JP7439253B2 - Idle Shield, Deposition Apparatus, Deposition System, and Methods of Assembling and Operating - Google Patents
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 241
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 253
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 102
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 70
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 64
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 60
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 18
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Description
本開示は、堆積システムのシールドに関し、また、蒸発材料、特に蒸発有機材料を1つまたは複数の基板上に堆積させるように構成された堆積システムに関する。本開示の実施形態はさらに、たとえば、堆積源のアイドル位置において蒸発材料を遮蔽、阻止、および/または収集するように構成されたアイドルシールドに関する。本開示の実施形態はさらに、基板上に蒸発材料を堆積させるための堆積システム付きの堆積装置に関する。別の実施形態は、蒸発源を動作させる方法、アイドルシールドを組み立てる方法、および堆積システム、特に真空処理チャンバ内で基板上に蒸発材料を堆積させるためのシステムを動作させる方法に関する。 TECHNICAL FIELD This disclosure relates to shielding of deposition systems and to deposition systems configured to deposit vaporized materials, particularly vaporized organic materials, onto one or more substrates. Embodiments of the present disclosure further relate to an idle shield configured to shield, block, and/or collect evaporated material, for example, at an idle position of a deposition source. Embodiments of the present disclosure further relate to a deposition apparatus with a deposition system for depositing evaporative material onto a substrate. Another embodiment relates to a method of operating an evaporation source, a method of assembling an idle shield, and a method of operating a deposition system, particularly a system for depositing evaporation material onto a substrate in a vacuum processing chamber.
有機物蒸発器は、有機発光ダイオード(OLED)を製造するためのツールである。OLEDは、発光層が特定の有機化合物の薄膜を含む、特殊なタイプの発光ダイオードである。有機発光ダイオード(OLED)は、テレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、その他、たとえば情報を表示するためのハンドヘルドデバイスを製造する際に使用される。OLEDはまた、一般的な空間照明に使用することもできる。OLEDディスプレイの色の範囲、輝度および視野角は、OLEDピクセルが直接発光し、バックライトを要しないために、従来のLCDディスプレイよりも大きくなり得る。したがって、OLEDディスプレイのエネルギー消費量は、従来のLCDディスプレイよりもかなり少ない。さらに、OLEDはフレキシブル基板上に製造できることから、さらなる用途が生まれる。 Organic evaporators are tools for manufacturing organic light emitting diodes (OLEDs). OLEDs are a special type of light emitting diode whose light emitting layer comprises a thin film of certain organic compounds. Organic light emitting diodes (OLEDs) are used in the manufacture of television screens, computer monitors, mobile phones, and other handheld devices, such as for displaying information. OLEDs can also be used for general spatial lighting. The color range, brightness and viewing angle of OLED displays can be greater than traditional LCD displays because OLED pixels emit light directly and do not require a backlight. Therefore, the energy consumption of OLED displays is significantly lower than traditional LCD displays. Additionally, OLEDs can be manufactured on flexible substrates, creating additional applications.
通常、蒸発材料は、蒸気源の1つまたは複数の出口から基板に向けられる。たとえば、蒸気源は、蒸発材料のプルームを基板に向けるように構成された複数のノズルを備え得る。蒸気源は、基板を蒸発材料でコーティングするために、基板に対して動かすことができる。 Typically, the vaporized material is directed to the substrate from one or more outlets of the vapor source. For example, the vapor source may include a plurality of nozzles configured to direct a plume of vaporized material toward the substrate. A vapor source can be moved relative to the substrate to coat the substrate with evaporated material.
材料パターンを所定の均一性で基板上に堆積させるには、蒸気源の1つまたは複数の蒸気出口からの蒸発材料のプルームが安定していることが有利であり得る。蒸気源が始動後に安定するには、いくらか時間がかかることがある。したがって、蒸気源の頻繁な中断と起動は好ましくないことがあり、蒸気源は、アイドル期間にも動作しているままにしておくことがある。このようなアイドル期間中には、真空処理チャンバの壁が蒸発材料でコーティング(「スプリンクルコーティング」)されるリスクがあり得る。 To deposit a pattern of material onto a substrate with a predetermined uniformity, it may be advantageous for the plume of evaporated material from one or more vapor outlets of the vapor source to be stable. It may take some time for the steam source to stabilize after startup. Therefore, frequent interruptions and startups of the steam source may be undesirable, and the steam source may be left running during idle periods. During such idle periods, there may be a risk that the walls of the vacuum processing chamber become coated with evaporated material ("sprinkle coating").
さらに、様々な基板を続けて堆積すること、すなわち、次の基板の処理との間に不要な蒸発休止がないことが有利である。たとえば、蒸発源は回転させて、第1の堆積領域における基板処理と、第1の堆積領域に対向する第2の堆積領域における基板処理との間で切り替えることができる。第1の堆積領域から第2の堆積領域に向けて回転する間に、真空処理チャンバの壁もまた蒸発材料でコーティングされることがある。 Furthermore, it is advantageous to deposit the various substrates in succession, ie without unnecessary evaporation pauses between processing of the next substrate. For example, the evaporation source can be rotated to switch between processing substrates in a first deposition region and a second deposition region opposite the first deposition region. During rotation from the first deposition region to the second deposition region, the walls of the vacuum processing chamber may also be coated with evaporated material.
したがって、装置またはシステムの表面のスプリンクルコーティングを低減しながら基板上に蒸発材料を正確に堆積するように構成された堆積装置、堆積装置および堆積システムに、アイドルシールドを設けることが有利である。 Accordingly, it is advantageous to provide idle shields in deposition devices, apparatuses, and systems configured to accurately deposit evaporated material onto a substrate while reducing sprinkle coating on the surface of the device or system.
上記を考慮して、堆積源の材料を遮蔽するためのシールドと、真空チャンバ内で複数の基板を続けて堆積するための堆積装置と、堆積源の材料を遮蔽するためのシールドを組み立てる方法と、真空チャンバを有する堆積装置の堆積源にアクセスする方法とが提供される。さらなる利点、特徴、態様および詳細が、従属請求項、本明細書および図面から明らかになる。 In view of the above, a method for assembling a shield for shielding deposition source material, a deposition apparatus for sequentially depositing multiple substrates in a vacuum chamber, and a method for assembling a shield for shielding deposition source material; , a method of accessing a deposition source of a deposition apparatus having a vacuum chamber. Further advantages, features, aspects and details emerge from the dependent claims, the description and the drawings.
1つの実施形態によれば、真空チャンバを有する堆積装置の堆積源の材料を遮蔽するためのシールドが提供される。このシールドは、堆積装置に取り付けられるように構成されたフレームと、フレームに結合されたシールドアセンブリであって、第1の側方シールド部、第2の側方シールド部、および第1の側方シールド部と第2の側方シールド部の間の中心シールド部を含む、シールドアセンブリとを含み、このシールドアセンブリは、シールドアセンブリの閉位置で堆積材料を遮蔽するために、真空チャンバの壁と堆積源の間に配置されように構成され、シールドはさらに、シールドアセンブリの開位置で堆積源にアクセスできるようにするためにシールドアセンブリの少なくとも一部分を動かすように構成されたドア構成体を含む。 According to one embodiment, a shield is provided for shielding material of a deposition source of a deposition apparatus having a vacuum chamber. The shield includes a frame configured to be attached to the deposition apparatus and a shield assembly coupled to the frame, the shield including a first lateral shield portion, a second lateral shield portion, and a first lateral shield portion. a shield assembly including a central shield portion between the shield portion and a second side shield portion, the shield assembly being in contact with a wall of the vacuum chamber to shield deposited material in a closed position of the shield assembly; the shield further includes a door arrangement configured to move at least a portion of the shield assembly to provide access to the deposition source in an open position of the shield assembly.
1つの実施形態によれば、真空チャンバ内で複数の基板を続けて堆積するための堆積装置が提供される。この堆積装置は、真空チャンバの第1の側壁に隣接する第1の基板処理位置と、真空チャンバの第2の側壁に隣接する第2の基板処理位置であって、第1の側壁の反対側にある第2の基板処理位置と、第1の基板処理位置と第2の基板処理位置の間の堆積源と、第1の基板処理位置と第2の基板処理位置の間で堆積源を並進させるように構成された堆積源カートと、第1の基板処理位置で材料を基板上に堆積する第1の方向と第2の基板処理位置で材料を基板上に堆積する第2の方向との間で堆積源を回転させるように構成されたアクチュエータと、本明細書に記載の実施形態のいずれかによるシールドとを含む。 According to one embodiment, a deposition apparatus is provided for sequentially depositing multiple substrates within a vacuum chamber. The deposition apparatus includes a first substrate processing position adjacent to a first sidewall of the vacuum chamber and a second substrate processing position adjacent to a second sidewall of the vacuum chamber, the second substrate processing position being opposite to the first sidewall. a second substrate processing position located at the substrate processing position; a deposition source between the first substrate processing position and the second substrate processing position; and translating the deposition source between the first substrate processing position and the second substrate processing position. a deposition source cart configured to deposit material on the substrate at a first substrate processing position and a second direction for depositing material on the substrate at a second substrate processing position; an actuator configured to rotate a deposition source therebetween, and a shield according to any of the embodiments described herein.
1つの実施形態によれば、真空チャンバを有する堆積装置の堆積源の材料を遮蔽するためのシールドを組み立てる方法が提供される。この方法は、タイルの凹部を、ねじに結合されたピンの上に案内するステップと、ねじにトルクを加えることによって、タイルをプレートアセンブリまたはフレームに固定するステップとを含む。 According to one embodiment, a method of assembling a shield for shielding material of a deposition source of a deposition apparatus having a vacuum chamber is provided. The method includes guiding a recess in the tile over a pin coupled to a screw and securing the tile to a plate assembly or frame by applying torque to the screw.
1つの実施形態によれば、真空チャンバを有する堆積装置の堆積源にアクセスする方法が提供される。この方法は、真空チャンバの壁と堆積源の間に配置されたシールドアセンブリのドア構成体を開いて、堆積材料をドア構成体の閉位置で遮蔽するステップを含む。 According to one embodiment, a method of accessing a deposition source of a deposition apparatus having a vacuum chamber is provided. The method includes opening a door arrangement of a shield assembly disposed between a wall of a vacuum chamber and a deposition source to shield deposition material from a closed position of the door arrangement.
