JP7422847B1 - 基板加熱装置及びそれを用いた基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 192
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 115
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 67
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 55
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 19
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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Abstract
【課題】基板加熱装置及びそれを用いた基板処理装置に係り、さらに詳しくは、端子台を効率よく冷却することができるように構造が改善された基板加熱装置、及びそれを用いた基板処理装置に関する。【解決手段】本発明は、基板を加熱するための基板加熱装置であって、前記基板の下部に配置される熱源である加熱部と、前記加熱部の下方に配置され、冷気を提供する冷却プレートと、前記加熱部に電力を供給し、下端部が前記冷却プレートと接する端子台と、を備えることを特徴とする、基板加熱装置を提供する。【選択図】図２
Description
本発明は、基板加熱装置及びそれを用いた基板処理装置に係り、さらに詳しくは、端子台を効率よく冷却することができるように構造が改善された基板加熱装置、及びそれを用いた基板処理装置に関する。
半導体素子は、シリコン基板上に所定のパターンを形成するように薄膜を順次積層する過程を繰り返し行うことにより製造されるが、薄膜の形成及び積層のためには、蒸着工程、フォト工程及びエッチング工程などの多数の単位工程を繰り返し行う。これらの単位工程を行う半導体素子の製造設備は、所定の単位個数の基板を一括処理するバッチ（ｂａｔｃｈ）式設備と、基板を１枚ずつ順次処理する枚葉式設備に大別される。枚葉式設備には、基板をスピンチャックに支持された状態で回転させながら基板の上面に処理液を供給して処理される設備がある。このような枚葉式設備は、駆動源から発生した回転力が、スピンチャックの下部に連結された回転軸によってスピンチャックへ伝達され、これにより、スピンチャック上に取り付けられた基板が回転し、回転する基板の上部から感光液、現像液又は洗浄液などの薬液を噴射して基板を処理する構成を持つ。
一方、基板に薬液を供給して処理する設備において、処理効率の向上のために基板を加熱しながら処理する場合がある。
基板を加熱するための基板加熱装置は、図１に示されているように、熱源であるランプヒーター１、反射板３及び冷却プレート４を含むことができ、ランプヒーター１は、端子台２から電力の供給を受ける。工程が完了した以後には、基板を冷却する必要があるので、冷却プレート４によって基板を冷却する。
ところが、前記端子台２は、高温環境である反射板３の上部に配置されるので、過熱されて寿命が短縮されるおそれがあるため、適切な冷却が必要であるが、冷却プレート４の上部には加熱された反射板があるため、端子台２の冷却が容易ではないという問題点がある。
本発明は、背景技術の問題点を解決するためになされたもので、その解決しようとする課題は、高温環境に晒された端子台を効率よく冷却することができるように構造が改善された基板加熱装置、及びそれを用いた基板処理装置を提供することである。
前述した課題の解決手段として、本発明は、基板を加熱するための基板加熱装置であって、前記基板の下部に配置される熱源である加熱部と、前記加熱部の下方に配置され、冷気を提供する冷却プレートと、前記加熱部に電力を供給し、下端部が前記冷却プレートと接する端子台と、を備えることを特徴とする、基板加熱装置を提供する。
前記加熱部と前記冷却プレートとの間に配置され、加熱部から発散した熱を基板側へ反射させる反射板をさらに備えることが好ましい。
前記反射板には隙間（ｏｐｅｎｉｎｇ）が形成されており、前記端子台の下端部は、前記隙間を貫通した状態で前記冷却プレートと接することが好ましい。
前記隙間は、前記端子台の断面形状に対応するように構成されることが好ましい。
前記冷却プレートには、下方に凹んだ溝が設けられ、前記端子台に連結される電源ケーブルは、前記溝に収容されて冷却プレートによって冷却されることが好ましい。
前記溝の幅は、前記隙間の幅に比べて狭いことが好ましい。
前記加熱部は、同心形状の複数個のＩＲランプヒーターを含み、それぞれのＩＲランプヒーターは、同じ平面に配置されることが好ましい。
前記冷却プレートの内部には、冷却水の流れる流路が配置されることが好ましい。
また、本発明は、処理領域を提供するチャンバと、
前記チャンバの処理領域に設けられ、基板を支持する基板支持ユニットと、
前記基板支持ユニットによって支持された基板に薬液を供給するための薬液供給ユニットと、
前記基板を加熱するための基板加熱ユニットと、を備え、
前記基板加熱ユニットは、前記基板の下部に配置される熱源である加熱部と、前記加熱部の下方に配置され、冷気を提供する冷却プレートと、前記加熱部に電力を供給し、下端部が前記冷却プレートと接する端子台と、を備える、基板処理装置を提供する。
前記チャンバの処理領域に設けられ、基板を支持する基板支持ユニットと、
前記基板支持ユニットによって支持された基板に薬液を供給するための薬液供給ユニットと、
前記基板を加熱するための基板加熱ユニットと、を備え、
前記基板加熱ユニットは、前記基板の下部に配置される熱源である加熱部と、前記加熱部の下方に配置され、冷気を提供する冷却プレートと、前記加熱部に電力を供給し、下端部が前記冷却プレートと接する端子台と、を備える、基板処理装置を提供する。
また、本発明は、
基板の表面をエッチングするための基板エッチング装置であって、
処理領域を提供するチャンバと、
前記チャンバの処理領域に設けられて基板を支持し、スピンチャック、及び前記スピンチャックを回転させるための回転駆動部を含む基板支持ユニットと、
前記基板支持ユニットによって支持された基板にエッチング液を供給するためのもので、前記基板にエッチング液を噴射するノズル、前記ノズルを移動させるためのノズル駆動部、及び前記エッチング液を加熱するためのエッチング液加熱部を含むエッチング液供給ユニットと、
前記エッチング液供給ユニットによって基板の表面へ噴射されたエッチング液が基板の表面と反応しながら生じる反応副産物や、基板から飛散したエッチング液を回収するために前記基板支持ユニットを包む形で設けられる回収ユニットと、
前記基板を加熱するために前記スピンチャックの下部に配置される基板加熱ユニットと、を備え、
前記基板加熱ユニットは、
前記支持ユニットの下部に配置される熱源であって、複数個が同じ平面に同心円状に配置されたＩＲランプヒーターである加熱部と、
前記加熱部の下部に配置されて冷気を提供し、内部に冷却水の流れる流路が形成された冷却プレートと、
前記加熱部に電力を供給し、下端部が前記冷却プレートと接する端子台と、
前記加熱部と前記冷却プレートとの間に配置され、加熱部から発散した熱を基板側へ反射させる反射板と、を備え、
前記反射板には、前記端子台の断面形状に対応する形状の隙間（ｏｐｅｎｉｎｇ）が形成されており、前記端子台の下端部は、前記隙間を貫通した状態で前記冷却プレートと接し、
前記冷却プレートのうちの前記隙間の下部には、下方に前記隙間の幅に比べて狭い幅を持つように凹んだ溝が設けられ、前記端子台と連結される電源ケーブルは前記溝に収容されて冷却プレート上によって冷却される、基板エッチング装置を提供する。
基板の表面をエッチングするための基板エッチング装置であって、
処理領域を提供するチャンバと、
前記チャンバの処理領域に設けられて基板を支持し、スピンチャック、及び前記スピンチャックを回転させるための回転駆動部を含む基板支持ユニットと、
前記基板支持ユニットによって支持された基板にエッチング液を供給するためのもので、前記基板にエッチング液を噴射するノズル、前記ノズルを移動させるためのノズル駆動部、及び前記エッチング液を加熱するためのエッチング液加熱部を含むエッチング液供給ユニットと、
前記エッチング液供給ユニットによって基板の表面へ噴射されたエッチング液が基板の表面と反応しながら生じる反応副産物や、基板から飛散したエッチング液を回収するために前記基板支持ユニットを包む形で設けられる回収ユニットと、
前記基板を加熱するために前記スピンチャックの下部に配置される基板加熱ユニットと、を備え、
前記基板加熱ユニットは、
前記支持ユニットの下部に配置される熱源であって、複数個が同じ平面に同心円状に配置されたＩＲランプヒーターである加熱部と、
前記加熱部の下部に配置されて冷気を提供し、内部に冷却水の流れる流路が形成された冷却プレートと、
前記加熱部に電力を供給し、下端部が前記冷却プレートと接する端子台と、
前記加熱部と前記冷却プレートとの間に配置され、加熱部から発散した熱を基板側へ反射させる反射板と、を備え、
前記反射板には、前記端子台の断面形状に対応する形状の隙間（ｏｐｅｎｉｎｇ）が形成されており、前記端子台の下端部は、前記隙間を貫通した状態で前記冷却プレートと接し、
前記冷却プレートのうちの前記隙間の下部には、下方に前記隙間の幅に比べて狭い幅を持つように凹んだ溝が設けられ、前記端子台と連結される電源ケーブルは前記溝に収容されて冷却プレート上によって冷却される、基板エッチング装置を提供する。
本発明によれば、高温環境に晒された端子台を効率よく冷却することができるように構造が改善された基板加熱装置、及びそれを用いた基板処理装置を提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明することにより、本発明を実施するための具体的な内容を提供する。
まず、本発明の第１形態である基板加熱装置について説明する。
図２は、本発明の一つの実施形態による基板加熱装置の分離斜視図、図３は、図２に示されている基板加熱装置の結合断面図である。
本実施形態による基板加熱装置１００は、エッチングや洗浄など処理のための基板処理装置に設置され、基板Ｗを加熱する装置であって、加熱部１０、端子台２０、反射板３０及び冷却プレート４０を含んで構成される。
前記加熱部１０は、基板Ｗを加熱するために、前記基板Ｗの下部に配置される熱源である。前記基板Ｗは、スピンチャック５０によって支持されるが、スピンチャック５０には、基板Ｗと接しながら支持する複数のチャックピン５１が設置される。
前記加熱部１０は、図２に示されているように、複数個が同心円状に配置されるＩＲランプヒーターで構成できる。それぞれのＩＲランプヒーターは、中空のケーシングと、ケーシングの内部に設置されるフィラメント（図示せず）と、を備え、ケーシングの両端部は、発熱のための電力供給を受けるために端子台２０に連結される。
前記複数個のＩＲランプヒーターは、同じ平面に配置されるが、ＩＲランプヒーターが同じ平面に配置されるという意味は、それぞれのＩＲランプヒーターが設置された高さが全て同じであるため、それぞれのＩＲランプヒーターと基板Ｗとの距離が同一であるという意味である。基板を処理する過程で基板Ｗを均一に加熱しなければ、基板の処理均一度に劣るおそれがあるが、ＩＲランプヒーターを同じ平面に配置すると、それぞれのＩＲランプヒーターと基板Ｗとの距離が同一になって基板Ｗを均一に加熱することができる。前記加熱部１０であるＩＲランプヒーターには、重力によって下方に弛むことを防止して同じ平面に配置されることが維持できるようにＩＲランプヒーターを支持する支持手段１１が設けられる。
前記端子台２０は、電源から電力の供給を受けて前記加熱部１０に供給する構成であって、電力供給のための電源ケーブル２１に連結される。前記端子台２０は、セラミック材質で製作できる。
前記反射板３０は、前記基板Ｗを効率よく加熱するために前記加熱部１０の下方に配置され、加熱部１０であるＩＲランプヒーターから発散した熱を基板Ｗ側へ反射させる。また、反射板３０は、基板Ｗを均一に加熱することができるようにする。
前記反射板３０は、前記発熱手段１０から発散した輻射熱が透過しないように不透明材質で製作できる。
前記反射板３０には、図２に示されているように、前記端子台２０の断面形状に対応する形状の隙間３１（ｏｐｅｎｉｎｇ）が形成される。前記端子台２０の断面形状に対応する形状とは、前記端子台２０が前記隙間３１を貫通するように配置されるとき、隙間３１のうち、端子台２０が貫通して残った空間が製作公差程度と小さい形状を意味する。隙間３１の形状を端子台２０の断面形状と対応する形状に構成することにより、反射板３０の面積を最大化して、加熱部１０から発散した熱を最大限に反射させることができるように構成する。
前記冷却プレート４０は、前記反射板３０の下部に配置され、冷気を提供する構成であって、内部には冷却水の流れる流路（図示せず）が配置され、冷却水が流路に沿って流れるように構成される。冷却プレート４０に配置された流路に沿って冷却水が流れながら、熱を吸収して外部へ排出される。
前記冷却プレート４０は、基板Ｗ、端子台２０及び下部チャック６０を冷却させることができるように下部チャック６０の上部に配置され、下部チャック６０によって支持される。
前記端子台２０の下端部は、前記隙間３１を貫通して前記冷却プレート４０と直接接触するように構成される。端子台２０が冷却プレート４０と直接接触することにより端子台２０の冷却効率を高めて、加熱部１０によって基板Ｗを加熱する過程で端子台２０が一緒に過熱して損傷するのを防止する。
図３に示されているように、前記冷却プレート４０のうち、前記隙間３１の下部には、下方に凹んだ溝４１が形成され、中央部には貫通孔４２が形成されている。前記端子台２０に連結される電源ケーブル２１が前記溝４１に収容された状態で冷却プレート４０によって冷却され、前記貫通孔４２を貫通するように構成されているので、電源ケーブル２１の冷却効率を高めることができるようにする。
前記端子台２０と同様に、端子台２０に連結された電源ケーブル２１も加熱部１０によって加熱されて寿命が短くなったり効率が低下したりする可能性があるが、溝４１に収容された状態で冷却できるようにすることにより、電源ケーブル２１が加熱されることにより発生しうる問題を解決する。
電源ケーブル２１は、溝４１内で冷却プレート４０に直接接触することにより、冷却プレート４０によって冷却できる。
一方、前記溝４１の幅ｄ１は、前記隙間３１の幅ｄ２に比べて小さく形成され、前記端子台３０が冷却プレート４０に支持できるように構成することができる。
前記反射板３０と下部チャック６０にも、前記冷却プレート４０と同様に、それぞれ貫通孔３２、６１が形成されているが、これは、スピンチャック５０を回転させるための回転駆動部（図示せず）の回転軸であるスピンドル（図示せず）を設置するための空間が必要だからである。
以下、本発明の第２形態である基板処理装置の一実施形態について説明する。
図４は、本発明の一つの実施形態による基板処理装置を説明するための図である。
本実施形態による基板処理装置は、チャンバ１０００、基板支持ユニット２００、薬液供給ユニット３００、及び基板加熱ユニット１００を含んで構成される。本実施形態の基板処理装置は、例えば、基板を洗浄するための洗浄装置やエッチング装置など、基板を加熱しながら工程を行う様々な種類の装置であり得る。
前記チャンバ１０００は、基板を処理するための処理領域を提供する。
前記基板支持ユニット２００は、前記チャンバ１０００が提供する処理領域に設置され、基板Ｗを支持する構成であって、スピンチャック５０、下部チャック６０、スピンドル７０及び回転駆動部８０を含んで構成できる。前記スピンチャック５０には、複数のチャックピン５１が設置される。
前記基板支持ユニット２００の周辺には、基板Ｗの表面に噴射されて基板Ｗを処理した後に生じる処理副産物や、基板Ｗから飛散した薬液を回収するための回収ユニット５００が設けられることができる。
前記薬液供給ユニット３００は、前記基板Ｗを処理するための薬液を供給するための構成であって、配管やバルブ、ポンプなどを含んで構成できるが、これは、公知の構成を適用することができるので、詳細説明は省略する。図面の破線は薬液の移動を表示したものである。前記薬液は、基板Ｗを洗浄するための洗浄液や、基板Ｗをエッチングするためのエッチング液などであり得る。
前記薬液供給ユニット３００は、噴射ユニット４００を含むことができるが、前記噴射ユニット４００は、薬液供給ユニット３００に連結され、薬液供給ユニット３００によって供給された薬液を基板Ｗに噴射する構成である。前記噴射ユニット４００は、ノズルヘッド４０１とノズル４０２を含んで構成でき、ノズル４０２を介して基板Ｗへ薬液を噴射する。
前記基板加熱ユニット１００は、前記基板Ｗを加熱する構成であって、加熱部１０、端子台２０、反射板３０及び冷却プレート４０を含んで構成されるが（図２及び図３参照）、前述した基板加熱装置と実質的に同じ構成として見なすことができ、前述したので、追加説明は省略する。
以下、図面を参照して、本発明の第３形態である基板エッチング装置の一実施形態について説明する。
図５は、本発明の一つの実施形態による基板エッチング装置を説明するための図である。
本実施形態による基板エッチング装置は、基板Ｗの表面をエッチングするための装置であって、チャンバ１０００、基板支持ユニット２００、エッチング液供給ユニット３００、回収ユニット５００及び基板加熱ユニット１００を含んで構成される。
前記チャンバ１０００は、エッチング処理のための処理領域を提供する。
前記基板支持ユニット２００は、前記チャンバ１０００が提供する領域に設置され、基板Ｗを支持する構成であって、スピンチャック５０、下部チャック６０、スピンドル７０、及び回転駆動部８０を含んで構成できる。前記スピンチャック５０には、複数のチャックピン５１が設置される。
前記エッチング液供給ユニット３００は、前記基板支持ユニット２００によって支持された基板Ｗにエッチング液を供給するための構成であって、ノズル３０１、ノズル駆動部３０２及びエッチング液加熱部３０３を含んで構成できる。前記エッチング液としては、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）が使用でき、リン酸によって基板Ｗの表面のシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などをエッチングすることができる。
前記ノズル３０１は、エッチング液を基板Ｗに直接噴射する構成である。
前記ノズル駆動部３０２は、前記ノズル３０１を移動させる構成であって、ノズル３０１が基板Ｗにエッチング液を噴射するときには、ノズル３０１が基板Ｗの中心上部に位置することができるように駆動し、エッチング液噴射が完了した後には、ノズル３０１が基板から離間するように駆動する。
前記エッチング液加熱部３０３は、エッチング液を加熱する。エッチング液によるエッチングは化学反応によって行われるが、エッチング液の温度が上がると、化学反応の速度が増加する可能性があるので、エッチング液を加熱するのである。エッチング液加熱部３０３は、エッチング液を沸点以下の温度、例えば１５０℃で加熱することができる。
一方、エッチング反応のために、エッチング液と共に、基板Ｗに純水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ；ＤＩＷ）を供給する純水供給ユニット４００が含まれてもよい。純水供給ユニット４００は、純水ノズル４０１、純水ノズル駆動部（図示せず）、及び純水加熱部４０２を含むことができる。
前記純水ノズル４０１は、基板Ｗに純水を噴射する構成であり、純水ノズル駆動部は、前記純水ノズル４０１を駆動する構成であり、純水加熱部４０２は、エッチング反応の速度を上げるために純水を加熱する構成である。前記純水ノズル駆動部の駆動メカニズムは、前記ノズル駆動部３０２の駆動メカニズムと実質的に同一に構成できる。
前記回収ユニット５００は、前記エッチング液供給ユニット３００によって基板Ｗの表面に噴射されたエッチング液又は純水が基板の表面と反応しながら生じる反応副産物や、基板Ｗから飛散したエッチング液又は純水を回収する構成であって、図５に示されているように、基板支持ユニット２００と基板Ｗを包む形で配置される。
前記基板加熱ユニット１００は、前記基板Ｗを加熱するために前記スピンチャック５０の下部に配置される構成であって、加熱部１０、端子台２０、反射板３０及び冷却プレート４０を含んで構成されるが（図２又は図３参照）、前述した基板加熱装置と実質的に同じ構成なので、追加説明は省略する。
以上から本発明の好適な実施形態について説明することにより、本発明を実施するための具体的な内容を提供したが、本発明の技術的思想が説明された実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱することなく多様な形態で具体化できる。
１０ 加熱部
２０ 端子台
３０ 反射板
４０ 冷却プレート
２０ 端子台
３０ 反射板
４０ 冷却プレート
Claims (16)
- 基板を加熱するための基板加熱装置であって、
前記基板の下部に配置される熱源である加熱部と、
前記加熱部の下方に配置され、冷気を提供する冷却プレートと、
前記加熱部と前記冷却プレートとの間に配置され、前記加熱部から発散した熱を基板側へ反射させる反射板と、
前記加熱部に電力を供給し、下端部が前記冷却プレートと接する端子台と、を備え、
前記反射板には、隙間（ｏｐｅｎｉｎｇ）が形成されており、前記端子台の下端部は、前記隙間を貫通した状態で前記冷却プレートと接することを特徴とする、基板加熱装置。 - 前記隙間は、前記端子台の断面形状に対応するように構成される、請求項１に記載の基板加熱装置。
- 基板を加熱するための基板加熱装置であって、
前記基板の下部に配置される熱源である加熱部と、
前記加熱部の下方に配置され、冷気を提供する冷却プレートと、
前記加熱部に電力を供給し、下端部が前記冷却プレートと接する端子台と、を備え、
前記冷却プレートには、下方に凹んだ溝が設けられ、前記端子台に連結される電源ケーブルは、前記溝に収容されて冷却プレートによって冷却される、基板加熱装置。 - 前記冷却プレートのうち、前記隙間の下部には、下方に凹んだ溝が設けられ、前記端子台に連結される電源ケーブルは、前記溝に収容されて冷却プレートによって冷却される、請求項１に記載の基板加熱装置。
- 前記溝の幅が前記隙間の幅に比べて狭い、請求項４に記載の基板加熱装置。
- 前記加熱部は同心形状の複数個のＩＲランプヒーターを含み、それぞれのＩＲランプヒーターは同じ平面に配置される、請求項１に記載の基板加熱装置。
- 前記冷却プレートの内部には冷却水の流れる流路が配置される、請求項１に記載の基板加熱装置。
- 処理領域を提供するチャンバと、
前記チャンバの処理領域に設けられ、基板を支持する基板支持ユニットと、
前記基板支持ユニットによって支持された基板に薬液を供給するための薬液供給ユニットと、
前記基板を加熱するための基板加熱ユニットと、を備え、
前記基板加熱ユニットは、前記基板の下部に配置される熱源である加熱部と、前記加熱部の下方に配置され、冷気を提供する冷却プレートと、前記加熱部と前記冷却プレートとの間に配置され、加熱部から発散した熱を基板側へ反射させる反射板と、前記加熱部に電力を供給し、下端部が前記冷却プレートと接する端子台と、を備え、
前記反射板には隙間（ｏｐｅｎｉｎｇ）が形成されており、前記端子台の下端部は、前記隙間を貫通した状態で前記冷却プレートと接する、基板処理装置。 - 前記隙間は、前記端子台の断面形状に対応するように構成される、請求項８に記載の基板処理装置。
- 処理領域を提供するチャンバと、
前記チャンバの処理領域に設けられ、基板を支持する基板支持ユニットと、
前記基板支持ユニットによって支持された基板に薬液を供給するための薬液供給ユニットと、
前記基板を加熱するための基板加熱ユニットと、を備え、
前記基板加熱ユニットは、前記基板の下部に配置される熱源である加熱部と、前記加熱部の下方に配置され、冷気を提供する冷却プレートと、前記加熱部に電力を供給し、下端部が前記冷却プレートと接する端子台と、を備え、
前記冷却プレートには、下方に凹んだ溝が設けられ、前記端子台に連結される電源ケーブルは、前記溝に収容されて冷却プレートによって冷却される、基板処理装置。 - 前記冷却プレートのうち、前記隙間の下部には、下方に凹んだ溝が設けられ、前記端子台に連結される電源ケーブルは、前記溝に収容されて冷却プレートによって冷却される、請求項８に記載の基板処理装置。
- 前記溝の幅が前記隙間の幅に比べて狭い、請求項１１に記載の基板処理装置。
- 前記加熱部は同心形状の複数個のＩＲランプヒーターを含み、それぞれのＩＲランプヒーターは同じ平面に配置される、請求項８に記載の基板処理装置。
- 前記冷却プレートの内部には冷却水の流れる流路が配置される、請求項８に記載の基板処理装置。
- 前記基板支持ユニットは、スピンチャックと、前記スピンチャックの下方に配置され、前記スピンチャックを回転させるための回転駆動部と、を含む、請求項８に記載の基板処理装置。
- 基板の表面をエッチングするための基板エッチング装置であって、
処理領域を提供するチャンバと、
前記チャンバの処理領域に設けられて基板を支持し、スピンチャック、及び前記スピンチャックを回転させるための回転駆動部を含む基板支持ユニットと、
前記基板支持ユニットによって支持された基板にエッチング液を供給するためのもので、前記基板にエッチング液を噴射するノズル、前記ノズルを移動させるためのノズル駆動部、及び前記エッチング液を加熱するためのエッチング液加熱部を含むエッチング液供給ユニットと、
前記エッチング液供給ユニットによって基板の表面へ噴射されたエッチング液が基板の表面と反応しながら生じる反応副産物や、基板から飛散したエッチング液を回収するために前記基板支持ユニットを包む形で設けられる回収ユニットと、
前記基板を加熱するために前記スピンチャックの下部に配置される基板加熱ユニットと、を備え、
前記基板加熱ユニットは、
前記基板支持ユニットの下部に配置される熱源であって、複数個が同じ平面に同心円状に配置されたＩＲランプヒーターである加熱部と、
前記加熱部の下部に配置されて冷気を提供し、内部に冷却水の流れる流路が形成された冷却プレートと、
前記加熱部に電力を供給し、下端部が前記冷却プレートと接する端子台と、
前記加熱部と前記冷却プレートとの間に配置され、加熱部から発散した熱を基板側へ反射させる反射板と、を備え、
前記反射板には、前記端子台の断面形状に対応する形状の隙間（ｏｐｅｎｉｎｇ）が形成されており、前記端子台の下端部は、前記隙間を貫通した状態で前記冷却プレートと接し、
前記冷却プレートのうちの前記隙間の下部には、下方に前記隙間の幅に比べて狭い幅を持つように凹んだ溝が設けられ、前記端子台に連結される電源ケーブルは、前記溝に収容されて冷却プレートによって冷却される、基板エッチング装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220116952A KR20240038856A (ko) | 2022-09-16 | 2022-09-16 | 기판 가열 장치와 이를 이용한 기판 처리 장치 |
| KR10-2022-0116952 | 2022-09-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP7422847B1 true JP7422847B1 (ja) | 2024-01-26 |
| JP2024043452A JP2024043452A (ja) | 2024-03-29 |
Family
ID=89620898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022189008A Active JP7422847B1 (ja) | 2022-09-16 | 2022-11-28 | 基板加熱装置及びそれを用いた基板処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240096663A1 (ja) |
| JP (1) | JP7422847B1 (ja) |
| KR (1) | KR20240038856A (ja) |
| CN (1) | CN117727652A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022146507A (ja) * | 2021-03-22 | 2022-10-05 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011021549A1 (ja) | 2009-08-18 | 2011-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP2017037846A (ja) | 2009-10-21 | 2017-02-16 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 加熱プレートおよび基板支持体 |
| JP2022081442A (ja) | 2020-11-19 | 2022-05-31 | セメス カンパニー，リミテッド | 支持ユニット及び基板処理装置 |
-
2022
- 2022-09-16 KR KR1020220116952A patent/KR20240038856A/ko not_active Application Discontinuation
- 2022-11-28 JP JP2022189008A patent/JP7422847B1/ja active Active
-
2023
- 2023-03-27 US US18/126,933 patent/US20240096663A1/en active Pending
- 2023-03-27 CN CN202310303666.3A patent/CN117727652A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011021549A1 (ja) | 2009-08-18 | 2011-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP2017037846A (ja) | 2009-10-21 | 2017-02-16 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 加熱プレートおよび基板支持体 |
| JP2022081442A (ja) | 2020-11-19 | 2022-05-31 | セメス カンパニー，リミテッド | 支持ユニット及び基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240096663A1 (en) | 2024-03-21 |
| CN117727652A (zh) | 2024-03-19 |
| JP2024043452A (ja) | 2024-03-29 |
| KR20240038856A (ko) | 2024-03-26 |
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