JP7447739B2 - 電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品に関する。

従来、携帯電話などのセットにおいて採用する通信周波数帯域は限定的であり、特定の使用周波数帯とインダクタなどのノイズフィルタの自己共振周波数を合わせ込み、伝送線路の特定周波数を高インピーダンスにするノイズ対策手法を採用していた。

この場合、Ｑ値の高い空芯系インダクタを採用する場合が一般的であり、複数部品にて複数周波数帯を減衰させる場合は、使用周波数帯以外の周波数帯域の通過特性としては反共振により減衰していない設計となっていた。このため、使用周波数が広帯域である場合や、複数の使用周波数が近接する場合には、適切なノイズ対策を施すことができなかった。

そこで、従来、（透磁率１よりも大きい）セラミック材料からなるインダクタを用いた電子部品を採用することで、Ｑ値を低下して、共振を鈍らせて、高インピーダンスの周波数帯域を広げるようにしていた。

例えば、従来のインダクタとして、特開２０１３－２１９０８８号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このインダクタは、巻芯部と第１鍔部および第２鍔部とを含むコアと、第１鍔部および第２鍔部のそれぞれに設けられた第１電極および第２電極と、第１電極および第２電極に電気的に接続され巻芯部に巻回されたワイヤとを備える。そして、このインダクタを２つ用意し、この２つのインダクタを基板に配置し伝送線路により直列に接続して、電子部品を構成していた。

特開２０１３－２１９０８８号公報

ところで、前記従来のような電子部品を実際に製造して使用しようとすると、次の問題があることが分かった。つまり、２つのインダクタを、磁気結合をしない状態または磁気結合が弱い状態で基板に配置すると、２つのインダクタの特性が個別にインピーダンスを持つため、より高い減衰特性を得ることができないことが分かった。

そこで、本開示は、より高い減衰特性を得ることができる電子部品を提供することにある。

前記課題を解決するため、本開示の一態様である電子部品は、
基板と、
前記基板の主面に配置された第１インダクタおよび第２インダクタと、
前記基板に設けられ、前記第１インダクタと前記第２インダクタとを直列に接続する伝送線路と
を備え、
前記第１インダクタの第１中心軸と前記第２インダクタの第２中心軸とは、前記基板の主面と平行であって、前記基板の主面に直交する方向からみて、同一直線上に位置せず、
前記第１インダクタと前記第２インダクタは、磁気結合する距離にて配置されている。

ここで、伝送線路とは、特定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）を有するように設計された第１インダクタと第２インダクタとを接続する配線をいう。磁気結合する距離とは、基板の主面に直交する方向からみて、第１インダクタの第１中心と第２インダクタの第２中心の距離が、５ｍｍ以内である。
また、第１インダクタの第１中心軸とは、第１インダクタを構成するコイルの巻回方向に沿って延在しかつ該コイルの中心を通過する軸をいう（第１インダクタのコイルの巻回軸ともいう）。第２インダクタの第２中心軸とは、第２インダクタを構成するコイルの巻回方向に沿って延在しかつ該コイルの中心を通過する軸をいう（第２インダクタのコイルの巻回軸ともいう）。

前記態様によれば、第１インダクタの第１中心軸と第２インダクタの第２中心軸とは、基板の主面と平行であって、基板の主面に直交する方向からみて、同一直線上に位置しない状態において、第１インダクタと第２インダクタは、磁気結合する距離にて配置されているので、第１インダクタと第２インダクタが磁気結合をし、総インダクタンス値が、第１インダクタと第２インダクタのそれぞれの固有インダクタンス値よりも大きくなる。これにより、自己共振周波数帯域において高い減衰特性を得ることができる。

本開示の一態様である電子部品によれば、より高い減衰特性を得ることができる。

第１実施形態の電子部品を示す斜視図である。 図１の平面方向から見た平面図である。 比較例の電子部品を示す平面図である。 実施例と比較例における周波数とＳ２１の関係を示すグラフである。 伝送線路の他の形状を示す平面図である。 伝送線路の他の形状を示す平面図である。 伝送線路の他の形状を示す平面図である。 伝送線路の他の形状を示す平面図である。 第１と第２インダクタの巻回方向と伝送線路の位置との第１実施例を示す平面図である。 第１と第２インダクタの巻回方向と伝送線路の位置との第２実施例を示す平面図である。 第１と第２インダクタの巻回方向と伝送線路の位置との第３実施例を示す平面図である。 第１と第２インダクタの巻回方向と伝送線路の位置との第４実施例を示す平面図である。 第１から第４実施例における周波数とＳ２１の関係を示すグラフである。 第２実施形態の電子部品を示す平面図である。

以下、本開示の一態様である電子部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の電子部品を示す斜視図である。図２は、図１の平面方向から見た平面図である。図１と図２に示すように、電子部品は、基板４０と、基板４０の主面４０ａに配置された第１インダクタ１Ａおよび第２インダクタ１Ｂと、基板４０に設けられ、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂとを直列に接続する伝送線路５０とを備える。ここで、基板４０の主面４０ａ上の一方向をＸ方向とし、基板４０の主面４０ａ上でＸ方向に直交する方向をＹ方向とし、基板４０の主面４０ａに直交する方向をＺ方向とする。便宜上、基板４０の主面４０ａは、四角形とし、Ｘ方向は、基板４０の主面４０ａの一辺方向とし、Ｙ方向は、基板４０の主面４０ａの一辺方向と交差する他辺方向とする。

第１インダクタ１Ａは、コア１０と、コア１０に設けられた第１電極３１および第２電極３２と、コア１０に巻回され第１電極３１および第２電極３２に電気的に接続されたワイヤ２１とを備える。なお、第２インダクタ１Ｂの構成は、同様の構成であるため、その説明を省略するが、第２インダクタ１Ｂの特性は、第１インダクタ１Ａの特性と異なっている。例えば、第１インダクタ１Ａおよび第２インダクタ１Ｂでは、巻回数が異なっていてもよい。

コア１０は、一定方向に延びる形状である巻芯部１３と、巻芯部１３の延びる方向の第１端に設けられ、当該方向と直交する方向に張り出す第１鍔部１１と、巻芯部１３の延びる方向の第２端に設けられ、当該方向と直交する方向に張り出す第２鍔部１２とを有する。巻芯部１３の形状、第１鍔部１１の形状および第２鍔部１２の形状は、例えば、それぞれ直方体であるがこれに限らず、他の形状、例えば、五角柱や六角柱など、直方体以外の多角柱、円柱であっても構わない。また、一部が湾曲面であっても構わない。第１と第２鍔部１１，１２は、巻芯部１３の延在方向に平行な全面から張り出しているが、第１と第２鍔部１１，１２は、巻芯部１３の当該全面のうちの一面から張り出していてもよい。

コア１０の材料としては、例えば、フェライトの焼結体や、磁性粉含有樹脂の成型体などの磁性材料が好ましく、アルミナや、非磁性粉含有樹脂又はフィラーを含有しない樹脂などの非磁性材料であってもよい。コア１０は、中実であるが、中空（空芯）であってもよい。コア１０の透磁率は、好ましくは、１よりも大きい。なお、以下では、第１鍔部１１の下面および第２鍔部１２の下面を、基板４０に実装される面とする。

第１電極３１は、第１鍔部１１の下面に設けられ、第２電極３２は、第２鍔部１２の下面に設けられる。第１電極３１および第２電極３２は、例えば、銀（Ａｇ）を導電成分とする導電性ペーストを塗布し、焼き付けることによって形成したり、ニッケル（Ｎｉ）－クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）－銅（Ｃｕ）をスパッタリングすることによって形成したりする。また、必要に応じてめっき膜がさらに形成されてもよい。めっき膜の材料としては、例えば錫（Ｓｎ）、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属や、Ｎｉ－Ｓｎ等の合金を用いることができる。なお、めっき膜を多層構造としてもよく、２種類以上のめっきを用いてもよい。

