JP7486121B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
[1] 第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面と、前記第1面と前記第2面との間に位置する側面と、前記側面の少なくとも一部に設けられた傾斜面と、前記傾斜面に隣接する位置にある第1領域と、前記第1領域よりも前記傾斜面から平面視で離れた位置にある第2領域とを含む半導体膜で、前記第1領域の転位密度が前記第2領域の転位密度よりも低く、さらに、整流接合界面を有する半導体膜を備える、半導体装置。
[2] 前記整流接合界面において、第1の半導体層としての前記半導体膜と接合された第2の半導体層をさらに有し、前記第1の半導体層が第1の電気導電型を有し、前記第2の半導体層が前記第1の電気導電型と異なる第2の電気導電型を有する、前記[1]記載の半導体装置。
[3] 前記第1の半導体層の不純物濃度が、前記第2の半導体層の不純物濃度よりも低い、前記[2]記載の半導体装置。
[4] 前記整流接合界面において、前記半導体膜と接合されたショットキー電極をさらに有する、前記[1]記載の半導体装置。
[5] 前記整流接合界面の端部が前記傾斜面に隣設している前記[1]~[4]のいずれかに記載の半導体装置。
[6] 前記第1領域が、横方向成長した結晶を含む前記[1]~[5]のいずれかに記載の半導体装置。
[7] 前記半導体膜が、ガリウムを少なくとも含む前記[1]~[6]のいずれかに記載の半導体装置。
[8] 前記半導体膜が、結晶性金属酸化物を主成分として含む前記[1]~[7]のいずれかに記載の半導体装置。
[9] 前記半導体膜が結晶性酸化ガリウムまたは酸化ガリウムの混晶を含む、前記[1]~[8]のいずれかに記載の半導体装置。
[10] 前記半導体膜がコランダム構造を有する、前記[1]~[9]のいずれかに記載の半導体装置。
[11] 前記半導体膜の前記第1面が、前記整流接合界面側に位置しており、前記半導体膜の前記傾斜面が、前記半導体膜の前記第1面から前記半導体膜の前記第2面に向かって膜厚が増加する傾斜面である前記[1]~[10]のいずれかに記載の半導体装置。
[12] 前記半導体膜の前記傾斜面と前記整流接合界面とのなす角である傾斜角が20°以上70°以下である前記[11]記載の半導体装置。
[13] 第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面と、前記第1面と前記第2面との間に位置する側面と、前記側面の少なくとも一部に設けられた傾斜面と、前記傾斜面に隣接する位置にある第1領域と、前記第1領域よりも前記傾斜面から平面視で離れた位置にある第2領域とを含む半導体膜で、前記第1領域の転位密度が前記第2領域の転位密度よりも低い、半導体装置。
[14] さらに、前記半導体膜よりも電気抵抗率の高い高抵抗層を有しており、前記半導体膜の側面の少なくとも一部が直接または他の層を介して前記高抵抗層に接触している、前記[1]~[13]のいずれかに記載の半導体装置。
[15] 半導体装置を少なくとも備える半導体システムであって、前記半導体装置が、前記[1]~[14]のいずれかに記載の半導体装置である半導体システム。
上記のような構造とすることで、正ベベル構造においてリーク電流を抑制し、ショットキー電極の終端部での電界集中を効果的に抑制することができる。また、本実施態様においては、半導体層64の第2面64bと、半導体層64よりも絶縁性の高い非導電層62の第2面62bとが面一である。また、前記半導体層64の第1面64aと、前記半導体層64よりも絶縁性の高い高抵抗層62の第1面62aとが面一となっており、平坦面にショットキー電極65を配置することができて、ショットキー電極の終端部での電界集中を抑制し、かつ半導体装置の薄型化につながる構造を有している。本実施態様において、前記半導体層64は、例えば、n-型半導体層であり、半導体装置100は、さらに、n-型半導体層64の第2面64bに接触して配置されたn+型半導体層61と、n+型半導体層61に接触して配置された第2の電極66(ここではオーミック電極)を有している。本発明の実施態様における半導体装置は、縦型のショットキーバリアダイオード(SBD)である。なお、「整流接合界面」とは、整流作用を有する接合界面であれば、特に限定されない。本発明の実施態様においては、前記整流接合が、ショットキー接合またはPN接合であるのが好ましい。
