JP7355659B2 - 製品ガス供給システム - Google Patents

Description

本発明は、製品ガスを工場等の供給対象施設へ供給する製品ガス供給システムに関する。

従来、水素ガスを供給する水素ガス供給システムとしては、原料炭化水素を水蒸気改質装置で改質ガスに改質した後、ＰＳＡ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｗｉｎｇ Ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ）装置（水素精製器）へ送出するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００３－３３５５０２号公報

従来の製品ガス供給システムは、原料ガスから製品ガスを製造する製品ガス製造装置と、製品ガスが充填された充填容器を備えた補充部と、製品ガスを受け取り一旦貯留するガスホルダとを備えている。

このガスホルダは、製品ガス製造装置によって製造された製品ガスを工場等の供給対象施設へ供給するためのガス供給管の途中に設けられている。また、補充部は、ガス供給管においてガスホルダに対してガス流れ方向の上流側の部分に一端が接続された連結管の他端に接続されている。さらに、連結管の途中には、電磁弁が設けられている。

このような構成では、ガスホルダに貯留されている製品ガスの圧力が低下すると、制御部が、電磁弁で連結管の流路を開放することで補充部から製品ガスがガスホルダに送出される。これにより、ガスホルダに貯留されている製品ガスの圧力が、決められた規定範囲に維持されるようになっている。

本発明の課題は、電磁弁による流路の開閉を制御することなく、製品ガス製造装置によって製造される製品ガスを有効に使用し、ガスホルダに貯留されている製品ガスの圧力を規定範囲に維持することである。換言すれば、電磁弁による流路の開閉を制御することなく、補充部の充填容器からガスホルダに送出される製品ガスの量を少なくし、ガスホルダに貯留されている製品ガスの圧力を規定範囲に維持することである。

第１態様に係る製品ガス供給システムは、原料ガスを改質して改質ガスを生成し、改質ガスを精製して製品ガスを製造する製品ガス製造装置と、前記製品ガス製造装置によって製造されて供給対象施設へ向かう製品ガスが流れるガス供給管と、前記ガス供給管に設けられ、決められた規定範囲の圧力で製品ガスを一旦貯留するガスホルダと、製品ガスが充填された充填容器を備える補充部と、前記補充部と、前記ガス供給管において前記ガスホルダに対して上流側の部分とを連結する連結管と、前記連結管の途中に設けられ、前記補充部の前記充填容器から前記ガスホルダへ流れる製品ガスの圧力を、前記規定範囲の上限値よりも下限値に近い設定値に減圧する減圧弁と、を備えることを特徴とする。

この構成によると、製品ガス製造装置が、原料ガスを改質して改質ガスを生成し、この改質ガスを精製して製品ガスを製造する。また、ガス供給管の途中に設けられたガスホルダは、規定範囲の圧力で製品ガスを一旦貯留する。さらに、補充部の充填容器に充填された製品ガスが、連結管及びガス供給管を流れてガスホルダへ送出される。

ここで、連結管の途中に設けられた減圧弁は、補充部の充填容器からガスホルダへ流れる製品ガスの圧力を、規定範囲の上限値よりも下限値に近い設定値とする。換言すれば、ガスホルダの製品ガスの圧力が規定範囲の下限値に近い値となったときだけ、補充部の充填容器に充填されている製品ガスが、連結管及びガス供給管を流れてガスホルダへ送出される。これより、電磁弁による流路の開閉を制御することなく、製品ガス製造装置によって製造された製品ガスを有効に使用し、ガスホルダに貯留されている製品ガスの圧力を規定範囲に維持することができる。

第２態様に係る製品ガス供給システムは、第１態様に記載の製品ガス供給システムにおいて、前記製品ガス製造装置を制御し、前記ガスホルダの製品ガスの圧力が、前記規定範囲の下限値に近い場合は、上限値に近い場合と比して、前記製品ガス製造装置の負荷を上げる制御部を備えることを特徴とする。

この構成によると、制御部は、ガスホルダの製品ガスの圧力が、規定範囲の下限値に近い場合は、上限値に近い場合と比して、製品ガス製造装置の負荷を上げる。このため、製品ガス製造装置の負荷が上がらず、製品ガス製造装置の負荷が常に一定の場合と比して、製品ガス製造装置によって製造される製品ガスを有効に使用することができる。

第３態様に係る製品ガス供給システムは、第２態様に記載の製品ガス供給システムにおいて、前記連結管において前記減圧弁の上流側の部分の製品ガスの圧力を検出する検出部と、前記連結管において前記減圧弁の上流側の部分を流れる製品ガスの圧力と前記減圧弁の下流側の部分を流れる製品ガスの圧力との圧力関係を記憶する記憶部と、を備え、前記制御部は、前記検出部によって検出された製品ガスの圧力と、前記記憶部に記憶された前記圧力関係とから導出された前記減圧弁の下流側の部分を流れる製品ガスの圧力が高い場合は、低い場合と比して、前記規定範囲の下限値を高い値に設定することを特徴とする。

この構成によると、制御部は、検出部によって検出された製品ガスの圧力と、記憶部に記憶された圧力関係とから導出された減圧弁の下流側の部分を流れる製品ガスの圧力が高い場合は、低い場合と比して、ガスホルダに貯留されている製品ガスの圧力の規定範囲の下限値を高い値に設定する。換言すれば、制御部は、検出部によって検出された製品ガスの圧力と、記憶部に記憶された圧力関係とから導出された減圧弁の下流側の部分を流れる製品ガスの圧力が高い場合は、低い場合と比して、製品ガス製造装置の負荷を上げる。このため、減圧弁の下流側の部分を流れる製品ガスの圧力が高くなった場合であっても、製品ガス製造装置の負荷が常に一定の場合と比して、製品ガス製造装置によって製造される製品ガスを有効に使用することができる。

本発明によれば、電磁弁による流路の開閉を制御することなく、製品ガス製造装置によって製造される製品ガスを有効に使用し、ガスホルダに貯留されている製品ガスの圧力を規定範囲に維持することができる。

本発明の第１実施形態に係る水素ガス供給システムを示した概略構成図である。 本発明の第１実施形態に係る水素ガス供給システムの水素製造装置に備えられた検出装置を示した概略構成図である。 本発明の第１実施形態に係る水素ガス供給システムを示した構成図である。 本発明の第１実施形態に係る水素ガス供給システムに備えられた減圧弁を示した構成図である。 本発明の第１実施形態に係る水素ガス供給システムに備えられた制御部を示した機能ブロック図である。 本発明の第１実施形態に係る水素ガス供給システムに備えられた制御部による制御系を示した制御ブロック図である。 本発明の第１実施形態に対する比較形態に係る水素ガス供給システムを示した構成図である。 本発明の第２実施形態に係る水素ガス供給システムを示した構成図である。 本発明の第２実施形態に係る水素ガス供給システムに備えられた制御部による制御系を示した制御ブロック図である。 本発明の第２実施形態に係る水素ガス供給システムに備えられた減圧弁の上流側の部分を流れる水素ガスの圧力と減圧弁の下流側の部分を流れる水素ガスの圧力とをグラフで示した図面である。

＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態に係る水素ガス供給システムの一例を図１～図７に従って説明する。

水素ガス供給システム１００は、図１に示されるように、水素ガスを製造する水素製造装置１０と、水素製造装置１０によって製造された水素ガスが流れるガス供給管１１０と、ガス供給管１１０の途中に設けられた水素ホルダ１２０とを備えている。さらに、水素ガス供給システム１００は、水素ガスが充填された充填容器１２８を備えた補充部１３０と、ガス供給管１１０と補充部１３０とを連結する連結管１４０と、連結管１４０の途中に設けられた減圧弁１５０と、各部を制御する制御部１７０とを備えている。

水素ガス供給システム１００は、製品ガス供給システムの一例であって、水素製造装置１０は、製品ガス製造装置の一例であって、水素ホルダ１２０は、ガスホルダの一例である。

（水素製造装置１０）
本実施形態に係る水素製造装置１０は、図１に示されるように、脱硫器６０と、改質器１２と、圧縮機１４と、水素精製器１６と、オフガスタンク１８と、昇圧前水分離部３０と、昇圧後水分離部３２と、燃焼排ガス水分離部３４とを備えている。さらに、水素製造装置１０は、水素濃度を検出する検出装置５２を備えている。

この水素製造装置１０は、原料ガスである炭化水素原料から水素ガスを製造するものであり、本実施形態では、炭化水素原料の一例としてメタンを主成分とする都市ガスが用いられる場合について説明する。なお、図１では、水素製造装置１０の構成を概略的に示しており、水素製造装置１０は、他の構成を含んでいてもよい。

〔脱硫器６０〕
脱硫器６０は、常温下で原料ガスを吸着剤に流通させることで吸着剤が硫黄化合物を吸着し、硫黄化合物を除去する常温脱硫方式の脱硫器である。脱硫器６０は、原料ガスとして都市ガスを供給するための原料供給管Ｐ１の途中に設けられている。

脱硫器６０の出口側に、原料供給管Ｐ１の下流側の部分が接続されている。原料供給管Ｐ１は、図１に示されるように、原料分岐管Ｐ１Ａ、及び原料分岐管Ｐ１Ｂに分岐されている。

原料分岐管Ｐ１Ａは、後述する改質器１２の燃焼部２８に接続され、原料分岐管Ｐ１Ｂは、改質器１２の予熱流路２２に接続されている。

〔改質器１２〕
改質器１２は、脱硫処理された都市ガスと改質用の水とを混合しつつ加熱し、混合ガスを発生させる予熱流路２２と、水蒸気改質反応によって、混合ガスから水素を主成分とする改質ガスＧ１を生成する改質触媒層２４とを備える。また、改質器１２は、改質反応の熱源となる燃焼部２８を備えている。改質ガスＧ１には、水素、一酸化炭素、水蒸気、メタンが含まれている。

さらに、改質器１２は、改質ガスＧ１に含まれる一酸化炭素と水蒸気とを反応させて、水素と二酸化炭素とに変換するＣＯ変成触媒層２６を備える。ＣＯ変成触媒層２６を経た改質ガスＧ２では、改質ガスＧ１に比べ、一酸化炭素が低減される。改質器１２としては、筒状の部材を同心円状に配置して構成される多重筒型改質器等を用いることができる。

改質器１２の予熱流路２２には、脱硫器６０から都市ガスを供給するための原料分岐管Ｐ１Ｂ、及び、改質水を供給するための改質水供給管Ｐ９が接続されている。予熱流路２２には、原料分岐管Ｐ１Ｂから都市ガスが供給され、改質水供給管Ｐ９から改質水が供給される。都市ガス及び改質水は、予熱流路２２を流れ、燃焼部２８からの熱により加熱され、水が気化され、都市ガス及び気相の改質用水（水蒸気）が混合されることにより、混合ガスが生成される。

予熱流路２２を経た混合ガスは、改質触媒層２４へ供給される。改質触媒層２４には、都市ガスを水蒸気改質して水素を主成分とする改質ガスＧ１を生成するための触媒が設けられている。予熱流路２２にて生成された混合ガスは、改質触媒層２４で燃焼部２８からの熱により加熱され、水蒸気改質反応、二酸化炭素改質反応によって、水素を主成分とする改質ガスＧ１が生成される。

改質触媒層２４で生成された改質ガスＧ１は、ＣＯ変成触媒層２６へ供給される。ＣＯ変成触媒層２６では、改質ガスＧ１に含まれる一酸化炭素と水蒸気が反応して、水素と二酸化炭素に変換され、一酸化炭素が低減される。なお、ＣＯ変成触媒層２６よりも下流側に、更に一酸化炭素を除去するためのＣＯ選択酸化触媒層を設けてもよい。ＣＯ変成触媒層２６、またはＣＯ変成触媒層２６及びＣＯ選択酸化触媒層を経た改質ガスＧ２は、改質ガス排出管Ｐ３へ送出される。

燃焼部２８の上端部には、オフガス管Ｐ７が接続されており、後述するオフガスがオフガス管Ｐ７から燃料として供給される。さらに、この燃焼部２８の上端部には、燃焼用空気を供給するための空気供給管Ｐ２が接続されている。また、燃焼部２８には、原料供給管Ｐ１から分岐された原料分岐管Ｐ１Ａが接続されている。原料分岐管Ｐ１Ａには、空気供給管Ｐ２から分岐された空気分岐管Ｐ２Ａが接続されている。燃焼部２８には、都市ガスに空気が混合された気体が、オフガスとは別に供給される。燃焼用のオフガスと都市ガスとのいずれか一方、または両方が、必要に応じて供給される。

燃焼部２８からの燃焼排ガスは、改質器１２の内部での熱交換のための流路（不図示）へ送出される。熱交換後の燃焼排ガスは、改質器１２の外部のガス排出管Ｐ１０へ排出される。

改質器１２から改質ガス排出管Ｐ３へ送出された改質ガスＧ２は、図１に示すように、昇圧前水分離部３０、圧縮機１４、昇圧後水分離部３２、及び水素精製器１６をこの順番で流れる。つまり、ガスの流れ方向において、上流側から下流側に、改質器１２、昇圧前水分離部３０、圧縮機１４、昇圧後水分離部３２、及び水素精製器１６がこの順番で配置されている。

〔昇圧前水分離部３０〕
昇圧前水分離部３０は、上部が気体室３０ａとされ、下部が液体室３０ｂとされている。気体室３０ａには、改質ガス排出管Ｐ３の下流端が接続されている。また、気体室３０ａには、連絡流路管Ｐ４の上流端が接続されている。液体室３０ｂの底部には、改質ガス水配管Ｐ８Ａが接続されている。改質ガスＧ２中の水蒸気は、昇圧前水分離部３０の上流側に配置された熱交換器ＨＥ１において冷却されることによって凝縮される。凝縮により改質ガスＧ２から分離された水は、液体室３０ｂに貯留され、改質ガス水配管Ｐ８Ａへ送出される。

〔圧縮機１４〕
圧縮機１４には、昇圧前水分離部３０からの改質ガスＧ２が流れる連絡流路管Ｐ４と、昇圧後水分離部３２へ供給される改質ガスＧ２が流れる連絡流路管Ｐ５とが接続されている。圧縮機１４は、昇圧前水分離部３０から供給された改質ガスＧ２を圧縮して昇圧し、昇圧後水分離部３２へ供給する。

圧縮機１４よりも上流側、昇圧前水分離部３０よりも下流側には、バッファタンク３５が設けられている。バッファタンク３５は、昇圧前水分離部３０から供給される改質ガスＧ２を蓄積する。バッファタンク３５で一旦貯留された改質ガスＧ２が、圧縮機１４へ供給される。

〔昇圧後水分離部３２〕
昇圧後水分離部３２は、上部が気体室３２ａとされ、下部が液体室３２ｂとされている。気体室３２ａには、連絡流路管Ｐ５の下流端が接続されている。また、気体室３２ａには、連絡流路管Ｐ６の上流端が接続されている。液体室３２ｂの底部には、改質ガス水配管Ｐ８Ｂが接続されている。改質ガスＧ２中の水蒸気は、昇圧後水分離部３２の上流側に配置された熱交換器ＨＥ２において冷却されることによって凝縮される。凝縮により改質ガスＧ２から分離された水は、液体室３２ｂに貯留され、改質ガス水配管Ｐ８Ｂへ送出される。

昇圧後水分離部３２よりも下流側、水素精製器１６よりも上流側には、バッファタンク３６が設けられている。バッファタンク３６は、昇圧後水分離部３２から供給される改質ガスＧ２を蓄積する。バッファタンク３６で一旦貯留された改質ガスＧ２は、水素精製器１６へ供給される。

〔水素精製器１６〕
水素精製器１６には、昇圧後水分離部３２から送出された改質ガスＧ２が流れる連絡流路管Ｐ６の下流端が接続されている。水素精製器１６には、ＰＳＡ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｗｉｎｇ Ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ）装置が使用される。この水素精製器１６により改質ガスＧ２が製品ガスとしての水素ガス（製品水素ガス）と水素以外の不純物を含むオフガスとに分離される。水素精製器１６には、製品水素配管Ｐ１１が接続されており、精製された水素ガスは製品水素配管Ｐ１１へ送出される。オフガスは、後述するオフガス管Ｐ７へ送出される。

製品水素配管Ｐ１１は、水素ガスを供給する工場等の供給対象施設へ向かうガス供給管１１０と、水素濃度測定器としての検出装置５２へ向かう製品水素分析用配管Ｐ１１Ｂとに分かれる。さらに、製品水素分析用配管Ｐ１１Ｂの途中には、流量調整バルブ４８が設けられている。この流量調整バルブ４８により、検出装置５２へ供給される水素ガスの流量が調整される。

〔検出装置５２〕
検出装置５２は、燃料電池セルの電解質層を利用した検出装置であって、図２に示されるように、筐体５２ａと、筐体５２ａの内部の空間を仕切ると共に不純物によって被毒して抵抗値が変化する電解質層５２ｂとを備えている。さらに、検出装置５２は、電解質層５２ｂの一方側に配置された電極５２ｃと、電解質層５２ｂの他方側に配置された電極５２ｄとを備えている。

また、検出装置５２は、筐体５２ａの内部で、電極５２ｃが配置された供給室５２ｅと、筐体５２ａの内部で、電極５２ｄが配置された排気室５２ｆとを備えている。さらに、検出装置５２は、電極５２ｃと電極５２ｄとの間を流れる電流の電流値を計測する電流計５２ｇと、電極５２ｃと電極５２ｄとの間に印加される電圧の電圧値を計測する電圧計５２ｈとを備えている。

また、検出装置５２は、電極５２ｃと電極５２ｄとの間を流れる電流を定電流制御した場合に、電極５２ｃと電極５２ｄとの間に印加される電圧の電圧値の変化から不純物の濃度を検出する濃度検出部５２ｎを備えている。

さらに、供給室５２ｅを形成する壁部には、製品水素分析用配管Ｐ１１Ｂの下流端が接続されている第一供給口５２ｊが形成されている。また、排気室５２ｆを形成する壁部には、水素ガスを外部へ放出する放出管Ｐ１４の上流端が接続されている放出部５２ｍが形成されている。

この構成において、図１に示す流量調整バルブ４８を制御することで製品水素分析用配管Ｐ１１Ｂに形成された流路を開放し、水素精製器１６によって精製された水素ガスが、検出装置５２へ供給される。

この状態で、図２に示す電極５２ｃと電極５２ｄとの間に電圧を印加して直流電流を流すと、供給室５２ｅに供給された水素が、水素電解反応によって水素イオンとなって電解質層５２ｂを通って排気室５２ｆ側へ移動する。また、排気室５２ｆでは、水素イオンが水素生成反応によって水素となる。水素以外の不純物は電解質層５２ｂを通って排気室５２ｆ側へ移動しないため、電解質層５２ｂは、水素以外の不純物によって被毒する。この被毒により、電解質層５２ｂの抵抗値が上昇する。また、排気室５２ｆで生じた水素は、放出管Ｐ１４へ送出されて外部へ放出される。

そして、電流一定の定電流制御を行い、水素ガスを供給室５２ｅへ供給し、供給した水素ガスに不純物が含まれていない場合には、電圧計５２ｈによって計測される電圧値は、一定となる。これに対して、供給した水素ガスに不純物が含まれている場合には、電解質層５２ｂが被毒して電解質層５２ｂの抵抗値が上昇する。これにより、電圧計５２ｈによって計測される電圧値が高くなる。濃度検出部５２ｎは、この電圧値の変化から不純物の濃度を検出する。換言すれば、濃度検出部５２ｎは、この電圧値の変化から水素濃度を検出する。

〔その他〕
燃焼排ガス水分離部３４は、図１に示されるように、上部が気体室３４ａとされ、下部が液体室３４ｂとされている。気体室３４ａには、ガス排出管Ｐ１０の下流端が接続されている。また、気体室３４ａには、外部排出管Ｐ１２が接続されている。液体室３４ｂの底部には、燃焼排ガス水配管Ｐ８Ｃが接続されている。

燃焼排ガスは、燃焼部２８からガス排出管Ｐ１０へ送出される。燃焼排ガス中の水蒸気は、燃焼排ガス水分離部３４の上流側に配置された熱交換器ＨＥ３において冷却されることによって凝縮される。凝縮により燃焼排ガスから分離された水は、液体室３４ｂに貯留され、燃焼排ガス水配管Ｐ８Ｃへ送出される。水が分離された後の燃焼排ガスは、外部排出管Ｐ１２から外部へ排出される。

水素製造装置１０の底部には、水タンク４０が配置されている。水タンク４０には、水流入口４０ａが形成されており、改質ガス水配管Ｐ８Ａ、Ｐ８Ｂ、及び燃焼排ガス水配管Ｐ８Ｃは、合流後に水流入口４０ａに接続されている。合流後の配管を水流入管Ｐ８と称する。水流入管Ｐ８の内径は、燃焼排ガス水配管Ｐ８Ｃの内径よりも大径とされている。

水タンク４０は、昇圧前水分離部３０、昇圧後水分離部３２、及び燃焼排ガス水分離部３４において貯留可能な水の総量よりも大容量とされており、昇圧前水分離部３０、昇圧後水分離部３２、及び燃焼排ガス水分離部３４よりも鉛直方向の下側に配置されている。ここで、「水タンク４０が昇圧前水分離部３０、昇圧後水分離部３２、及び燃焼排ガス水分離部３４よりも鉛直方向下側に配置されている」とは、液体室３０ｂの底部、液体室３２ｂの底部、及び液体室３４ｂの底部が、水タンク４０の水流入口４０ａよりも鉛直方向の上側に配置されていることを意味する。

水タンク４０には、改質水供給管Ｐ９の上流端が接続されている。改質水供給管Ｐ９には、溶存イオン成分を除去するための水処理器（イオン交換樹脂）４２が設けられている。また、改質水供給管Ｐ９には、ポンプ４４が設けられており、ポンプ４４の駆動により、水タンク４０に貯留された水が水処理器４２を経て改質器１２へ供給される。改質水供給管Ｐ９の水処理器４２よりも下流側、ポンプ４４よりも上流側には、純水供給管Ｐ１３が接続されている。純水供給管Ｐ１３からは改質器１２へ、改質水供給管Ｐ９を経て、必要に応じ純水が供給される。

（水素製造装置１０の作用）
次に、水素製造装置１０の作用について説明する。

水素製造運転時には、図１に示す原料供給管Ｐ１から脱硫器６０へ都市ガスが供給される。脱硫器６０では、都市ガスから硫黄化合物が除去される。脱硫器６０からは、脱硫処理された都市ガスが、原料供給管Ｐ１へ送出される。

脱硫処理された都市ガスが、原料供給管Ｐ１を流れて原料分岐管Ｐ１Ｂから改質器１２へ供給される。さらに、改質水が、改質水供給管Ｐ９から改質器１２へ供給される。予熱流路２２で都市ガスと改質水とが混合されつつ加熱され、混合ガスとなって改質触媒層２４へ供給される。

改質触媒層２４では、燃焼部２８からの燃焼排ガスにより混合ガスが加熱されて水蒸気改質され、水素を主成分とする改質ガスＧ１が生成される。改質ガスＧ１は、ＣＯ変成触媒層２６へ供給され、改質ガスＧ１に含まれる一酸化炭素と水蒸気が反応して、水素と二酸化炭素に変換され、改質ガスＧ１に含まれている一酸化炭素が低減される。ＣＯ変成触媒層２６を通過した改質ガスＧ２は、改質ガス排出管Ｐ３へ送出される。

