JP7436165B2 - Dicing unit diagnostic method and dicing system - Google Patents

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本発明は、ダイシングユニットの診断方法、及び、ダイシングシステムに関する。 The present invention relates to a dicing unit diagnostic method and a dicing system.

従来、板状の半導体ウェーハを個片化するダイシングにおいて、ダイシングによって生じたチップの縁の欠けがデバイスに到達するとデバイスが損傷してしまうため、被加工物の加工中に加工を一時停止して切削溝(カーフ)を撮像し、発生したチッピングのサイズを計測する所謂カーフチェックを実施することが知られている。 Conventionally, when dicing a plate-shaped semiconductor wafer into individual pieces, chips on the edge of the chip caused by dicing would damage the device if it reached the device, so processing was temporarily stopped during processing of the workpiece. It is known to perform a so-called kerf check in which a cut groove (kerf) is imaged and the size of chipping that occurs is measured.

カーフチェックで検出されたチッピングのサイズが予め設定された許容値を超えた場合には、装置が警告を発信し、オペレーターが適宜対応するようにしている。これにより、チッピングのサイズが許容値を超えた状態で加工がされ続けてしまい、不良デバイスを生産し続けてしまうことを防止できる。 If the size of chipping detected during the kerf check exceeds a preset tolerance, the device issues a warning so that the operator can take appropriate action. Thereby, it is possible to prevent processing from continuing in a state where the chipping size exceeds an allowable value and from continuing to produce defective devices.

特許文献1では、ウェーハのエッジに加工溝を形成し、加工溝の画像解析を行うことで、切削ブレードの使用限界などを自動判定する技術を開示しており、自動判定により切削ブレードを適時交換することによって、不良デバイスの生産を防止することとしている。 Patent Document 1 discloses a technology that automatically determines the usage limit of a cutting blade by forming a processing groove on the edge of a wafer and performing image analysis of the processing groove, and the cutting blade can be replaced in a timely manner by automatic judgment. This will prevent the production of defective devices.

特開2015-85398号公報Japanese Patent Application Publication No. 2015-85398

他方、ウェーハが分割され個片化されたチップ側面、すなわち分割面の表面の粗さが粗い場合には、チップの強度が劣ることが知られている。しかし、従来はチップ側面の表面の粗さの確認はされてはいなかった。 On the other hand, it is known that when the wafer is divided and the chip side surface, that is, the surface of the dividing surface is rough, the strength of the chip is poor. However, in the past, the surface roughness of the side surfaces of chips had not been confirmed.

このため、チップの分割面の粗さが粗い状況が発生しているにも関わらず、被加工物を加工し続けてしまうことにより、強度の低いチップが形成され、ひいては、不良デバイスを生産し続けてしまうおそれがあった。 For this reason, if the workpiece continues to be machined even though the dividing surface of the chip is rough, a chip with low strength is formed, which in turn leads to the production of defective devices. There was a risk that it would continue.

本発明の目的は、強度の低いチップが形成されることを防止し、ひいては、不良デバイスを生産し続けてしまうことを防止し得るダイシングユニットの診断方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a method for diagnosing a dicing unit that can prevent the formation of chips with low strength and further prevent the continued production of defective devices.

本発明の一態様によれば、
保持テーブルで保持された被加工物をダイシングするダイシングユニットの診断方法であって、
該被加工物を該保持テーブルで保持する保持ステップと、
該保持ステップで保持された該被加工物を該ダイシングユニットでダイシングして個片化するダイシングステップと、
該ダイシングステップで分割された該被加工物の分割面の粗さを検出する検出ステップと、
該検出ステップを実施した後、該分割面の粗さが所定の許容範囲外のときにダイシングユニットは異常であると判定する異常判断ステップと、
を含むダイシングユニットの診断方法とする。
According to one aspect of the invention,
A method for diagnosing a dicing unit that dices a workpiece held on a holding table, the method comprising:
a holding step of holding the workpiece on the holding table;
a dicing step in which the workpiece held in the holding step is diced into pieces by the dicing unit;
a detection step of detecting the roughness of the dividing surface of the workpiece divided in the dicing step;
After performing the detection step, an abnormality determination step of determining that the dicing unit is abnormal when the roughness of the divided surface is outside a predetermined tolerance range;
A method for diagnosing a dicing unit including:

また、保持テーブルで保持された該被加工物をダイシングするダイシングユニットと、
該ダイシングユニットで個片化された被加工物の分割面の粗さを検出する検出ユニットと、
該検出ユニットとを制御するコントローラと、
を備えるダイシングシステムであって、
該コントローラは、
該検出ユニットで検出された該分割面の粗さと、予め設定された粗さの許容範囲と、を比較して該粗さが所定の許容範囲外のときに該ダイシングユニットは異常であると判定する異常判断部を含む、ダイシングシステムとする。
Further, a dicing unit that dices the workpiece held by the holding table;
a detection unit that detects the roughness of the dividing surface of the workpiece cut into pieces by the dicing unit;
a controller that controls the detection unit;
A dicing system comprising:
The controller is
The roughness of the divided surface detected by the detection unit is compared with a preset roughness tolerance range, and when the roughness is outside the predetermined tolerance range, the dicing unit is determined to be abnormal. The dicing system includes an abnormality determination section.

本発明によれば、個片化された被加工物の分割面(切断面)の粗さが検出され、分割面の粗さが所定の許容範囲外の時にダイシングユニットが異常と判定されるため、異常と判定された場合に加工を停止することができ、不良デバイスを生産し続けてしまうことを防止できる。 According to the present invention, the roughness of the dividing surface (cutting surface) of the singulated workpiece is detected, and the dicing unit is determined to be abnormal when the roughness of the dividing surface is outside a predetermined tolerance range. , processing can be stopped when an abnormality is determined, and it is possible to prevent continued production of defective devices.

ダイシングユニットと検査ユニットをインラインで構成したダイシングシステムについて示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a dicing system in which a dicing unit and an inspection unit are configured in-line. 検査ユニットを構成要素の一部を省略して示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the inspection unit with some of its components omitted. ウェーハユニットを示す斜視図である。It is a perspective view showing a wafer unit. 図4(A)は突き上げ機構上に配置されたウェーハユニットを示す断面図であり、図4(B)は突き上げ機構の一部を拡大して示す断面図である。FIG. 4(A) is a sectional view showing a wafer unit placed on the pushing up mechanism, and FIG. 4(B) is a sectional view showing a part of the pushing up mechanism in an enlarged manner. ピックアップ機構を示す斜視図である。It is a perspective view showing a pickup mechanism. 図6(A)は突き上げ機構によってテープが吸引された状態のウェーハユニットを示す断面図であり、図6(B)は突き上げ機構によってチップが突き上げられた状態のウェーハユニットを示す断面図であり、図6(C)はコレットによってチップがピックアップされた状態のウェーハユニットを示す断面図である。FIG. 6(A) is a cross-sectional view showing the wafer unit in a state where the tape is sucked by the push-up mechanism, and FIG. 6(B) is a cross-sectional view showing the wafer unit in a state where the chip is pushed up by the push-up mechanism. FIG. 6(C) is a cross-sectional view showing the wafer unit with chips picked up by the collet. 図7(A)はチップ支持台を回転させる構成について説明する図である。図7(B)はピックアップ機構のコレットを回転させる構成について説明する図である。FIG. 7(A) is a diagram illustrating a configuration for rotating the chip support base. FIG. 7(B) is a diagram illustrating a configuration for rotating the collet of the pickup mechanism. 異常判断を行うための装置構成例について示す機能ブロック図である。FIG. 2 is a functional block diagram illustrating an example of a device configuration for determining an abnormality. 異常判断の一例について示すフローチャートである。2 is a flowchart illustrating an example of abnormality determination.

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図1は、ダイシングユニット302(切削装置)と検査ユニット2をインラインで構成したダイシングシステム301について示す斜視図である。図2は、検査ユニット2の構成について示す斜視図である。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a dicing system 301 in which a dicing unit 302 (cutting device) and an inspection unit 2 are configured in-line. FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of the inspection unit 2. As shown in FIG.

まず、本願発明において検査対象となる被加工物としてのウェーハ等の構成について図3を用いて説明する。
図3は、ウェーハ13をテープ19に貼着してなるウェーハユニット11を示す斜視図であり、ダイシングユニット302(図1)によって加工された後の状態を示すものである。ウェーハ13は、例えばシリコン等の材料を用いて円盤状に形成され、表面13a及び裏面13bを備える。ウェーハ13の表面13a側には、IC(IntegratedCircuit)、LSI(LargeScaleIntegration)、LED(LightEmittingDiode)等でなる複数のデバイス15が形成されている。
First, the configuration of a wafer or the like as a workpiece to be inspected in the present invention will be explained using FIG. 3.
FIG. 3 is a perspective view showing the wafer unit 11 in which the wafer 13 is attached to the tape 19, and shows the state after being processed by the dicing unit 302 (FIG. 1). The wafer 13 is formed into a disk shape using a material such as silicon, and includes a front surface 13a and a back surface 13b. On the front surface 13a side of the wafer 13, a plurality of devices 15 including ICs (Integrated Circuits), LSIs (Large Scale Integrations), LEDs (Light Emitting Diodes), etc. are formed.

また、ウェーハ13は互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン(ストリート)17に沿って切削加工なされた状態となっている。複数のデバイス15はそれぞれ、分割予定ライン17によって区画された各領域の表面13a側に形成されている。 Further, the wafer 13 has been cut along a plurality of dividing lines (streets) 17 arranged in a grid pattern so as to intersect with each other. Each of the plurality of devices 15 is formed on the surface 13a side of each region partitioned by the planned dividing line 17.

なお、ウェーハ13の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えばウェーハ13は、シリコン以外の半導体(SiC、GaAs、InP、GaN等)、サファイア、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料によって形成された基板であってもよい。また、デバイス15の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。 Note that there are no restrictions on the material, shape, structure, size, etc. of the wafer 13. For example, the wafer 13 may be a substrate made of a material other than silicon, such as a semiconductor (SiC, GaAs, InP, GaN, etc.), sapphire, glass, ceramics, resin, metal, or the like. Furthermore, there are no restrictions on the type, quantity, shape, structure, size, arrangement, etc. of the device 15.