前記金属源は、金属を含んでおり、ガス化が可能なものであれば、特に限定されず、金属単体であってもよいし、金属化合物であってもよい。前記金属としては、例えば、ガリウム、アルミニウム、インジウム、鉄、クロム、バナジウム、チタン、ロジウム、ニッケル、コバルトおよびイリジウム等から選ばれる1種または2種以上の金属等が挙げられる。本発明においては、前記金属が、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる1種または2種以上の金属であるのが好ましく、ガリウムであるのがより好ましく、前記金属源が、ガリウム単体であるのが最も好ましい。また、前記金属源は、気体であってもよいし、液体であってもよいし、固体であってもよいが、本発明においては、例えば、前記金属としてガリウムを用いる場合には、前記金属源が液体であるのが好ましい。
前記基体は、マスクおよび/または前記半導体膜を支持できるものであれば特に限定されない。前記基体の材料も、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の基体であってよく、有機化合物であってもよいし、無機化合物であってもよい。前記基体の形状としては、どのような形状のものであってもよく、あらゆる形状に対して有効であり、例えば、平板や円板等の板状、繊維状、棒状、円柱状、角柱状、筒状、螺旋状、球状、リング状などが挙げられるが、本発明の実施態様の一つにおいては、基板が好ましい。また、本発明の別の実施態様においては、基体が結晶層を含むのも好ましい。前記結晶層が半導体層であってもよい。例えば、図14に示すように、基体11が基板16と、前記基板16上に形成された結晶層(半導体層を含む)17を有していてもよい。基板の厚さは、本発明においては特に限定されない。また、基体として、後述するように、基板上にバッファ層等の他の層を積層してもよい。異なる電気導電を有する半導体層を含めて基体として用いてもよく、基体自体が半導体層であってもよい。例えば図15に示すように、基体11が基板16と、前記基板16上に配置された結晶層17(例えば、n+型半導体層のような半導体層であってもよい)と、前記結晶層17上に配置されたさらに別の結晶層18(例えば、n-型半導体層のような半導体層であってもよい)とを含んでいてもよい。この場合、図16に示すように、基体11の一部として半導体層18を形成した後に、基体11の第1面11aとなる前記半導体層18上に、マスク層を配置する。次に、エッチングにより、マスク層の一部を除去して、傾斜面12cを有する開口部12dを形成し、基体11の第1面11aとなる半導体層18を開口部12d内に露出させ、前記半導体層18と同じ半導体材料で半導体膜14を続けて成長させることもできる。このように、基体11の一部である前記半導体層18から同じ材料を用いて半導体膜14をエピタキシャル成長させることで、半導体膜内に少なくとも一部が埋設された傾斜面を有するマスクを配置し、かつ半導体膜の少なくとも一部に、前記マスク12(非導電層)の傾斜面と係合するベベル構造を有する半導体膜を含む半導体装置を容易に得ることが出来る。例えば、図20で示すように、非導電層62の少なくとも傾斜面62cと第2面62bが半導体層64内に埋設されて、前記非導電層62の傾斜面62cと係合する傾斜面64cを有する半導体層64を含む半導体装置400を得ることもできる。また、本実施態様のように、基体11の第1面11aに位置する層と、第1面11aの反対側の第2面11bに位置する層が互いに組成の異なる結晶層および/または半導体層であってもよい。本発明の実施態様の一つとして、前記マスク12の開口部12の側面の少なくとも一部に傾斜面が配置されるように開口部を形成してもよいし、別の実施態様として、マスク層の開口部の側面全体に環状の傾斜面が配置されるようにマスク層の開口部を形成してもよい。
