JP7330014B2 - 心磁計測装置、心磁計測方法、および、心磁計測プログラム - Google Patents

Description

本発明は、心磁計測装置、心磁計測方法、および、心磁計測プログラムに関する。

従来、磁気センサを複数配列して構成される磁気センサアレイを用いて、被験者の心臓の電気活動により生成される微弱な生体磁場（「心磁」という。）を計測する心磁計測装置が知られている。（例えば、特許文献１～３参照）。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］ 特開２００１－８７２３７号公報
［特許文献２］ 国際公開第２０１７／２０９２７３号
［特許文献３］ 特開２０１７－１３３９９３号公報

従来の心磁計測装置では、磁気センサアレイを構成する各々の磁気センサは、心磁を胸面に垂直な１軸方向でのみ検出していた。しかしながら、微弱な心磁をより高精度に計測するためには、複数の磁気センサの特性を精度よく較正することが望ましい。

上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、心磁計測装置を提供する。心磁計測装置は、各々が磁場を３軸方向で検出可能な複数の磁気センサセルを配列して構成される磁気センサアレイを備えてよい。心磁計測装置は、複数の磁気センサセルのうちの１つの磁気センサセルを基準セルとして、基準セルに近接する近接セルの計測値を較正し、較正済みの近接セルを新たな基準セルとして、新たな基準セルに近接する近接セルの計測値を較正する較正演算部を備えてよい。

磁気センサアレイは、複数の磁気センサセルが二次元に配列された二次元配列を含んで構成されてよい。

較正演算部は、新たな基準セルの設定、および、近接セルの計測値の較正を、二次元配列における少なくとも１部について順次繰り返してよい。

較正演算部は、新たな基準セルの設定、および、近接セルの計測値の較正を、二次元配列における略中心から外周に向かって順次繰り返してよい。

較正演算部は、新たな基準セルの設定、および、近接セルの計測値の較正を、二次元配列において渦巻状に順次繰り返してよい。

基準セルと近接セルとの間における磁場計測値の差分を算出する差分算出部を更に備えてよい。

較正演算部は、差分の２乗を最小化するように、近接セルの計測値を較正してよい。

較正演算部は、近接セルの計測値に施す線形演算の係数を適応制御して、近接セルの計測値を較正してよい。

磁気センサアレイを較正するための較正用磁場を発生する較正用磁場発生部を更に備えてよい。

較正用磁場発生部は、磁気センサアレイとの間の相対位置を調整可能に構成されてよい。

基準セルと基準セルに近接する近接セルとの間の距離は、基準セルと新たな基準セルに近接する近接セルとの間の距離よりも短くてよい。

複数の磁気センサセルのそれぞれは、磁気センサと、磁気センサが検出した入力磁場を低減させるフィードバック磁場を磁気センサに与える磁場生成部と、磁場生成部がフィードバック磁場を発生するために流す電流に応じた出力信号を出力する出力部と、を有してよい。

本発明の第２の態様においては、心磁計測方法を提供する。心磁計測方法は、各々が磁場を３軸方向で検出可能な複数の磁気センサセルを配列して構成される磁気センサアレイにおける、複数の磁気センサセルのうちの１つの磁気センサセルを基準セルとして、基準セルに近接する近接セルの計測値を較正し、較正済みの近接セルを新たな基準セルとして、新たな基準セルに近接する近接セルの計測値を較正することを備えてよい。

本発明の第３の態様においては、心磁計測プログラムを提供する。心磁計測プログラムは、コンピュータにより実行されてよい。心磁計測プログラムは、コンピュータを、各々が磁場を３軸方向で検出可能な複数の磁気センサセルを配列して構成される磁気センサアレイにおける複数の磁気センサセルのうちの１つの磁気センサセルを基準セルとして、基準セルに近接する近接セルの計測値を較正し、較正済みの近接セルを新たな基準セルとして、新たな基準セルに近接する近接セルの計測値を較正する較正演算部として機能させてよい。

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。

本実施形態に係る心磁計測装置１０の構成を示す。 本実施形態に係る磁気センサユニット１１０の構成を示す。 本実施形態に係る磁気センサアレイ２１０中の磁気センサセル２２０の構成および配置を示す。 本実施形態に係る磁気抵抗効果素子を有する磁気センサの入出力特性の一例を示す。 本実施形態に係るセンサ部３００の構成例を示す。 本実施形態に係るセンサ部３００の入出力特性の一例を示す。 本実施形態に係る磁気センサ５２０の構成例を示す。 本実施形態に係る磁気センサ５２０にフィードバック磁場を発生させた時の磁束分布を示す。 本実施形態に係る磁気センサアレイ２１０を被験者の胸部における心臓に向かう位置に配置させた場合の複数の磁気センサセル２２０の配置例を示す。 本実施形態に係る磁気センサアレイ２１０の構成および寸法例を示す。 本実施形態に係る磁気センサアレイ２１０、センサデータ収集部２３０、およびセンサデータ処理部１１００の構成を示す。 本実施形態に係る心磁計測装置１０が磁場の空間分布を信号分離するフローを示す。 本実施形態に係る心磁計測装置１０が備えてよい較正用磁場発生器１３００の一例を示す。 本実施形態に係る心磁計測装置１０が、磁気センサアレイ２１０全体に亘って計測データを較正するフローを示す。 ＬＭＳアルゴリズムを用いて補正行列Ｒを更新したシミュレーション結果の一例を示す。 本発明の複数の態様が全体的または部分的に具現化されてよいコンピュータ２２００の例を示す。

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

図１は、本実施形態に係る心磁計測装置１０の構成を示す。心磁計測装置１０は、磁気センサを用いて、人間の心臓の電気活動により生成される磁場である心磁を計測する。また、心磁計測装置１０は、人間以外の生体の心磁を計測するために用いられてもよい。なお、心磁計測装置１０に用いられる磁気センサは、磁場を計測し得るいかなるセンサであってもよい。以下、磁気センサが磁気抵抗効果素子を有する場合を一例として説明するが、これに限定されるものではない。磁気センサは、超伝導量子干渉素子（ＳＱＵＩＤ：Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄｅｖｉｃｅ）、磁気インピーダンス素子、フラックスゲートセンサ、および、ホール素子等、磁気抵抗効果素子とは異なる他のセンサを有していてもよい。

心磁計測装置１０は、本体部１００と、情報処理部１５０とを備える。本体部１００は、被験者の心磁をセンシングするためのコンポーネントであり、磁気センサユニット１１０と、ヘッド１２０と、駆動部１２５と、ベース部１３０と、ポール部１４０とを有する。

磁気センサユニット１１０は、心磁計測時に被験者の胸部における心臓に向かう位置に配置され、被験者の心磁をセンシングする。ヘッド１２０は、磁気センサユニット１１０を支持し、磁気センサユニット１１０を被験者に対向させる。駆動部１２５は、磁気センサユニット１１０およびヘッド１２０の間に設けられ、キャリブレーションを行う場合にヘッド１２０に対する磁気センサユニット１１０の向きを変更する。本実施形態に係る駆動部１２５は、図中のＺ軸を中心に磁気センサユニット１１０を３６０度回転させることができる第１アクチュエータと、Ｚ軸と垂直な軸（図中の状態においてはＸ軸）を中心に磁気センサユニット１１０を回転させる第２アクチュエータとを含み、これらを用いて磁気センサユニット１１０の方位角および天頂角を変更する。図中の駆動部１２５として示したように、駆動部１２５は図中のＹ軸方向から見るとＹ字形状を有し、第２アクチュエータは、磁気センサユニット１１０を図中Ｘ軸中心に３６０度回転させることができる。

ベース部１３０は、他の部品を支える基台であり、本実施形態においては心磁計測時に被験者が乗る台となっている。ポール部１４０は、ヘッド１２０を被験者の胸部の高さに支持する。ポール部１４０は、磁気センサユニット１１０の高さを被験者の胸部の高さに調整するべく上下方向に伸縮可能であってよい。

情報処理部１５０は、本体部１００による計測データを処理して表示・印刷等により出力するためのコンポーネントである。情報処理部１５０は、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）、タブレット型コンピュータ、スマートフォン、ワークステーション、サーバコンピュータ、または汎用コンピュータ等のコンピュータであってよく、複数のコンピュータが接続されたコンピュータシステムであってもよい。これに代えて、情報処理部１５０は、心磁計測の情報処理用に設計された専用コンピュータであってもよく、専用回路によって実現された専用ハードウェアであってもよい。

図２は、本実施形態に係る磁気センサユニット１１０の構成を示す。磁気センサユニット１１０は、磁気センサアレイ２１０およびセンサデータ収集部２３０を有する。磁気センサアレイ２１０は、各々が複数の磁気センサを有し、磁場を３軸方向で検出可能な複数の磁気センサセル２２０を配列して構成される。本図において、磁気センサアレイ２１０は、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向のそれぞれに複数の磁気センサセル２２０（例えば、Ｘ方向に８個、Ｙ方向に８個、およびＺ方向に２個の計１２８個の磁気センサセル２２０）が平面状に配置されている。

センサデータ収集部２３０は、磁気センサアレイ２１０に含まれる複数の磁気センサセル２２０に電気的に接続され（図示せず。）、複数の磁気センサセル２２０からのセンサデータ（検出信号）を収集して情報処理部１５０へと供給する。

図３は、本実施形態に係る磁気センサアレイ２１０中の磁気センサセル２２０の構成および配置を示す。各磁気センサセル２２０は、各々が磁気センサを有する複数のセンサ部３００ｘ～ｚ（「センサ部３００」と総称する。）を有する。センサ部３００ｘはＸ軸方向に沿って配置されＸ軸方向の磁場を検出可能である。また、センサ部３００ｙはＹ軸方向に沿って配置されＹ軸方向の磁場を検出可能である。また、センサ部３００ｚはＺ軸方向に沿って配置されＺ軸方向の磁場を検出可能である。本図において一点鎖線で示される拡大図によって示されるように、本実施形態において、各センサ部３００は、それぞれ、磁気抵抗効果素子の両端に磁気収束板が配置されている。したがって、各センサ部３００は、磁気収束板に挟まれた狭い位置に配置された磁気抵抗効果素子を用いて磁場の空間分布をサンプリングすることにより、各軸方向において、空間におけるサンプリング点を明確にすることができる。各センサ部３００の構成の詳細については後述する。

複数の磁気センサセル２２０は、Ｘ軸方向に沿ってΔｘ、Ｙ軸方向に沿ってΔｙ、Ｚ軸方向に沿ってΔｚの間隔でそれぞれ等間隔に配列されている。磁気センサアレイ２１０における各磁気センサセル２２０の位置は、Ｘ方向の位置ｉ、Ｙ方向の位置ｊ、およびＺ方向の位置ｋの組［ｉ，ｊ，ｋ］により表される。ここで、ｉは１≦ｉ≦Ｎｘを満たす整数であり（ＮｘはＸ方向に配列された磁気センサセル２２０の個数を示す）、ｊは１≦ｊ≦Ｎｙを満たす整数であり（ＮｙはＹ方向に配列された磁気センサセル２２０の個数を示す）、ｋは１≦ｋ≦Ｎｚを満たす整数である（ＮｚはＺ方向に配列された磁気センサセル２２０の個数を示す）。

本図において、センサ部３００ｘ、３００ｙ、および３００ｚにより検出する磁場の３軸方向と、磁気センサセル２２０を配列する三次元の方向とが同一方向である。これにより、測定磁場の分布の各成分の把握が容易となる。また、センサ部３００ｘ、３００ｙ、および３００ｚは、各磁気センサセル２２０内において、磁気センサセル２２０を配列する三次元方向それぞれから見て互いに重ならないように配置されている。また、本図において、センサ部３００ｘ、３００ｙ、および３００ｚは、複数のセンサ部３００の間に設けるギャップ側に一端が設けられ、他端が当該ギャップから離れるように３軸方向の各軸方向に延伸して配置されている。一例として、本図において、磁気センサセル２２０の正面視左下の角部に空隙（ギャップ）が設けられ、センサ部３００ｘ、３００ｙ、および３００ｚは、一端が当該空隙に接するように設けられ、他端が当該空隙から離れるようにＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸方向の各軸方向に延伸して配置されている例を示す。本図において、センサ部３００ｘ、３００ｙ、および３００ｚが、立方体状の磁気センサセル２２０の一角部から互いに垂直な３辺に沿って配置され、該一角部に空隙が設けられている。また、後に述べるセンサ部３００ｘ、３００ｙ、および３００ｚが有するコイルまたは磁性体が、互いに重ならないように配置されていることが好ましい。これにより、測定点を明確にでき、測定磁場の各成分の把握がさらに容易となる。また、センサ部３００ｘ、３００ｙ、および３００ｚが有する他軸感度を互いに等価なものとみなすことができる。この他軸感度は、センサ部３００ｘ、３００ｙ、および３００ｚが有するコイル、または磁性体による相互干渉によって発生するものである。しかしながら、検出する磁場の３軸方向と磁気センサセル２２０を配列する三次元の方向とは異なっていてもよい。例えば、検出する磁場の３軸方向としてＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸に代えて、極座標系のｒ軸、θ軸、およびφ軸を用いてもよい。また、磁気センサセル２２０を配列する三次元の方向として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸に代えて、極座標系のｒ軸、θ軸、およびφ軸を用いてもよい。検出する磁場の３軸方向と磁気センサセル２２０を配列する三次元の方向とが異なる場合、磁気センサセル２２０内におけるセンサ部３００の配置や、磁気センサセル２２０の配列方向に制約を受けることがなく、磁気センサアレイ２１０の設計の自由度を増すことができる。

図４は、本実施形態に係る磁気抵抗効果素子を有する磁気センサの入出力特性の一例を示す。本図は、横軸が磁気センサに入力する入力磁場の大きさＢを示し、縦軸が磁気センサの検出信号の大きさＶ＿ｘＭＲ０を示す。磁気センサは、例えば、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ：Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ－Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）効果素子またはトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ：Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏ－Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）効果素子等を有し、予め定められた一軸方向の磁場の大きさを検出する。

このような磁気センサは、入力磁場Ｂに対する検出信号Ｖ＿ｘＭＲ０の傾きである磁気感度が高く、１０ｐＴ程度の微小な磁場を検出することができる。その一方で、磁気センサは、例えば、入力磁場Ｂの絶対値が１μＴ程度で検出信号Ｖ＿ｘＭＲ０が飽和してしまい、入出力特性の直線性が良好な範囲が狭い。そこで、このような磁気センサにフィードバック磁場を発生させる閉ループを加えると、磁気センサの直線性（または線形性と呼ぶ）を改善することができる。このような磁気センサについて次に説明する。

図５は、本実施形態に係るセンサ部３００の構成例を示す。センサ部３００は、複数の磁気センサセル２２０のそれぞれの内部に設けられ、磁気センサ５２０と、磁場生成部５３０と、出力部５４０と、を含む。なお、センサ部３００の一部、例えば増幅回路５３２および出力部５４０は、磁気センサセル２２０側ではなくセンサデータ収集部２３０側に設けられてもよい。

磁気センサ５２０は、図４で説明した磁気センサと同様に、ＧＭＲ素子またはＴＭＲ素子等の磁気抵抗効果素子を有する。また、磁気センサ５２０のそれぞれは、磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果素子の両端に配置された二つの磁気収束板とを含み、磁気抵抗効果素子は、二つの磁気収束板に挟まれた位置に配置される。磁気センサ５２０が有する磁気抵抗効果素子は、感磁軸の正の方向を＋Ｘ方向とした場合に、＋Ｘ方向の磁場が入力すると抵抗値が増加し、－Ｘ方向の磁場が入力すると抵抗値が減少するように形成されてよい。即ち、磁気センサ５２０が有する磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化を観測することにより、当該磁気センサ５２０に入力する磁場Ｂの大きさを検出することができる。例えば、磁気センサ５２０の磁気感度をＳとすると、磁気センサ５２０の入力磁場Ｂに対する検出結果は、Ｓ×Ｂと算出できる。なお、磁気センサ５２０は、一例として、電源等が接続され、抵抗値の変化に応じた電圧降下を、入力磁場の検出結果として出力する。磁気センサ５２０の構成の詳細については後述する。

磁場生成部５３０は、出力部５４０が出力する出力信号に応じた大きさで、磁気センサ５２０が検出した入力磁場を低減させるフィードバック磁場を発生させ、磁気センサ５２０に与える。磁場生成部５３０は、例えば、磁気センサ５２０に入力する磁場Ｂとは逆向きで、絶対値が当該入力磁場と略同一のフィードバック磁場Ｂ＿ＦＢを発生させ、入力磁場を打ち消すように動作する。磁場生成部５３０は、増幅回路５３２と、コイル５３４とを含む。

増幅回路５３２は、磁気センサ５２０の入力磁場の検出結果に応じた電流をフィードバック電流Ｉ＿ＦＢとして出力する。磁気センサ５２０が有する磁気抵抗効果素子が、少なくとも１つの磁気抵抗効果素子を含むブリッジ回路により構成される場合、増幅回路５３２の入力端子対には、ブリッジ回路の出力がそれぞれ接続される。そして、増幅回路５３２は、ブリッジ回路の出力に応じた電流をフィードバック電流Ｉ＿ＦＢとして出力する。増幅回路５３２は、例えば、トランスコンダクタンスアンプを含み、磁気センサ５２０の出力電圧に応じたフィードバック電流Ｉ＿ＦＢを出力する。例えば、増幅回路５３２の電圧・電流変換係数をＧとすると、フィードバック電流Ｉ＿ＦＢは、Ｇ×Ｓ×Ｂと算出できる。

コイル５３４は、フィードバック電流Ｉ＿ＦＢに応じたフィードバック磁場Ｂ＿ＦＢを発生させる。コイル５３４は、磁気センサ５２０が有する磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果素子の両端に配置された二つの磁気収束板を取り囲むように、磁気センサ５２０が検出対象とする磁場の軸方向に沿って巻かれている。コイル５３４は、磁気センサ５２０の全体にわたって均一のフィードバック磁場Ｂ＿ＦＢを発生させることが望ましい。例えば、コイル５３４のコイル係数をβとすると、フィードバック磁場Ｂ＿ＦＢは、β×Ｉ＿ＦＢと算出できる。ここで、フィードバック磁場Ｂ＿ＦＢは、入力磁場Ｂを打ち消す向きに発生するので、磁気センサ５２０に入力する磁場は、Ｂ－Ｂ＿ＦＢに低減されることになる。したがって、フィードバック電流Ｉ＿ＦＢは、次式のように示される。

（数１）式をフィードバック電流Ｉ＿ＦＢについて解くと、センサ部３００の定常状態におけるフィードバック電流Ｉ＿ＦＢの値を算出することができる。磁気センサ５２０の磁気感度Ｓおよび増幅回路５３２の電圧・電流変換係数Ｇが十分に大きいとすると、（数１）式から次式が算出される。

出力部５４０は、磁場生成部５３０がフィードバック磁場Ｂ＿ＦＢを発生するために流すフィードバック電流Ｉ＿ＦＢに応じた出力信号Ｖ＿ｘＭＲを出力する。出力部５４０は、例えば、抵抗値Ｒの抵抗性素子を有し、当該抵抗性素子にフィードバック電流Ｉ＿ＦＢが流れることによって生じる電圧降下を出力信号Ｖ＿ｘＭＲとして出力する。この場合、出力信号Ｖ＿ｘＭＲは、（数２）式より次式のように算出される。

以上のように、センサ部３００は、外部から入力する磁場を低減させるフィードバック磁場を発生するので、磁気センサ５２０に実質的に入力する磁場を低減させる。これにより、センサ部３００は、例えば、磁気センサ５２０として図４に示した非線形性であり、動作磁場範囲が狭い特性を有する磁気抵抗効果素子を用い、入力磁場Ｂの絶対値が１μＴを超えても、検出信号Ｖ＿ｘＭＲが飽和することを防止できる。このようなセンサ部３００の入出力特性を次に説明する。

図６は、本実施形態に係るセンサ部３００の入出力特性の一例を示す。本図は、横軸がセンサ部３００に入力する入力磁場の大きさＢを示し、縦軸がセンサ部３００の検出信号の大きさＶ＿ｘＭＲを示す。センサ部３００は、磁気感度が高く、１０ｐＴ程度の微小な磁場を検出することができる。また、センサ部３００は、例えば、入力磁場Ｂの絶対値が１００μＴを超えても、検出信号Ｖ＿ｘＭＲの良好な線形性を保つことができる。

即ち、本実施形態に係るセンサ部３００は、例えば、入力磁場Ｂの絶対値が数百μＴ以下といった、予め定められた入力磁場Ｂの範囲において、当該入力磁場Ｂに対する検出結果が線形性を有するように構成される。このようなセンサ部３００を用いることにより、心磁信号のように微弱な磁気的信号を簡便に検出することができる。

図７は、本実施形態に係る磁気センサ５２０の構成例を示す。本図において、磁気センサ５２０は、磁気抵抗効果素子７１０と、磁気抵抗効果素子７１０の両端に配置された磁気収束板７２０および７３０とを有する。磁気収束板７２０および７３０は、磁気抵抗効果素子７１０を間に挟むように、磁気抵抗効果素子７１０の両端に配置されている。本図において、磁気収束板７２０は、感磁軸に沿って磁気抵抗効果素子７１０の負側に設けられ、磁気収束板７３０は、感磁軸に沿って磁気抵抗効果素子７１０の正側に設けられている。なお、ここで、感磁軸は、磁気抵抗効果素子７１０を形成する磁化固定層において固定された磁化の方向に沿っていてよい。また、感磁軸の負側から正側に向かって磁場が入力されると、磁気抵抗効果素子７１０の抵抗は増加または減少してよい。磁気収束板７２０および７３０は、例えばパーマロイ等の透磁率の高い材料により形成される。そして、磁気センサ５２０が本図に示すように構成される場合、コイル５３４は、磁気抵抗効果素子７１０と、磁気抵抗効果素子７１０の両端に配置された磁気収束板７２０および７３０との断面を取り囲むように、磁気センサ５２０が検出対象とする磁場の軸方向に沿って巻かれている。また、磁気センサ５２０は、１つの磁気センサ５２０内に複数の磁気抵抗効果素子７１０を有する場合、磁気抵抗効果素子およびその両端に配置された磁気収束板を含む組を複数有してもよい。その場合、磁気抵抗効果素子およびその両端に配置された磁気収束板を含む組を１つのコイルで取り囲むようにコイル５３４が巻かれてもよい。

このような磁気センサ５２０において、感磁軸の負側から正側に磁場が入力されると、透磁率の高い材料で形成された磁気収束板７２０および７３０が磁化されることにより、本図において破線で示すような磁束の分布が発生する。すると、磁気収束板７２０および７３０が磁化されることにより発生する磁束は、二つの磁気収束板７２０および７３０の間に挟まれた磁気抵抗効果素子７１０の位置を通過することとなる。このため、磁気抵抗効果素子７１０の位置における磁束密度は、磁気収束板７２０および７３０を配置することによって大幅に増加させることができる。また、本図のように、磁気収束板７２０および７３０に挟まれた狭い位置に配置された磁気抵抗効果素子７１０を用いて磁場の空間分布をサンプリングすることにより、空間におけるサンプリング点を明確にすることができる。

図８は、本実施形態に係る磁気センサ５２０にフィードバック磁場を発生させた時の磁束分布を示す。図８においては、図７と同じ機能および構成を有する部材に対して同じ符号を付すとともに、以下相違点を除き説明を省略する。本実施形態に係る磁気センサ５２０において、コイル５３４にフィードバック電流が供給されると、コイル５３４がフィードバック磁場を発生させることにより、本図において一点鎖線で示すような磁束の分布が発生する。このフィードバック磁場により発生する磁束は、磁気抵抗効果素子７１０に入力され磁気収束板７２０および７３０によって磁気増幅された磁場の空間分布をキャンセルするように空間分布する。このため、磁気センサ５２０は、本図に示すように磁気抵抗効果素子７１０の両端に磁気収束板７２０および７３０が配置されており、磁気抵抗効果素子およびその両端に配置された磁気収束板を含む組を１つのコイルで取り囲むようにコイル５３４が巻かれている場合には、磁気抵抗効果素子７１０の位置における磁場分布をフィードバック磁場によって正確にキャンセルすることができるため、入力磁場と出力電圧との間の線形性が高いセンサを実現することができる。

図９は、本実施形態に係る磁気センサアレイ２１０を被験者の胸部における心臓に向かう位置に配置させた場合の複数の磁気センサセル２２０の配置例を示す。磁気センサアレイ２１０は、複数の磁気センサセル２２０が二次元に配列された二次元配列を含んで構成される。また、磁気センサアレイ２１０は、これら二次元配列をなす複数の磁気センサセル２２０をＺ方向に複数段重ねた複数の磁気センサセル２２０から構成されていてもよい。すなわち、磁気センサアレイ２１０は、全体として二次元または三次元配列構造であってよい。本図においては、一例として、磁気センサアレイ２１０は、Ｘ方向に８個およびＹ方向に８個の計６４個の磁気センサセル２２０が二次元配列をなし、これら６４個の磁気センサセル２２０をＺ方向に２段重ねた計１２８個の磁気センサセル２２０から構成されている。すなわち、被検者から近い位置に［１，１，１］～［８，８，１］の計６４個の磁気センサセル２２０が二次元配列をなし、被検者から遠い位置に［１，１，２］～［８，８，２］の計６４個の磁気センサセル２２０が二次元配列をなし、これらを合わせた計１２８個の磁気センサセル２２０によって全体として三次元配列構造となっている。なお、本図においては、位置［１，１，１］～［８，８，１］の磁気センサセル２２０のみが図示され、位置［１，１，２］～［８，８，２］の磁気センサセル２２０は省略されている。しかしながら、位置［１，１，２］～［８，８，２］の磁気センサセル２２０は、位置［１，１，１］～［８，８，１］の磁気センサセル２２０と同じＸＹ座標におけるＺ軸プラス方向、すなわち、被験者から遠ざかる方向に、それぞれ配置されているものとする。

ここで、複数の磁気センサセル２２０により二次元配列をなすにあたって、複数の磁気センサセル２２０は、具体的にどのように配置されていてもよい。一例として、複数の磁気センサセル２２０は、同一平面上に配置されていてもよい。すなわち、［１，１，１］～［８，８，１］とで複数の磁気センサセル２２０が配置されるＺ軸座標は同一であってもよい。同様に、［１，１，２］～［８，８，２］とで複数の磁気センサセル２２０が配置されるＺ軸座標は同一であってもよい。

これに代えて、複数の磁気センサセル２２０は、一の方向から平面視した場合に当該一の方向に垂直な同一平面上となるように配置されていてもよい。例えば、複数の磁気センサセル２２０は、Ｚ軸方向から平面視した場合にＺ軸方向に垂直なＸＹ平面上となるように配置されていてもよい。すなわち、［１，１，１］～［８，８，１］とで複数の磁気センサセル２２０が配置されるＺ軸座標は同一であることに限定されず、少なくとも一部がそれぞれ異なっていてもよい。同様に、［１，１，２］～［８，８，２］とで複数の磁気センサセル２２０が配置されるＺ軸座標は同一である場合に限定されず、少なくとも一部がそれぞれ異なっていてもよい。二次元配列をなす複数の磁気センサセル２２０のＺ軸座標がそれぞれ異なっていてよい場合、磁気センサアレイ２１０は、複数の磁気センサセル２２０を、被験者の胸部の少なくとも一部を取り囲むための内部空間が形成されるように配列して構成することができる。これにより、磁気センサアレイ２１０は、測定対象磁場源である心臓により近い位置で磁場を計測することができる。

図１０は、本実施形態に係る磁気センサアレイ２１０の構成および寸法例を示す。本図は、複数の磁気センサセル２２０を配列して構成される磁気センサアレイ２１０におけるＸＺ平面断面図を示しており、各数値は、その寸法をｍｍ単位で示している。本図に示すように、磁気センサアレイ２１０において、Ｘ軸位置が互いに異なる複数の磁気センサセル２２０は、Ｚ軸座標がそれぞれ異なるように配列されていてよい。より詳細には、複数の磁気センサセル２２０は、磁気センサアレイ２１０におけるＸ軸方向の中心に向かうにつれて、Ｚ軸座標がプラス方向に増加するように配列されていてよい。すなわち、磁気センサアレイ２１０において、複数の磁気センサセル２２０は、Ｚ軸のプラス方向に凸となるように配列されていてよい。また、磁気センサアレイ２１０において、複数の磁気センサセル２２０を被験者の重心を中心として被験者の胸部に沿うように、断面視略円弧状に配列させることで、被験者の胸部を多方向から覆う内部空間を形成してよい。これにより、磁気センサアレイ２１０は、心臓に対向する一方向だけでなく多方向にセンサ部を配置させることができ、心磁を多方向からセンシングすることができる。

ここで、心臓を含む人体断面の横方向の長さは、平均的な成人男性で約３０ｃｍ程度であるといわれている。しがたって、磁気センサアレイ２１０において、複数の磁気センサセル２２０は、円弧が断面視で長軸方向の長さが約３０ｃｍ程度の楕円上に位置するように、円弧状に配列されていてよい。なお、上述の磁気センサアレイ２１０の構成および寸法は一例であって、本実施形態に係る磁気センサアレイ２１０はこれに限定されるものではない。磁気センサアレイ２１０は、被験者の心磁を良好にセンシングし得るよう、複数の磁気センサセルの構成および寸法を適宜変更してよい。

図１１は、本実施形態に係る磁気センサアレイ２１０、センサデータ収集部２３０、およびセンサデータ処理部１１００の構成を示す。

磁気センサアレイ２１０は、複数の磁気センサセル２２０を有する。複数の磁気センサセル２２０のそれぞれは、上述のとおり複数のセンサ部３００ｘ～ｚを有する。本図においては、磁気センサアレイ２１０が各次元方向に有する複数の磁気センサセル２２０のうち、位置［ｉ，ｊ，ｋ］、［ｉ＋１，ｊ，ｋ］、［ｉ，ｊ＋１，ｋ］、および、［ｉ，ｊ，ｋ＋１］に関する部分を示す。

センサデータ収集部２３０は、複数のＡＤ変換器１１１０およびクロック発生器１１１２を有する。複数のＡＤ変換器１１１０は、磁気センサセル２２０の複数のセンサ部３００ｘ～ｚのそれぞれに対応して設けられており、対応するセンサ部３００が出力するアナログの検出信号（図６のセンサ出力信号Ｖ＿ｘＭＲ）をデジタルの計測値Ｖ（Ｖｘ，Ｖｙ，Ｖｚ）に変換して複数の計測値を計測データとして出力する。ここで、Ｖｘ、Ｖｙ、およびＶｚは、センサ部３００ｘ、３００ｙ、および３００ｚからの検出信号をデジタルに変換した計測値（例えばデジタルの電圧値を表す）である。

クロック発生器１１１２は、サンプリングクロックを発生させ、共通のサンプリングクロックを複数のＡＤ変換器１１１０のそれぞれへ供給する。そして、複数のＡＤ変換器１１１０のそれぞれは、クロック発生器１１１２から供給された共通のサンプリングクロックに応じてＡＤ変換を行う。したがって、異なる位置に設けられた３軸のセンサ部３００ｘ～ｚの出力をそれぞれＡＤ変換する複数のＡＤ変換器１１１０の全てが同期動作をする。これにより、複数のＡＤ変換器１１１０は、異なる空間に設けられた３軸のセンサ部３００ｘ～ｚの検出結果を同時にサンプリングすることができる。

センサデータ処理部１１００は、計測データ取得部１１２０、較正演算部１１３０、差分算出部１１３５、データ出力部１１４０、基底ベクトル記憶部１１５０、および信号空間分離部１１６０を有する。