本開示はまた、開示された方法を実行するための、その方法を実施するための装置部品を含む装置も対象とする。方法は、ハードウェア構成要素、適切なソフトウェアによってプログラムされたコンピュータ、これら2つの任意の組み合わせによって、または他の任意の手法で、実施することができる。さらに、本開示は、記載された装置を動作させる方法も対象とする。本開示は、装置のあらゆる機能を実行するための方法を含む。 The present disclosure is also directed to an apparatus for carrying out the disclosed method, including apparatus parts for carrying out the method. The method may be implemented by hardware components, a computer programmed with appropriate software, any combination of the two, or in any other manner. Additionally, the present disclosure is also directed to methods of operating the described apparatus. The present disclosure includes methods for performing all functions of the device.
本明細書に記載の本開示の、上記に列挙された特徴が細部にわたり理解できるように、上で簡潔に要約された、より具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られよう。添付の図面は、本開示の実施形態に関連しており、以下で説明される。 In order that the above-listed features of the disclosure described herein may be understood in detail, a more specific description may be obtained by reference to the embodiments, briefly summarized above. The accompanying drawings relate to embodiments of the disclosure and are described below.
次に、本開示の多様な、その1つまたは複数の例が図に示されている実施形態を詳細に参照する。以下の図面の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指す。以下では、個々の実施形態に関する相違点について説明する。各例は、本開示を説明のために提示されており、本開示を限定するものではない。さらに、1つの実施形態の一部として図示または説明されている特徴は、さらに別の実施形態が得られるように他の実施形態に使用することも、それと組み合わせて使用することもできる。本明細書は、このような修正形態および変形形態を含むものである。 Reference will now be made in detail to various embodiments of the disclosure, one or more examples of which are illustrated in the figures. In the following description of the drawings, like reference numbers refer to like elements. Differences regarding the individual embodiments will be described below. Each example is presented to illustrate the disclosure and not to limit the disclosure. Additionally, features illustrated or described as part of one embodiment can be used on or in combination with other embodiments to yield a still further embodiment. This specification includes such modifications and variations.
図1Aは、本明細書に記載の実施形態による堆積システム100の概略図である。堆積システム100は、1つまたは複数の蒸気出口125を有する蒸気源120などの、堆積源を含む。蒸気源120は、基板10をコーティングするための堆積位置(II)にある。堆積位置では、1つまたは複数の蒸気出口は、基板10が配置されている堆積領域に向けられている。
FIG. 1A is a schematic diagram of a
図1Bは、図1Aの堆積システム100の概略図であり、蒸気源120はアイドル位置(I)にある。アイドル位置では、1つまたは複数の蒸気出口125は、シールド110に向けられている。
FIG. 1B is a schematic diagram of the
蒸気源120は、堆積位置(II)から、1つまたは複数の蒸気出口125がシールド110に向けられるアイドル位置(I)へ、および/またはアイドル位置(I)から、1つまたは複数の蒸気出口125が堆積領域に向けられる堆積位置(II)へ可動にすることができる。たとえば、蒸気源120などの堆積源は、ある角度だけ動かすことができる。堆積源は、軸Aのまわりに回転させることができる。
The
堆積源または蒸気源120は、堆積領域に配置されている基板10上に蒸発材料を堆積させるための蒸発源として構成することができる。いくつかの実施形態では、蒸気源120は、1つまたは複数のるつぼ、および1つまたは複数の分配パイプを含み、1つまたは複数の蒸気出口125を1つまたは複数の分配パイプのそれぞれに設けることができる。各るつぼは、結合された分配パイプと流体連通することができる。蒸発材料は、るつぼから、結合された分配パイプへ流れることができる。蒸発材料のプルームは、堆積システムが堆積位置にあるときに、分配パイプの1つまたは複数の蒸気出口から堆積領域に向けることができる。
Deposition source or
図1Aで、蒸発材料は、1つまたは複数の蒸気出口125から基板10に向けられる。材料パターンを基板上に形成することができる。いくつかの実施形態では、堆積中にマスク(図示せず)が基板10の前(すなわち基板10と蒸気源120の間)に配置される。マスクの開口パターンに対応する材料パターンを基板上に堆積させることができる。いくつかの実施形態では、蒸発材料は有機材料である。マスクは、ファインメタルマスク(FMM)または別のタイプのマスク、たとえばエッジ排除マスクとすることができる。
In FIG. 1A, vaporized material is directed toward
基板10への堆積の後または前に、蒸気源120は、図1Bに例示的に示されているアイドル位置(I)へ動かすことができる。アイドル位置(I)への蒸気源120の動きは、蒸気源120とシールド110の間の相対的な動きであってよい。アイドル位置では、1つまたは複数の蒸気出口は、シールド110の表面に向けられている。
After or before deposition onto
いくつかの実施形態では、蒸気源120は、アイドル位置において、および/またはアイドル位置へ動いている間に、動作停止されない。したがって、蒸発材料は、蒸気源がアイドル位置(I)にあるときに、1つまたは複数の蒸気出口125からシールド110に向けることができ、シールドの表面で凝縮し得る。蒸発をアイドル位置でも、たとえばシステムのアイドル時間中に継続することによって、蒸気源内の蒸気圧を実質的に一定に保つことができ、堆積はその後、蒸気源の安定化時間がなくても継続することができる。
In some embodiments, the
シールド110は、蒸気源120がアイドル位置(I)にあるときに、1つまたは複数の蒸気出口125からの蒸発材料の80%以上、詳細には90%以上、より詳細には99%以上がシールド110の表面に向けられるように形成することができる。蒸気源120がアイドル位置にあるとき、蒸発プルームをシールド110によって遮断および遮蔽できるので、真空処理チャンバ内の他の面の汚染を低減または回避することができる。特に、チャンバ壁と、真空処理チャンバ内に配置されたデバイスと、マスクキャリアと、基板キャリアとをコーティングすることが、低減または回避され得る。いくつかの実施形態では、蒸発材料のほとんどがアイドル位置の他の面ではなくシールドの面で凝縮することを確実にするために、シールド110の表面を大きくすること、たとえば0.5m2以上、詳細には1m2以上、より詳細には2m2以上とすることができる。
The
蒸気源120は、以下の目的、すなわち、(i)蒸気源を加熱すること、(ii)たとえば加熱中に、実質的に一定の蒸気圧が蒸気源内に生じるまで、蒸気源を安定化させること、(iii)蒸気源の点検または保守をすること、(iv)たとえばクールダウン中に蒸気源を停止すること、(v)蒸気源を洗浄すること、たとえば1つまたは複数の蒸気出口を清掃する、および/または蒸気出口の前に配置されたシェーパシールドを洗浄すること、のうちの少なくとも1つ以上のために、(vi)マスクおよび/または基板の位置合わせ中に、(vii)待ち時間中およびアイドル期間に、アイドル位置(I)へ動かすことができる。たとえば、アイドル位置は、堆積システムのアイドル期間中に、堆積システムのパーク位置として使用することができる。いくつかの実施形態では、真空処理チャンバ、および/または堆積領域に配置できるマスクは、たとえば蒸気源をアイドル位置へ動かしている間、スプリンクルコーティングをシールド110によって防止することができる。
Steam
いくつかの実施形態によれば、堆積源または蒸気源は、より詳細には図10および図11に示されるように、アイドル位置(I)を通り越して基板10から別の基板に向かって動くことができる。したがって、このアイドル位置は別法として、堆積源、たとえば蒸気源120が動く(すなわち回転する)間のスプリンクルコーティングを防止するために用いることができる。
According to some embodiments, the deposition or vapor source moves from the
本明細書に記載の実施形態によれば、シールド110を冷却するための冷却デバイス112が設けられる。シールドの遮蔽効果は、冷却デバイスを用いてシールドの温度を下げることによって改善することができる。さらに、シールド110を冷却することによって、シールドから蒸気源に向けての、マスクに向けての、および/または基板に向けての熱放射を低減することができる。熱によって動くことを低減または回避することができ、堆積品質が向上し得る。
According to embodiments described herein, a
蒸発材料は、温度が数百度に、たとえば100℃以上、300℃以上、または500℃以上になり得る。有機材料の蒸発と比較して、金属材料の蒸発では熱負荷が特に高い場合がある。 The evaporated material may be at a temperature of hundreds of degrees, such as 100°C or higher, 300°C or higher, or 500°C or higher. Compared to the evaporation of organic materials, the heat load can be particularly high for the evaporation of metallic materials.
シールド110は、蒸発材料がシールドの表面で凝縮するときに、アイドル位置で高温になり得る。いくつかの実施形態では、蒸気源120は、かなりの期間にわたって、たとえば、位置合わせまたは洗浄のために数十秒にわたって、または蒸気源の加熱および点検のために数分にわたって、アイドル位置に留まることがある。シールド110の温度は、冷却デバイス112によって下げることができ、シールドから蒸気源およびマスクに向かう熱放射は、低減させることができる。たとえば、シールドの温度は100℃以下に保つことができる。マスクの熱移動が低減されるので、堆積品質を改善することができる。いくつかの実施形態では、マスクは数μmの範囲の構造を有することがあるので、マスクの温度が一定であることは、熱によってマスク構造が動くことを低減するのに有益であることに留意されたい。さらに、シールド110の表面を冷却することによって、蒸発材料がシールド上で凝縮しやすくなり得る。
The
冷却デバイスは、シールドに連結された冷却導管、冷却ラインもしくは冷却チャネル、水冷などの流体冷却部、空冷などの気体冷却部、および/または熱電冷却部のうちの少なくとも1つ以上を含み得る。いくつかの実施形態では、冷却デバイスは、シールドのフレーム内の冷却導管および/またはシールドのプレートアセンブリ内の冷却導管を含む冷却回路を含む。水などの冷却流体が、その冷却回路内を循環することができる。 The cooling device may include at least one or more of cooling conduits, cooling lines or channels coupled to the shield, fluid cooling such as water cooling, gas cooling such as air cooling, and/or thermoelectric cooling. In some embodiments, the cooling device includes a cooling circuit that includes cooling conduits within the frame of the shield and/or cooling conduits within the plate assembly of the shield. A cooling fluid, such as water, may be circulated within the cooling circuit.