前記基体が結晶基板を含む場合あるいは前記基体が結晶基板である場合、前記結晶基板は、結晶物を主成分として含む基板であれば特に限定されず、公知の基板であってよい。絶縁体基板であってもよいし、導電性基板であってもよいし、半導体基板であってもよい。単結晶基板であってもよいし、多結晶基板であってもよい。前記結晶基板としては、例えば、SiC基板、GaN基板、コランダム構造を有する結晶物を主成分として含む基板、またはβ-ガリア構造を有する結晶物を主成分として含む基板、六方晶構造を有する基板などが挙げられる。なお、前記「主成分」とは、基板中の組成比で、前記結晶物を50%以上含むものをいい、好ましくは70%以上含むものであり、より好ましくは90%以上含むものである。
図3(b)は、例えば、図1のIIIb-IIIb部分の断面を示す。前記マスク12の前記開口部12dが前記マスク12の第1面12aから反対側の第2面12bまで貫通しており、前記マスク12の前記第1面12aよりも前記マスク12の前記第2面12bが前記基体11の前記第1面11aに近い位置にある。半導体膜の研削などの加工に比べて、マスク層の厚膜形成および加工は短時間で容易に行うことができ、マスクに平滑な傾斜面を得ることも容易である。本発明の実施態様における傾斜面を有するマスクは、半導体膜および/または積層構造体の端部にベベル構造を形成することを目的の1つとして用いられるので、半導体膜の厚みと同じ厚みか、それ以上の厚みを有する。したがって、前記傾斜面が形成されるマスクの厚みは少なくとも1μm以上が好ましく、1μm以上100μm以下であるのが好ましい。さらに別の実施態様として、基体11の第1面11a上に、マスク12として、マスク層を形成し、前記傾斜面12cを有する開口部12dを形成した後、さらに図3(c)で示すように、マスク12を第1のマスクとして、第1のマスクの高さの半分以下の高さで、開口部の大きさよりも表面積の小さい凸状の第2のマスク12’を前記開口部12d内の基体11の第1面11a上に配置することもできる。このようにして、基体11の第1面11aから第2のマスク12’上に横方向成長を含めて半導体膜14をエピタキシャル成長させて、さらに、第1のマスク12の傾斜面12c上に横方向成長を含めて半導体膜14をエピタキシャル成長させることにより、端部に傾斜面を有し、かつ転位のより少ない半導体膜14を得ることもできる。前記傾斜面は、半導体膜の周端部に環状に形成することができるので、ベベル構造を有する半導体装置を容易に製造することができる。なお、本発明の実施態様においては、開口部12dの形状は、平面視で角部のない形状が好ましい。図2に示すように、開口部12dの形状が、平面視で角丸正方形としてもよい。なお、本実施態様においては、前記マスク12の開口部12dが平面視で円形であり、前記開口部12d内の前記マスク12の側面が、平面視で、基体11の第1面11aに向かって、前記開口部12dの中心に近づく方向に傾斜する傾斜面12cとなっている。前記開口部12dの断面図においては、前記マスク12の傾斜面12cは、前記マスクの前記第1面から前記マスクの前記第2面に向かって厚みが減少するテーパ形状を有している。前記マスク12の前記第1面12aと前記第2面12bは平行であって、前記マスク12の前記第2面12bは、前記マスク12の第1面12aよりも面積が大きい。前記傾斜面12cを有するマスク12が配置された基体11上に、半導体膜14を成長させることで、周端部に環状の傾斜面を有する半導体膜14を、例えば、平面視で円形状に形成することができる。本発明の実施態様における製造方法によれば、例えば、図17で示すような半導体装置100を容易に得ることができる。半導体装置100は、平坦な第1面64aと、前記第1面64aの反対側で、前記第1面64aよりも面積の小さい第2面64bと、前記第1面64aと前記第2面64bとの間に位置する端部に傾斜面64cを有する半導体膜64を有している。前記半導体膜64の第1面64a側に、第1の電極65としてショットキー電極を配置し、第2面64b側に第2の電極としてオーミック電極66を配置することもできる。また、本発明の実施態様における半導体装置の製造方法において、前記結晶層61上にマスクを配置して、端部に傾斜面を有する半導体層(例えば、n+型半導体層)をエピタキシャル成長させることもできる。前記n+半導体層上に、前記n+型半導体層の傾斜面に連続する傾斜面を有する半導体膜64(例えば、n-型半導体層)をエピタキシャル成長させれば、積層構造体の端部に正ベベル構造を有する半導体装置であるショットキーバリアダイオード(SBD)を容易に得ることができる。また、本発明の実施態様における製造方法によれば、例えば、図18で示すような半導体装置200を容易に得ることができる。半導体装置200は、第1面64aと、前記第1面64aの反対側で、前記第1面64aよりも面積の小さい第2面64bと、前記第1面64aと前記第2面64bとの間に位置する端部に傾斜面64cを有する第1の半導体膜64と、前記第1の半導体膜64の前記第1面64a上に配置された、第1の半導体膜64とは電気導電の異なる第2の半導体膜67とを少なくとも有している。前記第2の半導体膜67は、第1面67aと、前記第1の半導体膜64の第1面64aに接触して配置される第2面67bと、前記第1面67aと前記第2面67bとの間に位置する傾斜面67cとを有している。なお、前記第1の半導体膜64の第1面64aと前記傾斜面64cのなす傾斜角64eが、10°<傾斜角64e<90°の範囲にあるのが好ましく、傾斜角64eが70°以下であるのがより好ましく、20°以上70°以下であるのが最も好ましい。前記第2の半導体膜67の第1面67aと前記傾斜面67cのなす傾斜角67eは、前記第1の半導体膜64の第1面64aと前記傾斜面64cのなす傾斜角64eと角度が等しい。前記第1の半導体膜64の傾斜面64cから前記第2の半導体膜67の傾斜面67cへと連続する傾斜面が形成され、複数の半導体層の端部(周端面を含む)に正ベベル構造を有する半導体装置が得られる。なお、ここで「正ベベル構造」を有する半導体装置とは、半導体膜および/または2以上の半導体膜を含む積層構造体の端部での断面積が、空乏層が広がる側に向かって小さくなっていく構造をいう。また、整流接合界面と低不純物濃度層の端面とのなす角が鋭角となる構造を言う。例えば、半導体装置が、図17のような縦型のSBDの場合には、前記整流接合界面は、ショットキー電極とn-半導体層との接合(ショットキー接合)界面となり、低不純物層の端面がn-半導体層の端面となる。この場合、ショットキー電極側からオーミック電極側に向かう方向に、前記ショットキー電極に平行な半導体膜の断面積が小さくなっていく構造を含む。半導体膜および/または2以上の半導体膜の積層構造体が逆円垂台のような形状となる場合も含む。また、図18のようなpn接合を含む半導体装置が「正ベベル構造」を有する場合には、前記整流接合界面はpn接合界面となり、pn接合界面と低不純物層の端面との角度が90°未満のものをいい、本発明の実施態様においては、pn接合界面と低不純物層の端面との角度が20°以上70°以下の範囲にあるのが好ましい。本発明の実施態様の一つとして、半導体装置が、高不純物層となるp型半導体層と、p型半導体層上に積層された低不純物層となるn型半導体層を含んでいてもよい。また、本発明の別の実施態様として、半導体装置が、高不純物層となるn型半導体層と、n型半導体層上に積層された低不純物層となるp型半導体層を含んでいてもよい。
前記半導体膜が第1面14aと、前記第1面14aの反対側の第2面14bと、前記第1面14aと前記第2面14bとの間に位置する傾斜面14cとを有し、前記マスク12が第1面12aと、前記第1面12aの反対側の第2面12bと、前記第1面12aと第2面12bとの間に位置する傾斜面12cを含む側面と、を有しており、さらに、前記半導体膜14の第1面14aを、前記マスク12の第1面12aよりも低い位置に形成することができる。なお、図7で示すように、前記半導体膜14をn-型半導体としてエピタキシャル成長した後に、前記半導体膜14の第1面14a上に、p型半導体膜9をエピタキシャル成長させることもできる。前記p型半導体膜9の第1面9aと、前記マスク12の第1面12aを同じ高さになるように、前記p型半導体膜9を形成することもできる。このように、本発明の実施態様における製造方法によれば、図18で示すように、導電型の異なる半導体層の積層構造体の周端部において、ベベル構造を有する半導体装置を容易に形成することができる。また、本発明の実施態様によれば、通常、電界が集中する傾向にある半導体膜の端部にベベル構造を得ることができ、さらに半導体膜の中心部よりもベベル構造のある端部付近において、横方向成長でより転位の少ない半導体結晶が得られることから、半導体特性の向上につながる。なお、後述するが、基体11を準備する際に、基板1上に凸凹を設けてバッファ層などの結晶層を形成することで、横方向成長した結晶を含む基体を用いて半導体膜を形成することもできる。半導体膜の形成に2回以上の横方向成長を含む結晶形成の工程を組み込むことで、半導体膜の中心部においても、ベベル構造のある端部付近と同等に転位の少ない半導体膜を形成することができ、より絶縁破壊強度の高い半導体装置を得ることができる。
本実施態態様においては、前記半導体膜14aと前記マスク12の傾斜面が密着している。この場合、図11で示すように、前記半導体膜14の第1面14aの少なくとも一部と前記マスク12の第1面12aの少なくとも一部を覆って電極15を形成するが、前記半導体膜14の第1面14aと前記マスク12の第1面12aからなる平坦面上に電極15を形成することができ、電極の形成が容易になるだけでなく、半導体膜の端部にベベル構造を有しながら、半導体装置の平坦化、薄型化が可能となる。なお、電極の端部15cを、半導体膜よりも電気絶縁性の高いマスク12上に位置するように形成することで、電極端部の電界集中を避けることができる。
霧化工程は、前記原料溶液を霧化して霧化液滴を得る。前記原料溶液の霧化方法は、前記原料溶液を霧化できさえすれば特に限定されず、公知の手段であってよいが、本発明においては、超音波を用いる霧化方法が好ましい。超音波を用いて得られた霧化液滴は、初速度がゼロであり、空中に浮遊するので好ましく、例えば、スプレーのように吹き付けるのではなく、空間に浮遊してガスとして搬送することが可能なミストであるので衝突エネルギーによる損傷がないため、非常に好適である。液滴サイズは、特に限定されず、数mm程度の液滴であってもよいが、好ましくは50μm以下であり、より好ましくは0.1~10μmである。
前記原料溶液は、ミストCVDにより、前記バッファ層、結晶層、および/または半導体層が得られる溶液であれば特に限定されない。前記原料溶液としては、例えば、霧化用金属の有機金属錯体(例えばアセチルアセトナート錯体等)やハロゲン化物(例えばフッ化物、塩化物、臭化物またはヨウ化物等)の水溶液などが挙げられる。前記霧化用金属は、特に限定されず、このような霧化用金属としては、例えば、アルミニウム、ガリウム、インジウム、鉄、クロム、バナジウム、チタン、ロジウム、ニッケル、コバルトおよびイリジウム等から選ばれる1種または2種以上の金属等が挙げられる。本発明においては、前記霧化用金属が、ガリウム、インジウムまたはアルミニウムを少なくとも含むのが好ましく、ガリウムを少なくとも含むのがより好ましい。原料溶液中の霧化用金属の含有量は、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されないが、好ましくは、0.001モル%~50モル%であり、より好ましくは0.01モル%~50モル%である。
搬送工程では、キャリアガスでもって前記霧化液滴を成膜室内に搬送する。前記キャリアガスは、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、例えば、酸素、オゾン、窒素やアルゴン等の不活性ガス、または水素ガスやフォーミングガス等の還元ガスが好適な例として挙げられる。また、キャリアガスの種類は1種類であってよいが、2種類以上であってもよく、流量を下げた希釈ガス(例えば10倍希釈ガス等)などを、第2のキャリアガスとしてさらに用いてもよい。また、キャリアガスの供給箇所も1箇所だけでなく、2箇所以上あってもよい。キャリアガスの流量は、特に限定されないが、0.01~20L/分であるのが好ましく、1~10L/分であるのがより好ましい。希釈ガスの場合には、希釈ガスの流量が、0.001~2L/分であるのが好ましく、0.1~1L/分であるのがより好ましい。
バッファ層、結晶層および/または半導体層(以下、結晶層ともいう)の形成工程では、成膜室内で前記ミストまたは液滴を熱反応させることによって、基板上に、前記結晶層を形成する。熱反応は、熱でもって前記ミストまたは液滴が反応すればそれでよく、反応条件等も本発明の目的を阻害しない限り特に限定されない。本工程においては、前記熱反応を、通常、溶媒の蒸発温度以上の温度で行うが、高すぎない温度(例えば1000℃)以下が好ましく、650℃以下がより好ましく、400℃~650℃が最も好ましい。また、熱反応は、本発明の目的を阻害しない限り、真空下、非酸素雰囲気下、還元ガス雰囲気下および酸素雰囲気下のいずれの雰囲気下で行われてもよく、また、大気圧下、加圧下および減圧下のいずれの条件下で行われてもよいが、本発明においては、大気圧下で行われるのが好ましい。なお、結晶層の厚みは、形成時間を調整することにより、設定することができる。
1.基体の準備(バッファ層の形成)
1-1.ミストCVD装置
図9を用いて、本実施例で用いたミストCVD装置19を説明する。ミストCVD装置19は、キャリアガスを供給するキャリアガス供給源22aと、キャリアガス供給源22aから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁23aと、キャリアガス(希釈)を供給するキャリアガス(希釈)源22bと、キャリアガス(希釈)源22bから送り出されるキャリアガス(希釈)の流量を調節するための流量調節弁23bと、原料溶液24aが収容されるミスト発生源24と、水25aが入れられる容器25と、容器25の底面に取り付けられた超音波振動子26と、成膜室30と、ミスト発生源24から成膜室30までをつなぐ石英製の供給管27と、成膜室30内に設置されたホットプレート28と、排気口29とを備えている。ホットプレート28上には、成膜する対象物(被成膜対象物)20が設置される。
ガリウムアセチルアセトナートを超純水に混合し、ガリウムアセチルアセトナート0.05モル/Lとなるように水溶液を調整し、この際、臭化水素酸を体積比で5%含有させ、これを原料溶液とした。
上記1-2.で得られた原料溶液24aをミスト発生源24内に収容した。次に、被成膜対象物20としてサファイア基板をホットプレート28上に設置させ、ホットプレート28を作動させて被成膜対象物の温度を550℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁23aおよび23bを開いてキャリアガス源22aおよびキャリアガス(希釈)源22bからキャリアガスを成膜室30内に供給し、成膜室30の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を0.8L/min、キャリアガス(希釈)の流量を0.2L/minにそれぞれ調節した。なお、キャリアガスとして酸素を用いた。
次に、超音波振動子26を2.4MHzで振動させ、その振動を、水25aを通じて原料溶液24aに伝播させることによって、原料溶液24aを微粒子化させて原料微粒子を生成した。この原料微粒子が、キャリアガスによって成膜室30内に導入され、550℃にて、成膜室30内で反応して、基板20上にバッファ層(コランダム構造を有するGa2O3バッファ層)を形成して基体とした。なお、成膜時間は10分で膜厚は0.1μmであった。
2-1.マスク層の形成
上記1-4.で得られたバッファ層上に、プラズマ強化CVD法により、液体オルトケイ酸テトラエチルを用いて酸化ケイ素(SiO2)のマスク層を形成した。マスク層の膜厚は1.3μmであった。
2-2.フォトレジスト層の形成
上記2-1.で得られたマスク層の少なくとも一部に、フォトリソグラフィーにより、フォトレジスト層を形成した。
2-3.傾斜面を有するマスクの形成
上記2-2.で得られたフォトレジスト層を有するSiO2マスク層に、室温でバッファードフッ酸(BHF)を用いて開口部を形成した。等方性ウェットエッチングのアンダーカットにより、端部に傾斜面を有するマスク層の開口部が形成された。基体と接するマスク層の面と傾斜面とのなす角(傾斜角)を29°に形成して、傾斜面を有するマスクが配置された基体を得た。
3-1.成膜装置
本発明の実施態様における成膜装置として、エピタキシャル成長させることが可能な装置を用いることができるが、そのような装置の一例として、図9で示されるミストCVD装置を用いた。
臭化ガリウムを超純水に混合し、ガリウム0.05mol/Lとなるように水溶液を調整し、この際、さらに臭化水素酸を体積比で20%となるように含有させ、これを原料溶液とした。
上記3-2.で得られた原料溶液24aをミスト発生源24内に収容した。次に、2-3.で得た傾斜面を有するマスクが配置された基体を被成膜対象物20として、ホットプレート28上に設置して、基体の温度を630℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁23aおよび23bを開いてキャリアガス源22aおよびキャリアガス(希釈)源22bからキャリアガスを成膜室30内に供給し、成膜室30の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を0.8L/min、キャリアガス(希釈)の流量を0.2L/minにそれぞれ調節した。なお、キャリアガスとして窒素を用いた。
次に、超音波振動子26を2.4MHzで振動させ、その振動を、水25aを通じて原料溶液24aに伝播させることによって、原料溶液24aを微粒子化させて原料微粒子を生成した。この原料微粒子が、キャリアガスによって成膜室30内に導入され、630℃にて、成膜室30内で反応して、前記2-3で得られた、傾斜面を有するマスクが配置された基体20上に半導体膜を形成した。なお、成膜時間は3.5時間であった。
上記3-4.にて得られた半導体膜は、クラックや異常成長もなく、きれいな膜であった。得られた膜につき、薄膜用XRD回折装置を用いて、15度から95度の角度で2θ/ωスキャンを行うことによって、膜の同定を行った。測定は、CuKα線を用いて行った。その結果、得られた膜は、α―Ga2O3であった。また、図10に示すとおり、α―Ga2O3の半導体膜の端部に傾斜面が形成されている。なお、SiO2および半導体膜上のPt皮膜は、観察を容易にする目的で設けたものである。このSiO2および半導体膜上に、P型半導体層またはショットキー電極を形成することで、本発明の実施態様における整流接合を有する半導体装置を得ることができる。また、半導体膜の端部付近となる領域が横方向に成長した結晶を含んでおり、正ベベル構造を形成した端部付近において転位のより少ない半導体膜が得られることが分かった。
1 基板
1a 基板の表面
2a 凸部
2b 凹部
9 p型半導体膜
9a p型半導体膜の第1面
9b p型半導体膜の第2面
11 基体
11a 基体の第1面
11b 基体の第2面
12 マスク
12a マスクの第1面
12b マスクの第2面
12c マスクの傾斜面
12d マスクの開口部
12e マスクの傾斜角
12’ 第2のマスク
13 保護膜
14 半導体膜
14a 半導体膜の第1面
14b 半導体膜の第2面
14c 半導体膜の傾斜面
15 電極
15c 電極15の端部
16 基板
17 結晶層
18 結晶層
19 ミストCVD装置
20 被成膜対象物
21 試料台
22a キャリアガス源
22b キャリアガス(希釈)源
23a 流量調節弁
23b 流量調節弁
24 ミスト発生源
24a 原料溶液
25 容器
25a 水
26 超音波振動子
27 供給管
28 ホットプレート
30 成膜室
50 ハライド気相成長(HVPE)装置
51 反応室
52a ヒータ
52b ヒータ
53a 金属含有原料ガス供給源
53b 金属含有原料ガス供給管
54a 反応性ガス供給源
54b 反応性ガス供給管
55a 酸素含有原料ガス供給源
55b 酸素含有原料ガス供給管
56 基板ホルダ
57 金属源
58 保護シート
59 ガス排出部
61 結晶層
62 高抵抗層
62a 高抵抗層62の第1面
62b 高抵抗層62の第2面
62c 高抵抗層62の傾斜面
63 保護膜
64 半導体膜
64a 半導体膜の第1面
64b 半導体膜の第2面
64c 半導体膜の傾斜面
64e 半導体膜の第1面64aと傾斜面64cのなす傾斜角
64f 半導体膜の第1領域
64g 半導体膜の第2領域
65 第1の電極
65c 第1の電極の端部
66 第2の電極
67 第2の半導体層
67a 第2の半導体層の第1面
67b 第2の半導体層の第2面
67c 第2の半導体層の傾斜面
67e 第2の半導体層67の第1面67aと前記傾斜面67cのなす傾斜角
67f 第2の半導体層の第1領域
67g 第2の半導体層の第2領域
90 整流接合界面
100 半導体装置
100 半導体装置
170 電源システム
171 電源装置
172 電源装置
173 制御回路
180 システム装置
181 電子回路
182 電源システム
192 インバータ
193 トランス
194 MOSFET
195 DCL
196 PWM制御回路
197 電圧比較器
200 半導体装置
300 半導体装置
400 半導体装置
Claims (15)
- 第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面と、前記第1面と前記第2面との間に位置する側面と、前記側面の少なくとも一部に設けられた傾斜面と、前記傾斜面に隣接する位置にある第1領域と、前記第1領域よりも前記傾斜面から平面視で離れた位置にある第2領域とを含む半導体膜で、前記第1領域の転位密度が前記第2領域の転位密度よりも低く、さらに、整流接合界面を有する半導体膜を備える、半導体装置。
- 前記整流接合界面において、第1の半導体層としての前記半導体膜と接合された第2の半導体層をさらに有し、前記第1の半導体層が第1の電気導電型を有し、前記第2の半導体層が前記第1の電気導電型と異なる第2の電気導電型を有する、請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体層の不純物濃度が、前記第2の半導体層の不純物濃度よりも低い、請求項2記載の半導体装置。
- 前記整流接合界面において、前記半導体膜と接合されたショットキー電極をさらに有する、請求項1記載の半導体装置。
- 前記整流接合界面の端部が前記傾斜面に隣設している請求項1~4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1領域が、横方向成長した結晶を含む請求項1~5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体膜が、ガリウムを少なくとも含む請求項1~6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体膜が、結晶性金属酸化物を主成分として含む請求項1~7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体膜が結晶性酸化ガリウムまたは酸化ガリウムの混晶を含む、請求項1~8のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体膜がコランダム構造を有する、請求項1~9のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体膜の前記第1面が、前記整流接合界面側に位置しており、前記半導体膜の前記傾斜面が、前記半導体膜の前記第1面から前記半導体膜の前記第2面に向かって膜厚が増加する傾斜面である請求項1~10のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体膜の前記傾斜面と前記整流接合界面とのなす角である傾斜角が20°以上70°以下である請求項11記載の半導体装置。
- 第1面と、前記第1面の反対側に位置する第2面と、前記第1面と前記第2面との間に位置する側面と、前記側面の少なくとも一部に設けられた傾斜面と、前記傾斜面に隣接する位置にある第1領域と、前記第1領域よりも前記傾斜面から平面視で離れた位置にある第2領域とを含む半導体膜で、前記第1領域の転位密度が前記第2領域の転位密度よりも低い、半導体装置。
- さらに、前記半導体膜よりも電気抵抗率の高い高抵抗層を有しており、前記半導体膜の側面の少なくとも一部が直接または他の層を介して前記高抵抗層に接触している、請求項1~13のいずれかに記載の半導体装置。
- 半導体装置を少なくとも備える半導体システムであって、前記半導体装置が、請求項1~14のいずれかに記載の半導体装置である半導体システム。
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