JP7346434B2 - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents
固体撮像装置及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7346434B2 JP7346434B2 JP2020550008A JP2020550008A JP7346434B2 JP 7346434 B2 JP7346434 B2 JP 7346434B2 JP 2020550008 A JP2020550008 A JP 2020550008A JP 2020550008 A JP2020550008 A JP 2020550008A JP 7346434 B2 JP7346434 B2 JP 7346434B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- solid
- state imaging
- imaging device
- fixed charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 196
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 99
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 48
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 158
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 87
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 79
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 64
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 38
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 17
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 17
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 13
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
本開示は、光学混色の低減等の特性をさらに向上させた固体撮像装置及び電子機器を提供することを目的とする。
本開示の電子機器は、(a)基板、基板に形成された複数の光電変換部、隣接する光電変換部の間に設けられた溝部、及び、溝部の側壁面及び底面並びに基板の受光面側を被覆し、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、タンタル及びチタンの少なくとも1つを含む固定電荷膜とを備える固体撮像装置と、(b)被写体からの像光を固体撮像装置の撮像面上に結像させる光学レンズと、(c)固体撮像装置から出力される信号に信号処理を行う信号処理回路とを備え、(d)溝部の開口端の少なくとも一部は、固定電荷膜によって、溝部の内部に空隙を残して閉塞されている。
特許文献1に記載の裏面照射型の固体撮像装置では、基板の屈折率(例えば、シリコン(Si)である場合には3.9)と、絶縁膜の屈折率(例えば、酸化シリコン(SiO2)である場合には1.4)との差が小さいため、隣接する光電変換部間の溝部で十分な反射特性が得られず、光が溝部を透過して、光学混色を生じる可能性があった。なお、基板と絶縁膜との間の固定電荷膜は、膜厚が極めて薄い場合には、反射特性に与える影響が小さい。
1-1 固体撮像装置の全体の構成
1-2 要部の構成
1-3 固体撮像装置の製造方法
1-4 変形例
2.第2の実施形態:固体撮像装置
2-1 要部の構成
2-2 固体撮像装置の製造方法
2-3 変形例
3.第3の実施形態:電子機器
[1-1 固体撮像装置の全体の構成]
図1は、本開示の第1の実施形態に係る固体撮像装置の全体を示す概略構成図である。図1の固体撮像装置1は、裏面照射型のCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサである。図26に示すように、固体撮像装置1(101)は、光学レンズ102を介して、被写体からの像光(入射光106)を取り込み、撮像面上に結像された入射光106の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。
図1に示すように、第1の実施形態の固体撮像装置1は、基板2と、画素領域3と、垂直駆動回路4と、カラム信号処理回路5と、水平駆動回路6と、出力回路7と、制御回路8とを備えている。
水平駆動回路6は、例えば、シフトレジスタによって構成され、水平走査パルスをカラム信号処理回路5に順次出して、カラム信号処理回路5の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路5の各々から、信号処理が行われた画素信号を水平信号線12に出力させる。
制御回路8は、垂直同期信号、水平同期信号、及びマスタクロック信号に基づいて、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5、及び水平駆動回路6等の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、制御回路8は、生成したクロック信号や制御信号を、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5、及び水平駆動回路6等に出力する。
次に、図1の固体撮像装置1の詳細構造について説明する。図2は、第1の実施形態の固体撮像装置1の画素領域3等の断面構成を示す図である。図2では、固体撮像装置1として、裏面照射型のCMOSイメージセンサ(CMOS型固体撮像装置)を用いている。
また、溝部30の深さは、例えば、画素トランジスタが形成されるp-ウェル層33に達する深さ以上、フローティングディフュージョン部34やソース・ドレイン領域に達する深さ未満とするのが好ましい。例えば、フローティングディフュージョン部34やソース・ドレイン領域の深さが1μm未満の場合、0.25~5.0μm程度の深さとする。
また、第1の固定電荷膜13の成膜方法としては、例えば、原子層蒸着法(以下、「ALD(Atomic Layer Deposition)法」とも呼ぶ)、化学気相成長法(以下、「CVD(Chemical Vapor Deposition)法」とも呼ぶ)を用いることができる。特に、高アスペクト比の溝部30に均一な成膜を行うことを考慮すると、ALD法を採用するのがより好ましい。
また、第1の実施形態では、溝部30内に側壁面及び底面が第1の固定電荷膜13で囲まれた溝状の空隙35が形成されるため、隣接する光電変換部24が電気的により確実に分離される。
より具体的には、図4に示すように、第2の固定電荷膜14の一部は、溝部30内に入り込み溝部30の開口端側の側壁面も被覆している。溝部30の開口端側の側壁面を被覆している第2の固定電荷膜14の膜厚は、溝部30の開口端側のほうが奥側(底面側)よりも厚くなっている。これにより、第2の固定電荷膜14が、開口端の幅方向中心から溝部30の内壁面方向に張り出した形状となっており、溝部30の開口端が、第2の固定電荷膜14で閉じられている。また、第2の固定電荷膜14の裏面S5側(受光面側)の面には、溝部30に沿って延伸されて、格子状に形成された凹部14aが設けられている。
また、第2の固定電荷膜14の成膜方法としては、例えば、物理気相成長法(以下「PVD(Physical Vapor Deposition)法」とも呼ぶ)、CVD法を用いることができる。特に、溝部30内にハフニウム酸化物等を入り込み難くし、溝部30の開口端を塞ぐことを考慮すると、側壁面や底面のカバレッジが悪い、PVD法を採用するのがより好ましい。
平坦化膜17は、遮光膜16を含む絶縁膜15の裏面S6側全体(受光面側全体)を連続的に被覆している。これにより、受光層18の裏面S1は、凹凸がない平坦面とされている。平坦化膜17の材料としては、例えば、樹脂等の有機材料を用いることができる。
オンチップレンズ20は、カラーフィルタ層19の裏面S7側(受光面側)に、各画素9に対応して形成されている。オンチップレンズ20は、照射光を集光し、集光した光を、カラーフィルタ層19を介して基板2内の光電変換部24に効率よく入射させる。
支持基板23は、配線層22の基板2に面する側とは反対側の面に形成されている。支持基板23は、固体撮像装置1の製造段階において、基板2の強度を確保するための基板である。支持基板23の材料としては、例えば、シリコン(Si)を採用できる。
次に、第1の実施形態の固体撮像装置1の製造方法について説明する。図5A、図5B図5C、図5D及び図5Eは、第1の実施形態の固体撮像装置1の製造工程を示す断面図である。
まず、図5Aに示すように、基板2に、光電変換部24、画素トランジスタ及び画素分離層28を形成した後、基板2の表面S2に層間絶縁膜36と配線37とを交互に形成して配線層22を形成する。基板2に形成される光電変換部24等の不純物領域は、基板2に対し、所望の不純物を基板2の表面S2側からイオン注入することで形成する。
なお、溝部30を形成する工程は、他の基板貫通工程と共通化することが可能である。このように、他の基板貫通工程と共通化した場合、工程数の削減を図ることができる。
また、各画素9の光電変換部24が、溝部30内に空隙35が形成された素子分離部29によって分離されている。それゆえ、光電変換部24に蓄積された信号電荷の隣接する光電変換部24側への漏れを抑制できる。そのため、光電変換部24で飽和電荷量以上の信号電荷が生成された場合に、効率的にフローティングディフュージョン部34側へ掃き出させることが可能となる。これにより、ブルーミングの発生を抑制することができる。
(1)第1の実施形態の変形例に係る固体撮像装置1として、交差部32において、互いに交差する溝部30の側壁面で形成されている角部43a、43b、43c、44dの配置・形状等を調整した例を説明する。図6は変形例に係る基板2の平面レイアウトを示す図である。図6において、図2に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
これに対し、変形例に係る固体撮像装置1では、距離d1、d2を幅d0の2.5倍以下とすること、及び距離d1、d2を250nm以下とすることの少なくとも何れかを行うようにした。それゆえ、第2の固定電荷膜14を低背化でき、光学混色を抑制できる。また、画素9の開口面積と光電変換部24の体積とを増大でき、感度を向上できる。
なお、変形例に係る固体撮像装置1は、例えば、図14A、図14B、図14C、図14Dに示すように、正方形画素構造、2重画素構造、4重画素構造、長方形画素構造の画素9に用いることができる。4重画素構造の画素9に用いる場合には、4重画素構造の中心の交差部32にも用いることができる。
図5Bに示すように、基板2、配線層22及び支持基板23の積層体を形成した後、図15A、図15Bに示すように、基板2の裏面S3側に、TEOS層45とBARC層46とフォトレジスト層47とをこの順に積層する。続いて、互いに直行する溝部30の延伸方向(以下、「X方向」、「Y方向」とも呼ぶ)のうちの、Y方向に沿って延伸する溝部30に対応する箇所に開口部を有するマスクを介してフォトレジスト層47に露光・現像を行う。これにより、図15C、図15Dに示すように、フォトレジスト層47に対して、Y方向に延伸する溝部30に対応した開口部を有するレジストパターン48を形成する。続いて、レジストパターン48を介して、BARC層46とTEOS層45とにエッチングを行った後、フォトレジスト層47とBARC層46とを除去することで、図15E、図15Fに示すように、Y方向に沿って延伸する溝部30に対応する箇所に開口部を有するハードマスク49を形成する。
続いて、形成したハードマスク54を介して、基板2をエッチングし、図15M、図15Nに示すように、X方向及びY方向の両方向に延伸する溝部30を基板2に形成する。これにより、角部43a、43b、43c、43dが丸まっていない交差部32が形成される。
図15Aに示すように、基板2の裏面S3側に、TEOS層45とBARC層46とフォトレジスト層47とをこの順に積層した後、Y方向に沿って延伸する溝部30に対応する箇所に開口部を有するマスクを介してフォトレジスト層47に露光・現像を行う。マスクとしては、交差部32の中央位置に対応する箇所の幅を狭めた開口部を有するものを用いる。これにより、図17A、図17Bに示すように、フォトレジスト層47に対して、Y方向に沿って延伸する溝部30に対応する箇所に設けられ、且つ交差部32の中央位置に対応する箇所の幅が狭められた開口部を有するレジストパターン48を形成する。続いて、レジストパターン48を介して、BARC層46とTEOS層45とにエッチングを行った後、フォトレジスト層47とBARC層46とを除去することで、図17C、図17Dに示すように、Y方向に沿って延伸する溝部30に対応する箇所に開口部が設けられ、その開口部における、交差部32の中央位置に対応する箇所の幅が狭められたハードマスク49を形成した。
続いて、形成したハードマスク54を介して、図17I、図17Jに示すように、基板2をエッチングし、X方向及びY方向の両方向に延伸する溝部30を基板2に形成した。これにより、角部43a、43b、43c、43dに凸部44を有する交差部32が形成される。図17I、図17Jでは、頂点が突出した二等辺三角形状の凸部44を一例として示している。
なお、第2の固定電荷膜14によって閉塞されていない開口端39でも、図19に示すように、第2の固定電荷膜14の一部は溝部30内に入り込み溝部30の開口端側の側壁面40も被覆している。そして、溝部30の開口端39側の側壁面40を被覆している第2の固定電荷膜14の膜厚も、溝部30の開口端39側のほうが奥側(底面側)よりも厚くなっている。これにより、第2の固定電荷膜14が、開口端39の幅方向中心の開口部から溝部30の内壁面方向に張り出した形状となっており、溝部30の開口端39が、第2の固定電荷膜14で狭められている。そして、第2の固定電荷膜14で狭められている開口端39は、絶縁膜15によって溝部30の内部に空隙35を残して閉塞されている。
これに対し、変形例に係る固体撮像装置1では、溝部30同士が交差する複数の交差部32の開口端39のうちの、少なくとも一部の交差部32の開口端39は、第2の固定電荷膜14による閉塞が行われていない。それゆえ、溝部30の全ての溝幅を細くする必要がなく、溝部30形成の工程数の増大を抑制でき、製造コストの増大を抑制できる。
[2-1 要部の構成]
次に本開示の第2の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。第2の実施形態の固体撮像装置の全体構成は、図1と同様であるから図示を省略する。図20、図21A及び図21Bは、本実施形態の固体撮像装置1の要部の断面構成図である。図20、図21A及び図21Bにおいて、図2に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。
そして、第1の固定電荷膜13が、溝部30の内部に空隙35が残るように、溝部30のオーバーハング形状の開口端41を閉塞している。第1の固定電荷膜13の厚さは、例えば溝部30の内部の全てが第1の固定電荷膜13で埋められず、溝部30の開口端41が閉塞されるように、開口端41の溝幅の半分程度の厚さとする。例えば、開口端41の溝幅が30nm程度である場合、第1の固定電荷膜13の厚さは15nm程度とする。
また、第2の固定電荷膜14は、溝部30の開口端41が第1の固定電荷膜13で閉塞されているため、第1の固定電荷膜13の裏面S4側(受光面側全体)のみを被覆する。また第1の固定電荷膜13及び第2の固定電荷膜14は、第1の実施形態で用いた第1の固定電荷膜13及び第2の固定電荷膜14の材料と同様の材料で形成することができる。
図21A及び図21Bに、第2の実施形態の固体撮像装置1の製造工程を示す。支持基板23を接着する工程までは、第1の実施形態と同様であるから、重複説明を省略する。支持基板23を接着した後、図21Aに示すように、基板2の各画素9の境界において、基板2の裏面S3側から深さ方向(裏面S3から表面S2に向かう方向)に選択的にエッチングすることにより、所望の深さの溝部30を形成する。溝部30の形成方法としては、例えば、基板2の裏面S3に所望の開口を有するハードマスク(不図示)を設け、そのハードマスクを介してエッチングを行う方法を採用できる。溝部30のエッチング行程では、溝部30の開口端41をオーバーハング形状とさせるボーイングが発生するようなエッチング条件とする。このように、エッチング条件を最適化することで、溝部30の内部よりも狭い溝部30の開口端41を形成することができる。これにより、図20に示した溝部30は、第1の固定電荷膜13のみで溝部30の内部に空隙35を残して閉塞される。空隙35の内部空間は、図3と同様に、溝部30に沿って延伸している格子状に形成される。
図22は、第2の実施形態の変形例に係る固体撮像装置1の断面構成図である。図22において、図20に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。変形例に係る固体撮像装置1は、第2の固定電荷膜14を省略した点が第2の実施形態と異なっている。これにより、第2の固定電荷膜14の形成工程を削減でき製造コストを低減できる。
また、第1及び第2の実施形態に係る固体撮像装置1では、裏面照射型のCMOS型固体撮像装置を例に説明したが、裏面照射型のCCD型固体撮像装置に適用することもできる。この場合も、光電変換部24間の素子分離部29を、溝部30に空隙35を残して形成することで、第1及び第2の実施形態における効果と同様の効果を得ることができる。
また、例えば、図25に示すように、図23の逆ピラミッド形状の凹部に代えて、矩形状の凹部を設け、その凹部の内部に第1の固定電荷膜13を充填してもよい。この場合、第2の固定電荷膜14を省略し、溝部30の開口端を絶縁膜15で閉塞してもよい。
次に、本開示の第3の実施形態に係る電子機器について説明する。図26は、本開示の第3の実施形態に係る電子機器100の概略構成図である。
このような構成により、第3の実施形態の電子機器100では、固体撮像装置101において光学混色の抑制が図られるため、映像信号の画質の向上を図ることができる。
また、第3の実施形態では、固体撮像装置101として、第1の実施形態に係る固体撮像装置1を電子機器に用いる構成としたが、他の構成としてもよい。例えば、第2の実施形態に係る固体撮像装置1や、変形例に係る固体撮像装置1を電子機器に用いてもよい。
(1)
基板と、
前記基板に形成された複数の光電変換部と、
隣接する光電変換部の間に設けられた溝部と、
前記溝部の側壁面及び底面並びに前記基板の受光面側を被覆し、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、タンタル及びチタンの少なくとも1つを含む固定電荷膜とを備え、
前記溝部の開口端の少なくとも一部は、前記固定電荷膜によって、前記溝部の内部に空隙を残して閉塞されている
固体撮像装置。
(2)
前記固定電荷膜は、第1の固定電荷膜と、第2の固定電荷膜とを含み、
前記第1の固定電荷膜は、前記溝部の内部に側壁面及び底面が当該第1の固定電荷膜で囲まれた溝状の空間を形成するように、前記溝部の側壁面及び底面並びに前記基板の受光面側全体を連続的に被覆し、
前記第2の固定電荷膜は、前記溝部の内部に空隙を残して、前記溝部の開口端を閉塞するとともに、前記第1の固定電荷膜の受光面側全体を連続的に被覆している
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記第2の固定電荷膜の受光面側の面に、前記溝部に沿って延伸されている凹部を備える
前記(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記第2の固定電荷膜の一部は、前記溝部の開口端側の側壁面も被覆しており、
前記溝部の開口端側の側壁面を被覆している、前記第2の固定電荷膜の膜厚は、前記溝部の開口端側のほうが奥側よりも厚くなっている
前記(2)又は(3)に記載の固体撮像装置。
(5)
前記溝部同士が交差する複数の交差部の開口端のうちの、少なくとも一部の交差部の開口端は、前記固定電荷膜による前記閉塞が行われていない
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(6)
前記溝部の開口端が、当該溝部の内部よりも狭いオーバーハング形状である
前記(1)から(5)の何れかに記載の固体撮像装置。
(7)
前記固定電荷膜の受光面側全体を連続的に被覆し、酸化シリコン、窒化シリコン及び酸窒化シリコンの少なくとも1つを含む絶縁膜を備える
前記(1)から(6)の何れかに記載の固体撮像装置。
(8)
前記溝部同士が交差する交差部において、互いに交差する前記溝部の側壁面で形成されている4つの角部のうちの、当該溝部が延伸されている方向それぞれに対して斜め方向に位置する角部間の距離が前記溝部の幅の2.5倍以下である
前記(1)から(7)の何れかに記載の固体撮像装置。
(9)
前記角部間の距離が、前記溝部の幅の0倍より大きく2.5倍以下である
前記(8)に記載の固体撮像装置。
(10)
前記溝部同士が交差する交差部において、互いに交差する前記溝部の側壁面で形成されている4つの角部のうちの、当該溝部が延伸されている方向それぞれに対して斜め方向に位置する角部間の距離が、250nm以下である
前記(1)から(9)の何れかに記載の固体撮像装置。
(11)
前記角部間の距離が、0nmより大きく250nm以下である
前記(10)に記載の固体撮像装置。
(12)
前記溝部同士が交差する交差部において、互いに交差する前記溝部の側壁面で形成されている4つの角部のうちの、当該溝部が延伸されている方向それぞれに対して斜め方向に位置する角部の少なくとも1つの角部が円弧状に丸まっており、
前記円弧の曲率半径が20nm以下である
前記(1)から(11)の何れかに記載の固体撮像装置。
(13)
前記4つの角部の少なくとも1つの角部が円弧状に丸まっており、
前記円弧の曲率半径が、1nm以上20nm以下である
前記(12)に記載の固体撮像装置。
(14)
前記溝部同士が交差する交差部において、互いに交差する前記溝部の側壁面で形成されている4つの角部のうちの、当該溝部が延伸されている方向それぞれに対して斜め方向に位置する角部の少なくとも1つが、前記交差部の内部側に突出した凸部を形成している
前記(1)から(13)の何れかに記載の固体撮像装置。
(15)
前記凸部の形状は、平面視で、楕円形状、真円形状及び多角形状の少なくとも何れかである
前記(14)に記載の固体撮像装置。
(16)
基板、前記基板に形成された複数の光電変換部、隣接する光電変換部の間に設けられた溝部、及び、前記溝部の側壁面及び底面並びに前記基板の受光面側を被覆し、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、タンタル及びチタンの少なくとも1つを含む固定電荷膜とを備える固体撮像装置と、
被写体からの像光を前記固体撮像装置の撮像面上に結像させる光学レンズと、
前記固体撮像装置から出力される信号に信号処理を行う信号処理回路とを備え、
前記溝部の開口端の少なくとも一部は、前記固定電荷膜によって、前記溝部の内部に空隙を残して閉塞されている
電子機器。
Claims (15)
- 基板と、
前記基板に形成された複数の光電変換部と、
隣接する前記光電変換部の間に設けられた溝部と、
前記溝部の側壁面及び底面並びに前記基板の受光面側を被覆し、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、タンタル及びチタンの少なくとも1つを含む固定電荷膜とを備え、
前記溝部は、前記溝部同士が交差する交差部において、互いに交差する前記溝部の側壁面で形成されている4つの角部のうちの少なくとも1つが、前記交差部の内部側に突出した凸部を有し、
前記溝部の開口端の少なくとも一部は、前記固定電荷膜によって、前記溝部の内部に空隙を残して閉塞されている
固体撮像装置。 - 前記固定電荷膜は、第1の固定電荷膜と、第2の固定電荷膜とを含み、
前記第1の固定電荷膜は、前記溝部の内部に側壁面及び底面が当該第1の固定電荷膜で囲まれた溝状の空間を形成するように、前記溝部の側壁面及び底面並びに前記基板の受光面側全体を連続的に被覆し、
前記第2の固定電荷膜は、前記溝部の内部に空隙を残して、前記溝部の開口端を閉塞するとともに、前記第1の固定電荷膜の受光面側全体を連続的に被覆している
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の固定電荷膜の受光面側の面に、前記溝部に沿って延伸されている凹部を備える
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の固定電荷膜は、前記溝部の開口端側の側壁面も被覆しており、
前記溝部の開口端側の側壁面を被覆している、前記第2の固定電荷膜の膜厚は、前記溝部の開口端側のほうが奥側よりも厚くなっている
請求項2又は3に記載の固体撮像装置。 - 前記溝部同士が交差する複数の交差部の開口端のうちの、少なくとも一部の交差部の開口端は、前記固定電荷膜による前記閉塞が行われていない
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記溝部の開口端が、当該溝部の内部よりも狭いオーバーハング形状である
請求項1から5の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記固定電荷膜の受光面側全体を連続的に被覆し、酸化シリコン、窒化シリコン及び酸窒化シリコンの少なくとも1つを含む絶縁膜を備える
請求項1から6の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記溝部同士が交差する交差部において、互いに交差する前記溝部の側壁面で形成されている4つの角部のうちの、当該溝部が延伸されている方向それぞれに対して斜め方向に位置する角部間の距離が前記溝部の幅の2.5倍以下である
請求項1から7の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記角部間の距離が、前記溝部の幅の0倍より大きく2.5倍以下である
請求項8に記載の固体撮像装置。 - 前記溝部同士が交差する交差部において、互いに交差する前記溝部の側壁面で形成されている4つの角部のうちの、当該溝部が延伸されている方向それぞれに対して斜め方向に位置する角部間の距離が、250nm以下である
請求項1から9の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記角部間の距離が、0nmより大きく250nm以下である
請求項10に記載の固体撮像装置。 - 前記溝部同士が交差する交差部において、互いに交差する前記溝部の側壁面で形成されている4つの角部のうちの少なくとも1つの角部が円弧状に丸まっており、
前記円弧の曲率半径が20nm以下である
請求項1から11の何れかに記載の固体撮像装置。 - 前記4つの角部のうちの少なくとも1つの角部が円弧状に丸まっており、
前記円弧の曲率半径が、1nm以上20nm以下である
請求項12に記載の固体撮像装置。 - 前記凸部の形状は、平面視で、楕円形状、真円形状及び多角形状の少なくとも何れかである
請求項1から13の何れかに記載の固体撮像装置。 - 基板、前記基板に形成された複数の光電変換部、隣接する光電変換部の間に設けられた溝部、及び、前記溝部の側壁面及び底面並びに前記基板の受光面側を被覆し、ハフニウム、アルミニウム、ジルコニウム、タンタル及びチタンの少なくとも1つを含む固定電荷膜を備える固体撮像装置と、
被写体からの像光を前記固体撮像装置の撮像面上に結像させる光学レンズと、
前記固体撮像装置から出力される信号に信号処理を行う信号処理回路とを備え、
前記溝部は、前記溝部同士が交差する交差部において、互いに交差する前記溝部の側壁面で形成されている4つの角部のうちの少なくとも1つが、前記交差部の内部側に突出した凸部を有し、
前記溝部の開口端の少なくとも一部は、前記固定電荷膜によって、前記溝部の内部に空隙を残して閉塞されている
電子機器。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018192693 | 2018-10-11 | ||
JP2018192693 | 2018-10-11 | ||
JP2019073013 | 2019-04-05 | ||
JP2019073013 | 2019-04-05 | ||
PCT/JP2019/032394 WO2020075391A1 (ja) | 2018-10-11 | 2019-08-20 | 固体撮像装置及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020075391A1 JPWO2020075391A1 (ja) | 2021-09-16 |
JP7346434B2 true JP7346434B2 (ja) | 2023-09-19 |
Family
ID=70163854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020550008A Active JP7346434B2 (ja) | 2018-10-11 | 2019-08-20 | 固体撮像装置及び電子機器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US12107112B2 (ja) |
EP (1) | EP3866200A4 (ja) |
JP (1) | JP7346434B2 (ja) |
KR (2) | KR20240104226A (ja) |
CN (1) | CN112714953A (ja) |
DE (1) | DE112019005089T5 (ja) |
WO (1) | WO2020075391A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111863851B (zh) * | 2020-09-04 | 2024-03-08 | 锐芯微电子股份有限公司 | 图形传感器及其形成方法 |
US20240072090A1 (en) | 2022-08-26 | 2024-02-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Stacked cmos image sensor |
JP2024127465A (ja) * | 2023-03-09 | 2024-09-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置の製造方法及び光検出装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012117931A1 (ja) | 2011-03-02 | 2012-09-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
JP2015162679A (ja) | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 負の電荷物質を含むトレンチを有するイメージセンサー及びその製造方法 |
WO2016080205A1 (ja) | 2014-11-18 | 2016-05-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
US20170301709A1 (en) | 2015-11-09 | 2017-10-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Deep trench isolation fabrication for bsi image sensor |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4594077B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-12-08 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子及びそれを用いた電子源並びに画像表示装置および情報表示再生装置 |
JP5682174B2 (ja) | 2010-08-09 | 2015-03-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器 |
JP5760811B2 (ja) | 2011-07-28 | 2015-08-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および撮像システム |
US9728573B2 (en) * | 2015-01-20 | 2017-08-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same |
KR102471593B1 (ko) | 2015-06-09 | 2022-11-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 수직 전송 게이트를 갖는 이미지 센서 및 그 제조방법 |
KR102563588B1 (ko) * | 2016-08-16 | 2023-08-03 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
-
2019
- 2019-08-20 KR KR1020247021551A patent/KR20240104226A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-08-20 KR KR1020217007507A patent/KR102680779B1/ko active IP Right Grant
- 2019-08-20 WO PCT/JP2019/032394 patent/WO2020075391A1/ja unknown
- 2019-08-20 CN CN201980059426.5A patent/CN112714953A/zh active Pending
