JP7476433B2 - プラズマエッチング装置用部材等に好適な成膜材料およびその製造方法 - Google Patents
プラズマエッチング装置用部材等に好適な成膜材料およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7476433B2 JP7476433B2 JP2023566353A JP2023566353A JP7476433B2 JP 7476433 B2 JP7476433 B2 JP 7476433B2 JP 2023566353 A JP2023566353 A JP 2023566353A JP 2023566353 A JP2023566353 A JP 2023566353A JP 7476433 B2 JP7476433 B2 JP 7476433B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- film
- plasma
- solid solution
- mol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 25
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 122
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 65
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 58
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 49
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 25
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 122
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 87
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 36
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 32
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 24
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 22
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 7
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 7
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920005822 acrylic binder Polymers 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007908 dry granulation Methods 0.000 description 3
- 238000005328 electron beam physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001651 emery Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 fluorine Chemical class 0.000 description 2
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(III) oxide Inorganic materials O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010285 flame spraying Methods 0.000 description 1
- 239000011361 granulated particle Substances 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium(III) oxide Inorganic materials O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N ytterbium(III) oxide Inorganic materials O=[Yb]O[Yb]=O FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
- C23C4/11—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
- C04B35/505—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds based on yttrium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Description
このパターニング工程とエッチング工程は、半導体製造工程において、複数回繰り返される。なお、プラズマエッチングでは、物理的なスパッタ効果のみではなく、フッ素系や塩素系などのハロゲン系ガスを用いたプラズマをウエハに照射して、化学的なスパッタ効果も併せて被エッチング材料を除去している。
また、特許文献2に記載される溶射法で形成されるY2O3含有固溶体被膜は、その改善目的が被膜の有する電気的特性である低い電気抵抗率にあり、被膜の耐プラズマ性は、Y2O3と同じであり、特に改善されていない。これは、特許文献2からしても明らかにされている。すなわち、特許文献2には、「表1」中のY2O3含有固溶体試料1~4の有する耐プラズマ性を表すエロ―ジョン速度が、その添付図5に示されているが、それらの試料1~4の耐プラズマ性は、従来の材料であるAl2O3、AlN、ZrO2などよりも良好ではあるものの、純粋なY2O3と同じであることが報告されている。
(1)ZrO2、HfO2又はNb2O5からなる金属酸化物と、Y2O3と、を含む固溶体を含む成膜材料であって、前記金属酸化物がZrO2である場合は、ZrO2の含有量が2~12モル%であり、前記金属酸化物がHfO2である場合は、HfO2の含有量が4~24モル%であり、前記金属酸化物がNb2O5である場合は、Nb2O5の含有量が1~8モル%であり、且つ該固溶体の結晶構造がY2O3の正六面体結晶構造を有することを特徴とする成膜材料。
(3)前記金属酸化物がHfO2である場合、HfO2の含有量が8~20モル%である上記(1)に記載の成膜材料。
(4)前記金属酸化物がNb2O5である場合、Nb2O5の含有量が3~7モル%である(1)に記載の成膜材料。
(6)前記固溶体が、X線回析(XRD)において、Y2O3の正六面体結晶構造のピークのみが生じる上記(1)~(5)のいずれかに記載の成膜材料。
(7)上記(1)~(6)のいずれかに記載の成膜材料を用いて溶射する成膜方法。
(8)上記(1)~(6)のいずれかに記載の成膜材料を用いて物理蒸着する成膜方法。
(9)上記(7)又は(8)に記載の成膜方法によって基材上に保護被膜を形成するプラズマエッチング装置用部材の製造方法。
ZrO2、HfO2又はNb2O5からなる金属酸化物粉末と、Y2O3粉末と、の混合粉末であり、前記金属酸化物がZrO2である場合は、ZrO2の含有量が2~12モル%である混合粉末を1000~1600℃で熱処理して固溶体を形成し、前記金属酸化物がHfO2である場合は、HfO2の含有量が4~24モル%である混合粉末を1200~1600℃で熱処理して固溶体を形成し、前記金属酸化物がNb2O5である場合は、Nb2O5の含有量が1~8モル%である混合粉末を1200~1600℃で熱処理して固溶体を形成することを特徴とする成膜材料の製造方法。
(11)上記固溶体を形成した後、15~40μmの平均粒径を有する粒子に造粒し、1200~1500℃の温度で熱処理する上記(10)に記載の成膜材料の製造方法。
(12)上記(1)~(9)のいずれかに記載の成膜材料の製造方法であって、
ZrO2、HfO2又はNb2O5を含む金属酸化物ゾルと、Y2O3粉末と、を含む混合液を原料としてスプレードライ造粒し、得られたZrO2微粒子とY2O3微粒子との一次粒子から構成される球状粒子を酸化雰囲気中で1000~1500℃の温度で熱処理することにより、固溶体を形成することを特徴とする成膜材料の製造方法。
更に、フッ素などのハロゲンを含むガスから生成されたプラズマによるドライエッチングに供されるチャンバなどの、高い耐プラズマ性を有するプラズマエッチング装置用部材の製造方法が提供される。
<成膜材料>
本発明のY2O3含有固溶体成膜材料を用いて成膜した被膜は、高い耐プラズマ性を有するが、これは下記の経緯により到達されたものである。
本発明の成膜材料の主たる構成成分であるY2O3は、上記したように、半導体製造プロセスなどで多用され、フッ素を含むプラズマに対して最も耐性が高い材料の一つとして知られている。ここで、図1に示すように、Y2O3の単位格子は、酸素を8配位可能な正六面体構造であるにも拘わらず、Y2O3は酸素が6配位となっている。本発明者は、このことから結晶中に多くの酸素空位が存在しているが、この酸素空位に何らかの手段で酸素を配し欠陥を減じることによって、Y2O3の耐プラズマ性を一層向上させることができるのはないかと考えた。
a.金属酸化物の結晶格子構造における酸素が8配位または10配位する。
b.金属酸化物をY2O3に対して1モル%以上添加しても、Y2O3の正六面体結晶構造が維持される。
なお、図2は、Y2O3とZrO2の二元系状態図であり、図3は、Y2O3とHfO2の二元系状態図であり、図4は、Y2O3とNb2O5の二元系状態図である。これらの二元系状態図からして、ZrO2、HfO2またはNb2O5をY2O3に対して少量添加しても、Y2O3の正六面体結晶構造が維持されることが示唆されている。
金属酸化物がHfO2である場合、固溶体中、HfO2の含有量は、4~24モル%であり、好ましくは8~20モル%、より好ましくは10~16モル%である。
また、金属酸化物がNb2O5である場合、固溶体中、Nb2O5の含有量は、1~8モル%であり、好ましくは3~7モル%、より好ましくは4~6モル%である。
