JP7351775B2 - 給電光伝送用光ファイバーケーブル及び光ファイバー給電システム - Google Patents

給電光伝送用光ファイバーケーブル及び光ファイバー給電システム Download PDF

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Description

本開示は、光給電に関する。
近時、電力を光(給電光と呼ばれる)に変換して伝送し、当該給電光を電気エネルギーに変換して電力として利用する光給電システムが研究されている。
特許文献1には、電気信号で変調された信号光、及び電力を供給するための給電光を発信する光発信機と、上記信号光を伝送するコア、上記コアの周囲に形成され上記コアより屈折率が小さく上記給電光を伝送する第1クラッド、及び上記第1クラッドの周囲に形成され上記第1クラッドより屈折率が小さい第2クラッド、を有する光ファイバーと、上記光ファイバーの第1クラッドで伝送された上記給電光を変換した電力で動作し、上記光ファイバーのコアで伝送された上記信号光を上記電気信号に変換する光受信機と、を備えた光通信装置が記載されている。
特開2010-135989号公報
光給電においては、より高エネルギーの光伝送が行われるようになることが見込まれる。
給電光を高エネルギーのレーザー光としている場合に、給電光を伝送する光ファイバーに断線等の破損が生じると、損傷個所より高エネルギーのレーザー光が漏れ、シース(被覆)が破壊され、光ケーブル外への当該レーザー光の漏れが発生するおそれがある。
高エネルギーのレーザー光を外部に漏洩させないために、シース(被覆)を破壊させない必要がある。
また、高エネルギーの光伝送を行うために紫外線域の給電光を適用している場合には、光ファイバーの損傷による漏洩箇所を目視発見することが難しい。漏洩損失により光ファイバーの損傷の疑いが検出できても、損傷箇所を特定することが難しい。
本開示の1つの態様の給電光伝送用光ファイバーケーブルは、給電光の伝送路を有する光ファイバーと、前記光ファイバーの外周に位置するケーブルシースと、を備え、前記ケーブルシースは、前記給電光を受光したとき蛍光発光し、当該蛍光の少なくとも一部を外部に放射する
本開示の1つの態様の給電光伝送用光ファイバーケーブルによれば、光ファイバーの損傷により高エネルギーの給電光が光ファイバー外に漏れても、蛍光発光により波長拡散されエネルギーの損失、分散が生じるから、ケーブルシースの破壊を防ぎ、ケーブル外への高エネルギー光の漏洩を防止することができる。
本開示の第1実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図である。 本開示の第2実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図である。 本開示の第2実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図であって、光コネクタ等を図示したものある。 本開示の他の一実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図である。 一実施形態に係る給電光伝送用光ファイバーケーブルの断面図である。 一実施形態に係る給電光伝送用光ファイバーケーブルの断面図である。 給電光のスペクトルと、蛍光体で変換された放射光のスペクトルを示すグラフである。 他の一実施形態に係る給電光伝送用光ファイバーケーブルの断面図である。 他の一実施形態に係る給電光伝送用光ファイバーケーブルの断面図である。
以下に本開示の一実施形態につき図面を参照して説明する。
(1)システム概要
〔第1実施形態〕
図1に示すように本実施形態の光ファイバー給電(PoF:Power over Fiber)システム1Aは、給電装置(PSE:Power Sourcing Equipment)110と、光ファイバーケーブル200Aと、受電装置(PD:Powered Device)310を備える。
なお、本開示における給電装置は電力を光エネルギーに変換して供給する装置であり、受電装置は光エネルギーの供給を受け当該光エネルギーを電力に変換する装置である。
給電装置110は、給電用半導体レーザー111を含む。
光ファイバーケーブル200Aは、給電光の伝送路を形成する光ファイバー250Aを含む。
受電装置310は、光電変換素子311を含む。
給電装置110は電源に接続され、給電用半導体レーザー111等が電気駆動される。
給電用半導体レーザー111は、上記電源からの電力によりレーザー発振して給電光112を出力する。
光ファイバーケーブル200Aは、一端201Aが給電装置110に接続可能とされ、他端202Aが受電装置310に接続可能とされ、給電光112を伝送する。
給電装置110からの給電光112が、光ファイバーケーブル200Aの一端201Aに入力され、給電光112は光ファイバー250A中を伝搬し、他端202Aから受電装置310に出力される。
光電変換素子311は、光ファイバーケーブル200Aを通して伝送されてきた給電光112を電力に変換する。光電変換素子311により変換された電力が、受電装置310内で必要な駆動電力とされる。さらに受電装置310は光電変換素子311により変換された電力を外部機器用に出力可能とされる。
給電用半導体レーザー111及び光電変換素子311の光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料が500nm以下の短波長のレーザー波長をもった半導体とされる。
短波長のレーザー波長をもった半導体は、バンドギャップが大きく光電変換効率が高いので、光給電の発電側及び受電側における光電変換効率が向上され、光給電効率が向上する。
そのためには、同半導体材料として、例えば、ダイヤモンド、酸化ガリウム、窒化アルミニウム、GaN等、レーザー波長(基本波)が200~500nmのレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。
また、同半導体材料として、2.4eV以上のバンドギャップを有した半導体が適用される。
例えば、ダイヤモンド、酸化ガリウム、窒化アルミニウム、GaN等、バンドギャップ2.4~6.2eVのレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。
なお、レーザー光は長波長ほど伝送効率が良く、短波長ほど光電変換効率が良い傾向にある。したがって、長距離伝送の場合には、レーザー波長(基本波)が500nmより大きいレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。また、光電変換効率を優先する場合には、レーザー波長(基本波)が200nmより小さいレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。
これらの半導体材料は、給電用半導体レーザー111及び光電変換素子311のいずれか一方に適用してもよい。給電側又は受電側における光電変換効率が向上され、光給電効率が向上する。
〔第2実施形態〕
図2に示すように本実施形態の光ファイバー給電(PoF:Power over Fiber)システム1は、光ファイバーを介した給電システムと光通信システムとを含むものであり、給電装置(PSE:Power Sourcing Equipment)110を含む第1のデータ通信装置100と、光ファイバーケーブル200と、受電装置(PD:Powered Device)310を含む第2のデータ通信装置300とを備える。
給電装置110は、給電用半導体レーザー111を含む。第1のデータ通信装置100は、給電装置110のほか、データ通信を行う発信部120と、受信部130とを含む。第1のデータ通信装置100は、データ端末装置(DTE(Date Terminal Equipment))、中継器(Repeater)等に相当する。発信部120は、信号用半導体レーザー121と、モジュレーター122とを含む。受信部130は、信号用フォトダイオード131を含む。
光ファイバーケーブル200は、信号光の伝送路を形成するコア210と、コア210の外周に配置され、給電光の伝送路を形成するクラッド220と有する光ファイバー250を含む。
受電装置310は、光電変換素子311を含む。第2のデータ通信装置300は、受電装置310のほか、発信部320と、受信部330と、データ処理ユニット340とを含む。第2のデータ通信装置300は、パワーエンドステーション(Power End Station)
等に相当する。発信部320は、信号用半導体レーザー321と、モジュレーター322とを含む。受信部330は、信号用フォトダイオード331を含む。データ処理ユニット340は、受信した信号を処理するユニットである。また、第2のデータ通信装置300は、通信ネットワークにおけるノードである。または第2のデータ通信装置300は、他のノードと通信するノードでもよい。
第1のデータ通信装置100は電源に接続され、給電用半導体レーザー111、信号用半導体レーザー121と、モジュレーター122、信号用フォトダイオード131等が電気駆動される。また、第1のデータ通信装置100は、通信ネットワークにおけるノードである。または第1のデータ通信装置100は、他のノードと通信するノードでもよい。
給電用半導体レーザー111は、上記電源からの電力によりレーザー発振して給電光112を出力する。
光電変換素子311は、光ファイバーケーブル200を通して伝送されてきた給電光112を電力に変換する。光電変換素子311により変換された電力は、発信部320、受信部330及びデータ処理ユニット340の駆動電力、その他の第2のデータ通信装置300内で必要となる駆動電力とされる。さらに第2のデータ通信装置300は、光電変換素子311により変換された電力を外部機器用に出力可能とされていてもよい。
一方、発信部120のモジュレーター122は、信号用半導体レーザー121からのレーザー光123を送信データ124に基づき変調して信号光125として出力する。
受信部330の信号用フォトダイオード331は、光ファイバーケーブル200を通して伝送されてきた信号光125を電気信号に復調し、データ処理ユニット340に出力する。データ処理ユニット340は、当該電気信号によるデータをノードに送信し、その一方で当該ノードからデータを受信し、送信データ324としてモジュレーター322に出力する。
発信部320のモジュレーター322は、信号用半導体レーザー321からのレーザー光323を送信データ324に基づき変調して信号光325として出力する。
受信部130の信号用フォトダイオード131は、光ファイバーケーブル200を通して伝送されてきた信号光325を電気信号に復調し出力する。当該電気信号によるデータがノードに送信され、その一方で当該ノードからデータが送信データ124とされる。
第1のデータ通信装置100からの給電光112及び信号光125が、光ファイバーケーブル200の一端201に入力され、給電光112はクラッド220を伝搬し、信号光125はコア210を伝搬し、他端202から第2のデータ通信装置300に出力される。
第2のデータ通信装置300からの信号光325が、光ファイバーケーブル200の他端202に入力され、コア210を伝搬し、一端201から第1のデータ通信装置100に出力される。
なお、図3に示すように第1のデータ通信装置100に光入出力部140とこれに付設された光コネクタ141が設けられる。また、第2のデータ通信装置300に光入出力部350とこれに付設された光コネクタ351が設けられる。光ファイバーケーブル200の一端201に設けられた光コネクタ230が光コネクタ141に接続する。光ファイバーケーブル200の他端202に設けられた光コネクタ240が光コネクタ351に接続する。光入出力部140は、給電光112をクラッド220に導光し、信号光125をコア210に導光し、信号光325を受信部130に導光する。光入出力部350は、給電光112を受電装置310に導光し、信号光125を受信部330に導光し、信号光325をコア210に導光する。
以上のように、光ファイバーケーブル200は、一端201が第1のデータ通信装置100に接続可能とされ、他端202が第2のデータ通信装置300に接続可能とされ、給電光112を伝送する。さらに本実施形態では、光ファイバーケーブル200は、信号光125,325を双方向伝送する。
給電用半導体レーザー111及び光電変換素子311の光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料としては上記第1実施形態と同様のものが適用され、高い光給電効率が実現される。
なお、図4に示す光ファイバー給電システム1Bの光ファイバーケーブル200Bように、信号光を伝送する光ファイバー260と、給電光を伝送する光ファイバー270とを別々に設けてもよい。光ファイバーケーブル200Bも複数本で構成してもよい。
(2)蛍光体を有する給電光伝送用光ファイバーケーブルについて
以上の光ファイバー給電システム1Aにおける光ファイバーケーブル200A、光ファイバー給電システム1における光ファイバーケーブル200、又は光ファイバー給電システム1Bにおける光ファイバーケーブル200Bとして、図5に示すような外周部に蛍光体層20Cを有する給電光伝送用光ファイバーケーブル200Cを適用する。図5には、給電光112の伝送路がコア20aであり、クラッド20bに囲まれている構造を図示する。給電光の伝送路を図2の場合のクラッド220としても同様に実施することができる。
図5に示すように給電光伝送用光ファイバーケーブル200Cは、コア20aと、コア20aに接しコア20aの外周に位置するクラッド20bとからなる光ファイバー250Cを備える。光ファイバー250Cは、給電光112の伝送路としてコア20aを有する。
さらに給電光伝送用光ファイバーケーブル200Cは、光ファイバー250Cの外周に位置し、給電光112に対する遮光性を有したケーブルシース20dと、光ファイバー250Cとケーブルシース20dとの間に位置し、給電光112を受光したとき蛍光発光する蛍光体層20cとを備える。
図6に示すように光ファイバー250Cに亀裂21aが入ったとする。
さらに一部の給電光112aが亀裂21aから漏れたとする。
給電光112aはケーブル200C外に漏れる前に、まず、蛍光体層20cに到達する。
このとき、蛍光体層20cは、給電光112aを受光して蛍光21bを発光する。
図7は、給電光112のスペクトルと、蛍光体(20c)で変換された放射光112Tのスペクトルを示す。
給電光112としては紫外線が適用されている。放射光112Tには、給電光112に含まれていなかった波長域として蛍光21bが含まれている。蛍光21bは可視光線である。また、可視光線である蛍光21bは、可視光域において給電光112より広帯域に広がっている。例えば、蛍光21bは白色光である。
給電光112と同じ波長成分は、蛍光体層20cによる波長拡散により、放射光112Tにおいては低レベルとなっている。
以上のように、給電光112のエネルギーは、広い波長域に拡散される。
これにより、 ケーブルシース20dへの破壊エネルギーが小さくなり、ケーブルシース20dの破壊を防ぐことができる。
ケーブルシース20dが破壊されないので、給電光112がケーブル200C外に漏れることなく、2次的な事故を防止できる。
ケーブルシース20dとしては、蛍光21bの少なくとも一部を透過させる性質を有するものを適用してもよい。ケーブルシース20dの構成材料として、蛍光21bの波長域(可視光域)で光透過率を有する材料を適用し、蛍光21bの少なくとも一部の可視光線を透過させ、ケーブル200C外へ発光させる。
このような構成によれば、ケーブル200C外から蛍光21bの発光を目視により観察することができる。
したがって、 光ファイバー250Cの損傷個所を特定することができ、迅速に対応することができる。
例えば、給電光112aの漏洩損失により光ファイバー250Cの損傷の疑いを検出し、報知するシステムを同時に実施する。当該報知を契機に給電光伝送用光ファイバーケーブル200Cを外観検査することで、蛍光漏れの位置により光ファイバー250Cの損傷個所を特定することができる。
以上の給電光伝送用光ファイバーケーブル200Cを、給電装置110から受電装置310までの全区間又は一部区間の光ファイバーケーブルとして適用する。全区間に給電光伝送用光ファイバーケーブル200Cを適用することで、全区間において以上の作用効果が得られる。一方、光ファイバーの損傷の発生が予測される区間などの一部区間に限定して給電光伝送用光ファイバーケーブル200Cを適用してもよい。
他の構成として、図8に示す給電光伝送用光ファイバーケーブル200Dを実施することができる。
給電光伝送用光ファイバーケーブル200Dにあっては、ケーブルシース20eが蛍光発光する性質を有する。ケーブルシース20eと光ファイバー250Cとの間には蛍光体層を有さず、ケーブルシース20eに蛍光体が含まれている。
図8に示すように給電光伝送用光ファイバーケーブル200Dは、給電光112の伝送路を有する光ファイバー250Cと、光ファイバー250Cの外周に位置するケーブルシース20eとを備える。
図9に示すようにケーブルシース20eは、給電光112aを受光したとき蛍光20bを発光し、当該蛍光20bの少なくとも一部の可視光線を外部に放射する。
ケーブルシース20eに含まれる蛍光体により蛍光20bが発光するが、その一部は、ケーブル200D外に放射される。その他は、上記ケーブル200Cと同様に実施する。
したがって、給電光伝送用光ファイバーケーブル200Dによれば、図5及び図6に示したケーブル200Cと同様に、光ファイバー250Cに損傷があっても給電光112aによるケーブルシース20dの破壊を防ぐことができ、蛍光漏れの位置により光ファイバー250Cの損傷個所を特定することができる。
以上の実施形態の給電光伝送用光ファイバーケーブル200C,200Dによれば、光ファイバー250Cの損傷により高エネルギーの給電光112aが光ファイバー250C外に漏れても、蛍光発光により波長拡散されエネルギーの損失、分散が生じるから、ケーブルシースの破壊を防ぎ、ケーブル外への高エネルギー光の漏洩を防止することができる。
また、光ファイバー250Cに損傷がない場合であって、光ファイバー250Cの許容曲げR(材質、ファイバー径等により指定される)を超えて 光ファイバー250Cが曲げられた場合、給電光112aが光ファイバー250Cより外部に漏れ出す。これは、ファイバー形状が曲げられたことで、全反射出来ない角度となり漏れ出すことによる。
しかしながら、以上の実施形態の給電光伝送用光ファイバーケーブル200C,200Dによれば、光ファイバー250Cの許容範囲外の変形により高エネルギーの給電光112aが光ファイバー250C外に漏れても、蛍光発光により波長拡散されエネルギーの損失、分散が生じるから、ケーブルシースの破壊を防ぎ、ケーブル外への高エネルギー光の漏洩を防止することができる。
また、ケーブル外への蛍光漏れの位置により光ファイバー250Cの許容範囲外の変形個所を特定することができ、許容範囲外の変形箇所を許容範囲内に戻して蛍光漏れが解消すれば、施工を完了することができる。
以上本開示の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として示したものであり、この他の様々な形態で実施が可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の省略、置き換え、変更を行うことができる。
以上の実施形態では、蛍光の一部がケーブル外に漏れるようにした漏洩個所表示機能を実施したが、ケーブルの破壊を防止する機能のみを実施してもよい。
1A 光ファイバー給電システム
1 光ファイバー給電システム
1B 光ファイバー給電システム
100 第1のデータ通信装置
110 給電装置
111 給電用半導体レーザー
112 給電光
120 発信部
125 信号光
130 受信部
140 光入出力部
141 光コネクタ
200A 光ファイバーケーブル
200 光ファイバーケーブル
200B 光ファイバーケーブル
200C 給電光伝送用光ファイバーケーブル
200D 給電光伝送用光ファイバーケーブル
210 コア
220 クラッド
250A 光ファイバー
250C 光ファイバー
250 光ファイバー
260 光ファイバー
270 光ファイバー
300 第2のデータ通信装置
310 受電装置
311 光電変換素子
320 発信部
325 信号光
330 受信部
350 光入出力部
351 光コネクタ

Claims (5)

  1. 給電光の伝送路を有する光ファイバーと、
    前記光ファイバーの外周に位置するケーブルシースと、を備え、
    前記ケーブルシースは、前記給電光を受光したとき蛍光発光し、当該蛍光の少なくとも一部を外部に放射する給電光伝送用光ファイバーケーブル。
  2. 前記給電光が紫外線で、前記蛍光が前記給電光より広帯域、かつ、可視光線である請求項1記載の給電光伝送用光ファイバーケーブル。
  3. 電力によりレーザー発振して給電光を出力する半導体レーザーを含む給電装置と、
    当該給電装置による給電光を電力に変換する光電変換素子を含む受電装置と、
    一端が前記給電装置に接続可能とされ、他端が前記受電装置に接続可能とされ、前記給電光を伝送する光ファイバーケーブルと、を備えた光ファイバー給電システムであって、
    前記給電装置から前記受電装置までの全区間又は一部区間の光ファイバーケーブルとして請求項1又は2に記載の給電光伝送用光ファイバーケーブルが適用された光ファイバー給電システム。
  4. 前記半導体レーザーの光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料が、レーザー波長500nm以下のレーザー媒体とされた請求項に記載の光ファイバー給電システム。
  5. 前記光電変換素子の光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料が、レーザー波長500nm以下のレーザー媒体とされた請求項又は請求項に記載の光ファイバー給電システム。
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