- 2019-08-20 JP JP2020550008A patent/JP7346434B2/ja active Active
- 2019-08-20 DE DE112019005089.3T patent/DE112019005089T5/de active Pending
- 2019-08-20 US US17/282,420 patent/US12107112B2/en active Active
- 2019-08-20 EP EP19871618.5A patent/EP3866200A4/en active Pending
-
2024
- 2024-06-26 US US18/755,000 patent/US20240347577A1/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012117931A1 (ja) | 2011-03-02 | 2012-09-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
JP2013175494A (ja) | 2011-03-02 | 2013-09-05 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
US20140054662A1 (en) | 2011-03-02 | 2014-02-27 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
JP2015162679A (ja) | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 負の電荷物質を含むトレンチを有するイメージセンサー及びその製造方法 |
WO2016080205A1 (ja) | 2014-11-18 | 2016-05-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2016100347A (ja) | 2014-11-18 | 2016-05-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
US20180301490A1 (en) | 2014-11-18 | 2018-10-18 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic device |
US20170301709A1 (en) | 2015-11-09 | 2017-10-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Deep trench isolation fabrication for bsi image sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US12107112B2 (en) | 2024-10-01 |
KR20240104226A (ko) | 2024-07-04 |
EP3866200A4 (en) | 2022-01-19 |
EP3866200A1 (en) | 2021-08-18 |
US20240347577A1 (en) | 2024-10-17 |
KR102680779B1 (ko) | 2024-07-03 |
TW202018929A (zh) | 2020-05-16 |
JPWO2020075391A1 (ja) | 2021-09-16 |
KR20210075973A (ko) | 2021-06-23 |
DE112019005089T5 (de) | 2021-07-15 |
WO2020075391A1 (ja) | 2020-04-16 |
CN112714953A (zh) | 2021-04-27 |
US20210384250A1 (en) | 2021-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102013071B1 (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법, 및 전자 기기 | |
US10504953B2 (en) | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device | |
US10771664B2 (en) | Solid-state imaging device with uneven structures and the method for manufacturing the same, and electronic apparatus | |
KR102126095B1 (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기 | |
JP5810551B2 (ja) | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 | |
US8450728B2 (en) | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
JP7346434B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
TWI856976B (zh) | 固態攝像裝置及電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230906 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7346434 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |