JP7463240B2 - 電波吸収シート及び通信装置 - Google Patents

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Description

本開示の実施形態は、電波吸収シート及び通信装置に関する。
電子機器が電波の影響を受けることを抑制するため、例えば特許文献１に開示されているように、電波を吸収する電波吸収シートが利用されている。例えば特許文献１は、誘電体層、導電膜層及び反射層を含み、１００５μｍ～１３００μｍの厚みを有し、ピーク周波数が６．４ＧＨｚである電波吸収シートを提案している。
特許第６０６３６３１号公報
従来の電波吸収シートにおいては、吸収帯域が誘電体層の誘電正接によって制限されることがある。
本開示の実施形態は、このような点を考慮してなされたものであり、吸収帯域を拡大しやすい電波吸収シートを提供することを目的とする。
本開示の一実施形態は、電波吸収シートであって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１誘電体層と、
前記第１面に位置し、第１方向に並ぶ複数の第１導電体層と、
前記第２面に位置する第２導電体層と、を備え、
前記複数の第１導電体層は、複数の第１形状層と、平面視において前記第１形状層とは異なる形状を有する複数の第２形状層と、を含む、電波吸収シートである。
本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第２形状層の形状は、前記第１形状層の形状と相似であってもよい。
本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第２形状層の面積は、前記第１形状層の面積よりも小さくてもよい。
本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第１形状層の面積Ｓａと前記第２形状層の面積Ｓｂとの間に下記の式が成立しており、
Ｓａ／Ｓｂ≦１＋８×ｔａｎδ
ｔａｎδは前記第１誘電体層の誘電正接であってもよい。
本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第１形状層の面積Ｓａと前記第２形状層の面積Ｓｂとの間に下記の式が成立しており、
Ｓａ／Ｓｂ≧１＋１×ｔａｎδ
ｔａｎδは前記第１誘電体層の誘電正接であってもよい。
本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記電波吸収シートの吸収特性を示すスペクトルは、前記第１形状層に対応して第１周波数ｆｒ１に現れる第１ピークと、前記第２形状層に対応して第２周波数ｆｒ２に現れる第２ピークと、を含み、
前記スペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷが下記の式を満たしており、
ＢＷ＞２×ｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδ
ｆｒ（ａｖｅ）＝（ｆｒ１＋ｆｒ２）／２
ｔａｎδは前記第１誘電体層の誘電正接であってもよい。
本開示の一実施形態による電波吸収シートは、前記第１面側に位置し、前記第１導電体層を覆うオーバーコート層を備えていてもよい。
本開示の一実施形態による電波吸収シートは、前記第２導電体層上に位置する粘着層を備えていてもよい。
本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第１面における前記第１導電体層の占有率が０．８５以下であってもよい。
本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第１方向における前記第１導電体層の寸法は、５．０ｍｍ未満であってもよい。
本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第１誘電体層の厚みは、３００μｍ以下であってもよい。
本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第１誘電体層の比誘電率は、２０未満であってもよい。
本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記第１誘電体層の誘電正接は、０．２以下であってもよい。
本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記電波吸収シートの厚みは、３５０μｍ以下であってもよい。
本開示の一実施形態による電波吸収シートにおいて、前記電波吸収シートの吸収特性を示すスペクトルは、前記第１形状層に対応して第１周波数ｆｒ１に現れる第１ピークと、前記第２形状層に対応して第２周波数ｆｒ２に現れる第２ピークと、を含み、
前記第１周波数ｆｒ１及び前記第２周波数ｆｒ２はいずれも、２０ＧＨｚ以上１１０ＧＨｚ以下であってもよい。
本開示の一実施形態は、
電波を送信又は受信する通信機構と、
上記記載の電波吸収シートと、を備える、通信装置である。
本開示の実施形態によれば、吸収帯域を拡大しやすい電波吸収シートを提供することができる。
電波吸収シートの一実施形態を示す平面図である。 図１の電波吸収シートをＩＩ－ＩＩ方向から見た場合を示す断面図である。 第１の比較の形態による電波吸収シートを示す平面図である。 図３の電波吸収シートの吸収特性を示すスペクトルの一例を示す図である。 図１の電波吸収シートの吸収特性を示すスペクトルの一例を示す図である。 図１の電波吸収シートを構成するユニットセルを示す図である。 電波吸収シートの等価回路を示す図である。 電波吸収シートの製造方法の一例を示す断面図である。 電波吸収シートの製造方法の一例を示す断面図である。 図９Ａの第１導電体層の断面形状の一例を示す図である。 図９Ａの第１導電体層の断面形状の一例を示す図である。 電波吸収シートを備える通信装置の一例を示す断面図である。 電波吸収シートの一実施形態を示す平面図である。 第２の比較の形態による電波吸収シートを示す平面図である。 電波吸収シートの一実施形態を示す平面図である。 電波吸収シートの一実施形態を示す平面図である。 図１４の電波吸収シートの吸収特性を示すスペクトルの一例を示す図である。 電波吸収シートの一実施形態を示す断面図である。 電波吸収シートの一実施形態を示す断面図である。 電波吸収シートの一実施形態を示す断面図である。 例１及び例２の電波吸収シートの吸収特性を示す図である。 例３及び例４の電波吸収シートの吸収特性を示す図である。 例５及び例６の電波吸収シートの吸収特性を示す図である。 例７及び例８の電波吸収シートの吸収特性を示す図である。 例９の電波吸収シートの吸収特性を示す図である。
以下、本開示の一実施形態に係る電波吸収シート１０の構成について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」などの用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈する。
本明細書において、あるパラメータに関して複数の上限値の候補及び複数の下限値の候補が挙げられている場合、そのパラメータの数値範囲は、任意の１つの上限値の候補と任意の１つの下限値の候補とを組み合わせることによって構成されてもよい。例えば、「パラメータＢは、例えばＡ１以上であり、Ａ２以上であってもよく、Ａ３以上であってもよい。パラメータＢは、例えばＡ４以下であり、Ａ５以下であってもよく、Ａ６以下であってもよい。」と記載されている場合を考える。この場合、パラメータＢの数値範囲は、Ａ１以上Ａ４以下であってもよく、Ａ１以上Ａ５以下であってもよく、Ａ１以上Ａ６以下であってもよく、Ａ２以上Ａ４以下であってもよく、Ａ２以上Ａ５以下であってもよく、Ａ２以上Ａ６以下であってもよく、Ａ３以上Ａ４以下であってもよく、Ａ３以上Ａ５以下であってもよく、Ａ３以上Ａ６以下であってもよい。
本実施形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号又は類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
以下、本開示の実施の形態について説明する。まず、背景について説明する。
近年、ミリ波と呼ばれる、およそ３０ＧＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の周波数帯の電波が、様々な分野で活用され始めている。分野の例は、第５世代移動通信システムやモバイル、自動車用の衝突防止システムのレーダ、医療の生体センシングなどである。一方で、電波の活用が増えるにつれ、電子機器の誤作動、通信環境の悪化などの不具合が発生することが懸念されている。
それらの不具合を解消する製品の１つとして、電波吸収シートが知られている。
電波吸収シートは、電子機器から出るノイズや不要電波を吸収できる。電波吸収シートを用いることにより、電子機器の誤作動の防止、通信環境の改善などの効果が期待できる。
一方、従来の電波吸収シートにおいては、吸収帯域が誘電体層の誘電正接によって制限されることがある。例えば、共振を利用して電波を吸収するタイプの電波吸収シートにおいて、吸収特性を示すスペクトルの－３ｄＢ帯域は約２×ｆｒ×ｔａｎδである。ｆｒは、電波吸収シートの共振周波数である。ｔａｎδは、誘電体層の誘電正接である。本願において、－３ｄＢ帯域は、電波吸収シートからの電波の反射量が－３ｄＢ以下になる周波数帯の広さである。
このような背景を考慮し、本実施の形態においては、吸収帯域を拡大しやすく、且つミリ波帯の周波数帯に対応できる電波吸収シートを提案する。
図１は、電波吸収シート１０の一実施形態を示す平面図である。図２は、図１の電波吸収シート１０をＩＩ－ＩＩ方向から見た場合を示す断面図である。電波吸収シート１０は、第１面２１及び第１面２１の反対側に位置する第２面２２を含む第１誘電体層２０と、第１面２１に位置する複数の第１導電体層３０と、第２面２２に位置する第２導電体層４０と、を備える。
電波吸収シート１０は、第１面２１側から電波吸収シート１０に入射する電波を、共振を利用して吸収する。共振を利用することにより、その他のタイプの電波吸収シートに比べて、電波吸収シート１０の厚みを小さくできる。
電波吸収シート１０が対象とする電波の周波数は、例えば２０ＧＨｚ以上である。電波吸収シート１０が対象とする電波の周波数は、例えば１１０ＧＨｚ以下であり、８０ＧＨｚ以下であってもよい。このような電波は、第５世代移動通信システム、自動車用のレーダ装置などで利用される。
電波吸収シート１０の各構成要素について説明する。
第１誘電体層２０は、絶縁性を有する材料を含む。絶縁性を有する材料は、有機材料であってもよく、無機材料であってもよく、両者の組み合わせであってもよい。
無機材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）、窒化シリコンカーバイト（ＳｉＣＮ）、炭素添加シリコンオキサイド（ＳｉＣＯ）、ホウ珪酸ガラス、石英ガラスなどを用いることができる。
有機材料としては、ポリイミド、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキサゾール、シアネート樹脂、アラミド樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、BTレジン、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミドなどを用いることができる。また、これらの有機材料の層の中に、繊維、フィラーなどが包含されていてもよい。繊維、フィラーの材料は、ガラス、タルク、マイカ、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の絶縁性を有する材料であってもよく、カーボン、金属などの導電性を有する材料であってもよい。
第１誘電体層２０の材料として、有機材料及び無機材料の両方を含む化合物又は混合物が用いられてもよい。材料の例は、シリコーン樹脂、ガラスエポキシなどである。
第１誘電体層２０は、１５０℃程度の耐熱性を有していてもよい。例えば、第１誘電体層２０の材料のガラス転移点あるいは荷重たわみ温度が１５０℃以上であってもよい。これにより、１５０℃程度まで温度が上昇する部品を備える電子機器に電波吸収シート１０が設置される場合に、電波吸収シート１０が適切に機能できる。
第１誘電体層２０の比誘電率εｒは、２０．０未満であってもよく、１５．０以下であってもよく、１０．０以下であってもよく、５．０以下であってもよい。共振を利用することにより、第１誘電体層２０の比誘電率εｒが従来の電波吸収体に比べて低い場合であっても、電波を吸収できる。第１誘電体層２０の比誘電率εｒは、２．０以上であってもよく、３．０以上であってもよく、５．０以上であってもよい。
第１誘電体層２０の誘電正接ｔａｎδは、０．２０以下であってもよく、０．１５以下であってもよく、０．１０以下であってもよく、０．０５以下であってもよい。
一般的に、誘電体層の比誘電率及び誘電正接は、誘電体層が導電性を有するフィラーを高い密度で含むことによって、増加する。一方、フィラーの密度が高くなると、誘電体層が脆くなるという課題などが生じ得る。また、フィラーの密度が高くなると、フィラーの分布が不均一になることによって、誘電体層にボイドが発生したり、誘電体層の特性にばらつきが生じたりすることもある。
本実施の形態においては、共振を利用するので、上記のように第１誘電体層２０の比誘電率εｒ及び誘電正接ｔａｎδが制限されている場合であっても、良好な電波吸収性能を発現することができる。このため、フィラーの密度が高くなることによって生じる課題を回避できる。
厚みｈは、例えば３００μｍ以下であり、２５０μｍ以下であってもよく、２００μｍ以下であってもよく、１５０μｍ以下であってもよく、１００μｍ以下であってもよい。共振を利用することにより、第１誘電体層２０の厚みｈが従来の電波吸収体に比べて小さい場合であっても、電波を吸収できる。
第１誘電体層２０は、単一の層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。
第１誘電体層２０の比誘電率εｒ及び誘電正接ｔａｎδを測定する方法としては、開放型共振器法を利用できる。開放型共振器法を実行する測定システムは、ネットワークアナライザ、ミリ波てい倍器、ミリ波検波器、ファブリペロー共振器を含む。ファブリペロー共振器としては、キーコム株式会社のＦＰＲ－４０、ＦＰＲ－５０、ＦＰＲ－６０、ＦＰＲ－７５、ＰＦＲ－９０、ＦＰＲ－１１０などを、周波数に応じて用いることができる。第１誘電体層２０の厚みを測定する測定器としては、測長機を利用でき、例えばニコン社製デジマイクロを用いることができる。測長機によっては厚みを測定できない場合、電波吸収シート１０のサンプルの断面の画像に基づいて第１誘電体層２０の厚みを算出してもよい。画像を測定する測定器としては、走査電子顕微鏡を用いることができる。
図示はしないが、第１誘電体層２０の第１面２１と第１導電体層３０との間には、接着層などの絶縁層が存在していてもよい。同様に、第１誘電体層２０の第２面２２と第２導電体層４０との間には、接着層などの絶縁層が存在していてもよい。
図示はしないが、第１誘電体層２０の第１面２１と第１導電体層３０との間の界面は粗面処理されていてもよい。例えば、第１面２１が凹凸を含んでいてもよい。これにより、第１面２１と第１導電体層３０との間の密着性を高めることができる。粗面処理は、ウェットエッチング、ブラスト、研磨、めっきなどである。同様に、第１誘電体層２０の第２面２２と第２導電体層４０との間の界面は粗面処理されていてもよい。例えば、第２面２２が凹凸を含んでいてもよい。
第１導電体層３０について説明する。第１導電体層３０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１導電体層３０は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、スズ（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）等の金属又はこれらを用いた合金などを含む。第１導電体層３０は、導電性ポリマーなどの有機導電体、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）などの導電繊維などを含んでいてもよい。
第１導電体層３０の厚みＴ１は、０．１μｍ以上であってもよく、１μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよい。第１導電体層３０の厚みは、５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよい。
図１に示すように、複数の第１導電体層３０は、第１誘電体層２０の面内方向に並んでいてもよい。例えば、複数の第１導電体層３０は、第１周期Ｐ１で第１方向Ｄ１に並んでいてもよい。複数の第１導電体層３０は、第２周期Ｐ２で第２方向Ｄ２に並んでいてもよい。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１とは異なる方向であり、例えば、第１方向Ｄ１に直交する方向である。第１周期Ｐ１は、第１方向Ｄ１において隣り合う２つの第１導電体層３０の中心点Ｃ０の間の距離である。第２周期Ｐ２は、第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第１導電体層３０の中心点Ｃ０の間の距離である。第１周期Ｐ１と第２周期Ｐ２とは、同一であってもよく、異なっていてもよい。周期Ｐ１、Ｐ２は、例えば１．５ｍｍよりも大きく、２．０ｍｍ以上であってもよく、２．５ｍｍ以上であってもよい。
第１導電体層３０は、複数の形状を有する。例えば、複数の第１導電体層３０は、複数の第１形状層３１と、平面視において第１形状層３１とは異なる形状を有する複数の第２形状層３２と、を含む。図１に示す例において、第１形状層３１及び第２形状層３２はいずれも円形を有する。すなわち、第２形状層３２の形状は、第１形状層３１の形状と相似である。「平面視」とは、第１誘電体層２０の面内方向に直交する方向に沿って電波吸収シート１０を見ることを意味する。
図１に示すように、複数の第１形状層３１は、第１周期Ｐ１で第１方向Ｄ１に並んでいてもよい。複数の第２形状層３２も、第１周期Ｐ１で第１方向Ｄ１に並んでいてもよい。図１に示すように、第２方向Ｄ２において、第１形状層３１と第２形状層３２とが交互に第２周期Ｐ２で並んでいてもよい。