改質ガスＧ２は、改質ガス排出管Ｐ３に設けられた熱交換器ＨＥ１を経て、昇圧前水分離部３０の気体室３０ａへ供給される。気体室３０ａへ供給された改質ガスＧ２に含まれる水は、熱交換器ＨＥ１での冷却により凝縮されて液体室３０ｂへ貯留され、改質ガス水配管Ｐ８Ａを経て水タンク４０へ供給される。水が分離された改質ガスＧ２が、気体室３０ａから連絡流路管Ｐ４を流れてバッファタンク３５へ供給される。バッファタンク３５では、改質器１２からの改質ガスＧ２を一旦貯留して圧力変動を緩和し、改質ガスＧ２を圧縮機１４へ供給する。圧縮機１４では、改質ガスＧ２が圧縮される。

圧縮された改質ガスＧ２は、連絡流路管Ｐ５を流れ熱交換器ＨＥ２を経て昇圧後水分離部３２の気体室３２ａへ供給される。気体室３２ａへ供給された改質ガスＧ２に含まれる水蒸気は、熱交換器ＨＥ２での冷却により凝縮されて液体室３２ｂへ貯留され、改質ガス水配管Ｐ８Ｂを経て水タンク４０へ供給される。水が分離された改質ガスＧ２が、気体室３２ａから連絡流路管Ｐ６を流れ、バッファタンク３６で一旦貯留された後に水素精製器１６へ供給される。

水素精製器１６では、改質ガスＧ２が水素ガス（製品水素ガス）と、不純物を含むオフガスとに分離され、水素ガスは製品水素配管Ｐ１１へ送出される。送出された水素ガスは、ガス供給管１１０と製品水素分析用配管Ｐ１１Ｂとに分流される。また、製品水素分析用配管Ｐ１１Ｂへ流れた水素ガスは、検出装置５２へ供給される。さらに、検出装置５２によって分析された水素ガスは、放出管Ｐ１４へ送出されて外部へ放出される。

改質ガスＧ２から分離された水素以外の不純物を含むオフガスは、オフガス管Ｐ７を流れてオフガスタンク１８へ一旦貯留される。オフガスタンク１８からは、オフガスが送出され、オフガスは、オフガス管Ｐ７を経て、燃料として改質器１２の燃焼部２８へ供給される。

改質器１２の燃焼部２８では、オフガスが燃焼され、燃焼排ガスがガス排出管Ｐ１０を介して燃焼排ガス水分離部３４の気体室３４ａへ供給される。気体室３４ａへ供給された燃焼排ガスに含まれる水蒸気は、熱交換器ＨＥ３での冷却により凝縮されて液体室３４ｂへ貯留され、燃焼排ガス水配管Ｐ８Ｃを経て水タンク４０へ供給される。水が分離された燃焼排ガスは、外部排出管Ｐ１２を経て外部へ放出される。

水タンク４０に貯留された水は、ポンプ４４の駆動によって水処理器４２を経て改質器１２へ供給される。純水供給管Ｐ１３からは改質器１２へ、改質水供給管Ｐ９を経て、必要に応じ純水が供給される。

（要部構成）
次に、ガス供給管１１０、水素ホルダ１２０、補充部１３０、連結管１４０、及び減圧弁１５０等について説明する。

〔ガス供給管１１０、水素ホルダ１２０〕
ガス供給管１１０は、図３に示されるように、水素製造装置１０によって製造され、工場等の供給対象施設へ供給される水素ガスが流れる管である。水素ガスは、製品ガスの一例である。

水素ホルダ１２０は、ガス供給管１１０の途中に設けられ、水素製造装置１０から送出された水素ガスを受け取り一旦貯留する。換言すれば、水素ホルダ１２０は、水素製造装置１０から送出された水素ガスをガス供給管１１０のガスの流れ方向の上流側の部分から受け取って貯留し、貯留した水素ガスをガス供給管１１０のガスの流れ方向の下流側の部分へ送出する。

また、水素ホルダ１２０には、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力を検出する圧力計１２０ａが設けられている。そして、水素ホルダ１２０は、決められた規定範囲の圧力で水素ガスを貯留する。本実施形態では、規定範囲は、一例として、０．６〔ＭＰａ〕以上０．９〔ＭＰａ〕以下とされている。換言すれば、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が、０．６〔ＭＰａ〕以上０．９〔ＭＰａ〕以下となるように、水素製造装置１０が水素ホルダ１２０へ水素ガスを送出し、さらに、後述する補充部１３０の充填容器１２８が水素ホルダ１２０へ水素ガスを送出する。

〔補充部１３０、連結管１４０〕
補充部１３０は、図３に示されるように、水素ガスが充填された複数の充填容器１２８（所謂カードル）を備えている。

連結管１４０は、補充部１３０の充填容器１２８に充填された水素ガスが流れる管であって、ガス供給管１１０において水素ホルダ１２０に対して上流側の部分と補充部１３０とを連結している。換言すれば、連結管１４０の一端は、ガス供給管１１０において水素ホルダ１２０に対して上流側の部分に接続され、連結管１４０の他端は、補充部１３０に接続されている。なお、連結管１４０の内径は、ガス供給管１１０の内径と比して小さくされている。

〔減圧弁１５０〕
減圧弁１５０は、図３に示されるように、連結管１４０の途中に設けられている。減圧弁１５０は、図４に示されるように、水素ガスが流入する一次室１５０ａと、流出する水素ガスが一旦貯留される二次室１５０ｂと、一次室１５０ａ及び二次室１５０ｂを連通する連通口１５０ｃとを有している。さらに、減圧弁１５０は、調整ねじ１５０ｄと、調整スプリング１５０ｅと、ダイアフラム１５０ｆと、ステム１５０ｇと、棒状のコネクタ１５０ｈと、小スプリング１５０ｊとを備えている。

二次室１５０ｂは、一次室１５０ａを囲むように配置されており、二次室１５０ｂの容積は、一次室１５０ａの容積と比して大きくされている。ダイアフラム１５０ｆは、二次室１５０ｂに臨むように配置されており、調整スプリング１５０ｅの付勢力によって二次室１５０ｂ側に勢力されている。また、調整スプリング１５０ｅの付勢力については、調整ねじ１５０ｄによって調整されるようになっている。

さらに、ステム１５０ｇは、一次室１５０ａに配置され、連通口１５０ｃを通るコネクタ１５０ｈによってダイアフラム１５０ｆと連結されている。さらに、ステム１５０ｇは、小スプリング１５０ｊの付勢力によって、ダイアフラム１５０ｆ及び調整スプリング１５０ｅ側に勢力されている。

