JP7422884B2 - はんだ付けシステム、およびはんだ付け方法 - Google Patents

Description

本開示は、はんだ付けシステム、およびはんだ付け方法に関する。

従来から、基板のはんだ付けを行うに際して塗布されるフラックスの残渣による不具合を回避することを目的として装置が知られている。

たとえば、特許文献１に記載の装置は、プリヒータの直後と、噴流はんだ槽の後とに、それぞれ非接触式温度センサを備える。特許文献１に記載の装置は、プリヒータの直後の非接触式温度センサで測定した基板の温度を予め設定した最適温度と比較し、比較結果に基づいてプリヒータの温度を制御する。特許文献１に記載の装置は、噴流はんだ槽の直後の非接触式温度センサで測定した基板の温度を予め設定した最適温度と比較し、比較結果に基づいて、基板の搬送速度、はんだの温度、およびプリヒータの温度を制御する。

特開平７－１４２８５２号公報

しかしながら、基板に当たるはんだ噴流の強さが基板ごとに相違することがある。その結果、はんだ付けの結果が不良となる基板が発生することがある。

それゆえに、本開示の目的は、はんだ付け中における基板へ当たるはんだ噴流の強さを判定することができるはんだ付けシステム、およびはんだ付け方法を提供することである。

本開示のはんだ付けシステムは、基板にフラックスを塗布するフラックス塗布機と、基板を予熱するプリヒータと、溶融はんだを貯留するはんだ槽と、はんだ槽内のはんだを溶融させるはんだ槽ヒータと、基板に向けてはんだ槽内の溶融はんだを噴流する噴流ノズルと、基板をフラックス塗布機の上方である第１の位置、プリヒータの上方である第２の位置、はんだ槽の上方である第３の位置に順次搬送する搬送機構と、噴流ノズルの上方に配置された第１の非接触変位計および第１の非接触温度計と、基板のはんだ付け中における第１の非接触変位計の計測結果に基づいて、基板のはんだ付け中における基板の反りを判定するとともに、基板のはんだ付け中における第１の非接触温度計の計測結果に基づいて、基板のはんだ付け中における基板の温度を判定する制御装置とを備える。

本開示のはんだ付け方法は、フラックス塗布機と、プリヒータと、はんだ槽と、噴流ノズルと、搬送機構と、噴流ノズルの上方に配置された第１の非接触変位計および第１の非接触温度計と、制御装置とを備えたはんだ付けシステムにおけるはんだ付け方法であって、フラックス塗布機が、基板にフラックスを塗布するステップと、プリヒータが、基板を予熱するステップと、噴流ノズルが、基板に向けてはんだ槽内の溶融はんだを噴流するステップと、搬送機構が、基板をフラックス塗布機の上方である第１の位置、プリヒータの上方である第２の位置、はんだ槽の上方である第３の位置に順次搬送するステップと、制御装置が、基板のはんだ付け中における第１の非接触変位計の計測結果に基づいて、基板のはんだ付け中における基板の反りを判定するとともに、基板のはんだ付け中における第１の非接触温度計の計測結果に基づいて、基板のはんだ付け中における基板の温度を判定するステップとを備える。

本開示によれば、はんだ付け中における基板へ当たるはんだ噴流の強さを判定することができる。

実施の形態１のはんだ付けシステム１を示す概略図である。 （ａ）は、調整前の「噴流ノズルの高さ」と、はんだ付け不良率との相関データの例を表わす図である。（ｂ）は、調整前の「はんだ噴流の高さ」と、はんだ付け不良率との相関データの例を表わす図である。（ｃ）は、「基板の反り」と、はんだ付け不良率との相関データの例を表わす図である。（ｄ）は、「基板の温度」と、はんだ付け不良率との相関データの例を表わす図である。 実施の形態１におけるはんだ付けシステム１の処理手順を表わすフローチャートである。 実施の形態１におけるはんだ付けシステム１の処理手順を表わすフローチャートである。 「生産準備状態」のはんだ付けシステム１を示す概略図である。 （ａ）～（ｃ）は、はんだ噴流の高さ１９に対する、基板１０とはんだ噴流との相対位置関係を示す概略図である。 （ａ）～（ｃ）は、基板１０の反りと、基板１０と噴流ノズル１３（２次ノズル１３ｂ）との距離との関係を説明するための図である。 実施の形態２のはんだ付けシステムを示す概略図である。 実施の形態３のはんだ付けシステムを示す概略図である。 実施の形態４のはんだ付けシステムを示す概略図である。 実施の形態５のはんだ付けシステムを示す概略図である。 学習装置１０１の構成を表わす図である。 ニューラルネットワークの構成を表わす図である。 学習装置１０１の学習処理に関するフローチャートである。 推論装置１２１の構成を表わす図である。 推論装置１２１の推論処理および制御装置９の制御処理に関するフローチャートである。 実施の形態６における非接触温度計７ａによる温度測定の事例を示す図である。 基板１０の測定温度と、ある部品Ａの測定温度の例を表わす図である。 制御装置９のハードウェア構成を表わす図である。

以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
実施の形態１．
図１は、実施の形態１のはんだ付けシステム１を示す概略図である。

はんだ付けシステム１は、搬送機構２、フラックス塗布機３、プリヒータ４、はんだ槽５、噴流ノズル１３、噴流モータ１５、はんだ槽ヒータ１４、非接触変位計６、非接触温度計７、基板検知センサ８、および制御装置９を備える。

フラックス塗布機３は、基板１０の下面（はんだ付け面）に対して、フラックス１１を塗布する。フラックス１１を塗布する工法として、スプレー式、発泡式、または浸漬式を用いることができる。フラックス１１を塗布する工法としてスプレー式を用いる場合には、フラックス塗布機３は、２流体ノズルを備える。フラックス塗布機３は、フラックス液と圧縮空気とを混合して、混合物を２流体ノズルから基板１０に向けて噴射する。２流体ノズルが、基板１０の搬送方向に対して垂直な方向に往復移動することによって、基板１０の全面にフラックス１１が塗布される。

フラクサー制御部１８は、フラックス１１の塗布量を制御する。フラックス１１の塗布量（以下、フラックスの塗布量）は、フラックス液の流量、圧縮空気の圧力、および２流体ノズルの移動速度によって決定される。フラックスの塗布量は、フラックス塗布機３内のノズルの詰まり具合、フラックス塗布機３の動作のばらつき、およびフラックス塗布機３内の排気ファンの排気量のばらつきなどによって、変動する。フラックスの塗布量が多くなると、プリヒータ４での予熱工程において、溶剤の蒸発に要する時間が長くなるので、基板１０の温度が十分に上がらない。その結果、基板１０の反り量が想定よりも小さくなる。フラックスの塗布量が少なくなると、プリヒータ４での予熱工程において、溶剤がすぐに揮発するので、基板１０の温度が高くなり過ぎる。その結果、基板１０の反り量が大きくなる。

プリヒータ４は、基板１０を予熱する。予熱の目的は、フラックス１１の溶剤を揮発させ、かつはんだ付け前に基板１０を加熱することよって、フラックス１１の酸化膜除去効果を発揮するとともに、はんだ付けを良好にすることである。加熱手段として、赤外線、遠赤外線、または熱風などを用いることができる。基板１０の下面（はんだ付け面）のみを加熱してもよいし、基板１０の上面（非はんだ付け面、部品面）も加熱してもよい。

はんだ槽５は、溶融はんだ１２を貯留する。
噴流ノズル１３は、はんだ槽５と接続する。噴流ノズル１３は、はんだ槽５内の溶融はんだ１２を噴流し、基板１０の下面を溶融はんだ１２に接触させる。これによって基板１０へのはんだ付けが実施される。噴流ノズル１３は、１次ノズル１３ａと２次ノズル１３ｂとを含む。１次ノズル１３ａは、荒れた波を形成し、基板１０のはんだ付け面の隅々まで溶融はんだを供給する。２次ノズル１３ｂは、整った波を形成し、適切な量のはんだを基板１０に付着させる。

はんだ槽ヒータ１４は、はんだ槽５内のはんだを溶融させる。
噴流モータ１５は、インペラを回転させ、はんだ槽５から噴流ノズル１３に溶融はんだ１２を送り込む。

搬送機構２は、基板１０を図１の矢印で示す方向に搬送する。搬送機構２は、基板１０をフラックス塗布機３の上方である第１の位置、プリヒータ４の上方である第２の位置、はんだ槽５の上方である第３の位置に順次搬送する。基板１０の搬送角度は、たとえば約３～５度である。

基板検知センサ８は、はんだ槽５の上方である第３の位置よりも手前の上方に配置される。基板検知センサ８の計測方式として、赤外線方式、超音波方式、または電磁式を用いることができる。制御装置９は、基板検知センサ８の計測結果に基づいて、基板検知センサ８が配置されている箇所の下方の箇所を基板１０が通過したか否かを判定することができる。実施の形態１では、基板検知センサ８は、プリヒータ４の上方である第２の位置と、はんだ槽５の上方である第３の位置との間の領域の上方に配置される。

非接触変位計６は、１次ノズル１３ａまたは２次ノズル１３ｂの上方に配置される。
非接触変位計６を１次ノズル１３ａの上方に配置した場合には、はんだが基板１０と部品の電極に付着しない「未はんだ不良」、および基板１０のスルーホールとスルーホールに挿入された部品の電極にはんだが十分入らない「はんだ上がり不足」を主に防止できる。非接触変位計６を２次ノズル１３ｂの上方に配置した場合には、「はんだ上がり不足」に加えて、端子間にはんだが繋がる「ブリッジ不良」、およびはんだ量が過剰となる「はんだ過多不良」を防止できる。

非接触変位計６の計測方式としては、レーザ方式、超音波方式、または電磁波方式を用いることができる。

非接触温度計７は、１次ノズル１３ａまたは２次ノズル１３ｂの上方に配置される。非接触温度計７は、たとえば赤外線カメラ、または放射温度計によって構成される。たとえば、非接触温度計７は、非接触変位計６より基板搬送方向の後方側に配置するとよい。非接触変位計６により、生産中の基板１０の反りを先に測定することができるため、生産中の基板１０に対しても基板反り量及び非接触温度計７による基板温度に基づいて、はんだ噴流高さを制御できる。ただし、非接触温度計７の配置は、この限りではない。

制御装置９は、はんだ付けシステムが噴流ノズル１３からはんだが噴流されていない「生産準備状態」における非接触変位計６の計測結果に基づいて、１次ノズル１３ａまたは２次ノズル１３ｂの高さ（以下、「噴流ノズルの高さ」）を判定する。「噴流ノズルの高さ」は、１次ノズル１３ａまたは２次ノズル１３ｂの先端から、反りの無い基板底面までの距離である。あるいは、「噴流ノズルの高さ」は、１次ノズル１３ａまたは２次ノズル１３ｂの先端から、搬送機構２までの距離である。

制御装置９は、判定した「噴流ノズルの高さ」に基づいて、「噴流ノズルの高さ」を調整する。たとえば、図示しない手段によって１次ノズル１３ａまたは２次ノズル１３ｂを上下方向に移動させることによって、「噴流ノズルの高さ」を調整することができる。

制御装置９は、はんだ付けシステムが噴流ノズル１３からはんだが噴流され、かつ基板検知センサ８が基板１０を検出していない「基板のはんだ付け実施前の状態」における非接触変位計６の計測結果に基づいて、１次ノズル１３ａまたは２次ノズル１３ｂによるはんだ噴流の高さ（以下、「はんだ噴流の高さ」）を判定する。はんだ付けすることによって、フラックスの残渣およびはんだ酸化物（ドロス）が発生するので、はんだ噴流の流れおよびはんだ噴流の強さが変化するため、「はんだ噴流の高さ」が変化する。噴流モータ１５の出力、はんだ槽５の溶融はんだ１２の液面高さ、および噴流ノズル１３内の詰まりに影響を受けて、「はんだ噴流の高さ」が変化する。「はんだ噴流の高さ」が変化することによって、基板１０へのはんだ噴流の当たり方が変わるため、基板１０の温度が変化する。

制御装置９は、判定した「はんだ噴流の高さ」に基づいて、「はんだ噴流の高さ」を調整する。たとえば、噴流モータ１５の回転数を制御することによって、「はんだ噴流の高さ」を調整することができる。

制御装置９は、基板１０のはんだ付け中における非接触変位計６の計測結果に基づいて、基板１０のはんだ付け中における基板１０の反りを（以下、「基板の反り」）判定する。基板１０が反ることによって、基板１０の温度が変化する。基板の反りは、反りの方向と、反り量で表される。反り量とは、基板１０と非接触変位計６との距離の最小値（つまり、基板１０の最も反った箇所の変位量）、あるいは、基板１０と非接触変位計６との距離のデータの系列（つまり、基板１０の複数箇所の変位量）で表される。

制御装置９は、基板１０のはんだ付け中における非接触温度計７の計測結果に基づいて、基板１０のはんだ付け中における基板１０の温度（以下、「基板の温度」）を判定する。本実施の形態では、温度が上昇し易いはんだ付け面の温度を測定するのではなく、基板１０の上方から基板１０の温度を測定するので、基板１０の過渡的な温度変化を計測することができる。

制御装置９は、基板１０のはんだ付け中における「基板の反り」および「基板の温度」に基づいて、「はんだ噴流の高さ」を調整する。

制御装置９は、非接触変位計６が測定した「基板の反り」の数値と、非接触温度計７が測定した「基板の温度」とに基づいて、はんだ付け結果の良否を判定する。たとえば、制御装置９は、非接触変位計６が測定した「基板の反り」の数値を用いて、非接触温度計７が測定した「基板の温度」の画像を検査し、はんだ付けの良否判定をしても良い。後述のとおり、「基板の反り」によってはんだ噴流と基板との接触状態が変化するため、「基板の温度」が変化する。たとえば、基板１０の反りが小さく、かつ、基板１０の温度が低い場合であっても、良品が得られる場合があるため、基板の反り量に応じて、適切な基板温度が変化する。

はんだ付け検査装置１６は、基板１０のはんだ付けされた箇所を検査し、はんだ付けの良否を判定する。はんだ付け検査装置１６は、基板１０のはんだ付けの状態を撮像した画像を解析する。はんだ付け検査装置１６は、電子部品の端子に付着したつらら状のはんだの有無、はんだブリッジの有無、はんだが付着している面積、およびはんだの光沢等に基づいて、はんだ付けの良否を判定する。

制御装置９は、各基板１０のはんだ付けによって得られるデータ（調整前の「噴流ノズルの高さ」、調整前の「はんだ噴流の高さ」、はんだ付け中の「基板の反り」、およびはんだ付け中の「基板の温度」に対する、はんだ付けの良否）のデータを蓄積する。制御装置９は、複数の基板１０のはんだ付けによって得られるデータを用いて、調整前の「噴流ノズルの高さ」、調整前の「はんだ噴流の高さ」、はんだ付け中の「基板の反り」、およびはんだ付け中の「基板の温度」と、はんだ付け不良率との相関データを作成する。調整前の「噴流ノズルの高さ」、調整前の「はんだ噴流の高さ」、はんだ付け中の「基板の反り」、およびはんだ付け中の「基板の温度」のそれぞれをＡ、はんだ付け不良率をＢとしたときに、ＡとＢとの相関データは、たとえば、「相関なし」、「強い相関」、および「弱い相関」のうちのいずれかとすることができる。

図２（ａ）は、調整前の「噴流ノズルの高さ」と、はんだ付け不良率との相関データの例を表わす図である。この例では、制御装置９は、調整前の「噴流ノズルの高さ」と、はんだ付け不良率との相関データを「相関なし」とすることができる。

図２（ｂ）は、調整前の「はんだ噴流の高さ」と、はんだ付け不良率との相関データの例を表わす図である。この例では、制御装置９は、調整前の「はんだ噴流の高さ」と、はんだ付け不良率との相関データを「強い相関」とすることができる。

図２（ｃ）は、はんだ付け中の「基板の反り」と、はんだ付け不良率との相関データの例を表わす図である。この例では、制御装置９は、はんだ付け中の「基板の反り」と、はんだ付け不良率との相関データを「相関なし」とすることができる。

図２（ｄ）は、はんだ付け中の「基板の温度」と、はんだ付け不良率との相関データの例を表わす図である。この例では、制御装置９は、はんだ付け中の「基板の温度」と、はんだ付け不良率との相関データを「弱い相関」とすることができる。

制御装置９は、相関データに基づいて、はんだ付け不良の原因が、調整前の「噴流ノズルの高さ」、調整前の「はんだ噴流の高さ」、「基板の反り」、および「基板の温度」のうちのいずれであるかを特定する。図２（ａ）～（ｄ）の例では、制御装置９は、はんだ付け不良の最大の要因が、調整前の「はんだ噴流の高さ」であり、はんだ付け不良の２番目の要因が、「基板の温度」であると特定することができる。

制御装置９は、フラクサー制御部１８、プリヒータ４、噴流モータ１５、およびはんだ槽ヒータ１４と接続される。制御装置９は、それぞれに対して、設定した制御パラメータを出力する。フラクサー制御部１８、プリヒータ４、噴流モータ１５、およびはんだ槽ヒータ１４は、制御装置９から送られた制御パラメータに基づいて動作する。

制御装置９は、測定されたデータと、相関データとに基づいて、はんだ付け不良率が低くなるように、制御パラメータを調整することができる。制御パラメータは、フラックス塗布機３の塗布量（フラックスの塗布量）、プリヒータ４の設定温度（プリヒータの温度）、噴流モータ１５の設定値（はんだ噴流の高さ）、およびはんだ槽ヒータ１４の設定温度（はんだの温度）を含む。制御装置９は、フラクサー制御部１８に「フラックスの塗布量」を出力する。制御装置９は、プリヒータ４に「プリヒータの温度」を出力する。制御装置９は、噴流モータ１５に「はんだ噴流の高さ」を出力する。制御装置９は、はんだ槽ヒータ１４に「はんだの温度」を出力する。調整された制御パラメータは、調整後に搬送される基板に対して適用される。

たとえば、図２（ｂ）に示すように、ある日の時刻ｔまでに測定された「はんだ噴流の高さ」の平均がＡのときには、制御装置９は、はんだ付け不良率が低くなるように、その日の時刻ｔ以降の「はんだ噴流の高さ」をＡよりも大きなＢに調整するようにしてもよい。

制御装置９は、ユーザから相関データに基づく制御パラメータの調整量の指定を受け、指定に基づいて制御パラメータを調整してもよい。制御装置９は、相関データに基づく統計的処理によって制御パラメータの調整量を決定してユーザに提示し、ユーザから承認を得ることによって、制御パラメータを調整してもよい。制御装置９は、ＡＩによる相関データの利用によって、複数の制御パラメータを一度に自動で調整するものとしてもよい。

図３および図４は、実施の形態１におけるはんだ付けシステム１の処理手順を表わすフローチャートである。

ステップＳ１０１において、はんだ付けシステムが、噴流ノズル１３からはんだが噴流していない「生産準備状態」のときには、処理がステップＳ１０２に進む。図５は、「生産準備状態」のはんだ付けシステム１を示す概略図である。

ステップＳ１０２において、図５に示すように、制御装置９は、非接触変位計６の計測結果に基づいて、「噴流ノズルの高さ」を判定する。「噴流ノズルの高さ」は、はんだ槽５の高さ、および噴流ノズル１３の取り付け状態によって変化する。非接触変位計６は、噴流ノズル１３の上方に設置されているため、噴流ノズル１３の上をはんだが噴流していない場合には、制御装置９は、「噴流ノズルの高さ」を判定することができる。

ステップＳ１０３において、制御装置９は、判定された「噴流ノズルの高さ」が規定値であるか否かを確認する。「噴流ノズルの高さ」が規定値以外の場合には、処理がステップＳ１０４に進む。

ステップＳ１０４において、制御装置９は、「噴流ノズルの高さ」が規定値となるように、「噴流ノズルの高さ」を調整する。「噴流ノズルの高さ」が高いと、噴流ノズル１３と基板１０との距離が近くなるので、基板１０に対する噴流の当たりが強くなる。「噴流ノズルの高さ」を低くすることによって、反りの無い基板１０と噴流ノズル１３との位置関係を一定に保つことができるので、はんだ付け状態を良好に保つことができる。

ステップＳ１０５において、制御装置９は、調整前後の「噴流ノズルの高さ」を記憶する。調整前の「噴流ノズルの高さ」に対して、調整後の「噴流ノズルの高さ」がどのように変更されたかを記録することによって、変更量を管理することができるともに、予期しない不良が発生した時に、原因の究明が容易になる。

ステップＳ１０６において、制御装置９は、噴流ノズル１３から溶融はんだ１２を噴流させる。

ステップＳ１０７において、はんだ付けシステムが、噴流ノズル１３からはんだが噴流され、かつ基板検知センサ８が基板１０を検出していない状態である「基板のはんだ付け実施前の状態」のときには、処理がステップＳ１０８に進む。

ステップＳ１０８において、制御装置９は、非接触変位計６の計測結果に基づいて、はんだ噴流の高さを判定する。図６（ａ）～（ｃ）は、はんだ噴流の高さ１９に対する、基板１０とはんだ噴流との相対位置関係を示す概略図である。図６（ａ）～（ｃ）に示すように、はんだ噴流の高さ１９が変化すると、基板１０とはんだ噴流との距離が変わる。その結果、基板１０に当たるはんだ噴流の強さが変化し、はんだ付けの良否が影響を受ける。

ステップＳ１０９において、制御装置９は、「はんだ噴流の高さ」が、設定範囲内であるか否かを確認する。「はんだ噴流の高さ」が設定範囲外の場合には、処理がステップＳ１１０に進む。

ステップＳ１１０において、制御装置９は、「はんだ噴流の高さ」が設定範囲内となるように、「はんだ噴流の高さ」を調整する。制御装置９は、基板１０の生産中であっても、噴流モータ１５の出力を変更することによって、「はんだ噴流の高さ」を調整できる。はんだ噴流の高さを一定に保つことができるため、はんだ付け状態を良好に維持できる。

ステップＳ１１１において、制御装置９は、調整前後の「はんだ噴流の高さ」を記憶する。調整前の「はんだ噴流の高さ」に対して、調整後の「はんだ噴流の高さ」がどのように変更されたかを記録することによって、変更量を管理することができるともに、予期しない不良が発生した時に、原因の究明が容易になる。

ステップＳ１１２において、はんだ付けシステムが、基板検知センサ８が基板１０を検出した「基板検出状態」のときには、処理がステップＳ１１３に進む。

ステップＳ１１３において、制御装置９は、基板１０のはんだ噴流上の通過開始時刻ｔ０と、基板１０のはんだ噴流上の通過終了時刻ｔ１とを計算する。

ステップＳ１１４において、はんだ付けシステムが、基板１０がはんだ噴流上を通過する「はんだ付け中」のときには（すなわち、時刻ｔ０～時刻ｔ１）、処理がステップＳ１１５に進む。

ステップＳ１１５において、非接触変位計６が、基板１０と非接触変位計６との距離を計測する。

ステップＳ１１６において、制御装置９は、非接触変位計６の計測結果に基づいて、基板１０の反りを判定する。

図７（ａ）～（ｃ）は、基板１０の反りと、基板１０と噴流ノズル１３（２次ノズル１３ｂ）との距離との関係を説明するための図である。

基板１０の反りは、基板１０の銅箔パターン、基板１０の厚さ、フローはんだ付け工程までに基板１０が受けた熱、フローはんだ付け工程までの基板１０の吸湿、プリヒータ４の温度、およびはんだ噴流接触中の基板１０の温度によって発生する。基板１０の反りは、生産する基板ごとにばらつくので、基板１０のはんだ付け中の反りに差異が生じる。

図７（ａ）～（ｃ）に示すように、基板１０の反りの大きさが変わると、基板１０と噴流ノズル１３との距離が変化する。

はんだ噴流の高さ１９が一定でも、基板１０が下方向に凸形状に反っている場合には、基板１０と噴流ノズル１３との距離が小さくなる。その結果、基板１０に噴流が当たりすぎるため、過剰加熱になりフラックス１１が失活する、あるいは基板１０の上面にはんだが溢れるなどのようなはんだ付け不良が発生する場合がある。たとえば、基板１０に噴流が当たりすぎる結果、反り量が過剰になる。反り量が過剰になると、更に噴流が当たりすぎて反りがさらに大きくなるという悪循環が生じる。基板１０の下方向に凸形状に反っている場合は、反り量が大きいほど、基板１０への噴流の当りが強くなるので、はんだ付け不良が発生しやすい。

はんだ噴流の高さ１９が一定でも、基板１０が上方向に凸形状に反っている場合には、基板１０と噴流ノズル１３との距離が大きくなる。その結果、基板１０への噴流の当たりが弱くなり、はんだが基板１０に濡れ広がらない。これによって、はんだ不良、またはスルーホールへのはんだ充填不足などのようなはんだ付け不良が発生する場合がある。基板１０の上方向への反り量が大きいほど、基板１０への噴流の当たりが弱くなるので、はんだ付け不良が発生しやすい。

このような問題に対して、本実施の形態では、ステップＳ１１７において、制御装置９は、基板の反りに応じて、「はんだ噴流の高さ」を調整する。より具体的には、制御装置９は、基板１０が下方向に凸形状に反っている場合には、反り量が大きいほど、「はんだ噴流の高さ」を低くする。制御装置９は、基板１０が上方向に凸形状に反っている場合には、反り量が大きいほど、「はんだ噴流の高さ」を高くする。はんだ付け中の反り変化と温度の測定結果に応じて、「はんだ噴流の高さ」を制御しても良い。

ステップＳ１１８において、制御装置９は、非接触温度計７の計測結果に基づいて、基板１０の温度（基板の温度）を判定する。

噴流モータ１５の脈動、およびはんだが噴流することによって生じるはんだ酸化物のドロスが噴流ノズル１３内に詰まることによって、はんだ噴流の高さ１９に変化が生じる。しかしながら、基板１０がはんだ噴流上を通過している間は、はんだ噴流の高さ１９の測定は困難である。これに対して、非接触温度計７によって基板１０の温度を測定することによって、はんだ噴流の高さ１９、すなわちはんだ噴流の強さを、代替評価することができる。はんだ噴流の高さ１９が低いほど、基板１０に接触するはんだ噴流が弱くなるため、はんだ噴流から基板１０への熱伝達が小さくなり、基板１０の温度が低くなる。一方、はんだ噴流の高さ１９が高いほど、基板１０に接触するはんだ噴流が強くなるため、はんだ噴流から基板１０への熱伝達が大きくなり、基板１０の温度が高くなる。基板１０が、はんだ噴流に接触している間の基板１０の温度は、はんだ噴流の高さ１９だけでなく、はんだ付けシステム１投入前の基板の温度、フラックス塗布機３によるフラックス１１中溶剤の気化熱、プリヒータ４による予熱の影響も受ける。

ステップＳ１１９において、制御装置９は、「基板の温度」に応じて、「はんだ噴流の高さ」を調整する。より具体的には、制御装置９は、「基板の温度」が高いほど、「はんだ噴流の高さ」を低くする。