第１形状層３１は、半径ｒ１を有する。第２形状層３２は、半径ｒ１よりも小さい半径ｒ２を有する。従って、第２形状層３２の面積Ｓｂは、第１形状層３１の面積Ｓａよりも小さい。
第１導電体層３０が複数の形状を有することの利点について、第１の比較の形態との比較に基づいて説明する。図３は、第１の比較の形態による電波吸収シート２１０を示す平面図である。電波吸収シート２１０は、半径ｒを有する複数の第１導電体層２３０を備える。複数の第１導電体層２３０は、第１周期Ｐ１で第１方向Ｄ１に並び、第２周期Ｐ２で第２方向Ｄ２に並んでいる。
図４は、図３の電波吸収シート２１０の吸収特性を示すスペクトルの一例を示す図である。本願のスペクトルにおいて、縦軸ｄは、電波吸収シートに入射した電波の電力Ｅ１に対する、電波吸収シートによって反射された電波の電力Ｅ２の比の常用対数に１０をかけた値を表す。すなわち、ｄ＝１０×ｌｏｇ（Ｅ２／Ｅ１）である。電波吸収シートに入射した電波が全て反射されると仮定した場合、縦軸ｄで表されるスペクトルは、電波吸収シートの吸収特性を示す吸収スペクトルに相当する。また、縦軸ｄで表されるスペクトルのピークは、吸収ピークに相当する。
共振を利用して電波を吸収する場合、スペクトルのピークの周波数は、電波吸収シート２１０の共振周波数ｆｒに一致する。スペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷは、上述の通り約２×ｆｒ×ｔａｎδである。ｔａｎδは、第１誘電体層２０の誘電正接である。共振周波数ｆｒは、下記の式（Ａ１）、（Ａ２）に基づいて算出される。
ｃは、光速である。ｒｅｆｆは、第１導電体層２３０の端部におけるフリンジング効果を考慮した場合の、第１導電体層２３０の実効半径である。
図４に示すように、第１の比較の形態において、スペクトルに現れるピークは１つのみであり、－３ｄＢ帯域ＢＷは狭い。
本実施の形態によれば、第１の比較の形態の場合に比べて－３ｄＢ帯域ＢＷを拡大できる。図５は、図１の電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルの一例を示す図である。スペクトルは、第１形状層３１に対応して第１周波数ｆｒ１に現れる第１ピークと、第２形状層３２に対応して第２周波数ｆｒ２に現れる第２ピークと、を含む。第２周波数ｆｒ２は、第１周波数ｆｒ１よりも高い。図５に示すように、第１ピークと第２ピークとは部分的に重なっている。このため、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との間の帯域において、電波吸収シート１０は電波を吸収できる。例えば、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との間の帯域における電波吸収シート１０の反射量は－３ｄＢ以下である。このため、電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルは、第１の比較の形態の場合よりも大きい－３ｄＢ帯域ＢＷを有する。例えば、電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷを、２×ｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδよりも大きくすることができる。ｆｒ（ａｖｅ）は、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２の平均であり、下記の式によって算出される。
ｆｒ（ａｖｅ）＝（ｆｒ１＋ｆｒ２）／２
第１周波数ｆｒ１は、上記式（Ａ１）、（Ａ２）のｒに半径ｒ１を代入することによって算出される共振周波数ｆｒと同一であるか、若しくはほぼ同一である。第２周波数ｆｒ２は、上記式（Ａ１）、（Ａ２）のｒに半径ｒ２を代入することによって算出される共振周波数ｆｒと同一であるか、若しくはほぼ同一である。
第１導電体層３０の具体的な構成について説明する。
複数の第１導電体層３０の構成は、対象とする電波の周波数において共振が生じるように決定されている。例えば、第１面２１における第１導電体層３０の占有率が０．８５以下になるよう、周期Ｐ１、Ｐ２、第１形状層３１の半径ｒ１、第２形状層３２の半径ｒ２などが決定されている。占有率は、０．７５以下であってもよく、０．６０以下であってもよく、０．５０以下であってもよく、０．３０以下であってもよい。占有率は、０．０５以上であってもよく、０．１０以上であってもよい。
占有率は、複数の第１導電体層３０の面積の合計を、第１導電体層３０が分布している領域の面積で割ることによって算出されてもよい。第１導電体層３０が分布している領域の面積は、例えば図１において符号３５で示すように、複数の第１導電体層３０を囲う四角形３５の面積であってもよい。
複数の第１導電体層３０を含むグループが周期的に並んでいる場合、占有率は、複数の第１導電体層３０を含むグループの面積を、グループに対応するユニットセル１２の面積で割ることによって算出されてもよい。図６は、ユニットセル１２を示す斜視図である。ユニットセル１２は、第１方向Ｄ１に並ぶ２つの第１導電体層３０及び第２方向Ｄ２に並ぶ２つの第１導電体層３０に対応する面積を有する。例えば、ユニットセル１２は、平面視において、第１方向Ｄ１に延びる一対の第１辺と、第２方向Ｄ２に延びる一対の第２辺とを含む四角形である。第１辺の長さは第１周期Ｐ１の２倍に等しく、第２辺の長さは第２周期Ｐ２の２倍に等しい。図６に示す例において、ユニットセル１２は、第１方向Ｄ１に並ぶ２つの第１形状層３１と、第１方向Ｄ１に並ぶ２つの第２形状層３２と、第１誘電体層２０と、第２導電体層４０とを含む。ユニットセル１２の面積は、４×Ｐ１×Ｐ２である。第１導電体層３０の面積の合計は、２×πｒ１２＋２×πｒ２２である。従って、占有率は（２×πｒ１２＋２×πｒ２２）／（４×Ｐ１×Ｐ２）である。
図１において、符号Ｓ１は、第１方向Ｄ１における第１導電体層３０の寸法の最大値を表す。寸法Ｓ１は、例えば５．０ｍｍ未満であり、４．０ｍｍ以下であってもよく、３．０ｍｍ以下であってもよく、２．０ｍｍ以下であってもよく、１．５ｍｍ以下であってもよく、１．０ｍｍ以下であってもよい。符号Ｓ２は、第２方向Ｄ２における第１導電体層３０の寸法の最大値を表す。寸法Ｓ２は、例えば５．０ｍｍ未満であり、４．０ｍｍ以下であってもよく、３．０ｍｍ以下であってもよく、２．０ｍｍ以下であってもよく、１．５ｍｍ以下であってもよく、１．０ｍｍ以下であってもよい。図１に示す例において、寸法Ｓ１、Ｓ２は、第１形状層３１の直径である。
これらの寸法の範囲に関する条件は、寸法Ｓ１及び寸法Ｓ２の両方で満たされていてもよく、若しくは、いずれか一方のみで満たされていてもよい。例えば、寸法Ｓ１は５．０ｍｍ未満であるが、寸法Ｓ２は５．０ｍｍ以上であってもよい。上述の周期Ｐ１及び周期Ｐ２の範囲に関する条件も同様に、周期Ｐ１及び周期Ｐ２の両方で満たされていてもよく、若しくは、いずれか一方のみで満たされていてもよい。
ところで、第１ピークの第１周波数ｆｒ１と第２ピークの第２周波数ｆｒ２との差が大きくなり過ぎると、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との間の帯域に、反射量が－３ｄＢを超える範囲が生じる可能性がある。第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との差は、第２形状層３２の面積Ｓｂに対する第１形状層３１の面積Ｓａの比率が１から離れるほど拡大する。この点を考慮し、Ｓａ／Ｓｂが（１＋８×ｔａｎδ）以下であることが好ましい。これにより、後述する実施例でサポートされるように、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との間の帯域において、－３ｄＢ以下の反射量を実現することができる。Ｓａ／Ｓｂは、（１＋７×ｔａｎδ）以下であってもよく、（１＋６×ｔａｎδ）以下であってもよい。
一方、第１ピークの第１周波数ｆｒ１と第２ピークの第２周波数ｆｒ２との差が小さくなり過ぎると、スペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷが狭くなり、第１の比較の形態に対する利点が失われる可能性がある。この点を考慮し、Ｓａ／Ｓｂが（１＋１×ｔａｎδ）以上であることが好ましい。Ｓａ／Ｓｂは、（１＋２×ｔａｎδ）以上であってもよく、（１＋３×ｔａｎδ）以上であってもよい。
第１導電体層３０の表面は、黒化処理された層を含んでいてもよい。例えば、第１導電体層３０の表面は、第１導電体層３０を構成する金属が酸化された酸化被膜を含んでいてもよい。
次に、第２導電体層４０について説明する。第２導電体層４０は、導電性を有する材料を含む。第２導電体層４０の材料としては、第１導電体層３０で例示した材料を用いることができる。第２導電体層４０の材料は、第１導電体層３０の材料と同一であってもよく、異なっていてもよい。
第２導電体層４０の厚みＴ２は、０．１μｍ以上であってもよく、１μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよい。第２導電体層４０の厚みは、５０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよい。
第２導電体層４０は、第１誘電体層２０の厚み方向において第１導電体層３０に対向している。これにより、第１導電体層３０と第２導電体層４０との間に電界を生じさせることができる。
第２導電体層４０は、平面視において、複数の第１導電体層３０と重なるように広がっていてもよい。例えば、第２導電体層４０は、第１誘電体層２０の第２面２２の全域に位置していてもよい。図示はしないが、第２導電体層４０に開口、スリットなどが形成されていてもよい。
第２導電体層４０の表面は、黒化処理された層を含んでいてもよい。例えば、第２導電体層４０の表面は、第２導電体層４０を構成する金属が酸化された酸化被膜を含んでいてもよい。
電波吸収シート１０全体の厚みＴ０は、例えば３５０μｍ以下であり、３００μｍ以下であってもよく、２５０μｍ以下であってもよく、２００μｍ以下であってもよい。第１誘電体層２０の厚みｈが小さいので、電波吸収シート１０の全体の厚みＴ０も小さくなる。電波吸収シート１０全体の厚みＴ０は、２０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよい。
電波吸収シート１０全体の厚みＴ０を小さくすることにより、電波吸収シート１０の設置場所の制約を少なくすることができる。すなわち、電波吸収シート１０のレイアウトの自由度が高くなる。また、厚み方向における電波吸収シート１０の熱抵抗を低減できる。このため、電子機器に電波吸収シート１０が設置される場合に、電波吸収シート１０に起因する電子部品の温度上昇を抑制できる。これにより、例えば、１５０℃程度まで温度が上昇する部品を備える電子機器に電波吸収シート１０を設置できる。
次に、電波吸収シート１０の作用について説明する。図７は、電波吸収シート１０の等価回路を示す図である。等価回路は、一次回路１４と、二次回路１５と、一次回路１４と二次回路１５とを結合する変成器１６と、を含む。
一次回路１４は、大気中を伝搬する電波を表している。一次回路１４は、大気の誘電率に基づく特性インピーダンスを有する。二次回路１５は、第１誘電体層２０、第１導電体層３０及び第２導電体層４０によって構成される共振回路を表している。共振回路は、例えば、並列に接続された抵抗、コンデンサ及びコイルを含む。変成器１６は、複数の第１導電体層３０によって構成される。
電波吸収シート１０が電波を効果的に吸収するためには、二次回路１５の特性インピーダンスが一次回路１４の特性インピーダンスと同一である、又は近似していることが好ましい。二次回路１５の共振回路が共振条件を満たしている場合、二次回路１５の特性インピーダンスはＮ２Ｒである。Ｎは、変成器１６の巻数比である。Ｒは、二次回路１５の共振抵抗である。
図３に示すように第１導電体層２３０が半径ｒを有する円形である場合のＮ２及びＲを、参考として下記の式（Ａ３）、（Ａ４）に示す。
Ｐは、第１周期Ｐ１と第２周期Ｐ２の積である。Ｋは定数である。式（Ａ３）のπｒ２／Ｐは、第１面２１における第１導電体層２３０の占有率を表す。式（Ａ３）は、第１導電体層２３０の占有率とＮ２が比例関係にあることを意味する。
大気中の特性インピーダンスが真空中の特性インピーダンスと同一であると仮定すると、一次回路１４のインピーダンスは１２０πである。電波吸収シート１０は、好ましくは、Ｎ２Ｒが１２０πと同一になる、又は近似するよう構成される。例えば、１２０πに対するＮ２Ｒの比率が０．８以上１．２以下になるよう、第１誘電体層２０の誘電正接ｔａｎδ、第１形状層３１の半径ｒ１、第２形状層３２の半径ｒ２、第１周期Ｐ１、第２周期Ｐ２が決定される。これにより、電波吸収シート１０が電波を効果的に吸収できる。１２０πに対するＮ２Ｒの比率は、０．９以上１．１以下であってもよく、０．９５以上１．０５以下であってもよい。
次に、電波吸収シート１０の製造方法について説明する。図８～図９Ｂは、電波吸収シート１０の製造工程の一例を示す図である。
まず、第１誘電体層２０を準備する。第１誘電体層２０は、柔軟性を有する部材であってもよく、剛性を有する部材であってもよい。続いて、第１誘電体層２０の第１面２１に第１導電体層３０を形成する。また、第１誘電体層２０の第２面２２に第２導電体層４０を形成する。第１導電体層３０及び第２導電体層４０の形成方法は、特には限られない。例えば、めっき法、蒸着法、スパッタリング法などによって、第１導電体層３０及び第２導電体層４０を形成してもよい。金属箔を第１誘電体層２０に貼ることによって、第１導電体層３０及び第２導電体層４０を形成してもよい。導電ペーストを第１誘電体層２０に印刷することによって、第１導電体層３０及び第２導電体層４０を形成してもよい。第１導電体層３０の形成方法と第２導電体層４０の形成方法は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
続いて、第１導電体層３０を加工して上述の複数の第１形状層３１及び複数の第２形状層３２に分断するパターニング工程を実施する。例えば、図８に示すように、第１導電体層３０の上に複数のレジスト層３７を形成する。複数のレジスト層３７の位置はそれぞれ、図１及び図２に示す複数の第１形状層３１及び複数の第２形状層３２の位置に対応している。続いて、レジスト層３７をマスクとしてウェットエッチングによって第１導電体層３０を加工する。これにより、図９Ａに示すように、第１面２１の面内方向に並ぶ複数の第１形状層３１及び複数の第２形状層３２を得ることができる。
図９Ｂ及び図９Ｃはそれぞれ、図９Ａの第１形状層３１、第２形状層３２及びレジスト層３７の断面形状の一例である。図９Ｂに示すように、第１形状層３１及び第２形状層３２は、第１面２１に向かうにつれて寸法が減少する部分を含んでいてもよい。図９Ｃに示すように、第１形状層３１及び第２形状層３２は、第１面２１に向かうにつれて寸法が増加する部分を含んでいてもよい。図示はしないが、第１形状層３１及び第２形状層３２の寸法は、第１面２１からの距離に依らず一定であってもよい。いずれの場合であっても、第１面２１に最も近接する位置での第１形状層３１及び第２形状層３２の寸法が、電波吸収シート１０の吸収特性に影響を及ぼす。従って、上述の寸法Ｓ１は、第１面２１に最も近接する位置で測定する。
その後、レジスト層３７を除去する。このようにして、第１誘電体層２０、複数の第１形状層３１、複数の第２形状層３２、及び第２導電体層４０を備える電波吸収シート１０を作製できる。
本実施の形態によれば、電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルが２つのピークを有する。このため、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との間の帯域において、電波吸収シート１０が電波を吸収できる。これにより、電波吸収シート１０の吸収帯域を拡大できる。
また、本実施の形態によれば、共振を利用して電波を吸収するので、従来の電波吸収体に比べて第１誘電体層２０の厚みを小さくできる。このため、電波吸収シート１０全体の厚みも小さくできる。これにより、電波吸収シート１０が軽くなる。
図１０は、電波吸収シート１０を備える通信装置１００の一例を示す図である。通信装置１００は、筐体１１０と、筐体１１０の内部に位置し、電波を送信又は受信する通信機構１２０と、筐体１１０の内部に位置し、通信機構１２０を制御する制御機構１３０と、を備える。通信機構１２０は、電波吸収シート１０が対象とする上述の周波数の電波Ｅを送信又は受信する。
図１０において、符号１０Ａ～１０Ｆが付された点線はそれぞれ、電波吸収シート１０の配置の例を示している。例えば、符号１０Ａで示すように、電波吸収シート１０は、通信機構１２０と制御機構１３０との間に配置されていてもよい。符号１０Ｂで示すように、電波吸収シート１０は、筐体１１０の前面１１１と通信機構１２０との間に配置されていてもよい。符号１０Ｃで示すように、電波吸収シート１０は、筐体１１０の前面１１１に取り付けられていてもよい。符号１０Ｄで示すように、電波吸収シート１０は、筐体１１０の後面１１２と通信機構１２０との間に配置されていてもよい。符号１０Ｅで示すように、電波吸収シート１０は、筐体１１０の後面１１２に取り付けられていてもよい。符号１０Ｆで示すように、電波吸収シート１０は、筐体１１０の側面１１３に取り付けられていてもよい。
本実施の形態によれば、電波吸収シート１０の厚みが小さいので、筐体１１０の内部における電波吸収シート１０の配置の自由度が高い。
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明及び以下の説明で用いる図面では、上述の実施の形態と同様に構成され得る部分について、第１の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述の実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
（第１変形例）
図１１は、第１変形例に係る電波吸収シート１０を示す平面図である。図１１に示すように、第１形状層３１及び第２形状層３２はいずれも、平面視において長方形を有していてもよい。例えば、第１形状層３１の形状は、長さＬ１及び幅Ｗ１を有する長方形であってもよい。第２形状層３２の形状は、長さＬ２及び幅Ｗ２を有する長方形であってもよい。第２形状層３２の面積Ｓｂは、第１形状層３１の面積Ｓａよりも小さい。例えば、長さＬ２及び幅Ｗ２は、長さＬ１及び幅Ｗ１よりも小さくてもよい。
図１１の電波吸収シート１０の利点について、第２の比較の形態との比較に基づいて説明する。図１２は、第２の比較の形態による電波吸収シート２１０を示す平面図である。電波吸収シート２１０は、長さＬ及び幅Ｗを有する長方形の形状を有する複数の第１導電体層２３０を備える。複数の第１導電体層２３０は、第１周期Ｐ１で第１方向Ｄ１に並び、第２周期Ｐ２で第２方向Ｄ２に並んでいる。
図１２の電波吸収シート２１０の吸収特性を示すスペクトルは、図４に示す上述の第１の比較の形態の場合と同様に、単一のピークを有する。図１２の電波吸収シート２１０の共振周波数ｆｒは、下記の式（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）、（Ｂ４）に基づいて算出される。
式（Ｂ２）のεre（Ｌ）は、式（Ｂ３）のｘにＬを代入することによって算出される。式（Ｂ２）のεre（Ｗ）は、式（Ｂ３）のｘにＷを代入することによって算出される。Ｌｅは、第１導電体層２３０の端部におけるフリンジング効果を考慮した場合の、第１導電体層２３０の実効長さである。
これに対して、図１１に示す電波吸収シート１０によれば、図５に示す上述の実施の形態の場合と同様に、スペクトルが、第１周波数ｆｒ１に現れる第１ピークと、第２周波数ｆｒ２に現れる第２ピークと、を含む。このため、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との間の帯域において、電波吸収シート１０が電波を吸収できる。例えば、電波吸収シート１０のスペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷを、２×ｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδよりも大きくすることができる。これにより、電波吸収シート１０の吸収帯域を拡大できる。
第１周波数ｆｒ１は、上記式（Ｂ１）～（Ｂ４）のＬ及びＷに第１形状層３１の長さＬ１及び幅Ｗ１を代入することによって算出される共振周波数ｆｒと同一であるか、若しくはほぼ同一である。第２周波数ｆｒ２は、上記式（Ｂ１）～（Ｂ４）のＬ及びＷに第２形状層３２の長さＬ２及び幅Ｗ２を代入することによって算出される共振周波数ｆｒと同一であるか、若しくはほぼ同一である。
図１２に示すように第１導電体層２３０が長さＬ及び幅Ｗを有する長方形である場合のＮ２及びＲを、参考として下記の式（Ｂ５）、（Ｂ６）に示す。
Ｋは定数である。式（Ｂ５）のＬＷ／Ｐは、第１面２１における第１導電体層２３０の占有率を表す。式（Ｂ５）は、第１導電体層２３０の占有率とＮ２が比例関係にあることを意味する。
本変形例の電波吸収シート１０も、好ましくは、Ｎ２Ｒが１２０πと同一になる、又は近似するよう構成される。例えば、１２０πに対するＮ２Ｒの比率が０．８以上１．２以下になるよう、第１誘電体層２０の誘電正接ｔａｎδ、第１形状層３１の長さＬ１及び幅Ｗ１、第２形状層３２の長さＬ２及び幅Ｗ２、第１周期Ｐ１、第２周期Ｐ２が決定される。これにより、電波吸収シート１０が電波を効果的に吸収できる。１２０πに対するＮ２Ｒの比率は、０．９以上１．１以下であってもよく、０．９５以上１．０５以下であってもよい。
図１１に示す例において、長さＬ１を有する第１形状層３１の辺は、第１方向Ｄ１に延びており、幅Ｗ１を有する第１形状層３１の辺は、第２方向Ｄ２に延びている。図示はしないが、長さＬ１を有する第１形状層３１の辺は、第１方向Ｄ１とは異なる方向に延びていてもよい。
図１１に示す例において、長さＬ２を有する第２形状層３２の辺は、長さＬ１を有する第１形状層３１の辺に平行に延びている。図示はしないが、長さＬ２を有する第２形状層３２の辺は、長さＬ１を有する第１形状層３１の辺とは異なる方向に延びていてもよい。
（第２変形例）
図１３は、第２変形例に係る電波吸収シート１０を示す平面図である。図１３に示すように、第１方向Ｄ１において、第１形状層３１と第２形状層３２とが交互に第１周期Ｐ１で並び、第２方向Ｄ２において、第１形状層３１と第２形状層３２とが交互に第２周期Ｐ２で並んでいてもよい。本変形例によれば、電波吸収シート１０の吸収特性が第１面２１の面内方向に依存することを抑制できる。
（第３変形例）
図１４は、第３変形例に係る電波吸収シート１０を示す平面図である。図１４に示すように、複数の第１導電体層３０は、複数の第１形状層３１及び複数の第２形状層３２に加えて、平面視において第１形状層３１及び第２形状層３２とは異なる形状を有する複数の第３形状層３３を含んでいてもよい。
複数の第３形状層３３は、複数の第１形状層３１及び複数の第２形状層３２と同様に、第１周期Ｐ１で第１方向Ｄ１に並んでいてもよい。図１４に示すように、第２方向Ｄ２において、第１形状層３１、第２形状層３２及び第３形状層３３が順に第２周期Ｐ２で並んでいてもよい。図示はしないが、第１方向Ｄ１においても、第１形状層３１、第２形状層３２及び第３形状層３３が順に第２周期Ｐ２で並んでいてもよい。
第３形状層３３は、第１形状層３１の半径ｒ１及び第２形状層３２の半径ｒ２よりも小さい半径ｒ３を有する。従って、第３形状層３３の面積Ｓｃは、第１形状層３１の面積Ｓａ及び第２形状層３２の面積Ｓｂよりも小さい。
図１５は、図１４の電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルの一例を示す図である。スペクトルは、第１形状層３１に対応して第１周波数ｆｒ１に現れる第１ピークと、第２形状層３２に対応して第２周波数ｆｒ２に現れる第２ピークと、第３形状層３３に対応して第３周波数ｆｒ３に現れる第３ピークと、を含む。第３周波数ｆｒ３は、第２周波数ｆｒ２よりも高い。図１５に示すように、第２ピークと第３ピークとは部分的に重なっている。このため、第２周波数ｆｒ２と第３周波数ｆｒ３との間の帯域において、電波吸収シート１０は電波を吸収できる。例えば、第２周波数ｆｒ２と第３周波数ｆｒ３との間の帯域における電波吸収シート１０の反射量は－３ｄＢ以下である。このため、電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルは、図１に示す実施の形態の場合よりも大きい－３ｄＢ帯域ＢＷを有することができる。
第２ピークの第２周波数ｆｒ２と第３ピークの第３周波数ｆｒ３との差が大きくなり過ぎると、第２周波数ｆｒ２と第３周波数ｆｒ３との間の帯域に、反射量が－３ｄＢを超える範囲が生じる可能性がある。この点を考慮し、Ｓｂ／Ｓｃが（１＋８×ｔａｎδ）以下であることが好ましい。これにより、後述する実施例でサポートされるように、第２周波数ｆｒ２と第３周波数ｆｒ３との間の帯域において、－３ｄＢ以下の反射量を実現することができる。Ｓｂ／Ｓｃは、（１＋７×ｔａｎδ）以下であってもよく、（１＋６×ｔａｎδ）以下であってもよい。
一方、第２ピークの第２周波数ｆｒ２と第３ピークの第３周波数ｆｒ３との差が小さくなり過ぎると、スペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷが狭くなり、図１に示す実施の形態に対する利点が失われる可能性がある。この点を考慮し、Ｓｂ／Ｓｃが（１＋１×ｔａｎδ）以上であることが好ましい。Ｓｂ／Ｓｃは、（１＋２×ｔａｎδ）以上であってもよく、（１＋３×ｔａｎδ）以上であってもよい。
Ｓａ＞Ｓｂ＞Ｓｃの関係が成立している場合、ＳａとＳｃとの間には上述のような関係が成立していなくてもよい。例えば、Ｓａ／Ｓｃは（１＋８×ｔａｎδ）よりも大きくてもよい。
図示はしないが、第３形状層３３の面積Ｓｃは、第１形状層３１の面積Ｓａ及び第２形状層３２の面積Ｓｂよりも大きくてもよい。すなわち、Ｓｃ＞Ｓａ＞Ｓｂの関係が成立していてもよい。この場合、Ｓｃ／Ｓａが（１＋８×ｔａｎδ）以下であることが好ましい。この場合、Ｓｃ／Ｓｂは（１＋８×ｔａｎδ）よりも大きくてもよい。Ｓｃ／Ｓａは、（１＋７×ｔａｎδ）以下であってもよく、（１＋６×ｔａｎδ）以下であってもよい。Ｓｃ／Ｓａは、（１＋１×ｔａｎδ）以上であってもよく、（１＋２×ｔａｎδ）以上であってもよく、（１＋３×ｔａｎδ）以上であってもよい。
図示はしないが、複数の第１導電体層３０は、平面視において第１形状層３１、第２形状層３２及び第３形状層３３とは異なる形状を有するその他の形状層を含んでいてもよい。
（第４変形例）
図１６は、第４変形例に係る電波吸収シート１０を示す平面図である。電波吸収シート１０は、第１誘電体層２０の第１面２１に位置するオーバーコート層５０を備えていてもよい。オーバーコート層５０は、絶縁性を有する。オーバーコート層５０は、複数の第１導電体層３０を覆っている。オーバーコート層５０を設けることにより、電波吸収シート１０の表面の絶縁性を高めることができる。また、第１導電体層３０に酸化などの変質が生じることを抑制できる。また、電波吸収シート１０の耐熱性を高めることができる。
オーバーコート層５０は、樹脂層５１を含んでいてもよい。樹脂層５１は、ポリエステル、エポキシ、フェノール、ポリイミドなどの樹脂を含んでいてもよい。耐熱性の観点からは、樹脂層５１がポリイミドを含むことが好ましい。樹脂層５１は、硬化剤を含んでいてもよい。樹脂層５１は、硬化を促進するための触媒を含んでいてもよい。例えば、樹脂層５１は、光硬化性又は熱硬化性を有するレジスト材を含んでいてもよい。樹脂層５１は、樹脂を含む溶液を第１面２１上に印刷することによって形成されてもよい。
樹脂層５１の厚みは、例えば１μｍ以上であり、５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよい。樹脂層５１の厚みは、例えば１００μｍ以下であり、５０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよい。
電波吸収シート１０がオーバーコート層５０を備える場合、電波吸収シート１０全体の厚みＴ０は、例えば５００μｍ以下であり、４００μｍ以下であってもよく、３００μｍ以下であってもよく、２００μｍ以下であってもよい。電波吸収シート１０全体の厚みＴ０は、２０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよい。
樹脂層５１の比誘電率は、２０．０未満であってもよく、１５．０以下であってもよく、１０．０以下であってもよく、５．０以下であってもよい。樹脂層５１の比誘電率は、２．０以上であってもよく、３．０以上であってもよく、５．０以上であってもよい。
樹脂層５１の誘電正接は、０．２０以下であってもよい。樹脂層５１の誘電正接は、０．００１以上であってもよい。
ところで、第１面２１における第１導電体層３０の占有率が第２面２２における第２導電体層４０の占有率よりも小さい場合、占有率の差に起因して第１誘電体層２０に反りが生じる可能性がある。例えば、第２導電体層４０が第２面２２の全面に形成されている場合、第２面２２における第２導電体層４０の占有率は１．００である。一方、第１面２１における第１導電体層３０の占有率は１．００よりも小さく、例えば０．８５以下である。このため、第１導電体層３０及び第２導電体層４０の材料及び厚みが同一である場合、第２導電体層４０に起因して第１誘電体層２０に生じる応力が、第１導電体層３０に起因して第１誘電体層２０に生じる応力よりも大きい。応力の差が大きいほど、第１誘電体層２０に生じる反りが大きくなる。オーバーコート層５０は、このような反りを抑制するよう構成されていてもよい。例えば、オーバーコート層５０の線膨張係数を調整することにより、第１誘電体層２０に反りが生じることを抑制してもよい。例えば、第１誘電体層２０の線膨張係数に対する第１導電体層３０の線膨張係数及びオーバーコート層５０の線膨張係数の大小関係を一致させてもよい。具体的には、第１導電体層３０の線膨張係数が第１誘電体層２０の線膨張係数よりも大きい場合、オーバーコート層５０の線膨張係数を第１誘電体層２０の線膨張係数よりも大きくしてもよい。反対に、第１導電体層３０の線膨張係数が第１誘電体層２０の線膨張係数よりも小さい場合、オーバーコート層５０の線膨張係数を第１誘電体層２０の線膨張係数よりも小さくしてもよい。これにより、第１導電体層３０及びオーバーコート層５０に起因して第１誘電体層２０の第１面２１に生じる応力と、第２導電体層４０に起因して第１誘電体層２０の第２面２２に生じる応力との間の差を低減できる。
（第５変形例）
図１７は、第５変形例に係る電波吸収シート１０を示す平面図である。オーバーコート層５０は、樹脂層５１と、樹脂層５１上に位置するカバーフィルム５２と、を含んでいてもよい。図１７に示すオーバーコート層５０は、樹脂層５１及びカバーフィルム５２を含む積層体を、熱プレスによって第１面２１に貼り付けることによって形成されてもよい。このようなオーバーコート層５０は、カバーレイとも称される。
樹脂層５１の材料としては、第４変形例で挙げた材料を用いてもよい。樹脂層５１は、熱可塑性、熱硬化性、ＵＶ硬化性などを有する接着剤を含んでいてもよい。カバーフィルム５２は、剥離紙であってもよい。
樹脂層５１の厚みは、例えば１μｍ以上であり、５μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよい。樹脂層５１の厚みは、例えば６０μｍ以下であり、３０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよい。
カバーフィルム５２の厚みは、例えば１０μｍ以上であり、１５μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよい。カバーフィルム５２の厚みは、例えば４０μｍ以下であり、３０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以下であってもよい。
（第６変形例）
図１８は、第６変形例に係る電波吸収シート１０を示す平面図である。電波吸収シート１０は、第２導電体層４０上に位置する粘着層６０を備えていてもよい。粘着層６０は、電波吸収シート１０を対象物に取り付けるために利用されてもよい。例えば、粘着層６０は、電波吸収シート１０を筐体１１０の前面１１１に取り付けるために利用されてもよい。粘着層６０を設けることにより、電波吸収シート１０が対象物の形状に追従しやすくなる。また、電波吸収シート１０の耐熱性を高めることができる。
電波吸収シート１０は、粘着層６０上に位置する剥離フィルム６５を備えていてもよい。剥離フィルム６５を設けることにより、電波吸収シート１０が対象物以外の物に貼りつくことを抑制できる。剥離フィルム６は、電波吸収シート１０を対象物に取り付ける際に除去される。
粘着層６０は、例えば両面テープであってもよい。両面テープは、芯材と、芯材の両面に位置する接着剤層と、を含んでいてもよい。接着剤層は、ポリエステル、アクリル、エポキシ、フェノール、ポリイミドなどの樹脂を含んでいてもよい。接着剤層は、フィラーを含んでいてもよい。これにより、接着剤層の放熱性及び耐熱性を高めることができる。両面テープは、基材の両面に樹脂を塗布することによって作製されてもよい。
粘着層６０は、不織布と、不織布に含浸されている樹脂と、を含んでいてもよい。樹脂は、ポリエステル、アクリル、エポキシ、フェノール、ポリイミドなどであってもよい。樹脂は、フィラーを含んでいてもよい。これにより、接着剤層の放熱性及び耐熱性を高めることができる。
粘着層６０の厚みは、例えば１μｍ以上であり、５μｍ以上であってもよい。粘着層６０の厚みは、例えば２００μｍ以下であり、１００μｍ以下であってもよい。
電波吸収シート１０が粘着層６０を備える場合、電波吸収シート１０全体の厚みＴ０は、例えば５００μｍ以下であり、４００μｍ以下であってもよく、３００μｍ以下であってもよく、２００μｍ以下であってもよい。電波吸収シート１０全体の厚みＴ０は、２０μｍ以上であってもよく、５０μｍ以上であってもよい。
粘着層６０の引きはがし粘着力は、例えば０．１Ｎ／２０ｍｍ以上であり、１．０Ｎ／２０ｍｍ以上であってもよく、５．０Ｎ／２０ｍｍ以上であってもよく、１０Ｎ／２０ｍｍ以上であってもよい。引きはがし粘着力は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７：２００９に規定されている１８０°剥離試験によって測定される。
（その他の変形例）
上述の実施の形態においては、第２形状層３２の形状が第１形状層３１の形状と相似であり、第２形状層３２の面積が第１形状層３１の面積よりも小さい例を示した。しかしながら、電波吸収シート１０の吸収帯域を拡大できる限りにおいて、第１形状層３１の形状と第２形状層３２の形状の組み合わせは特には限定されない。
例えば、第２形状層３２の形状は、第１形状層３１の形状と回転対称であってもよい。この場合、第１形状層３１及び第１形状層３１は、円などの等方的な形状ではなく、楕円、多角形などの非等方的な形状を有する。例えば、第１形状層３１の形状が正方形であり、第２形状層３２の形状が、第１形状層３１を４５°回転させた形状であってもよい。
また、第１形状層３１及び第２形状層３２がいずれも長方形であり、第２形状層３２の長方形の長さに対する幅の比率が、第１形状層３１の長方形の長さに対する幅の比率と異なっていてもよい。
また、第１形状層３１及び第２形状層３２がいずれも多角形であり、第２形状層３２の多角形における角の数が、第１形状層３１の多角形における角の数と異なっていてもよい。
上述した複数の変形例を適宜組み合わせて上述の実施の形態に適用してもよい。例えば、電波吸収シート１０は、第４変形例又は第５変形例のオーバーコート層５０と、第６変形例の粘着層６０と、を備えていてもよい。
次に、本開示の形態を実施例により更に具体的に説明するが、本開示の形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
（例１）
図１に示す電波吸収シート１０の吸収特性を、シミュレーションに基づいて評価した。電波吸収シート１０の複数の第１導電体層３０は、半径ｒ１を有する複数の第１形状層３１と、半径ｒ２を有する複数の第２形状層３２と、を含む。第１形状層３１及び第２形状層３２はいずれも、第１方向Ｄ１において周期Ｐ１で並んでいる。第２方向Ｄ２においては、第１形状層３１と第２形状層３２とが交互に周期Ｐ２で並んでいる。電波吸収シート１０の構成要素のパラメータは下記のとおりである。
・第１導電体層３０の厚み：１２μｍ
・第１形状層３１の形状：面積Ｓａが７．２７７ｍｍ２である円形
・第２形状層３２の形状：面積Ｓｂが６．３５３ｍｍ２である円形
・第１周期Ｐ１：４．６５０ｍｍ
・第２周期Ｐ２：４．６５０ｍｍ
・第２導電体層４０の厚み：１２μｍ
・第１誘電体層２０の厚み：２００μｍ
・第１誘電体層２０の比誘電率εｒ：４．２
・第１誘電体層２０の誘電正接ｔａｎδ：０．０２
Ｓａ／Ｓｂは１．１４５であった。
シミュレーションによって算出された、電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルを図１９に示す。実施例のスペクトルの縦軸ｄは、上述の図４、５に示すスペクトルの場合と同様に、電波吸収シートに入射した電波の電力Ｅ１に対する、電波吸収シートによって反射された電波の電力Ｅ２の比の常用対数に１０をかけた値を表す。
スペクトルの第１周波数ｆｒ１は約２７．１ＧＨｚであり、第２周波数ｆｒ２は約２８．８ＧＨｚであり、ｆｒ（ａｖｅ）は約２８．０ＧＨｚであった。スペクトルは、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との間の帯域において－３ｄＢ以下の反射量を有していた。スペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷ＿１は約３．０ＧＨｚであった。－３ｄＢ帯域ＢＷ＿１をｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδで割った値は約５．４であった。
（例２）
例１の第１形状層３１の面積Ｓａ、第２形状層３２の面積Ｓｂを下記のように変更した条件において、シミュレーションに基づいて電波吸収シート１０の吸収特性を評価した。
・第１形状層３１の形状：面積Ｓａが７．０３１ｍｍ２である円形
・第２形状層３２の形状：面積Ｓｂが６．５８７ｍｍ２である円形
Ｓａ／Ｓｂは１．０６７であった。
シミュレーションによって算出された、電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルを図１９に示す。スペクトルの第１周波数ｆｒ１は約２７．６ＧＨｚであり、第２周波数ｆｒ２は約２８．３ＧＨｚであり、ｆｒ（ａｖｅ）は約２８．０ＧＨｚであった。スペクトルは、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との間の帯域において－１０ｄＢ以下の反射量を有していた。スペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷ＿２は約２．２ＧＨｚであった。－３ｄＢ帯域ＢＷ＿２をｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδで割った値は約３．９であった。
（例３）
例１の第１形状層３１の面積Ｓａ、第２形状層３２の面積Ｓｂ、第１周期Ｐ１、第２周期Ｐ２、第１誘電体層２０の厚みを下記のように変更した条件において、シミュレーションに基づいて電波吸収シート１０の吸収特性を評価した。
・第１形状層３１の形状：面積Ｓａが１．５５７ｍｍ２である円形
・第２形状層３２の形状：面積Ｓｂが１．３６０ｍｍ２である円形
・第１周期Ｐ１：２．２００ｍｍ
・第２周期Ｐ２：２．２００ｍｍ
・第１誘電体層２０の厚み：１１０μｍ
Ｓａ／Ｓｂは１．１４５であった。
シミュレーションによって算出された、電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルを図２０に示す。スペクトルの第１周波数ｆｒ１は約５８．２ＧＨｚであり、第２周波数ｆｒ２は約６１．６ＧＨｚであり、ｆｒ（ａｖｅ）は約５９．９ＧＨｚであった。スペクトルは、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との間の帯域において－３ｄＢ以下の反射量を有していた。スペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷ＿３は約６．２ＧＨｚであった。－３ｄＢ帯域ＢＷ＿３をｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδで割った値は約５．２であった。
（例４）
例３の第１形状層３１の面積Ｓａ、第２形状層３２の面積Ｓｂを下記のように変更した条件において、シミュレーションに基づいて電波吸収シート１０の吸収特性を評価した。
・第１形状層３１の形状：面積Ｓａが１．５１３ｍｍ２である円形
・第２形状層３２の形状：面積Ｓｂが１．４０２ｍｍ２である円形
Ｓａ／Ｓｂは１．０７９であった。
シミュレーションによって算出された、電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルを図２０に示す。スペクトルの第１周波数ｆｒ１は約５９．０ＧＨｚであり、第２周波数ｆｒ２は約６０．７ＧＨｚであり、ｆｒ（ａｖｅ）は約５９．８ＧＨｚであった。スペクトルは、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との間の帯域において－１０ｄＢ以下の反射量を有していた。スペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷ＿４は約４．６ＧＨｚであった。－３ｄＢ帯域ＢＷ＿４をｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδで割った値は約３．８であった。
（例５）
例１の第１形状層３１の面積Ｓａ、第２形状層３２の面積Ｓｂ、第１周期Ｐ１、第２周期Ｐ２、第１誘電体層２０の厚みを下記のように変更した条件において、シミュレーションに基づいて電波吸収シート１０の吸収特性を評価した。
・第１形状層３１の形状：面積Ｓａが０．８６９ｍｍ２である円形
・第２形状層３２の形状：面積Ｓｂが０．７６０ｍｍ２である円形
・第１周期Ｐ１：２．１７３ｍｍ
・第２周期Ｐ２：２．１７３ｍｍ
・第１誘電体層２０の厚み：１００μｍ
Ｓａ／Ｓｂは１．１４３であった。
シミュレーションによって算出された、電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルを図２１に示す。スペクトルの第１周波数ｆｒ１は約７７．２ＧＨｚであり、第２周波数ｆｒ２は約８１．２ＧＨｚであり、ｆｒ（ａｖｅ）は約７９．２ＧＨｚであった。スペクトルは、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との間の帯域において－３ｄＢ以下の反射量を有していた。スペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷ＿５は約６．７ＧＨｚであった。－３ｄＢ帯域ＢＷ＿５をｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδで割った値は約４．２であった。
（例６）
例５の第１形状層３１の面積Ｓａ、第２形状層３２の面積Ｓｂを下記のように変更した条件において、シミュレーションに基づいて電波吸収シート１０の吸収特性を評価した。
・第１形状層３１の形状：面積Ｓａが０．８３６ｍｍ２である円形
・第２形状層３２の形状：面積Ｓｂが０．７９２ｍｍ２である円形
Ｓａ／Ｓｂは１．０５６であった。
シミュレーションによって算出された、電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルを図２１に示す。スペクトルの第１周波数ｆｒ１は約７８．４ＧＨｚであり、第２周波数ｆｒ２は約７９．８ＧＨｚであり、ｆｒ（ａｖｅ）は約７９．１ＧＨｚであった。スペクトルは、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との間の帯域において－１０ｄＢ以下の反射量を有していた。スペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷ＿６は約４．８ＧＨｚであった。－３ｄＢ帯域ＢＷ＿６をｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδで割った値は約３．０であった。
（例７）
例５の第１形状層３１の面積Ｓａ、第２形状層３２の面積Ｓｂ、第１周期Ｐ１、第２周期Ｐ２、第１誘電体層２０の厚み、第１誘電体層２０の誘電正接ｔａｎδを下記のように変更した条件において、シミュレーションに基づいて電波吸収シート１０の吸収特性を評価した。
・第１形状層３１の形状：面積Ｓａが０．８６９ｍｍ２である円形
・第２形状層３２の形状：面積Ｓｂが０．６３６ｍｍ２である円形
・第１周期Ｐ１：１．７００ｍｍ
・第２周期Ｐ２：１．７００ｍｍ
・第１誘電体層２０の厚み：１５０μｍ
・第１誘電体層２０の誘電正接ｔａｎδ：０．０５
Ｓａ／Ｓｂは１．３６６であった。
シミュレーションによって算出された、電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルを図２２に示す。スペクトルの第１周波数ｆｒ１は約７４．７ＧＨｚであり、第２周波数ｆｒ２は約８４．６ＧＨｚであり、ｆｒ（ａｖｅ）は約７９．７ＧＨｚであった。スペクトルは、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との間の帯域において－３ｄＢ以下の反射量を有していた。スペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷ＿７は約１７．５ＧＨｚであった。－３ｄＢ帯域ＢＷ＿７をｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδで割った値は約４．４であった。
（例８）
例７の第１形状層３１の面積Ｓａ、第２形状層３２の面積Ｓｂを下記のように変更した条件において、シミュレーションに基づいて電波吸収シート１０の吸収特性を評価した。
・第１形状層３１の形状：面積Ｓａが０．８１１ｍｍ２である円形
・第２形状層３２の形状：面積Ｓｂが０．６８８ｍｍ２である円形
Ｓａ／Ｓｂは１．１７９であった。
シミュレーションによって算出された、電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルを図２２に示す。スペクトルの第１周波数ｆｒ１は約７７．２ＧＨｚであり、第２周波数ｆｒ２は約８１．３ＧＨｚであり、ｆｒ（ａｖｅ）は約７９．２ＧＨｚであった。スペクトルは、第１周波数ｆｒ１と第２周波数ｆｒ２との間の帯域において－１０ｄＢ以下の反射量を有していた。スペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷ＿８は約１２．８ＧＨｚであった。－３ｄＢ帯域ＢＷ＿８をｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδで割った値は約３．２であった。
（例９）
図１４に示す電波吸収シート１０の吸収特性を、シミュレーションに基づいて評価した。電波吸収シート１０の複数の第１導電体層３０は、半径ｒ１を有する複数の第１形状層３１と、半径ｒ２を有する複数の第２形状層３２と、半径ｒ３を有する複数の第３形状層３３と、を含む。第１形状層３１、第２形状層３２及び第３形状層３３はいずれも、第１方向Ｄ１において周期Ｐ１で並んでいる。第２方向Ｄ２においては、第１形状層３１、第２形状層３２及び第３形状層３３が順に周期Ｐ２で並んでいる。電波吸収シート１０の構成要素のパラメータは下記のとおりである。
・第１導電体層３０の厚み：１２μｍ
・第１形状層３１の形状：面積Ｓａが１．５４８ｍｍ２である円形
・第２形状層３２の形状：面積Ｓｂが１．４４５ｍｍ２である円形
・第３形状層３３の形状：面積Ｓｃが１．３３１ｍｍ２である円形
・第１周期Ｐ１：２．０６８ｍｍ
・第２周期Ｐ２：２．０６８ｍｍ
・第２導電体層４０の厚み：１２μｍ
・第１誘電体層２０の厚み：１１０μｍ
・第１誘電体層２０の比誘電率εｒ：４．２
・第１誘電体層２０の誘電正接ｔａｎδ：０．０２
Ｓａ／Ｓｂは１．０７１であり、Ｓｂ／Ｓｃは１．０８６であり、Ｓａ／Ｓｃは１．１６３であった。
シミュレーションによって算出された、電波吸収シート１０の吸収特性を示すスペクトルを図２３に示す。スペクトルの第１周波数ｆｒ１は約５８．４ＧＨｚであり、第２周波数ｆｒ２は約６０．０ＧＨｚであり、第３周波数ｆｒ３は約６１．５ＧＨｚであった。スペクトルは、第１周波数ｆｒ１と第３周波数ｆｒ３との間の帯域において－１０ｄＢ以下の反射量を有していた。
１０ 電波吸収シート
１２ ユニットセル
１４ 一次回路
１５ 二次回路
１６ 変成器
２０ 第１誘電体層
２１ 第１面
２２ 第２面
３０ 第１導電体層
３１ 第１形状層
３２ 第２形状層
３３ 第３形状層
３５ 分布領域
３７ レジスト層
４０ 第２導電体層
５０ オーバーコート層
５１ 樹脂層
５２ カバーフィルム
６０ 粘着層
６５ 剥離フィルム
１００ 通信装置
１１０ 筐体
１２０ 通信機構
１３０ 制御機構
Ｄ１ 第１方向
Ｄ２ 第２方向
Ｐ１ 第１周期
Ｐ２ 第２周期

Claims (14)

  1. 電波吸収シートであって、
    第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１誘電体層と、
    前記第１面に位置し、第１方向に並ぶ複数の第１導電体層と、
    前記第２面に位置する第２導電体層と、を備え、
    前記複数の第１導電体層は、複数の第１形状層と、平面視において前記第１形状層とは異なる形状を有する複数の第２形状層と、を含み、
    前記第２形状層の面積は、前記第１形状層の面積よりも小さく、
    前記第１誘電体層の誘電正接は、０．１０以下であり、
    前記第１形状層の面積Ｓａと前記第２形状層の面積Ｓｂとの間に下記の式が成立しており、
    １＋１×ｔａｎδ≦Ｓａ／Ｓｂ≦１＋８×ｔａｎδ
    ｔａｎδは前記第１誘電体層の誘電正接であり、
    前記電波吸収シートの吸収特性を示すスペクトルは、前記第１形状層に対応して第１周波数ｆｒ１に現れる第１ピークと、前記第２形状層に対応して第２周波数ｆｒ２に現れる第２ピークと、を含み、
    前記スペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷが下記の式を満たしている、
    ＢＷ≦３．９×ｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδ
    ｆｒ（ａｖｅ）＝（ｆｒ１＋ｆｒ２）／２
    電波吸収シート。
  2. 電波吸収シートであって、
    第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含む第１誘電体層と、
    前記第１面に位置し、第１方向に並ぶ複数の第１導電体層と、
    前記第２面に位置する第２導電体層と、を備え、
    前記複数の第１導電体層は、複数の第１形状層と、平面視において前記第１形状層とは異なる形状を有する複数の第２形状層と、を含み、
    前記第２形状層の形状は、前記第１形状層の形状と相似であり、
    前記第１誘電体層の誘電正接は、０．１０以下であり、
    前記第１形状層の面積Ｓａと前記第２形状層の面積Ｓｂとの間に下記の式が成立しており、
    １＋１×ｔａｎδ≦Ｓａ／Ｓｂ≦１＋８×ｔａｎδ
    ｔａｎδは前記第１誘電体層の誘電正接であり、
    前記電波吸収シートの吸収特性を示すスペクトルは、前記第１形状層に対応して第１周波数ｆｒ１に現れる第１ピークと、前記第２形状層に対応して第２周波数ｆｒ２に現れる第２ピークと、を含み、
    前記スペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷが下記の式を満たしている、
    ＢＷ≦３．９×ｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδ
    ｆｒ（ａｖｅ）＝（ｆｒ１＋ｆｒ２）／２
    電波吸収シート。
  3. 前記第２形状層の形状は、前記第１形状層の形状と相似である、請求項１に記載の電波吸収シート。
  4. 前記第２形状層の面積は、前記第１形状層の面積よりも小さい、請求項２に記載の電波吸収シート。
  5. 前記電波吸収シートの吸収特性を示すスペクトルの－３ｄＢ帯域ＢＷが下記の式を満たしており、
    ２×ｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδ＜ＢＷ≦３．９×ｆｒ（ａｖｅ）×ｔａｎδ
    ｆｒ（ａｖｅ）＝（ｆｒ１＋ｆｒ２）／２
    ｔａｎδは前記第１誘電体層の誘電正接である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電波吸収シート。
  6. 前記第１面側に位置し、前記第１導電体層を覆うオーバーコート層を備える、請求項１又は２に記載の電波吸収シート。
  7. 前記第２導電体層上に位置する粘着層を備える、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電波吸収シート。
  8. 前記第１面における前記第１導電体層の占有率が０．８５以下である、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電波吸収シート。
  9. 前記第１方向における前記第１導電体層の寸法は、５．０ｍｍ未満である、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電波吸収シート。
  10. 前記第１誘電体層の厚みは、３００μｍ以下である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電波吸収シート。
  11. 前記第１誘電体層の比誘電率は、２０未満である、請求項１又は２に記載の電波吸収シート。
  12. 前記電波吸収シートの厚みは、３５０μｍ以下である、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電波吸収シート。
  13. 前記電波吸収シートの吸収特性を示すスペクトルは、前記第１形状層に対応して第１周波数ｆｒ１に現れる第１ピークと、前記第２形状層に対応して第２周波数ｆｒ２に現れる第２ピークと、を含み、
    前記第１周波数ｆｒ１及び前記第２周波数ｆｒ２はいずれも、２０ＧＨｚ以上１１０ＧＨｚ以下である、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電波吸収シート。
  14. 電波を送信又は受信する通信機構と、
    請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の電波吸収シートと、を備える、通信装置。
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