本明細書において、X線回析において、Y2O3の正六面体結晶構造のピークのみが生じるとは、Y2O3の正六面体結晶構造と同じピークを有する一方で、Y2O3に固溶させた金属酸化物のピークを有しないことを意味する。換言すれば、本発明のY2O3含有固溶体をX線回析した場合の線図は、Y2O3の正六面体構造の線図と同じ位置(それが平行移動した位置)にピークが見られる、すなわち、Y2O3の正六面体構造の線図と同形となることを意味する。なお、両者のX線回析図におけるピークの大きさは、必ずしも同じでなくてもよい。
以下に本発明のY2O3含有固溶体成膜材料の製造方法の代表例について説明する。
まず、ZrO2粉末、HfO2粉末、または、Nb2O5粉末と、Y2O3粉末と、を回転ボールミル等の装置を用いて粉砕・混合し、電気炉などを用いて大気中または不活性雰囲気中で高温熱処理し、互いに一体化(例えば焼結)させる。つまり、Y2O3粉末と、ZrO2粉末、HfO2粉末、または、Nb2O5粉末との混合粉末を熱処理することで互いを一体化させる工程を有する。
本発明で得られる均一な成膜材料は、成膜材料に含まれる固溶体粒子について無作為に5点選び、各点毎にY原子に対する添加された金属酸化物を構成する金属原子の含有量比を求め、かかる値における、全5点の金属原子/Y原子のばらつきが絶対値に対して、±5%以内のものを指す。なお、ここにおける絶対値とは、添加金属酸化物が成膜材料中に均一に固溶していると仮定したときの金属原子/Y原子の理論値のことである。
例えば、Y2O3に対して10モル%のZrO2を固溶させてなる成膜材料の場合、絶対値は0.111であり、Y2O3に対して10モル%のZrO2を固溶させてなる成膜材料が均一であるとは、無作為に選んだ5点の全てにおいて、Zr原子/Y原子の値が0.111±0.00555の範囲にあることを意味する。
Y2O3粉末とZrO2粉末とを粉砕・混合する際に用いる粉末の純度は99.5重量%以上が好ましい。また、粉砕・混合工程に供されるこれらの粉末の平均粒子径(D50)は4μm以下であることが好ましく、粉砕・混合を行った混合粉の平均粒子径は2μm以下とすることが好ましい。
なお、上記範囲より低い温度で熱処理を行った場合、組織の均一化を十分に行えず、また、固相反応速度が遅くなるため、製造時間が非常に長くなる。一方、上記範囲よりも高い温度で処理を行った場合、Y2O3粒子同士の焼結が活発となり、固結が進行することによって、以降の粒度調整などが困難となる。なお、熱処理時間は、好ましくは3~12時間、より好ましくは5~8である。
本発明の成膜材料を用いた被膜の成膜方法としては、溶射法や物理蒸着法などの既知の方法が挙げられる。以下にてそれぞれの成膜方法について説明する。本発明の成膜材料を用いた溶射法または物理蒸着法により成膜された被膜は、高い耐プラズマ性を有する。
溶射装置:プラズマ溶射ガン(スルーザーメテコ社製 9MB)
作動電圧:65V
作動電流:700A
一次ガス(Ar)流量:60NL/min
二次ガス(H2)流量:5NL/min
溶射距離:140mm
装置: Von Ardenne,Tuba150
基材温度: 450℃
チャンバ圧: 1.0Pa
作動電圧: 60kW
本発明の成膜材料は、半導体製造に用いられるプラズマエッチング装置用部材等に適用される。本発明におけるプラズマエッチング装置用部材とは、プラズマプロセス中にプラズマに晒されうる部材であって、例えば、エッチングチャンバ内部材、静電チャック等が挙げられる。
本発明におけるプラズマエッチング装置は、円筒型のチャンバ、電極等のプラズマ生成部、ウエハを保持するための静電チャック等の部材を有する。チャンバ内の静電チャック上に保持されたウエハは、プラズマ生成部により生成されたプラズマの作用により、エッチング処理が施される。この時、生成されたプラズマは、ウエハのみならず、チャンバ内部材や静電チャックにも作用する。
平均粒径が3.3μmのY2O3粉末と、平均粒径が1.0μmのZrO2粉末を準備した。ZrO2粉末の含有量が、得られるY2O3粉末とZrO2粉末との混合物中、2モル%となるように、両者の粉末を乾式で遊星ミル(ジルコニアボールとジルコニアポットを使用)を用いて混合した。得られた混合粉末を、電気炉により、1500℃で10時間加熱し、固溶体の合成化処理に供した。次いで、合成化処理後の粉末をアルミナ乳鉢と乳棒を用いて解砕し、解砕後の粉末を用いて放電プラズマ焼結装置により焼結体(固溶体)を作製した。
最後に、X線回析法に供した焼結体をプラズマ曝露試験に供し、消耗速度を測定した。ここで、消耗速度は、焼結体の表面のうち、プラズマに曝露されないようマスキングを行った部位とプラズマに暴露された部位との段差を、レーザー顕微鏡を用いて測定した段差の大きさにより、以下のように定義した。
消耗速度=段差の大きさ(μm)/エッチング時間(分)
プラズマガス種と流量:
CF4・・50sccm、 O2・・・10sccm、
Ar・・・50sccm
RF出力・・800W、 バイアス・・600W
Y2O3粉末とZrO2粉末との混合物中のZrO2粉末の含有量を5モル%となるようにしたこと以外は、実施例1と同様の方法にて、焼結体の作製、結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定を行った。
Y2O3粉末とZrO2粉末との混合物中のZrO2粉末の含有量を10モル%となるようにしたこと以外は、実施例1と同様の方法にて、焼結体の作製、結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定を行った。
