JP3459058B2 - Wafer chamfering method - Google Patents

Wafer chamfering method

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JP3459058B2
JP3459058B2 JP30714898A JP30714898A JP3459058B2 JP 3459058 B2 JP3459058 B2 JP 3459058B2 JP 30714898 A JP30714898 A JP 30714898A JP 30714898 A JP30714898 A JP 30714898A JP 3459058 B2 JP3459058 B2 JP 3459058B2
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一実 池田
一郎 片山
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株式会社東京精密
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ面取り方法
に係り、特に半導体素子の素材となるシリコン、ガラ
ス、セラミック等の脆性材料のウェーハの周縁を面取り
するウェーハ面取り方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer chamfering method, and more particularly to a wafer chamfering method for chamfering a peripheral edge of a wafer made of a brittle material such as silicon, glass, or ceramic, which is a material of a semiconductor element.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体素子の素材となるシリコン等のウ
ェーハは、インゴットの状態からスライシングマシン等
で薄く切り出されたのち、欠けや割れを防止するため
に、その周縁を面取り加工される。このウェーハの面取
り加工は、高速回転(周速度1000〜3000[m/
min])させた砥石に、ウェーハを相対的に近づけて
所定量切り込み、その後、ウェーハをゆっくりと回転
(周速度0.6〜3[m/min])させることによ
り、ウェーハの全周を面取りするようにしている。
2. Description of the Related Art A wafer such as silicon used as a material for a semiconductor element is thinly cut from an ingot state by a slicing machine or the like, and then its peripheral edge is chamfered to prevent chipping or cracking. The wafer is chamfered at a high speed (peripheral speed of 1000 to 3000 [m / m
min]), the wafer is relatively moved closer to the grindstone, and a predetermined amount is cut, and then the wafer is slowly rotated (peripheral speed 0.6 to 3 [m / min]) to chamfer the entire circumference of the wafer. I am trying to do it.
【0003】ところで、上記の方法でウェーハ1枚あた
りの加工時間を短縮してスループットを向上させるため
には、所定量切り込んだ後に回転させるウェーハの周速
度を上げればよい。そして、このウェーハの周速度を上
げる手段としては、砥石の回転速度を上げる方法と、砥
石のメッシュを粗くする方法がある。
By the way, in order to shorten the processing time per wafer and improve the throughput by the above method, the peripheral speed of the wafer to be rotated after cutting by a predetermined amount may be increased. Then, as means for increasing the peripheral speed of the wafer, there are a method of increasing the rotation speed of the grindstone and a method of roughening the mesh of the grindstone.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、砥石は
消耗品であるため交換を要し、この交換した砥石のウェ
イトバランスが悪いと高速回転させた際に振動が発生
し、研削面に不良(深いダメージやコインマーク、チッ
ピング、クラック等)が発生するという欠点がある。こ
のため、砥石の高速化には限界がある。
However, since the grindstone is a consumable item, it needs to be replaced. If the weight balance of the replaced grindstone is poor, vibration occurs when the grindstone is rotated at a high speed, and the grinding surface is defective (deep). There is a drawback that damage, coin marks, chipping, cracks, etc. occur. Therefore, there is a limit to the speedup of the grindstone.
【0005】また、メッシュの粗い砥石は外周を削り取
る量が多いため、ダメージが深く入りやすいという欠点
がある。このため、エッチングにより外径を小さくする
方法や、面取り加工を段階的に行って直径を小さくする
方法が採られており、結果的にスループットが低下する
という欠点がある。本発明は、このような事情に鑑みて
なされたもので、高精度な面取り加工を行うことができ
るウェーハ面取り方法を提供することを目的とする。
Further, since a grindstone having a coarse mesh has a large amount of scraping off the outer periphery, it has a drawback that it is easily damaged deeply. Therefore, a method of reducing the outer diameter by etching or a method of gradually chamfering to reduce the diameter is adopted, and as a result, there is a drawback that the throughput is reduced. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a wafer chamfering method capable of performing highly accurate chamfering.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
前記目的を達成するために、砥石を周速度1000[m
/min]以上で連続的に高速回転させるとともに、前
記砥石から所定距離離れた位置に位置したウェーハを周
速度30[m/min]以上で前記砥石と同方向に連続
的に高速回転させ、その連続的に高速回転する砥石とウ
ェーハとを所定の軸間距離に達するまで相対的に近づけ
ることにより、ウェーハの周縁を砥石で小量ずつ研削し
て面取り加工することを特徴とする。本発明によれば、
砥石とウェーハとを高速回転させることにより、加工ス
ピードを上げることができ、加工時間の短縮化が図れ
る。また、ウェーハの周縁を小量ずつ研削することによ
り、研削面にダメージを受けるのを防止することがで
き、研削面の加工精度が向上する。
The invention according to claim 1 is
In order to achieve the above object, the grindstone is rotated at a peripheral speed of 1000 [m
/ Min] or higher, continuously rotating at high speed
Dividing the c Eha located from serial grindstone at a predetermined distance away
By continuously rotating the grindstone at a high speed in the same direction as the grindstone at a speed of 30 [m / min] or more, and bringing the grindstone continuously rotating at the high speed relatively close to the wafer until a predetermined axial distance is reached, the wafer It is characterized in that the peripheral edge of is chamfered by grinding a small amount with a grindstone. According to the invention,
By rotating the grindstone and the wafer at high speed, the processing speed can be increased and the processing time can be shortened. Further, by grinding the peripheral edge of the wafer in small amounts, it is possible to prevent the ground surface from being damaged and improve the processing accuracy of the ground surface.
【0007】また、請求項2に係る発明は、前記目的を
達成するために、所定間隔Dを有する互いに平行な2直
線上に砥石とウェーハとを別々に配置し、前記砥石を周
速度1000[m/min]以上で高速回転させるとと
もに、前記ウェーハを周速度30[m/min]以上で
前記砥石と同方向に高速回転させ、前記直線上を前記ウ
ェーハ若しくは前記砥石又はその双方を移動させて、前
記ウェーハの周縁に前記砥石を接触させて、前記ウェー
ハの周縁を前記砥石で小量ずつ研削して面取り加工する
ことを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, a grinding stone and a wafer are separately arranged on two parallel straight lines having a predetermined distance D, and the grinding stone is surrounded.
When rotating at a high speed of 1000 [m / min] or more
At the peripheral speed of 30 [m / min] or more,
Rotate at high speed in the same direction as the grindstone, move the wafer or the grindstone or both on the straight line, contact the grindstone to the peripheral edge of the wafer, the peripheral edge of the wafer with the grindstone in small amounts Characterized by grinding and chamfering.
【0008】本発明によれば、砥石とウェーハとを高速
回転させることにより、加工スピードを上げることがで
き、加工時間の短縮化が図れる。また、ウェーハの周縁
を小量ずつ研削することにより、研削面にダメージを受
けるのを防止することができ、研削面の加工精度が向上
する。また、請求項に係る発明は、前記目的を達成す
るために、回転する砥石と、回転するウェーハとを相対
的に近づけることにより、ウェーハの周縁を砥石で研削
して面取り加工するウェーハ面取り方法であって、大径
の砥石で粗面取り加工したのち、小径の砥石で仕上げ面
取り加工するウェーハ面取り方法において、前記仕上げ
面取り加工に使用する小径の砥石は、レジンボンド砥石
であるとともに、外周に断面台形状の溝を有し、該溝は
両縁部が円弧状に形成されており、前記小径の砥石の回
転軸を前記ウェーハの回転軸に対して所定角度傾斜させ
て設置することにより、前記小径の砥石の砥粒運動方向
を前記ウェーハの回転方向に対して傾斜させてあり、ま
ず、前記溝の平坦面に前記ウェーハの外周部周面を当接
し、次に、前記平坦面に沿って前記ウェーハを移動さ
せ、前記溝の一方側の傾斜面に前記ウェーハの外周部一
方側面取り面を当接し、次に、前記傾斜面及び前記円弧
面に沿って前記ウェーハを移動させ、該ウェーハの外周
部周面一方側コーナー部を前記円弧面と同じ曲率に研削
し、次に、前記溝の平坦面に前記ウェーハの外周部周面
を当接し、次に、前記平坦面に沿って前記ウェーハを移
動させ、前記溝の他方側の傾斜面に前記ウェーハの外周
部他方側面取り面を当接し、次に、前記傾斜面及び前記
円弧面に沿って前記ウェーハを移動させ、該ウェーハの
外周部周面他方側コーナー部を前記円弧面と同じ曲率に
研削し、前記ウェーハを面取り加工することを特徴とす
る。
According to the present invention, by rotating the grindstone and the wafer at a high speed, the processing speed can be increased and the processing time can be shortened. Further, by grinding the peripheral edge of the wafer in small amounts, it is possible to prevent the ground surface from being damaged and improve the processing accuracy of the ground surface. Further, in order to achieve the above-mentioned object, the invention according to claim 8 is a wafer chamfering method for chamfering by grinding a peripheral edge of a wafer with a grindstone by bringing a rotating grindstone and a rotating wafer relatively close to each other. That is, after chamfering with a large-diameter grindstone, in a wafer chamfering method of finishing chamfering with a small-diameter grindstone, the small-diameter grindstone used for the finishing chamfering is a resin bond grindstone and has a cross section on the outer periphery. It has a trapezoidal groove, and the groove is
Both edges are formed in an arc shape, by installing the rotation axis of the small-diameter grindstone inclined by a predetermined angle with respect to the rotation axis of the wafer, the abrasive grain movement direction of the small-diameter grindstone is the wafer. Yes by the inclined with respect to the rotation direction, or
Without contacting the peripheral surface of the wafer with the flat surface of the groove.
And then move the wafer along the flat surface.
The outer peripheral portion of the wafer on the inclined surface on one side of the groove.
Abutting the chamfered side, then the inclined surface and the arc
Move the wafer along the surface and
Grind one side corner of the peripheral surface to the same curvature as the arc surface
Then, on the flat surface of the groove, the outer peripheral surface of the wafer is formed.
Contact, then transfer the wafer along the flat surface.
To move the outer periphery of the wafer to the inclined surface on the other side of the groove.
Abutting the other side chamfer, and then the inclined surface and the
Move the wafer along the arc surface,
Peripheral surface Peripheral surface Corner on the other side has the same curvature as the arc surface
It is characterized by grinding and chamfering the wafer .
【0009】本発明によれば、仕上げ面取り加工を小径
の砥石で実施することにより、砥石の振動の発生を抑制
することができ、加工精度の向上を図ることができる。
According to the present invention, by performing the finishing chamfering process with a grindstone having a small diameter, it is possible to suppress the vibration of the grindstone and improve the machining accuracy.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るウェーハ面取り方法の好ましい実施の形態について詳
説する。図1、図2は、それぞれ本発明に係るウェーハ
面取り方法が適用されるウェーハ面取り装置の構成を示
す側面図と平面図である。また、図3、図4は、それぞ
れ図1のA−A断面図とB−B断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of a wafer chamfering method according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. 1 and 2 are a side view and a plan view, respectively, showing the configuration of a wafer chamfering apparatus to which a wafer chamfering method according to the present invention is applied. 3 and 4 are a sectional view taken along the line AA and a sectional view taken along the line BB of FIG. 1, respectively.
【0011】図1及び図2に示すように、ウェーハ面取
り装置10は、主としてウェーハ送りユニット42、外
周加工ユニット44及びノッチ加工ユニット46から構
成されている。まず、ウェーハ送りユニット42の構成
について説明する。図1及び図3に示すように、水平に
配設されたベースプレート50上には、一対のY軸ガイ
ドレール52、52が所定の間隔をもって敷設されてい
る。この一対のY軸ガイドレール52、52上にはY軸
リニアガイド54、54、…を介してY軸テーブル56
がスライド自在に支持されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the wafer chamfering device 10 is mainly composed of a wafer feeding unit 42, an outer peripheral processing unit 44 and a notch processing unit 46. First, the configuration of the wafer feed unit 42 will be described. As shown in FIGS. 1 and 3, a pair of Y-axis guide rails 52, 52 are laid at predetermined intervals on a horizontally arranged base plate 50. The Y-axis table 56 is provided on the pair of Y-axis guide rails 52, 52 via Y-axis linear guides 54, 54, ....
Is slidably supported.
【0012】Y軸テーブル56の下面にはナット部材5
8が固着されており、該ナット部材58は前記一対のY
軸ガイドレール52、52の間に配設されたY軸ボール
ネジ60に螺合されている。Y軸ボールネジ60は、そ
の両端部が前記ベースプレート50上に配設された軸受
部材62、62に回動自在に支持されており、その一方
端には一方の軸受部材62に設けられたY軸モータ64
の出力軸が連結されている。Y軸ボールネジ60は、こ
のY軸モータ64を駆動することにより回動し、この結
果、前記Y軸テーブル56がY軸ガイドレール52、5
2に沿って水平にスライド移動する。なお、以下、この
Y軸テーブル56がスライドする方向をY軸方向とす
る。
The nut member 5 is provided on the lower surface of the Y-axis table 56.
8 is fixed, and the nut member 58 is the pair of Y
It is screwed into a Y-axis ball screw 60 arranged between the shaft guide rails 52, 52. Both ends of the Y-axis ball screw 60 are rotatably supported by bearing members 62, 62 arranged on the base plate 50, and one end of the Y-axis ball screw 60 is provided with the Y-axis ball screw 60. Motor 64
The output shafts of are connected. The Y-axis ball screw 60 is rotated by driving the Y-axis motor 64, and as a result, the Y-axis table 56 is moved by the Y-axis guide rails 52, 5.
Slide horizontally along 2. Note that, hereinafter, the direction in which the Y-axis table 56 slides is referred to as the Y-axis direction.
【0013】前記Y軸テーブル56上には、図2及び図
4に示すように、前記一対のY軸ガイドレール52、5
2と直交するように一対のX軸ガイドレール66、66
が敷設されている。この一対のX軸ガイドレール66、
66上にはX軸リニアガイド68、68、…を介してX
軸テーブル70がスライド自在に支持されている。X軸
テーブル70の下面にはナット部材72が固着されてお
り、該ナット部材72は前記一対のX軸ガイドレール6
6、66の間に配設されたX軸ボールネジ74に螺合さ
れている。X軸ボールネジ74は、その両端部が前記X
軸テーブル70上に配設された軸受部材76、76に回
動自在に支持されており、その一方端には一方の軸受部
材76に設けられたX軸モータ78の出力軸が連結され
ている。X軸ボールネジ74は、このX軸モータ78を
駆動することにより回動し、この結果、前記X軸テーブ
ル70がX軸ガイドレール66、66に沿って水平にス
ライド移動する。なお、以下、このX軸テーブル70が
スライドする方向をX軸方向とする。
On the Y-axis table 56, as shown in FIGS. 2 and 4, the pair of Y-axis guide rails 52, 5 are provided.
A pair of X-axis guide rails 66, 66 so as to be orthogonal to 2
Has been laid. This pair of X-axis guide rails 66,
X on the 66 through X-axis linear guides 68, 68 ,.
A shaft table 70 is slidably supported. A nut member 72 is fixed to the lower surface of the X-axis table 70, and the nut member 72 is used for the pair of X-axis guide rails 6.
It is screwed to an X-axis ball screw 74 arranged between the parts 6 and 66. Both ends of the X-axis ball screw 74 have the X
It is rotatably supported by bearing members 76, 76 arranged on the shaft table 70, and an output shaft of an X-axis motor 78 provided on one bearing member 76 is connected to one end thereof. . The X-axis ball screw 74 is rotated by driving the X-axis motor 78, and as a result, the X-axis table 70 horizontally slides along the X-axis guide rails 66, 66. Note that, hereinafter, the direction in which the X-axis table 70 slides is referred to as the X-axis direction.
【0014】前記X軸テーブル70上には、図2及び図
3に示すように、垂直にZ軸ベース80が立設されてお
り、該Z軸ベース80には一対のZ軸ガイドレール8
2、82が所定の間隔をもって敷設されている。この一
対のZ軸ガイドレール82、82にはZ軸リニアガイド
84、84を介してZ軸テーブル86がスライド自在に
支持されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, a Z-axis base 80 is vertically provided on the X-axis table 70, and the Z-axis base 80 has a pair of Z-axis guide rails 8.
2, 82 are laid at a predetermined interval. A Z-axis table 86 is slidably supported on the pair of Z-axis guide rails 82, 82 via Z-axis linear guides 84, 84.
【0015】Z軸テーブル86の側面にはナット部材8
8が固着されており、該ナット部材88は前記一対のZ
軸ガイドレール82、82の間に配設されたZ軸ボール
ネジ90に螺合されている。Z軸ボールネジ90は、そ
の両端部が前記Z軸ベース80に配設された軸受部材9
2、92に回動自在に支持されており、その下端部には
下側の軸受部材92に設けられたZ軸モータ94の出力
軸が連結されている。Z軸ボールネジ90は、このZ軸
モータ94を駆動することにより回動し、この結果、前
記Z軸テーブル86がZ軸ガイドレール82、82に沿
って垂直にスライド移動する。なお、以下、このZ軸テ
ーブル86がスライドする方向をZ軸方向とする。
The nut member 8 is provided on the side surface of the Z-axis table 86.
8 is fixed, and the nut member 88 is the pair of Z
It is screwed onto a Z-axis ball screw 90 arranged between the shaft guide rails 82, 82. The Z-axis ball screw 90 has a bearing member 9 whose both ends are arranged on the Z-axis base 80.
It is rotatably supported by 2 and 92, and the output shaft of a Z-axis motor 94 provided on the lower bearing member 92 is connected to the lower end thereof. The Z-axis ball screw 90 is rotated by driving the Z-axis motor 94, and as a result, the Z-axis table 86 slides vertically along the Z-axis guide rails 82, 82. Note that, hereinafter, the direction in which the Z-axis table 86 slides is the Z-axis direction.
【0016】前記Z軸テーブル86上にはθ軸モータ9
6が垂直に設置されている。このθ軸モータ96の出力
軸にはθ軸シャフト98が連結されており、このθ軸シ
ャフト98の上端部にウェーハテーブル100が水平に
固着されている。面取り加工するウェーハWは、このウ
ェーハテーブル100上に位置決めして載置され、真空
吸着によって保持される。そして、保持されたウェーハ
Wは、前記θ軸モータ96を駆動することによりθ軸回
りに回転する。
The θ-axis motor 9 is mounted on the Z-axis table 86.
6 is installed vertically. A θ-axis shaft 98 is connected to the output shaft of the θ-axis motor 96, and a wafer table 100 is horizontally fixed to the upper end of the θ-axis shaft 98. The wafer W to be chamfered is positioned and placed on the wafer table 100 and held by vacuum suction. Then, the held wafer W is rotated around the θ axis by driving the θ axis motor 96.
【0017】以上のように構成されたウェーハ送りユニ
ット42において、ウェーハテーブル100は、Y軸モ
ータ64を駆動することによりY軸方向に沿って水平に
スライド移動し、X軸モータ78を駆動することにより
X軸方向に沿って水平にスライド移動する。そして、Z
軸モータ94を駆動することによりZ軸方向に沿って垂
直にスライド移動し、θ軸モータ96を駆動することに
よりθ軸回りに回転する。
In the wafer feeding unit 42 configured as described above, the wafer table 100 drives the Y-axis motor 64 to slide horizontally along the Y-axis direction and drive the X-axis motor 78. Slides horizontally along the X-axis. And Z
By driving the shaft motor 94, it slides vertically along the Z-axis direction, and by driving the θ-axis motor 96, it rotates about the θ-axis.