ワイヤ２１は、巻芯部１３に巻回されてコイルを構成する。ワイヤ２１は、例えば銅などの金属からなる導線がポリウレタンやポリアミドイミドなどの樹脂からなる被膜で覆われた絶縁被膜付導線である。ワイヤ２１の一端は、第１電極３１と電気的に接続され、ワイヤ２１の他端は、第２電極３２と電気的に接続されている。ワイヤ２１と第１、第２電極３１，３２とは、例えば熱圧着、ろう付け、溶接などによって接続される。

第１インダクタ１Ａは、基板４０に実装される際、第１鍔部１１の下面および第２鍔部１２の下面が基板４０の主面４０ａ（上面）に対向する。このとき、第１インダクタ１Ａの第１中心軸Ｃ１は、基板４０の主面４０ａと平行となる。すなわち、第１インダクタ１Ａは、ワイヤ２１の巻回軸が基板４０と平行となる。
ここで、基板４０の主面４０ａと平行であるとは、ＸＹ平面と平行であると言い換えることができる。また、平行であるとは、完全に平行であることのみならず、実質的に平行であることを含むものとする。例えば、第１インダクタ１Ａを基板４０に実装する時のずれ（製造誤差）を許容する。
第１インダクタ１Ａの第１中心軸Ｃ１は、コイルの巻回軸と言い換えることができる。また、第１インダクタ１Ａの第１中心軸Ｃ１は、第１インダクタ１Ａの巻芯部１３の延びる方向で巻芯部１３の中心を通過する軸と言い換えることもできる。

なお、第１インダクタ１Ａは、図示しないカバー部材をさらに有していてもよい。カバー部材は、巻芯部１３に巻回されたワイヤ２１を覆うように、巻芯部１３の上面および側面に設けられる。カバー部材の材料としては、例えば、エポキシ系の樹脂を用いることができる。カバー部材は、例えば、第１インダクタ１Ａを基板４０に実装する際に、吸引ノズルによる吸着が確実に行えるようにする。また、カバー部材は、吸引ノズルによる吸着時にワイヤ２１に傷がつくのを防止する。

基板４０は、絶縁性を有し、例えば、紙を基材としたフェノール樹脂（紙フェノール基板）、ガラス布を基材としたエポキシ樹脂（ガラスエポキシ基板）などから構成される。基板４０は、例えば、多層基板であり、第１層、第２層および第３層から構成される。第１層、第２層および第３層は、下から上に順に、積層される。基板４０の主面４０ａには、信号線としての第１ライン６１および第２ライン６２が配置されている。第１ライン６１は、入力側の信号線であり、第２ライン６２は、出力側の信号線である。第１層および第２層には、例えば、電源線やグラウンド線が配置されている。

第１インダクタ１Ａの第１電極３１は、第１ライン６１に接続され、第２インダクタ１Ｂの第１電極３１は、第２ライン６２に接続されている。第１インダクタ１Ａの第２電極３２は、伝送線路５０の第１端５１に接続され、第２インダクタ１Ｂの第２電極３２は、伝送線路５０の第２端５２に接続されている。これにより、第１ライン６１、第１インダクタ１Ａ、伝送線路５０、第２インダクタ１Ｂおよび第２ライン６２は、直列に接続される。信号は、第１ライン６１に入力され第２ライン６２から出力される。

第１インダクタ１Ａおよび第２インダクタ１Ｂは、磁気結合している。伝送線路５０は、特定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）を有するように設計された配線である。伝送線路５０は、基板４０の主面４０ａに設けられており、伝送線路５０を容易に配線できる。第１ライン６１および第２ライン６２も伝送線路５０と同様の構成である。

図２に示すように、第１インダクタ１Ａの第１中心軸Ｃ１と第２インダクタ１Ｂの第２中心軸Ｃ２とは、基板４０の主面４０ａと平行である。第１インダクタ１Ａの第１中心軸Ｃ１と第２インダクタ１Ｂの第２中心軸Ｃ２とは、基板４０の主面４０ａに直交する方向（Ｚ方向）からみて（以下、平面視という）、同一直線上に位置しない。ここで、同一直線上とは、完全に同一直線上となる状態に限らず、実質的に同一直線上である状態も含む。

具体的に述べると、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂは、基板４０の主面４０ａと平行な方向でかつ第１中心軸Ｃ１または第２中心軸Ｃ２に直交する方向からみて、重なる。第１中心軸Ｃ１と第２中心軸Ｃ２は、平面視した場合、平行である。ここで、平行であるとは、完全に平行であることのみならず、実質的に平行であることを含むものとする。第１中心軸Ｃ１および第２中心軸Ｃ２は、それぞれＸ方向に延在し、互いにＹ方向に平行となる。第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂは、Ｙ方向からみて、重なる。
言い換えると、第１インダクタ１Ａの第１鍔部１１における第１中心軸Ｃ１に平行な一面と第２インダクタ１Ｂの第１鍔部１１における第２中心軸Ｃ２に平行な一面とは、対向して配置されている。また、第１インダクタ１Ａの第２鍔部１２における第１中心軸Ｃ１に平行な一面と第２インダクタ１Ｂの第２鍔部１２における第２中心軸Ｃ２に平行な一面とは、対向して配置されている。

第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂは、磁気結合する距離Ｐにて配置されている。磁気結合する距離Ｐとは、平面視した場合、第１インダクタ１Ａの第１中心Ｍ１と第２インダクタ１Ｂの第２中心Ｍ２との間の距離が５ｍｍ以内である場合である。

これによれば、第１インダクタ１Ａの第１中心軸Ｃ１と第２インダクタ１Ｂの第２中心軸Ｃ２とは、基板４０の主面４０ａと平行であって、平面視した場合、同一直線上に位置しない状態において、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂは、磁気結合する距離にて配置されているので、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂが磁気結合をし、総インダクタンス値が、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂのそれぞれの固有インダクタンス値よりも大きくなる。これにより、自己共振周波数帯域において高い減衰特性を得ることができる。
また、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂは、基板４０の主面４０ａと平行な方向でかつ第１中心軸Ｃ１または第２中心軸Ｃ２に直交する方向からみて、重なるので、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂは、磁気結合しやすい位置関係となり、より高い減衰特性を得ることができる。

また、第１中心軸Ｃ１と第２中心軸Ｃ２は、平面視した場合、同一直線上に位置しない状態ではあるものの、平行であるので、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂは、磁気結合しやすい位置関係となり、より高い減衰特性を得ることができる。つまり、第１中心軸Ｃ１と第２中心軸Ｃ２が平行であると、第１インダクタ１Ａで発生する磁束が、第２インダクタ１Ｂの第２中心軸Ｃ２を通過し易くなり、第２インダクタ１Ｂで発生する磁束が、第１インダクタ１Ａの第１中心軸Ｃ１を通過し易くなる。このため、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂは、磁気結合し易くなる。

このときの実施例を説明する。

実施例では、図２に示すように、平面視した場合、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂの間の最短距離Ｋは、０．１ｍｍである。比較例では、図３に示すように、第１インダクタ１Ａの第１中心軸Ｃ１と第２インダクタ１Ｂの第２中心軸Ｃ２とは、平面視した場合、同一直線上に位置し、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂの間の最短距離Ｋ（つまり、第１インダクタ１Ａの第２鍔部１２と第２インダクタ１Ｂの第１鍔部１１の間の最短距離Ｋ）は、０．１ｍｍである。

図４は、実施例と比較例における周波数とＳ２１の関係を示す。図４に示すように、実施例のグラフＧ１は、比較例のグラフＧ０に比べて、低周波数域での高減衰特性を得ることができた。このように、実施例では、１ＧＨｚ前後、つまり、６００ＭＨｚから１．８ＧＨｚの間の周波数域において、高減衰特性を得ることができた。

図２に示すように、伝送線路５０は、平面視した場合、第１中心Ｍ１と第２中心Ｍ２を結ぶ直線Ｎと交差しないように形成されている。つまり、伝送線路５０の第１端５１は、第１インダクタ１Ａの第２電極３２に接続され、伝送線路５０Ａの第２端５２は、第２インダクタ１Ｂの第２電極３２に接続されている。なお、伝送線路５０の形状は、この形状に限定されず、図５Ａから図５Ｄに示すような形状であってもよい。

