JP7336765B2

JP7336765B2 - 監視装置、監視方法および監視プログラム

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Publication number: JP7336765B2
Application number: JP2019178536A
Authority: JP
Inventors: 佳樹井上; 達哉茂木; 頼数頭本
Original assignee: Sobrain
Current assignee: Sobrain
Priority date: 2019-09-30
Filing date: 2019-09-30
Publication date: 2023-09-01
Anticipated expiration: 2039-09-30
Also published as: JP2021056066A

Description

本発明は、電線路を監視する監視装置、監視方法および監視プログラム
に関する。

電気設備の負荷機器を含む電気系統の絶縁性能は、感電、火災等の防止上、非常に重要であるが、電気設備の経年劣化や工事等により絶縁性能が損なわれ、電線路に漏洩電流（以下、「Ｉｏ」という。）が発生することがある。Ｉｏの発生を予兆したり、または、実際に発生しているＩｏを検知して、事故を未然に、または、早い段階で防止することが重要である。

このため、受電変圧器には、二次側の回路の接地線にＩｏを監視する監視装置を設けるようにしている。ここで、Ｉｏには、対地静電容量に起因する漏洩電流（以下、「Ｉｏｃ」という。）と、絶縁抵抗に直接関与している対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流（以下、「Ｉｏｒ」という。）とが含まれている。

例えば、特許文献１では、Ｂ種接地線に抑制抵抗を介置し、漏電電流を検出する絶縁監視装置の構成が開示されている。具体的には、当該絶縁監視装置では、変圧器の二次側回路に漏電が発生して二次側電線の地絡抵抗が閾値抵抗よりも小さくなった場合には、切替スイッチを開放することにより、Ｂ種接地線に抑制抵抗が介置された状態とし、二次側電線に一線地絡が生じたものと判断し、かつ、各二次側電線とグランドとの間の静電容量が同一であると仮定して、一線地絡による漏電電流を算出する。

特開２０１５－２０６７４１号公報

しかしながら、特許文献１では、電線路が接地式（Ｓ相接地）の構成だけを前提としており、電線路が非接地式の構成を考慮していない。とくに、電線路が非接地式の構成の場合、負荷側に発生する浮遊容量成分の影響により、電線路の監視を好適に行うことが困難である。

本開示では、電線路が非接地式の構成の場合であっても浮遊容量成分の影響を低減し、電線路の監視を好適に行うことができる監視装置、監視方法および監視プログラムを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一態様における監視装置は、電線路の漏洩電流を計測する計測部と、前記計測部により計測した漏洩電流に基づいて対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流を算出し、前記計測部により計測した漏洩電流と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるかどうかを判断する判断部と、前記計測部と変圧器との間に配置され、前記電線路を構成する各線路にそれぞれ接続して、コンデンサを介して接地を行うコンデンサ接地回路部とを備え、前記コンデンサ接地回路部は、前記電線路が非接地の構成である場合に、前記電線路に接続される。

上記目的を達成するために、本発明の一態様における監視方法は、電線路が非接地の構成である場合に、前記電線路にコンデンサ接地回路部が接続され、前記電線路の監視を行う監視方法であって、前記コンデンサ接地回路部は、計測部と変圧器との間に配置され、前記電線路を構成する各線路にそれぞれ接続して、コンデンサを介して接地を行い、前記電線路の漏洩電流を計測する計測工程と、前記計測工程により計測した漏洩電流に基づいて対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流を算出し、前記計測工程により計測した漏洩電流と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるかどうかを判断する判断工程とを備える。

上記目的を達成するために、本発明の一態様における監視プログラムは、電線路が非接地の構成である場合に、前記電線路にコンデンサ接地回路部が接続され、前記電線路の監視を行う監視プログラムであって、前記コンデンサ接地回路部は、計測部と変圧器との間に配置され、前記電線路を構成する各線路にそれぞれ接続して、コンデンサを介して接地を行い、コンピュータに、前記電線路の漏洩電流を計測する計測工程と、前記計測工程により計測した漏洩電流に基づいて対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流を算出し、前記計測工程により計測した漏洩電流と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるかどうかを判断する判断工程と、を実行させるためのプログラムである。

本発明によれば、電線路が非接地式の構成の場合であっても浮遊容量成分の影響を低減し、電線路の監視を好適に行うことができる。

監視装置の構成を示す図である。電線路が非接地式の単相三線結線の構成を示す図である。所定条件下における回路シミュレータによる結果を示す図である。電線路が非接地式の三相デルタ結線の構成を示す図である。所定条件下における回路シミュレータによる結果を示す図である。試験項目を示す図である。試験に用いた機材を示す図である。三相デルタ電路において精度試験を行ったときの構成を示す図である。単相電路において精度試験を行ったときの構成を示す図である。精度試験の結果をまとめた図である。三相デルタ電路の接地容量変化による精度試験の結果を示す図である。三相デルタ電路の接地容量変化による精度試験の結果を示す図である。三相デルタ電路の漏洩電流変化による精度試験の結果を示す図である。三相デルタ電路の漏洩電流変化による精度試験の結果を示す図である。三相デルタ電路の静電容量変化による精度試験の結果を示す図である。三相デルタ電路の静電容量変化による精度試験の結果を示す図である。単相三線電路の接地容量変化による精度試験の結果を示す図である。単相三線電路の接地容量変化による精度試験の結果を示す図である。単相三線電路の漏洩電流変化による精度試験の結果を示す図である。単相三線電路の漏洩電流変化による精度試験の結果を示す図である。単相三線電路の静電容量変化による精度試験の結果を示す図である。単相三線電路の静電容量変化による精度試験の結果を示す図である。監視方法の手順についての説明に供するフローチャートである。コンピュータの構成を示すブロック図である。ハードウェアの構成を示すブロック図である。

以下、本実施形態について説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、本実施形態で説明される構成の全てが、本発明の必須構成要件であるとは限らない。

図１は、監視装置１の構成を示す図である。監視装置１は、計測部１１と、判断部１２と、コンデンサ接地回路部１３とを備える。なお、本実施の形態では、コンデンサ接地回路部１３を用いたコンデンサ接地の例を示すが、コンデンサ接地に限られず、他のインピーダンス（例えば、コイルなど）による接地でもよい。

計測部１１は、電線路の漏洩電流を計測する。計測部１１は、具体的には、零相変流器（ＺＣＴ）により構成されており、電線路（３相分の電線）を一括して貫通する構成である。例えば、計測部１１は、貫通分割形零相変流器で構成されることにより、簡易に電線路に設置することができる。

判断部１２は、計測部１１により計測した漏洩電流に基づいて対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流を算出し、計測部１１により計測した漏洩電流と、対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるかどうかを判断する。

ここで、絶縁監視装置３の構成と動作について説明する。絶縁監視装置３は、主に、変圧器２の二次側における絶縁監視を行う装置である。特に、絶縁監視装置３は、絶縁監視を行うために電線路及び負荷を停電状態にすることなく、かつ、絶縁監視用の信号として商用周波数（５０Ｈｚ、６０Ｈｚ）とは異なる特定周波数（例えば、２０Ｈｚ）を注入することなく、監視情報を検出し、検出した監視情報を外部に通知する機能などを有している。

監視情報には、漏洩電流（以下、「Ｉｏ」という。）や、対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流（以下、「Ｉｏｒ」という。）や、対地静電容量に起因する漏洩電流（以下、「Ｉｏｃ」という。）や、位相角度（θ）や、基準電圧や、絶縁抵抗値（Ｇｒ）や、温度などが含まれている。また、Ｉｏは、コンデンサ接地回路部１３のアース線または幹線で計測した電流である。また、位相角度（θ）とは、基準電圧（Ｖｒｅｆ）に対する漏れ電流の位相角度を示している。

Ｉｏは、ＩｏｒとＩｏｃとのベクトル和である。Ｉｏｃは、電線路の長さに応じて容量が増大するだけでなく、負荷に使用されているインバータやノイズフィルター等に起因する高調波歪み電流によっても容量が増大する成分である。Ｉｏｒは、電気火災等を引き起こす原因となる成分である。絶縁監視装置３は、ＩｏｒをＩｏから正確に算出することができる。また、絶縁監視装置３は、所定時間間隔（例えば、２５０ｍｓｅｃ）で絶縁監視を行う。

コンデンサ接地回路部１３は、計測部１１と変圧器２との間に配置され、電線路を構成する各線路にそれぞれ接続して、コンデンサを介して接地を行う。コンデンサ接地回路部１３は、電線路が非接地の構成である場合に、電線路に接続される。コンデンサ接地回路部１３に含まれる各コンデンサは、同じ容量に設定されている。また、コンデンサ接地回路部１３に含まれる各コンデンサは、負荷側で発生する浮遊容量成分（対地静電容量）よりも大きな容量である。例えば、負荷側で発生する浮遊容量成分（対地静電容量）は、２μＦであり、コンデンサ接地回路部１３に含まれる各コンデンサの容量は、５μＦである。

このような構成によれば、監視装置１は、負荷側で発生する浮遊容量成分（対地静電容量）よりも大きな容量であるコンデンサ接地回路部１３を計測部１１と変圧器２との間に配置するので、電線路が非接地式の構成の場合、浮遊容量成分（対地静電容量）の影響を低減し、電線路の監視を好適に行うことができる。

監視装置１は、図１に示すように、電線路が接地式の構成であるか、または、電線路が非接地式の構成であるかを選択する選択部１４を備える構成でもよい。なお、図１では、選択部１４は、物理的なスイッチで構成されているが、一例であり、この構成に限定されない。

コンデンサ接地回路部１３は、選択部１４により電線路が非接地の構成が選択された場合に、電線路に接続される。具体的には、ユーザにより電線路が非接地の構成である旨の操作が行われた場合、絶縁監視装置３は、コンデンサ接地回路部１３が接地状態になるように選択部１４を制御する。なお、この構成に限られず、選択部１４は、直接ユーザの操作を受け付ける構成でもよい。

また、コンデンサ接地回路部１３自体が選択部１４の機能を有する（内蔵する）構成でもよい。このような構成の場合、監視装置１は、選択部１４を別途備える必要がないため、構成規模を縮小化することができる。

さらに、コンデンサ接地回路部１３は、各コンデンサの容量を可変にする構成でもよい。このような構成の場合、監視装置１は、接地する環境に適した容量にコンデンサを変更することができる。

なお、絶縁監視装置３は、電線路が接地式の構成の場合であって、変圧器２の二次側が三相デルタ結線の場合、Ｉｏと位相角度（θ）に基づいて、Ｉｏｒを算出する。例えば、絶縁監視装置３は、（１）式にＩｏと位相角度（θ）を代入して、Ｉｏｒを算出する。
Ｉｏｒ＝Ｉｏ×ｓｉｎθ／ｃｏｓ（π／６）・・・（１）

また、絶縁監視装置３は、電線路が接地式の構成の場合であって、変圧器２の二次側が単相三線結線の場合、Ｉｏと位相角度（θ）に基づいて、Ｉｏｒを算出する。例えば、絶縁監視装置３は、（２）式にＩｏと位相角度（θ）を代入して、Ｉｏｒを算出する。
Ｉｏｒ＝Ｉｏ×ｃｏｓθ ・・・（２）

このような構成によれば、監視装置１は、電線路が非接地式の構成の場合には、コンデンサ接地回路部１３を計測部１１と変圧器２との間に配置し、電線路が接地式の構成の場合には、コンデンサ接地回路部１３を計測部１１と変圧器２との間に配置しない。よって、監視装置１は、電線路が非接地式の構成の場合および接地式の構成の双方に対応することができる。

＜単相三線結線の場合＞
電線路が非接地式の構成の場合であって、変圧器２の二次側が単相三線結線の場合について説明する。図２は、電線路が非接地式の単相三線結線の構成を示す図である。図２では、Ｒ相に地絡が発生した場合を想定し、Ｒ相に地絡抵抗Ｒ１が接続されている例を示している。Ｃｒ、Ｃｎ、Ｃｔは、各相の負荷側で発生する浮遊容量成分（対地静電容量）を示している。具体的には、Ｃｒは、Ｒ相漏洩容量を示している。Ｃｎは、Ｎ相漏洩容量を示している。Ｃｔは、Ｔ相漏洩容量を示している。Ｖｒは、Ｒ相とコンデンサ接地回路部１３のコンデンサＣｇとの間の電圧値を示しており、詳細には、Ｒ相とコンデンサ接地回路部１３のコンデンサＣｇのアース側と間の電圧値を示している。Ｖｎは、Ｎ相とコンデンサ接地回路部１３のコンデンサＣｇとの間の電圧値を示しており、詳細には、Ｎ相とコンデンサ接地回路部１３のコンデンサＣｇのアース側と間の電圧値を示している。Ｖｔは、Ｔ相とコンデンサ接地回路部１３のコンデンサＣｇとの間の電圧値を示しており、詳細には、Ｔ相とコンデンサ接地回路部１３のコンデンサＣｇのアース側と間の電圧値を示している。Ｖｒｅｆは、Ｔ相とＲ相との間の電圧（基準電圧）を示している。

判断部１２は、計測部１１で計測した漏洩電流（Ｉｏ）をベクトルで示したときの第１位相角（θ）を算出する。判断部１２は、対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流（Ｉｏｒ）をベクトルで示したときの第２位相角（ｒ）を算出する。判断部１２は、第１位相角（θ）と第２位相角（ｒ）とを比較し、当該比較結果に基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるか否かを判断する。

このような構成によれば、監視装置１は、地絡電流に容量成分が含まれるか否かを判断し、その判断結果をディスプレイなどで報知することにより、表示されているＩｏに静電容量成分の影響が反映されているかどうかを作業者に認識させることができる。

例えば、作業者は、監視装置１により地絡電流に容量成分が含まれていない旨の報知がされていれば、Ｉｏに静電容量成分の影響が反映されていないこと、すなわち、ＩｏにＩｏｃが含まれていないことを認識することができる。

一方、作業者は、監視装置１により地絡電流に容量成分が含まれている旨の報知がされていれば、Ｉｏに静電容量成分の影響が反映されていること、すなわち、ＩｏにＩｏｃが含まれていることを認識することができる。

また、判断部１２は、第１位相角（θ）と第２位相角（ｒ）とを比較し、当該比較結果により、地絡電流に容量成分が含まれると判断した場合、第１位相角（θ）と第２位相角（ｒ）との差分の角度と、漏洩電流または対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、容量成分を算出する。

このような構成によれば、監視装置１は、地絡電流に容量成分が含まれる場合、その容量成分（Ｉｏｃ）を報知することにより、どのくらいのＩｏｃが電線路に流れているのかを作業者に示すことができる。

ここで、所定条件の場合における回路シミュレータの結果について説明する。以下で説明する所定条件とは、Ｒ相が地絡、線路が非接地式、接地容量（Ｃｇ）が５μＦ、Ｒ相漏洩容量（Ｃｒ）が２μＦ、Ｎ相漏洩容量（Ｃｎ）が０μＦ、Ｔ相漏洩容量（Ｃｔ）が０μＦ、地絡抵抗（Ｒ１）が５００Ω、である。図３は、この所定条件のときの回路シミュレータによる結果を示す図である。

回路シミュレータによる演算により算出されたＩｏと第１位相角（θ）の具体的な数値は、以下のとおりである。
Ｉｏ＝１７３．２４ｍＡ
θ＝３７．９６４°

なお、以下では、「Ｉｏ」は、ベクトルＩｏを意味する場合がある。「Ｉｏｒ」は、ベクトルＩｏｒを意味する場合がある。「Ｖｎ」は、ベクトルＶｎを意味する場合がある。「Ｖｒ」は、ベクトルＶｒをする場合がある。「Ｖｒ」は、ベクトルＶｘを意味する場合がある。

Ｖｘは、Ｉｏを基準として、Ｉｏから所定の角度に生じ、Ｉｏと、第１位相角（θ）とにより求めることができる。また、Ｖｎをベクトル表現した場合、Ｖｎは、図３に示すように、Ｖｘ上に示される。また、ＶｎとＶｘの関係は、（３）式に示すとおりである。
Ｖｎ＝Ｖｘ／３・・・（３）

また、Ｖｒは、Ｒ相と対地との間の電圧を示している。Ｖｒの大きさは、Ｒ相とＴ相との間の電圧（基準電圧Ｖｒｅｆ）と、Ｖｎとにより求めることができる。Ｉｏｒと原点とのなす角が第２位相角（ｒ）である。

ここで、図３に示す例では、第１位相角（θ）と第２位相角（ｒ）とが異なる、すなわち、ＩｏにＩｏｃが含まれている場合を示している。なお、ＩｏにＩｏｃが含まれない場合、Ｉｏは、Ｖｒと同じ方向に示される。

判断部１２は、Ｉｏｃを、三角関数を利用して、例えば、（４）式に基づいて算出する。
Ｉｏｃ＝Ｉｏｒ・ｔａｎ（θ－ｒ）・・・（４）

＜三相デルタ結線の場合＞
線路が非接地式の構成の場合であって、変圧器２の二次側が三相デルタ結線の場合について説明する。図４は、電線路が非接地式の三相デルタ結線の構成を示す図である。図４では、Ｔ相に地絡が発生した場合を想定し、Ｔ相に地絡抵抗Ｒ２が接続されている例を示している。Ｃｘは、各相の負荷側で発生する浮遊容量成分（対地静電容量）を示している。Ｖｒは、Ｒ相とコンデンサ接地回路部１３のコンデンサＣｇとの間の電圧値を示しており、詳細には、Ｒ相とコンデンサ接地回路部１３のコンデンサＣｇのアース側と間の電圧値を示している。Ｖｓは、Ｓ相とコンデンサ接地回路部１３のコンデンサＣｇとの間の電圧値を示しており、詳細には、Ｓ相とコンデンサ接地回路部１３のコンデンサＣｇのアース側と間の電圧値を示している。Ｖｔは、Ｔ相とコンデンサ接地回路部１３のコンデンサＣｇとの間の電圧値を示しており、詳細には、Ｔ相とコンデンサ接地回路部１３のコンデンサＣｇのアース側と間の電圧値を示している。Ｖｒｅｆは、Ｒ相とＴ相との間の電圧（基準電圧）を示している。

判断部１２は、計測部１１で計測した漏洩電流（Ｉｏ）をベクトルで示したときの第３位相角を算出する。判断部１２は、対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流（Ｉｏｒ）をベクトルで示したときの第４位相角を算出する。判断部１２は、第３位相角と第４位相角とを比較し、当該比較結果に基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるか否かを判断する。

また、判断部１２は、第３位相角と第４位相角とを比較し、当該比較結果により、地絡電流に容量成分が含まれると判断した場合、第３位相角と第４位相角との差分の角度と、漏洩電流または対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、容量成分を算出する。

ここで、所定条件の場合における回路シミュレータの結果について説明する。以下で説明する所定条件とは、Ｒ相が地絡、線路が非接地式、接地容量（Ｃｇ）が５μＦ、浮遊容量（Ｃｘ）が２μＦ、地絡抵抗（Ｒ２）が５００Ω、である。図５は、この所定条件のときの回路シミュレータによる結果を示す図である。

回路シミュレータによる演算により算出されたＩｏと第３位相角（θ）の具体的な数値は、以下のとおりである。
Ｉｏ＝２１２．５９ｍＡ
θ＝５２．９９３°

なお、以下では、「Ｉｏ」は、ベクトルＩｏを意味する場合がある。「Ｉｏｒ」は、ベクトルＩｏｒを意味する場合がある。「Ｖｃ」は、ベクトルＶｃをする場合がある。「Ｖｒ」は、ベクトルＶｘを意味する場合がある。「Ｖｔ」は、ベクトルＶｘを意味する場合がある。「Ｖｓ」は、ベクトルＶｘを意味する場合がある。

Ｖｘは、Ｉｏを基準として、Ｉｏから所定の角度に生じ、Ｉｏと、第３位相角（θ）とにより求めることができる。また、Ｖｃをベクトル表現した場合、Ｖｃは、図５に示すように、Ｖｘ上に示される。また、ＶｃとＶｘの関係は、（５）式に示すとおりである。つまり、Ｖｃは、Ｉｏと第３位相角（θ）とにより求めることができる。
Ｖｃ＝Ｖｘ／３・・・（５）

また、図５は、Ｖｃから導かれる各相電圧の関係図を示している。ベクトルＶｃの終点（先端）は、Ｒ相とＴ相との間の電圧（基準電圧（Ｖｒｅｆ））を基準とした三相デルタ電圧ベクトル図の重心位置（以下、この重心位置を点Ｐ１と称する。）を示す。ベクトルＶｃの始点（以下、この視点を点Ｐ２と称する）は、接地点を示している。三相デルタ電圧ベクトル図は、図５に示すように、点Ｐ１を重心とした正三角形で示すことができる。

また、点Ｐ２を始点とし、頂点Ｐ３を終点としたベクトルは、ベクトルＶｒを示す。点Ｐ２を始点とし、頂点Ｐ４を終点としたベクトルは、ベクトルＶｔを示す。点Ｐ２を始点とし、頂点Ｐ５を終点としたベクトルは、ベクトルＶｓを示す。ベクトルＶｒの終点と、ベクトルＶｔの終点とを結んだ直線が基準電圧（Ｖｒｅｆ）を示す。

Ｖｒは、Ｒ相とコンデンサ接地回路部１３のコンデンサＣｇとの間の電圧値を示している。ベクトルＶｒの大きさは、点Ｐ１と点Ｐ３を結んだ直線の長さと、角度（３０°＋Ａ）により求めることができる。

また、三相デルタ結線の線路浮遊静電容量（Ｃｘ）がバランスしている条件では、ＩｏとＶｒは同一方向に流れる。よって、Ｃｘが０μＦの場合には、「Ｉｏｃ＝０」となり、「Ｉｏｒ＝Ｉｏ」となる。

また、図５に示す例では、ＩｏにＩｏｃが含まれていない場合を示している。なお、Ｉｏｒと原点とのなす角を第４位相角（ｒ）とすると、ＩｏにＩｏｃが含まれていない場合とは、第３位相角（θ）と第４位相角（ｒ）とが等しくなっている状態である。また、ＩｏにＩｏｃが含まれている場合には、Ｉｏｒは、Ｖｒと異なる方向に示される。

また、判断部１２は、Ｉｏｃを、三角関数を利用して、例えば、（６）式に基づいて算出する。つまり、第３位相角（θ）と第４位相角（ｒ）とが等しい場合には、「Ｉｏｃ＝０」である。
Ｉｏｃ＝Ｉｏｒ・ｔａｎ（θ－ｒ）・・・（６）

なお、上述では、基準電圧（Ｖｒｅｆ）をＴ相とＲ相との間の電圧としたが、基準電圧（Ｖｒｅｆ）は、Ｓ相とＴ相との間の電圧にしてもよいし、Ｒ相とＳ相との間の電圧にしてもよい。また、図５に示した各相電圧の関係図および演算式などは、基準電圧（Ｖｒｅｆ）に応じて適宜変更される。

また、ＩｏｒとＩｏとの関係は、以下式（７）で表すことができる。
Ｉｏｒ＝Ｉｏ×（Ｃｇ／（Ｃｇ＋Ｃｘ））・・・（７）

また、地絡抵抗値Ｒ２は、ＶｒとＩｏｒとから下記式（８）で求めることができる。
Ｒ２＝Ｖｒ／Ｉｏｒ・・・（８）

＜精度試験＞
つぎに、コンデンサ接地回路部１３を設置したときの絶縁監視装置３の漏電電流計測機能の精度試験とその結果について説明する。また、本試験では、電気保安業務の法令に基づく評価基準から漏洩電流値を基準にすべきと考え、「５０ｍＡ」付近での電流値を計測して、その精度を検証した。

具体的には、以下に示すように、「自家用電気工作物保安管理規定」の「電気保安業務」における「状態監視」項で勧告されている電流値（５０ｍＡ）を基準とし、計測値が許容誤差１０％以内に収まれば、「良」判定とした。
基準電流値：５０ｍＡ
許容誤差：１０％以内

図６は、試験項目を示す図である。図７は、試験に用いた機材を示す図である。試験は、１．三相デルタ電路の接地容量変化による精度試験、２．三相デルタ電路の漏洩電流変化による精度試験、３．三相デルタ電路の静電容量変化による精度試験、４．単相三線電路の接地容量変化による精度試験、５．単相三線電路の漏洩電流変化による精度試験、６．単相三線電路の静電容量変化による精度試験、の６つ行った。

ここで、三相デルタ電路の接地容量変化による精度試験の手順について説明する。
手順１－１．浮遊静電容量（Ｃｘ）治具の全ての相に１μＦを設定する。
手順１－２．絶縁監視装置３の静電容量設定画面に１μＦを設定する。
手順１－３．接地用コンデンサ（Ｃｇ）治具に試験該当の容量値を設定する。
手順１－４．絶縁監視装置３の接地容量設定画面において、接地用コンデンサ（Ｃｇ）治具に設定した値を設定する。
手順１－５．Ｉｏｒ測定器４の値を見ながら、三相用疑似漏電治具の試験該当相の電流値を５０ｍＡにする。
手順１－６．絶縁監視装置３で測定（演算）したＩｏ、位相角（θ）、Ｉｏｒの値を記録する。
本試験においては、手順１－３から手順１－６を繰り返し行って、試験該当の全ての容量値について実施する（Ｃｇを変化させてゆく）。

三相デルタ電路の漏洩電流変化による精度試験の手順について説明する。
手順２－１．浮遊静電容量（Ｃｘ）治具の全ての相に１μＦを設定する。
手順２－２．絶縁監視装置３の静電容量設定画面に１μＦを設定する。
手順２－３．接地用コンデンサ（Ｃｇ）治具の全ての相に２０μＦを設定する。
手順２－４．絶縁監視装置３の接地容量設定画面において、Ｃｇを２０μＦに設定する。
手順２－５．Ｉｏｒ測定器４の値を見ながら、三相用疑似漏電治具の試験該当相の電流値を試験該当の電流値にする。
手順２－６．絶縁監視装置３で測定（演算）したＩｏ、位相角（θ）、Ｉｏｒの値を記録する。
本試験においては、手順２－５から手順２－６を繰り返し行って、試験該当の全ての容量値について実施する（漏洩抵抗成分を変化させてゆく）。

三相デルタ電路の静電容量変化による精度試験の手順について説明する。
手順３－１．接地用コンデンサ（Ｃｇ）治具の全ての相に２０μＦを設定する。
手順３－２．絶縁監視装置３の接地容量設定画面において、Ｃｇを２０μＦに設定する。
手順３－３．浮遊静電容量（Ｃｘ）治具の全ての相に試験該当の静電容量を設定する。
手順３－４．絶縁監視装置３の静電容量設定画面において、浮遊静電容量（Ｃｘ）治具に設定した値を設定する。
手順３－５．Ｉｏｒ測定器４の値を見ながら、三相用疑似漏電治具の試験該当相の電流値を５０ｍＡにする。
手順３－６．絶縁監視装置３で測定（演算）したＩｏ、位相角（θ）、Ｉｏｒの値を記録する。
本試験においては、手順３－３から手順３－６を繰り返し行って、試験該当の全ての容量値について実施する（Ｃｘを変化させてゆく）。

単相電路の接地容量変化による精度試験の手順について説明する。
手順４－１．浮遊静電容量（Ｃｘ）治具の全ての相に１μＦを設定する。
手順４－２．絶縁監視装置３の静電容量設定画面において、Ｃｘを１μＦに設定する。
手順４－３．接地用コンデンサ治具に試験該当の容量値を設定する。
手順４－４．絶縁監視装置３の接地容量設定画面において、接地用コンデンサ治具に設定した値を設定する。
手順４－５．Ｉｏｒ測定器４の値を見ながら、単相用疑似漏電治具の試験該当相の電流値を５０ｍＡにする。
手順４－６．絶縁監視装置３で測定（演算）したＩｏ、位相角（θ）、Ｉｏｒの値を記録する。
本試験においては、手順４－３から手順４－６を繰り返し行って、試験該当の全ての容量値について実施する。

単相電路の漏洩電流変化による精度試験の手順について説明する。
手順５－１．浮遊静電容量（Ｃｘ）治具の全ての相に１μＦを設定する。
手順５－２．絶縁監視装置３の静電容量設定画面において、Ｃｘを１μＦに設定する。
手順５－３．接地用コンデンサ治具の全ての相に２０μＦを設定する。
手順５－４．絶縁監視装置３の接地容量設定画面において、Ｃｇを２０μＦに設定する。
手順５－５．Ｉｏｒ測定器４の値を見ながら、単相用疑似漏電治具の試験該当相の電流値を試験該当の電流値にする。
手順５－６．絶縁監視装置３で測定（演算）したＩｏ、位相角（θ）、Ｉｏｒの値を記録する。
本試験においては、手順５－５と手順５－６を繰り返し行って、試験該当の全ての容量値について実施する。

単相電路の静電容量変化による精度試験の手順について説明する。
手順６－１．接地用コンデンサ治具の全ての相に２０μＦを設定する。
手順６－２．絶縁監視装置３の接地容量設定画面において、Ｃｇを２０μＦに設定する。
手順６－３．浮遊静電容量（Ｃｘ）治具の全ての相に試験該当の静電容量を設定する。
手順６－４．絶縁監視装置３の静電容量設定画面において、浮遊静電容量（Ｃｘ）治具に設定した値を設定する。
手順６－５．Ｉｏｒ測定器４の値を見ながら、単相用疑似漏電治具の試験該当相の電流値を５０ｍＡにする。
手順６－６．絶縁監視装置３で測定（演算）したＩｏ、位相角（θ）、Ｉｏｒの値を記録する。
本試験においては、手順６－３から手順６－６を繰り返し行って、試験該当の全ての容量値について実施する。

図８は、三相デルタ電路において精度試験を行ったときの構成を示す図である。図８に示す構成は、図４に示す構成に対して、Ｔ相に流れるＩｏｒを測定するためのＩｏｒ測定器４を組み合わせた構成である。なお、図８では、Ｔ相に地絡が発生した場合を想定し、Ｔ相に地絡抵抗Ｒ２が接続されている例を示している。Ｒ相に地絡が発生した場合を想定した試験では、Ｒ相に地絡抵抗Ｒ２を接続した。また、Ｓ相に地絡が発生した場合を想定した試験では、Ｓ相に地絡抵抗Ｒ２を接続した。

図９は、単相電路において精度試験を行ったときの構成を示す図である。図８に示す構成は、図３に示す構成に対して、Ｔ相に流れるＩｏｒを測定するためのＩｏｒ測定器４を組み合わせた構成である。なお、図９では、Ｒ相に地絡が発生した場合を想定し、Ｒ相に地絡抵抗Ｒ１が接続されている例を示している。Ｔ相に地絡が発生した場合を想定した試験では、Ｔ相に地絡抵抗Ｒ１を接続した。

図１０は、すべての試験の結果をまとめた図である。図１０に示す通り、すべての試験において、計測値は、許容誤差１０％以内であり、「良」判定であった。

＜試験結果＞
三相デルタ電路においては、Ｔ相接地の場合の試験結果を示すが、Ｒ相接地およびＳ相接地の場合についても試験を行った。また、単相電路においては、Ｒ相接地の場合の試験結果を示すが、Ｔ相接地の場合についても試験を行った。

図１１および図１２は、三相デルタ電路の接地容量変化による精度試験の結果を示す図である。すべての設定値において、絶縁監視装置３による計算値と、Ｉｏｒ測定器４による計測値とが、許容誤差１０％以内かつ誤差率２％以内であった。

図１３および図１４は、三相デルタ電路の漏洩電流変化による精度試験の結果を示す図である。すべての設定値において、絶縁監視装置３による計算値と、Ｉｏｒ測定器４による計測値とが、許容誤差１０％以内かつ誤差率２％以内であった。

図１５および図１６は、三相デルタ電路の静電容量変化による精度試験の結果を示す図である。すべての設定値において、絶縁監視装置３による計算値と、Ｉｏｒ測定器４による計測値とが、許容誤差１０％以内かつ誤差率２％以内であった。

図１７および図１８は、単相三線電路の接地容量変化による精度試験の結果を示す図である。すべての設定値において、絶縁監視装置３による計算値と、Ｉｏｒ測定器４による計測値とが、許容誤差１０％以内かつ誤差率２％以内であった。

図１９および図２０は、単相三線電路の漏洩電流変化による精度試験の結果を示す図である。すべての設定値において、絶縁監視装置３による計算値と、Ｉｏｒ測定器４による計測値とが、許容誤差１０％以内かつ誤差率２％以内であった。

図２１および図２２は、単相三線電路の静電容量変化による精度試験の結果を示す図である。すべての設定値において、絶縁監視装置３による計算値と、Ｉｏｒ測定器４による計測値とが、許容誤差１０％以内かつ誤差率２％以内であった。

図１１から図２２の精度試験の結果が示すように、監視装置１は、電線路が非接地式の構成の場合において、負荷側で発生する浮遊容量成分（対地静電容量）よりも大きな容量が設定されたコンデンサ接地回路部１３を計測部１１と変圧器２との間に配置することにより、浮遊容量成分（対地静電容量）の影響を低減して、地絡負荷電流が５０ｍＡ以下で、許容誤差が１０％以内かつ誤差率２％以内の精確なＩｏｒを算出することができ、電線路の監視を好適に行うことができる。

（監視方法について）
ここで、監視装置１による監視方法について説明する。図２３は、監視方法の手順についての説明に供するフローチャートである。監視方法は、電線路が非接地の構成である場合に、電線路にコンデンサ接地回路部１３が接続され、電線路の監視を行う方法である。

コンデンサ接地回路部１３は、計測部１１と変圧器２との間に配置され、電線路を構成する各線路にそれぞれ接続して、コンデンサを介して接地を行っている。

ステップＳＴ１において、計測部１１は、電線路の漏洩電流を計測する。
ステップＳＴ２において、判断部１２は、ステップＳＴ１の工程により計測した漏洩電流に基づいて対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流を算出し、ステップＳＴ１の工程により計測した漏洩電流と、対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるかどうかを判断する。監視装置１は、判断結果を作業者に報知する。

このようにして、監視方法は、負荷側で発生する浮遊容量成分（対地静電容量）よりも大きな容量であるコンデンサ接地回路部１３を計測部１１と変圧器２との間に配置するので、電線路が非接地式の構成の場合、浮遊容量成分（対地静電容量）の影響を低減し、電線路の監視を好適に行うことができる。

（監視プログラムについて）
電線路が非接地の構成である場合に、電線路にコンデンサ接地回路部が接続され、電線路の監視を行う監視プログラムは、主に以下の工程で構成されており、コンピュータ５００（ハードウェア）によって実行される。

工程１（計測工程）：電線路の漏洩電流を計測する工程
工程２（判断工程）：計測工程により計測した漏洩電流に基づいて対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流を算出し、計測工程により計測した漏洩電流と、対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるかどうかを判断する工程

ここで、コンピュータ５００の構成と動作について図を用いて説明する。コンピュータ５００は、図２４に示すように、プロセッサ５０１と、メモリ５０２と、ストレージ５０３と、入出力Ｉ／Ｆ５０４と、通信Ｉ／Ｆ５０５とがバスＡ上に接続されて構成されており、これらの各構成要素の協働により、本開示に記載される機能、および／または、方法を実現する。

入出力Ｉ／Ｆ５０４には、例えば、各種の情報を表示するディスプレイ、および、ユーザの操作を受け付けるタッチパネルなどが接続される。タッチパネルは、ディスプレイの前面に配置される。よって、ユーザは、ディスプレイに表示されるアイコンを指でタッチ操作などをすることにより、直感的な操作を行うことができる。なお、タッチパネルは、ディスプレイの前面に配置されていなくてもよい。また、タッチパネルに代えて、または、タッチパネルと共に、キーボードおよびマウスなどのポインティングデバイスが入出力Ｉ／Ｆ５０４に接続される構成でもよい。また、入出力Ｉ／Ｆ５０４には、外部に音声を出力するスピーカや、外部の音声が入力されるマイクが接続されてもよい。

ディスプレイは、液晶ディスプレイまたは有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイなどにより構成され、プロセッサ５０１による制御の下、種々の情報を表示する。プロセッサ５０１が支援プログラムに基づいてディスプレイを制御することにより、報知部の機能が実現される。

メモリ５０２は、ＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）で構成される。ＲＡＭは、揮発メモリまたは不揮発性メモリで構成されている。

ストレージ５０３は、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）で構成される。ＲＯＭは、不揮発性メモリで構成されており、例えば、ＨＤＤ（ＨａｒｄＤｉｓｃＤｒｉｖｅ）またはＳＳＤ（ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＤｒｉｖｅ）により実現される。ストレージ５０３には、上述した工程１および工程２で実現される監視プログラムなどの各種のプログラムが格納されている。

例えば、プロセッサ５０１は、コンピュータ５００全体の動作を制御する。プロセッサ５０１は、ストレージ５０３からオペレーティングシステムや多様な機能を実現する様々なプログラムをメモリ５０２にロードし、ロードしたプログラムに含まれる命令を実行する演算装置である。

具体的には、プロセッサ５０１は、ユーザの操作を受け付けた場合、ストレージ５０３に格納されているプログラム（例えば、監視プログラム）を読み出し、読み出したプログラムをメモリ５０２に展開し、プログラムを実行する。また、プロセッサ５０１が監視プログラムを実行することにより、計測部１１および判断部１２の各機能が実現される。

ここで、プロセッサ５０１の構成について説明する。プロセッサ５０１は、例えば、ＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）、ＭＰＵ（ＭｉｃｒｏＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）、ＧＰＵ（ＧｒａｐｈｉｃｓＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）、これら以外の各種演算装置、またはこれらの組み合わせにより実現される。

また、本開示に記載される機能、および／または、方法を実現するために、プロセッサ５０１、メモリ５０２およびストレージ５０３などの機能の一部または全部は、図２５に示すように、専用のハードウェアである処理回路６０１で構成されてもよい。処理回路６０１は、例えば、単一回路、複合回路、プログラム化されたプロセッサ、並列プログラム化されたプロセッサ、ＡＳＩＣ（ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＳｐｅｃｉｆｉｃＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ－ＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＧａｔｅＡｒｒａｙ）、又はこれらを組み合わせたものである。

また、プロセッサ５０１は、単一の構成要素として説明したが、これに限られず、複数の物理的に別体のプロセッサの集合により構成されてもよい。本明細書において、プロセッサ５０１によって実行されるとして説明されるプログラムまたは当該プログラムに含まれる命令は、単一のプロセッサ５０１で実行されてもよいし、複数のプロセッサにより分散して実行されてもよい。また、プロセッサ５０１によって実行されるプログラムまたは当該プログラムに含まれる命令は、複数の仮想プロセッサにより実行されてもよい。

通信Ｉ／Ｆ５０５は、所定の通信規格に準拠したインターフェイスであり、有線または無線により外部装置と通信を行う。

このようにして、監視プログラムは、コンピュータ５００で実行されることにより、負荷側で発生する浮遊容量成分（対地静電容量）よりも大きな容量であるコンデンサ接地回路部１３を計測部１１と変圧器２との間に配置するので、電線路が非接地式の構成の場合、浮遊容量成分（対地静電容量）の影響を低減し、電線路の監視を好適に行うことができる。

１監視装置
２変圧器
３絶縁監視装置
１１計測部
１２判断部
１３コンデンサ接地回路部
１４選択部

Claims

電線路の漏洩電流を計測する計測部と、
前記計測部により計測した漏洩電流に基づいて対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流を算出し、前記計測部により計測した漏洩電流と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるかどうかを判断する判断部と、
前記計測部と変圧器との間に配置され、前記電線路を構成する各線路にそれぞれ接続して、コンデンサを介して接地を行うコンデンサ接地回路部とを備え、
前記コンデンサ接地回路部に含まれる各コンデンサは、同じ容量に設定されており、前記コンデンサ接地回路部は、前記電線路が非接地の構成である場合に、前記電線路に接続されるものであり、
前記判断部は、前記電線路が非接地式の構成の場合であって、前記変圧器の二次側が単相三線結線の場合、前記計測部で計測した漏洩電流をベクトルで示したときの第１位相角と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流をベクトルで示したときの第２位相角とを比較し、当該比較結果に基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるか否かを判断する、監視装置。
電線路の漏洩電流を計測する計測部と、
前記計測部により計測した漏洩電流に基づいて対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流を算出し、前記計測部により計測した漏洩電流と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるかどうかを判断する判断部と、
前記計測部と変圧器との間に配置され、前記電線路を構成する各線路にそれぞれ接続して、コンデンサを介して接地を行うコンデンサ接地回路部とを備え、
前記コンデンサ接地回路部は、前記電線路が非接地の構成である場合に、前記電線路に接続されるものであり、
前記判断部は、前記電線路が非接地式の構成の場合であって、前記変圧器の二次側が単相三線結線の場合、前記計測部で計測した漏洩電流をベクトルで示したときの第１位相角と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流をベクトルで示したときの第２位相角とを比較し、当該比較結果に基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるか否かを判断するものであり、
前記判断部は、前記第１位相角と前記第２位相角とを比較し、当該比較結果により、地絡電流に容量成分が含まれると判断した場合、前記第１位相角と前記第２位相角との差分の角度と、前記漏洩電流または前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、前記容量成分を算出する監視装置。
電線路の漏洩電流を計測する計測部と、
前記計測部により計測した漏洩電流に基づいて対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流を算出し、前記計測部により計測した漏洩電流と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるかどうかを判断する判断部と、
前記計測部と変圧器との間に配置され、前記電線路を構成する各線路にそれぞれ接続して、コンデンサを介して接地を行うコンデンサ接地回路部とを備え、
前記コンデンサ接地回路部は、前記電線路が非接地の構成である場合に、前記電線路に接続されるものであり、
前記判断部は、前記電線路が非接地式の構成の場合であって、前記変圧器の二次側が三相デルタ結線の場合、前記計測部で計測した漏洩電流をベクトルで示したときの第３位相角と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流をベクトルで示したときの第４位相角とを比較し、当該比較結果に基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるか否かを判断する監視装置。
前記判断部は、前記第３位相角と前記第４位相角とを比較し、当該比較結果により、地絡電流に容量成分が含まれると判断した場合、前記第３位相角と前記第４位相角との差分の角度と、前記漏洩電流または前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、前記容量成分を算出する請求項３に記載の監視装置。
変圧器の二次側が単相三線結線の場合であって、電線路が非接地の構成である場合に、前記電線路にコンデンサ接地回路部が接続され、前記電線路の監視を行う監視方法であって、
前記コンデンサ接地回路部は、計測部と前記変圧器との間に配置され、前記電線路を構成する各線路にそれぞれ接続して、コンデンサを介して接地を行い、
前記電線路の漏洩電流を計測する計測工程と、
前記計測工程により計測した漏洩電流に基づいて対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流を算出し、前記計測工程により計測した漏洩電流と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、前記計測部で計測した漏洩電流をベクトルで示したときの第１位相角と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流をベクトルで示したときの第２位相角とを比較し、当該比較結果に基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるかどうかを判断する判断工程と、
前記判断工程で地絡電流に容量成分が含まれると判断した場合、前記第１位相角と前記第２位相角との差分の角度と、前記漏洩電流または前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、前記容量成分を算出する算出工程と、
を備える監視方法。
変圧器の二次側が単相三線結線の場合であって、電線路が非接地の構成である場合に、前記電線路にコンデンサ接地回路部が接続され、前記電線路の監視を行う監視プログラムであって、
前記コンデンサ接地回路部は、計測部と前記変圧器との間に配置され、前記電線路を構成する各線路にそれぞれ接続して、コンデンサを介して接地を行い、
コンピュータに、
前記電線路の漏洩電流を計測する計測工程と、
前記計測工程により計測した漏洩電流に基づいて対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流を算出し、前記計測工程により計測した漏洩電流と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、前記計測部で計測した漏洩電流をベクトルで示したときの第１位相角と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流をベクトルで示したときの第２位相角とを比較し、当該比較結果に基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるかどうかを判断する判断工程と、
前記判断工程で地絡電流に容量成分が含まれると判断した場合、前記第１位相角と前記第２位相角との差分の角度と、前記漏洩電流または前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、前記容量成分を算出する算出工程と、
を実行させるための監視プログラム。
変圧器の二次側が三相デルタ結線の場合であって、電線路が非接地の構成である場合に、前記電線路にコンデンサ接地回路部が接続され、前記電線路の監視を行う監視方法であって、
前記コンデンサ接地回路部は、計測部と前記変圧器との間に配置され、前記電線路を構成する各線路にそれぞれ接続して、コンデンサを介して接地を行い、
前記電線路の漏洩電流を計測する計測工程と、
前記計測工程により計測した漏洩電流に基づいて対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流を算出し、前記計測工程により計測した漏洩電流と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、前記計測部で計測した漏洩電流をベクトルで示したときの第３位相角と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流をベクトルで示したときの第４位相角とを比較し、当該比較結果に基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるかどうかを判断する判断工程とを備える監視方法。
変圧器の二次側が三相デルタ結線の場合であって、電線路が非接地の構成である場合に、前記電線路にコンデンサ接地回路部が接続され、前記電線路の監視を行う監視プログラムであって、
前記コンデンサ接地回路部は、計測部と変圧器との間に配置され、前記電線路を構成する各線路にそれぞれ接続して、コンデンサを介して接地を行い、
コンピュータに、
前記電線路の漏洩電流を計測する計測工程と、
前記計測工程により計測した漏洩電流に基づいて対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流を算出し、前記計測工程により計測した漏洩電流と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流とに基づいて、前記計測部で計測した漏洩電流をベクトルで示したときの第３位相角と、前記対地絶縁抵抗に起因する漏洩電流をベクトルで示したときの第４位相角とを比較し、当該比較結果に基づいて、地絡電流に容量成分が含まれるかどうかを判断する判断工程と、を実行させるための監視プログラム。