ウェーハ13の裏面13b側には、円形のテープ19が貼着される。例えばテープ19は、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなる基材上にゴム系やアクリル系の粘着層(糊層)が形成された、柔軟なフィルムによって構成される。なお、テープ19の径はウェーハ13の径よりも大きく、ウェーハ13はテープ19の中央部に貼着される。 A circular tape 19 is attached to the back surface 13b of the wafer 13. For example, the tape 19 is composed of a flexible film in which a rubber-based or acrylic-based adhesive layer (glue layer) is formed on a base material made of a resin such as polyolefin, polyvinyl chloride, or polyethylene terephthalate. Note that the diameter of the tape 19 is larger than the diameter of the wafer 13, and the wafer 13 is attached to the center of the tape 19.

また、テープ19の外周部には、金属等でなり中央部に円形の開口21aを備える環状フレーム21が貼着される。これにより、ウェーハ13は、開口21aの内部に配置された状態で、テープ19を介して環状フレーム21によって支持される。 Furthermore, an annular frame 21 made of metal or the like and having a circular opening 21a in the center is attached to the outer circumference of the tape 19. Thereby, the wafer 13 is supported by the annular frame 21 via the tape 19 while being placed inside the opening 21a.

ウェーハ13は、分割予定ライン17に沿って切断され、デバイス15をそれぞれ備える複数のチップ23に分割されている。ウェーハ13の分割には、例えば、後述するダイシングユニット302(図1)が用いられる。切削ブレードを回転させ、分割予定ライン17に沿ってウェーハ13に切り込ませることにより、ウェーハ13が切削されて複数のチップ23に分割される。なお、ウェーハの分割方法に制限はない。 The wafer 13 is cut along a planned dividing line 17 and divided into a plurality of chips 23 each including a device 15. For example, a dicing unit 302 (FIG. 1), which will be described later, is used to divide the wafer 13. The wafer 13 is cut and divided into a plurality of chips 23 by rotating the cutting blade and cutting into the wafer 13 along the planned dividing line 17 . Note that there are no restrictions on the method of dividing the wafer.

複数のチップ23はそれぞれ、後の工程でテープ19から剥離される。そのため、テープ19は、所定の処理を施すことにより接着力が低下する性質を備えることが好ましい。テープ19としては、例えば紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型のテープを用いることができる。また、テープ19として、紫外線の照射により膨張するマイクロカプセルや、紫外線の照射により発泡する発泡剤などを粘着層に含有させたテープを用いてもよい。このようなテープ19に対して紫外線を照射すると、チップ23に対するテープ19の接着力が低下する。 Each of the plurality of chips 23 is peeled off from the tape 19 in a later step. Therefore, it is preferable that the tape 19 has a property that its adhesive strength is reduced by performing a predetermined treatment. As the tape 19, for example, an ultraviolet curable tape that is cured by irradiation with ultraviolet rays can be used. Further, as the tape 19, a tape whose adhesive layer contains microcapsules that expand when exposed to ultraviolet rays, a foaming agent that expands when exposed to ultraviolet rays, or the like may be used. When such tape 19 is irradiated with ultraviolet rays, the adhesive strength of tape 19 to chip 23 is reduced.

以上のように、ウェーハユニット11上において分割された複数のチップ23は、後に説明するピックアップ機構70(図2)によってピックアップされる。 As described above, the plurality of chips 23 divided on the wafer unit 11 are picked up by the pickup mechanism 70 (FIG. 2), which will be described later.

図1に示すように、ダイシングユニット302は、被加工物であるウェーハ13(図3)をダイシングするものである。ダイシングユニット302は、各構成要素を支持する基台304を備えている。 As shown in FIG. 1, the dicing unit 302 dices the wafer 13 (FIG. 3), which is a workpiece. The dicing unit 302 includes a base 304 that supports each component.

基台304の前方の角部には、図示せぬ昇降機構によって昇降するカセット支持台306が設けられている。カセット支持台306の上面には、複数のウェーハ13(図3)を収容するカセット308が載せられる。 A cassette support base 306 is provided at the front corner of the base 304 and is raised and lowered by a lift mechanism (not shown). A cassette 308 that accommodates a plurality of wafers 13 (FIG. 3) is placed on the upper surface of the cassette support stand 306.

カセット支持台306の側方には、X軸方向(左右方向、加工送り方向)に長い開口304bが形成されている。開口304bが形成される部位には、保持テーブル318を備える移動テーブル316や、移動テーブル316をX軸方向に移動させるボールネジ式のX軸移動機構(不図示)が設けられ、保持テーブル318がX軸方向に移動される構成とされる(加工送り)。開口304bの開口部分は、移動テーブル316や蛇腹式のテーブルカバー312によって覆われる。 An opening 304b that is long in the X-axis direction (left-right direction, processing feed direction) is formed on the side of the cassette support base 306. A moving table 316 including a holding table 318 and a ball screw type X-axis moving mechanism (not shown) for moving the moving table 316 in the It is configured to be moved in the axial direction (processing feed). The opening portion of the opening 304b is covered by a movable table 316 and a bellows-type table cover 312.

保持テーブル318は、ウェーハ13(図3)を吸引、保持するためのものであり、その保持面が上側に露出して設けられている。この保持テーブル318は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、Z軸軸(鉛直軸)を回転軸として回転する。 The holding table 318 is for suctioning and holding the wafer 13 (FIG. 3), and is provided with its holding surface exposed on the upper side. This holding table 318 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and rotates about the Z-axis (vertical axis) as a rotation axis.

保持テーブル318の上面は、ウェーハ13(図3)を下側から吸引、保持する保持面318aになっている。保持面318aは、X軸方向及びY軸方向(前後方向、割り出し送り方向)に対して概ね平行に形成されており、保持テーブル318の内部に設けられた図示せぬ吸引路等を介してエジェクタ等の吸引源に接続されている。 The upper surface of the holding table 318 is a holding surface 318a that sucks and holds the wafer 13 (FIG. 3) from below. The holding surface 318a is formed approximately parallel to the X-axis direction and the Y-axis direction (back-and-forth direction, indexing feed direction), and is connected to the ejector via a suction path (not shown) provided inside the holding table 318. connected to a suction source such as

保持テーブル318の周囲には、ウェーハ13(図3)を支持する環状フレーム21(図3)を四方から固定するための4個のクランプ320が設けられている。 Four clamps 320 are provided around the holding table 318 for fixing the annular frame 21 (FIG. 3) that supports the wafer 13 (FIG. 3) from all sides.

開口304bに隣接する領域には、上述したウェーハ13(図3)を保持テーブル318等へと搬送する図示せぬ搬送ユニットが配置されている。搬送ユニットでカセット308から搬出されたウェーハ13(図3)は、例えば、表面側が上方に露出する態様で保持テーブル318に載せられる。 A transport unit (not shown) that transports the wafer 13 (FIG. 3) described above to the holding table 318 or the like is arranged in a region adjacent to the opening 304b. The wafer 13 (FIG. 3) carried out from the cassette 308 by the transfer unit is placed on the holding table 318, for example, with the front side exposed upward.

基台304の上面には、2組の切削ユニット324を支持するための門型のコラム326が、開口304bを跨ぐように配置されている。コラム326の前面上部には、各切削ユニット324をY軸方向及びZ軸方向に移動させる2組の切削ユニット移動機構328が設けられている。 A gate-shaped column 326 for supporting two sets of cutting units 324 is arranged on the upper surface of the base 304 so as to straddle the opening 304b. Two sets of cutting unit moving mechanisms 328 are provided at the upper front surface of the column 326 to move each cutting unit 324 in the Y-axis direction and the Z-axis direction.

各切削ユニット移動機構328のY軸移動プレート332は、コラム326の前面にY軸方向に平行に設けられた長い一対のY軸ガイドレール330に対し、スライド可能に取り付けられ、これにより、各切削ユニット移動機構328が全体としてY軸方向に移動可能に構成される。 The Y-axis moving plate 332 of each cutting unit moving mechanism 328 is slidably attached to a pair of long Y-axis guide rails 330 provided in parallel to the Y-axis direction on the front surface of the column 326. The unit moving mechanism 328 as a whole is configured to be movable in the Y-axis direction.

各Y軸移動プレート332の裏面側(後面側)には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、Y軸ガイドレール330に対して概ね平行なY軸ボールネジ334がそれぞれ螺合されている。各Y軸ボールネジ334の一端部には、Y軸パルスモータ336が連結されている。Y軸パルスモータ336でY軸ボールネジ334を回転させると、Y軸移動プレート332は、Y軸ガイドレール330に沿ってY軸方向に移動する。 A nut portion (not shown) is provided on the back side (rear side) of each Y-axis moving plate 332, and a Y-axis ball screw 334 that is approximately parallel to the Y-axis guide rail 330 is mounted on this nut portion. They are each screwed together. A Y-axis pulse motor 336 is connected to one end of each Y-axis ball screw 334 . When the Y-axis ball screw 334 is rotated by the Y-axis pulse motor 336, the Y-axis moving plate 332 moves in the Y-axis direction along the Y-axis guide rail 330.

各Y軸移動プレート332の表面(前面)には、Z軸方向に長い一対のZ軸ガイドレール338が設けられている。すなわち、Z軸ガイドレール338は、その長手方向がZ軸方向に対して平行になるように配置されている。また、Z軸ガイドレール338には、Z軸移動プレート340がスライド可能に取り付けられている。 A pair of Z-axis guide rails 338 that are long in the Z-axis direction are provided on the surface (front surface) of each Y-axis moving plate 332. That is, the Z-axis guide rail 338 is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the Z-axis direction. Further, a Z-axis moving plate 340 is slidably attached to the Z-axis guide rail 338.

各Z軸移動プレート340の裏面側(後面側)には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、Z軸ガイドレール338に対して概ね平行なZ軸ボールネジ342がそれぞれ螺合されている。各Z軸ボールネジ342の一端部には、Z軸パルスモータ344が連結されている。Z軸パルスモータ344でZ軸ボールネジ342を回転させると、Z軸移動プレート340は、Z軸ガイドレール338に沿ってZ軸方向に移動する。 A nut portion (not shown) is provided on the back side (rear side) of each Z-axis moving plate 340, and a Z-axis ball screw 342 that is generally parallel to the Z-axis guide rail 338 is mounted in this nut portion. They are each screwed together. A Z-axis pulse motor 344 is connected to one end of each Z-axis ball screw 342 . When the Z-axis ball screw 342 is rotated by the Z-axis pulse motor 344, the Z-axis moving plate 340 moves in the Z-axis direction along the Z-axis guide rail 338.

各Z軸移動プレート340の下部には、切削ユニット324が設けられている。一方の切削ユニット324に隣接する位置には、保持テーブル318によって吸引、保持されたウェーハ等を撮像するためのカメラ333(撮像ユニット)が設けられている。 A cutting unit 324 is provided at the bottom of each Z-axis moving plate 340. A camera 333 (imaging unit) is provided at a position adjacent to one of the cutting units 324 to take an image of the wafer etc. sucked and held by the holding table 318.

各切削ユニット移動機構328でY軸移動プレート332をY軸方向に移動させれば、切削ユニット324、カメラ、及びレーザー変位計は、Y軸方向に移動する(割り出し送り)。また、各切削ユニット移動機構328でZ軸移動プレート340をZ軸方向に移動させれば、切削ユニット324、カメラ333は、Z軸方向に移動する(切り込み送り)。 When each cutting unit moving mechanism 328 moves the Y-axis moving plate 332 in the Y-axis direction, the cutting unit 324, camera, and laser displacement meter move in the Y-axis direction (indexing feed). Moreover, if each cutting unit moving mechanism 328 moves the Z-axis moving plate 340 in the Z-axis direction, the cutting unit 324 and camera 333 move in the Z-axis direction (cut feed).

開口304bを挟んでカセット支持台306と反対側の位置には、開口304cが形成されている。開口304c内には、切削ユニット324で切削加工(切削)された後のウェーハ等を洗浄するための洗浄ユニット350が配置されている。 An opening 304c is formed at a position opposite to the cassette support base 306 across the opening 304b. A cleaning unit 350 for cleaning the wafer and the like after being cut (cut) by the cutting unit 324 is disposed within the opening 304c.

また、カセット支持台306を昇降させる昇降機構、X軸移動機構、保持テーブル318、搬送ユニット、切削ユニット324、切削ユニット移動機構328、カメラ333、洗浄ユニット350等の構成要素は、図示せぬ制御ユニットに接続されて制御される。 In addition, components such as an elevating mechanism for elevating and lowering the cassette support base 306, an X-axis moving mechanism, a holding table 318, a transport unit, a cutting unit 324, a cutting unit moving mechanism 328, a camera 333, and a cleaning unit 350 are controlled by controls not shown. connected to and controlled by the unit.

上述した各構成要素は、ダイシングユニット302の外観を構成する外装カバー(不図示)によって覆われている。このカバー(不図示)の外側には、ユーザーインターフェースとなるタッチパネル式のモニター352が設けられ、モニター352は上述した制御ユニットと接続される。 Each of the above-mentioned components is covered by an exterior cover (not shown) that forms the appearance of the dicing unit 302. A touch panel type monitor 352 serving as a user interface is provided on the outside of this cover (not shown), and the monitor 352 is connected to the control unit described above.

また、ダイシングユニット302は、切削ユニット324を備える切削装置の構成とする他、レーザー発振器と、レーザー発振器から出射されたレーザー光線を被加工物に集光して照射する集光レンズとを備え、被加工物にレーザーダイシングを実施するレーザー加工装置に構成されるものであってもよい。 The dicing unit 302 is configured as a cutting device including a cutting unit 324, and also includes a laser oscillator and a condensing lens that focuses and irradiates the workpiece with a laser beam emitted from the laser oscillator. It may be configured in a laser processing device that performs laser dicing on a workpiece.

次に図1、及び、図2に示す検査ユニット2について説明する。
検査ユニット2は、検査ユニット2を構成する各構要素を支持する基台4を備える。基台4の前方側(図1、図2における右上方向側)の一端側には仮置台4aが設けられており、受け渡し搬送装置5(図1)によって、ダイシングユニット302の洗浄ユニット350による洗浄を終えたウェーハユニット11(図3)が、仮置台4aへと搬送される。
Next, the inspection unit 2 shown in FIGS. 1 and 2 will be explained.
The inspection unit 2 includes a base 4 that supports each component that constitutes the inspection unit 2. A temporary storage table 4a is provided at one end of the front side of the base 4 (upper right side in FIGS. 1 and 2), and is cleaned by the cleaning unit 350 of the dicing unit 302 by the delivery and conveyance device 5 (FIG. 1). The wafer unit 11 (FIG. 3) that has been finished is transported to the temporary storage table 4a.

図1に示す受け渡し搬送装置5は、X軸方向、及び、Y軸方向に移動可能に構成されており、下端に設けた保持部によってウェーハユニット11(図3)の環状フレームを保持し、洗浄ユニット350から仮置台4aへのウェーハユニットの搬送を可能とするものである。 The delivery and conveyance device 5 shown in FIG. 1 is configured to be movable in the X-axis direction and the Y-axis direction, and holds the annular frame of the wafer unit 11 (FIG. 3) with a holding section provided at the lower end, and cleans the wafer unit 11 (FIG. 3). This allows the wafer unit to be transferred from the unit 350 to the temporary storage table 4a.

図1に示す仮置台4aの前方側(図1、図2における左下方向側)には、ウェーハユニットを二段で仮置き可能な仮置き機構10が設けられている。仮置き機構10は、互いに平行に配置された一対のガイドレール12を備える。一対のガイドレール12はそれぞれ、二段の棚を形成すべく構成され、X軸方向(第1水平方向、左右方向)及びY軸方向(第2水平方向、前後方向)と概ね平行な第1支持面12a及び第2支持面12bを備える。 A temporary storage mechanism 10 that can temporarily store wafer units in two stages is provided on the front side of the temporary storage table 4a shown in FIG. 1 (lower left side in FIGS. 1 and 2). The temporary storage mechanism 10 includes a pair of guide rails 12 arranged parallel to each other. Each of the pair of guide rails 12 is configured to form a two-tiered shelf, with a first parallel to the X-axis direction (first horizontal direction, left-right direction) and a first parallel to the Y-axis direction (second horizontal direction, front-back direction). It includes a support surface 12a and a second support surface 12b.

図1に示すように、第1支持面12aはそれぞれ、第2支持面12bの上方で第2支持面12bと重なるように配置されている。そして、一対の第1支持面12aと一対の第2支持面12bとはそれぞれ、ウェーハユニットの端部(環状フレーム21(図3))の下面側を支持する。例えば、一対の第1支持面12aは仮置台4aから搬送されたウェーハユニットを支持し、一対の第2支持面12bは後述のフレーム固定機構14から搬送されたウェーハユニットを支持する。 As shown in FIG. 1, each of the first support surfaces 12a is arranged above the second support surface 12b so as to overlap with the second support surface 12b. The pair of first support surfaces 12a and the pair of second support surfaces 12b each support the lower surface side of the end portion (annular frame 21 (FIG. 3)) of the wafer unit. For example, a pair of first support surfaces 12a support a wafer unit transferred from a temporary storage table 4a, and a pair of second support surfaces 12b support a wafer unit transferred from a frame fixing mechanism 14, which will be described later.

図1に示すように、仮置き機構10の後方には、ウェーハユニットの環状フレーム21(図3)を固定するフレーム固定機構14が設けられている。フレーム固定機構14は、環状フレーム(図3)の下面側を支持するフレーム支持部16と、フレーム支持部16の上方に配置され環状フレーム21(図3)の上面側と接触するフレーム押さえ部18とを備える。フレーム支持部16とフレーム押さえ部18とはそれぞれ、環状フレーム(図3)の形状に対応して環状に形成され、互いに重なるように配置されている。 As shown in FIG. 1, a frame fixing mechanism 14 for fixing the annular frame 21 (FIG. 3) of the wafer unit is provided behind the temporary storage mechanism 10. The frame fixing mechanism 14 includes a frame support part 16 that supports the bottom side of the annular frame (FIG. 3), and a frame presser part 18 that is arranged above the frame support part 16 and contacts the top side of the annular frame 21 (FIG. 3). Equipped with. The frame supporting part 16 and the frame pressing part 18 are each formed into an annular shape corresponding to the shape of the annular frame (FIG. 3), and are arranged so as to overlap each other.

図1に示すフレーム支持部16は、Z軸方向(鉛直方向、上下方向)に沿って移動可能に構成されている。環状フレーム21(図3)がフレーム支持部16によって支持されるようにウェーハユニットを配置した状態で、フレーム支持部16を上方に移動させると、環状フレーム(図3)がフレーム支持部16とフレーム押さえ部18とによって挟まれて固定される。 The frame support section 16 shown in FIG. 1 is configured to be movable along the Z-axis direction (vertical direction, up and down direction). When the frame support 16 is moved upward with the wafer unit arranged so that the annular frame 21 (FIG. 3) is supported by the frame support 16, the annular frame (FIG. 3) is moved between the frame support 16 and the frame. It is sandwiched and fixed by the holding part 18.

なお、環状フレーム21(図3)がフレーム固定機構14によって適切に固定されているか否かは、例えば、フレーム支持部16とフレーム押さえ部18とが環状フレーム(図3)を介して導通しているか否かを検出することによって確認される。 Note that whether or not the annular frame 21 (FIG. 3) is properly fixed by the frame fixing mechanism 14 is determined by, for example, whether the frame support part 16 and the frame pressing part 18 are electrically connected through the annular frame (FIG. 3). This is confirmed by detecting whether the

また、図1に示すように、仮置き機構10及びフレーム支持部16の上方には、仮置台4aとフレーム固定機構14との間でウェーハユニット11(図3)を搬送する搬送機構(搬送手段)20が設けられている。搬送機構20は、Y軸方向及びZ軸方向に沿って移動可能に構成されており、ウェーハユニット11の環状フレーム21(図3)を上下から把持する第1把持部22a及び第2把持部22bを備える。なお、第1把持部22aは搬送機構20の仮置台4a側に設けられており、第2把持部22bは搬送機構20のフレーム固定機構14側に設けられている。 Further, as shown in FIG. 1, above the temporary storage mechanism 10 and the frame support section 16, there is a transport mechanism (transport means) for transporting the wafer unit 11 (FIG. 3) between the temporary storage table 4a and the frame fixing mechanism 14. )20 are provided. The transport mechanism 20 is configured to be movable along the Y-axis direction and the Z-axis direction, and includes a first gripping part 22a and a second gripping part 22b that grip the annular frame 21 (FIG. 3) of the wafer unit 11 from above and below. Equipped with. Note that the first gripping part 22a is provided on the temporary storage table 4a side of the transport mechanism 20, and the second gripping part 22b is provided on the frame fixing mechanism 14 side of the transport mechanism 20.

図1に示すように、仮置台4aからウェーハユニット11(図3)を搬出する際は、仮置台4aに収容されたウェーハユニット11(図3)の端部を第1把持部22aで把持した状態で、搬送機構20をY軸方向に沿って仮置き機構10側に移動させる。これにより、ウェーハユニット11(図3)が仮置台4aから引き出され、仮置き機構10が備える一対の第1支持面12a上(上段)に配置される。その後、第1把持部22aによる把持を解除する。 As shown in FIG. 1, when carrying out the wafer unit 11 (FIG. 3) from the temporary storage table 4a, the end of the wafer unit 11 (FIG. 3) accommodated in the temporary storage table 4a is gripped by the first gripping part 22a. In this state, the transport mechanism 20 is moved toward the temporary storage mechanism 10 along the Y-axis direction. As a result, the wafer unit 11 (FIG. 3) is pulled out from the temporary storage table 4a and placed on the pair of first support surfaces 12a (upper stage) of the temporary storage mechanism 10. After that, the grip by the first grip part 22a is released.

次に、ウェーハユニット11(図3)の仮置台4a側の端部を搬送機構20の第2把持部22bで把持した状態で、搬送機構20をY軸方向に沿ってフレーム固定機構14側に移動させる。これにより、ウェーハユニット11(図3)がフレーム支持部16とフレーム押さえ部18との間に搬送され、環状フレーム21(図3)がフレーム支持部16によって支持される。 Next, while the end of the wafer unit 11 (FIG. 3) on the temporary storage table 4a side is gripped by the second gripping part 22b of the transport mechanism 20, the transport mechanism 20 is moved toward the frame fixing mechanism 14 along the Y-axis direction. move it. As a result, the wafer unit 11 (FIG. 3) is transferred between the frame support section 16 and the frame pressing section 18, and the annular frame 21 (FIG. 3) is supported by the frame support section 16.

なお、図1及び図2に示すように、フレーム押さえ部18の仮置き機構10側には、フレーム押さえ部18が切り欠かれて形成された切り欠き部18aが設けられている。この切り欠き部18aは、搬送機構20が通過可能な大きさで構成されている。これにより、ウェーハユニット11(図3)がフレーム固定機構14に搬送される際に、搬送機構20がフレーム押さえ部18と接触することを防止できる。 As shown in FIGS. 1 and 2, a notch 18a formed by cutting out the frame pressing part 18 is provided on the temporary placement mechanism 10 side of the frame pressing part 18. This notch 18a is configured to have a size that allows the transport mechanism 20 to pass through. Thereby, when the wafer unit 11 (FIG. 3) is transported to the frame fixing mechanism 14, the transport mechanism 20 can be prevented from coming into contact with the frame holding part 18.

その後、図1に示すように、第2把持部22bによる把持を解除し、フレーム支持部16を上方に移動させる。これにより、環状フレーム21(図3)がフレーム支持部16とフレーム押さえ部18とによって挟まれて固定される。 Thereafter, as shown in FIG. 1, the grip by the second grip part 22b is released, and the frame support part 16 is moved upward. As a result, the annular frame 21 (FIG. 3) is sandwiched and fixed between the frame support part 16 and the frame presser part 18.

図1及び図2に示すように、フレーム固定機構14は、フレーム固定機構14の位置を制御する位置付け機構30に支持されている。位置付け機構30は、フレーム固定機構14をX軸方向に沿って移動させるX軸移動機構32と、フレーム固定機構14をY軸方向に沿って移動させるY軸移動機構42とを備える。X軸移動機構32及びY軸移動機構42により、フレーム固定機構14の水平方向における位置が制御される。 As shown in FIGS. 1 and 2, the frame fixing mechanism 14 is supported by a positioning mechanism 30 that controls the position of the frame fixing mechanism 14. As shown in FIGS. The positioning mechanism 30 includes an X-axis moving mechanism 32 that moves the frame fixing mechanism 14 along the X-axis direction, and a Y-axis moving mechanism 42 that moves the frame fixing mechanism 14 along the Y-axis direction. The horizontal position of the frame fixing mechanism 14 is controlled by the X-axis moving mechanism 32 and the Y-axis moving mechanism 42.

X軸移動機構32は、基台4上にX軸方向に沿って配置された一対のガイドレール34を備える。一対のガイドレール34の間には、一対のガイドレール34と概ね平行に配置されたボールねじ36が設けられている。また、ボールねじ36の一端部には、ボールねじ36を回転させるパルスモータ38が連結されている。 The X-axis moving mechanism 32 includes a pair of guide rails 34 arranged on the base 4 along the X-axis direction. A ball screw 36 is provided between the pair of guide rails 34 and is arranged generally parallel to the pair of guide rails 34 . Furthermore, a pulse motor 38 that rotates the ball screw 36 is connected to one end of the ball screw 36 .

一対のガイドレール34上には、移動ブロック40がスライド可能に配置されている。移動ブロック40の下面側(裏面側)にはナット部(不図示)が設けられており、このナット部はボールねじ36に螺合されている。パルスモータ38によってボールねじ36を回転させると、移動ブロック40が一対のガイドレール34に沿ってX軸方向に移動する。 A moving block 40 is slidably arranged on the pair of guide rails 34. A nut portion (not shown) is provided on the lower surface side (back side) of the moving block 40, and this nut portion is screwed onto the ball screw 36. When the ball screw 36 is rotated by the pulse motor 38, the moving block 40 moves in the X-axis direction along the pair of guide rails 34.

Y軸移動機構42は、移動ブロック40上にY軸方向に沿って配置された一対のガイドレール44を備える。一対のガイドレール44の間には、一対のガイドレール44と概ね平行に配置されたボールネジ46が設けられている。また、ボールネジ46の一端部には、ボールネジ46を回転させるパルスモータ48が連結されている。 The Y-axis moving mechanism 42 includes a pair of guide rails 44 arranged on the moving block 40 along the Y-axis direction. A ball screw 46 is provided between the pair of guide rails 44 and is arranged generally parallel to the pair of guide rails 44 . Furthermore, a pulse motor 48 that rotates the ball screw 46 is connected to one end of the ball screw 46 .

図1に示すように、一対のガイドレール44上には、フレーム固定機構14がスライド可能に配置されている。フレーム固定機構14の支持部14fにはナット部(不図示)が設けられており、このナット部はボールネジ46に螺合されている。パルスモータ48によってボールネジ46を回転させると、フレーム固定機構14が一対のガイドレール44に沿ってY軸方向に移動する。 As shown in FIG. 1, the frame fixing mechanism 14 is slidably disposed on the pair of guide rails 44. As shown in FIG. A nut portion (not shown) is provided on the support portion 14f of the frame fixing mechanism 14, and this nut portion is screwed onto the ball screw 46. When the ball screw 46 is rotated by the pulse motor 48, the frame fixing mechanism 14 moves in the Y-axis direction along the pair of guide rails 44.

図1及び図2に示すように、移動ブロック40は、板状にて構成されており、フレーム固定機構14の下方の位置において、上下方向に貫通する開口部41が形成される。この開口部41を通じて後述する突き上げ機構50による下方からの突き上げが可能となる。 As shown in FIGS. 1 and 2, the moving block 40 is configured in a plate shape, and has an opening 41 that penetrates in the vertical direction at a position below the frame fixing mechanism 14. Through this opening 41, it becomes possible to push up from below by a pushing up mechanism 50, which will be described later.

基台4において一対のガイドレール36によって挟まれた領域には、矩形状の開口4bが設けられている。この開口4bの内部には、ウェーハユニット11のウェーハ13に含まれるチップ23(図3)を下面側から上方に向かって突き上げる円筒状の突き上げ機構(突き上げ手段)50が設けられている。突き上げ機構50は、エアシリンダ等で構成される昇降機構(不図示)と接続されており、Z軸方向に沿って昇降する。 A rectangular opening 4b is provided in a region of the base 4 sandwiched between the pair of guide rails 36. Inside the opening 4b, a cylindrical push-up mechanism (push-up means) 50 is provided that pushes up the chips 23 (FIG. 3) included in the wafer 13 of the wafer unit 11 upward from the lower surface side. The thrusting mechanism 50 is connected to an elevating mechanism (not shown) composed of an air cylinder or the like, and moves up and down along the Z-axis direction.

ウェーハユニット11(図3)の環状フレーム21をフレーム固定機構14によって固定した状態で、位置付け機構30によってフレーム固定機構14をX軸方向に沿って移動させると、ウェーハユニット11が開口4b上に位置付けられる。そして、ウェーハ13に含まれる所定のチップ23(図3)が、突き上げ機構50によって上方に突き上げられる。 When the annular frame 21 of the wafer unit 11 (FIG. 3) is fixed by the frame fixing mechanism 14 and the frame fixing mechanism 14 is moved along the X-axis direction by the positioning mechanism 30, the wafer unit 11 is positioned above the opening 4b. It will be done. Then, a predetermined chip 23 (FIG. 3) included in the wafer 13 is pushed upward by the pushing up mechanism 50.

図4(A)は、突き上げ機構50の上方に配置されたウェーハユニット11を示す断面図である。突き上げ機構50は、中空の円柱状に形成された外層部52と、外層部52の内部に配置された四角柱状の突き上げ部54とを備える。 FIG. 4(A) is a cross-sectional view showing the wafer unit 11 arranged above the push-up mechanism 50. The push-up mechanism 50 includes an outer layer portion 52 formed in a hollow cylindrical shape, and a square column-shaped push-up portion 54 arranged inside the outer layer portion 52.

図4(B)は、突き上げ機構50の一部を拡大して示す断面図である。外層部52の上面52a側には、外層部52の周方向に沿って同心円状に形成された複数の吸引溝52bが形成されている。吸引溝52bはそれぞれ、突き上げ機構50の内部に形成された吸引路(不図示)及びバルブ56(図4(A))を介して、エジェクタ等でなる吸引源58に接続されている。 FIG. 4(B) is an enlarged cross-sectional view of a part of the push-up mechanism 50. A plurality of suction grooves 52b are formed concentrically along the circumferential direction of the outer layer portion 52 on the upper surface 52a side of the outer layer portion 52. The suction grooves 52b are each connected to a suction source 58, such as an ejector, through a suction path (not shown) formed inside the push-up mechanism 50 and a valve 56 (FIG. 4(A)).

また、突き上げ部54は、四角柱状に形成された第1突き上げピン54aと、中空の四角柱状に形成され第1突き上げピン54aを囲繞する第2突き上げピン54bと、中空の四角柱状に形成され第2突き上げピン54bを囲繞する第3突き上げピン54cと、中空の四角柱状に形成され第3突き上げピン54cを囲繞する第4突き上げピン54dとを備える。第1突き上げピン54a、第2突き上げピン54b、第3突き上げピン54c、第4突き上げピン54dはそれぞれ、モータ等で構成される昇降機構(不図示)と接続されており、Z軸方向に沿って昇降する。 The push-up portion 54 also includes a first push-up pin 54a formed in the shape of a square column, a second push-up pin 54b formed in the shape of a hollow square column and surrounding the first push-up pin 54a, and a second push-up pin 54b formed in the shape of a hollow square column. The third push-up pin 54c surrounds the second push-up pin 54b, and the fourth push-up pin 54d is formed into a hollow square column shape and surrounds the third push-up pin 54c. The first push-up pin 54a, the second push-up pin 54b, the third push-up pin 54c, and the fourth push-up pin 54d are each connected to a lifting mechanism (not shown) composed of a motor, etc., and are moved along the Z-axis direction. Go up and down.

ウェーハユニット11が突き上げ機構50の上方に位置付けられた状態で、突き上げ機構50を上昇させると、突き上げ機構50と重なる位置に配置されたチップ23が突き上げられる。なお、突き上げ機構50の寸法は、チップ23のサイズに応じて適宜調整される。 When the push-up mechanism 50 is raised with the wafer unit 11 positioned above the push-up mechanism 50, the chips 23 disposed at a position overlapping with the push-up mechanism 50 are pushed up. Note that the dimensions of the push-up mechanism 50 are adjusted as appropriate depending on the size of the chip 23.

チップ23と突き上げ機構50との位置合わせは、フレーム固定機構14の位置を位置付け機構30(図1、図2参照)で調整することによって行われる。この位置合わせには、突き上げ機構50の上方に配置されたウェーハ撮像カメラ60(図1、図2参照)が用いられる。 The chip 23 and the push-up mechanism 50 are aligned by adjusting the position of the frame fixing mechanism 14 using the positioning mechanism 30 (see FIGS. 1 and 2). A wafer imaging camera 60 (see FIGS. 1 and 2) placed above the push-up mechanism 50 is used for this alignment.

ウェーハ撮像カメラ60は、開口4b上に配置されたウェーハ13(図3参照)の全体を撮像可能な位置に配置されている。ウェーハ撮像カメラ60によって取得されたウェーハ13の画像に基づき、所定のチップ23が突き上げ機構50と重なるようにフレーム固定機構14の位置が調整される。 The wafer imaging camera 60 is placed at a position where it can image the entire wafer 13 (see FIG. 3) placed above the opening 4b. Based on the image of the wafer 13 captured by the wafer imaging camera 60, the position of the frame fixing mechanism 14 is adjusted so that a predetermined chip 23 overlaps the push-up mechanism 50.

なお、突き上げ機構50の近傍には、ウェーハ13に向かって光を照射するライトを設けることが好ましい。ウェーハ撮像カメラ60でウェーハ13を撮影する際、ウェーハ13に光を照射することにより、鮮明な画像を取得することができる。なお、ライトが設けられる位置に制限はない。例えば、ライトは開口4bの底部に突き上げ機構50と隣接するように設けられる。また、突き上げ機構50を透明な部材によって形成するとともに、ライトを突き上げ機構50の内部に設けてもよい。 Note that it is preferable to provide a light that irradiates light toward the wafer 13 near the push-up mechanism 50. When photographing the wafer 13 with the wafer imaging camera 60, a clear image can be obtained by irradiating the wafer 13 with light. Note that there is no restriction on the position where the light is provided. For example, the light is provided at the bottom of the opening 4b adjacent to the push-up mechanism 50. Further, the push-up mechanism 50 may be formed of a transparent member, and a light may be provided inside the push-up mechanism 50.

図2に示すように、突き上げ機構50によって突き上げられたチップ23は、ピックアップ機構70によってピックアップされる。ピックアップ機構70は、突き上げ機構50によって突き上げられたチップ23をピックアップするコレット76を備えるとともに、コレット76の位置を制御するコレット移動機構(コレット移動手段)80に接続されている。 As shown in FIG. 2, the chip 23 pushed up by the pushing up mechanism 50 is picked up by the pickup mechanism 70. The pick-up mechanism 70 includes a collet 76 that picks up the chip 23 pushed up by the push-up mechanism 50, and is connected to a collet moving mechanism (collet moving means) 80 that controls the position of the collet 76.

図5は、ピックアップ機構70を示す斜視図である。ピックアップ機構70は、コレット移動機構80に接続される移動基台72と、移動基台72からコレット移動機構80とは反対側に向かってX軸方向に沿うように配置され、コレット76とコレット移動機構80とを接続する柱状のアーム74とを備える。アーム74は、移動基台72を介してコレット移動機構80と接続された柱状の第1支持部74aと、第1支持部74aの先端部から下方に向かって突出する第2支持部74bとを備える。 FIG. 5 is a perspective view showing the pickup mechanism 70. The pickup mechanism 70 includes a movable base 72 connected to the collet moving mechanism 80, and is arranged along the X-axis direction from the movable base 72 toward the side opposite to the collet moving mechanism 80. It includes a columnar arm 74 that connects to the mechanism 80. The arm 74 includes a columnar first support part 74a connected to the collet movement mechanism 80 via the movable base 72, and a second support part 74b protruding downward from the tip of the first support part 74a. Be prepared.

なお、第1支持部74aと第2支持部74bとは、互いに結合及び分離可能に構成されている。例えば、第1支持部74a及び第2支持部74bは、ツールチェンジャー等によって互いに着脱自在に構成される。また、第1支持部74aはX軸方向移動機構74cによりX軸方向に移動するように構成されており、これにより、第2支持部74bがX軸方向に移動可能に構成される。これにより、後述するチップトレイ501内への収容に際し、X軸方向の収容位置が選択可能となる。 Note that the first support portion 74a and the second support portion 74b are configured to be able to be coupled and separated from each other. For example, the first support portion 74a and the second support portion 74b are configured to be detachable from each other using a tool changer or the like. Further, the first support portion 74a is configured to move in the X-axis direction by an X-axis direction movement mechanism 74c, and thereby the second support portion 74b is configured to be movable in the X-axis direction. Thereby, when storing the chip in the chip tray 501 described later, the storing position in the X-axis direction can be selected.

図5に示すように、第2支持部74bの下端側には、チップ23(図3)を保持するコレット76が固定されている。コレット76の下面は、チップ23を吸引保持する吸引面76aを構成する。吸引面76aは、コレット76の内部に形成された吸引路(不図示)を介して吸引源(不図示)と接続されている。コレット76の吸引面76aにチップ23を接触させた状態で、吸引面76aに吸引源の負圧を作用させることにより、チップ23がコレット76によって吸引保持される。 As shown in FIG. 5, a collet 76 that holds the chip 23 (FIG. 3) is fixed to the lower end side of the second support portion 74b. The lower surface of the collet 76 constitutes a suction surface 76a that suctions and holds the chip 23. The suction surface 76a is connected to a suction source (not shown) via a suction path (not shown) formed inside the collet 76. With the chip 23 in contact with the suction surface 76a of the collet 76, by applying negative pressure from a suction source to the suction surface 76a, the chip 23 is suction-held by the collet 76.

図2に示すように、ピックアップ機構70は、コレット移動機構80に接続されている。コレット移動機構80は、ピックアップ機構70をY軸方向に沿って移動させるY軸移動機構82と、ピックアップ機構70をZ軸方向に沿って移動させるZ軸移動機構92とを備える。Y軸移動機構82及びZ軸移動機構92により、コレット76のY軸方向及びZ軸方向における位置が制御される。 As shown in FIG. 2, the pickup mechanism 70 is connected to a collet moving mechanism 80. The collet moving mechanism 80 includes a Y-axis moving mechanism 82 that moves the pickup mechanism 70 along the Y-axis direction, and a Z-axis moving mechanism 92 that moves the pickup mechanism 70 along the Z-axis direction. The Y-axis moving mechanism 82 and the Z-axis moving mechanism 92 control the position of the collet 76 in the Y-axis direction and the Z-axis direction.

Y軸移動機構82は、Y軸方向に沿って配置された一対のガイドレール84を備える。一対のガイドレール84の間には、一対のガイドレール84と概ね平行に配置されたボールねじ86が設けられている。また、ボールねじ86の一端部には、ボールねじ86を回転させるパルスモータ88が連結されている。 The Y-axis moving mechanism 82 includes a pair of guide rails 84 arranged along the Y-axis direction. A ball screw 86 is provided between the pair of guide rails 84 and is arranged generally parallel to the pair of guide rails 84 . Furthermore, a pulse motor 88 that rotates the ball screw 86 is connected to one end of the ball screw 86 .

一対のガイドレール84には、移動ブロック90がスライド可能に装着されている。また、移動ブロック90にはナット部(不図示)が設けられており、このナット部はボールねじ86に螺合されている。パルスモータ88によってボールねじ86を回転させると、移動ブロック90が一対のガイドレール84に沿ってY軸方向に移動する。 A moving block 90 is slidably mounted on the pair of guide rails 84. Further, the moving block 90 is provided with a nut portion (not shown), and this nut portion is screwed onto the ball screw 86. When the ball screw 86 is rotated by the pulse motor 88, the moving block 90 moves in the Y-axis direction along the pair of guide rails 84.

図2及び図5に示すように、Z軸移動機構92は、移動ブロック90の側面にZ軸方向に沿って配置された一対のガイドレール94を備える。一対のガイドレール94の間には、一対のガイドレール94と概ね平行に配置されたボールねじ96が設けられている。また、ボールねじ96の一端部には、ボールねじ96を回転させるパルスモータ98が連結されている。 As shown in FIGS. 2 and 5, the Z-axis moving mechanism 92 includes a pair of guide rails 94 arranged along the Z-axis direction on the side surface of the moving block 90. A ball screw 96 is provided between the pair of guide rails 94 and is arranged generally parallel to the pair of guide rails 94 . Furthermore, a pulse motor 98 that rotates the ball screw 96 is connected to one end of the ball screw 96 .

図5に示すように、一対のガイドレール94には、ピックアップ機構70の移動基台72がスライド可能に装着されている。また、移動基台72にはナット部(不図示)が設けられており、このナット部はボールねじ96に螺合されている。パルスモータ98によってボールねじ96を回転させると、移動基台72が一対のガイドレール94に沿ってZ軸方向に移動する。 As shown in FIG. 5, a movable base 72 of the pickup mechanism 70 is slidably mounted on the pair of guide rails 94. Further, the movable base 72 is provided with a nut portion (not shown), and this nut portion is screwed onto a ball screw 96. When the ball screw 96 is rotated by the pulse motor 98, the movable base 72 moves in the Z-axis direction along the pair of guide rails 94.

以上のように構成されたピックアップ機構70により、突き上げ機構50によって突き上げたチップ23(図3)をピックアップする。以下、ウェーハ13から所定のチップ23をピックアップする際の突き上げ機構50及びコレット76の動作例について説明する。 The pick-up mechanism 70 configured as described above picks up the chip 23 (FIG. 3) pushed up by the push-up mechanism 50. An example of the operation of the push-up mechanism 50 and the collet 76 when picking up a predetermined chip 23 from the wafer 13 will be described below.

図4(A)に示すように、まず、フレーム固定機構14によって固定されたウェーハユニット11を位置付け機構30によって移動させ、突き上げ機構50の上方に配置する。次いで、ウェーハ撮像カメラ60によって取得された画像に基づいて、ピックアップされる所定のチップ23と突き上げ機構50とが重なるように、フレーム固定機構14の位置を調整する。なお、このときピックアップ機構70のコレット76は、突き上げ機構50の上面50aと対向する位置(重なる位置)に配置される(図6(A)参照)。 As shown in FIG. 4A, first, the wafer unit 11 fixed by the frame fixing mechanism 14 is moved by the positioning mechanism 30 and placed above the push-up mechanism 50. Next, based on the image acquired by the wafer imaging camera 60, the position of the frame fixing mechanism 14 is adjusted so that the predetermined chip 23 to be picked up and the push-up mechanism 50 overlap. Note that at this time, the collet 76 of the pickup mechanism 70 is arranged at a position facing (overlapping) the upper surface 50a of the thrusting mechanism 50 (see FIG. 6(A)).

次に、図6(A)に示すように、突き上げ機構50を上方に移動させ、突き上げ機構50の上面50aをチップ23の裏面側に貼着されたテープ19に接触させる。この状態で、バルブ56を開き、吸引溝52b(図4(B)参照)を介して外層部52の上面52aに吸引源58の負圧を作用させる。これにより、テープ19の突き上げ機構50と接触する領域が吸引される。図6(A)は、突き上げ機構50によってテープ19が吸引された状態のウェーハユニット11を示す断面図である。 Next, as shown in FIG. 6A, the push-up mechanism 50 is moved upward to bring the upper surface 50a of the push-up mechanism 50 into contact with the tape 19 attached to the back side of the chip 23. In this state, the valve 56 is opened, and the negative pressure of the suction source 58 is applied to the upper surface 52a of the outer layer portion 52 via the suction groove 52b (see FIG. 4(B)). As a result, the area of the tape 19 in contact with the push-up mechanism 50 is attracted. FIG. 6A is a cross-sectional view showing the wafer unit 11 in a state where the tape 19 is sucked by the push-up mechanism 50.

次に、図6(B)に示すように、突き上げ機構50の突き上げ部54を上方に移動させ、テープ19を介してチップ23の下面側を上方に向かって突き上げる。このとき、突き上げ部54を構成する第1突き上げピン54a、第2突き上げピン54b、第3突き上げピン54c、第4突き上げピン54d(図4(B)参照)はそれぞれ、上端が突き上げ機構50の中心に近いほど上方に配置されるように移動する。突き上げ機構50によって突き上げられたチップ23は、他のチップ23よりも上方に配置された状態となる。 Next, as shown in FIG. 6(B), the push-up portion 54 of the push-up mechanism 50 is moved upward, and the lower surface side of the chip 23 is pushed upward via the tape 19. At this time, each of the first push-up pin 54a, second push-up pin 54b, third push-up pin 54c, and fourth push-up pin 54d (see FIG. 4(B)) that constitute the push-up portion 54 has its upper end at the center of the push-up mechanism 50. The closer it is to the position, the higher the position is. The chip 23 pushed up by the pushing up mechanism 50 is placed above the other chips 23.

次に、図6(C)に示すように、ピックアップ機構70を下方に移動させ、突き上げられたチップ23と重なるように配置されたコレット76の吸引面76aを、突き上げ機構50によって突き上げられたチップ23の上面側に接触させる。そして、コレット76の吸引面76aとチップ23とが接触した状態で、吸引面76aに負圧を作用させる。これにより、チップ23がコレット76によって吸引保持される。この状態でピックアップ機構70を上方に移動させると、チップ23がテープ19から剥離され、コレット76によってピックアップされる。 Next, as shown in FIG. 6(C), the pickup mechanism 70 is moved downward, and the suction surface 76a of the collet 76, which is arranged to overlap with the chip 23 that has been pushed up, Make contact with the upper surface side of 23. Then, with the suction surface 76a of the collet 76 and the chip 23 in contact with each other, negative pressure is applied to the suction surface 76a. As a result, the chip 23 is sucked and held by the collet 76. When the pickup mechanism 70 is moved upward in this state, the chip 23 is peeled off from the tape 19 and picked up by the collet 76.

なお、テープ19が紫外線の照射によって接着力が低下する性質を有する場合、突き上げ機構50の上面50a側(図4)には紫外線を照射する光源が備えられていてもよい。この場合、突き上げ機構50をテープ19と接触させる際に(図6(A)参照)、テープ19のうちピックアップされるチップ23の下側に位置する領域のみに紫外線を照射し、テープ19の接着力を部分的に弱めることができる。これにより、所定のチップ23のピックアップが容易になるとともに、テープ19の紫外線が照射されていない領域の接着力によって他のチップ23の配置が維持される。 Note that if the tape 19 has a property that its adhesive strength is reduced by irradiation with ultraviolet rays, a light source for irradiating ultraviolet rays may be provided on the upper surface 50a side (FIG. 4) of the push-up mechanism 50. In this case, when the push-up mechanism 50 is brought into contact with the tape 19 (see FIG. 6A), ultraviolet rays are irradiated only to the region of the tape 19 located below the chip 23 to be picked up, and the tape 19 is bonded. Power can be partially weakened. This makes it easy to pick up a predetermined chip 23, and the arrangement of other chips 23 is maintained by the adhesive strength of the area of the tape 19 that is not irradiated with ultraviolet rays.

また、突き上げ機構50の上面50a側、又はコレット76の吸引面76a側には、チップ23にかかる荷重を測定するためのロードセルが設けられていてもよい。この場合、チップ23をピックアップする際にチップ23にかかる荷重をロードセルによって測定できる。そして、ロードセルによって測定された荷重に基づき、例えば、チップ23がピックアップ時に破損したか否かを確認したり、ピックアップの条件(チップ23をピックアップする際のコレット76の高さ等)を適切に変更したりすることが可能となる。 Further, a load cell for measuring the load applied to the chip 23 may be provided on the upper surface 50a side of the push-up mechanism 50 or on the suction surface 76a side of the collet 76. In this case, the load applied to the chip 23 when picking up the chip 23 can be measured by a load cell. Based on the load measured by the load cell, for example, it is checked whether or not the chip 23 is damaged during pickup, and the pickup conditions (such as the height of the collet 76 when picking up the chip 23) are appropriately changed. It becomes possible to do.

なお、チップ23がピックアップされた後のウェーハユニット11は、再度仮置台4aに収容されてもよい。この場合は、まず、フレーム固定機構14を仮置き機構10の後方に移動させ、フレーム固定機構14による環状フレーム21の固定を解除する。 Note that the wafer unit 11 after the chips 23 have been picked up may be accommodated in the temporary storage stand 4a again. In this case, first, the frame fixing mechanism 14 is moved to the rear of the temporary storage mechanism 10, and the fixation of the annular frame 21 by the frame fixing mechanism 14 is released.

その後、搬送機構20の第2把持部22b(図1参照)でウェーハユニット11の端部を把持し、ウェーハユニット11を仮置き機構10が備える一対の第2支持面12b上に搬送する。そして、搬送機構20の第1把持部22aでウェーハユニット11の端部を把持し、ウェーハユニット11を仮置台4aに収容する。 Thereafter, the end portion of the wafer unit 11 is gripped by the second gripping portion 22b (see FIG. 1) of the transport mechanism 20, and the wafer unit 11 is transported onto the pair of second support surfaces 12b provided in the temporary placement mechanism 10. Then, the end portion of the wafer unit 11 is gripped by the first gripping portion 22a of the transport mechanism 20, and the wafer unit 11 is housed in the temporary storage table 4a.

コレット76によってピックアップされたチップ23は、コレット移動機構80によって前方に搬送される。そして、図1に示すように、突き上げ機構50の前方には、コレット76によってピックアップされたチップ23の分割面(切断面)を観察して分割面の粗さを検出するための検出機構100が設けられている。 The chips 23 picked up by the collet 76 are transported forward by the collet moving mechanism 80. As shown in FIG. 1, in front of the push-up mechanism 50, there is a detection mechanism 100 for observing the divided surface (cut surface) of the chip 23 picked up by the collet 76 and detecting the roughness of the divided surface. It is provided.

図2及び図7(A)に示すように、検出機構100は、チップ23の分割面の粗さを検出する検出ユニット116と、チップ支持台114と、を有して構成される。 As shown in FIGS. 2 and 7A, the detection mechanism 100 includes a detection unit 116 that detects the roughness of the divided surface of the chip 23 and a chip support 114.

図7(A)に示すように、コレット76によってピックアップされたチップ23は、チップ支持台114の支持面114aの上面に搬送される。 As shown in FIG. 7A, the chip 23 picked up by the collet 76 is conveyed to the upper surface of the support surface 114a of the chip support stand 114.

図7(A)に示すように、検出ユニット116は、チップ支持台114の支持面114aに載置されたチップ23の分割面の粗さを検出するものであり、共焦点顕微鏡や白色干渉計を採用することができる。検出ユニット116は、検出時においてチップ23に対する距離を所定ピッチで近接させる、あるいは、離反させることで、分割面の粗さを検出するように構成される。チップ23に対する距離の変更は、図示せぬ移動手段により検出ユニット116全体を移動させる構成、あるいは、検出ユニット116の内部に設けた検出部を移動させる構成を採用することができる。 As shown in FIG. 7A, the detection unit 116 detects the roughness of the divided surface of the chip 23 placed on the support surface 114a of the chip support stand 114, and uses a confocal microscope or a white interferometer to can be adopted. The detection unit 116 is configured to detect the roughness of the divided surface by moving the chip 23 closer to or away from the chip 23 at a predetermined pitch during detection. The distance to the chip 23 can be changed by moving the entire detection unit 116 using a moving means (not shown) or by moving a detection section provided inside the detection unit 116.

図7(A)に示すように、チップ支持台114は、軸方向Rを中心として回転可能に構成されており、例えば、90度間隔で回転することで、チップ23の各分割面を検出ユニット116に対向させることができるようになっている。なお、図2に示すように、検査ユニット2の基台4には、コレット76の移動経路と重なる領域にチップ支持台114が設けられているため、コレット76によってチップ23をチップ支持台114上に配置できる。 As shown in FIG. 7(A), the chip support stand 114 is configured to be rotatable around the axial direction R. For example, by rotating at 90 degree intervals, each divided surface of the chip 23 is connected to the detection unit. 116. As shown in FIG. 2, the base 4 of the inspection unit 2 is provided with a chip support 114 in an area that overlaps with the moving path of the collet 76. It can be placed in

そして、図7(A)に示すように、チップ支持台114によって支持されたチップ23の一つ目の分割面の粗さが検出ユニット116によって検出される。ここで観察されるチップ23の一つの目の分割面は四つの分割面のうちの一つの分割面23aであり、この分割面23aが検出ユニット116と対向することで、一つ目の分割面23aの粗さが検出される。なお、分割面23aが傾き、検出ユニット116の焦点が合わせ難い場合には、チップ支持台114の角度調整により補正が行えることとしてもよい。 Then, as shown in FIG. 7A, the detection unit 116 detects the roughness of the first divided surface of the chip 23 supported by the chip support stand 114. The first dividing surface of the chip 23 observed here is one dividing surface 23a among the four dividing surfaces, and this dividing surface 23a faces the detection unit 116, so that the first dividing surface The roughness of 23a is detected. Note that if the dividing surface 23a is tilted and it is difficult to focus the detection unit 116, correction may be made by adjusting the angle of the chip support 114.

その後、チップ支持台114を順次90度回転させつつ、他の分割面23b,23cが順次観察される。このようにして、チップ23の分割面(例えば、チップ23の4辺の分割面)が観察され、分割面の表面の粗さが検出される。 Thereafter, the other dividing surfaces 23b and 23c are sequentially observed while the chip support stand 114 is sequentially rotated by 90 degrees. In this way, the dividing surface of the chip 23 (for example, the dividing surfaces on the four sides of the chip 23) is observed, and the surface roughness of the dividing surface is detected.

以上のようにして、検出機構100により分割面が観察され、表面の粗さが検出されたチップ23は、再びコレット76にピックアップされ、図2に示すように、検査ユニット2の基台上のチップ支持台114の近傍に設けられたチップトレイ501の所定の置き場に搬送される。 As described above, the chip 23 whose divided surface has been observed by the detection mechanism 100 and whose surface roughness has been detected is again picked up by the collet 76 and placed on the base of the inspection unit 2 as shown in FIG. The chips are transported to a predetermined location on a chip tray 501 provided near the chip support stand 114.

なお、上述した図7(A)で示す構成の他に、図7(B)に示すように、コレット76を軸方向Rを中心として回転させる構成とし、コレット76でチップ23を保持したまま、チップ23の分割面23a,23b,23c(全部で4つの分割面)を順次検出ユニット116に対向させる構成としてもよい。この構成によれば、チップ支持台114が省略可能となるとともに、装置全体のスループットを向上させることができる。また、この場合、チップ23をチップ支持台114(図7(A)参照)で支持することなくチップ23の側面を観察できるため、チップ23をチップ支持台114上に配置することによってチップ23の下面側が傷つくことを防止できる。 In addition to the configuration shown in FIG. 7A described above, as shown in FIG. The divided surfaces 23a, 23b, and 23c (four divided surfaces in total) of the chip 23 may be arranged to face the detection unit 116 in sequence. According to this configuration, the chip support stand 114 can be omitted, and the throughput of the entire apparatus can be improved. In addition, in this case, since the side surface of the chip 23 can be observed without supporting the chip 23 on the chip support stand 114 (see FIG. 7(A)), the side surface of the chip 23 can be observed by placing the chip 23 on the chip support stand 114. This will prevent the bottom side from being damaged.

次に、検出したチップの分割面の表面の粗さに基づいて装置の異常判断を行うことについて説明する。
図8は、異常判断を行うための装置構成例について示す機能ブロック図であり、図9は異常判断の一例について示すフローチャートである。
図8及び図9に示すように、コントローラ601は、検出ユニット116により一つ目の分割面の粗さを検出し(S101)、表面の粗さを随時記憶部602に保存する。
Next, a description will be given of how an abnormality of the apparatus is determined based on the detected surface roughness of the divided surface of the chip.
FIG. 8 is a functional block diagram illustrating an example of a device configuration for determining an abnormality, and FIG. 9 is a flowchart illustrating an example of determining an abnormality.
As shown in FIGS. 8 and 9, the controller 601 detects the roughness of the first divided surface using the detection unit 116 (S101), and stores the surface roughness in the storage unit 602 as needed.

次いで、異常判断部603により異常判断を行うプログラムを実行し、予め記憶された表面の粗さの基準値Aと、1つ目の分割面の表面の粗さの実測値Bの比較が行われる(S102)。 Next, the abnormality determining unit 603 executes a program for determining an abnormality, and a pre-stored reference value A of surface roughness is compared with an actual measured value B of the surface roughness of the first divided surface. (S102).

異常判断部603は、実測値Bが、基準値Aに許容値Cを加えた数値よりも大きい場合、つまり、表面の粗さが基準と比較して許容範囲外であると判定された場合には、異常が生じているものと判定し、その結果をコントローラ601に出力する(S103)。 The abnormality determination unit 603 determines that when the actual measurement value B is larger than the value obtained by adding the tolerance value C to the reference value A, that is, when it is determined that the surface roughness is outside the tolerance range compared to the reference value. determines that an abnormality has occurred, and outputs the result to the controller 601 (S103).

異常判定を受信したコントローラ601は、ダイシングユニット302(図1)のモニター352に、ダイシングユニット302に異常発生の警告を表示する(S104)。これに加え、検査ユニット2の外装カバー(不図示)に設けたモニター353(図1)に異常発生の警告を表示することとしてもよい。あるいは、検査ユニット2に設けたモニター353にのみ警告表示をすることや、図示せぬ他の警報発信ユニット(スピーカー、表示灯等)から警報が発せられることとしてもよい。 Upon receiving the abnormality determination, the controller 601 displays a warning of the occurrence of an abnormality in the dicing unit 302 on the monitor 352 of the dicing unit 302 (FIG. 1) (S104). In addition to this, a warning of the occurrence of an abnormality may be displayed on the monitor 353 (FIG. 1) provided on the exterior cover (not shown) of the inspection unit 2. Alternatively, the warning may be displayed only on the monitor 353 provided in the inspection unit 2, or the warning may be issued from another alarm transmitting unit (speaker, indicator light, etc.) not shown.

異常判断部603は、実測値Bが、基準値Aに許容値Cを加えた数値未満である場合、つまり、表面の粗さが基準と比較して許容範囲内であると判定された場合には、異常は生じていないものと判定し、その結果をコントローラ601に出力する。コントローラ601は、当該チップについて4つの全ての分割面について異常判断が完了したか否かを判定し(S105)、完了していない場合には、次の分割面について検出を行うために、チップ支持台114、又は、コレット76を制御してチップを回転させる(S106)。 The abnormality determination unit 603 determines that when the actual measurement value B is less than the value obtained by adding the tolerance value C to the reference value A, that is, when it is determined that the surface roughness is within the tolerance range compared to the reference value. determines that no abnormality has occurred, and outputs the result to the controller 601. The controller 601 determines whether abnormality determination has been completed for all four division planes for the chip (S105), and if it has not been completed, the controller 601 moves the chip support to detect the next division plane. The chip is rotated by controlling the stand 114 or the collet 76 (S106).

コントローラ601は、チップの4つの全ての分割面について異常判断が完了したと判定した場合には(S105)、異常は生じていないものとして正常判定を行い、次のチップについて分割面の表面粗さの検出を行い、異常判断を行う。 If the controller 601 determines that the abnormality determination has been completed for all four divided surfaces of the chip (S105), it determines that there is no abnormality and determines the surface roughness of the divided surface for the next chip. Detects and determines abnormality.

