JP7330679B2 - 深度制御可能なイオン切削 - Google Patents
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Description
本出願は、出願日2017年9月25日の米国仮特許出願第62/563065号および出願日2018年1月18日の米国仮特許出願第62/618647号からの優先権を主張する。
101 校正済み区域
102 シリコン基部、サファイア基部
110 校正済みサンプル、上部構造物
120 劈開縁部
121 ダイ
130 ターゲットサンプル、校正済みサンプル
131 ダイ間の区域
132 シリコン基部
140 層
150 劈開縁部
160 孔
162 部分
164 部分
165 黒い層
170 部分
180 部分
190 イオンビーム
200 コンピュータ化したシステム
201 コンピュータ化したシステム
202 イオン切削器
204 SEMカラム、検出器
206 2次電子検出器、SED
208 後方散乱電子検出器、BSED
208 イオン切削器
210 サンプルホルダ
212 コントローラ
222 光学デバイス
Claims (17)
- 深度制御したイオン切削のための方法であって、
校正済みサンプルの1つの縁部を劈開して校正済みサンプルの劈開縁部をもたらすことと、
ターゲットサンプルの1つの縁部を劈開してターゲットサンプルの劈開縁部をもたらすことと、
前記校正済みサンプルを前記ターゲットサンプルと位置合わせすることと、
前記校正済みサンプルの劈開縁部を前記ターゲットサンプルの劈開縁部に接続することと、
前記校正済みサンプルに属する校正済み区域および前記ターゲットサンプルに属するターゲット区域をイオン切削することであって、前記イオン切削することが、前記校正済み区域の内部を露出させて前記校正済み区域の露出内部をもたらすことを含み、前記ターゲット区域はある深さに位置する埋め込まれた対象領域を含み、前記校正済み区域は前記ある深さに位置する所定の層を含み、前記所定の層が、前記所定の層に先行する前記校正済み区域の別の層から視覚的に区別可能である、イオン切削することと、
前記校正済み区域の前記露出内部を検視することによって、前記切削の進行を監視することと、
前記監視の結果に基づいて前記イオン切削を制御することと、
を含む、方法。 - 前記イオン切削を制御することが、前記所定の層を検出すると前記イオン切削を停止することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記校正済み区域が複数のシーケンス層を含み、各シーケンスの層が、互いに視覚的に区別可能である、請求項1に記載の方法。
- 前記複数のシーケンス層の各層が既知の厚さであり、前記切削の進行を監視することが、前記切削によって露出した層の合計の厚さを計算し、前記合計の厚さを前記ある深さと比較することを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記複数のシーケンス層のうちの少なくとも2つの層が同じ厚さである、請求項3に記載の方法。
- 前記複数のシーケンス層のうちの少なくとも2つの層は、厚さが互いに異なる、請求項3に記載の方法。
- 各シーケンス層毎に2つの層がある、請求項3に記載の方法。
- 各シーケンス層毎に少なくとも3つの層がある、請求項3に記載の方法。
- 前記所定の層および他の層の第1の層が酸化ケイ素からできており、前記所定の層および他の層の第2の層がポリシリコンからできている、請求項1に記載の方法。
- 前記切削の進行を監視することが、前記校正済み区域の前記露出内部を、荷電粒子デバイスによって検視することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記切削の進行を監視することが、前記校正済み区域の前記露出内部を、光学デバイスによって検視することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記校正済み区域および前記ターゲット区域が、ターゲットサンプルに属する、請求項1に記載の方法。
- 前記ターゲットサンプルがウェハであり、前記校正済み区域が前記ウェハの2つのダイ間にある、請求項12に記載の方法。
- コンピュータ化したシステムによって実行されると、前記コンピュータ化したシステムに、
校正済みサンプルの1つの縁部を劈開して校正済みサンプルの劈開縁部をもたらすステップと、
ターゲットサンプルの1つの縁部を劈開してターゲットサンプルの劈開縁部をもたらステップと、
前記校正済みサンプルを前記ターゲットサンプルと位置合わせするステップと、
前記校正済みサンプルの劈開縁部を前記ターゲットサンプルの劈開縁部に接続するステップと、
前記校正済みサンプルに属する校正済み区域および前記ターゲットサンプルに属するターゲット区域をイオン切削するステップであって、前記イオン切削するステップが、前記校正済み区域の内部を露出させて前記校正済み区域の露出内部をもたらすことを含み、前記ターゲット区域はある深さに位置する埋め込まれた対象領域を含み、前記校正済み区域は前記ある深さに位置する所定の層を含み、前記所定の層が、前記所定の層に先行する前記校正済み区域の別の層から視覚的に区別可能である、ステップと、
前記校正済み区域の前記露出内部を検視することによって、前記切削の進行を監視するステップと、
前記監視の結果に基づいて前記イオン切削を制御するステップと、
を実行させる命令を記憶する、非一時的コンピュータ可読媒体。 - 前記イオン切削を制御することが、前記所定の層を検出すると前記イオン切削を停止することを含む、請求項14に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
- イオン切削器、サンプルホルダ、コントローラ、およびモニタを備える、コンピュータ化したシステムであって、
サンプルホルダは、組み合わされたターゲットサンプルおよび較正済みサンプルを受け取るように構成され、組み合わされたターゲットサンプルおよび較正済みサンプルは、校正済みサンプルの1つの縁部を劈開して校正済みサンプルの劈開縁部をもたらし;ターゲットサンプルの1つの縁部を劈開してターゲットサンプルの劈開縁部をもたらし;前記校正済みサンプルを前記ターゲットサンプルと位置合わせし;前記校正済みサンプルの劈開縁部を前記ターゲットサンプルの劈開縁部に接続すること、によって製造され、
前記イオン切削器が、校正済み区域およびターゲット区域を切削するように構成されていて、前記イオン切削することが、前記校正済み区域の内部を露出させて前記校正済み区域の露出内部をもたらすことを含み、前記ターゲット区域はある深さに位置する埋め込まれた対象領域を含み、前記校正済み区域は前記ある深さに位置する所定の層を含み、前記所定の層が、前記所定の層に先行する前記校正済み区域の別の層から視覚的に区別可能であり、
前記モニタが、前記校正済み区域の前記露出内部を検視することによって、前記切削の進行を監視するように構成されていて、
前記コントローラが、前記監視の結果に基づいて前記イオン切削を制御するように構成されている、コンピュータ化したシステム。 - 前記コントローラが、前記所定の層を検出すると、前記イオン切削を停止することによって前記イオン切削を制御するように構成されている、請求項16に記載のシステム。
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