JP7328720B1 - プラズマエッチングシステム - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、プラズマによるエッチング過程でウェーハに直流電力(Direct Current Power)を印加してエッチング工程効率を向上させるプラズマエッチングシステムを提供することである。
本発明のさらに他の適切な実施形態によれば、バイアス直流電力は、静電チャックに配される多数個のDC電極ピンによって供給される。
本発明のさらに他の適切な実施形態によれば、多数個のDC電極ピンのそれぞれは、静電チャックの上側表面を垂直方向に貫通して突出する。
本発明のさらに他の適切な実施形態によれば、多数個のDC電極ピンのそれぞれは、上下に弾性移動が可能である。
本発明のさらに他の適切な実施形態によれば、DCパルス電力の周波数は、1Hz~1,000kHzになる。
本発明のさらに他の適切な実施形態によれば、バイアスDC電力モジュールによってエッジリングにDC電力が印加される。
本発明のさらに他の適切な実施形態によれば、静電チャックの上側表面に突出しながら円周に沿って配列される多数個のDC電極ピンをさらに含む。
本発明のさらに他の適切な実施形態によれば、多数個のDC電極ピンは、互いに絶縁されながら1~1,000個になる。
図1を参照すれば、プラズマエッチングシステムは、上部電極15にRF電力を印加する電源電力モジュール11;下部電極にRF電力を印加するバイアス電力モジュール12;及びウェーハ18にバイアス直流電力を印加するバイアスDC電力モジュール13;を含む。
図2を参照すれば、工程チャンバまたはエッチングチャンバにおいて、下部電極は、静電チャック(electrostatic chuck:ESC)に形成され、これにより、ESCは、ウェーハ固定機能(chucking)と下部電極機能とを有しうる。ESCは、ウェーハが固定される上側平面を形成するセラミックプレート形態の絶縁層17及び絶縁層17の下側に接着層によって結合されたベースブロック16を含みうる。絶縁層17は、全体として円板状になり、絶縁層17の内部にウェーハの固定のためのDC電極が配置される。ベースブロック16は、全体としてドラム状になり、アルミニウムのような熱伝導性素材からなりながら少なくとも1つの冷却流路23を含みうる。このような静電チャックの構造で下部電極に印加されるRF電力は、ESCの下部構造であるベースブロック16に印加されてエッチングチャンバの上部電極に印加された電源RF電力によって点火(ignition)されたプラズマとエネルギーカップリングされてエッチング工程が進行しうる。このような過程において、DCパルス電力は、多様な方法で印加され、例えば、DCパルス電力は、ESCの下部構造に該当するアルミニウム素材のベースブロック16にRF電力と共に印加される。このようなDCパルス電力印加構造でRF電力は、キャパシタを通過してエネルギーの伝達が可能であるが、DC電力は、ベースブロック16、絶縁層17及びウェーハからなるキャパシタを通過してエネルギーをウェーハの表面及びプラズマに伝達しにくいか、伝達効率が極度に低くなるという短所を有する。したがって、ウェーハに対するDC電力エネルギーの伝達効率を高め、これにより、エッチング効率を向上させる方法が作られる必要がある。
図3を参照すれば、エッチング過程でプラズマは、ウェーハの表面を基準に均一に分布される必要があり、イオン衝撃作用が、またウェーハ全体表面にわたって均一に発生する必要がある。例えば、ウェーハの中心部分とウェーハの縁部との間にプラズマの密度が均一でありながら、これと共にイオン衝撃効果が同様に発生する必要がある。これにより、工程結果の均一性が確保されながらウェーハの縁部領域のパターンプロファイル傾斜(pattern profile tilting)問題の発生が防止される。そのために、エッジリング32にDCパルス電力が印加される。バイアスDC電力モジュール13から前述した多数個のDC電極ピンに電力を供給するための配線経路が形成され、これと共にエッジリング32に直流パルス電力が印加される。具体的に、バイアスDC電力モジュール13の電力供給経路に配分回路31が形成されてエッジリング32に供給されるDCパルス電力が調節される。エッジリング32は、例えば、SiまたはSiCのような素材からなり、このような素材からなるエッジリング32が位置する部分に前述したDC電極ピンまたはこれと類似した構造のバイアスDC電力印加電極が形成されうる。エッジリング32に供給されるDCパルス電力は、ウェーハに供給されるDCパルス電力と同一または類似した特性を有しうるが、必要に応じて互いに異なる特性を有したDCパルス電力が印加される。プラズマの密度またはこれと類似したエッチング条件によって多様な特性を有したDCパルス電力がエッジリング32に印加され、これにより、本発明は制限されるものではない。
図4を参照すれば、ウェーハに対するエッチング工程過程は、ESCにバイアスDC電力印加のためのDC電極を配置する段階(P41)、ESCにウェーハが固定されれば、上部電極及び下部電極にRF高周波が印加されてプラズマが発生する段階(P42)、プラズマが発生すれば、ウェーハに接触されるDC電極にバイアスDC電力が印加される段階(P43)、及びエッジリングが位置する部分に配されたDC電極にバイアスDC電力が印加される段階(P44)を含む。
12:バイアス電力モジュール
13:バイアスDC電力モジュール
14:工程チャンバ
15:上部電極
16:ベースブロック
17:絶縁層
18:ウェーハ
21_1ないし21_N:DC電極ピン
32:エッジリング
Claims (2)
- 上部電極15にRF電力を印加する電源電力モジュール11と、
下部電極にRF電力を印加するバイアス電力モジュール12と、
ウェーハ18にバイアス直流電力を印加するバイアスDC電力モジュール13と、を含み、
前記バイアスDC電力モジュール13によって印加される1Hz~1,000kHzの周波数のバイアス直流電力は、静電チャックに配される多数個のDC電極ピン21_1ないし21_Nによって供給されると同時に、前記バイアスDC電力モジュール13の電力供給経路に形成される配分回路31を通じてエッジリング32に供給され、
前記下部電極が形成される静電チャックは、 熱伝導性素材からなるベースブロック16及びセラミックプレート形態の絶縁層17を含み、
前記多数個のDC電極ピン21_1ないし21_Nは、前記静電チャックの上側表面を垂直方向に貫通して突出し互いに異なる半径に該当する円周方向に沿って分離されて配置され、
前記多数個のDC電極ピン21_1ないし21_Nのそれぞれは、
前記ベースブロック16及び前記絶縁層17を貫通して形成される固定経路211の内部に配された弾性ユニット212と、
前記弾性ユニット212に結合されて上下移動が可能であり、上側端部が前記絶縁層17の上側に突出する曲面部位214で形成される導体になる接触ピン213と、を含む
ことを特徴とするプラズマエッチングシステム。 - 前記多数個のDC電極ピン21_1ないし21_Nは、互いに絶縁されながら2~1,000個になる
請求項1に記載のプラズマエッチングシステム。
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