JP7371662B2 - Wafer transfer device - Google Patents

Wafer transfer device Download PDF

Info

Publication number
JP7371662B2
JP7371662B2 JP2021074900A JP2021074900A JP7371662B2 JP 7371662 B2 JP7371662 B2 JP 7371662B2 JP 2021074900 A JP2021074900 A JP 2021074900A JP 2021074900 A JP2021074900 A JP 2021074900A JP 7371662 B2 JP7371662 B2 JP 7371662B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
holding pin
transfer
top plate
guide member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021074900A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2022169079A (en
Inventor
建 王
史郎 塩尻
真輔 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Ion Equipment Co Ltd
Original Assignee
Nissin Ion Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Ion Equipment Co Ltd filed Critical Nissin Ion Equipment Co Ltd
Priority to JP2021074900A priority Critical patent/JP7371662B2/en
Publication of JP2022169079A publication Critical patent/JP2022169079A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7371662B2 publication Critical patent/JP7371662B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

静電チャックとの間でウエハの受け渡しを行うウエハ搬送装置に関する。 The present invention relates to a wafer transfer device that transfers wafers to and from an electrostatic chuck.

静電チャックからウエハを離脱する際、ウエハ処理時に生じたウエハにかかる応力が一挙に解放されることでウエハに跳ねが生じてしまう。また、ウエハ裏面にレジスト膜がついている場合には、ウエハと静電チャックとの間にウエハ処理中にレジスト膜から放出されたガスが溜まることから、ウエハ離脱時のウエハの跳ねは一層大きなものになる。 When the wafer is removed from the electrostatic chuck, the stress applied to the wafer during wafer processing is released all at once, causing the wafer to bounce. Additionally, if there is a resist film on the backside of the wafer, gas released from the resist film during wafer processing will accumulate between the wafer and the electrostatic chuck, making the wafer bounce even more when the wafer is removed. become.

ウエハ跳ねへの対策として、特許文献1ではウエハの上面に弾性支持されたピンを押し当てた状態で、静電チャックの吸着電圧をオフにしてウエハを静電チャックから離脱させることが行われている。 As a countermeasure against wafer bouncing, Patent Document 1 discloses that while an elastically supported pin is pressed against the top surface of the wafer, the adsorption voltage of the electrostatic chuck is turned off to remove the wafer from the electrostatic chuck. There is.

特開2015-15330JP2015-15330

ピンの押し当てによってウエハの跳ねは防げるものの、離脱時の衝撃によってウエハがその径方向に位置ずれすることが懸念される。
ウエハの径方向への位置ずれが大きい場合、ウエハの受け渡し後の搬送時にウエハが脱落する等の支障を来してしまう。
Although it is possible to prevent the wafer from bouncing by pressing the pins against it, there is a concern that the wafer may be displaced in its radial direction due to the impact upon detachment.
If the positional deviation of the wafer in the radial direction is large, problems such as the wafer falling off may occur during transportation after the wafer is delivered.

そこで、ウエハ離脱時のウエハの跳ねを抑制するだけでなく、ウエハ径方向での位置ずれも抑制することのできる、ウエハ搬送装置を提供する。 Therefore, a wafer transfer device is provided that can not only suppress the bouncing of the wafer when the wafer is removed, but also suppress the positional shift in the radial direction of the wafer.

ウエハ搬送装置は、
搬送アームと、
前記搬送アームに取り付けられてウエハ搬送時にウエハ下端を支持するウエハ支持部材と、
静電チャックからのウエハの離脱時にウエハの上面に当接されるウエハ押えピンと、
静電チャックからのウエハの離脱時にウエハの側方に位置するガイド部材とを備えている。
The wafer transfer device is
A transport arm;
a wafer support member that is attached to the transfer arm and supports the lower end of the wafer during wafer transfer;
a wafer holding pin that comes into contact with the top surface of the wafer when the wafer is removed from the electrostatic chuck;
and a guide member positioned on the side of the wafer when the wafer is removed from the electrostatic chuck.

上記構成のウエハ搬送装置であれば、ウエハ押えピンでウエハ上面を押さえつつ、ガイド部材でウエハ径方向でのウエハの位置ずれを抑制することができるので、静電チャックからウエハを離脱する際のウエハの跳ねとウエハ径方向での位置ずれの両方を抑制することが可能となる。 With the wafer transfer device having the above configuration, the wafer holding pin can hold down the top surface of the wafer, and the guide member can prevent the wafer from shifting in the radial direction. It becomes possible to suppress both the bouncing of the wafer and the positional shift in the radial direction of the wafer.

前記ウエハ押えピンと前記ガイド部材は、前記搬送アームに取り付けられている、ことが望ましい。 Preferably, the wafer holding pin and the guide member are attached to the transfer arm.

ウエハ押えピンとガイド部材が搬送アームに取り付けられていれば、これらの部材がウエハ処理の障害になることがない。また、ウエハ処理時のイオンビームやプラズマ等に曝されることもないので、部材の長寿命化を図ることができる。 If the wafer holding pin and the guide member are attached to the transfer arm, these members will not interfere with wafer processing. Furthermore, since the member is not exposed to ion beams, plasma, etc. during wafer processing, the life of the member can be extended.

前記ガイド部材は、静電チャックからのウエハの離脱時にウエハの側面と対向する傾斜面を有している、ことが望ましい。 Preferably, the guide member has an inclined surface that faces a side surface of the wafer when the wafer is removed from the electrostatic chuck.

上記構成であれば、ウエハ離脱時のウエハ径方向での位置ずれをより確実に抑制することができる。 With the above configuration, it is possible to more reliably suppress positional deviation in the radial direction of the wafer when the wafer is removed.

前記ガイド部材は、ウエハの外形よりも大きな外形を有する天板と前記天板から下方に向けて突出した位置規制部を有している。 The guide member has a top plate having an outer shape larger than the outer shape of the wafer, and a position regulating portion protruding downward from the top plate.

上記構成であれば、ウエハ周方向の複数位置でウエハ径方向での位置ずれを容易に抑制することができる。また、ガイド部材の着脱にかかるメンテナンスが簡便となる。 With the above configuration, positional displacement in the wafer radial direction can be easily suppressed at multiple positions in the wafer circumferential direction. Furthermore, maintenance related to attaching and detaching the guide member becomes easier.

前記天板は切欠きを有し、
前記ウエハ押えピンは前記切欠きを通して、前記搬送アームの下方に向けて突出している、ことが望ましい。
The top plate has a notch,
It is preferable that the wafer holding pin protrudes downward from the transfer arm through the notch.

上記構成であれば、ウエハ押えピンとガイド部材の取り付け、取り外しを独立して行うことができる。また、ウエハの位置規制に利用する部材の高さ方向での寸法の小型化を図ることができる。 With the above configuration, the wafer holding pin and the guide member can be attached and removed independently. Further, it is possible to reduce the size in the height direction of the member used for regulating the position of the wafer.

前記ウエハは周端にリブを備えたリブ付きウエハであって、
前記ウエハ押えピンは前記ウエハのリブに対応した位置に配置されていることが望ましい。
The wafer is a ribbed wafer with ribs on the peripheral edge,
It is preferable that the wafer holding pin is arranged at a position corresponding to a rib of the wafer.

リブ付き部分はウエハの剛性を担保するために設けられていて、リブ付きウエハのリブ部分は最終的には取り除かれる。よって、リブ部分が傷ついても途中の製造工程にはほとんど影響しない。 The ribbed portion is provided to ensure the rigidity of the wafer, and the ribbed portion of the ribbed wafer is eventually removed. Therefore, even if the rib portion is damaged, it will hardly affect the manufacturing process in the middle.

ウエハ押えピンでウエハ上面を押さえつつ、ガイド部材でウエハ径方向でのウエハの位置ずれを抑制することができるので、静電チャックからウエハを離脱する際のウエハの跳ねとウエハ径方向での位置ずれの両方を抑制することが可能となる。 While holding down the top surface of the wafer with the wafer holding pin, the guide member can prevent the wafer from shifting in the radial direction of the wafer, which prevents the wafer from bouncing when the wafer is removed from the electrostatic chuck and the position of the wafer in the radial direction. It becomes possible to suppress both deviations.

ウエハ搬送装置を具備するイオン注入装置の構成例を示す平面図A plan view showing an example of the configuration of an ion implanter equipped with a wafer transfer device. ウエハ搬送装置の構成例を示す平面図A plan view showing an example of the configuration of a wafer transfer device 図2記載のA-A線での断面図Cross-sectional view taken along line AA shown in Figure 2 図3記載の破線C部分の要部拡大図Enlarged view of the main parts of the broken line C section shown in Figure 3 位置規制部の変形例Modified example of position regulation part リブ付きウエハを取り扱う際の説明図Explanatory diagram for handling ribbed wafers ウエハ搬送装置の別の構成例を示す平面図A plan view showing another configuration example of the wafer transfer device 図7記載のB-B線での断面図Cross-sectional view taken along line BB shown in Figure 7 ウエハ搬送装置の他の構成例を示す要部拡大図Enlarged view of main parts showing another configuration example of the wafer transfer device

図1はウエハ搬送装置Hを備えたイオン注入装置IMの構成例を示す平面図である。イオン注入装置IMは、イオン源11からスポット状のイオンビームIBを引き出して、分析電磁石12と分析スリット13を通過させることで、イオンビーム中に含まれている不要なイオンを分析する。
質量分析後、磁場あるいは電場のスキャナー14でイオンビームIBを一方向に走査して、コリメータマグネット15を通過させることでイオンビームIBの進行方向を一方向に揃え、平行なイオンビームIBとして処理室16に導入する。
FIG. 1 is a plan view showing an example of the configuration of an ion implanter IM equipped with a wafer transfer device H. The ion implanter IM extracts a spot-shaped ion beam IB from an ion source 11 and passes it through an analysis electromagnet 12 and an analysis slit 13 to analyze unnecessary ions contained in the ion beam.
After mass analysis, the ion beam IB is scanned in one direction by a magnetic field or electric field scanner 14, and the traveling direction of the ion beam IB is aligned in one direction by passing through the collimator magnet 15, and the ion beam IB is sent as a parallel ion beam IB to the processing chamber. Introduced on 16th.

処理室16では、図示されない駆動機構によって図の奥手前方向へイオンビームIBを横切るようにプラテンPに支持されたウエハWが機械的に走査されることでウエハWへのイオン注入処理が実施される。 In the processing chamber 16, the wafer W supported on the platen P is mechanically scanned by a drive mechanism (not shown) across the ion beam IB toward the back of the drawing, thereby performing ion implantation processing on the wafer W. Ru.

処理室16内でのウエハWの搬送については、ウエハ搬送装置Hを用いて行われる。具体的には、ウエハ搬送装置Hは独立旋回可能な2つの搬送アーム1を有している。独立旋回可能な2つの搬送アーム1は、その下端にウエハWの外周端を支持するウエハ支持部材2を備えている。
不図示の駆動機構を用いてウエハ搬送装置Hが搬送アーム1をZX平面で図示される矢印の方向へ旋回させることで、真空予備室17とプラテンPとの間でウエハWの受け渡しが行われる。
The wafer W is transported within the processing chamber 16 using a wafer transport device H. Specifically, the wafer transfer device H has two transfer arms 1 that can rotate independently. The two independently rotatable transfer arms 1 are provided with a wafer support member 2 that supports the outer peripheral edge of the wafer W at their lower ends.
The wafer W is transferred between the vacuum preliminary chamber 17 and the platen P by the wafer transfer device H using a drive mechanism (not shown) to rotate the transfer arm 1 in the direction of the arrow shown in the ZX plane. .

プラテンPへのウエハWの受け渡し時、不図示の回転機構によってプラテンPは図のX方向を回転軸として回転されて、ウエハWを把持したプラテンPのウエハ把持面が上向きとなる。
なお、プラテンPは、ウエハWを吸着支持するための図示されない静電チャックを備えている。
When transferring the wafer W to the platen P, the platen P is rotated by a rotation mechanism (not shown) about the X direction in the figure as a rotation axis, so that the wafer gripping surface of the platen P that grips the wafer W faces upward.
Note that the platen P includes an electrostatic chuck (not shown) for suctioning and supporting the wafer W.

処理済みウエハWをプラテンPから搬送する際、プラテンPのウエハ把持面が上向きとなり、その上方にいずれか一方の搬送アーム1が旋回し、配置される。
その後、搬送アーム1に対してプラテンPがY方向へ移動して、プラテンPに保持されているウエハWが図示されない搬送アーム1上のウエハ押えピンとガイド部材に当接した状態で、静電チャックでのウエハWの吸着が停止される。
本発明で後述する静電チャックからのウエハの離脱とは、ウエハWの吸着電圧を停止したり、吸着電圧を減少させたりして、吸着電圧を変化させて処理済みウエハを静電チャックから離脱させるときの操作のことである。
When the processed wafer W is transferred from the platen P, the wafer gripping surface of the platen P faces upward, and one of the transfer arms 1 is rotated and placed above it.
Thereafter, the platen P moves in the Y direction with respect to the transfer arm 1, and the wafer W held on the platen P is in contact with the wafer holding pin and guide member on the transfer arm 1 (not shown), and the electrostatic chuck The suction of the wafer W is stopped.
Detaching a wafer from an electrostatic chuck, which will be described later in the present invention, refers to stopping or decreasing the suction voltage of the wafer W, and changing the suction voltage to remove the processed wafer from the electrostatic chuck. It refers to the operation when

図2乃至図4を用いて、ウエハ搬送装置Hの具体的な構成について説明する。図3は、図2に記載のA-A線での断面図である。破線で描かれるウエハ支持部材2は、図示される搬送アーム1とはX方向と反対側の異なる位置に配置されている。 The specific configuration of the wafer transfer device H will be explained using FIGS. 2 to 4. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA shown in FIG. The wafer support member 2 depicted by a broken line is arranged at a different position on the opposite side to the X direction from the illustrated transfer arm 1.

図2は、ウエハ搬送装置Hの一方の搬送アーム1を図1のプラテンPの位置まで移動させ、搬送アーム1を上方から見たときの平面図である。ウエハ搬送装置Hは、搬送アーム1と、搬送アーム1に取り付けられてウエハ搬送時にウエハ下端を支持するウエハ支持部材2とを備えている。
後述する図4と同様に、ウエハWとの位置関係がわかるように、静電チャックからのウエハの離脱時におけるウエハが一点鎖線で描かれている。
FIG. 2 is a plan view when one of the transfer arms 1 of the wafer transfer device H is moved to the position of the platen P in FIG. 1 and the transfer arm 1 is viewed from above. The wafer transfer device H includes a transfer arm 1 and a wafer support member 2 that is attached to the transfer arm 1 and supports the lower end of the wafer during wafer transfer.
Similar to FIG. 4, which will be described later, the wafer is drawn with a dashed-dot line so that the positional relationship with the wafer W can be seen when the wafer is removed from the electrostatic chuck.

ウエハ支持部材2は、特許文献1に開示されている搬送アーム下方に設けられた基板受け部と同様の部材で、図3に示すように搬送アーム1より下方(Y方向と反対側)に取り付けられる部材で、その端部にはウエハ下端を支持するための段差が設けられている。 The wafer support member 2 is a member similar to the substrate receiving part provided below the transfer arm disclosed in Patent Document 1, and is attached below the transfer arm 1 (on the opposite side to the Y direction) as shown in FIG. The wafer is a member having a step provided at its end to support the lower end of the wafer.

ウエハ搬送装置Hは、さらにウエハ押えピン3とガイド部材4を備えている。ウエハ押えピン3は、例えば、図2のように4箇所でウエハ上面に押し当てられる部材である。搬送アーム1に対して間接的に取り付けられている。ウエハ押えピン3にはシリコンやカーボン等の材料が使用されている。特許文献1のように、図示されないコイルバネや板バネ等により下方(Y方向と反対側)に向けて付勢されている。 The wafer transfer device H further includes a wafer holding pin 3 and a guide member 4. The wafer holding pin 3 is a member that is pressed against the upper surface of the wafer at four locations, for example, as shown in FIG. It is indirectly attached to the transport arm 1. The wafer holding pin 3 is made of a material such as silicon or carbon. As in Patent Document 1, it is biased downward (to the side opposite to the Y direction) by a coil spring, a plate spring, etc. that are not shown.

ガイド部材4は、図3に図示されているように搬送アーム1の下方で搬送アーム1に固定されている。また、ガイド部材4は、図2に図示されるように、ウエハWの外形よりも大きな外形を有する天板41を有している。なお、ここで言う天板41の外形とは、後述する切欠きを除く場所での外形のことである。ウエハWの外形よりも大きな外形を有する天板41とは、簡単に言えば、後述する切欠き箇所を除き、天板41がウエハWの上面を覆っていることを意味している。
また、図3に描かれているように、天板41は、天板41の周縁から下方に向けて延出された位置規制部42を有している。この位置規制部42は、天板41の周囲に沿って設けられている。また、位置規制部42は傾斜面43を有している。この傾斜面43は、後述する図4に図示されるように、静電チャックからのウエハの離脱時にウエハWの側面と対向している。
The guide member 4 is fixed to the transport arm 1 below the transport arm 1, as shown in FIG. Further, the guide member 4 has a top plate 41 having an outer shape larger than the outer shape of the wafer W, as shown in FIG. It should be noted that the outer shape of the top plate 41 referred to here refers to the outer shape at a location excluding a notch, which will be described later. Simply put, the top plate 41 having an outer shape larger than the outer shape of the wafer W means that the top plate 41 covers the upper surface of the wafer W except for a notch portion to be described later.
Further, as illustrated in FIG. 3, the top plate 41 has a position regulating portion 42 extending downward from the periphery of the top plate 41. This position regulating portion 42 is provided along the periphery of the top plate 41. Further, the position regulating portion 42 has an inclined surface 43. This inclined surface 43 faces the side surface of the wafer W when the wafer is removed from the electrostatic chuck, as shown in FIG. 4, which will be described later.

天板41には、図2に示す切欠き44が形成されている。この切欠き44を通じてウエハ押えピン3が、搬送アーム1の下方(Y方向と逆側の方向)に向けて突出している。この構成により、ウエハ押えピン3とガイド部材4との独立した着脱が可能となり、メンテナンス性が向上する。
また、ウエハの位置規制に利用する部材(ウエハ押えピン3とガイド部材4)の高さ方向(Y方向)での寸法の小型化を図ることができる。
A notch 44 shown in FIG. 2 is formed in the top plate 41. As shown in FIG. The wafer holding pin 3 projects downward from the transfer arm 1 (in the direction opposite to the Y direction) through this notch 44 . With this configuration, the wafer holding pin 3 and the guide member 4 can be attached and detached independently, and maintainability is improved.
Further, it is possible to reduce the dimensions in the height direction (Y direction) of the members used for regulating the position of the wafer (wafer holding pin 3 and guide member 4).