いくつかの実施形態では、冷却導管は、シールドの中心シールド部115に設けることができる。1つまたは複数の蒸気出口125は、中心シールド部115が熱負荷の大部分をアイドル位置で受けることができるように、アイドル位置で中心シールド部115に向けることができる。シールド110は、中心シールド部115に隣接して配置された1つまたは複数の側方シールド部116をさらに含み得る。1つまたは複数の側方シールド部116は、蒸気源がアイドル位置へ動いている間、またはアイドル位置を通り越して動いている間に蒸発材料を遮蔽するために設けることができる。蒸気源が動いている間に1つまたは複数の側方シールド部116が蒸発材料を阻止できるので、マスクは、蒸気源蒸気源が動いている間にスプリンクルコーティングを防止することができる。いくつかの実施形態では、2つの側方シールド部116は、中心シールド部115の両側に設けられる。側方シールド部116は、湾曲させることができる。
In some embodiments, cooling conduits may be provided in the
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一部の実施形態では、堆積システム100は、蒸気源120をシールド110と一緒に蒸気源搬送経路P(図11参照)に沿って移動させるように構成された、第1の駆動装置を含み得る。たとえば、蒸気源搬送経路は、基板10が配置されている堆積領域を通り越して延び得る。蒸気源120は、シールド110と一緒に基板10を通り越して、たとえば実質的に一定の速度で動かすことができる。たとえば、シールド110および蒸気源120は、軌道に沿って案内されるように構成された蒸気源支持体上に、たとえば蒸気源カート上に、配置することができる。いくつかの実施形態では、第1の駆動装置は、蒸気源搬送経路Pに沿った軌道をたどって蒸気源支持体を動かすように構成することができ、蒸気源およびシールドは、蒸気源支持体によって、すなわち蒸気源カートによって支持することができる。いくつかの実施形態では、蒸気源支持体は、たとえば磁気浮上システムによって、軌道に接触することなく軌道に沿って搬送することができる。特に、第1の駆動装置は、蒸気源搬送経路Pに沿って延びる軌道をたどってシールドと一緒に蒸気源を直線的に動かすように、すなわち並進移動させるように構成することができる。
In some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the
シールド110が蒸気源搬送経路Pに沿って蒸気源120と一緒に可動である場合、蒸気源とシールドの間の距離は、堆積処理中に小さく保つこと、または一定に保つことができる。たとえば、堆積中の蒸気源とシールドの間の最大距離は、0.5m以下に、詳細には0.2m以下にすることができる。
If the
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一部の実施形態では、堆積システムはさらに、蒸気源120をシールド110に対してアイドル位置(I)まで動かすための第2の駆動装置を含み得る。言い換えると、第1の駆動装置は、蒸気源をシールドと一緒に動かすように構成することができ、第2の駆動装置は、蒸気源をシールドに対して動かすように構成することができる。図1Aおよび図1Bの実施形態では、蒸気源120は、シールド110に対して堆積位置からアイドル位置へ回転軸Aのまわりに回転可能である。たとえば、蒸気源は、堆積位置からアイドル位置へ、45°以上で135°以下の、詳細には約90°の角度だけ回転させることができる。さらに、蒸気源などの堆積源は、第1の堆積位置から第2の堆積位置へ、170°以上で190°以下の、詳細には約180°の角度だけ回転させることができる。たとえば、蒸気源は、蒸気源を回転させることによって、たとえば、蒸気源を元の堆積領域に向けて、たとえば約90°の角度だけ回転させることによって、または蒸気源を、第2の基板を配置できる第2の堆積領域に向けて、たとえば約90°の角度だけ回転させることによって、アイドル位置から堆積位置へ可動になり得る。
In some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the deposition system further includes a second drive for moving the
蒸気源の回転には、1つまたは複数の蒸気出口の蒸発方向の方向変化をもたらす、蒸気源の任意のタイプのスイングまたは旋回する動きが含まれ得る。特に、回転軸は、蒸気源を横切っても、蒸気源の周辺部を横切っても、蒸気源を全く横切らなくてもよい。 Rotation of the steam source may include any type of swinging or pivoting movement of the steam source that results in a change in direction of evaporation direction of one or more steam outlets. In particular, the axis of rotation may traverse the steam source, traverse the periphery of the steam source, or not traverse the steam source at all.
回転軸Aは、実質的に垂直な回転軸とすることができる。蒸気源120は、アイドル位置と堆積位置の間で、実質的に垂直な回転軸のまわりに回転可能であり得る。特に、蒸気源120は、それぞれ実質的に垂直方向に延び得る、1つの、または2つ以上の分配パイプを含み得る。複数の蒸気出口を各分配管の全長に沿って、すなわち実質的に垂直な方向に沿って設けることができる。小型で省スペースの堆積システムを提供することができる。いくつかの実施形態によれば、回転軸は垂直にすることができる。さらに、追加的または代替的に、1つまたは複数の分配パイプは、実質的に垂直な方向に、すなわち垂直になっている方向に、または垂直配向から15°以下の、たとえば7°以下の角度だけ逸脱している方向に、延びることができる。
The axis of rotation A may be a substantially vertical axis of rotation. Steam
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一部の実施形態では、シールド110の半径方向内面を蒸気源に向けることができる。特に、シールド110は、蒸気源のまわりに部分的に延びる湾曲部分を含み得る。たとえば、シールドは、湾曲していてよい、かつ蒸気源のまわりに部分的に延びていてよい2つの側方シールド部116を含み得る。いくつかの実施形態では、シールド部は、蒸気源の回転軸Aのまわりに部分的に延びていてもよい。
In some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the radially inner surface of the
蒸気シールドが湾曲することにより、シールド110が回転軸Aのまわりを回転中の、シールドの遮蔽効果を改善することができる。特に、シールドの回転中、1つまたは複数の蒸気出口とシールドの表面との間の距離は、実質的に一定のままにすることができる。
The curvature of the vapor shield can improve the shielding effectiveness of the shield while the
いくつかの実施形態では、シールドの少なくとも一部分は、蒸気源のまわりに延びる、特に蒸気源の回転軸Aのまわりに延びる、円筒表面の一部として形成される。 In some embodiments, at least a portion of the shield is formed as part of a cylindrical surface extending around the steam source, in particular around the axis of rotation A of the steam source.
いくつかの実施形態では、シールド110の湾曲部分は、蒸気源120のまわりに60°以上の、詳細には90°以上の角度だけ延びることができる。したがって、蒸気源が堆積位置からアイドル位置まで60°以上の、詳細には90°以上の角度だけ回転するときに、蒸発材料は、シールドによって実質的に連続的に遮蔽することができる。真空処理チャンバの汚染を低減し、かつ真空処理チャンバへの熱放射を減らすことができる。
In some embodiments, the curved portion of the
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一部の実施形態では、蒸気源がアイドル位置にあるとき、1つまたは複数の蒸気出口とシールドの間の距離D1は、5cm以上で30cm以下とすることができる。詳細には、距離D1は、5cm以上で10cm以下とすることができる。シールド110の遮蔽効果は、シールドと1つまたは複数の蒸気出口との間に小さな距離を置くことによって、さらに改善することができる。さらに、蒸気源の熱負荷のほとんどがアイドル位置のシールドの小部分に局在化するので、より小型の冷却デバイスを使用することができる。
In some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the distance D1 between the one or more steam outlets and the shield is 5 cm or more when the steam source is in the idle position. The length can be 30 cm or less. In detail, the distance D1 can be 5 cm or more and 10 cm or less. The shielding effectiveness of the
図2は、本明細書に記載の実施形態による堆積システムのシールド110の斜視図である。シールド110は、図1Aの実施形態のシールドと同様でよいために、上記の説明を参照することができ、その説明をここでは繰り返さない。他の図を参照して説明される実施形態は、図2に関して説明される、さらに別の実施形態を形成する細部にも同様に適用可能であり得る。
FIG. 2 is a perspective view of a
シールド110は、蒸気源がアイドル位置にあるときに、蒸気源の1つまたは複数の蒸気出口がシールドの表面に向けられているように、蒸気源に隣接して配置することができる。シールドの少なくとも一部分を冷却するための冷却デバイス112を設けることができる。たとえば、シールドまたはシールドアセンブリの中心シールド部115は、冷却デバイス112を用いて冷却することができる。中心シールド部115は、蒸気源がアイドル位置にあるときに1つまたは複数の蒸気出口が向けられる、シールドの一部分であると理解することができる。いくつかの実施形態では、中心シールド部115は、シールド110またはシールドアセンブリそれぞれの中心部である。
The
シールド110は湾曲させることができ、蒸気源が配置されるべき領域のまわりに部分的に延び得る。詳細には、シールドは、1つまたは複数の湾曲部分を含み得る。たとえば、シールドのシールドアセンブリは、中心シールド部115と、中心シールド部115の両側で中心シールド部115に隣接して配置されている2つの側方シールド部116とを含み得る。2つの側方シールド部116は、蒸気源が配置されるべき領域のまわりに湾曲させることができる。
The
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一部の実施形態では、シールドアセンブリは、シート要素として(たとえば金属シートまたはタイルとして)形成された複数のシールド部を含み得る。たとえば、シールドまたはシールドアセンブリは、フレームに結合することができる。シールドまたはシールドアセンブリは、第1の側方シールド部、第2の側方シールド部、および第1の側方シールド部と第2の側方シールド部の間の中心シールド部を含み得る。 In some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the shield assembly may include a plurality of shield portions formed as sheet elements (eg, as metal sheets or tiles). For example, a shield or shield assembly can be coupled to a frame. The shield or shield assembly may include a first side shield portion, a second side shield portion, and a center shield portion between the first side shield portion and the second side shield portion.