この構成において、調整スプリング１５０ｅの付勢力と、小スプリング１５０ｊの付勢力とのバランスによって、ステム１５０ｇが移動することで連通口１５０ｃが開放される。そして、ガス流れ方向の上流側から一次室１５０ａへ流入した水素ガスが、連通口１５０ｃを通って二次室１５０ｂへ流入する。さらに、二次室１５０ｂからガス流れ方向の下流側へ、水素ガスが送出される。このようにして、減圧弁１５０は、連結管１４０を流れる水素ガスを減圧する。

本実施形態では、減圧弁１５０によって水素ガスが減圧される設定値については、０．６５〔ＭＰａ〕とされている。つまり、減圧弁１５０の設定値は、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力の規定範囲（０．６〔ＭＰａ〕以上０．９〔ＭＰａ〕以下）の上限値よりも下限値に近い値とされている。なお、本実施形態では、上限値よりも下限値に近い値とは、下限値を含む概念である。

〔制御部１７０〕
水素ガス供給システム１００を制御する制御部１７０は、図５に示されるように、ＣＰＵ（ＣｅｎＴｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ＵｎｉＴ：プロセッサ）１７２、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）１７４、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１７６、ストレージ１７８、及びインタフェース１８０を含んで構成されている。また、各構成は、バス１８２を介して相互に通信可能に接続されている。

そして、制御部１７０は、図６に示されるように、圧力計１２０ａによって検出された水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力に基づいて、水素製造装置１０の負荷（ペイロード）を制御して水素製造装置１０によって製造される水素ガスの量を増減させる。なお、制御部１７０の水素製造装置１０に対する制御については、後述する要部構成の作用と共に説明する。

〔その他〕
図３に示されるように、ガス供給管１１０において水素ホルダ１２０に対して下流側の部分には、減圧弁１９０が設けられている。この減圧弁１９０は、水素ホルダ１２０から供給対象施設に向けて送出された水素ガスを減圧する。なお、減圧弁１９０の設定値は、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力の規定範囲の下限値よりも低い値とされている。減圧弁１９０は、他の減圧弁の一例である。

（要部構成の作用）
次に、本実施形態の水素ガス供給システム１００の作用について、比較形態の水素ガス供給システム５００と比較しつつ説明する。先ず、水素ガス供給システム５００の構成の構成について、水素ガス供給システム１００と異なる部分を説明する。

〔水素ガス供給システム５００の構成〕
図７に示されるように、水素ガス供給システム５００では、連結管１４０の途中に減圧弁は設けられておらず、連結管１４０の途中に連結管１４０の流路を開閉する電磁弁５５０が設けられている。そして、制御部５７０の制御によって、電磁弁５５０が連結管１４０の流路を開閉するようになっている。

〔水素ガス供給システム１００、５００の作用〕
水素ガス供給システム１００、５００の水素製造装置１０では、図１に示す脱硫器６０が、原料供給管Ｐ１から供給された都市ガスから硫黄化合物を除去する。さらに、改質器１２が、都市ガスを、水素を主成分とする改質ガスＧ１とし、また、改質ガスＧ１を、一酸化炭素が低減された改質ガスＧ２とする。

さらに、昇圧前水分離部３０は、改質ガスＧ２から水分を除去する。また、圧縮機１４は、水分が除去された改質ガスＧ２を圧縮する。さらに、昇圧後水分離部３２は、圧縮された改質ガスＧ２から水分を除去する。水素精製器１６は、改質ガスＧ２を水素ガスと、不純物を含むオフガスとに分離し、水素ガスは製品水素配管Ｐ１１を通ってガス供給管１１０へ送出される。

図３、図７に示されるように、ガス供給管１１０へ送出された水素ガスは、水素ホルダ１２０で一旦貯留され、減圧弁１９０によって減圧されて供給対象施設へ向けて送出される。ここで、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力は、決められた規定範囲（０．６〔ＭＰａ〕以上０．９〔ＭＰａ〕以下）とされる。

具体的には、供給対象施設で消費される水素ガスの量が、経時的に変化するため、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力は変動する。例えば、供給対象施設で消費される水素ガスの量が多い場合は、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が低くなる。一方、供給対象施設で消費される水素ガスの量が少ない場合は、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が高くなる。そして、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力については、圧力計１２０ａによって計測される。

ここで、図７に示す比較形態に係る水素ガス供給システム５００では、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が０．６５〔ＭＰａ〕以下の場合に、制御部５７０が、電磁弁５５０を制御して連結管１４０の流路を開放する。これにより、補充部１３０の充填容器１２８に充填されている水素ガスが、連結管１４０及びガス供給管１１０を流れて水素ホルダ１２０へ送出される。

一方、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が０．６５〔ＭＰａ〕より高い場合に、制御部５７０が、電磁弁５５０を制御して連結管１４０の流路を閉塞する。これにより、充填容器１２８に充填されている水素ガスの水素ホルダ１２０への送出が停止される。

さらに、水素ガス供給システム５００では、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力の高低に関わらず、水素製造装置１０については、一定の負荷で運転されている。そして、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が０．９〔ＭＰａ〕に達すると、水素製造装置１０によって製造された水素ガスを外部に放出することで、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力は、決められた規定範囲（０．６〔ＭＰａ〕以上０．９〔ＭＰａ〕以下）とされる。

これに対して、図３に示す本実施形態に係る水素ガス供給システム１００では、連結管１４０の途中に配置されている減圧弁１５０の設定値は、０．６５〔ＭＰａ〕とされている。このため、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が０．６５〔ＭＰａ〕以下の場合に、補充部１３０の充填容器１２８に充填されている水素ガスが、連結管１４０及びガス供給管１１０を流れて水素ホルダ１２０へ送出される。

一方、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が０．６５〔ＭＰａ〕より高い場合に、減圧弁１５０の設定値は、０．６５〔ＭＰａ〕とされているため、充填容器１２８に充填されている水素ガスの水素ホルダ１２０への送出が停止される。

