JP7470409B2

JP7470409B2 - ウェーハ加工用積層体、それを用いた薄型ウェーハの製造方法及び薄型ウェーハ個片化の製造方法

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Publication number: JP7470409B2
Application number: JP2020145151A
Authority: JP
Inventors: 文明篠崎; 敏樹佐々木; 教一鈴木
Original assignee: Fujicopian Co Ltd
Current assignee: Fujicopian Co Ltd
Priority date: 2020-08-31
Filing date: 2020-08-31
Publication date: 2024-04-18
Anticipated expiration: 2040-08-31
Also published as: JP2022040433A

Description

本発明は、半導体チップの製造時に、薄型ウェーハを効果的に得ることを可能にするウェーハ加工用積層体、それを用いた薄型ウェーハの製造方法及び薄型ウェーハ個片化の製造方法に関する。

半導体産業では、パッケージの薄型化や小型化によるチップ積層技術による高密度化への対応のために、半導体ウェーハの増々の薄型化が進められている。薄型化はパターン形成されたウェーハの表面（回路面）とは反対側の面を裏面研削する。従来、研削工程時には、前記ウェーハ表面とは剥離力が高く、一方、研削工程後には、光照射や熱処理等により、前記ウェーハの表面との剥離力が低減する粘着剤層を有する、いわゆるバックグラインド（以下ＢＧ）保護テープを貼付けた状態で前記ウェーハを保持し裏面研削後、ウェーハ裏面にダイシングテープと呼ばれる粘着保護テープを貼付けリングフレーム等に固定後、光照射や熱処理により、前記粘着層と前記ウェーハ間の剥離力を低減させ、ＢＧテープを剥離して、ダイシングにより個片化チップが作製されてきた。

しかしながら、高密度化にともない、フリップチップ実装等では、通常、半導体チップと基板の接合に、はんだ等からなるバンプを回路面に搭載した半導体チップの実装技術が用いられている。そして、最近では、バンプが予め半導体ウェーハ回路面に高密度に接合されている方法が主流になりつつある。
従って、前記ウェーハ表面の表面凹凸段差は数十μｍ、場合により１００μｍを超える場合がある。このようなバンプ付ウェーハの裏面を、従来のＢＧテープを用いて研削すると、粘着剤層が、表面のバンプの高低差に追従して埋め込まれず、研削時、バンプが存在する部分とバンプが存在しない部分との高低差に起因する圧力差がウェーハ裏面に直接影響し、ウェーハ裏面にディンプルと呼ばれる窪みやクラックが生じ、最終的に半導体ウェーハを破損させてしまう。

この表面凹凸段差追従性の解決法として、ＢＧテープの粘着剤層の厚みを厚くし、さらに粘着剤の流動性を高めることにより、粘着剤層とウェーハとを密着させ、粘着剤層のクッション性によりバンプの段差による圧力差を解消するようにした対処の方法がある。しかし、粘着剤層を厚くし、かつその流動性を高くすると、バンプの根本部分に粘着剤が回り込み易くなる。このため、バンプの根本部分に付着した粘着剤が、表面保護シートの剥離操作によって、凝集破壊を起こし、粘着剤の一部が回路面に残着することがある。回路面に残着した粘着剤は溶剤洗浄等によって除去しなければ、デバイス内の異物として残留し、完成したデバイスの信頼性を損なう。

また、粘着剤層を厚くするのではなく、表面保護テープの基材フィルムと粘着剤層との間に、バンプの高低差を吸収、緩和するためのいわゆるクッション層機能を有する中間層を設けることが種々提案されている。（例えば、特許文献１）
しかしながら、特許文献１に提案されている粘着シートをウェーハ表面に貼付して裏面研削を行うと、研削時に発生する熱によって中間層が軟化してしまい、研削精度が低下することがあった。さらに、粘着シートをロール状の巻き取り、運搬、保管等を行うと、特に夏季には高温に曝され、中間層や粘着剤層が軟化し、ロールの側部から樹脂成分が浸み出してしまうことがあった。

また、ウェーハの更なる薄型化の要望に対しては、従来のＢＧテープでは対応ができず、研削工程において保護テープ付きウェーハが反る、研削時の厚み均一性が低いことなどの問題が生じ、更なる薄型化に対応出来ないという問題が生じ、最近では、半導体基板を、シリコンやガラス等の仮支持体に、両面粘着シートを介して接合することによって、裏面研削する方法が取られている。

例えば、特許文献２には、パターンが形成された半導体ウェーハ表面とガラス等の仮支持体表面を両面粘着シートで貼付ける工程において、前記半導体ウェーハ表面に貼付ける側の両面粘着シートの粘着層面が、薄型加工処理後に、光硬化や熱発泡等により、半導体ウェーハ表面との接着力を低下させることができる粘着剤層を用い、仮支持体上に半導体ウェーハを固定した状態で、半導体ウェーハの裏面に薄型加工を施し、その後ウェーハ裏面をダイシングテープに貼り付けた後、熱処理または光照射等により、半導体ウェーハ表面と粘着層界面の粘着力を低下させ、半導体ウェーハを仮支持体から剥離する方法が記載されている。しかしながら、特許文献２には、該粘着剤層の前記凹凸段差表面への追従性に対する対応は何ら記載されていない。また、裏面研削された薄型ウェーハを、ダイシングテープ等を用いて、該粘着剤層面から薄型化されたウェーハを破損することなく安定して剥離するのは難しく、大がかりな転写装置が必要となる。

更に、パッケージの薄型化や小型化によるチップ積層技術による高密度化への対応は、より一層の高密度、大容量化、高速化、低消費電力化を実現するために、例えば３次元の半導体実装が期待されている。３次元半導体実装技術とは、１つの半導体チップを薄型化し、更にこれをシリコン貫通電極（ＴＳＶ）によって結線しながら多層に積層していく半導体作製技術である。これを実現するためには、半導体回路を形成した基板を非回路形成面（ウェーハ裏面）研削によって薄型化が必要であるが、研削後のウェーハ厚みは１０μｍ～３０μｍと一段高い要求がされるようになってきている。

３次元の半導体実装の場合であっても、前記フリップチップ実装と同じく、回路形成されているウェーハ表面は、通常バンプ等が形成されている場合が多いためにその表面の凹凸が大きく、表面保護層は表面凹凸段差追従性機能が要求される。又、研削時の保護テープ付きウェーハの反りや研削時の厚み均一性のためには仮支持体によるウェーハサポートシステムが要求されている。

さらに、３次元の半導体実装の場合は、薄型化研削工程後にＴＳＶ形成工程や裏面での配線層形成工程が行われるが、この際には２００℃以上の高温処理が入り、従来のＢＧテープに使用されている紫外線照射や熱処理により剥離力を低減させる粘着剤層では、耐熱性が不十分で剥離適性等に問題が生じている。

一方、特許文献３には、ポリエステルフィルム等の基材フィルム両面に、両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンと、両末端および側鎖にビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンとから選ばれる少なくとも１種のシリコーンを架橋させてなるものからなる吸着層からなる両面吸着層フィルムを用いて、ガラス等の仮支持体とウェーハ回路形成表面とを貼り合せ、裏面研削によるウェーハの薄型化及び研削後の薄型化ウェーハを仮支持体から容易に剥離させることができる旨の記載がされている。

特許文献３に記載の両面吸着保護フィルムの吸着層は、高耐熱性であり、更に、平滑なガラス仮支持体と、回路面等が形成されていない平滑なシリコンウェーハを貼り合せ、シリコンウェーハの裏面研削を行う場合、薄型ウェーハが可能で、かつ、該薄型ウェーハを該仮支持体から容易に剥離可能である。しかしながら、該吸着層の被着体との密着力は、特許文献３に記載されているように、非常に近接した合い対する固体分子間におけるファンデルワールス力に起因する力であるところからきているために、両面吸着層フィルムの吸着層と被着体とを貼り合せたものを、貼り合せた面と平行に両面吸着層フィルムをずらす力（以下剪断力と呼ぶ）が１．０Ｎ／ｃｍ^２以上であるためには、被着体の表面は高度な平滑性が要求される。

特許文献４には、特許文献３記載のシリコーン系吸着層の数平均分子量とアスカー硬度を規定することにより、該吸着層の厚みが１００μｍの場合、被着体の表面粗さＲａが８μｍ程度であっても、前記被着体との剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ^２以上である吸着層処方が記載されている。

しかしながら、特許文献４に記載のような両面吸着層フィルムを用いても、前記フリップチップ実装等のように、通常バンプ形成され、表面凹凸段差が大きな被着体に対しては、表面凹凸段差追従性が無く、該吸着層／被着体間との良好な密着性が得られず、ウェーハ保護用のＢＧテープとしての機能を発揮することはできない。

特開２００１－２０３２５５号公報特開２００２－０７５９３７号公報特開２００４－０２６９５０号公報特開２００８－１６２２４０号公報

本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、第一の目的は、凹凸表面を有するウェーハの場合であっても、ウェーハ表面と仮支持体との仮接着が容易で、薄型ウェーハの裏面研削が可能であり、裏面研削後の薄型ウェーハを仮支持体から容易に剥離することができ、かつ剥離後のウェーハ表面の残渣が無い、ウェーハ加工用積層体。それを用いた個片化ウェーハチップ製造方法を提供することである。
また、第二の目的は、第一の目的に加えて、裏面研削後、高温加熱処理又は発熱を伴う処理を施す工程を有するＴＳＶ形成、ウェーハ裏面配線工程に対する工程適合性を有するウェーハ加工積層体、それを用いた薄型ウェーハの製造方法及び個片化ウェーハチップ製造方法を提供することである。

以下、本発明の、前記課題を達成するための手段を具体的に説明する。

請求項１に係る発明は、基材フィルムの両面に吸着層が設けられ、該吸着層が、両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンと、両末端および側鎖にビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンとから選ばれる少なくとも１種のシリコーンを架橋させてなるものからなる吸着層からなる両面吸着層フィルムを介在させて、仮支持体と回路形成されている凹凸表面を有するウェーハ表面が積層されているウェーハ加工用積層体において、
該回路形成されている凹凸表面を有するウェーハ表面が、（Ａ）少なくともカルボキシル基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位を有するアルカリ可溶性を有する共重合体、（Ｂ）少なくとも１個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物、および（Ｃ）放射線ラジカル重合開始剤、を含有する感放射線性樹脂組成物により、回路形成されているウェーハ表面の凸部が覆われるように、設けられた塗工層よりなる、放射線照射により硬化されている接合層を有するウェーハであって、該硬化された接合層は、アルカリ溶液よりなる剥離液によって除去可能であり、互いに接し合っている、仮支持体と該吸着層間および該接合層と該吸着層間の剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ2以上で、かつ剥離可能であることを特徴とするウェーハ加工用積層体である。

請求項２に係る発明は、回路形成されている凹凸表面を有するウェーハ表面に、前記感放射線性樹脂組成物をウェーハ表面の凸部が覆われるように塗工してなる硬化前の接合層を形成した後、下記（ａ）～（ｃ）のいずれかの積層工程を含むことを特徴とする請求項１記載のウェーハ加工用積層体の製造方法。
（ａ）該ウェーハの表面に形成した硬化前の接合層面と、表面が平滑な透明離型性基材の離型面を貼り合せ、透明離型性基材側から放射線照射により該接合層を硬化させた後、該透明離型性基材を剥離し、該硬化された該接合層付きウェーハ面を、前記両面吸着層フィルムを介在させて、仮支持体と貼り合せて積層させる工程
（ｂ）仮支持体及び前記両面吸着層フィルムの基材フィルムが透明である場合であって、該両面吸着層フィルムの一方の吸着層を仮支持体に貼り合せた後、他方の吸着層面を該ウェーハの表面に形成した硬化前の接合層面に貼り合わせた後、仮支持体側から放射線照射により該接合層を硬化させ、該硬化された接合層付きウェーハ面に前記両面吸着層フィルム及び仮支持体を積層させる工程
（ｃ）前記両面吸着層フィルムの基材フィルムが透明である場合であって、両面吸着層フィルムの一方の吸着層を該ウェーハの表面に形成した硬化前の接合層面と貼り合せた後、基材フィルム側から放射線照射により該接合層を硬化させ、両面吸着層フィルムの他方の面を仮支持体と貼り合せ積層させる工程

請求項３に係る発明は、請求項２記載の製造方法により形成されたウェーハ加工用積層体を用いた個片化ウェーハチップ製造方法であって、
（ａ）仮支持体と接合した前記ウェーハ加工用積層体の回路非形成面を研削する工程、
（ｂ）必要に応じて、前記ウェーハの回路非形成面に高温処理加工を施す工程、
（ｃ）前記（ａ）、（ｂ）の工程後、研削加工面にダイシングテープを貼り付ける工程
（ｄ）下記１）または２）により、前記硬化された接合層を有する研削済みウェーハを仮支持体及び前記両面吸着フィルムから剥離する工程
１）研削済みウェーハをダイシングテープごと、仮支持体と仮支持体と接している吸着層間で剥離し、その後、前記両面吸着層フィルムの他方の吸着層と前記硬化された接合層間で剥離し、該両面吸着層フィルムを該積層体から除去する工程
２）研削済みウェーハをダイシングテープごと、前記両面吸着層フィルムの吸着層と前記硬化された接合層間で剥離する工程
（ｅ）下記１）または２）により、ダイシングする工程
１）アルカリ溶液よりなる剥離液によって、接合層を回路形成されているウェーハ表面から除去した後に、研削済みウェーハをダイシングし個片化する工程
２）接合層を有する研削済みウェーハをダイシングし個片化した後に、アルカリ溶液よりなる剥離液によって、接合層を回路形成されている個片化ウェーハ表面から除去する工程
よりなる工程を含むことを特徴とする個片化ウェーハチップの製造方法である。

本発明によれば、薄型ウェーハ研削時にウェーハの反り等が発生することなく、３０μｍ以下の薄型ウェーハの研削が可能であり、さらに、２００℃以上の加熱処理又は発熱を伴う処理を施す工程を行った後でも薄型化された半導体ウェーハが仮支持体や両面吸着層フィルムからスムーズに剥離でき、かつ接合層がウェーハから、残渣なく、簡単に剥離または除去可能である。

本発明のウェーハ加工用積層体の層構成の例を示す断面図である。

本発明のウェーハ加工用積層体は、基材フィルムの両面に吸着層が設けられている両面吸着層フィルムを介在させて、仮支持体と電極形成された表面の段差凸部が光硬化された接合層により覆われている半導体ウェーハを貼り合せてなるウェーハ加工用積層体である。以下、本発明を更に詳細に説明する。

＜両面吸着層フィルム＞
本発明でいう両面吸着層フィルムとは、剪断力は高い値であるにもかかわらず（具体的には、１．０Ｎ／ｃｍ^２以上の剪断力をもつもの）、両面吸着層フィルムを被着体から１８０°方向に剥がす時の力は（以下剥離力と呼ぶ）３０ｍＮ／１２．７ｍｍ未満で殆ど０に近いものを指す。従って、一般に呼ばれる粘着シートのように、被着体に対して剪断力が高いと同時に光照射や熱処理により剥離力が２００ｍＮ／１２．７ｍｍ以上となるような粘着シートとは異なる物性を持つものである。

前記特許文献３には、基材フィルムの両面に吸着層が設けられた両面吸着層フィルムにおいて、該吸着層が、両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンと、両末端および側鎖にビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンとから選ばれる少なくとも１種のシリコーンを架橋させてなるものからなる吸着層を有する両面吸着層フィルムが記載されている。また、前記特許文献４には、該吸着層のシリコーンの数平均分子量が２５，０００～１００，０００で、かつ該吸着層がアスカーＦＰ硬度２５以上でアスカーＣＳＣ２硬度８０以下である吸着層が記載されている。

本発明においても使用される両面吸着層フィルムは、前記特許文献３、４に記載のように以下に説明する組成物から構成される吸着層が、基材フィルムの両面に積層される。したがって、本発明に係るシリコーンの１形態としては、両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンとは下記一般式（化１）で表せられる化合物である。

（式中Ｒは下記有機基、ｍは整数を表す）
このビニル基以外のケイ素原子に結合した有機基（Ｒ）は異種でも同種でもよいが、具体例としてはメチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基、フェニル基、トリル基などのアリール基、またはこれらの基の炭素原子に結合した水素原子の一部または全部をハロゲン原子、シアノ基などで置換した同種または異種の非置換または置換の脂肪族不飽和基を除く１価炭化水素基で好ましくはその少なくとも５０モル％がメチル基であるものなどが挙げられるが、このジオルガノポリシロキサンは単独でも２種以上の混合物であってもよい。

本発明に係るもう１つのシリコーンの形態としては、両末端および側鎖にビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンである。このシリコーンは、上記一般式（化１）中のＲの一部がビニル基である化合物である。

また、本発明に係るシリコーンの形態としては、剥離剤として特開平１０－１２０９９２に開示されている、少なくとも両末端に炭素数が４以上のアルケニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンも入るものである。

ここで架橋反応に用いる架橋剤は公知のものでよい。架橋剤の例として、オルガノハイドロジェンポリシロキサンが挙げられる。オルガノハイドロジェンポリシロキサンは１分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも３個有するものであるが、実用上からは分子中に２個の≡ＳｉＨ結合を有するものをその全量の５０重量％までとし、残余を分子中に少なくとも３個の≡ＳｉＨ結合を含むものとすることがよい。また、架橋促進剤を加えてもよい。架橋促進剤としては、例えば、３－メチル－１－ブテン－３－オールが好ましい。

架橋反応に用いる白金系触媒としては、塩化第一白金酸、塩化第二白金酸などの塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール化合物、アルデヒド化合物あるいは塩化白金酸と各種オレフィンとの鎖塩などがあげられる。架橋反応して得たポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂は、シリコーンゲルのような柔軟性を持ったものとなり、この柔軟性が被着体である剛体製基材との吸着を容易にさせる。

本発明に使用される吸着層成分である架橋反応して得たポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂は、特許文献３及び特許文献４記載を準用することができる。

本発明の係るシリコーンの市販品の形状は、無溶剤型、溶剤型、エマルション型があるが、いずれの型も使用できる。特に、無溶剤型は、溶剤を使用しないため、安全性、衛生性、大気汚染の面で好ましい。

吸着層の厚みは、５μｍ～１００μｍが好ましい。５μｍ未満では、十分な剪断力が得られない場合があり、また１００μｍを超える場合はコスト的に無駄である。

両面吸着層フィルムの基材フィルムは、前記ウェーハの裏面研削工程後、回路非形成面に高温処理等を伴う加工を施さない場合には種々の基材フィルムの使用が可能で、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、硬化エポキシ樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ナイロン、ウレタン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニルなどからなる１層または多層構造のフィルムを使用することができる。一方、３次元の半導体実装等のように、前記ウェーハの裏面研削工程後、回路非形成面に高温処理等を伴う加工を施す場合には、基材フィルムとして、耐熱性を有する、ポリイミド等が特に好ましい。
基材フィルムの厚みは、通常５～３００μｍであり、好ましくは１０～２００μｍである。

基材フィルムの表面に吸着層との密着性を向上させるため、コロナ放電処理、プラズマ処理、ブラスト処理、ケミカルエッチング処理や、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、及びウレタン系樹脂から選ばれる１種以上の樹脂を主成分としてなる従来公知のプライマー層塗工等を施してもよい。
特に、基材フィルムとして、ポリイミドを用いる場合は、プラズマ処理や、プライマー層として、例えば特開２０１４－２２１８７７号公報記載のポリチオフェン系導電性ポリマーとドーパントとの複合体を含有するプライマー層や特開２０１４－２１３５４５号公報記載のカーボンナノチューブとアクリルポリオールと分散剤よりなるプライマー層等を設けることが好ましい。

両面吸着層フィルムの各吸着層の材質は、同じでもよいし異なったものでもよい。また吸着層の各々の厚みも、同じ厚みであってもよいし、異なる厚みであっても良い。

吸着層の塗工方法としては、３本オフセットグラビアコーターや５本ロールコーターに代表される多段ロールコーター、ダイレクトグラビアコーター、バーコーター、エアナイフコーター等が適宜使用される。

両面吸着層フィルムの吸着層の表面は、従来公知の表面が平滑な離型性セパレータが設けられ、被着体への貼り合せ時に該セパレータは剥離される。

前記両面吸着層フィルムのシリコーンよりなる吸着層の被着体に対する高い剪断力は、非常に近接した相対する固体分子間におけるファンデルワールス力に起因する力であるところからきている（「摩擦の科学」裳華房発行、５６～６５頁や「接着の基礎理論」高分子刊行会発刊、１１６～１２０頁）。
したがって、本発明の係るシリコーンよりなる吸着層の被着体に対する前記高い剪断力は、前記両面吸着層フィルムの吸着層及び被着体面が密接に接合している場合に効果を発揮するものである。

従って、特許文献４に記載のような、凹凸段差追従性が若干ある吸着層を用いても、フリップチップ実装や３次元の半導体実装等のように、通常、バンプを回路面に搭載した半導体ウェーハのように、回路形成されている半導体ウェーハよりなる被着体の表面が、数十μｍ、場合により１００μｍを超える凹凸段差がある被着体に対しては、該吸着層の表面凹凸段差追従性が得られないため、吸着層と回路形成面を有するウェーハ間を固定するための十分な剪断力が得られず、このままでは使用することはできない。

本発明は、上記の問題点を鑑みたもので、後述するように、基材フィルムの両面に吸着層が設けられ、該吸着層が、両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンと、両末端および側鎖にビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンとから選ばれる少なくとも１種のシリコーンを架橋させてなるものからなる吸着層からなる両面吸着層フィルムを介在させて、仮支持体と回路形成されているウェーハ表面が積層されているウェーハ加工用積層体において、回路形成されたウェーハ表面に、特定の接合層を、回路形成されているウェーハ表面の凸部が覆われるように塗工法により設けた平滑な表面を有する被着体として、さらに該接合層が耐熱性を有し、かつアルカリ溶液よりなる剥離液によって除去可能であることにより、フリップチップ実装のみならず３次元の半導体実装のための半導体ウェーハ裏面研削用ウェーハ加工用積層体としての要件を満たすウェーハ加工用積層体を完成させたものである。

＜半導体ウェーハ及び回路形成面＞
回路形成面及び回路非形成面を有するウェーハは、一方の面が回路形成面であり、他方の面が回路非形成面のウェーハである。本発明が適用できるウェーハは、通常、半導体ウェーハである。該半導体ウェーハの例としては、シリコンウェーハのみならず、Ｇｅウェーハや化合物半導体（ＺｎＳｅ，ＧａＡｓ，ＧａＮ，ＩｎＰ，ＩｎＧａＡｌＰ，ＩｎＧａＮ，ＳｉＣ，ＳｉＧｅ等）ウェーハ等挙げられる。該ウェーハの厚さは、特に制限はないが、典型的には６００～８００μｍ、より典型的には６２５～７７５μｍである。
フリップチップ実装等においては、回路形成後のウェーハ回路形成面に、通常、アンダーバンプメタル（ＵＢＭ）形成をし、はんだや金や銅バンプが形成される。この際、ウェーハ回路形成面は、表面凹凸段差が数十μｍ、場合により１００μｍを超える場合がある。

＜ウェーハ加工用積層体＞
上記問題点は、基材フィルムの両面に吸着層が設けられ、該吸着層が、両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンと、両末端および側鎖にビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンとから選ばれる少なくとも１種のシリコーンを架橋させてなるものからなる吸着層からなる両面吸着層フィルムを介在させて、仮支持体と回路形成されているウェーハ表面が積層されているウェーハ加工用積層体において、
該回路形成されているウェーハ表面が、（Ａ）少なくともカルボキシル基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位を有するアルカリ可溶性を有する共重合体、（Ｂ）少なくとも１個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物、および（Ｃ）放射線ラジカル重合開始剤、を含有する感放射線性樹脂組成物により、回路形成されているウェーハ表面の凸部が覆われるように、塗工法により設けられた後、放射線照射により硬化されている接合層を有するウェーハであって、該硬化された接合層は、アルカリ溶液よりなる剥離液によって除去可能であり、互いに接し合っている、仮支持体と該吸着層間および該接合層と該吸着層間の剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ^２以上で、かつ剥離可能であることを特徴とするウェーハ加工用積層体によって解決される。

そして、これにより、上記問題を解決すると同時に、薄型ウェーハ研削時にウェーハの反り等が発生することなく、バンプ形成された突起部を保護し、３０μｍ以下の薄型ウェーハの研削が可能であり、薄型化された半導体ウェーハが仮支持体や両面吸着層フィルムからスムーズに剥離でき、かつ回路形成面に残渣がないウェーハおよびウェーハ個片化製造方法が可能である。また、本発明によれば、３Ｄ実装のように、裏面研削工程後、２００℃以上の加熱処理又は発熱を伴う処理を施す工程を行った後でも、薄型化された半導体ウェーハが仮支持体や両面吸着層フィルムからスムーズに剥離でき、かつ回路形成面に残渣がないウェーハの作製が可能である。

＜接合層＞
本発明に使用される前記接合層用感放射線性樹脂組成物としては、プリント基板回路形成分野において、メッキ用やエッチング用ドライフィルムレジストに使用される従来公知のアルカリ現像／アルカリ溶液による硬化レジストの剥離可能な感放射線性樹脂組成物、あるいは、半導体加工分野において、バンプ形成用レジストとして使用される従来公知のアルカリ現像／アルカリ溶液による硬化レジストの剥離可能な感放射線性樹脂組成物の使用が可能である。

前記プリント基板回路形成分野において使用される感放射線性樹脂組成物よりなる塗工液としては、例えば、特開昭６０－２５８５３９号公報、特開２００５－３０９０９７号公報記載を援用することができる。

本発明に使用される前記接合層用感放射線性樹脂組成物として、特により好ましい接合層用感放射線性樹脂組成物は、バンプ形成用感放射線性樹脂組成物よりなるレジスト塗工液である。
通常、シリコンウェーハの研削・研磨工程において前記ウェーハ加工積層体が、２００℃以上の高温に長時間さらされる場合は殆ど無い。また、フリップチップ実装の場合、ダイシング工程においても、前記ウェーハ加工積層体が該高温長時間に晒される場合は殆ど無い。
しかしながら、前述のごとく、３次元の半導体実装の場合、薄型化研削工程後にＴＳＶ形成工程や裏面での配線層形成工程が行われるが、この際には２００℃以上の高温処理が入り得る。この場合、前記プリント基板用レジストの場合には、光硬化された接合膜が、さらに熱架橋反応を起こし、剥離液による剥離が困難になる場合がある。
一方、バンプ形成用光重合型レジストの場合は、通常バンプ形成時の高温処理に対する耐熱性が必要な観点から、光硬化された膜の高温処理後の剥離液による剥離良好性が考慮された設計がなされている。また、該レジスト塗工液は、その目的上、一回の塗工で厚膜形成が可能／半導体回路形成面の密着性が得られるように設計されている。（JSR TECHNICAL REVIEW No.111/2004参照）
したがって、フリップチップ実装の場合のみならず、高温処理を伴う３次元の半導体実装にも使用可能という点で、バンプ形成用感放射線性樹脂組成物よりなるレジスト塗工液を用いることが、より好ましい。塗工液としては、例えば、特開２０００－３９７０９号公報記載を援用でき、また、市販塗工液としては、例えば、ＪＳＲ（株）製；ＴＨＢシリーズ（例えば、ＴＨＢ-１５１Ｎ）等が使用可能である。

接合層の塗工法としては、スプレー塗工、スピン塗工、フロー塗工、スクリーン印刷、インクジェット、ディスペンサなどの公知の塗工法が適宜選択可能である。

＜仮支持体＞
仮支持体としては、ガラス板、シリコンウェーハ、ＳＵＳ板、アクリル板等、前記両面吸着層フィルムの吸着層面と貼り合わされる面が平滑であれば、何ら制約はないが、前述のごとく、３次元の半導体実装のように高温処理が入る場合には、シリコン半導体との熱膨張係数の観点から、シリコンウェーハやガラス板、石英ウェーハ等の基板が好ましい。また、仮支持体の表面粗さＲａは１μｍ以下であることが好ましい。

＜ウェーハ加工用積層体の積層方法＞
本発明の両面吸着層フィルムを介在させて、仮支持体と回路形成されているウェーハ表面の凸部が覆われるように、塗工法により設けられた接合層面を有する半導体ウェーハを貼り合せる方法は、下記工程（ａ）～（ｃ）のいずれかの工程を含むことにより貼り合わされる。
（ａ）該ウェーハの接合層面と表面が平滑な透明離型性基材の離型面を貼り合せ、透明離型性基材側から放射線照射により該接合層を硬化させた後、透明離型性基材を剥離し、硬化させた該接合層付きウェーハ面を、前記両面吸着層フィルムを介在させて、仮支持体と貼り合せて積層させる工程
（ｂ）仮支持体及び前記両面吸着層フィルムの基材フィルムが透明である場合であって、両面吸着層フィルムの一方の吸着層を仮支持体に貼り合せた後、他方の吸着層面をウェーハ上に設けられた接合層面と貼り合わせた後、仮支持体側から放射線照射により該接合層を硬化させ、仮支持体と積層させる工程
（ｃ）前記両面吸着層フィルムの基材フィルムが透明である場合であって、両面吸着層フィルムの一方の吸着層をウェーハ上に設けられた接合層面と貼り合せた後、基材フィルム側から放射線照射により接合層を硬化させ、両面吸着層フィルムの他方の面を仮支持体と貼り合せ積層させる工程
例えば、耐熱性の観点から、両面吸着層フィルムの基材フィルムとして、通常の黄色ポリイミドフィルム等を使用する場合には、両面吸着層フィルム側から放射線照射することは、前記接合層の光硬化効率が著しく下がる。一方、透明ポリイミドフィルムも市販されているが、非常に高価である。工程（ａ）
の方法により、接合層の光硬化効率を著しく上げることができる。さらに重要なことは、硬化前の接合層は柔らかいため、表面平滑な透明離型性基材を圧着して、該接合層を光硬化させ、該透明離型性基材を剥離した後の硬化させた該接合層界面も平滑となり、貼り合せによる両面吸着層フィルムの吸着層との剪断力を増すことに繋がる。また、工程（ｂ）、（ｃ）の場合も同様な効果がある。
各工程における貼り合せは、真空引き下で行うことが好ましい。
また、工程（ａ）で使用される平滑な透明離型性基材としては、シリコーン処理やフッ素処理されたガラス板、アクリル板、１８８μｍポリエステルフィルム等が使用可能である。

＜仮支持体と接合したウェーハの回路非形成面を研削する工程＞
本発明の両面吸着層フィルムを介在させて、仮支持体と回路形成されているウェーハ表面の凸部が覆われるように、塗工法により設けられた光硬化接合層面を有する半導体ウェーハよりなる半導体加工用積層体のウェーハ裏面側を研削して、該ウェーハの厚みを薄くしていく研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、通常ウェーハと砥石（ダイヤモンド等）に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。また研削後、ストレスリリーフの観点からドライ研磨やＣＭＰ研磨してもよい。

＜３Ｄ実装の場合の裏面研削後のウェーハの回路非形成面に加工を施す工程＞
３Ｄ実装の場合には、裏面研削によって薄型化されたウェーハ加工体の回路非形成面に、従来公知の方法により、ＴＳＶや電極等を形成させる工程が行われる。

＜接合層を有する研削済みウェーハを仮支持体から剥離する工程＞
本工程は、薄型化したウェーハに、必要に応じて、様々な加工を施した後、ダイシングする前にウェーハ加工用積層体の仮支持体から、接合層を有する研削済みウェーハを剥離する工程で、下記の工程を含む。
すなわち、前記仮支持体と接合した前記ウェーハの回路非形成面を研削する工程、必要に応じて、前記ウェーハの回路非形成面に加工を施す工程後、下記（ａ）～（ｃ）のいずれかの工程により
ダイシングテープに保持された、接合層を有する研削済みウェーハを作製する工程である。
（ａ）該研削済みウェーハの研削加工面にダイシングテープを貼り付けた後、該研削済みウェーハをダイシングテープごと、該仮支持体と該仮支持体と接している前記吸着層間で剥離し、その後、該両面吸着層フィルムを該接合層面から剥離する工程
（ｂ）該研削済みウェーハの研削加工面にダイシングテープを貼り付けた後、該研削済みウェーハをダイシングテープごと、該研削済みウェーハの接合層面と該両面吸着層フィルムの吸着層間で剥離する工程
（ｃ）該研削済みウェーハから、該仮支持体と該仮支持体と接している前記吸着層間で剥離し、その後、該両面吸着層フィルムで支持されている該研削済みウェーハの研削加工面に、ダイシングテープを貼り付けた後、該接合層面と該両面吸着層フィルムの吸着層間で該両面吸着層フィルムを剥離する工程
この剥離工程は、一般には室温で実施され、例えば、ウェーハ加工用積層体の仮支持体を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げることが好ましい。また、工程（ａ）による方法は、剛体よりなる仮支持体から研削済みの薄型ウェーハを剥離する際に、該両面吸着層フィルムと該ダイシングテープで、該薄型ウェーハが保護されており、薄型ウェーハ保護の観点で好ましい。
この場合、該両面吸着層フィルムの剥離は、該両面吸着層フィルムと該ダイシングテープで、該薄型ウェーハが保護されている積層体の該ダイシングテープを固定台に固定し、該両面吸着層フィルムを剥離すればよい。

＜接合層の除去及びダイシング工程＞
本工程は、前記ダイシングテープ上に積層されている接合層付き薄型ウェーハの接合層の除去及びダイシングによるチップ個片化の工程で、下記（ａ）、（ｂ）のいずれかの工程により作製される。
（ａ）アルカリ溶液よりなる剥離液によって、前記接合層を回路形成されているウェーハ表面から除去した後に、前記薄型ウェーハをダイシングし個片化する工程
（ｂ）前記接合層を有する研削済みウェーハをダイシングし個片化した後に、アルカリ溶液よりなる剥離液によって、前記接合層を回路形成されている個片化ウェーハ表面から除去する工程
工程（ｂ）による方法は、個片化チップ後にアルカリ剥離液による接合層の除去という煩雑さは有るが、ダイシングによる個片化工程における半導体保護の観点からは好ましい。

本工程で使用される、アルカリ溶液よりなる剥離液のアルカリ成分は、半導体への汚染防止の観点から、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアミン系やテトラ（置換）アルキルアンモニウムヒドロキシド等が好ましい。また溶液としては、水単独または、Ｎ－メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等の極性溶媒と水の混合液が好ましく、特開２００３－３３７４３３号公報、特開２００４－９３６７８号公報、特開２００４－１１７８８９号公報、特開平１０－２３９８６５を援用することができる。また、バンプ形成用レジストの光硬化層の剥離液として、ＪＳＲ製剥離液ＴＨＢ－Ｓシリーズ（例えば、ＴＨＢ－Ｓ１）が市販されている。

物性値の測定方法は、下記の通りである。
＜表面粗さ＞
表面平均粗さ（Ｒａ）表面最大粗さ（Ｒｙ）は、ＪＩＳ－Ｂ０６０１－１９９４に基づき、表面粗さ測定器（株式会社小坂研究所製サーフコーダーＥＴ２００Ａ）を用いて測定した。測定器の触針の半径は、２．０μｍ、荷重は５０μＮ、カットオフ値は０．２５ｍｍ、測定長さは１．２５ｍｍ、送り速度０．０５ｍ／ｍｉｎである。

＜剪断力の測定方法＞
互いに接し合っている、仮支持体と該吸着層間および該接合層と該吸着層間の剪断力の測定に関しては、基材フィルムの片面に吸着層を有する吸着フィルムを作製し、前記特許文献４（特開２００８－１６２２４０号公報）段落００５３の剪断力の測定方法を準用し、吸着フィルムサンプルを２５ｍｍ幅×長さ１５０ｍｍの大きさにカットし、吸着フィルムの端部２５ｍｍ幅×長さ１０ｍｍ長を仮支持体、または接合層の表面にＪＩＳＫ０２３７で規定する２Ｋｇｆのロールで、速度３ｍ／ｍｉｎで１往復させて貼り付ける。ついで吸着フィルムサンプルを３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で水平方向に引っ張り最大値を読み取る。

以下本発明を実施例１～４によってさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらによって限定されるものではない。各実施例中「部」は特に断らない限り、「重量部」を示すものである。

＜評価用ウェーハの作製＞
直径８インチのシリコンウェーハ上に、突起電極（Ｃｕ）をサイズφ８０μｍ、高さ５０μｍ、ピッチ２００μｍに設けた表面段差を有する評価用ウェーハを作製した。

＜両面吸着層フィルムの準備＞
両面吸着層フィルム１：
基材フィルムとしては、２５μｍ厚の芳香族ポリイミドフィルム（東レデュポン株式会社製：カプトン１００ＥＮ、５０～２００℃の平均線膨張係数１５ｐｐｍ／Ｋ）にプラズマ易接着処理されているものを使用した。
該基材フィルムの両面に、下記処方（ａ），（ｂ）の吸着層塗工液を、基材フィルムの各片面に、乾燥膜厚２４μｍになるように設け、オーブンにて１５０℃、１００秒で架橋させて両面吸着層フィルムを作製した。両面吸着層フィルムの吸着層の表面は、表面が平滑なシリコーン離型性セパレータと貼り合わされ、被着体への貼り合せ時に該セパレータは剥離される。
（ａ）吸着層塗工液
両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなる
シリコーン（無溶剤型）数平均分子量４０，０００１００部
架橋剤（オルガノハイドロジェンシロキサン）数平均分子量２，００００．５部
白金触媒（３％白金濃度の環状メチルビニルシロキサン溶液）２部
反応制御剤（３－メチル－１－ブテン－３－オール）０．１部
（ｂ）吸着層塗工液
両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなる
シリコーン（無溶剤型）数平均分子量３０，０００１００部
架橋剤（オルガノハイドロジェンシロキサン）数平均分子量２，００００．６部
白金触媒（３％白金濃度の環状メチルビニルシロキサン溶液）２部
反応制御剤（３－メチル－１－ブテン－３－オール）０．１部

吸着層の表面粗さＲａは０．０２μｍ、Ｒｙは０．１２μｍであった。
両面吸着層フィルム２：
基材フィルムとして、厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面に、酸価１２ｍｇＫＯＨ／ｇのポリエステル樹脂層を厚み０．３μｍ設けた基材フィルムを用いた以外は、前記両面吸着層フィルム１と同じである。吸着層の表面粗さＲａ、Ｒｙは，前記と同様であった。

＜評価用ウェーハ上への光硬化接合層の作製＞
＜接合層用塗工液の準備＞
接合層用塗工液１：
ベンジルメタクリレート／n-ブチルアクリレート／メタクリル／アクリル酸共重合樹脂（共重合組成比；４０／１０／３０／２０モル比）（重量平均分子量；４０，０００）５０．０ｇを、メチルエチルケトン／メチルセロソルブ（１／１重量比）１２２．０ｇに溶解し、光ラジカル重合開始剤として［１，２'－ビスイミダゾール］－１，２'－ジクロロフェニル－３，３'，４，４'－テトラフェニル３．３４ｇ、４，４'－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン３．３４ｇ、メルカプトベンゾチアゾール２．０１ｇ、
アロニックスＭ－８０６０（東亞合成（株）製）６６．８ｇ、ジシクロペンタニルメタクリレート２０．１ｇ、接着助剤としてγ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．７ｇ、界面活性剤としてＢＭ－１０００（ＢＭケミー社製）０．４ｇおよび熱重合禁止剤として４，４'－｛１－［４－［１－（４－ヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル］フェニル］エチリデン｝ビスフェノール２．７ｇを溶解し、接合層用塗工液１として用意した。
接合層用塗工液２：
前記（Ａ）少なくともカルボキシル基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位を有するアルカリ可溶性を有する共重合体，（Ｂ）少なくとも１個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物、および（Ｃ）放射線ラジカル重合開始剤、を含有する感放射線性樹脂組成物塗工液として、ＪＳＲ（株）製商品名ＴＨＢ-１５１Ｎ（固形分濃度；５１．９％、粘度；３９２３ｍＰａ・ｓ）を接合層用塗工液２として用意した。

＜実施例１＞
前記接合層用塗工液１を、スプレーコーターにより、回路形成されているウェーハ表面の凸部が覆われるように乾燥膜厚６５μｍになるように塗工した。その後、透明な厚み１８８μｍのシリコーン離型層付きポリエステルフィルム（表面粗さＲａ、Ｒｙは，０．０５μｍ、０．４２μｍ）と真空引きをしながらで貼り合せ、該透明離型層付きポリエステルフィルム側から高圧水銀灯により、１０００ｍｊ／ｃｍ^２の紫外線エネルギーで該接合層を硬化させた後、該透明離型層付きポリエステルフィルムを剥離し、硬化接合層付きウェーハを作製した。
一方、前記両面吸着層フィルム２の（ｂ）吸着層面側の離型性セパレータを剥離し、仮支持体として平滑な厚さ５ｍｍのガラス板（表面粗さＲａ、Ｒｙは，０．００３２μｍ、０．０１４μｍ）に（ｂ）吸着層面を貼付けた。該貼付け後、（ａ）吸着層面側の離型性セパレータを剥離し、前記接合層付きウェーハの接合層面と該両面吸着層フィルムが貼合されているガラス板の（ａ）吸着層面を真空引きしながら貼り合わせウェーハ加工用積層体を作製した。
該ウェーハ加工用積層体のウェーハ裏面をポリッシャＤＧＰ８７６１ＨＣ（ＤＩＳＣＯ社製）を用いて、＃３２０と＃２０００の砥石によりＳｉ研削を行った後、ストレスリリーフのためのドライポリッシングを行い、ウェーハ厚み２５μｍの研削・研磨後、ダイシングテープを貼付け、前記ウェーハをダイシングテープごと、該仮支持体と該仮支持体と接している前記（ｂ）吸着層間で剥離し、該ダイシングテープ側を固定台に固定し、その後、前記両面吸着層フィルムを前記接合層面から剥離した。次に、ＪＳＲ社製剥離液ＴＨＢ－Ｓ１を用いて、該接合層を残渣なく除去できた。尚、作業中ウェーハの反りや欠け等は認められなかった。その後ダイシングにより個片化チップを作製した。
互いに接し合っている、該仮支持体と該吸着層間および該接合層と該吸着層間の剪断力は５．０Ｎ／ｃｍ^２以上であった。

＜実施例２＞
前記両面吸着層フィルム２の（ｂ）吸着層面側の離型性セパレータを剥離し、（ｂ）吸着層面を実施例１の仮支持体に貼付けた。一方、実施例１と同様に、前記接合層用塗工液１が設けられているウェーハを作製し、前記接合層付きウェーハの接合層面と前記両面吸着層フィルムが貼合されているガラス板の（ａ）吸着層面を真空引きしながら貼り合わせウェーハ加工用積層体を作製し、その後、該仮支持体側から、実施例１と同様にして該接合層を硬化させ、ウェーハ加工用積層体を作製した。該ウェーハ加工用積層体を実施例１と同様にウェーハ裏面研削以降の作業を行った。実施例１と同様に、作業中ウェーハの反りや欠け等は認められなかった。剪断力も実施例１と同様であった。

＜実施例３＞
接合層用塗工液２を用い、両面吸着層フィルム１を用いた以外は、実施例１と同様にウェーハ加工用積層体を作製した。その後、実施例１と同様に裏面研削・研磨をして、薄化後のウェーハ厚み２５μｍを得た。
次に、シリコンウェーハを裏面研削した後の積層体を窒素雰囲気下の２００℃オーブンに２時間入れた後、２５０℃のホットプレート上で１０分加熱した後の、ウェーハのゆがみ、ボイド発生、ウェーハ膨れ、あるいはウェーハ破損等外観異常の有無を調べたが、異常は認められなかった。
実施例１と同様に、接合層の該剥離液による処理、ダイシングまで行い、該接合層を残渣なく除去できた。また、作業中ウェーハの反りや欠け等は認められず個片化チップを作製出来た。剪断力も実施例１と同様であった。

＜実施例４＞
接合層用塗工液１を、スプレーコーターにより、回路形成されているウェーハ表面の凸部が覆われるように乾燥膜厚６５μｍで塗工乾燥して接合層が積層されたウェーハを作製した。一方、両面吸着層フィルム２の（ｂ）吸着層面側の離型性セパレータを剥離し、真空引きしながら（ｂ）吸着層面を前記接合層が積層されたウェーハの接合層表面に貼り合わせた。ついで、前記両面吸着層フィルム側から高圧水銀灯により、１０００ｍｊ／ｃｍ^２の紫外線エネルギーを照射して該接合層を硬化させた。さらに前記両面吸着層フィルム２の（ａ）吸着層側の離型性セパレータを剥離し、実施例１と同様の仮支持体に真空引きしながら貼りあわせウェーハ加工用積層体を作製した。該ウェーハ加工用積層体を実施例１と同様にウェーハ裏面研削以降の作業を行った。実施例１と同様に、作業中ウェーハの反りや欠け等は認められなかった。剪断力も実施例１と同様であった。

１：両面吸着層フィルム
１－１：吸着層１
１－２：基材フィルム
１－３：吸着層２
２：接合層
３：半導体ウェーハ
４：回路電極
５：仮支持体
６：ウェーハ加工用積層体

Claims

基材フィルムの両面に吸着層が設けられ、該吸着層が、両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンと、両末端および側鎖にビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンとから選ばれる少なくとも１種のシリコーンを架橋させてなるものからなる吸着層からなる両面吸着層フィルムを介在させて、仮支持体と回路形成されている凹凸表面を有するウェーハ表面が積層されているウェーハ加工用積層体において、
該回路形成されている凹凸表面を有するウェーハ表面が、（Ａ）少なくともカルボキシル基を有するラジカル重合性化合物に由来する構成単位を有するアルカリ可溶性を有する共重合体、（Ｂ）少なくとも１個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物、および（Ｃ）放射線ラジカル重合開始剤、を含有する感放射線性樹脂組成物により、回路形成されているウェーハ表面の凸部が覆われるように、設けられた塗工層よりなる、放射線照射により硬化されている接合層を有するウェーハであって、該硬化された接合層は、アルカリ溶液よりなる剥離液によって除去可能であり、互いに接し合っている、仮支持体と該吸着層間および該接合層と該吸着層間の剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ2以上で、かつ剥離可能であることを特徴とするウェーハ加工用積層体。
回路形成されている凹凸表面を有するウェーハ表面に、前記感放射線性樹脂組成物をウェーハ表面の凸部が覆われるように塗工してなる硬化前の接合層を形成した後、下記（ａ）～（ｃ）のいずれかの積層工程を含むことを特徴とする請求項１記載のウェーハ加工用積層体の製造方法。
（ａ）該ウェーハの表面に形成した硬化前の接合層面と、表面が平滑な透明離型性基材の離型面を貼り合せ、透明離型性基材側から放射線照射により該接合層を硬化させた後、該透明離型性基材を剥離し、該硬化された該接合層付きウェーハ面を、前記両面吸着層フィルムを介在させて、仮支持体と貼り合せて積層させる工程
（ｂ）仮支持体及び前記両面吸着層フィルムの基材フィルムが透明である場合であって、該両面吸着層フィルムの一方の吸着層を仮支持体に貼り合せた後、他方の吸着層面を該ウェーハの表面に形成した硬化前の接合層面に貼り合わせた後、仮支持体側から放射線照射により該接合層を硬化させ、該硬化された接合層付きウェーハ面に前記両面吸着層フィルム及び仮支持体を積層させる工程
（ｃ）前記両面吸着層フィルムの基材フィルムが透明である場合であって、両面吸着層フィルムの一方の吸着層を該ウェーハの表面に形成した硬化前の接合層面と貼り合せた後、基材フィルム側から放射線照射により該接合層を硬化させ、両面吸着層フィルムの他方の面を仮支持体と貼り合せ積層させる工程
請求項２記載の製造方法により形成されたウェーハ加工用積層体を用いた個片化ウェーハチップ製造方法であって、
（ａ）仮支持体と接合した前記ウェーハ加工用積層体の回路非形成面を研削する工程、
（ｂ）必要に応じて、前記ウェーハの回路非形成面に高温処理加工を施す工程、
（ｃ）前記（ａ）、（ｂ）の工程後、研削加工面にダイシングテープを貼り付ける工程
（ｄ）下記１）または２）により、前記硬化された接合層を有する研削済みウェーハを仮支持体及び前記両面吸着フィルムから剥離する工程
１）研削済みウェーハをダイシングテープごと、仮支持体と仮支持体と接している吸着層間で剥離し、その後、前記両面吸着層フィルムの他方の吸着層と前記硬化された接合層間で剥離し、該両面吸着層フィルムを該積層体から除去する工程
２）研削済みウェーハをダイシングテープごと、前記両面吸着層フィルムの吸着層と前記硬化された接合層間で剥離する工程
（ｅ）下記１）または２）により、ダイシングする工程
１）アルカリ溶液よりなる剥離液によって、接合層を回路形成されているウェーハ表面から除去した後に、研削済みウェーハをダイシングし個片化する工程
２）接合層を有する研削済みウェーハをダイシングし個片化した後に、アルカリ溶液よりなる剥離液によって、接合層を回路形成されている個片化ウェーハ表面から除去する工程
よりなる工程を含むことを特徴とする個片化ウェーハチップの製造方法。