たとえば、シールドは、1つまたは複数の蒸気出口の下の位置で実質的に水平配向に延びる底部シールド部119と、1つまたは複数の蒸気出口の上の位置で実質的に水平配向に延びる上部シールド部118と、蒸気源がアイドル位置にあるときに1つまたは複数の蒸気出口の前で実質的に垂直配向に延びることができる中心シールド部115と、第1の側方シールド部および第2の側方シールド部とのうちの1つ以上を含み得る。中心シールド部115の両側で実質的に垂直配向に延びることができる2つの側方シールド部。
For example, the shield may include a
いくつかの実施形態では、シールド110は、フレーム111を含み得る。シールド110のシート部分は、フレーム111に固定することができる。詳細には、フレーム111は、中心シールド部および/または側方シールド部のうちの少なくとも1つ以上を保持し支持するように構成することができる。フレーム111は、シールドと一緒に蒸気源を支持し搬送するように構成された蒸気源支持体によって支持することができる。冷却導管113の少なくとも一部は、シールド110のフレーム111に沿って延び得る。たとえば、冷却導管113は、支持フレーム111に固定されても、支持フレーム111に一体化されてもよい。
In some embodiments, shield 110 may include
シールドのシート部分またはタイルは、消耗品として構成することができる。言い換えると、タイルまたはシールド部のうちの1つ以上は、シールドに取り外し可能に取り付けることができ、特に、隣接するシート部分に、および/またはシールドの支持フレーム111に取り外し可能に取り付けることができる。たとえば、シート部分の表面にコーティング材料の層が形成された場合に、シート部分またはタイルのうちの1つ以上を定期的に交換および/または洗浄することが有益であり得る。たとえば、いくつかの実施形態では、中心シールド部115は、中心シールド部を洗浄のためにシールドから取り外すことができるように、支持フレーム111に取り外し可能に固定することができる。同様に、側方シールド部は、洗浄および/または交換のためにシールドから切り離すことができる。したがって、シールドの別々の区域または部分の迅速な交換が、たとえば、支持フレーム111を蒸気源支持体から切り離さなくても可能であり得る。システムのダウンタイムを低減することができる。
The sheet portion or tile of the shield can be configured as a consumable item. In other words, one or more of the tiles or the shield parts can be removably attached to the shield, in particular to the adjacent sheet parts and/or to the
冷却デバイス112は、中心シールド部115を冷却するための、および/またはシールドの他のシート部分を冷却するための、冷却流体の1つまたは複数の冷却ラインまたは冷却導管113を含み得る。
いくつかの実施形態において、シールド110の高さは1m以上、詳細には2m以上である。特に、シールド110の高さは、蒸気源120よりも高くすることができ、それにより、蒸気源からの蒸発材料をシールドによってアイドル位置で遮蔽することができる。蒸気源120は、1m以上の、詳細には1.5m以上の高さを有し得る。
In some embodiments, the height of the
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一部の実施形態では、シールドの幅Wは、50cm以上、詳細には1m以上とすることができる。幅Wは、図1Aおよび図1Bに示されているように、水平方向の(たとえば、堆積中の基板10の向きに対して垂直配向の)シールド110の最大寸法とすることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一部の実施形態では、シールドの平均曲率半径は60cm以上とすることができる。
In some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the width W of the shield can be 50 cm or more, in particular 1 m or more. The width W may be the maximum dimension of the
図3は、本明細書に記載の実施形態による堆積システムの一部を示す概略断面図である。蒸気源120は、蒸発材料15がシールド110に向けられる、詳細にはシールドの中心シールド部115に向けられる、アイドル位置で示されている。中心シールド部115は、シールドの温度を低く保つことができるように、かつ堆積領域への熱放射を低減できるように、冷却デバイスによって冷却することができる。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a portion of a deposition system according to embodiments described herein.
図3に概略的に示されているように、2つの側方シールド部116を中心シールド部115の両側に、中心シールド部115に近接して配置することができる。側方シールド部は、蒸気源120がアイドル位置との間で動いている間、被蒸発物15を遮蔽することができる。具体的には、蒸気源は、アイドル位置の方へ回転軸のまわりに回転させることができ、シールドは、回転軸のまわりに湾曲して延び得る。冷却導管は、シールドの支持フレームに設けることができる。冷却導管を支持フレームに設けることによって、冷却導管を交換しなくてもシート部分を交換することができる。中心シールド部115は、冷却導管113の一部分を含む支持フレーム111の一部分に固定することができる。
As shown schematically in FIG. 3, two
図2は、タイル410を含むシールドアセンブリを有する、シールド110を示す。タイル410は、たとえば、中心シールド部115を形成することができる。図2に示されるように、タイルは、たとえば垂直方向に細長くすることができる。たとえば、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、タイルの幅と高さのアスペクト比は1:5以下とすることができる。タイルは、シールドまたは蒸気源120それぞれの全長に沿って延び得る。タイルが細長くなっていると、シールドアセンブリの一部分を数個の部片として交換することが可能になる。たとえば、中心シールド部は、中心シールド部を形成する2つ以上の、たとえば3つ以上のタイルを含み得る。しかし、タイルの重量の故に、細長いタイルの交換が困難なことがある。
FIG. 2 shows shield 110 having a shield assembly that includes
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、小さいタイルを利用することができる。したがって、保守のための容易なタイル交換を実現することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、タイルの幅と高さのアスペクト比は、1:4~4:1とすることができる。 According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, small tiles may be utilized. Therefore, easy tile replacement for maintenance can be achieved. According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the tile width to height aspect ratio can be from 1:4 to 4:1.
図4Aは、シールド110を示す。シールド110は、フレーム111を含む。シールドは、フレームに結合されたシールドアセンブリを含む。シールドアセンブリは、第1の側方シールド部116、第2の側方シールド部(図4Aに図示せず)、および中心シールド部115を含み得る。シールドアセンブリの一部分、特に中心シールド部は、複数のタイル410を含み得る。図4Aはさらに、図5に関してより詳細に論じられる、上部シールド部118およびヒンジ420を示す。シールドの後側はさらに、プレート550を有するプレートアセンブリを含み得る。たとえば、複数のプレートを設けることができ、これらは任意選択で、シールドアセンブリ内の複数のシールドに対応することができる。
FIG. 4A shows
タイル410の拡大図が、図4Bに示されている。いくつかの実施形態によれば、シールドのタイルは、タイル本体を含み得る。タイルは、真空処理チャンバ内で堆積源の材料を遮蔽するように構成することができる。タイル本体は、第1の側部、たとえば、図4Bに示される側部を含む。第1の側部は、構造化面を有する。したがって、堆積源からの材料の蓄積を改善でき、タイルからの材料の剥離を低減することができる。
A close-up view of
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、構造化面は、マクロ構造412を含み得る。たとえば、マクロ構造は、図4Bに示されるダイヤモンド形構造などの、圧延加工構造を含み得る。加えて、または別法として、構造化面は、マイクロ構造を含むことができる。マイクロ構造は、ブラスト構造またはブラスト面とすることができる。たとえば、マイクロ構造を有する構造化面は、サンドブラストすること、または他の粒子を付着させることができる。マイクロ構造の上にマイクロ構造を形成することができる。マクロ構造およびマイクロ構造を形成することにより、タイルへの材料付着性をさらに改善することができる。保守サイクル間の時間を増大させることができるので、堆積装置の稼働時間を改善することができる。本明細書に記載のように、マクロ構造は、パターン構造のサイズが2mm以上、および/またはパターン構造のピッチが4mm以上であるパターンを有する構造を含み得る。マイクロ構造は、パターン構造のサイズが1mm以下であるパターンを有する構造体を含み得る。
According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the structured surface may include
1つの実施形態によれば、真空処理チャンバ内の堆積源のシールド遮蔽材用のタイルが提供される。このタイルは、タイル本体を含む。タイル本体は、堆積源に面するように構成されたタイル本体の第1の側部と、第1の側部の反対側のタイル本体の第2の側部とを有する。第2の側部は、タイルをシールドに取り付けるための少なくとも1つの凹部を含む。第1の側部は、構造化面を有する。 According to one embodiment, a tile is provided for shielding a deposition source in a vacuum processing chamber. This tile includes a tile body. The tile body has a first side of the tile body configured to face the deposition source and a second side of the tile body opposite the first side. The second side includes at least one recess for attaching the tile to the shield. The first side has a structured surface.
他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、1つまたは複数のタイルを互いに隣接して設けて、シールドアセンブリ、または中心シールド部などのシールドアセンブリの一部分を形成することができる。第1の側部は、1つまたは複数の縁部それぞれとして(すなわち周辺縁部として)構造化面を有する。たとえば、周辺は、長方形の形状または他の多角形の形状を有することができる。縁部が、タイルの第1の側部と側面の間に境界を形成することができる。たとえば、長方形のタイルには、第1の側面、第2の側面、第3の側面、および第4の側面があり得る。側面は、第1の側部と、第1の側部に対向する第2の側部とを結合する。第1の側部の1つまたは複数の縁部には、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、丸みをつけることができる。たとえば、縁部は、半径を0.5mm以上、詳細には1mm以上とすることができる。丸みをつけた縁部により、タイル、すなわち構造化面を有するタイルの、第1の側部に集められた材料の剥離が低減する。 According to some embodiments, which can be combined with other embodiments, one or more tiles are provided adjacent to each other to form a shield assembly or a portion of a shield assembly, such as a center shield portion. I can do it. The first side has a structured surface as each of one or more edges (ie, as a peripheral edge). For example, the perimeter can have a rectangular shape or other polygonal shape. An edge can form a boundary between the first side and the side of the tile. For example, a rectangular tile may have a first side, a second side, a third side, and a fourth side. The side surface connects the first side and a second side opposite the first side. One or more edges of the first side can be radiused, according to some embodiments that can be combined with other embodiments described herein. For example, the edge can have a radius of 0.5 mm or more, in particular 1 mm or more. The rounded edges reduce delamination of material collected on the first side of the tile, ie, the tile with a structured surface.
次に、タイルおよびシールドの別の態様、詳細、修正および実施形態について、図5Aおよび図5Bに関して説明する。図5Aは、タイル410を示す。このタイルは、第1の側部512と、第1の側部の反対側の第2の側部514とを有する。第1の側部は、堆積装置の動作中に堆積源に面するように配置される。第2の側部は、タイルをシールドに取り付けるように配置される。
Other aspects, details, modifications, and embodiments of tiles and shields are now described with respect to FIGS. 5A and 5B. FIG. 5A shows a
他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、シールドアセンブリの1つまたは複数のタイルは、フレーム(たとえば図4Aに示すフレーム411)に取り付けることができる。加えて、または別法として、タイルは、プレートアセンブリのプレート550に取り付けることができる。プレート(または対応するフレーム)は、開口部552を含み得る。開口部は、鍵穴の形状を有し得る。ねじ562とピン564は連結して、少なくとも部分的に開口部552を通って伸びることができる。開口部の鍵穴形状により、ねじとピンを片側から組み合わせることが可能になる。ピンは、鍵穴形の開口部の大きい方の部分に挿入することができ、移動させてピンを鍵穴内で留めることができる。タイル410は、タイル410の第2の側部514に1つまたは複数の凹部を有し得る。1つまたは複数の凹部は、鍵穴スロットとすることができる。タイルの1つまたは複数の鍵穴スロットに1つまたは複数のピンを挿入することによって、タイルをプレート550に取り付けることができる。1つまたは複数のねじにトルクを加えて、タイル410をプレート550に固定することができる。詳細には、4本以上のねじを利用して、水冷構成要素へのタイルの連結を改善することができる。したがって、良好な熱的接触を実現することができる。したがって、タイル温度をある所定の温度未満にして、材料成長(たとえば、有機材料の成長)を剥離なしで改善することができる。タイルがフレームに追加的または代替的に取り付けられる場合、同様の固定を行うことができる。
According to some embodiments, which can be combined with other embodiments, one or more tiles of the shield assembly can be attached to a frame (eg,
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、シールドアセンブリに含まれる複数のタイルのうちのいくつかのタイルを、プレートアセンブリのうちの対応するプレートに結合することができる。タイルの第2の側部の少なくとも1つの凹部は、鍵穴スロットとすることができる。たとえば、少なくとも1つの凹部は、図5Bに示される長方形などの、1つまたは複数のパターンの鍵穴スロット522である。別の任意選択の修正形態として、少なくとも4つの鍵穴スロットが、タイルの角部に対応して設けられ、かつ/または、2つの隣り合う鍵穴スロットの間隔が10cm以下である。
According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, some tiles of a plurality of tiles included in a shield assembly are connected to a corresponding plate of a plate assembly. can be combined with At least one recess in the second side of the tile may be a keyhole slot. For example, at least one recess is one or more patterns of
図6は、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、タイルの実施形態の別の態様を示す。図6に示されるタイルには、突出部622および凹部624の少なくとも一方がタイルの端部にあり得る。たとえば、1つのタイルには、一方の端部に突起があり、反対側の端部に凹部があり得る。したがって、隣り合うタイル間に重なり合い部を設けることができる。この重なり合う部分により、隣り合うタイル間の隙間を偶発的に通り抜ける堆積材料を低減することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態によれば、タイルは、第1の側面、第2の側面、第3の側面および第4の側面を含むタイル本体の側面を含むことができ、これらの側面は、タイル本体の第1の側部とタイル本体の第2の側部を連結し、少なくとも2つの側面は、凹部と、タイルが隣接タイルと重なり合うように構成された突起との少なくとも一方を備える。
FIG. 6 illustrates another aspect of a tile embodiment that can be combined with other embodiments described herein. The tile shown in FIG. 6 may have a
図7は、堆積装置の一部分を示す。真空チャンバ702の片側が示されている。堆積領域において基板を搬送するための、第1の基板搬送部712が示されている。真空チャンバ内の別の堆積領域において第2の基板を搬送するための、第2の基板を設けることができる。堆積源カートの案内722が、堆積装置に設けられる。堆積源は、たとえば第1の駆動装置を用いて、案内に沿って動かすことができる。たとえば、堆積源は、図7で左から右へ動かすことができ、逆も同様である。堆積源は、シールド110と一緒に動かすことができる。
FIG. 7 shows a portion of the deposition apparatus. One side of
1つの実施形態によれば、真空チャンバを有する堆積装置の堆積源の材料を遮蔽するシールドが設けられる。このシールドは、堆積装置に取り付けられるように構成されたフレーム411を含む。たとえば、フレーム411は、堆積装置の真空チャンバ702に取り付けることができる。シールドアセンブリがフレームに結合される。シールドアセンブリは、第1の側方シールド部116および第2の側方シールド部116を含む。シールドはさらに、第1の側方シールド部と第2の側方シールド部の間の中心シールド部を含み、シールドアセンブリは、シールドアセンブリの閉位置で堆積材料を遮蔽するために、真空チャンバ702の壁705と堆積源の間に配置されるように構成される。シールドはさらに、シールドアセンブリの開位置での堆積源へのアクセスを可能にするために、シールドアセンブリの少なくとも一部分を動かすように構成されたドア構成体を含む。
According to one embodiment, a shield is provided that shields the material of the deposition source of the deposition apparatus with a vacuum chamber. The shield includes a
図7で、中心シールド部は、第1の側部715Aおよび第2の側部715Bを含む。中心シールド部は、たとえば、図4Aに示されたヒンジを利用して、ヒンジ付きドアとして開くことができる。ドア構成体は、中心シールド部の第1の側部をある角度だけ動かすために、および中心シールド部の第2の側部をある角度だけ動かすために、中心シールド部に結合されたヒンジを含み得る。
In FIG. 7, the center shield portion includes a
図6に戻って参照すると、ドア構成体が閉位置にあるときに、隣り合うタイルに重なり合い部および凹部を設けることもできる。たとえば、凹部を第1の側部715Aに設けることができ、突起を第2の側部715Bに設けることができる。さらに、突起を第1の側面715Aに設けることもでき、凹部を第2の側面715Bに設けることもできる。
Referring back to FIG. 6, adjacent tiles may also be provided with overlaps and recesses when the door arrangement is in the closed position. For example, a recess can be provided on the
図8は、ドア構成体のさらに別の実施形態を示す。ドア構成体はまた、シールド110の一部分またはシールドアセンブリを案内レール上に支持することによっても設けることができる。したがって、シールドまたはシールドの一部分は、案内レールに沿った摺動運動によって動かすことができる。したがって、ヒンジ付きドア動作に加えて、または別法として、摺動ドア動作を行うこともできる。シールドの少なくとも一部分を摺動させ動かすことによって、保守などのために堆積源にアクセスすることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、ドア構成体は、シールドアセンブリの少なくとも中心部を摺動させて堆積源へのアクセスを可能にするための案内レールを含み得る。
FIG. 8 shows yet another embodiment of a door arrangement. A door arrangement may also be provided by supporting a portion of the
図9Aおよび図9Bは、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態の、さらに別の態様を示す。図9Aは、シールド110を示す。シールドは、たとえば、いくつかのフレームチューブを有するフレーム411を含み得る。シールドアセンブリの側方シールド部116は、フレームによって支持することができる。さらに、タイル410は、フレームに、またはフレームによって支持されたプレートアセンブリに、結合することができる。冷却チャネルまたは冷却導管113を設けることができる。冷却チャネルは、フレーム411の中へ延び得る。フレーム411に結合されたタイルは、フレームと接触することによって冷却される。たとえば、中心シールド部の中心のタイル910を冷却することができる。中心を冷却することは、アイドル位置を有利に中心に設けることができるので、有利になり得る。したがって、中心のタイルは、最も多くの熱負荷を受ける可能性がある。
9A and 9B illustrate yet another aspect of an embodiment that can be combined with other embodiments described herein. FIG. 9A shows
上で説明したように、タイルは、たとえばシールドアセンブリの高さに沿って細長くすることができる。中心の2つ、3つまたは4つのタイルの加熱はさらに、有機物蒸発のために行うことができ、その熱負荷は、金属の蒸発と比較して小さくすることができる。したがって、図9Aに示されたシールドは、有機物の堆積源または蒸気源に、および/または有機材料堆積のための堆積装置に利用することができる。図9Bに示されたドア構成体のヒンジは、図9Aに提示することもできる。 As explained above, the tiles can be elongated, for example along the height of the shield assembly. Heating of the central two, three or four tiles can additionally be carried out for organic evaporation, the heat load of which can be small compared to metal evaporation. Accordingly, the shield shown in FIG. 9A can be utilized in an organic deposition or vapor source and/or in a deposition apparatus for organic material deposition. The hinge of the door arrangement shown in FIG. 9B can also be presented in FIG. 9A.
金属堆積の場合には、たとえば中心シールド部の冷却ゾーンを増大させることができる。このことは、図9Bに例示されている。シールド110は、フレーム411を含む。冷却チャネルを有するプレートアセンブリが、フレーム411に取り付けられる。複数のタイルを、たとえば互いに近接してプレートアセンブリに取り付けること、または垂直に配置することもできる。冷却チャンネル913は、プレートアセンブリのプレートに取り付けること、またはプレートに埋め込むことができる。側方シールド部116間の中心シールド部115は、冷却することができる。増大させた加熱領域、ならびにプレート内の(すなわち拡大された領域にわたる)冷却導管により、シールドアセンブリの冷却を改善することができる。したがって、図9Bに関して説明したシールドによって、より高い熱負荷に対処することができる。
In the case of metal deposition, for example, the cooling zone of the central shield part can be increased. This is illustrated in Figure 9B.
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、シールドアセンブリの少なくとも中心シールド部、または中心シールド部の一部分を冷却するための冷却ユニットを提供することができる。冷却ユニットは、フレーム内の冷却導管、およびシールドアセンブリのプレートアセンブリ内の冷却導管のうちの少なくとも1つを含む。複数のタイルのうちのいくつかのタイルを、プレートアセンブリのうちの対応するプレートに結合することができる。タイルは、フレーム部分に接触させること、および/またはプレートアセンブリに接触させることによって冷却することができる。 According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, providing a cooling unit for cooling at least a center shield portion, or a portion of a center shield portion, of a shield assembly. I can do it. The cooling unit includes at least one of a cooling conduit within the frame and a cooling conduit within the plate assembly of the shield assembly. Some tiles of the plurality of tiles may be coupled to corresponding plates of the plate assembly. The tiles may be cooled by contacting the frame portion and/or by contacting the plate assembly.
図10は、本明細書に記載の実施形態による堆積装置1000の概略図である。堆積装置は、真空処理チャンバ101などの真空チャンバ内で、材料を複数の基板に続けて堆積するように構成することができる。一実施形態によれば、真空チャンバ内で複数の基板を続けて処理するための堆積装置が提供される。この装置は、真空チャンバの第1の側壁に隣接する第1の基板処理位置と、真空チャンバの第2の側壁に隣接する第2の基板処理位置とを含み、第2の側壁は第1の側壁と対向している。堆積源が、第1の基板処理位置と第2の基板処理位置の間に設けられる。装置はさらに、第1の基板処理位置と第2の基板処理位置の間で堆積源を並進させるように構成された堆積源カートを含み、ならびに、第1の基板処理位置で材料を基板上に堆積する第1の方向と第2の基板処理位置で材料を基板上に堆積する第2の方向との間で堆積源を回転させるように構成されたアクチュエータを含む。堆積装置はさらに、本開示の実施形態のいずれかによるシールドを含む。
FIG. 10 is a schematic diagram of a
いくつかの実施形態によれば、シールドは、堆積源カートに取り付けることができる。さらに、加えて、または別法として、シールドのドア構成体は、第1の側壁と第2の側壁を連結する真空チャンバの第3の側壁1013に面する。たとえば、第3の側壁は、ドア構成体の閉位置でシールドへの保守アクセスを可能にするように、また、ドア構成体の開位置で堆積源への保守アクセスを可能にするように配置される。
According to some embodiments, the shield can be attached to the source cart. Furthermore, additionally or alternatively, the door arrangement of the shield faces a
図10は、堆積装置1000を示す。堆積装置は、基板を配置するための少なくとも1つの堆積領域を有する真空処理チャンバ101を含む。真空処理チャンバ内には、大気圧以下、たとえば10ミリバール以下の圧力を与えることができる。本明細書に記載の実施形態による堆積装置100は、真空処理チャンバ101内に配置される。
FIG. 10 shows a
図10の例示的な実施形態では、真空処理チャンバ101内に2つの堆積領域、すなわち、コーティングされるべき基板10を配置するための第1の堆積領域103と、コーティングされるべき第2の基板20を配置するための第2の堆積領域104とが設けられている。さらに、本明細書に記載の実施形態のいずれかによる堆積システム100は、真空処理チャンバ101内に配置される。第1の堆積領域103および第2の堆積領域104は、堆積システム100の反対側に設けられてもよい。
In the exemplary embodiment of FIG. 10, there are two deposition regions within the
いくつかの実施形態では、堆積システム100は、蒸発材料のプルームを基板に向けるための1つまたは複数の蒸気出口を有する、1つまたは複数の分配パイプ付きの蒸気源120を含む。さらに、堆積システム100は、シールド110と、シールド110を冷却するための冷却デバイス112とを含む。蒸気源120は、図10に示された堆積位置から、1つまたは複数の蒸気出口がシールド110に向けられるアイドル位置へ動かすことができる。堆積位置では、1つまたは複数の蒸気出口は、第1の堆積領域または第2の堆積領域に向けられる。
In some embodiments, the
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一部の実施形態では、蒸気源120は、第1の堆積領域103を通り越して移動可能であり、第1の堆積領域103と第2の堆積領域104の間で回転可能であり、また第2の堆積領域104を通り越して移動可能である。アイドル位置は、第1の堆積領域103と第2の堆積領域104の間の、蒸気源120の中間回転位置とすることができる。詳細には、蒸気源は約90°だけ、たとえば時計回りに、図10に示された(第1の)堆積位置からアイドル位置へ回転させることができる。蒸気源は、第2の基板20を配置できる第2の堆積領域104に蒸発材料を向けるために、同じ方向に約90°だけ、たとえば時計回りにアイドル位置から第2の堆積位置へ回転させることができる。あるいは、蒸気源は、たとえば反時計回りに、第2の堆積領域104からアイドル位置まで、および/またはアイドル位置から(第1の)堆積位置まで逆に回転させることができる。
In some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the
蒸気源120は、直線的経路であってよい蒸気源搬送経路Pに沿って、移動可能とすることができる。詳細には、蒸気源120をシールド110と一緒に蒸気源搬送経路Pに沿って、第1の堆積領域103を通り越して、および/または第2の堆積領域104を通り越して動かすために、第1の駆動装置を設けることができる。
Steam
いくつかの実施形態では、シールド110および蒸気源120は、真空処理チャンバ101内の蒸気源軌道131に沿って移動可能な蒸気源支持体128上に、たとえば蒸気源カート上に支持することができる。蒸気源120およびシールド110を保持する蒸気源支持体128の一例が、図11に示されている。蒸気源支持体128は、蒸気源軌道131に沿って、たとえば磁気浮上システムによって非接触で駆動することができる。
In some embodiments,
より詳細に図11の断面図に示されているように、蒸気源120は、実質的に垂直方向に延びることができる1つの、または2つ以上の分配パイプ122を含み得る。1つの、または2つ以上の分配パイプ122の各分配パイプは、材料を蒸発させるように構成された、るつぼ126と流体連通することができる。さらに、1つの、または2つ以上の分配パイプの各分配パイプは、1つの、または2つ以上の分配パイプ122の全長に沿って配置された複数の蒸気出口125、たとえばノズルを含み得る。たとえば、10個の、または20個以上の蒸気出口を分配パイプの全長に沿って、たとえば実質的に垂直方向に設けることができる。シールド110は、蒸気源の1つの、または2つ以上の分配パイプのまわりに少なくとも部分的に延び得る。たとえば、シールドは、1つの、または2つ以上の分配パイプ122を、45°以上の角度だけ、詳細には60°以上の角度だけ、より詳細には90°以上の角度だけ囲むことができる。いくつかの実施形態では、水平断面の平面で蒸気出口から広がる蒸発材料のプルームの開口角度は、30°から60°の間に、詳細には約45°にすることができる。
As shown in more detail in the cross-sectional view of FIG. 11, the
図11は、複数の蒸気出口125がシールド110に向けられている、アイドル位置の堆積システムを示す。シールド110の表面は、冷却デバイス112を用いて冷却することができる。蒸気源120に向かう熱放射、および堆積領域に向かう熱放射が低減され得る。
FIG. 11 shows the deposition system in an idle position with
より詳細に図10に示されているように、堆積装置1000は、第1の堆積領域103に配置された基板10をコーティングし、次いで、第2の堆積領域104に配置された第2の基板20をコーティングするように構成することができる。これらの堆積領域間で蒸気源120が動くとき、蒸気源120は、1つまたは複数の蒸気出口が冷却シールドに向けられるアイドル位置で停止することができる。たとえば、蒸気源120は、点検、保守、洗浄、待機、基板またはマスクの位置合わせのうちの少なくとも1つのために停止することができる。あるいは、蒸気源は、アイドル位置で停止せずに、堆積領域間で連続して動く。
As shown in more detail in FIG. 10, the
堆積装置1000は、1つまたは複数の基板のマスク堆積用に構成することができる。マスク11を基板10の前の第1の堆積領域103に配置することができ、かつ/または、第2のマスク21を第2の基板20の前の第2の堆積領域104に配置することができる。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一部の実施形態では、図10に示されているように、遮蔽構成体12が、マスク11の周辺部、たとえば、蒸気源搬送路Pの方向のマスク11の両側に隣接して配置されてもよい。いくつかの実施形態では、遮蔽構成体12は、マスク11を枠状に取り囲むことができる。遮蔽構成体は、マスク11を保持するマスクキャリアに取り付けることができる、複数の遮蔽ユニットを含み得る。たとえば、遮蔽構成体12は、たとえば洗浄のために容易かつ迅速に交換可能なように、マスクの周辺部に取り外し可能に取り付けることができる。
In some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the shielding
遮蔽構成体12は、1つまたは複数の蒸気出口からマスク11の周辺部に向けられる蒸発材料を遮蔽するように構成することができる。マスクキャリアおよび/または真空処理チャンバ101の壁のコーティングは、低減または回避することができる。たとえば、基板10への堆積後、蒸発材料は遮蔽構成体12に向けることができ、この遮蔽構成体は、基板10に対して実質的に平行に延びることができ、また、蒸気源搬送経路Pに沿ってマスク11に隣接して配置することができる。図10に示された堆積位置では、蒸発材料が遮蔽構成体12に向けられている。その後、蒸気源120はアイドル位置に向けて回転することができ、蒸発材料を遮蔽体110に向けることができる。洗浄の労力が軽減され得る。
The shielding
いくつかの実施形態では、遮蔽構成体12は、第1の堆積領域103においてマスク11に近接して配置され、第2の遮蔽構成体22は、第2の堆積領域104において第2のマスク21に近接して配置される。たとえば、第2の遮蔽構成体22は、第2のマスク21の周辺部に配置され、第2のマスク21の周辺部に向けられた蒸発材料を遮蔽するように構成される。詳細には、遮蔽構成体12は、第1の堆積領域103においてマスク11の周辺部に向けられた蒸発材料を遮蔽するように第1の堆積領域103に配置することができ、第2の遮蔽構成体22は、第2堆積領域104において第2マスク21の周辺部に向けられた蒸発材料を遮蔽するように第2の堆積領域104に配置することができる。蒸気源が堆積領域間で動いている間、遮蔽体110は、蒸発材料を遮蔽することができる。
In some embodiments, the shielding
いくつかの実施形態では、遮蔽構成体12とシールド110の間の最小距離は、10cm以下、詳細には5cm以下、より詳細には2cm以下とすることができ、かつ/または、第2の遮蔽構成体22とシールド110の間の最小距離は、10cm以下、詳細には5cm以下、より詳細には2cm以下とすることができる。シールドと遮蔽構成体の間の移行部での、シールドおよび遮蔽構成体の各遮蔽面を通り越すスプリンクルコーティングは、低減または回避することができる。特に、シールドは、マスク11と第2のマスク21の間の真空処理チャンバ101の幅の50%以上、詳細には80%以上にわたって延び得る。
In some embodiments, the minimum distance between the shielding
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一部の実施形態では、蒸気源が堆積位置からアイドル位置へ移動する間の蒸気源120とシールド110の間の最小距離は5cm以下、詳細には1cm以下である。言い換えると、蒸気源120とシールド110は、蒸気源がアイドル位置へ回転中に、互いに接近し得る。
In some embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the minimum distance between the
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる一部の実施形態では、基板上に堆積中の1つまたは複数の蒸気出口と基板の間の距離は、30cm以下、詳細には20cm以下、より詳細には15cm以下とすることができる。蒸気出口と基板の間の距離が小さいと、堆積中のマスク11の縁部領域での蒸発材料のはみだしが小さくなる。したがって、マスクおよび基板に当たる蒸発プルームの面積を小さくできるので、より小型の遮蔽構成体を実現することができる。さらに、堆積品質を向上させることができる。
In some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the distance between the one or more vapor outlets during deposition on the substrate and the substrate is 30 cm or less, in particular 20 cm. Hereinafter, in more detail, it can be set to 15 cm or less. A small distance between the vapor outlet and the substrate results in a small protrusion of evaporated material in the edge region of the
本明細書に記載の別の態様によって、堆積システムを動作させる方法について説明する。この堆積システムは、本明細書に記載の実施形態のいずれかによる堆積システムでもよい。詳細には、堆積システムは、1つまたは複数の蒸気出口を有する蒸気源を含み、この蒸気源は、アイドル位置へ移動可能である。 In accordance with other aspects described herein, a method of operating a deposition system is described. The deposition system may be a deposition system according to any of the embodiments described herein. In particular, the deposition system includes a steam source having one or more steam outlets, the steam source being movable to an idle position.
図12は、真空チャンバを有する堆積装置の堆積源の材料を遮蔽するためのシールドを組み立てる方法、および/または真空チャンバを有する堆積装置の堆積源にアクセスする方法を概略的に示す流れ図である。動作710で、タイルの凹部が、ねじに結合されたピンの上に案内される。さらに、タイルは、ねじにトルクを加えることによって、プレートアセンブリまたはフレームに固定される。1つまたは複数のタイルをシールドに固定することができ、側方シールド部と、側方シールド部間の中心シールド部とを有するシールドアセンブリを形成することができる。たとえば、タイルは、シールドアセンブリのドア構成体の開口位置に取り付けることができる。
FIG. 12 is a flow diagram schematically illustrating a method of assembling a shield for shielding material of a deposition source of a deposition apparatus having a vacuum chamber and/or a method of accessing a deposition source of a deposition apparatus having a vacuum chamber. In
シールドアセンブリは、ドア構成体の閉位置で堆積材料を遮蔽するように、真空チャンバの壁と堆積源の間に配置される。動作720で、たとえば堆積源がアイドル位置に配置されたときに、またはアイドル位置を通り越して動いたときにドアを閉じて、動作中に壁上に堆積されるべき材料を保持することができる。動作730で、ドアを開いて、保守のために堆積源および/またはシールドアセンブリのタイルにアクセスすることができる。
A shield assembly is positioned between the wall of the vacuum chamber and the deposition source to shield deposition material in the closed position of the door arrangement. At
上記に照らして、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる複数の実施形態を以下に提示する。 In light of the above, multiple embodiments are presented below that can be combined with other embodiments described herein.
実施形態1。 真空処理チャンバ内の堆積源の材料を遮蔽するように構成されたシールド用のタイルであって、タイル本体と、堆積源に面するように構成されたタイル本体の第1の側部と、第1の側部の反対側のタイル本体の第2の側部とを有し、第2の側部が、タイルをシールドに取り付けるための少なくとも1つの凹部を含み、第1の側部が構造化面を有する、タイル。 Embodiment 1. A shielding tile configured to shield material from a deposition source in a vacuum processing chamber, the shielding tile comprising: a tile body; a first side of the tile body configured to face the deposition source; a second side of the tile body opposite the first side, the second side including at least one recess for attaching the tile to the shield, the first side being structured; A tile with a surface.
実施形態2。 構造化面がマクロ構造およびマイクロ構造を含む、実施形態1に記載のタイル。 Embodiment 2. The tile of embodiment 1, wherein the structured surface includes macrostructures and microstructures.
実施形態3。 マクロ構造が圧延加工構造を含む、実施形態2に記載のタイル。 Embodiment 3. 3. The tile of embodiment 2, wherein the macrostructure comprises a rolled structure.
実施形態4。 圧延加工構造がダイヤモンド形である、実施形態3に記載のタイル。 Embodiment 4. A tile according to embodiment 3, wherein the rolled structure is diamond-shaped.
実施形態5。 マイクロ構造がブラスト構造である、実施形態2に記載のタイル。 Embodiment 5. The tile according to embodiment 2, wherein the microstructure is a blasted structure.
実施形態6。 第1の側部に開口部がなく、凹部が第1の側部に向けて閉じられている、実施形態1~5のいずれかに記載のタイル。 Embodiment 6. A tile according to any of embodiments 1 to 5, wherein there is no opening on the first side and the recess is closed towards the first side.
実施形態7。 第1の側面、第2の側面、第3の側面および第4の側面を含む、タイル本体の側面をさらに含み、これらの側面がタイル本体の第1の側部とタイル本体の第2の側部を連結し、少なくとも2つの側面は、凹部と、タイルが隣接タイルと重なり合うように構成された突起との少なくとも一方を含む、実施形態1~6のいずれかに記載のタイル。 Embodiment 7. further comprising sides of the tile body, including a first side, a second side, a third side and a fourth side, the sides being the first side of the tile body and the second side of the tile body. 7. The tile of any of embodiments 1-6, wherein at least two sides include at least one of a recess and a protrusion configured such that the tile overlaps an adjacent tile.
実施形態8。 第2の側部の少なくとも1つの凹部が鍵穴スロットである、実施形態1~7のいずれかに記載のタイル。 Embodiment 8. 8. The tile according to any of embodiments 1-7, wherein at least one recess in the second side is a keyhole slot.
実施形態9。 少なくとも1つの凹部が1つまたは複数のパターンの鍵穴スロットである、実施形態8のタイル。 Embodiment 9. 9. The tile of embodiment 8, wherein the at least one recess is one or more patterns of keyhole slots.
実施形態10。 1つまたは複数のパターンが長方形である、実施形態9のタイル。
実施形態11。 少なくとも4つの鍵穴スロットが、タイルの角部に対応して設けられる、実施形態8~10のいずれかのタイル。
実施形態12。 2つの隣り合う鍵穴スロットの間隔が18cm以下である、実施形態8~10のいずれかのタイル。
実施形態13。 タイルの幅と高さのアスペクト比が1:4~4:1である、実施形態1~12のいずれかのタイル。 Embodiment 13. The tile of any of embodiments 1-12, wherein the tile has an aspect ratio of width to height of 1:4 to 4:1.
実施形態14。 タイルの幅と高さのアスペクト比が1:5以下である、実施形態1~12のいずれかのタイル。 Embodiment 14. The tile according to any one of embodiments 1 to 12, wherein the aspect ratio of the width and height of the tile is 1:5 or less.
実施形態15。 第1の側部は、半径が0.5mm以上の1つまたは複数の縁部を有する、実施形態1~14のいずれかのタイル。
実施形態16。 真空チャンバを有する堆積装置の堆積源の材料を遮蔽するためのシールドであって、堆積装置に取り付けられるように構成されたフレームと、フレームに結合されたシールドアセンブリであり、第1の側方シールド部、第2の側方シールド部、および第1の側方シールド部と第2の側方シールド部の間の中心シールド部を含む、シールドアセンブリとを含み、このシールドアセンブリは、シールドアセンブリの閉位置で堆積材料を遮蔽するために、真空チャンバの壁と堆積源の間に配置されように構成され、シールドはさらに、シールドアセンブリの開位置で堆積源にアクセスできるようにするためにシールドアセンブリの少なくとも一部分を動かすように構成されたドア構成体を含む、シールド。 Embodiment 16. A shield for shielding material from a deposition source of a deposition apparatus having a vacuum chamber, the frame configured to be attached to the deposition apparatus, and a shield assembly coupled to the frame, the shield comprising: a first side shield; a shield assembly including a portion, a second side shield portion, and a center shield portion between the first side shield portion and the second side shield portion; The shield is further configured to be disposed between a wall of the vacuum chamber and the deposition source to shield the deposited material in the open position of the shield assembly to provide access to the deposition source in the open position of the shield assembly. A shield including a door arrangement configured to move at least a portion.
実施形態17。 ドア構成体が、中心シールド部の第1の側部をある角度だけ動かすために、および中心シールド部の第2の側部をある角度だけ動かすために、中心シールド部に結合されたヒンジを含む、実施形態16に記載のシールド。 Embodiment 17. The door arrangement includes a hinge coupled to the center shield portion for moving a first side of the center shield portion an angle and for moving a second side of the center shield portion an angle. , the shield according to embodiment 16.
実施形態18。 中心シールド部の第1の側部と中心シールド部の第2の側部とが、ヒンジ付きドアとして開かれるように構成される、実施形態17に記載のシールド。 Embodiment 18. 18. The shield of embodiment 17, wherein the first side of the center shield portion and the second side of the center shield portion are configured to open as a hinged door.
実施形態19。 ドア構成体が、シールドアセンブリの少なくとも中心シールド部を摺動させて堆積源にアクセスできるようにするための案内レールを含む、実施形態16~18のいずれかに記載のシールド。 Embodiment 19. 19. The shield of any of embodiments 16-18, wherein the door arrangement includes a guide rail for sliding at least the center shield portion of the shield assembly to provide access to the deposition source.
実施形態20。 シールドアセンブリの中心シールド部の少なくとも一部分を冷却するための冷却ユニットであって、フレーム内の冷却導管と、シールドアセンブリのプレートアセンブリ内の冷却導管との少なくとも一方を含む冷却ユニットをさらに含む、実施形態16~19のいずれかに記載のシールド。
実施形態21。 シールドアセンブリが、実施形態1~15のいずれかに記載の複数のタイルをさらに含む、実施形態16~19のいずれかに記載のシールド。
実施形態22。 シールドアセンブリが、実施形態1~15のいずれかに記載の複数のタイルをさらに含む、実施形態20に記載のシールド。
実施形態23。 複数のタイルが、フレームに接触することによって冷却される、実施形態21~22のいずれかに記載のシールド。 Embodiment 23. 23. The shield according to any of embodiments 21-22, wherein the plurality of tiles are cooled by contacting the frame.
実施形態24。 複数のタイルのうちのいくつかのタイルが、プレートアセンブリのうちの対応するプレートに結合される、実施形態22に記載のシールド。
Embodiment 24. 23. The shield of
実施形態25。 複数のタイルが、プレートアセンブリに接触することによって冷却される、実施形態24に記載のシールド。 Embodiment 25. 25. The shield of embodiment 24, wherein the plurality of tiles are cooled by contacting the plate assembly.
実施形態26。 シールドアセンブリがさらに、第1の側方シールド部と、第2の側方シールド部と、中心シールド部との上に少なくとも部分的に設けられた上部シールド部であって、実質的に水平に配向されている上部シールド部を含む、実施形態16~25のいずれかに記載のシールド。 Embodiment 26. The shield assembly further includes a top shield portion disposed at least partially over the first side shield portion, the second side shield portion, and the center shield portion, the top shield portion being substantially horizontally oriented. 26. The shield according to any of embodiments 16-25, including a top shield portion that is
実施形態27。 真空チャンバ内で複数の基板を続けて堆積するための堆積装置であって、真空チャンバの第1の側壁に隣接する第1の基板処理位置と、真空チャンバの第2の側壁に隣接する第2の基板処理位置であり、第1の側壁の反対側にある第2の基板処理位置と、第1の基板処理位置と第2の基板処理位置の間の堆積源と、第1の基板処理位置と第2の基板処理位置の間で堆積源を並進させるように構成された堆積源カートと、第1の基板処理位置で材料を基板上に堆積する第1の方向と第2の基板処理位置で材料を基板上に堆積する第2の方向との間で堆積源を回転させるように構成されたアクチュエータと、実施形態16~26のいずれかに記載のシールドとを含む、堆積装置。 Embodiment 27. A deposition apparatus for sequentially depositing a plurality of substrates within a vacuum chamber, the deposition apparatus comprising: a first substrate processing position adjacent a first sidewall of the vacuum chamber; and a second substrate processing position adjacent a second sidewall of the vacuum chamber. a second substrate processing position opposite the first sidewall; a deposition source between the first substrate processing position and the second substrate processing position; and a first substrate processing position. a deposition source cart configured to translate the deposition source between a substrate processing position and a first substrate processing position; and a first direction and a second substrate processing position for depositing material onto the substrate at the first substrate processing position. 27. A deposition apparatus comprising: an actuator configured to rotate a deposition source between a second direction and a second direction to deposit material onto a substrate;
実施形態28。 シールドが堆積源カートに取り付けられる、実施形態27に記載の堆積装置。 Embodiment 28. 28. The deposition apparatus of embodiment 27, wherein the shield is attached to the deposition source cart.
実施形態29。 シールドのドア構成体が、第1の側壁と第2の側壁を連結する真空チャンバの第3の側壁に面する、実施形態17~28のいずれかに記載の堆積装置。 Embodiment 29. 29. The deposition apparatus of any of embodiments 17-28, wherein the door arrangement of the shield faces a third sidewall of the vacuum chamber connecting the first and second sidewalls.
実施形態30。 第3の側壁が、ドア構成体の閉位置でシールドへの保守アクセスを可能にするように、また、ドア構成体の開位置で堆積源への保守アクセスを可能にするように配置される、実施形態29に記載の堆積装置。 Embodiment 30. a third sidewall is arranged to allow maintenance access to the shield in the closed position of the door arrangement and to allow maintenance access to the deposition source in the open position of the door arrangement; The deposition apparatus according to embodiment 29.
実施形態31。 真空チャンバを有する堆積装置の堆積源の材料を遮蔽するためのシールドを組み立てる方法であって、タイルの凹部を、ねじに結合されたピンの上に案内するステップと、ねじにトルクを加えることによって、タイルをプレートアセンブリまたはフレームに固定するステップとを含む、方法。 Embodiment 31. A method of assembling a shield for shielding material from a deposition source of a deposition apparatus having a vacuum chamber, the method comprising: guiding a recess in a tile over a pin coupled to a screw; and applying a torque to the screw. , securing the tile to the plate assembly or frame.
実施形態32。 タイルが、効果的な熱伝導を得るために、ねじを用いて4つ以上の凹部で固定される、実施形態31に記載の方法。 Embodiment 32. 32. The method of embodiment 31, wherein the tiles are secured with four or more recesses using screws to obtain effective heat transfer.
実施形態33。 真空チャンバを有する堆積装置の堆積源にアクセスする方法であって、真空チャンバの壁と堆積源の間に配置されたシールドアセンブリのドア構成体を開いて、堆積材料をドア構成体の閉位置で遮蔽するステップを含む、方法。 Embodiment 33. A method of accessing a deposition source of a deposition apparatus having a vacuum chamber, the method comprising: opening a door arrangement of a shield assembly disposed between a wall of the vacuum chamber and the deposition source; and depositing material in a closed position of the door arrangement. A method comprising the step of shielding.
以上は本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考案することができ、また本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって決定される。 Although the foregoing is directed to embodiments of the present disclosure, other further embodiments of the present disclosure may be devised without departing from the essential scope of the present disclosure, and the scope of the present disclosure is Determined by the claims.
Claims (14)
前記堆積装置に取り付けられるように構成されたフレームと、
前記フレームに結合されたシールドアセンブリであって、
第1の側方シールド部、
第2の側方シールド部、および
前記第1の側方シールド部と前記第2の側方シールド部の間の中心シールド部
を含む、シールドアセンブリとを備え、
前記シールドが、ドア構成体を更に備え、
前記シールドアセンブリが、前記ドア構成体の閉位置で堆積材料を遮蔽するために、前記真空チャンバの壁と前記堆積源の間に配置されるように構成され、
前記ドア構成体が、前記ドア構成体の開位置で前記堆積源への保守アクセスを可能にするために前記シールドアセンブリの少なくとも一部分を動かすように構成されている、シールド。 A shield for shielding material in a deposition source of a deposition apparatus having a vacuum chamber, the shield comprising:
a frame configured to be attached to the deposition device;
a shield assembly coupled to the frame, the shield assembly comprising:
a first side shield portion;
a shield assembly comprising: a second side shield portion; and a center shield portion between the first side shield portion and the second side shield portion;
the shield further comprising a door arrangement;
the shield assembly is configured to be disposed between a wall of the vacuum chamber and the deposition source to shield deposition material in a closed position of the door arrangement ;
The shield , wherein the door arrangement is configured to move at least a portion of the shield assembly to allow maintenance access to the deposition source in an open position of the door arrangement .
前記中心シールド部の第1の側部をある角度だけ動かすために、および前記中心シールド部の第2の側部をある角度だけ動かすために、前記中心シールド部に結合されたヒンジを備える、請求項1に記載のシールド。 The door structure includes:
A hinge coupled to the center shield portion for moving a first side of the center shield portion an angle and for moving a second side of the center shield portion an angle. The shield described in item 1.
前記シールドアセンブリの少なくとも前記中心シールド部を摺動させて前記堆積源への保守アクセスを可能にするための案内レールを備える、請求項1に記載のシールド。 The door structure includes:
The shield of claim 1, comprising a guide rail for sliding at least the center shield portion of the shield assembly to allow maintenance access to the deposition source.
前記フレーム内の冷却導管と、
前記シールドアセンブリのプレートアセンブリ内の冷却導管と
の少なくとも一方を含む冷却ユニットをさらに備える、請求項1~4のいずれかに記載のシールド。 A cooling unit for cooling at least a portion of the center shield portion of the shield assembly, the cooling unit comprising:
a cooling conduit within the frame;
A shield according to any preceding claim, further comprising a cooling unit including at least one of a cooling conduit in a plate assembly of the shield assembly.
前記第1の側方シールド部と、前記第2の側方シールド部と、前記中心シールド部との上に少なくとも部分的に設けられた上部シールド部であって、実質的に水平に配向されている上部シールド部を備える、請求項1~4のいずれかに記載のシールド。 The shield assembly further includes:
an upper shield portion disposed at least partially over the first side shield portion, the second side shield portion, and the center shield portion, the upper shield portion being substantially horizontally oriented; The shield according to any one of claims 1 to 4, comprising an upper shield portion that includes an upper shield portion.
前記真空チャンバの第1の側壁に隣接する第1の基板処理位置と、
真空チャンバの第2の側壁に隣接する第2の基板処理位置であって、前記第1の側壁の反対側にある第2の基板処理位置と、
前記第1の基板処理位置と前記第2の基板処理位置の間の堆積源と、
前記第1の基板処理位置と前記第2の基板処理位置の間で前記堆積源を並進させるように構成された堆積源カートと、
前記第1の基板処理位置で材料を基板上に堆積する第1の方向と、前記第2の基板処理位置で材料を基板上に堆積する第2の方向との間で前記堆積源を回転させるように構成されたアクチュエータと、
請求項1~4のいずれかに記載のシールドと
を備える堆積装置。 A deposition apparatus for successively depositing a plurality of substrates in a vacuum chamber, the deposition apparatus comprising:
a first substrate processing location adjacent to a first sidewall of the vacuum chamber;
a second substrate processing position adjacent to a second sidewall of the vacuum chamber and opposite the first sidewall;
a deposition source between the first substrate processing location and the second substrate processing location;
a deposition source cart configured to translate the deposition source between the first substrate processing position and the second substrate processing position;
rotating the deposition source between a first direction for depositing material on a substrate at the first substrate processing position and a second direction for depositing material on the substrate at the second substrate processing position; an actuator configured to;
A deposition apparatus comprising a shield according to any one of claims 1 to 4.
ドア構成体を備えたシールドアセンブリが、前記真空チャンバの壁と前記堆積源の間に配置されるように構成され、
前記方法が、
前記ドア構成体の閉位置で堆積材料を遮蔽するステップと、
前記シールドアセンブリの前記ドア構成体を開いて、前記堆積源への保守アクセスを可能にするステップを含む方法。 1. A method of accessing a deposition source of a deposition apparatus having a vacuum chamber, the method comprising:
a shield assembly with a door arrangement configured to be disposed between a wall of the vacuum chamber and the deposition source;
The method includes:
shielding deposited material in the closed position of the door arrangement;
A method comprising opening the door arrangement of the shield assembly to allow maintenance access to the deposition source .
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2019/079402 WO2021083483A1 (en) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | Idle shield, deposition apparatus, deposition system, and methods of assembling and operating |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023501929A JP2023501929A (en) | 2023-01-20 |
JP7439253B2 true JP7439253B2 (en) | 2024-02-27 |
Family
ID=68387332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022525047A Active JP7439253B2 (en) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | Idle Shield, Deposition Apparatus, Deposition System, and Methods of Assembling and Operating |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7439253B2 (en) |
KR (1) | KR20220087552A (en) |
CN (1) | CN114641589A (en) |
WO (1) | WO2021083483A1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018220731A1 (en) | 2017-05-31 | 2018-12-06 | アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 | Processing device |
JP2019512043A (en) | 2017-03-17 | 2019-05-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Deposition system, deposition apparatus, and method of operating a deposition system |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011140689A (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Seiko Epson Corp | Vapor deposition apparatus and method of manufacturing electro-optical device |
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CN108060406B (en) * | 2018-01-29 | 2023-09-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Shielding platen assembly, semiconductor processing apparatus and method |
-
2019
- 2019-10-28 WO PCT/EP2019/079402 patent/WO2021083483A1/en active Application Filing
- 2019-10-28 JP JP2022525047A patent/JP7439253B2/en active Active
- 2019-10-28 CN CN201980101794.1A patent/CN114641589A/en active Pending
- 2019-10-28 KR KR1020227017876A patent/KR20220087552A/en active Search and Examination
Patent Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JP2019512043A (en) | 2017-03-17 | 2019-05-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Deposition system, deposition apparatus, and method of operating a deposition system |
WO2018220731A1 (en) | 2017-05-31 | 2018-12-06 | アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 | Processing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023501929A (en) | 2023-01-20 |
KR20220087552A (en) | 2022-06-24 |
CN114641589A (en) | 2022-06-17 |
WO2021083483A1 (en) | 2021-05-06 |
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|
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