JP7416864B2 - 支持ユニット、これを含むベーク装置及び基板処理装置 - Google Patents

支持ユニット、これを含むベーク装置及び基板処理装置 Download PDF

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Description

本発明の実施例は支持ユニット、これを含むベーク装置及び基板処理装置に関するものである。
一般に、半導体素子を製造するためには洗浄、蒸着、フォトリソグラフィ、エッチング、そして、イオン注入などのような多様な工程が遂行される。パターンを形成するために遂行されるフォトリソグラフィ工程は半導体素子の高集積化を成すのに重要な役割を遂行する。
フォトリソグラフィ工程は半導体基板上にフォトレジストパターンを形成するために遂行される。フォトリソグラフィ工程は基板上にフォトレジスト膜を形成する塗布工程、フォトレジスト膜からフォトレジストパターンを形成する露光工程、露光工程で光が照射された領域または、その反対領域を除去する現像工程を含み、それぞれの工程の前後には基板を加熱及び冷却するベーク工程が遂行される。
ベーク工程では基板を加熱プレートに安着させた後、基板を工程温度またはそれ以上に加熱処理する過程である。基板上に膜を形成した以後に遂行されるベーク工程は基板上に塗布されたフォトレジスト膜などを加熱して揮発させて膜厚さを設定厚さで調節する。この時、基板の加熱が完了されて加熱プレートで除去された後にも基板は続いて熱い状態で維持されるので、クーリング制御が必要である。よって、ベーク工程では加熱プレートで除去された基板を冷却プレートに返送して冷却する。
図１は、従来の冷却ユニットを概略的に示した図面である。図１を参考すれば、冷却ユニット１は冷却プレート２と、冷却プレート２に提供されて基板(W)を支持する支持ピン３を含む。支持ピン３は基板(W)の底面と冷却プレート２の上部面間のエアギャップ(Air gap)が形成されるように冷却プレート２の上部面から上に突き出されるように提供される。この時、支持ピン３の突き出高さは基板にスクイーズ効果(squeeze effect)が発生されない高さで提供される。
しかし、支持ピン３によるエアギャップによって基板の冷却効率が低下される問題がある。
日本国特許公開第2003-037033号公報
本発明の実施例は、基板の冷却性能または加熱性能を増大させることができる支持ユニット、これを含むベーク装置及び基板処理装置を提供することを一目的とする。
本発明による実施例の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。
本発明の実施例は基板を支持する支持ユニットを開示する。
支持ユニットは基板が置かれる支持プレートと、及び前記支持プレートに提供されて前記基板を前記支持プレートから離隔させる支持突起を含み、前記支持プレートは前記支持プレートの上部面から突き出される第１突出部を含むが、前記第１突出部は前記支持突起が提供される支持領域に提供される。
前記第１突出部の上面は平たく提供されることができる。
前記支持突起は前記第１突出部の前記上面に提供されることができる。
前記第１突出部は前記支持突起に隣接するように位置されることができる。
前記第１突出部は前記支持突起をリング形状で囲むように提供されることができる。
前記第１突出部の上面は前記支持突起の上面より低い位置に位置されることができる。
前記第１突出部の高さは前記支持突起の高さより大きく提供されることができる。
前記支持プレートは前記支持プレートの前記上部面から突き出され、前記支持突起が提供される前記支持領域以外の領域に提供される第２突出部を含むことができる。
前記第１突出部と前記第２突出部との高さは同一に提供されることができる。
前記第２突出部は前記支持プレートの縁領域に提供されることができる。
前記第１突出部は複数の第１突出部を含み、前記第２突出部は前記複数の第１突出部の間に提供されることができる。
前記支持突起は複数個で提供され、前記第１突出部は前記支持突起と対応される数で提供されることができる。
前記支持プレートは前記支持プレートの縁領域に形成されるノッチを含み、前記支持プレートは前記支持プレートの上部面から突き出され、前記ノッチと隣接した位置に提供される第３突出部を含むことができる。
前記支持プレートは前記支持プレートの縁から内側に延長されるスリット形状のガイド溝を含み、前記支持プレートは前記支持プレートの上部面から突き出され、前記ガイド溝と隣接した位置に提供される第４突出部を含むことができる。
本実施例はベーク装置を開示する。
ベーク装置は基板を加熱する加熱ユニットと、前記加熱ユニットで加熱された基板を冷却させる冷却ユニットと、前記加熱ユニットと前記冷却ユニットとの間に前記基板を返送する返送ユニットと、及び前記加熱ユニット、前記冷却ユニット及び前記返送ユニットのうちで少なくとも一つに提供されて前記基板を支持する支持ユニットを含むが、前記支持ユニットは、前記基板が置かれる支持プレートと、前記支持プレートに提供されて前記基板を前記支持プレートから離隔させる支持突起と、及び前記支持プレートの上部面から突き出される突出部を含むが、前記突出部は前記支持突起が提供される支持領域に提供される第１突出部を含む。
前記第１突出部の上面は平たく提供され、前記支持突起は前記第１突出部の前記上面上に設置されることができる。
前記支持突起は前記支持プレートの前記上部面上に設置され、前記第１突出部は前記支持突起をリング形状で囲むように提供されることができる。
本実施例は、基板を処理する装置を開示する。
基板処理装置は基板に熱処理工程を遂行するベークユニットと、基板に液を供給して工程を遂行する液処理ユニットと、及び前記ベークユニットと前記液処理ユニットとの間に基板を返送する返送ロボットを含むが、前記ベークユニットは、ハウジングと、前記ハウジング内に位置して基板を加熱する加熱ユニットと、前記ハウジング内に位置して前記加熱ユニットで加熱された基板を冷却させる冷却ユニットと、及び前記ハウジング内に位置して前記加熱ユニットと前記冷却ユニットとの間に基板を返送する返送ユニットを含み、前記返送ユニットは、基板が置かれる支持プレートと、及び前記支持プレートに提供されて前記基板を前記支持プレートから離隔させる第１支持突起を含み、前記支持プレートは前記支持プレートの上部面から突き出される第１突出部を含むが、前記第１突出部は前記第１支持突起が提供される支持領域に提供されることができる。
前記冷却ユニットは、前記基板を冷却させるクーリングプレートと、前記クーリングプレートの内部に提供される冷却部材と、前記クーリングプレートに提供され、前記クーリングプレートから前記基板を離隔させる第２支持突起を含み、前記クーリングプレートは前記クーリングプレートの上部面から上に突き出される第２突出部を含むが、前記第２突出部は前記第２支持突起が提供される支持領域に提供されることができる。
前記第１突出部及び前記第２突出部はその上面が平たく提供され、前記第１支持突起及び前記第２支持突起は前記第１突出部の上面及び前記第２突出部の上面にそれぞれ設置されることができる。
本発明の一実施例によれば、基板の冷却性能または加熱性能を増大させることができる支持ユニット、これを含むベーク装置及び基板処理装置を提供することができる。
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
従来の支持ユニットを概略的に示した図面である。 本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる図面である。 図２の基板処理装置をA-A方向から眺めた図面である。 図２の基板処理装置をB-B方向から眺めた図面である。 図２の塗布部ロボットのハンドの一例を見せてくれる図面である。 本発明の一実施例によるベークユニットの平面図である。 図６のベークユニットの断面図である。 本発明の一実施例による支持ユニットを概略的に見せてくれる図面である。 本発明の他の実施例による支持ユニットを概略的に見せてくれる図面である。 本発明の一実施例に他の返送ユニットの返送プレートに適用される突出部らを概略的に図示した平面図である。 同じく、本発明の一実施例に他の返送ユニットの返送プレートに適用される突出部らを概略的に図示した平面図である。 基板を返送しながら冷却するタイプのベークユニットを示した図面である。 同じく、基板を返送しながら冷却するタイプのベークユニットを示した図面である。 同じく、基板を返送しながら冷却するタイプのベークユニットを示した図面である。
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ相異な形態で具現されることができるし、ここで説明する実施例で限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曇ることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて同一な符号を使用する。
ある構成要素を‘包含'するということは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くことではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に，“含む”または“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないものとして理解されなければならない。
単数の表現は文脈上明白に異なるように志さない限り、複数表現を含む。また、図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
第１、第２などの用語は多様な構成要素らを説明するのに使用されることができるが、前記構成要素らは前記用語によって限定されてはいけない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま第１構成要素は第２構成要素で命名されることができるし、類似第２構成要素も第１構成要素に命名されることができる。
ある構成要素が異なる構成要素に“連結されて”いるか、または“接続されて”いると言及された時には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、または接続されていることもあるが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されなければならないであろう。反面に、ある構成要素が異なる構成要素に“直接連結されて”いるか、または“直接接続されて”いると言及された時には、中間に他の構成要素が存在しないことで理解されなければならないであろう。構成要素らとの関係を説明する他の表現ら、すなわち“～間に”と“すぐ～間に”または“～に隣合う”と“～に直接隣合う”なども同じく解釈されなければならない。
異なるように定義されない限り、技術的であるか科学的な用語を含んでここで使用されるすべての用語らは、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者によって一般的に理解されることと同一な意味である。一般に使用される前もって定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味であることで解釈されなければならないし、本出願で明白に定義しない限り、理想的や過度に形式的な意味で解釈されない。
制御機は基板処理装置を制御することができる。制御機は上述するところのように基板を設定工程によって処理されるように工程チャンバの構成要素らを制御することができる。また、制御機は基板処理装置の制御を行うマイクロプロセッサー(コンピューター)でなされるプロセスコントローラーと、オペレーターが基板処理装置を管理するためにコマンド入力操作などを行うキーボードや、基板処理装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどでなされるユーザーインターフェースと、基板処理装置で実行される処理をプロセスコントローラーの制御で行うための制御プログラムや、各種データ及び処理条件によって各構成部に処理を実行させるためのプログラム、すなわち、処理レシピが記憶された記憶部を具備することができる。また、ユーザーインターフェース及び記憶部はプロセスコントローラーに接続されていることがある。処理レシピは記憶部のうちで記憶媒体に記憶されていることがあって、記憶媒体は、ハードディスクでも良く、CD-ROM、DVDなどの可搬性ディスクや、フラッシュメモリーなどの半導体メモリーであることがある。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
本実施例の設備は半導体ウェハーまたは平板表示パネルのような基板に対してフォトリソグラフィ工程を遂行するのに使用されることができる。特に、本実施例の設備は露光装置に連結されて基板に対して塗布工程及び現像工程を遂行することに使用されることができる。下では基板でウェハーが使用された場合を例に挙げて説明する。
図２乃至図４は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる図面である。図２は基板処理装置を上部から眺めた図面であり、図３は図２の基板処理装置をA-A方向から眺めた図面であり、図４は図２の基板処理装置をB-B方向から眺めた図面である。
図２乃至図４を参照すれば、基板処理装置１はロードポート１００、インデックスモジュール２００、バッファーモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、インターフェースモジュール７００、そしてファジーモジュール８００を含む。ロードポート１００、インデックスモジュール２００、バッファーモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、そして、インターフェースモジュール７００は順次に一方向に一列で配置される。ファジーモジュール８００はインターフェースモジュール７００内に提供されることができる。これと他にファジーモジュール８００はインターフェースモジュール７００後端の露光装置が連結される位置、またはインターフェースモジュール７００の側部など多様な位置に提供されることができる。
以下、ロードポート１００、インデックスモジュール２００、バッファーモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、そして、インターフェースモジュール７００が配置された方向を第１方向１２と称する。上部から眺める時第１方向１２と垂直な方向を第２方向１４と称して、第１方向１２及び第２方向１４とそれぞれ垂直な方向を第３方向１６と称する。
基板(W)はカセット２０内に収納された状態で移動される。カセット２０は外部から密閉されることができる構造を有する。一例で、カセット２０としては前方にドアを有する前面開放一体式ポッド(Front Open Unified Pod：FOUP)が使用されることがある。
以下ではロードポート１００、インデックスモジュール２００、バッファーモジュール３００、塗布及び現像モジュール４００、インターフェースモジュール７００、そしてファジーモジュール８００に対して説明する。
ロードポート１００は基板ら(W)が収納されたカセット２０が置かれる据置台１２０を有する。据置台１２０は複数個が提供され、据置台ら１２０は第２方向１４に沿って一列で配置される。図２では４個の据置台１２０が提供されることで示して説明したが、これに制限されるものではなくてフットプリントまたは必要によって多様な個数で設けられることができる。
インデックスモジュール２００はロードポート１００の据置台１２０に置かれたカセット２０とバッファーモジュール３００との間に基板(W)を移送する。インデックスモジュール２００はフレーム２１０、インデックスロボット２２０、そして、ガイドレール２３０を含む。フレーム２１０は概して内部が空の直方体の形状で提供される。フレーム２１０はロードポート１００とバッファーモジュール３００との間に配置される。インデックスモジュール２００のフレーム２１０は後述するバッファーモジュール３００のフレーム３１０より低い高さで提供されることができる。インデックスロボット２２０とガイドレール２３０はフレーム２１０内に配置される。インデックスロボット２２０は基板(W)を直接ハンドリングするハンド２２１が第１方向１２、第２方向１４、第３方向１６に移動可能に回転されることができるように４軸駆動が可能な構造である。インデックスロボット２２０はハンド２２１、アーム２２２、支持台２２３、そして 下敷台２２４を含む。ハンド２２１はアーム２２２に固定設置される。アーム２２２は伸縮可能な構造及び回転可能な構造で提供される。支持台２２３はその長さ方向が第３方向１６に沿って配置される。アーム２２２は支持台２２３に沿って移動可能になるように支持台２２３に結合される。支持台２２３は下敷台２２４に固定結合される。ガイドレール２３０はその長さ方向が第２方向１４に沿って配置されるように提供される。下敷台２２４はガイドレール２３０に沿って直線移動可能になるようにガイドレール２３０に結合される。また、図示されなかったが、フレーム２１０にはカセット２０のドアを開閉するドアオープナーがさらに提供される。
バッファーモジュール３００はフレーム３１０、第１バッファー３２０、第２バッファー３３０、冷却チャンバ３５０、そして、第１バッファーロボット３６０を含む。フレーム３１０は内部が空の直方体の形状で提供され、インデックスモジュール２００と塗布及び現像モジュール４００との間に配置される。第１バッファー３２０、第２バッファー３３０、冷却チャンバ３５０、そして、第１バッファーロボット３６０はフレーム３１０内に位置される。冷却チャンバ３５０、第２バッファー３３０、そして、第１バッファー３２０は順次に下から第３方向１６に沿って配置される。第１バッファー３２０は後述する塗布及び現像モジュール４００の塗布モジュール４０１と対応される高さに位置され、第２バッファー３３０と冷却チャンバ３５０は後述する塗布及び現像モジュール４００の現像モジュール４０２と対応される高さに提供される。第１バッファーロボット３６０は第２バッファー３３０、冷却チャンバ３５０、そして、第１バッファー３２０と第２方向１４で一定距離で離隔されるように位置される。
第１バッファー３２０と第２バッファー３３０は、それぞれ複数の基板ら(W)を一時的に保管する。第２バッファー３３０はハウジング３３１と複数の支持台ら３３２を有する。支持台ら３３２はハウジング３３１内に配置され、お互いの間に第３方向１６に沿って離隔されるように提供される。それぞれの支持台３３２には一つの基板(W)が置かれる。ハウジング３３１はインデックスロボット２２０と第１バッファーロボット３６０がハウジング３３１乃至３３２に基板(W)を搬入または搬出することができるようにインデックスロボット２２０が提供された方向と第１バッファーロボット３６０が提供された方向に開口(図示せず)を有する。第１バッファー３２０は第２バッファー３３０と概して類似な構造を有する。但し、第１バッファー３２０のハウジング３２１には第１バッファーロボット３６０が提供された方向及び塗布モジュール４０１に位置された塗布部ロボット４３２が提供された方向に開口を有する。第１バッファー３２０に提供された支持台３２２の数と第２バッファー３３０に提供された支持台３３２の数は等しいか、または相異なことがある。一例によれば、第２バッファー３３０に提供された支持台３３２の数は第１バッファー３２０に提供された支持台３２２の数より多いことがある。第１バッファーロボット３６０は第１バッファー３２０と第２バッファー３３０との間に基板(W)を移送させる。第１バッファーロボット３６０はハンド３６１、アーム３６２、そして、支持台３６３を含む。ハンド３６１はアーム３６２に固定設置される。アーム３６２は伸縮可能な構造で提供され、ハンド３６１が第２方向１４に沿って移動可能にさせる。アーム３６２は支持台３６３に沿って第３方向１６に直線移動可能になるように支持台３６３に結合される。支持台３６３は第２バッファー３３０に対応される位置から第１バッファー３２０に対応される位置まで延長された長さを有する。支持台３６３はこれより上部または下部方向にさらに長く提供されることができる。第１バッファーロボット３６０はハンド３６１が第２方向１４及び第３方向１６に沿った２軸だけ駆動されるように提供されることができる。
冷却チャンバ３５０はそれぞれ基板(W)を冷却する。冷却チャンバ３５０はハウジング３５１と冷却プレート３５２を含む。冷却プレート３５２は基板(W)が置かれる上面及び基板(W)を冷却する冷却手段３５３を有する。冷却手段３５３としては冷却水による冷却や熱電素子を利用した冷却など多様な方式が使用されることができる。また、冷却チャンバ３５０には基板(W)を冷却プレート３５２上に位置させるリフトピンアセンブリーが提供されることができる。ハウジング３５１はインデックスロボット２２０及び現像モジュール４０２に提供された現像部ロボットが冷却プレート３５２に基板(W)を搬入または搬出することができるようにインデックスロボット２２０が提供された方向及び現像部ロボットが提供された方向に開口を有する。また、冷却チャンバ３５０には上述した開口を開閉するドアらが提供されることができる。
塗布モジュール４０１は基板(W)に対してフォトレジストのような感光液を塗布する工程及びレジスト塗布工程前後に基板(W)に対して加熱及び冷却のような熱処理工程を含む。塗布モジュール４０１は液処理チャンバ４１０、ベークユニット５００、そして、返送チャンバ４３０を有する。液処理チャンバ４１０、ベークユニット５００、そして、返送チャンバ４３０は第２方向１４に沿って順次に配置される。液処理チャンバ４１０は基板(W)にレジスト塗布工程を遂行するレジスト塗布チャンバ４１０に提供されることができる。レジスト塗布チャンバ４１０は複数個が提供され、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ提供される。ベークユニット５００は第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ提供される。
返送チャンバ４３０は第１バッファーモジュール３００の第１バッファー３２０と第１方向１２に並んで位置される。返送チャンバ４３０内には塗布部ロボット４３２とガイドレール４３３が位置される。返送チャンバ４３０は概して直四角の形状を有する。塗布部ロボット４３２はベークユニットら４２０、レジスト塗布チャンバら４１０、そして、第１バッファーモジュール３００の第１バッファー３２０の間に基板(W)を移送する。ガイドレール４３３はその長さ方向が第１方向１２と並んでいるように配置される。ガイドレール４３３は塗布部ロボット４３２が第１方向１２に直線移動されるように案内する。
塗布部ロボット４３２はハンド４３４、アーム４３５、支持台４３６、そして、下敷台４３７を有する。ハンド４３４はアーム４３５に固定設置される。アーム４３５は伸縮可能な構造で提供されてハンド４３４が水平方向に移動可能にさせる。支持台４３６はその長さ方向が第３方向１６に沿って配置されるように提供される。アーム４３５は支持台４３６に沿って第３方向１６に直線移動可能になるように支持台４３６に結合される。支持台４３６は下敷台４３７に固定結合され、下敷台４３７はガイドレール４３３に沿って移動可能になるようにガイドレール４３３に結合される。
図５は、塗布部ロボットのハンドの一例を見せてくれる図面である。図５を参照すれば、ハンド４３４はベース４３４２及び突起４３４４を含む。ベース４３４２は円周の一部が折曲された環形のリング形状で提供されることができる。ベース４３４２は基板(W)の直径より大きい内径を有する。突起４３４４はベース４３４２からその内側に延長される。突起４３４４は複数個で提供されることができる。一例によれば、突起４３４４は等間隔で４個が提供されることができる。突起４３４４は基板(W)の縁領域を支持する。
レジスト塗布チャンバら４１０はすべて同一な構造を有する。但し、それぞれのレジスト塗布チャンバ４１０で使用されるフォトレジストの種類はお互いに相異なことがある。一例としてフォトレジストでは化学増幅型レジスト(chemical amplification resist)が使用されることがある。レジスト塗布チャンバ４１０は基板(W)上にフォトレジストを塗布する。レジスト塗布チャンバ４１０はハウジング４１１、支持プレート４１２、そして、ノズル４１３を有する。ハウジング４１１は上部が開放されたコップ形状を有する。支持プレート４１２はハウジング４１１内に位置され、基板(W)を支持する。支持プレート４１２は回転可能に提供される。ノズル４１３は支持プレート４１２に置かれた基板(W)上にフォトレジストを供給する。ノズル４１３は円形の管形状を有して、基板(W)の中心にフォトレジストを供給することができる。選択的にノズル４１３は基板(W)の直径に相応する長さを有して、ノズル４１３の吐出口はスリットで提供されることができる。また、追加的にレジスト塗布チャンバ４１０にはフォトレジストが塗布された基板(W)表面を洗浄するために脱イオン水のような洗浄液を供給するノズル４１４がさらに提供されることができる。
図２乃至図４を参照すれば、現像モジュール４０２は基板(W)上にパターンを得るために現像液を供給してフォトレジストの一部を除去する現像工程、及び現像工程前後に基板(W)に対して遂行される加熱及び冷却のような熱処理工程を含む。現像モジュール４０２は液処理チャンバ４６０、ベークユニット５００、そして返送チャンバ４８０を有する。液処理チャンバ４６０、ベークユニット５００、そして、返送チャンバ４８０は第２方向１４に沿って順次に配置される。液処理チャンバ４６０は現像チャンバに提供されることができる。現像チャンバ４６０とベークユニット５００は返送チャンバ４８０を間に置いて第２方向１４にお互いに離隔されるように位置される。現像チャンバ４６０は複数個が提供され、第１方向１２及び第３方向１６にそれぞれ複数個ずつ提供される。
返送チャンバ４８０は第１バッファーモジュール３００の第２バッファー３３０と第１方向１２に並んで位置される。返送チャンバ４８０内には現像部ロボット４８２とガイドレール４８３が位置される。返送チャンバ４８０は概して直四角の形状を有する。現像部ロボット４８２はベークユニットら４７０、現像チャンバら４６０、そして、第１バッファーモジュール３００の第２バッファー３３０と冷却チャンバ３５０の間に基板(W)を移送する。ガイドレール４８３はその長さ方向が第１方向１２と並んでいるように配置される。ガイドレール４８３は現像部ロボット４８２が第１方向１２に直線移動されるように案内する。現像部ロボット４８２はハンド４８４、アーム４８５、支持台４８６、そして、下敷台４８７を有する。ハンド４８４はアーム４８５に固定設置される。アーム４８５は伸縮可能な構造で提供されてハンド４８４が水平方向に移動可能にさせる。支持台４８６はその長さ方向が第３方向１６に沿って配置されるように提供される。アーム４８５は支持台４８６に沿って 第３方向１６に直線移動可能になるように支持台４８６に結合される。支持台４８６は下敷台４８７に固定結合される。下敷台４８７はガイドレール４８３に沿って移動可能になるようにガイドレール４８３に結合される。
現像チャンバら４６０はすべて同一な構造を有する。但し、それぞれの現像チャンバ４６０で使用される現像液の種類はお互いに相異なことがある。現像チャンバ４６０は基板(W)上のフォトレジストのうちで光が照射された領域を除去する。この時、保護膜のうちで光が照射された領域も共に除去される。選択的に使用されるフォトレジストの種類によってフォトレジスト及び保護膜の領域らのうちで光が照射されない領域だけが除去されることができる。
現像チャンバ４６０はハウジング４６１、支持プレート４６２、そしてノズル４６３を有する。ハウジング４６１は上部が開放されたコップ形状を有する。支持プレート４６２はハウジング４６１内に位置され、基板(W)を支持する。支持プレート４６２は回転可能に提供される。ノズル４６３は支持プレート４６２に置かれた基板(W)上に現像液を供給する。ノズル４６３は円形の管形状を有して、基板(W)の中心に現像液を供給することができる。選択的にノズル４６３は基板(W)の直径に相応する長さを有して、ノズル４６３の吐出口はスリットで提供されることができる。また、現像チャンバ４６０には追加的に現像液が供給された基板(W)表面を洗浄するために脱イオン水のような洗浄液を供給するノズル４６４がさらに提供されることができる。
前述したように塗布及び現像モジュール４００で塗布モジュール４０１と現像モジュール４０２はお互いの間に分離するように提供される。また、上部から眺める時塗布モジュール４０１と現像モジュール４０２は同一なチャンバ配置を有することができる。
インターフェースモジュール７００は基板(W)を移送する。インターフェースモジュール７００はフレーム７１０、第１バッファー７２０、第２バッファー７３０、そしてインターフェースロボット７４０を含む。第１バッファー７２０、第２バッファー７３０、そしてインターフェースロボット７４０はフレーム７１０内に位置される。第１バッファー７２０と第２バッファー７３０はお互いの間に一定距離で離隔され、お互いに積層されるように配置される。第１バッファー７２０は第２バッファー７３０より高く配置される。
インターフェースロボット７４０は第１バッファー７２０及び第２バッファー７３０と第２方向１４に離隔されるように位置される。インターフェースロボット７４０は第１バッファー７２０、第２バッファー７３０、そして露光装置９００の間に基板(W)を運搬する。
第１バッファー７２０は工程が遂行された基板(W)らが露光装置９００に移動される前にこれらを一時的に保管する。そして、第２バッファー７３０は露光装置９００で工程が完了された基板(W)らが移動される前にこれらを一時的に保管する。第１バッファー７２０はハウジング７２１と複数の支持台ら７２２を有する。支持台ら７２２はハウジング７２１内に配置され、お互いの間に第３方向１６に沿って離隔されるように提供される。それぞれの支持台７２２には一つの基板(W)が置かれる。ハウジング７２１はインターフェースロボット７４０及び前処理ロボット６３２がハウジング７２１内に支持台７２２に基板(W)を搬入または搬出することができるようにインターフェースロボット７４０が提供された方向及び前処理ロボット６３２が提供された方向に開口を有する。第２バッファー７３０は第１バッファー７２０と類似な構造を有する。インターフェースモジュールにはウェハーに対して所定の工程を遂行するチャンバの提供なしに上述したようにバッファーら及びロボットだけ提供されることができる。
図６及び図７はベーク装置を見せてくれる図面である。
図６及び図７を参照すれば、ベーク装置５００は基板(W)を熱処理する。例えば、ベーク装置５００らはフォトレジストを塗布する前に基板(W)を所定の温度で加熱して基板(W)表面の有機物や水分を除去するプリベーク(prebake)工程やフォトレジストを基板(W)上に塗布した後に行うソフトベーク(soft bake)工程などのような加熱工程を遂行し、それぞれの加熱工程以後に基板(W)を冷却する冷却工程などを遂行することができる。
ベーク装置５００はハウジング５１０、冷却ユニット５３０、加熱ユニット５５０、そして返送ユニット５７０を含むことができる。
ハウジング５１０は内部にベーク工程がなされる空間を提供する。ハウジング５１０は直方体形状で提供される。ハウジング５１０は第１側壁５１１、第２側壁５１３、そして、出入口５１２を含む。第１側壁５１１はハウジング５１０の一側面に提供される。第２側壁５１２は第１側壁５１１と向こう側に提供される。ハウジング５１０の側壁には基板(W)が出入りされる出入口５１２が形成される。一例で出入口５１２は第１側壁５１１に形成されることができる。出入口５１２は基板(W)が移動する通路を提供する。出入口５１２は開放された状態で維持されることができる。選択的に、出入口５１２を開閉するようにドア(図示せず)が提供されることができる。冷却ユニット５３０、加熱ユニット５５０及び返送ユニット５７０はハウジング５１０内に提供される。冷却ユニット５３０及び加熱ユニット５５０は第２方向１４に沿って並んで提供される。一例によれば、冷却ユニット５３０は加熱ユニット５５０より返送チャンバ４３０にさらに近く位置されることができる。
冷却ユニット５３０は加熱処理が終わった基板(W)を冷却させる。冷却ユニット５３０は支持ユニットを含む。支持ユニットはハウジング５１０内で基板(W)を支持する。支持ユニットは支持プレート５３１と、支持プレート５３１に提供される支持突起５３２を含む。支持プレート５３１には基板(W)が置かれる。支持プレート５３１は基板(W)を支持する。支持プレート５３１は基板(W)と同一な大きさで提供される。支持プレート５３１は上部から眺める時概して円形の形状を有することができる。支持プレート５３１には冷却部材５３１１が提供される。一例によれば、冷却部材５３１１は支持プレート５３１の内部に形成され、冷却流体が流れる流路に提供されることができる。支持プレート５３１は熱伝導度が良い金属の材質で提供される。一例で、支持プレート５３１はアルミニウム(Al)材質またはアノダイジング処理されたアルミニウム(Al-anodizing)材質で提供されることができる。但し、これに制限されるものではなくて、熱伝逹が容易な材質で提供されることができる。支持プレート５３１と冷却部材５３１１は基板(W)を冷却させる冷却板で提供されることができる。すなわち、支持プレート５３１は支持プレート５３１に支持された基板(W)を冷却させる。支持プレート５３１には支持突起５３１が提供される。支持突起５３１は複数個で提供されることができる。複数個の支持突起５３１は支持プレート５３１上でお互いに離隔されるように提供される。支持突起５３２は基板(W)を支持プレート５３１から離隔させる。支持突起５３２は基板(W)の底面と接触されて基板(W)を支持する。支持突起５３２によって基板(W)と支持プレート５３１との間にはエアギャップ(Air gap)が形成される。
図８は、本発明の一実施例による支持ユニットを概略的に見せてくれる図面である。図９は本発明の他の実施例による支持ユニットを概略的に見せてくれる図面である。図８及び図９を参考すれば、支持プレート５３１は突出部を含む。突出部は支持プレート５３１の上部面から突き出される。突出部は支持プレート５３１に支持された基板(W)を向ける方向に突き出される。突出部は基板(W)と支持プレート５３１との間のエアギャップを減らす方向に突き出される。突出部は支持プレート５３１と同一な材質で提供される。一例で、支持プレート５３１と突出部はアルミニウム(Al)またはアノダイジング処理されたアルミニウム(Al-anodizing)で提供される。但し、これに制限されないし、突出部と支持プレート５３１は熱伝達が容易な材質で形成されることができる。また、支持プレート５３１と突出部はお互いに異なる材質で提供されることができる。支持プレート５３１の上部面と基板(W)との間は第１離隔距離で離隔される。突出部と基板(W)との間は第１離隔距離より小さな第２離隔距離で離隔される。
突出部は第１突出部５３３を含む。第１突出部５３３は支持突起５３２が提供される支持領域に提供される。第１突出部５３３は支持突起５３２の周辺部に提供される。本発明の一実施例によれば、第１突出部５３３の上面は平たく提供され、支持突起５３２は第１突出部５３３の上面に提供される(図８参照)。この場合、第１突出部５３３の高さは支持突起５３２の高さより大きく提供されることができる。一例で、基板(W)の底面と支持プレート５３１の上部面間の離隔距離が１５０μmである場合、第１突出部５３３の高さは１００μmであり、支持突起５３２の高さは５０μmで提供されることができる。この場合、基板(W)と第１突出部５３３との間の距離が減ってスクイーズ影響(squeeze effect)を最小化しながらも冷却効率を増大させることができる。
本発明の他の実施例によれば、第１突出部５３３は支持突起５３２に隣接した位置に提供される。図９を参照すれば、第１突出部５３３は支持突起５３２をリング形状で囲むように提供される。上部から見た時、第１突出部５３３はリング形状で提供される。第１突出部５３３は第１突出部５３３の上面に形成される溝を含み、溝には支持突起５３２が提供される。第１突出部５３３の上面は支持突起５３２の上面より低い位置に位置される。
第１突出部５３３は複数個で提供される。複数個の第１突出部５３３は支持突起５３２の数と対応される数で提供される。
突出部は第２突出部５３４を含む。第２突出部５３４は支持プレート５３１の上部面から突き出される。第２突出部５３４は支持突起５３２が提供される支持領域以外の領域に提供される。第２突出部５３４は第１突出部５３３と同一な高さに提供される。第２突出部５３４は複数個で提供されることができる。第２突出部５３４は支持プレート５３１に安着された基板(W)の撓め(Warpage)による基板(W)との接触を回避することができる位置に提供される。一例で、第２突出部５３４の提供位置は基板(W)の引張変形(Tensile warpage)によって第２突出部５３４に接触されない位置に提供されることができる。また、第２突出部５３４の提供位置は基板(W)の圧縮変形(Compressive warpage)によって第２突出部５３４に接触されない位置に提供される。また、第２突出部５３４は基板(W)の引張及び圧縮変形によって第２突出部５３４に接触されない位置に提供される。一例で、基板(W)が下にふくらんでいるように撓め変形される場合、第２突出部５３４は支持プレート５３１の縁領域に提供されることができる。第２突出部５３４は複数の第１突出部５３３の間に提供されることができるし、この時にも基板(W)の変形(Warpage)によって基板(W)と接触されない位置に提供されることができる。
上から見た時、第１突出部５３３の面積は第２突出部５３４の面積と相異に提供されることができる。一例で、第２突出部５３４の面積は第１突出部５３３の面積より大きく提供されることができる。但し、これに制限されるものではなくて、第２突出部５３４の面積が第１突出部５３３の面積より小さく提供されるか、または第１及び第２突出部５３３、５３３の面積が同一に提供されることができる。第１突出部５３３と第２突出部５３４は相異な形状で提供されることができる。但し、これに制限されるものではなくて、各突出部が提供される位置によって多様な形状で提供されることができる。
第１突出部５３３と基板(W)との間は離隔距離(d３)は支持プレート５３１の上部面と基板(W)との間の離隔距離(d１)より小さく提供される。第２突出部５３４と基板(W)との間の離隔距離(d３)は支持プレート５３１の上部面と基板(W)との間の離隔距離(d１)より小さく提供される。この時、第１突出部５３３と基板(W)との間は離隔距離(d３)は第２突出部５３４と基板(W)との間の離隔距離(d３)と同一に提供されることができる。すなわち、第１突出部５３３の高さ(d２)は第２突出部５３４の高さ(d４)と同一に提供される。
図１を再び参考すれば、支持ピン３の突き出高さは基板(W)にスクイーズ影響(squeeze effect)が発生されない高さに提供される。一例で、支持ピン３の突き出高さは略１５０μmで提供されることができる。この場合、基板(W)とクーリングプレート２の間の離隔距離によってクーリングプレート２から基板(W)への熱伝達が容易でなくて基板(W)の冷却性能が低下される。冷却性能の向上のために、支持ピン３の高さは１５０μmより低く形成する場合、スクイーズ影響(squeeze effect)によって基板(W)が破損されるようになる。
しかし、本発明の一実施例によれば、基板(W)と支持プレート５３１との間のエアギャップを減らす突出部を提供することで、支持プレート５３１が基板(W)を冷却させる冷却効率を増大させることができる。また、突出部を支持突起５３２の周辺部に提供することで、基板(W)の撓め(Warpage)による接触イッシュを防止することができる。
再び図６及び図７を参考すれば、加熱ユニット５５０は基板(W)を設定温度で加熱する。加熱ユニット５５０は基板(W)を常温より高い温度で加熱する装置で提供される。加熱ユニット５５０は常圧またはこれより低い減圧雰囲気で基板(W)を加熱処理する。加熱ユニット５５０は基板(W)に対してベーク工程を遂行することができる。加熱ユニット５５０は基板(W)加熱中にガスを供給してフォトレジストの基板(W)付着率を向上させることができる。一例によれば、ガスはヘキサメチルジシラン(hexamethyldisilane)ガスであることができる。加熱ユニット５５０はチャンバ５５１、支持ユニット５５２、排気ユニット(図示せず)、ガス供給ユニット(図示せず)、そして、昇降ユニットを含むことができる。
チャンバ５５１は上部チャンバ５５１１、下部チャンバ５５１２、そして、シーリング部材(図示せず)を含むことができる。上部チャンバ５５１２は下部が開放された桶形状を有することができる。下部チャンバ５５１２は上部が開放された桶形状を有することができる。下部チャンバ５５１２は上部チャンバ５５１１の下部に配置されることができる。上部チャンバ５５１１と下部チャンバ５５１２はお互いに組合されて内部空間を形成することができる。また、上部チャンバ５５１１と下部チャンバ５５１２との間にはシーリング部材が提供されることができる。シーリング部材は上部チャンバ５５１１と下部チャンバ５５１２との間に位置される。シーリング部材は上部チャンバ５５１１と下部チャンバ５５１２が接触される時内部空間が外部から密閉されるようにする。シーリング部材は環形のリング形状で提供されることができる。シーリング部材は下部チャンバ５５１２の上端に固定結合されることができる。
加熱ユニット５５０は支持ユニット５５２を含む。支持ユニット５５２はチャンバ５５１の内部空間で基板(W)を支持する。また、支持ユニット５５２は基板(W)を加熱することができる。支持ユニット５５２は支持プレート５５２１、支持突起５５２３、リフトピン５５２４、そして、ガイド５５２５を含む。
支持プレート５５２１は円形の板形状で提供される。支持プレート５５２１の上部面は基板(W)より大きい直径を有することができる。支持プレート５５２１の上面は基板(W)が置かれる安着面に機能することができる。また、支持プレート５５２１にはヒーター５５２２が提供されることができる。ヒーター５５２２は基板(W)を加熱することができる。また、ヒーター５５２２は複数で提供されることができる。複数で提供されるヒーター５５２２らは基板(W)を領域別に相異な温度で加熱することができる。例えば、複数で提供されるヒーター５５２２らのうちで一部は基板(W)のセンター領域を第１温度で加熱し、複数で提供されるヒーター５５２２らのうちで他の一部は基板(W)のミドル及びエッジ領域を第２温度で加熱することができる。第１温度と第２温度はお互いに相異な温度であることができる。
支持突起５５２３は支持プレート５５２１に提供される。支持突起５５２３は基板(W)の底面を支持することができる。支持突起５５２３は基板(W)が支持プレート５５２１と直接的に接触されることを防止することができる。支持突起５５２３は基板(W)を支持プレート５５２１から離隔させる。
支持プレート５５２１は突出部を含む。加熱ユニット５５０の突出部と支持プレート５５２１の構造は冷却ユニット５３０の支持プレート５３１と支持突起５３２の突出部と類似な構造を有することができる。よって、冷却ユニット５３０の支持プレート５３１と支持突起５３２の突出部と関連される機材が類推適用されることができる。
突出部は支持プレート５５２１の上部面から突き出される。突出部は支持プレート５５２１に支持された基板(W)を向ける方向に突き出される。突出部は基板(W)と支持プレート５５２１との間のエアギャップを減らす方向に突き出される。突出部は支持プレート５５２１と同一な材質で提供される。突出部と支持プレート５５２１は熱伝達が容易な材質で形成されることができる。また、支持プレート５５２１と突出部はお互いに異なる材質で提供されることができる。
突出部は第１突出部５３２１aを含む。第１突出部５５２１aは支持突起５５２３が提供される支持領域に提供される。第１突出部５５２１aは支持突起５５２３の周辺部に提供される。本発明の一実施例によれば、第１突出部５５２１aの上面は平たく提供され、支持突起５５２３は第１突出部５５２１aの上面に提供される(図８参照)。本発明の他の実施例によれば、第１突出部５５２１aは支持突起５５２３に隣接した位置に提供される。図９を参照すれば、第１突出部５５２１aは支持突起５５２３をリング形状で囲むように提供される。第１突出部５５２１aの上面は支持突起５５２３の上面より低い位置に位置される。第１突出部５５２１aは複数個で提供される。複数個の第１突出部５５２１aは支持突起５５２３の数と対応される数で提供される。支持突起５５２３が提供される支持領域に第１突出部５５２１aを配置することによって、基板(W)の加熱効率を増大させることができる。
突出部は第２突出部５５２１bを含む。第２突出部５５２１bは支持プレート５５２１の上部面から突き出される。第２突出部５５２１bは支持突起５５２３が提供される支持領域以外の領域に提供される。第２突出部５５２１bは第１突出部５５２１aと同一な高さに提供される。第２突出部５５２１bは複数個で提供されることができる。第２突出部５５２１bは支持プレート５５２３に安着された基板(W)の撓め(Warpage)による基板(W)との接触を回避することができる位置に提供される。第１突出部５５２１aと基板(W)との間は離隔距離及び第２突出部５５２１bと基板(W)との離隔距離は支持プレート５５２１の上部面と基板(W)との間の離隔距離より小さく提供される。これを通じて、基板(W)の加熱効率を増大させることができる。
リフトピン５５２４は基板(W)を上下方向に移動させることができる。リフトピン５５２４は複数で提供されることができる。リフトピン５５２４は基板(W)を内部空間に搬入または搬出時基板(W)を上下方向に移動させることができる。
ガイド５５２５は基板(W)が安着面の正位置に置かれるように基板(W)をガイドする。ガイド５５２５は安着面を囲む環形のリング形状を有するように提供される。ガイド５５２５は基板(W)より大きい直径を有する。ガイド５５２５の内側面は支持プレート５５２１の中心軸に近くなるほど下向き傾いた形状を有する。これによってガイド５５２５の内側面にわたった基板(W)はその傾斜面に沿って定位置に移動される。また、ガイド５５２５は基板(W)と安着面との間に流入される気流を少量防止することができる。
加熱ユニット５５０は昇降ユニット５５３を含む。昇降ユニット５５３は上部チャンバ５５１１及び下部チャンバ５５１２のうちで何れか一つを移動させることができる。例えば、昇降ユニット５５３は上部チャンバ５５１１を上下方向に移動させることができる。昇降ユニット５５３は上部チャンバ５５１１を開放位置または遮断位置に移動させることができる。開放位置は上部チャンバ５５１１と下部チャンバ５５１２がお互いに離隔されて内部空間が開放される位置である。遮断位置は上部チャンバ５５１１及び下部チャンバ５５１２によって内部空間が外部から密閉される位置である。
返送ユニット５７０はハウジング５１０内に提供される。返送ユニット５７０は加熱ユニット５５０と冷却ユニット５３０との間に基板(W)を返送する。返送ユニット５７０は返送プレート５７１を含む。返送プレート５７１は基板(W)の返送時基板(W)を支持する。返送プレート５７１は支持プレート５７１で呼称されることがある。
返送プレート５７１は概して円板形状で提供され、基板(W)と対応される直径を有する。返送プレート５７１の縁にはノッチ５７３が形成される。ノッチ５７３は上述した塗布部ロボット４３２のハンド４３４に形成された突起４３４４と対応される形状を有することができる。また、ノッチ５７３はハンド４３４に形成された突起４３４４と対応される数で提供され、突起４３４４と対応される位置に形成される。ハンド４３４と支持プレート５７１が上下方向に整列された位置でハンド４３４と返送プレート５７１の上下位置が変更すれば、ハンド４３４と返送プレート５７１との間に基板(W)の伝達がなされる。返送プレート５７１はガイドレール５７４上に装着され、駆動機５７５によってガイドレール５７４に沿って移動されることができる。返送プレート５７１にはスリット形状のガイド溝５７６が複数個提供される。ガイド溝５７６は返送プレート５７１の末端で支持プレート５７１の内部まで延長される。ガイド溝５７６はその長さ方向が第２方向１４に沿って提供され、ガイド溝５７６らは第１方向１２に沿ってお互いに離隔されるように位置される。ガイド溝５７６は返送プレート５７１と加熱ユニット５５０との間に基板(W)の引受引継がなされる時返送プレート５７１とリフトピン５５２４がお互いに干渉されることを防止する。
返送プレート５７１には支持突起５７７が提供される。支持突起５７７は返送プレート５７１に提供される。支持突起５７７は基板(W)の底面を支持することができる。支持突起５７７は基板(W)が返送プレート５７１と直接的に接触されることを防止することができる。支持突起５５７は基板(W)を返送プレート５７１から離隔させる。
図１０及び図１１は、本発明の一実施例に他の返送ユニットの返送プレートに適用される突出部らを概略的に示した平面図である。
図１０及び図１１を参照すれば、返送プレート５７１は突出部５７２を含む。返送ユニット５７０の突出部５７２と返送プレート５７１の構造は、冷却ユニット５３０の支持プレート５３１と支持突起５３２の突出部と類似な構造を有することができる。よって、冷却ユニット５３０の支持プレート５３１と支持突起５３２の突出部と関連される機材が類推適用されることができる。
突出部５７２は第１突出部５７２１を含む。第１突出部５７２１は冷却ユニット５３０の第１突出部５３３と同じく支持突起５７７が提供される支持領域に提供されることができる。突出部５７２は第２突出部５７２２を含む。第２突出部５７２２は冷却ユニット５３０の第２突出部５３４と同じく支持突起５７７が提供される支持領域以外の領域に提供されることができる。第２突出部５７２２は基板(W)の撓め変形によって基板(W)と接触イッシュが発生されない位置に提供されることができる。
突出部５７２は第３突出部５７２３を含む。第２突出部５７２３は返送プレート５７１の上部面から突き出され、ノッチ５７３と隣接した位置に提供される。第３突出部５７２３はノッチ５７３の縁に提供される。突出部５７２は第４突出部５７２４を含む。第４突出部５７２４は返送プレート５７１は上部面から突き出され、ガイド溝５７６と隣接した位置に提供される。第４突出部５７２４はガイド溝５７６のスリット形状と対応される形状を有するように提供され、ガイド溝５７６の縁に提供される。
以上では、ベークユニット５００が冷却ユニット５３０、加熱ユニット５５０及び返送ユニット５７０を含み、返送ユニット５７０は基板(W)を冷却ユニット５３０と加熱ユニット５５０との間に返送だけ遂行し、基板(W)の冷却は冷却ユニット５３０で遂行されることを一例で図示及び説明した。しかし、これに制限されるものではなく、返送ユニット５７０が加熱ユニット５５０で加熱処理された基板(W)を返送中に冷却させるベークユニットにも本実施例の主要特徴らを適用させることができる。図１２乃至図１４を参照すれば、ベークユニット５００は加熱ユニット５５０と返送ユニット５７０を含む。返送ユニット５７０は返送プレート５７１と、返送プレート５７１を搬送させる返送部５８０を含むことができる。一例で、返送プレート５７１は内部に冷却流路が提供されることができる。冷却流路には冷却水が供給されて基板(W)及び返送プレート５７１を冷却することができる。返送部５８０はハウジング５１０内で返送プレート５７１を返送する。返送プレート５８１は返送部５８０によって待機位置とクーリング位置に移動されることができる。待機位置は出入口と隣接した位置であることができるし、クーリング位置は加熱ユニット５５０の支持プレート５５１上部に該当する位置であることができる。返送プレート５７１の構造は返送プレート５７１内に冷却流路が提供されて返送途中に基板(W)を冷却させることを除き上述した図面による返送プレート５７１と同一な構造を有する。すなわち、図面の返送プレート５７１は第１乃至第４突出部５７４１、５７４２、５７４３、５７４４のうちで何れか一つを選択的に含むことができる。
以上で説明した複数の突出部らは支持プレートに選択的に提供されることができる。すなわち、冷却ユニット５３０及び加熱ユニット５５０の支持プレートには第１突出部だけ提供されることができる。または、冷却ユニット５３０及び加熱ユニット５５０の支持プレートには第２突出部だけ提供されることができる。または、冷却ユニット５３０及び加熱ユニット５５０の支持プレートには第１突出部と第２突出部がすべて提供されることができる。返送ユニット５７０の返送プレートには第１乃至第４突出部のうちで何れか一つ以上が選択的に提供されることができる。または、返送ユニット５７０の返送プレートには第１乃至第４突出部がすべて提供されることができる。
以上で説明した複数の突出部らは冷却ユニット５３０だけに提供されることができる。または、複数の突出部らは加熱ユニット５５０だけに提供されることができる。または、複数の突出部らは返送ユニット５７０だけに提供されることができる。または、複数の突出部らは冷却ユニット５３０、加熱ユニット５５０及び返送ユニット５７０のうちで２個のユニットに提供されることができる。または、複数の突出部らは冷却ユニット５３０、加熱ユニット５５０及び返送ユニット５７０すべてに提供されることができる。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
１００ ロードポート
２００ インデックスモジュール
３００ バッファーモジュール
４００ 塗布及び現像モジュール
５００ ベークユニット
５１０ ハウジング
５３０ 冷却ユニット
５５０ 加熱ユニット
５７０ 返送ユニット

Claims (19)

  1. 基板を支持する支持ユニットにおいて、
    基板が置かれる支持プレートと、及び
    前記支持プレートに提供されて前記基板を前記支持プレートから離隔させる支持突起を含み、
    前記支持プレートは、前記支持プレートの上部面から突き出される第１突出部を含み、
    前記第１突出部は、前記支持突起が提供される支持領域に提供され、
    前記第１突出部は、前記支持突起に隣接するように位置される
    ことを特徴とする支持ユニット。
  2. 前記第１突出部の上面は平たく提供されることを特徴とする請求項１に記載の支持ユニット。
  3. 前記支持突起は前記第１突出部の前記上面に提供されることを特徴とする請求項２に記載の支持ユニット。
  4. 前記第１突出部は前記支持突起をリング形状で囲むように提供されることを特徴とする請求項１に記載の支持ユニット。
  5. 前記第１突出部の上面は前記支持突起の上面より低い位置に位置されることを特徴とする請求項１に記載の支持ユニット。
  6. 前記第１突出部の高さは前記支持突起の高さより大きく提供されることを特徴とする請求項３に記載の支持ユニット。
  7. 前記支持プレートは前記支持プレートの前記上部面から突き出され、前記支持突起が提供される前記支持領域以外の領域に提供される第２突出部を含むことを特徴とする請求項１に記載の支持ユニット。
  8. 前記第１突出部と前記第２突出部の高さは同一に提供されることを特徴とする請求項７に記載の支持ユニット。
  9. 前記第２突出部は前記支持プレートの縁領域に提供されることを特徴とする請求項７に記載の支持ユニット。
  10. 前記第１突出部は複数の第１突出部を含み、
    前記第２突出部は前記複数の第１突出部の間に提供されることを特徴とする請求項７に記載の支持ユニット。
  11. 前記支持突起は複数個で提供され、
    前記第１突出部は前記支持突起と対応される数で提供されることを特徴とする請求項１に記載の支持ユニット。
  12. 前記支持プレートは、前記支持プレートの縁領域に形成されるノッチを含み、
    前記支持プレートは、前記支持プレートの上部面から突き出され、前記ノッチと隣接した位置に提供される第３突出部を含むことを特徴とする請求項７に記載の支持ユニット。
  13. 前記支持プレートは前記支持プレートの縁から内側に延長されるスリット形状のガイド溝を含み、
    前記支持プレートは前記支持プレートの上部面から突き出され、前記ガイド溝と隣接した位置に提供される第４突出部を含むことを特徴とする請求項１２に記載の支持ユニット。
  14. 基板を加熱する加熱ユニットと、
    前記加熱ユニットで加熱された基板を冷却させる冷却ユニットと、
    前記加熱ユニットと前記冷却ユニットとの間に前記基板を返送する返送ユニットと、及び
    前記加熱ユニット、前記冷却ユニット及び前記返送ユニットのうちで少なくとも一つに提供されて前記基板を支持する支持ユニットを含み、
    前記支持ユニットは、
    前記基板が置かれる支持プレートと、
    前記支持プレートに提供されて前記基板を前記支持プレートから離隔させる支持突起と、及び
    前記支持プレートの上部面から突き出される突出部を含み、
    前記突出部は、前記支持突起が提供される支持領域に提供される第１突出部を含み、
    前記第１突出部は、前記支持突起に隣接するように位置される
    ことを特徴とするベーク装置。
  15. 前記第１突出部の上面は平たく提供され、
    前記支持突起は前記第１突出部の前記上面上に設置されることを特徴とする請求項１４に記載のベーク装置。
  16. 前記支持突起は前記支持プレートの前記上部面上に設置され、
    前記第１突出部は前記支持突起をリング形状で囲むように提供されることを特徴とする請求項１４に記載のベーク装置。
  17. 基板を処理する装置において、
    基板に熱処理工程を遂行するベークユニットと、
    基板に液を供給して工程を遂行する液処理ユニットと、及び
    前記ベークユニットと前記液処理ユニットの間に基板を返送する返送ロボットを含み、
    前記ベークユニットは、
    ハウジングと、
    前記ハウジング内に位置して基板を加熱する加熱ユニットと、
    前記ハウジング内に位置して前記加熱ユニットで加熱された基板を冷却させる冷却ユニットと、及び
    前記ハウジング内に位置して前記加熱ユニットと前記冷却ユニットとの間に基板を返送する返送ユニットを含み、
    前記返送ユニットは、
    基板が置かれる支持プレートと、及び
    前記支持プレートに提供されて前記基板を前記支持プレートから離隔させる支持突起を含み、
    前記支持プレートは前記支持プレートの上部面から突き出される突出部を含み、
    前記支持プレートの突出部は、前記支持プレートの支持突起が提供される支持領域に提供され、
    前記支持プレートの突出部は、前記支持突起に隣接するように位置される
    ことを特徴とする基板処理装置。
  18. 前記冷却ユニットは、
    前記基板を冷却させるクーリングプレートと、
    前記クーリングプレートの内部に提供される冷却部材と、
    前記クーリングプレートに提供され、前記クーリングプレートから前記基板を離隔させる支持突起を含み、
    前記クーリングプレートは、前記クーリングプレートの上部面から上に突き出される突出部を含み、
    前記クーリングプレートの突出部は、前記クーリングプレートの支持突起が提供される支持領域に提供されることを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
  19. 前記支持プレートの突出部及び前記クーリングプレートの突出部は、その上面が平たく提供され、
    前記支持プレートの支持突起及び前記クーリングプレートの支持突起は、前記支持プレートの突出部の上面及び前記クーリングプレートの突出部の上面にそれぞれ設置されることを特徴とする請求項１８に記載の基板処理装置。
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