JP2019534938A - Material deposition apparatus, vacuum deposition system, and method for performing vacuum deposition - Google Patents

Material deposition apparatus, vacuum deposition system, and method for performing vacuum deposition Download PDF

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Abstract

真空堆積チャンバにおいて基板に材料を堆積するための、材料堆積装置が記載されている。材料堆積装置は、1つ以上の第1の開口を有する第1の堆積源と、1つ以上の第2の開口を有する第2の堆積源と、1つ以上の第1の開口に、1つ以上の第2の開口に、及び第1のパーク位置に、ある角度で動かすことができるように構成されたシャッタープレートを有する少なくとも第1のシャッターを有するシャッター装置と、を含む。少なくとも前記第1の堆積源は、列に沿って延びる複数の開口を有する線形源であり、少なくとも前記第1のシャッターは、前記複数の開口の前に位置決めする前記角度で動かすことができる。【選択図】図2BA material deposition apparatus is described for depositing material on a substrate in a vacuum deposition chamber. The material deposition apparatus includes a first deposition source having one or more first openings, a second deposition source having one or more second openings, and one or more first openings. A shutter device having at least a first shutter having a shutter plate configured to be movable at an angle to one or more second openings and to a first park position. At least the first deposition source is a linear source having a plurality of apertures extending along a row, and at least the first shutter can be moved at the angle to be positioned in front of the plurality of apertures. [Selection] Figure 2B

Description

本開示の実施形態は、基板上に1つ以上の層、具体的には有機材料を含む層を堆積するための、堆積機器に関する。具体的には、本開示の実施形態は、特にOLED製造用の、真空堆積チャンバ内で蒸発させた材料を基板上に堆積するための材料堆積装置、真空堆積システム及びそのための方法に関する。実施形態はさらに、材料堆積装置のコンディショニングに関する。   Embodiments of the present disclosure relate to a deposition apparatus for depositing one or more layers, particularly layers comprising organic materials, on a substrate. In particular, embodiments of the present disclosure relate to a material deposition apparatus, a vacuum deposition system, and a method therefor for depositing material evaporated in a vacuum deposition chamber on a substrate, particularly for OLED manufacturing. Embodiments further relate to conditioning a material deposition apparatus.

有機蒸発器は、有機発光ダイオード(OLED)生産のためのツールである。OLEDは、特殊なタイプの発光ダイオードであり、その発光層は、ある有機化合物の薄膜を含んでいる。有機発光ダイオード(OLED)は、情報表示用の、テレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、その他の携帯型デバイスなどの製造に使用される。OLEDは、一般的な空間照明用にも使用できる。OLEDピクセルは直接発光し、バックライトを必要としないので、OLEDディスプレイで可能な色、輝度、及び視野角の範囲は、従来型のLCDディスプレイの範囲よりも広い。したがって、OLEDディスプレイのエネルギー消費は、従来型のLCDディスプレイのエネルギー消費よりも、かなり少ない。さらに、OLEDがフレキシブル基板上に製造できるということによって、さらなる用途がもたらされる。   Organic evaporators are tools for organic light emitting diode (OLED) production. An OLED is a special type of light emitting diode whose light emitting layer includes a thin film of an organic compound. Organic light emitting diodes (OLEDs) are used in the manufacture of information displays, such as television screens, computer monitors, cell phones, and other portable devices. OLEDs can also be used for general space illumination. Since OLED pixels emit directly and do not require a backlight, the range of colors, brightness, and viewing angles possible with OLED displays is wider than that of conventional LCD displays. Thus, the energy consumption of OLED displays is significantly less than that of conventional LCD displays. Furthermore, the fact that OLEDs can be manufactured on flexible substrates provides further applications.

OLED材料は、しばしば共蒸着される。2つ以上の材料、例えば3つの材料が蒸着されて、デバイスの層構造のうちの1つの層を形成する。共蒸着用に、2つ以上の蒸発源を有する蒸発源アセンブリが使用され得る。共蒸着は、1つの層を堆積するための2つ以上の蒸発源の、蒸発速度の制御に関する難易度が高い。第1の蒸発源の蒸発速度、及び第2の蒸発源の蒸発速度は、互いに対して適応している必要がある。さらに、例えば線形源、即ち一列の蒸発材料を生成する複数の源、及びエリア源、即ち2次元のエリアの蒸発材料を生成する複数の源に関しては、個々の蒸発源の均一性が重要である。   OLED materials are often co-evaporated. Two or more materials, e.g., three materials, are deposited to form one layer of the device layer structure. For co-deposition, an evaporation source assembly having two or more evaporation sources can be used. Co-evaporation has a high degree of difficulty in controlling the evaporation rate of two or more evaporation sources for depositing one layer. The evaporation rate of the first evaporation source and the evaporation rate of the second evaporation source must be adapted to each other. Furthermore, the uniformity of the individual evaporation sources is important, for example for linear sources, i.e. multiple sources producing a row of evaporating material, and area sources, i.e. sources producing evaporating material in a two-dimensional area. .

上記を踏まえて、材料堆積装置、真空堆積システム、及び材料堆積装置をコンディショニングする方法が提供される。   In light of the above, a material deposition apparatus, a vacuum deposition system, and a method for conditioning a material deposition apparatus are provided.

一実施例によれば、真空堆積チャンバ内で材料を基板上に堆積するための、材料堆積装置が提供される。材料堆積装置は、1つ以上の第1の開口を有する第1の堆積源と、1つ以上の第2の開口を有する第2の堆積源と、1つ以上の第1の開口に、1つ以上の第2の開口に、及び第1のパーク位置に、ある角度で動かすことができるように構成された第1のシャッターを少なくとも有するシャッター装置と、を含む。   According to one embodiment, a material deposition apparatus is provided for depositing material on a substrate in a vacuum deposition chamber. The material deposition apparatus includes a first deposition source having one or more first openings, a second deposition source having one or more second openings, and one or more first openings. A shutter device having at least a first shutter configured to be movable at an angle to one or more second openings and to a first park position.

一実施例によれば、真空堆積チャンバ内で材料を基板上に堆積するための、材料堆積装置が提供される。材料堆積装置は、1つ以上の第1の開口を有する第1の堆積源と、1つ以上の第2の開口を有する第2の堆積源と、1つ以上の第1の開口または1つ以上の第2の開口を選択的に覆うために、ある角度で動かすことができるか、またはある角度で回転することができるように構成された第1のシャッターを少なくとも有するシャッター装置と、を含む。加えて、第1のパーク位置が設けられていてもよい。   According to one embodiment, a material deposition apparatus is provided for depositing material on a substrate in a vacuum deposition chamber. The material deposition apparatus includes a first deposition source having one or more first openings, a second deposition source having one or more second openings, and one or more first openings or one. A shutter device having at least a first shutter configured to be movable or rotated at an angle to selectively cover the second opening. . In addition, a first park position may be provided.

一実施例によれば、真空堆積チャンバ内で材料を基板上に堆積するための、材料堆積装置が提供される。材料堆積装置は、1つ以上の第1の開口を有する第1の堆積源と、1つ以上の第2の開口を有する第2の堆積源と、第1のシャッターと、1つ以上の第1の開口の前及び1つ以上の第2の開口の前に、ある角度で第1のシャッターを動かすためのアクチュエータと、を含む。   According to one embodiment, a material deposition apparatus is provided for depositing material on a substrate in a vacuum deposition chamber. The material deposition apparatus includes a first deposition source having one or more first openings, a second deposition source having one or more second openings, a first shutter, and one or more firsts. An actuator for moving the first shutter at an angle before the one opening and before the one or more second openings.

一実施例によれば、真空堆積システムが提供される。システムは、真空堆積チャンバ、及び材料堆積装置を含む。材料堆積装置は、本明細書に記載の任意の実施形態にしたがって提供され得る。例えば、材料堆積装置は、1つ以上の第1の開口を有する第1の堆積源と、1つ以上の第2の開口を有する第2の堆積源と、第1のシャッターと、1つ以上の第1の開口の前及び1つ以上の第2の開口の前に、ある角度で第1のシャッターを動かすためのアクチュエータと、を含む。   According to one embodiment, a vacuum deposition system is provided. The system includes a vacuum deposition chamber and a material deposition apparatus. A material deposition apparatus may be provided in accordance with any embodiment described herein. For example, the material deposition apparatus includes a first deposition source having one or more first openings, a second deposition source having one or more second openings, a first shutter, and one or more. And an actuator for moving the first shutter at an angle before the first opening and before the one or more second openings.

一実施例によると、第1の堆積源及び第2の堆積源を少なくとも有する材料堆積装置を、コンディショニングするための方法が提供される。方法は、第1の堆積源において材料をシャッターで遮断することと、第2の堆積源をコンディショニングすることと、シャッターを第2の堆積源に、ある角度で動かすことと、第2の堆積源において材料を遮断することと、第2の堆積源をコンディショニングすることと、シャッターをある角度で動かすことと、第1の材料及び第2の材料を共蒸着することによって基板上に材料層を堆積することと、を含む。   According to one embodiment, a method is provided for conditioning a material deposition apparatus having at least a first deposition source and a second deposition source. The method includes shutting off material with a shutter at the first deposition source, conditioning the second deposition source, moving the shutter to the second deposition source at an angle, and a second deposition source. Depositing a layer of material on the substrate by shutting off the material, conditioning the second deposition source, moving the shutter at an angle, and co-evaporating the first and second materials And including.

本開示の上記の特徴が詳細に理解され得るように、上記で簡単に概説した本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって行われてよい。添付の図面は本発明の実施形態に関連しており、以下の記述において説明される。   In order that the above features of the present disclosure may be understood in detail, a more specific description of the present disclosure, briefly outlined above, may be made by reference to the embodiments. The accompanying drawings relate to embodiments of the invention and are described in the following description.

本明細書に記載の実施形態で使用され得る、材料堆積装置、例えば蒸発源の概略側断面図である。1 is a schematic cross-sectional side view of a material deposition apparatus, eg, an evaporation source, that can be used in the embodiments described herein. 本明細書に記載の実施形態で利用され得る、材料堆積装置、例えば堆積源アセンブリの概略断面図を示す。FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of a material deposition apparatus, eg, a deposition source assembly, that can be utilized with embodiments described herein. 本明細書に記載の実施形態による、シャッターを有する材料堆積装置の概略部分図である。1 is a schematic partial view of a material deposition apparatus having a shutter according to embodiments described herein. FIG. 図3A〜図3Cは、本明細書に記載の実施形態による、シャッターが別の位置で示されている材料堆積装置の概略図である。3A-3C are schematic views of a material deposition apparatus in which the shutter is shown in another position, according to embodiments described herein. 本明細書に記載の実施形態による、2つのシャッターを有する材料堆積装置の概略部分斜視図である。1 is a schematic partial perspective view of a material deposition apparatus having two shutters, according to embodiments described herein. FIG. 本明細書に記載の実施形態による、別の材料堆積装置の概略図を示す。FIG. 6 shows a schematic diagram of another material deposition apparatus, according to embodiments described herein. 本明細書に記載の実施形態による、材料堆積装置の概略図を示す。FIG. 2 shows a schematic diagram of a material deposition apparatus according to embodiments described herein. 本明細書に記載の実施形態による、支持体と、サイドシールドに面した堆積源とを有する材料堆積装置の概略側面図である。1 is a schematic side view of a material deposition apparatus having a support and a deposition source facing a side shield according to embodiments described herein. FIG. 本明細書に記載の実施形態による、真空堆積システムの概略図を示す。FIG. 2 shows a schematic diagram of a vacuum deposition system according to embodiments described herein. それぞれ本明細書に記載の実施形態による、材料堆積装置を操作する方法、または材料堆積装置をコンディショニングする方法のフロー図である。FIG. 3 is a flow diagram of a method of operating a material deposition apparatus or a method of conditioning a material deposition apparatus, respectively, according to embodiments described herein.

ここで、様々な実施形態について詳細に参照する。各図には、実施形態の1つ以上の例が示されている。各例は、説明用として提示されており、限定を意味するものではない。例えば、一実施形態の一部として例示または記載されている特徴は、他の任意の実施形態で使用するか、または他の任意の実施形態と組み合わせて使用して、さらに別の実施形態を生み出すことが可能である。本開示は、こうした修正形態及び変形形態を含むことが意図されている。   Reference will now be made in detail to various embodiments. Each figure shows one or more examples of embodiments. Each example is presented for purposes of explanation and is not meant to be limiting. For example, features illustrated or described as part of one embodiment can be used in any other embodiment or in combination with any other embodiment to yield a still further embodiment. It is possible. The present disclosure is intended to include such modifications and variations.

図面に関する以下の説明中、同じ参照番号は、同一または同様の構成要素を指している。概して、個々の実施形態に関しては、相違点のみが説明される。別様に明記されていない限り、一実施形態の部分または態様の説明は、別の実施形態中の相当する部分または態様にも適用することができる。   In the following description of the drawings, the same reference numbers refer to the same or similar components. Generally, only the differences will be described with respect to the individual embodiments. Unless stated otherwise, the description of a part or aspect of one embodiment is also applicable to the corresponding part or aspect in another embodiment.

図1は、本明細書に記載の実施形態で利用することができる、材料堆積装置100の概略断面図を示す。具体的には、材料堆積装置は、真空堆積チャンバ内で基板に材料を堆積させるように構成されている。図1に例示的に示すように、材料堆積装置は、材料を蒸発させるように構成されたるつぼ110を有する、少なくとも1つの材料堆積源105を含む。材料堆積装置はさらに、分配アセンブリ120、例えば分配管を含む。分配アセンブリは、蒸発させた材料を基板に供給するように構成されている。図1に例示的に示すように、少なくとも1つの堆積源の分配アセンブリ120は、分配管の長さに沿って設けられた1つ以上の排出口または開口126が付いた分配管を含んでいてよい。典型的には、分配アセンブリ120は、るつぼ110に接続されている。   FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of a material deposition apparatus 100 that can be utilized in the embodiments described herein. Specifically, the material deposition apparatus is configured to deposit material on a substrate in a vacuum deposition chamber. As exemplarily shown in FIG. 1, the material deposition apparatus includes at least one material deposition source 105 having a crucible 110 configured to evaporate the material. The material deposition apparatus further includes a distribution assembly 120, such as a distribution pipe. The dispensing assembly is configured to supply the evaporated material to the substrate. As illustratively shown in FIG. 1, at least one deposition source distribution assembly 120 includes a distribution pipe with one or more outlets or openings 126 provided along the length of the distribution pipe. Good. Typically, the dispensing assembly 120 is connected to the crucible 110.

具体的には、分配アセンブリ120の底部に、開口113が設けられていてよい。例えば、分配アセンブリ120の底部に設けられた開口113は、例えば、るつぼの頂壁に設けられた開口を介して、るつぼ110との流体連通が可能であるようにして、配設及び構成されていることができる。   Specifically, an opening 113 may be provided at the bottom of the dispensing assembly 120. For example, the opening 113 provided at the bottom of the dispensing assembly 120 is disposed and configured such that fluid communication with the crucible 110 is possible, for example, through an opening provided in the top wall of the crucible. Can be.

るつぼ110は、分配アセンブリと流体連通している。蒸発させた材料は、分配アセンブリ内で、基板に向けて誘導される。例えば、分配アセンブリ120は、蒸発させた材料を、開口126を通して基板(図1には図示せず)上に向かわせる。本開示の実施形態によると、材料堆積装置は、線形源を含み得る。複数の開口126が、一列に配列されていることができる。分配アセンブリ120によって、線形の蒸気のプルームが生成される。線形源は、例えば線の方向と垂直に、移動することができる。線形源を移動することによって、蒸発させた材料を長方形の基板上に堆積することが可能になる。   The crucible 110 is in fluid communication with the dispensing assembly. The evaporated material is directed toward the substrate within the dispensing assembly. For example, the dispensing assembly 120 directs the evaporated material through the opening 126 onto a substrate (not shown in FIG. 1). According to embodiments of the present disclosure, the material deposition apparatus may include a linear source. A plurality of openings 126 may be arranged in a row. Distributing assembly 120 produces a linear steam plume. The linear source can move, for example, perpendicular to the direction of the line. By moving the linear source, the evaporated material can be deposited on a rectangular substrate.

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るさらなる実施形態によると、本明細書記載の実施形態によるシャッターまたはシャッターアセンブリには、点源が設けられていてもよい。   According to further embodiments that can be combined with other embodiments described herein, a shutter or shutter assembly according to embodiments described herein may be provided with a point source.

図2Aは、本明細書に記載のさらなる実施形態による、材料堆積装置の、より詳細な概略上面断面図を示す。具体的には、図2Aは、第1の堆積源105A、第2の堆積源105B、及び第3の堆積源105Cを含む、材料堆積装置の上面断面図を示す。3つの分配アセンブリ、例えば分配管と、それに対応する蒸発るつぼは、互いに隣接して設けられていることができる。その結果、材料堆積装置が、例えば2種類以上の材料を同時に蒸発させることができる蒸発源アレイとして設けられていてもよい。例えばOLEDディスプレイの製造中に材料層を堆積するために、共蒸着を使用することができる。材料堆積装置は、2つ以上の堆積源105を含むことができる。   FIG. 2A shows a more detailed schematic top cross-sectional view of a material deposition apparatus, according to further embodiments described herein. Specifically, FIG. 2A shows a top cross-sectional view of a material deposition apparatus that includes a first deposition source 105A, a second deposition source 105B, and a third deposition source 105C. Three distribution assemblies, for example distribution pipes and corresponding evaporation crucibles, can be provided adjacent to each other. As a result, the material deposition apparatus may be provided as an evaporation source array capable of simultaneously evaporating two or more kinds of materials, for example. For example, co-evaporation can be used to deposit material layers during the manufacture of OLED displays. The material deposition apparatus can include more than one deposition source 105.

材料堆積装置、即ち堆積源は、材料堆積用の処理条件を提供するために、コンディショニングされる。材料堆積装置の複数の堆積源は、互いに独立してコンディショニングするのが有益である。例えば、堆積源の材料蒸発の均一性は、材料堆積装置の堆積源のそれぞれに関して、独立して検討される。堆積源の均一性は、例えば、開口126の列に沿った均一性であると考えることができる。均一性は、線形源の列に沿って評価、及び/または調整することができる。   A material deposition apparatus, or deposition source, is conditioned to provide processing conditions for material deposition. Advantageously, the multiple deposition sources of the material deposition apparatus are conditioned independently of one another. For example, the material evaporation uniformity of the deposition source is considered independently for each of the deposition sources of the material deposition apparatus. The uniformity of the deposition source can be considered, for example, the uniformity along the row of openings 126. Uniformity can be evaluated and / or adjusted along a line of linear sources.

図2Aに示すように、 堆積源は、本明細書に記載の分配アセンブリ、及び本明細書に記載のるつぼを含んでいてよい。例えば、第1の分配アセンブリ120A、第2の分配アセンブリ120B、及び第3の分配アセンブリ120Cは、本明細書に記載の分配管として構成されることができる。   As shown in FIG. 2A, the deposition source may include a dispensing assembly as described herein and a crucible as described herein. For example, the first distribution assembly 120A, the second distribution assembly 120B, and the third distribution assembly 120C can be configured as distribution pipes as described herein.

図2Bに示すように、本開示の実施形態によると、1つ以上のシャッター210は、ある角度212で動かすことができる。ある角度でシャッターを動かすこと、例えば軸211の周囲でシャッターを回転することによって、シャッターを第1の分配アセンブリの1つ以上の開口126の前に位置決めすることが可能になる。代わりに、シャッターを、第2の分配アセンブリの1つ以上の開口126の前に、または第3の分配アセンブリの1つ以上の開口の前に位置決めすることも、可能である。さらに、シャッターは、パーク位置に位置決めすることが可能である。パーク位置では、材料堆積装置の開口は、シャッターによって覆われていない。シャッターは、材料堆積装置のあらゆる分配アセンブリの、基板に向けられる材料の誘導を遮断しない。   As shown in FIG. 2B, according to an embodiment of the present disclosure, one or more shutters 210 can be moved at an angle 212. By moving the shutter at an angle, such as rotating the shutter about axis 211, it is possible to position the shutter in front of one or more openings 126 of the first distribution assembly. Alternatively, the shutter can be positioned in front of one or more openings 126 in the second distribution assembly or in front of one or more openings in the third distribution assembly. Furthermore, the shutter can be positioned at the park position. In the park position, the material deposition device opening is not covered by a shutter. The shutter does not block the guidance of material directed to the substrate in any distribution assembly of the material deposition apparatus.

1つの分配アセンブリの1つ以上の開口、即ち1つの堆積源の1つ以上の開口の前にシャッターを位置決めすることによって、複数の堆積源の個別のコンディショニングが可能になる。さらに、パーク位置にすることで、材料堆積装置が、2つ以上の堆積源の共蒸着によって基板上に材料を堆積することが可能になる。   Positioning the shutter in front of one or more apertures of one dispensing assembly, ie, one or more apertures of one deposition source, allows for individual conditioning of multiple deposition sources. Further, the park position allows the material deposition apparatus to deposit material on the substrate by co-evaporation of two or more deposition sources.

本開示において、「材料堆積源」とは、基板上に堆積する材料の供給源を提供するように構成された、装置またはアセンブリであるとして理解することができる。具体的には、「材料堆積源」とは、堆積する材料を蒸発させるように構成されたるつぼ、及び蒸発させた材料を基板に供給するように構成された分配アセンブリを有する装置またはアセンブリであるとして理解することができる。「蒸発させた材料を基板に供給するように構成された分配アセンブリ」という表現は、分配アセンブリが、排出口または開口126を通る矢印によって図1に例示的に示す堆積方向に、気体の原材料を誘導するように構成されている、として理解することができる。その結果、気体の原材料、例えばOLED装置の薄膜を堆積するための材料は、分配アセンブリ内に誘導され、1つ以上の排出口または開口126を通って、分配アセンブリから排出される。例えば、分配アセンブリ、例えば分配管の1つ以上の排出口は、蒸発方向に沿って延びるノズルであることができる。典型的には、蒸発方向は基本的に水平であることができる。水平方向は、例えば図1に示すx方向に相当していてよい。典型的な実施形態によると、基板の配向が垂直からわずかに乖離しているのを許容するために、蒸発方向は、7°未満といった、例えば15°未満の水平方向からのわずかな乖離を有していることが有益であり得る。   In this disclosure, a “material deposition source” can be understood as an apparatus or assembly that is configured to provide a source of material to be deposited on a substrate. Specifically, a “material deposition source” is an apparatus or assembly having a crucible configured to evaporate the material to be deposited and a dispensing assembly configured to supply the evaporated material to a substrate. Can be understood as The expression “distribution assembly configured to supply vaporized material to the substrate” means that the distribution assembly delivers gaseous raw materials in the deposition direction exemplarily shown in FIG. It can be understood as being configured to guide. As a result, gaseous raw materials, such as materials for depositing thin films of OLED devices, are directed into the distribution assembly and exhausted from the distribution assembly through one or more outlets or openings 126. For example, one or more outlets of a distribution assembly, such as a distribution pipe, can be nozzles that extend along the direction of evaporation. Typically, the evaporation direction can be essentially horizontal. The horizontal direction may correspond to, for example, the x direction shown in FIG. According to an exemplary embodiment, the evaporation direction has a slight deviation from the horizontal direction, for example less than 15 °, such as less than 7 °, in order to allow the substrate orientation to deviate slightly from vertical. It can be beneficial to do so.

本開示において「るつぼ」とは、るつぼを加熱することによって蒸発させる材料用のリザーバを有する器具であるとして理解することができる。したがって、「るつぼ」とは、原材料の蒸発及び昇華のうちの少なくとも一方によって原料を蒸発させて気体にするために加熱することができる、原材料リザーバであるとして理解することができる。典型的には、るつぼは、るつぼ内の原材料を蒸発させて気体の原材料にするための、ヒータを含む。例えば、蒸発させる材料は最初、粉末の形態であってよい。リザーバは、蒸発させる原材料、例えば有機材料を受容するための容積を有していることができる。   In this disclosure, a “crucible” can be understood as an instrument having a reservoir for a material that evaporates by heating the crucible. Thus, a “crucible” can be understood as a raw material reservoir that can be heated to evaporate the raw material into a gas by at least one of evaporation and sublimation of the raw material. Typically, a crucible includes a heater for evaporating the raw material in the crucible into a gaseous raw material. For example, the material to be evaporated may initially be in powder form. The reservoir can have a volume for receiving a raw material to be evaporated, for example an organic material.

本開示において、「分配アセンブリ」とは、分配アセンブリから蒸発させた材料、具体的には蒸発させた材料のプルームを、基板に供給するように構成されたアセンブリであるとして理解することができる。例えば、分配アセンブリは、細長い形状であり得る分配管を含んでいてよい。例えば、本明細書に記載の分配管は、分配管の長さに沿って少なくとも1つの列に配列された複数の開口及び/またはノズルを有する、線形源を提供し得る。その結果、分配アセンブリは、例えば中に配置された複数の開口(または細長いスリット)を有する、線形の分配シャワーヘッドであることができる。本明細書中では、シャワーヘッドは、例えば、蒸発るつぼから基板へ、蒸発させた材料を供給または誘導することができる、筐体、空洞、または管を有し得るとして理解される。シャワーヘッドは、その中空の空間内の圧力が、空間の外側と比べて一桁以上高圧であることができる。   In the present disclosure, a “distribution assembly” can be understood as an assembly configured to supply a substrate with a material evaporated from the distribution assembly, specifically a plume of evaporated material. For example, the dispensing assembly may include a distribution tube that may be elongated. For example, the distribution pipes described herein may provide a linear source having a plurality of apertures and / or nozzles arranged in at least one row along the length of the distribution pipe. As a result, the dispensing assembly can be, for example, a linear dispensing showerhead having a plurality of openings (or elongated slits) disposed therein. As used herein, a showerhead is understood as having a housing, cavity, or tube that can supply or direct the evaporated material, for example, from an evaporation crucible to a substrate. The pressure in the hollow space of the shower head can be higher by one digit or more than the outside of the space.

本明細書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わせ得る実施形態によると、分配管の長さは、少なくとも堆積を行う基板の高さに相当していてよい。具体的には、分配管の長さは、堆積を行う基板の高さよりも、少なくとも10%長くてよく、20%長くてさえよい。例えば、分配管の長さは、1.3m以上であってよく、例えば2.5m以上であってよい。これによって、基板の上端及び/または基板の下端における、均一な堆積を提供することができる。代替構成によれば、分配アセンブリは、垂直軸に沿って配列されていることができる、1つ以上の点源を含んでいてよい。   According to embodiments that can be combined with any of the other embodiments described herein, the length of the distribution pipe may correspond at least to the height of the substrate on which the deposition is performed. Specifically, the length of the distribution pipe may be at least 10% longer and even 20% longer than the height of the substrate on which the deposition is performed. For example, the length of the distribution pipe may be 1.3 m or more, for example, 2.5 m or more. This can provide uniform deposition at the top and / or bottom of the substrate. According to an alternative configuration, the dispensing assembly may include one or more point sources that can be arranged along a vertical axis.

図2Aに示すとおり、本明細書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わせ得る実施形態によると、少なくとも1つの堆積源の分配アセンブリは、分配管の長さに対して垂直な非円形断面を有する分配管として構成されていることができる。例えば、分配管の長さに対して垂直な断面は、丸い角を有する三角形、及び/または角が切り取られた三角形であることができる。例えば、図2Aは、分配管の長さに対して垂直なほぼ三角形の断面を有する3つの分配管を示す。本明細書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わせ得る実施形態によると、各分配アセンブリは、それぞれの蒸発るつぼと流体連通している。   As shown in FIG. 2A, according to an embodiment that can be combined with any of the other embodiments described herein, the distribution assembly of the at least one deposition source has a non-circular cross section perpendicular to the length of the distribution pipe. It can be configured as a distribution pipe having. For example, the cross section perpendicular to the length of the distribution pipe can be a triangle with rounded corners and / or a triangle with rounded corners. For example, FIG. 2A shows three distribution pipes having a substantially triangular cross-section perpendicular to the distribution pipe length. According to embodiments that can be combined with any other embodiment described herein, each dispensing assembly is in fluid communication with a respective evaporating crucible.

例えば図1、図2A、及び図2Bに関連して記載されているように、少なくとも1つの堆積源105の特徴に関する記載が、2つ以上の堆積源105を有する材料堆積装置100の他の堆積源にも適用され得ることは、理解されるべきである。   For example, as described in connection with FIGS. 1, 2A, and 2B, a description of features of at least one deposition source 105 may include other depositions of material deposition apparatus 100 having two or more deposition sources 105. It should be understood that it can also be applied to sources.

本明細書に記載の他いずれの実施形態とも組み合わせ得るある実施形態によると、また図2Aに例示的に示されているとおり、少なくとも1つの材料堆積源に隣接して、蒸発器制御ハウジング180が設けられていてよい。具体的には、蒸発器制御ハウジングは、内部に大気圧を維持するように構成されていることができ、かつスイッチ、バルブ、コントローラ、冷却ユニット、冷却制御ユニット、加熱制御ユニット、電源、及び測定装置から成る群から選択された、少なくとも1つの要素を収容するように構成されている。   According to certain embodiments that may be combined with any other embodiment described herein, and as illustrated by way of example in FIG. 2A, an evaporator control housing 180 is adjacent to at least one material deposition source. It may be provided. Specifically, the evaporator control housing can be configured to maintain atmospheric pressure therein, and switches, valves, controllers, cooling units, cooling control units, heating control units, power supplies, and measurements It is configured to receive at least one element selected from the group consisting of devices.

本明細書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わせ得る実施形態によると、分配アセンブリ、具体的には分配管は、分配アセンブリ内部に設けられている加熱要素によって加熱され得る。加熱要素は、チューブに留められたまたは別な方法で固定された、例えば、コーティングされた加熱ワイヤなどの加熱ワイヤによって設けられ得る、電気ヒータであることができる。図2Aを例として参照すると、冷却シールド138が設けられていることができる。冷却シールド138は、堆積エリア、即ち、基板及び/またはマスクに向かう熱放射を低減するためのU字型の冷却シールドが設けられるようにして配設された、側壁を含んでいてよい。例えば、冷却シールドは、水などの冷却流体用の導管が取り付けられているか、または内部に設置されている、金属板として設けられることができる。さらにまたは代わりに、冷却シールドを冷却するために、熱電冷却装置または他の冷却装置を設けることができる。典型的には、外側シールド、即ち、分配管の内部空洞を取り囲む最も外側のシールドを、冷却することができる。   According to an embodiment that can be combined with any other embodiment described herein, the distribution assembly, in particular the distribution pipe, can be heated by a heating element provided inside the distribution assembly. The heating element can be an electric heater that can be provided by a heating wire, such as a coated heating wire, fastened to the tube or otherwise secured. With reference to FIG. 2A as an example, a cooling shield 138 may be provided. The cooling shield 138 may include sidewalls that are arranged such that a U-shaped cooling shield is provided to reduce thermal radiation toward the deposition area, ie, the substrate and / or mask. For example, the cooling shield can be provided as a metal plate to which a conduit for a cooling fluid such as water is attached or installed inside. Additionally or alternatively, a thermoelectric cooling device or other cooling device can be provided to cool the cooling shield. Typically, the outer shield, i.e. the outermost shield surrounding the inner cavity of the distribution pipe, can be cooled.

図2Aに、例示目的で、分配アセンブリの排出口から出ている、蒸発させた原材料を矢印で示す。分配アセンブリの形状が基本的に三角形であるため、3つの分配アセンブリから生じた蒸発円錐は、互いに近接している。それによって、別々の分配アセンブリからの原材料の混合が改善され得る。具体的には、分配管の断面形状によって、隣接する分配管の排出口またはノズルを、互いに接近して設置することが可能になっている。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、第1の分配管の第1の排出口またはノズルと、第2の分配管の第2の排出口またはノズルとは、75mm以下、例えば50mm以下、または35mm以下の距離を有することができる。   In FIG. 2A, for illustrative purposes, the evaporated raw material exiting the outlet of the dispensing assembly is indicated by an arrow. Since the shape of the distribution assembly is basically triangular, the evaporation cones resulting from the three distribution assemblies are close to each other. Thereby, the mixing of the raw materials from the separate dispensing assemblies can be improved. Specifically, the outlets or nozzles of adjacent distribution pipes can be installed close to each other depending on the cross-sectional shape of the distribution pipe. According to certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first outlet or nozzle of the first distribution pipe and the second outlet or nozzle of the second distribution pipe are: It can have a distance of 75 mm or less, for example 50 mm or less, or 35 mm or less.

図2Aにさらに示すように、シールド装置、具体的にはシェーパーシールド装置137が、例えば、冷却シールド138に取り付けられて、または冷却シールドの一部として、設けられていることができる。シェーパーシールドを設けることによって、排出口を通って分配管(単数または複数)を出る蒸気の方向を制御することができる。即ち、蒸気放出の角度を小さくすることができる。ある実施形態によると、排出口またはノズルを通って供給される蒸発した材料の少なくとも一部は、シェーパーシールドによって遮断される。その結果、放出角度の幅を制御することができる。   As further shown in FIG. 2A, a shield device, specifically a shaper shield device 137, can be provided, for example, attached to the cooling shield 138 or as part of the cooling shield. By providing a shaper shield, the direction of steam exiting the distribution pipe (s) through the outlet can be controlled. That is, the vapor discharge angle can be reduced. According to certain embodiments, at least a portion of the evaporated material supplied through the outlet or nozzle is blocked by the shaper shield. As a result, the width of the discharge angle can be controlled.

図3Aから図7に関連してより詳細に示されているように、シャッターまたはシャッターアセンブリが、シェーパーシールド装置137において設けられ、及び/またはシェーパーシールド装置137に接続されていることができる。   As shown in more detail in connection with FIGS. 3A-7, a shutter or shutter assembly may be provided in and / or connected to the shaper shield device 137.

図3Aは、材料堆積装置100の一部を示す。堆積源の開口126、及びシェーパーシールド装置137が示されている。図3Aの断面図には、シェーパーシールド装置137の側部317が示されている。2つのシャッター210が設けられている。シャッター210は、ある角度で動かすことができ、例えば軸211の周囲を回転することができる。図3Aは、左側の開口126と、中央の開口126と、右側の開口126を示している。これらの開口は、それぞれの蒸発源に対応している。ある実施形態によると、蒸発源は、それぞれの開口126を有する複数の点源であることができる。他の実施形態によると、蒸発源は線形源であることができ、各開口126は、図3Aから図3Cの紙面に対して垂直な線に沿って延びる、複数の開口のうちの1つである。   FIG. 3A shows a portion of the material deposition apparatus 100. Deposition source opening 126 and shaper shield device 137 are shown. In the cross-sectional view of FIG. 3A, the side portion 317 of the shaper shield device 137 is shown. Two shutters 210 are provided. The shutter 210 can be moved at an angle, for example, can rotate around the axis 211. FIG. 3A shows a left opening 126, a central opening 126, and a right opening 126. These openings correspond to the respective evaporation sources. According to an embodiment, the evaporation source can be a plurality of point sources having respective apertures 126. According to other embodiments, the evaporation source can be a linear source, and each aperture 126 is one of a plurality of apertures that extend along a line perpendicular to the plane of the paper of FIGS. 3A-3C. is there.

本開示によると、本明細書に記載の実施形態は、2つ以上の材料を共蒸着させる材料堆積装置の点源として使用することができるが、本明細書に記載の実施形態によるシャッター装置は、線形源に対しても有益に利用することができる。例えば、シャッター装置は、垂直に、または基本的に垂直に配向された線形源に対して使用することができる。ある角度で、例えば軸の周囲を動かされる1つ以上のシャッターを有するシャッター装置は、1つ以上の列の開口126を効果的に遮断することができる。さらに、図4、図5、及び図6に関連してより詳細に記載されるように、シャッター装置はパーク位置にすることができる。   According to the present disclosure, the embodiments described herein can be used as a point source for a material deposition apparatus that co-evaporates two or more materials, but a shutter device according to embodiments described herein can be It can also be used beneficially for linear sources. For example, the shutter device can be used for linear sources that are vertically or essentially vertically oriented. A shutter device having one or more shutters that are moved at an angle, eg, around an axis, can effectively block one or more rows of openings 126. Further, as described in more detail in connection with FIGS. 4, 5, and 6, the shutter device can be in the park position.

図3Aは、第1のシャッター及び第2のシャッターの位置決めを示す。中央の開口126及び右の開口126が、シャッターによって遮断されている。左の開口126または左の開口の列は、遮断されていない。蒸発させた材料は、左の開口126、即ち、左の開口126または左の開口の列126に対応する分配アセンブリから、基板上に誘導することができる。左の分配アセンブリまたは1つ以上の左の開口にそれぞれ対応する左側の堆積源がコンディショニングされ得るが、その間、中央の蒸発源及び右の蒸発源は、基板上への層の堆積に貢献しない。   FIG. 3A shows the positioning of the first shutter and the second shutter. The central opening 126 and the right opening 126 are blocked by a shutter. The left opening 126 or the row of left openings is not blocked. The evaporated material can be directed onto the substrate from the dispensing assembly corresponding to the left opening 126, ie, the left opening 126 or the left opening row 126. While the left deposition assembly or left deposition source corresponding to one or more left openings, respectively, can be conditioned, the central evaporation source and the right evaporation source do not contribute to the deposition of the layer on the substrate.

図3Bは、第1のシャッター及び第2のシャッターの位置決めを示す。ここでは中央の開口126が遮断されていない。左の蒸発源と右の蒸発源の間にある蒸発源がコンディショニングされ得るが、その間、左の蒸発源と右の蒸発源は、基板上への層の堆積に貢献しない。図3Cは、第1のシャッター及び第2のシャッターの位置決めを示す。ここでは右の開口126が遮断されていない。右の蒸発源がコンディショニングされ得る。例えば図3Aから図3C(任意の順)によるシャッターの位置決めに続く、蒸発源のコンディショニング後、第1のシャッター及び第2のシャッターをパーク位置に動かすことができ、左の堆積源、右の堆積源、及び左の堆積源と右の堆積源の間の堆積源の共蒸着によって、例えば有機層である層の堆積が設けられ得る。   FIG. 3B shows the positioning of the first shutter and the second shutter. Here, the central opening 126 is not blocked. An evaporation source between the left evaporation source and the right evaporation source can be conditioned while the left evaporation source and the right evaporation source do not contribute to the deposition of the layer on the substrate. FIG. 3C shows the positioning of the first shutter and the second shutter. Here, the right opening 126 is not blocked. The right evaporation source can be conditioned. For example, after conditioning the evaporation source following shutter positioning according to FIGS. 3A-3C (in any order), the first shutter and the second shutter can be moved to the park position, the left deposition source, the right deposition The deposition of a layer, for example an organic layer, may be provided by co-evaporation of the source and the deposition source between the left and right deposition sources.

図4は、シェーパーシールド装置137の斜視図を示す。シェーパーシールド装置137の一部が切り取られ、本明細書に記載の実施形態によるシャッター装置のシャッター210が示されている。図4は、シェーパーシールド装置137の側部317と、例えばシェーパーシールド装置の頂部417を示す。シャッター210は、図4に示す開口126によって設けられた、線形源の線に沿って延びている。線形源の線に沿って延びる開口126(4つの開口が示されている)を覆うため、シャッター210を移動することができる。   FIG. 4 shows a perspective view of the shaper shield device 137. A portion of the shaper shield device 137 is cut away to show the shutter 210 of the shutter device according to the embodiments described herein. FIG. 4 shows the side 317 of the shaper shield device 137 and, for example, the top 417 of the shaper shield device. The shutter 210 extends along the line of the linear source provided by the aperture 126 shown in FIG. The shutter 210 can be moved to cover the aperture 126 (four apertures shown) extending along the line of the linear source.

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、シェーパーシールド装置は、側部317、頂部417、及び底部を含み得る。シェーパーシールド装置は、シェーパーボックスを形成する。シェーパーシールド装置は、開口または開口の列126から基板の方向に延びる、フレームを含んでいることができる。フレームは、開口または開口の列を取り囲んでいることができる。開口または開口の列126は、2つ以上の堆積源の共蒸着用に使用することができる。   According to certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the shaper shield device may include a side 317, a top 417, and a bottom. The shaper shield device forms a shaper box. The shaper shield device can include a frame that extends from an opening or row of openings 126 in the direction of the substrate. The frame can surround an opening or a row of openings. The aperture or row of apertures 126 can be used for co-evaporation of two or more deposition sources.

例えば、シェーパーシールド装置、即ちシェーパーボックスに、1つ以上のシャッター210を含むシャッター装置を装着することができる。シェーパーシールド装置にシャッター装置を装着するのは、有益である。なぜなら、どちらの構成要素も、例えば定期的に洗浄といった整備を受けるからである。その結果、シェーパーシールド装置にシャッター装置を装着することによって、シャッター装置をシェーパーシールド装置と一緒に分解することが可能になる。さらに、図7に関連してより詳細に説明されるように、シャッター装置を簡便な分解のために堆積源装置に装着し、それによってシャッター装置、例えば第1のシャッター及び第2のシャッターを、短時間で取り外すことができる。これによって、整備を迅速に実施することができる。   For example, a shutter device including one or more shutters 210 can be attached to a shaper shield device, that is, a shaper box. It is beneficial to attach a shutter device to the shaper shield device. This is because both components undergo maintenance such as regular cleaning. As a result, by attaching the shutter device to the shaper shield device, the shutter device can be disassembled together with the shaper shield device. In addition, as will be described in more detail in connection with FIG. 7, the shutter device is mounted on a deposition source device for convenient disassembly, whereby the shutter devices, eg, the first shutter and the second shutter, It can be removed in a short time. As a result, maintenance can be carried out quickly.

図5は、さらなる実施形態による、材料堆積装置の一部を示す。図5は、側部317を有するシェーパーシールド装置137を示す。さらに、頂部417の端部が、図5に示されている。頂部417の端部は完全に直線ではないかもしれないが、シェーパーボックスは、断面が基本的に長方形である、及び/または基本的に直方体であるとみなされてよい。   FIG. 5 shows a portion of a material deposition apparatus according to a further embodiment. FIG. 5 shows a shaper shield device 137 having side portions 317. Further, the end of the top 417 is shown in FIG. Although the end of the top 417 may not be perfectly straight, the shaper box may be considered to be essentially rectangular in cross section and / or essentially cuboid.

図5は、材料堆積装置の一部を示す。ここでは、第1の堆積源の1つ以上のノズル526によって1つ以上の開口126が設けられ、第2の堆積源の1つ以上のノズル526によって1つ以上の開口126が設けられ、第3の堆積源の1つ以上のノズル526によって1つ以上の開口126が設けられている。本書に記載の実施形態によると、材料堆積装置には、2つ以上の堆積源が設けられており、この2つ以上の堆積源は、別々の材料を共蒸着して基板上に1つの層を形成するように構成されている。   FIG. 5 shows a portion of a material deposition apparatus. Here, one or more openings 126 are provided by one or more nozzles 526 of the first deposition source, one or more openings 126 are provided by one or more nozzles 526 of the second deposition source, and One or more openings 126 are provided by one or more nozzles 526 of three deposition sources. According to embodiments described herein, the material deposition apparatus is provided with two or more deposition sources that co-evaporate different materials into a single layer on the substrate. Is formed.

シェーパーシールド装置137は、図5に示すとおり、冷却シールド138に接続されていることができる。その結果、シェーパーシールド装置137は、冷却シールド138によって受動的に冷却され得る。冷却シールド138は、能動的冷却を行うことができる。   The shaper shield device 137 can be connected to the cooling shield 138 as shown in FIG. As a result, the shaper shield device 137 can be passively cooled by the cooling shield 138. The cooling shield 138 can provide active cooling.

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、基板上に材料層を堆積するための材料堆積装置であって、材料堆積装置と基板との間にパターンマスク、例えばファインメタルマスク(FMM)が設けられている、材料堆積装置を設けることができる。例えばFMMといったパターンマスクが、ディスプレイのピクセル解像度を規定することができる。その結果、パターンマスク内の開口は、2〜3ミクロンの寸法を有することができ、2〜3ミクロンの許容誤差で配置されている。本開示の実施形態によると、ある角度で動かすことができる、例えば軸211の周囲を回転することができる、1つ以上のシャッターがついたシャッター装置を、線形源に対して、具体的には基本的に垂直に配向された垂直基板の堆積用の線形源に対して、有益に利用することができる。線形源の開口の列に沿って延びる、回転または搖動するシャッターが付いたシャッター装置は、容易に列の前に位置決めすることができ、例えば図5及び図6に示すようにパーク位置にすることができ、整備のために容易に取り外すことができる。複数の線形源を個別のコンディショニングすることは、垂直基板の処理にとって有益である。垂直基板の処理においては、垂直基板の配向、及びパターンマスクの垂直の配向をマイクロメートル領域で行うことは、大面積基板用にとって、非常に困難である。   In accordance with certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a material deposition apparatus for depositing a layer of material on a substrate, wherein a pattern mask, such as a fine mask, is disposed between the material deposition apparatus and the substrate. A material deposition apparatus provided with a metal mask (FMM) can be provided. A pattern mask such as FMM can define the pixel resolution of the display. As a result, the openings in the pattern mask can have dimensions of 2-3 microns and are arranged with a tolerance of 2-3 microns. According to embodiments of the present disclosure, a shutter device with one or more shutters that can be moved at an angle, for example, can be rotated around an axis 211, specifically with respect to a linear source. It can be beneficially utilized for linear sources for the deposition of essentially vertically oriented vertical substrates. Shutter devices with rotating or swinging shutters extending along a row of apertures in a linear source can be easily positioned in front of the row, for example in the park position as shown in FIGS. Can be easily removed for maintenance. Individual conditioning of multiple linear sources is beneficial for vertical substrate processing. In the processing of a vertical substrate, it is very difficult for a large area substrate to perform vertical substrate alignment and pattern mask vertical alignment in the micrometer region.

図5は、ノズル526に接続されたシェーパー536を示す。シェーパー536は、個別に設けることができる。即ち、複数のノズル526または開口126に対しては、ノズルまたは開口1つにつき、1つのシェーパー536が設けられる。シェーパー536の断面は、円形、卵形、二次式形状(quadratic)、長方形などであることができる。シェーパー536は、ノズル526または開口126から基板に向かって延びている。シェーパー536は、ノズルまたは開口の蒸発プルームの角度を限定する。放出された蒸気の角度が限定されていることは、パターンマスク、例えばFMMの2〜3ミクロンの領域の正確性を可能にするために、有益である。シェーパー536は、例えば、例えば基本的に垂直に配向された基板の場合、基本的に水平であるメインの蒸発方向に関して、水平及び垂直の方向に蒸発が除外される角度(evaporation omission angle)を限定するシェーパーといった、2次元シェーパーであることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、シェーパー536は、開口126またはノズル526用の個別のシェーパーである。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るさらなる実施形態によれば、シェーパー536は加熱され得る。シェーパー536を加熱することは、蒸発させた材料のシェーパーへの付着を減らすために有益であり得る。   FIG. 5 shows a shaper 536 connected to the nozzle 526. The shaper 536 can be provided individually. That is, for the plurality of nozzles 526 or openings 126, one shaper 536 is provided for each nozzle or opening. The cross section of the shaper 536 can be circular, oval, quadratic, rectangular, or the like. The shaper 536 extends from the nozzle 526 or the opening 126 toward the substrate. The shaper 536 limits the angle of the evaporation plume of the nozzle or opening. The limited angle of the emitted vapor is beneficial in order to allow accuracy in the 2 to 3 micron region of the pattern mask, eg FMM. For example, in the case of a substrate that is basically vertically oriented, the shaper 536 limits the angle at which evaporation is excluded in the horizontal and vertical directions with respect to a main evaporation direction that is basically horizontal. It can be a two-dimensional shaper. According to certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, shaper 536 is a separate shaper for opening 126 or nozzle 526. According to further embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the shaper 536 can be heated. Heating the shaper 536 can be beneficial to reduce adhesion of evaporated material to the shaper.

図5に示す円511は、右側の軸211の周囲を回転する、右側のシャッター210の回転を例示的に示す。シャッター210のシャッタープレート510の動きは、円または弧に沿って与えられ得る。円511と1つ以上のシェーパー536の表面との間に、間隙513が設けられている。その結果、シャッタープレート510と、1つ以上のシェーパーの表面との間に、間隙が設けられる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、間隙は、5mm以下であることができる。さらにまたは代わりに、ギャップは0.5mm以上であることができる。例えば、間隙は、2mmから4mmであることができる。   A circle 511 shown in FIG. 5 exemplarily shows the rotation of the right shutter 210 that rotates around the right axis 211. The movement of the shutter plate 510 of the shutter 210 can be provided along a circle or arc. A gap 513 is provided between the circle 511 and the surface of one or more shapers 536. As a result, a gap is provided between the shutter plate 510 and the surface of one or more shapers. According to certain embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the gap can be 5 mm or less. Additionally or alternatively, the gap can be 0.5 mm or more. For example, the gap can be 2 mm to 4 mm.

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、シャッター210のシャッタープレート510は、凹形の形状を有し得る。シャッタープレートは、軸211に向かって内向きに曲げることができる。これによって、シャッター210が開口126の前に移動したときの、蒸発させた材料の遮断が向上され得る。   According to certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the shutter plate 510 of the shutter 210 may have a concave shape. The shutter plate can be bent inward toward the axis 211. This can improve the blockage of the evaporated material when the shutter 210 moves in front of the opening 126.

シャッター210、即ち第1のシャッター及び第2のシャッターが、図5にパーク位置で示されている。シャッターのパーク位置は、シールド装置またはシェーパーシールド装置137の1つ以上の側部317に近接していることができる。図4及び図7に関連して理解され得るように、単にシャッタープレート510が、開口126の前に設けられている。図5(及び他の図面)に示す、軸211とシャッタープレートとの接続部分は、蒸発させた材料の基板への到達を遮断しない。本書に記載の実施形態によると、パーク位置は、シールド装置またはシェーパーシールド装置137を規定しているフレームの、側部、例えば図5の左側部または右側部にあることができる。パーク位置は、共蒸着に使用する開口126または開口の列126に対して、例えばどちらの側であれ、外側寄りに設けられていることができる。   Shutter 210, the first shutter and the second shutter, are shown in the park position in FIG. The shutter park position can be proximate to one or more sides 317 of the shield device or shaper shield device 137. As can be understood in connection with FIGS. 4 and 7, the shutter plate 510 is simply provided in front of the opening 126. The connection portion between the shaft 211 and the shutter plate shown in FIG. 5 (and other drawings) does not block the evaporation material from reaching the substrate. According to the embodiments described herein, the park location can be on the side of the frame defining the shield device or shaper shield device 137, eg, the left or right side of FIG. The park position can be provided, for example, on either side of the opening 126 or the row of openings 126 used for co-deposition.

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、シェーパーシールド装置137は、1つ以上のさらなる壁517を含むことができる。例えばシート状の材料によって設けられ得るさらなる壁517が、シールドプレート510用の筐体または囲いを生成することができる。筐体は、さらなる壁、即ち材料のシートまたは表面と、シールド装置137の側部317との間に設けられていることができる。筐体または囲いは、パワー位置にあるシャッター、即ちシャッタープレート用の空間を提供することができる。   According to certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the shaper shield device 137 may include one or more additional walls 517. An additional wall 517, which can be provided by, for example, a sheet-like material, can create a housing or enclosure for the shield plate 510. The housing can be provided between a further wall, i.e. a sheet or surface of material, and the side 317 of the shield device 137. The enclosure or enclosure can provide space for the shutter in the power position, ie, the shutter plate.

ある実施形態によると、さらなる壁または表面は、例えばシールド装置またはシェーパーシールド装置137を介して、冷却シールド138によって受動的に冷却され得る。間接的に冷却されたシールド装置の表面は、シャッター210、即ちシャッタープレート510を覆い、及び/または取り囲む。シャッタープレート510は、蒸発させた材料を遮断することによって加熱され得る。冷却された表面を有する筐体または囲いは、基板の処理中、即ち2つ以上の堆積源の共蒸着中に基板に影響し得る高温を有する、シャッタープレート510の熱負荷を低減する。本明細書に記載の他の実施形態または変形形態と組み合わせ得るさらなる変形形態または代わりの変形形態によると、シャッター210、及び具体的にはシャッタープレート510は、直接、例えば能動的に冷却され得る。   According to certain embodiments, the additional wall or surface may be passively cooled by the cooling shield 138, for example via a shield device or shaper shield device 137. The indirectly cooled surface of the shield device covers and / or surrounds the shutter 210, ie the shutter plate 510. The shutter plate 510 can be heated by blocking the evaporated material. A housing or enclosure having a cooled surface reduces the thermal load on the shutter plate 510, which has a high temperature that can affect the substrate during processing of the substrate, ie during co-evaporation of two or more deposition sources. According to further or alternative variations that may be combined with other embodiments or variations described herein, the shutter 210, and specifically the shutter plate 510, may be directly cooled, eg, actively.

図6は、パーク位置にある筐体を示す。これは、本明細書に記載の他の実施形態、例えば、開口またはノズル用にそれぞれ個別のシェーパーを有する材料堆積装置に対しても、使用されてよい。さらに、図6に示す、右の軸211の周囲にある円は、図5と比較すると、ノズル526に向かって移動している。その結果、図6に関連して記載されている実施形態の開口及び/またはノズルとの間の間隙は、図5に関連して記載されている間隙513と同様であることができる。   FIG. 6 shows the housing in the park position. This may also be used for other embodiments described herein, for example, material deposition devices that each have a separate shaper for the opening or nozzle. Further, the circle around the right axis 211 shown in FIG. 6 moves toward the nozzle 526 as compared to FIG. As a result, the gap between the aperture and / or nozzle of the embodiment described in connection with FIG. 6 can be similar to the gap 513 described in connection with FIG.

図7は、材料堆積装置100を示す。材料堆積装置は、2つ以上の堆積源105を含む。堆積源はそれぞれ(図7の側断面図には、1つの堆積源が示されている)、るつぼ110、分配アセンブリ120、及び例えばノズルといったそれぞれの開口126を含んでいることができる。るつぼ110内で蒸発した材料は、分配アセンブリ120によって、開口126を通って真空チャンバ内へと誘導される。例えば、蒸発した材料は、基板に向けて、または図7に示すサイドシールド710に向けて、誘導され得る。蒸発方向は、水平であるか、または図7に示すように、水平の配向に対してわずかに上向きに傾斜していることができる。蒸発方向は、0°から10°まで、傾斜していることができる。   FIG. 7 shows a material deposition apparatus 100. The material deposition apparatus includes two or more deposition sources 105. Each deposition source (one deposition source is shown in the side cross-sectional view of FIG. 7) can include a crucible 110, a dispensing assembly 120, and a respective opening 126, such as a nozzle. The material evaporated in the crucible 110 is guided by the distribution assembly 120 through the opening 126 and into the vacuum chamber. For example, the evaporated material can be directed toward the substrate or toward the side shield 710 shown in FIG. The evaporation direction can be horizontal or inclined slightly upward relative to the horizontal orientation, as shown in FIG. The evaporation direction can be inclined from 0 ° to 10 °.

本明細書に記載の実施形態によると、材料堆積用の機器は、サイドシールド710を含んでいてよい。サイドシールドは、材料源装置が回転アイドリング位置にあるときに、材料源装置の前に設けられていることができる。サイドシールドは、材料堆積装置がアイドル位置にあるときに、材料堆積装置がアイドルシールドの前に移動されている、例えばある角度でアイドルシールドの前に移動されるようにして、設けられていることができる。サイドシールド710は、アイドルシールドであるか、または一般的には、材料堆積源装置用、例えば2つ以上の堆積源用のシールドであることができる。   According to embodiments described herein, the material deposition apparatus may include a side shield 710. The side shield can be provided in front of the material source device when the material source device is in the rotational idling position. The side shield is provided so that when the material deposition device is in the idle position, the material deposition device is moved in front of the idle shield, e.g., moved in front of the idle shield at an angle. Can do. The side shield 710 may be an idle shield or generally a shield for a material deposition source device, eg, two or more deposition sources.

ある実施形態によると、2つ以上の蒸発源105は、蒸発器制御ハウジング180、例えば大気ボックスに装着されることができる。蒸発器制御ハウジングは、中で材料堆積装置が稼働している真空チャンバの、外側に接続されていることができる。   According to certain embodiments, more than one evaporation source 105 can be mounted in an evaporator control housing 180, eg, an atmospheric box. The evaporator control housing can be connected to the outside of the vacuum chamber in which the material deposition apparatus is operating.

2つ以上の蒸発源は、材料堆積装置用の支持体780によって支持されていることができる。支持体は、材料堆積装置を並進運動させるように構成されていることができる。支持体は、能動型及び/または受動型磁気要素用のハウジングを提供することができる。能動型及び/または受動型の磁気要素は、材料堆積装置の磁気浮上及び/または磁気駆動を提供することができる。例えば、図7を参照すると、材料堆積装置の並進運動は、図7の紙面に対して垂直であることができる。   Two or more evaporation sources can be supported by a support 780 for the material deposition apparatus. The support can be configured to translate the material deposition apparatus. The support can provide a housing for active and / or passive magnetic elements. Active and / or passive magnetic elements can provide magnetic levitation and / or magnetic drive of the material deposition apparatus. For example, referring to FIG. 7, the translational motion of the material deposition apparatus can be perpendicular to the page of FIG.

図7は、頂部417を有するシェーパーシールド装置137を示す。シャッター210は、頂部417と、対応する底部とに装着されていることができる。シャッター210は、例えば、回転可能なピン722で装着されていることができる。図7の断面図は、1つのシャッター、シャッター用の1つの装着装置、及びシャッターを動かすためのアクチュエータを示す。2つ以上のシャッター210を有するシャッター装置は、相当する数の構成要素を含むことができる。   FIG. 7 shows a shaper shield device 137 having a top 417. The shutter 210 can be mounted on the top 417 and the corresponding bottom. The shutter 210 may be mounted with a rotatable pin 722, for example. The cross-sectional view of FIG. 7 shows one shutter, one mounting device for the shutter, and an actuator for moving the shutter. A shutter device having two or more shutters 210 can include a corresponding number of components.