計測データ取得部１１２０は、心臓の電気活動により発生する心磁を含む入力磁場に基づく計測値を取得する。計測データ取得部１１２０は、複数の磁気センサセル２２０のそれぞれに接続された複数のＡＤ変換器１１１０に接続され、磁気センサアレイ２１０を構成する複数の磁気センサセル２２０内のセンサ部３００ｘ～ｚによって計測された複数の計測値を計測データとして取得する。具体的に、計測データ取得部１１２０は、ＡＤ変換器１１１０によってデジタルに変換された計測値Ｖ（Ｖｘ，Ｖｙ，Ｖｚ）を所定のタイミングＴでラッチして取得するフリップフロップ等を用いて構成されてよい。

較正演算部１１３０は、計測データ取得部１１２０に接続され、計測データ取得部１１２０が取得した計測データを、較正パラメータを用いて較正する。特に、本実施形態に係る較正演算部１１３０は、複数の磁気センサセル２２０のうちの１つの磁気センサセル２２０を基準セルとして、基準セルに近接する近接セルの計測値を較正し、較正済みの近接セルを新たな基準セルとして、新たな基準セルに近接する近接セルの計測値を較正する。これについては、磁気センサアレイ２１０全体に亘る計測データの較正の説明の中で、詳細に述べる。較正演算部１１３０による計測データの較正の概要は以下のとおりである。位置［ｉ，ｊ，ｋ］にある磁気センサセル２２０に入力される磁場をＢ（Ｂｘ，Ｂｙ，Ｂｚ）とし、センサ部３００ｘ、３００ｙ、３００ｚによる３軸磁気センサの検出結果を計測値Ｖ（Ｖｘ，Ｖｙ，Ｖｚ）とする。この場合、３軸磁気センサの磁気センサ特性を行列Ｓとすると、３軸磁気センサの検出結果Ｖは次式のように示すことができる。

ここで、Ｓｘｘ、Ｓｙｙ、およびＳｚｚは、それぞれセンサ部３００ｘ、３００ｙ、および３００ｚの主軸方向の感度（主軸感度）を表し、Ｓｘｙ、Ｓｘｚ、Ｓｙｘ、Ｓｙｚ、Ｓｚｘ、およびＳｚｙは他軸方向の感度（他軸感度）を表している。また、Ｖｏｓ，ｘ、Ｖｏｓ，ｙ、およびＶｏｓ，ｚは、それぞれセンサ部３００ｘ、３００ｙ、および３００ｚのオフセットを表している。ここで主軸方向とは、センサ部３００ｘ、３００ｙ、および３００ｚが主として計測する方向であり、他軸方向とは、それらが主として計測しない方向である。磁場の計測において、主軸方向は磁場が入力されたときに磁気センサが最大の感度を示す方向（入力軸方向、感度軸方向）である。そして、他軸方向は、主軸方向と垂直な軸とする。例えば、センサ部３００ｘがＸ軸方向を計測する場合、主軸方向はＸ軸であり、他軸方向はＹ軸方向およびＺ軸方向である。磁気センサ５２０は、主軸感度のみを持つことが理想的だが、プロセス因等により他軸感度を持つことがある。また、磁気センサ５２０は、上述した相互干渉によって発生する他軸感度も持つ。

センサ部３００のそれぞれが、検出すべき入力磁場の範囲において、当該入力磁場に対する検出結果が線形性を有するので、行列Ｓの各要素は、入力磁場Ｂの大きさとは無関係な略一定の係数となる。また、センサ部３００が他軸感度を有していても、当該センサ部３００の検出結果が線形性を有していれば、行列Ｓの各要素は、入力磁場Ｂの大きさとは無関係な略一定の係数となる。

したがって、較正演算部１１３０は、行列Ｓの逆行列Ｓ^－１とオフセット（Ｖｏｓ，ｘ，Ｖｏｓ，ｙ，Ｖｏｓ，ｚ）とを用いることで、次式のように、計測値Ｖ（Ｖｘ，Ｖｙ，Ｖｚ）を元の入力された磁場を示す磁場計測値Ｂ（Ｂｘ，Ｂｙ，Ｂｚ）に変換することができる。つまり、較正演算部１１３０は、計測データ取得部１１２０からの計測値Ｖを、主軸感度、他軸感度、およびオフセットを用いて較正する。これにより、較正演算部１１３０は、主軸方向の感度、他軸方向の感度、およびオフセットを補正する。なお、この変換は、センサ部３００ｘ～ｚが上述の磁気収束板を備えている場合も成立する。これは、磁気センサセル２２０がセンサ部３００ｘ～ｚを利用した３軸磁気センサとして構成されるためであり、線形代数を利用した変換が可能となるからである。なお、センサ部３００の出力から較正演算部１１３０までに、ハイパスフィルタ等を備えることにより、計測値Ｖを交流成分とする場合は、オフセットの較正は省略してもよい。すなわち、較正演算部１１３０は、計測データ取得部１１２０からの計測値Ｖを、主軸感度、他軸感度、および、オフセットの少なくともいずれかを用いて較正してもよい。なお、これらの較正パラメータは、あらかじめ既知の直流または交流の磁場を計測することによって算出されていてよい。また、本実施形態における較正演算部１１３０は、各磁気センサセル２２０からの出力を、独立な３軸成分として較正できればよく、必ずしも直交している３軸成分に補正する必要はない。すなわち、すべての磁気センサセル２２０が同一の磁場を測定している場合に、較正演算部１１３０は、計測データ取得部１１２０からの計測値Ｖを、独立な３軸成分で表現された、同一の磁場計測値Ｂに較正してよい。

較正演算部１１３０は、略一様な磁場を計測した計測データを用いて行列Ｓの逆行列Ｓ^－１およびオフセット（Ｖｏｓ，ｘ，Ｖｏｓ，ｙ，Ｖｏｓ，ｚ）を算出し、計測データ取得部１１２０により取得された計測値Ｖを、これらの較正パラメータを用いて磁場計測値Ｂに変換する。そして、較正演算部１１３０は、複数の磁場計測値Ｂを磁場計測データとしてデータ出力部１１４０に供給する。

差分算出部１１３５は、基準セルと近接セルとの間における磁場計測値の差分を算出する。差分算出部１１３５は、算出した差分に基づく較正の指標を較正演算部１１３０へ供給する。また、差分算出部１１３５は、算出した差分に基づく較正の指標をモニタ等に表示してもよいし、他の機能部または装置へ出力してもよい。

データ出力部１１４０は、較正演算部１１３０によって較正された複数の磁場計測値Ｂを、磁場計測データとして信号空間分離部１１６０に供給する。

基底ベクトル記憶部１１５０は、信号空間分離部１１６０が磁場の空間分布を信号分離するために必要な基底ベクトルを予め記憶し、これを信号空間分離部１１６０へ供給する。

信号空間分離部１１６０は、データ出力部１１４０から供給された磁場計測値Ｂ、すなわち、計測値Ｖを較正した磁場計測値Ｂによって示される磁場の空間分布を、正規直交関数の空間分布を持つ磁場を磁気センサアレイ２１０で検出したときに複数の磁気センサ５２０のそれぞれが出力する信号ベクトルを基底ベクトルとして信号分離する。この際、信号空間分離部１１６０は、信号分離に必要な基底ベクトルを、基底ベクトル記憶部１１５０から取得する。そして、信号空間分離部１１６０は、基底ベクトル記憶部１１５０から取得した基底ベクトルを用いて、磁場計測値Ｂによって示される磁場の空間分布を、測定対象磁場（信号源空間信号）と外乱磁場（外乱空間信号）とに信号分離し、外乱磁場を抑制して測定対象磁場を算出し、これを出力する。

図１２は、本実施形態に係る心磁計測装置１０が磁場の空間分布を信号分離するフローを示す。ステップ１２１０において、基底ベクトル記憶部１１５０は、基底ベクトルを記憶する。一例として、基底ベクトル記憶部１１５０は、測定対象磁場の測定前に、球面調和関数の空間分布を持つ磁場を磁気センサアレイ２１０で検出したときに複数の磁気センサ５２０のそれぞれが出力する信号ベクトルを基底ベクトルとして記憶する。ここで、基底ベクトル記憶部１１５０は、空間内の予め定められた点を座標原点に指定した時に球面調和関数を空間サンプリングして得られる磁場信号ベクトルを基底ベクトルとして記憶する。ここで、球面調和関数とは、ｎ次元ラプラス方程式の解となる斉次多項式を単位球面に制限することで得られる関数であり、球面上での正規直交性を有する。なお、本図においては、一例として、基底ベクトル記憶部１１５０が基底ベクトルを記憶するステップ１２１０を、心磁計測装置１０による磁場の空間分布を信号分離するフローにおける最初のステップとした場合について示す。しかしながら、基底ベクトル記憶部１１５０は、心磁計測装置１０による磁場の空間分布を信号分離するフローの前に、基底ベクトルを事前に記憶しておいてもよい。また、基底ベクトル記憶部１１５０は、シミュレーション結果等により予め決められている信号ベクトルを基底ベクトルとして記憶してもよい。

次に、ステップ１２２０において、信号空間分離部１１６０は、磁気センサアレイ２１０によって計測され、較正演算部１１３０によって較正された磁場計測データＢを、データ出力部１１４０から取得する。なお、較正演算部１１３０による計測データの較正の詳細については後述する。

また、ステップ１２３０において、信号空間分離部１１６０は、ステップ１２１０において基底ベクトル記憶部１１５０が基底ベクトルとして記憶した信号ベクトルを、基底ベクトル記憶部１１５０から取得する。なお、本フローにおいて、ステップ１２２０とステップ１２３０とはどちらが先に行われてもよい。

ステップ１２４０において、信号空間分離部１１６０は、ステップ１２２０において取得した磁場計測データＢによって示される磁場の空間分布を、ステップ１２３０において取得した信号ベクトルを基底ベクトルとして利用して級数展開する。そして、信号空間分離部１１６０は、級数展開によって得られたベクトルから、磁場の空間分布を測定対象磁場（信号源空間信号）と外乱磁場（外乱空間信号）とに信号分離する。なお、正規直交関数は球面調和関数であってよい。また、信号空間分離部１１６０は、信号分離するにあたって、基底ベクトルの級数展開係数を最小２乗法により計算する。

そして、ステップ１２５０において、信号空間分離部１１６０は、ステップ１２４０において信号分離した結果に基づいて、外乱磁場を抑制して測定対象磁場だけを算出して出力し、処理を終了する。以下、これについて詳細に説明する。

静磁場Ｂ（ｒ）は、ラプラス方程式Δ・Ｖ（ｒ）＝０を満たすポテンシャルＶ（ｒ）を用いて、次式のように、ポテンシャルＶ（ｒ）の空間勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）として求められる。ここで、ｒは座標原点からの位置を表す位置ベクトルであり、Δはラプラシアンであり、μは透磁率であり、∇はベクトル微分演算を表す演算子である。

そして、ラプラス方程式の解は、一般に、正規直交関数系である球面調和関数Ｙｌ，ｍ
（θ，φ）を使った級数展開の形での解を持つため、ポテンシャルＶ（ｒ）は次式で表すことができる。ここで、｜ｒ｜は位置ベクトルｒの絶対値（座標原点からの距離）であり、θおよびφは球座標における２つの偏角であり、ｌは方位量子数であり、ｍは磁気量子数であり、αおよびβは多極モーメントであり、ＬｉｎおよびＬｏｕｔはそれぞれ被験者から見て磁気センサアレイ２１０の手前の空間と奥の空間のそれぞれについての級数の数である。方位量子数ｌは正の整数をとり、磁気量子数ｍは－ｌから＋ｌまでの整数をとる。すなわち、例えばｌが１のとき、ｍは－１、０、および１であり、例えばｌが２のとき、ｍは－２、－１、０、１、および２である。なお、磁場においては単磁極が存在しないことから、（数７）において方位量子数ｌは、０からではなく１から始まっている。（数７）における第１項は、座標原点からの距離に反比例する項であり、被験者から見て磁気センサアレイ２１０の手前の空間に存在するポテンシャルを示している。また、（数７）における第２項は、座標原点からの距離に比例する項であり、被験者から見て磁気センサアレイ２１０の奥の空間に存在するポテンシャルを示している。

したがって、（数６）および（数７）によれば、静磁場Ｂ（ｒ）は、次式で表すことができる。ここで、（数８）における第１項は、被験者から見て磁気センサアレイ２１０の手前の空間に存在する磁場源、すなわち、心臓の電気活動が作る心磁場（測定対象磁場）を示している。また、（数８）における第２項は、被験者から見て磁気センサアレイ２１０の奥の空間に存在する磁場源が作る外乱磁場を示している。

球面調和関数を使った級数展開の形でラプラス方程式の解を表した場合、その一般解は無限級数となるが、生体磁場を計測するのに十分なＳＮＲ（信号ノイズ比、すなわち、外乱磁場及びセンサノイズに対する測定対象磁場信号の比）が得られればよく、実際には１０項程度の級数で表せば十分であると言われている。また、脳磁計における信号空間分離の級数については、Ｌｉｎ＝８、Ｌｏｕｔ＝３前後が一般的に利用されている。したがって、本実施形態においても、ＬｉｎおよびＬｏｕｔは、上記と同程度の値を用いればよい。しかしながら、ＬｉｎおよびＬｏｕｔの値は、これに限定されるものではなく、外乱磁場を十分抑制し測定対象磁場だけを算出するのに十分な、いかなる数値であってもよい。

ここで、基底ベクトルとなるａｌ，ｍおよびｂｌ，ｍを次式のように定義する。このａｌ，ｍおよびｂｌ，ｍは、球面座標で表現されている。なお、このａｌ，ｍおよびｂｌ，ｍは、磁気センサセル２２０の個数を（センサ部３００ｘ、ｙ、およびｚがあるため）３倍した数の次元を持つベクトルとなる。このように、センサ部３００ｘ、ｙ、およびｚの主軸方向の感度と他軸方向の感度補正を含めて計算されたａｌ，ｍおよびｂｌ，ｍの値は基底ベクトル記憶部１１５０に記憶される。基底ベクトル記憶部１１５０が、磁気感度（主軸感度、他軸感度）の補正を含めて計算されたａｌ，ｍおよびｂｌ，ｍの値を記憶する本実施形態に係る心磁計測装置１０は、動作時に、計測データ取得部１１２０によって取得されたデータに対して較正演算部１１３０における補正を行うことで、各磁気センサセル２２０の磁気感度（主軸感度、他軸感度）の補正を行うことが可能となる。

そうすると、ある時刻にそれぞれの磁気センサセル２２０において出力される信号から構成されるセンサアレイ出力ベクトルΦは、以下の式で表すことができる。

さらに、Ｓｉｎ、Ｓｏｕｔ、Ｘｉｎ、およびＸｏｕｔをそれぞれ次のように定義する。すなわち、Ｓｉｎを、ｌ＝１からｌ＝Ｌｉｎまで、各ｌにおいてｍ＝－ｌからｌまでの整数をとった時の各ベクトルａを順に列に並べた、計Ｌｉｎ・（Ｌｉｎ＋２）列のベクトルと定義する。また、Ｓｏｕｔを、ｌ＝１からＬ＝Ｌｏｕｔまで、各ｌにおいてｍ＝－ｌからｌまでの整数をとった時の各ベクトルｂを順に列に並べた、計Ｌｏｕｔ・（Ｌｏｕｔ＋２）列のベクトルと定義する。また、Ｘｉｎを、ｌ＝１からｌ＝Ｌｉｎまで、各ｌにおいてｍ＝－ｌからｌまでの整数をとった時の各多極モーメントα_ｌ，ｍを順に列に並べたベクトルを転置した、計Ｌｉｎ・（Ｌｉｎ＋２）行のベクトルと定義する。また、Ｘｏｕｔを、ｌ＝１からｌ＝Ｌｉｎまで、各ｌにおいてｍ＝－１からｌまでの整数をとった時の各多極モーメントβ_ｌ，ｍを順に列に並べたベクトルを転置した、計Ｌｏｕｔ・（Ｌｏｕｔ＋２）行のベクトルと定義する。

そうすると、センサアレイ出力ベクトルΦは、次式に示すように、行列Ｓと縦ベクトルＸの内積の形で表すことができる。ここで、行列Ｓは、基底ベクトルを示し、例えば、ステップ１０３０において、信号空間分離部１１６０が基底ベクトル記憶部１１５０から取得したものである。また、縦ベクトルＸは、基底ベクトルに係る係数を示す。

本実施形態に係る信号空間分離部１１６０は、ステップ１２４０において、この（数１２）で得られたセンサアレイ出力ベクトルΦのモデル式に基づいて、次式を用いてΦ＝Ｓ・Ｘを最小２乗近似で満たす縦ベクトルＸを決定する。これにより、信号空間分離部１１６０は、ステップ１２４０において、磁場の空間分布を解くことができる。つまり磁場の空間分布を推定できるようになる。すなわち、測定対象磁場をφｉｎ＿ｈ＝ＳｉｎＸｉｎ、外乱磁場をφｏｕｔ＿ｈ＝ＳｏｕｔＸｏｕｔとして推定できる。この際、信号空間分離部１１６０は、外乱磁場の大きさが予め定められた範囲を超える場合に、測定対象磁場を高精度に計測できない旨の警告を出してもよい。これにより、心磁計測装置１０は、装置が故障している場合や、測定対象磁場を高精度に計測することができない程大きな外乱磁場が存在している場合等の状況において、測定対象磁場を計測してしまうことを事前に防止することができる。この場合に、信号空間分離部１１６０は、例えば、ＳｏｕｔＸｏｕｔの各成分のいずれかの大きさが予め定められた閾値を超える場合に外乱磁場の大きさが予め定められた範囲を超えると判断してもよいし、ＳｏｕｔＸｏｕｔの各成分の大きさの和や平均が予め定められた閾値を超える場合に外乱磁場の大きさが予め定められた範囲を超えると判断してもよい。

そして、ステップ１２５０において、信号空間分離部１１６０は、ステップ１２４０において決定した縦ベクトルを用いて、ＳｏｕｔＸｏｕｔを減少させて外乱磁場成分、すなわち、（数８）における第２項の成分を抑制した結果を出力する。信号空間分離部１１６０は、ＳｉｎＸｉｎだけを結果として出力することで、外乱磁場成分を抑制して、測定対象磁場成分、すなわち、（数８）における第１項の成分だけを出力してもよい。

これにより、本実施形態に係る心磁計測装置１０によれば、磁場を３軸方向で検出可能な複数のセンサ部３００を有する磁気センサセル２２０を三次元に配列して構成される磁気センサアレイ２１０を用いて計測された磁場計測データＢによって示される磁場の空間分布を、測定対象磁場と外乱磁場とに信号分離することができる。また、心磁計測装置１０は、外乱磁場成分を抑制して測定対象磁場成分だけを出力するので、測定対象磁場をより高精度に計測することができる。また、複数のセンサ部３００がそれぞれ磁気収束板を有するので、センサ部３００の磁気感度を高めるとともに、空間サンプリング点を明確化することができ、信号空間分離技術との親和性をより高めることができる。さらに、心磁計測装置１０が較正演算部１１３０を有するので、高精度な較正（主軸感度ミスマッチ、多軸感度、およびオフセット等）を実現でき、複数のセンサ部３００のキャリブレーション誤差を、信号空間分離段階で処理するのではなく、その前段で低減させることができるので、より高精度に測定対象磁場成分を取り出すことができる。

図１３は、本実施形態に係る心磁計測装置１０が備えてよい較正用磁場発生器１３００の一例を示す。本実施形態に係る心磁計測装置１０は、磁気センサアレイ２１０を較正するための較正用磁場発生器１３００を更に備えてよい。較正用磁場発生器１３００は、例えば、略立方体状に構成され、内部空間に磁気センサアレイ２１０を収容可能であってよい。そして、較正用磁場発生器１３００は、例えば、左右側面に対に設けられＸ軸方向の較正用磁場を発生するｘ軸方向の較正用磁場発生部１３１０ｘ、上下面に対に設けられＹ軸方向の較正用磁場を発生するｙ軸方向の較正用磁場発生部１３１０ｙ、前後面に対に設けられＺ軸方向の較正用磁場を発生するｚ軸方向の較正用磁場発生部１３１０ｚを有する。ここで、ｘ軸方向の較正用磁場発生部１３１０ｘ、ｙ軸方向の較正用磁場発生部１３１０ｙ、およびｚ軸方向の較正用磁場発生部１３１０ｚを較正用磁場発生部１３１０と総称する。すなわち、心磁計測装置１０は、磁気センサアレイ２１０を較正するための較正用磁場を発生する較正用磁場発生部１３１０を更に備える。

較正用磁場発生部１３１０は、較正用磁場発生器１３００の内部空間に一様な磁場を発生させる。較正用磁場発生部１３１０は、例えば、ヘルムホルツコイルであってよい。ヘルムホルツコイルは、同一の二つのコイルを、同一の中心軸を持つように、かつ、コイル間の距離がコイルの半径と同じになるように配置させた一対のコイルである。較正用磁場発生部１３１０は、このようなヘルムホルツコイルを用いることによって、コイルで挟まれた空間の中心部分に目的の磁場を発生させることができる。

このように、較正用磁場発生器１３００は、それぞれがヘルムホルツコイルのように各軸方向に一様な磁場を発生する較正用磁場発生部１３１０を３軸方向分有しているので、これら複数の較正用磁場発生部１３１０ｘ～ｚをそれぞれ制御することで、位相の異なる複数の較正用磁場を内部空間に発生させることができる。なお、この際、ｘ軸方向の較正用磁場発生部１３１０ｘの一対のコイルで挟まれた空間の中心部分、かつ、ｙ軸方向の較正用磁場発生部１３１０ｙの一対のコイルで挟まれた空間の中心部分、かつ、ｚ軸方向の較正用磁場発生部１３１０ｚの一対のコイルで挟まれた空間の中心部分、すなわち、較正用磁場発生器１３００の略中央部分が、最も磁場が一様となる。したがって、較正用磁場発生部１３１０は、磁気センサアレイ２１０との間の相対位置を調整可能に構成されてよい。すなわち、較正用磁場発生器１３００の内部空間に磁気センサアレイ２１０を収容し、複数の磁気センサセル２２０のそれぞれを用いて較正用磁場を計測させる場合に、対象とする磁気センサセル２２０が最も磁場が一様となる部分となるように、較正用磁場発生部１３１０の位置を磁気センサアレイ２１０に対して移動可能に構成してもよい。これに代えて、対象とする磁気センサセル２２０が最も磁場が一様となる部分となるように、磁気センサアレイ２１０の位置を較正用磁場発生部１３１０に対して移動可能に構成してもよい。

図１４は、本実施形態に係る心磁計測装置１０が、磁気センサアレイ２１０全体に亘って計測データを較正するフローを示す。ステップ１４１０において、心磁計測装置１０は、心磁の計測に先立って、較正用磁場発生器１３００の内部空間に磁気センサアレイ２１０を収容させる。そして、心磁計測装置１０は、この状態で較正用磁場発生部１３１０から位相の異なるＮ通りの較正用磁場を発生させ、この際に磁気センサアレイ２１０を用いて計測された計測データをそれぞれ取得する。

ステップ１４２０において、較正演算部１１３０は、複数の磁気センサセル２２０のうちの１つの磁気センサセル２２０、すなわち、位置［ｉ，ｊ，ｋ］の磁気センサセル２２０を初期の基準セルとして選択する。一例として、較正演算部１１３０は、複数の磁気センサセル２２０がなす二次元配列において略中心に位置する磁気センサセル２２０、例えば、位置［４，４，１］の磁気センサセル２２０を初期の基準セルとして選択する。

ステップ１４３０において、較正演算部１１３０は、全ての磁気センサセル２２０の較正が完了したか否か判定する。ステップ１４２０に続くステップ１４３０においては、全ての磁気センサセル２２０の較正が完了していないので、較正演算部１１３０は、処理をステップ１４４０に進め、位置［ｉ'，ｊ'，ｋ'］の磁気センサセル２２０を近接セルとして選択する。一例として、較正演算部１１３０は、複数の磁気センサセル２２０がなす二次元配列において、基準セルに隣接する磁気センサセル２２０を隣接セルとして選択する。より詳細には、較正演算部１１３０は、例えば、複数の磁気センサセル２２０がなす二次元配列において、位置［４，４，１］に隣接する位置［４，５，１］の磁気センサセル２２０を近接セルとして選択する。なお、上述の説明では、較正演算部１１３０が、二次元配列において基準セルに隣接するセルを近接セルとして選択する場合を一例として示したが、これに限定されるものではない。較正演算部１１３０は、二次元配列において基準セルに隣接していない、すなわち、離隔したセルを近接セルとして選択してもよい。

ステップ１４４２において、較正演算部１１３０は、ｎ＝１に設定する。ここで、ｎは、Ｎ以下の自然数を示す。

ステップ１４５０において、較正演算部１１３０は、近接セルの補正行列を更新する。これについて、数式を用いて詳細に説明する。ｎ通り目の較正用磁場を与えた場合に、基準セル、すなわち、位置［ｉ，ｊ，ｋ］の磁気センサセル２２０において計測された３軸の計測値成分からなるセンサ出力ベクトルΦ_{［ｉ，ｊ，ｋ］}は、次式で表される。ここで、Ｓ_{［ｉ，ｊ，ｋ］}は、位置［ｉ，ｊ，ｋ］の磁気センサセル２２０における磁気センサ特性行列を示す。また、Ｂ_{［ｉ，ｊ，ｋ］}は、位置［ｉ，ｊ，ｋ］の磁気センサセル２２０における３軸軸センサの感度誤差補正後の磁場計測値を示す。

したがって、位置［ｉ，ｊ，ｋ］の磁気センサセル２２０における３軸軸センサ誤差補正後の磁場計測値Ｂ_{［ｉ，ｊ，ｋ］}は、次式で表すことができる。ここで、Ｒ_{［ｉ，ｊ，ｋ］}は、位置［ｉ，ｊ，ｋ］の磁気センサセル２２０における磁気センサ特性を補正する補正行列を示し、磁気センサ特性行列Ｓ_{［ｉ，ｊ，ｋ］}の逆行列によって表される。

同様に、近接セル、すなわち、位置［ｉ'，ｊ'，ｋ'］の磁気センサセル２２０において計測された３軸の計測値成分からなるセンサ出力ベクトルΦ_{［ｉ'，ｊ'，ｋ'］}は、次式で表される。

したがって、位置［ｉ'，ｊ'，ｋ'］の磁気センサセル２２０における３軸センサの感度誤差補正後の磁場計測値Ｂ_{［ｉ'，ｊ'，ｋ'］}は、次式で表すことができる。ここで、Ｒ_{［ｉ'，ｊ'，ｋ'］}は、位置［ｉ'，ｊ'，ｋ'］の磁気センサセル２２０における磁気センサ特性を補正する補正行列を示し、磁気センサ特性行列Ｓ_{［ｉ'，ｊ'，ｋ'］}の逆行列によって表される。

そして、差分算出部１１３５は、（数式１５）および（数式１７）を用いて、次式により、ｎ通り目の較正用磁場を与えた場合における、基準セルと近接セルとの間における磁場計測値の差分を算出する。すなわち、差分算出部１１３５は、ｎ通り目の較正用磁場を与えた場合における、位置［ｉ，ｊ，ｋ］と位置［ｉ'，ｊ'，ｋ'］の磁場計測値の差分δ（ｎ）_{［ｉ'，ｊ'，ｋ'］}を算出する。なお、初期の基準セルとして選択された位置［ｉ，ｊ，ｋ］の磁気センサセル２２０については、その磁気センサ特性を補正する補正行列Ｒ_{［ｉ，ｊ，ｋ］}は予め決定されているものとする。

また、差分算出部１１３５は、次式により、近接セルにおける計測値の較正の指標を算出する。すなわち、差分算出部１１３５は、位置［ｉ，ｊ，ｋ］と位置［ｉ'，ｊ'，ｋ'］の磁場計測値の差分δ（ｎ）_{［ｉ'，ｊ'，ｋ'］}を２乗した指標Ｊ（ｎ）_{［ｉ'，ｊ'，ｋ'］}を、近接セルにおける計測値の較正の指標として算出する。差分算出部１１３５は、算出した指標Ｊを較正演算部１１３０へ供給する。この際、差分算出部１１３５は、算出した指標Ｊを、例えば、モニタ機器等、他の機能部または装置へ出力してもよい。

そして、較正演算部１１３０は、差分算出部１１３５から供給された指標Ｊをコスト関数として、当該コスト関数を最小化するように近接セルの計測値を較正する。すなわち、較正演算部１１３０は、差分δの２乗を最小化するように、近接セルの計測値を較正する。この際、較正演算部１１３０は、近接セルの計測値に施す線形演算の係数を適応制御して、近接セルの計測値を較正してよい。一例として、較正演算部１１３０は、例えば、次に示す漸化式にしたがって、近接セル、すなわち、位置［ｉ'，ｊ'，ｋ'］の磁気センサセル２２０における補正行列Ｒ_{［ｉ'，ｊ'，ｋ'］}を更新する。ここで、当該漸化式は、∂Ｊα／∂Ｒβγ＝０（ここで、α、β、およびγは、ｘ、ｙ、およびｚのいずれかを示す）という、ＬＭＳ（Ｌｅａｓｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ）の最急降下アルゴリズムにおける勾配＝０の条件から導かれるものであり、μは更新の重みを決めるパラメータである。なお、上述の説明では、較正演算部１１３０が、ＬＭＳアルゴリズムを用いて補正行列Ｒを更新する場合を一例として示したが、これに限定されるものではない。較正演算部１１３０は、ＲＬＳ（Ｒｅｃｕｒｓｉｖｅ Ｌｅａｓｔ Ｓｑｕａｒｅ）等、他のアルゴリズムを用いて補正行列Ｒを更新してもよい。

次に、ステップ１４５２において、較正演算部１１３０は、ｎをインクリメントしてｎ＝ｎ＋１とする。そして、ステップ１４５４において、較正演算部１１３０は、ｎがＮと一致するか否か判定する。ステップ１４５４において、ｎがＮと一致しないと判定した場合、較正演算部１１３０は、処理をステップ１４５０に戻して、ステップ１４５０およびステップ１４５２の処理を繰り返す。すなわち、較正演算部１１３０は、位相の異なるＮ通りの較正用磁場を与えた場合に計測された全ての計測データを用いて、近接セルの補正行列Ｒを更新する。これにより、較正演算部１１３０は、補正行列Ｒの更新を収束させる。

そして、ステップ１４５４において、ｎがＮと一致すると判定した場合、すなわち、Ｎ通りの較正用磁場を与えた場合の全てを考慮して、近接セルの補正行列を更新したと判定した場合、較正演算部１１３０は、処理をステップ１４６０へ進める。

ステップ１４６０において、較正演算部１１３０は、指標Ｊが予め定められたしきい値以下であるか否か判定する。すなわち、較正演算部１１３０は、差分δの２乗が予め定められたしきい値以下であるか否か判定する。そして、指標Ｊが予め定められたしきい値を超えると判定した場合、ステップ１４７０において、計測データの較正に失敗したと判断して、処理を終了する。

一方、ステップ１４６０において、指標Ｊが予め定められたしきい値以下であると判定した場合、較正演算部１１３０は、ステップ１４８０において、較正済みの近接セルを新たな基準セルとして設定する。すなわち、［ｉ，ｊ，ｋ］＝［ｉ'，ｊ'，ｋ'］とする。そして、較正演算部１１３０は、ステップ１４３０に処理を戻して、ステップ１４３０～ステップ１４８０の処理を繰り返す。すなわち、較正演算部１１３０は、複数の磁気センサセル２２０のうちの１つの磁気センサセル２２０を基準セルとして、基準セルに近接する近接セルの計測値を較正し、較正済みの近接セルを新たな基準セルとして、新たな基準セルに近接する近接セルの計測値を較正する。この際、基準セルと基準セルに近接する近接セルとの間の距離は、基準セルと新たな基準セルに近接する近接セルとの間の距離よりも短くてよい。

一例として、較正演算部１１３０は、［４，４，１］を基準セルとして、当該基準セルに近接する近接セル［４，５，１］の計測値を較正する。次に、較正演算部１１３０は、較正済みの「４，５，１」を新たな基準セルとして、当該新たな基準セルに近接する近接セル［５，５，１］の計測値を較正する。較正演算部１１３０は、このような処理を繰り返し実行することで、例えば、［４，４，１］→［４，５，１］→［５，５，１］→…→［５，３，１］→…→［３，３，１］→…→［３，６，１］→…→［６，６，１］→…→［６，２，１］→…→［２，２，１］→…→［２，７，１］→…→［７，７，１］→…→［７，１，１］→…→［１，１，１］→…→［１，８，１］→…→［８，８，１］→…→［８，１，１］の順に近接セルの計測値を較正する。

なお、上述の説明では、位置［１，１，１］～［８，８，１］の磁気センサセル２２０を順次較正する場合について説明したが、位置［１，１，２］～［８，８，２］の磁気センサセル２２０についても、同様に較正してよい。一例として、較正演算部１１３０は、Ｚ軸位置の異なる複数の磁気センサセル２２０の計測値を同時に較正してよい。すなわち、較正演算部１１３０は、［４，４，１］を基準セルとして［４，５，１］の計測値を較正する場合に、［４，４，２］を基準セルとして［４，５，２］の計測値を同時に較正してよい。また、［４，５，１］を基準セルとして［５，５，１］の計測値を較正する場合に、［４，５，２］を基準セルとして［５，５，２］の計測値を同時に較正してよい。これに代えて、較正演算部１１３０は、Ｚ軸位置の異なる複数の磁気センサセル２２０の計測値をそれぞれ独立に較正してもよい。

このように、較正演算部１１３０は、新たな基準セルの設定、および、近接セルの計測値の較正を、複数の磁気センサセル２２０がなす二次元配列における少なくとも１部について順次繰り返す。この際、較正演算部１１３０は、新たな基準セルの設定、および、近接セルの計測値の較正を、複数の磁気センサセル２２０がなす二次元配列における略中心から外周に向かって順次繰り返してよい。特に、較正演算部１１３０は、新たな基準セルの設定、および、近接セルの計測値の較正を、複数の磁気センサセル２２０がなす二次元配列において渦巻状に順次繰り返してよい。

なお、上述の説明では、較正演算部１１３０が、新たな基準セルの設定、および、近接セルの計測値の較正を、二次元配列において、略中心から外周に向かって渦巻き状の経路に沿って順次繰り返す場合を一例として説明したが、これに限定されるものではない。較正演算部１１３０は、例えば、新たな基準セルの設定、および、近接セルの計測値の較正を、二次元配列において、略中心から外周に向かって放射状の経路に沿って順次繰り返してもよいし、ランダムな経路に沿って順次繰り返してもよい。

ステップ１４３０において、全ての磁気センサセル２２０の較正が完了したと判定した場合、較正演算部１１３０は、ステップ１４９０において、磁気センサアレイ２１０の較正が完了したと判断して、処理を終了する。

図１５は、ＬＭＳアルゴリズムを用いて補正行列Ｒを更新したシミュレーション結果の一例を示す。本図において、横軸は、補正行列Ｒの更新の繰り返し回数を示しており、図１４のフローにおけるｎに対応する。また、本図において、縦軸は、磁場計測値の差分の大きさを示しており、（数１８）におけるδ（ｎ）の絶対値に対応する。本図に示されるように、ＬＭＳアルゴリズムにしたがって補正行列Ｒ_{［ｉ'，ｊ'，ｋ'］}の更新を繰り返すことにより、差分δ（ｎ）の大きさが徐々に小さくなっていき、次第に収束していくことが分かる。そして、差分δ（ｎ）の大きさが十分小さくなった後の補正行列Ｒ_{［ｉ'，ｊ'，ｋ'］}を用いて、位置［ｉ'，ｊ'，ｋ'］の磁気センサセル２２０における磁気センサ特性を補正することにより、位置［ｉ，ｊ，ｋ］の磁気センサセル２２０における磁気センサ特性と一致させることができる。そして、心磁計測装置１０は、同様の操作を磁気センサアレイ２１０全体に亘って行うことで、磁気センサアレイ２１０全体のセンサ特性を補正することができる。

このように、本実施形態に係る心磁計測装置１０によれば、磁気センサアレイ２１０を較正するにあたって、基準セルと基準セルに近接する近接セルの２つの磁気センサセル２２０のみを用いて近接セルの計測値を較正し、当該処理を磁気センサアレイ２１０の全体に亘って順次実行する。これにより、入力磁場が略同一とみなせる空間に配置された２つの磁気センサセル２２０の間で磁気センサ特性を一致させ、当該処理の繰り返しにより磁気センサアレイ２１０の全体を較正することができる。したがって、本実施形態に係る心磁計測装置１０によれば、磁気センサアレイ２１０を構成する複数の磁気センサセル２２０の磁気センサ特性を精度よく較正することができる。また、本実施形態に係る心磁計測装置１０によれば、新たな基準セルの設定、および、近接セルの計測値の較正を、二次元配列における略中心から外周に向かって、例えば、渦巻状に順次繰り返す。これにより、心磁計測装置１０は、基準セルと近接セルとの間における較正誤差の蓄積を比較的小さく抑えることができる。また、本実施形態に係る心磁計測装置１０によれば、基準セルと近接セルとの間における磁場計測値の差分を算出するので、当該差分に基づく指標をユーザや他の機能部または装置へ提供することができる。また、本実施形態に係る心磁計測装置１０によれば、このような差分の２乗を最小化するように近接セルの計測値を較正するので、較正後の基準セルの磁場計測値と較正後の近接セルの磁場計測値との差分を小さくすることができる。また、本実施形態に係る心磁計測装置１０によれば、このような差分の２乗を最小化するにあたって、近接セルの計測値に施す線形演算の係数を適用制御するので、線形代数を利用して近接セルの計測値を較正することができる。また、本実施形態に係る心磁計測装置１０によれば、較正用磁場を発生する較正用磁場発生部１３１０を備えるので、磁気センサアレイ２１０を較正するために必要な計測データを取得する磁場環境を較正用磁場発生部１３１０から意図的に与えることができる。また、本実施形態に係る心磁計測装置１０によれば、較正用磁場発生部１３１０を、磁気センサアレイ２１０との間の相対位置を調整可能に構成するので、複数の磁気センサセル２２０のそれぞれを用いて較正用磁場を計測させる場合に、対象とする磁気センサセル２２０が最も磁場が一様となる部分となるように、調整することができる。

本発明の様々な実施形態は、フローチャートおよびブロック図を参照して記載されてよく、ここにおいてブロックは、（１）操作が実行されるプロセスの段階または（２）操作を実行する役割を持つ装置のセクションを表わしてよい。特定の段階およびセクションが、専用回路、コンピュータ可読媒体上に格納されるコンピュータ可読命令と共に供給されるプログラマブル回路、および／またはコンピュータ可読媒体上に格納されるコンピュータ可読命令と共に供給されるプロセッサによって実装されてよい。専用回路は、デジタルおよび／またはアナログハードウェア回路を含んでよく、集積回路（ＩＣ）および／またはディスクリート回路を含んでよい。プログラマブル回路は、論理ＡＮＤ、論理ＯＲ、論理ＸＯＲ、論理ＮＡＮＤ、論理ＮＯＲ、および他の論理操作、フリップフロップ、レジスタ、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、プログラマブルロジックアレイ（ＰＬＡ）等のようなメモリ要素等を含む、再構成可能なハードウェア回路を含んでよい。

コンピュータ可読媒体は、適切なデバイスによって実行される命令を格納可能な任意の有形なデバイスを含んでよく、その結果、そこに格納される命令を有するコンピュータ可読媒体は、フローチャートまたはブロック図で指定された操作を実行するための手段を作成すべく実行され得る命令を含む、製品を備えることになる。コンピュータ可読媒体の例としては、電子記憶媒体、磁気記憶媒体、光記憶媒体、電磁記憶媒体、半導体記憶媒体等が含まれてよい。コンピュータ可読媒体のより具体的な例としては、フロッピー（登録商標）ディスク、ディスケット、ハードディスク、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）、消去可能プログラマブルリードオンリメモリ（ＥＰＲＯＭまたはフラッシュメモリ）、電気的消去可能プログラマブルリードオンリメモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、静的ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、コンパクトディスクリードオンリメモリ（ＣＤ-ＲＯＭ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、ブルーレイ（ＲＴＭ）ディスク、メモリスティック、集積回路カード等が含まれてよい。

コンピュータ可読命令は、アセンブラ命令、命令セットアーキテクチャ（ＩＳＡ）命令、マシン命令、マシン依存命令、マイクロコード、ファームウェア命令、状態設定データ、またはＳｍａｌｌｔａｌｋ、ＪＡＶＡ（登録商標）、Ｃ＋＋等のようなオブジェクト指向プログラミング言語、および「Ｃ」プログラミング言語または同様のプログラミング言語のような従来の手続型プログラミング言語を含む、１または複数のプログラミング言語の任意の組み合わせで記述されたソースコードまたはオブジェクトコードのいずれかを含んでよい。

コンピュータ可読命令は、汎用コンピュータ、特殊目的のコンピュータ、若しくは他のプログラム可能なデータ処理装置のプロセッサまたはプログラマブル回路に対し、ローカルにまたはローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、インターネット等のようなワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）を介して提供され、フローチャートまたはブロック図で指定された操作を実行するための手段を作成すべく、コンピュータ可読命令を実行してよい。プロセッサの例としては、コンピュータプロセッサ、処理ユニット、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ等を含む。

図１６は、本発明の複数の態様が全体的または部分的に具現化されてよいコンピュータ２２００の例を示す。コンピュータ２２００にインストールされたプログラムは、コンピュータ２２００に、本発明の実施形態に係る装置に関連付けられる操作または当該装置の１または複数のセクションとして機能させることができ、または当該操作または当該１または複数のセクションを実行させることができ、および／またはコンピュータ２２００に、本発明の実施形態に係るプロセスまたは当該プロセスの段階を実行させることができる。そのようなプログラムは、コンピュータ２２００に、本明細書に記載のフローチャートおよびブロック図のブロックのうちのいくつかまたはすべてに関連付けられた特定の操作を実行させるべく、ＣＰＵ２２１２によって実行されてよい。

本実施形態によるコンピュータ２２００は、ＣＰＵ２２１２、ＲＡＭ２２１４、グラフィックコントローラ２２１６、およびディスプレイデバイス２２１８を含み、それらはホストコントローラ２２１０によって相互に接続されている。コンピュータ２２００はまた、通信インターフェイス２２２２、ハードディスクドライブ２２２４、ＤＶＤ－ＲＯＭドライブ２２２６、およびＩＣカードドライブのような入／出力ユニットを含み、それらは入／出力コントローラ２２２０を介してホストコントローラ２２１０に接続されている。コンピュータはまた、ＲＯＭ２２３０およびキーボード２２４２のようなレガシの入／出力ユニットを含み、それらは入／出力チップ２２４０を介して入／出力コントローラ２２２０に接続されている。

ＣＰＵ２２１２は、ＲＯＭ２２３０およびＲＡＭ２２１４内に格納されたプログラムに従い動作し、それにより各ユニットを制御する。グラフィックコントローラ２２１６は、ＲＡＭ２２１４内に提供されるフレームバッファ等またはそれ自体の中にＣＰＵ２２１２によって生成されたイメージデータを取得し、イメージデータがディスプレイデバイス２２１８上に表示されるようにする。

通信インターフェイス２２２２は、ネットワークを介して他の電子デバイスと通信する。ハードディスクドライブ２２２４は、コンピュータ２２００内のＣＰＵ２２１２によって使用されるプログラムおよびデータを格納する。ＤＶＤ－ＲＯＭドライブ２２２６は、プログラムまたはデータをＤＶＤ－ＲＯＭ２２０１から読み取り、ハードディスクドライブ２２２４にＲＡＭ２２１４を介してプログラムまたはデータを提供する。ＩＣカードドライブは、プログラムおよびデータをＩＣカードから読み取り、および／またはプログラムおよびデータをＩＣカードに書き込む。

ＲＯＭ２２３０はその中に、アクティブ化時にコンピュータ２２００によって実行されるブートプログラム等、および／またはコンピュータ２２００のハードウェアに依存するプログラムを格納する。入／出力チップ２２４０はまた、様々な入／出力ユニットをパラレルポート、シリアルポート、キーボードポート、マウスポート等を介して、入／出力コントローラ２２２０に接続してよい。

プログラムが、ＤＶＤ－ＲＯＭ２２０１またはＩＣカードのようなコンピュータ可読媒体によって提供される。プログラムは、コンピュータ可読媒体から読み取られ、コンピュータ可読媒体の例でもあるハードディスクドライブ２２２４、ＲＡＭ２２１４、またはＲＯＭ２２３０にインストールされ、ＣＰＵ２２１２によって実行される。これらのプログラム内に記述される情報処理は、コンピュータ２２００に読み取られ、プログラムと、上記様々なタイプのハードウェアリソースとの間の連携をもたらす。装置または方法が、コンピュータ２２００の使用に従い情報の操作または処理を実現することによって構成されてよい。

例えば、通信がコンピュータ２２００および外部デバイス間で実行される場合、ＣＰＵ２２１２は、ＲＡＭ２２１４にロードされた通信プログラムを実行し、通信プログラムに記述された処理に基づいて、通信インターフェイス２２２２に対し、通信処理を命令してよい。通信インターフェイス２２２２は、ＣＰＵ２２１２の制御下、ＲＡＭ２２１４、ハードディスクドライブ２２２４、ＤＶＤ－ＲＯＭ２２０１、またはＩＣカードのような記録媒体内に提供される送信バッファ処理領域に格納された送信データを読み取り、読み取られた送信データをネットワークに送信し、またはネットワークから受信された受信データを記録媒体上に提供される受信バッファ処理領域等に書き込む。

また、ＣＰＵ２２１２は、ハードディスクドライブ２２２４、ＤＶＤ－ＲＯＭドライブ２２２６（ＤＶＤ－ＲＯＭ２２０１）、ＩＣカード等のような外部記録媒体に格納されたファイルまたはデータベースの全部または必要な部分がＲＡＭ２２１４に読み取られるようにし、ＲＡＭ２２１４上のデータに対し様々なタイプの処理を実行してよい。ＣＰＵ２２１２は次に、処理されたデータを外部記録媒体にライトバックする。

様々なタイプのプログラム、データ、テーブル、およびデータベースのような様々なタイプの情報が記録媒体に格納され、情報処理を受けてよい。ＣＰＵ２２１２は、ＲＡＭ２２１４から読み取られたデータに対し、本開示の随所に記載され、プログラムの命令シーケンスによって指定される様々なタイプの操作、情報処理、条件判断、条件分岐、無条件分岐、情報の検索／置換等を含む、様々なタイプの処理を実行してよく、結果をＲＡＭ２２１４に対しライトバックする。また、ＣＰＵ２２１２は、記録媒体内のファイル、データベース等における情報を検索してよい。例えば、各々が第２の属性の属性値に関連付けられた第１の属性の属性値を有する複数のエントリが記録媒体内に格納される場合、ＣＰＵ２２１２は、第１の属性の属性値が指定される、条件に一致するエントリを当該複数のエントリの中から検索し、当該エントリ内に格納された第２の属性の属性値を読み取り、それにより予め定められた条件を満たす第１の属性に関連付けられた第２の属性の属性値を取得してよい。

上で説明したプログラムまたはソフトウェアモジュールは、コンピュータ２２００上またはコンピュータ２２００近傍のコンピュータ可読媒体に格納されてよい。また、専用通信ネットワークまたはインターネットに接続されたサーバーシステム内に提供されるハードディスクまたはＲＡＭのような記録媒体が、コンピュータ可読媒体として使用可能であり、それによりプログラムを、ネットワークを介してコンピュータ２２００に提供する。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

１０ 心磁計測装置
１００ 本体部
１１０ 磁気センサユニット
１２０ ヘッド
１２５ 駆動部
１３０ ベース部
１４０ ポール部
１５０ 情報処理部
２１０ 磁気センサアレイ
２２０ 磁気センサセル
２３０ センサデータ収集部
３００ センサ部
５２０ 磁気センサ
５３０ 磁場生成部
５３２ 増幅回路
５３４ コイル
５４０ 出力部
７１０ 磁気抵抗効果素子
７２０、７３０ 磁気収束板
１１００ センサデータ処理部
１１１０ ＡＤ変換器
１１１２ クロック発生器
１１２０ 計測データ取得部
１１３０ 較正演算部
１１３５ 差分算出部
１１４０ データ出力部
１１５０ 基底ベクトル記憶部
１１６０ 信号空間分離部
１３００ 較正用磁場発生器
１３１０ 較正用磁場発生部
２２００ コンピュータ
２２０１ ＤＶＤ－ＲＯＭ
２２１０ ホストコントローラ
２２１２ ＣＰＵ
２２１４ ＲＡＭ
２２１６ グラフィックコントローラ
２２１８ ディスプレイデバイス
２２２０ 入／出力コントローラ
２２２２ 通信インターフェイス
２２２４ ハードディスクドライブ
２２２６ ＤＶＤ－ＲＯＭドライブ
２２３０ ＲＯＭ
２２４０ 入／出力チップ
２２４２ キーボード

Claims (14)

1. 各々が磁場を３軸方向で検出可能な複数の磁気センサセルを配列して構成される磁気センサアレイと、
   前記複数の磁気センサセルのうちの１つの磁気センサセルを基準セルとして、前記基準セルに近接する近接セルの計測値を較正し、較正済みの前記近接セルを新たな基準セルとして、前記新たな基準セルに近接する近接セルの計測値を較正する較正演算部と、
   を備える、心磁計測装置。
2. 前記磁気センサアレイは、前記複数の磁気センサセルが二次元に配列された二次元配列を含んで構成される、請求項１に記載の心磁計測装置。
3. 前記較正演算部は、前記新たな基準セルの設定、および、前記近接セルの計測値の較正を、前記二次元配列における少なくとも１部について順次繰り返す、請求項２に記載の心磁計測装置。
4. 前記較正演算部は、前記新たな基準セルの設定、および、前記近接セルの計測値の較正を、前記二次元配列における略中心から外周に向かって順次繰り返す、請求項３に記載の心磁計測装置。
5. 前記較正演算部は、前記新たな基準セルの設定、および、前記近接セルの計測値の較正を、前記二次元配列において渦巻状に順次繰り返す、請求項４に記載の心磁計測装置。
6. 前記基準セルと前記近接セルとの間における磁場計測値の差分を算出する差分算出部を更に備える、請求項１から５のいずれか一項に記載の心磁計測装置。
7. 前記較正演算部は、前記差分の２乗を最小化するように、前記近接セルの計測値を較正する、請求項６に記載の心磁計測装置。
8. 前記較正演算部は、前記近接セルの計測値に施す線形演算の係数を適応制御して、前記近接セルの計測値を較正する、請求項７に記載の心磁計測装置。
9. 前記磁気センサアレイを較正するための較正用磁場を発生する較正用磁場発生部を更に備える、請求項１から８のいずれか一項に記載の心磁計測装置。
10. 前記較正用磁場発生部は、前記磁気センサアレイとの間の相対位置を調整可能に構成される、請求項９に記載の心磁計測装置。
11. 前記基準セルと前記基準セルに近接する近接セルとの間の距離は、前記基準セルと前記新たな基準セルに近接する近接セルとの間の距離よりも短い、請求項１から１０のいずれか一項に記載の心磁計測装置。
12. 前記複数の磁気センサセルのそれぞれは、磁気センサと、前記磁気センサが検出した入力磁場を低減させるフィードバック磁場を前記磁気センサに与える磁場生成部と、前記磁場生成部が前記フィードバック磁場を発生するために流す電流に応じた出力信号を出力する出力部と、を有する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の心磁計測装置。
13. 各々が磁場を３軸方向で検出可能な複数の磁気センサセルを配列して構成される磁気センサアレイにおける、前記複数の磁気センサセルのうちの１つの磁気センサセルを基準セルとして、前記基準セルに近接する近接セルの計測値を較正し、較正済みの前記近接セルを新たな基準セルとして、前記新たな基準セルに近接する近接セルの計測値を較正すること
    を備える、心磁計測方法。
14. コンピュータにより実行されて、前記コンピュータを、
    各々が磁場を３軸方向で検出可能な複数の磁気センサセルを配列して構成される磁気センサアレイにおける前記複数の磁気センサセルのうちの１つの磁気センサセルを基準セルとして、前記基準セルに近接する近接セルの計測値を較正し、較正済みの前記近接セルを新たな基準セルとして、前記新たな基準セルに近接する近接セルの計測値を較正する較正演算部
    として機能させる、心磁計測プログラム。

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