ステップＳ１２０において、制御装置９は、基板の反りと基板の温度とを記憶する。
ステップＳ１２１において、はんだ付けシステムが、基板１０がはんだ噴流上を完全に通過した「はんだ付け完了状態」のときには（すなわち、時刻ｔ１）、処理がステップＳ１２２に進む。

ステップＳ１２２において、はんだ付け検査装置１６は、基板１０のはんだ付け状態を検査して、はんだ付けの良否の結果を制御装置９に出力する。制御装置９は、はんだ付けの良否の結果を記憶する。

ステップＳ１２３において、制御装置９は、複数の基板１０についてのはんだ付けによって得られるデータ（ステップＳ１０２で判定される調整前の「噴流ノズルの高さ」、ステップＳ１０８で判定される調整前の「はんだ噴流の高さ」、ステップＳ１１６で判定される基板１０のはんだ付け中の「基板の反り」、およびステップＳ１１８で判定される基板１０のはんだ付け中の「基板の温度」に対する、ステップＳ１２２で判定されるはんだ付けの良否）を用いて、調整前の「噴流ノズルの高さ」、調整前の「はんだ噴流の高さ」、基板１０のはんだ付け中の「基板の反り」、および基板１０のはんだ付け中の「基板の温度」と、はんだ付け不良率との関係を表わす相関データを作成する。制御装置９は、相関データに基づいて、はんだ付け不良の原因が、調整前の「噴流ノズルの高さ」、調整前の「はんだ噴流の高さ」、基板１０のはんだ付け中の「基板の反り」、および基板１０のはんだ付け中の「基板の温度」のうちのいずれであるかを特定することができる。

ステップＳ１２４において、制御装置９は、相関データに基づいて、はんだ付け不良率が低くなるように、制御パラメータを調整する。

その後、処理がステップＳ１０７に戻り、次に搬送される基板１０に対しての処理が行われる。

以上のように、本実施の形態のはんだ付けシステムは、非接触変位計６および非接触温度計７を用いて、はんだ付け不良の原因となる、調整前の「噴流ノズルの高さ」、調整前の「はんだ噴流の高さ」、はんだ付け中の「基板の反り」、およびはんだ付け中の「基板の温度」を管理することできるので、はんだ付けの品質を安定化することができる。

本実施の形態のはんだ付けシステムは、調整前の「噴流ノズルの高さ」、調整前の「はんだ噴流の高さ」、はんだ付け中の「基板の反り」、およびはんだ付け中の「基板の温度」と、はんだ付け不良率との関係を表わす相関データを作成することによって、はんだ付け不良に影響のある要因を特定することができる。これによって、不良究明のための生産を停止することによる時間のロスを防止できるので、基板の生産性を向上できる。

はんだ付け品質に影響するはんだ付け時の「基板の温度」は、基板１０に当たる噴流の強さであり、「基板の反り」、「噴流ノズルの高さ」、「はんだ噴流の高さ」の影響を受ける。これらは、相互に影響するので、これらパラメータの最適な組み合わせを見出すことによって、はんだ付け品質をより高めることができる。

実施の形態２．
図８は、実施の形態２のはんだ付けシステムを示す概略図である。実施の形態２のはんだ付けシステムが、実施の形態１のはんだ付けシステムと相違する点は、実施の形態２のはんだ付けシステムが、非接触変位計６ａおよび非接触温度計７ａを備える点である。

非接触変位計６ａおよび非接触温度計７ａは、プリヒータ４の上方である基板１０が搬送される第２の位置と、はんだ槽５の上方である基板１０が搬送される第３の位置との間の上方に配置される。

非接触変位計６ａの計測方式としては、レーザ方式、超音波方式、または電磁波方式を用いることができる。非接触温度計７ａは、たとえば赤外線カメラ、または放射温度計によって構成される。

制御装置９は、非接触変位計６ａの計測結果に基づいて、プリヒータ４による基板１０の予熱後、かつ基板１０のはんだ付け前における「基板の反り」を判定する。プリヒータ４で加熱された基板１０が反ることによって、基板１０に配置される部品が浮いたり、傾く場合がある。本実施の形態では、非接触変位計６の計測結果に基づいて、それらが発生する可能性を知ることができる。

制御装置９は、非接触温度計７ａの計測結果に基づいて、プリヒータ４による基板１０の予熱後、かつ基板１０のはんだ付け前における「基板の温度」を判定する。

本実施の形態では、実施の形態１における判定に加えて、プリヒータ４による基板１０の予熱後、かつ基板１０のはんだ付け前における「基板の反り」と「基板の温度」とを判定することができる。したがって、本実施の形態では、はんだ付けの不良の原因が、プリヒータ４による基板１０の予熱後、かつはんだ付け前のフラックス塗布またはプリヒータ４の温度であるのか、あるいは、はんだ付け中の「はんだ噴流の高さ」、「噴流ノズルの高さ」、または「基板の反り」であるのかを判別することができる。

制御装置９は、基板１０の予熱後、かつ基板１０のはんだ付け前の「基板の反り」および「基板の温度」に基づいて、プリヒータ４の温度および「はんだ噴流の高さ」を調整することとしてもよい。

たとえば、制御装置９は、基板１０の予熱後、かつ基板１０のはんだ付け前の「基板の温度」が基準値よりも高く、かつ基板１０が下方向に凸形状に反っており、「基板の反り」が基準量よりも大きい場合には、プリヒータ４の温度を下げる。制御装置９は、基板１０の予熱後、かつ基板１０のはんだ付け前の「基板の温度」が基準値よりも低く、かつ基板１０が下方向に凸形状に反っており、「基板の反り」が基準値よりも大きい場合には、プリヒータ４の温度を上げる。制御装置９は、基板１０の予熱後、かつ基板１０のはんだ付け前の「基板の温度」が基準値よりも高く、かつ基板１０が下方向に凸形状に反っており、「基板の反り」が基準値よりも小さい場合には、プリヒータ４の温度を下げる。制御装置９は、基板１０の予熱後、かつ基板１０のはんだ付け前の「基板の温度」が基準値よりも低く、かつ基板１０が下方向に凸形状に反っており、「基板の反り」が基準値よりも小さい場合には、プリヒータ４の温度を上げる。

制御装置９は、基板１０の予熱後、かつ基板１０のはんだ付け前の基板１０が下方向に凸形状に反っている場合には、反り量が大きいほど、「はんだ噴流の高さ」を低くする。制御装置９は、基板１０の予熱後、かつ基板１０のはんだ付け前の基板１０が上方向に凸形状に反っている場合には、反り量が大きいほど、「はんだ噴流の高さ」を高くする。

実施の形態３．
図９は、実施の形態３のはんだ付けシステムを示す概略図である。実施の形態３のはんだ付けシステムが、実施の形態２のはんだ付けシステムと相違する点は、実施の形態３のはんだ付けシステムが、非接触変位計６ｂおよび非接触温度計７ｂを備える点である。

非接触変位計６ｂおよび非接触温度計７ｂは、フラックス塗布機３の上方である基板１０が搬送される第１の位置と、プリヒータ４の上方である基板１０が搬送される第２の位置との間の上方に配置される。

非接触変位計６ｂの計測方式としては、レーザ方式、超音波方式、または電磁波方式を用いることができる。非接触温度計７ｂは、たとえば赤外線カメラ、または放射温度計によって構成される。

制御装置９は、非接触変位計６ｂの計測結果に基づいて、フラックス塗布機３による基板１０へのフラックス塗布後において、基板１０に配置された部品が基板１０から浮いているか否かを判定する。フラックス塗布機３では、基板１０の下方からスプレー塗布するため、配置済みの部品が、風圧で浮く場合がある。本実施の形態では、非接触変位計６ｂによって、部品が基板１０から浮いているか否かを検出することができる。

制御装置９は、非接触温度計７ｂの計測結果に基づいて、フラックス塗布機３による基板１０へのフラックス塗布後における「基板の温度」を判定する。制御装置９は、基板１０へのフラックス塗布後における「基板の温度」に基づいて、基板１０へのフラックス塗布量および溶剤の自然揮発量を推測することとしてもよい。たとえば、制御装置９は、フラックス塗布後における「基板の温度」が高いときに、フラックス塗布量が少ないと推測し、フラックス塗布後における「基板の温度」が低いときに、フラックス塗布量が多いと推測することができる。フラックス塗布機３のポンプ流量と実際に基板に付着したフラックス量は異なる場合がある。流量が一定であり、塗布後の基板１０の温度が高い場合には、実際の付着量が少ない、と判定される。この結果に基づき、制御装置９によって、フラックス塗布機３の条件を変更しても良い。

本実施の形態によれば、はんだ付け不良が発生した場合に、フラックス塗布後の測定結果と、実施の形態２によるプリヒータによる予熱後の測定結果と、実施の形態１によるはんだ付け中の測定結果とを比較することによって、はんだ付けの不良の原因となる工程を判断することができる。

実施の形態４．
図１０は、実施の形態４のはんだ付けシステムを示す概略図である。実施の形態４のはんだ付けシステムが、実施の形態３のはんだ付けシステムと相違する点は、実施の形態４のはんだ付けシステムが、非接触変位計６ｃおよび非接触温度計７ｃを備える点である。