なお、一つのチップについて4つの全ての分割面について異常判断を行うのではなく、1つの分割面や2つの分割面についてのみ表面粗さを検出することで、異常判断を行うこととしてもよい。 It should be noted that instead of determining the abnormality for all four dividing surfaces for one chip, the abnormality determination may be made by detecting the surface roughness of only one dividing surface or two dividing surfaces.

また、異常判断部603において、即時停止値を設定することとし、実測値Bが即時停止値を超えた場合には、コントローラ601に対し、装置を停止させるための指令を出力することとしてもよい。 Further, an immediate stop value may be set in the abnormality determination unit 603, and if the actual value B exceeds the immediate stop value, a command may be output to the controller 601 to stop the device. .

また、コントローラ601は、モニター353(図1)に実測値Bを表示することで、分割面の表面の粗さをリアルタイムでモニタリングすることが可能となる。なお、検出ユニット116が分割面を撮像するカメラを備える構成としてもよく、その場合には、実測値Bとともに、検出ユニット116で撮像した画像も合わせて表示させてもよい。 Further, the controller 601 can monitor the surface roughness of the divided plane in real time by displaying the actual measurement value B on the monitor 353 (FIG. 1). Note that the detection unit 116 may include a camera that captures an image of the divided plane, and in that case, the image captured by the detection unit 116 may be displayed together with the actual measurement value B.

以上のようにして、チップの分割面の表面の粗さに基づく異常判断を実施することが可能となる。なお、分割面の表面の粗さのパラメータの定義については、特に限定されるものではなく、上述したような検出ユニット116(顕微鏡の焦点深度を利用して粗さを検出するもの)で検出される値を利用する他、表面の粗さの大/小を判別できる方法であれば、特に方法を限定するものではない。 In the manner described above, it is possible to determine an abnormality based on the surface roughness of the dividing surface of the chip. Note that the definition of the parameter of the surface roughness of the divided surface is not particularly limited, and it can be detected by the detection unit 116 (which detects the roughness using the depth of focus of the microscope) as described above. The method is not particularly limited as long as it is possible to determine whether the surface roughness is large or small, in addition to using the value of the surface roughness.

以上のようにして本発明を実現することができる。
即ち、図1乃至3に示すように、
保持テーブル318で保持された被加工物(チップ23(図3))をダイシングするダイシングユニット302の診断方法であって、
該被加工物を該保持テーブル318で保持する保持ステップと、
該保持ステップで保持された該被加工物を該切ダイシングユニット302でダイシングして個片化するダイシングステップと、
該ダイシングステップで個片化された該被加工物の分割面23a(図7(B))の表面の粗さを検出する検出ステップと、
該検出ステップを実施した後、該分割面の表面の粗さが所定の許容範囲外のときに該ダイシングユニットは異常であると判定する異常判断ステップと、
を含むダイシングユニットの診断方法とするものである。
The present invention can be realized as described above.
That is, as shown in FIGS. 1 to 3,
A method for diagnosing a dicing unit 302 that dices a workpiece (chip 23 (FIG. 3)) held by a holding table 318, comprising:
a holding step of holding the workpiece on the holding table 318;
a dicing step in which the workpiece held in the holding step is diced into pieces by the cutting and dicing unit 302;
a detection step of detecting the surface roughness of the dividing surface 23a (FIG. 7(B)) of the workpiece cut into pieces in the dicing step;
After performing the detection step, an abnormality determination step of determining that the dicing unit is abnormal when the surface roughness of the dividing surface is outside a predetermined tolerance range;
This is a method for diagnosing a dicing unit including:

また、図1、及び、図8に示すように、
保持テーブル301で保持された該被加工物をダイシングするダイシングユニット302と、
該ダイシングユニット302で個片化された被加工物(チップ23(図3))の分割面(図7(B))の表面の粗さを検出する検出ユニット2と、
該検出ユニットとを制御するコントローラ601(図8)と、
を備えるダイシングシステム301であって、
該コントローラ601は、
該検出ユニットで検出された該分割面の表面の粗さと、予め設定された粗さの許容範囲と、を比較して該粗さが所定の許容範囲外のときに該ダイシングユニット302は異常であると判定する異常判断部603を含む、ダイシングシステムとするものである。
Moreover, as shown in FIGS. 1 and 8,
a dicing unit 302 that dices the workpiece held on a holding table 301;
a detection unit 2 that detects the surface roughness of the dividing surface (FIG. 7(B)) of the workpiece (chip 23 (FIG. 3)) cut into pieces by the dicing unit 302;
a controller 601 (FIG. 8) that controls the detection unit;
A dicing system 301 comprising:
The controller 601 is
The dicing unit 302 compares the surface roughness of the divided surface detected by the detection unit with a preset roughness tolerance range, and when the roughness is outside the predetermined tolerance range, the dicing unit 302 determines that the dicing unit 302 is abnormal. The dicing system includes an abnormality determination unit 603 that determines that there is an abnormality.

以上のようにして、チップの分割面の表面の粗さが許容範囲外となったときには、異常と判定され、強度の低いチップが形成されることを防止し、ひいては、不良デバイスを生産し続けてしまうことを防止することが可能となる。 As described above, when the surface roughness of the dividing surface of the chip falls outside of the allowable range, it is determined to be abnormal, preventing the formation of chips with low strength, and, in turn, continuing to produce defective devices. It is possible to prevent this from happening.

2 検査ユニット
4a 仮置台
5 搬送装置
10 仮置き機構
11 ウェーハユニット
12 ガイドレール
13 ウェーハ
14 フレーム固定機構
15 デバイス
23 チップ
80 コレット移動機構
82 Y軸移動機構
90 移動ブロック
92 Z軸移動機構
100 検出機構
114 チップ支持台
116 検出ユニット
301 ダイシングシステム
302 ダイシングユニット
353 モニター
501 チップトレイ
601 コントローラ
602 記憶部
603 異常判断部
2 Inspection unit 4a Temporary storage table 5 Transport device 10 Temporary storage mechanism 11 Wafer unit 12 Guide rail 13 Wafer 14 Frame fixing mechanism 15 Device 23 Chip 80 Collet movement mechanism 82 Y-axis movement mechanism 90 Movement block 92 Z-axis movement mechanism 100 Detection mechanism 114 Chip support stand 116 Detection unit 301 Dicing system 302 Dicing unit 353 Monitor 501 Chip tray 601 Controller 602 Storage unit 603 Abnormality determination unit

Claims (4)

保持テーブルで保持された被加工物をダイシングするダイシングユニットの診断方法であって、
該被加工物を該保持テーブルで保持する保持ステップと、
該保持ステップで保持された該被加工物を該ダイシングユニットでダイシングして個片化するダイシングステップと、
該ダイシングステップで分割された該被加工物の分割面の粗さを検出する検出ステップと、
該検出ステップを実施した後、該分割面の粗さが所定の許容範囲外のときにダイシングユニットは異常であると判定する異常判断ステップと、
を含み、
該検出ステップでは、該被加工物の複数の分割面の少なくとも一つの粗さを検出するものであり
該検出ステップでは、
チップ支持台にて該被加工物を下から支持し、
該チップ支持台を順次回転させつつ、複数の分割面の粗さが順次観察される、
ことを特徴とする、イシングユニットの診断方法。
A method for diagnosing a dicing unit that dices a workpiece held on a holding table, the method comprising:
a holding step of holding the workpiece on the holding table;
a dicing step in which the workpiece held in the holding step is diced into pieces by the dicing unit;
a detection step of detecting the roughness of the dividing surface of the workpiece divided in the dicing step;
After performing the detection step, an abnormality determination step of determining that the dicing unit is abnormal when the roughness of the divided surface is outside a predetermined tolerance range;
including;
In the detection step, the roughness of at least one of the plurality of dividing surfaces of the workpiece is detected ,
In the detection step,
Supporting the workpiece from below on a chip support stand,
The roughness of the plurality of divided surfaces is sequentially observed while the chip support is sequentially rotated.
A method for diagnosing a dicing unit, characterized by:
該検出ステップでは、
コレットにて該被加工物を上から支持し、
該コレットを順次回転させつつ、複数の分割面の粗さが順次観察される、
ことを特徴とする、請求項1に記載のダイシングユニットの診断方法。
In the detection step,
Supporting the workpiece from above with a collet,
The roughness of the plurality of dividing surfaces is sequentially observed while the collet is sequentially rotated.
The method for diagnosing a dicing unit according to claim 1, characterized in that:
保持テーブルで保持された加工物をダイシングするダイシングユニットと、
該ダイシングユニットで個片化された被加工物の分割面の粗さを検出する検出ユニットと、
該検出ユニットを制御するコントローラと、
を備えるダイシングシステムであって、
該コントローラは、
該検出ユニットで検出された該分割面の粗さと、予め設定された粗さの許容範囲と、を比較して該粗さが所定の許容範囲外のときに該ダイシングユニットは異常であると判定する異常判断部を含み、
該検出ユニットは、該被加工物の複数の分割面の少なくとも一つの粗さを検出するものであり
ダイシングシステムは、更に、
該被加工物を下から支持するチップ支持台を有し、
該チップ支持台を順次回転させつつ、複数の分割面の粗さを順次観察する、
ことを特徴とする、ダイシングシステム。
a dicing unit that dices a workpiece held on a holding table;
a detection unit that detects the roughness of the dividing surface of the workpiece cut into pieces by the dicing unit;
a controller that controls the detection unit;
A dicing system comprising:
The controller is
The roughness of the divided surface detected by the detection unit is compared with a preset roughness tolerance range, and when the roughness is outside the predetermined tolerance range, the dicing unit is determined to be abnormal. It includes an abnormality judgment section that
The detection unit detects the roughness of at least one of the plurality of dividing surfaces of the workpiece,
The dicing system further includes:
It has a chip support stand that supports the workpiece from below,
Sequentially observing the roughness of the plurality of dividing surfaces while sequentially rotating the chip support;
A dicing system characterized by:
該被加工物を上から支持するコレットを有し、
該コレットを順次回転させつつ、複数の分割面の粗さを順次観察する、
ことを特徴とする、請求項に記載のダイシングシステム。
It has a collet that supports the workpiece from above,
Sequentially observing the roughness of the plurality of dividing surfaces while sequentially rotating the collet;
The dicing system according to claim 3 , characterized in that:
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