図５Ａに示すように、伝送線路５０Ａは、平面視した場合、第１中心Ｍ１と第２中心Ｍ２を結ぶ直線Ｎと交差するように形成されている。つまり、伝送線路５０Ａの第１端５１は、第１インダクタ１Ａの第２電極３２に接続され、伝送線路５０Ａの第２端５２は、第２インダクタ１Ｂの第１電極３１に接続されている。第１ライン６１は、第１インダクタ１Ａの第１電極３１に接続され、第２ライン６２は、第２インダクタ１Ｂの第２電極３２に接続されている。

図５Ｂに示すように、伝送線路５０Ｂの形状は、平面視した場合、３つの辺を有する形状であり、隣り合う辺は、直交している。これによれば、伝送線路５０Ｂの線路長を長くすることができる。図５Ｃに示すように、伝送線路５０Ｃの形状は、平面視した場合、Ｕ字形状である。これによれば、伝送線路５０Ｃは角部を有さないので、特性インピーダンスの変動が少ない。図５Ｄに示すように、伝送線路５０Ｄの形状は、平面視した場合、ミアンダ形状であってもよい。これによれば、伝送線路５０Ｄの線路長をさらに長くすることができる。

図２に示すように、第１インダクタ１Ａは、第１ライン６１と伝送線路５０の間に接続され、第２インダクタ１Ｂは、第２ライン６２と伝送線路５０の間に接続され、第１インダクタ１Ａにおける第１ライン６１から伝送線路５０に向かう巻回方向と、第２インダクタ１Ｂにおける伝送線路５０から第２ライン６２に向かう巻回方向とは、同一方向である。つまり、第１インダクタ１Ａにおける第１鍔部１１から第２鍔部１２に向かって巻回されるワイヤ２１の巻回方向と、第２インダクタ１Ｂにおける第２鍔部１２から第１鍔部１１に向かって巻回されるワイヤ２１の巻回方向とは、同一方向である。これによれば、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂは、結合度を高めることができるため、より高い減衰特性を得ることができる。

また、伝送線路５０は、平面視した場合、第１中心Ｍ１と第２中心Ｍ２を結ぶ直線Ｎと交差しない。これによれば、伝送線路５０が、第１インダクタ１Ａと第２インダクの間を錯交する磁束に対して影響を及ぼすことを低減し、より高い減衰特性を得ることができる。

以下、実施例を説明する。

第１実施例では、図６Ａに示すように、平面視した場合、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂの間の最短距離Ｋは、０．３ｍｍである。伝送線路５０は、平面視した場合、第１中心Ｍ１と第２中心Ｍ２を結ぶ直線Ｎと交差しない。つまり、伝送線路５０は、第１インダクタ１Ａの第２電極３２と第２インダクタ１Ｂの第２電極３２とに接続されている。第１インダクタ１Ａにおける第１ライン６１から伝送線路５０に向かう巻回方向は、右巻き（図中「Ｒ」として示す。以下、同じ。）であり、第２インダクタ１Ｂにおける伝送線路５０から第２ライン６２に向かう巻回方向は、右巻きである。

第２実施例では、図６Ｂに示すように、平面視した場合、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂの間の最短距離Ｋは、０．３ｍｍである。伝送線路５０Ａは、平面視した場合、第１中心Ｍ１と第２中心Ｍ２を結ぶ直線Ｎと交差する。つまり、伝送線路５０Ａは、第１インダクタ１Ａの第２電極３２と第２インダクタ１Ｂの第１電極３１とに接続されている。第１インダクタ１Ａにおける第１ライン６１から伝送線路５０Ａに向かう巻回方向は、右巻きであり、第２インダクタ１Ｂにおける伝送線路５０Ａから第２ライン６２に向かう巻回方向は、右巻きである。

第３実施例では、図６Ｃに示すように、平面視した場合、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂの間の最短距離Ｋは、０．３ｍｍである。伝送線路５０は、平面視した場合、第１中心Ｍ１と第２中心Ｍ２を結ぶ直線Ｎと交差しない。つまり、伝送線路５０は、第１インダクタ１Ａの第２電極３２と第２インダクタ１Ｂの第２電極３２とに接続されている。第１インダクタ１Ａにおける第１ライン６１から伝送線路５０に向かう巻回方向は、右巻きであり、第２インダクタ１Ｂにおける伝送線路５０から第２ライン６２に向かう巻回方向は、左巻き（図中「Ｌ」として示す。以下、同じ。）である。

第４実施例では、図６Ｄに示すように、平面視した場合、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂの間の最短距離Ｋは、０．３ｍｍである。伝送線路５０Ａは、平面視した場合、第１中心Ｍ１と第２中心Ｍ２を結ぶ直線Ｎと交差する。つまり、伝送線路５０Ａは、第１インダクタ１Ａの第２電極３２と第２インダクタ１Ｂの第１電極３１とに接続されている。第１インダクタ１Ａにおける第１ライン６１から伝送線路５０Ａに向かう巻回方向は、右巻きであり、第２インダクタ１Ｂにおける伝送線路５０Ａから第２ライン６２に向かう巻回方向は、左巻きである。

図７は、第１から第４実施例における周波数とＳ２１の関係を示す。図７に示すように、第１実施例のグラフＧ１１は、第２実施例のグラフＧ１２、第３実施例のグラフＧ１３および第４実施例のグラフＧ１４に比べて、低周波数域での高減衰特性を得ることができた。また、第２実施例のグラフＧ１２、第３実施例のグラフＧ１３および第４実施例のグラフＧ１４の順に、高減衰特性の位置を低周波数側に順にずらすことができた。このように、第１から第４実施例では、インダクタの巻回方向と伝送線路の配置の影響により結合度に差が生じ、この結果、減衰特性が異なることが確認できた。また、第１から第４実施例のグラフＧ１１～Ｇ１４は、図４に示す比較例のグラフＧ０に比べて、低周波数域での高減衰特性を得ることができた。

（第２実施形態）
図８は、第２実施形態の電子部品を示す平面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、第１インダクタと第２インダクタの配置が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

図８に示すように、第２実施形態の電子部品では、第１インダクタ１Ａの第１中心軸Ｃ１と第２インダクタ１Ｂの第２中心軸Ｃ２とは、平面視した場合、予め設定された設定角度θで交差している。設定角度θは、０°よりも大きく４５°よりも小さい。これにより、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂは、磁気結合しやすい位置関係となり、より高い減衰特性を得ることができる。

具体的に述べると、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂは、互いの第１鍔部１１が近づき、互いの第２鍔部１２が離れるように、傾斜している。このとき、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂは、平面視した場合、第１中心軸Ｃ１または第２中心軸Ｃ２に直交する方向において重なる。また、第１インダクタ１Ａの第１中心Ｍ１と第２インダクタ１Ｂの第２中心Ｍ２との間の距離は、５ｍｍ以内であり、第１実施形態において定義した距離Ｐとなっている。

なお、第１インダクタ１Ａと第２インダクタ１Ｂは、互いの第１鍔部１１が離れ、互いの第２鍔部１２が近づくように、傾斜してもよい。このときも同様に、第１中心軸Ｃ１第２中心軸Ｃ２とは、平面視した場合、設定角度θで交差する。

なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１と第２実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。

前記実施形態では、電子部品に、２つのインダクタを用いているが、インダクタの数量を増加してもよい。前記実施形態では、インダクタとして、巻線インダクタを用いているが、積層インダクタを用いてもよい。

また、第１インダクタの巻回方向と第２インダクタの巻回方向とは、それぞれ、第１電極から第２電極に向かって右巻きまたは左巻きの何れであってもよい。また、第１インダクタの巻回方向と第２インダクタの巻回方向とは、それぞれ、伝送線路の延在方向に対して順方向であってもよい。

また、伝送線路は、基板の主面に限らず、基板の内部に設けられていてもよい。また、伝送線路における第１端と第２端の間の線路長は、第１端と第２端の間の最短距離と同じであるが、最短距離よりも長くてもよい。

１Ａ 第１インダクタ
１Ｂ 第２インダクタ
１０ コア
１１ 第１鍔部
１２ 第２鍔部
１３ 巻芯部
２１ ワイヤ
３１ 第１電極
３２ 第２電極
４０ 基板
４０ａ 主面
５０，５０Ａ～５０Ｄ 伝送線路
５１ 第１端
５２ 第２端
６１ 第１ライン
６２ 第２ライン
Ｃ１ 第１中心軸
Ｃ２ 第２中心軸
Ｋ 第１と第２インダクタの間の最短距離
Ｍ１ 第１中心
Ｍ２ 第２中心
Ｎ 第１と第２中心を結ぶ直線
Ｐ 第１と第２中心の間の距離

Claims (5)

1. 基板と、
   前記基板の主面に配置された第１インダクタおよび第２インダクタと、
   前記基板に設けられ、前記第１インダクタと前記第２インダクタとを直列に接続する伝送線路と、
   前記基板の主面に設けられた入力側信号線および出力側信号線と、を備え、
   前記第１インダクタおよび前記第２インダクタのそれぞれは、
   一定方向に延びる形状である巻芯部と、
   前記巻芯部の延びる方向の第１端に設けられ、前記巻芯部の延びる方向と直交する方向に張り出す第１鍔部、および、前記巻芯部の延びる方向の第２端に設けられ、前記巻芯部の延びる方向と直交する方向に張り出す第２鍔部と、
   前記第１鍔部における前記基板の主面に対向する面に設けられた第１電極、および、前記第２鍔部における前記基板の主面に対向する面に設けられた第２電極と、
   前記巻芯部に巻回され、前記第１電極および前記第２電極に電気的に接続されたワイヤと、を備え、
   前記第１インダクタの前記第１電極は、前記入力側信号線に接続され、前記第１インダクタの前記第２電極は、前記伝送線路の一端に接続され、
   前記第２インダクタの前記第１電極は、前記出力側信号線に接続され、前記第２インダクタの前記第２電極は、前記伝送線路の他端に接続され、
   前記第１インダクタの前記巻芯部の延びる方向で前記巻芯部の中心を通過する第１中心軸と前記第２インダクタの前記巻芯部の延びる方向で前記巻芯部の中心を通過する第２中心軸とは、前記基板の主面と平行であって、前記基板の主面に直交する方向からみて、同一直線上に位置せず、
   前記基板の主面に直交する方向からみて、前記第１中心軸上であって、前記第１中心軸に沿った前記第１インダクタの長さの中心となる第１中心と、前記第２中心軸上であって、前記第２中心軸に沿った前記第２インダクタの長さの中心となる第２中心との間の距離が５ｍｍ以内であり、
   前記第１中心軸に沿って見た場合、前記第１インダクタは、前記入力側信号線と前記伝送線路の間に位置し、
   前記第２中心軸に沿って見た場合、前記第２インダクタは、前記出力側信号線と前記伝送線路の間に位置し、
   前記第１インダクタにおいて、前記入力側信号線から前記伝送線路に向かう前記ワイヤの巻回方向と、前記第２インダクタにおいて、前記伝送線路から前記出力側信号線に向かう前記ワイヤの巻回方向とは、同一方向である、電子部品。
2. 前記第１インダクタと前記第２インダクタは、前記基板の主面と平行な方向でかつ前記第１中心軸または前記第２中心軸に直交する方向からみて、重なる、請求項１に記載の電子部品。
3. 前記第１中心軸と前記第２中心軸は、前記基板の主面に直交する方向からみて、平行である、請求項２に記載の電子部品。
4. 前記伝送線路は、前記基板の主面に直交する方向からみて、前記第１インダクタの前記第１中心と前記第２インダクタの前記第２中心を結ぶ直線と交差しない、請求項１から３の何れか一つに記載の電子部品。
5. 前記伝送線路は、前記基板の主面に直交する方向からみて、前記第１インダクタの前記第１中心と前記第２インダクタの前記第２中心を結ぶ直線と交差する、請求項１から３の何れか一つに記載の電子部品。

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