JP7454874B2 - 基板ホルダー搬送システム - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 349
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 46
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 14
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Description
本発明は、基板ホルダーを搬送する搬送システムに関する。
成膜源と向かい合せるために、基板を傾斜させるチルト駆動を行う成膜装置が知られている。
前述した従来の成膜装置は、成膜処理の度に基板を傾斜させる工程を要していた。このため、スループットが低下し、処理量を増やすことが困難であった。
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものである。その目的は、スループットを高めて、処理量を増やすことができる搬送システムを提供することにある。
本発明による基板ホルダー搬送システムの特徴は、
蒸着材料を蒸発させる蒸発源から離れて配置される基板ホルダー支持体であって、水平方向とは異なる所定の角度で傾き、かつ、少なくとも１つの成膜対象の基板を保持する少なくとも１つの基板ホルダーを支持する支持部を有する基板ホルダー支持体と、
前記基板ホルダーを前記所定の角度に応じて傾いた状態を維持して前記支持部にロードする基板ホルダー搬送部と、を備えることである。
蒸着材料を蒸発させる蒸発源から離れて配置される基板ホルダー支持体であって、水平方向とは異なる所定の角度で傾き、かつ、少なくとも１つの成膜対象の基板を保持する少なくとも１つの基板ホルダーを支持する支持部を有する基板ホルダー支持体と、
前記基板ホルダーを前記所定の角度に応じて傾いた状態を維持して前記支持部にロードする基板ホルダー搬送部と、を備えることである。
スループットを高めて、処理量を増やすことができる。
＜＜＜＜本実施の形態の概要＞＞＞＞
＜＜第１の特徴＞＞
第１の特徴によれば、
蒸着材料を蒸発させる蒸発源から離れて配置される基板ホルダー支持体であって、水平方向とは異なる所定の角度で傾き、かつ、少なくとも１つの成膜対象の基板（例えば、後述する基板ＳＢなど）を保持する少なくとも１つの基板ホルダー（例えば、後述する基板ホルダー２００など）を支持する支持部（例えば、後述する囲繞部１２０など）を有する基板ホルダー支持体（例えば、後述する基板ドーム１００など）と、
前記基板ホルダーを前記所定の角度（例えば、後述する角θなど）に応じて傾いた状態を維持して前記支持部にロードする基板ホルダー搬送部（例えば、後述する搬送システム４００など）と、を備える基板ホルダー搬送システム、
が提供される。
＜＜第１の特徴＞＞
第１の特徴によれば、
蒸着材料を蒸発させる蒸発源から離れて配置される基板ホルダー支持体であって、水平方向とは異なる所定の角度で傾き、かつ、少なくとも１つの成膜対象の基板（例えば、後述する基板ＳＢなど）を保持する少なくとも１つの基板ホルダー（例えば、後述する基板ホルダー２００など）を支持する支持部（例えば、後述する囲繞部１２０など）を有する基板ホルダー支持体（例えば、後述する基板ドーム１００など）と、
前記基板ホルダーを前記所定の角度（例えば、後述する角θなど）に応じて傾いた状態を維持して前記支持部にロードする基板ホルダー搬送部（例えば、後述する搬送システム４００など）と、を備える基板ホルダー搬送システム、
が提供される。
基板ホルダー搬送システムは、基板ホルダー支持体と基板ホルダー搬送部とを備える。
基板ホルダー支持体は、蒸着材料を蒸発させる蒸発源から離れて配置される。基板ホルダー支持体は、支持部を有する。支持部は、水平方向とは異なる所定の角度で傾いている。支持部は、少なくとも１つの基板ホルダーを支持する。基板ホルダーは、成膜対象の基板を保持する。
基板ホルダー搬送部は、基板ホルダーを支持部にロードする。基板ホルダー搬送部は、所定の角度に応じて傾いた状態を維持して基板ホルダーを搬送して支持部にロードする。
傾いた状態を維持して基板ホルダーを搬送するので、基板ホルダーを傾ける制御や動作を省くことができ、スループットを高めて、処理量を増やすことができる。
＜＜第２の特徴＞＞
第２の特徴は、第１の特徴において、
少なくとも１つの前記基板ホルダーを、前記所定の角度に応じて傾いた状態で前記支持部にロード可能に保持するロード用保持部（例えば、後述するロード用スタッカー３００Ｌなど）を、さらに備える。
第２の特徴は、第１の特徴において、
少なくとも１つの前記基板ホルダーを、前記所定の角度に応じて傾いた状態で前記支持部にロード可能に保持するロード用保持部（例えば、後述するロード用スタッカー３００Ｌなど）を、さらに備える。
ロード用保持部は、予め基板ホルダーを傾けているので、基板ホルダーを傾ける制御や動作を省くことができ、スループットを高めて、処理量を増やすことができる。
＜＜第３の特徴＞＞
第３の特徴は、第１の特徴において、
前記基板ホルダー搬送部は、前記基板ホルダーを前記所定の角度に応じて傾いた状態を維持して（例えば、後述するハンド装置４１０など）前記支持部からアンロードする。
第３の特徴は、第１の特徴において、
前記基板ホルダー搬送部は、前記基板ホルダーを前記所定の角度に応じて傾いた状態を維持して（例えば、後述するハンド装置４１０など）前記支持部からアンロードする。
搬送時においても、基板ホルダーを傾けているので、基板ホルダーを傾ける制御や動作を省くことができ、スループットを高めて、処理量を増やすことができる。
＜＜第４の特徴＞＞
第４の特徴は、第３の特徴において、
前記所定の角度に応じて傾いた状態で、前記支持部からアンロードされた少なくとも１つの基板ホルダーを保持するアンロード用保持部（例えば、アンロード用スタッカー３００Ｕなど）を、さらに備える。
第４の特徴は、第３の特徴において、
前記所定の角度に応じて傾いた状態で、前記支持部からアンロードされた少なくとも１つの基板ホルダーを保持するアンロード用保持部（例えば、アンロード用スタッカー３００Ｕなど）を、さらに備える。
アンロード用保持部も、成膜処理後の保管時においても、基板ホルダーを傾けているので、基板ホルダーを傾ける制御や動作を省くことができ、スループットを高めて、処理量を増やすことができる。
＜＜第５の特徴＞＞
第５の特徴は、第２の特徴において、
前記ロード用保持部は、前記所定の角度に応じて傾いた状態で、複数の基板ホルダーを重ねて保持する。
第５の特徴は、第２の特徴において、
前記ロード用保持部は、前記所定の角度に応じて傾いた状態で、複数の基板ホルダーを重ねて保持する。
複数の基板ホルダーを予め傾けているので、基板ホルダーごとに傾ける制御や動作を省くことができ、スループットを高めて、処理量を増やすことができる。
＜＜第６の特徴＞＞
第６の特徴は、第４の特徴において、
前記アンロード用保持部は、前記所定の角度に応じて傾いた状態で、複数の基板ホルダーを重ねて保持する。
第６の特徴は、第４の特徴において、
前記アンロード用保持部は、前記所定の角度に応じて傾いた状態で、複数の基板ホルダーを重ねて保持する。
成膜処理後の保管時においても、複数の基板ホルダーを傾けているので、基板ホルダーごとに傾ける制御や動作を省くことができ、スループットを高めて、処理量を増やすことができる。
＜＜＜＜本実施の形態の詳細＞＞＞＞
以下に、実施の形態について図面に基づいて説明する。本実施の形態による成膜装置の概略の構成を示す概略図である。図２（ａ）は、基板ホルダー２００を示す正面図であり、図２（ｂ－１）は、５つの基板ホルダー２００が搭載されたときの基板ホルダースタッカー３００の状態を示す側面図であり、図２（ｂ－２）は、２つの基板ホルダー２００が搭載されたときの基板ホルダースタッカー３００の状態を示す側面図である。図３は、ロードの過程及びアンロードの過程を示す概略図である。図４は、ロード用スタッカー３００Ｌの最上位置の基板ホルダー２００の高さと、基板ホルダー２００に載置された基板ホルダー２００の高さと、アンロード用スタッカー３００Ｕの最上位置の基板ホルダー２００の高さとを示す概略図である。なお、図３では、基板ホルダー２００を簡略化して示した。
以下に、実施の形態について図面に基づいて説明する。本実施の形態による成膜装置の概略の構成を示す概略図である。図２（ａ）は、基板ホルダー２００を示す正面図であり、図２（ｂ－１）は、５つの基板ホルダー２００が搭載されたときの基板ホルダースタッカー３００の状態を示す側面図であり、図２（ｂ－２）は、２つの基板ホルダー２００が搭載されたときの基板ホルダースタッカー３００の状態を示す側面図である。図３は、ロードの過程及びアンロードの過程を示す概略図である。図４は、ロード用スタッカー３００Ｌの最上位置の基板ホルダー２００の高さと、基板ホルダー２００に載置された基板ホルダー２００の高さと、アンロード用スタッカー３００Ｕの最上位置の基板ホルダー２００の高さとを示す概略図である。なお、図３では、基板ホルダー２００を簡略化して示した。
＜＜＜＜成膜装置１０＞＞＞＞
成膜装置１０は、主に、蒸発源２０及び基板ドーム１００を有する。蒸発源２０及び基板ドーム１００は、真空チャンバー３０内に収容される。
成膜装置１０は、主に、蒸発源２０及び基板ドーム１００を有する。蒸発源２０及び基板ドーム１００は、真空チャンバー３０内に収容される。
＜＜＜真空チャンバー３０＞＞＞
真空チャンバー３０内には、高さ方向に沿って、下から順に、蒸発源２０及び基板ドーム１００が配置されている。真空チャンバー３０は、蒸発源２０と基板ドーム１００との間隔より長い高さを有する。
真空チャンバー３０内には、高さ方向に沿って、下から順に、蒸発源２０及び基板ドーム１００が配置されている。真空チャンバー３０は、蒸発源２０と基板ドーム１００との間隔より長い高さを有する。
真空チャンバー３０は、排気孔を有する。真空チャンバー３０には、真空ポンプ（図示せず）が接続されている。真空チャンバー３０の内部を所望する真空度にすることができる。
真空チャンバー３０は、ヒーターを有する。基板ドーム１００に設置された基板ＳＢを加熱することができる。真空チャンバー３０は、各種のセンサ（図示せず）を有する。センサによって、真空度や温度を制御することができる。
