JP7417369B2 - dicing die bond film - Google Patents

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Description

本発明は、例えば半導体集積回路を製造するときに使用されるダイシングテープ、及び、該ダイシングテープを備えたダイシングダイボンドフィルムに関する。 The present invention relates to a dicing tape used, for example, when manufacturing semiconductor integrated circuits, and a dicing die bond film provided with the dicing tape.

従来、半導体集積回路の製造において使用されるダイシングダイボンドフィルムが知られている。この種のダイシングダイボンドフィルムは、例えば、ダイシングテープと、該ダイシングテープに積層され且つウエハに接着されるダイボンド層と、を備える。ダイシングテープは、基材層と、ダイボンド層に接している粘着層とを有する。この種のダイシングダイボンドフィルムは、半導体集積回路の製造において、例えば下記のようにして使用される。 BACKGROUND ART Conventionally, dicing die bond films used in the manufacture of semiconductor integrated circuits have been known. This type of dicing die bond film includes, for example, a dicing tape and a die bond layer laminated on the dicing tape and bonded to the wafer. The dicing tape has a base layer and an adhesive layer in contact with the die bond layer. This type of dicing die bond film is used, for example, in the following manner in the manufacture of semiconductor integrated circuits.

半導体集積回路を製造する方法は、一般的に、高集積の電子回路によってシリコンウエハの片面側に回路面を形成する前工程と、回路面が形成されたウエハからチップを切り出して組立てを行う後工程とを備える。
後工程は、例えば、ウエハの回路面とは反対側の面をダイボンド層に貼り付けて、ダイシングテープにウエハを固定するマウント工程と、ダイボンド層を介してダイシングテープに貼り付けられた半導体ウエハを割断処理によって小さいチップ(ダイ)へ加工するダイシング工程と、小さく加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、ダイボンド層と粘着剤層との間で剥離してダイボンド層が貼り付いた状態で半導体チップ(ダイ)を取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層が貼り付いた状態の半導体チップ(ダイ)を被着体に接着させるダイボンド工程と、を有する。半導体集積回路は、これらの工程を経て製造される。
上記の製造方法において、ダイシング工程とピックアップ工程との間で、半導体チップ(ダイ)に浮きが発生することがある。詳しくは、ダイシングテープの粘着剤層によって小片(ダイ)が固定されなくなり、小片(ダイ)が浮いてしまうことがある。この現象は、ウエハの厚さ方向に多くの回路が積み重なっている場合に、起こりやすい。斯かる浮きが原因となって、ピックアップ工程において、半導体チップが破損することがある。そこで、上記のごとき浮きを抑制できるダイシングダイボンドフィルムが要望されている。
The method for manufacturing semiconductor integrated circuits generally involves a pre-process of forming a circuit surface on one side of a silicon wafer using highly integrated electronic circuits, and a post-process of cutting chips from the wafer on which the circuit surface has been formed and assembling them. and a process.
Post-processes include, for example, a mounting process in which the side opposite to the circuit side of the wafer is attached to a die bond layer and the wafer is fixed to a dicing tape, and a semiconductor wafer attached to the dicing tape via the die bond layer. The dicing process involves cutting into small chips (dies), the expanding process which widens the distance between the semiconductor chips that have been processed into small pieces, and the state where the die bond layer is stuck due to separation between the die bond layer and the adhesive layer. The method includes a pick-up process for taking out a semiconductor chip (die), and a die-bonding process for bonding the semiconductor chip (die) with a die-bonding layer attached to an adherend. A semiconductor integrated circuit is manufactured through these steps.
In the above manufacturing method, floating may occur in the semiconductor chip (die) between the dicing process and the pickup process. Specifically, the small pieces (dies) may no longer be fixed by the adhesive layer of the dicing tape, and the small pieces (dies) may float. This phenomenon tends to occur when many circuits are stacked in the thickness direction of the wafer. Such floating may cause damage to the semiconductor chip during the pick-up process. Therefore, there is a need for a dicing die bond film that can suppress the above-mentioned lifting.

ところで、従来のダイシングテープとしては、例えば、基材層に重なった粘着剤層が、ベースポリマーと、ポリエステル系の可塑剤と、界面活性剤とを含み、可塑剤及び界面活性剤の溶解度パラメータ(SP値)が、下記式を満たすものが知られている(特許文献1)。
0.9≦[可塑剤のSP値]/[界面活性剤のSP値]≦1.0
By the way, in conventional dicing tapes, for example, the adhesive layer overlapping the base material layer contains a base polymer, a polyester plasticizer, and a surfactant, and the solubility parameters of the plasticizer and surfactant ( It is known that the SP value) satisfies the following formula (Patent Document 1).
0.9≦[SP value of plasticizer]/[SP value of surfactant]≦1.0

特開2011-228502号公報Japanese Patent Application Publication No. 2011-228502

しかしながら、上記のごとき半導体チップの浮きを抑制できるダイシングダイボンドフィルムやダイシングテープについては、未だ十分に検討されているとはいえない。 However, dicing die-bonding films and dicing tapes that can suppress the floating of semiconductor chips as described above have not yet been sufficiently studied.

そこで、本発明は、半導体集積回路の製造時における半導体チップの浮きを抑制できるダイシングテープ、及び、ダイシングダイボンドフィルムを提供することを課題とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a dicing tape and a dicing die bond film that can suppress floating of semiconductor chips during the manufacture of semiconductor integrated circuits.

上記課題を解決すべく、本発明に係るダイシングテープは、
基材層と、該基材層に重なった粘着剤層とを備えるダイシングテープであって、
前記粘着剤層が、粘着剤と、粘着付与剤とを含むことを特徴とする。
In order to solve the above problems, the dicing tape according to the present invention includes:
A dicing tape comprising a base layer and an adhesive layer overlapping the base layer,
The adhesive layer is characterized in that it includes an adhesive and a tackifier.

上記構成のダイシングテープによれば、半導体チップの浮きを抑制できる。 According to the dicing tape having the above configuration, floating of semiconductor chips can be suppressed.

本発明に係るダイシングテープでは、前記粘着剤層は、前記粘着剤の100質量部に対して、前記粘着付与剤を5質量部以上25質量部以下含むことが好ましい。これにより、半導体チップの浮きをより抑制でき、良好なピックアップ性も発揮できる。
なお、良好なピックアップ性とは、半導体集積回路の製造のピックアップ工程において、粘着剤層とダイボンド層とが引き離されてダイボンド層が引き上げられるときに、粘着層がわずかに突き上げられて、半導体チップが破損する現象を抑制できる性能である。
In the dicing tape according to the present invention, the adhesive layer preferably contains 5 parts by mass or more and 25 parts by mass or less of the tackifier based on 100 parts by mass of the adhesive. As a result, floating of the semiconductor chip can be further suppressed, and good pick-up performance can also be exhibited.
In addition, good pick-up property means that in the pick-up process of manufacturing semiconductor integrated circuits, when the adhesive layer and die bond layer are separated and the die bond layer is pulled up, the adhesive layer is slightly pushed up and the semiconductor chip is This is a performance that can suppress the phenomenon of damage.

本発明に係るダイシングテープでは、前記粘着付与剤は、分子中にフェノール基を有する化合物を含有することが好ましい。これにより、半導体チップの浮きをより抑制できることができる。 In the dicing tape according to the present invention, the tackifier preferably contains a compound having a phenol group in the molecule. Thereby, floating of the semiconductor chip can be further suppressed.

本発明に係るダイシングテープでは、前記粘着剤層は、軟化点が70℃以上170℃以下の前記粘着付与剤を含むことが好ましい。これにより、半導体チップの浮きをより抑制できることができる。 In the dicing tape according to the present invention, the adhesive layer preferably contains the tackifier having a softening point of 70°C or more and 170°C or less. Thereby, floating of the semiconductor chip can be further suppressed.

本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、上記のダイシングテープと、該ダイシングテープの粘着剤層に積層されたダイボンド層とを備える。 The dicing die-bonding film according to the present invention includes the above-mentioned dicing tape and a die-bonding layer laminated on the adhesive layer of the dicing tape.

本発明に係るダイシングダイボンドフィルムでは、前記粘着剤層と前記ダイボンド層との間におけるT型剥離強度は、1.0(N/20mm)以上3.4(N/20mm)以下であることが好ましい。これにより、半導体チップの浮きをより抑制できることができる。 In the dicing die bond film according to the present invention, the T-peel strength between the adhesive layer and the die bond layer is preferably 1.0 (N/20 mm) or more and 3.4 (N/20 mm) or less. . Thereby, floating of the semiconductor chip can be further suppressed.

本発明に係るダイシングダイボンドフィルムでは、
前記粘着剤層と前記ダイボンド層との間における前記T型剥離強度は、下記式(1)を満たすことが好ましい。
0.04 ≦ 活性エネルギー線照射後における前記T型剥離強度/活性エネルギー線照射前における前記T型剥離強度 ≦ 0.10 ・・・(1)
これにより、半導体チップの浮きをより抑制できることができる。
In the dicing die bond film according to the present invention,
It is preferable that the T-peel strength between the adhesive layer and the die-bonding layer satisfies the following formula (1).
0.04≦T-type peel strength after active energy ray irradiation/T-type peel strength before active energy ray irradiation≦0.10 (1)
Thereby, floating of the semiconductor chip can be further suppressed.

本発明に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、半導体チップの浮きを抑制できるという効果を奏する。 The dicing tape and dicing die bond film according to the present invention have the effect of suppressing floating of semiconductor chips.

本実施形態のダイシングダイボンドフィルムを厚さ方向に切断した断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view of the dicing die-bonding film of the present embodiment cut in the thickness direction. 半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に表す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a half-cut process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に表す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a half-cut process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に表す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a half-cut process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に表す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a half-cut process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に表す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a mounting process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に表す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a mounting process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に表す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a low-temperature expansion process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に表す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a low-temperature expansion process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に表す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a low-temperature expansion process in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に表す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an expansion process at room temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に表す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an expansion process at room temperature in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法におけるピックアップ工程の様子を模式的に表す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a pickup step in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit.

以下、本発明に係るダイシングダイボンドフィルム、及び、ダイシングテープの一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。 EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one embodiment of the dicing die-bonding film and dicing tape according to the present invention will be described with reference to the drawings.

本実施形態のダイシングダイボンドフィルム1は、ダイシングテープ20と、該ダイシングテープ20の粘着剤層22に積層され且つ半導体ウエハに接着されるダイボンド層10とを備える。 The dicing die bond film 1 of this embodiment includes a dicing tape 20 and a die bond layer 10 that is laminated on the adhesive layer 22 of the dicing tape 20 and adhered to a semiconductor wafer.

本実施形態のダイシングテープ20は、通常、長尺シートであり、使用されるまで巻回された状態で保管される。本実施形態のダイシングダイボンドフィルム1は、割断処理されるシリコンウエハよりも、ひと回り大きい内径を有する円環状の枠に張られ、カットされて使用される。 The dicing tape 20 of this embodiment is usually a long sheet, and is stored in a wound state until it is used. The dicing die-bonding film 1 of this embodiment is stretched around a ring-shaped frame having an inner diameter one size larger than the silicon wafer to be cut, and is used after being cut.

本実施形態のダイシングテープ20は、基材層21と、該基材層21に重なった粘着剤層22とを備える。粘着剤層22は、粘着剤と、粘着付与剤とを少なくとも含む。 The dicing tape 20 of this embodiment includes a base layer 21 and an adhesive layer 22 overlapping the base layer 21. The adhesive layer 22 includes at least an adhesive and a tackifier.

粘着剤としては、粘着性を有するポリマー成分が挙げられる。ポリマー成分としては、例えば、アクリルポリマー、オレフィンポリマー、又はシリコーンポリマーなどが挙げられる。なかでも、アクリルポリマーが好ましい。 Examples of the adhesive include polymer components having adhesive properties. Examples of the polymer component include acrylic polymers, olefin polymers, and silicone polymers. Among these, acrylic polymers are preferred.

アクリルポリマーとは、(メタ)アクリレートモノマー((メタ)アクリル酸エステルモノマー)が重合したポリマーである。
本実施形態において、上記の粘着剤としてのアクリルポリマーは、分子中に、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートの構成単位と、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位とを少なくとも有する。
なお、本明細書において、「(メタ)アクリレート」との表記は、メタクリレート(メタクリル酸エステル)及びアクリレート(アクリル酸エステル)のうちの少なくとも一方を表す。同様に、「(メタ)アクリル酸」との表記は、メタクリル酸及びアクリル酸のうちの少なくとも一方を表す。
An acrylic polymer is a polymer obtained by polymerizing (meth)acrylate monomers ((meth)acrylic acid ester monomers).
In the present embodiment, the acrylic polymer used as the adhesive has at least a C6 to C11 alkyl (meth)acrylate structural unit and a hydroxyl group-containing (meth)acrylate structural unit in the molecule.
In addition, in this specification, the notation "(meth)acrylate" represents at least one of methacrylate (methacrylic acid ester) and acrylate (acrylic acid ester). Similarly, the expression "(meth)acrylic acid" represents at least one of methacrylic acid and acrylic acid.

本実施形態において、粘着剤層22は、例えば、上記のアクリルポリマー(粘着剤)と、イソシアネート化合物と、重合開始剤とを含む。 In this embodiment, the adhesive layer 22 includes, for example, the above-mentioned acrylic polymer (adhesive), an isocyanate compound, and a polymerization initiator.

粘着剤層22は、例えば、3μm以上20μm以下の厚さを有する。粘着剤層22の形状および大きさは、通常、基材層21の形状および大きさと同じである。 The adhesive layer 22 has a thickness of, for example, 3 μm or more and 20 μm or less. The shape and size of the adhesive layer 22 are usually the same as the shape and size of the base material layer 21.

本実施形態において、上記のアクリルポリマーは、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートの構成単位と、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位と、重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位とによって構成されている。なお、構成単位は、アクリルポリマーの主鎖を構成する単位である。上記のアクリルポリマーにおける各側鎖は、主鎖を構成する各構成単位に含まれる。 In this embodiment, the above acrylic polymer is composed of a C6 to C11 alkyl (meth)acrylate constitutional unit, a hydroxyl group-containing (meth)acrylate constitutional unit, and a polymerizable group-containing (meth)acrylate constitutional unit. ing. Note that the structural unit is a unit that constitutes the main chain of the acrylic polymer. Each side chain in the above acrylic polymer is included in each structural unit constituting the main chain.

粘着剤層22に含まれるアクリルポリマーにおいて、上記の構成単位は、H-NMR、13C-NMRなどのNMR分析、熱分解GC/MS分析、及び、赤外分光法などによって確認できる。なお、アクリルポリマーにおける上記の構成単位のモル割合は、通常、アクリルポリマーを重合するときの配合量(仕込量)から算出される。 In the acrylic polymer contained in the adhesive layer 22, the above-mentioned structural units can be confirmed by NMR analysis such as 1 H-NMR and 13 C-NMR, pyrolysis GC/MS analysis, and infrared spectroscopy. Note that the molar ratio of the above-mentioned structural units in the acrylic polymer is usually calculated from the amount blended (charged amount) when polymerizing the acrylic polymer.

C6~C11アルキル(メタ)アクリレートの構成単位は、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートモノマーに由来する。換言すると、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートモノマーが重合反応したあとの分子構造が、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートの構成単位である。詳しくは、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートモノマーの重合反応によって生じた結合が、アクリルポリマーの主鎖の一部を構成することとなる。「C6~C11アルキル」という表記は、(メタ)アクリル酸に対してエステル結合した炭化水素部分の炭素数を表す。換言すると、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートモノマーは、(メタ)アクリル酸と、炭素数9~11のアルコール(通常、1価アルコール)とがエステル結合したモノマーを示す。
C6~C11アルキルの炭化水素部分は、飽和炭化水素であってもよく、不飽和炭化水素であってもよい。例えば、C6~C11アルキルの炭化水素部分は、直鎖状飽和炭化水素、分岐鎖状飽和炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素である。斯かる炭化水素部分は、直鎖状飽和炭化水素、又は、分岐鎖状飽和炭化水素であることが好ましく、分岐鎖状飽和炭化水素であることがより好ましい。
なお、C6~C11アルキルの炭化水素部分は、酸素(O)や窒素(N)などを含有する極性基を含まないことが好ましい。
The C6-C11 alkyl (meth)acrylate structural unit is derived from a C6-C11 alkyl (meth)acrylate monomer. In other words, the molecular structure after the C6-C11 alkyl (meth)acrylate monomer undergoes a polymerization reaction is the structural unit of the C6-C11 alkyl (meth)acrylate. Specifically, the bond generated by the polymerization reaction of the C6 to C11 alkyl (meth)acrylate monomer constitutes a part of the main chain of the acrylic polymer. The expression "C6-C11 alkyl" indicates the number of carbon atoms in the hydrocarbon moiety bonded to (meth)acrylic acid with an ester bond. In other words, the C6-C11 alkyl (meth)acrylate monomer is a monomer in which (meth)acrylic acid and an alcohol having 9 to 11 carbon atoms (usually a monohydric alcohol) are ester-bonded.
The C6-C11 alkyl hydrocarbon moiety may be a saturated hydrocarbon or an unsaturated hydrocarbon. For example, the C6-C11 alkyl hydrocarbon moiety is a linear saturated hydrocarbon, a branched saturated hydrocarbon, an alicyclic hydrocarbon, or an aromatic hydrocarbon. The hydrocarbon portion is preferably a linear saturated hydrocarbon or a branched saturated hydrocarbon, more preferably a branched saturated hydrocarbon.
Note that the C6 to C11 alkyl hydrocarbon moiety preferably does not contain a polar group containing oxygen (O), nitrogen (N), or the like.

C6~C11アルキル(メタ)アクリレートの構成単位としては、例えば、ヘキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、n-オクチル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、n-ノニル(メタ)アクリレート、iso(sec)-ノニル(メタ)アクリレート、tert-ノニル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、n-デシル(メタ)アクリレート、iso(sec)-デシル(メタ)アクリレート、tert-デシル(メタ)アクリレート、n-ウンデシル(メタ)アクリレート、iso(sec)-ウンデシル(メタ)アクリレート、tert-ウンデシル(メタ)アクリレートなどの各構成単位が挙げられる。
C6~C11アルキル(メタ)アクリレートの構成単位としては、ノニル(メタ)アクリレートの構成単位及びオクチル(メタ)アクリレートの構成単位のうちの少なくとも一方が好ましく、イソノニル(メタ)アクリレートの構成単位及び2-エチルヘキシル(メタ)アクリレートの構成単位のうちの少なくとも一方がより好ましい。
C6~C11アルキル(メタ)アクリレートの構成単位において、アルキル部分が分岐鎖状であることにより、後に詳述するピックアップ工程において、ダイボンド層10を粘着剤層22から、より容易に剥離させることができる。また、アルキル部分の炭素数が9であることにより、同様に、ダイボンド層10を粘着剤層22から、より容易に剥離させることができる。
Examples of the structural units of C6 to C11 alkyl (meth)acrylate include hexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, n-octyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, n-nonyl (meth)acrylate, iso(sec)-nonyl(meth)acrylate, tert-nonyl(meth)acrylate, isobornyl(meth)acrylate, n-decyl(meth)acrylate, iso(sec)-decyl(meth) Examples include various structural units such as acrylate, tert-decyl (meth)acrylate, n-undecyl (meth)acrylate, iso(sec)-undecyl (meth)acrylate, and tert-undecyl (meth)acrylate.
As the C6 to C11 alkyl (meth)acrylate structural unit, at least one of a nonyl (meth)acrylate structural unit and an octyl (meth)acrylate structural unit is preferable, and an isononyl (meth)acrylate structural unit and a 2- At least one of the structural units of ethylhexyl (meth)acrylate is more preferred.
Since the alkyl moiety in the C6 to C11 alkyl (meth)acrylate structural unit is branched, the die-bonding layer 10 can be more easily peeled off from the adhesive layer 22 in the pick-up process described in detail later. . Further, since the number of carbon atoms in the alkyl portion is 9, the die bond layer 10 can be easily peeled off from the adhesive layer 22 in the same way.

上記のアクリルポリマーは、分子中に、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートの構成単位を、50mol%以上90mol%以下含むことが好ましい。
上記のアクリルポリマーが、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートの構成単位を、50mol%以上90mol%以下含むことによって、半導体チップの浮きをより抑制でき、より良好なピックアップ性を発揮させることができる。
上記のアクリルポリマーは、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートの構成単位を、55mol%以上含むことがより好ましい。また、85mol%以下含むことがより好ましい。
The above acrylic polymer preferably contains 50 mol% or more and 90 mol% or less of a C6 to C11 alkyl (meth)acrylate structural unit in the molecule.
When the above acrylic polymer contains a C6 to C11 alkyl (meth)acrylate structural unit in an amount of 50 mol% or more and 90 mol% or less, lifting of the semiconductor chip can be further suppressed and better pick-up properties can be exhibited.
It is more preferable that the above acrylic polymer contains 55 mol% or more of a C6 to C11 alkyl (meth)acrylate structural unit. Moreover, it is more preferable to contain 85 mol% or less.

上記のmol%は、アクリルポリマーの主鎖を構成することとなるモノマーを基にした値である。詳しくは、アクリルポリマーの重合時において主鎖に組み込まれた重合開始剤や連鎖移動剤は、上記のmol%において考慮されない。以下、明細書中において同様である。
換言すると、上記のアクリルポリマーは、重合前の(メタ)アクリレートモノマーにおける(メタ)アクリロイル基の不飽和二重結合部分が重合によって連なった主鎖を有する。上記のmol%は、重合によって主鎖を構成することとなった(メタ)アクリレートモノマーの総モル数に対するモル百分率である。なお、アクリルポリマーの側鎖における分子構造は、上記のmol%において考慮されない。
The above mol% is a value based on the monomer that will constitute the main chain of the acrylic polymer. Specifically, the polymerization initiator and chain transfer agent incorporated into the main chain during polymerization of the acrylic polymer are not taken into account in the above mol%. The same applies hereinafter in the specification.
In other words, the above-mentioned acrylic polymer has a main chain in which unsaturated double bond moieties of (meth)acryloyl groups in the (meth)acrylate monomer before polymerization are linked by polymerization. The above mol% is a molar percentage with respect to the total number of moles of (meth)acrylate monomers that constitute the main chain through polymerization. Note that the molecular structure of the side chain of the acrylic polymer is not considered in the above mol%.

アクリルポリマーは、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位を有し、斯かる構成単位の水酸基が、イソシアネート基と容易に反応する。
水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位を有するアクリルポリマーと、イソシアネート化合物とを粘着剤層22に共存させておくことによって、粘着層を適度に硬化させることができる。
Acrylic polymers have hydroxyl group-containing (meth)acrylate structural units, and the hydroxyl groups of these structural units easily react with isocyanate groups.
By allowing an acrylic polymer having a hydroxyl group-containing (meth)acrylate structural unit and an isocyanate compound to coexist in the adhesive layer 22, the adhesive layer can be appropriately cured.

水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位は、水酸基含有(メタ)アクリレートモノマーに由来する。換言すると、水酸基含有(メタ)アクリレートモノマーが重合反応したあとの分子構造が、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位である。詳しくは、水酸基含有(メタ)アクリレートモノマーの重合反応によって生じた結合が、アクリルポリマーの主鎖の一部を構成することとなる。 The structural unit of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate is derived from a hydroxyl group-containing (meth)acrylate monomer. In other words, the molecular structure after the hydroxyl group-containing (meth)acrylate monomer undergoes a polymerization reaction is the structural unit of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate. Specifically, the bond generated by the polymerization reaction of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate monomer constitutes a part of the main chain of the acrylic polymer.

水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位は、水酸基含有C2~C4アルキル(メタ)アクリレートの構成単位であることが好ましい。「C2~C4アルキル」という表記は、(メタ)アクリル酸に対してエステル結合した炭化水素部分の炭素数を表す。換言すると、水酸基含有C2~C4アルキル(メタ)アクリレートモノマーは、(メタ)アクリル酸と、炭素数2~4のアルコール(通常、2価アルコール)とがエステル結合したモノマーを示す。
C2~C4アルキルの炭化水素部分は、通常、飽和炭化水素である。例えば、C2~C4アルキルの炭化水素部分は、直鎖状飽和炭化水素、又は、分岐鎖状飽和炭化水素である。C2~C4アルキルの炭化水素部分は、酸素(O)や窒素(N)などを含有する極性基を含まないことが好ましい。
なお、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位において、水酸基(-OH基)は、炭化水素部分のいずれの炭素(C)に結合していてもよい。水酸基(-OH基)は、炭化水素部分の末端の炭素(C)に結合していることが好ましい。
The structural unit of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate is preferably a structural unit of a hydroxyl group-containing C2 to C4 alkyl (meth)acrylate. The expression "C2-C4 alkyl" indicates the number of carbon atoms in the hydrocarbon moiety bonded to (meth)acrylic acid with an ester bond. In other words, the hydroxyl group-containing C2-C4 alkyl (meth)acrylate monomer is a monomer in which (meth)acrylic acid and an alcohol having 2 to 4 carbon atoms (usually a dihydric alcohol) are ester-bonded.
The C2-C4 alkyl hydrocarbon portion is typically a saturated hydrocarbon. For example, the C2-C4 alkyl hydrocarbon moiety is a linear saturated hydrocarbon or a branched saturated hydrocarbon. The C2-C4 alkyl hydrocarbon moiety preferably does not contain a polar group containing oxygen (O), nitrogen (N), or the like.
In the structural unit of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate, the hydroxyl group (-OH group) may be bonded to any carbon (C) of the hydrocarbon moiety. The hydroxyl group (-OH group) is preferably bonded to the terminal carbon (C) of the hydrocarbon moiety.

水酸基含有C2~C4アルキル(メタ)アクリレートの構成単位としては、例えば、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ヒドロキシn-ブチル(メタ)アクリレート、又は、ヒドロキシiso-ブチル(メタ)アクリレートといったヒドロキシブチル(メタ)アクリレートの各構成単位が挙げられる。なお、ヒドロキシブチル(メタ)アクリレートの構成単位において、水酸基(-OH基)は、炭化水素部分の末端の炭素(C)に結合していてもよく、炭化水素部分の末端以外の炭素(C)に結合していてもよい。 Examples of the structural unit of the hydroxyl group-containing C2-C4 alkyl (meth)acrylate include hydroxyethyl (meth)acrylate, hydroxypropyl (meth)acrylate, hydroxy n-butyl (meth)acrylate, or hydroxyiso-butyl (meth)acrylate. Examples include each structural unit of hydroxybutyl (meth)acrylate such as acrylate. In addition, in the structural unit of hydroxybutyl (meth)acrylate, the hydroxyl group (-OH group) may be bonded to the terminal carbon (C) of the hydrocarbon moiety, and the hydroxyl group (-OH group) may be bonded to the carbon (C) at the end of the hydrocarbon moiety. may be combined with

水酸基含有C2~C4アルキル(メタ)アクリレートの構成単位としては、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートの構成単位が好ましく、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートの構成単位がより好ましい。
これにより、半導体チップの浮きをより抑制できるという利点がある。
As the structural unit of the hydroxyl group-containing C2-C4 alkyl (meth)acrylate, a structural unit of hydroxyethyl (meth)acrylate is preferable, and a structural unit of 2-hydroxyethyl (meth)acrylate is more preferable.
This has the advantage that floating of the semiconductor chip can be further suppressed.

アクリルポリマーは、分子中に、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位を1mol%以上20mol%以下含むことが好ましい。
水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位を1mol%以上含むことによって、粘着剤層22の粘着力(ピックアップ工程前)をより高めることができるという利点がある。また、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位を20mol%以下含むことによって、半導体チップの浮きをより抑制でき、より良好なピックアップ性を発揮させることができるという利点がある。
アクリルポリマーは、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位を2mol%以上含むことがより好ましく、10mol%以下含むことがより好ましい。
The acrylic polymer preferably contains 1 mol% or more and 20 mol% or less of a hydroxyl group-containing (meth)acrylate structural unit in the molecule.
By including 1 mol % or more of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate structural unit, there is an advantage that the adhesive force (before the pick-up process) of the adhesive layer 22 can be further increased. Further, by including 20 mol % or less of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate structural unit, there is an advantage that lifting of the semiconductor chip can be further suppressed and better pick-up properties can be exhibited.
The acrylic polymer preferably contains 2 mol% or more, and more preferably 10 mol% or less, of a hydroxyl group-containing (meth)acrylate structural unit.

本実施形態において、上記のアクリルポリマーは、上述したように、重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位をさらに含む。換言すると、上記のアクリルポリマーは、側鎖に重合性不飽和二重結合を有する重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位を含む。
上記のアクリルポリマーが、重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位を含むことによって、ピックアップ工程の前に、粘着剤層22を、活性エネルギー線(紫外線等)の照射によって硬化させることができる。詳しくは、紫外線等の活性エネルギー線の照射によって、光重合開始剤からラジカルを発生させ、このラジカルの作用によって、アクリルポリマー同士を架橋反応させることができる。これによって、照射前における粘着剤層22の粘着力を、照射によって低下させることができる。そして、ダイボンド層10を粘着剤層22から良好に剥離させることができ、より良好なピックアップ性を発揮させることができるという利点がある。
なお、活性エネルギー線としては、紫外線、放射線、電子線が採用される。
In this embodiment, the acrylic polymer further includes a polymerizable group-containing (meth)acrylate structural unit, as described above. In other words, the above acrylic polymer contains a polymerizable group-containing (meth)acrylate structural unit having a polymerizable unsaturated double bond in the side chain.
Since the above acrylic polymer contains a polymerizable group-containing (meth)acrylate structural unit, the adhesive layer 22 can be cured by irradiation with active energy rays (ultraviolet rays, etc.) before the pickup step. Specifically, radicals are generated from the photopolymerization initiator by irradiation with active energy rays such as ultraviolet rays, and the action of these radicals allows acrylic polymers to undergo a crosslinking reaction with each other. Thereby, the adhesive force of the adhesive layer 22 before irradiation can be reduced by irradiation. Further, there is an advantage that the die-bonding layer 10 can be peeled off well from the adhesive layer 22, and better pick-up properties can be exhibited.
Note that ultraviolet rays, radiation, and electron beams are employed as active energy rays.

重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位は、水酸基と結合可能な官能基と重合性基とを分子中に有するモノマーを、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位に結合させることで形成され得る。上記の官能基は、水酸基との反応性が高いイソシアネート基であってもよい。換言すると、上記のモノマーは、分子の両末端にそれぞれイソシアネート基とビニル基とを有するものであってもよい。ビニル基は、例えば、(メタ)アクリロイル基の一部であってもよい。
具体的には、重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位は、上述した水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位における水酸基に、イソシアネート基含有(メタ)アクリレートモノマーのイソシアネート基がウレタン結合した分子構造を有してもよい。換言すると、重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位は、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位由来の分子構造であって、水酸基由来のウレタン結合を介して重合性基((メタ)アクリロイル基)が結合した分子構造を有してもよい。
The structural unit of the polymerizable group-containing (meth)acrylate can be formed by bonding a monomer having a functional group capable of bonding with a hydroxyl group and a polymerizable group in the molecule to the structural unit of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate. . The above functional group may be an isocyanate group that is highly reactive with hydroxyl groups. In other words, the above monomer may have an isocyanate group and a vinyl group at both ends of the molecule. The vinyl group may be part of a (meth)acryloyl group, for example.
Specifically, the structural unit of the polymerizable group-containing (meth)acrylate has a molecular structure in which the isocyanate group of the isocyanate group-containing (meth)acrylate monomer is bonded with urethane to the hydroxyl group in the above-mentioned hydroxyl group-containing (meth)acrylate structural unit. It may have. In other words, the structural unit of the polymerizable group-containing (meth)acrylate has a molecular structure derived from the structural unit of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate, and the polymerizable group ((meth)acryloyl group ) may have a molecular structure in which they are bonded.

重合性基を有する重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位は、アクリルポリマーの重合後に、調製され得る。例えば、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートモノマーと、水酸基含有(メタ)アクリレートモノマーとの共重合の後に、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位の一部における水酸基と、イソシアネート基含有重合性モノマーのイソシアネート基とを、ウレタン化反応させることによって、上記の重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位を得ることができる。 The structural unit of the polymerizable group-containing (meth)acrylate having a polymerizable group can be prepared after polymerization of the acrylic polymer. For example, after copolymerizing a C6 to C11 alkyl (meth)acrylate monomer and a hydroxyl group-containing (meth)acrylate monomer, the hydroxyl groups in some of the constituent units of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate and the isocyanate group-containing polymerizable monomer are copolymerized. The above-mentioned structural unit of the polymerizable group-containing (meth)acrylate can be obtained by subjecting the isocyanate group to a urethanization reaction.

上記のイソシアネート基含有(メタ)アクリレートモノマーは、分子中にイソシアネート基を1つ有し且つ(メタ)アクリロイル基を1つ有することが好ましい。斯かるモノマーとしては、例えば、2-イソシアナトエチル(メタ)アクリレートが挙げられる。 The above-mentioned isocyanate group-containing (meth)acrylate monomer preferably has one isocyanate group and one (meth)acryloyl group in the molecule. Such monomers include, for example, 2-isocyanatoethyl (meth)acrylate.

上記のアクリルポリマーは、分子中に、重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位を10mol%以上25mol%以下含むことが好ましい。 The above acrylic polymer preferably contains 10 mol% or more and 25 mol% or less of a polymerizable group-containing (meth)acrylate structural unit in the molecule.

上記のアクリルポリマーは、分子中に、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位及び重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位を10mol%以上30mol%以下含むことが好ましい。 The above acrylic polymer preferably contains 10 mol% or more and 30 mol% or less of a hydroxyl group-containing (meth)acrylate constitutional unit and a polymerizable group-containing (meth)acrylate constitutional unit in the molecule.

上記のアクリルポリマーは、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位(B)、及び、重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位(C)に対して、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートの構成単位(A)を、モル比[A/(B+C)]で、0.5以上8.0以下含むことが好ましい。
上記の比[A/(B+C)]は、0.6以上であることがより好ましく、0.7以上であることがさらに好ましい。
上記の比[A/(B+C)]は、7.0以下であることがより好ましく、6.0以下であることがさらに好ましい。
The above acrylic polymer has a C6 to C11 alkyl (meth)acrylate structural unit for the hydroxyl group-containing (meth)acrylate structural unit (B) and the polymerizable group-containing (meth)acrylate structural unit (C). It is preferable that (A) be contained in a molar ratio [A/(B+C)] of 0.5 or more and 8.0 or less.
The above ratio [A/(B+C)] is more preferably 0.6 or more, and even more preferably 0.7 or more.
The ratio [A/(B+C)] is more preferably 7.0 or less, and even more preferably 6.0 or less.

上記のアクリルポリマーは、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位(B)、及び、重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位(C)に対して、重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位(C)を、モル比[C/(B+C)]で、0.50以上0.95以下含むことが好ましい。
上記の比[C/(B+C)]が0.50以上であることによって、ピックアップ性がより良好になるという利点がある。また、上記の比[C/(B+C)]が0.95以下であることによって、活性エネルギー線(紫外線等)の照射によって硬化した後の粘着剤層22が、粘着性を失うことを抑制できる。
上記の比[C/(B+C)]は、0.60以上であることがより好ましく、0.80以上であることがさらに好ましい。
上記の比[C/(B+C)]は、0.94以下であることがより好ましく、0.93以下であることがさらに好ましい。
The above acrylic polymer has a hydroxyl group-containing (meth)acrylate structural unit (B) and a polymerizable group-containing (meth)acrylate structural unit (C), a polymerizable group-containing (meth)acrylate structural unit. It is preferable that (C) be contained in a molar ratio [C/(B+C)] of 0.50 or more and 0.95 or less.
When the ratio [C/(B+C)] is 0.50 or more, there is an advantage that the pickup property becomes better. Further, by setting the above ratio [C/(B+C)] to 0.95 or less, the adhesive layer 22 can be prevented from losing its adhesive properties after being cured by irradiation with active energy rays (ultraviolet rays, etc.). .
The above ratio [C/(B+C)] is more preferably 0.60 or more, and even more preferably 0.80 or more.
The above ratio [C/(B+C)] is more preferably 0.94 or less, and even more preferably 0.93 or less.

好ましい形態において、上記のアクリルポリマーは、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートの構成単位と、水酸基含有C2~C4アルキル(メタ)アクリレートの構成単位と、重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位とを含み、水酸基含有C2~C4アルキル(メタ)アクリレートの構成単位は、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートの構成単位である。
さらに好ましい形態において、重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位は、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位の一部の水酸基がウレタン化反応したウレタン結合を有し、このウレタン結合を介して組み込まれた(メタ)アクリロイル基を重合性基としてさらに有する。
In a preferred embodiment, the above acrylic polymer comprises a C6-C11 alkyl (meth)acrylate structural unit, a hydroxyl group-containing C2-C4 alkyl (meth)acrylate structural unit, and a polymerizable group-containing (meth)acrylate structural unit. The structural unit of the hydroxyl group-containing C2-C4 alkyl (meth)acrylate is the structural unit of hydroxyethyl (meth)acrylate.
In a further preferred embodiment, the structural unit of the polymerizable group-containing (meth)acrylate has a urethane bond in which some of the hydroxyl groups of the structural unit of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate undergo a urethanization reaction, and the structural unit of the polymerizable group-containing (meth)acrylate is incorporated via this urethane bond. It further has a (meth)acryloyl group as a polymerizable group.

上記の粘着剤層22に含まれる粘着付与剤としては、ロジン系粘着付与剤、テルペン系粘着付与剤、炭化水素系粘着付与剤などが挙げられる。なお、これらの粘着付与剤としては、市販されている製品を用いることができる。 Examples of the tackifier included in the adhesive layer 22 include rosin-based tackifiers, terpene-based tackifiers, hydrocarbon-based tackifiers, and the like. Note that commercially available products can be used as these tackifiers.

ロジン系粘着付与剤としては、例えば、松ヤニや松根油中のアビエチン酸を主成分とするロジン酸とグリセリンやペンタエリスリトールとのエステル、及び、これらの水素添加物、不均化物が挙げられる。
より具体的には、ロジン系粘着付与剤としては、例えば、ガムロジン、トール油ロジン、ウッドロジン、水素添加ロジン、不均化ロジン、重合ロジン、変性ロジン、ロジンエステル(ロジンジオール)などが挙げられる。
Examples of the rosin-based tackifier include esters of rosin acid, mainly consisting of abietic acid found in pine tar and pine oil, and glycerin or pentaerythritol, as well as hydrogenated products and disproportionated products thereof.
More specifically, examples of the rosin-based tackifier include gum rosin, tall oil rosin, wood rosin, hydrogenated rosin, disproportionated rosin, polymerized rosin, modified rosin, and rosin ester (rosin diol).

テルペン系粘着付与剤としては、松に含まれるテルペン油やオレンジの皮などに含まれる天然のテルペンを重合したものが挙げられる。
より具体的には、テルペン系粘着付与剤としては、テルペン樹脂、芳香族変性テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、及び、水素添加テルペン樹脂のうち少なくとも1種が挙げられる。
テルペンフェノール樹脂は、テルペンモノマーとフェノールとが共重合したものである。
Examples of terpene-based tackifiers include those obtained by polymerizing terpene oil contained in pine trees and natural terpenes contained in orange peels.
More specifically, the terpene-based tackifier includes at least one of terpene resins, aromatic modified terpene resins, terpene phenol resins, and hydrogenated terpene resins.
Terpene phenol resin is a copolymer of terpene monomer and phenol.

炭化水素系粘着付与剤としては、例えば、石油を原料とした脂肪族炭化水素、脂環族炭化水素、芳香族炭化水素の樹脂が挙げられる。
より具体的には、炭化水素系粘着付与剤としては、C5系石油樹脂、C9系石油樹脂、共重合系石油樹脂、脂環族飽和炭化水素樹脂、スチレン系石油樹脂などが挙げられる。
粘着付与剤としては、さらに、α-メチルスチレンを構成単位としたスチレン系樹脂などが挙げられる。
Examples of the hydrocarbon-based tackifier include resins of aliphatic hydrocarbons, alicyclic hydrocarbons, and aromatic hydrocarbons made from petroleum.
More specifically, examples of the hydrocarbon tackifier include C5 petroleum resins, C9 petroleum resins, copolymer petroleum resins, alicyclic saturated hydrocarbon resins, and styrene petroleum resins.
Further examples of the tackifier include styrene resins having α-methylstyrene as a constituent unit.

粘着剤層22は、粘着剤の100質量部に対して、粘着付与剤を5質量部以上25質量部以下含むことが好ましい。粘着付与剤を5質量部以上含むことにより、半導体チップの浮きをより抑制できることができる。粘着付与剤を25質量部以下含むことにより、より良好なピックアップ性を発揮できる。 The adhesive layer 22 preferably contains 5 parts by mass or more and 25 parts by mass or less of a tackifier based on 100 parts by mass of the adhesive. By including 5 parts by mass or more of the tackifier, lifting of the semiconductor chip can be further suppressed. By containing 25 parts by mass or less of the tackifier, better pick-up properties can be exhibited.

粘着剤層22は、軟化点が70℃以上170℃以下である粘着付与剤を含むことが好ましい。
粘着付与剤の軟化点が70℃以上170℃以下であることによって、粘着付与剤としての機能がより十分に発揮される。これにより、粘着剤層22により良好な粘着性を付与できる。
上記の軟化点は、以下の方法によって測定される。具体的には、JIS K2207-1996 軟化点試験方法(環球法)に従って測定される。
上記の測定は、例えば、自動軟化点試験器「asp-6」(田中科学機器製作 社製)を用いて実施できる。測定方法の詳細は、下記の通りである。
規定の環に測定用試料を充てんし、グリセリン浴中に水平に支える。測定用試料の中央に規定の質量の球を置き、グリセリン浴の温度を規定の速さで上昇させる。軟化した測定用試料に球が沈み込み、環台の底板に触れたときの温度を軟化点とする。
・測定条件
球:鋼製球(直径9.53mm、質量3.5g)
球と環台の底板との距離:25mm
グリセリン浴の昇温速度:5℃/分
環球式2個がけ
グリセリン浴+撹拌モード
マグネチックスターラ80~300rpm
It is preferable that the adhesive layer 22 contains a tackifier having a softening point of 70°C or more and 170°C or less.
When the softening point of the tackifier is 70° C. or higher and 170° C. or lower, the function as a tackifier is more fully exhibited. Thereby, better adhesiveness can be imparted to the adhesive layer 22.
The above softening point is measured by the following method. Specifically, it is measured according to JIS K2207-1996 softening point test method (ring and ball method).
The above measurement can be performed using, for example, an automatic softening point tester "ASP-6" (manufactured by Tanaka Scientific Instruments Manufacturing Co., Ltd.). Details of the measurement method are as follows.
Fill the specified ring with the sample for measurement and support it horizontally in the glycerin bath. A sphere of a specified mass is placed in the center of the measurement sample, and the temperature of the glycerin bath is raised at a specified rate. The softening point is defined as the temperature at which the ball sinks into the softened measurement sample and touches the bottom plate of the ring stand.
・Measurement conditions Ball: Steel ball (diameter 9.53 mm, mass 3.5 g)
Distance between the ball and the bottom plate of the ring stand: 25mm
Glycerin bath heating rate: 5℃/min 2 ring and ball type Glycerin bath + stirring mode Magnetic stirrer 80-300 rpm

粘着付与剤としては、テルペン系粘着付与剤が好ましい。また、分子中にフェノール基を有する化合物が好ましい。粘着付与剤としては、テルペン系粘着付与剤のうちのテルペンフェノール樹脂がさらに好ましい。粘着付与剤が分子中にフェノール基を有することにより、半導体チップの浮きをより抑制できる。 As the tackifier, a terpene-based tackifier is preferred. Moreover, a compound having a phenol group in the molecule is preferable. As the tackifier, terpene phenol resin among terpene-based tackifiers is more preferable. When the tackifier has a phenol group in its molecule, lifting of the semiconductor chip can be further suppressed.

本実施形態のダイシングテープ20は、上記のアクリルポリマーを含む粘着剤層22を備える。粘着剤層22は、さらにイソシアネート化合物を含む。イソシアネート化合物の一部は、ウレタン化反応などによって反応した後の状態であってもよい。
イソシアネート化合物は、分子中に複数のイソシアネート基を有する。イソシアネート化合物が分子中に複数のイソシアネート基を有することによって、粘着剤層22におけるアクリルポリマー間の架橋反応を進行させることができる。詳しくは、イソシアネート化合物の一方のイソシアネート基をアクリルポリマーの水酸基と反応させ、他方のイソシアネート基を別のアクリルポリマーの水酸基と反応させることで、イソシアネート化合物を介した架橋反応を進行させることができる。
The dicing tape 20 of this embodiment includes an adhesive layer 22 containing the above-mentioned acrylic polymer. The adhesive layer 22 further contains an isocyanate compound. A part of the isocyanate compound may be in a state after being reacted by urethanization reaction or the like.
Isocyanate compounds have multiple isocyanate groups in their molecules. When the isocyanate compound has a plurality of isocyanate groups in the molecule, the crosslinking reaction between the acrylic polymers in the adhesive layer 22 can proceed. Specifically, by reacting one isocyanate group of the isocyanate compound with the hydroxyl group of an acrylic polymer and reacting the other isocyanate group with the hydroxyl group of another acrylic polymer, the crosslinking reaction via the isocyanate compound can proceed.

イソシアネート化合物としては、例えば、脂肪族ジイソシアネート、脂環族ジイソシアネート、又は、芳香脂肪族ジイソシアネートなどのジイソシアネートが挙げられる。 Examples of the isocyanate compound include diisocyanates such as aliphatic diisocyanates, alicyclic diisocyanates, and araliphatic diisocyanates.

脂肪族ジイソシアネートとしては、例えば、エチレンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,4,4-又は2,2,4-トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、2,6-ジイソシアナトカプロン酸メチル等が挙げられる。
脂環族ジイソシアネートとしては、例えば、3-イソシアナトメチル-3,5,5-トリメチルシクロヘキサン、1,3-又は1,4-ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン-2,4-又は2,6-ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-4,4’-ジイソシアネート、1,3-又は1,4-ジイソシアナトシクロヘキサン等が挙げられる。
芳香族ジイソシアネートとしては、例えば、m-又はp-フェニレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネート、2,4-又は2,6-トリレンジイソシアネート、1,3’-又は1,4-ビス(イソシアナトメチル)ベンゼン、1,3-又は1,4-ビス(α-イソシアナトイソプロピル)ベンゼン等が挙げられる。
Examples of the aliphatic diisocyanate include ethylene diisocyanate, tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,4,4- or 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, and methyl 2,6-diisocyanatocaproate. It will be done.
Examples of the alicyclic diisocyanate include 3-isocyanatomethyl-3,5,5-trimethylcyclohexane, 1,3- or 1,4-bis(isocyanatomethyl)cyclohexane, methylcyclohexane-2,4- or 2 , 6-diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, 1,3- or 1,4-diisocyanatocyclohexane, and the like.
Examples of aromatic diisocyanates include m- or p-phenylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, 2,4- or 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3'- or 1,4-bis( Examples include isocyanatomethyl)benzene, 1,3- or 1,4-bis(α-isocyanatoisopropyl)benzene, and the like.

また、イソシアネート化合物としては、トリイソシアネートが挙げられる。トリイソシアネートとしては、例えば、トリフェニルメタン-4,4’,4”-トリイソシアネート、1,3,5-トリイソシアナトベンゼン、1,3,5-トリス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン、1,3,5-トリス(イソシアナトメチル)ベンゼン、2,6-ジイソシアナトカプロン酸-2-イソシアナトエチル等が挙げられる。
さらに、イソシアネート化合物としては、例えば、ジイソシアネートの二量体や三量体等の重合ポリイソシアネート、ポリメチレンポリフェニレンポリイソシアネートが挙げられる。
Moreover, triisocyanate is mentioned as an isocyanate compound. Examples of the triisocyanate include triphenylmethane-4,4',4''-triisocyanate, 1,3,5-triisocyanatobenzene, 1,3,5-tris(isocyanatomethyl)cyclohexane, 1,3 , 5-tris(isocyanatomethyl)benzene, 2-isocyanatoethyl 2,6-diisocyanatocaproate, and the like.
Furthermore, examples of the isocyanate compound include polymerized polyisocyanates such as diisocyanate dimers and trimers, and polymethylene polyphenylene polyisocyanates.

加えて、イソシアネート化合物としては、例えば、上述したイソシアネート化合物の過剰量と、活性水素含有化合物とを反応させたポリイソシアネートが挙げられる。活性水素含有化合物としては、活性水素含有低分子量化合物、活性水素含有高分子量化合物などが挙げられる。
活性水素含有低分子量化合物としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、2,2,4-トリメチル-1,3-ペンタンジオール、ネオペンチルグリコール、ヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、シクロヘキサンジオール、水添ビスフェノールA、キシリレングリコール、グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ヘキサントリオール、ペンタエリスリトール、ソルビトール、ソルビット、シュクローズ、ヒマシ油、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、水、アンモニア、尿素等が挙げられ、活性水素含有高分子量化合物としては、種々のポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリウレタンポリオール、アクリルポリオール、エポキシポリオール等が挙げられる。
In addition, examples of the isocyanate compound include polyisocyanate obtained by reacting an excess amount of the above-mentioned isocyanate compound with an active hydrogen-containing compound. Examples of the active hydrogen-containing compound include active hydrogen-containing low molecular weight compounds, active hydrogen-containing high molecular weight compounds, and the like.
Examples of active hydrogen-containing low molecular weight compounds include ethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol, neopentyl glycol, hexanediol, and cyclohexane. Dimethanol, cyclohexanediol, hydrogenated bisphenol A, xylylene glycol, glycerin, trimethylolethane, trimethylolpropane, hexanetriol, pentaerythritol, sorbitol, sorbitol, sucrose, castor oil, ethylenediamine, hexamethylenediamine, diethanolamine, Examples include ethanolamine, water, ammonia, urea, etc., and examples of the active hydrogen-containing high molecular weight compound include various polyether polyols, polyester polyols, polyurethane polyols, acrylic polyols, epoxy polyols, and the like.

さらに、イソシアネート化合物としては、アロファネート化ポリイソシアネート、ビウレット化ポリイソシアネート等も用いることができる。
上記のイソシアネート化合物は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
Further, as the isocyanate compound, allophanated polyisocyanate, biuretted polyisocyanate, etc. can also be used.
The above isocyanate compounds can be used alone or in combination of two or more.

上記のイソシアネート化合物としては、芳香族ジイソシアネートと活性水素含有低分子量化合物との反応物が好ましい。芳香族ジイソシアネートが反応した反応物は、イソシアネート基の反応速度が比較的遅いため、斯かる反応物を含む粘着剤層22は、過度に硬化してしまうことが抑制される。上記のイソシアネート化合物としては、分子中にイソシアネート基を3つ以上有するものが好ましい。 The above-mentioned isocyanate compound is preferably a reaction product of an aromatic diisocyanate and an active hydrogen-containing low molecular weight compound. Since the reaction rate of isocyanate groups in the reactant reacted with the aromatic diisocyanate is relatively slow, the pressure-sensitive adhesive layer 22 containing such a reactant is prevented from being excessively cured. The above-mentioned isocyanate compound preferably has three or more isocyanate groups in the molecule.

粘着剤層22に含まれる重合開始剤は、加えられた熱や光のエネルギーによって重合反応を開始できる化合物である。粘着剤層22が重合開始剤を含むことによって、粘着剤層22に熱エネルギーや光エネルギーを与えたときに、アクリルポリマー間における架橋反応を進行させることができる。詳しくは、重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位を有するアクリルポリマー間において、重合性基同士の重合反応を開始させて、粘着剤層22を硬化させることができる。これにより、上述したように、より良好なピックアップ性を発揮させることができる。
重合開始剤としては、例えば、光重合開始剤又は熱重合開始剤などが採用される。重合開始剤としては、一般的な市販製品を使用できる。
The polymerization initiator contained in the adhesive layer 22 is a compound that can initiate a polymerization reaction by applied heat or light energy. Since the adhesive layer 22 contains a polymerization initiator, when heat energy or light energy is applied to the adhesive layer 22, a crosslinking reaction between the acrylic polymers can proceed. Specifically, the adhesive layer 22 can be cured by starting a polymerization reaction between the polymerizable groups between the acrylic polymers having structural units of polymerizable group-containing (meth)acrylate. Thereby, as described above, better pick-up performance can be exhibited.
As the polymerization initiator, for example, a photopolymerization initiator or a thermal polymerization initiator is employed. As the polymerization initiator, common commercially available products can be used.

粘着剤層22は、上述した成分以外のその他の成分をさらに含み得る。その他の成分としては、例えば、可塑剤、充填剤、老化防止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、耐熱安定剤、帯電防止剤、界面活性剤、軽剥離化剤等が挙げられる。その他の成分の種類および使用量は、目的に応じて、適切に選択され得る。 The adhesive layer 22 may further contain components other than those described above. Other ingredients include, for example, plasticizers, fillers, anti-aging agents, antioxidants, ultraviolet absorbers, light stabilizers, heat stabilizers, antistatic agents, surfactants, light release agents, etc. . The types and amounts of other components to be used can be appropriately selected depending on the purpose.

本実施形態のダイシングテープ20は、上記の粘着剤層22と貼り合わされた基材層21を備える。基材層21は、例えば、金属箔、紙や布などの繊維シート、ゴムシート、樹脂フィルムなどである。基材層21は、積層構造を有してもよい。
基材層21を構成する繊維シートとしては、紙、織布、不織布などが挙げられる。
樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、エチレン-プロピレン共重合体等のポリオレフィン;エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)、アイオノマー樹脂、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体等のエチレンの共重合体;ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等のポリエステル;ポリアクリレート;ポリ塩化ビニル(PVC);ポリウレタン;ポリカーボネート;ポリフェニレンスルフィド(PPS);脂肪族ポリアミド、全芳香族ポリアミド(アラミド)等のポリアミド;ポリエーテルエーテルケトン(PEEK);ポリイミド;ポリエーテルイミド;ポリ塩化ビニリデン;ABS(アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン共重合体);セルロース又はセルロース誘導体;含シリコーン高分子;含フッ素高分子などが挙げられる。これらは、1種が単独で又は2種以上が組み合わされて使用され得る。
The dicing tape 20 of this embodiment includes a base material layer 21 bonded to the above-described adhesive layer 22. The base material layer 21 is, for example, a metal foil, a fiber sheet such as paper or cloth, a rubber sheet, a resin film, or the like. The base material layer 21 may have a laminated structure.
Examples of the fiber sheet constituting the base layer 21 include paper, woven fabric, and nonwoven fabric.
Materials for the resin film include, for example, polyolefins such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), and ethylene-propylene copolymers; ethylene-vinyl acetate copolymers (EVA), ionomer resins, and ethylene-(meth)acrylic acid. Copolymers of ethylene such as copolymers, ethylene-(meth)acrylate (random, alternating) copolymers; polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polybutylene terephthalate (PBT), etc. polyacrylate; polyvinyl chloride (PVC); polyurethane; polycarbonate; polyphenylene sulfide (PPS); polyamide such as aliphatic polyamide and wholly aromatic polyamide (aramid); polyetheretherketone (PEEK); polyimide; polyetherimide; Examples include polyvinylidene chloride; ABS (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer); cellulose or cellulose derivatives; silicone-containing polymers; fluorine-containing polymers. These may be used alone or in combination of two or more.

基材層21が樹脂フィルムを有する場合、樹脂フィルムが延伸処理等を施され、伸び率などの変形性が制御されていてもよい。
基材層21の表面には、粘着剤層22との密着性を高めるために、表面処理が施されていてもよい。表面処理としては、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的方法又は物理的方法による酸化処理等が採用され得る。また、アンカーコーティング剤、プライマー、接着剤等のコーティング剤によるコーティング処理が施されていてもよい。
When the base material layer 21 includes a resin film, the resin film may be subjected to a stretching treatment or the like to control deformability such as elongation rate.
The surface of the base material layer 21 may be subjected to surface treatment in order to improve its adhesion to the adhesive layer 22. As the surface treatment, for example, oxidation treatment by a chemical method or physical method such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high voltage electric shock treatment, ionizing radiation treatment, etc. may be employed. Further, a coating treatment using a coating agent such as an anchor coating agent, a primer, or an adhesive may be applied.

基材層21の背面側(粘着剤層22が重なっていない側)には、剥離性を付与するために、例えば、シリコーン系樹脂やフッ素系樹脂等の離型剤(剥離剤)などによってコーティング処理が施されていてもよい。
基材層21は、背面側から紫外線等の活性エネルギー線を粘着剤層22へ与えることが可能となる点で、光透過性(紫外線透過性)の樹脂フィルム等であることが好ましい。
The back side of the base material layer 21 (the side on which the adhesive layer 22 does not overlap) is coated with a release agent (release agent) such as silicone resin or fluorine resin in order to impart releasability. It may be processed.
The base layer 21 is preferably a light-transmissive (ultraviolet-transparent) resin film or the like, since it is possible to apply active energy rays such as ultraviolet rays to the adhesive layer 22 from the back side.

本実施形態のダイシングテープ20は、使用される前の状態において、粘着剤層22の一方の面(粘着剤層22が基材層21と重なっていない面)を覆う剥離シートを備えてもよい。粘着剤層22よりも小さい面積のダイボンド層10が、粘着剤層22に収まるように配置されている場合、剥離シートは、粘着剤層22及びダイボンド層10の両方を覆うように配置される。剥離シートは、粘着剤層22を保護するために用いられ、粘着剤層22にダイボンド層10を貼り付ける前に剥がされる。 The dicing tape 20 of this embodiment may include a release sheet that covers one surface of the adhesive layer 22 (the surface where the adhesive layer 22 does not overlap the base material layer 21) before being used. . When the die-bonding layer 10 having a smaller area than the adhesive layer 22 is arranged so as to fit within the adhesive layer 22, the release sheet is arranged so as to cover both the adhesive layer 22 and the die-bonding layer 10. The release sheet is used to protect the adhesive layer 22 and is peeled off before attaching the die bond layer 10 to the adhesive layer 22.

剥離シートとしては、例えば、シリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系、硫化モリブデン等の剥離剤によって表面処理された、プラスチックフィルム又は紙等を用いることができる。
また、剥離シートとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、クロロフルオロエチレン・フッ化ビニリデン共重合体等のフッ素系ポリマー製のフィルム;ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン製のフィルム;ポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステル製のフィルムなどを用いることができる。
また、剥離シートとしては、例えば、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤によって表面コートされた、プラスチックフィルム又は紙類などを用いることができる。
なお、剥離シートは、粘着剤層22を支持するための支持材として利用できる。特に、剥離シートは、基材層21のうえに粘着剤層22を重ねるときに、好適に使用される。詳しくは、剥離シートと粘着剤層22とが積層された状態で粘着剤層22を基材層21に重ね、重ねた後に剥離シートを剥がす(転写する)ことによって、基材層21のうえに粘着剤層22を重ねることができる。
As the release sheet, for example, a plastic film or paper whose surface has been treated with a release agent such as silicone, long-chain alkyl, fluorine, or molybdenum sulfide can be used.
In addition, examples of release sheets include polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polyvinyl fluoride, polyvinylidene fluoride, tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene copolymer, chlorofluoroethylene/vinylidene fluoride copolymer, etc. A film made of a fluorine-based polymer; a film made of polyolefin such as polyethylene or polypropylene; a film made of polyester such as polyethylene terephthalate (PET), etc. can be used.
Further, as the release sheet, for example, a plastic film or paper whose surface is coated with a release agent such as a fluorine-based release agent or a long-chain alkyl acrylate-based release agent can be used.
Note that the release sheet can be used as a support material for supporting the adhesive layer 22. In particular, the release sheet is preferably used when layering the adhesive layer 22 on the base layer 21. Specifically, the adhesive layer 22 is stacked on the base material layer 21 in a state in which the release sheet and the adhesive layer 22 are laminated, and the release sheet is peeled off (transferred) after being stacked, so that the adhesive layer 22 is layered onto the base material layer 21. Adhesive layer 22 can be stacked.

次に、本実施形態のダイシングダイボンドフィルム1について詳しく説明する。 Next, the dicing die bond film 1 of this embodiment will be explained in detail.

本実施形態のダイシングダイボンドフィルム1は、上述したダイシングテープ20と、該ダイシングテープ20の粘着剤層22に積層されたダイボンド層10とを備える。ダイボンド層10は、半導体集積回路の製造において、半導体ウエハに接着されることとなる。 The dicing die bond film 1 of this embodiment includes the above-described dicing tape 20 and the die bond layer 10 laminated on the adhesive layer 22 of the dicing tape 20. The die bond layer 10 will be bonded to a semiconductor wafer in the manufacture of semiconductor integrated circuits.

ダイボンド層10は、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂のうち少なくとも一方を含み得る。ダイボンド層10は、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。 The die bond layer 10 may contain at least one of a thermosetting resin and a thermoplastic resin. It is preferable that the die bond layer 10 contains a thermosetting resin and a thermoplastic resin.

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、1種のみ、又は、2種以上が採用される。ダイボンディング対象である半導体チップの腐食原因となり得るイオン性不純物等をより少なく含有するという点で、上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂が好ましい。 Examples of thermosetting resins include epoxy resins, phenol resins, amino resins, unsaturated polyester resins, polyurethane resins, silicone resins, and thermosetting polyimide resins. As the above-mentioned thermosetting resin, only one type or two or more types may be employed. Epoxy resin is preferable as the thermosetting resin because it contains less ionic impurities and the like that can cause corrosion of the semiconductor chip to be die-bonded. As a curing agent for epoxy resin, phenol resin is preferable.

上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、又は、グリシジルアミン型の各エポキシ樹脂が挙げられる。
エポキシ樹脂としては、ナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。
Examples of the above epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolak type, ortho Examples include cresol novolac type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type, and glycidylamine type epoxy resins.
As the epoxy resin, naphthalene type epoxy resin is preferred.

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得る。フェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。
ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等が挙げられる。
フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂が好ましい。これらのフェノール樹脂は、エポキシ樹脂(ダイボンディング用接着剤)の硬化剤として作用したときに、接着剤としてのエポキシ樹脂の接着性をより向上させることができる。
上記フェノール樹脂としては、1種のみ、又は、2種以上が採用される。
Phenolic resins can act as hardeners for epoxy resins. Examples of the phenol resin include novolak type phenol resin, resol type phenol resin, and polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene.
Examples of the novolak type phenolic resin include phenol novolak resin, phenol aralkyl resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolak resin, and nonylphenol novolak resin.
As the phenol resin, a phenol novolak resin is preferred. These phenol resins can further improve the adhesiveness of the epoxy resin as an adhesive when acting as a curing agent for the epoxy resin (die bonding adhesive).
As the above-mentioned phenol resin, only one type or two or more types may be employed.

ダイボンド層10において、フェノール樹脂の水酸基は、エポキシ樹脂のエポキシ基1当量当たり、好ましくは0.5当量以上2.0当量以下、より好ましくは0.7当量以上1.5当量以下である。これにより、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を十分に進行させることができる。 In the die-bonding layer 10, the hydroxyl group of the phenol resin is preferably 0.5 equivalent or more and 2.0 equivalent or less, more preferably 0.7 equivalent or more and 1.5 equivalent or less, per equivalent of the epoxy group of the epoxy resin. This allows the curing reaction between the epoxy resin and the phenol resin to proceed sufficiently.

ダイボンド層10が熱硬化性樹脂を含む場合、ダイボンド層10における斯かる熱硬化性樹脂の含有割合は、ダイボンド層10の総質量に対して、5質量%以上60質量%以下が好ましく、10質量%以上50質量%以下がより好ましい。これにより、ダイボンド層10において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させることができる。 When the die-bonding layer 10 contains a thermosetting resin, the content ratio of the thermosetting resin in the die-bonding layer 10 is preferably 5% by mass or more and 60% by mass or less, and 10% by mass or less, based on the total mass of the die-bonding layer 10. % or more and 50% by mass or less is more preferable. This allows the die bond layer 10 to appropriately function as a thermosetting adhesive.

ダイボンド層10に含まれ得る熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6-ナイロンや6,6-ナイロン等(商品名)のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBT等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いためにダイボンド層10の接着性をより確保できるという点で、アクリル樹脂が好ましい。
上記熱可塑性樹脂としては、1種のみ、又は、2種以上が採用される。
Examples of thermoplastic resins that can be included in the die bonding layer 10 include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, and ethylene-acrylic acid ester copolymer. , polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon and 6,6-nylon (trade name), phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET and PBT, polyamide-imide resin, fluorine Examples include resin.
As the thermoplastic resin, an acrylic resin is preferable because it contains less ionic impurities and has high heat resistance, so that the adhesiveness of the die bond layer 10 can be more ensured.
As the above-mentioned thermoplastic resin, only one type or two or more types may be employed.

上記アクリル樹脂は、分子中の構成単位のうち、アルキル(メタ)アクリレートの構成単位が質量割合で最も多いポリマーであることが好ましい。当該アルキル(メタ)アクリレートとしては、例えば、C2~C4アルキル(メタ)アクリレートが挙げられる。
上記アクリル樹脂は、アルキル(メタ)アクリレートモノマーと共重合可能な他のモノマー成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。
上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基含有モノマー、又は、その他各種の多官能性モノマー等が挙げられる。
上記アクリル樹脂は、ダイボンド層10においてより高い凝集力を発揮できるという点で、好ましくは、アルキル(メタ)アクリレート(特に、アルキル部分の炭素数が4以下のアルキル(メタ)アクリレート)と、カルボキシ基含有モノマーと、窒素原子含有モノマーと、多官能性モノマー(特にポリグリシジル系多官能モノマー)との共重合体であり、より好ましくは、アクリル酸エチルと、アクリル酸ブチルと、アクリル酸と、アクリロニトリルと、ポリグリシジル(メタ)アクリレートとの共重合体である。
It is preferable that the acrylic resin is a polymer having the largest proportion of alkyl (meth)acrylate structural units among the structural units in the molecule. Examples of the alkyl (meth)acrylate include C2 to C4 alkyl (meth)acrylate.
The acrylic resin may contain structural units derived from other monomer components copolymerizable with the alkyl (meth)acrylate monomer.
Examples of the other monomer components include carboxy group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxy group-containing monomers, glycidyl group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphoric acid group-containing monomers, and functional group-containing monomers such as acrylamide and acrylonitrile. monomers, and various other polyfunctional monomers.
The acrylic resin preferably contains an alkyl (meth)acrylate (particularly an alkyl (meth)acrylate whose alkyl moiety has 4 or less carbon atoms) and a carboxy group, since it can exhibit higher cohesive force in the die-bonding layer 10. It is a copolymer of a containing monomer, a nitrogen atom-containing monomer, and a polyfunctional monomer (especially a polyglycidyl-based polyfunctional monomer), and more preferably ethyl acrylate, butyl acrylate, acrylic acid, and acrylonitrile. and polyglycidyl (meth)acrylate.

上記アクリル樹脂のガラス転移温度(Tg)は、ダイボンド層10の弾性や粘性を所望の範囲内に設定しやすいという点で、5℃以上35℃以下であることが好ましく、10℃以上30℃以下であることがより好ましい。 The glass transition temperature (Tg) of the above-mentioned acrylic resin is preferably 5°C or more and 35°C or less, and 10°C or more and 30°C or less, in that it is easy to set the elasticity and viscosity of the die-bonding layer 10 within a desired range. It is more preferable that

ダイボンド層10が熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含む場合、ダイボンド層10における上記熱可塑性樹脂の含有割合は、フィラーを除く有機成分(例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、硬化触媒等、シランカップリング剤、染料)の総質量に対して、好ましくは20質量%以上60質量%以下であり、より好ましくは30質量%以上50質量%以下であり、さらに好ましくは35質量%以上45質量%以下である。なお、熱硬化性樹脂の含有割合を変化させることによって、ダイボンド層10の弾性や粘性を調整することができる。 When the die-bonding layer 10 contains a thermosetting resin and a thermoplastic resin, the content ratio of the thermoplastic resin in the die-bonding layer 10 is based on organic components excluding fillers (e.g., thermosetting resin, thermoplastic resin, curing catalyst, etc.). , silane coupling agent, dye), preferably 20% by mass or more and 60% by mass or less, more preferably 30% by mass or more and 50% by mass or less, even more preferably 35% by mass or more and 45% by mass or less. mass% or less. Note that the elasticity and viscosity of the die-bonding layer 10 can be adjusted by changing the content ratio of the thermosetting resin.

ダイボンド層10の熱可塑性樹脂が熱硬化性官能基を有する場合、当該熱可塑性樹脂として、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を採用できる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂は、好ましくは、分子中に、アルキル(メタ)アクリレートに由来する構成単位を最も多い質量割合で含む。当該アルキル(メタ)アクリレートとしては、例えば、上記例示の(メタ)アルキル(メタ)アクリレートが挙げられる。
一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。なかでも、グリシジル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基が好ましい。換言すると、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、ヒドロキシ基及びカルボキシ基を含有するアクリル樹脂が好ましい。
ダイボンド層10は、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂と硬化剤とを含むことが好ましい。硬化剤としては、粘着剤層22に含まれ得る硬化剤として例示されたものが挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基がグリシジル基である場合には、複数のフェノール構造を有する化合物を硬化剤として用いることが好ましい。例えば、上述の各種フェノール樹脂を硬化剤として用いることができる。
When the thermoplastic resin of the die-bonding layer 10 has a thermosetting functional group, for example, an acrylic resin containing a thermosetting functional group can be employed as the thermoplastic resin. This thermosetting functional group-containing acrylic resin preferably contains the highest mass proportion of structural units derived from alkyl (meth)acrylate in the molecule. Examples of the alkyl (meth)acrylate include the (meth)alkyl (meth)acrylates listed above.
On the other hand, examples of the thermosetting functional group in the thermosetting functional group-containing acrylic resin include a glycidyl group, a carboxy group, a hydroxy group, and an isocyanate group. Among these, a glycidyl group, a hydroxy group, and a carboxy group are preferred. In other words, as the thermosetting functional group-containing acrylic resin, an acrylic resin containing a hydroxy group and a carboxy group is preferable.
The die-bonding layer 10 preferably contains a thermosetting functional group-containing acrylic resin and a curing agent. Examples of the curing agent include those exemplified as curing agents that can be included in the adhesive layer 22. When the thermosetting functional group in the thermosetting functional group-containing acrylic resin is a glycidyl group, it is preferable to use a compound having a plurality of phenol structures as the curing agent. For example, the various phenolic resins mentioned above can be used as the curing agent.

ダイボンド層10は、好ましくはフィラーを含有する。ダイボンド層10におけるフィラーの量を変えることにより、ダイボンド層10の弾性及び粘性をより容易に調整することができる。さらに、ダイボンド層10の導電性、熱伝導性、弾性率等の物性を調整することができる。
フィラーとしては、無機フィラー及び有機フィラーが挙げられる。フィラーとしては、無機フィラーが好ましい。
無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶質シリカや非晶質シリカといったシリカなどを含むフィラーが挙げられる。また、無機フィラーの材質としては、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体や、合金などが挙げられる。ホウ酸アルミニウムウィスカ、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等のフィラーであってもよい。フィラーの形状は、球状、針状、フレーク状等の各種形状であってもよい。フィラーとしては、上記の1種のみ、又は、2種以上が採用される。
Die bond layer 10 preferably contains filler. By changing the amount of filler in the die bond layer 10, the elasticity and viscosity of the die bond layer 10 can be adjusted more easily. Furthermore, physical properties such as electrical conductivity, thermal conductivity, and elastic modulus of the die-bonding layer 10 can be adjusted.
Examples of fillers include inorganic fillers and organic fillers. As the filler, inorganic fillers are preferred.
Examples of inorganic fillers include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, and amorphous silica. Examples include fillers containing silica such as silica. Further, examples of the material of the inorganic filler include metals such as aluminum, gold, silver, copper, and nickel, and alloys. Fillers such as aluminum borate whiskers, amorphous carbon black, and graphite may also be used. The shape of the filler may be various shapes such as spherical, acicular, and flaky. As the filler, only one type or two or more of the above types may be employed.

上記フィラーの平均粒径は、好ましくは0.005μm以上10μm以下であり、より好ましくは0.005μm以上1μm以下である。上記平均粒径が0.005μm以上であることによって、半導体ウエハ等の被着体への濡れ性、接着性がより向上する。上記平均粒径が10μm以下であることによって、加えたフィラーによる特性をより十分に発揮させることができ、また、ダイボンド層10の耐熱性をより発揮させることができる。フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計(例えば、製品名「LA-910」、堀場製作所社製)を用いて求めることができる。 The average particle diameter of the filler is preferably 0.005 μm or more and 10 μm or less, more preferably 0.005 μm or more and 1 μm or less. When the average particle size is 0.005 μm or more, wettability and adhesion to adherends such as semiconductor wafers are further improved. When the average particle size is 10 μm or less, the properties of the added filler can be more fully exhibited, and the heat resistance of the die-bonding layer 10 can be more fully exhibited. The average particle size of the filler can be determined using, for example, a photometric particle size distribution analyzer (eg, product name "LA-910", manufactured by Horiba, Ltd.).

ダイボンド層10がフィラーを含む場合、上記フィラーの含有割合は、ダイボンド層10の総質量に対して、好ましくは30質量%以上70質量%以下であり、より好ましくは40質量%以上60質量%以下であり、さらに好ましくは42質量%以上55質量%以下である。 When the die-bonding layer 10 contains a filler, the content ratio of the filler is preferably 30% by mass or more and 70% by mass or less, more preferably 40% by mass or more and 60% by mass or less, based on the total mass of the die-bonding layer 10. and more preferably 42% by mass or more and 55% by mass or less.

ダイボンド層10は、必要に応じて他の成分を含んでもよい。上記他の成分としては、例えば、硬化触媒、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、染料等が挙げられる。
難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。
シランカップリング剤としては、例えば、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。
イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、ベンゾトリアゾール等が挙げられる。
上記他の添加剤としては、1種のみ、又は、2種以上が採用される。
The die bond layer 10 may contain other components as necessary. Examples of the other components include a curing catalyst, a flame retardant, a silane coupling agent, an ion trapping agent, and a dye.
Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resin.
Examples of the silane coupling agent include β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane.
Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites, bismuth hydroxide, benzotriazole, and the like.
As the other additives mentioned above, only one type or two or more types may be employed.

ダイボンド層10は、弾性及び粘性を調整しやすいという点で、好ましくは、熱可塑性樹脂(特に、アクリル樹脂)、熱硬化性樹脂、及びフィラーを含む。
ダイボンド層10において、フィラーを除く有機成分の総質量に対する、アクリル樹脂などの熱可塑性樹脂の含有割合は、30質量%以上70質量%以下であることが好ましく、40質量%以上60質量%以下であることがより好ましく、45質量%以上55質量%以下であることがさらに好ましい。
ダイボンド層10の総質量に対して、フィラーの含有割合は、30質量%以上70質量%以下であることが好ましく、40質量%以上60質量%以下であることがより好ましく、42質量%以上55質量%以下であることがさらに好ましい。
The die-bonding layer 10 preferably contains a thermoplastic resin (particularly an acrylic resin), a thermosetting resin, and a filler since elasticity and viscosity can be easily adjusted.
In the die-bonding layer 10, the content ratio of thermoplastic resin such as acrylic resin to the total mass of organic components excluding fillers is preferably 30% by mass or more and 70% by mass or less, and 40% by mass or more and 60% by mass or less. It is more preferable that the amount is 45% by mass or more and 55% by mass or less.
With respect to the total mass of the die-bonding layer 10, the content ratio of the filler is preferably 30% by mass or more and 70% by mass or less, more preferably 40% by mass or more and 60% by mass or less, and 42% by mass or more and 55% by mass or less. It is more preferable that it is less than % by mass.

ダイボンド層10の厚さは、特に限定されないが、例えば1μm以上200μm以下である。斯かる厚さの上限値は、好ましくは100μmであり、より好ましくは80μmである。斯かる厚さの下限値は、好ましくは3μm、より好ましくは5μmである。なお、ダイボンド層10が積層体である場合、上記の厚さは、積層体の総厚さである。 The thickness of the die-bonding layer 10 is not particularly limited, but is, for example, 1 μm or more and 200 μm or less. The upper limit of such thickness is preferably 100 μm, more preferably 80 μm. The lower limit of such thickness is preferably 3 μm, more preferably 5 μm. In addition, when the die-bonding layer 10 is a laminate, the above thickness is the total thickness of the laminate.

ダイボンド層10のガラス転移温度(Tg)は、好ましくは0℃以上であり、より好ましくは10℃以上である。上記ガラス転移温度が0℃以上であることによって、クールエキスパンドによってダイボンド層10を容易に割断することができる。ダイボンド層10のガラス転移温度の上限は、例えば100℃である。 The glass transition temperature (Tg) of the die-bonding layer 10 is preferably 0°C or higher, more preferably 10°C or higher. When the glass transition temperature is 0° C. or higher, the die bond layer 10 can be easily cut by cool expansion. The upper limit of the glass transition temperature of the die-bonding layer 10 is, for example, 100°C.

ダイボンド層10は、例えば図1に示すように、単層構造を有してもよい。本明細書において、単層とは、同じ組成物で形成された層のみを有することである。同じ組成物で形成された層が複数積層された形態も単層である。
一方、ダイボンド層10は、例えば、2種以上の異なる組成物でそれぞれ形成された層が積層された多層構造を有してもよい。
The die-bonding layer 10 may have a single-layer structure, as shown in FIG. 1, for example. In this specification, a single layer refers to having only layers formed of the same composition. A structure in which multiple layers made of the same composition are laminated is also a single layer.
On the other hand, the die bond layer 10 may have, for example, a multilayer structure in which layers each formed of two or more different compositions are laminated.

本実施形態のダイシングダイボンドフィルム1では、使用されるときに、例えば紫外線が照射されることによって、粘着剤層22が硬化される。詳しくは、一方の面に半導体ウエハが接着されたダイボンド層10と、該ダイボンド層10の他方の面に貼り合わされた粘着剤層22とが積層した状態で、紫外線等が少なくとも粘着剤層22に照射される。例えば、基材層21が配置されている方から紫外線等を照射して、基材層21を経た紫外線等が粘着剤層22に届く。紫外線等の照射によって、粘着剤層22が硬化する。
照射後に粘着剤層22が硬化することによって、粘着剤層22の粘着力を下げることができるため、照射後に粘着剤層22からダイボンド層10(半導体ウエハが接着した状態)を比較的容易に剥離させることができる。これにより、良好なピックアップ性を発揮させることができる。
In the dicing die-bonding film 1 of this embodiment, when used, the adhesive layer 22 is cured by, for example, being irradiated with ultraviolet rays. Specifically, in a state in which a die-bonding layer 10 with a semiconductor wafer adhered to one surface and an adhesive layer 22 bonded to the other surface of the die-bonding layer 10 are laminated, ultraviolet rays or the like are applied to at least the adhesive layer 22. irradiated. For example, ultraviolet rays or the like are irradiated from the side where the base material layer 21 is disposed, and the ultraviolet rays or the like pass through the base material layer 21 and reach the adhesive layer 22 . The adhesive layer 22 is cured by irradiation with ultraviolet light or the like.
By curing the adhesive layer 22 after irradiation, the adhesive strength of the adhesive layer 22 can be lowered, so the die bond layer 10 (with the semiconductor wafer attached) can be relatively easily peeled off from the adhesive layer 22 after irradiation. can be done. Thereby, good pick-up performance can be exhibited.

活性エネルギー線(紫外線等)の照射エネルギー量は、少なくとも50mJ/cm以上である。照射エネルギー量は、例えば50mJ/cm以上500mJ/cm以下であり、好ましくは100mJ/cm以上300mJ/cm以下である。通常、粘着剤層12とダイボンド層10とが貼り合わされている領域の周縁部を除いて、活性エネルギー線を照射する。部分的に照射する場合、パターンを形成したフォトマスクを介して照射することによって、照射しない領域を設けることができる。また、スポット的に照射して、照射領域を形成することができる。
紫外線を照射するための装置は、特に限定されないが、例えば日東精機社製 製品名「UM810」を用いることができる。
The irradiation energy amount of active energy rays (ultraviolet rays, etc.) is at least 50 mJ/cm 2 or more. The amount of irradiation energy is, for example, 50 mJ/cm 2 or more and 500 mJ/cm 2 or less, preferably 100 mJ/cm 2 or more and 300 mJ/cm 2 or less. Usually, active energy rays are irradiated except for the periphery of the area where the adhesive layer 12 and the die bond layer 10 are bonded together. In the case of partial irradiation, an area that is not irradiated can be provided by irradiating through a patterned photomask. Further, it is possible to form an irradiation area by irradiating in spots.
The device for irradiating ultraviolet rays is not particularly limited, but for example, Nitto Seiki Co., Ltd. product name "UM810" can be used.

活性エネルギー線の照射前において、粘着剤層22とダイボンド層10との間のT型剥離強度(α)は、1.0(N/20mm)以上3.4(N/20mm)以下であることが好ましい。上記のT型剥離強度(α)が1.0(N/20mm)以上であることにより、半導体チップの浮きをより抑制できる。また、上記のT型剥離強度(α)が3.4(N/20mm)以下であることにより、より良好なピックアップ性を発揮させることができる。
一方、活性エネルギー線の照射後において、粘着剤層22とダイボンド層10との間のT型剥離強度(β)は、0.12(N/20mm)以下であることが好ましい。斯かる剥離強度(β)は、0.05(N/20mm)以上であってもよい。
上記のT型剥離強度(α又はβ)の値は、照射前であっても照射後であっても、例えば、粘着剤層22に含まれる粘着付与剤の量を増やすことによって、高めることができる。
Before irradiation with active energy rays, the T-peel strength (α) between the adhesive layer 22 and the die-bonding layer 10 is 1.0 (N/20 mm) or more and 3.4 (N/20 mm) or less. is preferred. When the T-peel strength (α) is 1.0 (N/20 mm) or more, lifting of the semiconductor chip can be further suppressed. Furthermore, when the T-peel strength (α) is 3.4 (N/20 mm) or less, better pick-up properties can be exhibited.
On the other hand, after irradiation with active energy rays, the T-peel strength (β) between the adhesive layer 22 and the die-bonding layer 10 is preferably 0.12 (N/20 mm) or less. Such peel strength (β) may be 0.05 (N/20 mm) or more.
The above T-peel strength (α or β) value can be increased by, for example, increasing the amount of tackifier contained in the adhesive layer 22, whether before or after irradiation. can.

活性エネルギー線照射前(α)と、活性エネルギー線照射後(β)とにおける、粘着剤層22とダイボンド層10との間のT型剥離強度の比(β/α)は、0.04以上0.10以下であることが好ましい。換言すると、下記の式(1)を満たすことが好ましい。
0.04 ≦ 活性エネルギー線照射後におけるT型剥離強度/活性エネルギー線照射前におけるT型剥離強度(β/α) ≦ 0.10 ・・・(1)
これにより、半導体チップの浮きをより抑制でき、より良好なピックアップ性を発揮させることができる。
なお、上記の活性エネルギー線の照射は、実施例に記載された条件で行う。また、上記のT型剥離強度に関わる数値は、実施例に記載された試験条件に従って測定される。
The ratio of T-peel strength (β/α) between the adhesive layer 22 and the die-bonding layer 10 before (α) and after (β) irradiation with active energy rays is 0.04 or more. It is preferably 0.10 or less. In other words, it is preferable that the following formula (1) is satisfied.
0.04 ≦ T-type peel strength after active energy ray irradiation/T-type peel strength before active energy ray irradiation (β/α) ≦ 0.10 (1)
Thereby, it is possible to further suppress floating of the semiconductor chip, and it is possible to exhibit better pick-up performance.
Note that the above-mentioned irradiation with active energy rays is performed under the conditions described in Examples. Further, the numerical value related to the above-mentioned T-peel strength is measured according to the test conditions described in the Examples.

本実施形態のダイシングダイボンドフィルム1は、使用される前の状態において、ダイボンド層10の一方の面(ダイボンド層10が粘着剤層22と重なっていない面)を覆う剥離シートを備えてもよい。剥離シートは、ダイボンド層10を保護するために用いられ、ダイボンド層10に被着体(例えば半導体ウエハ)を貼り付ける直前に剥離される。
この剥離シートとしては、上述した剥離シートと同様のものを採用できる。この剥離シートは、ダイボンド層10を支持するための支持材として利用できる。剥離シートは、粘着剤層22のうえにダイボンド層10を重ねるときに、好適に使用される。詳しくは、剥離シートとダイボンド層10とが積層された状態でダイボンド層10を粘着剤層22に重ね、重ねた後に剥離シートを剥がす(転写する)ことによって、粘着剤層22のうえにダイボンド層10を重ねることができる。
The dicing die-bonding film 1 of this embodiment may include a release sheet that covers one surface of the die-bonding layer 10 (the surface on which the die-bonding layer 10 does not overlap the adhesive layer 22) before being used. The release sheet is used to protect the die bond layer 10, and is peeled off immediately before attaching an adherend (for example, a semiconductor wafer) to the die bond layer 10.
As this release sheet, a release sheet similar to the above-mentioned release sheet can be adopted. This release sheet can be used as a support material for supporting the die-bonding layer 10. A release sheet is suitably used when stacking the die-bonding layer 10 on the adhesive layer 22. Specifically, the die bond layer 10 is stacked on the adhesive layer 22 in a state where the release sheet and the die bond layer 10 are laminated, and the die bond layer 10 is layered on the adhesive layer 22 by peeling off (transferring) the release sheet after stacking. You can stack 10.

本実施形態のダイシングダイボンドフィルム1は、以上のように構成されていることから、半導体チップの浮きを抑制でき、良好なピックアップ性を発揮できる。 Since the dicing die-bonding film 1 of this embodiment is configured as described above, it is possible to suppress floating of the semiconductor chip and exhibit good pick-up performance.

次に、本実施形態のダイシングテープ20、及び、ダイシングダイボンドフィルム1の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the dicing tape 20 and the dicing die bond film 1 of this embodiment will be described.

本実施形態のダイシングダイボンドフィルム1の製造方法は、
ダイシングテープ20を製造する工程(ダイシングテープの製造方法)と、製造されたダイシングテープ20にダイボンド層10を重ねてダイシングダイボンドフィルム1を製造する工程とを備える。
The method for manufacturing the dicing die bond film 1 of this embodiment is as follows:
The method includes a step of manufacturing a dicing tape 20 (method for manufacturing a dicing tape) and a step of overlapping the die bond layer 10 on the manufactured dicing tape 20 to manufacture the dicing die bond film 1.

ダイシングテープの製造方法(ダイシングテープを製造する工程)は、
アクリルポリマーを合成する合成工程と、
上述したアクリルポリマーと、イソシアネート化合物と、重合開始剤と、溶媒と、目的に応じて適宜追加するその他の成分と、を含む粘着剤組成物から溶媒を揮発させて粘着剤層22を作製する粘着剤層作製工程と、
粘着剤層22と基材層21とを貼り合わせることによって、基材層21と粘着剤層22とを積層させる積層工程と、を備える。
The manufacturing method of dicing tape (the process of manufacturing dicing tape) is as follows:
A synthesis process for synthesizing an acrylic polymer;
The adhesive layer 22 is prepared by evaporating the solvent from an adhesive composition containing the above-mentioned acrylic polymer, an isocyanate compound, a polymerization initiator, a solvent, and other components added as appropriate depending on the purpose. agent layer preparation step;
The method includes a lamination step of laminating the base material layer 21 and the adhesive layer 22 by bonding the adhesive layer 22 and the base material layer 21 together.

合成工程では、例えば、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートモノマーと、水酸基含有(メタ)アクリレートモノマーと、をラジカル重合させることによって、アクリルポリマー中間体を合成する。
ラジカル重合は、一般的な方法によって行うことができる。例えば、上記の各モノマーを溶媒に溶解させて加熱しながら撹拌し、重合開始剤を添加することによって、アクリルポリマー中間体を合成できる。アクリルポリマーの分子量を調整するために、連鎖移動剤の存在下において重合を行ってもよい。
次に、アクリルポリマー中間体に含まれる、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位の一部の水酸基と、イソシアネート基含有重合性モノマーのイソシアネート基とを、ウレタン化反応によって結合させる。これにより、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位の一部が、重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位となる。
ウレタン化反応は、一般的な方法によって行うことができる。例えば、溶媒及びウレタン化触媒の存在下において、加熱しながらアクリルポリマー中間体とイソシアネート基含有重合性モノマーとを撹拌する。これにより、アクリルポリマー中間体の水酸基の一部に、イソシアネート基含有重合性モノマーのイソシアネート基をウレタン結合させることができる。
なお、ウレタン化反応を効率的に進行させるため、Sn触媒等の存在下において、ウレタン化反応を行ってもよい。
In the synthesis step, an acrylic polymer intermediate is synthesized, for example, by radical polymerizing a C6 to C11 alkyl (meth)acrylate monomer and a hydroxyl group-containing (meth)acrylate monomer.
Radical polymerization can be performed by a common method. For example, an acrylic polymer intermediate can be synthesized by dissolving each of the above monomers in a solvent, stirring while heating, and adding a polymerization initiator. In order to adjust the molecular weight of the acrylic polymer, polymerization may be carried out in the presence of a chain transfer agent.
Next, some hydroxyl groups of the constituent units of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate contained in the acrylic polymer intermediate are bonded to the isocyanate groups of the isocyanate group-containing polymerizable monomer by a urethanization reaction. As a result, some of the constituent units of the hydroxyl group-containing (meth)acrylate become constituent units of the polymerizable group-containing (meth)acrylate.
The urethanization reaction can be performed by a common method. For example, the acrylic polymer intermediate and the isocyanate group-containing polymerizable monomer are stirred while being heated in the presence of a solvent and a urethanization catalyst. Thereby, the isocyanate group of the isocyanate group-containing polymerizable monomer can be bonded with urethane to some of the hydroxyl groups of the acrylic polymer intermediate.
In addition, in order to make the urethanization reaction proceed efficiently, the urethanization reaction may be carried out in the presence of a Sn catalyst or the like.

粘着剤層作製工程では、例えば、アクリルポリマーと、イソシアネート化合物と、重合開始剤とを溶媒に溶解させて、粘着剤組成物を調製する。溶媒の量を変化させることによって、組成物の粘度を調整することができる。次に、粘着剤組成物を剥離シートに塗布する。塗布方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の一般的な塗布方法が採用される。塗布した組成物に、脱溶媒処理や固化処理等を施すことによって、塗布した粘着剤組成物を固化させて、粘着剤層22を作製する。
脱溶媒処理は、例えば、80℃以上150℃以下、0.5分間以上5分間以下の条件で行われる。
In the adhesive layer preparation step, for example, an acrylic polymer, an isocyanate compound, and a polymerization initiator are dissolved in a solvent to prepare an adhesive composition. By varying the amount of solvent, the viscosity of the composition can be adjusted. Next, the adhesive composition is applied to a release sheet. As the coating method, for example, general coating methods such as roll coating, screen coating, and gravure coating are employed. The applied adhesive composition is solidified by subjecting the applied composition to solvent removal treatment, solidification treatment, etc., thereby producing the adhesive layer 22 .
The solvent removal treatment is performed, for example, under conditions of 80° C. or higher and 150° C. or lower and 0.5 minutes or more and 5 minutes or less.

積層工程では、剥離シートに重なった状態の粘着剤層22と基材層21とを重ねて積層させる。なお、剥離シートは、使用前まで粘着剤層22に重なった状態であってもよい。
なお、架橋剤とアクリルポリマーとの反応を促進するため、また、架橋剤と基材層21の表面部分との反応を促進するために、積層工程の後に、50℃環境下で、48時間のエージング処理工程を実施してもよい。
なお、基材層21は、市販されているフィルム等を用いてもよく、一般的な方法によって製膜して作製されてもよい。製膜する方法としては、例えば、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が挙げられる。
In the lamination step, the adhesive layer 22 and the base material layer 21, which overlap the release sheet, are laminated together. Note that the release sheet may be in a state overlapping the adhesive layer 22 until it is used.
In addition, in order to promote the reaction between the crosslinking agent and the acrylic polymer, as well as the reaction between the crosslinking agent and the surface portion of the base material layer 21, after the lamination step, it was heated for 48 hours in a 50°C environment. An aging treatment step may also be performed.
Note that the base material layer 21 may be produced using a commercially available film or the like, or may be produced by forming a film by a general method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, a closed system inflation extrusion method, a T-die extrusion method, a coextrusion method, and a dry lamination method.

これら工程によって、ダイシングテープ20を製造することができる。 Through these steps, the dicing tape 20 can be manufactured.

ダイシングダイボンドフィルムの製造方法(ダイシングダイボンドフィルムを製造する工程)は、
ダイボンド層10を形成するためのダイボンド用組成物を調製するダイボンド用組成物調製工程と、
ダイボンド用組成物からダイボンド層10を作製するダイボンド層作製工程と、
上記のごとく製造したダイシングテープ20の粘着剤層22にダイボンド層10を貼り付ける貼付工程と、を備える。
The manufacturing method of dicing die bond film (process of manufacturing dicing die bond film) is as follows:
A die bonding composition preparation step of preparing a die bonding composition for forming the die bonding layer 10;
A die bond layer production step of producing a die bond layer 10 from a die bond composition;
The method includes a pasting step of pasting the die bond layer 10 onto the adhesive layer 22 of the dicing tape 20 manufactured as described above.

ダイボンド用組成物調製工程では、例えば、樹脂、フィラー、硬化触媒、及び、溶媒などを混合することによって、ダイボンド用組成物を調製する。溶媒の量を変化させることによって、組成物の粘度を調整することができる。 In the die bonding composition preparation step, a die bonding composition is prepared by, for example, mixing a resin, a filler, a curing catalyst, a solvent, and the like. By varying the amount of solvent, the viscosity of the composition can be adjusted.

ダイボンド層作製工程では、例えば、上記のごとく調製した樹脂組成物を、剥離シートに塗布する。塗布方法としては、特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の一般的な塗布方法が採用される。次に、必要に応じて、脱溶媒処理や硬化処理等によって、塗布した組成物を固化させて、ダイボンド層10を作製する。
脱溶媒処理は、例えば、70℃以上160℃以下、1分間以上5分間以下の条件で行われる。
In the die bond layer production step, for example, the resin composition prepared as described above is applied to a release sheet. The coating method is not particularly limited, and common coating methods such as roll coating, screen coating, and gravure coating may be employed. Next, if necessary, the applied composition is solidified by solvent removal treatment, curing treatment, etc., and the die bond layer 10 is produced.
The solvent removal treatment is performed, for example, under conditions of 70° C. or higher and 160° C. or lower for 1 minute or more and 5 minutes or less.

貼付工程では、ダイシングテープ20の粘着剤層22、及び、ダイボンド層10からそれぞれ剥離シートを剥離し、ダイボンド層10と粘着剤層12とが直接接触するように、両者を貼り合わせる。例えば、圧着することによって貼り合わせることができる。貼り合わせるときの温度は、特に限定されず、例えば、30℃以上50℃以下であり、好ましくは35℃以上45℃以下である。貼り合わせるときの線圧は、特に限定されないが、好ましくは0.1kgf/cm以上20kgf/cm以下であり、より好ましくは1kgf/cm以上10kgf/cm以下である。 In the pasting process, release sheets are peeled off from the adhesive layer 22 of the dicing tape 20 and the die-bonding layer 10, respectively, and the die-bonding layer 10 and the adhesive layer 12 are pasted together so that they are in direct contact with each other. For example, they can be bonded together by pressure bonding. The temperature during bonding is not particularly limited, and is, for example, 30°C or higher and 50°C or lower, preferably 35°C or higher and 45°C or lower. The linear pressure during bonding is not particularly limited, but is preferably 0.1 kgf/cm or more and 20 kgf/cm or less, more preferably 1 kgf/cm or more and 10 kgf/cm or less.

これら工程によって、ダイシングダイボンドフィルム1を製造することができる。 Through these steps, the dicing die bond film 1 can be manufactured.

上記のごとく製造されたダイシングダイボンドフィルム1は、例えば、半導体集積回路を製造するための補助用具として使用される。以下、使用における具体例について説明する。 The dicing die bond film 1 manufactured as described above is used, for example, as an auxiliary tool for manufacturing semiconductor integrated circuits. Specific examples of use will be described below.

半導体集積回路を製造する方法は、一般的に、回路面が形成された半導体ウエハからチップを切り出して組立てを行う工程を備える。
この工程は、例えば、半導体ウエハを割断処理によってチップ(ダイ)へ加工すべく半導体ウエハに溝を形成し、さらに半導体ウエハを研削して厚さを薄くするハーフカット工程と、ハーフカット加工された半導体ウエハの一面(例えば、回路面とは反対側の面)をダイボンド層10に貼り付けて、ダイシングテープ20に半導体ウエハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、ダイボンド層10と粘着剤層22との間を剥離してダイボンド層10が貼り付いた状態で半導体チップ(ダイ)を取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層10が貼り付いた状態の半導体チップ(ダイ)を被着体に接着させるダイボンド工程と、を有する。これらの工程を実施するときに、本実施形態のダイシングテープ(ダイシングダイボンドフィルム)が製造補助用具として使用される。
ハーフカット工程では、図2A~図2Dに示すように、半導体集積回路を小片(ダイ)に割断するためのハーフカット加工を施す。詳しくは、半導体ウエハの回路面とは反対側の面に、ウエハ加工用テープTを貼り付ける。また、ウエハ加工用テープTにダイシングリングRを取り付ける。ウエハ加工用テープTを貼り付けた状態で、分割用の溝を形成する。溝を形成した面にバックグラインドテープGを貼り付ける一方で、始めに貼り付けたウエハ加工用テープTを剥離する。バックグラインドテープGを貼り付けた状態で、半導体ウエハが所定の厚さになるまで研削加工を施す。
マウント工程では、図3A~図3Bに示すように、ダイシングテープ20の粘着剤層22にダイシングリングRを取り付けた後、露出したダイボンド層10の面に、ハーフカット加工された半導体ウエハを貼り付ける。その後、半導体ウエハからバックグラインドテープGを剥離する。
エキスパンド工程では、図4A~図4Cに示すように、ダイシングリングRをエキスパンド装置の保持具Hに固定する。エキスパンド装置が備える突き上げ部材Uを、ダイシングダイボンドフィルム1の下側から突き上げることによって、ダイシングダイボンドフィルム1を面方向に広げるように引き伸ばす。これにより、特定の温度条件において、ハーフカット加工された半導体ウエハを割断する。上記温度条件は、例えば-20~5℃であり、好ましくは-15~0℃、より好ましくは-10~-5℃である。突き上げ部材Uを下降させることによって、エキスパンド状態を解除する。さらに、エキスパンド工程では、図5A~図5Bに示すように、より高い温度条件下において、面積を広げるようにダイシングテープ20を引き延ばす。これにより、割断された隣り合う半導体チップをフィルム面の面方向に引き離して、さらに間隔を広げる。
ピックアップ工程では、図6に示すように、ダイボンド層10が貼り付いた状態の半導体チップをダイシングテープ20の粘着層から剥離する。詳しくは、ピン部材Pを上昇させて、ピックアップ対象の半導体チップを、ダイシングテープ20を介して突き上げる。突き上げられた半導体チップを吸着治具Jによって保持する。
ダイボンド工程では、ダイボンド層10が貼り付いた状態の半導体チップを被着体に接着させる。
A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit generally includes a step of cutting out chips from a semiconductor wafer on which a circuit surface is formed and assembling them.
This process includes, for example, a half-cut process in which grooves are formed in the semiconductor wafer to be processed into chips (dies) by cutting the semiconductor wafer, and then the semiconductor wafer is ground to reduce its thickness. A mounting process in which one side of the semiconductor wafer (for example, the side opposite to the circuit side) is attached to the die bond layer 10 and the semiconductor wafer is fixed to the dicing tape 20, and the interval between half-cut semiconductor chips is widened. An expanding process, a pickup process in which the die bond layer 10 and the adhesive layer 22 are peeled off to take out a semiconductor chip (die) with the die bond layer 10 attached, and the semiconductor chip with the die bond layer 10 attached. and a die bonding step of bonding the die to the adherend. When carrying out these steps, the dicing tape (dicing die bond film) of this embodiment is used as a manufacturing aid.
In the half-cut process, as shown in FIGS. 2A to 2D, a half-cut process is performed to cut the semiconductor integrated circuit into small pieces (dies). Specifically, a wafer processing tape T is attached to the surface of the semiconductor wafer opposite to the circuit surface. Further, a dicing ring R is attached to the wafer processing tape T. With the wafer processing tape T attached, grooves for dividing are formed. While attaching the back grinding tape G to the grooved surface, the wafer processing tape T attached initially is peeled off. With the backgrind tape G attached, the semiconductor wafer is ground until it reaches a predetermined thickness.
In the mounting process, as shown in FIGS. 3A and 3B, after attaching the dicing ring R to the adhesive layer 22 of the dicing tape 20, a half-cut semiconductor wafer is attached to the exposed surface of the die bond layer 10. . After that, the back grind tape G is peeled off from the semiconductor wafer.
In the expanding step, as shown in FIGS. 4A to 4C, the dicing ring R is fixed to a holder H of an expanding device. The dicing die-bond film 1 is stretched so as to be spread in the plane direction by pushing up the pushing-up member U included in the expanding device from the lower side of the dicing die-bond film 1. As a result, the half-cut semiconductor wafer is cut under specific temperature conditions. The above temperature conditions are, for example, -20 to 5°C, preferably -15 to 0°C, more preferably -10 to -5°C. By lowering the push-up member U, the expanded state is released. Furthermore, in the expanding step, as shown in FIGS. 5A and 5B, the dicing tape 20 is stretched to increase its area under higher temperature conditions. This separates the cut adjacent semiconductor chips in the direction of the film surface, further increasing the distance between them.
In the pick-up process, as shown in FIG. 6, the semiconductor chip to which the die bond layer 10 is attached is peeled off from the adhesive layer of the dicing tape 20. Specifically, the pin member P is raised to push up the semiconductor chip to be picked up through the dicing tape 20. The pushed up semiconductor chip is held by a suction jig J.
In the die-bonding process, the semiconductor chip with the die-bonding layer 10 attached thereon is bonded to an adherend.

本実施形態のダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルムは上記例示の通りであるが、本発明は、上記例示のダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルムに限定されるものではない。
即ち、一般的なダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルムにおいて用いられる種々の形態が、本発明の効果を損ねない範囲において、採用され得る。
Although the dicing tape and dicing die bond film of this embodiment are as illustrated above, the present invention is not limited to the dicing tape and dicing die bond film exemplified above.
That is, various forms used in general dicing tapes and dicing die-bonding films can be employed as long as the effects of the present invention are not impaired.

次に実験例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Next, the present invention will be explained in more detail with reference to experimental examples, but the present invention is not limited thereto.

以下のようにして、ダイシングテープを製造した。また、このダイシングテープを使用して、ダイシングダイボンドフィルムを製造した。 A dicing tape was manufactured as follows. Further, a dicing die bond film was manufactured using this dicing tape.

<アクリルポリマーの原料>
「第1合成段階」
・C6~C11アルキル(メタ)アクリレート:
イソノニルアクリレート(INA)
2-エチルヘキシルアクリレート(2EHA)
・水酸基含有(メタ)アクリレート:2-ヒドロキシエチルアクリレート(HEA)
・重合開始剤:アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)
・重合溶媒:酢酸エチル
「第2合成段階」:重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位の調製
・イソシアネート基含有(メタ)アクリレートモノマー:2-イソシアナトエチルメタクリレート(製品名「カレンズMOI」 昭和電工社製)
・ウレタン化反応触媒:ジラウリン酸ジブチルスズ
<ダイシングテープの原料>
・粘着剤層
「粘着剤」
アクリルポリマー(それぞれ合成したもの)
「粘着付与剤」
テルペンフェノール樹脂
製品名:Yspolyster(YSポリスターシリーズ)ヤスハラケミカル社製
S145(軟化点145℃)、
T80(軟化点80℃)、
T145(軟化点145℃)、
T160(軟化点160℃)、
「イソシアネート化合物」
トリレンジイソシアネートのトリメチロールプロパン付加物の酢酸エチル溶液
(製品名「コロネートL」 東ソー社製)
「光重合開始剤」(製品名「Omnirad127」 IGM Resins社製)
・基材層
EVAフィルム(片面にコロナ処理が施されている)
製品名「エバフレックスV1010」樹脂(三井デュポンケミカル社製)を無延伸で125μm厚さに製膜し、粘着剤層と接触する面にコロナ処理を施したもの
・有機溶媒(粘着剤層を作製するときに使用)
酢酸エチル
<Raw material of acrylic polymer>
"First synthesis stage"
・C6-C11 alkyl (meth)acrylate:
Isononyl acrylate (INA)
2-ethylhexyl acrylate (2EHA)
・Hydroxyl group-containing (meth)acrylate: 2-hydroxyethyl acrylate (HEA)
・Polymerization initiator: azobisisobutyronitrile (AIBN)
・Polymerization solvent: Ethyl acetate "Second synthesis stage": Preparation of structural units of polymerizable group-containing (meth)acrylate ・Isocyanate group-containing (meth)acrylate monomer: 2-isocyanatoethyl methacrylate (product name "Karens MOI" Showa Manufactured by Denkosha)
・Urethanization reaction catalyst: dibutyltin dilaurate <raw material for dicing tape>
・Adhesive layer "Adhesive"
Acrylic polymer (each synthesized)
"Tackifier"
Terpene phenol resin Product name: Yspolyster (YS polyster series) manufactured by Yasuhara Chemical Co., Ltd. S145 (softening point 145°C),
T80 (softening point 80℃),
T145 (softening point 145°C),
T160 (softening point 160°C),
"Isocyanate compound"
Ethyl acetate solution of trimethylolpropane adduct of tolylene diisocyanate (product name "Coronate L" manufactured by Tosoh Corporation)
"Photopolymerization initiator" (product name "Omnirad127" manufactured by IGM Resins)
・Base layer: EVA film (corona treated on one side)
Product name: "Evaflex V1010" Resin (manufactured by DuPont Mitsui Chemicals) is formed into a film with a thickness of 125 μm without stretching, and the surface in contact with the adhesive layer is corona treated.・Organic solvent (to create the adhesive layer) (used when
Ethyl acetate

(実施例1)
以下のようにして、アクリルポリマー中間体を合成した後、アクリルポリマー中間体からアクリルポリマーを合成した。合成したアクリルポリマーを用いて粘着剤層を作製して、ダイシングテープを製造した。
「第1合成段階:アクリルポリマー中間体の合成」
上記の原料を表1に示す量(質量部)で混合して混合物を調製した。セパラブルカバー、分液ロート、温度計、窒素導入管、リービッヒ冷却器、バキュームシール、撹拌棒、撹拌羽が、1L丸底セパラブルフラスコに装備された状態の重合用実験装置に、上記の混合物を投入した。撹拌しながら、常温で6時間、窒素置換した。その後、窒素を流入させつつ、撹拌しながら、62℃を3時間維持し、その後、75℃で2時間維持した。これにより、重合反応を行い、室温まで冷却して、ポリマー溶液(各アクリルポリマーのポリマー中間体を含む溶液)を得た。
「第2合成段階:各アクリルポリマーの合成」
得られたポリマー溶液(アクリルポリマー中間体含有溶液)に、重合性(メタ)アクリレートモノマーとして、2-イソシアナトエチルメタクリレート(製品名「カレンズMOI」 昭和電工社製)、及び、ジラウリン酸ジブチルスズIV(和光純薬工業社製)を表1に示す量で添加し、空気雰囲気下、50℃で24時間撹拌した。
「粘着剤層用組成物の調製」
アクリルポリマー(粘着剤)の固形分100質量部に対して、表2に示す量の粘着付与剤、イソシアネート化合物[コロネートL]、および光重合開始剤(Omnirad127)を混合した。希釈溶剤としての酢酸エチルを加えて、固形分の含有率が20質量%となるように粘着剤層用組成物を調製した。
「粘着剤層の作製」
剥離シートとして、PET系フィルム(製品名「ダイヤホイルMRF38」三菱ケミカル社製)を用意した。このフィルムの片面には、離型処理が施されている。離型処理が施された剥離シートの面に、上記のごとく調製した粘着剤層用組成物を塗布した。塗布した組成物に対して剥離シート上で120℃3分間の乾燥処理を行い、厚さ10μmの粘着剤層を作製した。
「ダイシングテープの製造」
粘着剤層と剥離シートとが重なった状態で、粘着剤層を基材層(EVAフィルム)のコロナ処理面に、気泡が入らないように貼り合わせた。50℃で48時間の乾燥処理を行い、ダイシングテープを製造した。
(Example 1)
After synthesizing an acrylic polymer intermediate, an acrylic polymer was synthesized from the acrylic polymer intermediate in the following manner. A dicing tape was manufactured by creating an adhesive layer using the synthesized acrylic polymer.
"First synthesis step: Synthesis of acrylic polymer intermediate"
A mixture was prepared by mixing the above raw materials in the amounts (parts by mass) shown in Table 1. The above mixture was placed in a polymerization experimental apparatus equipped with a 1L round-bottom separable flask equipped with a separable cover, a separating funnel, a thermometer, a nitrogen introduction tube, a Liebig condenser, a vacuum seal, a stirring rod, and a stirring blade. was introduced. While stirring, the mixture was purged with nitrogen at room temperature for 6 hours. Thereafter, the temperature was maintained at 62° C. for 3 hours while stirring while nitrogen was being introduced, and then at 75° C. for 2 hours. Thereby, a polymerization reaction was performed, and the mixture was cooled to room temperature to obtain a polymer solution (a solution containing a polymer intermediate of each acrylic polymer).
"Second synthesis stage: Synthesis of each acrylic polymer"
To the obtained polymer solution (acrylic polymer intermediate-containing solution), 2-isocyanatoethyl methacrylate (product name "Karens MOI", manufactured by Showa Denko K.K.) and dibutyltin dilaurate IV ( (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) in the amounts shown in Table 1 were added, and the mixture was stirred at 50° C. for 24 hours in an air atmosphere.
"Preparation of composition for adhesive layer"
A tackifier, an isocyanate compound [Coronate L], and a photopolymerization initiator (Omnirad 127) in the amounts shown in Table 2 were mixed with 100 parts by mass of the solid content of the acrylic polymer (adhesive). A composition for an adhesive layer was prepared by adding ethyl acetate as a diluting solvent so that the solid content was 20% by mass.
"Preparation of adhesive layer"
A PET film (product name: "Diafoil MRF38" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) was prepared as a release sheet. One side of this film is subjected to mold release treatment. The pressure-sensitive adhesive layer composition prepared as described above was applied to the surface of the release sheet that had been subjected to the release treatment. The applied composition was dried on a release sheet at 120° C. for 3 minutes to produce an adhesive layer with a thickness of 10 μm.
"Manufacture of dicing tape"
With the adhesive layer and release sheet overlapping, the adhesive layer was bonded to the corona-treated surface of the base layer (EVA film) to prevent air bubbles from entering. A dicing tape was produced by drying at 50° C. for 48 hours.

<ダイシングダイボンドフィルムの製造>
・ダイボンド層の作製
下記の原料を用いてダイボンド層を以下のようにして作製した(実施例及び比較例において同じものを使用)
アクリル樹脂:100質量部
製品名「テイサンレジンSG-P3」、ナガセケムテックス社製)
ガラス転移温度12℃ エポキシ基含有)、エポキシ価0.21eq/kg
エポキシ樹脂: 79質量部
(製品名「EPICLON HP-4700」、DIC社製) ナフタレン型エポキシ樹脂、エポキシ当量155~170(g/eq)
フェノール樹脂:93質量部
(製品名「H-4」、昭和化学社製) フェノールノボラック樹脂
球状シリカ:189質量部
(製品名「SO-25R」、アドマテックス社製)、
硬化触媒:0.6質量部
(製品名「キュアゾール2PHZ」、四国化成工業社製)
上記の原料と、メチルエチルケトンとを混合して、固形分濃度20質量%の樹脂組成物を調製した。この樹脂組成物を、剥離シート(PET)の一方の面に塗布した。150℃で2分間加熱して溶媒を揮発させ、厚さ25μmのダイボンド層を作製した。
<Manufacture of dicing die bond film>
・Preparation of die bond layer A die bond layer was produced as follows using the following raw materials (the same material was used in the examples and comparative examples)
Acrylic resin: 100 parts by mass (Product name: "Teisan Resin SG-P3", manufactured by Nagase ChemteX)
Glass transition temperature 12℃ (contains epoxy group), epoxy value 0.21eq/kg
Epoxy resin: 79 parts by mass (product name "EPICLON HP-4700", manufactured by DIC) Naphthalene type epoxy resin, epoxy equivalent 155-170 (g/eq)
Phenol resin: 93 parts by mass (product name "H-4", manufactured by Showa Kagaku Co., Ltd.) Phenol novolak resin Spherical silica: 189 parts by mass (product name "SO-25R", manufactured by Admatex Corporation),
Curing catalyst: 0.6 parts by mass (product name "Cure Sol 2PHZ", manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.)
The above raw materials and methyl ethyl ketone were mixed to prepare a resin composition having a solid content concentration of 20% by mass. This resin composition was applied to one side of a release sheet (PET). The solvent was evaporated by heating at 150° C. for 2 minutes to produce a die bond layer with a thickness of 25 μm.

・ダイボンド層とダイシングテープとの貼り合わせ
剥離シートに重なった状態のダイボンド層と、ダイシングテープの剥離シートを剥離した後の粘着剤層とを、気泡が入らないように貼り合わせた。ダイボンド層は、ウエハの貼り合わせ予定位置に配置され、また、ウエハサイズよりも直径が5mm大きいサイズであった。ローラを使って貼り合わせを行い、互いに貼り合わされた粘着剤層及びダイボンド層が、基材層と剥離シートとの間に配置された状態のダイシングダイボンドフィルムを製造した。
このような状態で、温度18~25℃、湿度40~60%、遮光条件下において24時間放置したものを試験用サンプルとして用いた。
- Attaching the die-bonding layer and dicing tape The die-bonding layer that overlapped the release sheet and the adhesive layer after the release sheet of the dicing tape had been peeled off were attached to each other so that no air bubbles were introduced. The die-bonding layer was placed at the position where the wafers were to be bonded, and had a diameter 5 mm larger than the wafer size. A dicing die bond film was produced in which the adhesive layer and the die bond layer, which were bonded to each other, were placed between the base layer and the release sheet by bonding using a roller.
In this state, the sample was left for 24 hours at a temperature of 18 to 25° C., humidity of 40 to 60%, and shielded from light, and used as a test sample.

(実施例2~6、参考例7)
表1~表3に示す配合組成により、実施例1と同様にして、ダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを製造した。
(Examples 2 to 6 , Reference Example 7)
A dicing tape and a dicing die bond film were produced in the same manner as in Example 1 using the formulations shown in Tables 1 to 3.

(比較例1)
表3に示す配合組成により、実施例1と同様にして、ダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを製造した。
(Comparative example 1)
A dicing tape and a dicing die bond film were manufactured in the same manner as in Example 1 using the formulation shown in Table 3.

実施例及び比較例のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを製造するための配合組成を表1~表3に示す。 Tables 1 to 3 show the compounding compositions for producing dicing tapes and dicing die bond films of Examples and Comparative Examples.

<活性エネルギー線(紫外線)照射前のダイボンド層-粘着剤層間のT型剥離強度測定>
ダイボンド層(DAF)と粘着剤層とが貼り合わせされている部分を、100mm×20mmサイズで切り出した。剥離シートを取った後のダイボンド層を、ハンドローラーを用いてBT-315に貼り付けた。貼り付けのとき、ダイボンド層とBT-315との間に気泡が入り込まないようにした。
その後、温度23℃、湿度50%の環境で30分間放置し、温度を一定化させた。テンシロン型引張試験機(島津製作所社製,AGS-J)によって、剥離強度(ダイボンド層から粘着剤層を剥離した時の強度)を測定した。測定前に試験サンプルの一方の端部において、ダイボンド層と粘着剤層との界面であらかじめ少し剥離させ、ダイボンド層の端部と粘着剤層の端部とをそれぞれ引張試験機のチャックに挟んだ。剥離条件は、剥離速度300mm/分、剥離角度180度、温度23℃、湿度50%であった。測定を3回実施し、その平均値をT型剥離強度の値とした。
<T-shaped peel strength measurement between die bond layer and adhesive layer before irradiation with active energy rays (ultraviolet rays)>
The portion where the die bond layer (DAF) and the adhesive layer were bonded was cut out to a size of 100 mm x 20 mm. After removing the release sheet, the die bond layer was attached to BT-315 using a hand roller. At the time of pasting, air bubbles were prevented from entering between the die bond layer and BT-315.
Thereafter, it was left for 30 minutes in an environment with a temperature of 23° C. and a humidity of 50% to stabilize the temperature. Peel strength (strength when the adhesive layer was peeled off from the die bond layer) was measured using a Tensilon tensile tester (AGS-J, manufactured by Shimadzu Corporation). Before measurement, one end of the test sample was slightly peeled off at the interface between the die-bond layer and the adhesive layer, and the end of the die-bond layer and the end of the adhesive layer were each held in the chuck of a tensile testing machine. . The peeling conditions were a peeling speed of 300 mm/min, a peeling angle of 180 degrees, a temperature of 23° C., and a humidity of 50%. The measurement was carried out three times, and the average value was taken as the value of T-peel strength.

<活性エネルギー線(紫外線)照射後のダイボンド層-粘着剤層間のT型剥離強度測定>
ダイボンド層(DAF)と粘着剤層とが貼り合わせされている部分を、100mm×30mmサイズで切り出した。下記の紫外線照射条件で、基材層側(フィルムの背面側)から紫外線を照射した。剥離シートを取った後のダイボンド層を、ハンドローラーを用いてBT-315に貼り付けた。貼り付けのとき、ダイボンド層とBT-315との間に気泡が入り込まないようにした。
その後、温度23℃、湿度50%の環境で30分間放置し、温度を一定化させた。テンシロン型引張試験機(島津製作所社製,AGS-J)によって、剥離強度(ダイボンド層から粘着剤層を剥離した時の強度)を測定した。測定前に試験サンプルの一方の端部において、ダイボンド層と粘着剤層との界面であらかじめ少し剥離させ、ダイボンド層の端部と粘着剤層の端部とをそれぞれ引張試験機のチャックに挟んだ。剥離条件は、剥離速度300mm/分、剥離角度180度、温度23℃、湿度50%であった。測定を3回実施し、その平均値をT型剥離強度の値とした。
<T-shaped peel strength measurement between die bond layer and adhesive layer after irradiation with active energy rays (ultraviolet rays)>
The portion where the die bond layer (DAF) and the adhesive layer were bonded together was cut out to a size of 100 mm x 30 mm. Ultraviolet rays were irradiated from the base layer side (back side of the film) under the following ultraviolet irradiation conditions. After removing the release sheet, the die bond layer was attached to BT-315 using a hand roller. At the time of pasting, air bubbles were prevented from entering between the die bond layer and BT-315.
Thereafter, it was left for 30 minutes in an environment with a temperature of 23° C. and a humidity of 50% to stabilize the temperature. Peel strength (strength when the adhesive layer was peeled off from the die bond layer) was measured using a Tensilon tensile tester (AGS-J, manufactured by Shimadzu Corporation). Before measurement, one end of the test sample was slightly peeled off at the interface between the die-bond layer and the adhesive layer, and the end of the die-bond layer and the end of the adhesive layer were each held in the chuck of a tensile testing machine. . The peeling conditions were a peeling speed of 300 mm/min, a peeling angle of 180 degrees, a temperature of 23° C., and a humidity of 50%. The measurement was carried out three times, and the average value was taken as the value of T-peel strength.

「紫外線照射条件」
紫外線照射装置:製品名-UM810(日東精機社製)
光源:高圧水銀灯
照射強度:50mW/cm(測定機器:ウシオ社製「紫外線照度計UT-101」)
照射時間:6秒
積算光量:300mJ/cm
"Ultraviolet irradiation conditions"
Ultraviolet irradiation device: Product name - UM810 (manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.)
Light source: High-pressure mercury lamp Irradiation intensity: 50mW/cm 2 (Measuring equipment: Ushio's "Ultraviolet illuminometer UT-101")
Irradiation time: 6 seconds Cumulative light intensity: 300mJ/ cm2

<経時浮きについての評価>
12インチのベアウエハに、上記のごとく作製した25μm厚のダイボンド層を、温度60℃、圧力0.3MPa、速度10mm/秒にて貼り合せた。そして、75℃×1時間の熱硬化処理を施した。
次に、ダイシングテープを貼り合せ、ダイシングソー装置 DFD6361(DISCO社製)を用いて、10mm×10mmサイズにハーフカットダイシングを行った。
続いて、バックグラインドテープを貼り合せ、50μm厚になるように、グラインダポリッシャ装置 DGP8760(DISCO社製)を用いて研削して、反りウエハを得た。
ダイシングダイボンドフィルムに反りウエハおよびダイシングリングを貼り合せ、その後、ディスコ社製ダイセパレーターDDS2300を用いてウエハの割断及びダイシングテープの熱収縮を行うことによって、サンプルを得た。
具体的には、まず、クールエキスパンダーユニットで、エキスパンド温度-15℃、エキスパンド速度200mm/秒、エキスパンド量12mmの条件で半導体ウエハを割断した。その後、室温、エキスパンド速度1mm/秒、エキスパンド量7mmの条件で常温エキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度200℃、風量40L/min、ヒート距離20mm、ローテーションスピード5°/秒で半導体チップの外周部分におけるダイシングテープを熱収縮させた。そのサンプルを23℃、50%RH環境下で7日間保管した後に、ダイボンド層がダイシングテープから浮いている部分の面積(ダイボンド層全体の面積を100%としたときの浮いているダイボンド層付き半導体チップの面積の割合)を顕微鏡で観察し、浮いていない面積が98%以上である場合を○とし、98%未満である場合を×として評価した。
<Evaluation of floating over time>
The 25 μm thick die bond layer prepared as described above was bonded to a 12-inch bare wafer at a temperature of 60° C., a pressure of 0.3 MPa, and a speed of 10 mm/sec. Then, heat curing treatment was performed at 75° C. for 1 hour.
Next, a dicing tape was attached, and half-cut dicing was performed to a size of 10 mm x 10 mm using a dicing saw device DFD6361 (manufactured by DISCO).
Subsequently, a backgrind tape was attached and ground to a thickness of 50 μm using a grinder polisher DGP8760 (manufactured by DISCO) to obtain a warped wafer.
A sample was obtained by bonding a warped wafer and a dicing ring to a dicing die bond film, and then cutting the wafer and thermally shrinking the dicing tape using a die separator DDS2300 manufactured by DISCO.
Specifically, first, a semiconductor wafer was cut using a cool expander unit under conditions of an expansion temperature of −15° C., an expansion speed of 200 mm/sec, and an expansion amount of 12 mm. Thereafter, room temperature expansion was performed under the conditions of room temperature, expansion speed of 1 mm/sec, and expansion amount of 7 mm. Then, while maintaining the expanded state, the dicing tape on the outer periphery of the semiconductor chip was thermally shrunk at a heat temperature of 200° C., an air flow rate of 40 L/min, a heat distance of 20 mm, and a rotation speed of 5°/sec. After storing the sample in an environment of 23°C and 50% RH for 7 days, the area of the part where the die bond layer is floating from the dicing tape (semiconductor with a floating die bond layer when the area of the entire die bond layer is taken as 100%) The chip area ratio) was observed with a microscope, and the case where the area not floating was 98% or more was evaluated as ○, and the case where it was less than 98% was evaluated as ×.

<ピックアップ試験方法>
12インチのベアウエハにダイシングテープ及びダイシングリングを貼り合せ、ダイシングソー装置 DFD6361(DISCO社製)を用いて、10mm×10mmサイズにハーフカットダイシングを行った。ハーフカットダイシング後に、上記ダイシングテープの背面側から紫外線を照射して、溝を形成したウエハを回収した。
その後、溝を形成したウエハ表面に、バックグラインドテープを貼り合せ、グラインダポリッシャ装置 DGP8760(DISCO社製)を用いて、30μm厚になるように研削して、小片化された薄ウエハを得た。
ダイシングダイボンドフィルムに、小片化された薄ウエハおよびダイシングリングを貼り合せ、バックグラインドテープの背面側から紫外線を照射して粘着剤を硬化させ、バックグラインドテープを、ウエハから剥離して取り除いた。次に、ダイセパレーター DDS2300(DISCO社製)を用いて、ウエハの割断、及び、ダイシングテープの熱収縮を行うことによって割断サンプルを得た。具体的には、まず、クールエキスパンダーユニットで、エキスパンド温度-15℃、エキスパンド速度200mm/秒、エキスパンド量12mmの条件で半導体ウエハを割断した。
その後、室温下において、エキスパンド速度1mm/秒、エキスパンド量7mmの条件で、常温エキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度200℃、風量40L/分、ヒート距離20mm、ローテーションスピード5°/秒の条件において、半導体チップの外周部分におけるダイシングテープを熱収縮させた。
ダイボンダーSPA-300(新川社製)を用いて、以下の条件でピックアップを行った。400μm以下のピックアップハイトでピックアップ成功率が90%以上の場合を〇、ピックアップ成功率が90%未満の場合を×として評価を行った。
「ピックアップ条件」
ピン数:5
突き上げ速度:1mm/秒
ピックアップハイト:200~1000μm
ピックアップ評価数:50
<Pickup test method>
A dicing tape and a dicing ring were attached to a 12-inch bare wafer, and half-cut dicing was performed to a size of 10 mm x 10 mm using a dicing saw device DFD6361 (manufactured by DISCO). After half-cut dicing, ultraviolet rays were irradiated from the back side of the dicing tape, and the wafers with grooves formed thereon were collected.
Thereafter, a backgrind tape was attached to the surface of the wafer in which the grooves were formed, and the wafer was ground to a thickness of 30 μm using a grinder polisher DGP8760 (manufactured by DISCO) to obtain thin wafers cut into small pieces.
A thin wafer cut into small pieces and a dicing ring were attached to a dicing die-bonding film, the back grind tape was irradiated with ultraviolet rays from the back side to harden the adhesive, and the back grind tape was peeled off from the wafer and removed. Next, a cut sample was obtained by cutting the wafer and thermally shrinking the dicing tape using a die separator DDS2300 (manufactured by DISCO). Specifically, first, a semiconductor wafer was cut using a cool expander unit under conditions of an expansion temperature of −15° C., an expansion speed of 200 mm/sec, and an expansion amount of 12 mm.
Thereafter, room temperature expansion was performed at room temperature under the conditions of an expansion speed of 1 mm/sec and an expansion amount of 7 mm. Then, while maintaining the expanded state, the dicing tape on the outer periphery of the semiconductor chip was thermally shrunk under the conditions of a heat temperature of 200° C., an air flow rate of 40 L/min, a heat distance of 20 mm, and a rotation speed of 5°/sec.
Pick-up was performed using a die bonder SPA-300 (manufactured by Shinkawasha) under the following conditions. The evaluation was made with a case where the pick-up success rate was 90% or more at a pick-up height of 400 μm or less, and a x when the pick-up success rate was less than 90%.
"Pickup conditions"
Number of pins: 5
Push-up speed: 1mm/sec Pickup height: 200-1000μm
Number of pick up ratings: 50

評価結果を表4及び表5に示す。 The evaluation results are shown in Tables 4 and 5.

上記の評価結果から把握されるように、実施例のダイシングダイボンドフィルムは、比較例のダイシングダイボンドフィルムに比べて、半導体集積回路の製造時における半導体チップの浮きを抑制できた。また、良好なピックアップ性を発揮した。
一方、粘着剤層に粘着付与剤が配合されていない比較例のダイシングダイボンドフィルムは、半導体集積回路の製造時における半導体チップの浮きを抑制できず、ピックアップ性も良好でなかった。
また、粘着剤層における粘着付与剤が、アクリルポリマー100質量部に対して、30質量部以上になると、ピックアップ性が悪くなる傾向があった。
また、テルペンフェノール系粘着付与剤によって、経時浮きを抑制できることが示された。
As understood from the above evaluation results, the dicing die bond film of the example was able to suppress the lifting of semiconductor chips during the manufacture of semiconductor integrated circuits, compared to the dicing die bond film of the comparative example. It also exhibited good pick-up properties.
On the other hand, the dicing die bond film of the comparative example in which no tackifier was blended in the adhesive layer was unable to suppress the lifting of semiconductor chips during the manufacture of semiconductor integrated circuits, and did not have good pick-up properties.
Moreover, when the amount of the tackifier in the adhesive layer was 30 parts by mass or more based on 100 parts by mass of the acrylic polymer, the pick-up properties tended to deteriorate.
It has also been shown that lifting over time can be suppressed by using a terpene phenol-based tackifier.

本発明のダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、例えば、半導体集積回路を製造するときの補助用具として、好適に使用される。 The dicing tape and dicing die bond film of the present invention are suitably used, for example, as auxiliary tools when manufacturing semiconductor integrated circuits.

1:ダイシングダイボンドフィルム、
10:ダイボンド層、
20:ダイシングテープ、
21:基材層、 22:粘着剤層。
1: Dicing die bond film,
10: die bond layer,
20: dicing tape,
21: Base material layer, 22: Adhesive layer.

Claims (4)

基材層及び該基材層に重なった粘着剤層を有するダイシングテープと、該ダイシングテープの前記粘着剤層に積層されたダイボンド層とを備える、ダイシングダイボンドフィルムであって、
前記粘着剤層は、粘着剤と、軟化点が70℃以上170℃以下の粘着付与剤とを含み、
前記粘着剤層は、前記粘着剤の100質量部に対して、前記粘着付与剤を5質量部以上25質量部以下含み、
前記粘着剤層と前記ダイボンド層との間におけるT型剥離強度は、1.0(N/20mm)以上3.4(N/20mm)以下であり、
前記粘着剤層は、前記粘着剤としてのアクリルポリマーと、イソシアネート化合物と、光重合開始剤とを少なくとも含み、
前記粘着剤層と前記ダイボンド層との間におけるT型剥離強度は、下記式(1)を満たし、
0.04 ≦ 活性エネルギー線照射後における前記T型剥離強度/活性エネルギー線照射前における前記T型剥離強度 ≦ 0.10 ・・・(1)
前記アクリルポリマーは、C6~C11アルキル(メタ)アクリレートの構成単位と、水酸基含有(メタ)アクリレートの構成単位と、重合性基含有(メタ)アクリレートの構成単位とで構成されている、ダイシングダイボンドフィルム。
A dicing die bond film comprising a dicing tape having a base material layer and an adhesive layer overlapping the base material layer, and a die bond layer laminated on the adhesive layer of the dicing tape,
The adhesive layer includes an adhesive and a tackifier having a softening point of 70°C or more and 170°C or less,
The adhesive layer contains 5 parts by mass or more and 25 parts by mass or less of the tackifier based on 100 parts by mass of the adhesive,
The T-peel strength between the adhesive layer and the die-bonding layer is 1.0 (N/20 mm) or more and 3.4 (N/20 mm) or less,
The adhesive layer includes at least an acrylic polymer as the adhesive, an isocyanate compound, and a photopolymerization initiator,
The T-peel strength between the adhesive layer and the die-bonding layer satisfies the following formula (1),
0.04≦T-type peel strength after active energy ray irradiation/T-type peel strength before active energy ray irradiation≦0.10 (1)
The acrylic polymer is composed of a C6 to C11 alkyl (meth)acrylate constitutional unit, a hydroxyl group-containing (meth)acrylate constitutional unit, and a polymerizable group-containing (meth)acrylate constitutional unit. film.
前記アクリルポリマーは、前記C6~C11アルキル(メタ)アクリレートの構成単位として、イソノニル(メタ)アクリレートの構成単位及び2-エチルヘキシル(メタ)アクリレートの構成単位のうちの少なくとも一方を含む、請求項に記載のダイシングダイボンドフィルム。 The acrylic polymer contains at least one of isononyl (meth)acrylate structural units and 2-ethylhexyl (meth)acrylate structural units as the C6 to C11 alkyl (meth)acrylate structural units. The dicing die bond film described. 前記ダイボンド層は、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂のうち少なくとも一方と、フィラーとを含む、請求項1又は2に記載のダイシングダイボンドフィルム。 The dicing die bond film according to claim 1 or 2 , wherein the die bond layer contains at least one of a thermosetting resin and a thermoplastic resin, and a filler. 前記粘着剤層は、前記粘着付与剤としてテルペンフェノール樹脂を含む、請求項1乃至のいずれか1項に記載のダイシングダイボンドフィルム。 The dicing die bond film according to any one of claims 1 to 3 , wherein the adhesive layer contains a terpene phenol resin as the tackifier.
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