実施例3で、得られた焼結体粉末粒子1つの中で無作為に5点選び、各点毎にY原子に対するZr原子の含有量比を調べた結果、それぞれ0.1123、0.1088、0.1075、0.1115、0.1135であった。Y2O3に対してZrO2を10モル%固溶させてなる材料の絶対値は0.111であるため、本実施例で得られた粉末では、ZrO2が粉末材料中において均一に固溶されていることが分かった。ここで、実施例3の固溶体の結晶相の同定に使用したXRD図を図5(a)に示す。図5(a)から、実施例3の固溶体は、Y2O3の正六面体結晶構造のピークのみが生じていることが分かる。
Y2O3粉末とZrO2粉末との混合物中のZrO2粉末の含有量を15モル%となるようにしたこと以外は、実施例1と同様の方法にて、焼結体の作製、結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定を行った。
Y2O3粉末とZrO2粉末との混合物中のZrO2粉末の含有量を20モル%となるようにしたこと以外は、実施例1と同様の方法にて、焼結体の作製、結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定を行った。
Y2O3粉末とZrO2粉末との混合物中のZrO2粉末の含有量を30モル%となるようにしたこと以外は、実施例1と同様の方法にて、焼結体の作製、結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定を行った。ここで、比較例3の固溶体の結晶相の同定に使用したXRD図を図5(b)に示す。図5(b)から、比較例3の固溶体は、Y2O3の正六面体結晶構造のピークだけでなく、ZrO2のピークが生じていることが分かる。
平均粒径が3.3μmのY2O3粉末と、平均粒径が0.8μmのHfO2粉末を準備した。HfO2粉末の含有量が、得られるY2O3粉末とHfO2粉末との混合物中、5モル%となるように、両者の粉末を乾式で遊星ミル(ジルコニアボールとジルコニアポットを使用)を用いて混合した。得られた混合粉末を、電気炉により、1500℃で10時間加熱し、固溶体の合成化処理に供した。次に、合成化処理後の粉末をアルミナ乳鉢と乳棒を用いて解砕し、解砕後の粉末を用いて放電プラズマ焼結装置により焼結体(固溶体)を作製した。結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定については、実施例1と同様の方法を用いて行った。
Y2O3粉末とHfO2粉末との混合物中のHfO2の含有量を10モル%となるようにしたこと以外は、実施例4と同様の方法にて、焼結体の作製、結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定を行った。ここで、実施例5の固溶体の結晶相の同定に使用したXRD図を図6(a)に示す。図6(a)から、実施例5の固溶体は、Y2O3の正六面体結晶構造のピークのみが生じていることが分かる。
Y2O3粉末とHfO2粉末との混合物中のHfO2の含有量を20モル%となるようにしたこと以外は、実施例4と同様の方法にて、焼結体の作製、結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定を行った。
Y2O3粉末とHfO2粉末との混合物中のHfO2の含有量を30モル%となるようにしたこと以外は、実施例4と同様の方法にて、焼結体の作製、結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定を行った。
Y2O3粉末とHfO2粉末との混合物中のHfO2の含有量を35モル%となるようにしたこと以外は、実施例4と同様の方法にて、焼結体の作製、結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の確認を行った。ここで、比較例5の固溶体の結晶相の同定に使用したXRD図を図6(b)に示す。図6(b)から、比較例5の固溶体は、Y2O3の正六面体結晶構造のピークだけでなく、HfO2のピークが生じていることが分かる。
平均粒径が3.3μmのY2O3粉末と、平均粒径が0.66μmのNb2O5粉末を準備した。Nb2O5粉末の含有量が、得られるY2O3粉末とNb2O5粉末との混合物中、2モル%となるように、両者の粉末を乾式で遊星ミル(ジルコニアボールとジルコニアポットを使用)を用いて混合した。得られた混合粉末を、電気炉により、1500℃で10時間加熱し、固溶体の合成化処理に供した。次に、合成化処理後の粉末をアルミナ乳鉢と乳棒を用いて解砕し、解砕後の粉末を用いて放電プラズマ焼結装置により焼結体(固溶体)を作製した。結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定については、実施例1と同様の方法を用いて行った。
Y2O3粉末とNb2O5粉末との混合物中のNb2O5の含有量を5モル%となるようにしたこと以外は、実施例7と同様の方法にて、焼結体の作製、結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定を行った。ここで、実施例8の固溶体結晶相の同定に使用したXRD図を図7(a)に示す。図7(a)から、実施例8の固溶体は、Y2O3の正六面体結晶構造のピークのみが生じていることが分かる。
Y2O3粉末とNb2O5粉末との混合物中のNb2O5の含有量を10モル%となるようにしたこと以外は、実施例7と同様の方法にて、焼結体の作製、結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定を行った。
Y2O3粉末とNb2O5粉末との混合物中のNb2O5の含有量を15モル%となるようにしたこと以外は、実施例7と同様の方法にて、焼結体の作製、結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定を行った。ここで、比較例7の固溶体の結晶相の同定に使用したXRD図を図7(b)に示す図7(b)から、比較例7の固溶体は、Y2O3の正六面体結晶構造のピークだけでなく、Nb2O5のピークが生じていることが分かる。
Y2O3粉末とNb2O5粉末との混合物中のNb2O5の含有量を20モル%となるようにしたこと以外は、実施例7と同様の方法にて、焼結体の作製、結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定を行った。
平均粒径が1~2μmのY2O3粉末を用いて放電プラズマ焼結装置により焼結体を作製した。結晶相の同定、プラズマ曝露試験、および消耗速度の測定については、実施例1と同様の方法を用いて行った。
ここで、表1中のX線回析結果は、X線回析法を用いて結晶相を同定した結果、Y2O3の正六面体構造のピークのみが検出されたものには〇を付しており、Y2O3の正六面体構造のピークのほかにY2O3に固溶させた金属酸化物のピークや複合酸化物等のピークが検出されたものには×を付している。
また、表1中の消耗率は、プラズマ曝露試験に供したSiウエハの消耗速度と、プラズマ曝露試験に供した各実施例、比較例の消耗速度と、を比較した値であり、Siウエハの消耗速度を100として、各試験片の消耗速度を消耗率として示す。
(実施例9)
ZrO2水性ゾル(日産化学社、商品名:ナノユースZR)、平均粒径1.5μmのY2O3粉末、および、イオン交換水を用いて、Y2O3-ZrO2のスラリーを作製した。このスラリーに含有されるY2O3とZrO2との合計量におけるZrO2の含有比率は、10モル%であり、総固形分の含有率45重量%とした。
次いで、このスラリーに、総固形分の含有量の0.40重量%のアクリル系バインダー(中京油脂社、商品名:セルナWN-405)を添加してスプレードライ造粒を行い、平均粒径が36μmの球形粒子を得た。この球形粒子を、電気炉を用いて、大気雰囲気中で1350℃まで加熱して、脱バインダー処理および均一組成化処理を施し、固溶体からなる成膜材料を調製した。
次に、厚み3mm、縦20mm、横20mmの正方形アルミニウム合金(A5052)製の基板をサンドブラストし粗面化した後、その表面上に、大気プラズマ溶射装置(プラズマ溶射ガン(スルーザーメテコ社製 9MB))により、作動電圧:65V、作動電流:700A、一次ガス(Ar)流量:60NL/min、二次ガス(H2)流量:5NL/min、溶射距離:140mmにて大気プラズマ溶射を施し、厚みが約0.15mmの溶射被膜を成膜した試験片を作製した。
プラズマガス種と流量:
CF4・・50sccm、 O2・・・10sccm、
Ar・・・50sccm
RF出力・・800W、 バイアス・・600W
平均粒径が0.8μmのHfO2粉末と、平均粒径が3.3μmのY2O3粉末とを、得られる混合物中のHfO2の含有比率が15モル%となるように秤量・混合した。次に、混合粉末をエタノール溶媒中でジルコニアボールとジルコニアポットを使用して混合した。次に、乾燥して得た混合粉末を、電気炉を用いて、空気気流中で1500℃まで加熱する熱処理を行い、Y2O3に対してHfO2を固溶させた複合粉末とした。次に、上記複合粉末の解砕を行い、得られる解砕物を使用し、イオン交換水を溶媒として固形分率40重量%のスラリーを作製した。
平均粒径が3.3μmのY2O3粉末を固形分率40重量%としてイオン交換水に分散させ、スラリーとしたものを準備した。次に、このスラリーに固形分量に対して0.40重量%のアクリル系バインダー(中京油脂社、商品名:セルナWN-405)を添加してスプレードライ造粒に供し、平均粒径が33μmの造粒球形粉末を得た。さらに、この球形粒子を、電気炉を用いて、大気雰囲気中で1450℃まで加熱して、脱バインダー処理および均一組成化処理を施し、成膜材料を調製した。試験片の作製方法、および消耗速度の確認方法は、実施例9と同様の方法にて行った。
平均粒径が3.3μmのY2O3粉末および平均粒径が0.9μmのZrO2粉末を、得られる混合物中のZrO2が18モル%になるよう均一混合した後、空気気流中で1450℃に加熱し、解砕した合成粉末をイオン交換水に固形分率40重量%として分散させ、スラリーとしたものを準備した。次に、このスラリーに固形分量に対して0.40重量%のアクリル系バインダー(中京油脂社、商品名:セルナWN-405)を添加してスプレードライ造粒に供し、平均粒径が33μmの造粒球形粉末を得た。さらに、この球形粒子を、電気炉を用いて、大気雰囲気中で1450℃まで加熱して、脱バインダー処理および均一組成化処理を施し、成膜材料を調製した。試験片の作製方法および消耗速度の確認方法は、実施例9と同様の方法にて行った。
Claims (7)
- ZrO2、HfO2又はNb2O5からなる金属酸化物と、Y2O3と、を含む固溶体を含む成膜材料であって、前記金属酸化物がZrO2である場合は、ZrO2の含有量が2~12モル%であり、前記金属酸化物がHfO2である場合は、HfO2の含有量が4~24モル%であり、前記金属酸化物がNb2O5である場合は、Nb2O5の含有量が1~8モル%であり、且つ該固溶体の結晶構造がY2O3の正六面体結晶構造を有する成膜材料を用いて溶射する成膜方法。
- 前記金属酸化物がZrO2である場合、ZrO2の含有量が7~12モル%である成膜材料を用いて溶射する請求項1に記載の成膜方法。
- 前記金属酸化物がHfO2である場合、HfO2の含有量が8~20モル%である成膜材料を用いて溶射する請求項1に記載の成膜方法。
- 前記金属酸化物がNb2O5である場合、Nb2O5の含有量が3~7モル%である成膜材料を用いて溶射する請求項1に記載の成膜方法。
- 前記固溶体に含まれる、Y原子に対するZr、Hf又はNb原子の比率が、成膜材料に含まれる固溶体の無作為に選んだ5点において、絶対値に対して±5%以内である請求項1~4のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記固溶体が、X線回析(XRD)において、Y2O3の正六面体結晶構造のピークのみが生じる請求項1~4のいずれかに記載の成膜方法。
- 請求項1~4に記載の成膜方法によって基材上に保護被膜を形成するプラズマエッチング装置用部材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2024066355A JP2024102107A (ja) | 2021-12-10 | 2024-04-16 | プラズマエッチング装置用部材等に好適な成膜材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021200979 | 2021-12-10 | ||
JP2021200979 | 2021-12-10 | ||
PCT/JP2022/045242 WO2023106357A1 (ja) | 2021-12-10 | 2022-12-08 | プラズマエッチング装置用部材等に好適な成膜材料およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024066355A Division JP2024102107A (ja) | 2021-12-10 | 2024-04-16 | プラズマエッチング装置用部材等に好適な成膜材料およびその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2023106357A1 JPWO2023106357A1 (ja) | 2023-06-15 |
JPWO2023106357A5 JPWO2023106357A5 (ja) | 2024-01-19 |
JP7476433B2 true JP7476433B2 (ja) | 2024-04-30 |
Family
ID=86730476
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023566353A Active JP7476433B2 (ja) | 2021-12-10 | 2022-12-08 | プラズマエッチング装置用部材等に好適な成膜材料およびその製造方法 |
JP2024066355A Pending JP2024102107A (ja) | 2021-12-10 | 2024-04-16 | プラズマエッチング装置用部材等に好適な成膜材料およびその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024066355A Pending JP2024102107A (ja) | 2021-12-10 | 2024-04-16 | プラズマエッチング装置用部材等に好適な成膜材料およびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7476433B2 (ja) |
KR (1) | KR20240027142A (ja) |
CN (1) | CN118043492A (ja) |
TW (1) | TW202340118A (ja) |
WO (1) | WO2023106357A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008273823A (ja) | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Applied Materials Inc | ハロゲン含有プラズマに露出された表面の浸食速度を減じる装置及び方法 |
JP2010535288A (ja) | 2007-08-02 | 2010-11-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イットリウム含有保護皮膜による半導体処理装置の被覆方法 |
JP2020529521A (ja) | 2017-06-21 | 2020-10-08 | ヘガネス ジャーマニー ゲーエムベーハー | 溶射用の酸化ジルコニウム粉末 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3510993B2 (ja) | 1999-12-10 | 2004-03-29 | トーカロ株式会社 | プラズマ処理容器内部材およびその製造方法 |
-
2022
- 2022-12-08 KR KR1020247005109A patent/KR20240027142A/ko unknown
- 2022-12-08 JP JP2023566353A patent/JP7476433B2/ja active Active
- 2022-12-08 CN CN202280066605.3A patent/CN118043492A/zh active Pending
- 2022-12-08 WO PCT/JP2022/045242 patent/WO2023106357A1/ja active Application Filing
- 2022-12-09 TW TW111147396A patent/TW202340118A/zh unknown
-
2024
- 2024-04-16 JP JP2024066355A patent/JP2024102107A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008273823A (ja) | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Applied Materials Inc | ハロゲン含有プラズマに露出された表面の浸食速度を減じる装置及び方法 |
JP2010535288A (ja) | 2007-08-02 | 2010-11-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イットリウム含有保護皮膜による半導体処理装置の被覆方法 |
JP2020529521A (ja) | 2017-06-21 | 2020-10-08 | ヘガネス ジャーマニー ゲーエムベーハー | 溶射用の酸化ジルコニウム粉末 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20240027142A (ko) | 2024-02-29 |
JPWO2023106357A1 (ja) | 2023-06-15 |
WO2023106357A1 (ja) | 2023-06-15 |
CN118043492A (zh) | 2024-05-14 |
JP2024102107A (ja) | 2024-07-30 |
TW202340118A (zh) | 2023-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5674479B2 (ja) | 還元プラズマに耐性のイットリウム含有セラミックコーティング | |
TWI686365B (zh) | 熔射用材料與附熔射皮膜構件 | |
JP4679366B2 (ja) | Y2o3質焼結体、耐食性部材およびその製造方法並びに半導体・液晶製造装置用部材 | |
TWI546415B (zh) | 含有稀土類元素之熔射用粉末及皮膜、以及具備前述皮膜之構件 | |
KR102266655B1 (ko) | 이트륨계 과립 분말을 이용한 용사 피막의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 이트륨계 용사 피막 | |
JP6926096B2 (ja) | 溶射用材料 | |
KR102266656B1 (ko) | 용사용 이트륨계 과립 분말 및 이를 이용한 용사 피막 | |
JP4780932B2 (ja) | 耐食性部材とその製造方法および半導体・液晶製造装置用部材 | |
TW202222737A (zh) | 熱噴塗用釔類顆粒粉末及利用其的熱噴塗皮膜 | |
CN115261762B (zh) | 喷镀用材料 | |
JP4762168B2 (ja) | アルミナ質焼結体及びこれを用いた処理装置用部材ならびに処理装置 | |
JP7476433B2 (ja) | プラズマエッチング装置用部材等に好適な成膜材料およびその製造方法 | |
JP2009280483A (ja) | 耐食性部材およびその製造方法ならびに処理装置 | |
JP6918996B2 (ja) | 溶射用材料、溶射皮膜および溶射皮膜付部材 | |
CN115244209B (zh) | 新型的钨系喷镀覆膜和用于获得其的喷镀用材料 | |
WO2022163150A1 (ja) | 焼結体 | |
JP2018184334A (ja) | 成膜用材料の製造方法 | |
JP2010195682A (ja) | 耐食性部材とその製造方法および半導体・液晶製造装置用部材 | |
JP2019026902A (ja) | 溶射材料及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231110 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231110 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20231110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240319 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240417 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7476433 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |