JP7372117B2 - ネットリスト生成方法 - Google Patents

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本発明は、半導体集積回路の欠陥検出シミュレーション用のネットリストを生成するネットリスト生成方法に関する。
半導体集積回路の製造では、欠陥品を流出させないために、ダスト混入や製造不良を検出する外観目視検査や、半導体集積回路の動作を測定して異常を判定する動作検証が行われている。外観目視検査で検出できるダストのサイズの最小値には限界があるため、外観目視検査で洩れた欠陥は動作検証で検出する必要がある。このために、検出確度の高い動作検証用のテストパターンを作り込むことが重要となる。
このような動作検証用のテストパターンは、特許文献1、2にあるように、欠陥状態を想定して入力信号と判定条件を備えるよう作成される。そして、このテストパターンを用いて当該の半導体集積回路の欠陥検出シミュレーションを行うことを繰り返して、欠陥の検出率が十分な値になるまでそのテストパターンを更新することが行われる。しかし、回路の大規模化や機能の複雑化により全ての短絡欠陥を網羅するテストパターンを用意することは困難となってきている。
特開2008-102016号公報 特許第4723987号公報
動作検証用のテストパターンを作り込むために、短絡の危険性がある配線を短絡させた欠陥混入ネットリストを作成することが行われる。この方法は、例えば図7に示すように、所定回路のレイアウトパターンから抽出したノードn1,n2の配線1,2間の寄生容量C1、ノードn2,n3の配線2,3間の寄生容量C2、ノードn3,n4の配線3,4間の寄生容量C3を、それぞれ配線間の離間距離に相当する値として捉えたものを利用するものである。
そして、それらの寄生容量C1,C2の容量値が所定値以上であれば、その部分を回路内に混入することのあるダスト5で短絡される短絡危険箇所と見なして、その寄生容量C1,C2を図8の抵抗R1や図9の抵抗R2ように微小抵抗値の抵抗素子に置き換えた配線短絡用素子が作成される。図示しないが寄生容量C3についても、その容量値が所定値以上であれば、同様の配線短絡用素子が作成される。
しかし、短絡の危険性のある離間距離内に2本の配線があったとしても、図10のようにノードn1,n3の配線1,3の間に別ノードn2の配線2が切れ目なく横切っている場合には、配線1,3間で抽出したい寄生容量C13が、ノードn2の配線2を介して二分されてしまう。
このため、図10のノードn1,n3の配線1,3間をつなぐ寄生容量C13に該当する寄生容量は抽出できず、ノードn1,n3の組み合わせのような配線同士を短絡させることができない問題がある。
また、短絡危険箇所の探索手法として、レイアウトパターンの複数の配線の辺の相互間の離間距離を総当たりして探索する方法や、配線の離間距離が短絡危険距離内に近づいているレイアウトパターンをレイアウト検証ツール等で抽出して探索する方法も考えられるが、最終的に必要とされる短絡が必要なノード対の組み合わせを求める処理としては、探索ループの回数が膨大になり効率が悪い問題がある。
本発明の目的は、半導体集積回路の欠陥検出シミュレーション用のネットリストに使用する欠陥混入ネットリストを生成するに当たって短絡危険箇所を効率的に探索できるようにすることである。
上記目的を達成するために、請求項1にかかる発明は、処理部により実行される方法であって、前記処理部は、半導体集積回路の接続を表すノードを備えた第1ネットリストと前記半導体集積回路の配線を表す第1レイアウトパターンに基づいて、複数のノードの情報が付加された第2レイアウトパターンを生成し、前記複数のノードの内の第1ノードの各辺と第2ノードの各頂点の間の離間距離を前記第2レイアウトパターンを用いてそれぞれ測定し、前記離間距離が前記半導体集積回路内に混入するダストのうち外観検査で検出不可能なサイズ以下になっていることが探索されたとき、前記第1ノードと前記第2ノードの間に短絡危険箇所が存在すると判断して、前記第1ノードと前記第2ノードの組み合わせを要短絡箇所リストに加え、前記要短絡箇所リストから個々に第1ノードと第2ノードの間を短絡させる所定素子を前記第1ネットリストに加えて欠陥検出シミュレーション用の第2ネットリストを生成し、前記欠陥検出シミュレーションは、前記処理部により前記第2ネットリストを用いて実行され、動作検証のために前記処理部が実行する結果判定スクリプトを生成するネットリストの生成方法を特徴とする。
請求項2にかかる発明は請求項1に記載のネットリストの生成方法において、前記離間距離の測定は、前記第2ノードの各辺と前記第1ノードの各頂点の間の離間距離をそれぞれ測定することを特徴とする。
請求項3にかかる発明は、請求項1又は2に記載のネットリストの生成方法において、前記辺は、前記辺の端部を含むことを特徴とする。
請求項4にかかる発明は、請求項1、2又は3に記載のネットリストの生成方法において、前記処理部は、前記第1ノードと前記第2ノードの組み合わせを切り替えて、前記第1ノードと前記第2ノードの組み合わせの内の短絡危険箇所が存在する組み合わせごとの前記第2ネットリストを生成することを特徴とする。
請求項5にかかる発明は、請求1、2、3又は4に記載のネットリストの生成方法において、前記処理部は、前記第1ノードと前記第2ノードの離間距離が前記ダストのサイズ以下であることが探索された後は、当該の第1ノードと当該の第2ノードの間のさらなる離間距離の測定を行わないことを特徴とする。
本発明によれば、一方のノードの辺と他方のノードの頂点の離間距離を測定してそのノードの間に短絡危険箇所があるか否かを探索する。これにより辺同士の離間距離を測定する場合に比べて単純な計算で済むため、離間距離の測定箇所が少なくなり、短絡危険箇所の探索を効率化することができる。
(a)はCMOSインバータの回路図、(b)は(a)の回路のネットリスト、(c)はネットリストとレイアウトパターンからノード情報付きレイアウトパターンを生成する説明図である。 (a)はノード情報付きレイアウトパターンにダストを重ねた説明図、(b)は要短絡箇所リストとそれを元に作成した短絡用素子のネットリスト記述、(c)はCMOSインバータのネットリストに短絡用素子のネットリスト記述を加えた欠陥混入ネットリストの説明図である。 本発明の要短絡箇所リスト生成のフローチャートである。 ノードの組み合わせの説明図である。 あるノードの辺から別のノードの頂点までの距離を探索する場合の別の例の説明図である。 本発明を用いたテストパターン作り込み作業のフローチャートである。 従来の寄生容量を用いた短絡危険箇所の探索の説明図である。 図7のノードn1,n2間の寄生容量C1を微小抵抗素子R1で置き換える説明図である。 図7のノードn2,n3間の寄生容量C2を微小抵抗素子R2で置き換える説明図である。 図7のノードn1,n3間を微小抵抗素子で置き換えるために必要な寄生容量が抽出できない例の説明図である。
本実施例では、配線短絡の欠陥混入ネットリスト(第2ネットリスト)を生成するために、半導体集積回路の接続を表すノードを備えたネットリスト(第1ネットリスト)と当該の半導体集積回路の配線を表すレイアウトパターン(第1レイアウトパターン)に基づいて生成した、複数のノードの情報が付加されたノード情報付きのレイアウトパターン(第2レイアウトパターン)を用いる。図1(a)に示すPMOSトランジスタM1とNMOSトランジスタM2からなるCMOSインバータの回路を例にして説明すると、そのCMOSインバータの第1ネットリストD10は、図1(b)に示すようになる。
D101はトランジスタM1のネットリスト記述、D102はトランジスタM2のネットリスト記述である。図1(b)において、1桁目はトランジスタ名、2桁目はドレインノード、3桁目はゲートノード、4桁目はソースノード、5桁目はバックゲートノード、6桁目はトランジスタの極性を示している。
この図1(b)のネットリストD10を図1(a)のCMOSインバータの配線レイアウトパターンD20と対応させると、図1(c)の右側に示すようなノード情報付きの配線レイアウトパターンD21を得ることができる。このように、図1(c)の配線レイアウトパターンD21は、CMOSインバータの配線レイアウトパターンD20の配線1,2,3,4にノードn1,n2,n3,n4が対応付けされている。
ところで、ノードの数がN個あるとすると、あるノードと別のノードの組み合わせは「N」だけあり、ノードの辺(直線)の数は1つのノード当たり3以上あるので、第1ノードと第2ノードを組み合わせたとき、第1ノードの辺と第2ノードの辺について短絡危険箇所の探索を行うと、探索箇所が膨大となる。
そこで本実施例では、これを避けるため、各ノードを構成する配線のレイアウトパターンから、全てのノードごとに全ての辺を集めた辺リストと、全てのノードごとに全ての頂点を集めてXまたはY座標でソートした頂点リストを作成しておく。ここでレイアウトパターンは多角形で描かれる為、探索対象となる辺または頂点は3以上となる。そして、一方のノードの各辺と他方のノードの各頂点の間の離間距離を測定するとともに、他方のノードの各辺と一方のノードの各頂点の間の離間距離を測定して、短絡危険箇所を探索する。
これにより、短絡危険箇所の探索処理は、レイアウトパターンの配線の辺同士について全てを行う必要は無く、その探索回数を削減できる。また、ある組み合わせのノードについて短絡危険箇所が1つ見つかった時点で、当該組み合わせのノードについてはそれ以降の探索をやめることで、短絡危険箇所の探索回数を削減できる。
以上のことから本実施例では、ノード間の短絡危険箇所の探索は、ノードの多角形で表現される配線レイアウトパターンの個々の辺から、別のノードの配線レイアウトパターンの個々の頂点(角部)までの離間距離をそれぞれ測定し、得られた離間距離が所定サイズのダスト5で接続される距離以下であるか否かを判定する。そして、当該距離以下であれば当該のノード間には短絡危険箇所が存在すると判断し、要短絡箇所リストに追加する。
図2(a)の配線レイアウトパターンD21のノードn1,n2の配線1,2の間については、配線1を構成する各辺と配線2を構成する各頂点との間のそれぞれの離間距離を計算することで、p1がダスト5で接続される短絡危険箇所となる。
ノードn1,n3の配線1,3の間については、配線1を構成する各辺と配線3を構成する各頂点との間のそれぞれの離間距離を計算することで、p2がダスト5で接続される短絡危険箇所となる。
ノードn1,n4の配線1,4の間については、配線1を構成する各辺と配線4を構成する各頂点との間のそれぞれの離間距離を計算してもダスト5の大きさより近い箇所がないため、ダスト5で接続される箇所は探索されない。
ノードn2,n3の配線2,3の間については、配線2を構成する各辺と配線3を構成する各頂点との間のそれぞれの離間距離を計算することで、p3がダスト5で接続される短絡危険箇所となる。
ノードn2,n4の配線2,4の間については、配線2を構成する各辺と配線4を構成する各頂点との間のそれぞれの離間距離を計算することで、p4がダスト5で接続される短絡危険箇所となる。
ノードn3の配線3とノードn4の配線4の間については、配線3を構成する各辺と配線4を構成する各頂点との間のそれぞれの離間距離を計算することで、p5がダスト5で接続される短絡危険箇所となる。
図2(a)に示したように、ダスト5がどこかの位置に発生することで接続される短絡危険箇所p1,p2,p3,p4,p5が探索されると、図2(b)に示すように、それらの短絡危険箇所を要短絡箇所リストにリストアップし、それぞれを抵抗値が1mΩなどの極小値の抵抗素子Rp1,Rp2,Rp3,Rp4,Rp5により短絡させた短絡用素子のネットリスト記述D31,D32,D33,D34,D35を生成する。
そして、これらの短絡用素子のネットリスト記述D31~D35を図1(b)に示した回路のネットリストD10に追加して、図2(c)に示すような、欠陥検出シミュレーション用の欠陥混入ネットリストD41,D42,D43,D44,D45を作成する。
なお、図2(a)では短絡危険箇所p1,p2,p3,p4,p5が辺対頂点の測定で探索されているので、探索対象とする辺と点を入れ替えたノードn1の各頂点とノードn2の各辺の間、ノードn1の各頂点とノードn3の各辺の間、ノードn3の各頂点とノードn2の各辺の間、ノードn2の各頂点とノードn4の各辺の間、ノードn3の各頂点とノードn4の各辺の間の離間距離については、測定が不要となっている。
図3はレイアウトパターンの複数のノードを対象として一般化した要短絡箇所リスト生成のフローチャートである。複数のノードの内の第1ノードをNODE1として特定し(ステップS1)、第2ノードをNODE2として特定して(ステップS2)、NODE1の配線の特定の辺をLAYOUT1として決め(ステップS3)、NODE2の配線の特定の頂点をLAYOUT2として決める(ステップS4)。
そして、LAYOUT1とLAYOUT2の間の離間距離を測定して、その距離がダスト5で接続される距離以下のとき(ステップS5-Yes)、要短絡箇所リストに追加する(ステップS15)。
LAYOUT1の各辺とLAYOUT2の各頂点間の離間距離を全て測定してその距離がダスト5で接続される距離以内であれば(ステップS5-Yes)、ステップS3とステップS4のループを抜けてNODE1とNODE2を要短絡箇所リストに追加し(ステップS15)、NODE2を次のノードに変えて(ステップS13)探索を続け、ダスト5で接続される距離よりも大きいときであれば(ステップS5-No)、NODE1とNODE2の組み合わせの中で、第2ノードの頂点であるLAYOUT2を変更して(ステップS6)、第2ノードの頂点を全て探索し終えたら第1ノードの辺であるLAYOUT1の組み合わせを変更して(ステップS7)、ステップS5の判断を行う。
NODE1とNODE2の組み合わせの中で、第1ノードの辺であるLAYOUT1、第2ノードの頂点であるLAYOUT2のすべての組み合わせについて探索が終了しても、そのLAYOUT1とLAYOUT2の間の離間距離がダスト5で接続される距離内になかったときは、LAYOUT2を第2ノードの辺、LAYOUT1を第1ノードの頂点に変更して、同様に探索を行う(ステップS8~S12)。そして、この場合のLAYOUT1とLAYOUT2の間の離間距離を測定して、その距離がダスト5で接続される距離以下のとき(ステップS10-Yes)、要短絡箇所リストに追加する(ステップS15)。
第1ノードと第2ノードの間の探索が終了すると、NODE2を第3ノードに変更して(ステップS13)、同様の探索を行う。第1ノードと第3ノードの探索が終了すると、第1ノードを第4ノードに変更して(ステップS14)同様の探索を行う。以降は、NODE1とNODE2の組み合わせを順次切り替えて、同様の探索を行う。
図1、図2で説明した例では、ノードはn1,n2,n3,n4の4個であるので、その組み合わせの数は、ノードn1~n4の側の辺を対象として探索するときは、図4のハッチングをかけない組み合わせとなる。すなわち、ノードn1の各辺とノードn2の各頂点、ノードn1の各辺とノードn3の各頂点、ノードn1の各辺とノードn4の各頂点、ノードn2の各辺とノードn3の各頂点、ノードn2の各辺とノードn4の各頂点、ノードn3の各辺とノードn4の各頂点となる。図2ではこの組み合わせで短絡危険箇所が探索されている。
また、段落番号0037の説明は、図4のハッチングをかけた組み合わせとなる。すなわち、ノードn2の各辺とノードn1の各頂点、ノードn3の各辺とノードn1の各頂点、ノードn4の各辺とノード1の各頂点、ノードn3の各辺とノードn2の各頂点、ノードn4の各辺とノードn2の各頂点、ノードn4の各辺とノードn3の各頂点となる。図2では図4のハッチングをかけない組み合わせのうちノードn1の各辺とノードn4の各頂点を除き短絡危険箇所がすでに探索されているので、図4のハッチングをかけた組み合わせのうちノードn4の各辺とノードn1の各頂点を除き要短絡箇所の探索は必要ない。
なお、第1ノードの配線の辺から第2ノードの配線の頂点までの離間距離を調べる際には、当該の配線の辺の端部を対角とする矩形をダスト5の幅だけ拡張した範囲内において、そこに存在する第2ノードの配線の頂点に限定して離間距離を測定することで、第1ノードの辺の端部も探索対象にすることができるので、さらに処理時間を短縮できる。
これを図5を例に説明すると、第1ノードの配線6の1つの辺6aに対して、短絡危険の確認対象として第2ノード7、第3ノード8、第4ノード9があるとき、辺6aを対角線とする矩形領域をダスト5のサイズd1だけ拡張した新たな領域10を設定する。そして、その領域10の内にある頂点7a,8a,9aについて離間距離L1,L2,L3を求める。それらの離間距離L1,L2,L3がダスト5のサイズd1より短い場合に、当該短い箇所が短絡危険箇所であると判断できる。
図6は本発明を利用したテストパターン作り込み作業のフローチャートである。ノード情報付きレイアウトパターンを取り込み短絡危険箇所を探索して要短絡箇所リストを生成し(ステップS21)、要短絡箇所リストからノード間を短絡させる素子のネットリスト記述をそれぞれ当該回路のネットリストに加え、さらにテストパターン記述を加えることで要短絡箇所リストの数の欠陥検出シミュレーション用のネットリストを生成し(ステップS22)、当該テストパターンでシミュレーションを実行して結果判定するスクリプトを得る。そして、スクリプトによる一括検証を行って(ステップS23)、動作検証の判定結果を得て(ステップS24)、不良探索率を得る。この不良探索率が目標探索率に達していればテストパターンは完成する(ステップS25-Yes)が、そうでないとき(ステップS25-Yes)はテストパターンと判定条件を見直して(ステップS26)、同様の処理を繰り返す。
1~4:配線
5:ダスト
6~9:配線
10:領域
D10:回路のネットリスト(第1ネットリスト)
D20:配線レイアウトパターン(第1レイアウトパターン)
D21:ノード情報付き配線レイアウトパターン(第2レイアウトパターン)
D30:要短絡箇所リスト
D31~D35:要短絡箇所リストから生成した配線短絡用素子のネットリスト記述
D41~D45:欠陥検出シミュレーション用のネットリスト(第2ネットリスト)

Claims (5)

  1. 処理部により実行される方法であって、前記処理部は、
    半導体集積回路の接続を表すノードを備えた第1ネットリストと前記半導体集積回路の配線を表す第1レイアウトパターンに基づいて、複数のノードの情報が付加された第2レイアウトパターンを生成し、
    前記複数のノードの内の第1ノードの各辺と第2ノードの各頂点の間の離間距離を前記第2レイアウトパターンを用いてそれぞれ測定し、
    前記離間距離が前記半導体集積回路内に混入するダストのうち外観検査で検出不可能なサイズ以下になっていることが探索されたとき、前記第1ノードと前記第2ノードの間に短絡危険箇所が存在すると判断して、前記第1ノードと前記第2ノードの組み合わせを要短絡箇所リストに加え、前記要短絡箇所リストから個々に第1ノードと第2ノードの間を短絡させる所定素子を前記第1ネットリストに加えて欠陥検出シミュレーション用の第2ネットリストを生成し、
    前記欠陥検出シミュレーションは、前記処理部により前記第2ネットリストを用いて実行され、動作検証のために前記処理部が実行する結果判定スクリプトを生成することを特徴とするネットリストの生成方法。
  2. 請求項1に記載のネットリストの生成方法において、
    前記離間距離の測定は、前記第2ノードの各辺と前記第1ノードの各頂点の間の離間距離をそれぞれ測定することを特徴とするネットリストの生成方法。
  3. 請求項1又は2に記載のネットリストの生成方法において、
    前記辺は、前記辺の端部を含むことを特徴とするネットリストの生成方法。
  4. 請求項1、2又は3に記載のネットリストの生成方法において、前記処理部は、
    前記第1ノードと前記第2ノードの組み合わせを切り替えて、
    前記第1ノードと前記第2ノードの組み合わせの内の短絡危険箇所が存在する組み合わせごとの前記第2ネットリストを生成することを特徴とするネットリストの生成方法。
  5. 請求1、2、3又は4に記載のネットリストの生成方法において、前記処理部は、
    前記第1ノードと前記第2ノードの離間距離が前記ダストのサイズ以下であることが探索された後は、当該の第1ノードと当該の第2ノードの間のさらなる離間距離の測定を行わないことを特徴とするネットリストの生成方法。
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