JP7324889B2 - chamfering system - Google Patents

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Description

本発明は、シリコン、サファイア、化合物、ガラス等の様々な素材、特に半導体ウエーハ、ガラスパネル等のウエーハ外周部の面取りを行うウエーハ面取り機を複数有する面取り加工システム及びそれに用いられるツルーイング装置に関し、特に板状被加工材に対して砥石を傾ける研削に好適である。 The present invention relates to a chamfering system having a plurality of wafer chamfering machines for chamfering the periphery of wafers of various materials such as silicon, sapphire, compound, and glass, particularly semiconductor wafers and glass panels, and a truing device used therefor. It is suitable for grinding in which the whetstone is inclined with respect to the plate-shaped workpiece.

近年、ウエーハの品質向上の要求が強く、ウエーハ端面(エッジ部)の加工状態が重要視されている。半導体デバイス等の作製に使用されるシリコンウェーハ等の半導体ウエーハは、ハンドリングによるチッピングを防止するため、縁部を研削することで面取り加工が行われ、研磨による鏡面面取り加工が行われている。つまり、半導体製造工程において、ウエーハ製造からデバイス製造に至るまで、エッジ特性の品質改善は必要不可欠なプロセスとなっている。 In recent years, there has been a strong demand for improved quality of wafers, and the processing state of the wafer end face (edge portion) has been emphasized. 2. Description of the Related Art Semiconductor wafers such as silicon wafers used for manufacturing semiconductor devices are chamfered by grinding the edges and mirror-beveled by polishing in order to prevent chipping due to handling. In other words, in the semiconductor manufacturing process, from wafer manufacturing to device manufacturing, quality improvement of edge characteristics is an essential process.

シリコン等は固くてもろく、ウエーハの端面がスライシング時の鋭利なままでは、続く処理工程での搬送や位置合わせなどの取り扱い時に容易に割れたり欠けたりして、断片がウエーハ表面を傷つけたり汚染したりする。これを防ぐため、切り出されたウエーハの端面をダイヤモンドでコートされた面取り砥石で面取りする。 Silicon and other materials are hard and brittle, and if the edge of the wafer remains sharp during slicing, it can easily break or chip during handling such as transportation and positioning in subsequent processing steps, and the fragments can damage or contaminate the wafer surface. or In order to prevent this, the end face of the cut wafer is chamfered with a diamond-coated chamfering whetstone.

また、スマートフォンやタブレットの薄型化、軽量化のガラス基板にマスキング印刷、センサー電極形成を形成し、その後に切断することが行われている。また、面取りの加工品質、加工面粗さ、マイクロクラックの発生などがガラス基板の端面強度に直接影響する。 In addition, masking printing and sensor electrode formation are performed on glass substrates to reduce the thickness and weight of smartphones and tablets, and then the substrates are cut. In addition, the quality of chamfering, the roughness of the processed surface, the generation of microcracks, etc., directly affect the strength of the edge surface of the glass substrate.

さらに、通常の研削ではレジン砥石の回転軸に対してウエーハの主面が垂直となる状態で面取り部を研削するが、この場合、面取り部には円周方向の研削痕が発生し易い。そこで、ウエーハに対して例えばレジンボンド砥石(レジン砥石)を傾けてウエーハの面取り部を研削する、いわゆるヘリカル研削を行うことが知られている。 Furthermore, in normal grinding, the chamfered portion is ground with the main surface of the wafer perpendicular to the rotating shaft of the resin grindstone. Therefore, it is known to perform so-called helical grinding, in which, for example, a resin bond grindstone (resin grindstone) is tilted with respect to the wafer to grind the chamfered portion of the wafer.

特に、面取り面の粗さ精度を改善すると共に研摩効率を低下させないため、半導体ウエーハの周縁を研磨する半導体ウエーハの面取り方法において、砥石の回転軸を半導体ウエーハ外周の接線方向に傾けて半導体ウエーハの周縁を研磨することにより、砥石の砥粒運動方向を半導体ウエーハの研磨面に対して傾斜させることが知られ、特許文献1、2に記載されている。 In particular, in order to improve the roughness accuracy of the chamfered surface and not to reduce the polishing efficiency, in the chamfering method of the semiconductor wafer for polishing the periphery of the semiconductor wafer, the rotating shaft of the grindstone is tilted in the tangential direction of the outer periphery of the semiconductor wafer. It is known to tilt the abrasive grain motion direction of the grindstone with respect to the polishing surface of the semiconductor wafer by polishing the peripheral edge.

また、ヘリカル研削を行うと、通常研削に比べ面取り部の加工歪みを低減させるだけでなく、ウエーハの面取り部と砥石とが面接触となり、接触領域が増えて面取り部の表面粗さが改善される効果が得られる。 In addition, when helical grinding is performed, not only does processing strain on the chamfered portion be reduced compared to normal grinding, but also the chamfered portion of the wafer and the grindstone come into surface contact, increasing the contact area and improving the surface roughness of the chamfered portion. effect is obtained.

また、ウエーハ面取り機は量産ラインで採用されているが、通常1台で2~12カセットに収納されたウエーハの加工が行われる。そのため、1台のウエーハ面取り機は二つのウエーハ加工が可能で、研削砥石の回転軸を2軸設けた2軸面取り機とされることが多い。さらに、実際の量産ラインでは、ウエーハ面取り機が複数台設置され、研削部が50軸に至る加工を行う面取り加工システムとされていることもある。 Wafer chamfering machines are used in mass production lines, and usually one machine processes wafers contained in 2 to 12 cassettes. Therefore, one wafer chamfering machine is capable of processing two wafers, and is often used as a biaxial chamfering machine having two rotating shafts of grinding wheels. Furthermore, in an actual mass production line, a plurality of wafer chamfering machines may be installed, and the grinding unit may be a chamfering system that performs processing up to 50 axes.

さらに、ウエーハ面取り機で面取り加工するウエーハには所定の規格があり、ウエーハ面取り機は、その規格に合致するように加工条件を設定してウエーハの面取り加工を行うようにしている。通常は面取り加工されたウエーハの外形を測定して、規格通りにウエーハが面取り加工されているかが検査される。 Furthermore, there is a predetermined standard for the wafers to be chamfered by the wafer chamfering machine, and the wafer chamfering machine chamfers the wafer by setting processing conditions so as to meet the standard. Usually, the outer shape of a chamfered wafer is measured to check whether the wafer has been chamfered according to the standard.

特開平5-152259号公報JP-A-5-152259 特開2017-159421号公報JP 2017-159421 A

上記従来技術において、特許文献1、2に記載のものは、各ウエーハ面取り機において、ヘリカル研削を行う砥石のツルーイングを行っている。つまり、マスター砥石のマスター溝の断面形状から各ウエーハ面取り機に設けられたツルアーの外周部の断面形状へ転写し、転写されたツルアーを用いて、回転軸がウエーハWの接線方向に傾斜した砥石の溝形状を形成している。 Among the above-described prior arts, those disclosed in Patent Documents 1 and 2 perform truing of a grindstone for helical grinding in each wafer chamfering machine. That is, the cross-sectional shape of the master groove of the master grindstone is transferred to the cross-sectional shape of the outer peripheral portion of the tool provided in each wafer chamfering machine, and the transferred tool is used to make the grindstone whose rotation axis is inclined in the tangential direction of the wafer W. groove shape.

したがって、ウエーハ面取り機が複数台設置された場合、正確にそれぞれの加工条件を設定した場合であっても、各ウエーハ面取り機において常に同じ形状のウエーハが面取り加工されるとは限らず、研削砥石の回転軸の傾き、磨耗具合、研削液の供給具合等により、厳密には異なる形状として加工される場合がある。 Therefore, when a plurality of wafer chamfering machines are installed, even if processing conditions are set accurately for each wafer chamfering machine, wafers of the same shape are not always chamfered by each wafer chamfering machine. Strictly speaking, it may be machined into a different shape depending on the inclination of the rotating shaft, the degree of wear, the state of supply of grinding fluid, and the like.

具体的には、研削砥石の回転軸の傾き角度が各ウエーハ面取り機で異なると、ウエーハ端面の断面形状の対称性が異なる恐れがあった。そして、それを防ぐためには、加工後の検査工程で各ウエーハ面取り機の加工条件、特に研削砥石の回転軸の調整を行う必要があった。
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、ウエーハ面取り機が複数台設置された場合、各ウエーハ面取り機の加工条件、特に研削砥石の回転軸の設定が異なったとしても、各ウエーハ面取り機で加工されたウエーハ端面の形状精度が所定範囲に入るようにして、全体で総合的に管理することにある。
Specifically, if the inclination angle of the rotation axis of the grinding wheel is different for each wafer chamfering machine, there is a possibility that the symmetry of the cross-sectional shape of the wafer end face will be different. In order to prevent this, it has been necessary to adjust the processing conditions of each wafer chamfering machine, especially the rotation axis of the grinding wheel, in the inspection process after processing.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-described problems of the prior art. To comprehensively manage the shape accuracy of a wafer end surface processed by a chamfering machine so as to fall within a predetermined range.

特に、ヘリカル研削において、回転軸によるウエーハ端面の断面形状への影響を少なくして、多数の面取り加工を行う場合であっても、均一な品質を保ち、調整工程を減らして高い生産性を維持することにある。 In particular, in helical grinding, the influence of the rotating shaft on the cross-sectional shape of the wafer edge is reduced, maintaining uniform quality even when performing multiple chamfering processes, and maintaining high productivity by reducing adjustment processes. to do.

上記目的を達成するため、本発明は、以下の特徴を有する。 In order to achieve the above objects, the present invention has the following features.

[1] 研削砥石を用いてウエーハ外周部の面取りを行う面取り加工システムにおいて、複数のマスター溝が設けられたマスター砥石を有する砥石加工機と、コントローラと、を備え、上記コントローラは、加工された上記ウエーハの端面形状の測定値に基づいて上記研削砥石の修正に使用する上記マスター溝を決定し、上記砥石加工機は、決定された上記マスター溝を用いて上記研削砥石の研削溝を形成する、面取り加工システム。
[2] 上記コントローラは、上記端面形状の測定値を砥石形状データとして変換し、該砥石形状データと基準値との差に基づいて、使用する上記マスター溝を決定する、[1]に記載の面取り加工システム。
[3] 上記コントローラは、上記端面形状の測定値を上記研削砥石の回転軸の傾きと基準値との差を示す軸間差データとして変換し、該軸間差データに基づいて、使用する上記マスター溝を決定する、[1]又は[2]に記載の面取り加工システム。
[4] 所定の時間又は所定の上記ウエーハの加工枚数毎に測定された上記端面形状に基づき、上記コントローラは、使用する上記マスター溝を決定し、上記砥石加工機は、決定された上記マスター溝を用いて上記研削溝を形成する、[1]から[3]のいずれかに記載の面取り加工システム。
[1] A chamfering system for chamfering the outer periphery of a wafer using a grinding wheel, comprising a grindstone processing machine having a master grindstone provided with a plurality of master grooves, and a controller, wherein the controller comprises The master groove to be used for correcting the grinding wheel is determined based on the measured value of the end face shape of the wafer, and the grindstone processing machine uses the determined master groove to form the grinding groove of the grinding wheel. , chamfering system.
[2] The controller according to [1], wherein the measured value of the end face shape is converted into grindstone shape data, and the master groove to be used is determined based on the difference between the grindstone shape data and a reference value. chamfering system.
[3] The controller converts the measured value of the end face shape into inter-axis difference data indicating the difference between the inclination of the rotation axis of the grinding wheel and the reference value, and based on the inter-axis difference data, converts the above-mentioned The chamfering system according to [1] or [2], which determines a master groove.
[4] The controller determines the master grooves to be used based on the end surface shape measured at a predetermined time or every predetermined number of processed wafers, and the grindstone machine determines the master grooves thus determined. The chamfering system according to any one of [1] to [3], wherein the grinding groove is formed using

また、本発明の他の形態は、研削砥石を用いてウエーハ外周部の面取りを行うウエーハ面取り機を複数有する面取り加工システムにおいて、前記ウエーハ面取り機が複数台設置されたウエーハ面取りラインと、それぞれの前記ウエーハ面取り機で加工された前記ウエーハの端面形状を測定するウエーハ形状測定機と、前記ウエーハ形状測定機で測定された値から前記研削砥石の修正要否を判定するコントローラと、複数のマスター溝が設けられたマスター砥石を設け、前記マスター溝によって前記研削砥石の研削溝を形成可能とした砥石加工機と、を備え、前記コントローラは前記ウエーハ形状測定機で測定された値に基づいて複数の前記マスター溝からいずれかの前記マスター溝を決定し、前記砥石加工機は前記コントローラによって決定された前記マスター溝を用いて前記研削溝を形成するものである。 Another aspect of the present invention is a chamfering system having a plurality of wafer chamfering machines for chamfering the outer periphery of a wafer using a grinding wheel, wherein a wafer chamfering line in which a plurality of the wafer chamfering machines are installed; A wafer shape measuring machine that measures the edge shape of the wafer processed by the wafer chamfering machine, a controller that determines whether or not the grinding wheel needs to be corrected based on the values measured by the wafer shape measuring machine, and a plurality of master grooves. and a grindstone processing machine capable of forming a grinding groove of the grinding wheel with the master groove, wherein the controller determines a plurality of values based on the values measured by the wafer shape measuring machine. Any one of the master grooves is determined from the master grooves, and the grinding machine forms the grinding grooves using the master grooves determined by the controller.

さらに、上記において、前記コントローラは、前記ウエーハ形状測定機で測定された値を砥石形状データとして変換し、該砥石形状データと基準値との差に基づいて複数の前記マスター溝からいずれかの前記マスター溝の決定を行うことが望ましい。 Further, in the above, the controller converts the values measured by the wafer shape measuring machine as grindstone shape data, and selects one of the master grooves from the plurality of master grooves based on the difference between the grindstone shape data and a reference value. It is desirable to make a master groove determination.

さらに、上記において、前記コントローラは、前記ウエーハ形状測定機で測定された値を前記研削砥石の回転軸の傾きと基準値との差を示す軸間差データとして変換し、該軸間差データに基づいて複数の前記マスター溝からいずれかの前記マスター溝の決定を行うことが望ましい。 Further, in the above, the controller converts the value measured by the wafer shape measuring machine into inter-axis difference data indicating the difference between the inclination of the rotation axis of the grinding wheel and a reference value, and converts the value into the inter-axis difference data It is desirable to determine any one of the master grooves from the plurality of master grooves based on the above.

さらに、上記において、前記砥石加工機は、前記ウエーハ面取りラインにおけるそれぞれの前記ウエーハ面取り機で共通して用いることが可能とされたことが望ましい。 Furthermore, in the above, it is desirable that the grindstone processing machine can be used in common by each of the wafer chamfering machines in the wafer chamfering line.

さらに、上記において、前記ウエーハ面取りラインに設置された全ての前記ウエーハ面取り機に対して前記ウエーハ形状測定機で前記ウエーハの端面形状を測定し、前記コントローラによって、前記マスター溝を決定し、前記砥石加工機によって決定された前記マスター溝を用いて前記研削溝を形成することが望ましい。 Further, in the above, the end face shape of the wafer is measured by the wafer shape measuring machine for all the wafer chamfering machines installed on the wafer chamfering line, the master groove is determined by the controller, and the grindstone is It is desirable to form the ground grooves using the master grooves determined by the processing machine.

さらに、上記において、前記ウエーハ面取り機のそれぞれに対して決定した前記マスター溝をデータベース化して前記コントローラに記憶することが望ましい。 Furthermore, in the above, it is preferable that the master grooves determined for each of the wafer chamfering machines be stored in the controller as a database.

さらに、上記のものにおいて、所定の時間又は所定の前記ウエーハの加工枚数毎に前記ウエーハ形状測定機で前記ウエーハの端面形状を測定し、前記コントローラによって、前記マスター溝を決定し、前記砥石加工機によって決定された前記マスター溝を用いて前記研削溝を形成することが望ましい。 Further, in the above, the end surface shape of the wafer is measured by the wafer shape measuring machine every predetermined time or every predetermined number of wafers to be processed, and the master groove is determined by the controller, and the grinding stone machine is used. Preferably, the ground groove is formed using the master groove determined by.

さらに、上記のものにおいて、前記ウエーハ面取りラインで前記ウエーハの総加工枚数が所定値に達したとき、前記ウエーハ形状測定機で前記ウエーハの端面形状を測定し、前記コントローラによって、前記マスター溝を決定し、前記砥石加工機によって決定された前記マスター溝を用いて前記研削溝を形成することが望ましい。 Further, in the above, when the total number of processed wafers on the wafer chamfering line reaches a predetermined value, the end face shape of the wafer is measured by the wafer shape measuring machine, and the master groove is determined by the controller. and forming the ground grooves using the master grooves determined by the grinding machine.

さらに、本発明は、ウエーハを面取りする研削砥石をツルーイング加工して研削溝を形成するツルーイング装置において、前記ウエーハの端面形状を測定した値から前記研削砥石の修正要否を判定するコントローラと、複数のマスター溝が設けられたマスター砥石を設け、前記マスター溝によって前記研削溝を形成可能とした砥石加工機と、を備え、前記コントローラは前記ウエーハの端面形状を測定した値に基づいて複数の前記マスター溝からいずれかの前記マスター溝を決定し、前記砥石加工機は前記コントローラによって決定された前記マスター溝を用いて前記研削溝を形成するものである。 Further, the present invention provides a truing apparatus for forming grinding grooves by truing a grinding wheel for chamfering a wafer, wherein a controller for determining whether or not the grinding wheel needs to be corrected from a value obtained by measuring the end face shape of the wafer; and a grindstone processing machine that is provided with a master grindstone provided with a master groove of and capable of forming the grinding groove by the master groove, wherein the controller controls the plurality of the Any one of the master grooves is determined from the master grooves, and the grinding machine forms the grinding grooves using the master grooves determined by the controller.

また、上記のものにおいて、外周部に前記マスター溝の形状が転写されるツルアーと、該ツルアーを用いて、前記研削溝を形成することが望ましい。 Further, in the above-mentioned device, it is desirable to form the grinding grooves using a tool that transfers the shape of the master groove to the outer peripheral portion and the tool.

本発明によれば、それぞれのウエーハ面取り機で加工されたウエーハの端面形状を測定し、その値から研削砥石の修正要否を判定するコントローラを備え、複数のマスター溝を設けた砥石加工機からいずれかのマスター溝を決定する。そして、決定されたマスター溝を用いて研削砥石の研削溝を形成するので、研削砥石の回転軸の設定が各ウエーハ面取り機で異なったとしても、ウエーハの形状精度が所定範囲に入るようにすることができる。したがって、多数の面取り加工を行う場合であっても、均一な品質を保ち、調整工程を減らして高い生産性を維持できる。 According to the present invention, the edge shape of the wafer processed by each wafer chamfering machine is measured, and from the measured value, the controller is provided to determine whether or not the grinding wheel needs to be corrected. Determine which master groove. Since the determined master grooves are used to form the grinding grooves of the grinding wheel, even if the setting of the rotation axis of the grinding wheel is different for each wafer chamfering machine, the shape accuracy of the wafer is kept within a predetermined range. be able to. Therefore, even when a large number of chamfering processes are performed, it is possible to maintain uniform quality, reduce adjustment processes, and maintain high productivity.