基板１０は、第４の位置へ搬送された後、フラックス塗布機３の上方である第１の位置へ搬送される。

非接触変位計６ｃおよび非接触温度計７ｃは、基板１０が搬送される第４の位置の上方に配置される。

非接触変位計６ｃの計測方式としては、レーザ方式、超音波方式、または電磁波方式を用いることができる。非接触温度計７ｃは、たとえば赤外線カメラ、または放射温度計によって構成される。

制御装置９は、非接触変位計６ｃの計測結果に基づいて、フラックス塗布前における「基板の反り」を判定する。

制御装置９は、非接触温度計７ｃの計測結果に基づいて、フラックス塗布前における「基板の温度」を判定する。

制御装置９は、フラックス塗布前における「基板の反り」および「基板の温度」に基づいて、プリヒータ４の温度および「はんだ噴流の高さ」を調整することとしてもよい。たとえば、制御装置９は、基板１０のフラックス塗布前における「基板の温度」が基準値よりも低いときに、プリヒータ４の温度を上げる。制御装置９は、基板１０のフラックス塗布前における「基板の温度」が基準値よりも高いときに、プリヒータ４の温度を下げる。制御装置９は、基板１０のフラックス塗布前における「基板の温度」が高いほど、「はんだ噴流の高さ」を低くする。制御装置９は、フラックス塗布前の基板１０が下方向に凸形状に反っている場合には、反り量が大きいほど、「はんだ噴流の高さ」を低くする。制御装置９は、フラックス塗布前の基板１０が上方向に凸形状に反っている場合には、反り量が大きいほど、「はんだ噴流の高さ」を高くする。

本実施の形態によれば、はんだ付け不良が発生した場合に、フラックス塗布前の測定結果と、実施の形態３によるフラックス塗布後の測定結果と、実施の形態２によるプリヒータによる予熱後の測定結果と、実施の形態１によるはんだ付け中の測定結果とを比較することで、はんだ付けの不良の原因となる工程を判断することができる。

本実施の形態によれば。フラックス塗布前後の基板温度の変化およびフラックス塗布機３の流量計の結果を比較することによって、基板１０への実際の付着量を予測できる。

実施の形態５．
図１１は、実施の形態５のはんだ付けシステムを示す概略図である。実施の形態５のはんだ付けシステムが、実施の形態１のはんだ付けシステムと相違する点は、実施の形態５のはんだ付けシステムの制御装置９が、学習装置１０１と推論装置１２１とを備える点である。

図１２は、学習装置１０１の構成を表わす図である。
学習装置１０１は、データ取得部１０２と、モデル生成部１０３とを備える。

学習装置１０１に与えられるデータは、制御装置９によって生成される。
制御装置９は、実施の形態１の図３のフローチャートのステップＳ１０２で判定した調整前の「噴流ノズルの高さ」、ステップＳ１０８で判定した調整前の「はんだ噴流の高さ」、ステップＳ１１６で判定した基板１０のはんだ付け中の「基板の反り」、およびステップＳ１１７で判定した基板のはんだ付け中の「基板の温度」と、ステップＳ１２１で辺呈したはんだ付けの良否とに基づいて、制御パラメータを調整する。

制御パラメータは、実施の形態１で説明した「フラックスの塗布量」（ａ）、「はんだ噴流の高さ」（ｂ）、「はんだの温度」（ｃ）、および「プリヒータの温度」（ｄ）を含む。

制御装置９は、噴流ノズルの高さがｘ、はんだ噴流の高さがｙ、基板の反りがｚ、および基板の温度がｗのときのはんだ付けの不良率が閾値未満のときに、現在設定されている制御パラメータを変更せずに、現在設定されている制御パラメータ（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）を（ｘ、ｙ、ｚ、ｗ）に対応する制御パラメータとして記憶する。

制御装置９は、噴流ノズルの高さがｘ、はんだ噴流の高さがｙ、基板の反りがｚ、および基板の温度がｗのときのはんだ付けの不良率が閾値以上のときに、現在設定されている制御パラメータを変更する。

たとえば、制御装置９は、４つの制御パラメータ（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）のうちの１つを選択する。制御装置９は、選択した制御パラメータの値を予め定められた値ずつ複数回変化させる。制御装置９は、制御パラメータの変更の結果、はんだ付けの不良率が閾値未満となったときに、そのときの制御パラメータ（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）を（ｘ、ｙ、ｚ、ｗ）に対応する制御パラメータとして記憶する。制御装置９は、選択した制御パラメータを変更しても、はんだ付けの不良率が閾値以上のままのときに、４つの制御パラメータ（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）のうちの別のものを選択して、上記の処理を繰り返す。制御装置９は、１つの制御パラメータを変更しただけでは、はんだ付けの不良率が閾値以上のままのときには、変更する制御パラメータの数を増加させてもよい。

データ取得部１０２は、調整前の「噴流ノズルの高さ」、調整前の「はんだ噴流の高さ」、基板１０のはんだ付け中の「基板の反り」、および基板１０のはんだ付け中の「基板の温度」を含む学習用データＢ１、制御パラメータ（フラックスの塗布量、はんだ噴流の高さ、はんだの温度、およびプリヒータの温度）を含む学習用データＢ２（正解）を取得する。すなわち、データ取得部１０２は、制御装置９によって生成されて、対応されて記憶されている（ｘ、ｙ、ｚ、ｗ）と（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）とを読み出して、（ｘ、ｙ、ｚ、ｗ）を学習用データＢ１とし、（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）を学習用データＢ２（正解）とする。

モデル生成部１０３は、学習用データＢ１、及び学習用データＢ１（正解）の組合せに基づいて、調整前の「噴流ノズルの高さ」、調整前の「はんだ噴流の高さ」、基板１０のはんだ付け中の「基板の反り」、および基板１０のはんだ付け中の「基板の温度」から制御パラメータ（フラックスの塗布量、はんだ噴流の高さ、はんだの温度、およびプリヒータの温度）を推定する学習済モデルを生成する。モデル生成部１０３は、生成した学習済モデルを学習済モデル記憶装置１１１に記憶する。

モデル生成部１０３が用いる学習アルゴリズムは教師あり学習、教師なし学習、または強化学習等の公知のアルゴリズムを用いることができる。一例として、ニューラルネットワークを適用した場合について説明する。モデル生成部１０３は、例えば、ニューラルネットワークモデルに従って、いわゆる教師あり学習により、制御パラメータを学習する。ここで、教師あり学習とは、入力と結果（ラベル）のデータの組を学習装置に与えることで、それらの学習用データにある特徴を学習し、入力から結果を推論する手法をいう。

ニューラルネットワークは、複数のニューロンからなる入力層、複数のニューロンからなる中間層(隠れ層)、及び複数のニューロンからなる出力層で構成される。中間層は、１層、又は２層以上でもよい。

図１３は、ニューラルネットワークの構成を表わす図である。
モデル生成部１０３は、図１３に示すような３層のニューラルネットワークであれば、複数の入力が入力層（Ｘ１～Ｘ４）に入力されると、その値に重みＷ１（ｗ１１～ｗ１８）を掛けて中間層（Ｙ１～Ｙ２）に入力され、その結果にさらに重みＷ２（ｗ２１～ｗ２８）を掛けて出力層（Ｚ１～Ｚ４）から出力される。この出力結果は、重みＷ１とＷ２の値によって変わる。

本願において、ニューラルネットワークは、データ取得部１０２によって取得される学習用データＢ１、および学習用データＢ２（正解）の組合せに基づいて、いわゆる教師あり学習により、制御パラメータを学習する。

すなわち、ニューラルネットワークは、入力層に学習用データＢ１を入力して出力層から出力された結果が、学習用データＢ２（正解）に近づくように重みＷ１とＷ２を調整することで学習する。

モデル生成部１０３は、以上のような学習を実行することで学習済モデルを生成する。
学習済モデル記憶装置１１１は、モデル生成部１０３から出力された学習済モデルを記憶する。

次に、学習装置１０１が学習する処理について説明する。図１４は、学習装置１０１の学習処理に関するフローチャートである。

ステップＳ３０１において、データ取得部１０２は、学習用データＢ１、および学習用データＢ２（正解）を取得する。データ取得部１０２は、学習用データＢ１、学習用データＢ２（正解）を同時に取得するものとしてもよい。あるいは、学習用データＢ１および学習用データＢ２（正解）を関連づけて入力できれば良いので、データ取得部１０２は、学習用データＢ１、および学習用データＢ２（正解）をそれぞれ別のタイミングで取得しても良い。

ステップＳ３０２において、モデル生成部１０３は、取得された学習用データＢ１、および学習用データＢ２（正解）の組合せに基づいて、いわゆる教師あり学習によって、調整前の「噴流ノズルの高さ」、調整前の「はんだ噴流の高さ」、基板１０のはんだ付け中の「基板の反り」、および基板１０のはんだ付け中の「基板の温度」から制御パラメータ（フラックスの塗布量、はんだ噴流の高さ、はんだの温度、およびプリヒータの温度）を推定する学習済モデルを生成する。

ステップＳ３０３において、モデル生成部１０３は、生成した学習済モデルを学習済モデル記憶装置１１１に記憶させる。

図１５は、推論装置１２１の構成を表わす図である。推論装置１２１は、データ取得部１２２と、推論部１２３とを備える。

データ取得部１２２は、実施の形態１の図３のフローチャートのステップＳ１０２で判定した調整前の「噴流ノズルの高さ」、ステップＳ１０８で判定した調整前の「はんだ噴流の高さ」、ステップＳ１１６で判定した基板１０のはんだ付け中の「基板の反り」、およびステップＳ１１７で判定した基板１０のはんだ付け中の「基板の温度」を含む入力データＢ１を取得する。

推論部１２３は、学習済モデル記憶装置１１１に記憶された調整前の「噴流ノズルの高さ」、調整前の「はんだ噴流の高さ」、基板１０のはんだ付け中の「基板の反り」、および基板１０のはんだ付け中の「基板の温度」から制御パラメータ（フラックスの塗布量、はんだ噴流の高さ、はんだの温度、およびプリヒータの温度）を推定する学習済モデルと入力データＢ１とを用いて、制御パラメータ（フラックスの塗布量、はんだ噴流の高さ、はんだの温度、およびプリヒータの温度）を推定する。すなわち、推論部１２３は、この学習済モデルにデータ取得部１２２で取得した入力データＢ１を入力することで、入力データＢ１から推論される制御パラメータ（フラックスの塗布量、はんだ噴流の高さ、はんだの温度、およびプリヒータの温度）を出力する。

次に、推論装置１２１による推論および制御装置９による制御について説明する。図１６は、推論装置１２１の推論処理および制御装置９の制御処理に関するフローチャートである。これらの処理は、図４のフローチャートのステップＳ１２３の代わりに実行される。

ステップＳ４０１において、データ取得部１２２は、調整前の「噴流ノズルの高さ」、調整前の「はんだ噴流の高さ」、基板１０のはんだ付け中の「基板の反り」、および基板１０のはんだ付け中の「基板の温度」を含む入力データＢ１を取得する。

ステップＳ４０２において、推論部１２３は、学習済モデル記憶装置１１１に記憶された調整前の「噴流ノズルの高さ」、調整前の「はんだ噴流の高さ」、基板１０のはんだ付け中の「基板の反り」、および基板１０のはんだ付け中の「基板の温度」から制御パラメータ（フラックスの塗布量、はんだ噴流の高さ、はんだの温度、およびプリヒータの温度）を推定する学習済モデルに入力データＢ１を入力することによって、制御パラメータ（フラックスの塗布量、はんだ噴流の高さ、はんだの温度、およびプリヒータの温度）を推定する。

ステップＳ４０３において、推論部１２３は、推定した制御パラメータ（フラックスの塗布量、はんだ噴流の高さ、はんだの温度、およびプリヒータの温度）をフラクサー制御部１８、噴流モータ１５、はんだ槽ヒータ、プリヒータ４へ出力する。推論部１２３は、フラクサー制御部１８へ「フラックスの塗布量」を出力する。推論部１２３は、噴流モータ１５へ「はんだ噴流の高さ」を出力する。推論部１２３は、はんだ槽ヒータへ「はんだの温度」を出力する。推論部１２３は、プリヒータ４へ「プリヒータの温度」を出力する。

ステップＳ４０４において、フラクサー制御部１８、噴流モータ１５、はんだ槽ヒータ１４、およびプリヒータ４は、受信した制御パラメータに従って、はんだ付けを制御する。

本実施の形態では、モデル生成部１０３が用いる学習アルゴリズムに教師あり学習を適用した場合について説明したが、これに限られるものではない。学習アルゴリズムについては、教師あり学習以外にも、強化学習、教師なし学習、または半教師あり学習等を適用することも可能である。

モデル生成部１０３は、複数のはんだ付けシステム１において作成される学習用データを用いて、学習済モデルを生成するようにしてもよい。モデル生成部１０３は、同一のエリアで使用される複数のはんだ付けシステム１から学習用データを取得してもよいし、異なるエリアで独立して動作する複数のはんだ付けシステム１から収集される学習用データを利用して学習済モデルを生成してもよい。学習用データを収集するはんだ付けシステム１を途中で対象に追加したり、対象から除去することも可能である。さらに、あるはんだ付けシステム１に関して生成した学習済モデルを、別のはんだ付けシステム１に適用し、再学習によって学習済モデル更新するようにしてもよい。

モデル生成部１０３に用いられる学習アルゴリズムとしては、特徴量そのものの抽出を学習する、深層学習（Ｄｅｅｐ Ｌｅａｒｎｉｎｇ）を用いることもでき、他の公知の方法、例えば遺伝的プログラミング、機能論理プログラミング、またはサポートベクターマシンなどに従って機械学習を実行してもよい。

学習装置１０１及び推論装置１２１は、はんだ付けシステム１に内蔵されていてもよい。さらに、学習装置１０１及び推論装置１２１は、クラウドサーバ上に存在していてもよい。

本実施の形態では、はんだ付けシステム１のモデル生成部１０３で学習した学習済モデルを用いて制御パラメータを出力するものとして説明したが、他のはんだ付けシステム等の外部から学習済モデルを取得し、この学習済モデルに基づいて制御パラメータを出力するようにしてもよい。

実施の形態６．
本実施の形態では、非接触温度計７ａが、基板の被はんだ付け面に搭載された電子部品の温度を測定し、非接触変位計６ａは、基板の被はんだ付け面に搭載された電子部品の高さを測定する。制御装置９は、測定された電子部品の温度および電子部品の高さに基づいて、電子部品のはんだ濡れ性が劣化しているのか、あるいは、電子部品に浮きまたは傾きが生じているのか、あるいは基板１０に電子部品が搭載されていないのかを判定する。

図１７は、実施の形態６における非接触温度計７ａによる温度測定の事例を示す図である。図１８は、基板１０の測定温度と、ある部品Ａの測定温度の例を表わす図である。

被はんだ付け面の電子部品の筐体の温度は、基板１０からの熱伝導、電子部品のはんだ付け用端子からの熱伝導、およびはんだ付け装置内の温度によって、上昇する。

はんだ噴流が濡れ広がることによって、電子部品のはんだ付け用端子および筐体の温度が上昇する。従って、図１８に示すように、電子部品近傍の基板温度が規定以上の温度となっている場合においても、電子部品のはんだ付け用端子のはんだ濡れ性が劣る場合には、電子部品の筐体の温度が低くなる。これを制御装置９によって検出することで、電子部品のはんだ付け用端子のはんだの濡れ状態の差異を抽出できる。

制御装置９は、電子部品の温度が低く、かつはんだ濡れ性が悪い場合には、噴流を強くする、予熱温度を高くする、またはフラックス塗布量を増やすなどの制御をしてもよい。

電子部品の温度が許容範囲より高い場合には、はんだ付け装置内の温度が過剰に高くなっている可能性があるため、制御装置９は、排気装置の状態を確認する。

電子部品のはんだ付け用端子を、はんだ付け前に所定の長さに切断する場合がある。電子部品のはんだ付け用端子が長すぎる場合には、はんだ噴流に接触し易いため、電子部品の筐体の温度が高くなりやすい。電子部品のはんだ付け用端子が短かすぎる場合には、はんだ噴流に接触し難いため、電子部品の筐体の温度が低くなりやすい。制御装置９は、この特性を利用して、電子部品の筐体の温度に基づいて、電子部品のはんだ付け用端子の長さを検査してもよい。

また、電子部品に、浮きまたは傾きが生じている場合においても、基板１０のはんだ付け面へのはんだ付け用端子の突き出し量が小さくなるため、はんだ噴流とはんだ付け用端子との接触状態が悪くなり、電子部品の筐体の温度が低くなる。従って、制御装置９は、電子部品の筐体の温度に基づいて、電子部品の浮きまたは傾きの有無を測定できる。

基板１０に電子部品の搭載がなされなかった場合には、基板温度が測定されるため異常値として検出することができる。

この時に、非接触変位計６ａによって、電子部品の高さを測定することによって以下の利点がある。

非接触温度計７ａのみでは、電子部品のはんだ付け用端子のはんだ濡れ性が悪いのか、あるいは、電子部品に浮きまたは傾きが生じているのか、あるいは基板１０に電子部品が搭載されていないのかを判別できない。非接触変位計６ａによって電子部品の高さを測定している場合には、制御装置９は、電子部品の高さが正常であり、かつ電子部品の温度が低い場合には、はんだ付け用端子のはんだ濡れ性が悪いと判別できる。制御装置９は、電子部品の高さが異常であり、かつ電子部品の温度が低い場合には、電子部品に浮きまたは傾きが生じていると判別できる。

制御装置９は、非接触変位計６ａの測定値と電子部品の筐体との高さとから電子部品の高さを求めることもできる。あるいは、制御装置９は、電子部品の近傍の基板高さを基準として、電子部品の筐体の高さを求め、電子部品の高さとすることもできる。

電子部品に傾きがある場合には、はんだ付け用端子の基板１０からの突き出し量が変化すると同時に、電子部品が傾いているため放射状態が変わるため、検出される部品の温度が変化する。また、電子部品の温度として検出される領域が、基準領域に対して傾いている方向にずれる。非接触変位計６ａの測定結果も変わるので、確定できる。

電子部品に浮きがある場合には、はんだ付け用端子の基板１０からの突き出し量が小さくなるため、検出される電子部品の温度上昇量が変化する。それとともに、非接触変位計６ａによる基板１０に対する電子部品の高さの測定結果が高くなる。

基板１０への搭載忘れなどにより電子部品が無い場合には、基板温度を測定することになり、基板温度が過剰に高くなるとともに、非接触変位計６ａによる基板１０に対する電子部品の高さの測定結果が、基板１０の高さと同値になる。制御装置９は、基板温度が過剰に高く、かつ電子部品の高さの測定結果が、基板１０の高さとなる場合に、基板１０に電子部品が搭載されていないと判定することができる。

非接触温度計７ａによる電子部品の搭載状態の判定方法としては、測定温度等高線の形状のパターンマッチング、正常データからのずれ量の算出する方法、正常データと対称データの差分抽出による方法、またはディープラーニングなどのＡＩによる方法などを用いることができる。

本実施の形態の検査は、スプレーフラクサー前、スプレーフラクサー後、あるいは予熱後、といったはんだ付け前の非接触温度計７ａおよび非接触変位計６ａによる測定結果を用いることで、はんだ付け用端子の濡れ性、電子部品の浮きまたは傾き、電子部品の有無の検査を高精度化できる。

図１９は、制御装置９のハードウェア構成を表わす図である。
制御装置９は、相当する動作をデジタル回路のハードウェアまたはソフトウェアで構成することができる。制御装置９の機能をソフトウェアを用いて実現する場合には、制御装置９は、例えば、図１７に示すように、バス１００１によって接続されたプロセッサ１００２とメモリ１００３とを備える。メモリ１００３に記憶されたプログラムをプロセッサ１００２が実行する。

変形例．
（１）実施の形態１において、制御装置９は、基板１０のはんだ付け中における「基板の反り」の判定結果に基づいて、噴流ノズルによる「はんだ噴流の高さ」を調整し、その後、基板１０のはんだ付け中における「基板の温度」の判定結果に基づいて、噴流ノズルによる「はんだ噴流の高さ」を調整した。ここで、調整量が大きくなりすぎないようにするため、制御装置９は、基板１０のはんだ付け中における「基板の反り」に基づく「はんだ噴流の高さ」の調整量を考慮して、基板１０のはんだ付け中における「基板の温度」に基づいて、「はんだ噴流の高さ」を調整してもよい。

すなわち、制御装置９は、基板１０のはんだ付け中における基板１０の反りの判定結果に基づいて、噴流ノズルによるはんだ噴流の高さを第１の調整量だけ調整し、その後、基板１０のはんだ付け中における基板１０の温度の判定結果と第１の調整量とに基づいて、噴流ノズルによるはんだ噴流の高さを第２の調整量だけ調整してもよい。つまり、第１の調整量が大きいほど、第２の調整量を小さくしてもよい。

また、制御装置９は、基板のはんだ付け中における「基板の反り」と「基板の温度」とを同時に評価することによって、「はんだ噴流の高さ」の調整量を決定することとしてもよい。

また、制御装置９は、基板のはんだ付け中における「基板の反り」と「基板の温度」とのうちのいずれか一方に基づいて、「はんだ噴流の高さ」を調整するものとしてもよい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ はんだ付けシステム、２ 搬送機構、３ フラックス塗布機、４ プリヒータ、５ はんだ槽、６，６ａ，６ｂ，６ｃ 非接触変位計、７，７ａ，７ｂ，７ｃ 非接触温度計、８ 基板検知センサ、９ 制御装置、１０ 基板、１１ フラックス、１３ 噴流ノズル、１３ａ １次ノズル、１３ｂ ２次ノズル、１４ はんだ槽ヒータ、１５ 噴流モータ、１６ はんだ付け検査装置、１８ フラクサー制御部、１９ はんだ噴流の高さ、１０１ 学習装置、１０２，１２２ データ取得部、１０３ モデル生成部、１１１ 学習済モデル記憶装置、１２１ 推論装置、１２３ 推論部、１００１ バス、１００２ プロセッサ、１００３ メモリ。

Claims (24)

1. 基板にフラックスを塗布するフラックス塗布機と、
   前記基板を予熱するプリヒータと、
   溶融はんだを貯留するはんだ槽と、
   前記はんだ槽内のはんだを溶融させるはんだ槽ヒータと、
   前記基板に向けて前記はんだ槽内の前記溶融はんだを噴流する噴流ノズルと、
   前記基板を前記フラックス塗布機の上方である第１の位置、前記プリヒータの上方である第２の位置、前記はんだ槽の上方である第３の位置に順次搬送する搬送機構と、
   前記噴流ノズルの上方に配置された第１の非接触変位計および第１の非接触温度計と、
   前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触変位計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りを判定するとともに、前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触温度計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の温度を判定する制御装置と、を備え、
   前記制御装置は、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りおよび前記基板の温度に基づいて、前記噴流ノズルによるはんだ噴流の高さを調整する、はんだ付けシステム。
2. 前記制御装置は、前記噴流ノズルからはんだが噴流されていない状態における前記第１の非接触変位計の計測結果に基づいて、前記噴流ノズルの高さを判定し、前記判定した噴流ノズルの高さに基づいて、前記噴流ノズルの高さを調整する、請求項１記載のはんだ付けシステム。
3. 前記制御装置は、前記噴流ノズルからはんだが噴流され、かつ前記基板のはんだ付けが実施される前の状態における前記第１の非接触変位計の計測結果に基づいて、前記噴流ノズルによるはんだ噴流の高さを判定し、前記判定したはんだ噴流の高さに基づいて、前記はんだ噴流の高さを調整する、請求項２記載のはんだ付けシステム。
4. 前記第２の位置と前記第３の位置との間の領域の上方に配置された第２の非接触変位計および第２の非接触温度計とを備え、
   前記制御装置は、前記第２の非接触変位計の計測結果に基づいて、前記プリヒータによる前記基板の予熱後、かつ前記基板のはんだ付け前における前記基板の反りを判定するとともに、前記第２の非接触温度計の計測結果に基づいて、前記基板の予熱後、かつ前記基板のはんだ付け前における前記基板の温度を判定する、請求項１～３のいずれか１項に記載のはんだ付けシステム。
5. 前記制御装置は、前記基板の予熱後、かつ前記基板のはんだ付け前における前記基板の反りおよび前記基板の温度に基づいて、前記プリヒータの温度および前記噴流ノズルによるはんだ噴流の高さを調整する、請求項４記載のはんだ付けシステム。
6. 前記第１の位置と前記第２の位置との間の領域の上方に配置された第３の非接触変位計とを備え、
   前記制御装置は、前記第３の非接触変位計の計測結果に基づいて、前記フラックス塗布機による前記基板へのフラックス塗布後において、前記基板に配置された部品が前記基板から浮いているか否かを判定する、請求項１～５のいずれか１項に記載のはんだ付けシステム。
7. 前記第１の位置と前記第２の位置との間の領域の上方に配置された第３の非接触温度計を備え、
   前記制御装置は、前記第３の非接触温度計の計測結果に基づいて、前記フラックス塗布機による前記基板へのフラックス塗布後における前記基板の温度を判定する、請求項１～６のいずれか１項に記載のはんだ付けシステム。
8. 前記制御装置は、前記基板へのフラックス塗布後における前記基板の温度に基づいて、前記基板へのフラックス塗布量を推測する、請求項７に記載のはんだ付けシステム。
9. 前記搬送機構によって、前記基板は第４の位置へ搬送された後、前記第１の位置へ搬送され、
   前記第４の位置の上方に配置された第４の非接触変位計および第４の非接触温度計を備え、
   前記制御装置は、前記第４の非接触変位計の計測結果に基づいて、前記基板のフラックス塗布前における前記基板の反りを判定するとともに、前記第４の非接触温度計の計測結果に基づいて、前記基板のフラックス塗布前における前記基板の温度を判定する、請求項１～８のいずれか１項に記載のはんだ付けシステム。
10. 前記制御装置は、前記基板のフラックス塗布前における前記基板の反りと前記基板の温度とに基づいて、前記プリヒータの温度および前記はんだ噴流の高さを調整する、請求項９記載のはんだ付けシステム。
11. 前記制御装置は、調整前の前記噴流ノズルの高さ、調整前の前記はんだ噴流の高さ、前記はんだ付け中における基板の反り、および前記はんだ付け中における基板の温度と、はんだ付けの不良率との関係を表わすデータを生成する、請求項３記載のはんだ付けシステム。
12. 前記制御装置は、学習装置を備え、
    前記学習装置は、
    調整前の前記噴流ノズルの高さ、調整前の前記はんだ噴流の高さ、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反り、前記基板のはんだ付け中における前記基板の温度、および前記はんだ付けシステムの制御パラメータを含む学習用データを取得するデータ取得部と、
    前記学習用データを用いて、調整前の前記噴流ノズルの高さ、調整前の前記はんだ噴流の高さ、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反り、および前記基板のはんだ付け中における前記基板の温度から前記はんだ付けシステムの制御パラメータを推定する学習済モデルを生成するモデル生成部と、
    を備える、請求項３記載のはんだ付けシステム。
13. 前記制御装置は、推論装置を備え、
    前記推論装置は、
    調整前の前記噴流ノズルの高さ、調整前の前記はんだ噴流の高さ、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反り、および前記基板のはんだ付け中における前記基板の温度を取得するデータ取得部と、
    調整前の前記噴流ノズルの高さ、調整前の前記はんだ噴流の高さ、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反り、および前記基板のはんだ付け中における前記基板の温度から前記はんだ付けシステムの制御パラメータを推論するための学習済モデルを用いて、前記データ取得部から入力された調整前の前記噴流ノズルの高さ、調整前の前記はんだ噴流の高さ、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反り、および前記基板のはんだ付け中における前記基板の温度から前記はんだ付けシステムの制御パラメータを出力する推論部と、
    を備える、請求項３記載のはんだ付けシステム。
14. 前記はんだ付けシステムの制御パラメータは、前記フラックス塗布機のフラックスの塗布量、前記プリヒータの温度、前記噴流ノズルによる前記はんだ噴流の高さ、および前記はんだの温度を含む、請求項１２または１３記載のはんだ付けシステム。
15. 前記第２の非接触温度計は、前記基板の被はんだ付け面に搭載された電子部品の温度を測定し、
    前記第２の非接触変位計は、前記電子部品の高さを測定し、
    前記制御装置は、前記電子部品の温度および前記電子部品の高さに基づいて、前記電子部品のはんだ濡れ性が劣化しているのか、あるいは前記電子部品に浮きまたは傾きが生じているのか、あるいは前記基板に前記電子部品が搭載されていないのかを判定する、請求項４記載のはんだ付けシステム。
16. 前記制御装置は、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りと、前記基板の温度とを用いて、はんだ付け結果の良否を判定する、請求項１記載のはんだ付けシステム。
17. 前記制御装置は、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りの判定結果に基づいて、前記噴流ノズルによるはんだ噴流の高さを第１の調整量だけ調整し、その後、前記基板のはんだ付け中における前記基板の温度の判定結果と前記第１の調整量とに基づいて、前記噴流ノズルによるはんだ噴流の高さを第２の調整量だけ調整する、請求項１記載のはんだ付けシステム。
18. フラックス塗布機と、プリヒータと、はんだ槽と、噴流ノズルと、搬送機構と、前記噴流ノズルの上方に配置された第１の非接触変位計および第１の非接触温度計と、制御装置とを備えたはんだ付けシステムにおけるはんだ付け方法であって、
    前記フラックス塗布機が、基板にフラックスを塗布するステップと、
    前記プリヒータが、前記基板を予熱するステップと、
    前記噴流ノズルが、前記基板に向けて前記はんだ槽内の溶融はんだを噴流するステップと、
    前記搬送機構が、前記基板を前記フラックス塗布機の上方である第１の位置、前記プリヒータの上方である第２の位置、前記はんだ槽の上方である第３の位置に順次搬送するステップと、
    前記制御装置が、前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触変位計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りを判定するとともに、前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触温度計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の温度を判定するステップと、
    前記制御装置が、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りおよび前記基板の温度に基づいて、前記噴流ノズルによるはんだ噴流の高さを調整するステップと、を備えた、はんだ付け方法。
19. 基板にフラックスを塗布するフラックス塗布機と、
    前記基板を予熱するプリヒータと、
    溶融はんだを貯留するはんだ槽と、
    前記はんだ槽内のはんだを溶融させるはんだ槽ヒータと、
    前記基板に向けて前記はんだ槽内の前記溶融はんだを噴流する噴流ノズルと、
    前記基板を前記フラックス塗布機の上方である第１の位置、前記プリヒータの上方である第２の位置、前記はんだ槽の上方である第３の位置に順次搬送する搬送機構と、
    前記噴流ノズルの上方に配置された第１の非接触変位計および第１の非接触温度計と、
    前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触変位計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りを判定するとともに、前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触温度計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の温度を判定する制御装置と、を備え、
    前記制御装置は、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りおよび前記基板の温度に基づいて、前記フラックス塗布機のフラックスの塗布量を調整する、はんだ付けシステム。
20. 基板にフラックスを塗布するフラックス塗布機と、
    前記基板を予熱するプリヒータと、
    溶融はんだを貯留するはんだ槽と、
    前記はんだ槽内のはんだを溶融させるはんだ槽ヒータと、
    前記基板に向けて前記はんだ槽内の前記溶融はんだを噴流する噴流ノズルと、
    前記基板を前記フラックス塗布機の上方である第１の位置、前記プリヒータの上方である第２の位置、前記はんだ槽の上方である第３の位置に順次搬送する搬送機構と、
    前記噴流ノズルの上方に配置された第１の非接触変位計および第１の非接触温度計と、
    前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触変位計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りを判定するとともに、前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触温度計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の温度を判定する制御装置と、を備え、
    前記制御装置は、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りおよび前記基板の温度に基づいて、前記プリヒータの温度を調整する、はんだ付けシステム。
21. 基板にフラックスを塗布するフラックス塗布機と、
    前記基板を予熱するプリヒータと、
    溶融はんだを貯留するはんだ槽と、
    前記はんだ槽内のはんだを溶融させるはんだ槽ヒータと、
    前記基板に向けて前記はんだ槽内の前記溶融はんだを噴流する噴流ノズルと、
    前記基板を前記フラックス塗布機の上方である第１の位置、前記プリヒータの上方である第２の位置、前記はんだ槽の上方である第３の位置に順次搬送する搬送機構と、
    前記噴流ノズルの上方に配置された第１の非接触変位計および第１の非接触温度計と、
    前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触変位計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りを判定するとともに、前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触温度計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の温度を判定する制御装置と、を備え、
    前記制御装置は、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りおよび前記基板の温度に基づいて、前記はんだの温度を調整する、はんだ付けシステム。
22. フラックス塗布機と、プリヒータと、はんだ槽と、噴流ノズルと、搬送機構と、前記噴流ノズルの上方に配置された第１の非接触変位計および第１の非接触温度計と、制御装置とを備えたはんだ付けシステムにおけるはんだ付け方法であって、
    前記フラックス塗布機が、基板にフラックスを塗布するステップと、
    前記プリヒータが、前記基板を予熱するステップと、
    前記噴流ノズルが、前記基板に向けて前記はんだ槽内の溶融はんだを噴流するステップと、
    前記搬送機構が、前記基板を前記フラックス塗布機の上方である第１の位置、前記プリヒータの上方である第２の位置、前記はんだ槽の上方である第３の位置に順次搬送するステップと、
    前記制御装置が、前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触変位計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りを判定するとともに、前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触温度計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の温度を判定するステップと、
    前記制御装置が、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りおよび前記基板の温度に基づいて、前記フラックス塗布機のフラックスの塗布量を調整するステップと、を備えた、はんだ付け方法。
23. フラックス塗布機と、プリヒータと、はんだ槽と、噴流ノズルと、搬送機構と、前記噴流ノズルの上方に配置された第１の非接触変位計および第１の非接触温度計と、制御装置とを備えたはんだ付けシステムにおけるはんだ付け方法であって、
    前記フラックス塗布機が、基板にフラックスを塗布するステップと、
    前記プリヒータが、前記基板を予熱するステップと、
    前記噴流ノズルが、前記基板に向けて前記はんだ槽内の溶融はんだを噴流するステップと、
    前記搬送機構が、前記基板を前記フラックス塗布機の上方である第１の位置、前記プリヒータの上方である第２の位置、前記はんだ槽の上方である第３の位置に順次搬送するステップと、
    前記制御装置が、前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触変位計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りを判定するとともに、前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触温度計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の温度を判定するステップと、
    前記制御装置が、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りおよび前記基板の温度に基づいて、前記プリヒータの温度を調整するステップと、を備えた、はんだ付け方法。
24. フラックス塗布機と、プリヒータと、はんだ槽と、噴流ノズルと、搬送機構と、前記噴流ノズルの上方に配置された第１の非接触変位計および第１の非接触温度計と、制御装置とを備えたはんだ付けシステムにおけるはんだ付け方法であって、
    前記フラックス塗布機が、基板にフラックスを塗布するステップと、
    前記プリヒータが、前記基板を予熱するステップと、
    前記噴流ノズルが、前記基板に向けて前記はんだ槽内の溶融はんだを噴流するステップと、
    前記搬送機構が、前記基板を前記フラックス塗布機の上方である第１の位置、前記プリヒータの上方である第２の位置、前記はんだ槽の上方である第３の位置に順次搬送するステップと、
    前記制御装置が、前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触変位計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りを判定するとともに、前記基板のはんだ付け中における前記第１の非接触温度計の計測結果に基づいて、前記基板のはんだ付け中における前記基板の温度を判定するステップと、
    前記制御装置が、前記基板のはんだ付け中における前記基板の反りおよび前記基板の温度に基づいて、前記はんだの温度を調整するステップと、を備えた、はんだ付け方法。

Images