JP7352884B2 - 赤外線センサ及びフォノニック結晶体 - Google Patents
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Description
ベース基板;
赤外線受光部;及び
梁、
ここで、
前記梁は、前記ベース基板、及び/又は前記ベース基板上の部材と接続された接続部と、前記ベース基板から離間した離間部と、を有し、
前記赤外線受光部と前記梁とは、前記離間部において互いに接合されており、
前記赤外線受光部は、前記離間部を有する前記梁によって、前記ベース基板とは離間した状態で支持されており、
前記梁における、前記赤外線受光部との接合部と、前記接続部との間に位置する区間は、規則的に配列した複数の貫通孔により構成されるフォノニック結晶構造を有し、
前記フォノニック結晶構造は、フォノニック結晶領域である第1ドメイン及び第2ドメインを含み、
前記第1ドメインは、平面視において、第1方向に規則的に配列した前記複数の貫通孔から構成され、
前記第2ドメインは、平面視において、前記第1方向とは異なる第2方向に規則的に配列した前記複数の貫通孔から構成され、かつ、
前記赤外線受光部は、サーモパイル赤外線受光部、又はボロメータ赤外線受光部であり:
前記赤外線受光部がサーモパイル赤外線受光部である場合、
前記梁は、第1のゼーベック係数を有する第1の領域と、前記第1のゼーベック係数とは異なる第2のゼーベック係数を有する第2の領域と、前記第1の領域及び前記第2の領域が互いに接合した接合領域と、を有し、かつ、
前記赤外線受光部と、前記梁の前記接合領域とが互いに接合されており;
前記赤外線受光部がボロメータ赤外線受光部である場合、
前記赤外線センサは、さらに以下を具備する:
前記赤外線受光部に電気的に接続された第1の配線及び第2の配線;
前記第1の配線に電気的に接続された第1の信号処理回路;及び
前記第2の配線に電気的に接続された第2の信号処理回路。
絶縁体及び半導体において、熱は、主として、フォノンと呼ばれる格子振動によって運ばれる。絶縁体又は半導体から構成される材料の熱伝導率は、材料が有するフォノンの分散関係により決定される。フォノンの分散関係とは、周波数と波数との関係、又はバンド構造を意味している。絶縁体及び半導体において、熱を運ぶフォノンは、100GHzから10THzの幅広い周波数帯域に及ぶ。この周波数帯域は、熱の帯域である。材料の熱伝導率は、熱の帯域にあるフォノンの分散関係により定められる。
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する実施形態は、いずれも包括的、又は具体的な例を示すものである。以下の実施形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置、及び接続形態、プロセス条件、ステップ、ステップの順序等は一例であり、本開示を限定する主旨ではない。また、以下の実施形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。
実施形態1の赤外線センサが図1A及び図1Bに示される。図1Bには、図1Aの赤外線センサ1Aの断面1B-1Bが示される。図1A及び図1Bの赤外線センサ1Aは、サーモパイル赤外線センサである。赤外線センサ1Aは、ベース基板11、サーモパイル赤外線受光部12A、及び梁13を備える。また、赤外線センサ1Aは、第1の信号処理回路14A、第2の信号処理回路14B、第1の配線15A、及び第2の配線15Bを備える。信号処理回路14A,14B及び配線15A,15Bは、ベース基板11上に設けられている。
実施形態2の赤外線センサが図17A及び図17Bに示される。図17Bには、図17Aの赤外線センサ1Bの断面17B-17Bが示される。図17A及び図17Bの赤外線センサ1Bは、サーモパイル赤外線センサである。
実施形態3の赤外線センサが図18A及び図18Bに示される。図18Bには、図18Aの赤外線センサの断面18B-18Bが示される。図18A及び図18Bの赤外線センサ1Cは、サーモパイル赤外線センサである。
実施形態4の赤外線センサが図20に示される。図20の赤外線センサ1Dは、サーモパイル赤外線センサである。
実施形態5の赤外線センサが図21A及び図21Bに示される。図21Bには、図21Aの赤外線センサ1Eの断面21B-21Bが示される。図21A及び図21Bの赤外線センサ1Eは、ボロメータ赤外線センサである。赤外線センサ1Eは、ベース基板11、ボロメータ赤外線受光部12B、及び梁13を備える。また、赤外線センサ1Eは、第1の信号処理回路14A、第2の信号処理回路14B、第1の配線15A、及び第2の配線15Bを備える。信号処理回路14A,14Bは、ベース基板11上に設けられている。配線15A,15Bは、ベース基板11及び梁13上に設けられている。
実施形態6の赤外線センサが図22A及び図22Bに示される。図22Bには、図22Aの赤外線センサ1Fの断面22B-22Bが示される。図22A及び図22Bの赤外線センサ1Fは、ボロメータ赤外線センサである。
実施形態7の赤外線センサが図23A及び図23Bに示される。図23Bには、図23Aの赤外線センサ1Gの断面23B-23Bが示される。図23A及び図23Bの赤外線センサ1Gは、ボロメータ赤外線センサである。
本開示のフォノニック結晶体は、フォノニック結晶構造Aを有する。本開示のフォノニック結晶体は、規則的に配列した複数の貫通孔を有する膜状体である。膜状体の厚さは、典型的には、10nm以上500nm以下である。
11 ベース基板
12A (サーモパイル)赤外線受光部
12B (ボロメータ)赤外線受光部
13 梁
14 信号処理回路
14A 第1の信号処理回路
14B 第2の信号処理回路
15A 第1の配線
15B 第2の配線
16 上面
17 凹部
20 貫通孔
21A 第1ドメイン
21B 第2ドメイン
22 フォノニック多結晶構造
23A,23B 方位
25 界面
31A 第1の支柱
31B 第2の支柱
91,91A,91B 単位格子
92 領域
93 領域
121 抵抗変化層
122 赤外線吸収層
131 接続部
132 離間部
133 接合部
134,134A,134B 区間
201 領域
202 領域
301 第1の領域
302 第2の領域
303 接合領域
304 端部
305 端部
306 端部
307 端部
401 ベース基板
402 絶縁層
403 梁層
404 犠牲層
Claims (19)
- 赤外線センサであって、以下を具備する:
ベース基板;
赤外線受光部;及び
梁、
ここで、
前記梁は、前記ベース基板、及び/又は前記ベース基板上の部材と接続された接続部と、前記ベース基板から離間した離間部と、を有し、
前記赤外線受光部と前記梁とは、前記離間部において互いに接合されており、
前記赤外線受光部は、前記離間部を有する前記梁によって、前記ベース基板とは離間した状態で支持されており、
前記梁における、前記赤外線受光部との接合部と、前記接続部との間に位置する区間は、規則的に配列した複数の貫通孔により構成されるフォノニック結晶構造を有し、
前記フォノニック結晶構造は、フォノニック結晶領域である第1ドメイン及び第2ドメインを含み、
前記第1ドメインは、平面視において、第1方向に規則的に配列した前記複数の貫通孔から構成され、
前記第2ドメインは、平面視において、前記第1方向とは異なる第2方向に規則的に配列した前記複数の貫通孔から構成され、
前記第1ドメインと前記第2ドメインとの間には界面が存在し、かつ、
前記赤外線受光部は、サーモパイル赤外線受光部、又はボロメータ赤外線受光部であり:
前記赤外線受光部がサーモパイル赤外線受光部である場合、
前記梁は、第1のゼーベック係数を有する第1の領域と、前記第1のゼーベック係数とは異なる第2のゼーベック係数を有する第2の領域と、前記第1の領域及び前記第2の領域が互いに接合した接合領域と、を有し、かつ、
前記赤外線受光部と、前記梁の前記接合領域とが互いに接合されており;
前記赤外線受光部がボロメータ赤外線受光部である場合、
前記赤外線センサは、さらに以下を具備する:
前記赤外線受光部に電気的に接続された第1の配線及び第2の配線;
前記第1の配線に電気的に接続された第1の信号処理回路;及び
前記第2の配線に電気的に接続された第2の信号処理回路。 - 請求項1に記載の赤外線センサであって、
前記赤外線受光部はサーモパイル赤外線受光部であり、かつ、
前記梁は単層である。 - 請求項1に記載の赤外線センサであって、
前記赤外線受光部はサーモパイル赤外線受光部であり、
前記梁は、基層と、前記基層上に配置された熱電対層と、を備え、かつ、
前記熱電対層は、前記第1の領域、前記第2の領域、及び前記接合領域を有する。 - 請求項1に記載の赤外線センサであって、
前記赤外線受光部はサーモパイル赤外線受光部であり、かつ、
前記赤外線センサは、さらに以下を具備する:
前記第1の領域に電気的に接続された第1の配線;
前記第2の領域に電気的に接続された第2の配線;
前記第1の配線に電気的に接続された第1の信号処理回路;及び
前記第2の配線に電気的に接続された第2の信号処理回路。 - 請求項1に記載の赤外線センサであって、
前記赤外線受光部はボロメータ赤外線受光部であり、
前記第1の配線及び前記第2の配線は、それぞれ、前記赤外線受光部との接続部から前記第1の信号処理回路、又は前記第2の信号処理回路に至るまでの間に、前記ベース基板から離間した区間を有し、かつ、
前記第1の配線及び/又は前記第2の配線における前記離間した区間は、前記フォノニック結晶構造を有する。 - 請求項1に記載の赤外線センサであって、
前記赤外線受光部はボロメータ赤外線受光部であり、
前記第1の配線及び前記第2の配線は、それぞれ、前記赤外線受光部との接続部から前記第1の信号処理回路、又は前記第2の信号処理回路に至るまでの間に、前記ベース基板から離間した区間を有し、かつ、
前記第1の配線及び/又は前記第2の配線における前記離間した区間は、前記梁の表面に接している。 - 請求項6に記載の赤外線センサであって、
前記第1の配線及び/又は前記第2の配線における前記離間した区間は、前記フォノニック結晶構造を有し、かつ、
前記梁及び前記第1の配線、並びに/又は、前記梁及び前記第2の配線が有する各々の前記フォノニック結晶構造は、互いに共通する前記複数の貫通孔から構成される。 - 請求項1~7のいずれかに記載の赤外線センサであって、
前記梁は、双方の端部に前記接続部を有し、かつ、
前記赤外線受光部と前記梁とは、前記梁の前記双方の端部の間において互いに接合されている。 - 請求項1~7のいずれかに記載の赤外線センサであって、
前記梁は、一方の端部に前記接続部を有し、かつ、
前記赤外線受光部と前記梁とは、前記梁の他方の端部において互いに接合されている。 - 請求項1~9のいずれかに記載の赤外線センサであって、
前記ベース基板が凹部を有し、
前記凹部は、前記赤外線受光部、及び前記梁と、前記ベース基板との間に位置しており、かつ、
断面視において、前記赤外線受光部、及び前記梁が、前記ベース基板の前記凹部上に懸架されている。 - 請求項1~9のいずれかに記載の赤外線センサであって、
前記赤外線センサは、前記ベース基板上に配置された、前記ベース基板の上面から離れる方向に延びる支柱をさらに具備し、
ここで、
前記梁は、前記接続部において前記支柱に接続されており、かつ、
断面視において、前記赤外線受光部、及び前記梁が、前記支柱によって前記ベース基板の上部で懸架されている。 - 請求項1~11のいずれかに記載の赤外線センサであって、
前記第1ドメインにおける前記複数の貫通孔の配列の周期と、
前記第2ドメインにおける前記複数の貫通孔の配列の周期と、が等しい。 - 請求項1~12のいずれかに記載の赤外線センサであって、
前記第1ドメインにおいて規則的に配列した前記複数の貫通孔の径と、
前記第2ドメインにおいて規則的に配列した前記複数の貫通孔の径と、が等しい。 - 請求項1~13のいずれかに記載の赤外線センサであって、
前記第1ドメインにおいて規則的に配列した前記複数の貫通孔により構成される単位格子の種類と、
前記第2ドメインにおいて規則的に配列した前記複数の貫通孔により構成される単位格子の種類と、が等しい。 - 請求項1~14のいずれかに記載の赤外線センサであって、
平面視において、前記第1ドメインの形状と、前記第2ドメインの形状とが異なる。 - 請求項1~15のいずれかに記載の赤外線センサであって、
平面視において、隣接する前記第1ドメインと前記第2ドメインとの前記界面が、前記区間における前記梁の幅方向から傾いた方向に延びている。 - 請求項1~16のいずれかに記載の赤外線センサであって、
平面視において、隣接する前記第1ドメインと前記第2ドメインとの前記界面が、屈曲部を有している。 - 請求項1~17のいずれかに記載の赤外線センサであって、
前記フォノニック結晶構造は、前記梁の辺に接していない前記第1ドメイン及び/又は前記第2ドメインを有する。 - フォノニック結晶構造を有するフォノニック結晶体であって、
前記フォノニック結晶体は、フォノニック結晶領域である第1ドメイン及び第2ドメインを含み、
第1ドメインは、平面視において、第1方向に規則的に配列した複数の貫通孔から構成され、
第2ドメインは、平面視において、第1方向とは異なる第2方向に規則的に配列した複数の貫通孔から構成され、かつ、
前記第1ドメインと前記第2ドメインとの間には界面が存在する。
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