絶縁層４３Ｉ１と一体に連結される形で（例えば、一体の板状部材として）構成されてよい。同様に、絶縁層４２Ｉ２は、後述の絶縁層４２Ｉ２及び絶縁層４３Ｉ２と一体に連結される形で（例えば、一体の板状部材として）構成されてよい。以下、後述の第２実施形態～第４実施形態についても同様であってよい。

図４～図６に示すように、最下層のＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎには、スイッチモジュール４１０の負極側端子４１０Ｎとボルト締結される相対的に小さい貫通孔が設けられる。これにより、スイッチモジュール４１０の負極側端子４１０ＮとＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎとを直接接続することができる。また、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎには、正極側端子４１０Ｐを上面視で露出させるための相対的に大きい略矩形の貫通孔が設けられる。これにより、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎよりも上の層にあるＵ相正極側直流ブスバー４１Ｐと正極側端子４１０Ｐとを接続させることができる。また、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎには、交流出力端子４１０Ｏを上面視で露出させるための相対的に大きい略矩形の貫通孔が設けられる。これにより、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎよりも上にあるＵ相交流ブスバー４１Ｏと交流出力端子４１０Ｏとを接続させることができる。

図４、図５に示すように、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎの上に隣接する絶縁層４１Ｉ１には、スイッチモジュール４１０に対応する相対的に大きな略矩形の貫通孔が設けられる。これにより、正極側端子４１０Ｐ、負極側端子４１０Ｎ（即ち、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎの締結用の貫通孔）、及び交流出力端子４１０Ｏを上面視で露出させることができる。

図４～図６に示すように、絶縁層４１Ｉ１の上に隣接するＵ相正極側直流ブスバー４１Ｐには、スイッチモジュール４１０の正極側端子４１０Ｐとボルト締結される相対的に小さい貫通孔が設けられる。これにより、スイッチモジュール４１０の正極側端子４１０ＰとＵ相正極側直流ブスバー４１Ｐとを直接接続させることができる。また、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐには、スイッチモジュール４１０の負極側端子４１０Ｎ（即ち、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎの締結用の貫通孔）及び交流出力端子４１０Ｏを上面視で露出させるための相対的に大きな貫通孔が設けられる。これにより、作業者は、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐよりも下の層にあるＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎの締結用の貫通孔や交流出力端子４１０Ｏにアクセスすることができる。

図４、図５に示すように、最上層の絶縁層４１Ｉ２には、スイッチモジュール４１０に対応する相対的に大きな矩形の貫通孔が設けられる。これにより、スイッチモジュール４１０の正極側端子４１０Ｐ（即ち、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐの締結用の貫通孔）、負極側端子４１０Ｎ（即ち、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎの締結用の貫通孔）、及び交流出力端子４１０Ｏを上面視で露出させることができる。

Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮのＵ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎは、例えば、略同じ厚みを有する。これにより、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎの電流密度が略等しくなる。

図２～図６に示すように、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏは、スイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯとＵ相出力端子４１Ｔとの間を接続する。Ｕ相交流ブスバー４１Ｏは、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１と、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２とを含む。

Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏの全体構成のうち、４個のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０Ｏを並列接続させるための構成部分である。具体的には、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏの全体構成のうち、４個のスイッチモジュール４１０のそれぞれの交流出力端子４１０ＯからＵ相出力端子４１Ｔに向かう電力経路を合流させるための構成部分である。

図２、図３に示すように、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、Ｘ軸方向に並ぶ２個のスイッチモジュール４１０の間の中央位置におけるＸ軸に対する垂直面を基準として面対称になるように構成される。また、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、Ｙ軸方向に並ぶ二列のスイッチモジュール４１０の間の中央位置におけるＹ軸に対する垂直面を基準として面対称になるように構成される。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向において、４個のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０Ｏの中央位置に相当する部分で、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２と接続される。これにより、４個のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯのそれぞれからＵ相出力端子４１Ｔに向かう経路が合流するまでの経路長さを略等しくすることができる。また、４個のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯのそれぞれからＵ相出力端子４１Ｔに向かう経路ごとの電流密度を略等しくすることができる。そのため、４個のスイッチモジュール４１０とＵ相出力端子４１Ｔとの間の電力経路のインダクタンスを略等しくすることができる。

具体的には、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、２つの脚部４１Ｏ１ａと、連結部４１Ｏ１ｂとを含む。

２つの脚部４１Ｏ１ａは、それぞれ、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に略平行な平板形状を有する。２つの脚部４１Ｏ１ａは、それぞれ、Ｙ軸方向に２列設けられる、Ｘ軸方向に並ぶ２つのスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０Ｏ同士を接続する。２つの脚部４１Ｏ１ａは、Ｘ軸方向に並ぶ２つのスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０Ｏ同士の略中央位置におけるＸ軸方向に対する垂直面を基準として面対称になるように構成されている。具体的には、脚部４１Ｏ１ａは、２つの座面部と、２つの下脚部と、中間脚部と、上脚部とを含む。２つの座面部は、上面視で略矩形形状を有し、Ｘ軸方向に並ぶ２個のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０Ｏのそれぞれに載置され、交流出力端子４１０Ｏとボルト締結されるための締結孔を有する。２つの下脚部は、２つの座面部のそれぞれから上向きに延び出すように設けられる。中間脚部は、２つの下脚部同士をＸ軸方向に延びるように連結する。上脚部は、中間脚部の上端且つＸ軸方向の中央部から上向きに延び出すように設けられる。これにより、脚部４１Ｏ１ａは、２つのスイッチモジュール４１０のそれぞれの交流出力端子４１０Ｏからの経路を略同じ距離で合流させることができる。また、脚部４１Ｏ１ａは、２つのスイッチモジュール４１０のそれぞれの交流出力端子４１０Ｏからの経路の断面積を略同じにし、電流密度を略同じにすることができる。また、２つの脚部４１Ｏ１ａは、互いに、Ｙ軸方向に並ぶ２つのスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０Ｏ同士の略中央位置におけるＹ軸方向に対する垂直面を基準として面対称になるように構成される。これにより、２つの脚部４１Ｏ１ａは、互いに、２つのスイッチモジュール４１０から合流までの経路を略同じ距離にすることができる。

連結部４１Ｏ１ｂは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に略平行な平板形状を有し、Ｙ軸方向で並ぶように配置される２つの脚部４１Ｏ１ａを連結する。具体的には、連結部４１Ｏ１ｂは、上面視で、略矩形形状を有し、２つの脚部４１Ｏ１ａの上脚部同士をＹ軸方向に延びるように連結する。また、連結部４１Ｏ１ｂは、Ｙ軸方向における２つの脚部４１Ｏ１ａの間の略中央位置、即ち、Ｙ軸方向に並ぶ２個（２列）のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０Ｏ同士の間の略中央位置におけるＹ軸に対する垂直面を基準として面対称に構成される。また、連結部４１Ｏ１ｂは、Ｙ軸方向における２つの脚部４１Ｏ１ａの間の略中央位置で、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２と接続される。これにより、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、４つのスイッチモジュール４１０からの経路を２つずつ等長で合流させながら全ての経路の長さを略等しくし、且つ、経路ごとの電流密度を同じすることができる。

Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２は、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の連結部４１Ｏ１ｂのＹ軸方向の中央部から上面視でＸ軸負方向に向けて延び出すように設けられ、Ｕ相出力端子４１Ｔに接続される。

Ｖ相回路４２は、Ｕ相回路４１と同様、４個のスイッチモジュール４２０を含む。

４個のスイッチモジュール４２０の配置構造は、Ｕ相回路４１の４個のスイッチモジュール４１０の場合と同様であるため、説明を省略する。

図４、図５に示すように、スイッチモジュール４２０の外観形状は、スイッチモジュール４１０と同様である。

スイッチモジュール４２０は、上面視の長手方向が略Ｘ軸方向に沿うように配置される。スイッチモジュール４２０には、その長手方向（即ち、Ｘ軸方向）に沿って、平滑回路２０（平滑用コンデンサ２１）に近い方から順に、交流出力端子４２０Ｏ、負極側端子４２０Ｎ、及び正極側端子４２０Ｐが並べて配置される。

スイッチモジュール４２０の上端部には、Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮがＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置される。

Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で４個のスイッチモジュール４２０を覆う範囲に亘って配置される。

図４、図５に示すように、Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮは、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐ及びＶ相負極側直流ブスバー４２Ｎが絶縁層４２Ｉ１を介して積層されることにより構成される。具体的には、Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮは、最下層にＶ相負極側直流ブスバー４２Ｎが配置され、その上に、絶縁層４２Ｉ１が配置され、その上に、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐが配置され、最上層に絶縁層４２Ｉ２が配置される４層のラミネート構造を有する。

Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐは、上述の如く、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及び後述のＷ相正極側直流ブスバー４３Ｐと一体に連結される形で構成される。

Ｖ相負極側直流ブスバー４２Ｎは、上述の如く、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎ及び後述のＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎと一体に連結される形で構成される。

絶縁層４２Ｉ１は、上述の如く、絶縁層４１Ｉ１及び後述の絶縁層４３Ｉ１と一体に連結される形で構成されてよい。同様に、絶縁層４２Ｉ２は、上述の如く、絶縁層４１Ｉ２及び後述の絶縁層４３Ｉ２と一体に連結される形で構成されてよい。

Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮの詳細構造は、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮの場合と同様であるため、説明を省略する。

図２～図６に示すように、Ｖ相交流ブスバー４２Ｏは、スイッチモジュール４２０の交流出力端子４２０ＯとＶ相出力端子４２Ｔとの間を接続する。Ｖ相交流ブスバー４２Ｏは、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１と、Ｖ相出力用ブスバー４２Ｏ２とを含む。

Ｖ相交流ブスバー４２Ｏの配置及び構造は、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏの場合と同様であるため、説明を省略する。

Ｗ相回路４３は、Ｕ相回路４１と同様、４個のスイッチモジュール４３０を含む。

４個のスイッチモジュール４３０の配置構造は、Ｕ相回路４１の４個のスイッチモジュール４１０の場合と同様であるため、説明を省略する。

図４、図５に示すように、スイッチモジュール４３０の外観形状は、スイッチモジュール４１０と同様である。

スイッチモジュール４３０は、上面視の長手方向が略Ｘ軸方向に沿うように配置される。スイッチモジュール４３０には、その長手方向（即ち、Ｘ軸方向）に沿って、平滑回路２０（平滑用コンデンサ２１）に近い方から順に、交流出力端子４３０Ｏ、負極側端子４３０Ｎ、及び正極側端子４３０Ｐが並べて配置される。

スイッチモジュール４３０の上端部には、Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮがＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置される。

Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で４個のスイッチモジュール４３０を覆う範囲に亘って配置される。

図４、図５に示すように、Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮは、Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐ及びＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎが絶縁層４３Ｉ１を介して積層されることにより構成される。具体的には、Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮは、最下層にＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎが配置され、その上に、絶縁層４３Ｉ１が配置され、その上に、Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐが配置され、最上層に絶縁層４３Ｉ２が配置される４層のラミネート構造を有する。

Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐは、上述の如く、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＶ相正極側直流ブスバー４２Ｐと一体に連結される形で構成される。

Ｗ相負極側直流ブスバー４３Ｎは、上述の如く、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎ及びＶ相負極側直流ブスバー４２Ｎと一体に連結される形で構成される。

絶縁層４３Ｉ１は、上述の如く、絶縁層４１Ｉ１及び絶縁層４２Ｉ１と一体に連結される形で構成されてよい。同様に、絶縁層４３Ｉ２は、上述の如く、絶縁層４１Ｉ２及び絶縁層４２Ｉ２と一体に連結される形で構成されてよい。

Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮの詳細構造は、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮの場合と同様であるため、説明を省略する。

図２～図６に示すように、Ｗ相交流ブスバー４３Ｏは、スイッチモジュール４３０の交流出力端子４３０ＯとＷ相出力端子４３Ｔとの間を接続する。Ｗ相交流ブスバー４３Ｏは、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１と、Ｗ相出力用ブスバー４３Ｏ２とを含む。

Ｗ相交流ブスバー４３Ｏの配置及び構造は、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏの場合と同様であるため、説明を省略する。

ラミネートブスバー４０ＰＮは、正極側直流ブスバー４０Ｐ及び負極側直流ブスバー４０Ｎの重なり合う面積が相対的に大きくなるように（好適には、最大化されるように）筐体１Ｈ内に配置されてよい。また、ラミネートブスバー４０ＰＮは、正極側直流ブスバー４０Ｐ及び負極側直流ブスバー４０Ｎの絶縁性を確保しつつ、その距離が相対的に小さくなるように絶縁層４１Ｉ１，４２Ｉ１，４３Ｉ１の厚みが設定されてよい。これにより、空間上、逆向きに流れる電流経路を近接させることができる。そのため、正極側直流ブスバー４０Ｐの電流により生じる磁界及び負極側直流ブスバー４０Ｎの電流により生じる磁界の少なくとも一部を相殺させることができる。例えば、正極側直流ブスバー４０ＰにＵ相の電流が流れる場合、負極側直流ブスバー４０ＮにＶ相やＷ相の電流が流れるからである。よって、正極側直流ブスバー４０Ｐ及び負極側直流ブスバー４０Ｎのインダクタンスを低減させることができる。また、上記のように、電流密度が略等しい場合、正極側直流ブスバー４０Ｐの電流及び負極側直流ブスバー４０Ｎの電流の双方により生じる磁界の大きさが略等しくなり、発生する磁界のほとんどを相殺させることができる。そのため、正極側直流ブスバー４０Ｐ及び負極側直流ブスバー４０Ｎのインダクタンスを更に抑制することができる。よって、正極側直流ブスバー４０Ｐ及び負極側直流ブスバー４０Ｎのインダクタンスの低減に伴い、電力変換装置１のサージ電圧を抑制することができる。

このように、第１実施形態では、平滑回路２０の正極側ブスバー２０Ｐ及び負極側ブスバー２０Ｎは、絶縁層２０Ｉ１を介して積層されるラミネート構造を有する。同様に、インバータ回路４０の正極側直流ブスバー４０Ｐ及び負極側直流ブスバー４０Ｎは、絶縁層４１Ｉ１，４２Ｉ１，４３Ｉ１を介して積層されるラミネート構造を有する。これにより、平滑回路２０と出力端子４０Ｔとの間の一巡の電力経路のうちの直流部分のインダクタンスを低減し、非常に小さくすることができる。そのため、電力変換装置１の半導体スイッチ４１０ｓ、４２０ｓ、４３０ｓのＯＮ・ＯＦＦに伴うサージ電圧を抑制することができる。

また、第１実施形態では、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、４個のスイッチモジュール４１０のそれぞれの交流出力端子４１０ＯからＵ相出力端子４１Ｔに向かって合流するまでの電力経路の長さが略等しくなるように構成される。具体的には、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、４個のスイッチモジュール４１０（の交流出力端子４１０Ｏ）と、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２との接続部との間の電力経路の長さが略等しくなるように構成される。これにより、４個のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯとＵ相出力端子４１Ｔとの間のそれぞれの電力経路のインダクタンスの差を相対的に小さくすることができる。そのため、平滑回路２０とＵ相出力端子４１Ｔとの間の４個のスイッチモジュール４１０の通過する一巡の電力経路のそれぞれのインダクタンスの差を相対的に小さくすることができる。また、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、４個のスイッチモジュール４１０のそれぞれの交流出力端子４１０ＯからＵ相出力端子４１Ｔに向かって合流するまでの電力経路ごとの電流密度が略等しくなるように構成される。これにより、４個のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯとＵ相出力端子４１Ｔとの間のそれぞれの電力経路のインダクタンスを全て略等しくすることができる。そのため、平滑回路２０とＵ相出力端子４１Ｔとの間の４個のスイッチモジュール４１０の通過する一巡の電力経路のそれぞれのインダクタンスを略等しくすることができる。同様に、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、４個のスイッチモジュール４２０のそれぞれの交流出力端子４２０ＯからＶ相出力端子４２Ｔに向かって合流するまでの電力経路の長さが略等しくなるように構成される。これにより、４個のスイッチモジュール４２０の交流出力端子４２０ＯとＶ相出力端子４２Ｔとの間のそれぞれの電力経路のインダクタンスの差を相対的に小さくすることができる。そのため、平滑回路２０とＶ相出力端子４２Ｔとの間の４個のスイッチモジュール４２０の通過する一巡の電力経路のそれぞれのインダクタンスの差を相対的に小さくすることができる。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、４個のスイッチモジュール４２０のそれぞれの交流出力端子４２０ＯからＶ相出力端子４２Ｔに向かって合流するまでの電力経路ごとの電流密度が略等しくなるように構成される。これにより、４個のスイッチモジュール４２０の交流出力端子４２０ＯとＶ相出力端子４２Ｔとの間のそれぞれの電力経路のインダクタンスを全て略等しくすることができる。そのため、平滑回路２０とＶ相出力端子４２Ｔとの間の４個のスイッチモジュール４２０の通過する一巡の電力経路のそれぞれのインダクタンスを略等しくすることができる。同様に、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、４個のスイッチモジュール４３０のそれぞれの交流出力端子４３０ＯからＷ相出力端子４３Ｔに向かって合流するまでの電力経路の長さが略等しくなるように構成される。これにより、４個のスイッチモジュール４３０の交流出力端子４３０ＯとＷ相出力端子４３Ｔとの間のそれぞれの電力経路のインダクタンスの差を相対的に小さくすることができる。そのため、平滑回路２０とＷ相出力端子４３Ｔとの間の４個のスイッチモジュール４３０の通過する一巡の電力経路のそれぞれのインダクタンスの差を相対的に小さくすることができる。また、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、４個のスイッチモジュール４３０のそれぞれの交流出力端子４３０ＯからＷ相出力端子４３Ｔに向かって合流するまでの電力経路ごとの電流密度が略等しくなるように構成される。これにより、４個のスイッチモジュール４３０の交流出力端子４３０ＯとＷ相出力端子４３Ｔとの間のそれぞれの電力経路のインダクタンスを全て略等しくすることができる。そのため、平滑回路２０とＷ相出力端子４３Ｔとの間の４個のスイッチモジュール４３０を通過する一巡の電力経路のそれぞれのインダクタンスを略等しくすることができる。上述の如く、平滑回路２０と出力端子４０Ｔとの間の一巡の電力経路のうちの直流部分のインダクタンスが非常に小さく、交流部分のインダクタンスが支配的だからである。よって、４個のスイッチモジュール４１０、４個のスイッチモジュール４２０、及び４個のスイッチモジュール４３０のそれぞれの電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。

尚、第１実施形態では、並列接続されるスイッチモジュール４１０の個数は、それぞれのスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯからＵ相出力端子４１Ｔに向かう全ての経路が合流するまでの電力経路の長さが略等しくなる限り、任意であってよい。即ち、並列接続されるスイッチモジュール４１０の個数は、２個或いは３個であってもよいし、５個以上であってもよい。例えば、並列接続されるスイッチモジュール４１０の個数が２個の場合、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、脚部４１Ｏ１ａのみで構成され、脚部４１Ｏ１ａの上端のＸ軸方向の略中央位置（中点）でＵ相出力用ブスバー４１Ｏ２と接続される構成であってよい。また、スイッチモジュール４２０やスイッチモジュール４３０の個数についても同様であってよい。また、第１実施形態では、複数のスイッチモジュール４１０は、それぞれのスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯからＵ相出力端子４１Ｔに向かう全ての経路が合流するまでの電力経路の長さが略等しくなる限り、任意に配置されてよい。例えば、複数のスイッチモジュール４１０は、Ｘ軸方向に３個以上並べられてもよい。また、例えば、複数のスイッチモジュール４１０は、Ｘ軸方向に一列で並べられてもよいし、Ｘ軸方向の列がＹ軸方向に３列以上の列数で並べられてもよい。例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに並べられる個数は、２のべき乗であることが好ましい。これにより、上述の如く、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれの交流出力端子４１０Ｏからの経路を２つずつ等長で合流させながら、全ての経路の長さ及び経路ごとの電流密度を略同じにすることができる。また、スイッチモジュール４２０やスイッチモジュール４３０の配置についても同様であってよい。また、第１実施形態では、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の構成は、それぞれのスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯからＵ相出力端子４１Ｔに向かう全ての経路が合流するまでの電力経路の長さが略等しくなる限り、任意であってよい。例えば、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、４つのスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯからＵ相出力端子４１Ｔに向かう全ての経路が合流するまでの電力経路の長さが略等しくなる限り、上述のような面対称の構成でなくてもよい。具体的には、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の２つの脚部４１Ｏ１ａは、Ｙ軸方向に対する垂直面を基準とする面対称の形状ではなく、互いにＹ軸方向に離間した略同一形状で構成されていてもよい。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１やＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１の構成についても同様であってよい。

［第２実施形態］
次に、図７～図１０を参照して、第２実施形態について説明する。以下、第１実施形態に係る電力変換装置１と異なる部分を中心に説明し、第１実施形態と同じ或いは対応する内容の説明を簡略化或いは省略する場合がある。

＜電力変換装置の概要＞
図７は、第２実施形態に係る電力変換装置１の一例を示す回路図である。

図７に示すように、電力変換装置１は、第１実施形態の場合と同様、整流回路１０と、平滑回路２０と、ヒューズ３０と、インバータ回路４０とを含む。

インバータ回路４０は、第１実施形態の場合と同様、Ｕ相回路４１と、Ｖ相回路４２と、Ｗ相回路４３とにより構成されるブリッジ回路を含む。

Ｕ相回路４１は、第１実施形態と同様、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐと、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎと、スイッチモジュール４１１～４１４と、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏとを含む。また、Ｕ相回路４１は、第１実施形態の場合と異なり、更に、スイッチモジュール４１５，４１６を含む。以下、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、スイッチモジュール４１１～４１６を包括的に、或いは、スイッチモジュール４１１～４１６のうちの任意の一つを個別に「スイッチモジュール４１０」と称する場合がある。つまり、Ｕ相回路４１は、第１の実施形態の場合と異なり、６個のスイッチモジュール４１０を含む。

スイッチモジュール４１１～４１６（スイッチレグの一例）は、Ｕ相正極側直流ブスバー４１ＰとＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎとの間に並列接続される。

スイッチモジュール４１５は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４１５ｓ１，４１５ｓ２と、環流ダイオード４１５ｄ１，４１５ｄ２と、正極側端子４１５Ｐと、負極側端子４１５Ｎと、交流出力端子４１５Ｏとを含む。

スイッチモジュール４１６は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４１６ｓ１，４１６ｓ２と、環流ダイオード４１６ｄ１，４１６ｄ２と、正極側端子４１６Ｐと、負極側端子４１６Ｎと、交流出力端子４１６Ｏとを含む。

以下、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、半導体スイッチ４１１ｓ１，４１１ｓ２，４１２ｓ１，４１２ｓ２，４１３ｓ１，４１３ｓ２，４１４ｓ１，４１４ｓ２，４１５ｓ１，４１５ｓ２，４１６ｓ１，４１６ｓ２を包括的に、或いは、これらのうちの任意の一つを個別に、「半導体スイッチ４１０ｓ」と称する場合がある。また、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、上述の「スイッチモジュール４１０」の正極側端子４１１Ｐ～４１６Ｐに相当する構成要素を「正極側端子４１０Ｐ」と称する場合がある。また、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、上述の「スイッチモジュール４１０」の負極側端子４１１Ｎ～４１６Ｎに相当する構成要素を「負極側端子４１０Ｎ」と称する場合がある。また、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、上述の「スイッチモジュール４１０」の交流出力端子４１１Ｏ～４１６Ｏに相当する構成要素を「交流出力端子４１０Ｏ」と称する場合がある。

スイッチモジュール４１１～４１６は、同様の構成要素を有し、同様の回路で構成される。

Ｕ相交流ブスバー４１Ｏは、一端において、スイッチモジュール４１１～４１６のそれぞれの交流出力端子４１１Ｏ～４１６Ｏ同士を接続すると共に、他端において、Ｕ相出力端子４１Ｔに接続される。これにより、インバータ回路４０は、スイッチモジュール４１１～４１６から出力されるＵ相の交流電力をＵ相出力端子４１Ｔから外部に出力することができる。

Ｖ相回路４２は、第１実施形態と同様、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐと、Ｖ相負極側直流ブスバー４２Ｎと、スイッチモジュール４２１～４２４と、Ｖ相交流ブスバー４２Ｏとを含む。また、Ｖ相回路４２は、第１実施形態の場合と異なり、更に、スイッチモジュール４２５，４２６を含む。以下、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、スイッチモジュール４２１～４２６を包括的に、或いは、スイッチモジュール４２１～４２６のうちの任意の一つを個別に「スイッチモジュール４２０」と称する場合がある。つまり、Ｖ相回路４２は、第１の実施形態の場合と異なり、６個のスイッチモジュール４２０を含む。

スイッチモジュール４２１～４２６は、Ｖ相正極側直流ブスバー４２ＰとＶ相負極側直流ブスバー４２Ｎとの間に並列接続される。

スイッチモジュール４２５は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４２５ｓ１，４２５ｓ２と、環流ダイオード４２５ｄ１，４２５ｄ２と、正極側端子４２５Ｐと、負極側端子４２５Ｎと、交流出力端子４２５Ｏとを含む。

スイッチモジュール４２６は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４２６ｓ１，４２６ｓ２と、環流ダイオード４２６ｄ１，４２６ｄ２と、正極側端子４２６Ｐと、負極側端子４２６Ｎと、交流出力端子４２６Ｏとを含む。

以下、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、半導体スイッチ４２１ｓ１，４２１ｓ２，４２２ｓ１，４２２ｓ２，４２３ｓ１，４２３ｓ２，４２４ｓ１，４２４ｓ２，４２５ｓ１，４２５ｓ２，４２６ｓ１，４２６ｓ２を包括的に、或いは、これらのうちの任意の一つを個別に、「半導体スイッチ４２０ｓ」と称する場合がある。また、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、上述の「スイッチモジュール４２０」の正極側端子４２１Ｐ～４２６Ｐに相当する構成要素を「正極側端子４２０Ｐ」と称する場合がある。また、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、上述の「スイッチモジュール４２０」の負極側端子４２１Ｎ～４２６Ｎに相当する構成要素を「負極側端子４２０Ｎ」と称する場合がある。また、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、上述の「スイッチモジュール４２０」の交流出力端子４２１Ｏ～４２６Ｏに相当する構成要素を「交流出力端子４２０Ｏ」と称する場合がある。

スイッチモジュール４２１～４２６は、同様の構成要素を有し、同様の回路で構成される。

Ｖ相交流ブスバー４２Ｏは、一端において、スイッチモジュール４２１～４２６のそれぞれの交流出力端子４２１Ｏ～４２６Ｏ同士を接続すると共に、他端において、Ｖ相出力端子４２Ｔに接続される。これにより、インバータ回路４０は、スイッチモジュール４２１～４２６から出力されるＶ相の交流電力をＶ相出力端子４２Ｔから外部に出力することができる。

Ｗ相回路４３は、第１実施形態と同様、Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐと、Ｗ相負極側直流ブスバー４３Ｎと、スイッチモジュール４３１～４３４と、Ｗ相交流ブスバー４３Ｏとを含む。また、Ｗ相回路４３は、第１実施形態の場合と異なり、更に、スイッチモジュール４３５，４３６を含む。以下、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、スイッチモジュール４３１～４３６を包括的に、或いは、スイッチモジュール４３１～４３６のうちの任意の一つを個別に「スイッチモジュール４３０」と称する場合がある。つまり、Ｗ相回路４３は、第１の実施形態の場合と異なり、６個のスイッチモジュール４３０を含む。