本発明の一実施形態に係る面取り加工システムの構成を示すブロック図1 is a block diagram showing the configuration of a chamfering system according to an embodiment of the present invention; FIG. 一実施形態におけるウエーハ面取り機の主要部を示す正面図Front view showing main parts of a wafer chamfering machine in one embodiment 一実施形態における研削砥石の部分を拡大した側面図The side view which expanded the portion of the grinding wheel in one embodiment. 一実施形態における研削砥石とウエーハWとの関係を示す断面図Sectional view showing the relationship between the grinding wheel and the wafer W in one embodiment 一実施形態における加工後のウエーハWの形状を示す断面図A sectional view showing the shape of the wafer W after processing in one embodiment. 一実施形態におけるウエーハ面取りラインにおけるウエーハの形状精度の管理及び修正方法を示すフローチャート3 is a flow chart showing a wafer shape accuracy management and correction method in a wafer chamfering line in one embodiment. 一実施形態におけるツルーイングの動作を示した側面図Side view showing truing operation in one embodiment 一実施形態におけるマスター砥石の断面図Sectional drawing of the master whetstone in one embodiment 一実施形態におけるマスター溝を示す断面図Cross-sectional view showing a master groove in one embodiment 一実施例としてのツルーイングテスト結果を示す表Table showing truing test results as an example

以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の一実施形態に係る面取り加工システムの構成を示すブロック図である。1は、ウエーハ面取り機10が複数台設置されたウエーハ面取りラインである。ウエーハ面取りライン1は、研削砥石55(図2)をそれぞれ2軸、AB、CD、EFとして設けたウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…とされている。2はウエーハ形状測定機であり、ウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…で加工されウエーハWの端面形状などを測定する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a chamfering system according to one embodiment of the present invention. Reference numeral 1 denotes a wafer chamfering line in which a plurality of wafer chamfering machines 10 are installed. The wafer chamfering line 1 includes wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10-3, . A wafer shape measuring machine 2 measures the end surface shape of the wafer W processed by the wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10-3, . . .

3は、ツルーイング装置であり、コントローラ3-1、砥石加工機3-2を有している。ツルーイング装置3は、ウエーハ形状測定機2で測定した結果が入力され、砥石形状データとして変換する。変換された砥石形状データによってコントローラ3-1で研削砥石の修正要否を判定し、砥石形状データと基準値との差に基づいて研削砥石55(図2)を修正するためのマスター溝群143(図8、9)のいずれかのマスター溝143-1…を決定する。決定されたマスター溝143-1…を用いて、砥石加工機3-2で研削砥石55(図2)をツルーイング加工して研削砥石55(図2)の研削溝を形成する。 A truing device 3 has a controller 3-1 and a grindstone processing machine 3-2. The truing device 3 receives the results of measurement by the wafer shape measuring machine 2 and converts them into grindstone shape data. Based on the converted grindstone shape data, the controller 3-1 determines whether or not the grinding wheel needs to be corrected, and a master groove group 143 for correcting the grinding wheel 55 (FIG. 2) based on the difference between the grindstone shape data and the reference value. One of the master grooves 143-1 . . . (FIGS. 8 and 9) is determined. Using the determined master grooves 143-1 .

図2は、ウエーハ面取り機の主要部を示す正面図である。ウエーハ面取り機10は、ウエーハ送りユニット20、砥石回転ユニット50、図示しないウエーハ供給/収納部、ウエーハ洗浄/乾燥部、ウエーハ搬送手段、及びウエーハ面取り機各部の動作を制御するコントローラ等から構成されている。 FIG. 2 is a front view showing the main parts of the wafer chamfering machine. The wafer chamfering machine 10 comprises a wafer feeding unit 20, a grindstone rotating unit 50, a wafer supply/storage unit (not shown), a wafer cleaning/drying unit, a wafer conveying means, a controller for controlling the operations of each part of the wafer chamfering machine, and the like. there is

ウエーハ送りユニット20は、本体ベース11上に載置されたX軸ベース21、2本のX軸ガイドレール22、22、4個のX軸リニアガイド23、23、… 、ボールスクリュー及びステッピングモータから成るX軸駆動機構25によって図のX方向に移動されるXテーブル24を有している。 The wafer feed unit 20 includes an X-axis base 21 placed on the body base 11, two X-axis guide rails 22, 22, four X-axis linear guides 23, 23, . It has an X table 24 that is moved in the X direction in the figure by an X-axis drive mechanism 25 composed of.

Xテーブル24には、2本のY軸ガイドレール26、26、4個のY軸リニアガイド27、27、… 、図示しないボールスクリュー及びステッピングモータから成るY軸駆動機構によって図のY方向に移動されるYテーブル28が組み込まれている。 The X table 24 has two Y-axis guide rails 26, 26, four Y-axis linear guides 27, 27, . Y table 28 is incorporated.

Yテーブル28には、2本のZ軸ガイドレール29、29と図示しない4個のZ軸リニアガイドによって案内され、ボールスクリュー及びステッピングモータから成るZ軸駆動機構30によって図のZ方向に移動されるZテーブル31が組み込まれている。 The Y table 28 is guided by two Z-axis guide rails 29, 29 and four Z-axis linear guides (not shown), and is moved in the Z direction in the figure by a Z-axis drive mechanism 30 consisting of a ball screw and a stepping motor. A Z table 31 is incorporated.

Zテーブル31には、θ軸モータ32、θスピンドル33が組み込まれ、θスピンドル33にはウエーハW(板状の被加工材)を吸着載置するウェーハテーブル34が取り付けられている。ウェーハテーブル34はウェーハテーブル回転軸心CWを中心として図のθ方向に回転される。 A .theta.-axis motor 32 and a .theta.-spindle 33 are incorporated in the Z table 31, and a wafer table 34 is attached to the .theta. The wafer table 34 is rotated in the .theta. direction around the wafer table rotation axis CW.

このウエーハ送りユニット20によって、ウエーハW及びツルアー41は図のθ方向に回転されると共に、X、Y、及びZ方向に移動される。 By this wafer feeding unit 20, the wafer W and the tool 41 are rotated in the .theta. direction and moved in the X, Y and Z directions.

砥石回転ユニット50は、外周粗研削砥石52が取り付けられ、図示しない外周砥石モータによって軸心を中心に回転駆動される外周砥石スピンドル51、上方に配置されたターンテーブル53に取り付けられた外周精研スピンドル54及び外周精研モータ56を有している。 The grindstone rotation unit 50 has an outer circumference rough grinding grindstone 52 attached thereto, an outer circumference grindstone spindle 51 driven to rotate about its axis by an outer circumference grindstone motor (not shown), and an outer circumference fine grinding attached to a turntable 53 disposed above. It has a spindle 54 and an outer circumference fine-grinding motor 56 .

図3は、研削砥石55の部分を拡大した側面図であり、外周精研スピンドル54にはウエーハWの外周を仕上げ研削する面取り用砥石である研削砥石55が取り付けられる。外周精研スピンドル54は、ウエーハWの回転軸Rに対して3~20度傾斜させた状態でウエーハWの外周面取りの仕上げ加工を行う。これにより、ヘリカル研削が行われ、ウエーハWの面取り部には斜め方向に弱い研削痕が発生するものの、通常研削に比べ面取り部の表面粗さが改善される効果が得られる。 FIG. 3 is an enlarged side view of a portion of the grinding wheel 55. The grinding wheel 55, which is a chamfering wheel for finish-grinding the outer periphery of the wafer W, is attached to the outer periphery precision grinding spindle 54. As shown in FIG. The peripheral fine grinding spindle 54 performs the finishing process of chamfering the outer periphery of the wafer W in a state of being inclined with respect to the rotation axis R of the wafer W by 3 to 20 degrees. As a result, helical grinding is performed, and although weak grinding marks are generated in the oblique direction on the chamfered portion of the wafer W, the effect of improving the surface roughness of the chamfered portion compared to normal grinding is obtained.

ウエーハ加工プロセスは、スライス→面取り→ラップ→エッチング→ドナーキラー→精面取りの順で行われ、工程間には汚れを取り除くため、各種洗浄が用いられる。シリコン等は固くてもろく、ウエーハの端面がスライシング時の鋭利なままでは、続く処理工程での搬送や位置合わせなどの取り扱い時に容易に割れたり欠けたりして、断片がウエーハ表面を傷つけたり汚染したりする。これを防ぐため、面取り工程では切り出されたウエーハの端面をダイヤモンドでコートされた面取り砥石で面取りする。 The wafer processing process is performed in the order of slicing→chamfering→lapping→etching→donor killer→precision chamfering, and various types of cleaning are used between the steps to remove dirt. Silicon and other materials are hard and brittle, and if the edge of the wafer remains sharp during slicing, it can easily break or chip during handling such as transportation and positioning in subsequent processing steps, and the fragments can damage or contaminate the wafer surface. or In order to prevent this, in the chamfering step, the end face of the cut wafer is chamfered with a diamond-coated chamfering grindstone.

研削砥石55は、例えば、Fe、Cr、Cu等の金属粉等を主成分とし、ダイヤモンド砥粒を混ぜて成形したものが用いられる。その材質は、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂又はポリエチレン樹脂等を主成分とし、ダイヤモンド砥粒や立方晶窒化ホウ素砥粒を混ぜて成形したものが望ましい。 The grinding wheel 55 is made of, for example, metal powder such as Fe, Cr, Cu, etc. as a main component, mixed with diamond abrasive grains, and molded. As for the material, for example, the main component is phenol resin, epoxy resin, polyimide resin, polystyrene resin, polyethylene resin or the like, and it is desirable to mix and mold diamond abrasive grains or cubic boron nitride abrasive grains.

また、研削砥石55は、直径50mmのダイヤモンド砥粒のレジンボンド砥石で、粒度#3000が用いられる。外周精研スピンドル54は、エアーベアリングを用いたビルトインモータ駆動のスピンドルで、回転速度35,000rpmで回転される。 The grinding wheel 55 is a resin-bonded diamond wheel with a diameter of 50 mm and a grain size of #3000. The peripheral fine grinding spindle 54 is a built-in motor-driven spindle using an air bearing, and is rotated at a rotational speed of 35,000 rpm.

図4は、研削砥石55とウエーハWとの関係を示す断面図であり、回転軸Rを傾けた状態である。研削砥石55の研削溝は、上面斜面55u、中央部55C、下面斜面55dとされ、上面斜面55uは被加工材であるウエーハWの上面、下面斜面55dは下面との接触領域となる。加工されたウエーハWの上部及び下部となる上下両端(Tu、Tdの領域)は、中央部Cと比べて条痕が斜面の分、異なる向きの条痕となる。そして、ヘリカル研削の効果が十分に得られ、中央部と遜色なく加工歪み、表面粗さが改善される。 FIG. 4 is a sectional view showing the relationship between the grinding wheel 55 and the wafer W, with the rotation axis R tilted. The grinding grooves of the grinding wheel 55 are composed of an upper inclined surface 55u, a central portion 55C, and a lower inclined surface 55d. The upper and lower ends (regions of Tu and Td) of the processed wafer W, which are the upper and lower portions, have streaks in different directions compared to the central portion C due to the slope of the streaks. Then, the effect of helical grinding is sufficiently obtained, and the processing strain and surface roughness are improved to the same extent as in the central portion.

図5は、加工後のウエーハWの形状を示す断面図である。回転軸Rの傾きは、基準値が例えば15度とされていても、厳密には図1におけるウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…毎に異なる、つまり軸間差を持って設定される。また、回転軸Rの傾きがウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…で同じとしても、回転軸Rに対する研削砥石55の傾き、形状が異なる。 FIG. 5 is a sectional view showing the shape of the wafer W after processing. Strictly speaking, the inclination of the rotation axis R differs for each of the wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10-3, . . . in FIG. is set. Further, even if the inclination of the rotation axis R is the same in the wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10-3, .

回転軸Rに対する研削砥石55の傾きも軸間差とみなすことができる。さらに、軸間差以外にもウエーハWを固定するウェーハテーブル34の傾き、ウエーハWの固定状態、研削抵抗、磨耗具合、研削液の供給具合等のウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…の号機毎の違いにより、加工面の形状精度に影響を与える。 The inclination of the grinding wheel 55 with respect to the rotation axis R can also be regarded as the difference between the axes. In addition to the axial difference, the inclination of the wafer table 34 for fixing the wafer W, the fixed state of the wafer W, the grinding resistance, the wear condition, the supply condition of the grinding liquid, etc. -3…Due to the difference in each machine number, it affects the shape accuracy of the machined surface.

図5は、加工後のウエーハWの形状を示す断面図の一例であり、図5(a)は、厚さが740μmで上面A1が290μm、B1が260μm、θ1が44度に対して、下面A2が290μm、B2が240μm、θ2が42度で加工された例である。回転軸Rの軸間差などによって、A1、B1、θ1、A2、B2、θ2の値がウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…の号機毎に異なって加工される。 FIG. 5 is an example of a cross-sectional view showing the shape of the wafer W after processing. This is an example in which A2 is 290 μm, B2 is 240 μm, and θ2 is 42 degrees. The values of A1, B1, .theta.1, A2, B2, .theta.2 are different for each of the wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10-3, .

また、図5(b)は、加工後のウエーハWの形状を示す断面図の一例であり、厚さが740μmで上面A1が340μm、B1が300μm、θ1が43度に対して下面A2が250μm、B2が190μm、θ2が40度と言うように、面取り加工部の対称性が崩れて加工される場合もある。上記のことから、ウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…の号機毎に諸条件、特に回転軸の傾きの調整が重要であった。 FIG. 5(b) is an example of a cross-sectional view showing the shape of the wafer W after processing. , B2 is 190 μm, and θ2 is 40 degrees. From the above, it is important to adjust various conditions, especially the inclination of the rotation axis, for each of the wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10-3, . . .

図6は、ウエーハ面取り機10が複数台設置されたウエーハ面取りラインにおけるウエーハの形状精度の管理及び修正方法を示すフローチャートであり、特に、研削砥石の回転軸の軸間差によるウエーハWの形状への影響を修正するものである。図1のブロック図も参照して説明する。 FIG. 6 is a flowchart showing a method for controlling and correcting the shape accuracy of a wafer in a wafer chamfering line in which a plurality of wafer chamfering machines 10 are installed. It corrects for the effects of Description will also be made with reference to the block diagram of FIG.

ステップ1では、各ウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…で加工されたウエーハWを取り出し、ウエーハ形状測定機2でウエーハWの端面形状などを測定する。測定されたデータをツルーイング装置3のコントローラ3-1へ入力する。 In step 1, the wafers W processed by the respective wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10-3, . The measured data is input to the controller 3-1 of the truing device 3.

コントローラ3-1では、ステップ2として、図5のようなデータに基づいて砥石形状データ、特に砥石形状データの一つである回転軸Rの傾きを示す軸データ、あるいは回転軸Rの傾きと基準値との差を示す軸間差データとして変換する。ステップ3では、ステップ2で求められた値、軸間差データより研削砥石55の形状を修正する、つまりツルーイングの要否を判定する。 In the controller 3-1, as step 2, based on the data as shown in FIG. It converts as inter-axis difference data that indicates the difference from the value. In step 3, the shape of the grinding wheel 55 is corrected based on the value obtained in step 2 and the data on the difference between the axes, that is, it is determined whether or not truing is necessary.

図7は、ツルーイング装置3の砥石加工機3-2で行うツルーイングの動作を示した側面図である。ウエーハWの周縁を仕上げ面取りする研削砥石55のツルーイングに用いるツルーイング砥石141(以下ツルアー141と称する)が砥石加工機3-2のマスタテーブル134に取り付けられ、マスタモータ(図示せず)で回転される。砥石加工機3-2は、全てのウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…に用いられる研削砥石55のツルーイングを行うことが可能とされている。 FIG. 7 is a side view showing the truing operation performed by the grindstone processing machine 3-2 of the truing device 3. FIG. A truing grindstone 141 (hereinafter referred to as a truing tool 141) used for truing the grinding wheel 55 for finish chamfering the peripheral edge of the wafer W is mounted on the master table 134 of the grindstone processing machine 3-2 and rotated by a master motor (not shown). be. The grinding wheel processing machine 3-2 is capable of truing the grinding wheels 55 used in all the wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10-3, . . .

図8は、砥石加工機3-2に設けられるマスター砥石142の断面図である。研削砥石55のツルーイングに先立って、ツルアー141の外周部をマスター砥石142で加工し、ツルアー141の外周部にマスター砥石142の外周に設けられたマスター溝群143のうちいずれかの形状が転写される。 FIG. 8 is a cross-sectional view of the master grindstone 142 provided in the grindstone processing machine 3-2. Prior to truing the grinding wheel 55, the outer peripheral portion of the truer 141 is processed by the master grindstone 142, and the shape of one of the master grooves 143 provided on the outer periphery of the master grindstone 142 is transferred to the outer peripheral portion of the truer 141. be.

図9は、マスター溝群143を示す断面図であり、マスター溝143-1、143-2、…143-8と言うように、複数の溝が軸間差データに対応して設けられる。例えば、図3で示した回転軸Rの傾きの基準値が15度である場合、マスター溝143-1は15.0度に対応した形状、マスター溝143-2は15.5度、マスター溝143-3は16.0度、マスター溝143-4は16.5度、マスター溝143-5は17.0度、マスター溝143-6は14.5度、マスター溝143-7は14.0度、マスター溝143-8は13.5度と言うように、基準値が15度に対してプラス及びマイナスとなるように修正範囲に設定されている。基準値が18度の場合も同様である。 FIG. 9 is a sectional view showing the master groove group 143, in which a plurality of grooves are provided corresponding to the difference data between the shafts, such as master grooves 143-1, 143-2, . . . 143-8. For example, when the reference value of the inclination of the rotation axis R shown in FIG. 3 is 15 degrees, the master groove 143-1 has a shape corresponding to 15.0 degrees, 143-3 is 16.0 degrees, master groove 143-4 is 16.5 degrees, master groove 143-5 is 17.0 degrees, master groove 143-6 is 14.5 degrees, and master groove 143-7 is 14.5 degrees. The correction range is set so that the reference value is plus and minus with respect to 15 degrees, such as 0 degrees and 13.5 degrees for the master groove 143-8. The same applies when the reference value is 18 degrees.

ステップ4では、ステップ3でツルーイング要と判定されたウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…に対して砥石形状データ、特に砥石形状データと基準値との差を軸間差とし、研削砥石55の修正用としてマスター溝143-1、143-2、…143-8のいずれかが適しているかを決定する。 In step 4, for the wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10-3, . , which one of the master grooves 143-1, 143-2, . . .

ステップ5では、ステップ4で決定されたマスター溝でツルアー141の外周部を加工して決定されたマスター溝の断面形状からツルアー141の外周部の断面形状へ転写する。そして、外周部に決定されたマスター溝の断面形状が転写されたツルアー141を用いて、研削砥石55の研削溝を形成する。この加工においては、マスター砥石142が回転速度8,000rpmで回転され、図7のZ方向にツルアー141が移動して決定されたマスター溝の選択が行われる。 In step 5, the outer peripheral portion of the truer 141 is machined using the master groove determined in step 4, and the determined cross-sectional shape of the master groove is transferred to the cross-sectional shape of the outer peripheral portion of the truer 141. FIG. Then, the grinding groove of the grinding wheel 55 is formed by using the tool 141 to which the cross-sectional shape of the determined master groove is transferred to the outer peripheral portion. In this processing, the master grindstone 142 is rotated at a rotational speed of 8,000 rpm, and the master groove determined by moving the tool 141 in the Z direction in FIG. 7 is performed.

砥石加工機3-2は、ウエーハ面取り機10が複数台設置されたウエーハ面取りラインで共通して用いることが可能とされるように加工条件が決められている。したがって、共通化された砥石加工機3-2によって各ウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…の研削砥石55(図2)をツルーイング加工するので、各ウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…における個々の加工条件、特に研削砥石の回転軸の設定に依存しない。さらに、各ウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…によって異なる加工条件による形状精度に対する影響を受けず、より正確で均一な品質を持った形状で転写が行われる。 The processing conditions of the grindstone processing machine 3-2 are determined so that it can be commonly used in a wafer chamfering line in which a plurality of wafer chamfering machines 10 are installed. Therefore, since the grinding wheel 55 (FIG. 2) of each wafer chamfering machine 10-1, 10-2, 10-3, . , 10-2, 10-3, . Further, the shape precision is not affected by the different processing conditions of the wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10-3, .

ツルアー141の材質は、マスター砥石142によって加工することができる一方、研削砥石55を研削することができるものを採用する。例えば炭化珪素からなる砥粒を、必要に応じて充填剤等も加えてフェノール樹脂で結合し、これを円盤状のツルアー141に成形したものが望ましい。 A material that can be processed by the master grindstone 142 and that can be ground by the grinding grindstone 55 is adopted as the material of the truer 141 . For example, it is preferable that abrasive grains made of silicon carbide are bonded with a phenolic resin, if necessary, with a filler or the like added, and this is formed into a disc-shaped tool 141 .

また、ツルアー141は、加工されるウエーハWと同等以下の外径であり、同厚の円盤状GC(Green silicon carbide)砥石、又はWA(White fused alumina)砥石でも良く、砥石の粒度は#320程度が良い。 In addition, the tool 141 may be a disk-shaped GC (Green silicon carbide) grindstone or a WA (White fused aluminum) grindstone having an outer diameter equal to or smaller than that of the wafer W to be processed and having the same thickness, and the grain size of the grindstone is #320. Good degree.

ステップ6では、ステップ5で研削溝が形成された研削砥石55を用いてウエーハWを加工する。加工されたウエーハWは、ステップ1へ戻って再び端面形状などが測定される。なお、ステップ1の形状測定は、ウエーハ面取り機10が複数台設置されたウエーハ面取りラインが設置された初期には、ステップ1の形状測定を全てのウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…で加工されたウエーハWに対して行い、ステップ1からステップ6までの工程を行うことが望ましい。 In step 6, the wafer W is processed using the grinding wheel 55 on which the grinding grooves are formed in step 5. As shown in FIG. The processed wafer W returns to step 1 and the end face shape and the like are measured again. Note that the shape measurement in step 1 is performed for all the wafer chamfering machines 10-1, 10-2, and 10 at the initial stage of installation of a wafer chamfering line in which a plurality of wafer chamfering machines 10 are installed. It is desirable to carry out the processes from step 1 to step 6 on the wafer W processed in -3.

また、この時ステップ4において、ウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…の各号機に対してマスター溝143-1、143-2、…143-8のいずれかを決定したかをデータベース化してコントローラ3-1に記憶しておく。これにより、研削砥石の修正工程に要する時間が短縮されると共に、品質の管理が容易となる。 Also, at this time, in step 4, which one of the master grooves 143-1, 143-2, . . . are made into a database and stored in the controller 3-1. This shortens the time required for the process of correcting the grinding wheel and facilitates quality control.

図10に、ツルーイングした研削砥石55(図7)で加工したウエーハWの形状角度を実際に測定したツルーイングテスト結果を示す。テストでは、マスター溝群143(図8)のマスター溝は溝1~溝5の五種類とし、ウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…は、4機、それぞれ加工軸が2軸で、合計A~Hの8軸で行った。図10で縦軸がマスター溝である溝1~溝5、横軸が各加工軸A~Hである。なお、溝1は17.6度、溝2は17.8度、溝3は18.0度、溝4は18.2度、溝5は18.4度とした。また、図3で示した回転軸Rの傾きの基準値が18度としている。そして、加工軸毎に溝1~溝5でウエーハWを加工して形状を測定した結果である。 FIG. 10 shows the result of a truing test in which the shape angle of the wafer W processed by the trued grinding wheel 55 (FIG. 7) was actually measured. In the test, the master grooves of the master groove group 143 (FIG. 8) were of five types, grooves 1 to 5, and four wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10-3, . A total of 8 axes from A to H were used. In FIG. 10, the vertical axis represents grooves 1 to 5, which are master grooves, and the horizontal axis represents machining axes A to H. In FIG. The groove 1 was 17.6 degrees, the groove 2 was 17.8 degrees, the groove 3 was 18.0 degrees, the groove 4 was 18.2 degrees, and the groove 5 was 18.4 degrees. Also, the reference value for the inclination of the rotation axis R shown in FIG. 3 is 18 degrees. The results are obtained by processing the wafer W with the grooves 1 to 5 for each processing axis and measuring the shape.

各加工軸で溝1~溝5のうち目標形状である18.0度となるものを選択することが最適となる。図10から分かるように、加工軸Aは溝2、加工軸Bは溝3、加工軸Cは溝4(あるいは溝5)、加工軸Dは溝3、加工軸Eは溝1、加工軸Fは溝2、加工軸Gは溝2、加工軸Hは溝2が最適となる。したがって、このテスト例では、各加工軸と最適な溝との関係をデータベース化してコントローラ3-1(図1)に記憶しておく。 It is optimal to select one of the grooves 1 to 5 that has the target shape of 18.0 degrees for each machining axis. As can be seen from FIG. 10, machining axis A has groove 2, machining axis B has groove 3, machining axis C has groove 4 (or groove 5), machining axis D has groove 3, machining axis E has groove 1, and machining axis F. Groove 2 is optimum for , groove 2 is optimum for machining axis G, and groove 2 is optimum for machining axis H. Therefore, in this test example, the relationship between each machining axis and the optimum groove is made into a database and stored in the controller 3-1 (FIG. 1).

ウエーハ面取りラインが設置され、生産が行われているときは、適宜、あるいは所定の時間又は所定のウエーハWの加工枚数毎にステップ1の形状測定をウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…で加工されたウエーハWに対して行う。 When a wafer chamfering line is installed and production is being carried out, the shape measurement of step 1 is performed on the wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10 at any time, at a predetermined time, or at each predetermined number of processed wafers W. -3 Perform for the wafer W processed in . . .

この時は全てのウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…に対して総時間が所定の時間又はウエーハWの総加工枚数が所定値に達したとき、としたり、ウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…のうちいずれかが、所定の時間又は所定のウエーハWの加工枚数に達したとき、としたりすれば良い。 At this time, when the total time for all the wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10-3, . When one of 10-1, 10-2, 10-3, .

ただし、ウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…のうちいずれかが、所定の時間又は所定のウエーハWの加工枚数に達したときは、その時点でそのウエーハ面取り機の号機だけステップ1を行うことが、その時点で全てのウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…に対してステップ1を行うことよりも生産性を落とすことがなく、効率が良い。 However, when any one of the wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10-3, . Performing step 1 is more efficient than performing step 1 for all the wafer chamfering machines 10-1, 10-2, 10-3, .

いずれにしても、ステップ1からステップ6を個別のウエーハ面取り機10-1、10-2、10-3…の号機毎に行うのでなく、コントローラ3-1、砥石加工機3-2を有したツルーイング装置3を専用に設ける。これにより、集中して各ウエーハ面取り機の加工条件の違いを修正するので、量産ライン全体でウエーハの形状精度を総合的に管理することができる。なお、研削砥石55の回転軸を傾けるヘリカル研削を行うことで説明したが、回転軸を傾けない通常の端面研削においても、ステップ1からステップ6と同様の修正を行えば、同様に量産ライン全体でウエーハの形状精度を総合的に管理し、品質の均一化を図ることができる。 In any case, steps 1 to 6 are not performed for each individual wafer chamfering machine 10-1, 10-2, 10-3, . A truing device 3 is provided exclusively. As a result, differences in the processing conditions of each wafer chamfering machine are corrected intensively, so that it is possible to comprehensively manage the shape accuracy of the wafers in the entire mass production line. Although helical grinding is performed by tilting the rotation axis of the grinding wheel 55, the entire mass production line can be similarly processed by performing corrections similar to steps 1 to 6 in normal end face grinding in which the rotation axis is not tilted. This makes it possible to comprehensively manage the shape accuracy of wafers and achieve uniform quality.

W…ウエーハ、R…回転軸、1…ウエーハ面取りライン、2…ウエーハ形状測定機、3…ツルーイング装置、3-1…コントローラ、3-2…砥石加工機、10、10-1、10-2、10-3…ウエーハ面取り機、11…本体ベース、20…ウエーハ送りユニット、21…X軸ベース、22…X軸ガイドレール、23…X軸リニアガイド、24…Xテーブル、25…X軸駆動機構、26…Y軸ガイドレール、27…Y軸リニアガイド、28…Yテーブル、29…Z軸ガイドレール、30…Z軸駆動機構、31…Zテーブル、32…θ軸モータ、33…θスピンドル、34…ウェーハテーブル、41…ツルアー、50…砥石回転ユニット、51…外周砥石スピンドル、52…外周粗研削砥石、53…ターンテーブル、54…外周精研スピンドル、55…研削砥石、55u…上面斜面、55C…中央部、55d…下面斜面、56…外周精研モータ、141…ツルーイング砥石(ツルアー)、134…マスタテーブル、142…マスター砥石、143…マスター溝群、143-1、143-2、143-3、143-4、143-5、143-6、143-7、143-8…マスター溝 W... Wafer, R... Rotary axis, 1... Wafer chamfering line, 2... Wafer shape measuring machine, 3... Truing device, 3-1... Controller, 3-2... Grinding machine, 10, 10-1, 10-2 , 10-3 Wafer chamfering machine 11 Main body base 20 Wafer feeding unit 21 X-axis base 22 X-axis guide rail 23 X-axis linear guide 24 X-table 25 X-axis drive Mechanism 26 Y-axis guide rail 27 Y-axis linear guide 28 Y table 29 Z-axis guide rail 30 Z-axis drive mechanism 31 Z table 32 θ-axis motor 33 θ-spindle , 34... Wafer table, 41... Tooler, 50... Grindstone rotation unit, 51... Peripheral grindstone spindle, 52... Periphery rough grinding wheel, 53... Turntable, 54... Peripheral fine grinding spindle, 55... Grinding wheel, 55u... Top slope , 55C... central portion, 55d... lower surface slope, 56... perimeter precision grinding motor, 141... truing whetstone (truer), 134... master table, 142... master whetstone, 143... master groove group, 143-1, 143-2, 143-3, 143-4, 143-5, 143-6, 143-7, 143-8... master grooves

Claims (4)

研削砥石を用いてウエーハ外周部の面取りを行う面取り加工システムにおいて、
複数の異なる形状のマスター溝が設けられたマスター砥石を有する砥石加工機と、コントローラと、を備え、
前記コントローラは、前記研削砥石を用いて加工された前記ウエーハの端面形状の測定値に基づいて前記研削砥石の修正に使用する前記マスター溝を決定し、
前記砥石加工機は、決定された前記マスター溝を用いて前記研削砥石の研削溝を形成する、面取り加工システム。
In a chamfering system that chamfers the outer periphery of a wafer using a grinding wheel,
A grindstone processing machine having a master grindstone provided with a plurality of master grooves of different shapes , and a controller,
The controller determines the master groove to be used for correction of the grinding wheel based on the measured value of the end face shape of the wafer processed using the grinding wheel,
The chamfering system, wherein the grindstone processing machine uses the determined master groove to form a grinding groove of the grinding wheel.
前記コントローラは、前記端面形状の測定値を砥石形状データとして変換し、該砥石形状データと基準値との差に基づいて、使用する前記マスター溝を決定する、請求項1に記載の面取り加工システム。 2. The chamfering system according to claim 1, wherein the controller converts the measured value of the end face shape into grindstone shape data, and determines the master groove to be used based on the difference between the grindstone shape data and a reference value. . 前記コントローラは、前記端面形状の測定値を前記研削砥石の回転軸の傾きと基準値との差を示す軸間差データとして変換し、該軸間差データに基づいて、使用する前記マスター溝を決定する、請求項1又は2に記載の面取り加工システム。 The controller converts the measured value of the end face shape into axis difference data indicating the difference between the inclination of the rotation axis of the grinding wheel and a reference value, and selects the master groove to be used based on the axis difference data. 3. The chamfering system according to claim 1 or 2, which determines. 所定の時間又は所定の前記ウエーハの加工枚数毎に測定された前記端面形状に基づき、前記コントローラは、使用する前記マスター溝を決定し、前記砥石加工機は、決定された前記マスター溝を用いて前記研削溝を形成する、請求項1から3のいずれか1項に記載の面取り加工システム。 The controller determines the master grooves to be used based on the end surface shape measured at a predetermined time or every predetermined number of processed wafers, and the grinding machine uses the determined master grooves. 4. The chamfering system according to any one of claims 1 to 3, wherein the grinding groove is formed.
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