シェーパーシールド装置137の底部の下方に、アクチュエータ726が設けられている。シェーパーシールド装置、即ちシェーパーボックスは、アクチュエータ及び/またはシャッターの装着部を、蒸発させた材料への曝露から遮蔽することができる。アクチュエータ726は、モータ、例えば隈取りコイルモータであることができる。例えば、モータは、磁石724を介してピンと係合することができる。代わりに、アクチュエータ726と、ピン722またはシャッターの軸との、直接の係合が与えられてもよい。   An actuator 726 is provided below the bottom of the shaper shield device 137. A shaper shield device, i.e. a shaper box, can shield the actuator and / or shutter mounting from exposure to evaporated material. Actuator 726 can be a motor, such as a scraping coil motor. For example, the motor can engage the pin via a magnet 724. Alternatively, direct engagement between the actuator 726 and the pin 722 or shutter shaft may be provided.

本開示の実施形態によると、シャッター装置は、ある角度で動くことができる1つ以上のシャッター210を含む。例えば、シャッターは軸の周囲を回転することができる。例えば、軸は、ピン722によって設けられることができる。   According to an embodiment of the present disclosure, the shutter device includes one or more shutters 210 that can move at an angle. For example, the shutter can rotate around an axis. For example, the shaft can be provided by a pin 722.

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によれば、材料堆積源装置は、垂直シールド717を含み得る。図7は、シェーパーシールド装置の下部における垂直シールド717と、シェーパーシールド装置の上部における垂直シールド717を示す。1つ以上の垂直シールドは、材料堆積装置の蒸発角度を、垂直方向に範囲限定することができる。例えば、1つ以上の垂直シールドは、蒸発源105、例えば2つ以上の蒸発源105の蒸発角度を、垂直方向に範囲限定することができる。垂直シールドは、カバーシートであることができる。   According to certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the material deposition source device may include a vertical shield 717. FIG. 7 shows a vertical shield 717 at the bottom of the shaper shield device and a vertical shield 717 at the top of the shaper shield device. One or more vertical shields can limit the evaporation angle of the material deposition apparatus in the vertical direction. For example, one or more vertical shields can limit the evaporation angle of the evaporation source 105, eg, two or more evaporation sources 105, in the vertical direction. The vertical shield can be a cover sheet.

本明細書に記載の実施形態によるシャッター装置は、材料堆積装置の2つ以上の堆積源の中の、単一の堆積源のコンディショニング、即ち蒸発特性の評価を可能にする。シャッター装置は、2つのシャッターを含んでいることができる。2つのシャッターは、例えば2つの堆積源からの材料を遮断することができる。その結果、3つの堆積源を有する材料堆積装置がコンディショニングされ得る。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、ある角度で動くことができるシャッターを有するシャッター装置が、線形源の複数の開口及び/またはノズルの、簡便な遮断を可能にする。蒸発源または分配アセンブリそれぞれの複数の開口は、例えば回転可能である、1つのシャッターによって遮断され得る。   A shutter device according to embodiments described herein allows for the conditioning of a single deposition source among two or more deposition sources of a material deposition apparatus, i.e., evaluation of evaporation characteristics. The shutter device can include two shutters. Two shutters can block material from, for example, two deposition sources. As a result, a material deposition apparatus having three deposition sources can be conditioned. According to certain embodiments that can be combined with other embodiments described herein, a shutter device having a shutter that can move at an angle allows for easy shut-off of multiple openings and / or nozzles of a linear source To. The plurality of openings in each evaporation source or distribution assembly can be blocked by a single shutter, for example rotatable.

本明細書に記載の実施形態によるシャッター装置によって、例えば堆積源の均一性及び他のコンディショニングが個別に調整された後に、シャッターをパーク位置に動かすことが可能になる。ある角度で動くことができる、例えば回転することができる1つ以上のシャッターによって、パーク位置が、シールド装置の側部の近辺、具体的にはシールド装置によって形成された筐体の内部であることが可能になる。   A shutter device according to embodiments described herein allows the shutter to be moved to a park position, for example after deposition source uniformity and other conditioning have been individually adjusted. The park position is in the vicinity of the side of the shield device, specifically inside the housing formed by the shield device, by means of one or more shutters which can move at an angle, for example rotate. Is possible.

図8は、本明細書に記載のある実施形態による、2つ以上の基板上、例えば基板10上及び第2の基板11上に蒸発させた材料を堆積するための、堆積装置1000の概略上面図を示す。   FIG. 8 is a schematic top view of a deposition apparatus 1000 for depositing evaporated material on two or more substrates, eg, on a substrate 10 and a second substrate 11, according to certain embodiments described herein. The figure is shown.

堆積装置1000は、真空チャンバ1001を含む。材料堆積装置100、例えば本明細書に記載の実施形態のいずれかによる堆積源が、真空チャンバ1001内に配設されている。真空チャンバ1001内に、堆積源の両側に位置していてよい第1の堆積エリア201及び第2の堆積エリア202が設けられる。基板10は第1の堆積エリア201内に配置されてよく、及び/または、第2の基板11は第2の堆積エリア202内に配置されてよい。   The deposition apparatus 1000 includes a vacuum chamber 1001. A material deposition apparatus 100, for example a deposition source according to any of the embodiments described herein, is disposed in the vacuum chamber 1001. Within the vacuum chamber 1001, there are provided a first deposition area 201 and a second deposition area 202, which may be located on both sides of the deposition source. The substrate 10 may be disposed in the first deposition area 201 and / or the second substrate 11 may be disposed in the second deposition area 202.

本開示において、「材料堆積装置」とは、本明細書に記載のように、基板上に材料を堆積するように構成された装置として理解すべきである。具体的には、「材料堆積装置」は、例えばOLEDディスプレイの製造に関しては、大面積基板上に有機材料を堆積するように構成された装置として理解することができる。例えば、「大面積基板」は、0.5m以上、具体的には1m以上の面積を有する主要面を有していてよい。ある実施形態では、大面積基板は、約0.67mの基板(0.73×0.92m)に相当するGEN4.5、約1.4mの基板(1.1m×1.3m)に相当するGEN5、約4.29mの基板(1.95m×2.2m)に相当するGEN7.5、約5.7mの基板(2.2m×2.5m)に相当するGEN8.5であってよく、または約8.7mの基板(2.85m×3.05m)に相当するGEN10であってさえよい。GEN11及びGEN12といった、さらに数字の大きな世代、並びにそれに相当する基板面積でさえ、同様に実装することが可能である。 In this disclosure, a “material deposition apparatus” should be understood as an apparatus configured to deposit material on a substrate, as described herein. Specifically, a “material deposition apparatus” can be understood as an apparatus configured to deposit an organic material on a large area substrate, for example in the manufacture of OLED displays. For example, the “large area substrate” may have a main surface having an area of 0.5 m 2 or more, specifically 1 m 2 or more. In one embodiment, the large area substrate is a GEN4.5 equivalent to about 0.67 m 2 substrate (0.73 × 0.92 m), about 1.4 m 2 substrate (1.1 m × 1.3 m). GEN7.5 equivalent to a GEN7.5 equivalent to a substrate of about 4.29 m 2 (1.95 m × 2.2 m), GEN8.5 equivalent to a substrate of about 5.7 m 2 (2.2 m × 2.5 m) It may be GEN10 corresponding to a substrate of about 8.7 m 2 (2.85 m × 3.05 m). Even larger generations, such as GEN11 and GEN12, and even the corresponding board area can be implemented in the same way.

例えば、基板は、ガラス(例えばソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど)、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、または、堆積処理によってコーティングできる任意の他の材料もしくは材料の組合せからなる群から選択された材料から作られていてよい。   For example, the substrate is a group consisting of glass (eg, soda lime glass, borosilicate glass, etc.), metal, polymer, ceramic, composite material, carbon fiber material, or any other material or combination of materials that can be coated by a deposition process. It may be made from a material selected from:

本開示において、「真空堆積チャンバ」とは、真空堆積用に構成されたチャンバとして理解すべきである。本明細書においては、「真空(vacuum)」という語は、例えば10mbar未満の真空圧を有する、工業的真空の意味として理解することができる。本書に記載の真空チャンバ内の圧力は、典型的には、約10−5mbarと約10−8mbarとの間、より典型的には、約10−5mbarと約10−7mbarとの間であってよく、さらにより典型的には、約10−6mbarと約10−7mbarとの間でさえあってよい。 In this disclosure, a “vacuum deposition chamber” should be understood as a chamber configured for vacuum deposition. In the present specification, the term “vacuum” can be understood as meaning industrial vacuum, for example having a vacuum pressure of less than 10 mbar. The pressure in the vacuum chamber described herein is typically between about 10 −5 mbar and about 10 −8 mbar, more typically between about 10 −5 mbar and about 10 −7 mbar. And even more typically, it may even be between about 10 −6 mbar and about 10 −7 mbar.

ある実施形態では、材料堆積装置100は、基板10をコーティングするための第1の堆積エリア201と、第2の基板11をコーティングするための第2の堆積エリア202を順次通過するように構成されていてよい。堆積源が第1の堆積エリア201を通過する間、複数のノズルは、開放されていてよいか、または遮断されていなくてよい。それによって、蒸発した材料が、第1の堆積エリア201内に配置されている基板10の方に向けられてよい。基板10は、基本的に垂直の配向を有していてよい。例えば、基板10は、基板キャリアによって基本的に垂直の配向に保持されていてよい。基板キャリアは、真空チャンバ1001を通って基板10を運ぶように構成されていてよい。基板キャリアは、真空チャンバ内で、基板キャリア支持体によって支持されることができる。例えば、基板キャリア支持体は、基板キャリアを磁気浮上させるシステムであることができる。   In some embodiments, the material deposition apparatus 100 is configured to sequentially pass through a first deposition area 201 for coating the substrate 10 and a second deposition area 202 for coating the second substrate 11. It may be. While the deposition source passes through the first deposition area 201, the plurality of nozzles may be open or unblocked. Thereby, the evaporated material may be directed towards the substrate 10 arranged in the first deposition area 201. The substrate 10 may have a basically vertical orientation. For example, the substrate 10 may be held in a basically vertical orientation by a substrate carrier. The substrate carrier may be configured to carry the substrate 10 through the vacuum chamber 1001. The substrate carrier can be supported by a substrate carrier support in the vacuum chamber. For example, the substrate carrier support can be a system that magnetically levitates the substrate carrier.

キャリアまたは基板キャリアは、基板及び/またはマスクを、非水平の配向、具体的には基本的に垂直な配向で支持するように構成されていてよい。本明細書において、「基本的に垂直な配向(essentially vertical orientation)」とは、基板キャリアの主要面と重力ベクトルとの間の角度が+10°から−10°、具体的には5°から−5°である、配向として理解されてよい。ある実施形態では、基板キャリアの配向は、搬送中及び/または堆積中は、(厳密には)垂直ではないかもしれないが、垂直軸に対してわずかに、例えば0°と−5°の間、具体的には−1°と−5°の間の傾斜角で、傾斜していてよい。負の角度は、基板キャリアが下方に傾斜している、即ち処理される基板の表面が下方を向いている、基板キャリアの配向を表す。堆積中にマスク及び基板の配向が重力ベクトルから乖離していることは、有益であり得ると共に、より安定的な堆積プロセスに結実し得る。または、下向きの配向は、堆積中に基板上の粒子を減少させるのに適切であり得る。しかし、搬送中及び/または堆積中に、マスク装置を厳密に垂直な配向(+/−1°)にすることも可能である。   The carrier or substrate carrier may be configured to support the substrate and / or mask in a non-horizontal orientation, specifically a basically vertical orientation. In the present specification, “essentially vertical orientation” means that the angle between the main surface of the substrate carrier and the gravity vector is + 10 ° to −10 °, specifically, 5 ° to − It may be understood as an orientation that is 5 °. In some embodiments, the orientation of the substrate carrier may not be (strictly) perpendicular during transport and / or deposition, but slightly, for example between 0 ° and −5 °, relative to the vertical axis. Specifically, it may be inclined at an inclination angle between -1 ° and -5 °. A negative angle represents the orientation of the substrate carrier, where the substrate carrier is tilted downward, i.e. the surface of the substrate being processed is facing downward. The deviation of the mask and substrate orientation from the gravity vector during deposition can be beneficial and can result in a more stable deposition process. Alternatively, a downward orientation may be appropriate to reduce particles on the substrate during deposition. However, it is also possible for the mask device to be in a strictly vertical orientation (+/− 1 °) during transport and / or deposition.

ある実施形態では、堆積中に基板10の前、即ち基板10と堆積源100との間に、マスク20が配設されてよい。例えば、マスク20は、相補的な材料パターンを基板上に堆積するように構成された開口パターン付きの、ファインメタルマスクであってよい。代わりに、マスクはエッジ除外マスクであってもよい。   In certain embodiments, a mask 20 may be disposed in front of the substrate 10 during deposition, ie, between the substrate 10 and the deposition source 100. For example, the mask 20 may be a fine metal mask with an opening pattern configured to deposit a complementary material pattern on the substrate. Alternatively, the mask may be an edge exclusion mask.

本書に記載の実施形態によると、ファインメタルマスク(FMM)といったパターンマスクによる材料堆積が、大面積基板上で行われ得る。その結果、材料が堆積されるエリアのサイズは、例えば1.4m以上となっている。さらに、例えばディスプレイのピクセル生成用のパターンマスクが、ミクロン領域のパターンを提供する。ミクロン領域におけるパターンマスクの開口の位置決め公差は、大面積にわたる場合には、困難なものであり得る。これは、垂直または基本的に垂直に配向された基板にとって、特に当てはまる。パターンマスク及び/またはパターンマスクの各フレームに作用している重力でさえ、パターンマスクの位置決めの正確さを悪化させ得る。したがって、垂直(基本的に垂直)な基板の処理にとっては、パターンマスクを基板にチャックするためのチャッキング装置の改良が、特に有益である。 According to embodiments described herein, material deposition with a pattern mask such as a fine metal mask (FMM) can be performed on a large area substrate. As a result, the size of the area where the material is deposited is, for example, 1.4 m 2 or more. Further, for example, a pattern mask for pixel generation of a display provides a pattern in the micron region. The positioning tolerance of the pattern mask opening in the micron region can be difficult if it covers a large area. This is especially true for substrates that are vertically or essentially vertically oriented. Even gravity acting on the pattern mask and / or each frame of the pattern mask can degrade the accuracy of the pattern mask positioning. Therefore, an improvement in the chucking apparatus for chucking the pattern mask to the substrate is particularly beneficial for processing vertical (basically vertical) substrates.

ある実施形態では、第2の基板11上への堆積中、第2の基板11の前、即ち第2の基板11と材料堆積源105との間に、第2のマスク21が配設されていてよい。材料堆積源装置は、図7に関連して記載されているように(軸701を参照)、回転してよく、その後、第1の堆積エリア201で第1の基板に堆積を行い、第2の堆積エリア202で第2の基板に堆積を行う。1つの基板上に材料を堆積するために、材料堆積装置を矢印Hに沿って移動することができる。   In an embodiment, during deposition on the second substrate 11, a second mask 21 is disposed in front of the second substrate 11, that is, between the second substrate 11 and the material deposition source 105. It's okay. The material deposition source apparatus may rotate as described in connection with FIG. 7 (see axis 701), and then deposits on the first substrate in the first deposition area 201 and the second In the deposition area 202, deposition is performed on the second substrate. The material deposition apparatus can be moved along arrow H to deposit material on one substrate.

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態では、材料堆積源105は、3つ以上の蒸発るつぼ122及び、3つ以上の蒸発るつぼ121のうちの1つとそれぞれ流体連通している3つ以上の分配管121を含んでいてよい。3つ以上の分配管は、基本的に垂直の方向に、互いに対して基本的に平行に、延びていてよい。分配管内に、分配管の長さ方向に沿って、ノズルが設けられていてよい。2つ以上の分配管のそれぞれの前壁に、例えば、10、30、またはそれより多くのノズルが設けられていてよい。第1の分配管のノズル、第2の分配管のノズル、及び/または第3の分配管のノズルは、それぞれの蒸発した材料のプルームが基板の位置で合流するように、互いに対して傾斜していてよい。その結果、複数のノズルは、例えば約150個のノズルといった、90個以上のノズルを含み得る。本明細書に記載の実施形態による堆積源150を用いることは、高品質ディスプレイの製造、具体的にはOLEDの製造にとって、有益であり得る。   In certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the material deposition source 105 is in fluid communication with each of the three or more evaporative crucibles 122 and one of the three or more evaporative crucibles 121, respectively. Three or more distribution pipes 121 may be included. The three or more distribution pipes may extend in a basically vertical direction and essentially parallel to each other. A nozzle may be provided in the distribution pipe along the length direction of the distribution pipe. For example, 10, 30, or more nozzles may be provided on the front wall of each of the two or more distribution pipes. The nozzle of the first distribution pipe, the nozzle of the second distribution pipe, and / or the nozzle of the third distribution pipe are inclined with respect to each other so that the respective plumes of evaporated material meet at the position of the substrate. It may be. As a result, the plurality of nozzles may include 90 or more nozzles, for example, about 150 nozzles. Using the deposition source 150 according to the embodiments described herein may be beneficial for the manufacture of high quality displays, specifically for the manufacture of OLEDs.

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わされ得るある実施形態では、第1の堆積エリア201は、真空チャンバ1001内の第2の堆積エリア202の反対側に設けられていてよい。ある実施形態では、材料堆積源105は、基本的に180°である角度で、第1の堆積エリア201から第2の堆積エリア202まで回転されてよい。   In certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first deposition area 201 may be provided on the opposite side of the second deposition area 202 in the vacuum chamber 1001. In some embodiments, the material deposition source 105 may be rotated from the first deposition area 201 to the second deposition area 202 at an angle that is essentially 180 degrees.

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得る実施形態によれば、分配管または分配アセンブリ120は、加熱要素を含む長形のチューブであってよい。蒸発るつぼ110は、材料、例えば有機材料を、加熱ユニットで蒸発させるためのリザーバであることができる。例えば、加熱ユニットは、蒸発るつぼの筐体内に設けられていてよい。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得る実施形態によると、分配管は、線形源を提供し得る。   According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the distribution or distribution assembly 120 may be an elongated tube that includes a heating element. The evaporation crucible 110 can be a reservoir for evaporating a material, for example an organic material, with a heating unit. For example, the heating unit may be provided in the housing of the evaporation crucible. According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the distribution pipe may provide a linear source.

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、分配管の長さは、材料の堆積を行う基板の高さに相当していてよい。代わりに、分配管の長さは、基板の高さよりも長くてもよい。これによって、基板の上端及び/または基板の下端における均一な堆積を提供することができる。例えば、分配管の長さは、1.3m以上、例えば2.5m以上であることができる。   According to certain embodiments that can be combined with other embodiments described herein, the length of the distribution pipe may correspond to the height of the substrate on which the material is deposited. Alternatively, the length of the distribution pipe may be longer than the height of the substrate. This can provide uniform deposition at the top and / or bottom of the substrate. For example, the length of the distribution pipe can be 1.3 m or more, for example 2.5 m or more.

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、るつぼ110、即ち蒸発るつぼは、分配管の下端に設けられていてよい。例えば有機材料などの材料は、蒸発るつぼ内で蒸発させることができる。蒸発した材料は、分配管の底部で分配管に進入してよく、分配管内の複数のノズルを通って基本的に横向きに、例えば、基本的に垂直に配向されている基板に向かって、誘導されてよい。   According to certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the crucible 110, i.e., the evaporation crucible, may be provided at the lower end of the distribution pipe. For example, materials such as organic materials can be evaporated in an evaporation crucible. Evaporated material may enter the distribution pipe at the bottom of the distribution pipe and direct through a plurality of nozzles in the distribution pipe in a basically lateral orientation, for example, toward a substrate that is basically vertically oriented. May be.

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得る実施形態によれば、材料堆積装置100は、堆積源軌道30、例えば線形ガイドまたはループ状軌道などの上に設けられていてよい。堆積源軌道30は、材料堆積源105を、例えば水平方向Hに並進運動させるように構成されていてよい。   According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the material deposition apparatus 100 may be provided on a deposition source trajectory 30, such as a linear guide or loop trajectory. The deposition source trajectory 30 may be configured to translate the material deposition source 105, for example in the horizontal direction H.

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得る実施形態によると、隣接する真空チャンバ、例えばルーティングチャンバへの真空封止を可能にする、第1のバルブ1002、例えばゲートバルブが設けられていてよい。基板またはマスクを、真空チャンバ1001内にまたは真空チャンバ1001から外に搬送するため、第1のバルブ1002を開放することができる。   According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a first valve 1002, eg, a gate valve, is provided that allows vacuum sealing to an adjacent vacuum chamber, eg, a routing chamber. Good. The first valve 1002 can be opened to transport the substrate or mask into or out of the vacuum chamber 1001.

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得るある実施形態によると、図8に例示的に示されるように、保守用真空チャンバ1004といったさらなる真空チャンバが、真空チャンバ1001に隣接して設けられてよい。真空チャンバ1001及び保守用真空チャンバ1004は、第2のバルブ1003に接続されていてよい。第2のバルブ1003は、真空チャンバ1001と保守用真空チャンバ1004との間の真空封止を開閉するように構成されていてよい。第2のバルブ1003が開放状態にある間は、材料堆積源105を保守用真空チャンバ1004に移送することができる。その後、第2のバルブ1003を閉じて、真空チャンバ1001と保守用真空チャンバ1004との間に真空封止を設けることができる。第2のバルブ1003が閉じている場合、保守用真空チャンバ1004は、真空チャンバ1001の中の真空を破壊することなく、材料堆積源105の保守のために換気及び開放できる。   According to certain embodiments that may be combined with other embodiments described herein, an additional vacuum chamber, such as a maintenance vacuum chamber 1004, is provided adjacent to the vacuum chamber 1001, as exemplarily shown in FIG. It's okay. The vacuum chamber 1001 and the maintenance vacuum chamber 1004 may be connected to the second valve 1003. The second valve 1003 may be configured to open and close a vacuum seal between the vacuum chamber 1001 and the maintenance vacuum chamber 1004. While the second valve 1003 is open, the material deposition source 105 can be transferred to the maintenance vacuum chamber 1004. Thereafter, the second valve 1003 can be closed and a vacuum seal can be provided between the vacuum chamber 1001 and the maintenance vacuum chamber 1004. When the second valve 1003 is closed, the maintenance vacuum chamber 1004 can be ventilated and opened for maintenance of the material deposition source 105 without breaking the vacuum in the vacuum chamber 1001.

ある実施例によると、材料堆積装置の操作方法、処理システムの操作方法、及び第1の堆積源及び第2の堆積源を少なくとも有する材料堆積装置をコンディショニングするための方法が、提供される。図9は、第1の堆積源及び第2の堆積源を少なくとも有する材料堆積装置を、コンディショニングするための方法を示すフローチャートである。他の方法に対して、本明細書で開示される同様のプロセス及び/またはさらなるプロセスが与えられてもよい。ボックス902に示されるように、材料は、シャッターによって第1の堆積源において遮断される。例えば、シャッターは、第1の堆積源の1つ以上の開口の前に、または開口のところに、位置決めされる。シャッターは第1の堆積源からの材料を遮断するが、その間、第2の堆積源をコンディショニングすることができる。ボックス904に示すように、シャッターは、ある角度で、第2の堆積源に動かされる。例えば、シャッターは軸の周囲を回転することができる。シャッターは、ある角度で動かされる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得る、本明細書に記載の実施形態によると、回転に加えて、シャッターの並進運動が提供され得る。回転軸は、シャッター本体の外側、具体的にはシャッタープレート本体の外側に設けられ得る。   According to certain embodiments, a method for operating a material deposition apparatus, a method for operating a processing system, and a method for conditioning a material deposition apparatus having at least a first deposition source and a second deposition source are provided. FIG. 9 is a flowchart illustrating a method for conditioning a material deposition apparatus having at least a first deposition source and a second deposition source. Similar processes and / or further processes disclosed herein may be provided for other methods. As shown in box 902, the material is blocked at the first deposition source by a shutter. For example, the shutter is positioned before or at the one or more openings of the first deposition source. The shutter blocks the material from the first deposition source while the second deposition source can be conditioned. As shown in box 904, the shutter is moved to a second deposition source at an angle. For example, the shutter can rotate around an axis. The shutter is moved at an angle. In addition to rotation, a translational movement of the shutter can be provided according to the embodiments described herein, which can be combined with other embodiments described herein. The rotation shaft can be provided outside the shutter body, specifically, outside the shutter plate body.

ボックス906に示されるように、材料は、シャッターによって第2の堆積源において遮断される。ボックス904に示すとおり、シャッターは、材料を遮断するため、第2の堆積源に移動した。例えば、シャッターは、第2の堆積源の1つ以上の開口の前に、または開口のところに、位置決めされる。シャッターが第2の堆積源からの材料を遮断している間、第1の堆積源をコンディショニングすることができる。ボックス908に示すように、シャッターは、ある角度で、パーク位置に動かされる。パーク位置とは、第1の堆積源及び第2の堆積源のどちらからの材料も、遮断されていない位置である。例えば、シャッターは軸の周囲を回転することができる。シャッターは、ある角度で動かされる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ得る、本明細書に記載の実施形態によると、回転に加えて、シャッターの並進運動が提供され得る。回転軸は、シャッター本体の外側、具体的にはシャッタープレート本体の外側に設けられ得る。ボックス910に示すように、例えばどちらの堆積源のコンディショニング(ボックス902及び906)も済んだ後、第1の堆積源と第2の堆積源との共蒸着によって、基板上に材料層が堆積される。   As shown in box 906, the material is blocked at the second deposition source by a shutter. As shown in box 904, the shutter was moved to the second deposition source to block the material. For example, the shutter is positioned before or at one or more openings of the second deposition source. The first deposition source can be conditioned while the shutter is blocking material from the second deposition source. As shown in box 908, the shutter is moved to a park position at an angle. The park position is a position where material from both the first deposition source and the second deposition source is not blocked. For example, the shutter can rotate around an axis. The shutter is moved at an angle. In addition to rotation, a translational movement of the shutter can be provided according to the embodiments described herein, which can be combined with other embodiments described herein. The rotation shaft can be provided outside the shutter body, specifically, outside the shutter plate body. As shown in box 910, for example, after conditioning of both deposition sources (boxes 902 and 906), a layer of material is deposited on the substrate by co-evaporation of the first deposition source and the second deposition source. The

以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなしに、本開示の他の実施形態及びさらなる実施形態が考案されてよい。本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。   While the above description is directed to embodiments of the present disclosure, other and further embodiments of the present disclosure may be devised without departing from the basic scope of the disclosure. The scope of the present disclosure is determined by the following claims.

具体的には、本明細書では実施例を用いてベストモードを含む本開示を開示しており、あらゆる当業者が記載の主題を実施することを、任意の装置またはシステムを作製及び使用すること、並びに組み込まれているあらゆる方法を実施することを含めて、可能にしている。上記では様々な特定の実施形態を開示してきたが、上記の実施形態の相互に非排他的な特徴は、互いに組み合わせられてよい。特許性を有する範囲は、特許請求の範囲によって規定される。その他の実施例は、それが特許請求の範囲の文字通りの言葉と相違しない構造要素を有する場合、または特許請求の範囲の文字通りの言葉とは実質的な違いがない等価の構造要素を含む場合には、特許請求の範囲内にあるものとする。   Specifically, this disclosure discloses the present disclosure, including the best mode, using examples, and that any person skilled in the art can implement and use any described device or system. As well as implementing any method incorporated. Although various specific embodiments have been disclosed above, the mutually non-exclusive features of the above embodiments may be combined with each other. The patentable scope is defined by the claims. Other embodiments may have structural elements that do not differ from the literal words of the claims or include equivalent structural elements that do not differ substantially from the literal words of the claims. Are intended to be within the scope of the claims.

Claims (16)

真空堆積チャンバ内で基板上に材料を堆積するための材料堆積装置(100)であって、
1つ以上の第1の開口(126)を有する第1の堆積源(105)と、
1つ以上の第2の開口(126)を有する第2の堆積源(105)と、
前記1つ以上の第1の開口または前記1つ以上の第2の開口に、ある角度で動かすことができるように構成された、第1のシャッター(210)を少なくとも有するシャッター装置と、を備える装置。
A material deposition apparatus (100) for depositing material on a substrate in a vacuum deposition chamber comprising:
A first deposition source (105) having one or more first openings (126);
A second deposition source (105) having one or more second openings (126);
A shutter device having at least a first shutter (210) configured to be movable at an angle to the one or more first openings or the one or more second openings. apparatus.
少なくとも前記第1のシャッターは軸(211)の周囲を回転することができる、請求項1に記載の材料堆積装置(100)。   The material deposition apparatus (100) of claim 1, wherein at least the first shutter is rotatable about an axis (211). 1つ以上の第3の開口(126)を備える第3の堆積源(105)であって、前記シャッター装置が、
前記1つ以上の第2の開口、前記1つ以上の第3の開口、及び第2のパーク位置に、ある角度で動かすことができる第2のシャッター
をさらに備える、請求項1または2に記載の材料堆積装置(100)。
A third deposition source (105) comprising one or more third openings (126), wherein the shutter device comprises:
The second shutter according to claim 1, further comprising a second shutter that can be moved at an angle to the one or more second openings, the one or more third openings, and a second park position. The material deposition apparatus (100).
1つ以上の第1の開口(126)を有する第1の堆積源(105)と、
1つ以上の第2の開口(126)を有する第2の堆積源(105)と、
第1のシャッター(210)と、
前記1つ以上の第1の開口の前または前記1つ以上の第2の開口の前に、ある角度で前記第1のシャッターを動かすためのアクチュエータと、
を備える、真空堆積チャンバ内で基板上に材料を堆積するための材料堆積装置(100)。
A first deposition source (105) having one or more first openings (126);
A second deposition source (105) having one or more second openings (126);
A first shutter (210);
An actuator for moving the first shutter at an angle before the one or more first openings or before the one or more second openings;
A material deposition apparatus (100) for depositing material on a substrate in a vacuum deposition chamber.
前記シャッターは、前記1つ以上の第1の開口、前記1つ以上の第2の開口、または第1のパーク位置に、ある角度で動く、請求項1から4のいずれか一項に記載の材料堆積装置(100)。   5. The shutter according to claim 1, wherein the shutter moves at an angle to the one or more first openings, the one or more second openings, or a first park position. 6. Material deposition apparatus (100). シェーパーシールド装置
をさらに備える、請求項1から5のいずれか一項に記載の材料堆積装置(100)。
The material deposition apparatus (100) according to any one of claims 1 to 5, further comprising a shaper shield apparatus.
少なくとも前記第1のシャッターは、前記シェーパーシールド装置に装着されている、請求項6に記載の材料堆積装置(100)。   The material deposition apparatus (100) according to claim 6, wherein at least the first shutter is mounted on the shaper shield apparatus. 少なくとも前記第1のシャッターは、前記シェーパーシールド装置の少なくとも頂部に装着されている、請求項7に記載の材料堆積装置(100)。   The material deposition apparatus (100) of claim 7, wherein at least the first shutter is mounted on at least a top of the shaper shield apparatus. 前記シェーパーシールド装置が、冷却シールドに接続されている、請求項6から8のいずれか一項に記載の材料堆積装置(100)。   The material deposition apparatus (100) according to any one of claims 6 to 8, wherein the shaper shield apparatus is connected to a cooling shield. 前記シェーパーシールド装置が、パーク位置を規定する筐体を形成する側部及びさらなる壁をさらに備える、請求項6から9のいずれか一項に記載の材料堆積装置(100)。   10. A material deposition apparatus (100) according to any one of claims 6 to 9, wherein the shaper shield device further comprises a side and a further wall forming a housing defining a park position. 前記シェーパーシールド装置が、パーク位置を規定する筐体を形成している側部及びさらなる壁をさらに備え、前記シェーパーシールド装置が冷却装置に接続され、前記側部及び前記さらなる壁が前記冷却装置によって受動的に冷却される、請求項6から8のいずれか一項に記載の材料堆積装置(100)。   The shaper shield device further comprises a side and a further wall forming a housing defining a park position, the shaper shield device is connected to a cooling device, and the side and the further wall are provided by the cooling device. 9. The material deposition apparatus (100) according to any one of claims 6 to 8, which is passively cooled. 少なくとも前記第1の堆積源が、列に沿って延びる複数の開口を有する線形源であり、少なくとも前記第1のシャッターは、前記複数の開口の前に位置決めする前記角度で動かすことができる、請求項1から11のいずれか一項に記載の材料堆積装置(100)。   At least the first deposition source is a linear source having a plurality of apertures extending along a row, and at least the first shutter can be moved at the angle to position in front of the plurality of apertures. Item 12. The material deposition apparatus (100) according to any one of Items 1 to 11. 真空堆積チャンバと、
前記真空堆積チャンバ内にある請求項1から11のいずれか一項に記載の材料堆積装置(100)と
を備える、真空堆積システム(100)。
A vacuum deposition chamber;
A vacuum deposition system (100) comprising: the material deposition apparatus (100) according to any one of claims 1 to 11 in the vacuum deposition chamber.
基板を基本的に垂直の配向で支持するための基板キャリア支持体をさらに備える、請求項13に記載の真空堆積システム。   The vacuum deposition system of claim 13, further comprising a substrate carrier support for supporting the substrate in a substantially vertical orientation. 前記材料堆積装置が、前記材料堆積装置が磁気浮上中に並進運動するための支持体を備える、請求項13または14に記載の真空堆積システム。   15. A vacuum deposition system according to claim 13 or 14, wherein the material deposition apparatus comprises a support for the material deposition apparatus to translate during magnetic levitation. 少なくとも第1の堆積源及び第2の堆積源を有する材料堆積装置をコンディショニングするための方法であって、
前記第1の堆積源において材料をシャッターで遮断することと、
前記第2の堆積源をコンディショニングすることと、
前記シャッターを、前記第2の堆積源に、ある角度で動かすことと、
前記第2の堆積源において材料を遮断することと、
前記第2の堆積源をコンディショニングすることと、
前記シャッターをある角度で動かすことと、
前記第1の堆積源及び前記第2の堆積源の共蒸着によって、基板上に材料層を堆積することと、
を含む方法。
A method for conditioning a material deposition apparatus having at least a first deposition source and a second deposition source comprising:
Blocking material at the first deposition source with a shutter;
Conditioning the second deposition source;
Moving the shutter to the second deposition source at an angle;
Blocking material at the second deposition source;
Conditioning the second deposition source;
Moving the shutter at an angle;
Depositing a material layer on a substrate by co-evaporation of the first deposition source and the second deposition source;
Including methods.
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