スイッチモジュール４３１～４３６は、Ｗ相正極側直流ブスバー４３ＰとＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎとの間に並列接続される。

スイッチモジュール４３５は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４３５ｓ１，４３５ｓ２と、環流ダイオード４３５ｄ１，４３５ｄ２と、正極側端子４３５Ｐと、負極側端子４３５Ｎと、交流出力端子４３５Ｏとを含む。

スイッチモジュール４３６は、上下のアームに相当する半導体スイッチ４３６ｓ１，４３６ｓ２と、環流ダイオード４３６ｄ１，４３６ｄ２と、正極側端子４３６Ｐと、負極側端子４３６Ｎと、交流出力端子４３６Ｏとを含む。

以下、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、半導体スイッチ４３１ｓ１，４３１ｓ２，４３２ｓ１，４３２ｓ２，４３３ｓ１，４３３ｓ２，４３４ｓ１，４３４ｓ２，４３５ｓ１，４３５ｓ２，４３６ｓ１，４３６ｓ２を包括的に、或いは、これらのうちの任意の一つを個別に、「半導体スイッチ４３０ｓ」と称する場合がある。また、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、上述の「スイッチモジュール４３０」の正極側端子４３１Ｐ～４３６Ｐに相当する構成要素を「正極側端子４３０Ｐ」と称する場合がある。また、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、上述の「スイッチモジュール４３０」の負極側端子４３１Ｎ～４３６Ｎに相当する構成要素を「負極側端子４３０Ｎ」と称する場合がある。また、第２実施形態、並びに後述する第３実施形態及び第４実施形態では、上述の「スイッチモジュール４３０」の交流出力端子４３１Ｏ～４３６Ｏに相当する構成要素を「交流出力端子４３０Ｏ」と称する場合がある。

スイッチモジュール４３１～４３６は、同様の構成要素を有し、同様の回路で構成される。

Ｗ相交流ブスバー４３Ｏは、一端において、スイッチモジュール４３１～４３６のそれぞれの交流出力端子４３１Ｏ～４３６Ｏ同士を接続すると共に、他端において、Ｗ相出力端子４３Ｔに接続される。これにより、インバータ回路４０は、スイッチモジュール４３１～４３６から出力されるＷ相の交流電力をＷ相出力端子４３Ｔから外部に出力することができる。

＜電力変換装置の構造＞
図８、図９は、第２実施形態に係る電力変換装置の一例を示す構造図である。具体的には、図８は、電力変換装置１の筐体１Ｈの一部を取り外した状態を示す斜視図である。図９は、電力変換装置１の筐体１Ｈの一部を取り外し、且つ、出力端子４０Ｔ並びにＵ相交流ブスバー４１Ｏ、Ｖ相交流ブスバー４２Ｏ、及びＷ相交流ブスバー４３Ｏを取り外して上方向に移動させた状態を示す分解斜視図である。図１０は、Ｘ軸方向に並べて配置される各スイッチモジュール４１０に流れる電流の経路を説明する図である。図１０では、Ｘ軸方向で並ぶ３個のスイッチモジュール４１０を通過する電流の経路が平滑回路２０に最も近いスイッチモジュール４１０から順に、白抜き矢印、斜線でハッチングされる矢印、及び黒塗り矢印で表される。

図８、図９に示すように、平滑回路２０、ヒューズ３０、及びインバータ回路４０は、第１実施形態の場合と同様、筐体１Ｈの内部の長手方向の一端部から他端部に亘って（即ち、Ｘ軸正方向に）、順に並べて配置される。

また、出力端子４０Ｔは、第１実施形態の場合と同様、筐体１Ｈの内部の長手方向（Ｘ軸方向）の中央部、且つ、筐体１Ｈの内部の上部に配置される。具体的には、出力端子４０Ｔは、筐体１Ｈの内部の平滑回路２０及びヒューズ３０の上方に配置される。

出力端子４０Ｔは、上述の如く、Ｕ相出力端子４１Ｔと、Ｖ相出力端子４２Ｔと、Ｗ相出力端子４３Ｔとを含む。Ｕ相出力端子４１Ｔ、Ｖ相出力端子４２Ｔ、及びＷ相出力端子４３Ｔは、第１実施形態の場合と同様、筐体１Ｈの内部の短手方向の一端部から中央部に亘って（即ち、Ｙ軸正方向に）、順に並べて配置される。

インバータ回路４０は、上述の如く、Ｕ相回路４１と、Ｖ相回路４２と、Ｗ相回路４３とにより構成されるブリッジ回路を含む。

図８、図９に示すように、Ｕ相回路４１、Ｖ相回路４２、及びＷ相回路４３は、第１実施形態の場合と同様、Ｙ軸負方向の端部からＹ軸正方向の端部に向けて、Ｙ軸方向に順に並べて配置される。

Ｕ相回路４１は、６個のスイッチモジュール４１０（即ち、上述のスイッチモジュール４１１～４１６に相当）を含む。

６個のスイッチモジュール４１０は、Ｘ軸方向に等間隔で３個並べて配置される２つのグループが、Ｙ軸方向で二列に並べて配置される。また、６個のスイッチモジュール４１０は、第１実施形態の場合と同様、筐体１Ｈの底面に載置される別の部品の上に配置される。

スイッチモジュール４１０は、第１実施形態の場合と同様、上面視の長手方向が略Ｘ軸方向に沿うように配置される。スイッチモジュール４１０には、その長手方向（即ち、Ｘ軸方向）に沿って、平滑回路２０（平滑用コンデンサ２１）に近い方から順に、交流出力端子４１０Ｏ、負極側端子４１０Ｎ、及び正極側端子４１０Ｐが並べて配置される。

図８、図９に示すように、スイッチモジュール４１０の上端部には、第１実施形態の場合と同様、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮがＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置される。

Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で６個のスイッチモジュール４１０を覆う範囲に亘って配置される。

図８、図９に示すように、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏは、スイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯとＵ相出力端子４１Ｔとの間を接続する。Ｕ相交流ブスバー４１Ｏは、第１実施形態の場合と同様、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１と、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２とを含む。

図８、図９に示すように、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、上面視で、６個のスイッチモジュール４１０のうちの平滑回路２０から最も離れているスイッチモジュール４１０の近傍でＵ相出力用ブスバー４１Ｏ２と接続されている。具体的には、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、上面視で、Ｙ軸方向に二列で配置される、Ｘ軸方向に並ぶ３個のスイッチモジュール４１０のグループのうちの平滑回路２０から離れている端部のスイッチモジュール４１０よりもＸ軸方向で平滑回路２０から離れた位置でＵ相出力用ブスバー４１Ｏ２と接続されている。

より具体的には，Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、６つの脚部４１Ｏ１ａと、連結部４１Ｏ１ｂとを含む。

６つの脚部４１Ｏ１ａは、それぞれ、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に略平行な平板形状を有する。６つの脚部４１Ｏ１ａは、それぞれ、６個のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０Ｏに載置される座面部と、座面部から上向き（Ｚ軸正方向）に延び出す主脚部とを有する。また、６つの脚部４１Ｏ１ａのそれぞれのＺ軸方向の寸法は、略同じに設定される。また、６つの脚部４１Ｏ１ａのそれぞれの断面積は、略同じに設定される。これにより、６つの脚部４１Ｏ１ａのそれぞれの電流密度を略等しくすることができる。

連結部４１Ｏ１ｂは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に略平行な平板形状を有し、６つの脚部４１Ｏ１ａを連結する。具体的には、連結部４１Ｏ１ｂは、上面視で略矩形形状を有し、６つの脚部４１Ｏ１ａが配置される範囲に亘ってＸ軸方向及びＹ軸方向に延びるように設けられる。連結部４１Ｏ１ｂのＸ軸正方向の端部は、６個のスイッチモジュール４１０のうちのＸ軸正方向の端部に位置する２個のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯよりＸ軸正方向に離れた位置に設けられ、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２に接続される。

図１０に示すように、Ｕ相回路４１の直流入力端からＸ軸方向に並ぶ３個のスイッチモジュール４１０を通過してＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１とＵ相出力用ブスバー４１Ｏ２との接続部に到達するまでの電流の経路のうちのＺ軸方向に流れる経路の長さは、全て略等しい。上述の如く、６つの脚部４１Ｏ１ａのＺ軸方向の寸法は、略同じだからである。また、Ｕ相回路４１の直流入力端からＸ軸方向に並ぶ３個のスイッチモジュール４１０を通過してＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１とＵ相出力用ブスバー４１Ｏ２との接続部に到達するまでの電流の経路のうちのＸ軸方向に流れる経路の長さも、全て略等しい。ラミネートブスバー２０ＰＮ、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮ、及び連結部４１Ｏ１ｂは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置されているからである。そのため、Ｕ相回路４１の直流入力端からＸ軸方向に並ぶ３個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過してＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１とＵ相出力用ブスバー４１Ｏ２との接続部に到達するまで電流の経路全体の長さは、全て略等しくなる。また、もう一方の一列のＸ軸方向に並ぶ３個のスイッチモジュール４１０についても同様のことが言える。そのため、平滑回路２０から６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過してＵ相出力端子４１Ｔに到達するまでの電流の経路全体の長さは、全て略等しくなる。同様に、Ｕ相出力端子４１Ｔから６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過して平滑回路２０に到達するまでの電流の経路全体の長さについても、全て略等しくなる。

また、連結部４１Ｏ１ｂは、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する６つの電力経路ごとに、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎと電流密度が略等しくなるように、その断面積、即ち、その幅及び厚さが設定される。これにより、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する平滑回路２０とＵ相出力端子４１Ｔとの間の電力経路の長さ及び電流密度は、全て略等しくなる。そのため、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する平滑回路２０とＵ相出力端子４１Ｔとの間の一巡の電力経路のインダクタンスを全て略等しく、均一化することができる。

図８、図９に示すように、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２は、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１とＵ相出力端子４１Ｔとの間を接続する。Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２は、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の連結部４１Ｏ１ｂのＸ軸正方向の端部から上向きの延び出す折り返し部と、折り返し部の上端からＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行な態様で、Ｕ相出力端子４１Ｔに向けて延び出す主部とを有する。

Ｖ相回路４２は、Ｕ相回路４１と同様、６個のスイッチモジュール４２０（上述のスイッチモジュール４２１～４２６に相当）を含む。

６個のスイッチモジュール４２０の配置構造は、Ｕ相回路４１の６個のスイッチモジュール４１０の場合と同様であるため、説明を省略する。

スイッチモジュール４２０は、スイッチモジュール４１０と同様、上面視の長手方向が略Ｘ軸方向に沿うように配置される。スイッチモジュール４２０には、その長手方向（即ち、Ｘ軸方向）に沿って、平滑回路２０（平滑用コンデンサ２１）に近い方から順に、交流出力端子４２０Ｏ、負極側端子４２０Ｎ、及び正極側端子４２０Ｐが並べて配置される。

スイッチモジュール４２０の上端部には、Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮがＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置される。

Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で６個のスイッチモジュール４２０を覆う範囲に亘って配置される。

図８、図９に示すように、Ｖ相交流ブスバー４２Ｏは、スイッチモジュール４２０の交流出力端子４２０ＯとＶ相出力端子４２Ｔとの間を接続する。Ｖ相交流ブスバー４２Ｏは、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１と、Ｖ相出力用ブスバー４２Ｏ２とを含む。

Ｖ相交流ブスバー４２Ｏの配置及び構造は、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏの場合と同様であるため、説明を省略する。

Ｗ相回路４３は、Ｕ相回路４１と同様、６個のスイッチモジュール４３０（上述のスイッチモジュール４３１～４３６に相当）を含む。

６個のスイッチモジュール４３０の配置構造は、Ｕ相回路４１の６個のスイッチモジュール４１０の場合と同様であるため、説明を省略する。

スイッチモジュール４３０は、上面視の長手方向が略Ｘ軸方向に沿うように配置される。スイッチモジュール４３０には、その長手方向（即ち、Ｘ軸方向）に沿って、平滑回路２０（平滑用コンデンサ２１）に近い方から順に、交流出力端子４３０Ｏ、負極側端子４３０Ｎ、及び正極側端子４３０Ｐが並べて配置される。

スイッチモジュール４３０の上端部には、Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮがＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置される。

Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で６個のスイッチモジュール４３０を覆う範囲に亘って配置される。

Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮの詳細構造は、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮの場合と同様であるため、説明を省略する。

図８、図９に示すように、Ｗ相交流ブスバー４３Ｏは、スイッチモジュール４３０の交流出力端子４３０ＯとＷ相出力端子４３Ｔとの間を接続する。Ｗ相交流ブスバー４３Ｏは、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１と、Ｗ相出力用ブスバー４３Ｏ２とを含む。

Ｗ相交流ブスバー４３Ｏの配置及び構造は、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏの場合と同様であるため、説明を省略する。

このように、第２実施形態では、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮの直流入力端と、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２との接続部との間の電力経路の長さが略等しくなるように構成される。また、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮの直流入力端と、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２との接続部との間の電力経路ごとの経路全体に亘る電流密度が略等しくなるように構成される。具体的には、６つの脚部４１Ｏ１ａは、互いに略同じ長さ及び略同じ断面積を有し、それぞれの電流密度が全て略等しくなるように構成される。また、連結部４１Ｏ１ｂは、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する電力経路ごとに、その電流密度が正極側直流ブスバー４０Ｐ及び負極側直流ブスバー４０Ｎの電流密度と略等しくなるように構成される。つまり、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、６つの電力経路ごとの長さが共通する部分（即ち、６つの脚部４１Ｏ１ａ）の電流密度が全て略等しくなるように構成される。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、それ以外の部分、即ち、電力経路ごとの長さの差に相当する部分（連結部４１Ｏ１ｂ）の電流密度が、６つの電力経路ごとに、正極側直流ブスバー４０Ｐ及び負極側直流ブスバー４０Ｎの電流密度と略等しくなるように構成される。これにより、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する、平滑回路２０とＵ相出力端子４１Ｔとの間の一巡の電力経路の長さ及び電流密度は、全て略等しくなる。そのため、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する、平滑回路２０とＵ相出力端子４１Ｔとの間の一巡の電力経路のインダクタンスを全て略等しく、均一化することができる。同様に、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、６個のスイッチモジュール４２０のそれぞれを通過する、Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮの直流入力端と、Ｖ相出力用ブスバー４２Ｏ２との接続部との間の電力経路の長さが全て略等しくなるように構成される。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、６個のスイッチモジュール４２０のそれぞれを通過する、Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮの直流入力端と、Ｖ相出力用ブスバー４２Ｏ２との接続部との間の電力経路ごとの経路全体に亘る電流密度が略等しくなるように構成される。そのため、６個のスイッチモジュール４２０のそれぞれを通過する、平滑回路２０とＶ相出力端子４２Ｔとの間の一巡の電力経路のインダクタンスを全て略等しく、均一化することができる。同様に、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、６個のスイッチモジュール４３０のそれぞれを通過する、Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮの直流入力端と、Ｗ相出力用ブスバー４３Ｏ２との接続部との間の電力経路の長さが全て略等しくなるように構成される。また、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、６個のスイッチモジュール４３０のそれぞれを通過する、Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮの直流入力端と、Ｗ相出力用ブスバー４３Ｏ２との接続部との間の電力経路ごとの経路全体に亘る電流密度が略等しくなるように構成される。そのため、６個のスイッチモジュール４３０のそれぞれを通過する平滑回路２０とＷ相出力端子４３Ｔとの間の一巡の電力経路のインダクタンスを全て略等しく、均一化することができる。よって、６個のスイッチモジュール４１０、６個のスイッチモジュール４２０、及び６個のスイッチモジュール４３０のそれぞれの電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。

尚、第２実施形態では、並列接続されるスイッチモジュール４１０の個数は、それぞれのスイッチモジュール４１０を通過する、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮの直流入力端と、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２との接続部との間の電力経路の長さが略等しく、且つ、経路ごとの経路全体に亘る電流密度が等しく構成される限りに、任意であってよい。即ち、並列接続されるスイッチモジュール４１０の個数は、２個以上且つ５個以下であってもよいし、７個以上であってもよい。また、スイッチモジュール４２０やスイッチモジュール４３０の個数についても同様であってよい。また、第２実施形態では、複数のスイッチモジュール４１０は、それぞれのスイッチモジュール４１０を通過する、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮの直流入力端と、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２との接続部との間の電力経路の長さが略等しく、且つ、経路ごとの経路全体に亘る電流密度が等しく構成される限り、任意に配置されてよい。例えば、複数のスイッチモジュール４１０は、Ｘ軸方向に一列に並べられてもよいし、Ｘ軸方向に並べられる一列分のグループがＹ軸方向に３列以上で並べられてもよい。また、スイッチモジュール４２０やスイッチモジュール４３０の配置についても同様であってよい。また、第２実施形態では、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の構成は、それぞれのスイッチモジュール４１０を通過する、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮの直流入力端と、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２との接続部との間の電力経路の長さが略等しく、且つ、経路ごとの経路全体に亘る電流密度が等しく構成される限り、任意であってよい。例えば、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、連結部４１Ｏ１ｂにおけるＸ軸方向の両端の脚部４１Ｏ１ａとの接続部の間の部分の電力経路ごとの電流密度だけがＵ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎと略等しく構成されてもよい。即ち、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の連結部４１Ｏ１ｂは、少なくとも、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれからの経路の全てが合流するまでの経路区間ごとの電流密度がＵ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎと略等しく構成されてもよい。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１やＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１の構成についても同様であってよい。

［第３実施形態］
次に、図１１，図１２を参照して、第３実施形態について説明する。第３実施形態に係る電力変換装置１の回路構成は、上述の第２実施形態（図７）と同様であるため、説明を省略する。以下、第１実施形態や第２実施形態に係る電力変換装置１と異なる部分を中心に説明し、第１実施形態や第２実施形態と同じ或いは対応する内容の説明を簡略化或いは省略する場合がある。

＜電力変換装置の構造＞
図１１、図１２は、第３実施形態に係る電力変換装置１の一例を示す構造図である。具体的には、図１１は、電力変換装置１の筐体１Ｈの一部を取り外した状態を示す斜視図である。図１２は、電力変換装置１の筐体１Ｈの一部を取り外し、且つ、出力端子４０Ｔ及びＵ相出力用ブスバー４１Ｏ２、Ｖ相出力用ブスバー４２Ｏ２、及びＷ相出力用ブスバー４３Ｏ２を取り外して上方向に移動させた状態を示す分解斜視図である。

図１１、図１２に示すように、平滑回路２０、ヒューズ３０、及びインバータ回路４０は、第１実施形態等の場合と同様、筐体１Ｈの内部の長手方向の一端部から他端部に亘って（即ち、Ｘ軸正方向に）、順に並べて配置される。

また、出力端子４０Ｔは、第１実施形態等の場合と同様、筐体１Ｈの内部の長手方向（Ｘ軸方向）の中央部、且つ、筐体１Ｈの内部の上部に配置される。具体的には、出力端子４０Ｔは、筐体１Ｈの内部の平滑回路２０及びヒューズ３０の上方に配置される。

出力端子４０Ｔは、上述の如く、Ｕ相出力端子４１Ｔと、Ｖ相出力端子４２Ｔと、Ｗ相出力端子４３Ｔとを含む。Ｕ相出力端子４１Ｔ、Ｖ相出力端子４２Ｔ、及びＷ相出力端子４３Ｔは、第１実施形態等の場合と同様、筐体１Ｈの内部の短手方向の一端部から中央部に亘って（即ち、Ｙ軸正方向に）、順に並べて配置される。

インバータ回路４０は、上述の如く、Ｕ相回路４１と、Ｖ相回路４２と、Ｗ相回路４３とにより構成されるブリッジ回路を含む。

図１１、図１２に示すように、Ｕ相回路４１、Ｖ相回路４２、及びＷ相回路４３は、第１実施形態等の場合と同様、Ｙ軸負方向の端部からＹ軸正方向の端部に向けて、Ｙ軸方向に順に並べて配置される。

Ｕ相回路４１は、第２実施形態の場合と同様、６個のスイッチモジュール４１０（即ち、上述のスイッチモジュール４１１～４１６に相当）を含む。

６個のスイッチモジュール４１０は、第２実施形態の場合と同様、Ｘ軸方向に等間隔で３個並べて配置される２つのグループが、Ｙ軸方向で二列に並べて配置される。また、６個のスイッチモジュール４１０は、第１実施形態等の場合と同様、筐体１Ｈの底面に載置される別の部品の上に配置される。

スイッチモジュール４１０は、第１実施形態等の場合と同様、上面視の長手方向が略Ｘ軸方向に沿うように配置される。スイッチモジュール４１０には、その長手方向（即ち、Ｘ軸方向）に沿って、平滑回路２０（平滑用コンデンサ２１）に近い方から順に、交流出力端子４１０Ｏ、負極側端子４１０Ｎ、及び正極側端子４１０Ｐが並べて配置される。

図１２に示すように、スイッチモジュール４１０の上端部には、第１実施形態等の場合と同様、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮがＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置される。

Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で６個のスイッチモジュール４１０を覆う範囲に亘って配置される。

図１２に示すように、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏは、スイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯとＵ相出力端子４１Ｔとの間を接続する。Ｕ相交流ブスバー４１Ｏは、第１実施形態等の場合と同様、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１と、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２とを含む。

Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に略平行な平板形状を有し、上面視で、６個のスイッチモジュール４１０を覆う範囲に亘る略矩形形状を有する。Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮの最上層の絶縁層４１Ｉ２（図４参照）の上に更に積層される。これにより、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎ、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ、及びＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、絶縁層４１Ｉ１，４１Ｉ２を介して、下から順に積層されるラミネート構造のＵ相ラミネートブスバー４１ＰＮＯを構成する。そのため、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の電流密度は、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎと略等しくなる。

図１１、図１２に示すように、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１には、６個のスイッチモジュール４１０に対応する位置に、上面視で略矩形の相対的に大きい貫通孔が設けられる。これにより、スイッチモジュール４１０の正極側端子４１０Ｐ（即ち、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐの締結用の貫通孔）、負極側端子４１０Ｎ（即ち、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎの締結用の貫通孔）、及び交流出力端子４１０Ｏを上面視で露出させることができる。そのため、作業者は、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の上からスイッチモジュール４１０の正極側端子４１０Ｐ、負極側端子４１０Ｎ、及び交流出力端子４１０Ｏにアクセスすることができる。

図１１、図１２に示すように、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２は、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１とＵ相出力端子４１Ｔとの間を接続する。Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２は、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１のＸ軸正方向の端部、即ち、二列のＸ軸方向に並ぶ３個のスイッチモジュール４１０のＸ軸正方向の端部のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯよりもＸ軸正方向に離れた位置に接続される。また、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２は、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１のＸ軸正方向の端部で、且つ、二列のＸ軸方向に並ぶ３個のスイッチモジュール４１０のグループの交流出力端子４１０Ｏ同士の間のＹ軸方向の略中央位置に接続される。これにより、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する、Ｕ相回路４１の直流入力端と、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１及びＵ相出力用ブスバー４１Ｏ２の接続部との間の電力経路の長さが全て略等しくなる。そのため、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する、平滑回路２０とＵ相出力端子４１Ｔとの間の一巡の電力経路の長さ及び電流密度は、全て略等しくなる。よって、６個のスイッチモジュール４１０を通過する平滑回路２０とＵ相出力端子４１Ｔとの間の一巡の電力経路のインダクタンスを略等しく、均一化することができる。

Ｖ相回路４２は、Ｕ相回路４１と同様、６個のスイッチモジュール４２０（上述のスイッチモジュール４２１～４２６に相当）を含む。

６個のスイッチモジュール４２０の配置構造は、Ｕ相回路４１の６個のスイッチモジュール４１０の場合と同様であるため、説明を省略する。

スイッチモジュール４２０は、スイッチモジュール４１０と同様、上面視の長手方向が略Ｘ軸方向に沿うように配置される。スイッチモジュール４２０には、その長手方向（即ち、Ｘ軸方向）に沿って、平滑回路２０（平滑用コンデンサ２１）に近い方から順に、交流出力端子４２０Ｏ、負極側端子４２０Ｎ、及び正極側端子４２０Ｐが並べて配置される。

図１２に示すように、スイッチモジュール４２０の上端部には、Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮがＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置される。

Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で６個のスイッチモジュール４２０を覆う範囲に亘って配置される。

図１２に示すように、Ｖ相交流ブスバー４２Ｏは、スイッチモジュール４２０の交流出力端子４２０ＯとＶ相出力端子４２Ｔとの間を接続する。Ｖ相交流ブスバー４２Ｏは、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１と、Ｖ相出力用ブスバー４２Ｏ２とを含む。

Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に略平行な平板形状を有し、上面視で、６個のスイッチモジュール４２０を覆う範囲に亘る略矩形形状を有する。Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮの最上層の絶縁層４２Ｉ２（図４参照）の上に更に積層される。これにより、Ｖ相負極側直流ブスバー４２Ｎ、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐ、及びＶ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、絶縁層４２Ｉ１，４２Ｉ２を介して、下から順に積層されるラミネート構造のＶ相ラミネートブスバー４２ＰＮＯを構成する。そのため、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１の電流密度は、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐ及びＶ相負極側直流ブスバー４２Ｎと略等しくなる。

Ｖ相交流ブスバー４２Ｏ（Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１及びＶ相出力用ブスバー４２Ｏ２）の配置及び構造は、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏの場合と同様であるため、説明を省略する。

Ｗ相回路４３は、Ｕ相回路４１と同様、６個のスイッチモジュール４３０（上述のスイッチモジュール４３１～４３６に相当）を含む。

６個のスイッチモジュール４３０の配置構造は、Ｕ相回路４１の６個のスイッチモジュール４１０の場合と同様であるため、説明を省略する。

スイッチモジュール４３０は、スイッチモジュール４１０と同様、上面視の長手方向が略Ｘ軸方向に沿うように配置される。スイッチモジュール４３０には、その長手方向（即ち、Ｘ軸方向）に沿って、平滑回路２０（平滑用コンデンサ２１）に近い方から順に、交流出力端子４３０Ｏ、負極側端子４３０Ｎ、及び正極側端子４３０Ｐが並べて配置される。

図１２に示すように、スイッチモジュール４３０の上端部には、Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮがＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置される。

Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で６個のスイッチモジュール４３０を覆う範囲に亘って配置される。

図１２に示すように、Ｗ相交流ブスバー４３Ｏは、スイッチモジュール４３０の交流出力端子４３０ＯとＷ相出力端子４３Ｔとの間を接続する。Ｗ相交流ブスバー４３Ｏは、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１と、Ｗ相出力用ブスバー４３Ｏ２とを含む。

Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に略平行な平板形状を有し、上面視で、６個のスイッチモジュール４３０を覆う範囲に亘る略矩形形状を有する。Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮの最上層の絶縁層４３Ｉ２（図４参照）の上に更に積層される。これにより、Ｗ相負極側直流ブスバー４３Ｎ、Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐ、及びＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、絶縁層４３Ｉ１，４３Ｉ２を介して、下から順に積層されるラミネート構造のＷ相ラミネートブスバー４３ＰＮＯを構成する。そのため、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１の電流密度は、Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐ及びＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎと略等しくなる。

Ｗ相交流ブスバー４３Ｏ（Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１及びＷ相出力用ブスバー４３Ｏ２）の配置及び構造は、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏの場合と同様であるため、説明を省略する。

このように、第３実施形態では、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎと共に、互いに絶縁層４１Ｉ１，４１Ｉ２を介して積層されるラミネート構造を有する。また、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、６個のスイッチモジュール４１０のうちのＸ軸正方向の端部のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯよりもＸ軸正方向に離れた位置で、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２と接続される。これにより、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する平滑回路２０とＵ相出力端子４１Ｔとの間の一巡の電力経路の長さ及び電流密度は、全て略等しくなる。そのため、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する平滑回路２０とＵ相出力端子４１Ｔとの間の一巡の電力経路のインダクタンスを略等しく、均一化することができる。同様に、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐ及びＶ相負極側直流ブスバー４２Ｎと共に、互いに絶縁層４２Ｉ１，４２Ｉ２を介して積層されるラミネート構造を有する。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、６個のスイッチモジュール４２０のうちのＸ軸正方向の端部のスイッチモジュール４２０の交流出力端子４２０ＯよりもＸ軸正方向に離れた位置で、Ｖ相出力用ブスバー４２Ｏ２と接続される。これにより、６個のスイッチモジュール４２０のそれぞれを通過する平滑回路２０とＶ相出力端子４２Ｔとの間の一巡の電力経路の長さ及び電流密度は、全て略等しくなる。そのため、６個のスイッチモジュール４２０のそれぞれを通過する平滑回路２０とＶ相出力端子４２Ｔとの間の一巡の電力経路のインダクタンスを略等しく、均一化することができる。同様に、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐ及びＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎと共に、互いに絶縁層４３Ｉ１，４３Ｉ２を介して積層されるラミネート構造を有する。また、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、６個のスイッチモジュール４３０のうちのＸ軸正方向の端部のスイッチモジュール４３０の交流出力端子４３０ＯよりもＸ軸正方向に離れた位置で、Ｗ相出力用ブスバー４３Ｏ２と接続される。これにより、６個のスイッチモジュール４３０のそれぞれを通過する平滑回路２０とＷ相出力端子４３Ｔとの間の一巡の電力経路の長さ及び電流密度は、全て略等しくなる。そのため、６個のスイッチモジュール４３０のそれぞれを通過する平滑回路２０とＷ相出力端子４３Ｔとの間の一巡の電力経路のインダクタンスを略等しく、均一化することができる。よって、６個のスイッチモジュール４１０、６個のスイッチモジュール４２０、及び６個のスイッチモジュール４３０のそれぞれの電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。

尚、第３実施形態において、並列接続されるスイッチモジュール４１０の個数は、任意であってよく、２個以上且つ５個以下であってもよいし、７個以上であってもよい。スイッチモジュール４２０やスイッチモジュール４３０の個数についても同様であってよい。また、第３実施形態において、複数のスイッチモジュール４１０の配置は、任意であってよく、例えば、複数のスイッチモジュール４１０は、Ｘ軸方向に一例に並べられてもよいし、Ｘ軸方向に並べられる一列分のグループがＹ軸方向に３列以上で並べられてもよい。

［第４実施形態］
次に、図１３，図１４を参照して、第４実施形態について説明する。第４実施形態に係る電力変換装置１の回路構成は、上述の第２実施形態（図７）と同様であるため、説明を省略する。以下、第１実施形態～第３実施形態に係る電力変換装置１と異なる部分を中心に説明し、第１実施形態～第３実施形態と同じ或いは対応する内容の説明を簡略化或いは省略する場合がある。

＜電力変換装置の構造＞
図１３、図１４は、第４実施形態に係る電力変換装置１の一例を示す構造図である。具体的には、図１３は、電力変換装置１の筐体１Ｈの一部を取り外した状態を示す斜視図である。図１４は、電力変換装置１の筐体１Ｈの一部を取り外し、且つ、出力端子４０Ｔを取り外して上方向に移動させた状態を示す分解斜視図である。

図１３、図１４に示すように、平滑回路２０、ヒューズ３０、及びインバータ回路４０は、第１実施形態等の場合と同様、筐体１Ｈの内部の長手方向の一端部から他端部に亘って（即ち、Ｘ軸正方向に）、順に並べて配置される。

また、出力端子４０Ｔは、第１実施形態等の場合と同様、筐体１Ｈの内部の長手方向（Ｘ軸方向）の中央部、且つ、筐体１Ｈの内部の上部に配置される。具体的には、出力端子４０Ｔは、筐体１Ｈの内部の平滑回路２０及びヒューズ３０の上方に配置される。

出力端子４０Ｔは、上述の如く、Ｕ相出力端子４１Ｔと、Ｖ相出力端子４２Ｔと、Ｗ相出力端子４３Ｔとを含む。Ｕ相出力端子４１Ｔ、Ｖ相出力端子４２Ｔ、及びＷ相出力端子４３Ｔは、第１実施形態等の場合と同様、筐体１Ｈの内部の短手方向の一端部から中央部に亘って（即ち、Ｙ軸正方向に）、順に並べて配置される。

インバータ回路４０は、上述の如く、Ｕ相回路４１と、Ｖ相回路４２と、Ｗ相回路４３とにより構成されるブリッジ回路を含む。

図１３、図１４に示すように、Ｕ相回路４１、Ｖ相回路４２、及びＷ相回路４３は、第１実施形態等の場合と同様、Ｙ軸負方向の端部からＹ軸正方向の端部に向けて、Ｙ軸方向に順に並べて配置される。

Ｕ相回路４１は、第２実施形態等の場合と同様、６個のスイッチモジュール４１０（即ち、上述のスイッチモジュール４１１～４１６に相当）を含む。

６個のスイッチモジュール４１０は、第２実施形態等の場合と同様、Ｘ軸方向に等間隔で３個並べて配置される２つのグループが、Ｙ軸方向で二列に並べて配置される。また、６個のスイッチモジュール４１０は、第１実施形態等の場合と同様、筐体１Ｈの底面に載置される別の部品の上に配置される。

スイッチモジュール４１０は、第１実施形態等の場合と同様、上面視の長手方向が略Ｘ軸方向に沿うように配置される。スイッチモジュール４１０には、その長手方向（即ち、Ｘ軸方向）に沿って、平滑回路２０（平滑用コンデンサ２１）に近い方から順に、交流出力端子４１０Ｏ、負極側端子４１０Ｎ、及び正極側端子４１０Ｐが並べて配置される。

図１３、図１４に示すように、スイッチモジュール４１０の上端部には、第１実施形態等の場合と同様、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮがＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置される。

Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で６個のスイッチモジュール４１０を覆う範囲に亘って配置される。

図１３、図１４に示すように、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏは、スイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯとＵ相出力端子４１Ｔとの間を接続する。Ｕ相交流ブスバー４１Ｏは、第１実施形態等の場合と同様、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１と、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２とを含む。

Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、第３実施形態と同様、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に略平行な平板形状を有し、上面視で、６個のスイッチモジュール４１０を覆う範囲に亘る略矩形形状を有する。Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、Ｕ相ラミネートブスバー４１ＰＮの最上層の絶縁層４１Ｉ２（図４参照）の上に更に積層される。これにより、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎ、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ、及びＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、絶縁層４１Ｉ１，４１Ｉ２を介して、下から順に積層されるラミネート構造のＵ相ラミネートブスバー４１ＰＮＯを構成する。そのため、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の電流密度は、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎと略等しくなる。

図１３、図１４に示すように、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２は、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１とＵ相出力端子４１Ｔとの間を接続する。Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２は、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１のＸ軸負方向の端部、即ち、二列のＸ軸方向に並ぶ３個のスイッチモジュール４１０のＸ軸負方向の端部のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯよりもＸ軸負方向に離れた位置に接続される。また、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２は、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１のＸ軸負方向の端部で、且つ、二列のＸ軸方向に並ぶ３個のスイッチモジュール４１０のグループの交流出力端子４１０Ｏ同士の間のＹ軸方向の略中央位置に接続される。これにより、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれに向かってＵ相正極側直流ブスバー４１Ｐを流れる電流の向きは、Ｘ軸正方向になる。一方、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれからＵ相出力端子４１Ｔに向かってＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１を流れる電流の向きは、反対のＸ軸負方向になる。そのため、同じ電流密度の電流が反対向きに流れることで、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１のそれぞれの電流で発生する磁界が相殺され、そのインダクタンスを大きく低減することができる。同様に、Ｕ相出力端子４１Ｔから６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれに向かってＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１を流れる電流の向きは、Ｘ軸正方向になる。一方、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれから平滑回路２０に向かってＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎを流れる電流の向きは、Ｘ軸負方向になる。そのため、同じ大きさの電流が反対向きに流れることで、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎ及びＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１のそれぞれの電流で発生する磁界が相殺され、そのインダクタンスを大きく低減することができる。よって、６個のスイッチモジュール４１０を通過する平滑回路２０とＵ相出力端子４１Ｔとの間の一巡の電力経路のそれぞれのインダクタンスが非常に小さくなることで、電力経路間のインダクタンスの差異を抑制し、インダクタンスの均一化を図ることができる。

Ｖ相回路４２は、Ｕ相回路４１と同様、６個のスイッチモジュール４２０（上述のスイッチモジュール４２１～４２６に相当）を含む。

６個のスイッチモジュール４２０の配置構造は、Ｕ相回路４１の６個のスイッチモジュール４１０の場合と同様であるため、説明を省略する。

スイッチモジュール４２０は、スイッチモジュール４１０と同様、上面視の長手方向が略Ｘ軸方向に沿うように配置される。スイッチモジュール４２０には、その長手方向（即ち、Ｘ軸方向）に沿って、平滑回路２０（平滑用コンデンサ２１）に近い方から順に、交流出力端子４２０Ｏ、負極側端子４２０Ｎ、及び正極側端子４２０Ｐが並べて配置される。

図１３、図１４に示すように、スイッチモジュール４２０の上端部には、Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮがＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置される。

Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で６個のスイッチモジュール４２０を覆う範囲に亘って配置される。

図１３、図１４に示すように、Ｖ相交流ブスバー４２Ｏは、スイッチモジュール４２０の交流出力端子４２０ＯとＶ相出力端子４２Ｔとの間を接続する。Ｖ相交流ブスバー４２Ｏは、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１と、Ｖ相出力用ブスバー４２Ｏ２とを含む。

Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、第３実施形態の場合と同様、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に略平行な平板形状を有し、上面視で、６個のスイッチモジュール４２０を覆う範囲に亘る略矩形形状を有する。Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、Ｖ相ラミネートブスバー４２ＰＮの最上層の絶縁層４２Ｉ２（図４参照）の上に更に積層される。これにより、Ｖ相負極側直流ブスバー４２Ｎ、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐ、及びＶ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、絶縁層４２Ｉ１，４２Ｉ２を介して、下から順に積層されるラミネート構造のＶ相ラミネートブスバー４２ＰＮＯを構成する。そのため、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１の電流密度は、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐ及びＶ相負極側直流ブスバー４２Ｎと略等しくなる。

Ｖ相交流ブスバー４２Ｏ（Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１及びＶ相出力用ブスバー４２Ｏ２）の配置及び構造は、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏの場合と同様であるため、説明を省略する。

Ｗ相回路４３は、Ｕ相回路４１と同様、６個のスイッチモジュール４３０（上述のスイッチモジュール４３１～４３６に相当）を含む。

６個のスイッチモジュール４３０の配置構造は、Ｕ相回路４１の６個のスイッチモジュール４１０の場合と同様であるため、説明を省略する。

スイッチモジュール４３０は、スイッチモジュール４１０と同様、上面視の長手方向が略Ｘ軸方向に沿うように配置される。スイッチモジュール４３０には、その長手方向（即ち、Ｘ軸方向）に沿って、平滑回路２０（平滑用コンデンサ２１）に近い方から順に、交流出力端子４３０Ｏ、負極側端子４３０Ｎ、及び正極側端子４３０Ｐが並べて配置される。

図１３、図１４に示すように、スイッチモジュール４３０の上端部には、Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮがＸ軸方向及びＹ軸方向に略平行に配置される。

Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向で６個のスイッチモジュール４３０を覆う範囲に亘って配置される。

図１３、図１４に示すように、Ｗ相交流ブスバー４３Ｏは、スイッチモジュール４３０の交流出力端子４３０ＯとＷ相出力端子４３Ｔとの間を接続する。Ｗ相交流ブスバー４３Ｏは、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１と、Ｗ相出力用ブスバー４３Ｏ２とを含む。

Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、第３実施形態の場合と同様、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に略平行な平板形状を有し、上面視で、６個のスイッチモジュール４３０を覆う範囲に亘る略矩形形状を有する。Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、Ｗ相ラミネートブスバー４３ＰＮの最上層の絶縁層４３Ｉ２（図４参照）の上に更に積層される。これにより、Ｗ相負極側直流ブスバー４３Ｎ、Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐ、及びＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、絶縁層４３Ｉ１，４３Ｉ２を介して、下から順に積層されるラミネート構造のＷ相ラミネートブスバー４３ＰＮＯを構成する。そのため、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１の電流密度は、Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐ及びＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎと略等しくなる。

Ｗ相交流ブスバー４３Ｏ（Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１及びＷ相出力用ブスバー４３Ｏ２）の配置及び構造は、Ｕ相交流ブスバー４１Ｏの場合と同様であるため、説明を省略する。

このように、第４実施形態では、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎと共に、互いに絶縁層４１Ｉ１，４１Ｉ２を介して積層されるラミネート構造を有する。また、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、６個のスイッチモジュール４１０のうちのＸ軸負方向の端部のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０ＯよりもＸ軸負方向に離れた位置で、Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２と接続される。これにより、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する前後のＵ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の電流、並びにＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１及びＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎの電流が同じ電流密度且つ空間上で反対向きになる。そのため、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の電流、並びにＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１及びＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎの電流で発生する磁界が相殺され、これらの電力経路のインダクタンスを非常に小さくできる。その結果、６個のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する、平滑回路２０とＵ相出力端子４１Ｔとの間の一巡の電力経路のインダクタンスの経路間の差異を抑制し、インダクタンスの均一化を図ることができる。同様に、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐ及びＶ相負極側直流ブスバー４２Ｎと共に、互いに絶縁層４２Ｉ１，４２Ｉ２を介して積層されるラミネート構造を有する。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、６個のスイッチモジュール４２０のうちのＸ軸負方向の端部のスイッチモジュール４２０の交流出力端子４２０ＯよりもＸ軸負方向に離れた位置で、Ｖ相出力用ブスバー４２Ｏ２と接続される。これにより、６個のスイッチモジュール４２０のそれぞれを通過する前後のＶ相正極側直流ブスバー４２Ｐ及びＶ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１の電流、並びにＶ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１及びＶ相負極側直流ブスバー４２Ｎの電流が同じ電流密度且つ空間上で反対向きになる。そのため、Ｖ相正極側直流ブスバー４２Ｐ及びＶ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１の電流、並びにＶ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１及びＶ相負極側直流ブスバー４２Ｎの電流で発生する磁界が相殺され、これらの電力経路のインダクタンスを非常に小さくできる。その結果、６個のスイッチモジュール４２０のそれぞれを通過する、平滑回路２０とＶ相出力端子４２Ｔとの間の一巡の電力経路のインダクタンスの経路間の差異を抑制し、インダクタンスの均一化を図ることができる。同様に、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐ及びＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎと共に、互いに絶縁層４３Ｉ１，４３Ｉ２を介して積層されるラミネート構造を有する。また、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、６個のスイッチモジュール４３０のうちのＸ軸負方向の端部のスイッチモジュール４３０の交流出力端子４３０ＯよりもＸ軸負方向に離れた位置で、Ｗ相出力用ブスバー４３Ｏ２と接続される。これにより、６個のスイッチモジュール４３０のそれぞれを通過する前後のＷ相正極側直流ブスバー４３Ｐ及びＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１の電流、並びにＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１及びＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎの電流が同じ電流密度且つ空間上で反対向きになる。そのため、Ｗ相正極側直流ブスバー４３Ｐ及びＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１の電流、並びにＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１及びＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎの電流で発生する磁界が相殺され、これらの電力経路のインダクタンスを非常に小さくできる。その結果、６個のスイッチモジュール４３０のそれぞれを通過する、平滑回路２０とＷ相出力端子４３Ｔとの間の一巡の電力経路のインダクタンスの経路間の差異を抑制し、インダクタンスの均一化を図ることができる。よって、６個のスイッチモジュール４１０、６個のスイッチモジュール４２０、及び６個のスイッチモジュール４３０のそれぞれの電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。

尚、第４実施形態において、並列接続されるスイッチモジュール４１０の個数は、任意であってよく、２個以上且つ５個以下であってもよいし、７個以上であってもよい。また、スイッチモジュール４２０やスイッチモジュール４３０の個数についても同様であってよい。また、第４実施形態において、複数のスイッチモジュール４１０の配置は、任意であってよく、例えば、複数のスイッチモジュール４１０は、Ｘ軸方向に一例に並べられてもよいし、Ｘ軸方向に並べられる一列分のグループがＹ軸方向に３列以上で並べられてもよい。

［作用］
次に、本実施形態に係る電力変換装置１の作用について説明する。

本実施形態（第１実施形態）では、電力変換装置１は、平滑回路２０と、インバータ回路４０と、出力端子４０Ｔとを含む。具体的には、インバータ回路４０は、複数の半導体スイッチ４１０ｓを含む上下のアームが直列接続されるスイッチモジュール４１０が、複数並列接続されると共に、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれの上下のアームの接続点（交流出力端子４１０Ｏ）同士が接続されることにより構成されるＵ相回路４１を含む。同様に、インバータ回路４０は、複数の半導体スイッチ４２０ｓを含む上下のアームが直列接続されるスイッチモジュール４２０が、複数並列接続されると共に、複数のスイッチモジュール４２０のそれぞれの上下のアームの接続点（交流出力端子４２０Ｏ）同士が接続されることにより構成されるＶ相回路４２を含む。同様に、インバータ回路４０は、複数の半導体スイッチ４３０ｓを含む上下のアームが直列接続されるスイッチモジュール４３０が、複数並列接続されると共に、複数のスイッチモジュール４３０のそれぞれの上下のアームの接続点（交流出力端子４３０Ｏ）同士が接続されることにより構成されるＷ相回路４３を含む。即ち，インバータ回路４０は、出力回路（Ｕ相回路４１、Ｖ相回路４２、及びＷ相回路４３）が複数相分並列接続されることにより構成されるブリッジ回路を含む。そして、インバータ回路４０は、平滑回路２０から入力される直流電力に基づき、所定の交流電力を出力する。また、出力端子４０Ｔは、インバータ回路４０からの所定の交流電力を外部に出力する。また、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４１０，４２０，４３０の正極側端子４１０Ｐ，４２０Ｐ，４３０Ｐ同士を接続する正極側直流ブスバー４０Ｐと、複数のスイッチモジュール４１０，４２０，４３０の負極側端子４１０Ｎ，４２０Ｎ，４３０Ｎ同士を接続する負極側直流ブスバー４０Ｎとを含む。また、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０Ｏ同士を接続するＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１を含む。同様に、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４２０の交流出力端子４２０Ｏ同士を接続するＶ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１を含む。同様に、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４３０の交流出力端子４３０Ｏ同士を接続するＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１を含む。また、正極側直流ブスバー４０Ｐ及び負極側直流ブスバー４０Ｎは、絶縁層４１Ｉ１，４２Ｉ１，４３Ｉ１を介して積層されるラミネート構造を有する。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、複数のスイッチモジュール４１０に含まれる全てのアーム（半導体スイッチ４１０ｓ）と、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれからの全ての経路が合流する合流部との間のそれぞれの経路の長さが略等しくなるように構成される。同様に、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、複数のスイッチモジュール４２０に含まれる全てのアーム（半導体スイッチ４２０ｓ）と、複数のスイッチモジュール４２０のそれぞれからの全ての経路が合流する合流部との間のそれぞれの経路の長さが略等しくなるように構成される。同様に、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、複数のスイッチモジュール４３０に含まれる全てのアーム（半導体スイッチ４３０ｓ）と、複数のスイッチモジュール４３０のそれぞれからの全ての経路が合流する合流部との間のそれぞれの経路の長さが略等しくなるように構成される。

例えば、インバータ回路において、複数のスイッチレグを並列接続することにより、電力変換装置の電流容量を増やすことができる。

この場合、複数のスイッチレグを通過するそれぞれの経路ごとにインダクタンスが異なると、複数のスイッチレグを通過する電流にアンバランスが生じ、一部のスイッチレグに含まれる半導体スイッチに電流が集中する可能性がある。その結果、損失による温度上昇に伴い半導体スイッチの素子が破損する可能性がある。

一方、最も電流が集中する半導体スイッチの許容電流に合わせることにより、電流のアンバランスを考慮して、電力変換装置の電流容量を決定することも可能である。しかしながら、この場合、電流が集中する半導体スイッチ以外の半導体スイッチには、許容電流よりも相対的に低い電流しか流れなくなる。その結果、並列接続するスイッチレグを増やしても、複数のスイッチレグ全体の許容電流を有効に使用することができず、電力変換装置の電流容量をあまり増やすことができない可能性がある。

これに対して、本実施形態（第１実施形態）では、正極側直流ブスバー４０Ｐ及び負極側直流ブスバー４０Ｎのラミネート構造化に伴い、インバータ回路４０の正極側及び負極側の直流配線部分のインダクタンスを非常に小さくすることができる。そのため、平滑回路２０と出力端子４０Ｔとの間の一巡の電力経路のインダクタンスについて、交流配線部分のインダクタンスが支配的になる。その上で、複数のスイッチモジュール４１０に含まれる全てのアーム（半導体スイッチ４１０ｓ）から合流部までのそれぞれの経路長さが略等しく構成されることで、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１における各半導体スイッチ４１０ｓを通過する電力経路のインダクタンスの差を相対的に小さくすることができる。そのため、電力変換装置１は、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する電力経路について、平滑回路２０と出力端子４０Ｔ（Ｕ相出力端子４１Ｔ）との間の一巡の電力経路のインダクタンスの差を相対的に小さくすることができる。よって、電力変換装置１は、複数の半導体スイッチ４１０ｓ（スイッチモジュール４１０）の電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。また、複数のスイッチモジュール４２０についても同様である。そのため、電力変換装置１は、複数のスイッチモジュール４２０のそれぞれを通過する電力経路について、平滑回路２０と出力端子４０Ｔ（Ｖ相出力端子４２Ｔ）との間の一巡の電力経路のインダクタンスの差を相対的に小さくすることができる。よって、電力変換装置１は、複数の半導体スイッチ４２０ｓ（スイッチモジュール４２０）の電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。また、複数のスイッチモジュール４３０についても同様である。そのため、電力変換装置１は、複数のスイッチモジュール４３０のそれぞれを通過する電力経路について、平滑回路２０と出力端子４０Ｔ（Ｗ相出力端子４３Ｔ）との間の一巡の電力経路のインダクタンスの差を相対的に小さくすることができる。よって、電力変換装置１は、複数の半導体スイッチ４３０ｓ（スイッチモジュール４３０）の電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。

また、本実施形態（第１実施形態）では、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、複数のスイッチモジュール４１０に含まれる全ての半導体スイッチ４１０ｓと、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれからの全ての経路が合流する合流部との間の経路ごとの電流密度が略等しくなるように構成される。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１やＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１についても同様であってよい。

これにより、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１における各半導体スイッチ４１０ｓを通過する電力経路のインダクタンスを略同等にすることができる。そのため、電力変換装置１は、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する電力経路について、平滑回路２０と出力端子４０Ｔ（Ｕ相出力端子４１Ｔ）との間の一巡の電力経路のインダクタンスを略等しくすることができる。よって、電力変換装置１は、複数の半導体スイッチ４１０ｓ（スイッチモジュール４１０）の電流のアンバランスを更に抑制し、更に電流の均一化を図ることができる。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１やＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１についても同様の作用・効果を奏する。

また、本実施形態（第１実施形態）では、複数のスイッチモジュール４１０に含まれる２つのスイッチモジュール４１０は、一の軸方向（Ｘ軸方向）に並べて配置される。また、複数のスイッチモジュール４２０や複数のスイッチモジュール４３０についても同様であってよい。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、２つのスイッチモジュール４１０からＵ相出力端子４１Ｔに向かう経路を、Ｘ軸方向において、２つのスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０Ｏ同士の略中央位置（中点）で合流させてよい。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１やＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１についても同様であってよい。

これにより、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、２つのスイッチモジュール４１０の組み合わせごとに、２つのスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０Ｏのそれぞれからの経路をその長さが略同じになるように合流させることができる。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１やＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１についても同様の作用・効果を奏する。

また、本実施形態（第１実施形態）では、並列接続される複数のスイッチモジュール４１０は、２つのスイッチモジュール４１０の組み合わせを複数含んでよい。また、並列接続される複数のスイッチモジュール４２０や並列接続される複数のスイッチモジュール４３０についても同様であってよい。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、複数の組み合わせごとの２つのスイッチモジュール４１０のそれぞれからの経路が合流する中間合流部と、全てのスイッチモジュール４１０のそれぞれからの経路が合流する合流部との間のそれぞれの電力経路の長さが略等しくなるように構成されてよい。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１やＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１についても同様であってよい。

これにより、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１において、並列接続される複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれからの全ての経路が合流するまでの経路の長さを略等しくすることができる。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１やＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１についても同様の作用・効果を奏する。

また、本実施形態（第１実施形態）では、並列接続される複数（４個）のスイッチモジュール４１０は、２組の２つのスイッチモジュール４１０が、Ｘ軸方向の位置を合わせて、Ｘ軸方向と垂直な他の軸方向（Ｙ軸方向）に二列に並べて配置されてよい。また、複数（４個）のスイッチモジュール４２０や複数（４個）のスイッチモジュール４３０についても同様であってよい。また、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、Ｘ軸方向において、２つのスイッチモジュール４１０の中央位置の垂直面を基準として略面対称になるように構成される。また、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、Ｙ軸方向において、２組の中央位置の垂直面を基準として略面対称になるように構成されてよい。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、Ｕ相出力端子４１Ｔまでの配線（Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２）との接続部が、Ｘ軸方向及びＹ軸方向において、２組に含まれる４つのスイッチモジュール４１０の間の中央位置になるように構成されてよい。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１やＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１についても同様であってよい。

これにより、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１において、具体的に、並列接続される複数（４個）のスイッチモジュール４１０のそれぞれの経路が合流するまでのそれぞれの経路の長さを略等しくすることができる。そのため、電力変換装置１は、具体的に、各半導体スイッチ４１０ｓを通過する経路のインダクタンスを略同等にすることができる。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１及びＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１についても同様の作用・効果を奏する。

また、本実施形態（第２実施形態）では、電力変換装置１は、平滑回路２０と、インバータ回路４０と、出力端子４０Ｔとを含む。具体的には、インバータ回路４０は、複数の半導体スイッチ４１０ｓを含む上下のアームが直列接続されるスイッチモジュール４１０が、複数並列接続されると共に、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれの上下のアームの接続点（交流出力端子４１０Ｏ）同士が接続されることにより構成されるＵ相回路４１を含む。同様に、インバータ回路４０は、複数の半導体スイッチ４２０ｓを含む上下のアームが直列接続されるスイッチモジュール４２０が、複数並列接続されると共に、複数のスイッチモジュール４２０のそれぞれの上下のアームの接続点（交流出力端子４２０Ｏ）同士が接続されることにより構成されるＶ相回路４２を含む。同様に、インバータ回路４０は、複数の半導体スイッチ４３０ｓを含む上下のアームが直列接続されるスイッチモジュール４３０が、複数並列接続されると共に、複数のスイッチモジュール４３０のそれぞれの上下のアームの接続点（交流出力端子４３０Ｏ）同士が接続されることにより構成されるＷ相回路４３を含む。即ち，インバータ回路４０は、出力回路（Ｕ相回路４１、Ｖ相回路４２、及びＷ相回路４３）が複数相分並列接続されることにより構成されるブリッジ回路を含む。そして、インバータ回路４０は、平滑回路２０から入力される直流電力に基づき、所定の交流電力を出力する。また、出力端子４０Ｔは、インバータ回路４０からの所定の交流電力を外部に出力する。また、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４１０，４２０，４３０の正極側端子４１０Ｐ，４２０Ｐ，４３０Ｐ同士を接続する正極側直流ブスバー４０Ｐと、複数のスイッチモジュール４１０，４２０，４３０の負極側端子４１０Ｎ，４２０Ｎ，４３０Ｎ同士を接続する負極側直流ブスバー４０Ｎとを含む。また、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０Ｏ同士を接続するＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１を含む。同様に、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４２０の交流出力端子４２０Ｏ同士を接続するＶ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１を含む。同様に、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４３０の交流出力端子４３０Ｏ同士を接続するＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１を含む。また、正極側直流ブスバー４０Ｐ及び負極側直流ブスバー４０Ｎは、絶縁層４１Ｉ１，４２Ｉ１，４３Ｉ１を介して積層されるラミネート構造を有する。また、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、複数のスイッチモジュール４１０に含まれる全てのアーム（半導体スイッチ４１０ｓ）のそれぞれを通過する、平滑回路２０と複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれからの経路が合流する合流部との間の電力経路のそれぞれの長さが略等しくなるように構成される。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、複数のスイッチモジュール４１０に含まれる全てのアームのそれぞれを通過する、平滑回路２０と上記の合流部との間の電力経路ごとの経路全体に亘る電流密度が略等しくなるように構成される。同様に、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、複数のスイッチモジュール４２０に含まれる全てのアーム（半導体スイッチ４２０ｓ）のそれぞれを通過する、平滑回路２０と複数のスイッチモジュール４２０のそれぞれからの経路が合流する合流部との間の電力経路のそれぞれの長さが略等しくなるように構成される。そして、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、複数のスイッチモジュール４２０に含まれる全てのアームのそれぞれを通過する、平滑回路２０と上記の合流部との間の電力経路ごとの経路全体に亘る電流密度が略等しくなるように構成される。同様に、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、複数のスイッチモジュール４３０に含まれる全てのアーム（半導体スイッチ４３０ｓ）のそれぞれを通過する、平滑回路２０と複数のスイッチモジュール４３０のそれぞれからの経路が合流する合流部までの電力経路のそれぞれの長さが略等しくなるように構成される。そして、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、複数のスイッチモジュール４３０に含まれる全てのアームのそれぞれを通過する、平滑回路２０と上記の合流部との間の電力経路ごとの経路全体に亘る電流密度が略等しくなるように構成される。

これにより、インバータ回路４０において、直流入力と交流出力の合流部との間の全ての経路の長さ及び経路ごとの経路全体に亘る電流密度を均一化することができる。そのため、電力変換装置１は、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する電力経路について、平滑回路２０と出力端子４０Ｔ（Ｕ相出力端子４１Ｔ）との間の一巡の電力経路のインダクタンスを略同等にすることができる。よって、電力変換装置１は、複数の半導体スイッチ４１０ｓ（スイッチモジュール４１０）の電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。また、複数のスイッチモジュール４２０についても同様である。そのため、電力変換装置１は、複数のスイッチモジュール４２０のそれぞれを通過する電力経路について、平滑回路２０と出力端子４０Ｔ（Ｖ相出力端子４２Ｔ）との間の一巡の電力経路のインダクタンスを略同等にすることができる。よって、電力変換装置１は、複数の半導体スイッチ４２０ｓ（スイッチモジュール４２０）の電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。また、複数のスイッチモジュール４３０についても同様である。そのため、電力変換装置１は、複数のスイッチモジュール４３０のそれぞれを通過する電力経路について、平滑回路２０と出力端子４０Ｔ（Ｗ相出力端子４３Ｔ）との間の一巡の電力経路のインダクタンスを略同等にすることができる。よって、電力変換装置１は、複数の半導体スイッチ４３０ｓ（スイッチモジュール４３０）のそれぞれの電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。

また、本実施形態（第２実施形態）では、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する電力経路ごとの長さが共通する部分の電流密度が略等しくなるように構成されてよい。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、それ以外の部分、即ち、それぞれの電力経路の長さの差に相当する部分の電流密度が、電力経路ごとに、正極側直流ブスバー４０Ｐ及び負極側直流ブスバー４０Ｎの電流密度と略等しくなるように構成されてよい。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１やＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１についても同様であってよい。

これにより，インバータ回路４０において、直流入力と交流入力の合流部との間の全ての経路ごとの経路全体に亘る電流密度を略等しくすることができる。

また、本実施形態（第２実施形態）では、平滑回路２０及びインバータ回路４０は、一の軸方向（Ｘ軸方向）に並べて配置されてよい。また、複数のスイッチモジュール４１０は、Ｘ軸方向に並べて配置されてよい。また、複数のスイッチモジュール４２０や複数のスイッチモジュール４３０についても同様であってよい。また、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれの上下のアームの接続点（交流出力端子４１０Ｏ）から上下方向（Ｚ軸方向）に延びるように設けられ、互いに略同じ長さ及び略同じ断面積を有する複数の脚部４１Ｏ１ａを含んでよい。また、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、複数の脚部４１Ｏ１ａ同士をＸ軸方向に延びるように連結する連結部４１Ｏ１ｂを含んでよい。また、連結部４１Ｏ１ｂは、Ｘ軸方向で平滑回路２０より離れている端部で出力端子４０Ｔ（Ｕ相出力端子４１Ｔ）までの配線（Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２）と接続されてよい。そして、連結部４１Ｏ１ｂは、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する電力経路ごとに、その電流密度が正極側直流ブスバー４０Ｐ及び負極側直流ブスバー４０Ｎの電流密度と略等しくなるように構成されてよい。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１やＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１についても同様であってよい。

これにより、インバータ回路４０において、具体的に、直流入力と交流出力の合流部との間の全ての電力経路の長さ及び電力経路ごとの経路全体に亘る電流密度を略同等にすることができる。

また、本実施形態（第２実施形態）では、複数のスイッチモジュール４１０は、一の軸方向（Ｘ軸方向）に並べられた２つのグループが、Ｘ軸方向と垂直な他の軸方向（Ｙ軸方向）に二列に並べて配置されてよい。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の連結部４１Ｏ１ｂは、複数の脚部４１Ｏ１ａ同士をＸ軸方向及びＹ軸方向に延びるように連結してよい。

これにより、インバータ回路４０において、具体的に、直流入力と交流出力の合流部との間の全ての電力経路の長さ及び電力経路ごとの経路全体に亘る電流密度を略同等にすることができる。

また、本実施形態（第３実施形態）では、電力変換装置１は、平滑回路２０と、インバータ回路４０と、出力端子４０Ｔとを含む。具体的には、インバータ回路４０は、複数の半導体スイッチ４１０ｓを含む上下のアームが直列接続されるスイッチモジュール４１０が、複数並列接続されると共に、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれの上下のアームの接続点（交流出力端子４１０Ｏ）同士が接続されることにより構成されるＵ相回路４１を含む。同様に、インバータ回路４０は、複数の半導体スイッチ４２０ｓを含む上下のアームが直列接続されるスイッチモジュール４２０が、複数並列接続されると共に、複数のスイッチモジュール４２０のそれぞれの上下のアームの接続点（交流出力端子４２０Ｏ）同士が接続されることにより構成されるＶ相回路４２を含む。同様に、インバータ回路４０は、複数の半導体スイッチ４３０ｓを含む上下のアームが直列接続されるスイッチモジュール４３０が、複数並列接続されると共に、複数のスイッチモジュール４３０のそれぞれの上下のアームの接続点（交流出力端子４３０Ｏ）同士が接続されることにより構成されるＷ相回路４３を含む。即ち，インバータ回路４０は、出力回路（Ｕ相回路４１、Ｖ相回路４２、及びＷ相回路４３）が複数相分並列接続されることにより構成されるブリッジ回路を含む。そして、インバータ回路４０は、平滑回路２０から入力される直流電力に基づき、所定の交流電力を出力する。また、出力端子４０Ｔは、インバータ回路４０からの所定の交流電力を外部に出力する。また、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４１０，４２０，４３０の正極側端子４１０Ｐ，４２０Ｐ，４３０Ｐ同士を接続する正極側直流ブスバー４０Ｐと、複数のスイッチモジュール４１０，４２０，４３０の負極側端子４１０Ｎ，４２０Ｎ，４３０Ｎ同士を接続する負極側直流ブスバー４０Ｎとを含む。また、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０Ｏ同士を接続するＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１を含む。また、正極側直流ブスバー４０Ｐ、負極側直流ブスバー４０Ｎ、及びＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、絶縁層４１Ｉ１，４１Ｉ２を介して積層されるラミネート構造を有する。同様に、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４２０の交流出力端子４２０Ｏ同士を接続するＶ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１を含む。また、正極側直流ブスバー４０Ｐ、負極側直流ブスバー４０Ｎ、及びＶ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、絶縁層４２Ｉ１，４２Ｉ２を介して積層されるラミネート構造を有する。同様に、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４３０の交流出力端子４３０Ｏ同士を接続するＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１を含む。また、正極側直流ブスバー４０Ｐ、負極側直流ブスバー４０Ｎ、及びＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、絶縁層４３Ｉ１，４３Ｉ２を介して積層されるラミネート構造を有する。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１と出力端子４０Ｔ（Ｕ相出力端子４１Ｔ）までの配線（Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２）との接続部は、複数のスイッチモジュール４１０に含まれる全てのアーム（半導体スイッチ４１０ｓ）のうちの平滑回路２０から最も離れている半導体スイッチ４１０ｓよりも平滑回路２０から離れた位置に設けられる。同様に、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１と出力端子４０Ｔ（Ｖ相出力端子４２Ｔ）までの配線との接続部は、複数のスイッチモジュール４２０に含まれる全てのアーム（半導体スイッチ４２０ｓ）のうちの平滑回路２０から最も離れている半導体スイッチ４２０ｓよりも平滑回路２０から離れた位置に設けられる。同様に、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１と出力端子４０Ｔ（Ｗ相出力端子４３Ｔ）までの配線との接続部は、複数のスイッチモジュール４３０に含まれる全てのアーム（半導体スイッチ４３０ｓ）のうちの平滑回路２０から最も離れている半導体スイッチ４３０ｓよりも平滑回路２０から離れた位置に設けられる。

これにより、インバータ回路４０のブスバーのラミネート構造化に伴い、インバータ回路４０の直流入力と交流入力の合流部との間の全ての電力経路の電流密度を略均一化することができる。その上で、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１とＵ相出力用ブスバー４１Ｏ２との間の接続部の配置に伴い、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれからの経路が合流する合流部が平滑回路２０から最も離れた半導体スイッチ４１０ｓ付近に設定される。即ち、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する、インバータ回路４０における直流入力と交流出力の合流部との間の全て電力経路の長さを略等しくすることができる。そのため、電力変換装置１は、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する、平滑回路２０と出力端子４０Ｔ（Ｕ相出力端子４１Ｔ）との間の一巡の電力経路のインダクタンスを全て略同等にすることができる。よって、電力変換装置１は、複数の半導体スイッチ４１０ｓ（スイッチモジュール４１０）の電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。また、複数のスイッチモジュール４２０についても同様である。そのため、電力変換装置１は、複数のスイッチモジュール４２０のそれぞれを通過する、平滑回路２０と出力端子４０Ｔ（Ｖ相出力端子４２Ｔ）との間の一巡の電力経路のインダクタンスを全て略同等にすることができる。よって、電力変換装置１は、複数の半導体スイッチ４２０ｓ（スイッチモジュール４２０）の電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。また、複数のスイッチモジュール４３０についても同様である。そのため、電力変換装置１は、複数のスイッチモジュール４３０のそれぞれを通過する、平滑回路２０と出力端子４０Ｔ（Ｗ相出力端子４３Ｔ）との間の一巡の電力経路のインダクタンスを全て略同等にすることができる。よって、電力変換装置１は、複数の半導体スイッチ４３０ｓ（スイッチモジュール４３０）の電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。

また、本実施形態（第３実施形態）では、平滑回路２０及びインバータ回路４０は、一の軸方向（Ｘ軸方向）に並べて配置されてよい。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１とＵ相出力用ブスバー４１Ｏ２との接続部は、Ｘ軸方向において、複数のスイッチモジュール４１０のうちの平滑回路２０から最も離れたスイッチモジュール４１０よりも平滑回路２０から離れた位置に配置されてよい。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１とＶ相出力用ブスバー４２Ｏ２との接続部やＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１とＷ相出力用ブスバー４３Ｏ２との接続部についても同様であってよい。

例えば、複数のスイッチモジュール４１０は、それぞれがＸ軸方向に並べられた２つのグループが、Ｘ軸方向と垂直な他の軸方向（Ｙ軸方向）に二列に並べて配置されてよい。また、複数のスイッチモジュール４２０や複数のスイッチモジュール４３０についても同様であってよい。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１とＵ相出力用ブスバー４１Ｏ２との接続部は、Ｘ軸方向において、２つのグループの平滑回路２０よりも離れた端部よりも離れた位置で、且つ、Ｙ軸方向において、２つのグループの略中央位置に配置されてよい。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１とＶ相出力用ブスバー４２Ｏ２との接続部やＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１とＷ相出力用ブスバー４３Ｏ２との接続部についても同様であってよい。

これにより、インバータ回路４０において、具体的に、直流入力と交流出力の合流部との間の電力経路の長さを略同等にすることができる。

また、本実施形態（第４実施形態）では、電力変換装置１は、平滑回路２０と、インバータ回路４０と、出力端子４０Ｔとを含む。具体的には、インバータ回路４０は、複数の半導体スイッチ４１０ｓを含む上下のアームが直列接続されるスイッチモジュール４１０が、複数並列接続されると共に、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれの上下のアームの接続点（交流出力端子４１０Ｏ）同士が接続されることにより構成されるＵ相回路４１を含む。同様に、インバータ回路４０は、複数の半導体スイッチ４２０ｓを含む上下のアームが直列接続されるスイッチモジュール４２０が、複数並列接続されると共に、複数のスイッチモジュール４２０のそれぞれの上下のアームの接続点（交流出力端子４２０Ｏ）同士が接続されることにより構成されるＶ相回路４２を含む。同様に、インバータ回路４０は、複数の半導体スイッチ４３０ｓを含む上下のアームが直列接続されるスイッチモジュール４３０が、複数並列接続されると共に、複数のスイッチモジュール４３０のそれぞれの上下のアームの接続点（交流出力端子４３０Ｏ）同士が接続されることにより構成されるＷ相回路４３を含む。即ち，インバータ回路４０は、出力回路（Ｕ相回路４１、Ｖ相回路４２、及びＷ相回路４３）が複数相分並列接続されることにより構成されるブリッジ回路を含む。そして、インバータ回路４０は、平滑回路２０から入力される直流電力に基づき、所定の交流電力を出力する。また、出力端子４０Ｔは、インバータ回路４０からの所定の交流電力を外部に出力する。また、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４１０，４２０，４３０の正極側端子４１０Ｐ，４２０Ｐ，４３０Ｐ同士を接続する正極側直流ブスバー４０Ｐと、複数のスイッチモジュール４１０，４２０，４３０の負極側端子４１０Ｎ，４２０Ｎ，４３０Ｎ同士を接続する負極側直流ブスバー４０Ｎとを含む。また、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４１０の交流出力端子４１０Ｏ同士を接続するＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１を含む。また、正極側直流ブスバー４０Ｐ、負極側直流ブスバー４０Ｎ、及びＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１は、絶縁層４１Ｉ１，４１Ｉ２を介して積層されるラミネート構造を有する。同様に、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４２０の交流出力端子４２０Ｏ同士を接続するＶ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１を含む。また、正極側直流ブスバー４０Ｐ、負極側直流ブスバー４０Ｎ、及びＶ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１は、絶縁層４２Ｉ１，４２Ｉ２を介して積層されるラミネート構造を有する。同様に、インバータ回路４０は、複数のスイッチモジュール４３０の交流出力端子４３０Ｏ同士を接続するＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１を含む。また、正極側直流ブスバー４０Ｐ、負極側直流ブスバー４０Ｎ、及びＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１は、絶縁層４３Ｉ１，４３Ｉ２を介して積層されるラミネート構造を有する。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１と出力端子４０Ｔ（Ｕ相出力端子４１Ｔ）までの配線（Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２）との接続部は、複数のスイッチモジュール４１０に含まれる全てのアーム（半導体スイッチ４１０ｓ）のうちの平滑回路２０に最も近い半導体スイッチ４１０ｓよりも平滑回路２０に近い位置に設けられる。同様に、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１と出力端子４０Ｔ（Ｖ相出力端子４２Ｔ）までの配線（Ｖ相出力用ブスバー４２Ｏ２）との接続部は、複数のスイッチモジュール４２０に含まれる全てのアーム（半導体スイッチ４２０ｓ）のうちの平滑回路２０に最も近い半導体スイッチ４２０ｓよりも平滑回路２０に近い位置に設けられる。同様に、Ｗ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１と出力端子４０Ｔ（Ｗ相出力端子４３Ｔ）までの配線（Ｗ相出力用ブスバー４３Ｏ２）との接続部は、複数のスイッチモジュール４３０に含まれる全てのアーム（半導体スイッチ４３０ｓ）のうちの平滑回路２０に最も近い半導体スイッチ４３０ｓよりも平滑回路２０に近い位置に設けられる。

これにより、インバータ回路４０のブスバーのラミネート構造化に伴い、インバータ回路４０の直流入力と交流入力の合流部との間の全ての電力経路の電流密度を略均一化することができる。その上で、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１とＵ相出力用ブスバー４１Ｏ２との間の接続部の配置に伴い、実空間上において、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐの電流の向きとＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の電流の向きとを逆向きにすることができる。同様に、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の電流の向きとＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎの電流の向きとを逆向きにすることができる。そのため、略同じ電流密度の電流が逆向きに流れることで、発生する磁界が相殺され、Ｕ相正極側直流ブスバー４１Ｐ、Ｕ相負極側直流ブスバー４１Ｎ、及びＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１のインダクタンスを低減し、非常に小さくすることができる。その結果、複数のスイッチモジュール４１０を通過する、直流入力と交流入力の合流部との間の全ての電力経路のインダクタンスの差が小さくなり、電力経路間のインダクタンスの均一化を図ることができる。そのため、電力変換装置１は、複数のスイッチモジュール４１０のそれぞれを通過する、平滑回路２０と出力端子４０Ｔ（Ｕ相出力端子４１Ｔ）との間の一巡の電力経路のインダクタンスの差異を抑制し、非常に小さくすることができる。よって、電力変換装置１は、複数の半導体スイッチ４１０ｓ（スイッチモジュール４１０）の電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。また、複数のスイッチモジュール４２０についても同様である。そのため、電力変換装置１は、複数のスイッチモジュール４２０のそれぞれを通過する、平滑回路２０と出力端子４０Ｔ（Ｖ相出力端子４２Ｔ）との間の一巡の電力経路のインダクタンスの差異を抑制し、非常に小さくすることができる。よって、電力変換装置１は、複数の半導体スイッチ４２０ｓ（スイッチモジュール４２０）の電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。また、複数のスイッチモジュール４３０についても同様である。そのため、電力変換装置１は、複数のスイッチモジュール４３０のそれぞれを通過する、平滑回路２０と出力端子４０Ｔ（Ｗ相出力端子４３Ｔ）との間の一巡の電力経路のインダクタンスの差異を抑制し、非常に小さくすることができる。よって、電力変換装置１は、複数の半導体スイッチ４３０ｓ（スイッチモジュール４３０）の電流のアンバランスを抑制し、電流の均一化を図ることができる。

また、本実施形態（第４実施形態）では、平滑回路２０及びインバータ回路４０は、一の軸方向（Ｘ軸方向）に並べて配置されてよい。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１とＵ相出力用ブスバー４１Ｏ２との接続部は、Ｘ軸方向において、複数のスイッチモジュール４１０のうちの平滑回路２０に最も近いスイッチモジュール４１０よりも平滑回路２０に近い位置に配置されてよい。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１とＶ相出力用ブスバー４２Ｏ２との接続部やＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１とＷ相出力用ブスバー４３Ｏ２との接続部についても同様であってよい。

例えば、複数のスイッチモジュール４１０は、上面視で、それぞれがＸ軸方向に並べられた２つのグループが、Ｘ軸方向と垂直な他の軸方向（Ｙ軸方向）に二列に並べて配置される。また、複数のスイッチモジュール４２０及び複数のスイッチモジュール４３０についても同様である。そして、Ｕ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１とＵ相出力端子４１Ｔまでの配線（Ｕ相出力用ブスバー４１Ｏ２）との接続部は、Ｘ軸方向において、２つのグループの平滑回路２０に近い端部よりも平滑回路２０に近い位置に配置されてよい。また、Ｖ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１とＶ相出力端子４２Ｔまでの配線（Ｖ相出力用ブスバー４２Ｏ２）との接続部、及びＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１とＷ相出力端子４３Ｔまでの配線（Ｗ相出力用ブスバー４３Ｏ２）との接続部についても同様である。

これにより、具体的に、実空間上におけるＵ相正極側直流ブスバー４１Ｐ及びＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１の電流の向き、並びにＵ相並列接続用ブスバー４１Ｏ１及びＵ相負極側直流ブスバー４１Ｎの電流の向きをそれぞれ逆向きにすることができる。同様に、実空間上におけるＶ相正極側直流ブスバー４２Ｐ及びＶ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１の電流の向き、並びにＶ相並列接続用ブスバー４２Ｏ１及びＶ相負極側直流ブスバー４２Ｎの電流の向きをそれぞれ逆向きにすることができる。同様に、実空間上におけるＷ相正極側直流ブスバー４３Ｐ及びＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１の電流の向き、並びにＷ相並列接続用ブスバー４３Ｏ１及びＷ相負極側直流ブスバー４３Ｎの電流の向きをそれぞれ逆向きにすることができる。

以上、実施形態について詳述したが、本開示はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１ 電力変換装置
１０ 整流回路
２０ 平滑回路
２０Ｉ１，２０Ｉ２ 絶縁層
２０Ｎ 負極側ブスバー
２０Ｐ 正極側ブスバー
２０ＰＮ ラミネートブスバー
２１ 平滑用コンデンサ
２１Ｐ 正極側端子
２１Ｎ 負極側端子
３０ ヒューズ
４０ インバータ回路
４０Ｎ 負極側直流ブスバー
４０Ｐ 正極側直流ブスバー
４０ＰＮ ラミネートブスバー
４０Ｔ 出力端子
４１ Ｕ相回路（出力回路）
４１Ｉ１，４１Ｉ２ 絶縁層
４１Ｎ Ｕ相負極側直流ブスバー
４１Ｏ Ｕ相交流ブスバー
４１Ｏ１ Ｕ相並列接続用ブスバー
４１Ｏ２ Ｕ相出力用ブスバー
４１Ｐ Ｕ相正極側直流ブスバー
４１ＰＮ，４１ＰＮＯ Ｕ相ラミネートブスバー
４１Ｔ Ｕ相出力端子
４２ Ｖ相回路（出力回路）
４２Ｉ１，４２Ｉ２ 絶縁層
４２Ｎ Ｖ相負極側直流ブスバー
４２Ｏ Ｖ相交流ブスバー
４２Ｏ１ Ｖ相並列接続用ブスバー
４２Ｏ２ Ｖ相出力用ブスバー
４２Ｐ Ｖ相正極側直流ブスバー
４２ＰＮ，４２ＰＮＯ Ｖ相ラミネートブスバー
４２Ｔ Ｖ相出力端子
４３ Ｗ相回路（出力回路）
４３Ｉ１，４３Ｉ２ 絶縁層
４３Ｎ Ｗ相負極側直流ブスバー
４３Ｏ Ｗ相交流ブスバー
４３Ｏ１ Ｗ相並列接続用ブスバー
４３Ｏ２ Ｗ相出力用ブスバー
４３Ｐ Ｗ相正極側直流ブスバー
４３ＰＮ，４３ＰＮＯ Ｗ相ラミネートブスバー
４３Ｔ Ｗ相出力端子
４１０～４１６ スイッチモジュール（スイッチレグ）
４１０Ｎ～４１６Ｎ 負極側端子
４１０Ｏ～４１６Ｏ 交流出力端子（接続点）
４１０Ｐ～４１６Ｐ 正極側端子
４１０ｓ，４１１ｓ１～４１６ｓ１，４１１ｓ２～４１６ｓ２ 半導体スイッチ
４１１ｄ１～４１６ｄ１，４１１ｄ２～４１６ｄ２ 環流ダイオード
４２０～４２６ スイッチモジュール（スイッチレグ）
４２０Ｎ～４２６Ｎ 負極側端子
４２０Ｏ～４２６Ｏ 交流出力端子（接続点）
４２０Ｐ～４２６Ｐ 正極側端子
４２０ｓ，４２１ｓ１～４２６ｓ１，４２１ｓ２～４２６ｓ２ 半導体スイッチ
４２１ｄ１～４２６ｄ１，４２１ｄ２～４２６ｄ２ 環流ダイオード
４３０～４３６ スイッチモジュール（スイッチレグ）
４３０Ｎ～４３６Ｎ 負極側端子
４３０Ｏ～４３６Ｏ 交流出力端子（接続点）
４３０Ｐ～４３６Ｐ 正極側端子
４３０ｓ，４３１ｓ１～４３６ｓ１，４３１ｓ２～４３６ｓ２ 半導体スイッチ
４３１ｄ１～４３６ｄ１，４３１ｄ２～４３６ｄ２ 環流ダイオード

Claims (3)

1. 平滑回路と、
   複数の半導体スイッチを含む上下のアームが直列接続されるスイッチレグが、複数並列接続されると共に、複数の前記スイッチレグのそれぞれの前記上下のアームの接続点同士が接続される出力回路が複数相分並列接続されることにより構成されるブリッジ回路を含み、前記平滑回路から入力される直流電力に基づき、所定の交流電力を出力するインバータ回路と、
   前記所定の交流電力を外部に出力する出力端子と、を備え、
   前記インバータ回路は、複数の前記スイッチレグの正極側端子同士を接続する正極側直流ブスバーと、複数の前記スイッチレグの負極側端子同士を接続する負極側直流ブスバーと、複数の前記スイッチレグのそれぞれの前記上下のアームの接続点同士を接続する並列接続用ブスバーと、を含み、
   前記正極側直流ブスバー、前記負極側直流ブスバー、及び前記並列接続用ブスバーは、絶縁層を介して積層されるラミネート構造を有し、
   前記並列接続用ブスバーと前記出力端子までの配線との接続部は、複数の前記スイッチレグに含まれる全ての前記アームのうちの前記平滑回路から最も離れている前記アームよりも前記平滑回路から離れた位置に設けられる、
   電力変換装置。
2. 前記平滑回路及び前記インバータ回路は、一の軸方向に並べて配置され、
   複数の前記スイッチレグは、前記一の軸方向に並べて配置され、
   前記接続部は、前記一の軸方向において、前記複数の前記スイッチレグのうちの前記平滑回路から最も離れた前記スイッチレグよりも前記平滑回路から離れた位置に配置される、
   請求項１に記載の電力変換装置。
3. 複数の前記スイッチレグは、それぞれが前記一の軸方向に並べられた２つのグループが、前記一の軸方向と垂直な他の軸方向に二列に並べて配置され、
   前記接続部は、前記一の軸方向において、前記２つのグループの前記平滑回路から離れた端部よりも前記平滑回路から離れた位置で、且つ、前記他の軸方向において、前記２つのグループの略中央位置に配置される、
   請求項２に記載の電力変換装置。

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