JP6758175B2 - Electrostatic chuck - Google Patents

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本明細書に開示される技術は、静電チャックに関する。 The techniques disclosed herein relate to electrostatic chucks.

例えば半導体を製造する際にウェハを保持するために、静電チャックが用いられる。静電チャックは、金属製のベース部材と、ベース部材に接合されたセラミックス板とを備えており、セラミックス板の内部に配置されたチャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス板の表面(以下、「吸着面」という)にウェハを吸着して保持する。 For example, an electrostatic chuck is used to hold a wafer when manufacturing a semiconductor. The electrostatic chuck includes a metal base member and a ceramic plate bonded to the base member, and exerts an electrostatic attraction generated by applying a voltage to a chuck electrode arranged inside the ceramic plate. Utilizing this, the wafer is attracted and held on the surface of the ceramic plate (hereinafter referred to as "adsorption surface").

静電チャックは、チャック電極への給電のための構成を備えている。具体的には、ベース部材の内部に、ベース部材におけるセラミックス板に対向する表面(以下、「上面」という)に開口する端子用貫通孔が形成されており、端子用貫通孔内に、柱状の電極端子が配置されている。また、セラミックス板におけるベース部材に対向する表面(以下、「下面」という)の内の所定の領域には、チャック電極に導通する電極パッドが配置されている。なお、セラミックス板の下面における上記所定領域は、吸着面に略直交する方向(以下、「第1の方向」という)視で端子用貫通孔に重なる領域である。ベース部材の端子用貫通孔内に配置された電極端子は、例えばロウ付けによって電極パッドに接合されている。また、電極端子と金属製のベース部材との間を絶縁するため、ベース部材の端子用貫通孔内には、電極端子と端子用貫通孔の表面との間に介在するように電極端子を連続的に取り囲む絶縁部材が配置される。静電チャックの使用時には、チャック電極に、電源から電極端子および電極パッドを介してチャック電極に至る導通経路を介して、電圧が印加される(例えば、特許文献1参照)。 The electrostatic chuck has a configuration for supplying power to the chuck electrode. Specifically, a through hole for terminals is formed inside the base member to open on the surface of the base member facing the ceramic plate (hereinafter referred to as "upper surface"), and a columnar shape is formed in the through hole for terminals. Electrode terminals are arranged. Further, an electrode pad conducting to the chuck electrode is arranged in a predetermined region in the surface of the ceramic plate facing the base member (hereinafter, referred to as “lower surface”). The predetermined region on the lower surface of the ceramic plate is a region that overlaps the terminal through hole in a direction substantially orthogonal to the suction surface (hereinafter, referred to as “first direction”). The electrode terminals arranged in the terminal through holes of the base member are joined to the electrode pads by, for example, brazing. Further, in order to insulate between the electrode terminal and the metal base member, the electrode terminal is continuously provided in the terminal through hole of the base member so as to be interposed between the electrode terminal and the surface of the terminal through hole. Insulating members are arranged to surround the surface. When using an electrostatic chuck, a voltage is applied to the chuck electrode via a conduction path from a power source to the chuck electrode via an electrode terminal and an electrode pad (see, for example, Patent Document 1).

特開2007−258615号公報JP-A-2007-258615

従来の静電チャックでは、セラミックス板の下面に沿って電極パッドからベース部材に至るまでの沿面距離が短く、電極パッドとベース部材との間の短絡が発生するおそれがある。 In the conventional electrostatic chuck, the creepage distance from the electrode pad to the base member is short along the lower surface of the ceramic plate, and a short circuit may occur between the electrode pad and the base member.

なお、このような短絡の課題は、チャック電極に導通する電極パッドとベース部材との間に限らず、例えばヒータ電極等のようにセラミックス板の内部に配置された内部電極に導通する電極パッドとベース部材との間においても同様に発生し得る課題である。 The problem of such a short circuit is not limited to between the electrode pad conducting to the chuck electrode and the base member, but also to the electrode pad conducting to the internal electrode arranged inside the ceramic plate such as a heater electrode. It is a problem that can occur similarly with the base member.

本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。 This specification discloses a technique capable of solving the above-mentioned problems.

本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。 The techniques disclosed herein can be realized, for example, in the following forms.

(1)本明細書に開示される静電チャックは、第1の方向に略直交する平面状の第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状のセラミックス板と、第3の表面を有し、前記第3の表面が前記セラミックス板の前記第2の表面に対向するように配置され、冷媒流路と前記第3の表面に開口する端子用貫通孔とが内部に形成された金属製のベース部材と、前記セラミックス板と前記ベース部材との間に配置された第1の接着材と、前記セラミックス板の内部に配置された内部電極と、前記セラミックス板の前記第2の表面における第1の領域であって、前記第1の方向視で前記端子用貫通孔に重なる前記第1の領域に配置され、前記内部電極に導通する電極パッドと、前記端子用貫通孔内に配置され、前記電極パッドと接合された柱状の電極端子と、前記端子用貫通孔内に配置され、前記電極端子と前記端子用貫通孔の表面との間に介在するように前記電極端子を連続的に取り囲む絶縁部材と、前記絶縁部材の周りに配置された第2の接着材と、を備え、前記セラミックス板の前記第1の表面上に対象物を保持する静電チャックにおいて、前記セラミックス板の前記第2の表面における前記第1の領域には、前記第1の方向において前記電極パッドが配置された位置より前記内部電極側に凹んだ凹部と、前記第1の方向において前記電極パッドが配置された位置より前記内部電極から離れる側に突出した凸部と、の少なくとも一方が、前記第1の方向視で前記電極パッドを取り囲むように連続的に形成されている。本静電チャックによれば、セラミックス板の第2の表面(ベース部材に対向する側の表面)における第1の領域(第1の方向視で端子用貫通孔に重なる領域)に、第1の方向において電極パッドが配置された位置より内部電極側に凹んだ凹部と、第1の方向において電極パッドが配置された位置より内部電極から離れる側に突出した凸部と、の少なくとも一方が、第1の方向視で電極パッドを取り囲むように連続的に形成されているため、セラミックス板の第2の表面に沿って電極パッドからベース部材に至るまでの沿面距離を長くすることができ、電極パッドとベース部材との間の短絡の発生を抑制することができる。 (1) The electrostatic chuck disclosed in the present specification has a planar first surface substantially orthogonal to the first direction and a second surface opposite to the first surface. It has a plate-shaped ceramic plate and a third surface, and the third surface is arranged so as to face the second surface of the ceramic plate, and opens to the refrigerant flow path and the third surface. A metal base member having a through hole for terminals formed inside, a first adhesive material arranged between the ceramic plate and the base member, and an internal electrode arranged inside the ceramic plate. An electrode that is arranged in the first region on the second surface of the ceramic plate and that overlaps the terminal through hole in the first directional view and conducts to the internal electrode. Between the pad, the columnar electrode terminal arranged in the terminal through hole and joined to the electrode pad, and the surface of the electrode terminal and the terminal through hole arranged in the terminal through hole. An insulating member that continuously surrounds the electrode terminal so as to intervene in the electrode terminal and a second adhesive material that is arranged around the insulating member are provided, and an object is placed on the first surface of the ceramic plate. In the electrostatic chuck to be held, the first region on the second surface of the ceramic plate includes a recess recessed toward the internal electrode side from the position where the electrode pad is arranged in the first direction. At least one of the convex portion protruding from the position where the electrode pad is arranged in the first direction toward the side away from the internal electrode is continuous so as to surround the electrode pad in the first direction view. It is formed. According to the present electrostatic chuck, the first region (the region overlapping the through hole for the terminal in the first direction) on the second surface (the surface facing the base member) of the ceramic plate is the first. At least one of a concave portion recessed toward the internal electrode side from the position where the electrode pad is arranged in the direction and a convex portion protruding toward the side away from the internal electrode from the position where the electrode pad is arranged in the first direction is the first. Since it is continuously formed so as to surround the electrode pad in the direction of 1, the creepage distance from the electrode pad to the base member can be lengthened along the second surface of the ceramic plate, and the electrode pad can be increased. It is possible to suppress the occurrence of a short circuit between the base member and the base member.

(2)上記静電チャックにおいて、前記絶縁部材には、前記凹部に嵌合する絶縁部材側凸部と、前記凸部に嵌合する絶縁部材側凹部と、の少なくとも一方が形成されている構成としてもよい。本静電チャックによれば、絶縁部材に、セラミックス板の凹部に嵌合する絶縁部材側凸部と、セラミックス板の凸部に嵌合する絶縁部材側凹部と、の少なくとも一方が形成されているため、セラミックス板の凹部内やセラミックス板の凸部周りが空間である構成と比較して、電極パッドとベース部材との間の短絡の発生をより効果的に抑制することができると共に、セラミックス板の凹部や凸部廻りにおけるセラミックス板からベース部材への熱移動が促進されることによって、セラミックス板の凹部や凸部の存在に起因する第1の表面の均熱性の低下を抑制することができる。 (2) In the electrostatic chuck, the insulating member is formed with at least one of an insulating member-side convex portion that fits into the concave portion and an insulating member-side concave portion that fits into the convex portion. May be. According to this electrostatic chuck, at least one of an insulating member side convex portion that fits into the concave portion of the ceramic plate and an insulating member side concave portion that fits into the convex portion of the ceramic plate is formed on the insulating member. Therefore, the occurrence of a short circuit between the electrode pad and the base member can be more effectively suppressed and the ceramic plate can be suppressed as compared with the configuration in which the inside of the concave portion of the ceramic plate and the circumference of the convex portion of the ceramic plate are spaces. By promoting the heat transfer from the ceramic plate to the base member around the concave and convex portions of the ceramic plate, it is possible to suppress a decrease in heat soaking property of the first surface due to the presence of the concave and convex portions of the ceramic plate. ..

(3)上記静電チャックにおいて、前記セラミックス板の前記第2の表面における前記第1の領域には、前記凹部と前記凸部との少なくとも一方が、2つ以上形成されている構成としてもよい。本静電チャックによれば、セラミックス板の第2の表面に沿って電極パッドからベース部材に至るまでの沿面距離を大幅に長くすることができ、電極パッドとベース部材との間の短絡の発生をより効果的に抑制することができる。 (3) In the electrostatic chuck, at least one of the concave portion and the convex portion may be formed in the first region on the second surface of the ceramic plate. .. According to this electrostatic chuck, the creepage distance from the electrode pad to the base member can be significantly increased along the second surface of the ceramic plate, and a short circuit occurs between the electrode pad and the base member. Can be suppressed more effectively.

(4)上記静電チャックにおいて、前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率以上であり、前記セラミックス板の前記第2の表面における前記第1の領域には、前記凹部が、前記絶縁部材の肉厚を2等分する仮想面より内側の位置に形成されており、前記絶縁部材には、前記凹部に嵌合する前記絶縁部材側凸部が形成されている構成としてもよい。本静電チャックによれば、セラミックス板に凹部が形成され絶縁部材に絶縁部材側凸部が形成されることによるセラミックス板の体積減少の程度(絶縁部材の体積増加の程度)を小さくすることができ、第1の表面の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。 (4) In the electrostatic chuck, the thermal conductivity of the ceramic plate is equal to or higher than the thermal conductivity of the insulating member, and the recess is formed in the first region of the second surface of the ceramic plate. , The insulating member is formed at a position inside the virtual surface that divides the wall thickness into two equal parts, and the insulating member is formed with a convex portion on the insulating member side that fits into the concave portion. Good. According to this electrostatic chuck, it is possible to reduce the degree of volume reduction (degree of volume increase of the insulating member) of the ceramic plate due to the formation of concave portions in the ceramic plate and the formation of convex portions on the insulating member side in the insulating member. Therefore, it is possible to more effectively suppress the decrease in heat soaking property of the first surface.

(5)上記静電チャックにおいて、前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率以上であり、前記セラミックス板の前記第2の表面における前記第1の領域には、前記凸部が、前記絶縁部材の肉厚を2等分する仮想面より外側の位置に形成されており、前記絶縁部材には、前記凸部に嵌合する前記絶縁部材側凹部が形成されている構成としてもよい。本静電チャックによれば、セラミックス板に凸部が形成され絶縁部材に絶縁部材側凹部が形成されることによるセラミックス板の体積増加の程度(絶縁部材の体積減少の程度)を大きくすることができ、第1の表面の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。 (5) In the electrostatic chuck, the thermal conductivity of the ceramic plate is equal to or higher than the thermal conductivity of the insulating member, and the convex portion is formed in the first region on the second surface of the ceramic plate. However, the insulating member is formed at a position outside the virtual surface that divides the wall thickness of the insulating member into two equal parts, and the insulating member is formed with a concave portion on the insulating member side that fits into the convex portion. May be good. According to this electrostatic chuck, it is possible to increase the degree of volume increase (degree of volume decrease of the insulating member) of the ceramic plate by forming a convex portion on the ceramic plate and forming a concave portion on the insulating member side in the insulating member. Therefore, it is possible to more effectively suppress the decrease in heat soaking property of the first surface.

(6)上記静電チャックにおいて、前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率より低く、前記セラミックス板の前記第2の表面における前記第1の領域には、前記凹部が、前記絶縁部材の肉厚を2等分する仮想面より外側の位置に形成されており、前記絶縁部材には、前記凹部に嵌合する前記絶縁部材側凸部が形成されている構成としてもよい。本静電チャックによれば、セラミックス板に凹部が形成され絶縁部材に絶縁部材側凸部が形成されることによるセラミックス板の体積減少の程度(絶縁部材の体積増加の程度)を大きくすることができ、第1の表面の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。 (6) In the electrostatic chuck, the thermal conductivity of the ceramic plate is lower than the thermal conductivity of the insulating member, and the recess is formed in the first region of the second surface of the ceramic plate. It may be formed at a position outside the virtual surface that divides the wall thickness of the insulating member into two equal parts, and the insulating member may be formed with a convex portion on the insulating member side that fits into the concave portion. .. According to this electrostatic chuck, it is possible to increase the degree of volume reduction (degree of volume increase of the insulating member) of the ceramic plate due to the formation of concave portions in the ceramic plate and the formation of convex portions on the insulating member side in the insulating member. Therefore, it is possible to more effectively suppress the decrease in heat soaking property of the first surface.

(7)上記静電チャックにおいて、前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率より低く、前記セラミックス板の前記第2の表面における前記第1の領域には、前記凸部が、前記絶縁部材の肉厚を2等分する仮想面より内側の位置に形成されており、前記絶縁部材には、前記凸部に嵌合する前記絶縁部材側凹部が形成されている構成としてもよい。本静電チャックによれば、セラミックス板に凸部が形成され絶縁部材に絶縁部材側凹部が形成されることによるセラミックス板の体積増加の程度(絶縁部材の体積減少の程度)を小さくすることができ、第1の表面の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。 (7) In the electrostatic chuck, the thermal conductivity of the ceramic plate is lower than the thermal conductivity of the insulating member, and the convex portion is formed in the first region of the second surface of the ceramic plate. The insulating member is formed at a position inside the virtual surface that divides the wall thickness of the insulating member into two equal parts, and the insulating member is formed with a concave portion on the insulating member side that fits into the convex portion. Good. According to this electrostatic chuck, it is possible to reduce the degree of volume increase (degree of volume decrease of the insulating member) of the ceramic plate due to the formation of the convex portion on the ceramic plate and the concave portion on the insulating member side in the insulating member. Therefore, it is possible to more effectively suppress the decrease in heat soaking property of the first surface.

なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、静電チャックおよびその製造方法等の形態で実現することが可能である。 The technique disclosed in the present specification can be realized in various forms, for example, an electrostatic chuck and a method for manufacturing the same.

第1実施形態における静電チャック10の外観構成を概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematic appearance structure of the electrostatic chuck 10 in 1st Embodiment. 第1実施形態における静電チャック10のXZ断面構成を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the XZ cross-sectional structure of the electrostatic chuck 10 in 1st Embodiment. 第1実施形態における静電チャック10のXY断面構成(図2のIII−IIIの位置における断面構成)を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the XY cross-sectional structure (cross-sectional structure at the position of III-III of FIG. 2) of the electrostatic chuck 10 in 1st Embodiment. 第1実施形態における静電チャック10のXY断面構成(図2のIV−IVの位置における断面構成)を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the XY cross-sectional structure (cross-sectional structure at the position of IV-IV of FIG. 2) of the electrostatic chuck 10 in 1st Embodiment. 静電チャック10の一部分(図2のX1部)のXZ断面構成を拡大して示す説明図である。It is explanatory drawing which enlarges and shows the XZ cross-sectional structure of a part (X1 part of FIG. 2) of an electrostatic chuck 10. 図5のVI−VIの位置における静電チャック10の一部分のXY断面構成を拡大して示す説明図である。FIG. 5 is an enlarged explanatory view showing an enlarged XY cross-sectional configuration of a part of the electrostatic chuck 10 at the position of VI-VI in FIG. 図5のVII−VIIの位置における静電チャック10の一部分のXY断面構成を拡大して示す説明図である。FIG. 5 is an enlarged explanatory view showing an enlarged XY cross-sectional configuration of a part of the electrostatic chuck 10 at the position of VII-VII in FIG. 第1実施形態における静電チャック10の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the electrostatic chuck 10 in 1st Embodiment. 比較例の静電チャック10Xの構成を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the electrostatic chuck 10X of a comparative example. 第2実施形態の静電チャック10aの構成(XZ断面構成)を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure (XZ cross section structure) of the electrostatic chuck 10a of 2nd Embodiment. 第2実施形態の静電チャック10aの構成(XY断面構成)を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure (XY cross section structure) of the electrostatic chuck 10a of 2nd Embodiment. 第3実施形態の静電チャック10bの構成(XZ断面構成)を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure (XZ cross section structure) of the electrostatic chuck 10b of 3rd Embodiment. 第3実施形態の静電チャック10bの構成(XY断面構成)を概略的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure (XY cross section structure) of the electrostatic chuck 10b of 3rd Embodiment.

A.第1実施形態:
A−1.静電チャック10の構成:
図1は、第1実施形態における静電チャック10の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図2は、第1実施形態における静電チャック10のXZ断面構成を概略的に示す説明図であり、図3および図4は、第1実施形態における静電チャック10のXY断面構成を概略的に示す説明図である。図2には、図3および図4のII−IIの位置における静電チャック10のXZ断面構成が示されており、図3には、図2のIII−IIIの位置における静電チャック10のXY断面構成が示されており、図4には、図2のIV−IVの位置における静電チャック10のXY断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するXYZ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Z軸正方向を上方向といい、Z軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック10は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
A. First Embodiment:
A-1. Configuration of electrostatic chuck 10:
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an external configuration of the electrostatic chuck 10 according to the first embodiment, and FIG. 2 is an explanatory view schematically showing an XZ cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 10 according to the first embodiment. 3 and 4 are explanatory views schematically showing the XY cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 10 in the first embodiment. FIG. 2 shows the XZ cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 10 at the positions II-II of FIGS. 3 and 4, and FIG. 3 shows the electrostatic chuck 10 at the position III-III of FIG. The XY cross-sectional configuration is shown, and FIG. 4 shows the XY cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 10 at the position IV-IV of FIG. Each figure shows XYZ axes that are orthogonal to each other to identify the direction. In the present specification, for convenience, the Z-axis positive direction is referred to as an upward direction, and the Z-axis negative direction is referred to as a downward direction, but the electrostatic chuck 10 is actually installed in a direction different from such a direction. May be done.

静電チャック10は、対象物(例えばウェハW)を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハWを固定するために使用される。静電チャック10は、所定の配列方向(本実施形態では上下方向(Z軸方向))に並べて配置されたセラミックス板100およびベース部材200を備える。セラミックス板100とベース部材200とは、セラミックス板100の下面S2(図2参照)とベース部材200の上面S3とが上記配列方向に対向するように配置される。セラミックス板100の下面S2は、特許請求の範囲における第2の表面に相当し、ベース部材200の上面S3は、特許請求の範囲における第3の表面に相当する。 The electrostatic chuck 10 is a device that attracts and holds an object (for example, a wafer W) by electrostatic attraction, and is used for fixing the wafer W in a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus, for example. The electrostatic chuck 10 includes a ceramic plate 100 and a base member 200 arranged side by side in a predetermined arrangement direction (in the present embodiment, the vertical direction (Z-axis direction)). The ceramic plate 100 and the base member 200 are arranged so that the lower surface S2 (see FIG. 2) of the ceramic plate 100 and the upper surface S3 of the base member 200 face each other in the arrangement direction. The lower surface S2 of the ceramic plate 100 corresponds to the second surface in the claims, and the upper surface S3 of the base member 200 corresponds to the third surface in the claims.

セラミックス板100は、例えば円形平面の板状部材であり、セラミックス(例えば、アルミナや窒化アルミニウム等)により形成されている。セラミックス板100の直径は例えば50mm〜500mm程度(通常は200mm〜350mm程度)であり、セラミックス板100の厚さは例えば1mm〜10mm程度である。 The ceramic plate 100 is, for example, a circular flat plate-shaped member, and is made of ceramics (for example, alumina, aluminum nitride, etc.). The diameter of the ceramic plate 100 is, for example, about 50 mm to 500 mm (usually about 200 mm to 350 mm), and the thickness of the ceramic plate 100 is, for example, about 1 mm to 10 mm.

図2および図4に示すように、セラミックス板100の内部には、導電性材料(例えば、タングステンやモリブデン等)により形成されたチャック電極400が設けられている。Z軸方向視でのチャック電極400の形状は、例えば略円形である。チャック電極400に電源(図示せず)から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハWがセラミックス板100における下面S2とは反対側の表面(以下、「吸着面S1」という)に吸着固定される。セラミックス板100の吸着面S1は、上述した配列方向(Z軸方向)に略直交する平面状の表面である。セラミックス板100の吸着面S1は、特許請求の範囲における第1の表面に相当し、Z軸方向は、特許請求の範囲における第1の方向に相当し、チャック電極400は、特許請求の範囲における内部電極に相当する。また、本明細書では、Z軸に直交する方向(すなわち、吸着面S1に平行な方向)を「面方向」という。 As shown in FIGS. 2 and 4, a chuck electrode 400 formed of a conductive material (for example, tungsten, molybdenum, etc.) is provided inside the ceramic plate 100. The shape of the chuck electrode 400 in the Z-axis direction is, for example, substantially circular. When a voltage is applied to the chuck electrode 400 from a power source (not shown), an electrostatic attraction is generated, and the electrostatic attraction causes the wafer W to be on the surface of the ceramic plate 100 opposite to the lower surface S2 (hereinafter, “adsorption”). It is adsorbed and fixed to the surface S1). The suction surface S1 of the ceramic plate 100 is a planar surface substantially orthogonal to the above-mentioned arrangement direction (Z-axis direction). The suction surface S1 of the ceramic plate 100 corresponds to the first surface in the claims, the Z-axis direction corresponds to the first direction in the claims, and the chuck electrode 400 corresponds to the claims. Corresponds to the internal electrode. Further, in the present specification, the direction orthogonal to the Z axis (that is, the direction parallel to the suction surface S1) is referred to as "plane direction".

図2および図3に示すように、セラミックス板100の内部には、導電性材料(例えば、タングステンやモリブデン等)により形成された抵抗発熱体で構成されたヒータ電極500が設けられている。Z軸方向視でのヒータ電極500の形状は、例えば略螺旋状である。ヒータ電極500に電源(図示せず)から電圧が印加されると、ヒータ電極500が発熱することによってセラミックス板100が温められ、セラミックス板100の吸着面S1に保持されたウェハWが温められる。これにより、ウェハWの温度制御が実現される。 As shown in FIGS. 2 and 3, a heater electrode 500 made of a resistance heating element made of a conductive material (for example, tungsten, molybdenum, etc.) is provided inside the ceramic plate 100. The shape of the heater electrode 500 in the Z-axis direction is, for example, substantially spiral. When a voltage is applied to the heater electrode 500 from a power source (not shown), the heater electrode 500 generates heat to heat the ceramic plate 100, and the wafer W held on the suction surface S1 of the ceramic plate 100 is heated. As a result, temperature control of the wafer W is realized.

ベース部材200は、例えばセラミックス板100と同径の、または、セラミックス板100より径が大きい円形平面の板状部材であり、金属(アルミニウムやアルミニウム合金等)により形成されている。ベース部材200の直径は例えば220mm〜550mm程度(通常は220mm〜350mm)であり、ベース部材200の厚さは例えば20mm〜40mm程度である。 The base member 200 is, for example, a plate-shaped member having the same diameter as the ceramic plate 100 or a larger diameter than the ceramic plate 100, and is made of metal (aluminum, aluminum alloy, etc.). The diameter of the base member 200 is, for example, about 220 mm to 550 mm (usually 220 mm to 350 mm), and the thickness of the base member 200 is, for example, about 20 mm to 40 mm.

ベース部材200の内部には冷媒流路210が形成されている。冷媒流路210に冷媒(例えば、フッ素系不活性液体や水等)が流されると、ベース部材200が冷却され、後述する接着層300を介したベース部材200とセラミックス板100との間の伝熱によりセラミックス板100が冷却され、セラミックス板100の吸着面S1に保持されたウェハWが冷却される。これにより、ウェハWの温度制御が実現される。 A refrigerant flow path 210 is formed inside the base member 200. When a refrigerant (for example, a fluorine-based inert liquid, water, etc.) is flowed through the refrigerant flow path 210, the base member 200 is cooled and transmitted between the base member 200 and the ceramic plate 100 via the adhesive layer 300 described later. The ceramic plate 100 is cooled by the heat, and the wafer W held on the suction surface S1 of the ceramic plate 100 is cooled. As a result, temperature control of the wafer W is realized.

セラミックス板100とベース部材200とは、セラミックス板100の下面S2とベース部材200の上面S3との間に配置された接着層300によって互いに接合されている。接着層300は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。接着層300の厚さは、例えば0.1mm〜1mm程度である。接着層300は、特許請求の範囲における第1の接着材に相当する。 The ceramic plate 100 and the base member 200 are joined to each other by an adhesive layer 300 arranged between the lower surface S2 of the ceramic plate 100 and the upper surface S3 of the base member 200. The adhesive layer 300 is made of an adhesive material such as a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin. The thickness of the adhesive layer 300 is, for example, about 0.1 mm to 1 mm. The adhesive layer 300 corresponds to the first adhesive in the claims.

次に、チャック電極400への給電のための構成について説明する。図5は、静電チャック10の一部分(図2のX1部)のXZ断面構成を拡大して示す説明図であり、図6は、図5のVI−VIの位置における静電チャック10の一部分のXY断面構成を拡大して示す説明図であり、図7は、図5のVII−VIIの位置における静電チャック10の一部分のXY断面構成を拡大して示す説明図である。 Next, a configuration for supplying power to the chuck electrode 400 will be described. FIG. 5 is an enlarged explanatory view showing an XZ cross-sectional configuration of a part of the electrostatic chuck 10 (X1 part in FIG. 2), and FIG. 6 is a part of the electrostatic chuck 10 at the position of VI-VI in FIG. FIG. 7 is an enlarged explanatory view showing an enlarged XY cross-sectional structure of FIG. 7, and FIG. 7 is an enlarged explanatory view showing an enlarged XY cross-sectional structure of a part of the electrostatic chuck 10 at the position of VII-VII of FIG.

図2、図5および図6に示すように、ベース部材200の内部には、ベース部材200の上面S3に開口する端子用貫通孔22が形成されている。本実施形態では、端子用貫通孔22は、断面(面方向に平行な断面)が円形であり、ベース部材200をZ軸方向に貫通する孔である。 As shown in FIGS. 2, 5 and 6, a terminal through hole 22 is formed inside the base member 200 to open in the upper surface S3 of the base member 200. In the present embodiment, the terminal through hole 22 has a circular cross section (cross section parallel to the plane direction) and is a hole that penetrates the base member 200 in the Z-axis direction.

また、図5に示すように、セラミックス板100の下面S2には、円形凹部12が形成されている。円形凹部12は、静電チャック10の下面S2の内、Z軸方向視で端子用貫通孔22に重なる領域(以下、「第1の領域R1」という)が、全体的にチャック電極400側に凹んだものである。上述したように、本実施形態では、端子用貫通孔22の断面は円形であるため、第1の領域R1も円形である。従って、円形凹部12の断面(面方向に平行な断面)も円形である。 Further, as shown in FIG. 5, a circular recess 12 is formed on the lower surface S2 of the ceramic plate 100. In the circular recess 12, the region of the lower surface S2 of the electrostatic chuck 10 that overlaps the terminal through hole 22 in the Z-axis direction (hereinafter, referred to as “first region R1”) is located on the chuck electrode 400 side as a whole. It is a dent. As described above, in the present embodiment, since the cross section of the terminal through hole 22 is circular, the first region R1 is also circular. Therefore, the cross section (cross section parallel to the plane direction) of the circular recess 12 is also circular.

また、ベース部材200に形成された端子用貫通孔22とセラミックス板100に形成された円形凹部12との間の位置において、接着層300には、接着層300をZ軸方向に貫通する貫通孔32が形成されている。そのため、ベース部材200に形成された端子用貫通孔22とセラミックス板100に形成された円形凹部12とは、接着層300に形成された貫通孔32を介して互いに連通した一体の孔を構成している。 Further, at a position between the terminal through hole 22 formed in the base member 200 and the circular recess 12 formed in the ceramic plate 100, the adhesive layer 300 has a through hole that penetrates the adhesive layer 300 in the Z-axis direction. 32 is formed. Therefore, the terminal through hole 22 formed in the base member 200 and the circular recess 12 formed in the ceramic plate 100 form an integral hole that communicates with each other through the through hole 32 formed in the adhesive layer 300. ing.

図2および図5に示すように、セラミックス板100の下面S2における第1の領域R1には、ビア41を介してチャック電極400に導通する電極パッド42が配置されている。本実施形態では、Z軸方向視での電極パッド42の形状は、略円形である。電極パッド42およびビア41は、導電性材料(例えば、タングステンやモリブデン等)により形成されている。なお、電極パッド42は、図5に示すように、厚さ方向(Z軸方向)の全体がセラミックス板100から露出している。ただし、電極パッド42の下面がセラミックス板100から露出している限りにおいて、電極パッド42における厚さ方向の一部分または全体が、セラミックス板100に埋設されていてもよい。このような構成であっても、電極パッド42は、セラミックス板100の下面S2に配置されていると言える。 As shown in FIGS. 2 and 5, an electrode pad 42 conducting to the chuck electrode 400 via the via 41 is arranged in the first region R1 on the lower surface S2 of the ceramic plate 100. In the present embodiment, the shape of the electrode pad 42 in the Z-axis direction is substantially circular. The electrode pad 42 and the via 41 are made of a conductive material (for example, tungsten, molybdenum, etc.). As shown in FIG. 5, the entire electrode pad 42 in the thickness direction (Z-axis direction) is exposed from the ceramic plate 100. However, as long as the lower surface of the electrode pad 42 is exposed from the ceramic plate 100, a part or the whole of the electrode pad 42 in the thickness direction may be embedded in the ceramic plate 100. Even with such a configuration, it can be said that the electrode pad 42 is arranged on the lower surface S2 of the ceramic plate 100.

ベース部材200に形成された端子用貫通孔22内には、Z軸方向に延びる柱状の電極端子44が配置されている。本実施形態では、電極端子44の断面(面方向に平行な断面)は、円形である。電極端子44の上端は、電極パッド42まで達しており、電極端子44は、例えば金属ろう材による接合部43によって電極パッド42に接合されている。 A columnar electrode terminal 44 extending in the Z-axis direction is arranged in the terminal through hole 22 formed in the base member 200. In the present embodiment, the cross section of the electrode terminal 44 (cross section parallel to the plane direction) is circular. The upper end of the electrode terminal 44 reaches the electrode pad 42, and the electrode terminal 44 is joined to the electrode pad 42 by, for example, a joint portion 43 made of a metal brazing material.

ベース部材200とベース部材200の端子用貫通孔22内に配置された電極端子44との間を絶縁するため、ベース部材200の端子用貫通孔22内には絶縁部材60が配置されている。絶縁部材60は、電極端子44と端子用貫通孔22の表面との間に介在するように、電極端子44を連続的に取り囲んでいる。絶縁部材60は、例えば、樹脂やセラミックス等の絶縁材料により構成されている。本実施形態では、絶縁部材60の熱伝導率は、セラミックス板100の熱伝導率より低い(すなわち、セラミックス板100の熱伝導率は、絶縁部材60の熱伝導率より高い)。なお、絶縁部材60の周り、具体的には、絶縁部材60と電極端子44との間や、絶縁部材60とセラミックス板100との間、絶縁部材60とベース部材200との間には、接着材70が配置されている。接着材70は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されており、絶縁部材60を電極端子44やセラミックス板100、ベース部材200に接合する。 An insulating member 60 is arranged in the terminal through hole 22 of the base member 200 in order to insulate between the base member 200 and the electrode terminal 44 arranged in the terminal through hole 22 of the base member 200. The insulating member 60 continuously surrounds the electrode terminal 44 so as to be interposed between the electrode terminal 44 and the surface of the terminal through hole 22. The insulating member 60 is made of, for example, an insulating material such as resin or ceramics. In the present embodiment, the thermal conductivity of the insulating member 60 is lower than the thermal conductivity of the ceramic plate 100 (that is, the thermal conductivity of the ceramic plate 100 is higher than the thermal conductivity of the insulating member 60). Adhesion is performed around the insulating member 60, specifically, between the insulating member 60 and the electrode terminal 44, between the insulating member 60 and the ceramic plate 100, and between the insulating member 60 and the base member 200. The material 70 is arranged. The adhesive 70 is made of an adhesive such as a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin, and the insulating member 60 is joined to the electrode terminal 44, the ceramic plate 100, and the base member 200.

チャック電極400への給電のための構成は上述の通りである。静電チャック10の使用時には、チャック電極400に、電源(図示せず)から、電極端子44、電極パッド42およびビア41を介してチャック電極400に至る導通経路を介して、電圧が印加される。これにより、ウェハWを吸着面S1に吸着固定するための静電引力が発生する。 The configuration for supplying power to the chuck electrode 400 is as described above. When the electrostatic chuck 10 is used, a voltage is applied to the chuck electrode 400 from a power source (not shown) via a conduction path from a power source (not shown) to the chuck electrode 400 via an electrode terminal 44, an electrode pad 42 and a via 41. .. As a result, an electrostatic attractive force for sucking and fixing the wafer W to the suction surface S1 is generated.

なお、ヒータ電極500への給電のための構成も、チャック電極400への給電のための構成と同様である。すなわち、図2に示すように、ベース部材200の内部には、ベース部材200の上面S3に開口する端子用貫通孔24が形成されており、セラミックス板100の下面S2には、円形凹部16が形成されており、ベース部材200に形成された端子用貫通孔24とセラミックス板100に形成された円形凹部16とは、接着層300に形成された貫通孔32を介して互いに連通した一体の孔を構成している。また、セラミックス板100の下面S2には、ビア51を介してヒータ電極500に導通する電極パッド52が配置されている。ベース部材200に形成された端子用貫通孔24内には、柱状の電極端子54が配置されており、この電極端子54は電極パッド52に接合されている。また、ベース部材200の端子用貫通孔24内には、電極端子54と端子用貫通孔24の表面との間に介在するように電極端子54を連続的に取り囲む絶縁部材80が配置されている。静電チャック10の使用時には、ヒータ電極500に、電源(図示せず)から、電極端子54、電極パッド52およびビア51を介してヒータ電極500に至る導通経路を介して、電圧が印加される。これにより、ヒータ電極500が発熱する。 The configuration for supplying power to the heater electrode 500 is also the same as the configuration for supplying power to the chuck electrode 400. That is, as shown in FIG. 2, a terminal through hole 24 is formed inside the base member 200 to open in the upper surface S3 of the base member 200, and a circular recess 16 is formed in the lower surface S2 of the ceramic plate 100. The terminal through hole 24 formed in the base member 200 and the circular recess 16 formed in the ceramic plate 100 are integrated holes that communicate with each other through the through hole 32 formed in the adhesive layer 300. Consists of. Further, on the lower surface S2 of the ceramic plate 100, an electrode pad 52 that conducts to the heater electrode 500 via the via 51 is arranged. A columnar electrode terminal 54 is arranged in the terminal through hole 24 formed in the base member 200, and the electrode terminal 54 is joined to the electrode pad 52. Further, in the terminal through hole 24 of the base member 200, an insulating member 80 that continuously surrounds the electrode terminal 54 is arranged so as to be interposed between the electrode terminal 54 and the surface of the terminal through hole 24. .. When the electrostatic chuck 10 is used, a voltage is applied to the heater electrode 500 from a power source (not shown) via a conduction path from a power source (not shown) to the heater electrode 500 via an electrode terminal 54, an electrode pad 52, and a via 51. .. As a result, the heater electrode 500 generates heat.

ここで、図5に示すように、本実施形態の静電チャック10では、セラミックス板100の下面S2における第1の領域R1に、Z軸方向において電極パッド42が配置された位置よりチャック電極400側に凹んだ環状凹部14が形成されている。なお、この環状凹部14は、セラミックス板100の下面S2における第1の領域R1が全体的にチャック電極400側に凹んだ上述の円形凹部12とは異なり、第1の領域R1の一部分がチャック電極400側に凹んだものである。図7に示すように、環状凹部14は、Z軸方向視で電極パッド42を取り囲むように連続的に形成されている。なお、本実施形態では、環状凹部14は、絶縁部材60の肉厚T1を2等分する仮想面VSより内側の位置に形成されている。環状凹部14は、特許請求の範囲における凹部に相当する。 Here, as shown in FIG. 5, in the electrostatic chuck 10 of the present embodiment, the chuck electrode 400 is located in the first region R1 on the lower surface S2 of the ceramic plate 100 from the position where the electrode pad 42 is arranged in the Z-axis direction. An annular recess 14 recessed on the side is formed. The annular recess 14 is different from the above-mentioned circular recess 12 in which the first region R1 on the lower surface S2 of the ceramic plate 100 is recessed toward the chuck electrode 400 as a whole, and a part of the first region R1 is the chuck electrode. It is dented on the 400 side. As shown in FIG. 7, the annular recess 14 is continuously formed so as to surround the electrode pad 42 in the Z-axis direction. In the present embodiment, the annular recess 14 is formed at a position inside the virtual surface VS that divides the wall thickness T1 of the insulating member 60 into two equal parts. The annular recess 14 corresponds to a recess within the scope of the claims.

また、図5に示すように、本実施形態の静電チャック10では、絶縁部材60の上側の表面に、セラミックス板100に形成された環状凹部14に嵌合する絶縁部材側凸部62が形成されている。図7に示すように、絶縁部材側凸部62は、Z軸方向視で電極パッド42を取り囲むように連続的に形成されている。なお、セラミックス板100に形成された環状凹部14と絶縁部材60に形成された絶縁部材側凸部62との間にも、上述した接着材70が配置されている。また、上述した絶縁部材60の肉厚T1とは、絶縁部材側凸部62が形成された部分の肉厚ではなく、絶縁部材60の上端部における絶縁部材側凸部62を除く部分の肉厚を意味する。 Further, as shown in FIG. 5, in the electrostatic chuck 10 of the present embodiment, an insulating member side convex portion 62 that fits into the annular concave portion 14 formed in the ceramic plate 100 is formed on the upper surface of the insulating member 60. Has been done. As shown in FIG. 7, the insulating member side convex portion 62 is continuously formed so as to surround the electrode pad 42 in the Z-axis direction. The above-mentioned adhesive 70 is also arranged between the annular recess 14 formed in the ceramic plate 100 and the insulating member side convex portion 62 formed in the insulating member 60. Further, the wall thickness T1 of the insulating member 60 described above is not the wall thickness of the portion where the insulating member side convex portion 62 is formed, but the wall thickness of the portion of the upper end portion of the insulating member 60 excluding the insulating member side convex portion 62. Means.

A−2.静電チャック10の製造方法:
図8は、第1実施形態における静電チャック10の製造方法を示すフローチャートである。はじめに、セラミックス板100とベース部材200とを準備する(S110)。セラミックス板100およびベース部材200は、公知の製造方法によって製造可能である。例えば、セラミックス板100は以下の方法で製造される。すなわち、複数のセラミックスグリーンシート(例えばアルミナグリーンシート)を準備し、各セラミックスグリーンシートに、チャック電極400やヒータ電極500、ビア41、電極パッド42等を構成するためのメタライズインクの印刷や孔開け加工等を行い、その後、複数のセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、所定の円板形状にカットした上で焼成し、最後に研磨加工等を行うことにより、セラミックス板100が製造される。なお、セラミックス板100の下面S2における円形凹部12や環状凹部14は、焼成前のセラミックスグリーンシートへの孔開け加工によって形成されてもよいし、焼成後の研磨加工によって形成されてもよい。
A-2. Manufacturing method of electrostatic chuck 10:
FIG. 8 is a flowchart showing a method of manufacturing the electrostatic chuck 10 according to the first embodiment. First, the ceramic plate 100 and the base member 200 are prepared (S110). The ceramic plate 100 and the base member 200 can be manufactured by a known manufacturing method. For example, the ceramic plate 100 is manufactured by the following method. That is, a plurality of ceramic green sheets (for example, alumina green sheets) are prepared, and metallized ink for forming a chuck electrode 400, a heater electrode 500, a via 41, an electrode pad 42, etc. is printed or perforated on each ceramic green sheet. The ceramic plate 100 is manufactured by performing processing and the like, then laminating a plurality of ceramic green sheets, heat-bonding them, cutting them into a predetermined disk shape, firing them, and finally performing polishing processing and the like. .. The circular recess 12 and the annular recess 14 on the lower surface S2 of the ceramic plate 100 may be formed by drilling a hole in the ceramic green sheet before firing, or may be formed by polishing after firing.

次に、電極端子44を電極パッド42に接合する(S120)。具体的には、セラミックス板100の下面S2側に、上述した絶縁部材60と同様の略円筒形状の治具(図示せず)を設置し、該治具の中空孔内に電極端子44を挿入することによって電極端子44を位置決めした状態で、電極端子44を電極パッド42に例えばロウ付けによる接合する。このとき使用される治具の上端には凸部が形成されており、治具の設置の際には、該凸部をセラミックス板100の環状凹部14に嵌合させることによって治具の位置決めを行う。電極端子44と電極パッド42との接合が完了した後、治具を取り外す。 Next, the electrode terminal 44 is joined to the electrode pad 42 (S120). Specifically, a jig (not shown) having a substantially cylindrical shape similar to that of the insulating member 60 described above is installed on the lower surface S2 side of the ceramic plate 100, and the electrode terminal 44 is inserted into the hollow hole of the jig. By doing so, the electrode terminal 44 is joined to the electrode pad 42 by, for example, brazing, in a state where the electrode terminal 44 is positioned. A convex portion is formed at the upper end of the jig used at this time, and when the jig is installed, the convex portion is fitted into the annular concave portion 14 of the ceramic plate 100 to position the jig. Do. After the bonding between the electrode terminal 44 and the electrode pad 42 is completed, the jig is removed.

次に、電極端子44の周囲に絶縁部材60を設置する(S130)。具体的には、絶縁部材60の絶縁部材側凸部62をセラミックス板100の環状凹部14に嵌合させることによって絶縁部材60を位置決めし、接着材70によって、絶縁部材60と電極端子44との間や絶縁部材60とセラミックス板100との間を接合する。このように、電極端子44を電極パッド42に接合する際に使用される治具の位置決めと、絶縁部材60を設置する際の絶縁部材60の位置決めとを、共にセラミックス板100の環状凹部14を基準として行うことにより、電極端子44と絶縁部材60との相対位置の精度を向上させることができる。 Next, the insulating member 60 is installed around the electrode terminal 44 (S130). Specifically, the insulating member 60 is positioned by fitting the insulating member-side convex portion 62 of the insulating member 60 into the annular recess 14 of the ceramic plate 100, and the insulating member 60 and the electrode terminal 44 are connected by the adhesive 70. The space or between the insulating member 60 and the ceramic plate 100 is joined. In this way, the positioning of the jig used when joining the electrode terminal 44 to the electrode pad 42 and the positioning of the insulating member 60 when installing the insulating member 60 are both performed by forming the annular recess 14 of the ceramic plate 100. By performing this as a reference, the accuracy of the relative position between the electrode terminal 44 and the insulating member 60 can be improved.

次に、セラミックス板100とベース部材200とを接合する(S140)。具体的には、ベース部材200の端子用貫通孔22に電極端子44および絶縁部材60を挿通させた状態で、セラミックス板100の下面S2とベース部材200の上面S3とを対向させ、セラミックス板100とベース部材200との間を接着層300によって接合する。また、接着材70によって、絶縁部材60とベース部材200との間を接合する。以上の工程により、上述した構成の静電チャック10の製造が完了する。 Next, the ceramic plate 100 and the base member 200 are joined (S140). Specifically, with the electrode terminal 44 and the insulating member 60 inserted through the terminal through hole 22 of the base member 200, the lower surface S2 of the ceramic plate 100 and the upper surface S3 of the base member 200 are opposed to each other, and the ceramic plate 100 And the base member 200 are joined by an adhesive layer 300. Further, the adhesive member 70 joins the insulating member 60 and the base member 200. Through the above steps, the production of the electrostatic chuck 10 having the above-described configuration is completed.

A−3.第1実施形態の効果:
以上説明したように、第1実施形態の静電チャック10は、Z軸方向に略直交する平面状の吸着面S1と、吸着面S1とは反対側の下面S2と、を有する板状のセラミックス板100と、上面S3を有し、上面S3がセラミックス板100の下面S2に対向するように配置され、冷媒流路210と上面S3に開口する端子用貫通孔22とが内部に形成された金属製のベース部材200と、セラミックス板100とベース部材200との間に配置された接着層300と、セラミックス板100の内部に配置されたチャック電極400と、セラミックス板100の下面S2における第1の領域R1であって、Z軸方向視で端子用貫通孔22に重なる第1の領域R1に配置され、チャック電極400に導通する電極パッド42と、端子用貫通孔22内に配置され、電極パッド42と接合された柱状の電極端子44と、端子用貫通孔22内に配置され、電極端子44と端子用貫通孔22の表面との間に介在するように電極端子44を連続的に取り囲む絶縁部材60と、絶縁部材60の周りに配置された接着材70とを備える。また、本実施形態の静電チャック10では、セラミックス板100の下面S2における第1の領域R1に、Z軸方向において電極パッド42が配置された位置よりチャック電極400側に凹んだ環状凹部14が、Z軸方向視で電極パッド42を取り囲むように連続的に形成されている。
A-3. Effect of the first embodiment:
As described above, the electrostatic chuck 10 of the first embodiment is a plate-shaped ceramic having a planar suction surface S1 substantially orthogonal to the Z-axis direction and a lower surface S2 opposite to the suction surface S1. A metal having a plate 100 and an upper surface S3, the upper surface S3 is arranged so as to face the lower surface S2 of the ceramic plate 100, and the refrigerant flow path 210 and the terminal through hole 22 opening in the upper surface S3 are formed inside. A first base member 200 made of metal, an adhesive layer 300 arranged between the ceramic plate 100 and the base member 200, a chuck electrode 400 arranged inside the ceramic plate 100, and a first surface S2 of the lower surface S2 of the ceramic plate 100. An electrode pad 42 that is a region R1 and is arranged in a first region R1 that overlaps the terminal through hole 22 in the Z-axis direction and conducts to the chuck electrode 400, and an electrode pad that is arranged in the terminal through hole 22. Insulation that is arranged in the terminal through hole 22 and the columnar electrode terminal 44 joined to the 42, and continuously surrounds the electrode terminal 44 so as to be interposed between the electrode terminal 44 and the surface of the terminal through hole 22. A member 60 and an adhesive 70 arranged around the insulating member 60 are provided. Further, in the electrostatic chuck 10 of the present embodiment, an annular recess 14 recessed toward the chuck electrode 400 from the position where the electrode pad 42 is arranged in the Z-axis direction is provided in the first region R1 on the lower surface S2 of the ceramic plate 100. , Is continuously formed so as to surround the electrode pad 42 in the Z-axis direction.

第1実施形態の静電チャック10は、上記構成であるため、以下に説明するように、電極パッド42とベース部材200との間の短絡の発生を抑制することができる。 Since the electrostatic chuck 10 of the first embodiment has the above configuration, it is possible to suppress the occurrence of a short circuit between the electrode pad 42 and the base member 200, as described below.

図9は、比較例の静電チャック10Xの構成を概略的に示す説明図である。図9には、比較例の静電チャック10Xの構成の内、図5に示す部分(X1部)と同等の部分の構成が拡大して示されている。図9に示す比較例の静電チャック10Xは、図5に示す第1実施形態の静電チャック10と比較して、セラミックス板100の下面S2の形状と、絶縁部材60の形状とが異なる。具体的には、比較例の静電チャック10Xでは、セラミックス板100の下面S2における第1の領域R1に凹部は形成されていない。また、比較例の静電チャック10Xでは、絶縁部材60の上側の表面に凸部は形成されていない。比較例の静電チャック10Xは、このような構成であるため、セラミックス板100の下面S2に沿って電極パッド42が配置された位置からベース部材200に至るまでの沿面距離CDが短く、電極パッド42とベース部材200との間で短絡が発生するおそれがある。 FIG. 9 is an explanatory diagram schematically showing the configuration of the electrostatic chuck 10X of the comparative example. FIG. 9 shows an enlarged configuration of a portion equivalent to the portion (X1 portion) shown in FIG. 5 among the configurations of the electrostatic chuck 10X of the comparative example. The electrostatic chuck 10X of the comparative example shown in FIG. 9 is different from the electrostatic chuck 10 of the first embodiment shown in FIG. 5 in the shape of the lower surface S2 of the ceramic plate 100 and the shape of the insulating member 60. Specifically, in the electrostatic chuck 10X of the comparative example, the recess is not formed in the first region R1 on the lower surface S2 of the ceramic plate 100. Further, in the electrostatic chuck 10X of the comparative example, the convex portion is not formed on the upper surface of the insulating member 60. Since the electrostatic chuck 10X of the comparative example has such a configuration, the creepage distance CD from the position where the electrode pad 42 is arranged along the lower surface S2 of the ceramic plate 100 to the base member 200 is short, and the electrode pad A short circuit may occur between the 42 and the base member 200.

これに対し、図5に示すように、本実施形態の静電チャック10では、セラミックス板100の下面S2における第1の領域R1に環状凹部14が形成されているため、図9に示す比較例の静電チャック10Xと比較して、セラミックス板100の下面S2に沿って電極パッド42が配置された位置からベース部材200に至るまでの沿面距離CDを長くすることができる。従って、本実施形態の静電チャック10によれば、電極パッド42とベース部材200との間の短絡の発生を抑制することができ、静電チャック10の絶縁破壊の発生を抑制することができる。また、静電チャック10内部のチャック電極400に規定電圧が(漏れなく)印加されるため、安定した静電引力を発生させることができ、ウェハWの安定的な吸着固定が可能となる。なお、セラミックス板100の下面S2における第1の領域R1に環状凹部14が連続的には形成されておらず、第1の領域R1に凹部が一部形成された構成では、リーク電流は凹部が形成されていない箇所、すなわち沿面距離が短い箇所を通る。そのため、電極パッド42とベース部材200との間の短絡の発生を抑制することができない。本実施形態の静電チャック10では、セラミックス板100の下面S2における第1の領域R1に、環状凹部14が電極パッド42を取り囲むように連続的に形成されているため、電極パッド42とベース部材200との間の短絡の発生を効果的に抑制することができる。 On the other hand, as shown in FIG. 5, in the electrostatic chuck 10 of the present embodiment, since the annular recess 14 is formed in the first region R1 on the lower surface S2 of the ceramic plate 100, a comparative example shown in FIG. Compared with the electrostatic chuck 10X of the above, the creepage distance CD from the position where the electrode pad 42 is arranged along the lower surface S2 of the ceramic plate 100 to the base member 200 can be lengthened. Therefore, according to the electrostatic chuck 10 of the present embodiment, it is possible to suppress the occurrence of a short circuit between the electrode pad 42 and the base member 200, and it is possible to suppress the occurrence of dielectric breakdown of the electrostatic chuck 10. .. Further, since a specified voltage is applied to the chuck electrode 400 inside the electrostatic chuck 10 (without leakage), a stable electrostatic attraction can be generated, and the wafer W can be stably attracted and fixed. In the configuration in which the annular recess 14 is not continuously formed in the first region R1 on the lower surface S2 of the ceramic plate 100 and the recess is partially formed in the first region R1, the leakage current has a recess. It passes through a place that is not formed, that is, a place where the creepage distance is short. Therefore, it is not possible to suppress the occurrence of a short circuit between the electrode pad 42 and the base member 200. In the electrostatic chuck 10 of the present embodiment, since the annular recess 14 is continuously formed in the first region R1 on the lower surface S2 of the ceramic plate 100 so as to surround the electrode pad 42, the electrode pad 42 and the base member The occurrence of a short circuit with 200 can be effectively suppressed.

さらに、本実施形態の静電チャック10では、上述したように、セラミックス板100の環状凹部14を、電極端子44を電極パッド42に接合する際に使用される治具の位置決めと、絶縁部材60を設置する際の絶縁部材60の位置決めとの両方の基準として用いることができ、その結果、電極端子44と絶縁部材60との相対位置の精度を向上させることができる。 Further, in the electrostatic chuck 10 of the present embodiment, as described above, the positioning of the jig used when the annular recess 14 of the ceramic plate 100 is joined to the electrode pad 42 and the insulating member 60. Can be used as a reference for both positioning of the insulating member 60 when installing the ceramic member 60, and as a result, the accuracy of the relative position between the electrode terminal 44 and the insulating member 60 can be improved.

また、本実施形態の静電チャック10では、絶縁部材60に、セラミックス板100に形成された環状凹部14に嵌合する絶縁部材側凸部62が形成されている。そのため、本実施形態の静電チャック10によれば、セラミックス板100の環状凹部14内が空間である構成と比較して、電極パッド42とベース部材200との間の絶縁性を向上させることができ、電極パッド42とベース部材200との間の短絡の発生をより効果的に抑制することができる。さらに、本実施形態の静電チャック10によれば、セラミックス板100の環状凹部14内が空間である構成と比較して、セラミックス板100の環状凹部14周りにおけるセラミックス板100からベース部材200への熱移動が促進されるため、セラミックス板100の環状凹部14の存在に起因する吸着面S1の均熱性の低下を抑制することができる。 Further, in the electrostatic chuck 10 of the present embodiment, the insulating member 60 is formed with an insulating member-side convex portion 62 that fits into the annular recess 14 formed in the ceramic plate 100. Therefore, according to the electrostatic chuck 10 of the present embodiment, the insulating property between the electrode pad 42 and the base member 200 can be improved as compared with the configuration in which the inside of the annular recess 14 of the ceramic plate 100 is a space. This makes it possible to more effectively suppress the occurrence of a short circuit between the electrode pad 42 and the base member 200. Further, according to the electrostatic chuck 10 of the present embodiment, the ceramic plate 100 to the base member 200 around the annular recess 14 of the ceramic plate 100 is compared with the configuration in which the inside of the annular recess 14 of the ceramic plate 100 is a space. Since the heat transfer is promoted, it is possible to suppress a decrease in the soaking property of the suction surface S1 due to the presence of the annular recess 14 of the ceramic plate 100.

なお、環状凹部14のZ軸方向の高さは、高ければ高いほど、セラミックス板100の下面S2に沿って電極パッド42が配置された位置からベース部材200に至るまでの沿面距離CDを長くすることができる。しかしながら、本実施形態の静電チャック10では、セラミックス板100の熱伝導率は絶縁部材60の熱伝導率より高いため、セラミックス板100に環状凹部14が形成され、絶縁部材60に絶縁部材側凸部62が形成されると、環状凹部14および絶縁部材側凸部62が形成されていない構成と比較して、熱伝導率の高いセラミックス板100の体積が減少し、その分、セラミックス板100より熱伝導率の低い絶縁部材60の体積が増加し、その結果、セラミックス板100からベース部材200への熱移動量が低下する。本実施形態の静電チャック10では、環状凹部14(およびそれに嵌合する絶縁部材側凸部62)の位置が、絶縁部材60の肉厚T1を2等分する仮想面VSより内側の位置であるため、環状凹部14(およびそれに嵌合する絶縁部材側凸部62)が仮想面VSより外側に位置する構成と比較して、環状凹部14が形成されることによるセラミックス板100の体積減少の程度(絶縁部材側凸部62が形成されることによる絶縁部材60の体積増加の程度)を小さくすることができ、セラミックス板100からベース部材200への熱移動量の低下を抑制して吸着面S1の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。 The higher the height of the annular recess 14 in the Z-axis direction, the longer the creepage distance CD from the position where the electrode pad 42 is arranged along the lower surface S2 of the ceramic plate 100 to the base member 200. be able to. However, in the electrostatic chuck 10 of the present embodiment, since the thermal conductivity of the ceramic plate 100 is higher than the thermal conductivity of the insulating member 60, an annular recess 14 is formed in the ceramic plate 100, and the insulating member 60 is convex on the insulating member side. When the portion 62 is formed, the volume of the ceramic plate 100 having high thermal conductivity is reduced as compared with the configuration in which the annular concave portion 14 and the insulating member side convex portion 62 are not formed, and the volume of the ceramic plate 100 is reduced by that amount. The volume of the insulating member 60 having low thermal conductivity increases, and as a result, the amount of heat transfer from the ceramic plate 100 to the base member 200 decreases. In the electrostatic chuck 10 of the present embodiment, the position of the annular recess 14 (and the insulating member side convex portion 62 fitted therein) is located inside the virtual surface VS that divides the wall thickness T1 of the insulating member 60 into two equal parts. Therefore, the volume of the ceramic plate 100 is reduced due to the formation of the annular recess 14 as compared with the configuration in which the annular recess 14 (and the insulating member side convex portion 62 fitted therein) is located outside the virtual surface VS. The degree (the degree of volume increase of the insulating member 60 due to the formation of the convex portion 62 on the insulating member side) can be reduced, and the decrease in the amount of heat transfer from the ceramic plate 100 to the base member 200 can be suppressed to suppress the suction surface. The decrease in heat soaking property of S1 can be suppressed more effectively.

B.第2実施形態:
図10および図11は、第2実施形態の静電チャック10aの構成を概略的に示す説明図である。図10には、第2実施形態の静電チャック10aの構成の内、図5に示す部分(X1部)と同等の部分の構成が拡大して示されている。また、図11には、図10のXI−XIの位置における静電チャック10aの一部分のXY断面構成が拡大して示されている。以下では、第2実施形態の静電チャック10aの構成の内、上述した第1実施形態の静電チャック10の構成(図5および図7等参照)と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。
B. Second embodiment:
10 and 11 are explanatory views schematically showing the configuration of the electrostatic chuck 10a of the second embodiment. FIG. 10 shows an enlarged configuration of a portion equivalent to the portion (X1 portion) shown in FIG. 5 among the configurations of the electrostatic chuck 10a of the second embodiment. Further, FIG. 11 shows an enlarged XY cross-sectional configuration of a part of the electrostatic chuck 10a at the position of XI-XI in FIG. In the following, among the configurations of the electrostatic chuck 10a of the second embodiment, the same reference numerals are given to the same configurations as the configurations of the electrostatic chuck 10 of the first embodiment described above (see FIGS. 5 and 7 and the like). The description will be omitted as appropriate by adding.

図10および図11に示すように、第2実施形態の静電チャック10aは、セラミックス板100の下面S2の形状と、絶縁部材60の形状とが、上述した第1実施形態の静電チャック10の構成と異なる。具体的には、第2実施形態の静電チャック10aでは、セラミックス板100の下面S2における第1の領域R1に、2つの環状凹部14が形成されている。2つの環状凹部14は、共に、Z軸方向において電極パッド42が配置された位置よりチャック電極400側に凹んだ凹部であり、Z軸方向視で電極パッド42を取り囲むように連続的に形成されている。なお、本実施形態では、2つの環状凹部14の内の一方は、絶縁部材60の肉厚T1を2等分する仮想面VSより内側の位置に形成されており、2つの環状凹部14の内の他方は、仮想面VSより外側の位置に形成されている。 As shown in FIGS. 10 and 11, in the electrostatic chuck 10a of the second embodiment, the shape of the lower surface S2 of the ceramic plate 100 and the shape of the insulating member 60 are the same as those of the electrostatic chuck 10 of the first embodiment described above. It is different from the configuration of. Specifically, in the electrostatic chuck 10a of the second embodiment, two annular recesses 14 are formed in the first region R1 on the lower surface S2 of the ceramic plate 100. Both of the two annular recesses 14 are recesses recessed toward the chuck electrode 400 from the position where the electrode pad 42 is arranged in the Z-axis direction, and are continuously formed so as to surround the electrode pad 42 in the Z-axis direction. ing. In the present embodiment, one of the two annular recesses 14 is formed at a position inside the virtual surface VS that divides the wall thickness T1 of the insulating member 60 into two equal parts, and the two annular recesses 14 are formed. The other of the above is formed at a position outside the virtual surface VS.

また、第2実施形態の静電チャック10aでは、絶縁部材60の上側の表面に、セラミックス板100に形成された2つの環状凹部14に嵌合する2つの絶縁部材側凸部62が形成されている。2つの絶縁部材側凸部62は、共に、Z軸方向視で電極パッド42を取り囲むように連続的に形成されている。 Further, in the electrostatic chuck 10a of the second embodiment, two insulating member side convex portions 62 that fit into the two annular concave portions 14 formed in the ceramic plate 100 are formed on the upper surface of the insulating member 60. There is. Both of the two insulating member-side convex portions 62 are continuously formed so as to surround the electrode pad 42 in the Z-axis direction.

このように、第2実施形態の静電チャック10aでは、セラミックス板100の下面S2における第1の領域R1に2つの環状凹部14が形成されているため、上述した第1実施形態の静電チャック10と比較して、セラミックス板100の下面S2に沿って電極パッド42が配置された位置からベース部材200に至るまでの沿面距離CDを大幅に長くすることができる。従って、第2実施形態の静電チャック10aによれば、電極パッド42とベース部材200との間の短絡の発生を極めて効果的に抑制することができる。 As described above, in the electrostatic chuck 10a of the second embodiment, since the two annular recesses 14 are formed in the first region R1 on the lower surface S2 of the ceramic plate 100, the electrostatic chuck of the first embodiment described above is described. Compared with 10, the creepage distance CD from the position where the electrode pad 42 is arranged along the lower surface S2 of the ceramic plate 100 to the base member 200 can be significantly lengthened. Therefore, according to the electrostatic chuck 10a of the second embodiment, the occurrence of a short circuit between the electrode pad 42 and the base member 200 can be suppressed extremely effectively.

なお、第2実施形態の静電チャック10aでは、上述した第1実施形態と同様に、セラミックス板100の2つの環状凹部14を、電極端子44を電極パッド42に接合する際に使用される治具の位置決めと、絶縁部材60を設置する際の絶縁部材60の位置決めとの両方の基準として用いることができ、その結果、電極端子44と絶縁部材60との相対位置の精度を向上させることができる。 In the electrostatic chuck 10a of the second embodiment, as in the first embodiment described above, the jig used when the two annular recesses 14 of the ceramic plate 100 are joined to the electrode pad 42 with the electrode terminals 44. It can be used as a reference for both the positioning of the jig and the positioning of the insulating member 60 when installing the insulating member 60, and as a result, the accuracy of the relative position between the electrode terminal 44 and the insulating member 60 can be improved. it can.

また、第2実施形態の静電チャック10aでは、絶縁部材60に、セラミックス板100に形成された2つの環状凹部14に嵌合する2つの絶縁部材側凸部62が形成されている。そのため、第2実施形態の静電チャック10aによれば、セラミックス板100の2つの環状凹部14内が空間である構成と比較して、電極パッド42とベース部材200との間の絶縁性を向上させることができ、電極パッド42とベース部材200との間の短絡の発生をより効果的に抑制することができる。さらに、第2実施形態の静電チャック10aによれば、セラミックス板100の2つの環状凹部14内が空間である構成と比較して、セラミックス板100の環状凹部14周りにおけるセラミックス板100からベース部材200への熱移動が促進されるため、セラミックス板100の2つの環状凹部14の存在に起因する吸着面S1の均熱性の低下を抑制することができる。 Further, in the electrostatic chuck 10a of the second embodiment, the insulating member 60 is formed with two insulating member-side convex portions 62 that fit into the two annular recesses 14 formed in the ceramic plate 100. Therefore, according to the electrostatic chuck 10a of the second embodiment, the insulating property between the electrode pad 42 and the base member 200 is improved as compared with the configuration in which the inside of the two annular recesses 14 of the ceramic plate 100 is a space. It is possible to more effectively suppress the occurrence of a short circuit between the electrode pad 42 and the base member 200. Further, according to the electrostatic chuck 10a of the second embodiment, the base member is formed from the ceramic plate 100 around the annular recess 14 of the ceramic plate 100 as compared with the configuration in which the inside of the two annular recesses 14 of the ceramic plate 100 is a space. Since the heat transfer to the 200 is promoted, it is possible to suppress a decrease in the heat soaking property of the suction surface S1 due to the presence of the two annular recesses 14 of the ceramic plate 100.

C.第3実施形態:
図12および図13は、第3実施形態の静電チャック10bの構成を概略的に示す説明図である。図12には、第3実施形態の静電チャック10bの構成の内、図5に示す部分(X1部)と同等の部分の構成が拡大して示されている。また、図13には、図12のXIII−XIIIの位置における静電チャック10bの一部分のXY断面構成が拡大して示されている。以下では、第3実施形態の静電チャック10bの構成の内、上述した第1実施形態の静電チャック10の構成(図5および図7等参照)と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。
C. Third Embodiment:
12 and 13 are explanatory views schematically showing the configuration of the electrostatic chuck 10b of the third embodiment. FIG. 12 shows an enlarged configuration of a portion equivalent to the portion (X1 portion) shown in FIG. 5 among the configurations of the electrostatic chuck 10b of the third embodiment. Further, FIG. 13 shows an enlarged XY cross-sectional configuration of a part of the electrostatic chuck 10b at the position of XIII-XIII in FIG. In the following, among the configurations of the electrostatic chuck 10b of the third embodiment, the same reference numerals are given to the same configurations as the configurations of the electrostatic chuck 10 of the first embodiment described above (see FIGS. 5 and 7 and the like). The description will be omitted as appropriate by adding.

図12および図13に示すように、第3実施形態の静電チャック10bは、セラミックス板100の下面S2の形状と、絶縁部材60の形状とが、上述した第1実施形態の静電チャック10の構成と異なる。具体的には、第3実施形態の静電チャック10bでは、セラミックス板100の下面S2における第1の領域R1に、環状凹部14ではなく、環状凸部18が形成されている。環状凸部18は、Z軸方向において電極パッド42が配置された位置よりチャック電極400から離れる側に突出した凸部である。環状凸部18は、Z軸方向視で電極パッド42を取り囲むように連続的に形成されている。なお、本実施形態では、環状凸部18は、絶縁部材60の肉厚T1を2等分する仮想面VSより外側の位置に形成されている。 As shown in FIGS. 12 and 13, in the electrostatic chuck 10b of the third embodiment, the shape of the lower surface S2 of the ceramic plate 100 and the shape of the insulating member 60 are the same as those of the electrostatic chuck 10 of the first embodiment described above. It is different from the configuration of. Specifically, in the electrostatic chuck 10b of the third embodiment, the annular convex portion 18 is formed instead of the annular concave portion 14 in the first region R1 on the lower surface S2 of the ceramic plate 100. The annular convex portion 18 is a convex portion that protrudes from the position where the electrode pad 42 is arranged in the Z-axis direction toward the side away from the chuck electrode 400. The annular convex portion 18 is continuously formed so as to surround the electrode pad 42 in the Z-axis direction. In the present embodiment, the annular convex portion 18 is formed at a position outside the virtual surface VS that divides the wall thickness T1 of the insulating member 60 into two equal parts.

また、第3実施形態の静電チャック10bでは、絶縁部材60の上側の表面に、セラミックス板100に形成された環状凸部18に嵌合する絶縁部材側凹部64が形成されている。絶縁部材側凹部64は、Z軸方向視で電極パッド42を取り囲むように連続的に形成されている。 Further, in the electrostatic chuck 10b of the third embodiment, an insulating member side recess 64 that fits into the annular convex portion 18 formed on the ceramic plate 100 is formed on the upper surface of the insulating member 60. The insulating member side recess 64 is continuously formed so as to surround the electrode pad 42 in the Z-axis direction.

このように、第3実施形態の静電チャック10bでは、セラミックス板100の下面S2における第1の領域R1に環状凸部18が形成されているため、図9に示す比較例の静電チャック10Xと比較して、セラミックス板100の下面S2に沿って電極パッド42が配置された位置からベース部材200に至るまでの沿面距離CDを長くすることができる。従って、第3実施形態の静電チャック10bによれば、電極パッド42とベース部材200との間の短絡の発生を抑制することができる。 As described above, in the electrostatic chuck 10b of the third embodiment, since the annular convex portion 18 is formed in the first region R1 on the lower surface S2 of the ceramic plate 100, the electrostatic chuck 10X of the comparative example shown in FIG. In comparison with the above, the creepage distance CD from the position where the electrode pad 42 is arranged along the lower surface S2 of the ceramic plate 100 to the base member 200 can be lengthened. Therefore, according to the electrostatic chuck 10b of the third embodiment, it is possible to suppress the occurrence of a short circuit between the electrode pad 42 and the base member 200.

なお、第3実施形態の静電チャック10bでは、上述した第1実施形態と同様に、セラミックス板100の環状凸部18を、電極端子44を電極パッド42に接合する際に使用される治具の位置決めと、絶縁部材60を設置する際の絶縁部材60の位置決めとの両方の基準として用いることができ、その結果、電極端子44と絶縁部材60との相対位置の精度を向上させることができる。 In the electrostatic chuck 10b of the third embodiment, a jig used when the annular convex portion 18 of the ceramic plate 100 is joined to the electrode pad 42 by the annular convex portion 18 of the ceramic plate 100, as in the first embodiment described above. Can be used as a reference for both positioning of the insulating member 60 and positioning of the insulating member 60 when installing the insulating member 60, and as a result, the accuracy of the relative position between the electrode terminal 44 and the insulating member 60 can be improved. ..

また、第3実施形態の静電チャック10bでは、絶縁部材60に、セラミックス板100に形成された環状凸部18に嵌合する絶縁部材側凹部64が形成されている。そのため、第3実施形態の静電チャック10bによれば、セラミックス板100の環状凸部18の周りに空間が存在する構成と比較して、電極パッド42とベース部材200との間の絶縁性を向上させることができ、電極パッド42とベース部材200との間の短絡の発生をより効果的に抑制することができる。さらに、第3実施形態の静電チャック10bによれば、セラミックス板100の環状凸部18の周りに空間が存在する構成と比較して、セラミックス板100の環状凸部18周りにおけるセラミックス板100からベース部材200への熱移動が促進されるため、セラミックス板100の環状凸部18の存在に起因する吸着面S1の均熱性の低下を抑制することができる。 Further, in the electrostatic chuck 10b of the third embodiment, the insulating member 60 is formed with an insulating member side recess 64 that fits into the annular convex portion 18 formed on the ceramic plate 100. Therefore, according to the electrostatic chuck 10b of the third embodiment, the insulating property between the electrode pad 42 and the base member 200 is improved as compared with the configuration in which a space exists around the annular convex portion 18 of the ceramic plate 100. It can be improved, and the occurrence of a short circuit between the electrode pad 42 and the base member 200 can be suppressed more effectively. Further, according to the electrostatic chuck 10b of the third embodiment, the ceramic plate 100 around the annular convex portion 18 of the ceramic plate 100 is compared with the configuration in which a space exists around the annular convex portion 18 of the ceramic plate 100. Since the heat transfer to the base member 200 is promoted, it is possible to suppress a decrease in the soaking property of the suction surface S1 due to the presence of the annular convex portion 18 of the ceramic plate 100.

また、第3実施形態の静電チャック10bでは、セラミックス板100の熱伝導率は、絶縁部材60の熱伝導率より高いため、セラミックス板100に環状凸部18が形成され、絶縁部材60に絶縁部材側凹部64が形成されると、環状凸部18および絶縁部材側凹部64が形成されていない構成と比較して、熱伝導率の高いセラミックス板100の体積が増加し、その分、セラミックス板100より熱伝導率の低い絶縁部材60の体積が減少し、その結果、セラミックス板100からベース部材200への熱移動量が増加する。第3実施形態の静電チャック10bでは、環状凸部18(およびそれに嵌合する絶縁部材側凹部64)の位置が、絶縁部材60の肉厚T1を2等分する仮想面VSより外側の位置であるため、環状凸部18(およびそれに嵌合する絶縁部材側凹部64)が仮想面VSより内側に位置する構成と比較して、環状凸部18が形成されることによるセラミックス板100の体積増加の程度(絶縁部材側凹部64が形成されることによる絶縁部材60の体積減少の程度)を大きくすることができ、セラミックス板100からベース部材200への熱移動量を増加させて吸着面S1の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。 Further, in the electrostatic chuck 10b of the third embodiment, since the thermal conductivity of the ceramic plate 100 is higher than the thermal conductivity of the insulating member 60, an annular convex portion 18 is formed on the ceramic plate 100 and the insulating member 60 is insulated. When the member-side recess 64 is formed, the volume of the ceramic plate 100 having high thermal conductivity increases as compared with the configuration in which the annular convex portion 18 and the insulating member-side recess 64 are not formed, and the ceramic plate is correspondingly increased. The volume of the insulating member 60 having a thermal conductivity lower than 100 decreases, and as a result, the amount of heat transfer from the ceramic plate 100 to the base member 200 increases. In the electrostatic chuck 10b of the third embodiment, the position of the annular convex portion 18 (and the insulating member side concave portion 64 fitted therein) is located outside the virtual surface VS that divides the wall thickness T1 of the insulating member 60 into two equal parts. Therefore, the volume of the ceramic plate 100 due to the formation of the annular convex portion 18 as compared with the configuration in which the annular convex portion 18 (and the insulating member side concave portion 64 fitted therein) is located inside the virtual surface VS. The degree of increase (the degree of volume reduction of the insulating member 60 due to the formation of the insulating member side recess 64) can be increased, and the amount of heat transfer from the ceramic plate 100 to the base member 200 is increased to attract the suction surface S1. It is possible to more effectively suppress the decrease in the soaking property of the ceramic.

D.変形例:
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
D. Modification example:
The technique disclosed in the present specification is not limited to the above-described embodiment, and can be transformed into various forms without departing from the gist thereof. For example, the following modifications are also possible.

上記各実施形態における静電チャック10の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記第1,2実施形態において、必ずしも絶縁部材60に絶縁部材側凸部62が形成されている必要はなく、同様に、上記第3実施形態において、必ずしも絶縁部材60に絶縁部材側凹部64が形成されている必要はない。 The configuration of the electrostatic chuck 10 in each of the above embodiments is merely an example, and can be variously deformed. For example, in the first and second embodiments, the insulating member 60 does not necessarily have the insulating member side convex portion 62 formed, and similarly, in the third embodiment, the insulating member 60 does not necessarily have the insulating member side concave portion. It is not necessary that 64 is formed.

また、上記第2実施形態では、セラミックス板100の下面S2に2つの環状凹部14が形成されているが、セラミックス板100の下面S2に3つ以上の環状凹部14が形成されていてもよい。また、上記第3実施形態では、セラミックス板100の下面S2に1つの環状凸部18が形成されているが、セラミックス板100の下面S2に2つ以上の環状凸部18が形成されていてもよい。 Further, in the second embodiment, two annular recesses 14 are formed on the lower surface S2 of the ceramic plate 100, but three or more annular recesses 14 may be formed on the lower surface S2 of the ceramic plate 100. Further, in the third embodiment, one annular convex portion 18 is formed on the lower surface S2 of the ceramic plate 100, but even if two or more annular convex portions 18 are formed on the lower surface S2 of the ceramic plate 100. Good.

また、上記各実施形態では、セラミックス板100の熱伝導率が絶縁部材60の熱伝導率より高いとしているが、セラミックス板100の熱伝導率が絶縁部材60の熱伝導率と等しいとしてもよい。また、セラミックス板100の熱伝導率が絶縁部材60の熱伝導率より低いとしてもよい。 Further, in each of the above embodiments, the thermal conductivity of the ceramic plate 100 is higher than the thermal conductivity of the insulating member 60, but the thermal conductivity of the ceramic plate 100 may be equal to the thermal conductivity of the insulating member 60. Further, the thermal conductivity of the ceramic plate 100 may be lower than the thermal conductivity of the insulating member 60.

また、上記各実施形態において、仮想面VSに対する環状凹部14や環状凸部18の位置は、任意に変更可能である。なお、セラミックス板100の熱伝導率が絶縁部材60の熱伝導率より低い場合には、上記第1実施形態とは反対に、環状凹部14(およびそれに嵌合する絶縁部材側凸部62)が絶縁部材60の肉厚T1を2等分する仮想面VSより外側に形成されることが好ましい。セラミックス板100に環状凹部14が形成され、絶縁部材60に絶縁部材側凸部62が形成されると、環状凹部14および絶縁部材側凸部62が形成されていない構成と比較して、熱伝導率の低いセラミックス板100の体積が減少し、その分、セラミックス板100より熱伝導率の高い絶縁部材60の体積が増加し、その結果、セラミックス板100からベース部材200への熱移動量が増加する。環状凹部14(およびそれに嵌合する絶縁部材側凸部62)の位置を、絶縁部材60の肉厚T1を2等分する仮想面VSより外側の位置とすることにより、環状凹部14(およびそれに嵌合する絶縁部材側凸部62)が仮想面VSより内側に位置する構成と比較して、環状凹部14が形成されることによるセラミックス板100の体積減少の程度(絶縁部材側凸部62が形成されることによる絶縁部材60の体積増加の程度)を大きくすることができ、セラミックス板100からベース部材200への熱移動量を増加させて吸着面S1の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。 Further, in each of the above embodiments, the positions of the annular concave portion 14 and the annular convex portion 18 with respect to the virtual surface VS can be arbitrarily changed. When the thermal conductivity of the ceramic plate 100 is lower than the thermal conductivity of the insulating member 60, the annular recess 14 (and the insulating member side convex portion 62 fitted therein) is opposed to the first embodiment. It is preferable that the heat insulating member 60 is formed outside the virtual surface VS that divides the wall thickness T1 into two equal parts. When the annular recess 14 is formed in the ceramic plate 100 and the insulating member side convex portion 62 is formed in the insulating member 60, thermal conductivity is compared with a configuration in which the annular concave portion 14 and the insulating member side convex portion 62 are not formed. The volume of the ceramic plate 100 having a low rate decreases, and the volume of the insulating member 60 having a higher thermal conductivity than the ceramic plate 100 increases by that amount, and as a result, the amount of heat transfer from the ceramic plate 100 to the base member 200 increases. To do. By locating the annular recess 14 (and the insulating member side convex portion 62 that fits the annular recess 14) outside the virtual surface VS that divides the wall thickness T1 of the insulating member 60 into two equal parts, the annular recess 14 (and the insulating member side convex portion 62) is positioned. The degree of volume reduction of the ceramic plate 100 due to the formation of the annular concave portion 14 (the insulating member side convex portion 62) is compared with the configuration in which the insulating member side convex portion 62) to be fitted is located inside the virtual surface VS. The degree of volume increase of the insulating member 60 due to the formation) can be increased, and the amount of heat transfer from the ceramic plate 100 to the base member 200 can be increased to more effectively reduce the soaking property of the suction surface S1. It can be suppressed.

また、セラミックス板100の熱伝導率が絶縁部材60の熱伝導率より低い場合には、上記第3実施形態とは反対に、環状凸部18(およびそれに嵌合する絶縁部材側凹部64)が絶縁部材60の肉厚T1を2等分する仮想面VSより内側に形成されることが好ましい。セラミックス板100に環状凸部18が形成され、絶縁部材60に絶縁部材側凹部64が形成されると、環状凸部18および絶縁部材側凹部64が形成されていない構成と比較して、熱伝導率の低いセラミックス板100の体積が増加し、その分、セラミックス板100より熱伝導率の高い絶縁部材60の体積が減少し、その結果、セラミックス板100からベース部材200への熱移動量が低下する。環状凸部18(およびそれに嵌合する絶縁部材側凹部64)の位置を、絶縁部材60の肉厚T1を2等分する仮想面VSより内側の位置とすることにより、環状凸部18(およびそれに嵌合する絶縁部材側凹部64)が仮想面VSより外側に位置する構成と比較して、環状凸部18が形成されることによるセラミックス板100の体積増加の程度(絶縁部材側凹部64が形成されることによる絶縁部材60の体積減少の程度)を小さくすることができ、セラミックス板100からベース部材200への熱移動量の低下を抑制して吸着面S1の均熱性の低下をより効果的に抑制することができる。 Further, when the thermal conductivity of the ceramic plate 100 is lower than the thermal conductivity of the insulating member 60, the annular convex portion 18 (and the insulating member side concave portion 64 fitted therein) is opposed to the third embodiment. It is preferable that the heat insulating member 60 is formed inside the virtual surface VS that divides the wall thickness T1 into two equal parts. When the annular convex portion 18 is formed on the ceramic plate 100 and the insulating member side concave portion 64 is formed on the insulating member 60, thermal conductivity is compared with a configuration in which the annular convex portion 18 and the insulating member side concave portion 64 are not formed. The volume of the ceramic plate 100 having a low ratio increases, and the volume of the insulating member 60 having a higher thermal conductivity than the ceramic plate 100 decreases by that amount, and as a result, the amount of heat transfer from the ceramic plate 100 to the base member 200 decreases. To do. By setting the position of the annular convex portion 18 (and the insulating member side concave portion 64 fitted therein) to the position inside the virtual surface VS that divides the wall thickness T1 of the insulating member 60 into two equal parts, the annular convex portion 18 (and the insulating member side concave portion 64) The degree of volume increase of the ceramic plate 100 due to the formation of the annular convex portion 18 (the insulating member side concave portion 64) is compared with the configuration in which the insulating member side concave portion 64) fitted therein is located outside the virtual surface VS. The degree of volume reduction of the insulating member 60 due to the formation) can be reduced, the decrease in the amount of heat transfer from the ceramic plate 100 to the base member 200 is suppressed, and the decrease in the soaking property of the suction surface S1 is more effective. Can be suppressed.

また、上記各実施形態では、セラミックス板100の下面S2に環状凹部14と環状凸部18とのいずれか一方が形成されているが、セラミックス板100の下面S2に環状凹部14と環状凸部18との両方が形成されていてもよい。同様に、上記各実施形態では、絶縁部材60に絶縁部材側凸部62と絶縁部材側凹部64とのいずれか一方が形成されているが、絶縁部材60に絶縁部材側凸部62と絶縁部材側凹部64との両方が形成されていてもよい。 Further, in each of the above embodiments, one of the annular recess 14 and the annular convex portion 18 is formed on the lower surface S2 of the ceramic plate 100, but the annular recess 14 and the annular convex portion 18 are formed on the lower surface S2 of the ceramic plate 100. Both of and may be formed. Similarly, in each of the above embodiments, one of the insulating member side convex portion 62 and the insulating member side concave portion 64 is formed on the insulating member 60, but the insulating member 60 has the insulating member side convex portion 62 and the insulating member. Both with the side recess 64 may be formed.

また、上記各実施形態では、セラミックス板100の下面S2に円形凹部12が形成されているが、必ずしもセラミックス板100の下面S2に円形凹部12が形成されている必要はない。なお、セラミックス板100の下面S2に円形凹部12が形成されていると、セラミックス板100の下面S2に沿って電極パッド42が配置された位置からベース部材200に至るまでの沿面距離CDを長くすることができるため好ましい。 Further, in each of the above embodiments, the circular recess 12 is formed on the lower surface S2 of the ceramic plate 100, but it is not always necessary that the circular recess 12 is formed on the lower surface S2 of the ceramic plate 100. When the circular recess 12 is formed on the lower surface S2 of the ceramic plate 100, the creepage distance CD from the position where the electrode pad 42 is arranged along the lower surface S2 of the ceramic plate 100 to the base member 200 is lengthened. It is preferable because it can be used.

また、上記各実施形態では、静電チャック10がヒータ電極500を備えているが、静電チャック10がヒータ電極500を備えなくてもよい。 また、上記各実施形態では、冷媒流路210がベース部材200の内部に形成されるとしているが、冷媒流路210が、ベース部材200の内部ではなく、ベース部材200の表面(例えばベース部材200と接着層300との間)に形成されるとしてもよい。 Further, in each of the above embodiments, the electrostatic chuck 10 includes the heater electrode 500, but the electrostatic chuck 10 does not have to include the heater electrode 500. Further, in each of the above embodiments, the refrigerant flow path 210 is formed inside the base member 200, but the refrigerant flow path 210 is not inside the base member 200 but on the surface of the base member 200 (for example, the base member 200). It may be formed between the and the adhesive layer 300).

また、上記各実施形態では、セラミックス板100の内部に1つのチャック電極400が設けられた単極方式が採用されているが、セラミックス板100の内部に一対のチャック電極400が設けられた双極方式が採用されてもよい。また、上記各実施形態の静電チャック10における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。 Further, in each of the above embodiments, a unipolar method in which one chuck electrode 400 is provided inside the ceramic plate 100 is adopted, but a bipolar method in which a pair of chuck electrodes 400 are provided inside the ceramic plate 100 is adopted. May be adopted. Further, the material forming each member in the electrostatic chuck 10 of each of the above embodiments is merely an example, and each member may be formed of another material.

また、上記各実施形態における静電チャック10の製造方法はあくまで一例であり、種々変形可能である。 Further, the method for manufacturing the electrostatic chuck 10 in each of the above embodiments is merely an example, and various modifications can be made.

また、本発明は、チャック電極400への給電のための構成に限らず、セラミックス板100の内部に配置された他の内部電極(例えば、ヒータ電極500)への給電のための構成にも同様に適用可能である。例えば、ヒータ電極500に導通する電極パッド52が、セラミックス板100の下面S2におけるZ軸方向視で端子用貫通孔24に重なる第1の領域に配置され、電極パッド52と接合された柱状の電極端子54と、電極端子54と端子用貫通孔24の表面との間に介在するように電極端子54を連続的に取り囲む絶縁部材80と、が端子用貫通孔24内に配置され、絶縁部材80の周りに接着材が配置された構成の静電チャックにおいて、セラミックス板100の下面S2における第1の領域に、Z軸方向において電極パッド52が配置された位置よりヒータ電極500側に凹んだ凹部と、Z軸方向において電極パッド52が配置された位置よりヒータ電極500から離れる側に突出した凸部と、の少なくとも一方が、Z軸方向視で電極パッド52を取り囲むように連続的に形成されているとしてもよい。このようにすれば、電極パッド52とベース部材200との間の短絡の発生を抑制することができる。 Further, the present invention is not limited to the configuration for supplying power to the chuck electrode 400, and the same applies to the configuration for supplying power to other internal electrodes (for example, the heater electrode 500) arranged inside the ceramic plate 100. It is applicable to. For example, the electrode pad 52 conducting to the heater electrode 500 is arranged in the first region overlapping the terminal through hole 24 in the Z-axis direction on the lower surface S2 of the ceramic plate 100, and is a columnar electrode joined to the electrode pad 52. An insulating member 80 that continuously surrounds the terminal 54 and the electrode terminal 54 so as to be interposed between the electrode terminal 54 and the surface of the terminal through hole 24 is arranged in the terminal through hole 24, and the insulating member 80 is provided. In an electrostatic chuck having a structure in which an adhesive is arranged around the above, a recess recessed in the first region of the lower surface S2 of the ceramic plate 100 toward the heater electrode 500 from the position where the electrode pad 52 is arranged in the Z-axis direction. At least one of the convex portion protruding from the position where the electrode pad 52 is arranged in the Z-axis direction toward the side away from the heater electrode 500 is continuously formed so as to surround the electrode pad 52 in the Z-axis direction. It may be. By doing so, it is possible to suppress the occurrence of a short circuit between the electrode pad 52 and the base member 200.

10:静電チャック 12:円形凹部 14:環状凹部 16:円形凹部 18:環状凸部 22:端子用貫通孔 24:端子用貫通孔 32:貫通孔 41:ビア 42:電極パッド 43:接合部 44:電極端子 51:ビア 52:電極パッド 54:電極端子 60:絶縁部材 62:絶縁部材側凸部 64:絶縁部材側凹部 70:接着材 80:絶縁部材 100:セラミックス板 200:ベース部材 210:冷媒流路 300:接着層 400:チャック電極 500:ヒータ電極 10: Electrostatic chuck 12: Circular recess 14: Circular recess 16: Circular recess 18: Circular convex part 22: Through hole for terminal 24: Through hole for terminal 32: Through hole 41: Via 42: Electrode pad 43: Joint part 44 : Electrode terminal 51: Via 52: Electrode pad 54: Electrode terminal 60: Insulating member 62: Insulating member side convex part 64: Insulating member side concave part 70: Adhesive material 80: Insulating member 100: Ceramic plate 200: Base member 210: Refrigerator Flow path 300: Adhesive layer 400: Chuck electrode 500: Heater electrode

Claims (7)

第1の方向に略直交する平面状の第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状のセラミックス板と、
第3の表面を有し、前記第3の表面が前記セラミックス板の前記第2の表面に対向するように配置され、冷媒流路と前記第3の表面に開口する端子用貫通孔とが内部に形成された金属製のベース部材と、
前記セラミックス板と前記ベース部材との間に配置された第1の接着材と、
前記セラミックス板の内部に配置された内部電極と、
前記セラミックス板の前記第2の表面における第1の領域であって、前記第1の方向視で前記端子用貫通孔に重なる前記第1の領域に配置され、前記内部電極に導通する電極パッドと、
前記端子用貫通孔内に配置され、前記電極パッドと接合された柱状の電極端子と、
前記端子用貫通孔内に配置され、前記電極端子と前記端子用貫通孔の表面との間に介在するように前記電極端子を連続的に取り囲む絶縁部材と、
前記絶縁部材の周りに配置された第2の接着材と、
を備え、前記セラミックス板の前記第1の表面上に対象物を保持する静電チャックにおいて、
前記セラミックス板の前記第2の表面における前記第1の領域には、前記第1の方向において前記電極パッドが配置された位置より前記内部電極側に凹んだ凹部と、前記第1の方向において前記電極パッドが配置された位置より前記内部電極から離れる側に突出した凸部と、の少なくとも一方が、前記第1の方向視で前記電極パッドを取り囲むように連続的に形成されていることを特徴とする、静電チャック。
A plate-shaped ceramic plate having a planar first surface substantially orthogonal to the first direction and a second surface opposite to the first surface.
It has a third surface, the third surface is arranged so as to face the second surface of the ceramic plate, and a refrigerant flow path and a through hole for a terminal opening to the third surface are inside. With the metal base member formed in
A first adhesive disposed between the ceramic plate and the base member,
With the internal electrodes arranged inside the ceramic plate,
An electrode pad that is a first region on the second surface of the ceramic plate, is arranged in the first region that overlaps the terminal through hole in the first directional view, and conducts to the internal electrode. ,
A columnar electrode terminal arranged in the terminal through hole and joined to the electrode pad,
An insulating member that is arranged in the through hole for the terminal and continuously surrounds the electrode terminal so as to be interposed between the electrode terminal and the surface of the through hole for the terminal.
With the second adhesive arranged around the insulating member,
In an electrostatic chuck comprising, and holding an object on the first surface of the ceramic plate.
In the first region on the second surface of the ceramic plate, a recess recessed from the position where the electrode pad is arranged in the first direction toward the internal electrode side, and the recess in the first direction. At least one of the convex portion protruding from the position where the electrode pad is arranged toward the side away from the internal electrode is continuously formed so as to surround the electrode pad in the first directional view. The electrostatic chuck.
請求項1に記載の静電チャックであって、
前記絶縁部材には、前記凹部に嵌合する絶縁部材側凸部と、前記凸部に嵌合する絶縁部材側凹部と、の少なくとも一方が形成されていることを特徴とする、静電チャック。
The electrostatic chuck according to claim 1.
The electrostatic chuck is characterized in that at least one of an insulating member-side convex portion that fits into the concave portion and an insulating member-side concave portion that fits into the convex portion is formed on the insulating member.
請求項1または請求項2に記載の静電チャックであって、
前記セラミックス板の前記第2の表面における前記第1の領域には、前記凹部と前記凸部との少なくとも一方が、2つ以上形成されていることを特徴とする、静電チャック。
The electrostatic chuck according to claim 1 or 2.
An electrostatic chuck characterized in that at least one of the concave portion and the convex portion is formed in the first region on the second surface of the ceramic plate.
請求項2に記載の静電チャックであって、
前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率以上であり、
前記セラミックス板の前記第2の表面における前記第1の領域には、前記凹部が、前記絶縁部材の肉厚を2等分する仮想面より内側の位置に形成されており、
前記絶縁部材には、前記凹部に嵌合する前記絶縁部材側凸部が形成されていることを特徴とする、静電チャック。
The electrostatic chuck according to claim 2.
The thermal conductivity of the ceramic plate is equal to or higher than the thermal conductivity of the insulating member.
In the first region on the second surface of the ceramic plate, the recess is formed at a position inside the virtual surface that divides the wall thickness of the insulating member into two equal parts.
An electrostatic chuck characterized in that the insulating member is formed with a convex portion on the insulating member side that fits into the concave portion.
請求項2に記載の静電チャックであって、
前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率以上であり、
前記セラミックス板の前記第2の表面における前記第1の領域には、前記凸部が、前記絶縁部材の肉厚を2等分する仮想面より外側の位置に形成されており、
前記絶縁部材には、前記凸部に嵌合する前記絶縁部材側凹部が形成されていることを特徴とする、静電チャック。
The electrostatic chuck according to claim 2.
The thermal conductivity of the ceramic plate is equal to or higher than the thermal conductivity of the insulating member.
In the first region on the second surface of the ceramic plate, the convex portion is formed at a position outside the virtual surface that divides the wall thickness of the insulating member into two equal parts.
An electrostatic chuck characterized in that the insulating member is formed with a concave portion on the insulating member side that fits into the convex portion.
請求項2に記載の静電チャックであって、
前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率より低く、
前記セラミックス板の前記第2の表面における前記第1の領域には、前記凹部が、前記絶縁部材の肉厚を2等分する仮想面より外側の位置に形成されており、
前記絶縁部材には、前記凹部に嵌合する前記絶縁部材側凸部が形成されていることを特徴とする、静電チャック。
The electrostatic chuck according to claim 2.
The thermal conductivity of the ceramic plate is lower than the thermal conductivity of the insulating member.
In the first region on the second surface of the ceramic plate, the recess is formed at a position outside the virtual surface that divides the wall thickness of the insulating member into two equal parts.
An electrostatic chuck characterized in that the insulating member is formed with a convex portion on the insulating member side that fits into the concave portion.
請求項2に記載の静電チャックであって、
前記セラミックス板の熱伝導率は、前記絶縁部材の熱伝導率より低く、
前記セラミックス板の前記第2の表面における前記第1の領域には、前記凸部が、前記絶縁部材の肉厚を2等分する仮想面より内側の位置に形成されており、
前記絶縁部材には、前記凸部に嵌合する前記絶縁部材側凹部が形成されていることを特徴とする、静電チャック。
The electrostatic chuck according to claim 2.
The thermal conductivity of the ceramic plate is lower than the thermal conductivity of the insulating member.
In the first region on the second surface of the ceramic plate, the convex portion is formed at a position inside the virtual surface that divides the wall thickness of the insulating member into two equal parts.
An electrostatic chuck characterized in that the insulating member is formed with a concave portion on the insulating member side that fits into the convex portion.
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