JP7388365B2 - 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Description
本開示の目的は、基底面転位が積層欠陥になることを抑制可能な炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置を提供することである。
本開示によれば、基底面転位が積層欠陥になることを抑制可能な炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置を提供することができる。
まず本開示の実施形態の概要について説明する。本明細書の結晶学的記載においては、個別方位を[]、集合方位を<>、個別面を()、集合面を{}でそれぞれ示す。結晶学上の指数が負であることは、通常、数字の上に”-”(バー)を付すことによって表現されるが、本明細書では数字の前に負の符号を付すことによって結晶学上の負の指数を表現する。
以下、本開示の実施形態の詳細について説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。
図1および図2に示されるように、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板100は、ポリタイプ4Hの炭化珪素基板1と、ポリタイプ4Hの炭化珪素エピタキシャル層9とを有している。炭化珪素基板1は、第1主面4と、第1主面4と反対側の第2主面3とを有する。炭化珪素エピタキシャル層9は、第1主面4と接する。炭化珪素エピタキシャル層9は、第1主面4の反対側にある主表面2を有する。炭化珪素基板1および炭化珪素エピタキシャル層9の各々は、六方晶炭化珪素により構成されている。
炭化珪素エピタキシャル基板の窒素濃度は、たとえばSIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)により測定可能である。測定装置は、たとえばCameca製の二次イオン質量分析装置である。測定ピッチは、たとえば0.01μmである。一次イオンビーム(primary ion beam)は、セシウム(Cs)である。一次イオンエネルギーは、14.5eVである。二次イオンの極性(secondary ion polarity)は、負(negative)である。窒素濃度の測定位置は、炭化珪素エピタキシャル基板の中央である。
次に、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板100の製造装置200の構成について説明する。
次に、本実施形態に係る炭化珪素エピタキシャル基板100の製造方法について説明する。
次に、本実施形態に係る炭化珪素半導体装置300の構成について説明する。
次に、本実施形態に係る炭化珪素半導体装置300の製造方法について説明する。
ラズマ反応性イオンエッチングを用いることができる。エッチングにより、ゲートトレンチ23が形成されるべき領域に、主表面2に対してほぼ垂直な側部と、側部と連続的に設けられ、かつ主表面2とほぼ平行な底とを有する凹部が形成される。
まず、サンプル1-17に係る炭化珪素エピタキシャル基板100が準備された。サンプル1-17に係る炭化珪素エピタキシャル基板100は、炭化珪素基板1と、炭化珪素エピタキシャル層9とを有している(図2参照)。炭化珪素基板1は、基底面転位61を含んでいる。炭化珪素エピタキシャル層9は、第1炭化珪素層10と、第2炭化珪素層20と、第3炭化珪素層30と、第4炭化珪素層40と、第5炭化珪素層50とを含んでいる。第2炭化珪素層20の窒素濃度は、厚み方向において変化している。厚み方向における第2炭化珪素層20の窒素濃度勾配は、表1に記載の通りである。サンプル1-17に係る炭化珪素エピタキシャル基板100は、上述の製造方法を用いて製造された。
サンプル1-17に係る炭化珪素エピタキシャル基板100の主表面2における基底面転位61(BPD)の有無が評価される。基底面転位61が主表面2に存在するかどうかは、エッチピット法によって評価され得る。エッチピット法においては、エッチング液として、水酸化カリウム(KOH)融液が用いられる。KOH融液の温度は、500~550℃程度とする。エッチング時間は、5~10分程度とする。エッチング後、光学顕微鏡を用いて主表面2が観察される。主表面2における測定位置の数は、面内で9箇所とする。
表1に示されるように、サンプル12および14-17に係る炭化珪素エピタキシャル基板100の主表面2においては、基底面転位61が見つかった。一方、サンプル1-11および13に係る炭化珪素エピタキシャル基板100の主表面2においては、基底面転位61が見つからなかった。つまり、第2炭化珪素層20の窒素濃度勾配(第2炭化珪素層20と第3炭化珪素層30との境界における窒素濃度から第2炭化珪素層20と第1炭化珪素層10との境界における窒素濃度を差し引いた値を第2炭化珪素層20の厚みで除した値)が、6×1023cm-4以下の場合には、基底面転位61が見つからなかった。一方、第2炭化珪素層20の窒素濃度勾配が、6×1023cm-4より大きい場合には、基底面転位61が見つかった。以上のように、第2炭化珪素層20の窒素濃度勾配を6×1023cm-4以下とすることによって、炭化珪素エピタキシャル層9における基底面転位61を低減可能であることが確認された。言い換えると、第2炭化珪素層20の窒素濃度勾配を6×1023cm-4以下とすることによって、第1炭化珪素層10において基底面転位61から転換された貫通刃状転位62が、基底面転位61に戻ってしまう比率を0.1%以下にすることが確認された。
Claims (14)
- 基底面転位を含むポリタイプ4Hの炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板上に設けられたポリタイプ4Hの炭化珪素エピタキシャル層とを備え、
前記炭化珪素エピタキシャル層は、
前記炭化珪素基板上に設けられた第1炭化珪素層と、
前記第1炭化珪素層上に設けられた第2炭化珪素層と、
前記第2炭化珪素層上に設けられた第3炭化珪素層と、
前記第3炭化珪素層上に設けられ、かつ主表面を構成する第4炭化珪素層と、
前記第3炭化珪素層上に設けられている第5炭化珪素層と、を含み、
前記第4炭化珪素層は、前記第5炭化珪素層を介して前記第3炭化珪素層上に設けられ、
前記主表面は、{0001}面に対して0°より大きく6°以下の角度で傾斜しており、
前記第1炭化珪素層、前記第2炭化珪素層、前記第3炭化珪素層、前記第5炭化珪素層および前記第4炭化珪素層の各々は、窒素を含み、
前記第2炭化珪素層の窒素濃度は、前記第1炭化珪素層から前記第3炭化珪素層に向かうに従って増加しており、
前記第5炭化珪素層の窒素濃度は、前記第3炭化珪素層から前記第4炭化珪素層に向かうに従って減少しており、
前記第5炭化珪素層の窒素濃度勾配の絶対値は、前記第2炭化珪素層の窒素濃度勾配の絶対値よりも大きく、
前記第3炭化珪素層の窒素濃度から前記第1炭化珪素層の窒素濃度を差し引いた値を前記第2炭化珪素層の厚みで除した値は、6×1023cm-4以下であり、
前記第3炭化珪素層の窒素濃度をNcm-3とし、前記第3炭化珪素層の厚みをXμmとした場合、XおよびNは、数式1を満たす、炭化珪素エピタキシャル基板。
- 前記第4炭化珪素層の窒素濃度は、前記第3炭化珪素層の窒素濃度よりも低い、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
- 前記第4炭化珪素層の窒素濃度は、前記第1炭化珪素層の窒素濃度よりも低い、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
- 前記炭化珪素基板の窒素濃度は、前記第1炭化珪素層の窒素濃度よりも高く、かつ、前記第3炭化珪素層の窒素濃度よりも低い、請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
- 前記第2炭化珪素層の厚みは、5μm以下である、請求項1~請求項5のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
- 前記第3炭化珪素層の厚みは、20μm以下である、請求項1~請求項6のいずれか1項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
- 基底面転位を含むポリタイプ4Hの炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板上に設けられたポリタイプ4Hの炭化珪素エピタキシャル層と、
前記炭化珪素エピタキシャル層上に設けられた第1電極と、
前記炭化珪素基板に接する第2電極とを備え、
前記炭化珪素基板および前記炭化珪素エピタキシャル層の各々のポリタイプは、4H-SiCであり、
前記炭化珪素エピタキシャル層は、
前記炭化珪素基板上に設けられた第1炭化珪素層と、
前記第1炭化珪素層上に設けられた第2炭化珪素層と、
前記第2炭化珪素層上に設けられた第3炭化珪素層と、
前記第3炭化珪素層上に設けられ、かつ主表面を構成する第4炭化珪素層と、
前記第3炭化珪素層上に設けられている第5炭化珪素層と、を含み、
前記第4炭化珪素層は、前記第5炭化珪素層を介して前記第3炭化珪素層上に設けられ、
前記主表面は、{0001}面に対して0°より大きく6°以下の角度で傾斜しており、
前記第1炭化珪素層、前記第2炭化珪素層、前記第3炭化珪素層、前記第5炭化珪素層および前記第4炭化珪素層の各々は、窒素を含み、
前記第2炭化珪素層の窒素濃度は、前記第1炭化珪素層から前記第3炭化珪素層に向かうに従って増加しており、
前記第5炭化珪素層の窒素濃度は、前記第3炭化珪素層から前記第4炭化珪素層に向かうに従って減少しており、
前記第5炭化珪素層の窒素濃度勾配の絶対値は、前記第2炭化珪素層の窒素濃度勾配の絶対値よりも大きく、
前記第3炭化珪素層の窒素濃度から前記第1炭化珪素層の窒素濃度を差し引いた値を前記第2炭化珪素層の厚みで除した値は、6×1023cm-4以下であり、
前記第3炭化珪素層の窒素濃度をNcm-3とし、前記第3炭化珪素層の厚みをXμmとした場合、XおよびNは、数式1を満たす、炭化珪素半導体装置。 - XおよびNは、数式2を満たす、請求項8に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第4炭化珪素層の窒素濃度は、前記第3炭化珪素層の窒素濃度よりも低い、請求項8または請求項9に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第4炭化珪素層の窒素濃度は、前記第1炭化珪素層の窒素濃度よりも低い、請求項8~請求項10のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記炭化珪素基板の窒素濃度は、前記第1炭化珪素層の窒素濃度よりも高く、かつ、前記第3炭化珪素層の窒素濃度よりも低い、請求項8~請求項11のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第2炭化珪素層の厚みは、5μm以下である、請求項8~請求項12のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第3炭化珪素層の厚みは、20μm以下である、請求項8~請求項13のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
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