JP7413108B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7413108B2 JP7413108B2 JP2020050570A JP2020050570A JP7413108B2 JP 7413108 B2 JP7413108 B2 JP 7413108B2 JP 2020050570 A JP2020050570 A JP 2020050570A JP 2020050570 A JP2020050570 A JP 2020050570A JP 7413108 B2 JP7413108 B2 JP 7413108B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- data
- buffer memory
- host
- command
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 53
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 113
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 67
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 27
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- CXOXHMZGEKVPMT-UHFFFAOYSA-N clobazam Chemical compound O=C1CC(=O)N(C)C2=CC=C(Cl)C=C2N1C1=CC=CC=C1 CXOXHMZGEKVPMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229940044442 onfi Drugs 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
- G06F3/0655—Vertical data movement, i.e. input-output transfer; data movement between one or more hosts and one or more storage devices
- G06F3/0656—Data buffering arrangements
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
- G06F3/061—Improving I/O performance
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
- G06F3/0604—Improving or facilitating administration, e.g. storage management
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
- G06F3/0629—Configuration or reconfiguration of storage systems
- G06F3/0635—Configuration or reconfiguration of storage systems by changing the path, e.g. traffic rerouting, path reconfiguration
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
- G06F3/0671—In-line storage system
- G06F3/0673—Single storage device
- G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Dram (AREA)
- Memory System (AREA)
Description
実施形態にかかる半導体装置は、ホストが接続可能な外部端子、ブリッジチップ、及び複数のチップを備える。複数のチップは、ブリッジチップを介して外部端子に接続される。半導体装置の外部端子には、有線通信路を介してホストが接続される。この半導体装置では、ホストから有線通信路を介した複数のチップへのアクセスがブリッジチップを介して行われる。各チップは、例えば、NAND型フラッシュメモリ等の不揮発性メモリのメモリチップである。
トグルDDRの規格では、チップに対するリードアクセスを一度とめて、他のコマンドを転送するリードホールドという機能が定義されている。リードホールドでは、リードアクセスが再開されると、リード途中であったデータの続きからリードデータをホストHAへ返すことが要求される。しかし、リードホールドの転送動作の再開に関する許容時間は短く、通常転送の事前準備の再開では間に合わない。
Claims (8)
- ホストからの信号が入力される端子が電気的に接続された第1のチップと、
前記第1のチップが電気的に接続された第2のチップと、
前記第2のチップと並列に前記第1のチップが電気的に接続された第3のチップと、
を備え、
前記第1のチップは、
前記第2のチップに対応した第1のバッファメモリと、
前記第3のチップに対応した第2のバッファメモリと、
を有し、
前記第2のチップ及び前記第3のチップは、それぞれ、メモリチップであり、
前記第1のチップは、
第1のリクエストを前記ホストから受信し、
前記第1のリクエストを受信した後、前記第2のチップに第1のコマンドを発行し、
第2のリクエストを前記ホストから受信し、
前記第2のリクエストを受信した後、前記第3のチップに第2のコマンドを発行し、
前記第2のチップは、
前記第1のコマンドに応じて第1のデータを読み出し、
読み出した前記第1のデータを前記第1のチップへ送信し、
前記第3のチップは、
前記第2のコマンドに応じて第2のデータを読み出し、
読み出した前記第2のデータを前記第1のチップへ送信し、
前記第1のチップは、
前記第2のチップから受信された前記第1のデータを前記第1のバッファメモリへ格納する第1の動作、及び前記第3のチップから受信された前記第2のデータを前記第2のバッファメモリへ格納する第2の動作、と並行して、前記第2のチップから前記第1のデータの受信が完了する前の所定のタイミングで、前記第2のチップから前記第1のチップへの前記第1のデータの転送レートよりも速い転送レートで、前記第1のバッファメモリに格納された前記第1のデータを前記ホストへ送信する第3の動作を開始する
半導体装置。 - ホストからの信号が入力される端子が電気的に接続された第1のチップと、
前記第1のチップが電気的に接続された第2のチップと、
前記第2のチップと並列に前記第1のチップが電気的に接続された第3のチップと、
を備え、
前記第1のチップは、
前記第2のチップに対応した第1のバッファメモリと、
前記第3のチップに対応した第2のバッファメモリと、
を有し、
前記第2のチップ及び前記第3のチップは、それぞれ、メモリチップであり、
前記第1のチップは、
第1のリクエストを前記ホストから受信し、
前記第1のリクエストを受信した後、前記第2のチップに第1のコマンドを発行し、
第2のリクエストを前記ホストから受信し、
前記第2のリクエストを受信した後、前記第3のチップに第2のコマンドを発行し、
前記第2のチップは、
前記第1のコマンドに応じて第1のデータを読み出し、
読み出した前記第1のデータを前記第1のチップへ送信し、
前記第3のチップは、
前記第2のコマンドに応じて第2のデータを読み出し、
読み出した前記第2のデータを前記第1のチップへ送信し、
前記第1のチップは、
第1の期間において、前記第2のチップから受信された前記第1のデータを前記第1のバッファメモリへ格納する第1の動作を行い、前記第1の期間の一部に重複する第2の期間において、前記第3のチップから受信された前記第2のデータを前記第2のバッファメモリへ格納する第2の動作を行い、前記第1の期間の開始後で且つ前記第1の期間の完了前に開始する第3の期間において、前記第2のチップから前記第1のチップへの前記第1のデータの転送レートよりも速い転送レートで、前記第1のバッファメモリに格納された前記第1のデータを前記ホストへ送信する第3の動作を行う
半導体装置。 - 前記第2のチップは、第3のバッファメモリを有し、
前記第3のチップは、第4のバッファメモリを有し、
前記第1のバッファメモリの容量は、前記第3のバッファメモリの容量以上であり、
前記第2のバッファメモリの容量は、前記第4のバッファメモリの容量以上である
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1のバッファメモリの容量は、前記第2のチップにおけるデータの読み出し単位となるデータサイズの整数倍であり、
前記第2のバッファメモリの容量は、前記第3のチップにおけるデータの読み出し単位となるデータサイズの整数倍である
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1のチップは、前記第1の動作と並行して、前記ホストに対して前記第2のチップに関する信号を送受信する第4の動作を行う
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1のチップは、前記第1の動作と並行して、前記第3のチップに対して信号を送受信する第4の動作を行う
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1のチップは、前記第1のコマンドの発行に応じて、前記第2のチップに第1の信号を供給し、
前記第2のチップは、前記第1のコマンドと前記第1の信号とに応じてデータを読み出して前記第1のチップへ送信する
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1のチップは、
データ端子と、
前記第1のバッファメモリと前記データ端子との間に電気的に接続された複数のフリップフロップと、
を有し、
前記第1のチップは、前記第1の信号が非活性化される第1の期間において、前記複数のフリップフロップのデータをセーブし、前記第1の信号が活性化される第2の期間において、前記セーブされたデータをリストアする
請求項7に記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020050570A JP7413108B2 (ja) | 2020-03-23 | 2020-03-23 | 半導体装置 |
US17/121,204 US11726705B2 (en) | 2020-03-23 | 2020-12-14 | Semiconductor device |
US18/345,090 US20230342076A1 (en) | 2020-03-23 | 2023-06-30 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020050570A JP7413108B2 (ja) | 2020-03-23 | 2020-03-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021149729A JP2021149729A (ja) | 2021-09-27 |
JP7413108B2 true JP7413108B2 (ja) | 2024-01-15 |
Family
ID=77746955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020050570A Active JP7413108B2 (ja) | 2020-03-23 | 2020-03-23 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11726705B2 (ja) |
JP (1) | JP7413108B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022146543A (ja) | 2021-03-22 | 2022-10-05 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置、メモリシステム、および方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012208961A (ja) | 2012-07-30 | 2012-10-25 | Solid State Storage Solutions Llc | メモリシステム |
JP2015111458A (ja) | 2008-11-04 | 2015-06-18 | コンバーサント・インテレクチュアル・プロパティ・マネジメント・インコーポレイテッドConversant Intellectual Property Management Inc. | 構成可能な仮想ページサイズを有するブリッジデバイス |
JP2018163434A (ja) | 2017-03-24 | 2018-10-18 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム |
JP2018206389A (ja) | 2017-06-01 | 2018-12-27 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | デューティ訂正回路を含む不揮発性メモリ、及び該不揮発性メモリを含むストレージ装置 |
JP2019204565A (ja) | 2018-05-22 | 2019-11-28 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置及びメモリシステム |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000187637A (ja) | 1998-12-24 | 2000-07-04 | Ricoh Co Ltd | デ−タ読み書きシステム |
KR100621631B1 (ko) | 2005-01-11 | 2006-09-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디스크 제어 장치 |
JP2015099570A (ja) | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 株式会社東芝 | コントローラ、記憶装置、および制御方法 |
WO2016143009A1 (ja) * | 2015-03-06 | 2016-09-15 | 株式会社 東芝 | メモリデバイスの制御方法、及び、メモリデバイス |
JP2018156708A (ja) | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 東芝メモリ株式会社 | 記憶装置およびメモリコントローラ |
US10789011B2 (en) * | 2017-09-27 | 2020-09-29 | Alibaba Group Holding Limited | Performance enhancement of a storage device using an integrated controller-buffer |
JP2019179455A (ja) | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 東芝メモリ株式会社 | 記憶装置及びコンピュータシステム |
JP2019215662A (ja) * | 2018-06-12 | 2019-12-19 | 株式会社日立製作所 | 不揮発性メモリデバイス、及びインターフェース設定方法 |
-
2020
- 2020-03-23 JP JP2020050570A patent/JP7413108B2/ja active Active
- 2020-12-14 US US17/121,204 patent/US11726705B2/en active Active
-
2023
- 2023-06-30 US US18/345,090 patent/US20230342076A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015111458A (ja) | 2008-11-04 | 2015-06-18 | コンバーサント・インテレクチュアル・プロパティ・マネジメント・インコーポレイテッドConversant Intellectual Property Management Inc. | 構成可能な仮想ページサイズを有するブリッジデバイス |
JP2012208961A (ja) | 2012-07-30 | 2012-10-25 | Solid State Storage Solutions Llc | メモリシステム |
JP2018163434A (ja) | 2017-03-24 | 2018-10-18 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム |
JP2018206389A (ja) | 2017-06-01 | 2018-12-27 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | デューティ訂正回路を含む不揮発性メモリ、及び該不揮発性メモリを含むストレージ装置 |
JP2019204565A (ja) | 2018-05-22 | 2019-11-28 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置及びメモリシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11726705B2 (en) | 2023-08-15 |
US20230342076A1 (en) | 2023-10-26 |
JP2021149729A (ja) | 2021-09-27 |
US20210294521A1 (en) | 2021-09-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7907469B2 (en) | Multi-port memory device for buffering between hosts and non-volatile memory devices | |
JP5193045B2 (ja) | 出力制御部を備えたメモリ | |
US7719892B2 (en) | Flash memory device with data output control | |
US20100115172A1 (en) | Bridge device having a virtual page buffer | |
KR20150007292A (ko) | 설정 가능한 가상 페이지 크기를 갖는 브리징 장치 | |
WO2014153640A1 (en) | Asynchronous bridge chip | |
US6523755B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US6396747B2 (en) | Semiconductor memory device capable of high speed input/output of wide bandwidth data by improving usage efficiency of external data bus | |
US20230342076A1 (en) | Semiconductor device | |
TWI827966B (zh) | 記憶體系統 | |
US20070028037A1 (en) | Memory system with automatic dual-buffering | |
US11842266B2 (en) | Processing-in-memory (PIM) device, controller for controlling the PIM device, and PIM system including the PIM device and the controller | |
US8296692B2 (en) | Read strobe feedback in a memory system | |
US20220414044A1 (en) | Semiconductor device and method for controlling plural chips | |
JP2022050018A (ja) | 電子装置及び転送方法 | |
US20130097388A1 (en) | Device and data processing system | |
US12001354B2 (en) | Semiconductor device and method | |
US20240028244A1 (en) | Methods of operating memory systems with input/output expanders for multi-channel status reads, and associated systems and devices | |
US20230105936A1 (en) | Continuous nand data-transfer with dynamic tm |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220912 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231227 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7413108 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |