JP7339753B2 - Wafer mounting structure, wafer mounting apparatus and base structure using wafer mounting structure - Google Patents

Wafer mounting structure, wafer mounting apparatus and base structure using wafer mounting structure Download PDF

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Description

本開示は、ウエハ載置構造体、ウエハ載置構造体を用いたウエハ載置装置及び端基体構造体に関する。 The present disclosure relates to a wafer mounting structure, a wafer mounting apparatus using the wafer mounting structure, and an end substrate structure.

例えば、半導体を製造する半導体製造装置において、ウエハを載置するウエハ載置構造体が用いられている。ウエハ載置構造体としては、例えば、特許文献1(ウエハ支持部材)、特許文献2(電極内蔵体)が知られている。 For example, in a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing semiconductors, a wafer mounting structure for mounting a wafer is used. As a wafer mounting structure, for example, Patent Document 1 (wafer support member) and Patent Document 2 (electrode built-in body) are known.

特開2003-224181号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-224181 特開2002-141404号公報JP-A-2002-141404

基体への負担を軽減することができるウエハ載置構造体、ウエハ載置構造体を用いたウエハ載置装置、及び、基体への負担を軽減することができる基体構造体が提供されることが待たれている。 A wafer mounting structure capable of reducing the load on the base, a wafer mounting apparatus using the wafer mounting structure, and a base structure capable of reducing the load on the base are provided. I am waiting.

本開示の一態様にかかるウエハ載置構造体は、絶縁性の基体と、該基体内に位置する導電体と、第1端および第2端を有し、前記第1端から前記第2端に亘る長さを有する端子と、を備え、前記第1端が前記基体内に位置し、前記導電体に対し電気的に接続されていると共に、前記第2端が前記基体外に位置し、前記端子は、前記第1端から前記第2端側に向かう凹部を有し、該凹部の底部は、前記基体外に位置する部位を含んでいる。 A wafer mounting structure according to an aspect of the present disclosure has an insulating base, a conductor positioned within the base, and a first end and a second end, and from the first end to the second end. a terminal having a length extending from the base, the first end being positioned within the base and electrically connected to the conductor, and the second end being positioned outside the base; The terminal has a recess extending from the first end toward the second end, and the bottom of the recess includes a portion located outside the base.

本開示の一態様にかかるウエハ載置装置は、上記にいうウエハ載置構造体と、前記導電体に給電可能な電力供給部と、前記電力供給部の給電を制御する制御部と、を有している。 A wafer mounting apparatus according to an aspect of the present disclosure includes the wafer mounting structure described above, a power supply unit capable of supplying power to the conductor, and a control unit controlling power supply to the power supply unit. are doing.

本開示の一態様にかかる基体構造体は、絶縁性の基体と、該基体内に位置する導電体と、第1端および第2端を有し、前記第1端から前記第2端に亘る長さを有する端子と、を備え、前記第1端が前記基体内に位置し、前記導電体に対し電気的に接続されていると共に、前記第2端が前記基体外に位置し、前記端子は、前記第1端から前記第2端側に向かう凹部を有し、該凹部の底部は、前記基体外に位置する部位を含んでいる。 A base structure according to one aspect of the present disclosure has an insulating base, a conductor positioned within the base, a first end and a second end, and a terminal having a length, the first end positioned within the base and electrically connected to the conductor, and the second end positioned outside the base, the terminal has a recess extending from the first end toward the second end, and the bottom of the recess includes a portion located outside the base.

上記構成によれば、端子による基体への負担を軽減することができる。 According to the above configuration, it is possible to reduce the load on the base due to the terminals.

第1実施形態によるウエハ載置装置の模式的な斜視図である。1 is a schematic perspective view of a wafer mounting device according to a first embodiment; FIG. 図1に示されたウエハ載置装置のII-II線断面図である。2 is a cross-sectional view of the wafer mounting device shown in FIG. 1 taken along the line II-II. FIG. 図2に示されたIII拡大図である。3 is an enlarged view of III shown in FIG. 2; FIG. 図2に示された基体にかかる負荷について説明する図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a load applied to the substrate shown in FIG. 2; 第2実施形態及び第3実施形態におけるウエハ載置構造体の端子周辺の断面図である。It is a sectional view around a terminal of a wafer mounting structure in a 2nd embodiment and a 3rd embodiment. 第4実施形態及び第5実施形態におけるウエハ載置構造体の端子周辺の断面図である。It is a cross-sectional view around the terminal of the wafer mounting structure in the fourth embodiment and the fifth embodiment. 第6実施形態及び第7実施形態におけるウエハ載置構造体の端子周辺の断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view of the periphery of the terminals of the wafer mounting structure according to the sixth and seventh embodiments; 図3に示された端子の変形例を示した図である。4 is a view showing a modification of the terminal shown in FIG. 3; FIG.

本開示の実施形態を添付図を用いて以下説明する。尚、説明中、上下とはウエハ載置構造体にウエハが載置される状態を基準としての上下をいう。また、図中、Upは上、Dnは下を示している。尚、参照する各図面は模式的に示したものであり、細部が省略されていることもある。 Embodiments of the present disclosure will be described below with reference to the accompanying drawings. In the description, the upper and lower sides refer to the upper and lower sides with respect to the state in which the wafer is mounted on the wafer mounting structure. In the figure, Up indicates the upper side and Dn indicates the lower side. It should be noted that the drawings to be referred to are schematic representations, and details may be omitted.

[第1実施形態]
図1を参照する。ウエハ載置装置10は、ウエハを載置するA面40aを有するウエハ載置構造体20(基体構造体20)と、このウエハ載置構造体20に電力を供給する電力供給部11と、この電力供給部11を制御する制御部13と、を有している。
[First embodiment]
Please refer to FIG. The wafer mounting apparatus 10 includes a wafer mounting structure 20 (base structure 20) having an A surface 40a on which a wafer is mounted, a power supply section 11 for supplying power to the wafer mounting structure 20, and the and a control unit 13 that controls the power supply unit 11 .

(ウエハ載置構造体)
図2を参照する。図2において、ウエハ載置構造体20は、シャフト部材30と、このシャフト部材30の上端に固定された絶縁性の基体40と、この基体40内に位置する導電体21と、この導電体21に電気的に接続された端子50と、この端子50に一端が接続された接続部22と、を有している。
(Wafer mounting structure)
Please refer to FIG. In FIG. 2, the wafer mounting structure 20 includes a shaft member 30, an insulating base 40 fixed to the upper end of the shaft member 30, a conductor 21 positioned within the base 40, and a conductor 21 and a connection portion 22 having one end connected to the terminal 50 .

(シャフト部材)
図2に示す例において、シャフト部材30は、棒状を呈し、上端が基体40と連続している。このシャフト部材30の上端は、例えば、接着剤によって基体40に接着されている。
(shaft member)
In the example shown in FIG. 2 , the shaft member 30 has a bar shape and its upper end is continuous with the base 40 . The upper end of the shaft member 30 is adhered to the base 40 with an adhesive, for example.

シャフト部材30は、シャフト部材30単独において、図示における上下に貫通する貫通孔31を有する。この貫通孔31は、シャフト部材30単独において、図示における上端及び下端に開口している。尚、上端及び下端という表現は、図との関係における説明において便宜的に用いているだけの表現である。このため、本開示において上端及び下端という表現を用いているからといって、上下方向における端部に限定されない。つまり、上端をシャフト部材30の一方の端部(一端)という表現に置き換えることもできるし、下端をシャフト部材30の他方の端部(他端)に置き換えることもできる。以下、詳細な説明中において記載されている、上端及び下端は、上記意味合いにより記載される。 The shaft member 30 has a through hole 31 penetrating vertically in the drawing in the shaft member 30 alone. The through hole 31 is open at the upper end and the lower end in the drawing in the shaft member 30 alone. Note that the terms "upper end" and "lower end" are merely expressions used for convenience in describing the relationship with the drawings. For this reason, even though the terms upper end and lower end are used in the present disclosure, they are not limited to the ends in the vertical direction. That is, the upper end can be replaced with one end (one end) of the shaft member 30 , and the lower end can be replaced with the other end (other end) of the shaft member 30 . The upper and lower ends described in the detailed description below are described with the above meanings.

図2に示す例において、貫通孔31の径の大きさは、シャフト部材30の上端から下端に亘って、同一である。その他の態様において、シャフト部材30の上端から下端に亘って、貫通孔31の径の大きさは異なっていてもよい。貫通孔31の形状は、貫通孔31が延びる方向に対して垂直なシャフト部材30の断面において、円形状を呈していてもよい。その他の態様において、貫通孔31の形状は、楕円形状、三角形状、又は矩形状などを呈していてもよい。この貫通孔31には、接続部22が通っている。 In the example shown in FIG. 2 , the size of the diameter of the through hole 31 is the same from the top end to the bottom end of the shaft member 30 . In other aspects, the diameter of the through-hole 31 may vary from the upper end to the lower end of the shaft member 30 . The shape of the through hole 31 may be circular in a cross section of the shaft member 30 perpendicular to the direction in which the through hole 31 extends. In other aspects, the shape of the through hole 31 may be oval, triangular, rectangular, or the like. The connection portion 22 passes through the through hole 31 .

シャフト部材30の素材は、例えば、絶縁性のセラミックである。その他の態様において、シャフト部材30の素材は、導電性の材料(金属など)である。 The material of the shaft member 30 is, for example, insulating ceramics. In other aspects, the material of shaft member 30 is a conductive material (such as metal).

(基体)
基体40は、例えば、セラミックなどによる絶縁性の材料からなる。基体40を構成するセラミックは、例えば、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3、アルミナ)、炭化珪素(SiC)、及び窒化珪素(Si3N4)等が主成分である。ここでいう主成分とは、例えば、基体40を構成する全成分100質量%のうち、50質量%以上又は80質量%以上を占める成分のことである。
(substrate)
The substrate 40 is made of an insulating material such as ceramic. The ceramic constituting the substrate 40 is mainly composed of, for example, aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al2O3, alumina), silicon carbide (SiC), silicon nitride (Si3N4), and the like. The main component here means, for example, a component that occupies 50% by mass or more or 80% by mass or more of 100% by mass of all components constituting the substrate 40 .

図2に示す例において、基体40は、上下方向に厚みがある平板状の基板である。基体40は、平面視において、円形状、楕円形状、矩形状、台形などの形状を呈していてもよい。基体40の寸法は、平面視における形状が円形状である場合、例えば、直径が20cm以上40cm以下、厚さが5mm以上35mm以下である。但し、基体40は、平板状の基板に限定されない。 In the example shown in FIG. 2, the base 40 is a plate-like substrate having a thickness in the vertical direction. The substrate 40 may have a circular, elliptical, rectangular, or trapezoidal shape in plan view. When the substrate 40 has a circular shape in plan view, the dimensions of the substrate 40 are, for example, a diameter of 20 cm or more and 40 cm or less and a thickness of 5 mm or more and 35 mm or less. However, the substrate 40 is not limited to a flat substrate.

図2及び図3を参照する。基体40は、ウエハが載置されるA面40aと、このA面40aとは反対側の面を構成するB面40bと、このB面40b側に有すると共に端子50の一端(第1端51)が位置する挿入部41と、を有している。 Please refer to FIGS. The substrate 40 has an A surface 40a on which a wafer is placed, a B surface 40b constituting a surface opposite to the A surface 40a, and one end (first end 51) of the terminal 50 on the B surface 40b side. ) is located in the insertion portion 41 .

A面40aは、基体40の上面を構成しており、ウエハなどの対象物が載置される。B面40bは、基体40の下面を構成しており、シャフト部材30と連続している。挿入部41は、B面40bに開口42しており、開口42の縁は、端子50を囲っている。 The A surface 40a constitutes the upper surface of the substrate 40, and an object such as a wafer is placed thereon. The B surface 40 b constitutes the lower surface of the base 40 and is continuous with the shaft member 30 . The insertion portion 41 has an opening 42 on the B surface 40b, and the edge of the opening 42 surrounds the terminal 50. As shown in FIG.

基体40は、載置されたウエハを冷却する流体、及び/又は、後述する抵抗発熱体によって加熱される流体が通る流路を内部に有していてもよい。この流路の形状や大きさなどは、流路の使用目的に応じて適宜変更することができる。つまり、使用目的に応じて流される、気体又は液体からなる様々な種類の流体によって、流路の形状や大きさを決めることができる。 The substrate 40 may have a flow path therein through which a fluid that cools the mounted wafer and/or a fluid that is heated by a resistance heating element, which will be described later, passes. The shape, size, and the like of the channel can be appropriately changed according to the purpose of use of the channel. In other words, the shape and size of the flow path can be determined by various types of fluids, such as gas or liquid, that are flowed according to the purpose of use.

(挿入部)
図3を参照する。挿入部41は、基体40の下部に位置する凹部(例えば、円柱形状の窪み)である。この挿入部41には、端子50の一部が挿入されている。挿入部41の内径は、端子50の外径と比べ、わずかに小さくてもよい。尚、端子50が挿入される前の挿入部41となる窪みの空間形状は、円柱形状に限られず、立方形状などであってもよい。つまり、挿入部41となる窪みの空間形状は、任意である。
(Insert part)
Please refer to FIG. The insertion portion 41 is a recess (for example, a cylindrical depression) located in the lower portion of the base 40 . A part of the terminal 50 is inserted into the insertion portion 41 . The inner diameter of the insertion portion 41 may be slightly smaller than the outer diameter of the terminal 50 . Note that the spatial shape of the recess that becomes the insertion portion 41 before the terminal 50 is inserted is not limited to a cylindrical shape, and may be a cubic shape or the like. In other words, the spatial shape of the depression that serves as the insertion portion 41 is arbitrary.

挿入部41は、開口42から上方に延びる内面部41aと、この内面部41aの上端と連続すると共に挿入部41の底を構成している底面部41bと、を有している。 The insertion portion 41 has an inner surface portion 41 a extending upward from the opening 42 and a bottom surface portion 41 b that is continuous with the upper end of the inner surface portion 41 a and forms the bottom of the insertion portion 41 .

(導電体)
図2を参照する。導電体21は、電力供給部11からの電力によって発熱する抵抗発熱体であってもよい。導電体21が抵抗発熱体であれば、抵抗発熱体の発熱により、A面40aに載置されたウエハが加熱される。つまり、ウエハ載置構造体20はヒータである、ということができる。導電体21は、例えば、導体を含むコイル又は電極などであってもよい。
(conductor)
Please refer to FIG. The conductor 21 may be a resistance heating element that generates heat with power from the power supply section 11 . If the conductor 21 is a resistance heating element, the heat generated by the resistance heating element heats the wafer placed on the A surface 40a. That is, it can be said that the wafer mounting structure 20 is a heater. The conductor 21 may be, for example, a coil or electrode containing a conductor.

導電体21は、例えば、基体40の中央から外縁に向かって渦巻き状であってもよい。導電体21は、A面40aに沿って基体40の全域に位置していてもよい。これにより、A面40a全体を加熱することができる。 The conductor 21 may, for example, spiral from the center of the base 40 toward the outer edge. The conductor 21 may be positioned over the entire area of the base 40 along the A surface 40a. Thereby, the entire A surface 40a can be heated.

(端子)
図2及び図3を参照する。端子50は、接続部22を介して電力供給部11と電気的に接続されている。端子50は、一部又は全部が導電性の素材によって構成されている。端子50を構成する素材については、適宜に設定することができる。1つの態様として、端子50の素材は、導電体21及び/又は接続部22の素材と同一とすることができる。1つの態様として、端子50の素材は、導電体21及び/又は接続部22の素材と異ならせることができる。端子50の素材は、例えば、W、Mo又はPtなどである。
(Terminal)
Please refer to FIGS. The terminal 50 is electrically connected to the power supply section 11 via the connection section 22 . The terminal 50 is partially or wholly made of a conductive material. The material forming the terminal 50 can be appropriately set. In one aspect, the material of the terminals 50 can be the same as the material of the conductors 21 and/or the connecting portions 22 . In one aspect, the material of terminal 50 can be different from the material of conductor 21 and/or connecting portion 22 . The material of the terminal 50 is, for example, W, Mo or Pt.

端子50は、例えば、上下方向にある程度の長さを有する金属(バルク材)である。端子50は、一端が挿入部41内に位置し、他端が挿入部41外に位置している。端子50の外径は、一端から他端までに亘って、同一であってもよいし、所々で異なっていてもよい。更には、端子50の外径は、後述する鍔部54を基準として上下で異なっていてもよい。端子50は、端子50が延びる方向に対して垂直な断面において、円形状を呈していてもよいし、楕円形状を呈していてもよいし、矩形状などを呈していてもよい。端子50の形状は任意である。 The terminal 50 is, for example, a metal (bulk material) having a certain length in the vertical direction. The terminal 50 has one end located inside the insertion portion 41 and the other end located outside the insertion portion 41 . The outer diameter of the terminal 50 may be the same from one end to the other end, or may be different in places. Furthermore, the outer diameter of the terminal 50 may be different between the upper and lower parts with reference to a collar part 54 to be described later. The terminal 50 may have a circular shape, an elliptical shape, or a rectangular shape in a cross section perpendicular to the direction in which the terminal 50 extends. The shape of the terminal 50 is arbitrary.

ここで、端子50における基体40内に位置する部位のみに着目する。端子50における基体40内に位置する部位は、例えば、円柱形状を呈している。その他の態様として、端子50における基体40内に位置する部位は、底面部41bに向かってテーパ状でもよい。ここでのテーパ状とは、端子50における基体40内に位置する部位の外径が、底面部41bに向かって小さくなる形状のことである。これにより、端子50を基体40内に容易に挿入することができる(焼成前の未焼結の基体についても同様)。その他の態様として、端子50の基体40内に位置する部位は、底面部41bに向かって逆テーパ状でもよい。ここでの逆テーパ状とは、端子50における基体40内に位置する部位の外径が、底面部41bに向かって大きくなる形状のことである。これにより、内面部41aと第1外壁53aとの間に、後述する固定部材Fiを容易に配置することができる(焼成前の未焼結の基体についても同様)。このように、端子50の基体40内に位置する部位の形状も任意である。 Here, only the portion of the terminal 50 located within the base 40 is focused. A portion of the terminal 50 located inside the base 40 has, for example, a cylindrical shape. As another aspect, the portion of the terminal 50 located inside the base 40 may be tapered toward the bottom portion 41b. Here, the tapered shape means a shape in which the outer diameter of the portion of the terminal 50 located inside the base 40 becomes smaller toward the bottom portion 41b. This allows the terminals 50 to be easily inserted into the base 40 (the same applies to the unsintered base before firing). As another aspect, the portion of the terminal 50 located inside the base 40 may be tapered inversely toward the bottom portion 41b. The term "inverted tapered shape" as used herein refers to a shape in which the outer diameter of the portion of the terminal 50 located within the base 40 increases toward the bottom surface portion 41b. As a result, a fixing member Fi, which will be described later, can be easily arranged between the inner surface portion 41a and the first outer wall 53a (the same applies to the unsintered substrate before firing). Thus, the shape of the portion of the terminal 50 located within the base 40 is also arbitrary.

端子50の少なくとも一部は、基体40内に位置している。1つの態様として、端子50の一部は、固定部材Fi(例えば、ろう材など)を介して挿入部41内で固定されている。1つの態様として、端子50の一部は、挿入部41に嵌合され、基体40内に位置している。1つの態様として、端子50の一部は、挿入部41に埋め込まれ、基体40内に位置している。尚、端子50の一部は、挿入部41に埋め込まれると共に固定部材Fiによって固定されている、という態様などもある。これらにより、端子50は、基体40に保持されている。端子50は、基体40内に位置する導電体21と電気的に接続されている。 At least a portion of terminal 50 is located within base 40 . As one aspect, a portion of the terminal 50 is fixed within the insertion portion 41 via a fixing member Fi (for example, brazing material or the like). As one aspect, a portion of the terminal 50 is fitted into the insertion portion 41 and positioned within the base 40 . As one aspect, a portion of the terminal 50 is embedded in the insertion portion 41 and positioned within the base 40 . In addition, there is also a mode in which a part of the terminal 50 is embedded in the insertion portion 41 and fixed by a fixing member Fi. With these, the terminal 50 is held by the base 40 . The terminal 50 is electrically connected to the conductor 21 located inside the base 40 .

端子50の一部は、貫通孔31内に位置し、シャフト部材30の内面によって囲われている。これにより、端子50が直接外気に晒されるおそれが低い。 A portion of the terminal 50 is positioned within the through hole 31 and surrounded by the inner surface of the shaft member 30 . As a result, the terminal 50 is less likely to be directly exposed to the outside air.

端子50は、端子50の一端(図中では上端)を構成する第1端51と、この第1端51とは反対側の他端(図中では下端)を構成する第2端52と、これらの第1端51及び第2端52を繋ぐ外壁53と、この外壁53から外方に向かって突出する鍔部54と、第1端51に開口し、第1端51から第2端52側に向かってへこむ凹部55と、を有している。端子50は、第1端51から第2端52に亘る長さを有している。 The terminal 50 has a first end 51 forming one end (the upper end in the drawing) of the terminal 50, a second end 52 forming the other end opposite to the first end 51 (the lower end in the drawing), an outer wall 53 connecting the first end 51 and the second end 52; and a concave portion 55 recessed toward the side. Terminal 50 has a length extending from first end 51 to second end 52 .

第1端51は、基体40内に位置している。第1端51は、底面部41bに臨んでいる(面している)。 The first end 51 is located within the base 40 . The first end 51 faces (faces) the bottom surface portion 41b.

図3に示す例において、底面部41bと第1端51との間には、空隙40cを有していてもよい。尚、空隙40c内は、真空状態であってもよいし、不活性ガスで満たされていてもよい。尚、空隙40cを有さず、底面部41bと第1端51との間は固定部材Fiなどの材料で満たされていてもよい。 In the example shown in FIG. 3, there may be a gap 40c between the bottom surface portion 41b and the first end 51. As shown in FIG. The space 40c may be in a vacuum state or may be filled with an inert gas. The space between the bottom surface portion 41b and the first end 51 may be filled with a material such as the fixing member Fi without having the space 40c.

第2端52は、基体40外に位置している。 The second end 52 is positioned outside the base 40 .

外壁53は、挿入部41(基体40)内に位置する第1外壁53aと、この第1外壁53aと連続すると共に挿入部41外に位置する第2外壁53bと、を有している。外壁53は、端子50の周方向における面を構成している。 The outer wall 53 has a first outer wall 53 a located inside the insertion portion 41 (base body 40 ) and a second outer wall 53 b continuous with the first outer wall 53 a and located outside the insertion portion 41 . The outer wall 53 constitutes a surface of the terminal 50 in the circumferential direction.

第1外壁53aは、例えば、固定部材Fiを介して内面部41aに接着している。これにより、端子50が基体40に保持されている。この固定部材Fiは、導電性を有する有機材料又は無機材料からなる接着用の材料である。固定部材Fiが導電性であることによって、端子50は、導電体21に電気的に接続される。固定部材Fiは、例えば、ろう材である。固定部材Fiは、第1外壁53aの全周に亘って位置していてもよく、一部にのみに位置していていてもよい。また、固定部材Fiを用いず、端子50の一部を挿入部41に嵌合させたり、端子50の一部を挿入部41に埋め込ませたりして、第1外壁53aを内面部41aに密着させることもできる。 The first outer wall 53a is adhered to the inner surface portion 41a via a fixing member Fi, for example. The terminal 50 is thereby held by the base 40 . The fixing member Fi is an adhesive material made of a conductive organic or inorganic material. The terminal 50 is electrically connected to the conductor 21 because the fixing member Fi is conductive. The fixing member Fi is, for example, brazing material. The fixing member Fi may be positioned over the entire circumference of the first outer wall 53a, or may be positioned only partially. Further, without using the fixing member Fi, a part of the terminal 50 is fitted into the insertion part 41 or a part of the terminal 50 is embedded in the insertion part 41, so that the first outer wall 53a is brought into close contact with the inner surface part 41a. You can also let

(鍔部)
鍔部54は、第2外壁53bから外方に向かって突出している。つまり、鍔部54は、基体40外において、第1端51から第2端52に向かう第1方向Liに交わる方向に突出している、ということができる。1つの態様として、鍔部54は、第2外壁53b(第1方向Li)に対して垂直な方向に突出している。鍔部54は、固定部材Fiに接していてもよいし、固定部材Fiを介さずB面40bに接していてもよいし、固定部材Fiに接していなくてもよい。更に、鍔部54は、固定部材Fi又はB面40bから離れて位置していてもよい。鍔部54の位置は、任意である。
(Flange)
The flange portion 54 protrudes outward from the second outer wall 53b. That is, it can be said that the flange portion 54 protrudes outside the base 40 in a direction crossing the first direction Li from the first end 51 to the second end 52 . As one aspect, the flange portion 54 protrudes in a direction perpendicular to the second outer wall 53b (first direction Li). The flange portion 54 may be in contact with the fixing member Fi, may be in contact with the surface B 40b without the fixing member Fi interposed therebetween, or may not be in contact with the fixing member Fi. Furthermore, the flange portion 54 may be positioned away from the fixing member Fi or the B surface 40b. The position of the collar portion 54 is arbitrary.

図3に示す例において、鍔部54は、基体40のB面40bに対向する第1面54aと、この第1面54aの反対側に位置する第2面54bと、これら第1面54a及び第2面54bを繋ぐ第3面54cと、を有している。 In the example shown in FIG. 3, the collar portion 54 has a first surface 54a facing the B surface 40b of the base 40, a second surface 54b located on the opposite side of the first surface 54a, these first surfaces 54a and and a third surface 54c connecting the second surfaces 54b.

第1面54aは、B面40bに対して平行であってもよい。第1面54aは、B面40bよりも基体40から離れて位置していてもよい。他の態様として、第1面54aは、B面40bを基準として、所定の角度だけ傾斜していてもよい。 The first surface 54a may be parallel to the B surface 40b. The first surface 54a may be positioned farther from the base 40 than the B surface 40b. Alternatively, the first surface 54a may be inclined at a predetermined angle with respect to the B surface 40b.

第1面54aは、固定部材Fiを介してB面40bに接着していてもよい。他の態様として、第1面54aは、B面40bに接着していなくてもよい。 The first surface 54a may be adhered to the B surface 40b via the fixing member Fi. Alternatively, the first surface 54a may not be adhered to the B surface 40b.

第2面54bは、第1面54aよりも基体40から離れて位置している。第2面54bは、第1面54aに対して平行であってもよい。但し、第2面54bは、第1面54aを基準として、所定の角度だけ傾斜していてもよい。 The second surface 54b is located farther from the base 40 than the first surface 54a. The second surface 54b may be parallel to the first surface 54a. However, the second surface 54b may be inclined by a predetermined angle with respect to the first surface 54a.

(凹部)
図3に示す例において、凹部55は、端子50の第1端51から第2端52側に向かって形成された空洞である。凹部55内が空洞であるとき、真空である場合もあるし、不活性ガスで満たされている場合もある。凹部55内は、別の材料(例えば、固定部材Fi又は端子50と組成が異なる材料)で満たされていてもよい。端子50と組成が異なる材料は、端子50自体を構成する材料と比べ、熱膨張をしても基体40に負荷を加えにくい材料である。端子50と組成が異なる材料は、端子50を構成する材料と線膨張率及び/又はヤング率が異なっている。
(recess)
In the example shown in FIG. 3 , the recess 55 is a cavity formed from the first end 51 toward the second end 52 of the terminal 50 . When the recess 55 is hollow, it may be in a vacuum or may be filled with an inert gas. The recess 55 may be filled with another material (for example, a material having a composition different from that of the fixing member Fi or the terminal 50). A material having a composition different from that of the terminal 50 is a material that is less likely to apply a load to the base 40 even when thermally expanded, compared to the material that constitutes the terminal 50 itself. A material different in composition from the terminal 50 has a different linear expansion coefficient and/or Young's modulus from the material forming the terminal 50 .

凹部55は、端子50の第1端51から第2端52側に向かう内壁55aと、この内壁55aと連続し凹部55の底を構成している底部55bと、を有している。 The recess 55 has an inner wall 55a extending from the first end 51 toward the second end 52 of the terminal 50, and a bottom 55b continuous with the inner wall 55a and forming the bottom of the recess 55. As shown in FIG.

(内壁)
内壁55aは、凹部55を構成する要素のうち、第1端51から底部55bに向かう部位である。内壁55aの上部は第1端51と連続し、内壁55aの下部は底部55bと連続している。図3に示す例において、内壁55aは、第1外壁53a及び第2外壁53b(外壁53)に対して平行である。つまり、内壁55aは、B面40bに対して垂直である。内壁55aは、全部が基体40(挿入部41)内に位置している。
(inner wall)
The inner wall 55a is a part of the elements forming the recess 55 that extends from the first end 51 toward the bottom 55b. An upper portion of the inner wall 55a is continuous with the first end 51, and a lower portion of the inner wall 55a is continuous with the bottom portion 55b. In the example shown in FIG. 3, the inner wall 55a is parallel to the first outer wall 53a and the second outer wall 53b (outer wall 53). That is, the inner wall 55a is perpendicular to the B surface 40b. The inner wall 55a is entirely positioned within the base 40 (insertion portion 41).

凹部55の平面視における形状は、円形状であってもよいし、楕円形状であってもよいし、矩形状などであってもよい。内壁55aの内径は、例えば、外壁53における外径の1/4の大きさであってもよいし、外壁53における外径の1/2の大きさであってもよいし、外壁53における外径の3/4の大きさであってもよい。尚、内壁55aは、上部から下部に亘って、内径が同一であってもよいし、異なっていてもよい。凹部55の形状は任意である。 The shape of the concave portion 55 in plan view may be circular, elliptical, rectangular, or the like. The inner diameter of the inner wall 55a may be, for example, 1/4 the outer diameter of the outer wall 53, 1/2 the outer diameter of the outer wall 53, or the outer diameter of the outer wall 53. It may be as large as 3/4 of the diameter. The inner wall 55a may or may not have the same inner diameter from the upper portion to the lower portion. The shape of the recess 55 is arbitrary.

(底部)
底部55bは、凹部55を構成する要素のうち、第2端52側に位置すると共に第1端51側に臨んでいる部位である。図3に示す例において、底部55bは、底部55bの周縁から中央に向かって、第2端52側に傾斜している。底部55bの一部は基体40外に位置し、底部55bの残部は基体40内に位置している。即ち、底部55bは、基体40外に位置する部位を含んでいる、ということができる。底部55bは、少なくとも一部に曲面を有していてもよい。より詳細には、底部55bは、周縁から中央に向かって、第2端52側に傾斜する円錐形状を呈していてもよい。尚、底部55bの傾斜角度は任意である。
(bottom)
The bottom portion 55 b is a portion of the elements forming the recess 55 that is located on the second end 52 side and faces the first end 51 side. In the example shown in FIG. 3, the bottom portion 55b is inclined toward the second end 52 from the peripheral edge of the bottom portion 55b toward the center. A portion of the bottom portion 55b is located outside the base 40 and the remaining portion of the bottom portion 55b is located within the base 40 . In other words, it can be said that the bottom portion 55b includes a portion located outside the base 40 . At least a portion of the bottom portion 55b may have a curved surface. More specifically, the bottom portion 55b may have a conical shape that slopes toward the second end 52 from the periphery toward the center. The inclination angle of the bottom portion 55b is arbitrary.

(接続部)
図2を参照する。接続部22は、上端が端子50に接続され、下端が電力供給部11に接続されている。接続部22は、電力供給部11及び端子50を通電可能に接続している。接続部22は、導電性の材料を含んでいる。
(connection part)
Please refer to FIG. The connection portion 22 has an upper end connected to the terminal 50 and a lower end connected to the power supply portion 11 . The connection portion 22 electrically connects the power supply portion 11 and the terminal 50 . The connecting portion 22 contains a conductive material.

(電力供給部)
電力供給部11は、基体40の外部に位置し、接続部22を介して導電体21(例えば、抵抗発熱体)に電力を供給する。電力供給部11は、接続部22を介して導電体21と電気的に接続されている。電力供給部11は、電源から給電された電力を適切な電圧に変換して、これを導電体21に供給する電源回路を含んでいる。
(power supply unit)
The power supply unit 11 is positioned outside the base 40 and supplies power to the conductor 21 (for example, a resistance heating element) via the connection unit 22 . The power supply section 11 is electrically connected to the conductor 21 via the connection section 22 . The power supply unit 11 includes a power supply circuit that converts the power supplied from the power supply into an appropriate voltage and supplies the voltage to the conductor 21 .

(制御部)
制御部13は、電力供給部11における導電体21への電力の供給を制御する。例えば、制御部13が電力供給部11を制御することによって、抵抗発熱体は発熱する。抵抗発熱体が発熱することによって、A面40aに載置されたウエハが加熱される。
(control part)
The control unit 13 controls power supply to the conductor 21 in the power supply unit 11 . For example, the control unit 13 controls the power supply unit 11 to cause the resistance heating element to generate heat. A wafer mounted on the A surface 40a is heated by the heat generated by the resistance heating element.

次に、第1実施形態の作用について説明する。 Next, operation of the first embodiment will be described.

図4(a)を参照する。図4(a)には、底部155bの全部が基体140内に位置している図が示されている。端子150は、温度の変化に伴って、体積が膨張したり収縮したりする。図4(a)の端子150では、底部155bの全部が基体140内に位置している。このようなウエハ載置構造体120では、基体140の下面140Bを基準とした、下方側では端子150における体積の変化が大きくなり、上方側では端子150における体積の変化が小さくなる。結果、基体140の下面140Bに大きな負荷がかかる。 Please refer to FIG. FIG. 4( a ) shows a view in which the entire bottom portion 155 b is located within the base 140 . The terminal 150 expands and contracts in volume as the temperature changes. In the terminal 150 of FIG. 4( a ), the bottom portion 155 b is entirely located within the base 140 . In such a wafer mounting structure 120, with respect to the lower surface 140B of the base 140, the change in volume of the terminals 150 is large on the lower side, and the change of the volume of the terminals 150 is small on the upper side. As a result, a large load is applied to the lower surface 140B of the base 140. FIG.

図4(b)を参照する。図4(b)には、底部55bが基体40外に位置する部位を含む図が示されている。底部55bが基体40外に位置する部位を含むため、凹部55の一部が基体40外に位置することになる。これにより、基体40の下面40Bを基準とした、上方側と下方側で端子50の体積における変化の差を小さくすることができる。結果、基体40への負荷が軽減される。 Please refer to FIG. FIG. 4(b) shows a view including a portion where the bottom portion 55b is positioned outside the base 40. As shown in FIG. Since the bottom portion 55 b includes a portion positioned outside the base 40 , part of the recess 55 is positioned outside the base 40 . As a result, the difference in change in the volume of the terminal 50 between the upper side and the lower side with respect to the lower surface 40B of the base 40 can be reduced. As a result, the load on the substrate 40 is reduced.

図3を参照する。端子50は、第1端51から第2端52側に向かう凹部55を有し、凹部55の底部55bは、基体40外に位置する部位を含んでいる。これにより、端子50の温度が変わった場合でも、端子50における、基体40内の部位と基体40外の部位との体積の変化の差が小さくなる。結果、局所的に強い力が基体40に加わることを抑制することができる。即ち、端子50による基体40への負担を軽減することができる。 Please refer to FIG. The terminal 50 has a recess 55 extending from the first end 51 toward the second end 52 , and the bottom 55 b of the recess 55 includes a portion positioned outside the base 40 . As a result, even when the temperature of the terminal 50 changes, the difference in volume change between the portion inside the base 40 and the portion outside the base 40 in the terminal 50 is reduced. As a result, application of locally strong force to the substrate 40 can be suppressed. That is, the load on the base 40 by the terminal 50 can be reduced.

底部55bは、底部55bの少なくとも一部が曲面であってもよい。これにより、底部55b付近では、第1端51から第2端52に向かって、端子50の断面積が徐々に増えるよう形状となる。結果、端子50Cの温度が変化した場合でも、局所的に基体40に強い力が加わることを抑制することができる。これにより、端子50による基体40への負荷をより軽減することができる。 At least a portion of the bottom portion 55b may be curved. As a result, the cross-sectional area of the terminal 50 gradually increases from the first end 51 toward the second end 52 near the bottom portion 55b. As a result, even if the temperature of the terminal 50C changes, it is possible to suppress local application of a strong force to the base 40 . Thereby, the load on the base 40 by the terminals 50 can be further reduced.

底部55bは、第1端51に向かって内径が大きくなる円錐形状であってもよい。別の観点では、底部55bに相当する箇所の空間は、第1端51に向かって広くなる円錐形状であってもよい。底部55b(底部55bに相当する箇所の空間)が円錐形状であることによって、例えば、ドリルなどの先端が尖った回転体を押し当てることにより底部55bを容易に形成することができる。結果、ウエハ載置構造体20の生産効率を向上させることができる。 The bottom portion 55 b may have a conical shape with an inner diameter that increases toward the first end 51 . From another point of view, the space corresponding to the bottom portion 55 b may have a conical shape that widens toward the first end 51 . Since the bottom portion 55b (the space corresponding to the bottom portion 55b) is conical, the bottom portion 55b can be easily formed by pressing a rotating body with a sharp tip such as a drill against it. As a result, the production efficiency of the wafer mounting structure 20 can be improved.

次に、本開示の第2実施形態について説明する。 Next, a second embodiment of the present disclosure will be described.

[第2実施形態]
図5(a)を参照する。図5(a)は、本開示における第2実施形態を示した図であり、上記図3に対応している。第2実施形態におけるウエハ載置構造体20Aは、第1実施形態との関係において、導電体21Aの配置及び凹部55Aの形状が異なっている。その他の具体的な構造については、第1実施形態によるウエハ載置構造体20と共通する。第1実施形態と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。
[Second embodiment]
Please refer to FIG. FIG. 5(a) is a diagram showing a second embodiment of the present disclosure, and corresponds to FIG. 3 above. A wafer mounting structure 20A in the second embodiment differs from the first embodiment in the arrangement of conductors 21A and the shape of recesses 55A. Other specific structures are common to the wafer mounting structure 20 according to the first embodiment. For parts common to the first embodiment, reference numerals are used and detailed explanations are omitted.

図5(a)に示す例において、導電体21Aは、端子50Aの上部に位置し、第1端51に接している。尚、図示しないが、導電体21Aと端子50Aとの間にも固定部材Fiが介在し、この固定部材Fiを介して、導電体21Aは第1端51に接していてもよい。 In the example shown in FIG. 5A, the conductor 21A is positioned above the terminal 50A and is in contact with the first end 51. In the example shown in FIG. Although not shown, a fixing member Fi may be interposed between the conductor 21A and the terminal 50A, and the conductor 21A may be in contact with the first end 51 via the fixing member Fi.

凹部55Aは、例えば、略円柱形状を呈している。その他の態様として、凹部55Aは、例えば、直方体による形状を呈している。凹部55Aの底面は、平面形状を呈している。凹部55Aの形状は任意である。 55 A of recessed parts are exhibiting substantially cylindrical shape, for example. As another aspect, the concave portion 55A has, for example, a rectangular parallelepiped shape. The bottom surface of the recess 55A has a planar shape. The shape of the recess 55A is arbitrary.

凹部55Aは、B面40bと第1面54aとの間に位置する部位を含んでいる。 The recess 55A includes a portion located between the B surface 40b and the first surface 54a.

内壁55Aaは、第1端51から底部55Abに向かって延び、基体40外に位置する部位を含んでいる。内壁55Aaの下端は、B面40bと第1面54aとの間に位置している。 The inner wall 55</b>Aa extends from the first end 51 toward the bottom 55</b>Ab and includes a portion located outside the base 40 . A lower end of the inner wall 55Aa is positioned between the B surface 40b and the first surface 54a.

第1実施形態と重複するが、内壁55Aaは、第1外壁53a及び第2外壁53b(外壁53)に対して平行である。別の観点からすると、内壁55Aaは、B面40bに対して垂直である。 Although overlapping with the first embodiment, the inner wall 55Aa is parallel to the first outer wall 53a and the second outer wall 53b (outer wall 53). From another point of view, the inner wall 55Aa is perpendicular to the B surface 40b.

底部55Abの全部は、B面40bよりも第2端52側に位置している。より詳細には、底部55Abの全部は、基体40外において、B面40bと第1面54aとの間に位置している。底部55Abは、内壁55Aaに対して垂直である。別の観点からすると、底部55Abは、B面40bに対して平行である。 The entire bottom portion 55Ab is positioned closer to the second end 52 than the B surface 40b. More specifically, the entire bottom portion 55Ab is positioned outside the base 40 between the B surface 40b and the first surface 54a. The bottom portion 55Ab is perpendicular to the inner wall 55Aa. From another point of view, the bottom portion 55Ab is parallel to the B surface 40b.

底部55Abの全部は、基体40外に位置している。これにより、凹部55Aの基体40外に位置する部位は、底部55Abの全部が基体40外に位置していない場合と比べて、より大きくなる。結果、端子50Aの温度が変わった場合でも、端子50Aにおける、基体40内の部位と基体40外の部位との体積の変化の差がより小さくなる。即ち、端子50Aによる基体40への負担をより軽減することができる。 The entire bottom portion 55Ab is positioned outside the base 40 . As a result, the portion of the concave portion 55A located outside the base 40 becomes larger than when the entire bottom portion 55Ab is not located outside the base 40 . As a result, even if the temperature of the terminal 50A changes, the difference in volume change between the portion inside the base 40 and the portion outside the base 40 in the terminal 50A becomes smaller. That is, it is possible to further reduce the burden on the base 40 due to the terminals 50A.

凹部55Aの内壁55Aaは、端子50Aの外壁に平行であり、底部55Abは、内壁55Aaに対し垂直である。これにより、凹部55Aにおける基体40外に位置する部位は、より大きくなる。結果、基体40への負荷をより軽減することができる。 The inner wall 55Aa of the recess 55A is parallel to the outer wall of the terminal 50A, and the bottom 55Ab is perpendicular to the inner wall 55Aa. As a result, the portion of the concave portion 55A located outside the base 40 becomes larger. As a result, the load on the substrate 40 can be further reduced.

[第3実施形態]
図5(b)を参照する。図5(b)は、本開示における第3実施形態を示した図である。上記同様、第3実施形態におけるウエハ載置構造体20Bは、上記に示した図3に対応している。第1実施形態と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。
[Third embodiment]
Please refer to FIG. FIG. 5(b) is a diagram showing a third embodiment of the present disclosure. Similar to the above, the wafer mounting structure 20B in the third embodiment corresponds to FIG. 3 shown above. For parts common to the first embodiment, reference numerals are used and detailed explanations are omitted.

凹部55Bは、第1面54aと第2面54bとの間に位置する部位を含んでいる。 The recess 55B includes a portion located between the first surface 54a and the second surface 54b.

内壁55Baは、第1面54aと第2面54bとの間に位置する部位を含んでいる。 The inner wall 55Ba includes a portion located between the first surface 54a and the second surface 54b.

底部55Bbの全部は、第1面54aよりも第2端52側に位置している。より詳細には、底部55Bbの全部は、基体40外において、第1面54aと第2面54bとの間に位置している。底部55Bbは、平面形状を呈している The entire bottom portion 55Bb is located closer to the second end 52 than the first surface 54a. More specifically, the entire bottom portion 55Bb is positioned outside the base 40 between the first surface 54a and the second surface 54b. The bottom portion 55Bb has a planar shape.

底部55Bbは、第1面54aよりも基体40から離れて位置している部位を含んでいる。これにより、凹部55Bの基体40外に位置する部位は、更に大きくなる。結果、端子50Bによる基体40への負担をより軽減することができる。 The bottom portion 55Bb includes a portion located farther from the base 40 than the first surface 54a. As a result, the portion of the concave portion 55B located outside the base 40 becomes even larger. As a result, the load on the base 40 due to the terminal 50B can be further reduced.

加えて、例えば、鍔部54を構成する第1面54aを目印として、底部55Bbを形成することもできるようになる。これにより、ウエハ載置構造体20Bの生産効率を向上させることができる。 In addition, for example, the bottom portion 55Bb can be formed using the first surface 54a forming the flange portion 54 as a mark. Thereby, the production efficiency of the wafer mounting structure 20B can be improved.

[第4実施形態]
図6(a)を参照する。図6(a)は、本開示における第4実施形態を示した図である。上記同様、第4実施形態におけるウエハ載置構造体20Cは、上記に示した図3に対応している。第1実施形態と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。
[Fourth embodiment]
Please refer to FIG. FIG. 6(a) is a diagram showing a fourth embodiment of the present disclosure. Similarly to the above, the wafer mounting structure 20C in the fourth embodiment corresponds to FIG. 3 shown above. For parts common to the first embodiment, reference numerals are used and detailed explanations are omitted.

内壁55Caは、B面40bと第1面54aとの間に位置する部位を含んでいる。その他の態様として、内壁55Caは、第1面54aと第2面54bとの間に位置する部位を含んでいてもよいし、第2面54bよりも第2端52側に位置する部位を含んでいてもよい。つまり、内壁55Caの長さは任意である。 The inner wall 55Ca includes a portion located between the B surface 40b and the first surface 54a. Alternatively, the inner wall 55Ca may include a portion located between the first surface 54a and the second surface 54b, or may include a portion located closer to the second end 52 than the second surface 54b. You can stay. That is, the length of the inner wall 55Ca is arbitrary.

底部55Cbは、第2面54bよりも基体40から離れている部位を含んでいる。尚、底部55Cbの周縁は、B面40bと第1面54aとの間に位置していてもよいし、第1面54aと第2面54bとの間に位置していてもよいし、第2面54bよりも基体40から離れて位置していてもよい。 The bottom portion 55Cb includes a portion that is farther from the base 40 than the second surface 54b. The peripheral edge of the bottom portion 55Cb may be positioned between the B surface 40b and the first surface 54a, may be positioned between the first surface 54a and the second surface 54b, or may be positioned between the first surface 54a and the second surface 54b. It may be positioned further from the base 40 than the second surface 54b.

底部55Cbは、底部55Cbの少なくとも一部が曲面である。例えば、底部55Cbは、第2端52に向かって傾斜する半球形状を呈している。 At least part of the bottom portion 55Cb has a curved surface. For example, the bottom portion 55Cb has a hemispherical shape that slopes toward the second end 52 .

尚、第1実施形態において、底部55bは、凹部55を構成する要素のうち、第2端52側に位置すると共に第1端51側に臨んでいる部位である、と記載した。しかしながら、本実施形態においては、内壁55Caと底部55Cbとの境界が不明確になることもある。このような場合には、第1端51から第2端52に向かう方向において、凹部55Cの内径が徐々に小さくなる最初の部位を底部55Cbの周縁(底部55Cbの始まりの部位)とすることもできる。 In the first embodiment, the bottom portion 55b is a portion of the elements forming the recess 55 that is located on the second end 52 side and faces the first end 51 side. However, in this embodiment, the boundary between the inner wall 55Ca and the bottom 55Cb may become unclear. In such a case, in the direction from the first end 51 to the second end 52, the first portion where the inner diameter of the concave portion 55C gradually decreases may be the peripheral edge of the bottom portion 55Cb (the starting portion of the bottom portion 55Cb). can.

鍔部54は、第1面54aの反対側に位置する第2面54bをさらに有し、底部55Cbは、第2面54bよりも基体40から離れて位置している部位を含んでいる。これにより、端子50Cの第1端51側は弾性変形しやすくなる。結果、基体40への負荷が軽減される。 The collar portion 54 further has a second surface 54b located on the opposite side of the first surface 54a, and the bottom portion 55Cb includes a portion located farther from the base 40 than the second surface 54b. This makes it easier for the first end 51 side of the terminal 50C to be elastically deformed. As a result, the load on the substrate 40 is reduced.

[第5実施形態]
図6(b)を参照する。図6(b)は、本開示における第5実施形態を示した図である。上記同様、第5実施形態におけるウエハ載置構造体20Dは、上記に示した図3に対応している。第1実施形態と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。
[Fifth embodiment]
See FIG. 6(b). FIG. 6(b) is a diagram showing a fifth embodiment of the present disclosure. Similar to the above, the wafer mounting structure 20D in the fifth embodiment corresponds to FIG. 3 shown above. For parts common to the first embodiment, reference numerals are used and detailed explanations are omitted.

内壁55Daは、第1外壁53a及び第2外壁53bに沿った面を基準として所定の角度だけ傾斜している。別の観点では、内壁55Daは、第1端51から底部55Dbに向かって、凹部55Dの内径が小さくなるよう傾斜している。つまり、端子50Dは、第1外壁53aから内壁55Daまでの厚さが第2端52側に向かって徐々に厚くなっている。 The inner wall 55Da is inclined by a predetermined angle with respect to a plane along the first outer wall 53a and the second outer wall 53b. From another point of view, the inner wall 55Da is inclined such that the inner diameter of the recess 55D decreases from the first end 51 toward the bottom 55Db. That is, the thickness of the terminal 50D from the first outer wall 53a to the inner wall 55Da gradually increases toward the second end 52 side.

底部55Dbは、底部55Dbの周縁から中央に向かって、内径が小さくなるよう傾斜している。つまり、底部55Dbは、第1端51に向かって内径が大きくなる円錐形状を呈している。底部55Dbの周縁は、基体40内に設けられてもよいし、B面40bと第1面54aとの間に設けられてもよいし、第1面54aと第2面54bとの間に設けられてもよい。底部55Dbの周縁が設けられる位置は任意である。 The bottom portion 55Db is inclined such that the inner diameter decreases from the peripheral edge of the bottom portion 55Db toward the center. That is, the bottom portion 55Db has a conical shape with an inner diameter that increases toward the first end 51 . The peripheral edge of the bottom portion 55Db may be provided within the base 40, may be provided between the B surface 40b and the first surface 54a, or may be provided between the first surface 54a and the second surface 54b. may be The position where the peripheral edge of the bottom portion 55Db is provided is arbitrary.

尚、本実施形態では、内壁55Da及び底部55Dbのそれぞれが傾斜している。このため、第4実施形態と同様に、内壁55Daと底部55Dbとの境界が不明確になることもある。このような場合には、第1端51から第2端52に向かう方向において、凹部55Dの内径における傾斜角度が変わる最初の部位を底部55Dbの周縁(底部55Dbの始まりの部位)とすることもできる。 In addition, in this embodiment, each of the inner wall 55Da and the bottom portion 55Db is inclined. Therefore, as in the fourth embodiment, the boundary between the inner wall 55Da and the bottom portion 55Db may become unclear. In such a case, in the direction from the first end 51 to the second end 52, the first portion where the inclination angle of the inner diameter of the recess 55D changes may be the peripheral edge of the bottom portion 55Db (the starting portion of the bottom portion 55Db). can.

更に、本実施形態では、内壁55Da及び底部55Dbの傾斜角度が同一となることもある。内壁55Da及び底部55Dbの傾斜角度が同一の場合も、内壁55Daと底部55Dbとの境界が不明確になる。このような場合には、凹部55Dは、底部55Dbのみで構成されている、と考える。例えば、凹部55Dが円錐形状を呈していたら、凹部55Dは、底部55Dbのみによって構成されている、と考える。 Furthermore, in this embodiment, the inclination angles of the inner wall 55Da and the bottom portion 55Db may be the same. Even when the inclination angles of the inner wall 55Da and the bottom portion 55Db are the same, the boundary between the inner wall 55Da and the bottom portion 55Db becomes unclear. In such a case, the recessed portion 55D is considered to be composed only of the bottom portion 55Db. For example, if the recessed portion 55D has a conical shape, it is considered that the recessed portion 55D is composed only of the bottom portion 55Db.

凹部55Dの内壁55Daは、端子50Dの第1端51から底部55Dbに向かって、凹部55Dの内径が小さくなるよう傾斜している。つまり、端子50Dの第1端51側は、第2端52側に向かって徐々に断面積が増える形状である、ということができる。これにより、底部55Db付近において、大きく端子50Dの断面積が変わることを抑制することができる。結果、局所的に強い力が基体40に加わることを抑制することができる。即ち、基体40への負荷をより軽減することができる。 An inner wall 55Da of the recess 55D is inclined such that the inner diameter of the recess 55D decreases from the first end 51 of the terminal 50D toward the bottom 55Db. That is, it can be said that the first end 51 side of the terminal 50D has a shape in which the cross-sectional area gradually increases toward the second end 52 side. Accordingly, it is possible to suppress a large change in the cross-sectional area of the terminal 50D in the vicinity of the bottom portion 55Db. As a result, application of locally strong force to the substrate 40 can be suppressed. That is, the load on the base 40 can be further reduced.

[第6実施形態]
図7(a)を参照する。図7(a)は、本開示における第6実施形態を示した図である。上記同様、第6実施形態におけるウエハ載置構造体20Eは、上記に示した図3に対応している。第1実施形態と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。
[Sixth embodiment]
Please refer to FIG. FIG. 7(a) is a diagram showing a sixth embodiment of the present disclosure. Similar to the above, the wafer mounting structure 20E in the sixth embodiment corresponds to FIG. 3 shown above. For parts common to the first embodiment, reference numerals are used and detailed explanations are omitted.

内壁55Eaは、第2面54bよりも基体40から離れた部位を含んでいる。更に、内壁55Eaは、B面40bに対して平行である。これらにより、端子50Eの第1端51側は、より弾性変形しやすくなる。 The inner wall 55Ea includes a portion farther from the base 40 than the second surface 54b. Furthermore, the inner wall 55Ea is parallel to the B surface 40b. As a result, the first end 51 side of the terminal 50E is more easily elastically deformed.

[第7実施形態]
図7(b)を参照する。図7(b)は、本開示における第7実施形態を示した図である。上記同様、第7実施形態におけるウエハ載置構造体20Fは、上記に示した図3に対応している。第1実施形態と共通する部分については、符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。
[Seventh embodiment]
Refer to FIG. 7(b). FIG. 7(b) is a diagram showing a seventh embodiment of the present disclosure. As above, the wafer mounting structure 20F in the seventh embodiment corresponds to FIG. 3 shown above. For parts common to the first embodiment, reference numerals are used and detailed explanations are omitted.

底部55Fbの周縁は、第1面54aの近傍に位置している。底部55Fbのうち最も第2端52側に位置する部位は、第1面54aと第2面54bとの間に位置している。 A peripheral edge of the bottom portion 55Fb is located near the first surface 54a. A portion of the bottom portion 55Fb that is closest to the second end 52 is located between the first surface 54a and the second surface 54b.

次に、本開示による端子の変形例について説明する。 Next, a modification of the terminal according to the present disclosure will be described.

図8を参照する。図8は、本開示における実施形態1による端子50の変形例を示した図である。変形例における端子50Gは、第1実施形態との関係において、第2端52側に端子穴部56Gを有することが異なっている。その他の基本的な構成は、第1実施形態と同一である。第1実施形態と共通する部分は符号を流用すると共に詳細な説明を省略する。 Please refer to FIG. FIG. 8 is a diagram showing a modification of the terminal 50 according to Embodiment 1 of the present disclosure. A terminal 50G in the modified example differs from the first embodiment in that it has a terminal hole portion 56G on the second end 52 side. Other basic configurations are the same as those of the first embodiment. Reference numerals are used for parts common to the first embodiment, and detailed description thereof is omitted.

端子50Gには、第2端52から第1端51側に向かって、端子穴部56Gを有している。この端子穴部56Gには、導電性の導電部材Coが螺嵌されている。この導電部材Coには、例えば、接続部22(図2参照)を接続させることができる。これにより、端子50Gに対する接続部22の接続が容易になる。 The terminal 50G has a terminal hole portion 56G extending from the second end 52 toward the first end 51 side. A conductive member Co is screwed into the terminal hole portion 56G. For example, the connection portion 22 (see FIG. 2) can be connected to the conductive member Co. This facilitates connection of the connecting portion 22 to the terminal 50G.

端子穴部56Gの大きさは、凹部55と同一であってもよいし、凹部55よりも大きくてもよいし、凹部55よりも小さくてもよい。 The size of the terminal hole portion 56</b>G may be the same as that of the recess 55 , larger than the recess 55 , or smaller than the recess 55 .

端子穴部56Gの大きさは、凹部55と同一であってもよいし、凹部55よりも大きくてもよいし、凹部55よりも小さくてもよい。 The size of the terminal hole portion 56</b>G may be the same as that of the recess 55 , larger than the recess 55 , or smaller than the recess 55 .

ウエハ載置装置10~10Fは、上記にいうウエハ載置構造体20~20Fと、導電体21、21Aに給電可能な電力供給部11と、電力供給部11の給電を制御する制御部13と、を有している。これにより、基体40への負荷が軽減される、ウエハ載置装置10~10Fを提供することができる。 The wafer mounting apparatuses 10 to 10F include the above-described wafer mounting structures 20 to 20F, a power supply section 11 capable of supplying power to the conductors 21 and 21A, and a control section 13 for controlling the power supply of the power supply section 11. ,have. Accordingly, it is possible to provide the wafer mounting apparatuses 10 to 10F in which the load on the base 40 is reduced.

尚、第1実施形態において、基体はシャフト部材に固定部材などによって固定されている態様について説明した。しなしながら、基体及びシャフト部材が共にセラミックからなる場合、焼成によって基体及びシャフト部材を一体的に形成させることもできる。 In addition, in the first embodiment, a mode in which the base is fixed to the shaft member by a fixing member or the like has been described. However, when both the base and the shaft member are made of ceramic, the base and the shaft member can be integrally formed by firing.

更に、第1実施形態において、導電体が抵抗発熱体である場合について説明した。しかしながら、導電体は、A面にウエハが吸着させる静電チャックであってもよい。静電チャックは、電力供給部からの電力によってウエハとの間にクーロン力を発生させ、ウエハをA面に吸着させる。更には、導電体は、プラズマを発生させる際などに用いられる高周波電極であってもよい。つまり、導電体は任意である。 Furthermore, in the first embodiment, the case where the conductor is a resistance heating element has been described. However, the conductor may be an electrostatic chuck that attracts the wafer to the A surface. The electrostatic chuck generates a Coulomb force between itself and the wafer by means of power supplied from the power supply unit, thereby attracting the wafer to the A surface. Furthermore, the conductor may be a high-frequency electrode used when generating plasma. In other words, the conductor is arbitrary.

尚、端子を基体内に位置させる方法としては、焼成前の基体(焼結前の基体)に端子を挿入し、この焼成前の基体を焼成することによって基体(焼結後の基体)内に端子の一部を位置させる方法がある。その他の方法として、焼結後の基体(挿入部)に端子を挿入する方法もある。端子の一部を基体内に位置させる方法は任意である。 As a method of positioning the terminals in the base, the terminals are inserted into the base before firing (base before sintering), and the base before firing is fired, so that the terminals are positioned inside the base (base after sintering). There is a way to position some of the terminals. As another method, there is also a method of inserting terminals into the substrate (insertion portion) after sintering. Any method may be used to position a portion of the terminal within the base.

また、第1実施形態において、端子は基体の下面に配置されている例をもって説明した。しかしながら、端子は、基体の上面に配置されてもよく、基体の側面に配置されてもよい。即ち、端子が配置される位置は任意である。 Also, in the first embodiment, an example in which the terminals are arranged on the bottom surface of the base has been described. However, the terminals may be arranged on the top surface of the substrate or may be arranged on the side surfaces of the substrate. That is, the positions where the terminals are arranged are arbitrary.

更に、本開示における鍔部は必須の構成要素ではない。このため、鍔部を廃すこともできる。 Furthermore, the collar portion in the present disclosure is not an essential component. Therefore, it is possible to eliminate the collar portion.

また、第1実施形態において、B面はA面に対して平行に形成されている例をもって説明した。しかしながら、B面は必ずしもA面に対して平行でなくともよい。更には、B面は、所々に窪み(凹凸)を有していてもよい。場合によっては、所々に窪みを形成し、この窪みに端子の基体外に位置する部位を囲わせることもできる。この場合、端子の基体外に位置する部位は、基体を構成する面との間に所定の空間が設けられた部位のことである。 Further, in the first embodiment, the example in which the B plane is formed parallel to the A plane has been described. However, the B plane does not necessarily have to be parallel to the A plane. Furthermore, the B surface may have depressions (unevenness) in places. In some cases, depressions may be formed in some places, and the depressions may surround portions of the terminals located outside the base. In this case, the portion of the terminal positioned outside the base means a portion provided with a predetermined space between the terminal and the surface forming the base.

更に、第5実施形態において、内壁及び/又は底部は、第1端から第2端に向かって凹部の内径が小さくなるよう傾斜している例をもって説明した。しかしながら、内壁又は底部は、第1端から第2端に向かって、凹部の内径が大きくなるよう傾斜していてもよい。また、内壁及び/又は底部は、第1端から第2端に向かう第1方向に対して、所定の角度だけ傾いていてもよい。 Furthermore, in the fifth embodiment, the inner wall and/or the bottom are slanted so that the inner diameter of the recess decreases from the first end to the second end. However, the inner wall or bottom may be slanted such that the inner diameter of the recess increases from the first end to the second end. Also, the inner wall and/or the bottom may be slanted at a predetermined angle with respect to the first direction from the first end to the second end.

また、繰り返しになるが、底部における最も第2端側の部位は、B面と第1面との間に位置していてもよいし、第1面と第2面との間に位置していてもよいし、第2面より基体から離れて位置していてもよい。底部における周縁(第1端側の部位)は、第1端から底部までの箇所の如何なる部位に位置してもよい。 In addition, again, the portion of the bottom portion closest to the second end may be positioned between the B surface and the first surface, or may be positioned between the first surface and the second surface. or may be located further from the substrate than the second surface. The peripheral edge of the bottom (the portion on the first end side) may be positioned anywhere from the first end to the bottom.

更に、本開示におけるウエハ載置構造体(基体構造体)は、ウエハ以外の対象物も載置することができる。 Furthermore, the wafer mounting structure (substrate structure) in the present disclosure can mount objects other than wafers.

また、本開示によるウエハ載置構造体に載置されるウエハは、半導体に限定されず、水晶ウエハであってもよい。 Further, the wafer mounted on the wafer mounting structure according to the present disclosure is not limited to a semiconductor, and may be a crystal wafer.

即ち、本開示は、本開示の作用及び効果を奏する限りにおいて限定されることはない。 That is, the present disclosure is not limited as long as the actions and effects of the present disclosure are achieved.

10~10G…ウエハ載置装置
11…電力供給部
13…制御部
20~20G…ウエハ載置構造体
21、21A…導電体
40…基体
50~50G…端子
51…第1端
52…第2端
53…外壁
54…鍔部
55~55F…凹部
55a~55Fa…内壁
55b~55Fb…底部
Li…第1方向
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10-10G... Wafer mounting apparatus 11... Power supply part 13... Control part 20-20G... Wafer mounting structure 21, 21A... Conductor 40... Base 50-50G... Terminal 51... First end 52... Second end 53 Outer wall 54 Flange 55 to 55F Recess 55a to 55Fa Inner wall 55b to 55Fb Bottom Li First direction

Claims (11)

絶縁性の基体と、
該基体内に位置する導電体と、
第1端および第2端と、前記第1端と前記第2端との間に位置する外壁とを有し、前記第1端から前記第2端に亘る長さを有する端子と、
導電性を有する固定部材と、を備え、
前記端子は、前記第1端が前記基体内に位置し、前記第2端が前記基体外に位置し、
前記端子は、前記外壁の少なくとも一部に前記固定部材が接しており、
前記端子は、前記固定部材を介して前記導電体に対し電気的に接続されており、
前記端子は、前記第1端から前記第2端側に向かう凹部を有し、
該凹部は、内壁と、底部と、前記内壁と、前記底部で囲まれた空間とを有し、
該底部は、前記内壁よりも前記第2端側に位置しており、
前記内壁の少なくとも一部は、前記基体および前記固定部材よりも前記第2端側に位置し、
前記底部は、前記基体および前記固定部材よりも前記第2端側に位置する部位を含んでいるウエハ載置構造体。
an insulating substrate;
a conductor located within the substrate;
a terminal having a first end and a second end and an outer wall positioned between the first end and the second end and having a length extending from the first end to the second end;
a conductive fixing member,
the terminal has the first end positioned inside the base and the second end positioned outside the base;
the fixing member is in contact with at least part of the outer wall of the terminal;
The terminal is electrically connected to the conductor via the fixing member,
the terminal has a recess extending from the first end toward the second end;
The recess has an inner wall, a bottom, and a space surrounded by the inner wall and the bottom,
The bottom portion is located closer to the second end than the inner wall,
at least a part of the inner wall is positioned closer to the second end than the base and the fixing member;
The wafer mounting structure, wherein the bottom portion includes a portion positioned closer to the second end than the base and the fixing member.
前記底部の全部は、前記基体外に位置している請求項1記載のウエハ載置構造体。 2. The wafer mounting structure according to claim 1, wherein the entirety of said bottom portion is positioned outside said base. 前記端子は、前記基体外において、前記第1端から前記第2端に向かう第1方向に交わる方向に突出する鍔部を有し、
該鍔部は、前記基体に対向する第1面を有し、
前記底部は、前記第1面よりも前記基体から離れて位置している部位を含んでいる請求項1又は請求項2記載のウエハ載置構造体。
the terminal has a flange protruding outside the base in a direction crossing a first direction from the first end to the second end;
The collar has a first surface facing the base,
3. The wafer mounting structure according to claim 1, wherein said bottom portion includes a portion located farther from said substrate than said first surface.
前記鍔部は、前記第1面の反対側に位置する第2面をさらに有し、
前記底部は、前記第2面よりも前記基体から離れて位置している部位を含んでいる請求項3記載のウエハ載置構造体。
The collar further has a second surface located on the opposite side of the first surface,
4. The wafer mounting structure according to claim 3 , wherein said bottom portion includes a portion located farther from said base than said second surface.
前記底部は、該底部の少なくとも一部が曲面である請求項1~請求項4のいずれか1項記載のウエハ載置構造体。 5. The wafer mounting structure according to any one of claims 1 to 4, wherein at least part of said bottom is curved. 前記底部は、前記第1端に向かって内径が大きくなる円錐形状である請求項1~請求項5のいずれか1項記載のウエハ載置構造体。 The wafer mounting structure according to any one of claims 1 to 5, wherein the bottom portion has a conical shape whose inner diameter increases toward the first end. 前記凹部の内壁は、前記端子の外壁に平行であり、
前記底部は、前記内壁に対し垂直である請求項1~請求項4のいずれか1項記載のウエハ載置構造体。
an inner wall of the recess is parallel to an outer wall of the terminal;
A wafer mounting structure according to any one of claims 1 to 4, wherein said bottom is perpendicular to said inner wall.
前記凹部の内壁は、前記端子の前記第1端から前記底部に向かって、前記凹部の内径が小さくなるよう傾斜している請求項1~請求項6のいずれか1項記載のウエハ載置構造体。 The wafer mounting structure according to any one of claims 1 to 6, wherein the inner wall of the recess is inclined so that the inner diameter of the recess decreases from the first end of the terminal toward the bottom. body. 前記ウエハ載置構造体は、前記導電体が抵抗発熱体を含んでいるヒータである請求項1~請求項8のいずれか1項記載のウエハ載置構造体。 9. The wafer mounting structure according to claim 1, wherein said conductor is a heater including a resistance heating element. 請求項1~請求項9のいずれか1項記載のウエハ載置構造体と、
前記導電体に給電可能な電力供給部と、
前記電力供給部の給電を制御する制御部と、
を有しているウエハ載置装置。
a wafer mounting structure according to any one of claims 1 to 9;
a power supply unit capable of supplying power to the conductor;
a control unit that controls power supply from the power supply unit;
A wafer placement device.
絶縁性の基体と、
該基体内に位置する導電体と、
第1端および第2端と、前記第1端と前記第2端との間に位置する外壁とを有し、前記第1端から前記第2端に亘る長さを有する端子と、
導電性を有する固定部材と、を備え、
前記端子は、前記第1端が前記基体内に位置し、前記第2端が前記基体外に位置し、
前記端子は、前記外壁の少なくとも一部に前記固定部材が接しており、
前記端子は、前記固定部材を介して前記導電体に対し電気的に接続されており、
前記端子は、前記第1端から前記第2端側に向かう凹部を有し、
該凹部は、内壁と、底部と、前記内壁と、前記底部で囲まれた空間とを有し、
該底部は、前記内壁よりも前記第2端側に位置しており、
前記内壁の少なくとも一部は、前記基体および前記固定部材よりも前記第2端側に位置し、
前記底部は、前記基体および前記固定部材よりも前記第2端側に位置する部位を含んでいる基体構造体。
an insulating substrate;
a conductor located within the substrate;
a terminal having a first end and a second end and an outer wall positioned between the first end and the second end and having a length extending from the first end to the second end;
a conductive fixing member,
the terminal has the first end positioned inside the base and the second end positioned outside the base;
the fixing member is in contact with at least part of the outer wall of the terminal;
The terminal is electrically connected to the conductor via the fixing member,
the terminal has a recess extending from the first end toward the second end;
The recess has an inner wall, a bottom, and a space surrounded by the inner wall and the bottom,
The bottom portion is located closer to the second end than the inner wall,
at least a part of the inner wall is positioned closer to the second end than the base and the fixing member;
The base structure, wherein the bottom portion includes a portion positioned closer to the second end than the base and the fixing member.
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