＜＜＜基板ＳＢ＞＞＞
基板ＳＢは、蒸着物質が付着される蒸着処理の対象物である。例えば、基板ＳＢは、薄い円板状の形状を有する。基板ＳＢの円状の表面に蒸着物質が付着される。基板ＳＢは、薄い円板状の形状に限られず、他の形状でもよい。
基板ＳＢは、蒸着物質が付着される蒸着処理の対象物である。例えば、基板ＳＢは、薄い円板状の形状を有する。基板ＳＢの円状の表面に蒸着物質が付着される。基板ＳＢは、薄い円板状の形状に限られず、他の形状でもよい。
基板ＳＢは、所望の大きさを有する。例えば、直径が２インチ、４インチ、８インチなどにすることができる。
基板ＳＢは、蒸発物質の種類に応じた材質からなる。例えば、基板ＳＢは、ＬＴ、ＬＮ、Ｓｉ、ＳｉＯ２などから構成される。
＜＜＜基板ドーム１００＞＞＞
基板ドーム１００は、基板ＳＢを保持する。基板ドーム１００に保持された基板ＳＢが成膜の対象である。
基板ドーム１００は、基板ＳＢを保持する。基板ドーム１００に保持された基板ＳＢが成膜の対象である。
基板ドーム１００は、複数の基板ホルダー２００を保持する。例えば、基板ドーム１００は、５枚の基板ホルダー２００を保持する。基板ドーム１００は、１つの基板ホルダー２００を保持するように構成してもよい。
後述するように、１枚の基板ホルダー２００は、複数の基板ＳＢを保持する。例えば、１枚の基板ホルダー２００は、３枚の基板ＳＢを保持する。基板ドーム１００は、基板ホルダー２００を介して基板ＳＢを一定の位置に配置する。
基板ドーム１００は、複数の基板ＳＢを同時に蒸着処理できる。基板ドーム１００は、真空チャンバー３０の上部に配置される。基板ドーム１００は、蒸発源２０から約１２００ｍｍ程度に離隔して配置される。蒸発源２０との距離は、基板の大きさに応じて適宜に定めることができる。
基板ドーム１００の大きさは、同時に蒸着処理したい基板ホルダー２００や基板ＳＢの大きさや数に応じて適宜に定めることができる。
基板ドーム１００の材質や特性は、真空状態や加熱状態で構成物質を発しにくく、耐熱性を有するものであればよい。例えば、Ｔｉ、ステンレス、Ａｌ等がある。
＜形状・構造＞
基板ドーム１００は、略角錐状や略円錐状や略傘状や略椀状や略ボウル状や略半球状などの形状を有する。
基板ドーム１００は、略角錐状や略円錐状や略傘状や略椀状や略ボウル状や略半球状などの形状を有する。
基板ドーム１００は、中心部１１０と、中心部１１０を囲繞する複数の囲繞部１２０とを有する。例えば、基板ドーム１００は、５つの囲繞部１２０を有する。囲繞部１２０は、略扇形の形状を有する。５つの囲繞部１２０の最外周部１３０は、全体で、中心部１１０を中心とした略円状や略多角形状の輪郭を有する。
囲繞部１２０は、中心部１１０から半径方向に沿って最外周部１３０に向かうに従って水平方向に対して偏倚する。例えば、囲繞部１２０は、中心部１１０から最外周部１３０に向かうに従って下方に偏倚する。囲繞部１２０は、水平方向に対して所定の角度をなして下方に傾く。一の囲繞部１２０に一の基板ホルダー２００が載置される。
＜開口部１４０＞
囲繞部１２０は、少なくとも１つの開口部１４０を有する。開口部１４０を覆うように、基板ホルダー２００が囲繞部１２０に配置される。開口部１４０を介して、蒸発源２０からの蒸着物質を基板ＳＢに蒸着することができる。
囲繞部１２０は、少なくとも１つの開口部１４０を有する。開口部１４０を覆うように、基板ホルダー２００が囲繞部１２０に配置される。開口部１４０を介して、蒸発源２０からの蒸着物質を基板ＳＢに蒸着することができる。
＜蒸発源２０と基板ＳＢとの距離＞
複数の囲繞部１２０を水平方向に対して所定の角度をなして下方に傾けることで、蒸発源２０と複数の囲繞部１２０との距離を揃えることができる。このようにすることで、蒸発源２０と基板ＳＢの各々との距離を揃えることができる。基板ＳＢの各々を蒸発源２０に向かう方向に対して略垂直に延在するのが好ましい。距離を揃えることによって、複数の基板ＳＢの膜厚や膜質などを近づけることができる。
複数の囲繞部１２０を水平方向に対して所定の角度をなして下方に傾けることで、蒸発源２０と複数の囲繞部１２０との距離を揃えることができる。このようにすることで、蒸発源２０と基板ＳＢの各々との距離を揃えることができる。基板ＳＢの各々を蒸発源２０に向かう方向に対して略垂直に延在するのが好ましい。距離を揃えることによって、複数の基板ＳＢの膜厚や膜質などを近づけることができる。
＜＜＜基板ホルダー２００＞＞＞
図２（ａ）は、基板ホルダー２００を示す正面図である。
図２（ａ）は、基板ホルダー２００を示す正面図である。
基板ホルダー２００は、複数の基板ＳＢを保持する。例えば、基板ホルダー２００は、５枚の基板ＳＢを保持する。基板ホルダー２００は、少なくも１つの基板ＳＢを保持すればよい。基板ホルダー２００に保持する基板ＳＢの数は、基板ホルダー２００や基板ＳＢの大きさなどに応じて適宜に定めればよい。
基板ホルダー２００は、基板ドーム１００の囲繞部１２０に載置される。複数の基板ＳＢは、基板ホルダー２００を介して基板ドーム１００に載置される。基板ホルダー２００は、基板ＳＢを基板ドーム１００に保持するためのアダプターとして機能する。
＜材質＞
基板ホルダー２００は、金属やガラスなどによって構成される。例えば、基板ホルダー２００は、アルミやステンレスなどから構成される。基板ホルダー２００は、加熱状態や真空状態に適した材質で構成されればよい。基板ホルダー２００は、耐熱性を有し、真空状態でガス放出され難い材質で構成されればよい。基板ホルダー２００は、一定の形状に加工したり一定の形状を保ったりしやすい材質で構成されればよい。
基板ホルダー２００は、金属やガラスなどによって構成される。例えば、基板ホルダー２００は、アルミやステンレスなどから構成される。基板ホルダー２００は、加熱状態や真空状態に適した材質で構成されればよい。基板ホルダー２００は、耐熱性を有し、真空状態でガス放出され難い材質で構成されればよい。基板ホルダー２００は、一定の形状に加工したり一定の形状を保ったりしやすい材質で構成されればよい。
＜形状＞
基板ホルダー２００は、薄い板状の形状を有する。基板ホルダー２００は、略扇型の形状を有する。基板ホルダー２００は、略等脚台形や略二等辺三角形状の板状の形状を有してもよい。基板ホルダー２００は、少なくとも１つの基板ＳＢを搭載して基板ドーム１００の囲繞部１２０に載置できる形状であればよい。
基板ホルダー２００は、薄い板状の形状を有する。基板ホルダー２００は、略扇型の形状を有する。基板ホルダー２００は、略等脚台形や略二等辺三角形状の板状の形状を有してもよい。基板ホルダー２００は、少なくとも１つの基板ＳＢを搭載して基板ドーム１００の囲繞部１２０に載置できる形状であればよい。
＜第１の面２１０Ｆ及び第２の面２１０Ｓ＞
基板ホルダー２００は、第１の面２１０Ｆ及び第２の面２１０Ｓを有する。第１の面２１０Ｆの法線の方向は、第２の面の法線の方向に対して逆の方向である。基板ホルダー２００の使用時には、第１の面２１０Ｆの法線は略上方向に向き、第２の面の法線は略下方向に向く。基板ＳＢは、第１の面２１０Ｆ側に載せられる。
基板ホルダー２００は、第１の面２１０Ｆ及び第２の面２１０Ｓを有する。第１の面２１０Ｆの法線の方向は、第２の面の法線の方向に対して逆の方向である。基板ホルダー２００の使用時には、第１の面２１０Ｆの法線は略上方向に向き、第２の面の法線は略下方向に向く。基板ＳＢは、第１の面２１０Ｆ側に載せられる。
＜突起２２０＞
基板ホルダー２００は、複数の突起２２０を有する。複数の突起２２０は、基板ホルダー２００の第１の面２１０Ｆに設けられる。例えば、４つの突起２２０が、第１の面２１０Ｆに設けられる。突起２２０は、第１の面２１０Ｆから離隔する方向に沿って突出する。複数の突起２２０は、略同じ高さを有する。
基板ホルダー２００は、複数の突起２２０を有する。複数の突起２２０は、基板ホルダー２００の第１の面２１０Ｆに設けられる。例えば、４つの突起２２０が、第１の面２１０Ｆに設けられる。突起２２０は、第１の面２１０Ｆから離隔する方向に沿って突出する。複数の突起２２０は、略同じ高さを有する。
一の基板ホルダー２００の突起２２０の先端部は、一の基板ホルダー２００の直上に配置される他の基板ホルダー２００の第２の面２１０Ｓと当接する。複数の突起２２０によって一定の間隙を形成して、複数の基板ホルダー２００を上側に順次に重ねて配置できる。突起２２０によって、後述する基板ホルダースタッカー３００上に複数の基板ホルダー２００を重ねて載置できる。一定の間隙を形成することで、後述するハンド装置４１０が、間隙に進入することができ、基板ホルダー２００を容易に把持できる。ハンド装置４１０が把持した基板ホルダー２００は、ロードされたりアンロードされたりする。
＜切り欠き部２３０＞
基板ホルダー２００は、複数の切り欠き部２３０を有する。複数の切り欠き部２３０は、基板ホルダー２００の端部に形成される。例えば、４つの切り欠き部２３０が基板ホルダー２００の端辺に形成される。少なくとも１つの切り欠き部２３０が基板ホルダー２００の端部に形成されればよい。
基板ホルダー２００は、複数の切り欠き部２３０を有する。複数の切り欠き部２３０は、基板ホルダー２００の端部に形成される。例えば、４つの切り欠き部２３０が基板ホルダー２００の端辺に形成される。少なくとも１つの切り欠き部２３０が基板ホルダー２００の端部に形成されればよい。
切り欠き部２３０は、ロード用スタッカー３００Ｌやアンロード用スタッカー３００Ｕに設けられた棒体３１０と係合できる。切り欠き部２３０を棒体３１０と係合させることで、ロード用スタッカー３００Ｌやアンロード用スタッカー３００Ｕで、複数の基板ホルダー２００の向きを揃えて重ねることができる。基板ホルダー２００の向きを揃えることで、ハンド装置４１０は基板ホルダー２００を把持しやすくなり、基板ホルダー２００を安定してロードしたりアンロードしたりできる。
＜貫通孔２４０＞
基板ホルダー２００は、貫通孔２４０を有する。貫通孔２４０を覆うように基板ＳＢが配置される。一の貫通孔２４０に一の基板ＳＢが対応する。成膜処理時には、蒸発物質は、貫通孔２４０を介して基板ＳＢに付着される。
基板ホルダー２００は、貫通孔２４０を有する。貫通孔２４０を覆うように基板ＳＢが配置される。一の貫通孔２４０に一の基板ＳＢが対応する。成膜処理時には、蒸発物質は、貫通孔２４０を介して基板ＳＢに付着される。
＜＜＜基板ホルダースタッカー３００（ロード用スタッカー３００Ｌ及びアンロード用スタッカー３００Ｕ）＞＞＞
図２（ｂ－１）は、５つの基板ホルダー２００が搭載されたときの基板ホルダースタッカー３００の状態を示す側面図である。図２（ｂ－２）は、２つの基板ホルダー２００が搭載されたときの基板ホルダースタッカー３００の状態を示す側面図である。
図３及び図４に示すように、基板ホルダースタッカー３００は、ロード用スタッカー３００Ｌ及びアンロード用スタッカー３００Ｕを有する。ロード用スタッカー３００Ｌは、基板ドーム１００にロードする基板ホルダー２００が載置される。アンロード用スタッカー３００Ｕは、基板ドーム１００からアンロードされた基板ホルダー２００が載置される。ロード用スタッカー３００Ｌ及びアンロード用スタッカー３００Ｕは、同様の構成を有する。特に区別する必要がない場合には、単に基板ホルダースタッカー３００と称する。なお、図３では、ロード用スタッカー３００Ｌ及びアンロード用スタッカー３００Ｕに載置された最上位置の基板ホルダー２００を代表的に、ロード用スタッカー３００Ｌ及びアンロード用スタッカー３００Ｕとして示した。
基板ホルダースタッカー３００は、少なくとも１つの基板ホルダー２００を保持する。基板ホルダースタッカー３００は、基板ホルダー２００を傾けて保持する。基板ホルダースタッカー３００は、複数の基板ホルダー２００を水平に対して傾けて保持する。複数の基板ホルダー２００は、基板ホルダースタッカー３００に互いに平行に重ねられて保持される。
＜＜棒体３１０＞＞
図２（ｂ－１）及び（ｂ－２）に示すように、基板ホルダースタッカー３００は、少なくとも１本の棒体３１０を有する。例えば、基板ホルダースタッカー３００は、４本の棒体３１０を有する。棒体３１０は、長尺な形状を有する。棒体３１０は、鉛直方向に延在する。なお、鉛直方向は、重力の方向であり、水平方向に対してと垂直をなす。棒体３１０が延在する方向は、鉛直方向に限らず、他の方向でもよい。棒体３１０が延在する方向は、ハンド装置４１０が基板ホルダー２００を把持しやすい方向などにすればよい。
図２（ｂ－１）及び（ｂ－２）に示すように、基板ホルダースタッカー３００は、少なくとも１本の棒体３１０を有する。例えば、基板ホルダースタッカー３００は、４本の棒体３１０を有する。棒体３１０は、長尺な形状を有する。棒体３１０は、鉛直方向に延在する。なお、鉛直方向は、重力の方向であり、水平方向に対してと垂直をなす。棒体３１０が延在する方向は、鉛直方向に限らず、他の方向でもよい。棒体３１０が延在する方向は、ハンド装置４１０が基板ホルダー２００を把持しやすい方向などにすればよい。
棒体３１０は、切り欠き部２３０と係合することができる。一の棒体３１０に一の切り欠き部２３０が対応する。棒体３１０に切り欠き部２３０を係合させることによって、水平に対して傾いた基板ホルダー２００を安定して基板ホルダースタッカー３００に保持できる。棒体３１０に切り欠き部２３０を係合させることで、複数の基板ホルダースタッカー３００の向きを揃えて基板ホルダースタッカー３００に複数の基板ホルダースタッカー３００を重ねて安定して保持できる。
＜傾斜調整部３２０＞
図２（ｂ－１）及び（ｂ－２）に示すように、基板ホルダースタッカー３００は、傾斜調整部３２０を有する。傾斜調整部３２０は、基板ホルダースタッカー３００に載置される基板ホルダー２００の傾き（角θ）を定める。傾斜調整部３２０によって、基板ホルダースタッカー３００に基板ホルダー２００を水平方向とは異なる方向に保持する。傾斜調整部３２０は、基板ホルダー２００を水平方向から傾けた状態で基板ホルダースタッカー３００に保持する。傾斜調整部３２０によって定められた傾きで、複数の基板ホルダー２００が基板ホルダースタッカー３００に重ねられて載置される。
図２（ｂ－１）及び（ｂ－２）に示すように、基板ホルダースタッカー３００は、傾斜調整部３２０を有する。傾斜調整部３２０は、基板ホルダースタッカー３００に載置される基板ホルダー２００の傾き（角θ）を定める。傾斜調整部３２０によって、基板ホルダースタッカー３００に基板ホルダー２００を水平方向とは異なる方向に保持する。傾斜調整部３２０は、基板ホルダー２００を水平方向から傾けた状態で基板ホルダースタッカー３００に保持する。傾斜調整部３２０によって定められた傾きで、複数の基板ホルダー２００が基板ホルダースタッカー３００に重ねられて載置される。
傾斜調整部３２０は、基板ホルダー２００の傾きを調整できる（矢印Ａ参照）。例えば、基板ドーム１００の囲繞部１２０の傾斜に応じて基板ホルダー２００の傾きを変更することができる。傾斜調整部３２０によって、基板ドーム１００の囲繞部１２０の傾斜とおおよそ一致するように、基板ホルダー２００の傾きを事前に調整することができる。
傾斜の調整は、手動で傾斜を調整する構成でも、駆動装置で傾斜を調整する構成でもよい。手動で調整する場合には、回転可能な部材など（図示せず）を手で回転させて、所望する傾きに変更する。駆動装置で調整する場合には、電動モータなど（図示せず）を駆動して、所望する傾きに変更する。
＜＜昇降機構３３０＞＞
図２（ｂ－１）及び（ｂ－２）に示すように、基板ホルダースタッカー３００は、昇降機構３３０を有する。昇降機構３３０は、基板ホルダースタッカー３００に載置された基板ホルダー２００の全体の高さを調節する（矢印Ｂ参照）。図２（ｂ－２）の白い矢印で示すように、図２（ｂ－２）は、図２（ｂ－１）よりも、昇降機構３３０によって上昇された状態を示す。
図２（ｂ－１）及び（ｂ－２）に示すように、基板ホルダースタッカー３００は、昇降機構３３０を有する。昇降機構３３０は、基板ホルダースタッカー３００に載置された基板ホルダー２００の全体の高さを調節する（矢印Ｂ参照）。図２（ｂ－２）の白い矢印で示すように、図２（ｂ－２）は、図２（ｂ－１）よりも、昇降機構３３０によって上昇された状態を示す。
昇降機構３３０は、基板ホルダースタッカー３００の最上位置の基板ホルダー２００が一定の位置となるように高さを調節する。例えば、５つの基板ホルダー２００が搭載されたときの最上位置の基板ホルダー２００の位置（図２（ｂ－１））と、２つの基板ホルダー２００が搭載されたときの最上位置の基板ホルダー２００の位置（図２（ｂ－２））とは、破線で示すように同じである。
昇降機構３３０は、ばねなどの付勢力を発生させる弾性手段によって基板ホルダー２００の高さを調節してもよい。また、昇降機構３３０は、荷重をセンサ（図示せず）によって測定して、荷重に応じて電動モータ（図示せず）を駆動して基板ホルダー２００の高さを調節してもよい。
＜＜基板ホルダー２００が載置される向き＞＞
基板ホルダースタッカー３００においては、第１の面２１０Ｆが上を向き、第２の面２１０Ｓが下を向くように、基板ホルダー２００が載置される。
基板ホルダースタッカー３００においては、第１の面２１０Ｆが上を向き、第２の面２１０Ｓが下を向くように、基板ホルダー２００が載置される。
＜＜＜搬送システム４００＞＞＞
搬送システム４００は、基板ホルダー２００をロード用スタッカー３００Ｌから基板ドーム１００にロードする。さらに、搬送システム４００は、基板ホルダー２００を基板ドーム１００からアンロード用スタッカー３００Ｕにアンロードする。
搬送システム４００は、基板ホルダー２００をロード用スタッカー３００Ｌから基板ドーム１００にロードする。さらに、搬送システム４００は、基板ホルダー２００を基板ドーム１００からアンロード用スタッカー３００Ｕにアンロードする。
搬送システム４００は、ハンド装置４１０と搬送装置４２０とを有する。
＜ハンド装置４１０＞
ハンド装置４１０は、基板ホルダー２００を搬送可能に把持する。ハンド装置４１０は、基板ホルダー２００の端部や爪部や突起部など（図示せず）と掛合して把持することができる。ハンド装置４１０は、基板ホルダー２００を把持するための駆動措置（図示せず）を有する。駆動措置は、電動モータや圧縮空気などによって駆動されることができる。なお、掛合による把持だけでなく、磁力や真空による吸着力などによる把持でもよい。基板ホルダー２００を搬送可能に安定して保持できればよい。
ハンド装置４１０は、基板ホルダー２００を搬送可能に把持する。ハンド装置４１０は、基板ホルダー２００の端部や爪部や突起部など（図示せず）と掛合して把持することができる。ハンド装置４１０は、基板ホルダー２００を把持するための駆動措置（図示せず）を有する。駆動措置は、電動モータや圧縮空気などによって駆動されることができる。なお、掛合による把持だけでなく、磁力や真空による吸着力などによる把持でもよい。基板ホルダー２００を搬送可能に安定して保持できればよい。
ハンド装置４１０は、基板ホルダー２００を傾斜した状態を維持して把持する。ハンド装置４１０は、基板ホルダー２００を傾斜した状態を維持して、ロード用スタッカー３００Ｌから基板ドーム１００にロードする（図３の破線の矢印Ｌ参照）。さらに、ハンド装置４１０は、基板ホルダー２００を傾斜した状態を維持して、基板ドーム１００からアンロード用スタッカー３００Ｕにアンロードする（図３の破線の矢印Ｕ参照）。
ハンド装置４１０は、１つの基板ホルダー２００でも複数の基板ホルダー２００でも同時に搬送できる。
＜搬送装置４２０＞
搬送装置４２０は、ハンド装置４１０で把持した基板ホルダー２００を搬送する。搬送装置４２０は、ロード用スタッカー３００Ｌから基板ドーム１００に基板ホルダー２００を搬送する。搬送装置４２０は、基板ドーム１００からアンロード用スタッカー３００Ｕに基板ホルダー２００を搬送する。搬送装置４２０は、基板ホルダー２００を傾斜した状態を維持して基板ホルダー２００をロードしたりアンロードしたりする。
搬送装置４２０は、ハンド装置４１０で把持した基板ホルダー２００を搬送する。搬送装置４２０は、ロード用スタッカー３００Ｌから基板ドーム１００に基板ホルダー２００を搬送する。搬送装置４２０は、基板ドーム１００からアンロード用スタッカー３００Ｕに基板ホルダー２００を搬送する。搬送装置４２０は、基板ホルダー２００を傾斜した状態を維持して基板ホルダー２００をロードしたりアンロードしたりする。
搬送装置４２０は、一定の回転軸ＤＳの周りに回転する。搬送装置４２０が所定の角度で回転することで、ロード用スタッカー３００Ｌから基板ドーム１００に基板ホルダー２００を搬送する。搬送装置４２０が所定の角度だけ回転することで、基板ドーム１００からアンロード用スタッカー３００Ｕに基板ホルダー２００を搬送する。
搬送装置４２０の回転軸ＤＳは、ロード用スタッカー３００Ｌと、アンロード用スタッカー３００Ｕと、基板ドーム１００との略中心に位置にする。搬送装置４２０は、往復して回転せずに、一方向のみに回転する。例えば、搬送装置４２０は、時計回りのみに回転したり、反時計回りのみに回転したりする。このようにすることで、搬送装置４２０の制御を簡素にでき構造を簡素にできる。
搬送装置４２０は、基板ホルダー２００を回転させるだけでよく、基板ホルダー２００の半径方向の移動を不要にできる。搬送装置４２０制御を簡便にでき、搬送装置４２０の構造を簡素にできる。
＜＜＜ロード・アンロード＞＞＞
図４は、ロード用スタッカー３００Ｌの最上位置の基板ホルダー２００の高さと、基板ホルダー２００に載置された基板ホルダー２００の高さと、アンロード用スタッカー３００Ｕの最上位置の基板ホルダー２００の高さとを示す概略図である。
図４は、ロード用スタッカー３００Ｌの最上位置の基板ホルダー２００の高さと、基板ホルダー２００に載置された基板ホルダー２００の高さと、アンロード用スタッカー３００Ｕの最上位置の基板ホルダー２００の高さとを示す概略図である。
図４に示すように、
ロード用スタッカー３００Ｌの最上位置の基板ホルダー２００の高さと、
基板ホルダー２００に載置された基板ホルダー２００の高さと、
アンロード用スタッカー３００Ｕの最上位置の基板ホルダー２００の高さとは、
略同じである。
ロード用スタッカー３００Ｌの最上位置の基板ホルダー２００の高さと、
基板ホルダー２００に載置された基板ホルダー２００の高さと、
アンロード用スタッカー３００Ｕの最上位置の基板ホルダー２００の高さとは、
略同じである。
さらに、
ロード用スタッカー３００Ｌの最上位置の基板ホルダー２００の水平方向に対する傾きと、
基板ホルダー２００に載置された基板ホルダー２００の水平方向に対する傾きと、
アンロード用スタッカー３００Ｕの最上位置の基板ホルダー２００の水平方向に対する傾きとは、
略同じである。
ロード用スタッカー３００Ｌの最上位置の基板ホルダー２００の水平方向に対する傾きと、
基板ホルダー２００に載置された基板ホルダー２００の水平方向に対する傾きと、
アンロード用スタッカー３００Ｕの最上位置の基板ホルダー２００の水平方向に対する傾きとは、
略同じである。
このように構成したことにより、基板ホルダー２００の高さ及び傾きを変更することなく、ロード用スタッカー３００Ｌから基板ドーム１００にロードすることができる。同様に、基板ホルダー２００の高さ及び傾きを変更することなく、基板ドーム１００からアンロード用スタッカー３００Ｕにアンロードすることができる。基板ホルダー２００の上下方向の移動及び基板ホルダー２００の傾きの変更をする必要がなく、スループットを高めて、処理量を増やすことができる。
＜＜＜＜変形例＞＞＞＞
前述した例では、基板ホルダースタッカー３００が、昇降機構３３０を有する構成を示した。すなわち、ロード用スタッカー３００Ｌにおける最上位置の基板ホルダー２００の高さと、アンロード用スタッカー３００Ｕにおける最上位置の基板ホルダー２００の高さとが、基板ホルダー２００の高さと一致するように、昇降機構３３０が基板ホルダー２００の高さを調節した。
前述した例では、基板ホルダースタッカー３００が、昇降機構３３０を有する構成を示した。すなわち、ロード用スタッカー３００Ｌにおける最上位置の基板ホルダー２００の高さと、アンロード用スタッカー３００Ｕにおける最上位置の基板ホルダー２００の高さとが、基板ホルダー２００の高さと一致するように、昇降機構３３０が基板ホルダー２００の高さを調節した。
これに対して、搬送装置４２０が昇降機構を有し、基板ホルダー２００の搬送中に基板ホルダー２００の高さを調整して、基板ホルダー２００の高さと一致するようにしてもよい。このようにしても、基板ホルダー２００の傾きを調整する必要がないので、スループットを高めて、処理量を増やすことができる。
＜＜＜＜実施の形態の範囲＞＞＞＞
上述したように、本実施の形態を記載した。しかし、この開示の一部をなす記載及び図面は、限定するものと理解すべきでない。ここで記載していない様々な実施の形態等が含まれる。
上述したように、本実施の形態を記載した。しかし、この開示の一部をなす記載及び図面は、限定するものと理解すべきでない。ここで記載していない様々な実施の形態等が含まれる。
１０ 成膜装置
１００ 基板ドーム
３００Ｌ ロード用スタッカー
３００Ｕ アンロード用スタッカー
４００ 搬送システム
１００ 基板ドーム
３００Ｌ ロード用スタッカー
３００Ｕ アンロード用スタッカー
４００ 搬送システム
Claims (6)
- 複数の基板を、それぞれ保持する複数の基板ホルダーと、
前記複数の基板ホルダーを、水平方向とは異なる所定の角度で傾いた状態で載置する基板ホルダー保持部と、
蒸着材料を蒸発させる蒸着源から離れて配置され、前記基板ホルダーを前記所定の角度で傾いた状態で真空チャンバー内に保持する基板ドームと、
前記基板ホルダーを搬送するための基板ホルダー搬送部と、を備え、
前記ホルダー搬送部が、前記基板ホルダーを、前記所定の角度で傾いた状態で、前記基板ホルダー保持部と前記基板ドームとの間を搬送する基板ホルダー搬送システム。 - 前記基板ホルダー保持部が、前記基板ドームへロードするための前記基板ホルダーを前記所定の角度で傾いた状態で載置するロード用保持部と、前記基板ドームからアンロードされた前記基板ホルダーを前記所定の角度で傾いた状態で載置するアンロード用保持部とからなる、請求項１に記載の基板ホルダー搬送システム。
- 前記ロード用保持部が、前記所定の角度に応じて傾いた状態で、前記複数の基板ホルダーを重ねて保持するロード用スタッカーからなる、請求項２に記載の基板ホルダー搬送システム。
- 前記アンロード用保持部が、前記所定の角度に応じて傾いた状態で、前記複数の基板ホルダーを重ねて保持するアンロード用スタッカーからなる、請求項２に記載の基板ホルダー搬送システム。
- 蒸着材料を蒸発させる蒸着源から離れて配置される基板ホルダー支持体であって、
水平方向とは異なる所定の角度で傾き、かつ、少なくとも１つの成膜対象の基板を保持する少なくとも１つの基板ホルダーを支持する支持部を有する基板ホルダー支持体と、
前記基板ホルダーを前記所定の角度に応じて傾いた状態を維持して前記支持部にロードする基板ホルダー搬送部と、を備え、
少なくとも１つの前記基板ホルダーを、前記所定の角度に応じて傾いた状態で前記支持部にロード可能に保持するロード用保持部を、さらに備え、
前記ロード用保持部は、前記所定の角度に応じて傾いた状態で、複数の基板ホルダーを重ねて保持する、基板ホルダー搬送システム。 - 蒸着材料を蒸発させる蒸着源から離れて配置される基板ホルダー支持体であって、
水平方向とは異なる所定の角度で傾き、かつ、少なくとも１つの成膜対象の基板を保持する少なくとも１つの基板ホルダーを支持する支持部を有する基板ホルダー支持体と、
前記基板ホルダーを前記所定の角度に応じて傾いた状態を維持して前記支持部にロードする基板ホルダー搬送部と、を備え、
前記基板ホルダー搬送部は、前記基板ホルダーを前記所定の角度に応じて傾いた状態を維持して前記支持部からアンロードし、
前記所定の角度に応じて傾いた状態で、前記支持部からアンロードされた少なくとも１つの基板ホルダーを保持するアンロード用保持部を、さらに備え、
前記アンロード用保持部は、前記所定の角度に応じて傾いた状態で、複数の基板ホルダーを重ねて保持する、基板ホルダー搬送システム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022117167A JP7454874B2 (ja) | 2022-07-22 | 2022-07-22 | 基板ホルダー搬送システム |
| TW112126960A TW202405995A (zh) | 2022-07-22 | 2023-07-19 | 基板支架傳輸系統 |
| CN202310901774.0A CN117431521A (zh) | 2022-07-22 | 2023-07-21 | 基板支架输送系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022117167A JP7454874B2 (ja) | 2022-07-22 | 2022-07-22 | 基板ホルダー搬送システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024014383A JP2024014383A (ja) | 2024-02-01 |
| JP7454874B2 true JP7454874B2 (ja) | 2024-03-25 |
Family
ID=89554248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022117167A Active JP7454874B2 (ja) | 2022-07-22 | 2022-07-22 | 基板ホルダー搬送システム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7454874B2 (ja) |
| CN (1) | CN117431521A (ja) |
| TW (1) | TW202405995A (ja) |
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-
2022
- 2022-07-22 JP JP2022117167A patent/JP7454874B2/ja active Active
-
2023
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- 2023-07-21 CN CN202310901774.0A patent/CN117431521A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117431521A (zh) | 2024-01-23 |
| JP2024014383A (ja) | 2024-02-01 |
| TW202405995A (zh) | 2024-02-01 |
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