【0018】次に、外周加工ユニット44の構成につい
て説明する。図1、図2及び図5に示すように、前記ベ
ースプレート50上には垂直に架台102が設置されて
いる。架台102上には外周モータ104が垂直に設置
されており、この外周モータ104の出力軸には外周ス
ピンドル106が連結されている。ウェーハWの外周を
面取り加工する外周加工砥石108は、この外周スピン
ドル106に装着される。そして、装着された外周加工
砥石108は、前記外周モータ104を駆動することに
より回転する。
Next, the structure of the outer periphery processing unit 44 will be described. As shown in FIGS. 1, 2, and 5, a pedestal 102 is vertically installed on the base plate 50. An outer peripheral motor 104 is vertically installed on the frame 102, and an outer peripheral spindle 106 is connected to an output shaft of the outer peripheral motor 104. An outer peripheral grinding stone 108 for chamfering the outer periphery of the wafer W is mounted on the outer peripheral spindle 106. Then, the mounted outer peripheral processing grindstone 108 is rotated by driving the outer peripheral motor 104.
【0019】ここで、この外周加工砥石108の外周に
は、ウェーハWに要求される面取り形状と同じ形状の溝
108a、108bが2段形成されており(総形砥
石)、この溝108a、108bにウェーハWの周縁を
押し当てることにより、ウェーハWの周縁が面取り加工
される(なお、このような溝形状の砥石を『R型砥石』
という。)。
Here, on the outer periphery of the outer peripheral processing grindstone 108, two stages of grooves 108a and 108b having the same shape as the chamfered shape required for the wafer W are formed (general-shaped grindstone), and these grooves 108a and 108b are formed. The peripheral edge of the wafer W is chamfered by pressing the peripheral edge of the wafer W onto the wafer (note that such a groove-shaped grindstone is called an "R-shaped grindstone").
Say. ).
【0020】外周加工ユニット44は以上のように構成
される。なお、以下、この外周加工ユニット44の外周
加工砥石108の回転中心Oを通りY軸ガイドレール5
2、52と平行な直線を『Y軸』とし、外周加工砥石1
08の回転中心Oを通りX軸ガイドレール66、66と
平行な直線を『X軸』とする。そして、外周加工砥石1
08の回転軸を『Z軸』とする。
The outer peripheral processing unit 44 is constructed as described above. In addition, hereinafter, the Y-axis guide rail 5 passes through the rotation center O of the outer peripheral processing grindstone 108 of the outer peripheral processing unit 44.
The straight line parallel to 2, 52 is the "Y axis", and the outer peripheral grinding wheel 1
A straight line passing through the rotation center O of 08 and parallel to the X-axis guide rails 66, 66 is referred to as "X-axis". And the outer peripheral processing grindstone 1
The 08 rotation axis is referred to as the “Z axis”.
【0021】次に、ノッチ加工ユニット46の構成につ
いて説明する。図1、図2及び図5に示すように、前記
架台102の側部には前記外周加工砥石108の回転軸
(Z軸)に沿って支柱110が垂直に配設されている。
この支柱110の下端部は前記架台102の側面に支持
されており、その上端部には水平な梁部110Aが一体
成形されている。梁部110Aの先端には、一対の軸受
部材112、112が配設されており、該軸受部材11
2、112にピン114を介してアーム116が揺動自
在に支持されている。
Next, the structure of the notch processing unit 46 will be described. As shown in FIG. 1, FIG. 2 and FIG. 5, columns 110 are vertically arranged on the sides of the gantry 102 along the rotation axis (Z axis) of the outer peripheral processing grindstone 108.
The lower end of the column 110 is supported by the side surface of the gantry 102, and the horizontal beam 110A is integrally formed on the upper end thereof. A pair of bearing members 112, 112 are arranged at the tip of the beam portion 110A.
An arm 116 is swingably supported by the pins 2 and 112 via a pin 114.
【0022】アーム116の先端にはノッチモータ11
8が支持されており、該ノッチモータ118の出力軸に
はノッチスピンドル120が連結されている。ノッチを
面取り加工するノッチ加工砥石122は、このノッチス
ピンドル120に装着される。そして、装着されたノッ
チ加工砥石122はノッチモータ118を駆動すること
により回転する。
A notch motor 11 is provided at the tip of the arm 116.
8 is supported, and a notch spindle 120 is connected to the output shaft of the notch motor 118. A notch grindstone 122 for chamfering the notch is mounted on the notch spindle 120. Then, the notched grindstone 122 thus mounted is rotated by driving the notch motor 118.
【0023】なお、前記アーム116は図示しないロッ
ク手段によって固定できるように構成されている。そし
て、このロック手段によって固定することにより、アー
ム116は、図1又は図5に示すように水平に保持さ
れ、この状態において、ノッチ加工砥石122はY軸上
に位置する。また、詳しくは図示されていないが、この
ノッチ加工砥石122の外周にも前記外周加工砥石10
8と同様にウェーハWに要求される面取り形状と同じ形
状の溝が2段形成されている。
The arm 116 is constructed so that it can be fixed by a locking means (not shown). Then, by fixing with this locking means, the arm 116 is held horizontally as shown in FIG. 1 or 5, and in this state, the notched grindstone 122 is located on the Y axis. Although not shown in detail, the outer peripheral processing stone 10 is also provided on the outer periphery of the notch processing stone 122.
As in No. 8, two stages of grooves having the same shape as the chamfered shape required for the wafer W are formed.
【0024】次に、前記のごとく構成されたウェーハ面
取り装置10を用いた本発明に係るウェーハ面取り方法
の第1の実施の形態について説明する。加工開始前の初
期状態において、ウェーハテーブル100は、その回転
軸θがY軸上に位置した状態で外周加工砥石108から
所定距離離れた位置に位置している。また、外周加工砥
石108に対して所定高さの位置に位置している。
Next, a first embodiment of the wafer chamfering method according to the present invention using the wafer chamfering device 10 configured as described above will be described. In the initial state before the start of processing, the wafer table 100 is located at a position separated from the outer peripheral processing grindstone 108 by a predetermined distance with its rotation axis θ located on the Y axis. Further, it is located at a predetermined height with respect to the outer peripheral processing grindstone 108.
【0025】まず、ウェーハWを図示しない搬送装置に
よってウェーハテーブル100上に位置決めして載置す
る。この際、ウェーハWは、その中心OW がウェーハテ
ーブル100の回転軸θと一致するように載置し、ま
た、そのノッチNOがY軸上に位置するように載置す
る。このようにしてウェーハテーブル100上に載置さ
れたウェーハWは、図6(a)に示すように、その中心
W がY軸上に位置するとともに、外周加工砥石108
から所定距離離れた位置に位置する。また、外周加工砥
石108の下側の溝108aと同じ高さに位置する。以
下、この加工前のウェーハWの位置を『基準位置』とす
る。
First, the wafer W is positioned and placed on the wafer table 100 by a transfer device (not shown). At this time, the wafer W is placed so that its center O W coincides with the rotation axis θ of the wafer table 100, and its notch NO is placed on the Y axis. Wafer W placed on the wafer table 100 in this manner, as shown in FIG. 6 (a), with its center O W is located on the Y axis, periphery grinding wheel 108
It is located at a predetermined distance from. Further, it is located at the same height as the groove 108a on the lower side of the peripheral processing grindstone 108. Hereinafter, the position of the wafer W before processing will be referred to as a “reference position”.
【0026】次に、ウェーハテーブル100上に載置さ
れたウェーハWを真空吸着によって保持する。そして、
この保持後、面取り加工が開始される。面取りは、まず
初めにウェーハWの外周(ウェーハWの円形部)から行
われる。図6(a)〜(d)には、そのウェーハWの円
形部を面取り加工する場合の加工手順が示されている。
Next, the wafer W placed on the wafer table 100 is held by vacuum suction. And
After this holding, chamfering is started. The chamfering is first performed from the outer periphery of the wafer W (the circular portion of the wafer W). FIGS. 6A to 6D show a processing procedure for chamfering the circular portion of the wafer W.
【0027】まず、外周モータ104とθ軸モータ96
が駆動される。これにより、外周加工砥石108とウェ
ーハテーブル100が共に同方向に高速回転する。ここ
で、外周加工砥石108の周速度は、外周加工砥石10
8を高速回転させた際に生じる振動値を測定し、その測
定結果に基づいて設定するが、余りに低い速度では本発
明の所望の効果を得ることができず、また、余りに速い
速度では研削面に振動の影響が出るので、外周加工砥石
108は、その周速度が1000[m/min]以上、
好ましくは1500〜3000[m/min]の範囲の
速さで回転するように駆動する。
First, the outer peripheral motor 104 and the θ-axis motor 96
Is driven. As a result, the outer peripheral processing grindstone 108 and the wafer table 100 both rotate in the same direction at high speed. Here, the peripheral speed of the outer peripheral processing grindstone 108 is
The vibration value generated when 8 was rotated at high speed was measured and set based on the measurement result. However, if the speed is too low, the desired effect of the present invention cannot be obtained. Since the vibration is exerted on the outer peripheral processing grindstone 108, the peripheral speed of the outer peripheral processing grindstone 108 is 1000 [m / min] or more,
It is preferably driven so as to rotate at a speed in the range of 1500 to 3000 [m / min].
【0028】また、ウェーハテーブル100で保持した
ウェーハWの周速度は、外周加工砥石108の粒度と周
速度からウェーハWの加工量を算出し、その算出した加
工量に基づいて設定するが、余りに低い速度では本発明
の所望の効果を得ることができないので、ウェーハテー
ブル100は、その保持したウェーハWの周速度が30
[m/min]以上、好ましくは100〜1000[m
/min]の範囲の速さで回転するように駆動する。
The peripheral speed of the wafer W held on the wafer table 100 is set based on the calculated processing amount by calculating the processing amount of the wafer W from the grain size and the peripheral speed of the outer peripheral processing grindstone 108. Since the desired effect of the present invention cannot be obtained at a low speed, the wafer table 100 has the peripheral speed of the held wafer W of 30.
[M / min] or more, preferably 100 to 1000 [m
/ Min] to rotate at a speed in the range.
【0029】外周加工砥石108とウェーハテーブル1
00の回転が安定したところで、次に、Y軸モータ64
が駆動され、ウェーハWがY軸上を外周加工砥石108
に向かって送られる。ここで、このウェーハWの送り速
度は、ウェーハWが外周加工砥石108に接触する直前
で減速され、その後、ウェーハWは外周加工砥石108
に向かってゆっくりとしたスピードで送られる。
Peripheral processing grindstone 108 and wafer table 1
00 rotation is stable, next, Y-axis motor 64
Is driven, and the wafer W moves along the Y-axis along the outer peripheral processing stone 108.
Sent to. Here, the feed rate of the wafer W is reduced immediately before the wafer W comes into contact with the outer peripheral processing stone 108, and thereafter, the wafer W is peripherally processed.
Sent at a slow speed towards.
【0030】ここで、このウェーハWの送り速度は、ウ
ェーハWの研削面が受けるダメージを実験により測定
し、その測定結果に基づいて設定するが、約0.01〜
0.05[mm/sec]の範囲に設定するのが好まし
い。本実施の形態では、約0.02[mm/sec]で
ウェーハWを送る。外周加工砥石108に向かって送ら
れたウェーハWは、図6(b)に示すように、その周縁
が外周加工砥石108の溝108aに接触する。この接
触後もウェーハWは所定の送り速度(約0.02[mm
/sec])で外周加工砥石108に向けて送られ、こ
の結果、ウェーハWの円形部が外周加工砥石108に微
小量ずつ研削されて面取り加工される。
Here, the feed rate of the wafer W is set on the basis of the result of measurement by measuring the damage received on the ground surface of the wafer W by an experiment, and is about 0.01-
It is preferable to set it in the range of 0.05 [mm / sec]. In the present embodiment, the wafer W is sent at about 0.02 [mm / sec]. As shown in FIG. 6B, the peripheral edge of the wafer W sent to the peripheral processing grindstone 108 contacts the groove 108 a of the peripheral processing grindstone 108. Even after this contact, the wafer W has a predetermined feed speed (about 0.02 [mm
/ Sec]) to the outer peripheral processing grindstone 108, and as a result, the circular portion of the wafer W is chamfered by being ground by the outer peripheral processing grindstone 108 in minute amounts.
【0031】ウェーハWの送りは、図6(c)に示すよ
うに、外周加工砥石108とウェーハテーブル100と
の軸間距離が所定距離Lに達するまで与えられる。そし
て、この軸間距離が所定距離Lに達するとY軸モータ6
4の駆動が停止され、停止後、逆方向に駆動される。こ
れにより、ウェーハWは、図6(d)に示すように、Y
軸上を外周加工砥石108から離れる方向に移動し、基
準位置に復帰する。そして、ウェーハWが初期位置に復
帰すると、θ軸モータ96及び外周モータ104の駆動
が停止され、ウェーハテーブル100及び外周加工砥石
108の回転が停止される。
As shown in FIG. 6C, the wafer W is fed until the axial distance between the outer peripheral processing stone 108 and the wafer table 100 reaches a predetermined distance L. When the inter-axis distance reaches the predetermined distance L, the Y-axis motor 6
The driving of No. 4 is stopped, and after stopping, it is driven in the opposite direction. As a result, the wafer W is moved to the Y direction as shown in FIG.
It moves on the shaft in the direction away from the outer peripheral processing stone 108 and returns to the reference position. Then, when the wafer W returns to the initial position, the drive of the θ-axis motor 96 and the outer peripheral motor 104 is stopped, and the rotation of the wafer table 100 and the outer peripheral processing grindstone 108 is stopped.
【0032】以上により、ウェーハWの円形部の面取り
加工が終了する。次いで、ウェーハWのノッチNOの面
取り加工が行われる。基準位置に復帰したウェーハW
は、図6(d)に示すように、そのノッチNOがY軸上
に位置している。この状態からZ軸モータ94が駆動さ
れ、ウェーハテーブル100が所定量上昇する。この結
果、ノッチ加工砥石122の下側の溝と同じ高さの位置
にウェーハWが位置する。次に、X軸モータ78が駆動
され、ウェーハWがX軸方向に所定量移動する。この結
果、図7(a)に示すように、ウェーハWに形成された
ノッチNOのコーナーNRがY軸上に位置する。以下、
このウェーハWの位置を『ノッチ加工基準位置』とす
る。
With the above, the chamfering process of the circular portion of the wafer W is completed. Next, chamfering of the notch NO of the wafer W is performed. Wafer W returned to the reference position
Has its notch NO located on the Y axis, as shown in FIG. 6 (d). From this state, the Z-axis motor 94 is driven and the wafer table 100 is raised by a predetermined amount. As a result, the wafer W is positioned at the same height as the lower groove of the notch grindstone 122. Next, the X-axis motor 78 is driven and the wafer W moves in the X-axis direction by a predetermined amount. As a result, as shown in FIG. 7A, the corner NR of the notch NO formed in the wafer W is located on the Y axis. Less than,
The position of the wafer W is referred to as a "notch processing reference position".
【0033】ノッチ加工基準位置にウェーハWが位置す
ると、次に、ノッチモータ118が駆動され、ノッチ加
工砥石122が高速回転する。これと同時にY軸モータ
64が駆動され、ウェーハWがノッチ加工砥石122に
向かって移動する。ウェーハWが所定距離移動するとY
軸モータ64の駆動は停止され、この結果、図7(b)
に示すように、ウェーハWのノッチコーナーNRがノッ
チ加工砥石122の溝に当接する。そして、この当接と
同時にX軸モータ78及びY軸モータ64が同時に駆動
され、ウェーハWにX軸方向及びY軸方向の送りが与え
られる。このウェーハWの送りは、ノッチコーナーNR
の形状に沿って与えられ、この結果、ノッチコーナーN
Rが常にノッチ加工砥石122に当接して、ノッチコー
ナーNRが面取り加工される。
When the wafer W is positioned at the notch processing reference position, the notch motor 118 is driven next, and the notch processing grindstone 122 rotates at high speed. At the same time, the Y-axis motor 64 is driven and the wafer W moves toward the notch grindstone 122. When the wafer W moves a predetermined distance, Y
The drive of the shaft motor 64 is stopped, and as a result, as shown in FIG.
As shown in, the notch corner NR of the wafer W contacts the groove of the notch processing grindstone 122. Simultaneously with this contact, the X-axis motor 78 and the Y-axis motor 64 are simultaneously driven, and the wafer W is fed in the X-axis direction and the Y-axis direction. This wafer W is fed at the notch corner NR.
Given along the shape of the notch corner N
The R always contacts the notch grindstone 122 to chamfer the notch corner NR.
【0034】ノッチコーナーNRの面取りが終了する
と、ウェーハWに対して連続してX軸方向及びY軸方向
の送りが与えられ、ノッチNOの面取りが行われる。す
なわち、図7(c)に示すように、ノッチNOが常にノ
ッチ加工砥石122に当接するように、ノッチNOの形
状に沿ってウェーハWに送りが与えられる。同図の場
合、ノッチNOはV字状に形成されているので、このV
字状のノッチNOの形状に沿ってV字を描くようにウェ
ーハWに送りが与えられる。この結果、V字状に形成さ
れたノッチNOが面取り加工される。
When the chamfering of the notch corner NR is completed, the wafer W is continuously fed in the X-axis direction and the Y-axis direction to chamfer the notch NO. That is, as shown in FIG. 7C, the wafer W is fed along the shape of the notch NO so that the notch NO always contacts the notch grindstone 122. In the case of the same figure, since the notch NO is formed in a V shape,
The wafer W is fed so as to draw a V shape along the shape of the V-shaped notch NO. As a result, the notch NO formed in the V shape is chamfered.
【0035】ノッチNOの面取りが終了すると、ノッチ
加工砥石122とウェーハWとの接触点が他方側のノッ
チコーナーNRに達する。そして、この接触点が他方側
のノッチコーナーNRに達すると、連続的にノッチコー
ナーNRの面取りが行われる。すなわち、ウェーハWに
X軸方向の送りとY軸方向の送りが与えられ、ノッチコ
ーナーNRが常にノッチ加工砥石122に当接するよう
に、ノッチコーナーNRの形状に沿ってウェーハWに送
りが与えられる。この結果、ウェーハWのノッチコーナ
ーNRが面取り加工される。
When the chamfering of the notch NO is completed, the contact point between the notch grindstone 122 and the wafer W reaches the notch corner NR on the other side. Then, when this contact point reaches the notch corner NR on the other side, chamfering of the notch corner NR is continuously performed. That is, the wafer W is fed in the X-axis direction and in the Y-axis direction, and is fed to the wafer W along the shape of the notch corner NR so that the notch corner NR always contacts the notch grindstone 122. . As a result, the notch corner NR of the wafer W is chamfered.
【0036】他方側のノッチコーナーNRの面取りが終
了すると、ウェーハWの送りは、一時停止される。そし
て、この状態から上記と逆の操作によってウェーハWに
送りが与えられ、逆方向に向けてノッチコーナーNR、
ノッチNO及び他方側のノッチコーナーNRの面取りが
行われる。以上の操作を複数回繰り返すことにより、ノ
ッチNO及びノッチコーナーNRの面取り加工がなされ
る。
When the chamfering of the notch corner NR on the other side is completed, the feeding of the wafer W is temporarily stopped. Then, from this state, the wafer W is fed by the operation reverse to the above, and the notch corner NR,
The notch NO and the notch corner NR on the other side are chamfered. By chamfering the notch NO and the notch corner NR, the above operation is repeated a plurality of times.
【0037】ノッチNO及びノッチコーナーNRの面取
りが終了すると、ウェーハWはノッチの面取りを開始し
た位置、すなわち、図7(b)に示す位置で停止する。
そして、その停止後、ノッチ加工砥石122から離れる
方向に向かって所定量移動し、図7(a)に示すノッチ
加工基準位置に復帰する。ノッチ加工基準位置に復帰し
たウェーハWは、X軸方向に所定量移動するとともにZ
軸方向の所定量下降し、基準位置に復帰する。一方、こ
れと同時にノッチモータ118の駆動も停止され、ノッ
チ加工砥石122の回転が停止する。
When the chamfering of the notch NO and the notch corner NR is completed, the wafer W stops at the position where the chamfering of the notch is started, that is, the position shown in FIG. 7B.
Then, after the stop, the notch processing wheel 122 is moved by a predetermined amount in a direction away from the notch processing wheel 122 and returns to the notch processing reference position shown in FIG. 7A. The wafer W returned to the notch processing reference position moves in the X-axis direction by a predetermined amount, and Z
It descends by a predetermined amount in the axial direction and returns to the reference position. On the other hand, at the same time, the drive of the notch motor 118 is also stopped, and the rotation of the notch processing grindstone 122 is stopped.
【0038】以上の一連工程でウェーハWの円形部、ノ
ッチNO及びノッチコーナーNRの面取り加工が終了す
る。ウェーハWが基準位置に復帰すると、ウェーハWの
吸着が解除され、図示しない搬送装置によってウェーハ
テーブル100上からウェーハWが取り上げられる。そ
して、そのまま次工程に搬送されてゆく。以上説明した
ように、本実施の形態のウェーハ面取方法では、ウェー
ハWの円形部を面取り加工するに際して、外周加工砥石
108とウェーハWとを同方向に高速回転させるととも
に、ウェーハWをゆっくりと外周加工砥石108に向け
て送ることによりウェーハWの周縁を面取り加工するよ
うにしている。このように、外周加工砥石108とウェ
ーハWとを同方向に高速回転させることにより、ウェー
ハWに対する外周加工砥石108の相対的な周速度が上
がり(ウェーハWの周速度と外周加工砥石108の周速
度の和となる。)、加工スピードを上げることができ
る。この結果、加工時間を短縮することができるように
なる。
By the above series of steps, the chamfering of the circular portion of the wafer W, the notch NO and the notch corner NR is completed. When the wafer W returns to the reference position, the suction of the wafer W is released, and the wafer W is picked up from the wafer table 100 by the transfer device (not shown). Then, it is directly conveyed to the next process. As described above, in the wafer chamfering method of the present embodiment, when chamfering the circular portion of the wafer W, the outer peripheral processing grindstone 108 and the wafer W are rotated in the same direction at high speed, and the wafer W is slowly moved. The peripheral edge of the wafer W is chamfered by sending it to the outer peripheral processing stone 108. In this way, by rotating the outer peripheral processing grindstone 108 and the wafer W at high speed in the same direction, the relative peripheral speed of the outer peripheral processing grindstone 108 with respect to the wafer W increases (the peripheral speed of the wafer W and the peripheral peripheral processing grindstone 108). It is the sum of the speeds), and the processing speed can be increased. As a result, the processing time can be shortened.
【0039】また、高速回転するウェーハWをゆっくり
と外周加工砥石108に向けて送り、ゆっくりと切り込
んでゆくことにより、ウェーハWの周縁は、微小量ずつ
研削されてゆくため、ウェーハWの受けるダメージが少
なくて済む。この結果、ウェーハWの研削面の精度が向
上する。なお、本実施の形態では、ウェーハWの円形部
を面取りした後に、ノッチNOの面取りを行うようにし
ているが、この順番は逆でもよい。
Further, by slowly feeding the wafer W rotating at high speed toward the outer peripheral processing grindstone 108 and cutting it slowly, the peripheral edge of the wafer W is ground minutely, so that the wafer W is damaged. Is less. As a result, the accuracy of the ground surface of the wafer W is improved. In this embodiment, the notch NO is chamfered after chamfering the circular portion of the wafer W, but the order may be reversed.
【0040】また、本実施の形態では、ウェーハWをY
軸方向にのみ送って外周加工砥石108に接触させるよ
うにしているが、ウェーハWをX軸方向とY軸方向の両
方同時に移動させて外周加工砥石108に接触させるよ
うにしてもよい。なお、本実施の形態では、ウェーハW
側を移動させて面取り加工するタイプのウェーハ面取り
装置10に本発明を適用した例で説明しているが、外周
加工砥石108側を移動させて面取り加工するタイプの
装置、又は、双方を移動させて面取り加工するタイプの
装置にも同様に適用することができる。なお、本実施の
形態のウェーハ面取り装置10のように外周加工砥石1
08側が一定位置に固定されており回転のみする構成の
場合、装置剛性を上げることができるので、この結果、
外周加工砥石108に発生する振動を抑えることがで
き、研削面の精度を更に向上させることができる。
In this embodiment, the wafer W is set to Y
Although the wafer W is sent only in the axial direction to be brought into contact with the outer peripheral processing stone 108, the wafer W may be moved in both the X-axis direction and the Y-axis direction at the same time to be brought into contact with the outer peripheral processing stone 108. In the present embodiment, the wafer W
An example in which the present invention is applied to a wafer chamfering device 10 of a type in which the side is moved to perform chamfering is described. However, a device of a type of chamfering by moving the peripheral processing grindstone 108 side, or both are moved. The same can be applied to a chamfering type device. In addition, as in the wafer chamfering device 10 of the present embodiment, the outer peripheral processing grindstone 1
In the case where the 08 side is fixed at a fixed position and only rotates, the device rigidity can be increased. As a result,
It is possible to suppress the vibration generated in the outer peripheral processing grindstone 108 and further improve the accuracy of the ground surface.
【0041】次に、上記のウェーハ面取り装置10を用
いた本発明に係るウェーハ面取り方法の第2の実施の形
態について説明する。図8は、本発明に係るウェーハ面
取り方法の第2の実施の形態の加工手順である。まず、
ウェーハWを図示しない搬送装置によってウェーハテー
ブル100上に位置決めして載置する。載置されたウェ
ーハWは、図8(a)に示すように、その中心OW がY
軸上に位置するとともに、外周加工砥石108から所定
距離離れた位置に位置する。また、外周加工砥石108
の下側の溝108aと同じ高さに位置する。なお、この
位置を『第1基準位置』とする。
Next, a second embodiment of the wafer chamfering method according to the present invention using the above-described wafer chamfering apparatus 10 will be described. FIG. 8 shows a processing procedure of the second embodiment of the wafer chamfering method according to the present invention. First,
The wafer W is positioned and placed on the wafer table 100 by a transfer device (not shown). As shown in FIG. 8A, the mounted wafer W has a center O W of Y
It is positioned on the axis and at a position separated from the outer peripheral processing grindstone 108 by a predetermined distance. Further, the outer peripheral processing grindstone 108
It is located at the same height as the lower groove 108a. In addition, this position is referred to as a "first reference position".
【0042】ウェーハWがウェーハテーブル100上に
載置されると、次いで、そのウェーハWが真空吸着によ
ってウェーハテーブル100に保持される。次に、図8
(b)に示すように、X軸モータ78が駆動され、ウェ
ーハWがX軸方向に沿って移動する。ウェーハWは所定
距離移動すると停止し、この位置を『第2基準位置』と
する。
When the wafer W is placed on the wafer table 100, the wafer W is then held on the wafer table 100 by vacuum suction. Next, FIG.
As shown in (b), the X-axis motor 78 is driven and the wafer W moves along the X-axis direction. The wafer W stops after moving for a predetermined distance, and this position is referred to as a "second reference position".
【0043】次に、図8(c)に示すように、Y軸モー
タ64が駆動され、ウェーハWがY軸方向に沿って移動
する。ウェーハWは外周加工砥石108との軸間距離が
所定の設定値Dに達したところで停止し、この位置を
『加工開始位置』とする。ここで、このウェーハWと外
周加工砥石108との軸間距離Dの設定は次のように行
う。すなわち、外周加工砥石108の半径をRG 、面取
り後のウェーハWの半径をR1 としたときに、
Next, as shown in FIG. 8C, the Y-axis motor 64 is driven to move the wafer W along the Y-axis direction. The wafer W is stopped when the distance between the axis of the wafer W and the outer peripheral processing grindstone 108 reaches a predetermined set value D, and this position is set as a “processing start position”. Here, the setting of the axial distance D between the wafer W and the peripheral processing grindstone 108 is performed as follows. That is, when the radius of the outer peripheral processing grindstone 108 is R G and the radius of the wafer W after chamfering is R 1 ,
【0044】[0044]
【数1】D=RG +R1 となるように設定する。次に、外周モータ104とθ軸
モータ96が駆動され、外周加工砥石108とウェーハ
テーブル100が共に同方向に高速回転する。このと
き、外周加工砥石108は、周速度が1000[m/m
in]以上、好ましくは、1500〜3000[m/m
in]の範囲の速さで回転するように駆動される。ま
た、ウェーハテーブル100は、保持したウェーハWの
周速度が30[m/min]以上、好ましくは100〜
1000[m/min]の範囲の速さで回転するように
駆動される。
## EQU1 ## Set so that D = R G + R 1 . Next, the outer peripheral motor 104 and the θ-axis motor 96 are driven, and the outer peripheral processing grindstone 108 and the wafer table 100 both rotate in the same direction at high speed. At this time, the peripheral grinding wheel 108 has a peripheral speed of 1000 [m / m
in] or more, preferably 1500 to 3000 [m / m
in] is driven to rotate at a speed in the range. Further, in the wafer table 100, the peripheral speed of the held wafer W is 30 [m / min] or more, preferably 100 to
It is driven so as to rotate at a speed in the range of 1000 [m / min].
【0045】次に、X軸モータ78が駆動され、X軸方
向に沿ってウェーハWが外周加工砥石108に向かって
送られる。X軸方向に沿って送られたウェーハWは、そ
の周縁が外周加工砥石108の溝108aに接触する直
前で減速され、所定の送り速度(約0.02[mm/s
ec])でX軸方向に沿ってゆっくりと送られる。この
結果、図8(d)に示すように、ウェーハWの周縁が外
周加工砥石108に接触し、微小量ずつ研削されて面取
り加工されてゆく。そして、このようにX軸方向に沿っ
て送られたウェーハWは、図8(e)に示すように、そ
の中心OW がY軸上に達すると移動が停止される。この
位置を『加工終了位置』とする。
Next, the X-axis motor 78 is driven and the wafer W is sent toward the outer peripheral processing grindstone 108 along the X-axis direction. The wafer W sent along the X-axis direction is decelerated immediately before its peripheral edge comes into contact with the groove 108a of the outer peripheral processing grindstone 108, and a predetermined feed speed (about 0.02 [mm / s
ec]) is sent slowly along the X-axis direction. As a result, as shown in FIG. 8D, the peripheral edge of the wafer W comes into contact with the outer peripheral processing grindstone 108, and a minute amount is ground to be chamfered. Then, thus X-axis direction wafer W sent along, as shown in FIG. 8 (e), the movement is stopped and the center O W reaches the Y-axis. This position is referred to as a "processing end position".
【0046】ウェーハWが前記加工終了位置に到達する
と、Y軸モータ64が駆動され、ウェーハWがY軸上を
外周加工砥石108から離れる方向に移動する。このY
軸モータ64の駆動は、図8(f)に示すように、ウェ
ーハWが第1基準位置に到達すると停止される。これに
より、ウェーハWが第1基準位置に復帰する。そして、
ウェーハWが第1基準位置に復帰すると、θ軸モータ9
6及び外周モータ104の駆動が停止され、ウェーハテ
ーブル100及び外周加工砥石108の回転が停止され
る。
When the wafer W reaches the processing end position, the Y-axis motor 64 is driven and the wafer W moves on the Y-axis in a direction away from the outer peripheral processing grindstone 108. This Y
The drive of the shaft motor 64 is stopped when the wafer W reaches the first reference position, as shown in FIG. As a result, the wafer W returns to the first reference position. And
When the wafer W returns to the first reference position, the θ-axis motor 9
6 and the outer peripheral motor 104 are stopped, and the rotation of the wafer table 100 and the outer peripheral processing grindstone 108 is stopped.
【0047】以上により、ウェーハWの周縁の面取り加
工が終了する。ウェーハWが第1基準位置に復帰する
と、ウェーハWの吸着が解除され、図示しない搬送装置
によってウェーハテーブル100上からウェーハWが取
り上げられる。そして、そのまま次工程に搬送されてゆ
く。このように、第2の実施の形態のウェーハ面取方法
では、ウェーハWと外周加工砥石108との軸間距離D
(Y軸方向の軸間距離)を一定に保ったままウェーハW
を移動させることにより、ウェーハWの周縁を研削して
面取りするようにしている。この方法によれば、ウェー
ハWの中心OW がY軸上に近づくにつれて外周加工砥石
108に削られる量が少なくなってゆく(第1の実施の
形態の方法では、ウェーハWを一定の送り速度で送った
場合、外周加工砥石108に削り取られる量は加工開始
から加工終了まで常にほぼ一定となる。)。このため、
加工終了間際に研削面が受けるダメージが少なくなり、
研削面の精度が向上する。
With the above, the chamfering process of the peripheral edge of the wafer W is completed. When the wafer W returns to the first reference position, the suction of the wafer W is released, and the wafer W is picked up from the wafer table 100 by the transfer device (not shown). Then, it is directly conveyed to the next process. As described above, in the wafer chamfering method of the second embodiment, the axial distance D between the wafer W and the outer peripheral processing grindstone 108 is set.
Wafer W while keeping the (axis distance in the Y-axis direction) constant
Is moved to grind and chamfer the peripheral edge of the wafer W. According to this method, as the center O W of the wafer W approaches the Y-axis, the amount cut by the outer peripheral processing stone 108 decreases (in the method of the first embodiment, the wafer W is fed at a constant feed rate). When sent by, the amount scraped by the outer peripheral processing grindstone 108 is almost constant from the start of processing to the end of processing.). For this reason,
Damage to the grinding surface is reduced just before the end of processing,
The accuracy of the grinding surface is improved.
【0048】なお、本実施の形態では、ウェーハWを一
定の送り速度(約0.02[mm/sec])で送るこ
ととしているが、上記のようにウェーハWの中心OW
Y軸上に近づくにつれて外周加工砥石108に削られる
量が少なくなってゆくため、送り速度を高速化(約0.
2[mm/sec])してもよい。また、接触開始から
から徐々に速度を上げるようにしてもよい。これによ
り、研削面の精度を維持しつつ加工時間の短縮化を図る
ことができる。
In the present embodiment, the wafer W is fed at a constant feed rate (about 0.02 [mm / sec]). However, as described above, the center O W of the wafer W is on the Y axis. As the amount of the outer peripheral processing stone 108 is reduced as it approaches, the feed speed is increased (about 0.
2 [mm / sec]). Further, the speed may be gradually increased from the start of contact. This makes it possible to reduce the processing time while maintaining the accuracy of the ground surface.
【0049】また、本実施の形態では、ノッチが形成さ
れていないウェーハWを面取り加工する場合について説
明したが、ノッチ付きウェーハWの円形部を面取り加工
する場合も同様にして面取り加工することができる。こ
の場合、円形部の面取りが終了した後に(又は円形部を
面取りする前に)、上述した第1の実施の形態で説明し
た方法と同様の方法でノッチの面取りを行う。
Further, in the present embodiment, the case where the wafer W having no notch formed therein is chamfered has been described, but the chamfering process can be similarly performed when the circular portion of the notched wafer W is chamfered. it can. In this case, after the chamfering of the circular portion is completed (or before the chamfering of the circular portion), the chamfering of the notch is performed by the same method as that described in the first embodiment.
【0050】さらに、本実施の形態では、軸間距離Dを
外周加工砥石108の半径RG と、面取り後のウェーハ
Wの半径R1 との和となるように設定しているが、これ
に限定されるものではない。たとえば、軸間距離Dを外
周加工砥石108の半径RGと、面取り後のウェーハW
の半径R1 の和(RG +R1 )よりも小さく設定した場
合は、ウェーハWをX軸方向に沿って送り、ウェーハW
が所定の径(R1 )まで研削されたところでX軸方向の
送りを停止するようにすればよい。
Further, in the present embodiment, the inter-axis distance D is set to be the sum of the radius R G of the outer peripheral processing grindstone 108 and the radius R 1 of the wafer W after chamfering. It is not limited. For example, the inter-axis distance D is set to the radius R G of the outer peripheral processing grindstone 108, and the chamfered wafer W
If it is set smaller than the sum of the radius R 1 of the wafer W (R G + R 1 ), the wafer W is fed along the X-axis direction,
The feed in the X-axis direction may be stopped when is ground to a predetermined diameter (R 1 ).
【0051】また、本実施の形態では、ウェーハWをX
軸方向にのみ送って外周加工砥石108に接触させるよ
うにしているが、ウェーハWをX軸方向とY軸方向の両
方同時に移動させて外周加工砥石108に接触させるよ
うにしてもよい。さらに、本実施の形態では、ウェーハ
W側を移動させて面取り加工するタイプのウェーハ面取
り装置10に本発明を適用した例で説明しているが、外
周加工砥石108側を移動させて面取り加工するタイプ
の装置、又は、双方を移動させて面取り加工するタイプ
の装置にも同様に適用することができる。なお、本実施
の形態のウェーハ面取り装置10のように外周加工砥石
108側が一定位置に固定されており回転のみする構成
の場合、装置剛性を上げることができるので、この結
果、外周加工砥石108に発生する振動を抑えることが
でき、研削面の精度を更に向上させることができる。
Further, in the present embodiment, the wafer W is
Although the wafer W is sent only in the axial direction to be brought into contact with the outer peripheral processing stone 108, the wafer W may be moved in both the X-axis direction and the Y-axis direction at the same time to be brought into contact with the outer peripheral processing stone 108. Further, in the present embodiment, the example in which the present invention is applied to the wafer chamfering device 10 of the type in which the wafer W side is moved and chamfering is described, but the peripheral processing grindstone 108 side is moved to perform chamfering processing. The present invention can be similarly applied to a device of a type or a device of a type in which both are moved to perform chamfering. In the case of the wafer chamfering device 10 of the present embodiment, in which the peripheral processing grindstone 108 side is fixed at a fixed position and only rotates, the rigidity of the device can be increased. The generated vibration can be suppressed, and the precision of the ground surface can be further improved.
【0052】次に、上記のウェーハ面取り装置10を用
いた本発明に係るウェーハ面取り方法の第3の実施の形
態について説明する。上述した第1及び第2の実施の形
態では、ウェーハWを一定の送り速度で送って加工する
ようにしている。第3の実施の形態のウェーハ面取り方
法では、ウェーハWを所定距離送ったら、所定時間停止
するという工程を繰り返しながらウェーハWを加工す
る。具体的には、次のように加工する。
Next, a third embodiment of the wafer chamfering method according to the present invention using the above-mentioned wafer chamfering apparatus 10 will be described. In the above-described first and second embodiments, the wafer W is fed at a constant feeding speed to be processed. In the wafer chamfering method according to the third embodiment, the wafer W is processed by repeating the process of feeding the wafer W for a predetermined distance and then stopping the wafer for a predetermined time. Specifically, it is processed as follows.
【0053】外周加工砥石108に接触する直前で減速
したウェーハWは、その後、所定の送り速度(約0.0
2[mm/sec])で外周加工砥石108に向けて送
られる。そして、所定距離移動すると送りが停止され、
そのままその位置で所定時間待機する。所定時間経過
後、ウェーハWは再び所定の送り速度で外周加工砥石1
08に向けて送られ、所定距離だけ移動して停止する。
そして、そのままその位置で所定時間待機し、所定時間
経過後、ウェーハWは再び所定の送り速度で外周加工砥
石108に向けて送られる。以上の工程を繰り返し行い
ながら加工を進行させる。いわゆるスパークアウト研削
を実施する。
The wafer W decelerated immediately before coming into contact with the outer peripheral processing grindstone 108 is then fed at a predetermined feed rate (about 0.0
2 [mm / sec]) and is sent toward the outer peripheral processing grindstone 108. Then, when it moves a predetermined distance, the feeding is stopped,
It stands by at that position for a predetermined time. After a lapse of a predetermined time, the wafer W is again fed at a predetermined feed speed to the outer peripheral grinding stone 1
It is sent toward 08, moves a predetermined distance, and stops.
Then, it stands by at that position for a predetermined time, and after the lapse of the predetermined time, the wafer W is again sent toward the outer peripheral processing grindstone 108 at a predetermined feed speed. The processing is advanced while repeating the above steps. So-called spark-out grinding is carried out.
【0054】このように送りを制御しながら加工するこ
とにより、仕上げ面粗さと加工精度が向上する。すなわ
ち、送りを一旦止めることにより、弾性変形によって生
じた切残しが、その後の研削に伴う弾性復元力の減少に
よって徐々に削除され、なめらかな仕上がり面を形成す
ることができる。この加工方法は、ウェーハWを低速で
送ることが困難な装置(砥石側を移動させる装置にあっ
ては砥石を低速で送ることが困難な装置)に本発明(請
求項1又は2に係る発明)を適用する場合に特に有効な
加工方法である。なお、本加工方法は、上述した第1又
は第2の実施の形態のウェーハ面取り方法のいずれにも
適用することができる。
By performing the machining while controlling the feed as described above, the finished surface roughness and the machining accuracy are improved. That is, by temporarily stopping the feeding, the uncut portion caused by the elastic deformation is gradually removed due to the reduction of the elastic restoring force due to the subsequent grinding, and a smooth finished surface can be formed. This processing method is applied to an apparatus in which it is difficult to feed the wafer W at a low speed (an apparatus in which it is difficult to feed the grindstone at a grindstone-side moving apparatus). ) Is a particularly effective processing method. The present processing method can be applied to any of the wafer chamfering methods of the above-described first or second embodiment.
【0055】次に、上記のウェーハ面取り装置10を用
いた本発明に係るウェーハ面取り方法の第4の実施の形
態について説明する。上述した第1及び第2の実施の形
態では、ウェーハWを一定の周速度で高速回転させて加
工するようにしている。第4の実施の形態のウェーハ面
取り方法では、最後の仕上げ加工において、ウェーハW
を低速回転させて加工する。具体的には、次のように加
工する。
Next, a fourth embodiment of the wafer chamfering method according to the present invention using the above-described wafer chamfering device 10 will be described. In the above-described first and second embodiments, the wafer W is processed by being rotated at high speed at a constant peripheral speed. According to the wafer chamfering method of the fourth embodiment, the wafer W is
Rotate at low speed to process. Specifically, it is processed as follows.
【0056】第1の実施の形態のウェーハ面取り方法に
おいては、外周加工砥石108とウェーハテーブル10
0との軸間距離が所定距離Lに達する直前にウェーハテ
ーブル100の回転速度を減速し(外周加工砥石108
とウェーハテーブル100との軸間距離がL+δの位置
で減速:δは微小距離)、ウェーハWを低速回転させる
(ウェーハWの周速度が0.3〜3[m/min]の範
囲になるように回転させる。)。そして、その低速回転
させたウェーハWを微小量δ切り込んで(外周加工砥石
108とウェーハテーブル100の軸間距離は所定距離
Lとなる。)、そのままウェーハWを1回転させる。
In the wafer chamfering method of the first embodiment, the outer peripheral processing grindstone 108 and the wafer table 10 are used.
The rotation speed of the wafer table 100 is decelerated immediately before the inter-axis distance to 0 reaches a predetermined distance L (peripheral processing grindstone 108).
And the wafer table 100 are decelerated at a position where the axis distance is L + δ: δ is a minute distance, and the wafer W is rotated at a low speed (the peripheral speed of the wafer W is in the range of 0.3 to 3 [m / min]). Rotate to.). Then, the wafer W rotated at a low speed is cut by a small amount δ (the distance between the axes of the outer peripheral processing stone 108 and the wafer table 100 becomes a predetermined distance L), and the wafer W is rotated once as it is.
【0057】一方、第2の実施の形態のウェーハ面取り
方法においては、ウェーハWの中心OW がY軸上に到達
する直前にウェーハテーブル100の回転速度を減速し
(ウェーハWの中心OW からY軸までの距離がδの位置
で減速:δは微小距離)、ウェーハWを低速回転させる
(ウェーハWの周速度が0.3〜3[m/min]の範
囲になるように回転させる。)。そして、その低速回転
させたウェーハWを微小量δ切り込んで(ウェーハWの
中心OW はY軸上に位置する。)、そのままウェーハW
を1回転させる。
On the other hand, in the wafer chamfering method of the second embodiment, the rotation speed of the wafer table 100 is reduced immediately before the center O W of the wafer W reaches the Y axis (from the center O W of the wafer W). Deceleration is performed at a position where the distance to the Y axis is δ: δ is a minute distance, and the wafer W is rotated at a low speed (so that the peripheral speed of the wafer W is in the range of 0.3 to 3 [m / min]). ). Then, the small amount of the wafer W obtained by low speed δ cut at (center O W of the wafer W is positioned on the Y axis.), As the wafer W
Rotate once.
【0058】このような加工方法にすることにより、外
周加工砥石108に振れが発生している場合であって
も、ウェーハWの面取り面にレボリューションマーク
(ウェーハWの面取り面に生じる縞状の模様)が入るの
を有効に防止することができる。次に、上記のウェーハ
面取り装置10を用いた本発明に係るウェーハ面取り方
法の第5の実施の形態について説明する。
By adopting such a processing method, even if the outer peripheral processing grindstone 108 is shaken, a revolution mark (a striped pattern generated on the chamfered surface of the wafer W is formed on the chamfered surface of the wafer W. ) Can be effectively prevented. Next, a fifth embodiment of the wafer chamfering method according to the present invention using the above-described wafer chamfering device 10 will be described.
【0059】上述した第1及び第2の実施の形態では、
ウェーハWを一定の周速度で高速回転させて加工するよ
うにしている。第5の実施の形態のウェーハ面取り方法
では、ウェーハWの周速度を高速領域で周期的に変動さ
せて加工する。具体的には、次のように加工する。すな
わち、図9に示すように、ウェーハWの研削量に応じて
ウェーハWの周速度を高速領域(30[m/min]以
上、好ましくは100〜1000[m/min]の範
囲)で周期的に変動させる。
In the above described first and second embodiments,
The wafer W is processed by being rotated at a constant peripheral speed at a high speed. In the wafer chamfering method of the fifth embodiment, the peripheral speed of the wafer W is cyclically changed in the high speed region for processing. Specifically, it is processed as follows. That is, as shown in FIG. 9, the peripheral speed of the wafer W is periodically changed in a high speed region (30 [m / min] or more, preferably in the range of 100 to 1000 [m / min]) according to the grinding amount of the wafer W. Fluctuate.
【0060】このような加工方法にすることにより、上
述した第4の実施の形態の加工方法と同様に、外周加工
砥石108に振れが発生している場合であっても、ウェ
ーハWの面取り面にレボリューションマークが入るのを
有効に防止することができる。なお、本加工方法は、上
述した第1又は第2の実施の形態のウェーハ面取り方法
のいずれにも適用することができる。
By adopting such a processing method, similarly to the processing method of the above-described fourth embodiment, the chamfered surface of the wafer W can be obtained even when the outer peripheral processing stone 108 is shaken. It is possible to effectively prevent the revolution mark from entering. The present processing method can be applied to any of the wafer chamfering methods of the above-described first or second embodiment.
【0061】次に、上記のウェーハ面取り装置10を用
いた本発明に係るウェーハ面取り方法の第6の実施の形
態について説明する。上述した第5の実施の形態では、
ウェーハWの周速度を高速領域で周期的に変動させて加
工するようにしているが、ウェーハWの回転方向は常に
一定である。第6の実施の形態のウェーハ面取り方法で
は、ウェーハWの周速度を周期的に変動させ、ウェーハ
Wを正転、逆転させながら加工する。具体的には、次の
ように加工する。
Next, a sixth embodiment of the wafer chamfering method according to the present invention using the above-mentioned wafer chamfering apparatus 10 will be described. In the above-described fifth embodiment,
Although the peripheral speed of the wafer W is cyclically changed in the high speed region for processing, the rotation direction of the wafer W is always constant. In the wafer chamfering method of the sixth embodiment, the peripheral speed of the wafer W is periodically changed, and the wafer W is processed while being rotated in the normal direction and the reverse direction. Specifically, it is processed as follows.
【0062】すなわち、図10に示すように、ウェーハ
Wの研削量に応じてウェーハWの周速度を周期的に変動
させ、ウェーハWを正転、逆転させながら加工する。こ
の際、ウェーハWは、高速領域(30[m/min]以
上、好ましくは100〜1000[m/min]の範
囲)で回転している時にのみ研削されるようにするた
め、方向転換に伴う低速回転時は送りを与えないように
する。
That is, as shown in FIG. 10, the peripheral speed of the wafer W is periodically changed according to the grinding amount of the wafer W, and the wafer W is processed while being rotated in the normal direction and the reverse direction. At this time, since the wafer W is ground only when rotating in a high speed region (30 [m / min] or more, preferably in the range of 100 to 1000 [m / min]), the wafer W is accompanied by a change in direction. Do not give feed at low speed rotation.
【0063】このような加工方法にすることにより、上
述した第4及び第5の実施の形態の加工方法と同様に、
外周加工砥石108の溝108aに振れが発生している
場合であっても、ウェーハWの面取り面にレボリューシ
ョンマークが入るのを有効に防止することができる。な
お、本加工方法は、上述した第1又は第2の実施の形態
のウェーハ面取り方法のいずれにも適用することができ
る。
By adopting such a processing method, like the processing methods of the above-described fourth and fifth embodiments,
Even if the groove 108a of the outer peripheral processing grindstone 108 is shaken, it is possible to effectively prevent the revolution mark from entering the chamfered surface of the wafer W. The present processing method can be applied to any of the wafer chamfering methods of the above-described first or second embodiment.
【0064】次に、本発明に係るウェーハ面取り方法の
第7の実施の形態について説明する。図11〜図13
は、それぞれ第7の実施の形態のウェーハ面取り方法が
適用されるウェーハ面取り装置200の構成を示す正面
図、側面図、平面図である。同図に示すように、このウ
ェーハ面取り装置200は、外周加工ユニット202及
びノッチ加工ユニット204の構成が上述したウェーハ
面取り装置10と相違している。したがって、ここでは
外周加工ユニット202とノッチ加工ユニット204の
構成についてのみ説明し、他の構成については上述した
ウェーハ面取り装置10と同一符号を付して、その説明
は省略する。
Next, a seventh embodiment of the wafer chamfering method according to the present invention will be described. 11 to 13
FIG. 9A is a front view, a side view, and a plan view showing the configuration of a wafer chamfering apparatus 200 to which the wafer chamfering method of the seventh embodiment is applied. As shown in the figure, the wafer chamfering device 200 is different from the above-described wafer chamfering device 10 in the configurations of the outer peripheral processing unit 202 and the notch processing unit 204. Therefore, here, only the configurations of the outer periphery processing unit 202 and the notch processing unit 204 will be described, and other configurations will be denoted by the same reference numerals as those of the wafer chamfering device 10 described above, and description thereof will be omitted.
【0065】外周加工ユニット202は、粗研用外周加
工装置202Rと精研用外周加工装置202Fとから構
成されている。まず、粗研用外周加工装置202Rの構
成について説明する。ベースプレート50上に設置され
た架台102上には粗研用外周モータ104Rが垂直に
設置されており、この粗研用外周モータ104Rの出力
軸には粗研用外周スピンドル106Rが連結されてい
る。ウェーハWの外周を粗面取り加工する粗研用外周加
工砥石108Rは、この外周スピンドル106Rに装着
される。なお、この粗研用外周加工砥石108Rの外周
には、断面台形状の溝108rが形成されており、この
溝108rにウェーハWの周縁を押し当てて面取り加工
する(なお、このような溝形状の砥石を『T型砥石』と
いう。)。
The outer circumference processing unit 202 is composed of a rough grinding outer circumference processing apparatus 202R and a fine grinding outer circumference processing apparatus 202F. First, the structure of the rough grinding outer peripheral processing device 202R will be described. A rough grinding outer peripheral motor 104R is vertically installed on a frame 102 installed on the base plate 50, and a coarse grinding outer peripheral spindle 106R is connected to an output shaft of the rough polishing outer peripheral motor 104R. A rough grinding outer peripheral processing grindstone 108R for rough chamfering the outer periphery of the wafer W is mounted on the outer peripheral spindle 106R. A groove 108r having a trapezoidal cross section is formed on the outer periphery of the outer peripheral grinding wheel for rough polishing 108R, and the peripheral edge of the wafer W is pressed against the groove 108r for chamfering. This grindstone is called "T-shaped grindstone.")
【0066】次に、精研用外周加工装置202Fの構成
について説明する(上述したウェーハ面取り装置10の
外周加工ユニット44に対応。)。前記架台102の両
側部には一対の支柱110A、110Bが垂直に配設さ
れている。この支柱110A、110Bの下端部は、そ
れぞれ架台102の両側面に固定されており、その上端
部には水平な梁部111A、111Bが一体成形されて
いる。梁部111A、111Bの先端には、それぞれ一
対の軸受部材112A、112Bが配設されており、該
軸受部材112A、112Bにピン114A、114B
を介してアーム116A、116Bが揺動自在に支持さ
れている。
Next, the structure of the outer peripheral processing device 202F for precision polishing will be described (corresponding to the outer peripheral processing unit 44 of the wafer chamfering device 10 described above). A pair of columns 110A and 110B are vertically arranged on both sides of the gantry 102. The lower ends of the columns 110A and 110B are fixed to both side surfaces of the gantry 102, and horizontal beams 111A and 111B are integrally formed on the upper ends thereof. A pair of bearing members 112A and 112B are provided at the tips of the beam portions 111A and 111B, respectively, and pins 114A and 114B are attached to the bearing members 112A and 112B.
The arms 116A and 116B are swingably supported via.
【0067】この一対のアーム116A、116Bのう
ち一方側のアーム116の先端には精研用外周モータ
104Fが垂直に設置されており、該精研用外周モータ
104Fは図中X方向に沿って所定角度傾けられて設置
されている。この精研用外周モータ104Fの出力軸に
は精研用外周スピンドル106Fが連結されており、ウ
ェーハWの外周を仕上げ面取り加工する精研用外周加工
砥石108Fは、この精研用外周スピンドル106Fに
装着される。
[0067] The pair of arms 116A, one side of the arm 116 B of the peripheral motor 104F for fine Labs the tip of 116B are installed vertically, the outer peripheral motor 104F for the purified Shaken along the X direction in the drawing Is installed at a predetermined angle. A precision polishing outer peripheral spindle 106F is connected to an output shaft of the fine polishing outer peripheral motor 104F, and a fine polishing outer peripheral grinding stone 108F for finishing chamfering the outer periphery of the wafer W is attached to the fine polishing outer peripheral spindle 106F. It is installed.
【0068】なお、図11に示すように、この精研用外
周加工砥石108Fは、前記粗研用外周加工砥石108
Rに対して小径に形成されている(粗研用外周加工砥石
108Rには直径が100〜300mmの砥石を用いる
のに対して、この粗研用外周加工砥石108Fには直径
が2〜50mmの砥石を用いる。)。また、この研用
外周加工砥石108の外周には、断面台形状の溝10
8fが形成されており、この溝108fにウェーハWの
周縁を押し当てて面取り加工する。
As shown in FIG. 11, the fine grinding outer peripheral processing grindstone 108F is the rough grinding outer peripheral processing grindstone 108.
It is formed to have a small diameter with respect to R (While a grindstone with a diameter of 100 to 300 mm is used for the outer peripheral grinding wheel for rough grinding 108R, a diameter of 2 to 50 mm is used for this outer peripheral processing grindstone for rough grinding 108F. Use a whetstone.). Further, on the outer periphery of the fine Labs for periphery grinding wheel 108 F, the groove 10 of trapezoidal section
8f is formed, and the peripheral edge of the wafer W is pressed against this groove 108f to be chamfered.
【0069】なお、前記アーム116は図示しないロ
ック手段によって固定できるように構成されている。そ
して、このロック手段によって固定することにより、ア
ーム116は、図11に示すように水平に保持され
る。次に、ノッチ加工ユニット204の構成について説
明する。前述した一対のアーム116A、116Bのう
ち他方側のアーム116の先端部には粗研用ノッチモ
ータ118Rと精研用ノッチモータ118Fが配設され
ており、該粗研用ノッチモータ118Rと精研用ノッチ
モータ118Fの出力軸には、それぞれ粗研用ノッチス
ピンドル120Rと精研用ノッチスピンドル120Fが
連結されている。ノッチを粗面取り加工する粗研用ノッ
チ加工砥石122Rは、粗研用ノッチスピンドル120
Rに装着される。一方、ノッチを仕上げ面取り加工する
精研用ノッチ加工砥石122Fは、粗研用ノッチスピン
ドル120Fに装着される。
[0069] Incidentally, the arm 116 B is configured to be fixed by a locking means (not shown). Then, by fixing by the lock means, arm 116 B is horizontally held as shown in FIG. 11. Next, the configuration of the notch processing unit 204 will be described. Aforementioned pair of arms 116A, the other for side arm 116 A crude Labs the distal end portion of the Notchimota 118R and fine Labs for Notchimota 118F of 116B and is disposed, Notchimota for crude Labs 118R and Notchimota for fine Labs The notch spindle 120R for rough grinding and the notch spindle 120F for fine grinding are connected to the output shaft of 118F, respectively. The rough grinding notch grindstone 122R for rough chamfering the notch is the rough grinding notch spindle 120.
It is attached to R. On the other hand, a notching grindstone 122F for fine polishing for finishing chamfering a notch is mounted on a notch spindle 120F for rough polishing.
【0070】なお、前記アーム116も、アーム11
と同様に図示しないロック手段によって固定できる
ように構成されている。また、詳しくは図示されていな
いが、この粗研用ノッチ加工砥石122Rと精研用ノッ
チ加工砥石122Fの外周にも断面台形状の溝が形成さ
れている。前記のごとく構成されたウェーハ面取り装置
200を用いた本発明に係るウェーハ面取り方法の第7
の実施の形態は次の通りである。
[0070] Incidentally, the arm 116 A is also the arm 11
It is configured to be fixed by 6 B and the locking means (not shown) as well. Further, although not shown in detail, trapezoidal cross-section grooves are formed on the outer circumferences of the rough grinding notch grindstone 122R and the fine grinding notch grindstone 122F. Seventh of the wafer chamfering method according to the present invention using the wafer chamfering apparatus 200 configured as described above
The embodiment of is as follows.
【0071】加工開始前の初期状態において、ウェーハ
テーブル100は、その回転軸θがY軸上に位置した状
態で粗研用外周加工砥石108Rから所定距離離れた位
置に位置している。また、粗研用外周加工砥石108R
に対して所定高さの位置に位置している。まず、ウェー
ハWを図示しない搬送装置によってウェーハテーブル1
00上に位置決めして載置する。この際、ウェーハW
は、その中心OW がウェーハテーブル100の回転軸θ
と一致するように載置し、また、そのノッチNOがY軸
上に位置するように載置する。このようにしてウェーハ
テーブル100上に載置されたウェーハWは、その中心
W がY軸上に位置するとともに、粗研用外周加工砥石
108Rから所定距離離れた位置に位置する。また、粗
研用外周加工砥石108Rに対して所定高さの位置に位
置する。以下、この加工前のウェーハWの位置を『原点
位置』とする。
In the initial state before the start of processing, the wafer table 100 is located at a position separated from the rough grinding outer peripheral processing grindstone 108R by a predetermined distance with its rotation axis θ located on the Y axis. Also, the outer peripheral grinding stone for rough grinding 108R
Is located at a predetermined height with respect to. First, the wafer table 1 is transferred to the wafer W by a transfer device (not shown).
00 to position and place. At this time, the wafer W
It has its center O W is the axis of rotation of the wafer table 100 theta
And the notch NO is located on the Y-axis. Wafer W placed on the wafer table 100 in this way, the center O W is thereby positioned on the Y axis, located from periphery grinding wheel 108R coarse Labs at a predetermined distance away. Further, it is positioned at a predetermined height with respect to the outer peripheral grinding wheel for rough polishing 108R. Hereinafter, the position of the wafer W before processing will be referred to as the “origin position”.
【0072】ウェーハテーブル100上に載置されたウ
ェーハWは、そのウェーハテーブル100によって吸着
保持される。そして、このウェーハテーブル100がウ
ェーハWを吸着保持すると加工が開始される。加工は、
まず始めにウェーハWの外周(ウェーハWの円形部)の
粗面取り加工から行われる。まず、Z軸モータ94が駆
動され、ウェーハテーブル100がZ軸方向に沿って所
定量移動する。これにより、ウェーハテーブル100に
保持されたウェーハWが粗研用外周加工砥石108Rに
形成された溝108rと下側傾斜面と同じ高さに位置す
る。このウェーハWの位置を『外周下縁粗研加工位置』
とする。
The wafer W placed on the wafer table 100 is sucked and held by the wafer table 100. When the wafer table 100 sucks and holds the wafer W, the processing is started. Processing is
First, rough chamfering of the outer periphery of the wafer W (circular portion of the wafer W) is performed. First, the Z-axis motor 94 is driven and the wafer table 100 moves by a predetermined amount along the Z-axis direction. As a result, the wafer W held on the wafer table 100 is positioned at the same height as the groove 108r formed in the rough grinding outer peripheral processing grindstone 108R and the lower inclined surface. The position of this wafer W is referred to as "outer peripheral lower edge rough polishing processing position".
And
【0073】次に、粗研用外周モータ104Rとθ軸モ
ータ96が駆動され、粗研用外周加工砥石108Rとウ
ェーハテーブル100が共に同方向に高速回転する。次
に、Y軸モータ64が駆動され、ウェーハWがY軸上を
粗研用外周加工砥石108Rに向かって送られる。この
とき、ウェーハWは粗研用外周加工砥石108Rに接触
する直前まで比較的速いスピードで送られ、その後、減
速してゆっくりとしたスピードで送られる。
Next, the rough grinding outer peripheral motor 104R and the θ-axis motor 96 are driven, and the rough grinding outer peripheral grinding stone 108R and the wafer table 100 both rotate in the same direction at a high speed. Next, the Y-axis motor 64 is driven, and the wafer W is sent on the Y-axis toward the rough grinding outer peripheral processing grindstone 108R. At this time, the wafer W is sent at a relatively fast speed until just before it comes into contact with the outer peripheral grinding stone for rough polishing 108R, and then decelerated and sent at a slow speed.
【0074】粗研用外周加工砥石108Rに向かって送
られたウェーハWは、その外周が外周粗研用砥石108
Rに形成された溝108rの下側傾斜面に接触する。こ
の接触後もウェーハWはゆっくりとしたスピードで粗研
用外周加工砥石108Rに向けて送られ、この結果、図
14(a)に示すように、ウェーハWの外周部下縁が外
周粗研用砥石108Rに微小量ずつ研削されて粗面取り
加工される。
The outer periphery of the wafer W sent to the rough grinding outer peripheral processing grindstone 108R is the outer peripheral rough grinding grindstone 108R.
It contacts the lower inclined surface of the groove 108r formed in the R. Even after this contact, the wafer W is sent at a slow speed toward the outer peripheral grinding stone for rough polishing 108R, and as a result, as shown in FIG. 14A, the lower edge of the outer peripheral portion of the wafer W is the outer peripheral rough grinding stone. 108R is ground minutely and rough chamfered.
【0075】ウェーハWの送りは、粗研用外周加工砥石
108Rとウェーハテーブル100との軸間距離が所定
距離L1 に達するまで与えられる。そして、この軸間距
離が所定距離L1 に達するとY軸モータ64の駆動が停
止される。停止後、Y軸モータ64は逆方向に駆動さ
れ、これによりウェーハWがY軸上を粗研用外周加工砥
石108Rから離れる方向に移動する。そして、ウェー
ハWが前記外周下縁粗研加工位置に復帰すると、Y軸モ
ータ64の駆動が停止される。
The wafer W is fed until the axial distance between the rough grinding outer peripheral processing grindstone 108R and the wafer table 100 reaches a predetermined distance L 1 . Then, when the inter-axis distance reaches the predetermined distance L 1 , the driving of the Y-axis motor 64 is stopped. After the stop, the Y-axis motor 64 is driven in the opposite direction, whereby the wafer W moves on the Y-axis in the direction away from the rough grinding outer peripheral processing grindstone 108R. Then, when the wafer W returns to the outer peripheral lower edge rough polishing processing position, the driving of the Y-axis motor 64 is stopped.
【0076】以上により、ウェーハWの外周部下縁の粗
面取り加工が終了する。次に、ウェーハWの外周部
の粗面取り加工が行われる。前記ウェーハWが外周下縁
粗研加工位置に位置すると、Z軸モータ94が駆動さ
れ、ウェーハテーブル100がZ軸方向に沿って所定量
移動する。これにより、ウェーハテーブル100に保持
されたウェーハWが粗研用外周加工砥石108Rに形成
された溝108rの上側傾斜面と同じ高さに位置する。
このウェーハWの位置を『外周上縁粗研加工位置』とす
る。
With the above, rough chamfering of the lower edge of the outer peripheral portion of the wafer W is completed. Next, rough chamfering of the upper edge of the outer peripheral portion of the wafer W is performed. When the wafer W is located at the outer peripheral lower edge roughing processing position, the Z-axis motor 94 is driven and the wafer table 100 moves by a predetermined amount along the Z-axis direction. As a result, the wafer W held on the wafer table 100 is positioned at the same height as the upper inclined surface of the groove 108r formed in the rough-grinding outer peripheral grinding stone 108R.
The position of this wafer W will be referred to as the "outer peripheral upper edge rough grinding processing position".
【0077】次に、Y軸モータ64が駆動され、ウェー
ハWがY軸上を粗研用外周加工砥石108Rに向かって
送られる。このとき、ウェーハWは粗研用外周加工砥石
108Rに接触する直前まで比較的速いスピードで送ら
れ、その後、減速してゆっくりとしたスピードで送られ
る。粗研用外周加工砥石108Rに向かって送られたウ
ェーハWは、その外周が外周粗研用砥石108Rに形成
された溝108rの上側傾斜面に接触する。この接触後
もウェーハWはゆっくりとしたスピードで粗研用外周加
工砥石108Rに向けて送られ、この結果、図14
(b)に示すように、ウェーハWの外周部上縁が外周粗
研用砥石108Rに微小量ずつ研削されて粗面取り加工
される。
Next, the Y-axis motor 64 is driven, and the wafer W is sent on the Y-axis toward the rough grinding outer peripheral processing grindstone 108R. At this time, the wafer W is sent at a relatively fast speed until just before it comes into contact with the outer peripheral grinding stone for rough polishing 108R, and then decelerated and sent at a slow speed. The wafer W sent toward the outer peripheral grinding wheel for rough grinding 108R contacts the upper inclined surface of the groove 108r formed in the outer peripheral grinding wheel for rough grinding 108R. Even after this contact, the wafer W is sent at a slow speed toward the rough grinding outer peripheral processing grindstone 108R, and as a result, as shown in FIG.
As shown in (b), the upper edge of the outer peripheral portion of the wafer W is ground by a small amount on the outer peripheral rough grinding grindstone 108R to be rough chamfered.
【0078】ウェーハWの送りは、粗研用外周加工砥石
108Rとウェーハテーブル100との軸間距離が所定
距離L1 に達するまで与えられる。そして、この軸間距
離が所定距離L1 に達するとY軸モータ64の駆動が停
止される。停止後、Y軸モータ64は逆方向に駆動さ
れ、これによりウェーハWがY軸上を粗研用外周加工砥
石108Rから離れる方向に移動する。そして、ウェー
ハWが前記外周上縁粗研加工位置に復帰すると、Y軸モ
ータ64の駆動が停止される。Y軸モータ64の駆動停
止とともに、前記粗研用外周モータ104Rの駆動も停
止され、これにより、粗研用外周加工砥石108Rの回
転が停止する。
The wafer W is fed until the axial distance between the rough grinding outer peripheral processing grindstone 108R and the wafer table 100 reaches a predetermined distance L 1 . Then, when the inter-axis distance reaches the predetermined distance L 1 , the driving of the Y-axis motor 64 is stopped. After the stop, the Y-axis motor 64 is driven in the opposite direction, whereby the wafer W moves on the Y-axis in the direction away from the rough grinding outer peripheral processing grindstone 108R. Then, when the wafer W returns to the outer peripheral upper edge rough polishing processing position, the drive of the Y-axis motor 64 is stopped. The drive of the Y-axis motor 64 is stopped, and the drive of the rough grinding outer peripheral motor 104R is also stopped, whereby the rotation of the rough grinding outer peripheral processing grindstone 108R is stopped.
【0079】以上により、ウェーハWの外周部縁の粗
面取り加工が終了する。次に、ウェーハWの外周の仕上
げ面取り加工が行われる。ウェーハWが外周縁粗研加
工位置に復帰すると、Z軸モータ94が駆動され、ウェ
ーハテーブル100がZ軸方向に沿って所定量移動す
る。この結果、ウェーハWが外周精研用砥石108Fに
形成された溝108fと同じ高さに位置する。このウェ
ーハWの位置を『外周精研加工位置』とする。
With the above , rough chamfering of the upper edge of the outer peripheral portion of the wafer W is completed. Next, finishing chamfering of the outer periphery of the wafer W is performed. When the wafer W returns to the outer peripheral upper edge rough polishing processing position, the Z-axis motor 94 is driven and the wafer table 100 moves by a predetermined amount along the Z-axis direction. As a result, the wafer W is positioned at the same height as the groove 108f formed in the peripheral fine grinding wheel 108F. The position of the wafer W will be referred to as a "peripheral precision polishing processing position".
【0080】次に、Y軸モータ64が駆動され、ウェー
ハWがY軸上を精研用外周加工砥石108Fに向かって
送られる。このとき、ウェーハWは前記同様に精研用外
周加工砥石108Rに接触する直前まで比較的速いスピ
ードで送られ、その後、減速してゆっくりとしたスピー
ドで送られる。精研用外周加工砥石108Fに向かって
送られたウェーハWは、図15及び図16に示すよう
に、その外周が外周精研用砥石108Fに形成された溝
108fのほぼ中央の位置に接触する(図15及び図1
6において(1)の位置)。この接触後もウェーハWは
ゆっくりとしたスピードで精研用外周加工砥石108F
に向けて送られ、この結果、ウェーハWの外周部周面が
外周精研用砥石108Fに微小量ずつ研削されて仕上げ
面取り加工される。
Next, the Y-axis motor 64 is driven, and the wafer W is sent on the Y-axis toward the fine grinding outer peripheral processing stone 108F. At this time, similarly to the above, the wafer W is sent at a relatively high speed until just before it comes into contact with the fine grinding outer peripheral processing stone 108R, and then decelerated and sent at a slow speed. As shown in FIGS. 15 and 16, the wafer W sent toward the fine grinding outer peripheral grinding wheel 108F contacts the outer periphery of the wafer W at a substantially central position of the groove 108f formed in the outer peripheral polishing grinding stone 108F. (FIGS. 15 and 1
(Position (1) in 6). Even after this contact, the wafer W continues to rotate at a slow speed
As a result, the peripheral surface of the outer peripheral surface of the wafer W is finely ground by the peripheral fine grinding wheel 108F to be chamfered.
【0081】ウェーハWの送りは、精研用外周加工砥石
108Fとウェーハテーブル100との軸間距離が所定
距離L2 に達するまで与えられる。そして、この軸間距
離が所定距離L2 に達するとY軸モータ64の駆動が停
止される。Y軸モータ64の駆動停止後、次いで、Z軸
モータ94とX軸モータ78が同時に駆動され、ウェー
ハWが精研用外周加工砥石108Fの軸線に沿って斜め
上方に移動する。この結果、ウェーハWの外周部上側面
取り面が精研用外周加工砥石108Fに形成された溝1
08fの上側傾斜面に微小量ずつ研削されて仕上げ面取
り加工される。
The wafer W is fed until the axial distance between the fine grinding outer peripheral processing stone 108F and the wafer table 100 reaches a predetermined distance L 2 . Then, when the inter-axis distance reaches the predetermined distance L 2 , the driving of the Y-axis motor 64 is stopped. After the driving of the Y-axis motor 64 is stopped, the Z-axis motor 94 and the X-axis motor 78 are then simultaneously driven, and the wafer W moves obliquely upward along the axis of the fine grinding outer peripheral processing stone 108F. As a result, the upper chamfered surface of the outer peripheral portion of the wafer W is formed in the groove for fine grinding 108F.
The chamfering process is performed by finely grinding the upper inclined surface of 08f by a small amount.
【0082】ウェーハWが、図15及び図16において
(2)の位置まで移動すると、Z軸モータ94とX軸モ
ータ78の駆動は一時停止される。次いで逆方向に駆動
され、ウェーハWは、精研用外周加工砥石108Fの軸
線に沿って斜め下方に移動する。この結果、ウェーハW
の外周部下側面取り面が精研用外周加工砥石108Fに
形成された溝108fの下側傾斜面に微小量ずつ研削さ
れて仕上げ面取り加工される。
When the wafer W moves to the position (2) in FIGS. 15 and 16, the driving of the Z-axis motor 94 and the X-axis motor 78 is temporarily stopped. Next, the wafer W is driven in the opposite direction, and the wafer W moves obliquely downward along the axis of the fine grinding outer peripheral processing grindstone 108F. As a result, the wafer W
The lower chamfered surface of the outer peripheral portion is ground and chamfered by a small amount on the lower inclined surface of the groove 108f formed in the fine grinding peripheral processing grindstone 108F.
【0083】ウェーハWが、図15及び図16において
(3)の位置まで移動すると、Z軸モータ94とX軸モ
ータ78の駆動は一時停止される。次いで逆方向に駆動
され、ウェーハWは、精研用外周加工砥石108Fの軸
線に沿って斜め上方に移動する。そして、ウェーハW
が、図15及び図16において(1)の位置まで移動す
ると、Z軸モータ94とX軸モータ78の駆動は停止さ
れる。Z軸モータ94とX軸モータ78の駆動停止後、
Y軸モータ64が駆動され、ウェーハWがY軸上を精研
用外周加工砥石108Fから離れる方向に移動する。そ
して、ウェーハWが前記外周精研加工位置に復帰する
と、Y軸モータ64の駆動が停止される。
When the wafer W moves to the position (3) in FIGS. 15 and 16, the driving of the Z-axis motor 94 and the X-axis motor 78 is temporarily stopped. Next, the wafer W is driven in the opposite direction, and the wafer W moves diagonally upward along the axis of the fine grinding outer peripheral processing stone 108F. And the wafer W
However, when it moves to the position (1) in FIGS. 15 and 16, the driving of the Z-axis motor 94 and the X-axis motor 78 is stopped. After stopping the driving of the Z-axis motor 94 and the X-axis motor 78,
The Y-axis motor 64 is driven, and the wafer W moves on the Y-axis in a direction away from the fine grinding outer peripheral processing stone 108F. Then, when the wafer W returns to the outer peripheral precision processing position, the drive of the Y-axis motor 64 is stopped.
【0084】前記Y軸モータ64の駆動停止とともに、
前記精研用外周モータ104Fとθ軸モータ96の駆動
も停止され、これにより、精研用外周加工砥石108F
とウェーハWの回転が停止する。以上により、ウェーハ
Wの外周の仕上げ面取り加工が終了する。ここで、前記
のごとくウェーハWの外周を加工することの効果、すな
わち、始めに大径の粗研用外周加工砥石108Rで粗面
取り加工し、次いで、傾けた小径の精研用外周加工砥石
108Fで仕上げ面取り加工することの効果について説
明する。
When the driving of the Y-axis motor 64 is stopped,
The driving of the precision polishing outer peripheral motor 104F and the θ-axis motor 96 is also stopped, whereby the precision polishing outer peripheral processing grindstone 108F.
Then, the rotation of the wafer W is stopped. With the above, the finish chamfering process of the outer periphery of the wafer W is completed. Here, the effect of processing the outer periphery of the wafer W as described above, that is, first, rough chamfering is performed by the large-diameter rough grinding peripheral grinding stone 108R, and then the tilted small-diameter fine grinding peripheral grinding stone 108F. The effect of finishing chamfering will be described below.
【0085】上述した仕上げ面取り加工時のように、ウ
ェーハWの接線方向に所定角度傾けた砥石でウェーハW
を面取り加工すると仕上げ面精度が向上する。これは図
17に示すように、砥石を傾けることにより、砥粒の運
動方向がウェーハWの回転方向に対して傾斜するためで
あり、この結果、砥石の高速回転による条痕と、ウェー
ハWの高速回転による条痕とが交差し、互いに打ち消し
あって仕上げ面精度が向上する。また、径の小さい砥石
においては砥石の振動が発生しにくいので、これによっ
ても仕上げ面精度の向上を図ることができる。
As in the above-mentioned finishing chamfering process, the wafer W is sewn with a grindstone inclined at a predetermined angle in the tangential direction of the wafer W.
Chamfering improves the finishing surface accuracy. This is because, as shown in FIG. 17, when the grindstone is tilted, the movement direction of the abrasive grains is tilted with respect to the rotation direction of the wafer W. As a result, the streaks caused by the high-speed rotation of the grindstone and the wafer W The streaks caused by high-speed rotation intersect and cancel each other, improving the precision of the finished surface. Further, in a grindstone having a small diameter, vibration of the grindstone is unlikely to occur, which also improves the accuracy of the finished surface.
【0086】ところで、砥石を傾けて面取り加工する場
合、砥石の溝幅は傾けていない場合よりも広くなり、ま
た、同じ角度で傾けた場合であっても、砥石の直径が大
きいほど広くなる。また、砥石の直径が小さくないと、
条痕の交差する度合いが大きくならず、所望の効果が得
られない。このため、砥石を傾けて有効さを増すために
は、砥石の直径を小さくする必要がある。
By the way, when the chamfering process is performed by inclining the grindstone, the groove width of the grindstone becomes wider than in the case where the grindstone is not tilted, and even when tilted at the same angle, the larger the diameter of the grindstone, the wider. Also, if the diameter of the grindstone is not small,
The degree of crossing the streaks does not increase, and the desired effect cannot be obtained. Therefore, in order to increase the effectiveness by tilting the grindstone, it is necessary to reduce the diameter of the grindstone.
【0087】一方、砥石の直径が小さいと、砥石の磨耗
が速くなる。また、シリコンウェーハの場合、スライス
時のチッピングを取り除くため、ウェーハの直径は面取
りでの仕上げ直径よりかなり大きくなっており(+1m
m程度)、これを直径が小さい砥石で面取り加工する
と、すぐに砥石が磨耗してしまい効率が悪いという欠点
があった。
On the other hand, if the diameter of the grindstone is small, the wear of the grindstone becomes faster. Also, in the case of silicon wafers, the diameter of the wafer is considerably larger than the finishing diameter of chamfering (+1 m to remove chipping during slicing).
However, when chamfering this with a grindstone having a small diameter, the grindstone was quickly worn out, resulting in poor efficiency.
【0088】そこで、本発明では、まず始めに磨耗の少
ない径の大きな砥石で所定径になるまで粗面取り加工
し、次いで、傾斜させた径の小さな砥石で仕上げ面取り
加工するようにしている。これにより、砥石の磨耗を効
果的に防止しつつ、面精度の高いウェーハを効率的に加
工することができる。前記のごとくウェーハWの外周の
仕上げ面取り加工が終了すると、次いで、ウェーハWの
ノッチNOの面取り加工が行われる。
Therefore, in the present invention, first, a large grindstone with a small amount of wear is used for rough chamfering until it reaches a predetermined diameter, and then a chamfered grindstone with a small diameter is used for finish chamfering. As a result, it is possible to effectively prevent the abrasion of the grindstone and efficiently process a wafer having high surface accuracy. When the finish chamfering of the outer periphery of the wafer W is completed as described above, the chamfering of the notch NO of the wafer W is then performed.
【0089】外周精研加工位置に復帰したウェーハW
は、そのノッチNOがY軸上に位置している。この状態
から、まず、X軸モータ78が駆動され、ウェーハWが
X軸方向に所定量移動する。この結果、ウェーハWに形
成されたノッチNOの一方側のノッチコーナーNRが、
粗研用ノッチ砥石122Rを通りY軸と平行な直線上に
位置する。次に、Z軸モータ94が駆動され、ウェーハ
WがZ軸方向に沿って所定量移動する。この結果、ウェ
ーハWが粗研用ノッチ加工砥石122Rに形成された溝
の下側傾斜面と同じ高さに位置する。このウェーハWの
位置を『ノッチ下縁粗研加工位置』とする。
Wafer W returned to the outer peripheral precision polishing processing position
Has its notch NO located on the Y axis. From this state, first, the X-axis motor 78 is driven to move the wafer W in the X-axis direction by a predetermined amount. As a result, the notch corner NR on one side of the notch NO formed on the wafer W becomes
It is located on a straight line that passes through the rough grinding notch grindstone 122R and is parallel to the Y axis. Next, the Z-axis motor 94 is driven, and the wafer W moves by a predetermined amount along the Z-axis direction. As a result, the wafer W is positioned at the same height as the lower inclined surface of the groove formed in the rough grinding notch grindstone 122R. The position of the wafer W is referred to as a “notch lower edge rough polishing processing position”.
【0090】ノッチ下縁粗研加工位置にウェーハWが位
置すると、次に、粗研用ノッチモータ118Rが駆動さ
れ、粗研用ノッチ加工砥石122Rが高速回転する。こ
れと同時にY軸モータ64が駆動され、ウェーハWが粗
研用ノッチ加工砥石122Rに向かって移動する。ウェ
ーハWが所定距離移動するとY軸モータ64の駆動は停
止され、この結果、一方側のノッチコーナーNRの下縁
が粗研用ノッチ加工砥石122Rに形成された溝の下側
傾斜面に当接する。そして、この当接と同時にX軸モー
タ78及びY軸モータ64が同時に駆動され、ウェーハ
WにX軸方向及びY軸方向の送りが与えられる。この送
りはノッチコーナーNRの形状に沿って与えられ、この
結果、ノッチコーナーNRの下縁が常に粗研用ノッチ加
工砥石122Rに当接して、ノッチコーナーNRの下縁
が粗面取り加工される。
When the wafer W is positioned at the notch lower edge rough-polishing position, the rough-polishing notch motor 118R is driven next, and the rough-polishing notch grindstone 122R rotates at a high speed. At the same time, the Y-axis motor 64 is driven, and the wafer W moves toward the rough grinding notch grindstone 122R. When the wafer W moves by a predetermined distance, the drive of the Y-axis motor 64 is stopped, and as a result, the lower edge of the notch corner NR on one side comes into contact with the lower inclined surface of the groove formed in the notch grindstone for rough polishing 122R. . Simultaneously with this contact, the X-axis motor 78 and the Y-axis motor 64 are simultaneously driven, and the wafer W is fed in the X-axis direction and the Y-axis direction. This feed is given along the shape of the notch corner NR, and as a result, the lower edge of the notch corner NR is always in contact with the rough grinding notch grindstone 122R, and the lower edge of the notch corner NR is rough chamfered.
【0091】ノッチコーナーNRの下縁が粗面取りされ
ると、連続してウェーハWにX軸方向及びY軸方向の送
りが与えられ、ノッチNOの下縁が面取りされる。すな
わち、ノッチNOの下縁が常に粗研用ノッチ加工砥石1
22Rに形成された溝の下側傾斜面に当接するように、
ノッチNOの形状に沿ってウェーハWに送りが与えられ
る。例えばV字状に形成されたノッチの場合は、V字を
描くようにウェーハWに送りが与えられる。この結果、
V字状に形成されたノッチNOの下縁が粗面取り加工さ
れる。
When the lower edge of the notch corner NR is roughly chamfered, the wafer W is continuously fed in the X-axis direction and the Y-axis direction, and the lower edge of the notch NO is chamfered. That is, the lower edge of the notch NO is always the roughing notch grindstone 1
So that it abuts the lower inclined surface of the groove formed in 22R,
The wafer W is fed along the shape of the notch NO. For example, in the case of a V-shaped notch, the wafer W is fed so as to draw a V-shape. As a result,
The lower edge of the V-shaped notch NO is rough chamfered.
【0092】ノッチNOの下縁が粗面取り加工される
と、粗研用ノッチ加工砥石122RとウェーハWとの接
触点が他方側のノッチコーナーNRに達する。そして、
この接触点が他方側のノッチコーナーNRに達すると、
連続的にノッチコーナーNRの下縁が面取りされる。す
なわち、ウェーハWにX軸方向の送りとY軸方向の送り
が与えられ、ノッチコーナーNRの下縁が常に粗研用ノ
ッチ加工砥石122Rに形成された溝の下側傾斜面に当
接するようにウェーハWに送りが与えられる(ノッチコ
ーナーNRの形状に沿った送りが与えられる。)。この
結果、他方側のノッチコーナーNRの下縁が粗面取り加
工される。
When the lower edge of the notch NO is rough chamfered, the contact point between the rough grinding notch grindstone 122R and the wafer W reaches the notch corner NR on the other side. And
When this contact point reaches the notch corner NR on the other side,
The lower edge of the notch corner NR is continuously chamfered. That is, the wafer W is fed in the X-axis direction and in the Y-axis direction so that the lower edge of the notch corner NR always contacts the lower inclined surface of the groove formed in the rough grinding notch grindstone 122R. The wafer W is fed (feed along the shape of the notch corner NR). As a result, the lower edge of the notch corner NR on the other side is rough chamfered.
【0093】他方側のノッチコーナーNRの下縁が面取
りされると、ウェーハWの送りが一時停止される。そし
て、この状態から上記と逆の操作によってウェーハWに
送りが与えられ、上記同様にノッチコーナーNR、ノッ
チNO及び他方側のノッチコーナーNRの下縁が順に粗
面取り加工される。以上の操作を複数回繰り返すことに
より、ノッチNO及びノッチコーナーNRの下縁が粗面
取り加工される。
When the lower edge of the notch corner NR on the other side is chamfered, the feeding of the wafer W is temporarily stopped. Then, in this state, the wafer W is fed by the reverse operation to the above, and similarly, the notch corner NR, the notch NO, and the lower edge of the notch corner NR on the other side are sequentially chamfered. By repeating the above operation a plurality of times, the lower edges of the notch NO and the notch corner NR are rough chamfered.
【0094】ノッチNO及びノッチコーナーNRの下縁
の粗面取り加工が終了すると、ウェーハWは最初に粗研
用ノッチ加工砥石122Rと接触した位置で停止する。
そして、その停止後、ノッチ加工砥石122Rから離れ
る方向に向かって所定量移動し、ノッチ下縁粗研加工位
置に復帰する。ウェーハWがノッチ下縁粗研加工位置に
復帰すると、Z軸モータ94が駆動され、ウェーハWが
Z軸方向に沿って所定量移動する。この結果、ウェーハ
Wが粗研用ノッチ加工砥石122Rに形成された溝の上
側傾斜面と同じ高さに位置する。このウェーハWの位置
を『ノッチ上縁粗研加工位置』とする。
When the rough chamfering of the lower edge of the notch NO and the notch corner NR is completed, the wafer W first stops at the position where it comes into contact with the roughing notch grindstone 122R.
Then, after the stop, the notch processing wheel 122R is moved by a predetermined amount in a direction away from the notch processing wheel 122R and returned to the notch lower edge rough polishing processing position. When the wafer W returns to the notch lower edge rough polishing position, the Z-axis motor 94 is driven and the wafer W moves by a predetermined amount along the Z-axis direction. As a result, the wafer W is located at the same height as the upper inclined surface of the groove formed in the roughing notch grindstone 122R. The position of this wafer W is referred to as a “notch upper edge rough polishing processing position”.
【0095】ノッチ上縁粗研加工位置にウェーハWが位
置すると、Y軸モータ64が駆動され、ウェーハWが粗
研用ノッチ加工砥石122Rに向かって移動する。ウェ
ーハWが所定距離移動するとY軸モータ64の駆動は停
止され、この結果、一方側のノッチコーナーNRの下縁
が粗研用ノッチ加工砥石122Rに形成された溝の上側
傾斜面に当接する。以下、上記ノッチの下縁を粗面取り
加工したときと同様の手順でノッチNO及びノッチコー
ナーNRの上縁が粗面取り加工される。
When the wafer W is positioned at the notch upper edge rough grinding position, the Y-axis motor 64 is driven and the wafer W moves toward the rough grinding notch grindstone 122R. When the wafer W moves by a predetermined distance, the driving of the Y-axis motor 64 is stopped, and as a result, the lower edge of the notch corner NR on one side comes into contact with the upper inclined surface of the groove formed in the notch grindstone for rough polishing 122R. Hereinafter, the upper edges of the notch NO and the notch corner NR are rough chamfered in the same procedure as when the lower edge of the notch is rough chamfered.
【0096】ノッチNO及びノッチコーナーNRの上縁
の粗面取り加工が終了すると、ウェーハWは最初に粗研
用ノッチ加工砥石122Rと接触した位置で停止する。
そして、その停止後、ノッチ加工砥石122Rから離れ
る方向に向かって所定量移動し、ノッチ上縁粗研加工位
置に復帰する。一方、ウェーハWがノッチ上縁粗研加工
位置に復帰すると、粗研用ノッチモータ118Rの駆動
が停止され、粗研用ノッチ加工砥石122Rの回転が停
止する。
When the rough chamfering of the upper edges of the notch NO and the notch corner NR is completed, the wafer W first stops at the position where it comes into contact with the roughing notch grindstone 122R.
Then, after the stop, it moves by a predetermined amount in the direction away from the notch grindstone 122R and returns to the notch upper edge rough grinding position. On the other hand, when the wafer W returns to the notch upper edge rough grinding processing position, the driving of the rough grinding notch motor 118R is stopped, and the rotation of the rough grinding notch grindstone 122R is stopped.
【0097】以上により、ウェーハWのノッチNOの粗
面取り加工が終了する。次いで、ウェーハWのノッチN
Oの仕上げ面取り加工が行われる。ウェーハWがノッチ
上縁粗研加工位置に復帰すると、X軸モータ78が駆動
され、ウェーハWがX軸方向に所定量移動する。この結
果、ウェーハWに形成されたノッチNOの一方側のノッ
チコーナーNRが、精研用砥石122Fの中心を通りY
軸と平行な直線上に位置する。次に、Z軸モータ94が
駆動され、ウェーハWがZ軸方向に沿って所定量移動す
る。この結果、ウェーハWが精研用ノッチ加工砥石12
2Fに形成された溝の下側傾斜面と同じ高さの位置に位
置する。以下、このウェーハWの位置を『ノッチ下縁精
研加工位置』とする。
With the above, rough chamfering of the notch NO of the wafer W is completed. Next, the notch N of the wafer W
Finished chamfering of O is performed. When the wafer W returns to the notch upper edge rough polishing position, the X-axis motor 78 is driven and the wafer W moves in the X-axis direction by a predetermined amount. As a result, the notch corner NR on one side of the notch NO formed on the wafer W passes through the center of the fine grinding wheel 122F and becomes Y.
Located on a straight line parallel to the axis. Next, the Z-axis motor 94 is driven, and the wafer W moves by a predetermined amount along the Z-axis direction. As a result, the wafer W becomes the notch grinding stone 12 for precision polishing.
It is located at the same height as the lower inclined surface of the groove formed on 2F. Hereinafter, the position of the wafer W will be referred to as a "notch lower edge refinement processing position".
【0098】ノッチ下縁精研加工位置にウェーハWが位
置すると、次に、精研用ノッチモータ118Fが駆動さ
れ、精研用ノッチ加工砥石122Fが高速回転する。こ
れと同時にY軸モータ64が駆動され、ウェーハWが精
研用ノッチ加工砥石122Fに向かって移動する。ウェ
ーハWが所定距離移動するとY軸モータ64の駆動は停
止され、この結果、ウェーハWの一方側のノッチコーナ
ーNRが精研用ノッチ加工砥石122Fに形成された溝
の下側傾斜面に当接する。以下、上記ノッチの下縁を粗
面取り加工したときと同様の手順でノッチNO及びノッ
チコーナーNRの下縁が仕上げ面取り加工される。
When the wafer W is positioned at the notch lower edge precision polishing position, the precision notching motor 118F is driven next, and the precision notching grindstone 122F rotates at high speed. At the same time, the Y-axis motor 64 is driven and the wafer W moves toward the notching grindstone for fine polishing 122F. When the wafer W moves by a predetermined distance, the drive of the Y-axis motor 64 is stopped, and as a result, the notch corner NR on one side of the wafer W comes into contact with the lower inclined surface of the groove formed in the notching grindstone 122F for precision polishing. . After that, the lower edges of the notch NO and the notch corner NR are subjected to the finish chamfering in the same procedure as when the lower edge of the notch is rough chamfered.
【0099】ノッチNO及びノッチコーナーNRの下縁
が仕上げ面取り加工されると、ウェーハWは最初に精研
用ノッチ加工砥石122Fと接触した位置で停止する。
そして、その停止後、ノッチ加工砥石122Fから離れ
る方向に向かって所定量移動し、ノッチ下縁精研加工位
置に復帰する。ウェーハWがノッチ下縁精研加工位置に
復帰すると、Z軸モータ94が駆動され、ウェーハWが
Z軸方向に沿って所定量移動する。この結果、ウェーハ
Wが精研用ノッチ加工砥石122Fに形成された溝の上
側傾斜面と同じ高さに位置する。このウェーハWの位置
を『ノッチ上縁精研加工位置』とする。
When the lower edges of the notch NO and the notch corner NR are subjected to the finish chamfering, the wafer W first stops at the position where it comes into contact with the notching grindstone for fine polishing 122F.
Then, after the stop, it moves a predetermined amount in a direction away from the notch processing grindstone 122F and returns to the notch lower edge refinement processing position. When the wafer W returns to the notch lower edge refinement processing position, the Z-axis motor 94 is driven and the wafer W moves by a predetermined amount along the Z-axis direction. As a result, the wafer W is located at the same height as the upper inclined surface of the groove formed in the notching grindstone 122F for precision polishing. The position of this wafer W is referred to as "notch upper edge precision polishing processing position".
【0100】ウェーハWがノッチ上縁精研加工位置に位
置すると、Y軸モータ64が駆動され、ウェーハWが精
研用ノッチ加工砥石122Fに向かって移動する。ウェ
ーハWが所定距離移動するとY軸モータ64の駆動は停
止され、この結果、ウェーハWの一方側のノッチコーナ
ーNRの上縁が粗研用ノッチ加工砥石122Rに形成さ
れた溝の上側傾斜面に当接する。以下、上記ノッチの下
縁を粗面取り加工したときと同様の手順でノッチNO及
びノッチコーナーNRの上縁が仕上げ面取り加工され
る。
When the wafer W is positioned at the notch upper edge precision polishing processing position, the Y-axis motor 64 is driven and the wafer W moves toward the precision polishing notching grindstone 122F. When the wafer W moves by a predetermined distance, the driving of the Y-axis motor 64 is stopped, and as a result, the upper edge of the notch corner NR on one side of the wafer W becomes the upper inclined surface of the groove formed in the rough grinding notch grindstone 122R. Abut. After that, the upper edge of the notch NO and the notch corner NR are subjected to the finish chamfering processing in the same procedure as that when the lower edge of the notch is rough chamfered.
【0101】ノッチNO及びノッチコーナーNRの上縁
の仕上げ面取り加工が終了すると、ウェーハWは最初に
精研用ノッチ加工砥石122Fと接触した位置で停止す
る。そして、その停止後、ノッチ加工砥石122Rから
離れる方向に向かって所定量移動し、ノッチ上縁精研加
工位置に復帰する。一方、ウェーハWがノッチ上縁精研
加工位置に復帰すると、精研用ノッチモータ118Fの
駆動が停止され、精研用ノッチ加工砥石122Fの回転
が停止する。また、ウェーハWがノッチ上縁精研加工位
置に復帰すると、X軸モータ78とZ軸モータ94が駆
動され、ウェーハテーブル100が原点位置に復帰す
る。
When the finishing chamfering of the upper edges of the notch NO and the notch corner NR is completed, the wafer W first stops at the position where it comes into contact with the notching grindstone for fine polishing 122F. Then, after the stop, it moves by a predetermined amount in the direction away from the notch grindstone 122R, and returns to the notch upper edge precision polishing position. On the other hand, when the wafer W returns to the notch upper edge precision polishing processing position, the driving of the precision polishing notch motor 118F is stopped, and the rotation of the precision polishing notch grindstone 122F is stopped. When the wafer W returns to the notch upper edge precision polishing position, the X-axis motor 78 and the Z-axis motor 94 are driven, and the wafer table 100 returns to the origin position.
【0102】以上の一連工程を経ることによりウェーハ
Wの外周とノッチNOの粗面取り加工と仕上げ面取り加
工が終了する。ウェーハテーブル100が原点位置に復
帰すると、ウェーハWの吸着が解除され、図示しない搬
送装置によってウェーハテーブル100上からウェーハ
Wが取り上げられる。そして、そのまま次の工程へと搬
送されてゆく。
Through the above series of steps, the rough chamfering process and the finish chamfering process of the outer periphery of the wafer W and the notch NO are completed. When the wafer table 100 returns to the original position, the suction of the wafer W is released, and the wafer W is picked up from the wafer table 100 by a transfer device (not shown). Then, it is directly conveyed to the next step.
【0103】以上説明したように、第7の実施の形態の
ウェーハ面取り方法によれば、外周研削時において、ま
ず始めに磨耗の少ない径の大きな砥石で所定径になるま
で粗面取り加工し、次いで、傾斜させた径の小さな砥石
で仕上げ面取り加工するようにしているので、砥石の磨
耗を効果的に防止しつつ、面精度の高いウェーハを効率
的に加工することができる。また、径の小さな砥石は振
動が発生しにくいので、この砥石で仕上げ面取りを行う
ことにより仕上げ面精度が向上する。
As described above, according to the wafer chamfering method of the seventh embodiment, at the time of peripheral grinding, first, a rough grinding wheel having a large diameter with little wear is used to rough-chamfer until a predetermined diameter is obtained. Since the chamfering processing is performed with the inclined grindstone having a small diameter, it is possible to efficiently process the wafer with high surface accuracy while effectively preventing the grindstone from being worn. Further, since a grindstone having a small diameter is less likely to generate vibration, finishing chamfering with this grindstone improves the accuracy of the finished surface.
【0104】なお、上記の説明では、外周加工時にウェ
ーハWを高速回転させて面取り加工しているが、本実施
の形態においては上記第1から第6の実施の形態とは異
なり、ウェーハWを低速回転させて加工するようにして
もよい。また、本実施の形態では、使用する砥石につい
ては、特に限定していないが、径の大きな砥石、すなわ
ち粗研用外周加工砥石108Rにはメタルボンド砥石を
用い、傾けた径の小さな砥石、すなわち精研用外周加工
砥石108Fにはレジンボンド砥石を用いるのが好まし
い。これには次の理由による。
In the above description, the wafer W is rotated at a high speed during chamfering to be chamfered. However, in the present embodiment, unlike the first to sixth embodiments, the wafer W is chamfered. You may make it rotate at low speed and process. Further, in the present embodiment, although the grindstone to be used is not particularly limited, a grindstone having a large diameter, that is, a metal bond grindstone is used for the rough grinding outer peripheral processing grindstone 108R, and a grindstone having a small tilted diameter, that is, It is preferable to use a resin bond grindstone for the peripheral grinding grindstone 108F for precision polishing. The reason is as follows.
【0105】すなわち、メタルボンド砥石は、剛性が高
く、砥粒保持力が高いため、砥石の寿命が長いという利
点があるが、その反面、研削面が粗くなるという欠点が
ある。一方、レジンボンド砥石は、弾性を持つため加工
面に衝撃を与えることが少なく、研削面の精度が高いと
いう利点がある。そこで、磨耗が少なく寿命が長いメタ
ルボンド砥石で先に粗面取りし、最後の仕上げのみレジ
ンボンド砥石で仕上げ面取りするようにすれば、砥石の
磨耗を効果的に防止しつつ、面精度の高いウェーハを効
率的に加工することができるようになる。このため、粗
研用外周加工砥石108Rにはメタルボンド砥石を用
い、精研用外周加工砥石108Fにはレジンボンド砥石
を用いる。
That is, the metal-bonded grindstone has the advantage that the life of the grindstone is long because the rigidity is high and the abrasive grain holding power is high, but on the other hand, the ground surface becomes rough. On the other hand, since the resin bond grindstone has elasticity, it does not give a shock to the processed surface and has the advantage that the accuracy of the ground surface is high. Therefore, if a metal-bonded grindstone with low wear and a long life is used for rough chamfering first, and only the final finish is chamfered with a resin-bonded grindstone, it is possible to effectively prevent abrasion of the grindstone while ensuring high surface precision. Can be efficiently processed. Therefore, a metal bond grindstone is used for the rough grinding outer peripheral processing grindstone 108R, and a resin bond grindstone is used for the fine polishing outer peripheral processing grindstone 108F.
【0106】また、傾けた径の小さい砥石にレジンボン
ド砥石を使用することにより、その砥石のツルーイング
が不要になるという効果も得ることができる。これは以
下の理由による。すなわち、砥石の径を小さくすること
により、砥石自体が磨耗しやすくなり、しかも外周長が
短いため均等に磨耗するようになる。また、砥石を傾け
ることにより、ウェーハWとの接触面積が大きくなる。
この結果、極部的な負荷が少なくなり均等に磨耗するよ
うになる。更に、粗面取り工程で仕上げ面取りと同じエ
ッジ形状になっているウェーハWを面取り加工すること
により、ウェーハ自体がツルアーと同じ役割を果たす。
このため、敢えてツルアーによりツルーイングを実施し
なくても、砥石は一定形状に保持される。
Further, by using a resin bond grindstone for a grindstone with a small tilted diameter, it is possible to obtain an effect that truing of the grindstone is unnecessary. This is for the following reason. That is, by reducing the diameter of the grindstone, the grindstone itself is easily worn, and further, the outer circumference is short, so that the grindstone is worn evenly. Further, the contact area with the wafer W is increased by tilting the grindstone.
As a result, the load on the poles is reduced and the wear is evenly distributed. Further, by chamfering the wafer W having the same edge shape as that of the finished chamfer in the rough chamfering step, the wafer itself plays the same role as the luer.
For this reason, the grindstone is held in a constant shape without actually carrying out truing with a truer.
【0107】また、次の方法により外周の仕上げ面取り
加工を行うことにより、砥石の成形効果を向上させるこ
とができる。すなわち、上記の実施の形態では、図15
及び図16に示すように、(1)始めにウェーハWの外
周部周面を仕上げ面取り加工し、(2)次いで、ウェー
ハWを上方に送ってウェーハWの外周部上側面取り面を
仕上げ面取り加工し、(3)最後にウェーハWを下方に
送ってウェーハWの外周部下側面取り面を仕上げ面取り
加工するようにしているが、2枚目のウェーハWを面取
り加工する場合は、上記(2)と(3)の工程を逆にす
る((1)→(3)→(2)の順で加工する。)。そし
て、3枚目のウェーハWを面取り加工する場合は、再び
上記(2)、(3)の工程で加工する((1)→(2)
→(3)の順で加工する。)。このように、最初に面取
り加工する面(上側面取り面と下側面取り面)を交互に
換えて加工することにより、砥石に形成された溝の上側
径斜面と下側径斜面とが均等に磨耗するため、砥石は常
に一定の形状に保持される。
Further, the effect of forming the grindstone can be improved by performing a finish chamfering process on the outer periphery by the following method. That is, in the above-described embodiment, FIG.
And, as shown in FIG. 16, (1) first, the outer peripheral portion peripheral surface of the wafer W is subjected to finish chamfering, and (2) then the wafer W is fed upward to finish the outer peripheral portion upper chamfered surface of the wafer W. (3) Finally, the wafer W is sent downward to finish the lower chamfered surface of the outer peripheral portion of the wafer W, but when chamfering the second wafer W, the above (2) ) And (3) are reversed (processing is performed in the order of (1) → (3) → (2)). When the third wafer W is chamfered, it is processed again in the above steps (2) and (3) ((1) → (2)).
→ Process in the order of (3). ). In this way, by alternately changing the chamfering surfaces (the upper chamfered surface and the lower chamfered surface), the upper diameter slope and the lower diameter slope of the groove formed in the grindstone are evenly distributed. Due to wear, the grindstone is always held in a constant shape.
【0108】また、砥石は加工を繰り返すことにより、
図18に示すように、徐々に削られて、上下の傾斜面及
び先端Rが広がるので、面取り加工する位置を溝の磨耗
に応じてずらしながら加工する。すなわち、溝の磨耗に
応じて、ウェーハWの外周部周面の面取り加工を開始す
る位置(上下方向の位置)と、ウェーハWの外周部上側
面取り面及び下側面取り面の面取り加工を終了する位置
(上下方向の位置)を徐々にずらしながら加工する。こ
れにより、常に高い精度を維持しながら加工することが
できる。
Further, by repeating the processing of the grindstone,
As shown in FIG. 18, since the upper and lower inclined surfaces and the tip R are gradually shaved, the chamfering position is shifted according to the wear of the groove. That is, depending on the wear of the groove, the position where the chamfering of the outer peripheral surface of the wafer W is started (vertical position) and the chamfering of the upper chamfered surface and the lower chamfered peripheral surface of the wafer W are completed. Processing is performed by gradually shifting the position (vertical position) to be used. Thereby, it is possible to perform processing while always maintaining high accuracy.
【0109】なお、溝の磨耗量は、加工前にウェーハW
の厚さを測定するとともに、加工後にウェーハWの直径
及び面取り面の面幅を測定することにより知ることがで
きる。すなわち、面取り加工したウェーハWが目標寸法
から外れてくることで溝の磨耗量を知ることができ、こ
れにより加工位置を修正する。次に、上記のウェーハ面
取り装置200を用いた本発明に係るウェーハ面取り方
法の第8の実施の形態について説明する。
The wear amount of the groove is determined by measuring the wafer W before processing.
Can be determined by measuring the thickness of the wafer W and measuring the diameter of the wafer W and the surface width of the chamfered surface after processing. That is, when the chamfered wafer W deviates from the target size, it is possible to know the wear amount of the groove, and thereby the processing position is corrected. Next, an eighth embodiment of the wafer chamfering method according to the present invention using the above-described wafer chamfering device 200 will be described.
【0110】本実施の形態では、精研用外周加工砥石1
08Fにレジンボンド砥石を使用した場合に、その砥石
形状を常に一定に保つことができる加工方法について説
明する。なお、本実施の形態のウェーハ面取り方法は、
外周の仕上げ面取り工程のみが上述した第7の実施の形
態のウェーハ面取り方法と異なるので、ここでは、この
外周の仕上げ面取り工程についてのみ説明する。
In the present embodiment, the peripheral processing grindstone 1 for precision polishing is used.
A processing method that can always keep the shape of the grindstone constant when the resin bond grindstone is used for 08F will be described. The wafer chamfering method of the present embodiment is
Since only the peripheral chamfering step is different from the wafer chamfering method of the seventh embodiment described above, only the outer peripheral chamfering step will be described here.
【0111】また、図19に示すように、本実施の形態
のウェーハ面取り方法で使用する精研用外周加工砥石1
08Fは、その溝108fの両端部がウェーハWの先端
R(図20(a)、(b)参照)と同じ曲率の円弧状に
形成されている。ウェーハテーブル100に保持された
ウェーハWが『外周精研加工位置』に位置すると、Y軸
モータ64が駆動され、ウェーハWがY軸上を精研用外
周加工砥石108Fに向かって送られる。
Further, as shown in FIG. 19, a fine grinding outer peripheral processing grindstone 1 used in the wafer chamfering method of the present embodiment.
08F has both ends of the groove 108f formed in an arc shape having the same curvature as the tip R of the wafer W (see FIGS. 20A and 20B). When the wafer W held on the wafer table 100 is located at the "periphery precision polishing processing position", the Y-axis motor 64 is driven, and the wafer W is sent on the Y-axis toward the precision polishing periphery processing grindstone 108F.
【0112】精研用外周加工砥石108Fに向かって送
られたウェーハWは、図19に示すように、その外周部
周面w1 が外周精研用砥石108Fに形成された溝10
8fの平坦面108f1 のほぼ中央の位置に接触する
(図19において(1)の位置)。この接触後もウェー
ハWはゆっくりとしたスピードで精研用外周加工砥石1
08Fに向けて送られ、精研用外周加工砥石108Fと
ウェーハテーブル100との軸間距離が所定距離L2
達するとY軸モータ64の駆動が停止される。
As shown in FIG. 19, the outer peripheral surface w 1 of the wafer W sent to the fine grinding outer peripheral grinding wheel 108F has the groove 10 formed in the outer fine grinding wheel 108F.
The flat surface 108f 1 of 8f comes into contact with the substantially central position (position (1) in FIG. 19). Even after this contact, the wafer W is kept at a slow speed and the peripheral processing grindstone for precision polishing 1
Is directed to 08F, center distance between the periphery grinding wheel 108F and the wafer table 100 for fine Labs driving the Y axis motor 64 reaches a predetermined distance L 2 is stopped.
【0113】次に、Z軸モータ94とX軸モータ78が
同時に駆動され、ウェーハWが精研用外周加工砥石10
8Fの軸線に沿って斜め上方に移動する。この結果、ウ
ェーハWの外周部周面w1 が、精研用外周加工砥石10
8Fに形成された溝108fの平坦面108f1 に研削
されて仕上げ面取り加工される。ウェーハWは所定距離
移動すると、その外周部上側面取り面w2 が精研用外周
加工砥石108Fに形成された溝108fの上側傾斜面
108f2 に当接するので(図19において(2)の状
態)、その位置でZ軸モータ94とX軸モータ78の駆
動が停止される。
Next, the Z-axis motor 94 and the X-axis motor 78 are simultaneously driven, and the wafer W is moved to the outer peripheral grinding wheel 10 for precision polishing.
Move diagonally upward along the axis of 8F. As a result, the outer peripheral surface w 1 of the wafer W is the outer peripheral grinding stone 10 for precision polishing.
The flat surface 108f 1 of the groove 108f formed in 8F is ground and chamfered. When the wafer W moves by a predetermined distance, the outer peripheral upper chamfered surface w 2 comes into contact with the upper inclined surface 108f 2 of the groove 108f formed in the fine grinding outer peripheral processing stone 108F (state (2) in FIG. 19). ), The drive of the Z-axis motor 94 and the X-axis motor 78 is stopped at that position.
【0114】次に、Z軸モータ94、X軸モータ78及
びY軸モータ64が同時に駆動され、ウェーハWが精研
用外周加工砥石108Fに形成された溝108fの上側
傾斜面108f2 に沿って斜め上方に移動する。この結
果、ウェーハWの外周部上側面取り面w2 が、精研用外
周加工砥石108Fに形成された溝108fの上側傾斜
面108f2 に研削されて仕上げ面取り加工される。
Next, the Z-axis motor 94, the X-axis motor 78 and the Y-axis motor 64 are simultaneously driven, and the wafer W is moved along the upper inclined surface 108f 2 of the groove 108f formed in the fine grinding outer peripheral processing stone 108F. Move diagonally upward. As a result, the outer peripheral portion upper chamfer w 2 of the wafer W is being ground is finished chamfered on the upper inclined surface 108f 2 of the groove 108f formed in the periphery grinding wheel 108F for fine Lab.
【0115】ウェーハWは所定距離移動すると、その外
周部周面の上側コーナー部w3 が精研用外周加工砥石1
08Fの溝108fの上縁に形成された円弧面108f
3 に当接するので(図19において(3)の状態)、そ
の位置でZ軸モータ94、X軸モータ78及びY軸モー
タ64の駆動が一時停止される。次に、Z軸モータ9
4、X軸モータ78及びY軸モータ64が同時に駆動さ
れ、ウェーハWが前記円弧面108f3 に沿って移動す
る。この結果、ウェーハWの外周部周面上側コーナー部
3 が円弧状に研削される。
When the wafer W is moved by a predetermined distance, the upper corner portion w 3 of the peripheral surface of the outer peripheral portion of the wafer W has the outer peripheral processing grindstone 1 for precision polishing.
Arc surface 108f formed on the upper edge of the groove 108f of 08F
Since it abuts against 3 (state (3) in FIG. 19), driving of the Z-axis motor 94, the X-axis motor 78, and the Y-axis motor 64 is temporarily stopped at that position. Next, the Z-axis motor 9
4, the X-axis motor 78 and the Y-axis motor 64 are simultaneously driven, and the wafer W moves along the arc surface 108f 3 . As a result, the upper peripheral corner portion w 3 of the outer peripheral portion of the wafer W is ground into an arc shape.
【0116】ウェーハWの外周部周面上側コーナー部w
3 が円弧状に研削されると(図19において(4)の状
態)、Z軸モータ94、X軸モータ78及びY軸モータ
64の駆動が一時停止される。次に、Z軸モータ94と
X軸モータ78が同時に駆動され、ウェーハWが精研用
外周加工砥石108Fの軸線に沿って斜め下方に移動す
る。そして、ウェーハWが、精研用外周加工砥石108
Fに形成された溝108fの平坦面108f1のほぼ中
央の位置に位置すると、Z軸モータ94とX軸モータ7
8の駆動が停止される。
Wafer W Peripheral Surface Peripheral Surface Upper Corner w
When 3 is ground in an arc shape (state (4) in FIG. 19), driving of the Z-axis motor 94, the X-axis motor 78, and the Y-axis motor 64 is temporarily stopped. Next, the Z-axis motor 94 and the X-axis motor 78 are simultaneously driven, and the wafer W is moved obliquely downward along the axis of the fine grinding outer peripheral processing stone 108F. Then, the wafer W is the outer peripheral processing grindstone 108 for precision polishing.
When the groove 108f formed in F is located at the substantially central position of the flat surface 108f 1 , the Z-axis motor 94 and the X-axis motor 7
8 is stopped.
【0117】次に、Y軸モータ64が駆動され、ウェー
ハWがY軸上を精研用外周加工砥石108Fに形成され
た溝108fの平坦面108f1 に向かって送られる。
精研用外周加工砥石108Fに向かって送られたウェー
ハWは、その外周部周面w1 が外周精研用砥石108F
に形成された溝108fの平坦面108f1 のほぼ中央
の位置に接触する(図19において(5)の位置
〔(1)と同じ位置〕)。この接触後もウェーハWはゆ
っくりとしたスピードで精研用外周加工砥石108Fに
向けて送られ、精研用外周加工砥石108Fとウェーハ
テーブル100との軸間距離が所定距離L2 に達すると
Y軸モータ64の駆動が停止される。
Next, the Y-axis motor 64 is driven, and the wafer W is sent on the Y-axis toward the flat surface 108f 1 of the groove 108f formed in the fine grinding outer peripheral processing stone 108F.
The outer peripheral surface w 1 of the wafer W sent to the fine grinding outer peripheral grinding stone 108F has the outer peripheral fine grinding stone 108F.
The groove 108f comes into contact with the flat surface 108f 1 at a substantially central position (the position (5) in FIG. 19 [the same position as (1)]). The post also contacts the wafer W is directed to slow speed in fine Labs for periphery grinding wheel 108F, the center distance between the periphery grinding wheel 108F and the wafer table 100 for fine Labs reaches a predetermined distance L 2 Y The drive of the shaft motor 64 is stopped.
【0118】次に、Z軸モータ94とX軸モータ78が
同時に駆動され、ウェーハWが精研用外周加工砥石10
8Fの軸線に沿って斜め下方に移動する。この結果、ウ
ェーハWの外周部周面w1 が、精研用外周加工砥石10
8Fに形成された溝108fの平坦面108f1 に研削
されて仕上げ面取り加工される。ウェーハWは所定距離
移動すると、その外周部下側面取り面w4 が精研用外周
加工砥石108Fに形成された溝108fの下側傾斜面
108f4 に当接するので(図19において(6)の状
態)、その位置でZ軸モータ94とX軸モータ78の駆
動が停止される。
Next, the Z-axis motor 94 and the X-axis motor 78 are simultaneously driven, and the wafer W is moved to the outer peripheral grinding wheel 10 for precision polishing.
Move diagonally downward along the axis of 8F. As a result, the outer peripheral surface w 1 of the wafer W is the outer peripheral grinding stone 10 for precision polishing.
The flat surface 108f 1 of the groove 108f formed in 8F is ground and chamfered. When the wafer W moves for a predetermined distance, the outer peripheral lower chamfered surface w 4 contacts the lower inclined surface 108f 4 of the groove 108f formed in the fine grinding outer peripheral grinding stone 108F (state (6) in FIG. 19). ), The drive of the Z-axis motor 94 and the X-axis motor 78 is stopped at that position.
【0119】次に、Z軸モータ94、X軸モータ78及
びY軸モータ64が同時に駆動され、ウェーハWが精研
用外周加工砥石108Fに形成された溝108fの下側
傾斜面108f4 に沿って斜め下方に移動する。この結
果、ウェーハWの外周部下側面取り面w4 が、精研用外
周加工砥石108Fに形成された溝108fの下側傾斜
面108f4 に研削されて仕上げ面取り加工される。
Next, the Z-axis motor 94, the X-axis motor 78, and the Y-axis motor 64 are driven simultaneously, so that the wafer W follows the lower inclined surface 108f 4 of the groove 108f formed in the fine grinding outer peripheral grinding stone 108F. And move diagonally downward. As a result, the outer peripheral lower chamfered surface w 4 of the wafer W is ground and chamfered by the lower inclined surface 108f 4 of the groove 108f formed in the fine grinding outer peripheral grinding stone 108F.
【0120】ウェーハWは所定距離移動すると、その外
周部周面の下側コーナー部w5 が精研用外周加工砥石1
08Fの溝108fの下縁に形成された円弧面108f
5 に当接するので(図19において(7)の状態)、そ
の位置でZ軸モータ94、X軸モータ78及びY軸モー
タ64の駆動が停止される。次に、Z軸モータ94、X
軸モータ78及びY軸モータ64が同時に駆動され、ウ
ェーハWが前記円弧面108f5 に沿って移動する。こ
の結果、ウェーハWの外周部周面下側コーナー部w5
円弧状に研削される。
When the wafer W is moved by a predetermined distance, the lower corner portion w 5 of the peripheral surface of the outer peripheral portion of the wafer W has the outer peripheral processing grindstone 1 for precision polishing.
A circular arc surface 108f formed on the lower edge of the 08F groove 108f
Since it abuts on 5 (state (7) in FIG. 19), driving of the Z-axis motor 94, the X-axis motor 78, and the Y-axis motor 64 is stopped at that position. Next, Z-axis motor 94, X
The shaft motor 78 and the Y-axis motor 64 are driven simultaneously, and the wafer W moves along the circular arc surface 108f 5 . As a result, the lower corner portion w 5 of the outer peripheral surface of the wafer W is ground in an arc shape.
【0121】ウェーハWの外周部周面下側コーナー部w
5 が円弧状に研削されると(図19において(8)の状
態)、Z軸モータ94、X軸モータ78及びY軸モータ
64の駆動が停止される。以上により、ウェーハWの外
周の仕上げ面取り加工が終了し、この後、ウェーハは
『外周精研加工位置』に復帰する。
Wafer W Peripheral Surface Lower Peripheral Surface Lower Corner Part w
When 5 is ground into an arc shape (state (8) in FIG. 19), driving of the Z-axis motor 94, the X-axis motor 78 and the Y-axis motor 64 is stopped. By the above, the finish chamfering processing of the outer periphery of the wafer W is completed, and thereafter, the wafer is returned to the "peripheral peripheral polishing processing position".
【0122】このようにウェーハWの外周を加工するこ
とにより、精研用外周加工砥石108Fの溝108fは
全面に渡って均一に磨耗するので、型崩れが生じること
がない。この結果、加工を重ねても常に砥石の形状を常
に一定に保つことができる。したがって、ツルーイング
が不要になり、ツルーイングを実施することによるスル
ープットの低下を効果的に抑制することができる。
By processing the outer periphery of the wafer W in this manner, the grooves 108f of the fine polishing outer periphery processing grindstone 108F are evenly worn over the entire surface, so that the shape of the groove does not collapse. As a result, the shape of the grindstone can always be kept constant even after repeated machining. Therefore, the truing becomes unnecessary, and it is possible to effectively suppress the decrease in throughput due to the truing.
【0123】なお、上述した第7の実施の形態と同様
に、最初に面取り加工する面(外周部上側面取り面w2
と外周部下側面取り面w4 )を交互に換えて加工するこ
とにより、更に効果的に砥石の型崩れを防止することが
できる。以上説明したように、本発明に係るウェーハの
面取り方法によれば、短時間で高精度な面取り加工を行
うことができる。
As with the seventh embodiment, the surface to be chamfered first (peripheral upper chamfered surface w 2).
And the outer peripheral lower chamfered surface w 4 ) are alternately changed for processing, whereby the shape of the grindstone can be more effectively prevented. As explained above, according to the wafer chamfering method of the present invention, highly accurate chamfering can be performed in a short time.
【0124】なお、上述した一連の実施の形態において
第1から第6までの実施の形態では砥石にR型砥石を用
いているが、このR型砥石に代えて第7の実施の形態で
使用したT型砥石を用いて加工してもよい。同様に第7
の実施の形態では砥石にT型砥石を用いているが、この
T型砥石に代えてR型砥石を使用してもよい。また、上
述した第1から第5までの実施の形態では、砥石とウェ
ーハとを同方向に高速回転させているが、互いに逆方向
に高速回転させてもよい。このように互いに逆方向に高
速回転させた場合であっても、ウェーハWを高速回転さ
せれば、同様の効果をを得ることができる。また、面粗
さの向上を図ることができるとともに、チッピングの発
生を防止することができる。
In the above-described series of embodiments, the R-type grindstone is used as the grindstone in the first to sixth embodiments, but the R-type grindstone is used in the seventh embodiment. You may process it using the T-shaped grindstone. Similarly, 7th
Although the T-type grindstone is used as the grindstone in the embodiment, an R-type grindstone may be used instead of the T-type grindstone. Further, in the above-described first to fifth embodiments, the grindstone and the wafer are rotated at the same speed at the high speed, but they may be rotated at the high speed in the opposite directions. Even when the wafers W are rotated in the opposite directions at a high speed in this way, the same effect can be obtained by rotating the wafer W at a high speed. In addition, the surface roughness can be improved and chipping can be prevented.
【0125】なお、面取り加工するウェーハの断面形状
には、図20(a)、(b)に示すように2種類あり、
いずれの形状に加工する場合であっても本発明を適用す
ることができる。
There are two types of cross-sectional shapes of the wafer to be chamfered, as shown in FIGS. 20 (a) and 20 (b).
The present invention can be applied to any shape.
【0126】[0126]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るウェ
ーハ面取り方法によれば、高精度な面取り加工を行うこ
とができる。
As described above, according to the wafer chamfering method of the present invention, highly accurate chamfering can be performed.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】ウェーハ面取り装置の構成を示す側面図FIG. 1 is a side view showing the configuration of a wafer chamfering device.
【図2】ウェーハ面取り装置の構成を示す平面図FIG. 2 is a plan view showing the configuration of a wafer chamfering device.
【図3】図1のA−A断面図3 is a sectional view taken along the line AA of FIG.
【図4】図1のB−B断面図4 is a sectional view taken along line BB of FIG.
【図5】粗研用外周加工ユニットとノッチ加工ユニット
の構成を示す正面図
FIG. 5 is a front view showing the configurations of a rough grinding outer peripheral processing unit and a notch processing unit.
【図6】(a)〜(d)は、ノッチ付きウェーハの円形
部の面取り方法の説明図
6A to 6D are explanatory views of a chamfering method for a circular portion of a notched wafer.
【図7】(a)〜(d)は、ノッチ付きウェーハのノッ
チ及びノッチコーナーの面取り方法の説明図
7A to 7D are explanatory views of a chamfering method for a notch and a notch corner of a notched wafer.
【図8】(a)〜(f)は、第2の実施の形態のウェー
ハ面取り方法の説明図
8A to 8F are explanatory views of a wafer chamfering method according to a second embodiment.
【図9】第5の実施の形態の作用を説明するグラフFIG. 9 is a graph illustrating the operation of the fifth embodiment.
【図10】第6の実施の形態の作用を説明するグラフFIG. 10 is a graph illustrating the operation of the sixth embodiment.
【図11】ウェーハ面取り装置の構成を示す正面図FIG. 11 is a front view showing the configuration of a wafer chamfering device.
【図12】ウェーハ面取り装置の構成を示す側面図FIG. 12 is a side view showing the configuration of a wafer chamfering device.
【図13】ウェーハ面取り装置の構成を示す平面図FIG. 13 is a plan view showing the configuration of a wafer chamfering device.
【図14】(a)、(b)は第7の実施の形態のウェー
ハ面取り方法の説明図
14A and 14B are explanatory views of a wafer chamfering method according to a seventh embodiment.
【図15】第7の実施の形態のウェーハ面取り方法の説
明図
FIG. 15 is an explanatory diagram of a wafer chamfering method according to a seventh embodiment.
【図16】第7の実施の形態のウェーハ面取り方法の説
明図
FIG. 16 is an explanatory diagram of a wafer chamfering method according to a seventh embodiment.
【図17】第7の実施の形態のウェーハ面取り方法の説
明図
FIG. 17 is an explanatory diagram of a wafer chamfering method according to a seventh embodiment.
【図18】他の実施の形態の作用の説明図FIG. 18 is an explanatory diagram of the operation of another embodiment.
【図19】第8の実施の形態のウェーハ面取り方法の説
明図
FIG. 19 is an explanatory diagram of a wafer chamfering method according to an eighth embodiment.
【図20】(a)、(b)は面取り加工されたウェーハ
の断面図
20 (a) and 20 (b) are cross-sectional views of a chamfered wafer.
【符号の説明】[Explanation of symbols]
10、200…ウェーハ面取り装置 42…ウェーハ送りユニット 44…粗研用外周加工ユニット 46…ノッチ加工ユニット 56…Y軸テーブル 64…Y軸モータ 70…X軸テーブル 78…X軸モータ 86…Z軸テーブル 96…θ軸モータ 100…ウェーハテーブル 104…外周モータ 104R…粗研用外周モータ 104F…精研用外周モータ 108…外周加工砥石 108R…粗研用外周加工砥石 108F…精研用外周加工砥石 118…ノッチモータ 118R…粗研用ノッチモータ 118F…精研用ノッチモータ 122…ノッチ加工砥石 122R…粗研用ノッチ加工砥石 122F…精研用ノッチ加工砥石 W…ウェーハ NO…ノッチ NR…ノッチコーナー 10, 200 ... Wafer chamfering device 42 ... Wafer feeding unit 44 ... Rough grinding peripheral processing unit 46 ... Notch processing unit 56 ... Y-axis table 64 ... Y-axis motor 70 ... X-axis table 78 ... X-axis motor 86 ... Z-axis table 96 ... θ-axis motor 100 ... Wafer table 104 ... Peripheral motor 104R ... Outer peripheral motor for rough grinding 104F ... Peripheral motor for Seiken 108 ... Peripheral processing grindstone 108R ... Peripheral processing grindstone for rough grinding 108F ... Peripheral processing grindstone for precision polishing 118 ... Notch motor 118R ... Notch motor for roughing 118F ... Notch motor for Seiken 122 ... Notched grinding wheel 122R ... Notch grinding wheel for rough grinding 122F ... Notching whetstone for Seiken W ... Wafer NO ... notch NR ... Notch corner
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−71549(JP,A) 特開 平6−315857(JP,A) 特開 平2−95554(JP,A) 特開 平2−24047(JP,A) 特開 平9−174402(JP,A) 特開 平5−152259(JP,A) 特開 昭64−20960(JP,A) 特開 平9−47969(JP,A)Continued front page       (56) References Japanese Patent Laid-Open No. 10-71549 (JP, A)                 JP-A-6-315857 (JP, A)                 JP-A-2-95554 (JP, A)                 JP-A-2-24047 (JP, A)                 JP-A-9-174402 (JP, A)                 JP-A-5-152259 (JP, A)                 JP-A-64-20960 (JP, A)                 JP-A-9-47969 (JP, A)

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】(57) [Claims]
  1. 【請求項1】 砥石を周速度1000[m/min]以
    上で連続的に高速回転させるとともに、前記砥石から
    定距離離れた位置に位置したウェーハを周速度30[m
    /min]以上で前記砥石と同方向に連続的に高速回転
    させ、 その連続的に高速回転する砥石とウェーハとを所定の軸
    間距離に達するまで相対的に近づけることにより、ウェ
    ーハの周縁を砥石で小量ずつ研削して面取り加工するこ
    とを特徴とするウェーハ面取り方法。
    1. A grindstone with a peripheral speed of 1000 [m / min] or less.
    Continuously it causes a high speed above the U Eha peripheral velocity 30 which is located in <br/> constant distance away away from the grinding wheel [m
    / Min] or more, the wheel is continuously rotated at a high speed in the same direction as the wheel, and the wheel that continuously rotates at a high speed and the wafer are relatively brought close to each other until a predetermined inter-axis distance is reached. Wafer chamfering method characterized by grinding a small amount at a time and chamfering.
  2. 【請求項2】 所定間隔Dを有する互いに平行な2直線
    上に砥石とウェーハとを別々に配置し、 前記砥石を周速度1000[m/min]以上で高速回
    転させるとともに、前記ウェーハを周速度30[m/m
    in]以上で前記砥石と同方向に高速回転させ、 前記直線上を前記ウェーハ若しくは前記砥石又はその双
    方を移動させて、前記ウェーハの周縁に前記砥石を接触
    させて、前記ウェーハの周縁を前記砥石で小量ずつ研削
    して面取り加工することを特徴とするウェーハ面取り方
    法。
    2. A grindstone and a wafer are separately arranged on two mutually parallel straight lines having a predetermined distance D, and the grindstone is rotated at a high speed at a peripheral speed of 1000 [m / min] or more.
    While rotating the wafer , the peripheral speed of the wafer is 30 [m / m
    in] or more, the wafer is rotated at a high speed in the same direction as the grindstone, the wafer or the grindstone is moved on the straight line, and the grindstone is brought into contact with the peripheral edge of the wafer, and the peripheral edge of the wafer is the grindstone. Wafer chamfering method characterized by grinding a small amount at a time and chamfering.
  3. 【請求項3】 前記2直線の間隔Dは、前記砥石の半径
    G と、前記ウェーハの面取り終了後の半径R1 との和
    (RG +R1 )であることを特徴とする請求項2記載の
    ウェーハ面取り方法。
    3. The distance D between the two straight lines is the sum (R G + R 1 ) of the radius R G of the grindstone and the radius R 1 of the wafer after chamfering. Wafer chamfering method described.
  4. 【請求項4】 前記ウェーハと前記砥石とは、相対的に
    近づく方向に所定距離送られると、その送りが停止され
    て、そのままその位置で所定時間待機し、所定時間経過
    すると、再び相対的に近づく方向に所定距離送られて、
    その送りが停止される動作を繰り返しながら加工を進行
    することを特徴とする請求項1又は2記載のウェーハ面
    取り方法。
    4. The wafer and the grindstone are sent for a predetermined distance in a direction in which they are relatively close to each other, the feed is stopped, and the wafer is waited at that position for a predetermined time. It is sent a predetermined distance in the approaching direction,
    3. The wafer chamfering method according to claim 1, wherein the processing is advanced while repeating the operation of stopping the feeding.
  5. 【請求項5】 前記ウェーハの周縁を所定量研削したの
    ち、前記ウェーハを低速回転させて仕上げ面取り加工す
    ることを特徴とする請求項1又は2記載のウェーハ面取
    り方法。
    5. The method for chamfering a wafer according to claim 1, wherein after the peripheral edge of the wafer is ground by a predetermined amount, the wafer is rotated at a low speed to perform a finish chamfering process.
  6. 【請求項6】 前記ウェーハは、周速度が0.3〜3
    [m/min]の範囲で低速回転させて仕上げ面取り加
    工することを特徴とする請求項記載のウェーハ面取り
    方法。
    6. The peripheral speed of the wafer is 0.3 to 3
    The wafer chamfering method according to claim 5, wherein the chamfering is performed by rotating at a low speed within a range of [m / min].
  7. 【請求項7】 前記ウェーハの周速度を30[m/mi
    n]以上の高速度域で又は前記砥石の周速度を1000
    [m/min]以上の高速度域で周期的に変動させるこ
    とを特徴とする請求項1又は2記載のウェーハ面取り方
    法。
    7. The peripheral speed of the wafer is 30 [m / mi
    n] or higher speed range or the peripheral speed of the grindstone is 1000
    The wafer chamfering method according to claim 1 or 2, wherein the wafer is chamfered periodically in a high speed region of [m / min] or more.
  8. 【請求項8】 回転する砥石と、回転するウェーハとを
    相対的に近づけることにより、ウェーハの周縁を砥石で
    研削して面取り加工するウェーハ面取り方法であって、
    大径の砥石で粗面取り加工したのち、小径の砥石で仕上
    げ面取り加工するウェーハ面取り方法において、 前記仕上げ面取り加工に使用する小径の砥石は、レジン
    ボンド砥石であるとともに、外周に断面台形状の溝を有
    し、該 溝は両縁部が円弧状に形成されており、前記小径の砥石の回転軸を前記ウェーハの回転軸に対し
    て所定角度傾斜させて設置することにより、前記小径の
    砥石の砥粒運動方向を前記ウェーハの回転方向に対して
    傾斜させてあり、 まず、前記溝の平坦面に前記ウェーハの外周部周面を当
    接し、 次に、前記平坦面に沿って前記ウェーハを移動させ、前
    記溝の一方側の傾斜面に前記ウェーハの外周部一方側面
    取り面を当接し、 次に、前記傾斜面及び前記円弧面に沿って前記ウェーハ
    を移動させ、該ウェーハの外周部周面一方側コーナー部
    を前記円弧面と同じ曲率に研削し、 次に、前記溝の平坦面に前記ウェーハの外周部周面を当
    接し、 次に、前記平坦面に沿って前記ウェーハを移動させ、前
    記溝の他方側の傾斜面に前記ウェーハの外周部他方側面
    取り面を当接し、 次に、前記傾斜面及び前記円弧面に沿って前記ウェーハ
    を移動させ、該ウェーハの外周部周面他方側コーナー部
    を前記円弧面と同じ曲率に研削し、 前記ウェーハを面取り加工することを特徴とするウェー
    ハ面取り方法。
    8. A rotating grindstone and a rotating wafer
    By bringing them relatively close to each other, the peripheral edge of the wafer can be
    A wafer chamfering method of grinding and chamfering,
    After rough chamfering with a large diameter grindstone, finish with a small diameter grindstone
    In the wafer chamfering method for chamfering, a small-diameter grindstone used for the finishing chamfering is a resin
    It is a bond grindstone and has a groove with a trapezoidal cross section on the outer circumference.
    Both edges of the groove are formed in an arc shape, and the rotation axis of the small-diameter grindstone is set to the rotation axis of the wafer.
    By tilting at a predetermined angle to install
    The direction of the abrasive grain movement of the grindstone with respect to the rotation direction of the wafer
    It is tilted, first, the outer peripheral peripheral surface of the wafer is brought into contact with the flat surface of the groove, then the wafer is moved along the flat surface, and the wafer is tilted on one side of the groove. Abutting the outer peripheral side one side chamfered surface, then moving the wafer along the inclined surface and the circular arc surface, and grinding the outer peripheral peripheral side one side corner portion of the wafer to the same curvature as the circular arc surface. Then, the outer peripheral portion peripheral surface of the wafer is brought into contact with the flat surface of the groove, then the wafer is moved along the flat surface, and the outer peripheral surface of the wafer is attached to the inclined surface on the other side of the groove. Abutting the other side chamfered surface, then moving the wafer along the inclined surface and the arc surface, and grinding the outer peripheral portion peripheral surface other side corner portion of the wafer to the same curvature as the arc surface, Characterized by chamfering the wafer To Lou E over <br/> wafer chamfering method.
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