図4は、図3に記載の破線Cで囲まれる部位を拡大した要部拡大図である。
静電チャックからのウエハWの離脱時、ウエハWの上面にはウエハ押えピン3が当接している。また、円形のウエハWの径方向(Z方向)では、天板41から延設された位置規制部42の傾斜面43がウエハWに当接している。なお、傾斜面43は、天板41の周方向において湾曲している。
FIG. 4 is an enlarged view of the main part of the part surrounded by the broken line C shown in FIG.
When the wafer W is removed from the electrostatic chuck, the wafer holding pin 3 is in contact with the upper surface of the wafer W. Further, in the radial direction (Z direction) of the circular wafer W, the inclined surface 43 of the position regulating portion 42 extending from the top plate 41 is in contact with the wafer W. Note that the inclined surface 43 is curved in the circumferential direction of the top plate 41.

ウエハ押えピン3と位置規制部42に対してウエハWが、図4に示す状態にあるとき、静電チャックからウエハWを離脱することで、ウエハWの跳ねとウエハ径方向での位置ずれの両方を抑制することが可能となる。 When the wafer W is in the state shown in FIG. 4 with respect to the wafer holding pin 3 and the position regulating part 42, removing the wafer W from the electrostatic chuck prevents bouncing of the wafer W and misalignment in the radial direction of the wafer. It becomes possible to suppress both.

本発明の主旨を逸脱しない範囲で、上記実施形態に様々な変更を加えることができる。 Various changes can be made to the embodiments described above without departing from the spirit of the invention.

位置規制部42について、例えば、図5に示す構成を採用してもよい。図5は、図4と同様の要部拡大図である。図5では、位置規制部42は天板41から垂直に延出されていて、図4に示す傾斜面43を有していない。図5に示す傾斜面43を有していない位置規制部42を採用しても、ウエハWの径方向での位置ずれを抑制することができる。
ただし、ウエハWの径方向での位置ずれをより少なくするという意味では、図4に示す傾斜面43を有する構成を採用する方が望ましい。
For the position regulating section 42, for example, the configuration shown in FIG. 5 may be adopted. FIG. 5 is an enlarged view of the main parts similar to FIG. 4. In FIG. 5, the position regulating portion 42 extends perpendicularly from the top plate 41 and does not have the inclined surface 43 shown in FIG. 4. Even if the position regulating portion 42 not having the inclined surface 43 shown in FIG. 5 is employed, it is possible to suppress the positional shift of the wafer W in the radial direction.
However, in the sense of further reducing the radial positional deviation of the wafer W, it is preferable to adopt a configuration having an inclined surface 43 shown in FIG. 4.

ウエハWの静電チャックからの離脱操作前に、プラテンPを上方(Y方向)へ移動させる。プラテンPの移動の際、プラテンPと位置規制部42との物理的な干渉を避けるためには、ウエハWの側面と位置規制部42との間のギャップGをゼロにすることは困難である。このことから、ウエハWと位置規制部42との間にはいくらかのギャップGを設けなければならず、このギャップGの分だけウエハWの径方向への位置ずれが発生する恐れがある。 Before removing the wafer W from the electrostatic chuck, the platen P is moved upward (in the Y direction). When moving the platen P, in order to avoid physical interference between the platen P and the position regulating section 42, it is difficult to make the gap G between the side surface of the wafer W and the position regulating section 42 zero. . For this reason, it is necessary to provide some gap G between the wafer W and the position regulating portion 42, and there is a risk that the wafer W will be displaced in the radial direction by this gap G.

図6には、静電チャックからリブ付きウエハを離脱させるときの様子が描かれている。リブ付きウエハは、厚みが非常に薄いウエハに剛性を持たせるためにウエハ外周部にリブが形成されたウエハとして知られている。
半導体の製造工程において、リブ付きウエハのリブ部分は最終的には取り除かれるため、リブ部分が傷ついても途中の製造工程にはほとんど影響しない。このことから、図6ではウエハ押えピン3がリブ部分に当接するように、ウエハ押えピン3が配置されている。
FIG. 6 shows how the ribbed wafer is removed from the electrostatic chuck. Ribbed wafers are known as wafers in which ribs are formed on the outer periphery of the wafer in order to provide rigidity to a very thin wafer.
In the semiconductor manufacturing process, the rib portion of a ribbed wafer is eventually removed, so even if the rib portion is damaged, it hardly affects the manufacturing process in the middle. For this reason, in FIG. 6, the wafer holding pin 3 is arranged so that the wafer holding pin 3 comes into contact with the rib portion.

その他、ウエハ押えピン3の本数は4本に限らず、1本以上設けられていればよい。望ましくは、受け渡しされるウエハの中心部に対してピン配置を対称形にし、ウエハWの上面を均等に押圧できる構成にしておく。 In addition, the number of wafer holding pins 3 is not limited to four, but may be one or more. Preferably, the pins are arranged symmetrically with respect to the center of the wafer to be transferred, so that the upper surface of the wafer W can be pressed evenly.

位置規制部42は、天板41の切欠き44を除く全周に設けられている必要はなく、部分的に設けられていてもよい。
また、ガイド部材4は、天板41と位置規制部42で構成する必要はなく、搬送アーム1から下方に向けて延長された棒状や板状の部材だけで構成してもよい。その他、図7と図8に示す構成であってもよい。
The position regulating portion 42 does not need to be provided all around the top plate 41 except for the notch 44, and may be provided partially.
Further, the guide member 4 does not need to be composed of the top plate 41 and the position regulating part 42, and may be composed only of a rod-shaped or plate-shaped member extending downward from the transport arm 1. In addition, the configurations shown in FIGS. 7 and 8 may be used.

図7は、ウエハ搬送装置Hについての別の構成例を示す平面図である。図8は、図7に記載のB-B線での断面図である。ここでは図2乃至図4で説明した構成との相違点についてのみ説明する。 FIG. 7 is a plan view showing another configuration example of the wafer transfer device H. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line BB shown in FIG. Here, only the differences from the configuration explained in FIGS. 2 to 4 will be explained.

図7、図8では、搬送アーム1にウエハ支持部材2を取り付ける部材に、位置規制部42を設けている。この構成でも、ウエハ径方向での位置ずれを抑制することができる。また、天板41がないので、その分の部材費用が安くなる点でメリットがある。 In FIGS. 7 and 8, a position regulating portion 42 is provided on a member that attaches the wafer support member 2 to the transfer arm 1. With this configuration as well, positional deviation in the wafer radial direction can be suppressed. Furthermore, since there is no top plate 41, there is an advantage in that the cost of parts is reduced accordingly.

たたし、ガイド部材4として複数独立したものを搬送アーム1に取り付けるよりも、これまでの実施形態で説明した天板41と位置規制部42とで構成されるガイド部材4を用いた方が取り付けや位置調整にかかる作業性は各段に向上する。また、天板41を用いた構成を採用することで、搬送アーム1からX方向に離間した場所でウエハ径方向での位置ずれを抑制することができる。 However, rather than attaching a plurality of independent guide members 4 to the transfer arm 1, it is better to use the guide member 4 composed of the top plate 41 and the position regulating part 42 described in the previous embodiments. The workability associated with installation and position adjustment is greatly improved. Further, by adopting a configuration using the top plate 41, it is possible to suppress positional deviation in the wafer radial direction at a location spaced apart from the transfer arm 1 in the X direction.

天板41には、ウエハ押えピン3を挿通するための切欠き44が形成れていたが、これ以外の目的で天板41に切欠きや孔が形成されていてもよい。
例えば、搬送アーム1の上方からセンサでウエハの位置を検出するために、ウエハ位置検出用の孔を天板41に形成しておいてもよい。また、図1に示した2本の独立旋回可能な搬送アーム1同士の物理的な干渉をさけるために、天板41に切欠きが形成されていてもよい。
なお、天板41の外形は、ウエハの外形と同様に円形であることが望ましいが、矩形や楕円形であっても構わない。
Although the top plate 41 has a cutout 44 for inserting the wafer holding pin 3, the top plate 41 may have a cutout or a hole for other purposes.
For example, in order to detect the position of the wafer from above the transfer arm 1 with a sensor, a hole for detecting the wafer position may be formed in the top plate 41. Moreover, in order to avoid physical interference between the two independently rotatable transfer arms 1 shown in FIG. 1, a notch may be formed in the top plate 41.
The outer shape of the top plate 41 is preferably circular like the outer shape of the wafer, but may be rectangular or elliptical.

上記実施形態では、搬送アーム1にウエハ押えピン3とガイド部材4を取り付ける構成であったが、プラテンPにガイド部材4を取り付ける構成にしてもよい。
ただし、プラテンPにガイド部材4を取り付けた場合、プラテンPに支持されるウエハWの処理に悪影響を及ぼすことが懸念される。例えば、図1のイオン注入装置IMでは、ウエハ押えピン3がウエハWの厚み寸法よりも長ければ、プラテンPをチルトさせたときにウエハ面上にピンの影ができ、部分的にイオン注入が実施できないといった不具合が生じる。また、プラテンPにウエハ押えピン3があれば、ウエハ押えピン3がウエハ処理中のイオンビームやプラズマなどに曝されることになり、ウエハ押えピン3の寿命が短くなるといった不具合も生じる。
In the above embodiment, the wafer holding pin 3 and the guide member 4 are attached to the transfer arm 1, but the guide member 4 may be attached to the platen P.
However, if the guide member 4 is attached to the platen P, there is a concern that the processing of the wafer W supported by the platen P may be adversely affected. For example, in the ion implanter IM shown in FIG. 1, if the wafer holding pin 3 is longer than the thickness of the wafer W, when the platen P is tilted, a shadow of the pin will be formed on the wafer surface, and the ion implantation will be partially performed. This may cause problems such as not being able to be implemented. Further, if the wafer holding pin 3 is provided on the platen P, the wafer holding pin 3 will be exposed to ion beams, plasma, etc. during wafer processing, resulting in a problem that the life of the wafer holding pin 3 will be shortened.

搬送アーム1にウエハ押えピン3とガイド部材4を間接的に取り付ける構成であったが、取付用の部材を用意せず、これらの部材を搬送アーム1に対して直接取り付ける構成であってもよい。
また、図9の要部拡大図に描かれているように、位置規制部42と同様に、ウエハ支持部材2が取り付けられる搬送アーム1の下方の部材にウエハ押えピン3を取り付けてもよい。
Although the wafer holding pin 3 and the guide member 4 are indirectly attached to the transfer arm 1 in this configuration, it is also possible to have a configuration in which these members are directly attached to the transfer arm 1 without preparing any attachment members. .
Further, as shown in the enlarged view of the main part in FIG. 9, the wafer holding pin 3 may be attached to a member below the transfer arm 1 to which the wafer support member 2 is attached, similarly to the position regulating section 42.

位置規制部42の傾斜面43については、上方下方のいずれに向いていてもいいが、プラテンPが下方から上方に移動することを考慮すれば、傾斜面43は、図の下方(Y方向と逆方向の重力方向)に向けて傾斜していることが望ましい。 The inclined surface 43 of the position regulating part 42 may face either upward or downward, but considering that the platen P moves from below to upward, the inclined surface 43 should face downward in the figure (in the Y direction). It is desirable that the surface be tilted toward the opposite direction of gravity.

上記実施形態では、ウエハ搬送装置Hの構成として、独立可能な2本の搬送アーム1を例に挙げて説明したが、搬送アーム1の本数は1本でもいい。また、搬送アーム1をZX平面内で回転させる構成に代えて、装置構成に応じて直線方向へ移動する構成に変更されてもよい。 In the above embodiment, the configuration of the wafer transfer device H is described using two independent transfer arms 1 as an example, but the number of transfer arms 1 may be one. Further, instead of the configuration in which the transport arm 1 is rotated within the ZX plane, it may be changed to a configuration in which it moves in a linear direction depending on the device configuration.

上記実施形態では、天板41の周縁から下方に向けて位置規制部42を突出させていたが、天板41の周縁以外の場所、具体的には周縁から中央側の場所から下方に向けて位置規制部42を突出させる構成にしてもよい。 In the embodiment described above, the position regulating part 42 protrudes downward from the periphery of the top plate 41, but the position regulating part 42 protrudes downward from a location other than the periphery of the top plate 41, specifically, from a location on the center side from the periphery. A configuration may be adopted in which the position regulating portion 42 protrudes.

その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であることは言うまでもない。 In addition, it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments described above, and that various modifications can be made without departing from the spirit thereof.

H ウエハ搬送装置
1 搬送アーム
2 ウエハ支持部材
3 ウエハ押えピン
4 ガイド部材
41 天板
42 位置規制部
43 傾斜面
P プラテン
H Wafer transfer device 1 Transfer arm 2 Wafer support member 3 Wafer holding pin 4 Guide member 41 Top plate 42 Position regulating portion 43 Inclined surface P Platen

Claims (5)

搬送アームと、
前記搬送アームに取り付けられてウエハ搬送時にウエハ下端を支持するウエハ支持部材
と、
静電チャックからのウエハの離脱時にウエハの上面に当接されるウエハ押えピンと、
静電チャックからのウエハの離脱時にウエハの側方に位置するガイド部材とを備え
前記ウエハは周端にリブを備えたリブ付きウエハであって、
前記ウエハ押えピンは前記ウエハのリブに対応した位置に配置されているウエハ搬送装置。
A transport arm;
a wafer support member that is attached to the transfer arm and supports the lower end of the wafer during wafer transfer;
a wafer holding pin that comes into contact with the top surface of the wafer when the wafer is removed from the electrostatic chuck;
a guide member positioned on the side of the wafer when the wafer is removed from the electrostatic chuck ;
The wafer is a ribbed wafer having ribs on the peripheral edge,
In the wafer transfer device , the wafer holding pin is arranged at a position corresponding to a rib of the wafer .
前記ウエハ押えピンと前記ガイド部材は、前記搬送アームに取り付けられている請求項1記載のウエハ搬送装置。 The wafer transfer apparatus according to claim 1, wherein the wafer holding pin and the guide member are attached to the transfer arm. 前記ガイド部材は、静電チャックからのウエハの離脱時にウエハの側面と対向する傾斜面を有している請求項1または2記載のウエハ搬送装置。 3. The wafer transfer device according to claim 1, wherein the guide member has an inclined surface that faces a side surface of the wafer when the wafer is removed from the electrostatic chuck. 前記ガイド部材は、ウエハの外形よりも大きな外形を有する天板と前記天板から下方に向けて突出した位置規制部を有している請求項1乃至3のいずれか1項に記載のウエハ搬送装置。 The wafer transfer according to any one of claims 1 to 3, wherein the guide member has a top plate having an outer diameter larger than the outer diameter of the wafer, and a position regulating portion protruding downward from the top plate. Device. 前記天板は切欠きを有し、
前記ウエハ押えピンは前記切欠きを通して、前記搬送アームの下方に向けて突出している請求項4記載のウエハ搬送装置。
The top plate has a notch,
5. The wafer transfer apparatus according to claim 4, wherein the wafer holding pin projects downwardly from the transfer arm through the notch.
JP2021074900A 2021-04-27 2021-04-27 Wafer transfer device Active JP7371662B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021074900A JP7371662B2 (en) 2021-04-27 2021-04-27 Wafer transfer device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021074900A JP7371662B2 (en) 2021-04-27 2021-04-27 Wafer transfer device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022169079A JP2022169079A (en) 2022-11-09
JP7371662B2 true JP7371662B2 (en) 2023-10-31

Family

ID=83943971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021074900A Active JP7371662B2 (en) 2021-04-27 2021-04-27 Wafer transfer device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7371662B2 (en)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001044265A (en) 1999-07-26 2001-02-16 Nec Corp Semiconductor wafer treater and treatment of the semiconductor wafer
JP2002334922A (en) 2001-05-10 2002-11-22 Mitsubishi Electric Corp Manufacturing system of semiconductor device, and manufacturing method of the semiconductor device
JP2007073589A (en) 2005-09-05 2007-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor wafer processing method
JP2008187106A (en) 2007-01-31 2008-08-14 Nissin Ion Equipment Co Ltd Substrate retaining device and method for judging substrate push up status
JP2015015330A (en) 2013-07-04 2015-01-22 日新イオン機器株式会社 Semiconductor manufacturing device
JP2018113344A (en) 2017-01-12 2018-07-19 株式会社アルバック Substrate transportation method and substrate transportation device
JP2019125756A (en) 2018-01-19 2019-07-25 株式会社東京精密 Workpiece transfer device and workpiece transfer method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2685006B2 (en) * 1994-12-20 1997-12-03 日本電気株式会社 Dry etching equipment

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001044265A (en) 1999-07-26 2001-02-16 Nec Corp Semiconductor wafer treater and treatment of the semiconductor wafer
JP2002334922A (en) 2001-05-10 2002-11-22 Mitsubishi Electric Corp Manufacturing system of semiconductor device, and manufacturing method of the semiconductor device
JP2007073589A (en) 2005-09-05 2007-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor wafer processing method
JP2008187106A (en) 2007-01-31 2008-08-14 Nissin Ion Equipment Co Ltd Substrate retaining device and method for judging substrate push up status
JP2015015330A (en) 2013-07-04 2015-01-22 日新イオン機器株式会社 Semiconductor manufacturing device
JP2018113344A (en) 2017-01-12 2018-07-19 株式会社アルバック Substrate transportation method and substrate transportation device
JP2019125756A (en) 2018-01-19 2019-07-25 株式会社東京精密 Workpiece transfer device and workpiece transfer method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022169079A (en) 2022-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI778133B (en) In-situ apparatus for semiconductor process module
JP4869533B2 (en) Apparatus for supporting process chamber and substrate
JP5035345B2 (en) Ion implantation apparatus, substrate clamping mechanism, and ion implantation method
US8585112B2 (en) Sample conveying mechanism
KR100304998B1 (en) Wafer Attachment Surface and Lifting Means
US10319623B2 (en) Conveyance hand, conveyance apparatus, lithography apparatus, manufacturing method of article, and holding mechanism
JP7371662B2 (en) Wafer transfer device
JP2012004407A (en) Positioning device, substrate processing device and reference member fixation method
JP5704261B2 (en) Substrate transfer system and substrate transfer method
JPH0831514B2 (en) Substrate suction device
JP2020113574A (en) Wafer transporting tray
JP2020155598A (en) Electrostatic chuck
US20140165906A1 (en) Magnetic masks for an ion implant apparatus
JP4539981B2 (en) Substrate holding device
WO2002013244A2 (en) Apparatus and method for handling and testing of wafers
KR101209882B1 (en) Robot-arm
KR20080069557A (en) A centering finger for moving the wafer
US20240063045A1 (en) Calibration hardware for ion implanter
KR20060120730A (en) Apparatus for supporting a semiconductor wafer
JP2012146710A (en) Wafer fixing device and exposure device
JP2013084772A (en) Substrate placement structure and substrate processing apparatus
JPH0648853Y2 (en) Device for fixing processed material to the stage for semiconductor manufacturing equipment
CN115206865A (en) Substrate clamping device
JP2011129674A (en) Charged particle beam lithography apparatus, charged particle beam lithography method, and substrate holder
KR20040083125A (en) Flat aligner vacuum chuck

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221003

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230831

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230901

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230901

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230919

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231002

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7371662

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150