さらに、水素ガス供給システム１００では、制御部１７０は、水素製造装置１０を制御し、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が、規定範囲の下限値に近い場合は、上限値に近い場合と比して、水素製造装置１０の負荷を上げる。例えば、規定範囲の下限値（０．６〔ＭＰａ〕）の場合に、制御部１７０は、１００〔％〕の負荷で水素製造装置１０を運転させ、規定範囲の上限値（０．９〔ＭＰａ〕）の場合に、制御部１７０は、５０〔％〕の負荷で水素製造装置１０を運転させる。そして、規定範囲の下限値から上限値に向かうに従って、制御部１７０は、水素製造装置１０の負荷を徐々に変化させる。

また、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が０．９〔ＭＰａ〕に達すると、水素製造装置１０によって製造された水素ガスを外部に放出することで、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力は、決められた規定範囲（０．６〔ＭＰａ〕以上０．９〔ＭＰａ〕以下）とされる。このように、水素ガス供給システム１００では、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスと、減圧弁１５０によって減圧される水素ガスとの圧力バランスによって、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が規定範囲に維持される。

（まとめ）
以上説明したように、水素ガス供給システム１００では、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスと、減圧弁１５０によって減圧される水素ガスとの圧力バランスによって、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が規定範囲に維持される。また、減圧弁１５０によって水素ガスが減圧される設定値については、０．６５〔ＭＰａ〕とされ、規定範囲の上限値よりも下限値に近い値とされている。換言すれば、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が規定範囲の下限値に近い値となったときだけ、補充部１３０の充填容器１２８に充填されている水素ガスが、連結管１４０及びガス供給管１１０を流れて水素ホルダ１２０へ送出される。このように、水素ガス供給システム１００では、水素ガス供給システム５００のように電磁弁５５０による流路の開閉を制御することなく、水素製造装置１０によって製造された水素ガスを有効に使用し、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力を規定範囲に維持することができる。

また、制御部１７０は、水素製造装置１０を制御し、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が、規定範囲の下限値に近い場合は、上限値に近い場合と比して、水素製造装置１０の負荷を上げる。このため、水素製造装置１０の負荷が上がらず、水素製造装置１０の負荷が常に一定の水素ガス供給システム５００を用いる場合と比して、水素製造装置１０によって製造される水素ガスを有効に使用することができる。

＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態に係る水素ガス供給システムの一例を図８～１０に従って説明する。第２実施形態に係る水素ガス供給システム２００については、第１実施形態に係る水素ガス供給システム１００に対して異なる部分を主に説明する。

第２実施形態に係る水素ガス供給システム２００には、図８に示されるように、連結管１４０において減圧弁１５０の上流側の部分における水素ガスの圧力を検出する検出部２６０が設けられている。さらに、水素ガス供給システム２００には、図９に示されるように、記憶部２６４が設けられている。この記憶部２６４には、減圧弁１５０の上流側の部分を流れる水素ガスの圧力と減圧弁１５０の下流側の部分を流れる水素ガスの圧力との圧力関係が記憶されている。

図１０には、減圧弁１５０の上流側の部分を流れる水素ガスの圧力と減圧弁１５０の下流側の部分を流れる水素ガスの圧力とのグラフが実線で示されている。横軸が、減圧弁１５０の上流側の部分を流れる水素ガスの圧力（以下「一次側圧力」と記載する）を示し、縦軸が、減圧弁１５０の下流側の部分を流れる水素ガスの圧力（以下「二次側圧力」と記載する）を示している。また、本実施形態では、図１０のグラフの二点鎖線は、減圧弁１５０によって水素ガスが減圧される設定値である。このグラフから分かるように、一次側圧力が、低くなると二次側圧力が高くなる。

ここで、充填容器１２８から送出される水素ガスの一次側圧力は、充填容器１２８に充填される水素ガスが少なくなることで時間の経過と共に低くなる。このため、充填容器１２８から送出される水素ガスの二次側圧力は、時間の経過と共に設定値よりも高くなる。図９に示す記憶部２６４には、この一次側圧力と二次側圧力との圧力関係が記憶されている。

さらに、制御部２７０は、図９に示されるように、検出部２６０によって検出された一次側圧力と、記憶部２６４に記憶された圧力関係とに基づいて、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力の規定範囲を制御する。なお、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力の規定範囲に対する制御については、後述する要部構成の作用と共に説明する。

（要部構成の作用）
図８に示す水素ガス供給システム２００では、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が０．６５〔ＭＰａ〕以下の場合に、補充部１３０の充填容器１２８に充填されている水素ガスが、連結管１４０及びガス供給管１１０を流れて水素ホルダ１２０へ送出される。さらに、検出部２６０は、充填容器１２８から送出される水素ガスの一次側圧力を検出する。

また、図９に示す制御部２７０は、検出部２６０によって検出された一次側圧力と記憶部２６４に記憶された圧力関係とに基づいて、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力の規定範囲を制御する。具体的には、制御部２７０は、検出部２６０によって検出された一次側圧力によって水素ホルダ１２０へ送出される水素ガスの二次側圧力を、記憶部２６４に記憶された圧力関係から取得する。

制御部２７０は、検出部２６０によって検出された水素ガスの圧力と記憶部２６４に記憶された圧力関係とから導出された二次側圧力が高い場合は、低い場合と比して、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスにおける圧力の規定範囲の下限値を高い値に設定する。規定範囲の下限値を高い値に設定することで、水素製造装置１０の負荷が上がる。例えば、規定範囲の下限値を０．６〔ＭＰａ〕から０．７〔ＭＰａ〕にする。ここで、規定範囲の下限値で、制御部２７０は、１００〔％〕の負荷で水素製造装置１０を運転させる。このため、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が同一の場合は、水素製造装置１０の負荷が上がる。つまり、制御部２７０は、補充部１３０の充填容器１２８から水素ホルダ１２０へ送出される水素ガスの圧力が高くなると、水素製造装置１０の負荷を上げる。

（まとめ）
以上説明したように、制御部２７０は、補充部１３０の充填容器１２８から水素ホルダ１２０へ送出される水素ガスの二次側圧力が高くなると、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力の規定範囲の下限値を高い値に設定する。換言すれば、制御部２７０は、補充部１３０の充填容器１２８から水素ホルダ１２０へ送出される水素ガスの圧力が高くなると、水素製造装置１０の負荷を上げる。このため、充填容器１２８から送出される水素ガスの二次側圧力が変動した場合であっても、水素製造装置１０の負荷が常に一定の場合と比して、水素製造装置１０によって製造され水素ガスを有効に使用することができる。

なお、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明は係る実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態をとることが可能であることは当業者にとって明らかである。例えば、上記実施形態では、水素ガス供給システム１００を例として、製品ガスを製造する製品ガス供給システムについて説明したが、製品ガスを製造する製品ガス供給システムであればよく、二酸化炭素等を製造する製品ガス供給システムであってもよい。

また、上記実施形態では、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が規定範囲の下限値から上限値に向かうに従って、水素製造装置１０の負荷を徐々に変化させたが、水素製造装置１０の負荷を段階的に変化させてもよい。

また、上記実施形態では、減圧弁１５０によって水素ガスが減圧される設定値については、０．６５〔ＭＰａ〕とされたが、減圧弁の設定値については、規定範囲の上限値よりも下限値に近い値とされればよく、他の値であってもよい。

また、上記実施形態では、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が、規定範囲の下限値に近い場合は、上限値に近い場合と比して、水素製造装置１０の負荷を上げた。しかし、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力に関わらず、水素製造装置１０の負荷が一定でもよい。この場合には、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力が、規定範囲の下限値に近い場合は、上限値に近い場合と比して、水素製造装置１０の負荷を上げることで奏する作用は奏しない。

また、上記第２実施形態では、充填容器１２８から水素ホルダ１２０へ送出される水素ガスの二次側圧力が高くなると、水素ホルダ１２０に貯留されている水素ガスの圧力の規定範囲の下限値を高い値に設定した。しかし、充填容器１２８から水素ホルダ１２０へ送出される水素ガスの二次側圧力が高くなると、規定範囲の全体を上げることで規定範囲の下限値を高い値に設定してもよい。

また、上記実施形態では、脱硫器６０は、常温脱硫方式の脱硫器であったが、例えば、水添脱硫方式の脱硫器であってもよい。さらに、脱硫器が無くてもよい。

また、上記実施形態では、検出装置５２は、燃料電池セルの電解質層を利用した検出装置であったが、例えば、薄膜円筒の共振周波数が周囲のガス密度により変化することを原理として用いた水素純度計や、光学的に水素の純度を測定するセンサ等、水素濃度が測定可能であれば何れの装置を用いてもよい。さらに、検出装置が無くてもよい。

１０ 水素製造装置（製品ガス製造装置の一例）
１００ 水素ガス供給システム（製品ガス供給システムの一例）
１１０ ガス供給管
１２０ 水素ホルダ（ガスホルダの一例）
１２８ 充填容器
１３０ 補充部
１４０ 連結管
１５０ 減圧弁
１７０ 制御部
２００ 水素ガス供給システム（製品ガス供給システムの一例）
２６０ 検出部
２６４ 記憶部
２７０ 制御部

Claims (4)

1. 原料ガスを改質して改質ガスを生成し、改質ガスを精製して製品ガスを製造する製品ガス製造装置と、
   前記製品ガス製造装置によって製造されて供給対象施設へ向かう製品ガスが流れるガス供給管と、
   前記ガス供給管に設けられ、決められた規定範囲の圧力で製品ガスを一旦貯留するガスホルダと、
   製品ガスが充填された充填容器を備える補充部と、
   前記補充部と、前記ガス供給管において前記ガスホルダに対して上流側の部分とを連結する連結管と、
   前記連結管の途中に設けられ、前記補充部の前記充填容器から前記ガスホルダへ流れる製品ガスの圧力を、前記規定範囲の上限値よりも下限値に近い設定値に減圧する減圧弁と、
   前記ガス供給管において前記ガスホルダに対してガス流れ方向の下流側に設けられ、前記ガスホルダから供給対象施設に向けて送出されたガスを減圧する他の減圧弁と、
   を備える製品ガス供給システム。
2. 原料ガスを改質して改質ガスを生成し、改質ガスを精製して製品ガスを製造する製品ガス製造装置と、
   前記製品ガス製造装置によって製造されて供給対象施設へ向かう製品ガスが流れるガス供給管と、
   前記ガス供給管に設けられ、決められた規定範囲の圧力で製品ガスを一旦貯留するガスホルダと、
   製品ガスが充填された充填容器を備える補充部と、
   前記補充部と、前記ガス供給管において前記ガスホルダに対して上流側の部分とを連結する連結管と、
   前記連結管の途中に設けられ、前記補充部の前記充填容器から前記ガスホルダへ流れる製品ガスの圧力を、前記規定範囲の上限値よりも下限値に近い設定値に減圧する減圧弁と、
   前記製品ガス製造装置を制御し、前記ガスホルダの製品ガスの圧力が、前記規定範囲の下限値に近い場合は、上限値に近い場合と比して、前記製品ガス製造装置の負荷を上げる制御部と、
   を備える製品ガス供給システム。
3. 前記製品ガス製造装置を制御し、前記ガスホルダの製品ガスの圧力が、前記規定範囲の下限値に近い場合は、上限値に近い場合と比して、前記製品ガス製造装置の負荷を上げる制御部を備える請求項１に記載の製品ガス供給システム。
4. 前記連結管において前記減圧弁の上流側の部分の製品ガスの圧力を検出する検出部と、
   前記連結管において前記減圧弁の上流側の部分を流れる製品ガスの圧力と前記減圧弁の下流側の部分を流れる製品ガスの圧力との圧力関係を記憶する記憶部と、を備え、
   前記制御部は、前記検出部によって検出された製品ガスの圧力と、前記記憶部に記憶された前記圧力関係とから導出された前記減圧弁の下流側の部分を流れる製品ガスの圧力が高い場合は、低い場合と比して、前記規定範囲の下限値を高い値に設定する請求項２又は請求項３に記載の製品ガス供給システム。